JP2022112663A - 発光装置、発光装置の製造方法およびプロジェクター - Google Patents

発光装置、発光装置の製造方法およびプロジェクター Download PDF

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Abstract

【課題】エッチングレート差による不具合を低減できる、発光装置、発光装置の製造方法およびプロジェクターを提供する。【解決手段】本発明の発光装置は、基板と、第１発光部と、第２発光部と、第１電極と、第２電極と、第１保護層と、第２保護層とを備える。基板の法線方向から見た平面視で、第１電極の面積は第２電極の面積よりも大きく、第１保護層は第１貫通孔を有し、第２保護層は第２貫通孔を有する。第１貫通孔は、第１孔と、第２孔と、を含み、第２貫通孔は、第３孔と、第４孔と、を含み、第１孔の基板から最も反対側の第１開口面積は、第２孔の最も基板側の第２開口面積より大きく、第３孔の基板から最も反対側の第３開口面積は、第４孔の最も基板側の第４開口面積より大きく、平面視で、第２開口の外縁は第１電極と重なり、第４開口の外縁は第２電極と重なり、第２開口面積は第４開口面積より大きい。【選択図】図３

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法およびプロジェクターに関する。
下記特許文献１には、基板上に設けられた複数のナノコラムからなる発光部を有する発光装置が開示されている。この発光装置では、基板上に異なる色光を発光する発光部が形成されている。
特開２０１３－２３９７１８号公報
上記発光装置において、異なる色光の発光部ごとに発光エリアの大きさを異ならせることが考えられる。発光エリアの大きさは、発光部を覆う保護膜に形成する開口径で決まる。そのため、大きい発光エリアの発光部においては保護膜に大きい開口を形成する必要があり、小さい発光エリアの発光部においては保護膜に小さい開口を形成する必要がある。
しかしながら、保護膜に大きさの異なる開口をエッチングで形成する場合、エッチングレートを揃えることが難しい。そのため、エッチングが早く進行する開口にエッチング時間を合わせると、他方の開口のエッチング時間が不足してしまう。あるいは、エッチングの進行が遅い開口にエッチング時間を合わせると、他方の開口のエッチング時間が長くなり過ぎてしまい、下地層がエッチングによってダメージを受けてしまう。
上記の課題を解決するために、本発明の１つの態様によれば、基板と、前記基板上に設けられる第１発光部と、前記基板上に設けられる第２発光部と、前記第１発光部における前記基板と反対側に設けられた第１電極と、前記第２発光部における前記基板と反対側に設けられた第２電極と、前記第１発光部および前記第１電極を覆う第１保護層と、前記第２発光部および前記第２電極を覆う第２保護層と、を備え、前記基板の法線方向から見た平面視において、前記第１電極の面積は、前記第２電極の面積よりも大きく、前記第１保護層は、第１貫通孔を有し、前記第２保護層は、第２貫通孔を有し、前記第１貫通孔は、第１孔と、前記第１孔の前記基板側に位置する第２孔と、を含み、前記第２貫通孔は、第３孔と、前記第３孔の前記基板側に位置する第４孔と、を含み、前記第１孔における前記基板から最も反対側に位置する第１開口の第１開口面積は、前記第２孔における最も前記基板側に位置する第２開口の第２開口面積より大きく、前記第３孔における前記基板から最も反対側に位置する第３開口の第３開口面積は、前記第４孔における最も前記基板側に位置する第４開口の第４開口面積より大きく、前記平面視において、前記第２開口の外縁は、前記第１電極と重なり、前記第４開口の外縁は、前記第２電極と重なり、前記第２開口面積は、前記第４開口面積より大きい発光装置が提供される。
本発明の１つの態様によれば、基板上に第１発光部および第２発光部を形成する工程と、前記第１発光部における前記基板と反対側に、第１電極を形成する工程と、前記第２発光部における前記基板と反対側に、前記第１電極よりも面積の小さい第２電極を形成する工程と、前記第１発光部および前記第１電極を覆うように前記基板上に第１保護層を形成する工程と、前記第２発光部および前記第２電極を覆うように前記基板上に第２保護層を形成する工程と、前記基板の法線方向から見た平面視で、前記第１保護層における前記第１電極と重なる第１位置と、前記第２保護層における前記第２電極と重なる第２位置と、に第１孔をそれぞれ形成する工程と、前記第１の位置に形成した前記第１孔の底面に、前記第１孔よりも開口面積の小さい第２孔を形成して前記第１電極の一部を露出させる第１貫通孔を形成する工程と、前記第２の位置に形成した前記第１孔の底面に、前記第２孔よりも開口面積の小さい第３孔を形成して前記第２電極の一部を露出させる第２貫通孔を形成する工程と、を備える発光装置の製造方法が提供される。
本発明の１つの態様によれば、上記態様の発光装置を備えるプロジェクターが提供される。
実施形態のプロジェクターの概略構成図である。 発光素子の概略構成を示す平面図である。 発光素子の要部の構成を示す図である。 発光装置の製造工程の要部を示す図である。 発光装置の製造工程の要部を示す図である。 発光装置の製造工程の要部を示す図である。 発光装置の製造工程の要部を示す図である。 発光装置の製造工程の要部を示す図である。 変形例に係る発光素子の構成を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。図１は、本実施形態のプロジェクターの概略構成図である。
図１に示すように、本実施形態のプロジェクター１は、スクリーンＳＣに画像を投射する投射型画像表示装置である。プロジェクター１は、発光装置１２と、光変調装置５と、投射光学装置４と、を備えている。発光装置１２の構成については、後で詳しく説明する。
以下、発光装置１２における発光領域１２Ｒの中心を通る法線に一致する軸であって、発光領域１２Ｒから射出される光束Ｌの主光線が通る光軸を光軸ＡＸ１と称する。
以下、ＸＹＺ直交座標系を用いて各部の構成を説明するが、光軸ＡＸ１の方向から見た平面形状が矩形状の発光領域１２Ｒの長辺に平行な軸をＸ軸とし、発光領域の短辺に平行な軸をＹ軸とし、Ｘ軸とＹ軸とに垂直な軸をＺ軸とする。Ｚ軸と光軸ＡＸ１とは平行である。
光変調装置５は、発光装置１２から射出された光束Ｌを画像情報に応じて変調し、画像光を生成する。光変調装置５は、入射側偏光板６と、液晶表示素子７と、射出側偏光板８と、を有する。Ｚ軸方向から見て、液晶表示素子７の画像形成領域７Ｒの平面形状は、矩形状である。また、上述したように、発光装置１２の発光領域１２Ｒの平面形状は矩形状であり、画像形成領域７Ｒの平面形状と発光領域１２Ｒの平面形状とは、略相似形である。発光領域１２Ｒの面積は、画像形成領域７Ｒの面積と同じか、または、画像形成領域７Ｒの面積よりも僅かに大きい。
投射光学装置４は、光変調装置５から射出された画像光をスクリーンＳＣ等の被投射面上に投射する。投射光学装置４は、一つまたは複数の投射レンズで構成されている。
以下、本実施形態の発光装置１２について説明する。
図１に示すように、発光装置１２は、発光素子２０と、ヒートシンク２１と、を備えている。発光素子２０は、第１面２０ａと第２面２０ｂとを有し、第１面２０ａから光束Ｌを射出する。ヒートシンク２１は、発光素子２０で生じる熱を放出するため、発光素子２０の第２面２０ｂに設けられている。ヒートシンク２１は必要に応じて省略してもよい。
図２は、発光素子２０の概略構成を示す平面図である。なお、図２においては、図面を見やすくするため、発光素子２０における発光領域１２Ｒ内の一部の発光部３０のみを図示し、他の発光部３０の図示を省略する。
図２に示すように、発光素子２０は、アレイ状に設けられた複数の発光部３０を有している。本実施形態において、発光部３０はＸ軸またはＹ軸に沿ってマトリックス状に設けられている。複数の発光部３０は、赤色光を射出する赤色用発光部３０Ｒと、緑色光を射出する緑色用発光部３０Ｇと、青色光を射出する青色用発光部３０Ｂと、を含む。本実施形態の発光装置１２は、各発光部３０を画素として映像を形成する自発光イメージャーを構成することができる。
本実施形態の場合、青色用発光部３０Ｂの発光面積を赤色用発光部３０Ｒの発光面積よりも大きくすることで映像のホワイトバランスを調整している。なお、赤色用発光部３０Ｒおよび緑色用発光部３０Ｇの発光面積は同じ大きさに設定される。
図３は、発光素子２０の要部の構成を示す図である。図３は、複数の発光部３０のうち、青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒを含む部位の図である。図３の上段図は青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒを+Ｚ側から視た平面図であり、図３の下段図は青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒの断面図である。
図３に示すように、発光素子２０は、基体（基板）１０と、半導体層１１と、青色用発光部（第１発光部）３０Ｂと、赤色用発光部（第２発光部）３０Ｒと、第１保護層５１と、第２保護層５２と、下層電極６０Ｂと、上層電極（第１電極）７０Ｂと、引き出し電極７１Ｂと、下層電極６０Ｒと、上層電極（第２電極）７０Ｒと、引き出し電極７１Ｒと、第１配線８１と、第２配線８２と、を有する。
本実施形態では、Ｚ軸方向において、基体１０から青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒを構成する後述のナノコラムが積層される方向を「上」とし、基体１０から青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒと反対側に向かう方向を「下」として説明する。
基体１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板、サファイア基板を主に構成されている基板である。基体１０の表面には、例えばＡｌＧａＮ層とＧａＮ層とを交互に積層させた積層体、ＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層とを交互に積層させた積層体等の反射層が形成されている。反射層は後述する青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒの発光層で発生した光を基体１０と反対側に向けて反射させる。
半導体層１１は、基体１０上に設けられている。半導体層１１は、例えば、ｎ型のＧａＮ層、具体的はＳｉがドープされたＧａＮ層で構成されている。
図２に示した複数の発光部３０は半導体層１１を介して基体１０上に島状に形成されている。隣り合う発光部３０は、半導体層１１の周囲に設けられた素子分離層（図示略）によって電気的に分離されている。素子分離層は、例えば、ｉ型のＧａＮ層、酸化シリコン層、窒化シリコン層などで構成されている。発光部３０はエッチングによるパターニングによって島状に形成されている。すなわち、青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒは電気的に分離されている。
青色用発光部３０Ｂは、複数のナノコラム（第１柱状部）３１と、光伝搬層３６と、を有している。ナノコラム３１は半導体層１１上に突出して延びる柱状結晶構造体である。ナノコラム３１の平面形状は、多角形、円、楕円などである。本実施形態では、図２に示すように、ナノコラム３１の平面形状は、円形である。ナノコラム３１の径は、ｎｍオーダーであり、具体的には、例えば１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である。ナノコラム３１の積層方向の寸法、いわゆるナノコラム３１の高さは、例えば０．１μｍ以上、５μｍ以下である。
なお、「ナノコラム３１の径」は、ナノコラム３１の平面形状が円の場合には、円の直径であり、ナノコラム３１の平面形状が円ではない場合には、最小包含円の直径である。例えばナノコラム３１の平面形状が多角形の場合、ナノコラム３１の径は、多角形を内部に含む最小の円の直径であり、ナノコラム３１の平面形状が楕円の場合、ナノコラム３１の径は、楕円を内部に含む最小の円の直径である。
「ナノコラム３１の中心」は、ナノコラム３１の平面形状が円の場合には、円の中心であり、ナノコラム３１の平面形状が円ではない形状の場合には、最小包含円の中心である。例えばナノコラム３１の平面形状が多角形の場合には、ナノコラム３１の中心は、多角形を内部に含む最小の円の中心であり、ナノコラム３１の平面形状が楕円の場合には、ナノコラム３１の中心は、楕円を内部に含む最小の円の中心である。
複数のナノコラム３１は、平面視において、所定の方向に所定のピッチで配列されている。ナノコラム３１は、フォトニック結晶の効果を発現でき、発光層が発する光を、基体１０の面内方向に閉じ込め、積層方向に射出させる。「積層方向」とは、基体１０において積層体が設けられている側の面、すなわち基板面、の法線方向に沿う方向である。「基体１０の面内方向」とは、積層方向と直交する面に沿う方向である。
図３に示すように、ナノコラム３１は、第１半導体層３２と、発光層（第１発光層）３３と、第２半導体層３４と、を有している。ナノコラム３１を構成する各層は後述のようにエピタキシャル成長によって形成される。
第１半導体層３２は、半導体層１１上に設けられている。第１半導体層３２は、基体１０と発光層３３との間に設けられている。第１半導体層３２は、例えばＳｉがドープされたｎ型のＧａＮ層で構成されている。本実施形態において、第１半導体層３２は、半導体層１１と同じ材料で構成されている。
発光層３３は、第１半導体層３２上に設けられている。発光層３３は、第１半導体層３２と第２半導体層３４との間に設けられている。発光層３３は、例えばＧａＮ層とＩｎＧａＮ層とから構成された量子井戸構造を有している。発光層３３は、第１半導体層３２および第２半導体層３４を介して電流が注入されることによって光を発する。なお、発光層３３を構成するＧａＮ層およびＩｎＧａＮ層の数は、特に限定されない。
本実施形態の場合、発光層３３は、例えば、４３０ｎｍ～４７０ｎｍの青色波長帯の青色光を射出する。
第２半導体層３４は、発光層３３上に設けられている。第２半導体層３４は、第１半導体層３２とは導電型が異なる層である。第２半導体層３４は、例えばＭｇがドープされたｐ型のＧａＮ層で構成されている。第１半導体層３２および第２半導体層３４は、発光層３３内に光を閉じ込める機能を有するクラッド層として機能する。
光伝搬層３６は、平面視において、ナノコラム３１を囲んで設けられている。光伝搬層３６の屈折率は、発光層３３の屈折率よりも低い。光伝搬層３６は、例えば、ＧａＮ層、酸化チタン（ＴｉＯ２）層である。光伝搬層３６であるＧａＮ層は、ｉ型でもよいし、ｎ型でもよいし、ｐ型でもよい。光伝搬層３６は、発光層３３において生じた光を、平面方向に伝搬させることができる。
青色用発光部３０Ｂにおいては、ｐ型の第２半導体層３４、不純物がドーピングされていない発光層３３、およびｎ型の第１半導体層３２の積層体により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１半導体層３２および第２半導体層３４のバンドギャップは、発光層３３のバンドギャップよりも大きい。青色用発光部３０Ｂにおいて、下層電極６０Ｂと上層電極７０Ｂとの間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加して電流を注入すると、発光層３３において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。
発光層３３において発生した光は、第１半導体層３２および第２半導体層３４により基体１０の面内方向に光伝搬層３６を通って伝搬する。このとき、光は、ナノコラム３１によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成し、基体１０の面内方向に閉じ込められる。閉じ込められた光は、発光層３３において利得を受けてレーザー発振する。すなわち、発光層３３において発生した光は、ナノコラム３１により基体１０の面内方向に共振し、レーザー発振する。具体的には、発光層３３において発生した光は、複数のナノコラム３１で構成された共振部において基体１０の面内方向に共振し、レーザー発振する。その後、共振により生じる＋１次回折光および－１次回折光は、レーザー光として積層方向（Ｚ軸方向）に進行する。
発光素子２０では、面内方向に伝搬している光の強度が、Ｚ軸方向において、発光層３３で最も大きくなるように、第１半導体層３２、第２半導体層３４および発光層３３の屈折率および厚さが設計されている。
本実施形態において、積層方向に進行したレーザー光のうち、基体１０側に向かって進んだレーザー光は、基体１０の表面に形成された反射層（図示略）によって反射され、上側に向かって進む。これにより、青色用発光部３０Ｂは、上側から光を射出することができる。
図３に示すように、半導体層１１上には、絶縁層３５が設けられている。絶縁層３５は、光伝搬層３６と半導体層１１との間に設けられている。絶縁層３５は、青色用発光部３０Ｂの製造工程において、ナノコラム３１を構成する膜を成長させるためのマスクとして機能する。絶縁層３５は、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層などで構成されている。
第１保護層５１は、青色用発光部３０Ｂを覆って基体１０（半導体層１１）上に設けられている。第１保護層５１は、例えば、酸化シリコン層である。第１保護層５１は基体１０の上面を平坦化するとともに青色用発光部３０Ｂを衝撃などから保護する機能を有している。第１保護層５１には、青色用発光部３０Ｂの上側を露出させるコンタクトホール（第１貫通孔）１５１が設けられている。
下層電極６０Ｂは、青色用発光部３０Ｂの側方において、半導体層１１上に設けられている。下層電極６０Ｂは、半導体層１１を介して、ナノコラム３１の第１半導体層３２と電気的に接続されている。下層電極６０Ｂは、発光層３３に電流を注入するための一方の電極である。下層電極６０Ｂとしては、例えば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＰｔあるいはＡｕなどの金属層、あるいはこれらを積層した積層金属膜などが用いられる。
上層電極７０Ｂは、青色用発光部３０Ｂ上に設けられている。上層電極７０Ｂは、ナノコラム３１の発光層３３に電流を注入するための他方の電極である。上層電極７０Ｂは、ナノコラム３１および光伝搬層３６の一部に接触するように設けられている。上層電極７０Ｂは、青色用発光部３０Ｂの数に応じて、複数設けられている。上層電極７０Ｂの一部は第１保護層５１に設けられたコンタクトホール１５１内に露出している。
上層電極７０Ｂとしては、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＰｔあるいはＡｕなどの金属層、あるいはこれらを積層した積層金属膜などが用いられる。上層電極７０Ｂは、引き出し電極７１Ｂと青色用発光部３０Ｂとの導通性を向上させるための電極である。なお、上層電極７０Ｂは数１０ｎｍ程度の薄膜であるため、光透過性を有している。
引き出し電極７１Ｂはコンタクトホール１５１内に露出する上層電極７０Ｂに接続される。引き出し電極７１Ｂは、コンタクトホール１５１を経由して第１保護層５１上に引き出されている。
引き出し電極７１Ｂは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）層で構成された光透過性導電層である。発光層３３において生じた光は、上層電極７０Ｂおよび引き出し電極７１Ｂを透過して上側に射出される。
第１配線８１は、引き出し電極７１Ｂに積層されている。第１配線８１は、引き出し電極７１Ｂおよび上層電極７０Ｂを介して青色用発光部３０Ｂにおけるナノコラム３１の第２半導体層３４と電気的に接続されている。第１配線８１としては、例えば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＰｔあるいはＡｕなどの金属層、あるいはこれらを積層した積層金属膜などが用いられる。
第１配線８１は、基体１０上における不図示の領域に設けられた駆動回路に、例えばワイヤーを介して接続されている。上述の下層電極６０Ｂは基体１０上における不図示の領域に設けられた駆動回路に、例えばワイヤーを介して接続されている。このような構成に基づき、発光装置１２は、駆動回路を駆動させることで下層電極６０Ｂおよび上層電極７０Ｂを介して発光層３３に電流を注入し、青色用発光部３０Ｂを発光させることができる。
一方、赤色用発光部３０Ｒは、複数のナノコラム（第２柱状部）４１と、光伝搬層４６と、を有している。赤色用発光部３０Ｒは、青色用発光部３０Ｂと発光する光の色が異なる以外、青色用発光部３０Ｂと同様の構成を有している。そのため、以下では、青色用発光部３０Ｂと同様の構成については説明を省略する。
図３に示すように、ナノコラム４１は、赤色光を発光する発光層（第２発光層）４３を含む。
第２保護層５２は、赤色用発光部３０Ｒを覆って基体１０（半導体層１１）上に設けられている。第２保護層５２は、第１保護層５１と同じ材料で形成される。第２保護層５２は基体１０の上面を平坦化するとともに赤色用発光部３０Ｒを衝撃などから保護する機能を有している。第２保護層５２には、赤色用発光部３０Ｒの上側を露出させるコンタクトホール（第２貫通孔）１５２が設けられている。
下層電極６０Ｒは、赤色用発光部３０Ｒの側方において、半導体層１１上に設けられている。下層電極６０Ｒは、ナノコラム４１の発光層４３に電流を注入するための一方の電極である。上層電極７０Ｒは、赤色用発光部３０Ｒ上に設けられている。上層電極７０Ｒは、ナノコラム４１の発光層４３に電流を注入するための他方の電極である。上層電極７０Ｒは、ナノコラム４１および光伝搬層４６の一部に接触するように設けられている。上層電極７０Ｒは、赤色用発光部３０Ｒの数に応じて、複数設けられている。上層電極７０Ｒの一部は第２保護層５２に設けられたコンタクトホール１５２内に露出している。
引き出し電極７１Ｒはコンタクトホール１５２内に露出する上層電極７０Ｒに接続される。引き出し電極７１Ｒは、コンタクトホール１５２を経由して第２保護層５２上に引き出されている。
第２配線８２は、引き出し電極７１Ｒに積層されている。第２配線８２は、引き出し電極７１Ｒおよび上層電極７０Ｒを介して赤色用発光部３０Ｒのナノコラム４１と電気的に接続されている。
第２配線８２は、基体１０上における不図示の領域に設けられた駆動回路に、例えばワイヤーを介して接続されている。上述の下層電極６０Ｒは基体１０上における不図示の領域に設けられた駆動回路に、例えばワイヤーを介して接続されている。このような構成に基づき、発光素子２０は、駆動回路を駆動させることで下層電極６０Ｒおよび上層電極７０Ｒを介して発光層４３に電流を注入し、赤色用発光部３０Ｒを発光させることができる。
上述したように本実施形態の発光装置１２では、発光素子２０において、青色用発光部３０Ｂの発光面積を赤色用発光部３０Ｒの発光面積よりも大きく設定している。ここで、発光面積の大きさは、ナノコラムと電極との接触面積、すなわち、ナノコラム上に形成する電極の大きさで規定される。すなわち、本実施形態の場合、青色用発光部３０Ｂのナノコラム３１上に形成される上層電極７０Ｂの面積が、赤色用発光部３０Ｒのナノコラム４１上に形成される上層電極７０Ｒの面積よりも大きい。そのため、上層電極７０Ｂを露出させるコンタクトホール１５１の開口径は、上層電極７０Ｒを露出させるコンタクトホール１５２の開口径よりも大きくなる。
図３に示すように、コンタクトホール１５１は、上部孔（第１孔）１５１１と、下部孔（第２孔）１５１２と、を含む。下部孔１５１２は、上部孔１５１１の基体１０側（下側）に位置し、上部孔１５１１は下部孔１５１２の上側（基体１０と反対側）に位置する。
本実施形態において、コンタクトホール１５１は後述のようにエッチング工程で形成される。コンタクトホール１５１は、上部孔１５１１および下部孔１５１２が２段階のエッチング工程で形成される。上部孔１５１１に第１保護層５１を形成するエッチング条件は、下部孔１５１２に第１保護層５１を形成するエッチング条件とは異なる。なお、コンタクトホール１５１のエッチング工程については後述する。
本実施形態において、上部孔１５１１は下側に向かって内径が狭まるテーパー形状を有する。そのため、上部孔１５１１は、基体１０から最も反対側（上側）に位置する上側開口端である第１開口１５１１ａの第１開口面積Ｓ１が最大となり、最も基体１０側に位置する下側開口端である第５開口１５１１ｂの第５開口面積Ｓ５が最小となる。
下部孔１５１２は上部孔１５１１の底面１５１３の一部に形成される。下部孔１５１２は上層電極７０Ｂの一部を露出させる。上部孔１５１１の底面１５１３は平坦面である。上部孔１５１１は後述のようにエッチング工程によって形成されるため、底面１５１３が平坦面であるとは、鏡面のような凹凸を有しない平面ではなく、エッチング工程で一般的に生じ得る微細な凹凸形状を含んだ面を意味する。
本実施形態において、下部孔１５１２は下側に向かって内径が狭まるテーパー形状を有する。そのため、下部孔１５１２は、基体１０から最も反対側（上側）に位置する上側開口端の開口面積が最大となり、最も基体１０側に位置する下側開口端である第２開口１５１２ａの第２開口面積Ｓ２が最小となる。なお、下部孔１５１２における上側開口端の開口面積は、上部孔１５１１の第５開口面積Ｓ５よりも小さい。
本実施形態において、上部孔１５１１の第１開口面積Ｓ１は、下部孔１５１２の第２開口面積Ｓ２より大きい。
本実施形態において、上層電極７０Ｂを覆う第１保護層５１の膜厚は、例えば、６００ｎｍ～１０００ｎｍに設定される。
上部孔１５１１は、上層電極７０Ｂを覆う部分（底面１５１３）の膜厚が第１保護層５１の膜厚の１／４～１／６程度となるように、形成されている。上層電極７０Ｂを覆う部分の膜厚は電流リーク等を考慮すると、１５０ｎｍ以上確保することが望ましい。
例えば、上層電極７０Ｂを覆う第１保護層５１の膜厚を６００ｎｍとした場合、上層電極７０Ｂを１５０ｎｍの膜厚で覆うためには、上部孔１５１１の深さを４５０ｎｍに設定すればよい。また、上層電極７０Ｂを覆う第１保護層５１の膜厚を１０００ｎｍとした場合において、上層電極７０Ｂを膜厚１５０ｎｍの膜厚で覆うためには、上部孔１５１１の深さを８５０ｎｍに設定すればよい。
図３に示すように、コンタクトホール１５２は、上部孔（第３孔）１５２１と、下部孔（第４孔）１５２２と、を含む。下部孔１５２２は、上部孔１５２１の基体１０側（下側）に位置し、上部孔１５２１は下部孔１５２２の上側に位置する。
本実施形態において、コンタクトホール１５２は後述のようにエッチング工程で形成される。コンタクトホール１５２は、上部孔１５２１および下部孔１５２２が２段階のエッチング工程で形成される。つまり、上部孔１５２１を第２保護層５２に形成するエッチング条件は、下部孔１５２２を第２保護層５２に形成するエッチング条件と異なる。上部孔１５２１は、コンタクトホール１５１の上部孔１５１１と同じエッチング工程で形成される。下部孔１５２２は、コンタクトホール１５１の下部孔１５１２と同じエッチング工程で形成される。なお、コンタクトホール１５１のエッチング工程については後述する。
本実施形態において、上部孔１５２１は下側に向かって内径が狭まるテーパー形状を有する。そのため、上部孔１５２１は、基体１０から最も反対側（上側）に位置する上側開口端である第３開口１５２１ａの第３開口面積Ｓ３が最大となり、最も基体１０側に位置する下側開口端である第６開口１５２１ｂの第６開口面積Ｓ６が最小となる。
下部孔１５２２は上部孔１５２１の底面１５２３の一部に形成される。下部孔１５２２は上層電極７０Ｒの一部を露出させる。上部孔１５２１の底面１５２３は平坦面である。底面１５２３が平坦面であるとは、エッチング工程で一般的に生じ得る微細な凹凸形状を含んだ面を意味する。
本実施形態において、下部孔１５２２は下側に向かって内径が狭まるテーパー形状を有する。そのため、下部孔１５２２は、基体１０から最も反対側（上側）に位置する上側開口端の開口面積が最大となり、最も基体１０側に位置する下側開口端である第４開口１５２２ａの第４開口面積Ｓ４が最小となる。なお、下部孔１５２２における上側開口端の開口面積は、上部孔１５２１の第６開口面積Ｓ６よりも小さい。
本実施形態において、上部孔１５２１の第３開口面積Ｓ３は、下部孔１５２２の第４開口面積Ｓ４より大きい。
本実施形態において、コンタクトホール１５１における上部孔１５１１の第１開口面積Ｓ１は、コンタクトホール１５２における上部孔１５２１の第３開口面積Ｓ３と等しい。また、コンタクトホール１５１における上部孔１５１１の第５開口面積Ｓ５は、コンタクトホール１５２における上部孔１５２１の第６開口面積Ｓ６と等しい。
このように本実施形態の場合、コンタクトホール１５１の上部孔１５１１とコンタクトホール１５２の上部孔１５２１とは同様の開口形状を有している。上部孔１５１１および上部孔１５２１は同等のエッチングレートでエッチングされた孔である。
一方、本実施形態において、コンタクトホール１５１の下部孔１５１２とコンタクトホール１５２の下部孔１５２２とは互いに異なる開口形状を有している。下部孔１５１２および下部孔１５２２は異なるエッチングレートでエッチングされた孔である。
本実施形態において、コンタクトホール１５１における下部孔１５１２の第２開口面積Ｓ２は、コンタクトホール１５２における下部孔１５２２の第４開口面積Ｓ４より大きい。これにより、コンタクトホール１５１は、上層電極７０Ｒよりも面積の大きい上層電極７０Ｂを露出させることができる。
ここで、コンタクトホール１５１における上部孔１５１１の第１開口面積Ｓ１とコンタクトホール１５２における上部孔１５２１の第３開口面積Ｓ３との比を第１面積比とする。また、コンタクトホール１５１における下部孔１５１２の第２開口面積Ｓ２とコンタクトホール１５２における下部孔１５２２の第４開口面積Ｓ４との比を第２面積比とする。
上述のように上部孔１５１１および上部孔１５２１は同様の開口形状を有するため、第１面積比は略１となる。また、上述のように第２開口面積Ｓ２は第４開口面積Ｓ４よりも大きいため、第２面積比は１よりも小さくなる。例えば、第２開口面積Ｓ２が第４開口面積Ｓ４の２倍とすると、第２面積比は０．５となる。
このように本実施形態の発光装置１２では、第１開口面積Ｓ１および第３開口面積Ｓ３の比である第１面積比が第２開口面積Ｓ２および第４開口面積Ｓ４の比である第２面積比よりも小さくなっている。
コンタクトホール１５１は、基体１０を構成する基板の法線方向から見た平面視で、上層電極７０Ｂの一部を露出させる位置に形成される。すなわち、基体１０の法線方向から見た平面視で、コンタクトホール１５１の下部孔１５１２の第２開口１５１２ａの外縁５１２が、上層電極７０Ｂと重なるように、コンタクトホール１５１が形成される。第２開口１５１２ａの外縁５１２は、少なくとも一部が、上層電極７０Ｂと重なっていればよい。
コンタクトホール１５２は、基体１０を構成する基板の法線方向から見た平面視で、上層電極７０Ｒの一部を露出させる位置に形成される。すなわち、基体１０の法線方向から見た平面視で、コンタクトホール１５２の下部孔１５２２の第４開口１５２２ａの外縁５２２が、上層電極７０Ｒと重なるように、コンタクトホール１５１が形成される。第４開口１５２２ａの外縁５２２は、少なくとも一部が、上層電極７０Ｒと重なっていればよい。
続いて、本実施形態の発光装置１２の製造方法を説明する。
図４Ａ～図４Ｅは発光装置１２の製造工程の要部を示す図である。以下では、青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒの製造工程を主に説明する。
まず、図４Ａに示すように、基体１０上に青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒを含む発光部３０を島状に形成する工程を行う。
発光部３０の形成工程では、はじめに、基体１０上における所定領域に半導体層１１をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法などが挙げられる。
まず、半導体層１１上に複数のナノコラム３１を形成し、ナノコラム３１の周囲に光伝搬層３６を形成する。
具体的にナノコラム３１を形成する場合、半導体層１１上に絶縁層３５を形成する。絶縁層３５は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法による成膜、およびフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニング（以下、単に「パターニング」ともいう）によって形成される。開口を形成した絶縁層３５をマスクとして、例えば、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより、半導体層１１上に、第１半導体層３２、発光層３３、第２半導体層３４をこの順でエピタキシャル成長させることでナノコラム３１を形成することができる。
ナノコラム３１の形成後、ナノコラム３１の周囲に光伝搬層３６を形成する。光伝搬層３６は、例えば、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などによるＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）法によって形成される。
そして、青色用発光部３０Ｂの形成領域以外に形成された不要なナノコラム３１および光伝搬層３６を、例えばＣｌ系のエッチングガスを用いたドライエッチングプロセスによって除去する。これにより、青色用発光部３０Ｂを半導体層１１上に形成する。
その後、上層電極７０Ｂ上に青色用発光部３０Ｂを形成する。青色用発光部３０Ｂは、例えば、スパッタ法や真空蒸着法による成膜、およびパターニングによって形成される。
また、赤色用発光部３０Ｒを形成する場合、青色用発光部３０Ｂと同様、半導体層１１上に複数のナノコラム４１を形成し、ナノコラム４１の周囲に光伝搬層４６を形成した後、赤色用発光部３０Ｒの形成領域以外に形成された不要なナノコラム４１および光伝搬層４６をドライエッチングプロセスによって除去し、半導体層１１上に赤色用発光部３０Ｒが形成される。その後、赤色用発光部３０Ｒ上に上層電極７０Ｒを形成する。本実施形態の場合、上層電極７０Ｒの面積は上層電極７０Ｂの面積よりも小さい。
続いて、図４Ｂに示すように、青色用発光部３０Ｂおよび上層電極７０Ｂを覆うように基体１０上に第１保護層５１を形成する。また、赤色用発光部３０Ｒおよび上層電極７０Ｒを覆うように基体１０上に第２保護層５２を形成する。第１保護層５１および第２保護層５２は、例えば、スピンコートによる成膜によって形成される。そのため、第１保護層５１および第２保護層５２は同じ材料で構成される。
続いて、第１保護層５１および第２保護層５２にコンタクトホール１５１，１５２をそれぞれ形成する。なお、図示を省略するが、コンタクトホール１５１、１５２を形成するに先立ち、第１保護層５１および第２保護層５２を所定形状にパターニングしておく。
具体的に、図４Ｃに示すように、第１保護層５１における上層電極７０Ｂと重なる第１の位置Ｐ１に第１孔としての上部孔１５１１を形成する。本実施形態の場合、第１保護層５１に上部孔１５１１を形成する際、第２保護層５２における上層電極７０Ｒと重なる第２の位置Ｐ２に上部孔（第１孔）１５２１が同時に形成される。上部孔１５１１および上部孔１５２１は同様の開口形状を有するため、同様のエッチング条件で形成される。
続いて、図４Ｄに示すように、第１の位置Ｐ１に形成した上部孔１５１１の底面１５１３に、上部孔１５１１よりも開口面積の小さい第２孔としての下部孔１５１２を形成して上層電極７０Ｂの一部を露出させるコンタクトホール１５１を形成する。また、第２の位置Ｐ２に形成した上部孔１５２１の底面１５２３に、下部孔１５１２よりも開口面積の小さい第３孔としての下部孔１５２２を形成して上層電極７０Ｒの一部を露出させるコンタクトホール１５２を形成する。
一般的に、互いに開口面積の異なる孔におけるエッチングレートを合わせることは難しい。例えば、開口面積の大きい孔のエッチング工程はエッチングガスが多いため、開口面積の小さい孔のエッチング工程よりもエッチング時間が短くなる。そのため、大径孔と小径孔を同時にエッチングする場合、相対的にエッチングが進行し易い大径孔にエッチング時間に合わせると、相対的にエッチングが進行し難い小径孔におけるエッチング時間が短くなり、小径孔が十分にエッチングされず、エッチング残渣が付着することで導通不良等の問題が生じる。
一方、相対的にエッチングが進行し難い小径孔にエッチング時間に合わせると、大径孔におけるエッチング時間が長くなり、大径により露出される電極がプラズマに長時間晒されることとなり、エッチングダメージによって特性が劣化する問題が生じる。
これに対して、本実施形態の場合、予め上部孔１５１１、１５２１を第１保護層５１および第２保護層５２に形成することで、上層電極７０Ｂを覆う第１保護層５１の膜厚と、上層電極７０Ｒを覆う第２保護層５２の膜厚とを小さくしている。これにより、上部孔１５１１，１５１２を形成することなく下部孔１５１２、１５２２を第１保護層５１および第２保護層５２に直接形成する場合に比べ、上部孔１５１１，１５２１の深さ分だけ下部孔１５１２、１５２２を形成する際のエッチング膜厚を小さくすることができる。よって、第１保護層５１および第２保護層５２に異なる開口径をもつコンタクトホール１５１，１５２を形成する場合においても、エッチングレート差により生じるエッチング残渣やエッチングダメージによる特性劣化等の問題発生を抑制できる。
続いて、図４Ｅに示すように、コンタクトホール１５１内に露出する上層電極７０Ｂ上に引き出し電極７１Ｂを形成し、コンタクトホール１５２内に露出する上層電極７０Ｒ上に引き出し電極７１Ｒを形成する。引き出し電極７１Ｂ，７０Ｒは、例えば、スパッタ法や真空蒸着法による成膜およびパターニングによって形成される。続いて、引き出し電極７１Ｂ，７０Ｒ上に第１配線８１および第２配線８２をそれぞれ形成する。第１配線８１および第２配線８２は、例えば、スパッタ法や真空蒸着法による成膜およびパターニングによって形成される。
そして、発光部３０の形成領域と異なる不図示の領域に、下層電極６０Ｂ，６０Ｒ（図３参照）を形成する。下層電極６０Ｂ，６０Ｒは、例えば、スパッタ法や真空蒸着法による成膜、およびパターニングによって形成される。なお、下層電極６０Ｂ，６０Ｒを形成する工程と、引き出し電極７１Ｂ，７０Ｒおよび第１配線８１および第２配線８２を形成する工程との順番は、特に限定されない。
最後に、例えば、接合部材（図示せず）を用いて基体１０上に駆動回路を搭載し、駆動回路と各発光部３０の下層電極６０Ｂ，６０Ｒと第１配線８１および第２配線８２とをワイヤー等によって電気的に接続する。そして、基体１０の下面（－Ｚ側の面）にヒートシンク２１を取り付けることで、本実施形態の発光装置１２が製造される。
（本実施形態の効果）
以上のように本実施形態の発光装置１２は、基体１０と、基体１０上に設けられる青色用発光部３０Ｂと、基体１０上に設けられる赤色用発光部３０Ｒと、青色用発光部３０Ｂにおける基体１０と反対側に設けられた上層電極７０Ｂと、赤色用発光部３０Ｒにおける基体１０と反対側に設けられた上層電極７０Ｒと、青色用発光部３０Ｂおよび上層電極７０Ｂを覆う第１保護層５１と、赤色用発光部３０Ｒおよび上層電極７０Ｒを覆う第２保護層５２と、を備え、上層電極７０Ｂの面積は、上層電極７０Ｒの面積よりも大きく、第１保護層５１は、上層電極７０Ｂの一部を露出させるコンタクトホール１５１を有し、第２保護層５２は、上層電極７０Ｒの一部を露出させるコンタクトホール１５２を有し、コンタクトホール１５１は、上部孔１５１１と、上部孔１５１１の基体１０側に位置する下部孔１５１２と、を含み、コンタクトホール１５２は、上部孔１５２１と、上部孔１５２１の基体１０側に位置する下部孔１５２２と、を含み、上部孔１５１１における基体１０から最も反対側に位置する第１開口面積Ｓ１は、下部孔１５１２における最も基体１０側に位置する第２開口面積Ｓ２より大きく、上部孔１５２１における基体１０から最も反対側に位置する第３開口面積Ｓ３は、下部孔１５２２における最も基体１０側に位置する第４開口面積Ｓ４より大きく、第２開口面積Ｓ２は、第４開口面積Ｓ４より大きい。
本実施形態の発光装置１２では、上部孔１５１１および下部孔１５１２を含むコンタクトホール１５１によって上層電極７０Ｂの一部が露出され、上部孔１５２１および下部孔１５２２を含むコンタクトホール１５２によって上層電極７０Ｒの一部が露出されている。そのため、上部孔１５１１、１５２１を第１保護層５１および第２保護層５２に形成しておくことで、上層電極７０Ｂを覆う第１保護層５１の膜厚と、上層電極７０Ｒを覆う第２保護層５２の膜厚とが小さくなる。これにより、第１保護層５１および第２保護層５２に下部孔１５１２、１５２２を直接形成する構成に比べて、孔径の異なる下部孔１５１２、１５２２を形成する際のエッチング膜厚が抑えられる。
よって、第１保護層５１および第２保護層５２に異なる開口径をもつコンタクトホール１５１，１５２を形成する場合において、エッチングレート差により生じるエッチング残渣やエッチングダメージによる特性劣化を抑制することができる。したがって、本実施形態の発光装置１２は、エッチングレート差による不具合を低減した信頼性の高いものとなる。
本実施形態の発光装置１２において、第１開口面積Ｓ１および第３開口面積Ｓ３の比である第１面積比は、第２開口面積Ｓ２および第４開口面積Ｓ４の比である第２面積比よりも小さい。
この構成によれば、コンタクトホール１５１、１５２間において、上部孔１５１１、１５２１同士の開口形状を近づけることができる。これにより、上部孔１５１１、１５２１のエッチング工程を同一工程で行うことができるので、製造が容易となる。
本実施形態の発光装置１２において、第１開口面積Ｓ１は、第３開口面積Ｓ３と等しく、上部孔１５１１における最も基体１０側に位置する第５開口面積Ｓ５は、上部孔１５２１における最も基体１０側に位置する第６開口面積Ｓ６と等しい。
この構成によれば、上部孔１５１１、１５２１同士の開口形状が一致するので、コンタクトホールの形成工程が容易となる。
本実施形態の発光装置１２において、下部孔１５１２は上部孔１５１１の底面１５１３の一部に形成され、下部孔１５２２は上部孔１５２１の底面１５２３の一部に形成される。
この構成によれば、第１エッチング工程で上部孔１５１１，１５２１を形成した後、第２エッチング工程で下部孔１５１２，１５２２を形成することができる。これにより、コンタクトホール１５１，１５２を２段階のエッチング工程で形成することが可能となり、エッチングレート差による不具合を低減できる。
本実施形態の発光装置１２において、上部孔１５１１の底面１５１３と上部孔１５２１の底面１５２３とは、それぞれ平坦面である。
この構成によれば、上部孔１５１１，１５２１の深さをコントロールし易くなるため、上部孔１５１１，１５２１の製造が容易となる。
本実施形態の発光装置１２において、青色用発光部３０Ｂは、発光層３３を含む複数のナノコラム３１を有し、赤色用発光部３０Ｒは、発光層４３を含む複数のナノコラム４１を有している。
この場合、青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒとして、複数のナノコラム３１、４１を含む構造を備えた発光装置１２を提供できる。
本実施形態の発光装置１２の製造方法は、基体１０上に青色用発光部３０Ｂおよび赤色用発光部３０Ｒを形成する工程と、青色用発光部３０Ｂにおける基体１０と反対側に、上層電極７０Ｂを形成する工程と、赤色用発光部３０Ｒにおける基体１０と反対側に、上層電極７０Ｂよりも面積の小さい上層電極７０Ｒを形成する工程と、青色用発光部３０Ｂおよび上層電極７０Ｂを覆うように基体１０上に第１保護層５１を形成する工程と、赤色用発光部３０Ｒおよび上層電極７０Ｒを覆うように基体１０上に第２保護層５２を形成する工程と、第１保護層５１における上層電極７０Ｂと重なる第１の位置Ｐ１と、第２保護層５２における上層電極７０Ｒと重なる第２の位置Ｐ２と、に上部孔１５１１，１５２１をそれぞれ形成する工程と、第１の位置Ｐ１に形成した上部孔１５１１の底面１５１３に、上部孔１５１１よりも開口面積の小さい下部孔１５１２を形成して上層電極７０Ｂの一部を露出させるコンタクトホール１５１を形成する工程と、第２の位置Ｐ２に形成した上部孔１５２１の底面１５２３に、下部孔１５１２よりも開口面積の小さい下部孔１５２２を形成して上層電極７０Ｒの一部を露出させるコンタクトホール１５２を形成する工程と、を備える。
本実施形態の発光装置１２の製造方法によれば、予め上部孔１５１１、１５２１を第１保護層５１および第２保護層５２に形成しておくことで、上層電極７０Ｂを覆う第１保護層５１の膜厚と、上層電極７０Ｒを覆う第２保護層５２の膜厚とを小さくすることができる。これにより、上部孔１５１１，１５２１の深さ分だけ孔径の異なる下部孔１５１２、１５２２を形成する際にエッチングする保護膜の膜厚を小さくすることができる。
よって、エッチングレート差により生じるエッチング残渣やエッチングダメージによる特性劣化等の不具合を低減しつつ、第１保護層５１および第２保護層５２に異なる開口径のコンタクトホール１５１，１５２を形成することができる。したがって、信頼性に優れた発光装置１２を提供できる。
本実施形態のプロジェクター１は発光装置１２を備えている。
本実施形態によれば、エッチング工程による不具合を抑制した発光装置１２を備えることで、信頼性に優れ、明るく高品質な画像を表示するプロジェクター１が提供される。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、発光部３０が複数のナノコラムで構成される場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。
図５は変形例に係る発光素子１２０の構成を示す断面図である。図５に示すように、本変形例の発光素子１２０において、発光部１３０として膜状の結晶構造を積層した構成を有している。発光部１３０は、膜状の第１半導体層１３２と、膜状の発光層１３３と、膜状の第２半導体層１３４と、を積層した構成を有する。変形例の構成では、発光部１３０を覆う保護層として光透過性を有しない材料が用いられる。
また、上記実施形態では、ＩｎＧａＮ系材料からなる発光層について説明したが、発光層として、射出される光の波長に応じて、種々の半導体材料を用いることができる。例えばＡｌＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系などの半導体材料を用いることができる。また、射出される光の波長に応じて、フォトニック結晶構造体の径または配列のピッチを適宜変更してもよい。
その他、発光装置、およびプロジェクターの各構成要素の形状、数、配置、材料等の具体的な記載については、上記実施形態に限らず、適宜変更が可能である。
上記実施形態では、本発明による発光装置をプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。例えば、本発明による発光装置を、マイクロ－ＬＥＤディスプレイ、ヘッドマウントディスプレイ或いはスマートウォッチの表示装置に適用することができる。また、本発明による発光装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。
本発明の態様の発光装置は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一つの態様の発光装置は、基板と、基板上に設けられる第１発光部と、基板上に設けられる第２発光部と、第１発光部における基板と反対側に設けられた第１電極と、第２発光部における基板と反対側に設けられた第２電極と、第１発光部および第１電極を覆う第１保護層と、第２発光部および第２電極を覆う第２保護層と、を備え、基板の法線方向から見た平面視において、第１電極の面積は、第２電極の面積よりも大きく、第１保護層は、第１貫通孔を有し、第２保護層は、第２貫通孔を有し、第１貫通孔は、第１孔と、第１孔の基板側に位置する第２孔と、を含み、第２貫通孔は、第３孔と、第３孔の基板側に位置する第４孔と、を含み、第１孔における基板から最も反対側に位置する第１開口の第１開口面積は、第２孔における最も基板側に位置する第２開口の第２開口面積より大きく、第３孔における基板から最も反対側に位置する第３開口の第３開口面積は、第４孔における最も基板側に位置する第４開口の第４開口面積より大きく、平面視において、第２開口の外縁は、第１電極と重なり、第４開口の外縁は、前記第２電極と重なり、第２開口面積は、第４開口面積より大きい。
本発明の一つの態様の発光装置において、第１開口面積および第３開口面積の比である第１面積比は、第２開口面積および第４開口面積の比である第２面積比よりも小さい構成としてもよい。
本発明の一つの態様の発光装置において、第１開口面積は、第３開口面積と等しく、第１孔における最も基板側に位置する第５開口の第５開口面積は、第３孔における最も基板側に位置する第６開口の第６開口面積と等しい構成としてもよい。
本発明の一つの態様の発光装置において、第２孔は第１孔の底面の一部に形成され、第４孔は第３孔の底面の一部に形成される構成としてもよい。
本発明の一つの態様の発光装置において、第１孔の底面と第３孔の底面とは、それぞれ平坦面である構成としてもよい。
本発明の一つの態様の発光装置において、第１発光部は、第１発光層を含む複数の第１柱状部を有し、第２発光部は、第２発光層を含む複数の第２柱状部を有する構成としてもよい。
本発明の態様の発光装置の製造方法は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一つの態様の発光装置の製造方法は、基板上に第１発光部および第２発光部を形成する工程と、第１発光部における基板と反対側に、第１電極を形成する工程と、第２発光部における基板と反対側に、第１電極よりも面積の小さい第２電極を形成する工程と、第１発光部および第１電極を覆うように基板上に第１保護層を形成する工程と、第２発光部および第２電極を覆うように基板上に第２保護層を形成する工程と、基板の法線方向から見た平面視で、第１保護層における第１電極と重なる第１位置と、第２保護層における第２電極と重なる第２位置と、に第１孔をそれぞれ形成する工程と、第１の位置に形成した第１孔の底面に、第１孔よりも開口面積の小さい第２孔を形成して第１電極の一部を露出させる第１貫通孔を形成する工程と、第２の位置に形成した第１孔の底面に、第２孔よりも開口面積の小さい第３孔を形成して第２電極の一部を露出させる第２貫通孔を形成する工程と、を備える。
本発明の一つの態様の発光装置の製造方法において、第１発光部として、第１発光層を含む複数の第１柱状部を形成し、第２発光部として、第２発光層を含む複数の第２柱状部を形成する製造方法としてもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、本発明の上記態様の発光装置を備える。
１…プロジェクター、１０…基体（基板）、１２…発光装置、３０，１３０…発光部、３０Ｂ…青色用発光部（第１発光部）、３０Ｒ…赤色用発光部（第２発光部）、３１…ナノコラム（第１柱状部）、３３…発光層（第１発光層）、４１…ナノコラム（第２柱状部）、４３…発光層（第２発光層）、５１…第１保護層、５２…第２保護層、７０Ｂ…上層電極（第１電極）、７０Ｒ…上層電極（第２電極）、１５１…コンタクトホール（第１貫通孔）、１５２…コンタクトホール（第２貫通孔）、１５１１…上部孔（第１孔）、１５１２…下部孔（第２孔）、１５１３…底面（第１孔の底面）、１５２１…上部孔（第１孔、第３孔）、１５２２…下部孔（第３孔、第４孔）、１５２３…底面（第２孔の底面）、Ｐ１…第１の位置、Ｐ２…第２の位置、Ｓ１…第１開口面積、Ｓ２…第２開口面積、Ｓ３…第３開口面積、Ｓ４…第４開口面積、Ｓ５…第５開口面積、Ｓ６…第６開口面積。

Claims (9)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられる第１発光部と、
    前記基板上に設けられる第２発光部と、
    前記第１発光部における前記基板と反対側に設けられた第１電極と、
    前記第２発光部における前記基板と反対側に設けられた第２電極と、
    前記第１発光部および前記第１電極を覆う第１保護層と、
    前記第２発光部および前記第２電極を覆う第２保護層と、を備え、
    前記基板の法線方向から見た平面視において、前記第１電極の面積は、前記第２電極の面積よりも大きく、
    前記第１保護層は、第１貫通孔を有し、
    前記第２保護層は、第２貫通孔を有し、
    前記第１貫通孔は、第１孔と、前記第１孔の前記基板側に位置する第２孔と、を含み、
    前記第２貫通孔は、第３孔と、前記第３孔の前記基板側に位置する第４孔と、を含み、
    前記第１孔における前記基板から最も反対側に位置する第１開口の第１開口面積は、前記第２孔における最も前記基板側に位置する第２開口の第２開口面積より大きく、
    前記第３孔における前記基板から最も反対側に位置する第３開口の第３開口面積は、前記第４孔における最も前記基板側に位置する第４開口の第４開口面積より大きく、
    前記平面視において、前記第２開口の外縁は、前記第１電極と重なり、前記第４開口の外縁は、前記第２電極と重なり、
    前記第２開口面積は、前記第４開口面積より大きい
    発光装置。
  2. 前記第１開口面積および前記第３開口面積の比である第１面積比は、前記第２開口面積および前記第４開口面積の比である第２面積比よりも小さい
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第１開口面積は、前記第３開口面積と等しく、
    前記第１孔における最も前記基板側に位置する第５開口の第５開口面積は、前記第３孔における最も前記基板側に位置する第６開口の第６開口面積と等しい
    請求項１または請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記第２孔は前記第１孔の底面の一部に形成され、
    前記第４孔は前記第３孔の底面の一部に形成される
    請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記第１孔の底面と前記第３孔の底面とは、それぞれ平坦面である
    請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記第１発光部は、第１発光層を含む複数の第１柱状部を有し、
    前記第２発光部は、第２発光層を含む複数の第２柱状部を有する
    請求項１から請求項５のうちのいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 基板上に第１発光部および第２発光部を形成する工程と、
    前記第１発光部における前記基板と反対側に、第１電極を形成する工程と、
    前記第２発光部における前記基板と反対側に、前記第１電極よりも面積の小さい第２電極を形成する工程と、
    前記第１発光部および前記第１電極を覆うように前記基板上に第１保護層を形成する工程と、
    前記第２発光部および前記第２電極を覆うように前記基板上に第２保護層を形成する工程と、
    前記基板の法線方向から見た平面視で、前記第１保護層における前記第１電極と重なる第１位置と、前記第２保護層における前記第２電極と重なる第２位置と、に第１孔をそれぞれ形成する工程と、
    前記第１の位置に形成した前記第１孔の底面に、前記第１孔よりも開口面積の小さい第２孔を形成して前記第１電極の一部を露出させる第１貫通孔を形成する工程と、
    前記第２の位置に形成した前記第１孔の底面に、前記第２孔よりも開口面積の小さい第３孔を形成して前記第２電極の一部を露出させる第２貫通孔を形成する工程と、を備える
    発光装置の製造方法。
  8. 前記第１発光部として、第１発光層を含む複数の第１柱状部を形成し、
    前記第２発光部として、第２発光層を含む複数の第２柱状部を形成する
    請求項７に記載の発光装置の製造方法。
  9. 請求項１から請求項６のうちのいずれか一項に記載の発光装置を備える
    プロジェクター。
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