JP2022098257A - リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)基板のエッジ部の表面粗さについて、前記エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板。
(2)前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、(1)に記載のリン化インジウム基板。
(3)前記基板のエッジ部は、
一方の表面から傾斜した面、及び、
前記一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有し、
前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板。
(4)リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、リン化インジウム基板の製造方法。
(5)前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、(4)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(6)(1)~(3)のいずれかに記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
以下、本実施形態のリン化インジウム基板の構成について説明する。
本実施形態のリン化インジウム(InP)基板は、基板表面、基板裏面、及び、エッジ部を備える。エッジ部は、結晶の方位を示すオリエンテーションフラット(OF)、及び、基板の主面と裏面とを見分けるためのインデックスフラット(IF)を有していてもよい。
次に、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板の製造方法について説明する。
リン化インジウム基板の製造方法としては、まず、公知の方法にてリン化インジウムのインゴットを作製する。
次に、リン化インジウムのインゴットを研削して円筒にする。このとき、ウエハの外周部分の所定位置に、オリエンテーションフラット(OF)、及び、インデックスフラット(IF)を形成してもよい。
次に、研削したリン化インジウムのインゴットから主面及び裏面を有するウエハを切り出す。このとき、リン化インジウムのインゴットの結晶両端を所定の結晶面に沿って、ワイヤーソー等を用いて切断し、複数のウエハを所定の厚さに切り出す。
次に、ウエハの主面を鏡面研磨用の研磨材で研磨して鏡面に仕上げる。
次に、洗浄を行うことで、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板が製造される。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板の主面に対し、公知の方法で半導体薄膜をエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル結晶層を形成し、半導体エピタキシャルウエハを作製することができる。当該エピタキシャル成長の例としては、リン化インジウム基板の主面に、InAlAsバッファ層、InGaAsチャネル層、InAlAsスペーサ層、InP電子供給層をエピタキシャル成長させたHEMT構造を形成してもよい。このようなHEMT構造を有する半導体エピタキシャルウエハを作製する場合、一般には、鏡面仕上げしたリン化インジウム基板に、硫酸/過酸化水素水などのエッチング溶液によるエッチング処理を施して、基板表面に付着したケイ素(Si)等の不純物を除去する。このエッチング処理後のリン化インジウム基板の裏面をサセプターに接触させて支持した状態で、リン化インジウム基板の主面に、分子線エピタキシャル成長法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)又は有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)によりエピタキシャル膜を形成する。
まず、所定の直径で育成したリン化インジウムの単結晶のインゴットを準備した。
次に、リン化インジウムの単結晶のインゴットの外周を研削し、円筒にした。このとき、ウエハの外周部分の所定位置に、オリエンテーションフラット(OF)、及び、インデックスフラット(IF)を形成した。
比較例1として、上述の実施例1において、ラッピング工程の後、研磨フィルムによるエッジ部の研磨を実施せず、二次エッチングを実施した以外は、実施例1と同様にしてリン化インジウム基板を作製した。
リン化インジウム基板の測定対象となるエッジ部は、図2に示すように、OFの反対側に位置する領域(A-領域)と、IFの反対側に位置する領域(B-領域)とに分け、さらに、図3に示すように、(1)主面から傾斜した面を測定領域1とし、さらに、(2)測定領域1の主面から傾斜した面が終了する位置から、裏面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面となるエッジ部の円弧領域を測定領域2とした。
そして、A-領域における測定領域1を「A-領域1」とし、A-領域における測定領域2を「A-領域2」とし、B-領域における測定領域1を「B-領域1」とし、B-領域における測定領域2を「B-領域2」とした。
なお、エッジ部の曲率を除去して評価するため、カットオフフィルター(Lフィルター:カットする波長20μm)を用いて測定を実施した。
評価結果を表1に示す。
実施例1では、基板のエッジ部のA-領域1、2、及び、B-領域1、2の、各表面粗さについて、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板が得られた。基板のエッジ部表面全体において、番手#4000の研磨フィルムにて研磨したものであり、エッジ部表面全体において、測定領域1に対応する傾斜領域は、A-領域1及びB-領域1と同様の表面粗さが得られているものと考えられる。また、エッジ部表面全体において、上述の測定領域2のようなエッジ部の測定領域2に対応する比較的平坦な領域(円弧領域)は、A-領域2及びB-領域2と同様の表面粗さが得られているものと考えられる。
なお、エッジ部の領域1と領域2とで二乗平均平方根高さSqに違いが生じたのは、研磨フィルムにてエッジ部を研磨した後の、鏡面研磨などによる基板表面の研磨による影響が出ているものと考えられる。あくまで、基板のエッジ部表面全体において、番手#4000の研磨フィルムにて研磨した直後であれば、エッジ部表面全体において、どの領域を測定しても、二乗平均平方根高さSqは同様であるものと考えられる。
TOF-SIMS分析の分析条件は以下の通りである。
装置名:Physical Electronics TRIFT III
イオン源:Au+
一次イオンエネルギー:22kV
分析エリア:25μm×25μm
(1)基板のエッジ部が、前記基板の一方の表面から傾斜した面、及び、前記基板の一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、前記基板の他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面を有し、前記基板のエッジ部の表面粗さについて、前記エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板。
(2)前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、(1)に記載のリン化インジウム基板。
(3)前記基板のエッジ部は、前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板。
(4)リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、(1)~(3)のいずれかに記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(5)前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、(4)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(6)(1)~(3)のいずれかに記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
(1)基板のエッジ部が、前記基板の一方の表面から傾斜した面、及び、前記基板の一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、前記基板の他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面を有し、前記基板のエッジ部は、前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板。
(2)前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、(1)に記載のリン化インジウム基板。
(3)リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(4)前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、(3)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(5)(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
(1)基板のエッジ部が、前記基板の一方の表面から傾斜した面、及び、前記基板の一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、前記基板の他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面を有し、前記基板のエッジ部は、前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板。
(2)前記曲率をもった面における前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、(1)に記載のリン化インジウム基板。
(3)リン化インジウムのウエハのエッジ部が、
前記ウエハの一方の表面から傾斜した面、及び、
前記ウエハの一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、前記ウエハの他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有するように、前記ウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(4)前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、(3)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(5)(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
Claims (6)
- 基板のエッジ部の表面粗さについて、前記エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板。
- 前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、請求項1に記載のリン化インジウム基板。
- 前記基板のエッジ部は、
一方の表面から傾斜した面、及び、
前記一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有し、
前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、請求項1または2に記載のリン化インジウム基板。 - リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、リン化インジウム基板の製造方法。 - 前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、請求項4に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2022098256A (ja) * | 2020-12-21 | 2022-07-01 | Jx金属株式会社 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204493A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
JP2001135557A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Nikko Materials Co Ltd | 化合物半導体ウェハ |
JP2012129416A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
WO2012102313A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | 旭硝子株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP2012174935A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2013153181A (ja) * | 2009-03-04 | 2013-08-08 | Siltronic Ag | エピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 |
JP2019046859A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
JP2019219495A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク関連基板の評価方法 |
JP2022098256A (ja) * | 2020-12-21 | 2022-07-01 | Jx金属株式会社 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
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---|---|---|---|---|
JP4207976B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2009-01-14 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体基板の表面処理方法、および化合物半導体結晶の製造方法 |
JPS6117257A (ja) | 1984-07-04 | 1986-01-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録再生装置 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204493A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
JP2001135557A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Nikko Materials Co Ltd | 化合物半導体ウェハ |
JP2013153181A (ja) * | 2009-03-04 | 2013-08-08 | Siltronic Ag | エピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 |
JP2012129416A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
WO2012102313A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | 旭硝子株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP2012174935A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2019046859A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
JP2019219495A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク関連基板の評価方法 |
JP2022098256A (ja) * | 2020-12-21 | 2022-07-01 | Jx金属株式会社 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022098256A (ja) * | 2020-12-21 | 2022-07-01 | Jx金属株式会社 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
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