JP2022076456A - 電子デバイス用の熱伝導管理アーキテクチャ - Google Patents

Abstract

【課題】対流熱伝達を用いずに熱を放散させることが可能な電子アセンブリを提供する。【解決手段】電子アセンブリは、電子アセンブリの第１の側に第１のプリント配線板（ＰＷＢ）、及び第１のＰＷＢに固定された第１の補強材を含む。また、電子アセンブリは、第１の側の反対側の、電子アセンブリの第２の側に第２のＰＷＢ、第２のＰＷＢ内に固定された第２の補強材、及び第２の補強材内であって、かつ第１の補強材と第２の補強材との間に据え付けられた中央補強材も含む。中央補強材は、第１の補強材に面する第１の側、第１の側の反対側であり、第２の補強材に面する第２の側、第１の端部、及び第１の端部の反対側の第２の端部を有する。電子デバイスは、中央補強材に固定される。中央補強材は、電子デバイスから熱を放散させ、電子デバイスはパワーダイを含む。【選択図】図１Ａ

Description

例示的な実施形態は、電子デバイスの技術に関し、具体的には、電子デバイス用の熱伝導管理アーキテクチャに関する。

パワーダイ及びダイオードなどの電子デバイスは、幅広い用途で使用される。これらのデバイスを設置すると、周囲の雰囲気への暴露が容易になり、これらの発熱デバイスを冷却するために対流熱伝達を使用できる。ただし、そのような暴露、したがって結果として生じる対流熱伝達は、特定の用途に基づいて可能ではない。これらの場合、熱伝導管理を用いなければならない。

一実施形態では、電子アセンブリは、電子アセンブリの第１の側に第１のプリント配線板（ＰＷＢ）を含む。また、電子アセンブリは、第１のＰＷＢに固定された第1の補強材、第１の側の反対側の、電子アセンブリの第２の側に第２のＰＷＢ、第２のＰＷＢに固定された第２の補強材、及び第２の補強材内であって、かつ第１の補強材と第２の補強材との間に据え付けられた中央補強材も含む。中央補強材は、第１の補強材に面する第１の側、第１の側の反対側であり、第２の補強材に面する第２の側、第１の端部、及び第１の端部の反対側の第２の端部を有する。電子デバイスは、中央補強材に固定される。中央補強材は、電子デバイスから熱を放散させ、電子デバイスはパワーダイを含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、電子アセンブリは、圧縮力に基づいて第１の補強材と第２の補強材との間に中央補強材を固定するためのウェッジロック、ウェッジロックの第１のセットを支持するために中央補強材の第１の端部から延びる第１のウェッジロック取り付けレール、及びウェッジロックの第２のセットを支持するために中央補強材の第２の端部から延びる第２のウェッジロック取り付けレールも含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、中央補強材は、第１の側及び第２の側にあり、中央補強材の第１の端部により近い電子デバイスから第１のウェッジロック取り付けレールへ熱を伝達し、第１の側及び第２の側にあり、中央補強材の第２の端部により近い電子デバイスから第２のウェッジロック取り付けレールに熱を伝達する。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、第２の補強材は、中央補強材の第１の端部及び第２の端部を収容するためにウェッジ形状の長穴を含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、電子アセンブリは、中央補強材に固定されたセラミック板も含み、各セラミック板は、第１の側または第２の側に、及び中央補強材の第１の端部または第２の端部のより近くに固定される。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、中央補強材は銅であり、セラミック板は窒化ケイ素または窒化アルミニウムであって、銅の直接結合（ＤＢＣ）技術によって中央補強材に固定される。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、電子アセンブリは、セラミック板に固定された銅プレートも含む。電子デバイスは、銅板に取り付けられる。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、銅板は、DBC技術によってセラミック板に固定され、電子デバイスは、銅板にはんだ付けされる。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、電子デバイスはダイオードを含み、第１のゲート駆動ＰＷＢは中央補強材の第１の側にあり、第２のゲート駆動ＰＷＢは中央補強材の第２の側にある。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、電子アセンブリは、中央補強材の第１の側及び第２の側のホルダに保持されたバネ式電気接点も含む。バネ式電気接点は、中央補強材の第１の側の第１のＰＷＢとパワーダイとの間、及び中央補強材の第２の側の第２のＰＷＢとパワーダイとの間で電流を運ぶ。

別の実施態様では、電子アセンブリを組み立てる方法は、電子アセンブリの第１の側に第１のプリント配線板（ＰＷＢ）を固定すること、第１のＰＷＢに第１の補強材を固定すること、第１の側の反対側の、電子アセンブリの第２の側に第２のＰＷＢを固定すること、第２のＰＷＢに第２の補強材を固定すること、ならびに第２の補強材内であって、かつ第１の補強材と第２の補強材との間に中央補強材を配置することを含む。中央補強材は、第１の補強材に面する第１の側、第１の側の反対側であり、第２の補強材に面する第２の側、第１の端部、及び第１の端部の反対側の第２の端部を有する。電子デバイスは中央補強材に固定される。中央補強材は、電子デバイスから熱を放散させ、電子デバイスはパワーダイを含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、圧縮力に基づいて第１の補強材と第２の補強材との間に中央補強材を固定するようにウェッジロックを構成することも含む。ウェッジロックの第１のセットは、中央補強材の第１の端部から延びる第１のウェッジロック取り付けレールによって支持され、ウェッジロックの第２のセットは、中央補強材の第２の端部から延びる第２のウェッジロック取り付けレールによって支持される。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、第１の側及び第２の側にあり、中央補強材の第１の端部により近い電子デバイスから第１のウェッジロック取り付けレールに熱を伝達し、第１の側及び第２の側にあり、中央補強材の第２の端部により近い電子デバイスから第２のウェッジロック取り付けレールに熱を伝達するように中央補強材を構成することも含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、中央補強材の第１の端部及び第２の端部を収容するために第２の補強材にウェッジ形状の長穴を形成することも含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、中央補強材にセラミック板を固定することも含み、各セラミック板は、第１の側または第２の側に、及び中央補強材の第１の端部または第２の端部のより近くに固定される。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、銅から中央補強材を製作し、窒化ケイ素または窒化アルミニウムからセラミック板を製作し、銅の直接結合（ＤＢＣ）技術によって中央補強材にセラミック板を固定することも含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、セラミック板に銅板を固定し、銅板に電子デバイスを取り付けることも含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、セラミック板に銅板を固定することは、ＤＢＣ技術を使用することを含み、電子デバイスを取り付けることは、銅板に電子デバイスをはんだ付けすることを含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、中央補強材の第１の側に第１のゲート駆動ＰＷＢを含むこと、及び中央補強材の第２の側に第２のゲート駆動PWBを含むことも含む。

さらにまたは代わりに、本実施形態または他の実施形態では、方法は、中央補強材の第１の側及び第２の側のホルダに保持されたバネ式電気接点を含むことも含み、バネ式電気接点は、中央補強材の第１の側の第１のＰＷＢとパワーダイとの間、及び中央補強材の第２の側の第２のＰＷＢとパワーダイとの間で電流を運ぶ。

以下の説明は、決して限定的であると見なすべきではない。添付図面に関して、同様の要素には同様の番号が付されている。
１つ以上の実施形態に係る熱伝導管理アーキテクチャを含む例示的な電子アセンブリの等角図である。 １つ以上の実施形態に係る熱伝導管理アーキテクチャを含む例示的な電子アセンブリの側面図である。 １つ以上の実施形態に係る電子アセンブリの中央補強材及び外側補強材の分解組立図である。 外側補強材内の中央補強材を示す等角図である。 外側補強材内の中央補強材の上面図である。 外側補強材内の中央補強材の側面図である。 例示的な実施形態に係る電子部品を有する中央補強材の片側を示す。 図４に示されるＡ－Ａを通る断面図である。 図５Ａの一部分の拡大図である。 例示的な実施形態に従って追加されたバネ式電気接点を有する中央補強材の第１の側の等角図である。 例示的な実施形態に従って追加されたバネ式電気接点を有する中央補強材の第2の側の等角図である。 例示的な実施形態に従って追加されたバネ式電気接点を有する中央補強材の上面図である。 １つ以上の実施形態に係る例示的な電子アセンブリの断面等角図である。 図７Ａの一部分の拡大図である。

開示される装置及び方法の１つ以上の実施形態の詳細な説明が、図面を参照して、限定ではなく例示として本明細書に提示される。

上述のように、電子デバイスは、デバイスが空気流に暴露されるように設置されているならば、対流熱伝達によって放散できるであろう熱を生成する。深宇宙用途などの特定の用途では、例えば、高電力密度電子デバイス（例えば、パワーダイ及びダイオード）ならびに他の構成部品は、対流熱伝達が可能ではないようにアセンブリ内に配置される。本明細書に詳説する実施形態は、電子デバイス用の熱伝導管理アーキテクチャに関する。電子デバイスは、例示的な実施形態に係るゲート駆動電子回路を有するパワーダイ及びダイオードである。しかしながら、本明細書に詳説するアーキテクチャによって容易になる伝導性熱伝達は、熱を放散させる他の電子デバイス及びモジュールにも同様に適用可能である。これらの実施形態の例示的な用途には、深宇宙の用途、水中の用途、及び地上の用途が含まれる。

図１Ａは、１つ以上の実施形態に係る熱伝導管理アーキテクチャを含む例示的な電子アセンブリ１００の等角図である。一次プリント配線基板（ＰＷＢ）１２０ａに取り付けられた一次バックプレーンコネクタ１１０ａ、及び二次ＰＷＢ１２０ｂに取り付けられた二次バックプレーンコネクタ１１０ｂ（一般に、バックプレーンコネクタ１１０及びＰＷＢ１２０と呼ばれる）が図示されている。２つのＰＷＢ１２０の間には、外側補強材２１０、中央補強材２３０、及び追加の補強材１３０がある。中央補強材２３０は、例えば図５に関連してさらに説明するように、伝導性熱伝達を促進する。

外側補強材２１０及び追加の補強材１３０はアルミニウムの補強材であってよく、一方、中央補強材２３０は銅であってよい。ウェッジロック１４０は、電子アセンブリ１００の両端部に図示され、ウェッジロックネジ（図示せず）のための開口部１４５が示されている。これらは、電子アセンブリ１００を、例えばラックに固定する際に使用し得る。ウェッジロック１４０は、中央補強材２３０の一部として形成されたウェッジロック取り付けレール２４０によって、及び外側補強材２１０の一部として形成されたウェッジロック取り付け端縁２２０によって支持される。ウェッジロック１４０は、外側補強材２１０及び追加の補強材１３０のようにアルミニウムであってよい。説明のために、２つのＰＷＢ１２０は、対向する側にあるといわれ、一方、ウェッジロック１４０は対向する端部にあるといわれる。

図１Ｂは、１つ以上の実施形態に係る熱伝導管理アーキテクチャを含む例示的な電子アセンブリ１００の側面図である。上述のように、ウェッジロック１４０は、電子アセンブリ１００を電子ボックス内のシャシの中に設置することを容易にする。具体的には、ウェッジロックネジが各ウェッジロック１４０の開口部１４５に挿入され、トルクが加えられる。このトルクを加えた結果、ウェッジロック１４０は、（矢印で示す）軸力と垂直抗力の両方を受ける。圧縮力である垂直抗力は、ウェッジロック取り付けレール２４０及びウェッジロック取り付け端縁２２０で、中央補強材２３０及び外側補強材２１０に伝達される。この圧縮力が、電子アセンブリ１００が電子ボックスの長穴にしっかりと保持されることを確実にする。

図２は、１つ以上の実施形態に係る電子アセンブリ１００の中央補強材２３０及び外側補強材２１０の分解組立図である。中央補強材２３０は、各側にウェッジロック取り付けレール２４０を有する。トレイ２５０は、図示するように、開口部２６０の両端部に形成される。電子部品は、例えば、図４及び図５に図示するように、トレイ２５０内に配置される。外側補強材２１０のウェッジ形状の長穴２２５に収まる中央補強材２３０の傾斜した端縁２４５が示されている。各端部に２つのウェッジロック取り付け端縁２２０がある外側補強材２１０が図示されている。所与の端部では、中央補強材２３０のウェッジロック取り付けレール２４０の両端部に、２つのウェッジロック取り付け端縁２２０がある。ウェッジ形状の長穴２２５を形成する傾斜した端縁２２７が示されている。外側補強材２１０は、示すように、開口部２０５を有するフレームとして形成される。

図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃは、外側補強材２１０に据え付けられた中央補強材２３０の異なる図を示す。図３Ａは、外側補強材２１０に据え付けられた中央補強材２３０の等角図である。図３Ｂは、外側補強材２１０内の中央補強材２３０の上面図であり、図３Ｃは側面図である。中央補強材２３０の反対側は見えないが、電子部品を収容するトレイ２５０も、開口部２６０の両端部の反対側にある。中央補強材２３０の反対側のこれらのトレイ２５０は、外側補強材２１０の開口部２０５のために大部分は露出しているが、各トレイ２５０には外側補強材２１０のフレームが交差している。

図３Ｂが明らかにするように、中央補強材２３０の両端部のウェッジロック取り付けレール２４０は、外側補強材２１０の一部として形成された２つのウェッジロック取り付け端縁２２０の間に収まる。図３Ｃが図示するように、中央補強材２３０の傾斜した端縁２４５は、外側補強材２１０の傾斜した端縁２２７と合う。中央補強材２３０は、外側補強材２１０に固着または取り付けされていない。代わりに、上述のように、中央補強材２３０及び外側補強材２１０は、ウェッジロック１４０に基づいて、完全な電子アセンブリ１００内にしっかりと保持される。したがって、中央補強材２３０に取り付けられた構成部品には容易にアクセスできる。説明のために、中央補強材２３０の外側補強材２１０内での据え付けを図示しているが、図の残りに示すように、中央補強材２３０は、実際には、構成部品が中央補強材２３０に取り付けられた後に外側補強材２１０に据え付けられる。

図４は、例示的な実施形態に係る電子部品を有する中央補強材２３０の片側を示す。ゲート駆動PWB４１０は、銅板４３０に固着（例えば、はんだ付け）されたパワーダイ４２０及びダイオード４４０とともに図示されている。ゲート駆動PWB４１０は、例えば、超小型回路及び変圧器を含み得る。ゲート駆動ＰＷＢ４１０は、低インピーダンス駆動信号をパワーダイ４２０に提供し得、信号の調整にも使用され得る。中央補強材２３０の反対側は見えないが、電子部品は、図５により明確に図示するように両側に取り付けられている。

図５Ａは、図４に示すＡ－Ａを通る断面図である。図５Ｂでは、一端での断面図の一部分が拡大されている。示すように、断面Ａ－Ａは、開口部２６０の間ではなく開口部２６０を通っている。断面図は、片側のゲート駆動ＰＷＢ４１０ａ、及び反対側のゲート駆動PWB４１０ｂ（一般に、ゲート駆動PWB４１０と呼ばれる）を図示している。また、断面図は、パワーダイ４２０及びダイオード４４０が、セラミック板４５０によって中央補強材２３０から分離された銅板４３０に取り付けられていることも図示する。セラミック板４５０は、例えば窒化ケイ素または窒化アルミニウムであってよい。ボンドワイヤ４６０は、パワーダイ４２０及びダイオード４４０からＰＷＢ４１０まで延びる。パワーダイ４２０、ダイオード４４０、及びボンドワイヤ４６０は、中央補強材２３０の両側の両端部にあるトレイ２５０内に配置される。

図５Ｂの拡大図は、中央補強材２３０の両側から中央補強材２３０を通って、パワーダイ４２０及びダイオード４４０から発生する伝導性熱伝達を示している。矢印が示すように、熱は最終的には、ヒートシンクの機能を果たすウェッジロック取り付けレール２４０に伝達される。この熱伝達の効率は、関与する材料の高い熱伝導率及び関与する境界面の低い境界面熱抵抗の恩恵を受ける。セラミック板４５０（例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム）及び中央補強材２３０（例えば、銅）に選択された材料の熱伝導率は、使用できるであろう他の材料と比較して高い。さらに、中央補強材２３０から熱源（つまり、パワーダイ４２０及びダイオード４４０）を分離する銅板４３０及びセラミック板４５０は、電子アセンブリ１００の温度要件によって示される厚さで製作される。

熱源と中央補強材２３０との間の境界面は、熱源（つまり、パワーダイ４２０及びダイオード４４０）と銅板４３０との間の第１の境界面、銅板４３０とセラミック板４５０との間の第２の境界面、及びセラミック板４５０と中央補強材２３０との間の第３の境界面を含む。熱源は、銅板４３０にはんだ付けされているため、（これらの熱源と銅板４３０との間の）第１の境界面の境界面熱抵抗は減少する。銅板４３０は、銅の直接結合（ＤＢＣ）技術を使用してセラミック板４５０に結合され得る。これにより、第２の境界面での境界面熱抵抗が減少する。セラミック板４５０も、ＤＢＣ技術を使用して中央補強材２３０に結合され得る。したがって、第３の境界面の境界面熱抵抗も減少する。

材料を選択し、材料間で結合技術を使用して熱伝導率を高め、境界面熱抵抗を減少させることによって、熱源からの熱放散が増加する。結果として、熱源である電子デバイスの接合温度は、事前に定められた最大値以下に維持される。中央補強材２３０に基づいたこの熱放散能力は、高出力デバイス（つまり、パワーダイ４２０及びダイオード４４０）の使用を容易にする。中央補強材２３０の一端が拡大されているが、ウェッジロック取り付けレール２４０への熱伝達は中央補強材２３０の両端部で発生することが明らかであるべきである。

図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃは、例示的な実施形態に従って、図４、図５Ａ、及び図５Ｂに図示するアセンブリにバネ式電気接点６２０を追加した結果の異なる図である。図６Ａ及び図６Ｂは対向する側の等角図であり、図６Ｃは上面図である。図６Ａ及び図６Ｂの傾斜した端縁２４５は、対向する側が各図によって図示されていることを示す。バネ式電気接点６２０は、ホルダ６１０内に保持される。２つのバネ式電気接点６２０は、各側の各端部にある各トレイ２５０の上側に図示される。すなわち、例示的な場合、合計８つのホルダ６１０が使用される。ホルダ６１０は、高性能絶縁体材料から作られる。バネ式電気接点６２０は、一次ＰＷＢ及び二次ＰＷＢ１２０と、対応する側のパワーダイ４２０のドレイン端子及びソース端子との間で電流を運ぶ。

図６Ｃは、各ホルダ６１０が基本的に、銅板４３０に取り付けたパワーダイ４２０及びダイオード４４０のセットをフレームに入れ、パワーダイ４２０のセットを供給するバネ式電子接点６２０を保持することを明確にする。各セットと関連する銅板４３０の真下のセラミック板４５０は、セットの間に見える。パワーダイ４２０及びダイオード４４０の数、ならびにホルダ６１０及びバネ式電気接点６２０の数は、例示的な図によって制限されない。電子アセンブリ１００は、所与の設計が必要とするデバイスの数に従って調整及びサイズ設定され得る。

図７Ａは、１つ以上の実施形態に係る例示的な電子アセンブリ１００の断面等角図である。一端の拡大図は図７Ｂに図示される。断面図は、中央補強材２３０を通って端から端までである。したがって、各端部の２つのウェッジロック取り付け端縁２２０の一方、及び各端部の傾斜した端縁２４５の一方は見えない。断面図は、中央補強材２３０の片側の外側補強材２１０を図示する。上述のように、構成部品（例えば、セラミック板４５０、銅板４３０、パワーダイ４２０、ダイオード４４０、ボンドワイヤ４６０、ホルダ６１０、バネ式電気接点６２０）は、中央補強材２３０の両側に取り付けられ、次に中央補強材２３０は外側補強材２１０内に据え付けられる。追加の補強材１３０が次に追加され、ＰＷＢ１２０及びバックプレーンコネクタ１１０が続いて追加される。

外側補強材２１０は、ＰＷＢ１２０（例えば、図１Ａ及び図１Ｂの図に係る二次ＰＷＢ１２０ｂ）の一方に固定され、追加の補強材は、他方のＰＷＢ１２０（例えば、図１Ａ及び図１Ｂの図に係る一次ＰＷＢ１２０ａ）に固定される。中央補強材２３０は、両側に取り付けられた電子部品から両端部のウェッジロック取り付けレール２４０への熱伝達を促進する。図７Ａ及び図７Ｂが図示するように、中央補強材２３０は、外側補強材２１０と追加の補強材１３０との間にある。

本明細書で使用される専門用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的とし、本開示を限定する意図はない。本明細書で使用されるように、単数形の「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が別段に明確に示さない限り、同様に複数形も含むことが意図される。さらに、用語「備える／含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び／または「備えている／含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、本明細書で使用されるとき、述べられる特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び／または構成要素の存在を特定するが、１つ以上の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、及び／またはそれらのグループの存在もしくは追加を除外しないことを理解されたい。

本開示は例示的な実施形態または複数の実施形態を参照して説明されているが、本開示の範囲から逸脱することなく、様々な変更がなされ得、均等物がその要素の代わりに置き換えられ得ることが、当業者によって理解される。さらに、特定の状況または材料を本開示の教示に適応させるために、本開示の本質的範囲から逸脱することなく、多くの修正がなされ得る。したがって、本開示は、本開示を実行するために想到される最適の形態として開示される特定の実施形態に限定されるのではなく、本開示は、「特許請求の範囲」に入る全ての実施形態を含むことが意図される。

Claims (20)

1. 電子アセンブリであって、
   前記電子アセンブリの第１の側に第１のプリント配線板（ＰＷＢ）と、
   前記第１のＰＷＢに固定された第1の補強材と、
   前記第１の側の反対側の、前記電子アセンブリの第２の側の第２のＰＷＢと、
   前記第２のＰＷＢに固定された第２の補強材と、
   前記第２の補強材内であって、かつ前記第１の補強材と前記第２の補強材との間に据え付けられた中央補強材であって、前記中央補強材が、前記第１の補強材に面する第１の側、前記第１の側の反対側であり、前記第２の補強材に面する第２の側、第１の端部、及び前記第１の端部の反対側の第２の端部を有する、前記中央補強材と、
   前記中央補強材に固定された電子デバイスであって、前記中央補強材が、前記電子デバイスから熱を放散させ、前記電子デバイスがパワーダイを含む、前記電子デバイスとを備える、電子アセンブリ。
2. 圧縮力に基づいて前記第１の補強材と前記第２の補強材との間に前記中央補強材を固定するように構成されたウェッジロックと、前記ウェッジロックの第１のセットを支持するように構成された前記中央補強材の前記第１の端部から延びる第１のウェッジロック取り付けレールと、前記ウェッジロックの第２のセットを支持するように構成された前記中央補強材の前記第２の端部から延びる第２のウェッジロック取り付けレールとをさらに備える、請求項１に記載の電子アセンブリ。
3. 前記中央補強材が、前記第１の側及び前記第２の側にあり、前記中央補強材の前記第１の端部により近い前記電子デバイスから前記第１のウェッジロック取り付けレールに熱を伝達するように構成され、前記第１の側及び前記第２の側にあり、前記中央補強材の前記第２の端部により近い前記電子デバイスから前記第２のウェッジロック取り付けレールに熱を伝達するように構成される、請求項２に記載の電子アセンブリ。
4. 前記第２の補強材が、前記中央補強材の前記第１の端部及び前記第２の端部を収容するように構成されたウェッジ形状の長穴を含む、請求項１に記載の電子アセンブリ。
5. 前記中央補強材に固定されたセラミック板をさらに備え、各セラミック板が、前記第１の側または前記第２の側に、及び前記中央補強材の前記第１の端部または前記第２の端部のより近くに固定される、請求項１に記載の電子アセンブリ。
6. 前記中央補強材が銅であり、前記セラミック板が窒化ケイ素または窒化アルミニウムであって、銅の直接結合（ＤＢＣ）技術によって前記中央補強材に固定される、請求項５に記載の電子アセンブリ。
7. 前記セラミック板に固定された銅板をさらに備え、前記電子デバイスが前記銅プレートに取り付けられる、請求項６に記載の電子アセンブリ。
8. 前記銅板が、前記ＤＢＣ技術によって前記セラミック板に固定され、前記電子デバイスが前記銅板にはんだ付けされる、請求項７に記載の電子アセンブリ。
9. 前記電子デバイスがダイオードを含み、第１のゲート駆動ＰＷＢが前記中央補強材の前記第１の側にあり、第２のゲート駆動ＰＷＢが前記中央補強材の前記第２の側にある、請求項１に記載の電子アセンブリ。
10. 前記中央補強材の前記第１の側及び前記第２の側のホルダ内に保持されたバネ式電気接点をさらに備え、前記バネ式電気接点が、前記中央補強材の前記第１の側の前記第１のＰＷＢと前記パワーダイとの間、及び前記中央補強材の前記第２の側の前記第２のＰＷＢと前記パワーダイとの間で電流を運ぶ、請求項９に記載の電子アセンブリ。
11. 電子アセンブリを組み立てる方法であって、
    前記電子アセンブリの第１の側に第１のプリント配線板（ＰＷＢ）を固定することと、
    前記第１のＰＷＢに第１の補強材を固定することと、
    前記第１の側の反対側の、前記電子アセンブリの第２の側に第２のＰＷＢを固定することと、
    前記第２のＰＷＢに第２の補強材を固定することと、
    前記第２の補強材内であって、かつ前記第１の補強材と前記第２の補強材との間に中央補強材を配置することであって、前記中央補強材が、前記第１の補強材に面する第１の側、前記第１の側の反対側であり、前記第２の補強材に面する第２の側、第１の端部、及び前記第１の端部の反対側の第２の端部を有する、前記配置することと、
    前記中央補強材に電子デバイスを固定することであって、前記中央補強材が、前記電子デバイスから熱を放散させ、前記電子デバイスがパワーダイを含む、前記固定することとを含む、方法。
12. 圧縮力に基づいて前記第１の補強材と前記第２の補強材との間に前記中央補強材を固定するようにウェッジロックを構成することをさらに含み、前記ウェッジロックの第１のセットが、前記中央補強材の前記第１の端部から延びる第１のウェッジロック取り付けレールによって支持され、前記ウェッジロックの第２のセットが、前記中央補強材の前記第２の端部から延びる第２のウェッジロック取り付けレールによって支持される、請求項１１に記載の方法。
13. 前記第１の側及び前記第２の側にあり、前記中央補強材の前記第１の端部により近い前記電子デバイスから前記第１のウェッジロック取り付けレールに熱を伝達し、前記第１の側及び前記第２の側の上にあり、前記中央補強材の前記第２の端部により近い前記電子デバイスから前記第２のウェッジロック取り付けレールに熱を伝達するように、前記中央補強材を構成することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記中央補強材の前記第１の端部及び前記第２の端部を収容するために前記第２の補強材にウェッジ形状の長穴を形成することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
15. 前記中央補強材にセラミック板を固定することをさらに含み、各セラミック板が、前記第１の側または前記第２の側に、及び前記中央補強材の前記第１の端部または前記第２の端部のより近くに固定される、請求項１１に記載の方法。
16. 銅から前記中央補強材を製作し、窒化ケイ素または窒化アルミニウムから前記セラミック板を製作し、銅の直接結合（ＤＢＣ）技術によって前記中央補強材に前記セラミック板を固定することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
17. 前記セラミック板に銅板を固定し、前記銅板に前記電子デバイスを取り付けることをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
18. 前記セラミック板に前記銅板を前記固定することが、前記ＤＢＣ技術を使用することを含み、前記電子デバイスを取り付けることが、前記銅板に前記電子デバイスをはんだ付けすることを含む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記中央補強材の前記第１の側に第１のゲート駆動ＰＷＢを含み、前記中央補強材の前記第２の側に第２のゲート駆動ＰＷＢを含むことをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
20. 前記中央補強材の前記第１の側及び前記第２の側のホルダ内に保持されたバネ式電気接点を含むことをさらに含み、前記バネ式電気接点が、前記中央補強材の前記第１の側の前記第１のＰＷＢと前記パワーダイとの間、及び前記中央補強材の前記第２の側の前記第２のＰＷＢと前記パワーダイとの間で電流を運ぶ、請求項１９に記載の方法。

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