JP2022106891A - Exposure equipment, manufacturing method of flat panel display, and manufacturing method of device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure equipment having a large degree of stitching when performing stitching exposure.
SOLUTION: An exposure method that includes a plurality of projection optical units for projecting a pattern of a mask M onto a substrate P, and exposes a pattern of the mask M on the substrate P by relatively moving the mask M and the substrate P to expose, comprises: a first exposure step for projecting a pattern A on an A region of the substrate P in a state where an end portion on a -Y side of the projection region projected on the substrate P by the projection optical unit with shielding light at a first inclination angle; a step transfer step for moving the substrate P; and a second exposure step for projecting a pattern B on a B region at least partially overlapping with the A region, in a state where an end potion on a + Y side of the projection region blocked with a second inclination angle.
SELECTED DRAWING: Figure 11
COPYRIGHT: (C)2022,JPO&INPIT

Description

本発明は、露光装置に係り、更に詳しくは、物体上に投影光学系を介して所定パターンを形成する露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly to an exposure apparatus that forms a predetermined pattern on an object via a projection optical system.

従来、液晶表示素子（液晶パネル）、半導体素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下、「マスク」と総称する）と、ガラスプレート又はウエハ等（以下、「基板」と総称する）とを所定の走査方向に沿って同期移動させつつ、マスクに形成されたパターンを、エネルギビームを用いて基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが用いられている。 Conventionally, in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as liquid crystal display elements (liquid crystal panels) and semiconductor elements, masks or reticle (hereinafter collectively referred to as "masks") and glass plates or wafers (hereinafter referred to as "masks") are used. A step-and-scan type exposure apparatus (so-called) that transfers a pattern formed on a mask onto a substrate by using an energy beam while synchronously moving the “substrate”) along a predetermined scanning direction. Scanning steppers (also called scanners)) are used.

この種の露光装置を用いて基板上にパターンを形成する方法としては、マスクに形成されたパターン（マスクパターン）の周期性を利用して、マスクパターンを基板上で継ぎ合わせる、いわゆる繋ぎ露光が知られている（特許文献１参照）。 As a method of forming a pattern on a substrate using this type of exposure apparatus, so-called joint exposure, in which mask patterns are spliced on the substrate by utilizing the periodicity of the pattern (mask pattern) formed on the mask, is used. It is known (see Patent Document 1).

従来の露光装置で上記繋ぎ露光を行う場合、上記繋ぎ合わせの自由度が十分ではなかった。 When the above-mentioned joint exposure is performed with a conventional exposure apparatus, the degree of freedom of the above-mentioned joint exposure is not sufficient.

特開２００４－３３５８６４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-335864

第１の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して、前記物体を第１方向に相対移動させて露光する露光装置であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を遮光する遮光部と、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動する駆動部と、を備える露光装置が、提供される。 The first embodiment is an exposure apparatus that exposes an object by moving it relative to a projection optical system that projects a predetermined pattern onto the object in the first direction, and exposes the object via the projection optical system. Of the projection area projected on the object, a light-shielding portion that shields a predetermined area in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction according to the position in the first direction. An exposure device including a drive unit that drives the light-shielding unit so as to change the amount of illumination is provided.

第２の実施形態では、第１の実施形態に係る露光装置を用いて、前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。が、提供される。 A second embodiment is a method for manufacturing a flat panel display, which comprises exposing the substrate and developing the exposed substrate by using the exposure apparatus according to the first embodiment. Is provided.

第３の実施形態では、第１の実施形態に係る露光装置を用いて、前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 A third embodiment provides a device manufacturing method comprising exposing the substrate and developing the exposed substrate using the exposure apparatus according to the first embodiment.

第４の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第１方向に相対移動させて走査露光する露光装置に用いられる遮光装置であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を遮光する遮光部と、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動する駆動部と、を備える遮光装置が、提供される。 A fourth embodiment is a light-shielding device used in an exposure apparatus that scans and exposes an object by moving the object relative to a projection optical system that projects a predetermined pattern onto the object in the first direction. Of the projected regions projected onto the object through the object, a predetermined region in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction according to the position in the first direction. Provided is a light-shielding device including a light-shielding unit that blocks light-shielding and a drive unit that drives the light-shielding unit so as to change the amount of illumination.

第５の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第１方向に相対移動させて走査露光する露光方法であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を、遮光部によって遮光することと、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動することと、を含む露光方法が、提供される。 A fifth embodiment is an exposure method in which the object is moved relative to the projection optical system that projects a predetermined pattern onto the object in the first direction for scanning exposure, and the object is subjected to scanning exposure via the projection optical system. Of the projected areas projected on the object, a predetermined area in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction according to the position in the first direction is shaded by a light-shielding portion. An exposure method is provided that includes the above-mentioned operation and driving the light-shielding portion so as to change the amount of illumination.

第６の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第１方向に相対移動させて走査露光する露光方法であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を、遮光部によって遮光することと、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動することと、を含む露光方法が、提供される。 A sixth embodiment is an exposure method in which the object is moved relative to the projection optical system for projecting a predetermined pattern onto the object in the first direction for scanning exposure, and the object is subjected to scanning exposure via the projection optical system. Of the projected areas projected on the object, a predetermined area in which the amount of illumination on the object changes along the second direction intersecting the first direction according to the position in the first direction is shaded by a light-shielding portion. An exposure method is provided that includes the above-mentioned operation and driving the light-shielding portion so as to change the amount of illumination.

第７の実施形態では、第６の実施形態に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。 A seventh embodiment provides a method for manufacturing a flat panel display, which comprises exposing the substrate using the exposure method according to the sixth embodiment and developing the exposed substrate. To.

第８の実施形態では、第６の実施形態に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 An eighth embodiment provides a device manufacturing method comprising exposing the substrate using the exposure method according to the sixth embodiment and developing the exposed substrate.

一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the exposure apparatus which concerns on one Embodiment. 図１の露光装置が有する照明光学系、及び投影光学系の構造を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the illumination optical system and the projection optical system which the exposure apparatus of FIG. 1 has. 図３（ａ）は、投影光学系が有する視野絞りと遮光板の配置を示す平面図、図３（ｂ）は、視野絞りと遮光板との光軸方向の位置関係を示す図である。FIG. 3A is a plan view showing the arrangement of the field diaphragm and the light-shielding plate of the projection optical system, and FIG. 3B is a diagram showing the positional relationship between the field diaphragm and the light-shielding plate in the optical axis direction. 図４（ａ）は、遮光板の第１の傾斜配置を示す図であり、図４（ｂ）は、遮光板の第２の傾斜配置を示す図である。FIG. 4A is a diagram showing a first inclined arrangement of the light-shielding plate, and FIG. 4B is a diagram showing a second inclined arrangement of the light-shielding plate. 図５（ａ）は、遮光板を用いて投影領域の中央に継ぎ部を形成する場合を示す図であり、図５（ｂ）は、遮光板を用いて投影領域の端部近傍に継ぎ部を形成する場合を示す図である。FIG. 5A is a diagram showing a case where a light-shielding plate is used to form a joint in the center of the projection area, and FIG. 5B is a diagram showing a case where the light-shielding plate is used to form a joint near the end of the projection area. It is a figure which shows the case of forming. 図６（ａ）は、２枚の遮光板を用いて継ぎ部を形成する場合を示す図であり、図６（ｂ）は、１枚の遮光板で図６（ａ）と同様の継ぎ部を形成する場合を示す図である。FIG. 6 (a) is a diagram showing a case where a joint portion is formed by using two light-shielding plates, and FIG. 6 (b) shows a joint portion similar to that of FIG. 6 (a) with one light-shielding plate. It is a figure which shows the case of forming. 図７（ａ）は、従来の遮光板を示す図であり、図７（ｂ）は実施形態の遮光板を示す図であり、図７（ｃ）は、実施形態の遮光板を複数備えた場合を示す図である。FIG. 7A is a diagram showing a conventional light-shielding plate, FIG. 7B is a diagram showing a light-shielding plate of the embodiment, and FIG. 7C is a diagram showing a plurality of light-shielding plates of the embodiment. It is a figure which shows the case. 図８（ａ）～図８（ｄ）は、視野絞りと遮光板とによって形成される開口の態様（第１のモード～第４のモード）を説明するための図である。8 (a) to 8 (d) are views for explaining an aspect (first mode to fourth mode) of the opening formed by the visual field diaphragm and the light-shielding plate. 基板上に生成される投影領域を示す平面図である。It is a top view which shows the projection area generated on a substrate. 繋ぎ露光の概念図である。It is a conceptual diagram of the joint exposure. 図１１（ａ）は、第１の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１１（ｂ）は、第１の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図であり、図１１（ｃ）は、第１の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図である。FIG. 11A is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the first exposure method, and FIG. 11B is a diagram when scanning and exposing the A region by the first exposure method. 11 (c) is a diagram when the B region is scanned and exposed by the first exposure method. 図１２（ａ）は、第２の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１２（ｂ）は、第２の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図であり、図１２（ｃ）は、第２の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図である。FIG. 12A is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the second exposure method, and FIG. 12B is a diagram when scanning and exposing the A region by the second exposure method. 12 (c) is a diagram when the B region is scanned and exposed by the second exposure method. 図１３（ａ）は、第３の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１３（ｂ）は、第３の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図である。FIG. 13A is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the third exposure method, and FIG. 13B is a diagram when scanning and exposing the A region by the third exposure method. .. 図１４（ａ）は、第３の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図であり、図１４（ｂ）は、第３の露光方法でＣ領域を走査露光する際の図である。FIG. 14 (a) is a diagram when the B region is scanned and exposed by the third exposure method, and FIG. 14 (b) is a diagram when the C region is scanned and exposed by the third exposure method. 図１５（ａ）は、第４の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１５（ｂ）は、第４の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図である。FIG. 15A is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the fourth exposure method, and FIG. 15B is a diagram when scanning and exposing the A region by the fourth exposure method. .. 第４の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図である。It is a figure at the time of scanning exposure of the B region by the 4th exposure method. 図１７（ａ）は、第５の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１７（ｂ）は、第５の露光方法でＡ１領域を走査露光する際の図である。FIG. 17A is a diagram showing the relationship between the substrate and the mask according to the fifth exposure method, and FIG. 17B is a diagram when scanning and exposing the A1 region by the fifth exposure method. .. 図１８（ａ）は、第５の露光方法でＢ１領域を走査露光する際の図であり、図１８（ｂ）は、第５の露光方法でＡ２領域を走査露光する際の図である。FIG. 18A is a diagram for scanning and exposing the B1 region by the fifth exposure method, and FIG. 18B is a diagram for scanning and exposing the A2 region by the fifth exposure method. 第５の露光方法でＢ２領域を走査露光する際の図である。It is a figure at the time of scanning exposure of the B2 region by the 5th exposure method. 繋ぎ露光を行う際のフローチャートである。It is a flowchart at the time of performing joint exposure. 遮光板の駆動機構の変形例（その１）を示す図である。It is a figure which shows the modification (the 1) of the drive mechanism of a light-shielding plate. 遮光板の駆動機構の変形例（その２）を示す図である。It is a figure which shows the modification (the 2) of the drive mechanism of a light-shielding plate. 図２３（ａ）及び図２３（ｂ）は、遮光板の駆動機構の変形例（その３）を示す図（その１及びその２）である。23 (a) and 23 (b) are views (No. 1 and No. 2) showing a modified example (No. 3) of the drive mechanism of the light-shielding plate. 図２４（ａ）は、遮光板の変形例を示す図であり、図２４（ｂ）～図２４（ｅ）は、図２４（ａ）の遮光板の動作を示す図（その１～その４）である。FIG. 24 (a) is a diagram showing a modified example of the light-shielding plate, and FIGS. 24 (b) to 24 (e) are views showing the operation of the light-shielding plate of FIG. 24 (a) (Nos. 1 to 4). ). 遮光板の駆動機構の詳細を示す図である。It is a figure which shows the detail of the drive mechanism of a light-shielding plate. 光学フィルタを用いた繋ぎ露光を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the joint exposure using an optical filter.

以下、一実施形態について、図１～図２０を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る露光装置ＥＸの構成を示す斜視図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、感光基板Ｐ（以下、単に「基板Ｐ」と称する）を支持する基板ステージＰＳＴと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、マスクＭに形成されたパターンの投影像（以下、パターン像と呼ぶ）を基板Ｐに転写し、このパターン像に対応する潜像としての転写パターンを基板Ｐ上に形成する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸの動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴ（図１では不図示。図２参照）とを備えている。基板Ｐは、ガラス基板に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものであり、転写パターンは、この感光剤中に形成される。投影光学系ＰＬは並設された複数（図１では７つ）の投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇにより構成され、本実施形態における露光装置ＥＸは、この投影光学系ＰＬに対してマスクＭと基板Ｐとを同期移動（同期走査）しつつマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン像を基板Ｐに転写する。 Hereinafter, one embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 20. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an exposure apparatus EX according to an embodiment. In FIG. 1, the exposure apparatus EX illuminates the mask stage MST that supports the mask M, the substrate stage PST that supports the photosensitive substrate P (hereinafter, simply referred to as “substrate P”), and the mask M with the exposure light EL. The illumination optical system IL and the projected image of the pattern formed on the mask M (hereinafter referred to as a pattern image) are transferred to the substrate P, and a transfer pattern as a latent image corresponding to this pattern image is formed on the substrate P. It includes a projection optical system PL and a control device CONT (not shown in FIG. 1, see FIG. 2) that controls the operation of the exposure device EX in an integrated manner. The substrate P is a glass substrate coated with a photosensitive agent (photoresist), and a transfer pattern is formed in the photosensitive agent. The projection optical system PL is composed of a plurality of (7 in FIG. 1) projection optical modules PLa to PLg arranged side by side, and the exposure apparatus EX in the present embodiment has a mask M and a substrate P for the projection optical system PL. The mask M is illuminated with the exposure light EL while synchronously moving (synchronically scanning) with the mask M, and the pattern image of the mask M is transferred to the substrate P.

ここで、以下の説明において、マスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、水平面内において走査方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の軸線まわり方向を、それぞれθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。 Here, in the following description, the synchronous movement direction (scanning direction) between the mask M and the substrate P is the X-axis direction, and the directions orthogonal to the scanning direction in the horizontal plane are the Y-axis direction (non-scanning direction), the X-axis direction, and The direction orthogonal to the Y-axis direction is defined as the Z-axis direction. Further, the directions around the axes of the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

本実施形態のマスクステージ装置は、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、Ｘ軸方向に長いストロークを有するリニアガイド（不図示）と、リニアモータ、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）等により構成されるマスクステージ駆動部ＭＳＴＤとを備える。マスクステージ駆動部ＭＳＴＤは、制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）の制御の下、マスクＭと基板Ｐとを同期移動させる際に、マスクＭを有するマスクステージＭＳＴをＸ軸方向に長いストロークで駆動可能であるとともに、Ｘ軸方向及びＹ軸方向を含む水平面内におけるマスクＭの位置を微調整するために、マスクステージＭＳＴをＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びθＺ方向に駆動可能である。また、マスクステージＭＳＴの水平面内の位置は、レーザ干渉計を用いて測定され、例えば０．５～１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。このレーザ干渉計の計測値は、制御装置ＣＯＮＴに送られ、マスクステージＭＳＴのＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びθＺ方向の位置を制御する。 The mask stage device of the present embodiment is a mask composed of a mask stage MST that supports the mask M, a linear guide (not shown) having a long stroke in the X-axis direction, a linear motor, a voice coil motor (VCM), and the like. It is provided with a stage drive unit MSTD. The mask stage drive unit MSTD can drive the mask stage MST having the mask M with a long stroke in the X-axis direction when the mask M and the substrate P are synchronously moved under the control of the control device CONT (see FIG. 2). In addition, the mask stage MST can be driven in the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the θZ direction in order to finely adjust the position of the mask M in the horizontal plane including the X-axis direction and the Y-axis direction. .. The position of the mask stage MST in the horizontal plane is measured using a laser interferometer, and is always detected with a resolution of, for example, about 0.5 to 1 nm. The measured value of this laser interferometer is sent to the control device CONT to control the positions of the mask stage MST in the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the θZ direction.

マスクＭを透過した露光光ＥＬは、投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇにそれぞれ入射する。投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇは定盤１５０に支持され、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照射領域に対応するパターン像を基板Ｐに結像させる。投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとは、それぞれＹ軸方向に所定間隔で配置されている。また、投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇの列と、投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆの列とは、Ｘ軸方向に離れて配置されており、全体でＹ軸方向に沿って千鳥状に配置されている。投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇのそれぞれは、複数の光学素子（レンズ等）を有している。各投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇを透過した露光光ＥＬは、基板Ｐ上の異なる投影領域５０ａ～５０ｇごとにマスクＭ上の照射領域に対応したパターン像を結像する。 The exposure light EL transmitted through the mask M is incident on the projection optical modules PLa to PLg, respectively. The projection optical modules PLa to PLg are supported by the surface plate 150, and a pattern image corresponding to the irradiation region on the mask M by the exposure light EL is formed on the substrate P. The projection optical modules PLa, PLc, PLe, PLg and the projection optical modules PLb, PLd, PLf are arranged at predetermined intervals in the Y-axis direction, respectively. Further, the rows of the projection optical modules PLa, PLc, PLe, and PLg and the rows of the projection optical modules PLb, PLd, and PLf are arranged apart from each other in the X-axis direction, and are staggered along the Y-axis direction as a whole. It is located in. Each of the projection optical modules PLa to PLg has a plurality of optical elements (lenses and the like). The exposure light EL transmitted through the projection optical modules PLa to PLg forms a pattern image corresponding to the irradiation region on the mask M for each of the different projection regions 50a to 50g on the substrate P.

基板ステージＰＳＴは基板ホルダＰＨを有しており、この基板ホルダＰＨを介して基板Ｐを保持する。基板ステージＰＳＴは、マスクステージＭＳＴと同様に、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能であり、更に、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能である。基板ステージＰＳＴは、制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）の制御の下、リニアモータ等により構成される基板ステージ駆動部ＰＳＴＤにより駆動される。 The substrate stage PST has a substrate holder PH, and holds the substrate P via the substrate holder PH. Like the mask stage MST, the substrate stage PST can move in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction, and can also move in the θX, θY, and θZ directions. The substrate stage PST is driven by the substrate stage drive unit PST, which is composed of a linear motor or the like, under the control of the control device CONT (see FIG. 2).

また、－Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇの列と、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆの列との間には、マスクＭのパターン面及び基板Ｐの露光面のＺ軸方向における位置を検出するフォーカス検出系１１０が配置されている。フォーカス検出系１１０は、斜入射方式の焦点検出系を複数配置して構成される。フォーカス検出系１１０の検出結果は、制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）に出力され、制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス検出系１１０の検出結果に基づいて、マスクＭのパターン面と基板Ｐの露光面とが所定の間隔および平行度をなすように制御する。 Further, between the rows of the projection optical modules PLa, PLc, PLe, and PLg on the −X side and the rows of the projection optical modules PLb, PLd, and PLf on the + X side, the pattern surface of the mask M and the exposed surface of the substrate P A focus detection system 110 for detecting the position of the above in the Z-axis direction is arranged. The focus detection system 110 is configured by arranging a plurality of obliquely incident type focus detection systems. The detection result of the focus detection system 110 is output to the control device CONT (see FIG. 2), and the control device CONT has the pattern surface of the mask M and the exposed surface of the substrate P based on the detection result of the focus detection system 110. It is controlled to have a predetermined interval and parallelism.

制御装置ＣＯＮＴは、記憶部１２０（それぞれ図２参照）と接続されており、記憶部１２０に記憶されているレシピ情報等に基づいて、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴの位置をモニタしながら、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤ及びマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを制御することにより、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に同期移動させる。 The control device CONT is connected to the storage unit 120 (see FIG. 2 respectively), and the substrate is monitored while monitoring the positions of the mask stage MST and the substrate stage PST based on the recipe information and the like stored in the storage unit 120. By controlling the stage drive unit PSTD and the mask stage drive unit MSTD, the mask M and the substrate P are synchronously moved in the X-axis direction.

図２は、照明光学系ＩＬ及び投影光学系ＰＬの構成を示す図である。図２に示されるように、照明光学系ＩＬは、超高圧水銀ランプ等からなる光源１と、光源１から射出された光を集光する楕円鏡１ａと、この楕円鏡１ａによって集光された光のうち露光に必要な波長の光を反射し、その他の波長の光を透過させるダイクロイックミラー２と、ダイクロイックミラー２で反射した光のうち更に露光に必要な波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線のうち少なくとも１つの帯域）のみ含んだ光を露光光として通過させる波長選択フィルタ３と、波長選択フィルタ３からの露光光を複数本（本実施形態では７本）に分岐して、反射ミラー５を介して各照明系モジュールＩＭａ～ＩＭｇに入射させるライトガイド４とを備えている。ここで、照明光学系ＩＬを構成する照明系モジュールＩＭとして、本実施形態では、７つの投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇに対応して７つの照明系モジュールＩＭａ～ＩＭｇが設けられている。ただし、図２においては、便宜上、投影光学モジュールＰＬｆに対応する照明系モジュールＩＭｆのみが示されている。照明系モジュールＩＭａ～ＩＭｇのそれぞれは、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに所定の間隔を持って、投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇのそれぞれに対応して配置されている。そして、照明系モジュールＩＭａ～ＩＭｇのそれぞれから射出した露光光ＥＬは、投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇに対応させてマスクＭ上の異なる照射領域をそれぞれ照明する。 FIG. 2 is a diagram showing the configurations of the illumination optical system IL and the projection optical system PL. As shown in FIG. 2, the illumination optical system IL is focused by a light source 1 composed of an ultrahigh pressure mercury lamp or the like, an elliptical mirror 1a that collects light emitted from the light source 1, and the elliptical mirror 1a. Of the light, the dichroic mirror 2 that reflects light of the wavelength required for exposure and transmits light of other wavelengths, and the light reflected by the dichroic mirror 2 that further has the wavelength required for exposure (usually g, h, A wavelength selection filter 3 that allows light containing only (at least one band of the i-line) to pass through as exposure light, and a plurality of exposure lights (7 in this embodiment) that are reflected by the exposure light from the wavelength selection filter 3. It is provided with a light guide 4 that is incident on each of the lighting system modules IMa to IMg via the mirror 5. Here, as the illumination system module IM constituting the illumination optical system IL, in the present embodiment, seven illumination system modules IMa to IMg are provided corresponding to the seven projection optical modules PLa to PLg. However, in FIG. 2, for convenience, only the illumination system module IMf corresponding to the projection optical module PLf is shown. Each of the illumination system modules IMa to IMg is arranged corresponding to each of the projection optical modules PLa to PLg with a predetermined interval in the X-axis direction and the Y-axis direction. Then, the exposure light EL emitted from each of the illumination system modules IMa to IMg illuminates different irradiation regions on the mask M corresponding to the projection optical modules PLa to PLg.

照明系モジュールＩＭａ～ＩＭｇのそれぞれは、照明シャッタ６と、リレーレンズ７と、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ８と、コンデンサレンズ９とを備えている。照明シャッタ６は、ライトガイド４の光路下流側に、光路に対して挿脱自在に配置されている。照明シャッタ６は、光路内に配置されたときに露光光を遮光し、光路から退避したときにその遮光を解除する。照明シャッタ６には、シャッタ駆動部６ａが接続されている。シャッタ駆動部６ａは制御装置ＣＯＮＴによって制御される。 Each of the illumination system modules IMa to IMg includes an illumination shutter 6, a relay lens 7, a fly-eye lens 8 as an optical integrator, and a condenser lens 9. The illumination shutter 6 is arranged on the downstream side of the optical path of the light guide 4 so as to be removable with respect to the optical path. The illumination shutter 6 blocks the exposure light when it is arranged in the optical path, and releases the light when it is retracted from the optical path. A shutter driving unit 6a is connected to the illumination shutter 6. The shutter drive unit 6a is controlled by the control device CONT.

また、照明系モジュールＩＭａ～ＩＭｇのそれぞれは、光量調整機構１０を有している。光量調整機構１０は、光路毎に露光光の照度を設定することによって露光量を調整するものであって、ハーフミラー１１と、ディテクタ１２と、フィルタ１３と、フィルタ駆動部１４とを備えている。ハーフミラー１１は、フィルタ１３とリレーレンズ７との間の光路中に配置され、フィルタ１３を透過した露光光の一部をディテクタ１２へ入射させる。ディテクタ１２は、入射した露光光の照度を独立して検出し、検出した照度信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。フィルタ１３は、透過率がＸ軸方向に沿って所定範囲で線形に漸次変化するように形成されており、各光路中の照明シャッタ６とハーフミラー１１との間に配置されている。フィルタ駆動部１４は、制御装置ＣＯＮＴの指示に基づいてフィルタ１３をＸ軸方向に沿って移動することにより、光路ごとに露光量を調整する。 Further, each of the lighting system modules IMa to IMg has a light amount adjusting mechanism 10. The light amount adjusting mechanism 10 adjusts the exposure amount by setting the illuminance of the exposure light for each optical path, and includes a half mirror 11, a detector 12, a filter 13, and a filter driving unit 14. .. The half mirror 11 is arranged in the optical path between the filter 13 and the relay lens 7, and a part of the exposure light transmitted through the filter 13 is incident on the detector 12. The detector 12 independently detects the illuminance of the incident exposure light and outputs the detected illuminance signal to the control device CONT. The filter 13 is formed so that the transmittance gradually changes linearly in a predetermined range along the X-axis direction, and is arranged between the illumination shutter 6 and the half mirror 11 in each optical path. The filter driving unit 14 adjusts the exposure amount for each optical path by moving the filter 13 along the X-axis direction based on the instruction of the control device CONT.

光量調整機構１０を透過した光束はリレーレンズ７を介してフライアイレンズ８に達する。フライアイレンズ８は射出面側に二次光源を形成し、この二次光源からの露光光ＥＬは、コンデンサレンズ９を通過し、直角プリズム１６と、レンズ系１７と、凹面鏡１８とを備えた反射屈折型光学系１５を通過した後、マスクＭ上の照射領域を均一に照明する。なお、反射屈折型光学系１５を省略しても良い。すなわち、コンデンサレンズ９を通過した光束をマスクＭに直接照射しても良い。これによって、照明光学系ＩＬ、ひいては露光装置ＥＸを小型化できる。 The luminous flux transmitted through the light amount adjusting mechanism 10 reaches the flyeye lens 8 via the relay lens 7. The fly-eye lens 8 forms a secondary light source on the emission surface side, and the exposure light EL from the secondary light source passes through the condenser lens 9 and includes a right-angle prism 16, a lens system 17, and a concave mirror 18. After passing through the reflection / refraction type optical system 15, the irradiation region on the mask M is uniformly illuminated. The reflection / refraction type optical system 15 may be omitted. That is, the light flux that has passed through the condenser lens 9 may be directly applied to the mask M. As a result, the illumination optical system IL and, by extension, the exposure apparatus EX can be miniaturized.

投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇのそれぞれは、像シフト機構１９と、フォーカス位置調整機構３１と、２組の反射屈折型光学系２１、２２と、視野絞り２０と、倍率調整機構２３とを備えている。像シフト機構１９は、２枚の平行平面板ガラスをそれぞれθＹ方向もしくはθＸ方向に回転させることで、マスクＭのパターン像をＸ軸方向もしくはＹ軸方向にシフトさせる。また、フォーカス位置調整機構３１は、１対の楔プリズムを備え、光路中の楔プリズムの厚さの総和を変化させることによりパターン像の像面位置を変化させ、少なくとも一方の楔プリズムを光軸回りに回転させることによりパターン像の像面の傾斜角度を変化させる。マスクＭを透過した露光光ＥＬは像シフト機構１９、フォーカス位置調整機構３１を透過した後、１組目の反射屈折型光学系２１に入射する。反射屈折型光学系２１は、マスクＭのパターンの中間像を形成するものであって、直角プリズム２４とレンズ系２５と凹面鏡２６とを備えている。直角プリズム２４はθＺ方向に回転自在となっており、マスクＭのパターン像を回転可能となっている。 Each of the projection optical modules PLa to PLg includes an image shift mechanism 19, a focus position adjustment mechanism 31, two sets of reflection / refraction optical systems 21 and 22, a field diaphragm 20, and a magnification adjustment mechanism 23. .. The image shift mechanism 19 shifts the pattern image of the mask M in the X-axis direction or the Y-axis direction by rotating the two parallel flat plate glasses in the θY direction or the θX direction, respectively. Further, the focus position adjusting mechanism 31 includes a pair of wedge prisms, changes the image plane position of the pattern image by changing the total thickness of the wedge prisms in the optical path, and makes at least one wedge prism an optical axis. The tilt angle of the image plane of the pattern image is changed by rotating it around. The exposure light EL transmitted through the mask M passes through the image shift mechanism 19 and the focus position adjusting mechanism 31 and then enters the first set of reflection-refraction type optical system 21. The reflection / refraction type optical system 21 forms an intermediate image of the pattern of the mask M, and includes a right-angle prism 24, a lens system 25, and a concave mirror 26. The right-angle prism 24 is rotatable in the θZ direction, and the pattern image of the mask M can be rotated.

視野絞り２０は、反射屈折型光学系２１が形成する中間像の像面もしくはその近傍に配置されている。視野絞り２０は、基板Ｐ上での投影領域を設定する。視野絞り２０を透過した露光光ＥＬは、２組目の反射屈折型光学系２２に入射する。反射屈折型光学系２２は、反射屈折型光学系２１と同様に、直角プリズム２７とレンズ系２８と凹面鏡２９とを備えている。直角プリズム２７もθＺ方向に回転自在となっており、マスクＭのパターン像を回転可能となっている。 The field diaphragm 20 is arranged at or near the image plane of the intermediate image formed by the reflection / refraction type optical system 21. The field diaphragm 20 sets a projection area on the substrate P. The exposure light EL transmitted through the field diaphragm 20 is incident on the second set of reflection / refraction type optical system 22. The reflection-refraction-type optical system 22 includes a right-angle prism 27, a lens system 28, and a concave mirror 29, similarly to the reflection-refraction-type optical system 21. The right-angle prism 27 is also rotatable in the θZ direction, and the pattern image of the mask M can be rotated.

反射屈折型光学系２２から射出した露光光ＥＬは、倍率調整機構２３を通過し、基板Ｐ上にマスクＭのパターン像を正立等倍で結像する。倍率調整機構２３は、第１平凸レンズ、両凸レンズおよび第２平凸レンズをＺ軸に沿ってこの順に有しており、両凸レンズをＺ軸方向に移動させることにより、マスクＭのパターン像の倍率を変化させる。 The exposure light EL emitted from the reflection / refraction type optical system 22 passes through the magnification adjusting mechanism 23, and forms a pattern image of the mask M on the substrate P at an upright magnification. The magnification adjusting mechanism 23 has a first plano-convex lens, a biconvex lens, and a second plano-convex lens in this order along the Z-axis, and by moving the biconvex lens in the Z-axis direction, the magnification of the pattern image of the mask M is increased. To change.

図３（ａ）は、各投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇが備える視野絞り２０を示す図である。視野絞り２０は、マスクＭ及び基板Ｐに対して略共役な位置に配置されている。各投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇは、それぞれ視野絞り２０を有しており、各投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇの基板Ｐ上における投影領域５０ａ～５０ｇは、それぞれ対応する視野絞り２０に形成された開口Ｋによって設定される。本実施形態において、各開口Ｋは、Ｙ軸方向に平行な２辺を有する等脚台形状、もしくはＹ軸方向に平行な２辺とＸ軸方向に平行な１辺とを有する台形状に形成されており、投影領域５０ａ～５０ｇは、それぞれ対応する開口Ｋと共役関係となる台形形状に設定される。 FIG. 3A is a diagram showing a field diaphragm 20 included in each projection optical module PLa to PLg. The field diaphragm 20 is arranged at a position substantially conjugate with the mask M and the substrate P. Each of the projection optical modules PLa to PLg has a field diaphragm 20, and the projection regions 50a to 50g of each projection optical module PLa to PLg on the substrate P have openings K formed in the corresponding field diaphragms 20. Set by. In the present embodiment, each opening K is formed in an equilateral trapezoidal shape having two sides parallel to the Y-axis direction, or a trapezoidal shape having two sides parallel to the Y-axis direction and one side parallel to the X-axis direction. The projected regions 50a to 50g are set in a trapezoidal shape having a conjugate relationship with the corresponding openings K.

なお、図３（ａ）では、視野絞り２０は、台形状の開口が形成された平面視矩形の板状部材として図示されているが、実際には、図３（ｂ）に示されるように、開口ＫのＹ軸方向の幅を設定するエッジ（端部）を含む絞り部材２０ｙと、開口ＫのＸ軸方向の幅を設定するエッジ（端部）を含む絞り部材２０ｘとが別部材とされている。そして、上記絞り部材２０ｙ、２０ｘのうち、絞り部材２０ｙが、マスクＭ及び基板Ｐに対する共役面ＣＰ上に配置されており、絞り部材２０ｘは、共役面ＣＰよりも幾分露光光ＥＬの入射側（＋Ｚ側）に配置されている。 Although the field diaphragm 20 is shown as a rectangular plate-shaped member in a plan view in which a trapezoidal opening is formed in FIG. 3 (a), it is actually as shown in FIG. 3 (b). , The diaphragm member 20y including the edge (end) for setting the width of the opening K in the Y-axis direction and the diaphragm member 20x including the edge (end) for setting the width of the opening K in the X-axis direction are separate members. Has been done. Of the diaphragm members 20y and 20x, the diaphragm member 20y is arranged on the conjugate surface CP with respect to the mask M and the substrate P, and the diaphragm member 20x is slightly closer to the incident side of the exposure light EL than the conjugate surface CP. It is arranged on the (+ Z side).

図３（ａ）に戻り、投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｇのうち、投影光学モジュールＰＬｆは、遮光板３０を有している。遮光板３０は、平面視（Ｚ軸方向から見て）で略長方形の板部材であって、図３（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬｆが備える視野絞り２０に対して露光光ＥＬの出射側（－Ｚ側）に配置されている。 Returning to FIG. 3A, among the projection optical modules PLa to PLg, the projection optical module PLf has a light-shielding plate 30. The light-shielding plate 30 is a plate member that is substantially rectangular in a plan view (viewed from the Z-axis direction), and as shown in FIG. 3B, the exposure light with respect to the field diaphragm 20 included in the projection optical module PLf. It is arranged on the emission side (-Z side) of the EL.

図３（ａ）に戻り、遮光板３０は、後述する駆動機構８０（図８（ａ）など参照）によって、＋Ｙ側の長辺が、視野絞り２０の開口Ｋを形成する＋Ｙ側の端部（斜辺）と略平行になる第１の傾斜配置（図４（ａ）参照）と、－Ｙ側の長辺が、視野絞り２０の開口Ｋを形成する－Ｙ側の端部（斜辺）と略平行となる第２の傾斜配置（図４（ｂ）参照）との間で駆動可能となっている。このように、遮光部材３０は、第１の傾斜配置（第１の傾斜角度）と第２の傾斜配置（第２の傾斜角度）との間を移動することにより、投影光学モジュールＰＬｆによって生成される投影領域５０ｆの形状を変更することが可能となっている。なお、第１の傾斜角度及び第２の傾斜角度は、台形状の投影領域の傾斜角度によって定められる。例えば、図４（ａ）に示される第１の傾斜角度は、遮光板３０のＹ軸方向に対する傾斜角度が、台形状の投影領域５０ｆの＋Ｙ軸方向の端辺の傾斜角度と平行である。また、図４（ｂ）に示される第２の傾斜角度は、遮光板３０のＹ軸方向に対する傾斜角度が、台形状の投影領域５０ｆの－Ｙ軸方向の端辺の傾斜角度と平行である。すなわち、投影領域の形状を踏まえて、遮光板３０の傾斜角度（第１の傾斜角度及び第２の傾斜角度）は任意に定めることができる。 Returning to FIG. 3A, the light-shielding plate 30 has a long side on the + Y side forming an opening K of the field diaphragm 20 by a drive mechanism 80 (see FIG. 8A and the like) described later. The first inclined arrangement (see FIG. 4A) that is substantially parallel to (hypotenuse), and the long side on the −Y side forms the opening K of the field diaphragm 20 and the end (hypotenuse) on the −Y side. It can be driven from the second inclined arrangement (see FIG. 4B) which is substantially parallel. In this way, the light-shielding member 30 is generated by the projection optical module PLf by moving between the first tilt arrangement (first tilt angle) and the second tilt arrangement (second tilt angle). It is possible to change the shape of the projection area 50f. The first tilt angle and the second tilt angle are determined by the tilt angle of the trapezoidal projection region. For example, in the first inclination angle shown in FIG. 4A, the inclination angle of the shading plate 30 with respect to the Y-axis direction is parallel to the inclination angle of the end side of the trapezoidal projection region 50f in the + Y-axis direction. Further, in the second inclination angle shown in FIG. 4B, the inclination angle of the shading plate 30 with respect to the Y-axis direction is parallel to the inclination angle of the end side of the trapezoidal projection region 50f in the −Y-axis direction. .. That is, the inclination angle (first inclination angle and second inclination angle) of the light-shielding plate 30 can be arbitrarily determined based on the shape of the projection region.

また、遮光板３０は、駆動機構８０（図８（ａ）など参照）によってＹ軸方向に直進移動可能とされており、投影光学モジュールＰＬｆによって生成される投影領域５０ｆのＹ軸方向の幅を設定変更することができる。また、遮光板３０は、Ｙ軸方向に直進移動することによって、開口Ｋと重ならない位置、すなわち開口Ｋが視野絞り２０のみによって設定される位置に移動することも可能である。 Further, the light-shielding plate 30 is movable in the Y-axis direction by a drive mechanism 80 (see FIG. 8A and the like), and the width of the projection region 50f generated by the projection optical module PLf in the Y-axis direction can be set. You can change the settings. Further, the light-shielding plate 30 can be moved straight in the Y-axis direction to a position where the opening K does not overlap with the opening K, that is, a position where the opening K is set only by the field diaphragm 20.

ここで、従来の遮光板を用いた実施例と遮光板３０を用いた本実施形態との相違について説明する。 Here, the difference between the embodiment using the conventional light-shielding plate and the present embodiment using the light-shielding plate 30 will be described.

図５（ａ）～図６（ｂ）には、繋ぎ露光を行う際の投影領域と遮光部との位置関係を示した図が記載されている。図５（ａ）～図６（ｂ）における紙面右側には、上記実施形態で用いられる複数の投影光学モジュールによって基板上に投影される投影領域の一部（投影領域５０ｅ～５０ｇ）と、露光光を遮光することによって投影領域を規定する遮光板３０とが示されている。また、図５（ａ）～図６（ｂ）における紙面左側には、投影領域を一列に配置した形態が示されている。 5 (a) to 6 (b) show a diagram showing the positional relationship between the projected region and the light-shielding portion when performing joint exposure. On the right side of the paper surface in FIGS. 5A to 6B, a part of the projection area (projection area 50e to 50g) projected on the substrate by the plurality of projection optical modules used in the above embodiment and exposure. A shading plate 30 that defines a projection area by blocking light is shown. Further, on the left side of the paper surface in FIGS. 5A to 6B, a form in which the projection areas are arranged in a row is shown.

図５（ａ）に示されるように、投影領域５０ｅのＸ軸方向の投影幅がＹ軸方向においてほぼ一定である領域、すなわち台形状の投影領域５０ｅの中心部においてパターン継ぎを行う場合、遮光板３０を投影領域５０ｅの中心部に配置することによって、Ｙ軸方向に沿って投影幅が変化する露光量の傾斜部Ｇ（継ぎ部）を形成することができる。 As shown in FIG. 5A, when pattern splicing is performed in a region where the projection width of the projection region 50e in the X-axis direction is substantially constant in the Y-axis direction, that is, in the central portion of the trapezoidal projection region 50e, shading is performed. By arranging the plate 30 at the center of the projection region 50e, it is possible to form an inclined portion G (joint portion) having an exposure amount whose projection width changes along the Y-axis direction.

しかしながら、図５（ｂ）に示されるように、投影領域５０ｅのＸ軸方向の投影幅がＹ軸方向に沿って変化する領域、すなわち台形状の投影領域のうちの端部領域においてパターン継ぎを行う場合、投影領域５０ｅを規定する遮光部３０だけで露光量の傾斜部Ｇを形成しようとすると、傾斜部Ｇで露光量が多くなり過ぎて、パターン継ぎを行うことができない。 However, as shown in FIG. 5B, the pattern splicing is performed in the region where the projection width in the X-axis direction of the projection region 50e changes along the Y-axis direction, that is, the end region of the trapezoidal projection region. In this case, if an attempt is made to form the inclined portion G of the exposure amount only by the light-shielding portion 30 that defines the projection area 50e, the exposure amount becomes too large in the inclined portion G, and pattern splicing cannot be performed.

そこで、図６（ａ）に示されるように、投影領域５０ｅの遮光板３０に加えて、投影領域５０ｆに同様の遮光板３０Ａを配置すれば、露光量の傾斜部Ｇを形成することができ、パターン継ぎを行うことができる。遮光板３０Ａは、遮光板３０と傾斜角度が等しくなるように配置される。なお、遮光板３０と遮光板３０Ａとは、別部材であっても良いし、共通の部材により形成されていても良い。 Therefore, as shown in FIG. 6A, if a similar light-shielding plate 30A is arranged in the projection area 50f in addition to the light-shielding plate 30 in the projection area 50e, the inclined portion G of the exposure amount can be formed. , Pattern splicing can be performed. The light-shielding plate 30A is arranged so that the inclination angle is equal to that of the light-shielding plate 30. The light-shielding plate 30 and the light-shielding plate 30A may be separate members or may be formed of a common member.

さらに、図６（ａ）に示されるように、遮光板３０Ａを配置しなくても、図６（ｂ）に示されるように、遮光板３０の傾斜角度を変更することによって、投影領域５０ｅを規定する１つの遮光板３０のみで傾斜部Ｇを形成することができる。遮光板３０の傾斜角度を、投影領域５０ｅの端部領域の角度と平行となるように変更する。つまり、遮光板３０の傾斜角度を、投影領域５０ｆの端部領域の角度と平行となるように変更する。これにより、投影領域５０ｅの端部領域と投影領域５０ｆの端部領域とのパターン継ぎを行うことができる。投影領域５０ｆの端部領域が、あたかも＋Ｙ方向に移動されたように、パターン継ぎが行われる。これによって、遮光板を増やす必要がないとともに、図６（ａ）の場合と比較して、投影領域５０ｅの遮光板と投影領域５０ｆの遮光板とを同期させる必要がないので、露光装置を簡素化できる。 Further, as shown in FIG. 6 (a), even if the light-shielding plate 30A is not arranged, the projection area 50e can be obtained by changing the inclination angle of the light-shielding plate 30 as shown in FIG. 6 (b). The inclined portion G can be formed only by one specified light-shielding plate 30. The inclination angle of the light-shielding plate 30 is changed so as to be parallel to the angle of the end region of the projection region 50e. That is, the inclination angle of the light-shielding plate 30 is changed so as to be parallel to the angle of the end region of the projection region 50f. As a result, it is possible to perform pattern splicing between the end region of the projection region 50e and the end region of the projection region 50f. Pattern splicing is performed as if the end region of the projection region 50f was moved in the + Y direction. As a result, it is not necessary to increase the number of light-shielding plates, and it is not necessary to synchronize the light-shielding plate in the projection area 50e and the light-shielding plate in the projection area 50f as compared with the case of FIG. Can be converted.

また、従来の遮光板を用いた実施例と遮光板３０を用いた本実施形態との相違については、次のように説明することもできる。 Further, the difference between the embodiment using the conventional light-shielding plate and the present embodiment using the light-shielding plate 30 can be explained as follows.

図７（ａ）に示されるように、従来の実施例では、投影領域５０ｆに対する傾斜配置が一方向にのみ傾斜した遮光板を用いていたため、Ｙ軸方向に関するＴ領域及びα領域、β領域でのみ１回の走査移動で露光できるＹ軸方向の走査幅を設定することが可能であった。例えば、Ｔ領域及びβ領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板をＹ軸方向に移動させることで走査幅を設定することができ、α領域又はγ領域で繋ぎ露光を行う際には、照明系モジュールＩＭｆまたは照明系モジュールＩＭｇの照明シャッタ６（図２参照）で露光光を遮光することによって走査幅を設定することができた。しかしながら、領域Ｕ内に遮光板を配置した場合、露光量が均一にならず、繋ぎ露光を行える領域に制限があった。 As shown in FIG. 7A, in the conventional embodiment, since the light-shielding plate whose inclination arrangement with respect to the projection region 50f is inclined only in one direction is used, in the T region, the α region, and the β region in the Y-axis direction. It was possible to set the scanning width in the Y-axis direction, which can be exposed with only one scanning movement. For example, when performing joint exposure in the T region and β region, the scanning width can be set by moving the light-shielding plate in the Y-axis direction, and when performing joint exposure in the α region or γ region, the scanning width can be set. The scanning width could be set by blocking the exposure light with the illumination shutter 6 (see FIG. 2) of the illumination system module IMf or the illumination system module IMg. However, when the light-shielding plate is arranged in the region U, the exposure amount is not uniform, and there is a limitation in the region where the joint exposure can be performed.

これに対して、遮光板３０を用いた本実施形態では、図７（ｂ）に示されるように遮光板３０を第１の傾斜配置及び第２の傾斜配置の間で移動させることができるため、Ｕ領域内に遮光板３０を配置した場合であっても、露光量を均一にして、繋ぎ露光を行うことができる。例えば、Ｔ領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板３０を第１の傾斜配置で用い、Ｕ領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させて用いることができる。 On the other hand, in the present embodiment using the light-shielding plate 30, the light-shielding plate 30 can be moved between the first inclined arrangement and the second inclined arrangement as shown in FIG. 7B. Even when the light-shielding plate 30 is arranged in the U region, the exposure amount can be made uniform and the joint exposure can be performed. For example, when performing joint exposure in the T region, the light-shielding plate 30 is used in the first inclined arrangement, and when performing joint exposure in the U region, the light-shielding plate 30 is moved to the second inclined arrangement. Can be used.

また、図７（ｃ）に示されるように、遮光板３０を投影領域５０ｆに加えて、投影領域５０ｅ及び投影領域５０ｇを遮光できるように配置すれば、Ｓ領域においても繋ぎ露光を行うことができる。すなわち、本実施形態の遮光板３０を用いれば、Ｙ軸方向のあらゆる領域で繋ぎ露光を行うことができる。 Further, as shown in FIG. 7C, if the light-shielding plate 30 is added to the projection area 50f and the projection area 50e and the projection area 50g are arranged so as to be able to block light, the connected exposure can be performed even in the S area. can. That is, if the light-shielding plate 30 of the present embodiment is used, it is possible to perform joint exposure in any region in the Y-axis direction.

次に、駆動機構８０を用いて、本実施形態の遮光板３０を第１の傾斜配置又は第２の傾斜配置に移動させることによって、開口Ｋを設定変更する手法について説明する。 Next, a method of changing the setting of the opening K by moving the light-shielding plate 30 of the present embodiment to the first inclined arrangement or the second inclined arrangement by using the drive mechanism 80 will be described.

図８（ａ）に示されるように、駆動機構８０は、一対のアクチュエータ８２、８４を、開口Ｋを挟んで（開口Ｋの－Ｘ側、＋Ｘ側に）備えている。アクチュエータ８２は、モータ（サーボモータ）８２ａと、該モータ８２ａによって駆動されるネジ８２ｂと、該ネジ８２ｂに螺合する円筒状のナット８２ｃとを備えた、いわゆる送りネジ装置であり、ナット８２ｃをＹ軸方向に関して開口Ｋよりも長いストロークで往復駆動することができる。遮光板３０の－Ｘ側の端部近傍には、平面視Ｕ字状の切り欠き３０ａが形成されており、該切り欠き３０ａ内にナット８２ｃが挿入されている。アクチュエータ８４も、アクチュエータ８２と同様な構成（モータ８４ａ、ネジ８４ｂ、ナット８４ｃ）の送りネジ装置であるが、ナット８４ｃが遮光板３０の＋Ｘ側の端部近傍に、遮光板３０に対してθＺ方向に回転自在に取り付けられている点が異なる。駆動機構８０が有する一対のアクチュエータ８２、８４は、それぞれ独立に制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）により制御される。 As shown in FIG. 8A, the drive mechanism 80 includes a pair of actuators 82, 84 with an opening K interposed therebetween (on the −X side and the + X side of the opening K). The actuator 82 is a so-called feed screw device including a motor (servo motor) 82a, a screw 82b driven by the motor 82a, and a cylindrical nut 82c screwed onto the screw 82b. It can be reciprocated with a stroke longer than the opening K in the Y-axis direction. A U-shaped notch 30a in a plan view is formed in the vicinity of the end portion of the light-shielding plate 30 on the −X side, and a nut 82c is inserted into the notch 30a. The actuator 84 is also a feed screw device having the same configuration as the actuator 82 (motor 84a, screw 84b, nut 84c), but the nut 84c is located near the + X side end of the light-shielding plate 30 and θZ with respect to the light-shielding plate 30. The difference is that they are mounted so that they can rotate in the direction. The pair of actuators 82 and 84 included in the drive mechanism 80 are independently controlled by the control device CONT (see FIG. 2).

駆動機構８０は、図８（ａ）に示されるように、遮光板３０の＋Ｙ側のエッジ（端部）が、視野絞り２０（図８（ａ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、＋Ｙ側のエッジと平行となる位置に遮光板３０を位置決めし、遮光板３０の－Ｙ側に露光光の光路を形成することによって、基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆを、平面視で台形（等脚台形）とすることができる。遮光板３０の位置、及び角度は、不図示の計測装置（位置計測装置、光量計測装置など）の出力、あるいはアクチュエータ８２、８４に対する入力信号に基づいて計測される。この際、開口Ｋのうち、遮光板３０よりも＋Ｙ側の領域は、露光光が通過しないように、可動式のブラインド装置６０によって遮光される。以下、図８（ａ）に示されるように、遮光板３０の－Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視台形の投影領域５０ｆが生成される状態を、遮光板３０の第１のモードと称して説明する。 In the drive mechanism 80, as shown in FIG. 8A, the + Y-side edge (end) of the light-shielding plate 30 is a field diaphragm 20 (not shown in FIG. 8A. See FIG. 3A). The light-shielding plate 30 is positioned at a position parallel to the + Y-side edge of the edges (ends) forming the opening K of the light-shielding plate 30, and an optical path of exposure light is formed on the −Y side of the light-shielding plate 30 to form a substrate. The projection area 50f generated on P (see FIG. 1) can be trapezoidal (isosceles trapezoidal) in a plan view. The position and angle of the light-shielding plate 30 are measured based on the output of a measuring device (position measuring device, light amount measuring device, etc.) (not shown) or the input signal to the actuators 82 and 84. At this time, the region of the opening K on the + Y side of the light-shielding plate 30 is shielded by the movable blind device 60 so that the exposure light does not pass through. Hereinafter, as shown in FIG. 8A, an optical path of exposure light is formed on the −Y side of the light-shielding plate 30, and the exposure light passing through the optical path creates a plan-viewing trapezoidal projection region 50f on the substrate P. The generated state will be described as a first mode of the shading plate 30.

また、駆動機構８０は、図８（ａ）に示される状態から、一対のアクチュエータ８２、８４それぞれのナット８２ｃ、８４ｃを同じストローク（移動量）でＹ軸方向に駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で台形）の幅（面積）を設定変更することができる。この際、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０もＹ軸方向に駆動される。 Further, the drive mechanism 80 drives the nuts 82c and 84c of the pair of actuators 82 and 84 with the same stroke (movement amount) in the Y-axis direction from the state shown in FIG. 8A to open the opening K. The area, that is, the width (area) of the projection area 50f (trapezoid in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) can be set and changed. At this time, the blind device 60 is also driven in the Y-axis direction according to the position of the light-shielding plate 30.

なお、上述したブラインド装置６０は、遮光板３０を備えていない投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｅ、ＰＬｇ（図１参照）それぞれにも対応して備えられており、該投影光学モジュールＰＬａ～ＰＬｅ、ＰＬｇそれぞれが備える視野絞り２０に形成された開口Ｋ（図３（ａ）参照）を開放すること、及び遮蔽することが任意に選択可能となっている。なお、本実施形態において、ブラインド装置６０は、照明光学系ＩＬ（図１参照）が有しているが、これに限定されず、露光光ＥＬの光路上であれば、他の位置に配置されていても良い。 The blind device 60 described above is also provided for each of the projection optical modules PLa to PLe and PLg (see FIG. 1) that are not provided with the light-shielding plate 30, and the projection optical modules PLa to PLe and PLg are each provided. It is possible to arbitrarily select to open and shield the opening K (see FIG. 3A) formed in the field diaphragm 20 provided with the above. In the present embodiment, the blind device 60 is included in the illumination optical system IL (see FIG. 1), but is not limited to this, and is arranged at another position on the optical path of the exposure light EL. You may be.

また、駆動機構８０は、上記第１のモード（一例として図８（ａ）参照）から、図８（ｂ）に示されるように、アクチュエータ８２のナット８２ｃがアクチュエータ８４のナット８４ｃよりも＋Ｙ側に位置するようにナット８２ｃ、８４ｃそれぞれのＹ位置を制御することによって、遮光板３０の－Ｙ側のエッジ（端部）が、視野絞り２０（図８（ｂ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、－Ｙ側のエッジと平行となる位置に遮光板３０を位置決めすることができる。これによって、基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆを平面視で平行四辺形とすることができる。以下、図８（ｂ）に示されるように、遮光板３０の－Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視平行四辺形の投影領域５０ｆが生成される状態を、遮光板３０の第２のモードと称して説明する。本第２のモードにおいても、一対のナット８２ｃ、８４ｃをＹ軸方向に同期駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で平行四辺形）の幅（面積）を設定変更することができる。また、開口Ｋにおける遮光板３０よりも＋Ｙ側の領域は、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０によって適宜遮光される。 Further, in the drive mechanism 80, from the first mode (see FIG. 8A as an example), as shown in FIG. 8B, the nut 82c of the actuator 82 is on the + Y side of the nut 84c of the actuator 84. By controlling the Y position of each of the nuts 82c and 84c so as to be located at, the edge (end) on the −Y side of the light-shielding plate 30 is not shown in the field diaphragm 20 (not shown in FIG. 8 (b)). The light-shielding plate 30 can be positioned at a position parallel to the edge on the −Y side of the edges (ends) forming the opening K in (see a)). As a result, the projection region 50f generated on the substrate P (see FIG. 1) can be made into a parallelogram in a plan view. Hereinafter, as shown in FIG. 8B, an optical path of exposure light is formed on the −Y side of the light-shielding plate 30, and the exposure light passing through the optical path causes a projection region of a parallelogram in a plan view on the substrate P. The state in which 50f is generated will be described as a second mode of the shading plate 30. Also in this second mode, the area of the opening K, that is, the projection region 50f (in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) by synchronously driving the pair of nuts 82c and 84c in the Y-axis direction. The width (area) of the parallelogram) can be changed. Further, the region of the opening K on the + Y side of the light-shielding plate 30 is appropriately shaded by the blind device 60 according to the position of the light-shielding plate 30.

また、駆動機構８０は、上記第２のモード（一例として図８（ｂ）参照）から、図８（ｃ）に示されるように、ブラインド装置６０の位置を遮光板３０の－Ｙ側に移動させることによって、遮光板３０の＋Ｙ側に露光光の光路を形成することができる。遮光板３０の＋Ｙ側のエッジ（端部）は、視野絞り２０（図８（ｃ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、－Ｙ側のエッジと平行であるため、上記光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に生成される投影領域５０ｆは、平面視で台形（等脚台形）となる。以下、図８（ｃ）に示されるように、遮光板３０の＋Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視台形の投影領域５０ｆが生成される状態を、遮光板３０の第３のモードと称して説明する。本第３のモードにおいても、一対のナット８２ｃ、８４ｃをＹ軸方向に同期駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で台形）の幅（面積）を設定変更することができる。また、開口Ｋにおける遮光板３０よりも－Ｙ側の領域は、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０によって適宜遮光される。 Further, the drive mechanism 80 moves the position of the blind device 60 from the second mode (see FIG. 8B as an example) to the −Y side of the light shielding plate 30 as shown in FIG. 8C. By doing so, an optical path of the exposure light can be formed on the + Y side of the light-shielding plate 30. The + Y-side edge (end) of the light-shielding plate 30 is −Y among the edges (ends) forming the opening K of the field diaphragm 20 (not shown in FIG. 8 (c); see FIG. 3 (a)). Since it is parallel to the side edge, the projection region 50f generated on the substrate P by the exposure light passing through the optical path has a trapezoidal shape (isosceles trapezoidal shape) in a plan view. Hereinafter, as shown in FIG. 8C, an optical path of exposure light is formed on the + Y side of the light-shielding plate 30, and the exposure light passing through the optical path creates a plan-viewing trapezoidal projection region 50f on the substrate P. The state to be performed will be described as a third mode of the shading plate 30. Also in this third mode, the area of the opening K, that is, the projection region 50f (in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) by synchronously driving the pair of nuts 82c and 84c in the Y-axis direction. The width (area) of the trapezoid) can be changed. Further, the region on the −Y side of the light-shielding plate 30 in the opening K is appropriately shaded by the blind device 60 according to the position of the light-shielding plate 30.

また、駆動機構８０は、上記第３のモード（一例として図８（ｃ）参照）から、図８（ｄ）に示されるように、ナット８４ｃがナット８２ｃよりも＋Ｙ側に位置するようにナット８２ｃ、８４ｃのＹ位置を制御することによって、遮光板３０の＋Ｙ側のエッジ（端部）が、視野絞り２０（図８（ｂ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、＋Ｙ側のエッジと平行となる位置に遮光板３０を位置決めすることができる。これによって、基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆを平面視で平行四辺形とすることができる。以下、図８（ｄ）に示されるように、遮光板３０の＋Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視平行四辺形の投影領域５０ｆが生成される状態を遮光板３０の第４のモードと称して説明する。本第４のモードにおいても、一対のナット８２ｃ、８４ｃをＹ軸方向に同期駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で平行四辺形）の幅（面積）を設定変更することができる。また、開口Ｋにおける遮光板３０よりも－Ｙ側の領域は、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０によって適宜遮光される。 Further, the drive mechanism 80 is set so that the nut 84c is located on the + Y side of the nut 82c as shown in FIG. 8D from the third mode (see FIG. 8C as an example). By controlling the Y positions of 82c and 84c, the + Y-side edge (end) of the light-shielding plate 30 opens the opening K of the field diaphragm 20 (not shown in FIG. 8B, see FIG. 3A). The light-shielding plate 30 can be positioned at a position parallel to the + Y-side edge of the formed edges (ends). As a result, the projection region 50f generated on the substrate P (see FIG. 1) can be made into a parallelogram in a plan view. Hereinafter, as shown in FIG. 8D, an optical path of exposure light is formed on the + Y side of the light-shielding plate 30, and the exposure light passing through the optical path causes a projection region 50f of a parallelogram in a plan view on the substrate P. Will be described as a fourth mode of the shading plate 30. Also in this fourth mode, the area of the opening K, that is, the projection region 50f (in plan view) generated on the substrate P (see FIG. 1) by synchronously driving the pair of nuts 82c and 84c in the Y-axis direction. The width (area) of the parallelogram) can be changed. Further, the region on the −Y side of the light-shielding plate 30 in the opening K is appropriately shaded by the blind device 60 according to the position of the light-shielding plate 30.

このように、本実施形態では、遮光板３０に対して開口Ｋの－Ｙ方向（第１及び第２のモード）、及び＋Ｙ方向（第３及び第４のモード）の双方向に露光光の光路を形成することができ、且つ第１～第４のモードそれぞれにおいて、開口Ｋの幅を任意に調節することができる。すなわち、視野絞り２０、遮光板３０、駆動機構８０、及びブラインド装置６０は、投影光学モジュールＰＬｆが基板Ｐ上に生成する投影領域５０ｆの形状、及び位置を任意に変化させる可変視野絞り装置を構成している。 As described above, in the present embodiment, the exposure light is transmitted in both the −Y direction (first and second modes) and the + Y direction (third and fourth modes) of the opening K with respect to the light shielding plate 30. An optical path can be formed, and the width of the opening K can be arbitrarily adjusted in each of the first to fourth modes. That is, the field diaphragm 20, the light-shielding plate 30, the drive mechanism 80, and the blind device 60 constitute a variable field diaphragm device that arbitrarily changes the shape and position of the projection region 50f generated by the projection optical module PLf on the substrate P. is doing.

図９は、基板Ｐ上に生成される投影領域５０ａ～５０ｇを示す平面図である。投影領域５０ａ～５０ｇは、Ｙ軸方向に隣り合う投影領域の端部同士、すなわち端部５１ａと５１ｂ、端部５１ｃと５１ｄ、端部５１ｅと５１ｆ、端部５１ｇと５１ｈ、端部５１ｉと５１ｊ、端部５１ｋと５１ｌが、Ｙ軸方向に重なり合うように（Ｙ軸方向の位置が重複するように）設定されている。このため、投影領域５０ａ～５０ｇに対して基板ＰをＸ軸方向へ走査しながら露光（走査露光）を行うことで、重複して露光（二重露光）される重複領域５２ａ～５２ｆ（図９において二点差線で挟まれた領域）が形成される。 FIG. 9 is a plan view showing projection regions 50a to 50g generated on the substrate P. The projection regions 50a to 50g are the ends of the projection regions adjacent to each other in the Y-axis direction, that is, the ends 51a and 51b, the ends 51c and 51d, the ends 51e and 51f, the ends 51g and 51h, and the ends 51i and 51j. , The ends 51k and 51l are set so as to overlap in the Y-axis direction (so that the positions in the Y-axis direction overlap). Therefore, by performing exposure (scanning exposure) while scanning the substrate P in the X-axis direction with respect to the projection regions 50a to 50g, overlapping regions 52a to 52f (double exposure) are duplicated (FIG. 9). The region sandwiched by the two-point difference line) is formed.

また、図９において破線で示されるように、遮光板３０は、上記第１及び第２の位置、並びにＹ軸方向への移動によって、投影領域５０ｆの実効的な大きさを適宜設定する。これによって、遮光板３０は、基板ＰをＸ軸方向へ走査して走査露光を行う場合、投影領域５０ｆを介して転写されるマスクＭのパターン像のＹ軸方向の幅、及び形状を適宜設定することができ、そのパターン像に対応する潜像として基板Ｐ上に形成される転写パターンのＹ軸方向のパターン幅、及びパターン形状を適宜設定することができる。 Further, as shown by the broken line in FIG. 9, the light-shielding plate 30 appropriately sets the effective size of the projection region 50f by the first and second positions and the movement in the Y-axis direction. As a result, when the light-shielding plate 30 scans the substrate P in the X-axis direction for scanning exposure, the width and shape of the pattern image of the mask M transferred via the projection region 50f in the Y-axis direction are appropriately set. As a latent image corresponding to the pattern image, the pattern width and the pattern shape of the transfer pattern formed on the substrate P in the Y-axis direction can be appropriately set.

次に、露光装置ＥＸ（図１参照）を用いて複数回の走査露光を行い、マスクＭのパターン像に対応する複数の転写パターンを基板Ｐ上で継ぎ合わせる繋ぎ露光方法について説明する。以下の説明では、図１０に示されるように、マスクＭ上に形成されているパターンＰＰＡのうち、Ｙ軸方向に長さＬＡを有する部分パターンＰＡと、Ｙ軸方向に長さＬＢを有する部分パターンＰＢとの２つの領域のパターン像を、２回の走査露光（第１及び第２走査露光）に分けて基板Ｐ上に順次転写し、これらのパターン像に対応する転写パターンＭＡ、ＭＢを基板Ｐ上で継ぎ合わせてパターン合成を行うものとする。その際、部分パターンＰＡ、ＰＢのそれぞれの境界部４５、４６に対応する転写パターンＭＡ、ＭＢの境界部を、重複して露光することで継ぎ部ＭＣを形成する。これによって、基板Ｐ上の全体の転写パターンＭＰＡは、部分パターンＰＡの転写パターンＭＡと、部分パターンＰＢの転写パターンＭＢとが継ぎ合わされたものとなる。 Next, a joint exposure method will be described in which a plurality of scanning exposures are performed using the exposure apparatus EX (see FIG. 1), and a plurality of transfer patterns corresponding to the pattern images of the mask M are spliced on the substrate P. In the following description, as shown in FIG. 10, among the pattern PPA formed on the mask M, a partial pattern PA having a length LA in the Y-axis direction and a portion having a length LB in the Y-axis direction. The pattern images of the two regions with the pattern PB are divided into two scanning exposures (first and second scanning exposures) and sequentially transferred onto the substrate P, and the transfer patterns MA and MB corresponding to these pattern images are transferred. It is assumed that the pattern is synthesized by splicing on the substrate P. At that time, the joint portion MC is formed by overlapping and exposing the boundary portions of the transfer patterns MA and MB corresponding to the boundary portions 45 and 46 of the partial patterns PA and PB, respectively. As a result, the entire transfer pattern MPA on the substrate P is a combination of the transfer pattern MA of the partial pattern PA and the transfer pattern MB of the partial pattern PB.

ここで、本実施形態では、投影光学モジュールＰＬｆによって基板Ｐ上に生成される投影領域５０ｆのＹ軸方向に関する位置、及び幅を、上記第１～第４の４つのモードを用いて適宜設定変更することができる。これによって、第１走査露光で転写パターンＭＡにおける継ぎ部を、投影光学モジュールＰＬｆを用いて形成する場合に、部分パターンＰＡのＹ軸方向に長さＬＡ、及びその端部形状を任意に設定すること、又は第２走査露光で転写パターンＭＢおける継ぎ部を、投影光学モジュールＰＬｆを用いて形成する場合に、部分パターンＰＢのＹ軸方向の長さＬＢ、及びその端部形状を任意に設定することができる。 Here, in the present embodiment, the position and width of the projection region 50f generated on the substrate P by the projection optical module PLf with respect to the Y-axis direction are appropriately set and changed by using the four modes of the first to fourth modes. can do. Thereby, when the joint portion in the transfer pattern MA is formed by using the projection optical module PLf in the first scanning exposure, the length LA and the end shape thereof are arbitrarily set in the Y-axis direction of the partial pattern PA. This, or when the joint portion in the transfer pattern MB is formed by using the projection optical module PLf in the second scanning exposure, the length LB of the partial pattern PB in the Y-axis direction and the shape of the end portion thereof are arbitrarily set. be able to.

ここで、実際には、露光装置ＥＸを用いて１枚のマザーガラス基板から製品としての液晶パネルを複数枚製造する場合、液晶パネルのサイズ、枚数などは、様々な種類のものが要求される。例えば一枚のガラス基板上に、互いに異なるサイズの製品（液晶パネル等の回路パターン）を作成することが要求される。従って、実際には、繋ぎ露光の回数（継ぎ部ＭＣの数）、転写パターンＭＡ、ＭＢの長さなどには、設計に応じて様々な態様が要求される。以下、本実施形態の遮光板３０を用いて繋ぎ露光を行う際の露光方法について具体的に説明する。なお、以下の第１の露光方法及び第２の露光方法では、投影光学系モジュールが７本の場合について説明し、第３～第５の露光方法では、投影光学系モジュールが１１本の場合について説明するが、投影光学系モジュールの本数は、適宜変更可能なものであり、繋ぎ露光の概念、方法などに関しては、投影光学系モジュールの本数にかかわらず、図６に説明した例と同一である。 Here, in reality, when a plurality of liquid crystal panels as products are manufactured from one mother glass substrate by using the exposure apparatus EX, various kinds of liquid crystal panel sizes, number of sheets, etc. are required. .. For example, it is required to produce products (circuit patterns such as liquid crystal panels) of different sizes on one glass substrate. Therefore, in reality, various modes are required depending on the design, such as the number of joint exposures (the number of joint MCs), the lengths of the transfer patterns MA and MB, and the like. Hereinafter, an exposure method for performing joint exposure using the light-shielding plate 30 of the present embodiment will be specifically described. In the first and second exposure methods described below, the case where the number of projection optical system modules is seven will be described, and in the third to fifth exposure methods, the case where there are 11 projection optical system modules will be described. As described above, the number of projection optical system modules can be changed as appropriate, and the concept, method, and the like of the joint exposure are the same as the example described in FIG. 6 regardless of the number of projection optical system modules. ..

図１１（ａ）には、第１の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第１の露光方法では、１枚の基板Ｐから２枚のパネルＰＮ１、ＰＮ２を製造する。パネルＰＮ１、ＰＮ２のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第１の露光方法では、図１０に説明した場合と同様であり、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）で、各パネルＰＮ１、ＰＮ２への露光動作を完了することができる。 FIG. 11A shows the substrate P and the mask M according to the first exposure method. In the first exposure method, two panels PN1 and PN2 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 and PN2 are the same, and the mask patterns used are also the same. The first exposure method is the same as the case described with reference to FIG. 10, and the exposure operation to the panels PN1 and PN2 can be completed by two exposure operations (one continuous exposure operation).

第１の露光方法では、図１１（ｂ）に示されるように、遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向（第１方向）に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向（第２方向）に移動させるステップ移動が行われる。そして、図１１（ｃ）に示されるように、遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、－Ｙ軸方向側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０をＹ軸方向に沿って移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡ（図１０参照）よりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。 In the first exposure method, as shown in FIG. 11B, the light-shielding plate 30 is moved to the second inclined arrangement, and the light-shielding plate 30 is formed so that an optical path of the exposure light is formed on the + Y-axis side. Move it. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction (first direction), the first scanning exposure for forming the pattern in the A region of the mask pattern on the substrate P is performed. Will be. Next, a step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction (second direction) by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 11C, the light-shielding plate 30 is moved to the first inclined arrangement, and the light-shielding plate 30 is moved in the Y-axis direction so that an optical path of the exposure light is formed on the −Y-axis direction side. Move along. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the A region and the transfer pattern corresponding to the B region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a second scanning exposure for forming a pattern in the B region of the mask pattern on the substrate P is performed. As a result, a panel having a size larger than the pattern region PPA of the mask M (see FIG. 10) can be formed on the substrate P.

図１２（ａ）には、第２の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第２の露光方法では、１枚の基板Ｐから２枚のパネルＰＮ１、ＰＮ２を製造する。パネルＰＮ１、ＰＮ２のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第２の露光方法では、第１の露光方法よりも大きなパネルを製造することができる。また、第１の露光方法と同様に、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）で、各パネルＰＮ１、ＰＮ２への露光動作を完了することができる。 FIG. 12A shows the substrate P and the mask M according to the second exposure method. In the second exposure method, two panels PN1 and PN2 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 and PN2 are the same, and the mask patterns used are also the same. In the second exposure method, a panel larger than that in the first exposure method can be manufactured. Further, as in the first exposure method, the exposure operation to the panels PN1 and PN2 can be completed by two exposure operations (one continuous exposure operation).

第２の露光方法では、図１２（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬｆ（図１参照）によって生成される投影領域５０ｆを規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させるステップ移動が行われる。そして、図１２（ｃ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬｂ（図１参照）によって生成される投影領域５０ｂを規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、－Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡよりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。 In the second exposure method, as shown in FIG. 12B, the light-shielding plate 30 defining the projection region 50f generated by the projection optical module PLf (see FIG. 1) is moved to the second inclined arrangement. , The light-shielding plate 30 is moved so that an optical path of exposure light is formed on the + Y-axis side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, the first scanning exposure for forming the pattern in the A region of the mask pattern on the substrate P is performed. Next, a step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 12 (c), the light-shielding plate 30 defining the projection region 50b generated by the projection optical module PLb (see FIG. 1) is moved to the first inclined arrangement, and is on the −Y axis side. The light-shielding plate 30 is moved so that an optical path for the exposure light is formed. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the A region and the transfer pattern corresponding to the B region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a second scanning exposure for forming a pattern in the B region of the mask pattern on the substrate P is performed. Thereby, a panel having a size larger than the pattern region PPA of the mask M can be formed on the substrate P.

図１３（ａ）には、第３の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第３の露光方法では、１枚の基板Ｐから２枚のパネルＰＮ１、ＰＮ２を製造する。パネルＰＮ１、ＰＮ２のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第３の露光方法では、パネルＰＮ１、ＰＮ２のＹ軸方向の長さが、マスクＭのＹ軸方向の長さのほぼ２倍であり、図１０に説明した場合と異なり、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）では、各パネルＰＮ１、ＰＮ２への露光動作が完了しない。そこで、マスクＭ上に、Ａ領域、Ｂ領域、及びＣ領域を設定し、１枚のパネル（製品）につき、合計で３回の露光動作（２回の繋ぎ露光動作）を行う。 FIG. 13A shows the substrate P and the mask M according to the third exposure method. In the third exposure method, two panels PN1 and PN2 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 and PN2 are the same, and the mask patterns used are also the same. In the third exposure method, the length of the panels PN1 and PN2 in the Y-axis direction is almost twice the length of the mask M in the Y-axis direction, and unlike the case described in FIG. 10, the two exposure operations are performed. In (one continuous exposure operation), the exposure operation to each panel PN1 and PN2 is not completed. Therefore, the A region, the B region, and the C region are set on the mask M, and a total of three exposure operations (two joint exposure operations) are performed for one panel (product).

第３の露光方法では、図１３（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ１０によって生成される投影領域５０１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第１のステップ移動が行われる。そして、図１４（ａ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ１０によって生成される投影領域５０１０を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。さらに、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第２のステップ移動が行われる。そして、図１４（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ４によって生成される投影領域５０４を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、－Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ｂ領域に対応する転写パターンとＣ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＣ領域のパターンを基板Ｐに形成する第３の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡよりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。 In the third exposure method, as shown in FIG. 13B, the light-shielding plate 30 defining the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first tilted arrangement, and the + Y axis. The light-shielding plate 30 is moved so that an optical path of the exposure light is formed on the side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, the first scanning exposure for forming the pattern in the A region of the mask pattern on the substrate P is performed. Next, the first step movement of moving the substrate P in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD is performed. Then, as shown in FIG. 14A, the light-shielding plate 30 defining the projection region 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the second inclined arrangement, and the exposure light is transferred to the + Y-axis side. The shading plate 30 is moved so that an optical path is formed. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the A region and the transfer pattern corresponding to the B region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a second scanning exposure for forming a pattern in the B region of the mask pattern on the substrate P is performed. Further, a second step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 14B, the light-shielding plate 30 defining the projection area 504 generated by the projection optical module PL 4 is moved to the first inclined arrangement, and the exposure light is directed to the −Y - axis side. The light-shielding plate 30 is moved so that the optical path of the above is formed. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the B region and the transfer pattern corresponding to the C region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a third scanning exposure for forming a pattern in the C region of the mask pattern on the substrate P is performed. Thereby, a panel having a size larger than the pattern region PPA of the mask M can be formed on the substrate P.

また、図１５（ａ）には、第４の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第４の露光方法では、１枚の基板Ｐから３枚のパネルＰＮ１～ＰＮ３を製造する。パネルＰＮ１～ＰＮ３のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第４の露光方法では、パネルＰＮ１～ＰＮ３のＹ軸方向の長さが、マスクＭのＹ軸方向の長さの１．３倍程度であり、上記第３の露光方法とは異なり、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）で各パネルＰＮ１～３への露光動作が完了する。第４の露光方法では、マスクＭ上に、Ａ領域、及びＢ領域の２つの領域を設定し、１枚のパネル（製品）につき、合計で２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）を行う。 Further, FIG. 15A shows the substrate P and the mask M according to the fourth exposure method. In the fourth exposure method, three panels PN1 to PN3 are manufactured from one substrate P. The sizes of panels PN1 to PN3 are the same, and the mask patterns used are also the same. In the fourth exposure method, the length of the panels PN1 to PN3 in the Y-axis direction is about 1.3 times the length of the mask M in the Y-axis direction. The exposure operation to each panel PN1 to 3 is completed by the exposure operation (one continuous exposure operation). In the fourth exposure method, two areas, A area and B area, are set on the mask M, and a total of two exposure operations (one continuous exposure operation) are performed for one panel (product). I do.

第４の露光方法では、図１５（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ１０によって生成される投影領域５０１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させるステップ移動が行われる。そして、図１６に示されるように、投影光学モジュールＰＬ７によって生成される投影領域５０７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、－Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡ（図１０参照）よりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。 In the fourth exposure method, as shown in FIG. 15B, the light-shielding plate 30 defining the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first tilted arrangement, and the + Y axis. The light-shielding plate 30 is moved so that an optical path of the exposure light is formed on the side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, the first scanning exposure for forming the pattern in the A region of the mask pattern on the substrate P is performed. Next, a step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 16, the light-shielding plate 30 defining the projection region 507 generated by the projection optical module PL 7 is moved to the second inclined arrangement, and the optical path of the exposure light is provided on the −Y - axis side. The shading plate 30 is moved so as to be formed. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the A region and the transfer pattern corresponding to the B region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a second scanning exposure for forming a pattern in the B region of the mask pattern on the substrate P is performed. As a result, a panel having a size larger than the pattern region PPA of the mask M (see FIG. 10) can be formed on the substrate P.

また、図１７（ａ）には、第５の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第５の露光方法では、１枚の基板Ｐから３枚のパネルＰＮ１～ＰＮ３を製造する。パネルＰＮ１は、パネルＰＮ２、ＰＮ３に比べてサイズが小さく、Ｙ軸方向の長さも短い。また、パネルＰＮ１の露光には、マスクＭ上に形成されたマスクパターンＭＰ１を用い、パネルＰＮ２、ＰＮ３の露光には、上記マスクパターンＭＰ１とは異なるマスクパターンＭＰ２を用いる。 Further, FIG. 17A shows the substrate P and the mask M according to the fifth exposure method. In the fifth exposure method, three panels PN1 to PN3 are manufactured from one substrate P. The panel PN1 is smaller in size than the panels PN2 and PN3 and has a shorter length in the Y-axis direction. Further, the mask pattern MP1 formed on the mask M is used for the exposure of the panel PN1, and the mask pattern MP2 different from the mask pattern MP1 is used for the exposure of the panels PN2 and PN3.

第５の露光方法では、図１７（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ１０によって生成される投影領域５０１０を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ１領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第１のステップ移動が行われる。そして、図１８（ａ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ７によって生成される投影領域５０７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、－Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ１領域に対応する転写パターンとＢ１領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ１領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンＭＰ１を基板Ｐに転写することができ、基板ＰにパネルＰＮ１を形成することができる。 In the fifth exposure method, as shown in FIG. 17B, the light-shielding plate 30 defining the projection area 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the second tilted arrangement, and the + Y axis is used. The light-shielding plate 30 is moved so that an optical path of the exposure light is formed on the side. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, the first scanning exposure for forming the pattern of the A1 region of the mask pattern on the substrate P is performed. Next, the first step movement of moving the substrate P in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD is performed. Then, as shown in FIG. 18A, the shading plate 30 defining the projection region 507 generated by the projection optical module PL 7 is moved to the second inclined arrangement, and the exposure light is directed to the −Y axis side. The light-shielding plate 30 is moved so that the optical path of the above is formed. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the A1 region and the transfer pattern corresponding to the B1 region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a second scanning exposure for forming a pattern in the B1 region of the mask pattern on the substrate P is performed. As a result, the mask pattern MP1 can be transferred to the substrate P, and the panel PN1 can be formed on the substrate P.

さらに、基板Ｐ上にパネルＰＮ２を形成するために、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる第２のステップ移動が行われる。また、第２のステップ移動では、マスクパターンＭＰ２を基板Ｐに転写するために、マスクＭをマスクステージ駆動部ＭＳＴＤによって移動させる。そして、図１８（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ１０によって生成される投影領域５０１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第３の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第３のステップ移動が行われる。そして、図１９に示されるように、投影光学モジュールＰＬ７によって生成される投影領域５０７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、－Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ２領域に対応する転写パターンとＢ２領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第４の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンＭＰ２を基板Ｐに転写することができ、基板ＰにパネルＰＮ２を形成することができる。 Further, in order to form the panel PN2 on the substrate P, a second step movement is performed in which the substrate P is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Further, in the second step movement, the mask M is moved by the mask stage drive unit MSTD in order to transfer the mask pattern MP2 to the substrate P. Then, as shown in FIG. 18B, the light-shielding plate 30 defining the projection region 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first inclined arrangement, and the exposure light is transferred to the + Y-axis side. The shading plate 30 is moved so that an optical path is formed. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a third scanning exposure for forming a pattern in the A2 region of the mask pattern on the substrate P is performed. Next, a third step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, as shown in FIG. 19, the light-shielding plate 30 defining the projection region 507 generated by the projection optical module PL 7 is moved to the second inclined arrangement, and the optical path of the exposure light is provided on the −Y - axis side. The shading plate 30 is moved so as to be formed. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the A2 region and the transfer pattern corresponding to the B2 region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a fourth scanning exposure for forming a pattern in the B2 region of the mask pattern on the substrate P is performed. As a result, the mask pattern MP2 can be transferred to the substrate P, and the panel PN2 can be formed on the substrate P.

以下、不図示であるが同様にして、基板Ｐ上にパネルＰＮ３を形成するために、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる第４のステップ移動が行われる。そして、投影光学モジュールＰＬ１０によって生成される投影領域５０１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第５の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第５のステップ移動が行われる。そして、投影光学モジュールＰＬ７によって生成される投影領域５０７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、－Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ２領域に対応する転写パターンとＢ２領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第６の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンＭＰ３を基板Ｐに転写することができ、基板ＰにパネルＰＮ３を形成することができる。以上により、基板Ｐ上に、パネルＰＮ１、パネルＰＮ２、パネルＰＮ３を形成することができる。 Hereinafter, although not shown, in the same manner, in order to form the panel PN3 on the substrate P, a fourth step movement is performed in which the substrate P is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. .. Then, the light-shielding plate 30 that defines the projection region 50 10 generated by the projection optical module PL 10 is moved to the first inclined arrangement, and the light-shielding plate 30 is formed so that the optical path of the exposure light is formed on the + Y-axis side. Move it. In this state, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a fifth scanning exposure for forming a pattern in the A2 region of the mask pattern on the substrate P is performed. Next, a fifth step movement is performed in which the substrate P is moved in the Y-axis direction by the substrate stage drive unit PSTD. Then, the light-shielding plate 30 that defines the projection region 507 generated by the projection optical module PL 7 is moved to the second inclined arrangement, and the light-shielding plate 30 is formed so that the optical path of the exposure light is formed on the −Y-axis side. To move. At this time, in each panel region on the substrate P, a joint is formed between the transfer pattern corresponding to the A2 region and the transfer pattern corresponding to the B2 region. At this joint, the light-shielding plate 30 and the blind device 60 are positioned so that the exposure amount is uniform. After that, by relatively moving the mask M and the substrate P along the X-axis direction, a sixth scanning exposure for forming a pattern in the B2 region of the mask pattern on the substrate P is performed. As a result, the mask pattern MP3 can be transferred to the substrate P, and the panel PN3 can be formed on the substrate P. As described above, the panel PN1, the panel PN2, and the panel PN3 can be formed on the substrate P.

なお、上記第１～第５の露光方法は、一例であって、これら以外にも、露光装置ＥＸにおいて行われる繋ぎ露光には、様々な態様が考えられる。従って、要求されるパネルのサイズに応じて、その都度、マスクパターンをどのように複数の領域に分割して繋ぎ露光を行うかその都度設計しなければならない。 The first to fifth exposure methods are examples, and in addition to these, various modes can be considered for the joint exposure performed by the exposure apparatus EX. Therefore, it is necessary to design how to divide the mask pattern into a plurality of regions and perform continuous exposure each time according to the required panel size.

ただし、マスクパターンの分割箇所の設計には、各種の制約がある。すなわち、露光装置ＥＸでは、マスクステージＭＳＴ（マスクＭ）と各投影光学系モジュールとのステップ（Ｙ軸）方向の相対位置が不変であることから、各転写パターンのＹ軸方向の長さは、各投影光学系モジュールによって形成される投影領域の長さの整数倍がベースとなり、その合計長さを遮光板３０で調整するようになっている。これに対し、遮光板３０を有する投影光学モジュールは、一部のみ（本実施形態では、投影光学系モジュールＰＬｆ）であり、投影領域のＹ軸方向の合計長さを設計する上で制約となる。また、パネルの製造工程において、各パネルには、繰り返しパターンが形成される液晶表示面とは別に、周辺部に各パネルと駆動回路とを接続するための引き出し線（タブ領域と称される）が形成される。このタブ領域に形成される引き出し線は、繰り返しのパターンではないので、繋ぎ露光を行う際の制約となる。また、スループットの観点から、繋ぎ露光の回数は、少ないことが好ましく、この点もマスクパターンを複数の領域に分割する際の制約となる。また、マスクサイズにも、マスクステージＭＳＴの大きさにより物理的な制限があるので、この点もマスクパターンを複数の領域に分割する際の制約となる。 However, there are various restrictions on the design of the division portion of the mask pattern. That is, in the exposure apparatus EX, since the relative positions of the mask stage MST (mask M) and each projection optical system module in the step (Y-axis) direction do not change, the length of each transfer pattern in the Y-axis direction is determined. The base is an integral multiple of the length of the projection region formed by each projection optical system module, and the total length is adjusted by the shading plate 30. On the other hand, the projection optical module having the light-shielding plate 30 is only a part (in the present embodiment, the projection optical system module PLf), which is a restriction in designing the total length of the projection region in the Y-axis direction. .. Further, in the panel manufacturing process, each panel has a leader wire (referred to as a tab area) for connecting each panel and a drive circuit in a peripheral portion in addition to the liquid crystal display surface on which a repeating pattern is formed. Is formed. Since the leader line formed in this tab region is not a repeating pattern, it becomes a restriction when performing joint exposure. Further, from the viewpoint of throughput, the number of joint exposures is preferably small, which is also a restriction when the mask pattern is divided into a plurality of regions. Further, the mask size is also physically limited by the size of the mask stage MST, and this point also becomes a restriction when the mask pattern is divided into a plurality of regions.

これに対し、本実施形態の露光装置ＥＸでは、上記視野絞り２０、遮光板３０、駆動機構８０、及びブラインド装置６０により構成される可変絞り装置によって、繋ぎ露光を行う際に継ぎ部を形成する一対の投影領域のうち、一方の投影領域（本実施形態では、投影領域５０ｆ）の長さ、及び端部形状を、遮光板３０を上記第１～第４のモードの何れかを用いることによって、任意に調整することができる。従って、繋ぎ露光で製品を製造する際の設計（マスク上に形成された回路パターンのどの部分を繋ぎ露光を用いてガラス基板上に形成するのか、その繋ぎ露光処理が施される回路パターン上の位置や、更には互いに大きさの異なる複数種類の回路パターンをガラス基板上に露光する際に用いられるマスク上における当該複数種類の回路パターンの配置等）の自由度が向上し、上記各種の制約を緩和することが可能となる。一例をあげると、仮に遮光板３０の傾斜方向が固定であるとした場合、図４（ａ）あるいは図４（ｃ）に示されるような台形状の開口Ｋを形成可能なように遮光板３０を配置すると、図４（ｂ）あるいは図４（ｄ）に示されるように、平行四辺形状、且つスリット状の開口Ｋを形成することができない（遮光板３０の斜辺と開口Ｋを形成する端部（斜辺）とが交差する）ので、設計上の制約となるが、本実施形態では、上述の設計の自由度が向上する。 On the other hand, in the exposure apparatus EX of the present embodiment, a joint portion is formed when performing joint exposure by the variable aperture device composed of the field diaphragm 20, the light-shielding plate 30, the drive mechanism 80, and the blind device 60. Of the pair of projection regions, the length and end shape of one projection region (projection region 50f in this embodiment) can be determined by using the light-shielding plate 30 in any of the first to fourth modes. , Can be adjusted arbitrarily. Therefore, the design when manufacturing a product by the joint exposure (which part of the circuit pattern formed on the mask is formed on the glass substrate by the joint exposure, on the circuit pattern to which the joint exposure process is performed. The degree of freedom of the position and the arrangement of the plurality of types of circuit patterns on the mask used when exposing the plurality of types of circuit patterns having different sizes on the glass substrate is improved, and the above-mentioned various restrictions are improved. Can be alleviated. As an example, if the tilting direction of the light-shielding plate 30 is fixed, the light-shielding plate 30 can form a trapezoidal opening K as shown in FIG. 4A or FIG. 4C. As shown in FIG. 4B or FIG. 4D, it is not possible to form a parallel quadrilateral and slit-shaped opening K (the hypotenuse of the light-shielding plate 30 and the end forming the opening K). Since the part (hypotenuse) intersects), it becomes a design restriction, but in the present embodiment, the degree of freedom of the above-mentioned design is improved.

本実施形態の露光装置ＥＸを用いて繋ぎ露光を行う際には、要求される製品の設計（上記第１の露光方法～第５の露光方法参照）に応じて、遮光板３０の位置、及び傾き（上記第１～第４のモードの何れか）を決定する。例えば、図２０に示されるように、ステップＳ１０では、パネル（製品）サイズ、マスクサイズ、タブ領域の幅（位置）、遮光板３０の位置（本実施形態では、投影領域５０ｆに対応する位置）、最善の走査露光の回数などの諸条件に応じて、マスクＭ上に複数の領域（上記第１の露光方法のＡ及びＢ領域、第３の露光方法のＡ～Ｃ領域など）を設定する。また、ステップＳ１２において、上記ステップＳ１０で決定されたマスクＭ上の領域のＹ軸方向の長さに応じた遮光板３０のＹ軸方向の位置を決定する。 When performing joint exposure using the exposure apparatus EX of the present embodiment, the position of the light-shielding plate 30 and the position of the light-shielding plate 30 and the position of the light-shielding plate 30 are determined according to the required product design (see the first exposure method to the fifth exposure method). The inclination (any of the first to fourth modes described above) is determined. For example, as shown in FIG. 20, in step S10, the panel (product) size, the mask size, the width (position) of the tab area, and the position of the shading plate 30 (in the present embodiment, the position corresponding to the projection area 50f). , A plurality of regions (A and B regions of the first exposure method, A to C regions of the third exposure method, etc.) are set on the mask M according to various conditions such as the best number of scanning exposures. .. Further, in step S12, the position of the shading plate 30 in the Y-axis direction is determined according to the length of the region on the mask M determined in step S10 in the Y-axis direction.

そして、ステップＳ１４で、ステップＳ１２で決定された遮光板３０の位置が、所望の繋ぎ露光の条件を満たすか否かを判定する。例えば、現状の遮光板３０の傾斜方向で繋ぎ露光を行った場合に、基板Ｐ上に形成される継ぎ部ＭＣ（図１０参照）の総露光量が所望の露光条件を満たすか否かを判定する。ステップＳ１４の判定でＹｅｓ判定である場合には、ステップＳ１６に進み、繋ぎ露光を行う。また、ステップＳ１４でＮｏ判定の場合には、ステップＳ１８に進み、遮光板３０のモード切り替え（第１モードと第２モードとの切り替え、又は第３モードと第４モードとの切り替え）を繋ぎ露光の工程に追加した後（実際に遮光板３０のモード切り替えを行うのは、基板ＰのＹステップ動作中）、ステップＳ１６に進み、繋ぎ露光を行う。 Then, in step S14, it is determined whether or not the position of the light-shielding plate 30 determined in step S12 satisfies the desired joint exposure condition. For example, it is determined whether or not the total exposure amount of the joint MC (see FIG. 10) formed on the substrate P satisfies the desired exposure condition when the joint exposure is performed in the current tilting direction of the light-shielding plate 30. do. If the determination in step S14 is Yes, the process proceeds to step S16 to perform joint exposure. Further, in the case of No determination in step S14, the process proceeds to step S18, and the mode switching of the shading plate 30 (switching between the first mode and the second mode or switching between the third mode and the fourth mode) is connected and exposed. After adding to the process of (the mode of the light-shielding plate 30 is actually switched during the Y-step operation of the substrate P), the process proceeds to step S16 to perform joint exposure.

なお、あらかじめ、パネル（製品）サイズ、マスクサイズ、タブ領域の幅（位置）、走査露光の回数等を踏まえて、繋ぎ露光を行う際の露光条件がわかっていれば、遮光板３０の位置を第１の走査露光と第２の走査露光とで切り替え可能に構成しても良い。これによって、上述したステップ（ステップＳ１４、Ｓ１８）を省略することができるので、露光処理を簡素化できる。 If the exposure conditions for joint exposure are known in advance based on the panel (product) size, mask size, tab area width (position), number of scanning exposures, etc., the position of the shading plate 30 can be determined. It may be configured so that it can be switched between the first scanning exposure and the second scanning exposure. As a result, the above-mentioned steps (steps S14 and S18) can be omitted, so that the exposure process can be simplified.

以上説明したように、本実施形態では、開口Ｋを形成するＹ軸方向に離間した一対のエッジのうちの一方（＋Ｙ側又は－Ｙ側）と、遮光板３０のＹ軸方向に関する一対のエッジのうちの一方（＋Ｙ側又は－Ｙ側）とによって、遮光板３０の一側又は他側（＋Ｙ側又は－Ｙ側）に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって、基板Ｐ上には、平面視台形又は平行四辺形の投影領域５０ｆが生成される。そして、上記平面視台形又は平行四辺形の投影領域５０ｆのＹ軸方向に関する幅は、遮光板３０のＹ位置によって、適宜設定変更することができる。 As described above, in the present embodiment, one of the pair of edges (+ Y side or −Y side) that forms the opening K and is separated in the Y-axis direction, and the pair of edges of the light-shielding plate 30 in the Y-axis direction. An optical path of exposure light is formed on one side or the other side (+ Y side or −Y side) of the shading plate 30 by one of the (+ Y side or −Y side), and the exposure light passing through the optical path forms an optical path. On the substrate P, a plan view trapezoidal or parallelogram projection region 50f is generated. The width of the projection region 50f of the plan view trapezoid or the parallelogram with respect to the Y-axis direction can be appropriately set and changed depending on the Y position of the light-shielding plate 30.

このように、遮光板３０のモードを切り替えることによって、投影領域５０ｆの位置及び形状を変化させることができるので、投影領域５０ｆを含む複数の投影光学モジュールによって基板Ｐ上に形成される投影領域のＹ軸方向の長さ、及びその端部形状（傾斜方向）を任意に設定することができる。したがって、繋ぎ露光によって基板Ｐ上に形成される転写パターンＭＰＡ、又はＭＰＢ（図１０参照）の幅の設計の自由度が向上し、１枚のマザーガラス基板上に任意の幅の液晶パネルを形成することが可能となる。 Since the position and shape of the projection region 50f can be changed by switching the mode of the light-shielding plate 30 in this way, the projection region formed on the substrate P by the plurality of projection optical modules including the projection region 50f. The length in the Y-axis direction and the shape of the end thereof (inclination direction) can be arbitrarily set. Therefore, the degree of freedom in designing the width of the transfer pattern MPA or MPB (see FIG. 10) formed on the substrate P by the joint exposure is improved, and a liquid crystal panel having an arbitrary width is formed on one mother glass substrate. It becomes possible to do.

なお、以上説明した一実施形態の構成は、一例であって、適宜変更が可能である。すなわち、上記実施形態において、遮光板３０（可変視野絞り装置）は、１つのみ設けられたが、これに限られず、複数設けられても良い。また、遮光板３０（可変視野絞り装置）が設けられる投影光学モジュールの数、及び位置は、特に限定されない。この場合、繋ぎ露光によって基板Ｐ上に形成される転写パターンＭＰＡ、又はＭＰＢ（図１０参照）の幅の設計の自由度が更に向上する。 The configuration of one embodiment described above is an example and can be changed as appropriate. That is, in the above embodiment, only one light-shielding plate 30 (variable field-of-view diaphragm device) is provided, but the present invention is not limited to this, and a plurality of light-shielding plates 30 may be provided. The number and position of the projection optical modules provided with the light-shielding plate 30 (variable field diaphragm device) are not particularly limited. In this case, the degree of freedom in designing the width of the transfer pattern MPA or MPB (see FIG. 10) formed on the substrate P by the joint exposure is further improved.

また、遮光板３０を駆動するための機構も、適宜変更が可能である。すなわち、図２１に示される変形例のように、１つの開口Ｋ（視野絞り２０（図３参照））に対して、２枚の遮光板３０を設けても良い。２枚の遮光板３０を独立に駆動するための駆動機構８０Ａは、上記実施形態と同様に一対のアクチュエータ８２Ａ、８４Ｂを有しており、該一対のアクチュエータ８２Ａ、８４Ａそれぞれのナット８２ｃ、８４ｃに遮光板３０が固定されている。上記実施形態では、１枚の遮光板３０を回転駆動することによって、その角度が変更したが、本変形例では、２枚の遮光板３０それぞれの端部が開口Ｋを形成するＹ軸方向に離間した一対のエッジと平行となるように取り付け角度が予め設定されており、視野絞り２０の一対の端部のいずれかと、２枚の遮光板３０の、合計で４つの端部のいずれかを組み合わせることによって、上記実施形態と同様に第１～第４のモードを実現することができる。なお、図２１は、模式図であり、図２５には、本変形例の詳細が示されている。図２５に示される駆動機構では、Ｙ軸方向に延びる一対のアーム８８に沿って、各遮光板３０が所定の可動範囲（図２５の破線矢印参照）内で独立に往復駆動される。このようなアーム８８を往復駆動するタイプの駆動機構は、上記実施形態の遮光板３０の駆動機構として用いることも可能である。 Further, the mechanism for driving the light-shielding plate 30 can be changed as appropriate. That is, as in the modified example shown in FIG. 21, two light-shielding plates 30 may be provided for one opening K (field diaphragm 20 (see FIG. 3)). The drive mechanism 80A for independently driving the two light-shielding plates 30 has a pair of actuators 82A and 84B as in the above embodiment, and the nuts 82c and 84c of the pair of actuators 82A and 84A, respectively. The light-shielding plate 30 is fixed. In the above embodiment, the angle is changed by rotationally driving one light-shielding plate 30, but in this modification, the ends of each of the two light-shielding plates 30 form an opening K in the Y-axis direction. The mounting angle is preset so as to be parallel to the pair of separated edges, and one of the pair of ends of the field diaphragm 20 and one of the four ends of the two shading plates 30 in total. By combining them, the first to fourth modes can be realized as in the above embodiment. Note that FIG. 21 is a schematic view, and FIG. 25 shows details of this modification. In the drive mechanism shown in FIG. 25, each light-shielding plate 30 is independently reciprocated within a predetermined movable range (see the broken line arrow in FIG. 25) along a pair of arms 88 extending in the Y-axis direction. Such a type of drive mechanism that reciprocates the arm 88 can also be used as a drive mechanism for the light-shielding plate 30 of the above-described embodiment.

また、図２２に示される変形例の駆動機構８０Ｂのように、アクチュエータ８４Ｂのナット８４ｃが遮光板３０を回転駆動するための回転モータ８４ｄを有していても良い。回転モータ８４ｄは、遮光板３０を回転駆動し、ナット８４ｃに固定された一対のストッパ８４ｅに当接させることによって、遮光板３０の位置決めを行う。本変形例では、上記実施形態の駆動機構８０（図４（ａ）など参照）がリニアアクチュエータを一対有していたのに対し、リニアアクチュエータが１つのみで良く、構成が簡単である。 Further, as in the drive mechanism 80B of the modified example shown in FIG. 22, the nut 84c of the actuator 84B may have a rotary motor 84d for rotationally driving the light-shielding plate 30. The rotary motor 84d rotates the light-shielding plate 30 and brings it into contact with the pair of stoppers 84e fixed to the nut 84c to position the light-shielding plate 30. In this modification, the drive mechanism 80 (see FIG. 4A and the like) of the above embodiment has a pair of linear actuators, whereas only one linear actuator is required and the configuration is simple.

また、図２３（ａ）に示される変形例の駆動機構８０Ｃのように、遮光板３０がアクチュエータ８４Ｃのナット８４ｃに対して軸８４ｆを介して回転自在に支持されていても良い。駆動機構８０Ｃは、開口Ｋに対する位置が固定の一対のピン８４ｈを有しており、該一対のピン８４ｈの一方に遮光板３０を当接させた状態でナット８４ｃをＹ軸方向に移動させることによって、遮光板３０を回転させる（図２３（ｂ）参照）。また、ナット８４ｃは、遮光板３０を一対のストッパ８４ｅのいずれかに押圧する板ばね８４ｇを有しており、遮光板３０は、常に一対のストッパ８４ｅのいずれかに当接した状態が保たれる。本変形例では、遮光板３０を回転駆動するアクチュエータが不要であり、駆動機構８０Ｃの構成が簡単である。 Further, as in the drive mechanism 80C of the modified example shown in FIG. 23A, the light-shielding plate 30 may be rotatably supported by the nut 84c of the actuator 84C via the shaft 84f. The drive mechanism 80C has a pair of pins 84h whose positions are fixed with respect to the opening K, and the nut 84c is moved in the Y-axis direction with the light-shielding plate 30 in contact with one of the pair of pins 84h. (See FIG. 23 (b)). Further, the nut 84c has a leaf spring 84g that presses the light-shielding plate 30 against any of the pair of stoppers 84e, and the light-shielding plate 30 is always kept in contact with any of the pair of stoppers 84e. Is done. In this modification, an actuator for rotationally driving the light-shielding plate 30 is unnecessary, and the configuration of the drive mechanism 80C is simple.

また、上記実施形態の遮光板３０は、平面視矩形（長方形）に形成され、回転によって角度が変更されたが、遮光板の形状は、これに限定されない。すなわち、図２４（ａ）に示される変形例の遮光板１３０のように、＋Ｘ側に開口する平面視Ｕ字状（逆Ｃ字状）に形成されていても良い。遮光板１３０は、Ｙ軸方向に延びる板状部材から成り、＋Ｙ側の端部が視野絞り２０（図３参照）の開口Ｋを形成する端部のうち、＋Ｙ側の端部と平行に形成されている。また、遮光板１３０は、－Ｙ側の端部が視野絞り２０の開口Ｋを形成する端部のうち、－Ｙ側の端部と平行に形成されている。また、遮光板１３０の＋Ｘ側に開口した切り欠き１３２を形成するＹ軸方向に離間した一対の端部のうち、＋Ｙ側の端部は、視野絞り２０の開口Ｋを形成する端部のうち、＋Ｙ側の端部と平行（すなわち遮光板１３０の＋Ｙ側の端部と平行）に形成されている。また、切り欠き１３２を形成するＹ軸方向に離間した一対の端部のうち、－Ｙ側の端部は、視野絞り２０の開口Ｋを形成する端部のうち、－Ｙ側の端部と平行（すなわち遮光板１３０の－Ｙ側の端部と平行）に形成されている。 Further, the light-shielding plate 30 of the above-described embodiment is formed into a rectangular shape in a plan view, and the angle is changed by rotation, but the shape of the light-shielding plate is not limited to this. That is, it may be formed in a U-shape (inverted C-shape) in a plan view that opens on the + X side, as in the light-shielding plate 130 of the modified example shown in FIG. 24 (a). The light-shielding plate 130 is composed of a plate-shaped member extending in the Y-axis direction, and the end on the + Y side is formed parallel to the end on the + Y side of the ends forming the opening K of the field diaphragm 20 (see FIG. 3). Has been done. Further, the light-shielding plate 130 is formed in parallel with the end portion on the −Y side of the end portions on the −Y side forming the opening K of the field diaphragm 20. Further, of the pair of ends separated in the Y-axis direction forming the notch 132 opened on the + X side of the light-shielding plate 130, the end on the + Y side is among the ends forming the opening K of the field diaphragm 20. , Is formed parallel to the + Y side end (that is, parallel to the + Y side end of the light shielding plate 130). Further, of the pair of ends separated in the Y-axis direction forming the notch 132, the end on the −Y side is the end on the −Y side of the ends forming the opening K of the field diaphragm 20. It is formed in parallel (that is, parallel to the −Y side end of the shading plate 130).

図２４（ａ）に示される変形例に係る遮光板１３０は、アクチュエータ８６によってＹ軸方向に駆動される。これによって、図２４（ｂ）～図２４（ｅ）に示されるように、上記実施形態と同様に、第１～第４のモードを実現できる。なお、上記実施形態と同様に、開口Ｋのうち、露光光の光路を形成しない部分は、可動のブラインド装置６０によって遮光される。本変形例によれば、１つのアクチュエータ８６によって遮光板１３０を直進駆動するだけで第１～第４モードを実現できるので、構成が簡単である。 The light-shielding plate 130 according to the modified example shown in FIG. 24A is driven by the actuator 86 in the Y-axis direction. Thereby, as shown in FIGS. 24 (b) to 24 (e), the first to fourth modes can be realized as in the above embodiment. As in the above embodiment, the portion of the opening K that does not form the optical path of the exposure light is shielded by the movable blind device 60. According to this modification, the first to fourth modes can be realized only by driving the light-shielding plate 130 in a straight line by one actuator 86, so that the configuration is simple.

また、上記実施形態では、視野絞り２０と、板状部材から成る遮光板３０との協働によって露光光の光路（開口Ｋ）が形成されたが、視野絞り２０と協働して露光光の光路を形成する部材は、これに限られない。すなわち、図２６に示されるように、光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂを用いて開口Ｋの一部を遮光しても良い。光学フィルタ２３０ａは、光の透過率が＋Ｙ側の端部から－Ｙ側に向けて低くなるように設定されている。光学フィルタ２３０ｂは、光学フィルタ２３０ａに対して紙面左右対称に構成されている。光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂは、それぞれ独立にＹ軸方向の駆動可能になっており、露光光の遮光範囲、及び露光光の光路の位置を任意に設定できるようになっている。本変形例によっても、上記実施形態と同様の繋ぎ露光を行うことができる。なお、光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂにおける遮光部（フィルタ部）を形成する微小なドットが基板Ｐ上に転写されないように、光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂは、マスクＭ及び基板Ｐに対する共役面から光軸方向に幾分ずれた位置に配置すると良い。 Further, in the above embodiment, the optical path (opening K) of the exposure light is formed by the cooperation between the field diaphragm 20 and the light-shielding plate 30 made of a plate-shaped member, but the exposure light is formed in cooperation with the field diaphragm 20. The members forming the optical path are not limited to this. That is, as shown in FIG. 26, a part of the opening K may be shielded from light by using optical filters 230a and 230b. The optical filter 230a is set so that the light transmittance decreases from the end on the + Y side toward the −Y side. The optical filter 230b is configured symmetrically on the paper surface with respect to the optical filter 230a. The optical filters 230a and 230b can be independently driven in the Y-axis direction, and the light-shielding range of the exposure light and the position of the optical path of the exposure light can be arbitrarily set. Also in this modification, the same joint exposure as in the above embodiment can be performed. The optical filters 230a and 230b are arranged in the optical axis direction from the surface conjugated to the mask M and the substrate P so that the minute dots forming the light-shielding portion (filter portion) of the optical filters 230a and 230b are not transferred onto the substrate P. It is better to place it in a slightly offset position.

また、上記実施形態（及びその変形例）では、遮光板３０を駆動する駆動機構として送りネジ装置を用いる場合を説明したが、駆動機構の構成は、これに限定されない。すなわち、遮光板３０を駆動するためのアクチュエータとして、公知のシャフトモータなどを用いても良い。シャフトモータは、ひとつの固定子に対して複数の可動子を独立に駆動することができるので、図２１に示される変形例のように、一対の遮光板３０を独立に位置制御するタイプに好適である。また、アクチュエータとしては、リニアモータのような電磁モータ、あるいは超音波モータ、エアシリンダのような機械アクチュエータを用いても良い。 Further, in the above embodiment (and its modification), the case where the feed screw device is used as the drive mechanism for driving the light-shielding plate 30 has been described, but the configuration of the drive mechanism is not limited to this. That is, a known shaft motor or the like may be used as an actuator for driving the light-shielding plate 30. Since the shaft motor can independently drive a plurality of movers with respect to one stator, it is suitable for a type in which a pair of light-shielding plates 30 are independently positioned and controlled as in the modification shown in FIG. Is. Further, as the actuator, an electromagnetic motor such as a linear motor, or a mechanical actuator such as an ultrasonic motor or an air cylinder may be used.

また、図２１に示される変形例では、一対の遮光板３０それぞれが独立したアクチュエータによって駆動されたが、アクチュエータの一部は共通であっても良い。すなわち、一対の遮光板３０が共通の第１ステージ（粗動ステージ）上に載置され、且つ該第１ステージ上に一対の遮光板３０それぞれの位置を独立に制御可能な第２ステージ（微動ステージ）が載置されるような構成であっても良い。 Further, in the modified example shown in FIG. 21, the pair of light-shielding plates 30 are each driven by independent actuators, but some of the actuators may be common. That is, a pair of light-shielding plates 30 are placed on a common first stage (coarse movement stage), and the positions of the pair of light-shielding plates 30 can be independently controlled on the first stage (fine movement). It may be configured so that the stage) is placed.

また、遮光板３０を駆動するためのアクチュエータは、上記実施形態では、Ｙ軸方向に沿って配置されたが、これに限られず、その他の方向（Ｘ軸方向、Ｚ軸方向など）に沿って配置されても良い。 Further, the actuator for driving the light-shielding plate 30 is arranged along the Y-axis direction in the above embodiment, but is not limited to this, and is not limited to this, and is arranged along other directions (X-axis direction, Z-axis direction, etc.). It may be arranged.

また、遮光板３０、及びその駆動機構８０は、基板Ｐ上に生成される投影領域（露光領域）を規定するために設けられたが、これに限られず、照明光学系ＩＬのブラインド装置に上記実施形態と同様の構成の遮光板、及びその駆動機構を設けても良い。 Further, the light-shielding plate 30 and the drive mechanism 80 thereof are provided to define the projection region (exposure region) generated on the substrate P, but the present invention is not limited to this, and the blind device of the illumination optical system IL is described above. A light-shielding plate having the same configuration as that of the embodiment and a drive mechanism thereof may be provided.

また、遮光板３０は、投影光学系ＰＬを構成する投影光学モジュールに設けられたが、露光光ＥＬの光路上であれば配置位置は特に限定されず、照明光学系ＩＬなどに設けても良い。 Further, although the light-shielding plate 30 is provided in the projection optical module constituting the projection optical system PL, the arrangement position is not particularly limited as long as it is on the optical path of the exposure light EL, and the light-shielding plate 30 may be provided in the illumination optical system IL or the like. ..

また、上記実施形態において、遮光板３０、及びその駆動機構８０は、露光装置ＥＸの一部を構成する装置であったが、これに限られず、遮光板３０、及び駆動機構８０（ドライバなどのソフトウェアを含む）を、遮光装置（可変視野絞り装置）として既存の露光装置に追加的に設けることも可能である。 Further, in the above embodiment, the light-shielding plate 30 and its drive mechanism 80 are devices that form a part of the exposure apparatus EX, but the present invention is not limited to this, and the light-shielding plate 30 and the drive mechanism 80 (driver, etc.) It is also possible to additionally provide an existing exposure apparatus as a light-shielding device (variable field-of-view diaphragm device) (including software).

また、上記実施形態では、遮光板３０を含む可変視野絞り装置によって、基板Ｐ上に形成される投影領域の位置及び形状を変更したが、これに限られず、マスクＭと投影光学系ＰＬとをＹ軸方向に相対移動可能に構成し、該マスクＭと投影光学系ＰＬとのＹ軸方向への相対移動によって、投影領域の位置及び形状を変更しても良い。 Further, in the above embodiment, the position and shape of the projection region formed on the substrate P are changed by the variable field aperture device including the light-shielding plate 30, but the mask M and the projection optical system PL are not limited to this. The position and shape of the projection region may be changed by the configuration so as to be relatively movable in the Y-axis direction and the relative movement of the mask M and the projection optical system PL in the Y-axis direction.

また、照明光は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光や、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ（波長：３５５ｎｍ、２６６ｎｍ）などを使用しても良い。 The illumination light may be ultraviolet light such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) or KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), or vacuum ultraviolet light such as F 2 laser light (wavelength 157 nm). Further, as the illumination light, for example, the single wavelength laser light in the infrared region or the visible region oscillated from the DFB semiconductor laser or the fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and itterbium), for example. However, a harmonic whose wavelength is converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used. Further, a solid-state laser (wavelength: 355 nm, 266 nm) or the like may be used.

また、投影光学系ＰＬが複数本の投影光学モジュールを備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学モジュールの本数はこれに限らず、１本以上あれば良い。また、投影光学系ＰＬとしては、拡大系、又は縮小系であっても良い。 Further, the case where the projection optical system PL is a multi-lens type projection optical system including a plurality of projection optical modules has been described, but the number of projection optical modules is not limited to this, and one or more may be sufficient. Further, the projection optical system PL may be an expansion system or a reduction system.

また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。 Further, the application of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for liquid crystal that transfers the liquid crystal display element pattern to the square glass plate, for example, the exposure apparatus for manufacturing an organic EL (Electro-Luminescence) panel, and semiconductor manufacturing. It can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a thin film magnetic head, a micromachine, a DNA chip, and the like. Further, in order to manufacture a mask or reticle used not only in a microdevice such as a semiconductor element but also in an optical exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, an X-ray exposure apparatus, an electron beam exposure apparatus and the like, a glass substrate or a silicon wafer or the like is used. It can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a wafer.

また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状（可撓性を有するシート状の部材）のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が５００ｍｍ以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。 Further, the object to be exposed is not limited to the glass plate, and may be another object such as a wafer, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. When the object to be exposed is a substrate for a flat panel display, the thickness of the substrate is not particularly limited, and for example, a film-like (flexible sheet-like member) is also included. The exposure apparatus of the present embodiment is particularly effective when a substrate having a side length or a diagonal length of 500 mm or more is an exposure target.

液晶表示素子（あるいは半導体素子）などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク（あるいはレチクル）を製作するステップ、ガラス基板（あるいはウエハ）を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。 For electronic devices such as liquid crystal display elements (or semiconductor elements), a step of designing the function and performance of the device, a step of manufacturing a mask (or reticle) based on this design step, and a step of manufacturing a glass substrate (or wafer). Except for the etching apparatus of each of the above-described embodiments, the lithography step of transferring the mask (reticle) pattern to the glass substrate by the exposure method, the developing step of developing the exposed glass substrate, and the portion where the resist remains. It is manufactured through an etching step of removing exposed members by etching, a resist removing step of removing a resist that is no longer needed after etching, a device assembly step, an inspection step, and the like. In this case, in the lithography step, the above-mentioned exposure method is executed using the exposure apparatus of the above embodiment, and the device pattern is formed on the glass substrate, so that a device having a high degree of integration can be manufactured with high productivity. ..

なお、これまでの記載で引用した露光装置などに関する全ての公報（国際公開を含む）の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。 It should be noted that the disclosure of all publications (including international publications) relating to the exposure apparatus and the like cited in the description so far is incorporated as a part of the description in this specification.

以上説明したように、本発明の露光装置は、マスクのパターンを基板に露光するのに適している。 As described above, the exposure apparatus of the present invention is suitable for exposing a mask pattern to a substrate.

２０…視野絞り、３０…遮光板、５０…投影領域、８０…駆動機構、ＣＯＮＴ…制御装置、ＥＸ…露光装置、Ｋ…開口、Ｐ…基板、ＰＬａ～ＰＬｇ…投影光学モジュール。
20 ... Field diaphragm, 30 ... Shading plate, 50 ... Projection area, 80 ... Drive mechanism, CONT ... Control device, EX ... Exposure device, K ... Aperture, P ... Substrate, PLa to PLg ... Projection optical module.

Claims (1)

所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して、前記物体を第１方向に相対移動させて露光する露光装置であって、
前記投影光学系に設けられ、前記物体上の投影領域の形状を設定する開口を備える視野絞りと、
前記視野絞りとは独立して前記投影光学系に設けられ、前記開口に重なることで前記投影領域の形状を変更する遮光部と、
前記遮光部を前記第１方向と交差する第２方向に駆動する駆動部と、を備え、
前記駆動部は、前記第１及び第２方向と交差する方向であって、前記視野絞りを通過する第３方向を回転軸として前記遮光部を回転させる、露光装置。
An exposure apparatus that exposes an object by moving it relative to the projection optical system that projects a predetermined pattern in the first direction.
A field diaphragm provided in the projection optical system and provided with an aperture for setting the shape of a projection region on the object.
A light-shielding portion provided in the projection optical system independently of the field diaphragm and changing the shape of the projection region by overlapping the aperture.
A drive unit for driving the light-shielding unit in a second direction intersecting the first direction is provided.
The drive unit is an exposure device that rotates the light-shielding unit in a direction intersecting the first and second directions and with a third direction passing through the field diaphragm as a rotation axis.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08330220A (en) * 1995-06-02 1996-12-13 Nikon Corp Scanning exposure device
JP2003151880A (en) * 2001-11-12 2003-05-23 Nikon Corp Projection aligner, exposure method, and device- manufacturing method
JP2004335864A (en) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp Aligner and exposure method
JP2009020441A (en) * 2007-07-13 2009-01-29 Nsk Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP2009163133A (en) * 2008-01-09 2009-07-23 Nikon Corp Exposure method and device
JP2014192255A (en) * 2013-03-26 2014-10-06 Canon Inc Exposure device and manufacturing method for article

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044099A (en) * 1999-07-26 2001-02-16 Nikon Corp Aligner and exposure method
JP2001201867A (en) * 2000-01-21 2001-07-27 Nikon Corp Exposure method, aligner and device manufacturing method
JP4858439B2 (en) * 2005-01-25 2012-01-18 株式会社ニコン Exposure apparatus, exposure method, and microdevice manufacturing method
WO2007055199A1 (en) * 2005-11-09 2007-05-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and method for manufacturing device
TW200722935A (en) * 2005-12-06 2007-06-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device manufacturing method
KR20090128397A (en) * 2007-03-08 2009-12-15 가부시키가이샤 니콘 Position measuring module, position measuring apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
WO2009128488A1 (en) * 2008-04-17 2009-10-22 株式会社ニコン Illumination device, exposure device, and device manufacturing method
JP5392549B2 (en) * 2009-05-12 2014-01-22 株式会社ニコン Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP2011248125A (en) * 2010-05-27 2011-12-08 Nikon Corp Exposure method, exposure device, mask and device manufacturing method
JP5836848B2 (en) * 2012-03-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 Auxiliary exposure equipment
JP2013238670A (en) * 2012-05-11 2013-11-28 Canon Inc Exposure apparatus, exposure method, method for manufacturing device, and aperture plate
JP6380728B2 (en) * 2013-11-25 2018-08-29 株式会社ニコン Projection scanning exposure method and device manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08330220A (en) * 1995-06-02 1996-12-13 Nikon Corp Scanning exposure device
JP2003151880A (en) * 2001-11-12 2003-05-23 Nikon Corp Projection aligner, exposure method, and device- manufacturing method
JP2004335864A (en) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp Aligner and exposure method
JP2009020441A (en) * 2007-07-13 2009-01-29 Nsk Ltd Exposure apparatus and exposure method
JP2009163133A (en) * 2008-01-09 2009-07-23 Nikon Corp Exposure method and device
JP2014192255A (en) * 2013-03-26 2014-10-06 Canon Inc Exposure device and manufacturing method for article

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