JP2022073539A - Substrate processing device - Google Patents

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Abstract

To provide a technique of reducing processing variation between chambers.SOLUTION: A substrate processing device 100 includes a plurality of chambers 21, a plurality of individual exhaust pipes 41, a common exhaust pipe 42, an exhaust pump 44, a plurality of conductance adjustment units 44, a storage medium, and a control unit 80. The conductance adjustment units 44 are interposed between the individual exhaust pipes 41. The conductance adjustment unit 44 includes an internal space continuing to the flow channel of the individual exhaust pipe 41, and adjusts the volume of the internal space. The storage medium stores the conductance data expressing the conductance between each of the chambers 21 and the exhaust pump 43 for each of the entire processing states expressing the combinations of the processing states of the chambers 21 that are acquired in advance. The control unit 80 specifies the entire processing state on the basis of a processing recipe, and controls the conductance adjustment unit 44 so as to reduce the difference in conductance on the basis of the specified entire processing state and the conductance data.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本願は、基板処理装置に関する。 The present application relates to a substrate processing apparatus.

従来から、複数の処理部において真空でドライ処理を行う基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、複数の処理部を共通の排気機構で一括して圧力制御することにより、各処理部の圧力を一括的に制御する。 Conventionally, a substrate processing apparatus that performs dry processing in a vacuum in a plurality of processing units has been proposed (for example, Patent Document 1). In Patent Document 1, the pressure of each processing unit is collectively controlled by collectively controlling the pressure of a plurality of processing units by a common exhaust mechanism.

また特許文献２には、複数の処理部で減圧乾燥を行う基板処理装置が開示されている。特許文献２でも、複数の処理部を共通の排気機構で圧力制御することにより、各処理部の圧力を一括的に制御する。 Further, Patent Document 2 discloses a substrate processing apparatus that performs vacuum drying in a plurality of processing units. Also in Patent Document 2, the pressure of each processing unit is collectively controlled by controlling the pressure of a plurality of processing units with a common exhaust mechanism.

特開２０１８－５６４４２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-56442 特開２０１６－１６１１４６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-161146

しかしながら、複数の処理ユニットのチャンバ内の圧力を共通の排気ポンプで調整する場合、排気ポンプと各チャンバとの間の配管のコンダクタンスの差に起因して、チャンバ内の圧力がばらつく可能性があった。チャンバ内の圧力のばらつきが大きくなると、チャンバ間の処理ばらつきが大きくなる。 However, when the pressure in the chambers of multiple processing units is adjusted by a common exhaust pump, the pressure in the chambers may vary due to the difference in the conductance of the piping between the exhaust pump and each chamber. rice field. As the pressure variation in the chamber increases, the processing variation between the chambers increases.

そこで、本願は、チャンバ間の処理ばらつきを低減できる技術を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present application is to provide a technique capable of reducing processing variations between chambers.

基板処理装置の第１の態様は、基板に対してドライ処理を行う基板処理装置であって、前記基板に対してドライ処理を行う処理空間を形成する複数のチャンバと、前記複数のチャンバにそれぞれ接続された複数の個別排出管と、前記複数の個別排出管に接続された共通排出管と、前記共通排出管に介装された排気ポンプと、前記複数の個別排出管にそれぞれ介装され、前記複数の個別排出管の流路に繋がる内部空間を有し、前記内部空間の体積を調整する複数のコンダクタンス調整部と、予め取得された、前記複数のチャンバの処理状態の組み合わせを示す全体処理状態ごとに、前記複数のチャンバの各々と前記排気ポンプとの間のコンダクタンスを示すコンダクタンスデータを記憶する記憶媒体と、前記基板に対する処理手順を規定した処理レシピに基づいて、前記複数のチャンバの前記全体処理状態を特定し、特定された前記全体処理状態と、前記コンダクタンスデータとに基づいて、前記コンダクタンスの差が低減するように、前記コンダクタンス調整部を制御する制御部とを備える。 The first aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus that performs dry processing on a substrate, and the plurality of chambers forming a processing space for performing dry processing on the substrate and the plurality of chambers, respectively. A plurality of connected individual discharge pipes, a common discharge pipe connected to the plurality of individual discharge pipes, an exhaust pump interposed in the common discharge pipe, and each of the plurality of individual discharge pipes are interposed. An overall process showing a combination of a plurality of conductance adjusting units having an internal space connected to the flow paths of the plurality of individual discharge pipes and adjusting the volume of the internal space, and a pre-acquired combination of the processing states of the plurality of chambers. Based on a storage medium that stores conductance data indicating conductance between each of the plurality of chambers and the exhaust pump for each state, and a processing recipe that defines a processing procedure for the substrate, the plurality of chambers said. It is provided with a control unit that specifies the overall processing state and controls the conductance adjusting unit so that the difference in conductance is reduced based on the specified overall processing state and the conductance data.

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記処理状態は、前記基板に対するドライ処理を実行する実行状態と、前記基板が搬入されていない待機状態とを含む。 The second aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, and the processing state includes an execution state in which dry processing is executed on the substrate and a standby state in which the substrate is not carried in. including.

基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のチャンバ内にガスを供給するガス供給部と、前記実行状態は、前記ガス供給部が前記ガスとして不活性ガスを供給する調圧状態と、前記ガス供給部が前記ガスとして、前記基板と作用する処理ガス、および、前記不活性ガスを供給する実処理状態とを含む。 A third aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the gas supply unit for supplying gas into the plurality of chambers and the gas supply unit are the gas in the execution state. A pressure-adjusted state in which the inert gas is supplied as a gas, a processing gas in which the gas supply unit acts as the gas on the substrate, and an actual processing state in which the inert gas is supplied are included.

基板処理装置の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記コンダクタンスを測定するコンダクタンス検出部を備え、前記制御部は、前記コンダクタンス検出部によって測定された前記コンダクタンスを用いて、前記記憶媒体の前記コンダクタンスデータを更新する。 A fourth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, comprising a conductance detecting unit for measuring the conductance, and the control unit is the conductance detecting unit. The conductance data of the storage medium is updated using the conductance measured by.

基板処理装置の第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記コンダクタンスデータは、前記排気ポンプを作動させたときの前記チャンバ内の圧力に関する情報を、前記コンダクタンスとして含む。 A fifth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the conductance data relates to the pressure in the chamber when the exhaust pump is operated. Information is included as the conductance.

基板処理装置の第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、底部と、前記底部の周縁に立設される側壁と、前記底部に対して近接および離間する方向に変位し、前記底部および前記側壁とともに前記内部空間を形成する可動部材と前記可動部材を変位させて、前記内部空間の体積を調整する駆動機構とを含む。 A sixth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein at least one of the plurality of conductance adjusting portions is on the bottom and the peripheral edge of the bottom. The volume of the internal space is increased by displacing the movable member and the movable member that are displaced in the direction of approaching and separating from the side wall to be erected and forming the internal space together with the bottom portion and the side wall. Includes a drive mechanism to adjust.

基板処理装置の第７の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、互いに並列に接続された複数の並列管と、前記複数の並列管にそれぞれ介装された複数のバルブとを含む。 A seventh aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein at least one of the plurality of conductance adjusting portions is a plurality of connected in parallel with each other. It includes a parallel pipe and a plurality of valves interposed in each of the plurality of parallel pipes.

基板処理装置の第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の並列管の断面積は互いに相違する。 The eighth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the seventh aspect, and the cross-sectional areas of the plurality of parallel pipes are different from each other.

基板処理装置の第１および第２の態様によれば、全体処理状態に応じてコンダクタンスの差が低減するように、コンダクタンス調整部を制御する。よって、チャンバ間の処理ばらつきを低減させることができる。 According to the first and second aspects of the substrate processing apparatus, the conductance adjusting unit is controlled so that the difference in conductance is reduced according to the overall processing state. Therefore, processing variation between chambers can be reduced.

基板処理装置の第３の態様によれば、処理状態をより細かく分類しているので、処理のばらつきをさらに低減させることができる。 According to the third aspect of the substrate processing apparatus, since the processing states are classified in more detail, the variation in processing can be further reduced.

基板処理装置の第４の態様によれば、経時変化によるコンダクタンスのばらつきも低減させることができる。 According to the fourth aspect of the substrate processing apparatus, it is possible to reduce the variation in conductance due to the change with time.

基板処理装置の第５の態様によれば、コンダクタンスを簡単に得ることができる。例えば圧力センサにより、圧力を測定できる。 According to the fifth aspect of the substrate processing apparatus, conductance can be easily obtained. For example, a pressure sensor can measure the pressure.

基板処理装置の第６の態様によれば、コンダクタンスを細かく調整できる。 According to the sixth aspect of the substrate processing apparatus, the conductance can be finely adjusted.

基板処理装置の第７の態様によれば、簡単な構造でコンダクタンスを調整できる。 According to the seventh aspect of the substrate processing apparatus, the conductance can be adjusted with a simple structure.

基板処理装置の第８の態様によれば、並列管の断面積が互いに同じ場合に比べて、コンダクタンスをより多くの階調で調整できる。 According to the eighth aspect of the substrate processing apparatus, the conductance can be adjusted with more gradations as compared with the case where the cross-sectional areas of the parallel tubes are the same as each other.

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す側断面図である。It is a side sectional view schematically showing an example of the structure of a substrate processing apparatus. コンダクタンス調整部の構成の一例を概略的に示す側断面図である。It is a side sectional view schematically showing an example of the structure of the conductance adjustment part. 制御部の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the internal structure of a control part schematicly. 基板処理装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows an example of the operation of a board processing apparatus. チャンバ内の圧力の時間変化の一例を模式的に示すグラフである。It is a graph which shows an example of the time change of the pressure in a chamber schematically. コンダクタンスの取得処理の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the conductance acquisition process. コンダクタンスの取得処理の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the conductance acquisition process. 基板処理の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of a substrate processing. 基板処理装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows an example of the operation of a board processing apparatus. コンダクタンス調整部の構成の一例を概略的に示す側断面図である。It is a side sectional view schematically showing an example of the structure of the conductance adjustment part. コンダクタンス調整部の構成の一例を概略的に示す側断面図である。It is a side sectional view schematically showing an example of the structure of the conductance adjustment part.

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the attached drawings. It should be noted that the drawings are shown schematically, and for convenience of explanation, the configuration is omitted and the configuration is simplified as appropriate. Further, the interrelationship between the sizes and positions of the configurations shown in the drawings is not always accurately described and can be changed as appropriate.

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。 Further, in the description shown below, similar components are illustrated with the same reference numerals, and their names and functions are the same. Therefore, detailed description of them may be omitted to avoid duplication.

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。 Further, even if ordinal numbers such as "first" or "second" may be used in the description described below, these terms are used to facilitate understanding of the contents of the embodiments. It is used for convenience, and is not limited to the order that can occur due to these ordinal numbers.

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。 Expressions that indicate relative or absolute positional relationships (for example, "in one direction", "along one direction", "parallel", "orthogonal", "center", "concentric", "coaxial", etc.) are not specified. Not only does it represent the positional relationship exactly, but it also represents the state of being displaced relative to the angle or distance within the range where tolerances or similar functions can be obtained. Expressions indicating equality (eg, "same", "equal", "homogeneous", etc.) not only represent quantitatively exactly equal states, but also provide tolerance or similar functionality, unless otherwise noted. It shall also represent the state in which there is a difference. Unless otherwise specified, the expression indicating the shape (for example, "square shape" or "cylindrical shape") not only expresses the shape strictly geometrically, but also, for example, to the extent that the same effect can be obtained. It shall also represent a shape having irregularities and chamfers. The expressions "equipped", "equipped", "equipped", "included", or "have" one component are not exclusive expressions that exclude the existence of other components. The expression "at least one of A, B and C" includes A only, B only, C only, any two of A, B and C, and all of A, B and C.

＜第１の実施の形態＞
＜基板処理装置の概要＞
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す側面図である。基板処理装置１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置１００は基板Ｗに対してドライ処理を行う。基板Ｗは例えば半導体基板であってもよく、その他の基板であってもよい。基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイ基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスプレイ用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板または太陽電池用基板であってもよい。 <First Embodiment>
<Overview of board processing equipment>
FIG. 1 is a side view schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 is a single-wafer processing apparatus that processes the substrate W to be processed one by one. The substrate processing apparatus 100 performs dry processing on the substrate W. The substrate W may be, for example, a semiconductor substrate or another substrate. The substrate W is, for example, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an organic EL (Electro-Luminescence) substrate, a FED (Field Emission Display) substrate, an optical display substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, or the like. It may be a substrate for a solar cell.

図１に示すように、基板処理装置１００は複数の処理ユニット２０とガス排出部４０と制御部８０とを含んでいる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of processing units 20, a gas discharge unit 40, and a control unit 80.

図１の例では、複数の処理ユニット２０として、３つの処理ユニット２０Ａ、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃが設けられている。なお、処理ユニット２０の数は特に制限されず、適宜に変更し得る。 In the example of FIG. 1, as a plurality of processing units 20, three processing units 20A, a processing unit 20B, and a processing unit 20C are provided. The number of processing units 20 is not particularly limited and may be changed as appropriate.

各処理ユニット２０は、基板Ｗに対して１枚ずつドライ処理を行う枚葉式のドライ処理ユニットである。各処理ユニット２０はチャンバ２１と基板保持部２２とを含む。チャンバ２１は中空形状を有しており、チャンバ２１の内部空間は、基板Ｗに対するドライ処理を行うための処理空間となる。言い換えれば、チャンバ２１は処理空間を形成する。チャンバ２１は例えば真空チャンバである。 Each processing unit 20 is a single-wafer type dry processing unit that performs dry processing on the substrate W one by one. Each processing unit 20 includes a chamber 21 and a substrate holding portion 22. The chamber 21 has a hollow shape, and the internal space of the chamber 21 is a processing space for performing a dry treatment on the substrate W. In other words, the chamber 21 forms a processing space. The chamber 21 is, for example, a vacuum chamber.

基板保持部２２はチャンバ２１内に設けられ、基板Ｗを水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの上面が水平面に平行な姿勢をいう。なお、基板保持部２２は基板Ｗを載置する載置台を含んでいてもよい。この場合、基板Ｗは載置台によって支持される。 The substrate holding portion 22 is provided in the chamber 21 and holds the substrate W in a horizontal posture. The horizontal posture referred to here means a posture in which the upper surface of the substrate W is parallel to the horizontal plane. The substrate holding portion 22 may include a mounting table on which the substrate W is mounted. In this case, the substrate W is supported by a mounting table.

ガス排出部４０は各処理ユニット２０のチャンバ２１内のガスを吸引して、当該ガスを外部に排出する。これにより、チャンバ２１内の圧力を低下させることができる。ガス排出部４０はチャンバ２１からのガスの排気流量を調整する機能を有しており、排気流量を調整することでチャンバ２１内の圧力を調整することができる。チャンバ２１内の圧力は例えば数Ｐａ（例えば５Ｐａ）程度に制御される。 The gas discharge unit 40 sucks the gas in the chamber 21 of each processing unit 20 and discharges the gas to the outside. This makes it possible to reduce the pressure in the chamber 21. The gas discharge unit 40 has a function of adjusting the exhaust gas flow rate from the chamber 21, and the pressure in the chamber 21 can be adjusted by adjusting the exhaust gas flow rate. The pressure in the chamber 21 is controlled to, for example, several Pa (for example, 5 Pa).

図１の例では、基板処理装置１００にはガス供給部６０も設けられている。ガス供給部６０は各処理ユニット２０のチャンバ２１内に種々のガスを供給する。当該ガスは、処理ガスおよび不活性ガスを含む。処理ガスは、基板Ｗに作用するガスである。例えば、基板Ｗのエッチング対象膜をエッチングする場合、処理ガスとしてはエッチングガスを採用できる。不活性ガスは基板Ｗと反応しにくいガスであり、例えば、アルゴンガスなどの希ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれかを採用できる。この不活性ガスはキャリアガスとも呼ばれ得る。 In the example of FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 is also provided with a gas supply unit 60. The gas supply unit 60 supplies various gases into the chamber 21 of each processing unit 20. The gas includes a treated gas and an inert gas. The processing gas is a gas that acts on the substrate W. For example, when etching the etching target film of the substrate W, an etching gas can be adopted as the processing gas. The inert gas is a gas that does not easily react with the substrate W, and for example, at least one of a rare gas such as argon gas and a nitrogen gas can be adopted. This inert gas can also be called a carrier gas.

＜処理ユニット２０の具体例＞
図１の例では、処理ユニット２０はヒータ２３および整流板２４をさらに含んでいる。ヒータ２３はチャンバ２１内に設けられている。ヒータ２３は制御部８０によって制御され、基板保持部２２によって保持された基板Ｗを加熱する。ヒータ２３は例えば電熱線を含んだ電気抵抗式のヒータでもよく、あるいは、基板Ｗに加熱用の光（例えば赤外線）を照射する光源を含んだ光学式のヒータであってもよい。図１の例では、ヒータ２３は基板保持部２２に内蔵されている。ヒータ２３は基板Ｗの温度が処理に適した温度範囲内となるように、基板Ｗを加熱する。 <Specific example of processing unit 20>
In the example of FIG. 1, the processing unit 20 further includes a heater 23 and a straightening vane 24. The heater 23 is provided in the chamber 21. The heater 23 is controlled by the control unit 80 and heats the substrate W held by the substrate holding unit 22. The heater 23 may be, for example, an electric resistance type heater including a heating wire, or an optical type heater including a light source for irradiating the substrate W with light for heating (for example, infrared rays). In the example of FIG. 1, the heater 23 is built in the substrate holding portion 22. The heater 23 heats the substrate W so that the temperature of the substrate W is within a temperature range suitable for processing.

整流板２４はチャンバ２１内において、基板保持部２２よりもガスの供給側（ここでは上側）に設けられる。整流板２４は、ガス供給部６０によってチャンバ２１内に供給されたガスを整流する。整流板２４は例えば板状の形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。図１の例では、整流板２４の周縁部がチャンバ２１の内周面に連結されている。整流板２４には、厚み方向に整流板２４を貫通する複数の貫通孔２４ａが形成される。複数の貫通孔２４ａは平面視において２次元的に分散して配列され、例えばマトリクス状に配列される。チャンバ２１内に供給されたガスは複数の貫通孔２４ａを通過することで整流される。整流されたガスは、基板保持部２２によって保持された基板Ｗの上面に供給される。これにより、当該ガスに含まれた処理ガスが基板Ｗの上面に作用する。 The straightening vane 24 is provided in the chamber 21 on the gas supply side (here, the upper side) of the substrate holding portion 22. The rectifying plate 24 rectifies the gas supplied into the chamber 21 by the gas supply unit 60. The straightening vane 24 has, for example, a plate-like shape, and is provided in a posture in which the thickness direction thereof is along the vertical direction. In the example of FIG. 1, the peripheral edge portion of the straightening vane 24 is connected to the inner peripheral surface of the chamber 21. The straightening vane 24 is formed with a plurality of through holes 24a penetrating the straightening vane 24 in the thickness direction. The plurality of through holes 24a are arranged two-dimensionally dispersed in a plan view, and are arranged, for example, in a matrix. The gas supplied into the chamber 21 is rectified by passing through the plurality of through holes 24a. The rectified gas is supplied to the upper surface of the substrate W held by the substrate holding portion 22. As a result, the processing gas contained in the gas acts on the upper surface of the substrate W.

例えば処理ガスがエッチングガスを含む場合、基板Ｗの上面のエッチング対象膜がエッチングガスによってエッチングされる。具体的な一例として、処理ガスとしてフッ化水素ガスおよび水蒸気の両方を採用してもよい。この場合、基板Ｗの上面に形成されたシリコン酸化膜を処理ガスによってエッチングすることができる。 For example, when the processing gas contains an etching gas, the etching target film on the upper surface of the substrate W is etched by the etching gas. As a specific example, both hydrogen fluoride gas and steam may be adopted as the treatment gas. In this case, the silicon oxide film formed on the upper surface of the substrate W can be etched with the processing gas.

＜ガス供給部６０＞
ガス供給部６０は複数のガス給気系統６１を含んでいる。複数のガス給気系統６１は複数の処理ユニット２０に対応して設けられている。図１の例では、３つの処理ユニット２０が設けられているので、３つのガス給気系統６１が設けられる。各ガス給気系統６１はガス供給管６２を含んでおり、ガス供給管６２の下流口は、対応するチャンバ２１の内部空間において開口している。図１の例では、ガス供給管６２はチャンバ２１の天井部に接続される。ガス供給部６０は、各ガス供給管６２を通じて種々のガスを各チャンバ２１内に供給することができる。ガス供給管６２を通じてチャンバ２１内に流出したガスは整流板２４を経由して基板Ｗの上面に向かって流れる。 <Gas supply unit 60>
The gas supply unit 60 includes a plurality of gas supply systems 61. The plurality of gas supply systems 61 are provided corresponding to the plurality of processing units 20. In the example of FIG. 1, since the three processing units 20 are provided, the three gas air supply systems 61 are provided. Each gas supply system 61 includes a gas supply pipe 62, and the downstream port of the gas supply pipe 62 is open in the internal space of the corresponding chamber 21. In the example of FIG. 1, the gas supply pipe 62 is connected to the ceiling portion of the chamber 21. The gas supply unit 60 can supply various gases into each chamber 21 through each gas supply pipe 62. The gas flowing out into the chamber 21 through the gas supply pipe 62 flows toward the upper surface of the substrate W via the straightening vane 24.

図１の例では、各ガス供給管６２は処理ガス管６２１とキャリアガス管６２２と共通管６２３とを含んでいる。共通管６２３の下流端はガス供給管６２の下流端であり、チャンバ２１に接続される。共通管６２３の上流端は処理ガス管６２１の下流端およびキャリアガス管６２２の下流端に共通して接続される。処理ガス管６２１の上流端は不図示の処理ガス供給源に接続され、キャリアガス管６２２の上流端は不図示のキャリアガス供給源に接続される。 In the example of FIG. 1, each gas supply pipe 62 includes a processing gas pipe 621, a carrier gas pipe 622, and a common pipe 623. The downstream end of the common pipe 623 is the downstream end of the gas supply pipe 62 and is connected to the chamber 21. The upstream end of the common pipe 623 is commonly connected to the downstream end of the processing gas pipe 621 and the downstream end of the carrier gas pipe 622. The upstream end of the processing gas pipe 621 is connected to a processing gas supply source (not shown), and the upstream end of the carrier gas pipe 622 is connected to a carrier gas supply source (not shown).

処理ガス管６２１にはバルブ６３１が介装されている。バルブ６３１は制御部８０によって制御される。バルブ６３１が開くことにより、処理ガス供給源からの処理ガスが処理ガス管６２１および共通管６２３を通じてチャンバ２１内に供給される。バルブ６３１が閉じることにより、チャンバ２１への処理ガスの供給が停止する。 A valve 631 is interposed in the processing gas pipe 621. The valve 631 is controlled by the control unit 80. When the valve 631 is opened, the processing gas from the processing gas supply source is supplied into the chamber 21 through the processing gas pipe 621 and the common pipe 623. When the valve 631 is closed, the supply of the processing gas to the chamber 21 is stopped.

キャリアガス管６２２にはバルブ６３２が介装されている。バルブ６３２は制御部８０によって制御される。バルブ６３２が開くことにより、キャリアガス供給源からのキャリアガスがキャリアガス管６２２および共通管６２３を通じてチャンバ２１内に供給される。バルブ６３２が閉じることにより、チャンバ２１へのキャリアガスの供給が停止する。 A valve 632 is interposed in the carrier gas pipe 622. The valve 632 is controlled by the control unit 80. By opening the valve 632, the carrier gas from the carrier gas supply source is supplied into the chamber 21 through the carrier gas pipe 622 and the common pipe 623. When the valve 632 is closed, the supply of the carrier gas to the chamber 21 is stopped.

図１の例では、処理ガス管６２１には流量調整部６４１が介装されている。流量調整部６４１は制御部８０によって制御される。流量調整部６４１は、処理ガス管６２１を流れる処理ガスの流量を調整する。流量調整部６４１は例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。 In the example of FIG. 1, a flow rate adjusting unit 641 is interposed in the processing gas pipe 621. The flow rate adjusting unit 641 is controlled by the control unit 80. The flow rate adjusting unit 641 adjusts the flow rate of the processing gas flowing through the processing gas pipe 621. The flow rate adjusting unit 641 is, for example, a mass flow controller (MFC).

図１の例では、キャリアガス管６２２には流量調整部６４２が介装されている。流量調整部６４２は制御部８０によって制御される。流量調整部６４２は、キャリアガス管６２２を流れるキャリアガスの流量を調整する。流量調整部６４２は例えばマスフローコントローラである。 In the example of FIG. 1, a flow rate adjusting unit 642 is interposed in the carrier gas pipe 622. The flow rate adjusting unit 642 is controlled by the control unit 80. The flow rate adjusting unit 642 adjusts the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas pipe 622. The flow rate adjusting unit 642 is, for example, a mass flow controller.

＜ガス排出部４０＞
ガス排出部４０は複数の個別排出管４１と共通排出管４２と排気ポンプ４３と複数のコンダクタンス調整部４４とを含んでいる。 <Gas discharge unit 40>
The gas discharge unit 40 includes a plurality of individual discharge pipes 41, a common discharge pipe 42, an exhaust pump 43, and a plurality of conductance adjusting units 44.

複数の個別排出管４１は複数の処理ユニット２０に対応して設けられている。図１の例では、３つの処理ユニット２０が設けられているので、３つの個別排出管４１が設けられる。各個別排出管４１の上流口は、対応するチャンバ２１の内部空間において開口する。図１の例では、個別排出管４１はチャンバ２１の底部に接続される。各個別排出管４１の下流端は共通排出管４２に接続される。 The plurality of individual discharge pipes 41 are provided corresponding to the plurality of processing units 20. In the example of FIG. 1, since three processing units 20 are provided, three individual discharge pipes 41 are provided. The upstream port of each individual discharge pipe 41 opens in the internal space of the corresponding chamber 21. In the example of FIG. 1, the individual discharge pipe 41 is connected to the bottom of the chamber 21. The downstream end of each individual discharge pipe 41 is connected to the common discharge pipe 42.

共通排出管４２には、排気ポンプ４３が設けられている。排気ポンプ４３はいわゆる真空ポンプである。排気ポンプ４３は制御部８０によって制御され、共通排出管４２内のガスを吸引する。これにより、各チャンバ２１内のガスが各個別排出管４１および共通排出管４２を通じて排気ポンプ４３に吸引される。 The common exhaust pipe 42 is provided with an exhaust pump 43. The exhaust pump 43 is a so-called vacuum pump. The exhaust pump 43 is controlled by the control unit 80 and sucks the gas in the common exhaust pipe 42. As a result, the gas in each chamber 21 is sucked into the exhaust pump 43 through each individual discharge pipe 41 and the common discharge pipe 42.

このような構成では、単一の排気ポンプ４３によって複数のチャンバ２１内のガスを排気することができる。よって、製造コストを低減させることができ、ガス排出部４０の構成を簡易化させることができる。 In such a configuration, the gas in the plurality of chambers 21 can be exhausted by a single exhaust pump 43. Therefore, the manufacturing cost can be reduced, and the configuration of the gas discharge unit 40 can be simplified.

その一方で、チャンバ２１内の圧力は、各チャンバ２１と排気ポンプ４３との間の配管のコンダクタンスに応じてばらつき得る。このコンダクタンスのばらつきについては後に詳述する。チャンバ２１内の圧力が複数のチャンバ２１の間でばらつくと、各処理ユニット２０による処理にもばらつきが生じ得る。 On the other hand, the pressure in the chamber 21 may vary depending on the conductance of the piping between each chamber 21 and the exhaust pump 43. This variation in conductance will be described in detail later. If the pressure in the chamber 21 varies among the plurality of chambers 21, the processing by each processing unit 20 may also vary.

そこで、図１の例では、複数のコンダクタンス調整部４４が設けられている。複数のコンダクタンス調整部４４は複数の個別排出管４１に対応して設けられる。図１の例では、３つの個別排出管４１が設けられているので、３つのコンダクタンス調整部４４が設けられる。各コンダクタンス調整部４４は、対応する個別排出管４１に介装されており、個別排出管４１の内部空間（流路）に繋がる可変の内部空間を有している。このコンダクタンス調整部４４の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成する。 Therefore, in the example of FIG. 1, a plurality of conductance adjusting units 44 are provided. The plurality of conductance adjusting units 44 are provided corresponding to the plurality of individual discharge pipes 41. In the example of FIG. 1, since the three individual discharge pipes 41 are provided, the three conductance adjusting units 44 are provided. Each conductance adjusting unit 44 is interposed in a corresponding individual discharge pipe 41, and has a variable internal space connected to the internal space (flow path) of the individual discharge pipe 41. The internal space of the conductance adjusting unit 44 constitutes a part of the flow path of the individual discharge pipe 41.

図２は、コンダクタンス調整部４４の構成の一例を概略的に示す側断面図である。コンダクタンス調整部４４は筐体４５と可動部材４６と駆動機構４７とを含んでいる。図２の例では、筐体４５は底部４５１および側壁４５２を含んでいる。底部４５１は例えば板状の形状を有しており、側壁４５２は底部４５１の周縁部の全周に立設される。可動部材４６は例えば板状の形状を有しており、その周縁が側壁４５２の内周面の全周に密着しており、筐体４５と可動部材４６とによって密閉空間を形成している。当該密閉空間がコンダクタンス調整部４４の内部空間に相当する。可動部材４６は当該内部空間の体積が可変となるように変位可能に設けられている。 FIG. 2 is a side sectional view schematically showing an example of the configuration of the conductance adjusting unit 44. The conductance adjusting unit 44 includes a housing 45, a movable member 46, and a drive mechanism 47. In the example of FIG. 2, the housing 45 includes a bottom portion 451 and a side wall 452. The bottom portion 451 has, for example, a plate shape, and the side wall 452 is erected on the entire circumference of the peripheral edge portion of the bottom portion 451. The movable member 46 has, for example, a plate shape, and its peripheral edge is in close contact with the entire inner peripheral surface of the side wall 452, and the housing 45 and the movable member 46 form a closed space. The closed space corresponds to the internal space of the conductance adjusting unit 44. The movable member 46 is provided so as to be displaceable so that the volume of the internal space is variable.

可動部材４６の変位は駆動機構４７によって制御される。例えば可動部材４６は連結部材４６１を介して駆動機構４７に連結される。駆動機構４７は例えばリニアモータ、ボールねじ機構またはエアシリンダを含む。駆動機構４７は可動部材４６を変位させることにより、コンダクタンス調整部４４の内部空間の体積を調整する。図２の例では、可動部材４６は底部４５１に近接および離間する方向に移動することができる。可動部材４６が底部４５１に近づくことにより、コンダクタンス調整部４４の内部空間の体積を低減させることができ、可動部材４６が底部４５１から遠ざかることにより、当該内部空間の体積を増加させることができる。駆動機構４７は制御部８０によって制御される。 The displacement of the movable member 46 is controlled by the drive mechanism 47. For example, the movable member 46 is connected to the drive mechanism 47 via the connecting member 461. The drive mechanism 47 includes, for example, a linear motor, a ball screw mechanism or an air cylinder. The drive mechanism 47 adjusts the volume of the internal space of the conductance adjusting unit 44 by displacing the movable member 46. In the example of FIG. 2, the movable member 46 can move in the direction of approaching and separating from the bottom portion 451. By moving the movable member 46 closer to the bottom portion 451 the volume of the internal space of the conductance adjusting portion 44 can be reduced, and by moving the movable member 46 away from the bottom portion 451 the volume of the internal space can be increased. The drive mechanism 47 is controlled by the control unit 80.

図２の例では、筐体４５の側壁４５２のうち互いに向かい合う壁部が個別排出管４１に接続されている。より具体的には、個別排出管４１のうちコンダクタンス調整部４４よりも上流側の配管の下流端、および、コンダクタンス調整部４４よりも下流側の配管の上流端が、側壁４５２に接続される。コンダクタンス調整部４４の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成するので、コンダクタンス調整部４４が内部空間の体積を調整することにより、個別排出管４１のコンダクタンスを調整することができる。 In the example of FIG. 2, the wall portions of the side wall 452 of the housing 45 facing each other are connected to the individual discharge pipe 41. More specifically, of the individual discharge pipes 41, the downstream end of the pipe upstream of the conductance adjustment unit 44 and the upstream end of the pipe downstream of the conductance adjustment unit 44 are connected to the side wall 452. Since the internal space of the conductance adjusting unit 44 forms a part of the flow path of the individual discharge pipe 41, the conductance adjusting unit 44 can adjust the conductance of the individual discharge pipe 41 by adjusting the volume of the internal space. ..

例えば、可動部材４６が底部４５１に近づくことにより、コンダクタンス調整部４４における流路の断面積を低減させることができる。つまり、コンダクタンスを低下させることができる。可動部材４６が底部４５１から遠ざかることにより、コンダクタンス調整部４４における流路の断面積を増加させることができる。つまり、コンダクタンスを高めることができる。 For example, by moving the movable member 46 closer to the bottom portion 451 the cross-sectional area of the flow path in the conductance adjusting portion 44 can be reduced. That is, the conductance can be reduced. By moving the movable member 46 away from the bottom portion 451 it is possible to increase the cross-sectional area of the flow path in the conductance adjusting portion 44. That is, the conductance can be increased.

このようなコンダクタンス調整部４４によれば、可動部材４６の変位量を実質的に連続的に調整できるので、コンダクタンスを細かく調整することができる。 According to such a conductance adjusting unit 44, the displacement amount of the movable member 46 can be adjusted substantially continuously, so that the conductance can be finely adjusted.

以下では、処理ユニット２０Ａに接続される個別排出管４１に介装されたコンダクタンス調整部４４をコンダクタンス調整部４４Ａとも呼ぶことがある。同様に、処理ユニット２０Ｂ，２０Ｃに対応して設けられたコンダクタンス調整部４４を、それぞれ、コンダクタンス調整部４４Ｂ，４４Ｃとも呼ぶことがある。 Hereinafter, the conductance adjusting unit 44 interposed in the individual discharge pipe 41 connected to the processing unit 20A may also be referred to as a conductance adjusting unit 44A. Similarly, the conductance adjusting units 44 provided corresponding to the processing units 20B and 20C may also be referred to as conductance adjusting units 44B and 44C, respectively.

図１の例では、ガス排出部４０はヒータ４４１を含んでいる。ヒータ４４１は制御部８０によって制御され、コンダクタンス調整部４４を加熱する。ヒータ４４１はコンダクタンス調整部４４の外周面に設けられてもよく、コンダクタンス調整部４４に内蔵されてもよい。ヒータ４４１は例えば電気抵抗式のヒータであってもよく、光学式のヒータであってもよい。コンダクタンス調整部４４が加熱されることにより、コンダクタンス調整部４４の内壁へのガスの付着を抑制することができる。 In the example of FIG. 1, the gas discharge unit 40 includes a heater 441. The heater 441 is controlled by the control unit 80 to heat the conductance adjusting unit 44. The heater 441 may be provided on the outer peripheral surface of the conductance adjusting unit 44, or may be built in the conductance adjusting unit 44. The heater 441 may be, for example, an electric resistance type heater or an optical type heater. By heating the conductance adjusting unit 44, it is possible to suppress the adhesion of gas to the inner wall of the conductance adjusting unit 44.

＜制御部＞
図３は、制御部８０の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部８０は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置８１および記憶媒体８２を有していてもよい。データ処理装置８１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体８２は非一時的な記憶媒体８２１（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体８２２（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体８２１には、例えば制御部８０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理装置８１がこのプログラムを実行することにより、制御部８０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部８０が実行する処理の一部または全部が、論理回路などのハードウェア回路によって実行されてもよい。 <Control unit>
FIG. 3 is a block diagram schematically showing an example of the internal configuration of the control unit 80. The control unit 80 is an electronic circuit device, and may include, for example, a data processing device 81 and a storage medium 82. The data processing device 81 may be, for example, an arithmetic processing device such as a CPU (Central Processor Unit). The storage medium 82 may have a non-temporary storage medium 821 (eg ROM (Read Only Memory) or hard disk) and a temporary storage medium 822 (eg RAM (Random Access Memory)). The non-temporary storage medium 821 may store, for example, a program that defines the processing executed by the control unit 80. When the data processing device 81 executes this program, the control unit 80 can execute the processing specified in the program. Of course, a part or all of the processing executed by the control unit 80 may be executed by a hardware circuit such as a logic circuit.

制御部８０は基板処理装置１００内の各種の構成要素を制御して、各処理ユニット２０に基板Ｗに対してドライ処理を行わせることができる。具体的には、ヒータ２３を制御して基板Ｗの温度を制御し、ガス排出部４０を制御してチャンバ２１内の圧力を低下させ、ガス供給部６０を制御してチャンバ２１内に処理ガスおよびキャリアガスを供給させる。これにより、処理ガスが基板Ｗに対して作用し、基板Ｗに対するドライ処理が行われる。 The control unit 80 can control various components in the substrate processing apparatus 100 to cause each processing unit 20 to perform dry processing on the substrate W. Specifically, the heater 23 is controlled to control the temperature of the substrate W, the gas discharge unit 40 is controlled to reduce the pressure in the chamber 21, and the gas supply unit 60 is controlled to control the processing gas in the chamber 21. And supply carrier gas. As a result, the processing gas acts on the substrate W, and the dry treatment is performed on the substrate W.

制御部８０には、基板Ｗに対する処理手順を示した処理レシピ情報が入力される。処理レシピ情報は、例えばより上流の装置から制御部８０に送信されてもよく、作業員が、不図示の入力デバイスを用いて処理レシピ情報を制御部８０に入力してもよい。入力デバイスは、例えば、マウス、キーボードおよびタッチパネルなどのデバイスを含む。 The processing recipe information indicating the processing procedure for the substrate W is input to the control unit 80. The processing recipe information may be transmitted to the control unit 80 from, for example, an upstream device, or the worker may input the processing recipe information to the control unit 80 using an input device (not shown). Input devices include, for example, devices such as mice, keyboards and touch panels.

制御部８０は、入力された処理レシピ情報に基づいて基板処理装置１００を制御して、複数の処理ユニット２０に基板Ｗを１枚ずつ順に処理させる。具体的には、制御部８０は不図示の基板搬送部に対して各処理ユニット２０へ順に基板Ｗを搬入させ、ガス排出部４０にチャンバ２１内の圧力を低下させた減圧状態で、ガス供給部６０に処理ガスおよび不活性ガスをチャンバ２１内へ供給させる。これにより、チャンバ２１内において処理ガスが基板Ｗに作用し、基板Ｗに対するドライ処理が行われる。 The control unit 80 controls the substrate processing apparatus 100 based on the input processing recipe information, and causes a plurality of processing units 20 to process the substrate W one by one in order. Specifically, the control unit 80 causes the substrate transport unit (not shown) to carry the substrate W into each processing unit 20 in order, and supplies gas to the gas discharge unit 40 in a reduced pressure state in which the pressure in the chamber 21 is reduced. The unit 60 is supplied with the processing gas and the inert gas into the chamber 21. As a result, the processing gas acts on the substrate W in the chamber 21, and the dry treatment is performed on the substrate W.

図４は、基板処理装置１００の動作の一例を示すタイミングチャートである。図４では、簡単のために、３枚の基板Ｗを処理する場合の一例が示されている。図４の例では、処理ユニット２０Ａ、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃがそれぞれ１枚の基板Ｗに対してドライ処理を行う。図４では、各処理ユニット２０の処理状態（チャンバ２１の処理状態）として、ドライ処理の実行状態と待機状態とがそれぞれ「実行」および「待機」で示されている。待機状態は、チャンバ２１に基板Ｗが搬入されていない状態を含む。 FIG. 4 is a timing chart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 100. FIG. 4 shows an example of processing three substrates W for the sake of simplicity. In the example of FIG. 4, the processing unit 20A, the processing unit 20B, and the processing unit 20C each perform a dry treatment on one substrate W. In FIG. 4, as the processing state of each processing unit 20 (processing state of the chamber 21), the execution state and the standby state of the dry processing are shown as “execution” and “standby”, respectively. The standby state includes a state in which the substrate W has not been carried into the chamber 21.

図４の例では、まず時刻ｔ１において基板Ｗが処理ユニット２０Ａに搬入される。処理ユニット２０Ａは、基板Ｗの搬入後に速やかに基板Ｗに対するドライ処理を開始する。図４の例では、時刻ｔ１よりも後の時刻ｔ２において、基板Ｗが処理ユニット２０Ｂに搬入される。処理ユニット２０Ｂは、基板Ｗの搬入後に速やかに基板Ｗに対するドライ処理を開始する。図４の例では、時刻ｔ２よりも後の時刻ｔ３において、基板Ｗが処理ユニット２０Ｃに搬入される。処理ユニット２０Ｃは、基板Ｗの搬入後に速やかに基板Ｗに対するドライ処理を開始する。 In the example of FIG. 4, the substrate W is first carried into the processing unit 20A at time t1. The processing unit 20A immediately starts the dry processing on the substrate W after the substrate W is carried in. In the example of FIG. 4, the substrate W is carried into the processing unit 20B at a time t2 after the time t1. The processing unit 20B immediately starts the dry processing on the substrate W after the substrate W is carried in. In the example of FIG. 4, the substrate W is carried into the processing unit 20C at a time t3 after the time t2. The processing unit 20C immediately starts the dry processing on the substrate W after the substrate W is carried in.

図４の例では、時刻ｔ３よりも後の時刻ｔ４において、処理ユニット２０Ａがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ａから搬出される。また、時刻ｔ４よりも後の時刻ｔ５において、処理ユニット２０Ｂがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｂから搬出される。また、時刻ｔ５よりも後の時刻ｔ６において、処理ユニット２０Ｃがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｃから搬出される。 In the example of FIG. 4, at the time t4 after the time t3, the processing unit 20A finishes the dry processing, and the processed substrate W is carried out from the processing unit 20A. Further, at a time t5 after the time t4, the processing unit 20B finishes the dry processing, and the processed substrate W is carried out from the processing unit 20B. Further, at a time t6 after the time t5, the processing unit 20C finishes the dry processing, and the processed substrate W is carried out from the processing unit 20C.

なお、上述の例では、処理ユニット２０Ａから処理ユニット２０Ｃの全てが基板Ｗに対するドライ処理を行っているが、いくつかの処理ユニット２０が稼働しない場合もある。具体的な一例として、異常が生じた処理ユニット２０は基板Ｗの処理に用いられない。 In the above example, all of the processing units 20A to 20C perform dry processing on the substrate W, but some processing units 20 may not operate. As a specific example, the processing unit 20 in which the abnormality has occurred is not used for processing the substrate W.

＜配管のコンダクタンスのばらつき＞
次に、各チャンバ２１と排気ポンプ４３との間の配管のコンダクタンスのばらつきについて説明する。 <Variations in piping conductance>
Next, variations in the conductance of the piping between each chamber 21 and the exhaust pump 43 will be described.

個別排出管４１の形状は互いに相違し得る。例えば、個別排出管４１の長さは互いに相違し得る。よって、チャンバ２１と排気ポンプ４３との間の配管のコンダクタンスは、複数のチャンバ２１の間で互いに相違し得る。つまり、配管のコンダクタンスは複数のチャンバ２１の間でばらつく。 The shapes of the individual discharge pipes 41 may differ from each other. For example, the lengths of the individual discharge pipes 41 may differ from each other. Therefore, the conductance of the piping between the chamber 21 and the exhaust pump 43 may differ from each other among the plurality of chambers 21. That is, the conductance of the piping varies among the plurality of chambers 21.

しかも図１の例では、複数の処理ユニット２０は鉛直方向において並んで配置されている。つまり、処理ユニット２０が鉛直方向において多段に積層される。このような配置によれば、チャンバ２１の高さ位置は互いに相違し、個別排出管４１の上流端の高さ位置も互いに相違する。このように配管の高さが相違すると、配管のコンダクタンスのばらつきはより大きくなる。 Moreover, in the example of FIG. 1, a plurality of processing units 20 are arranged side by side in the vertical direction. That is, the processing units 20 are stacked in multiple stages in the vertical direction. According to such an arrangement, the height positions of the chambers 21 are different from each other, and the height positions of the upstream ends of the individual discharge pipes 41 are also different from each other. When the heights of the pipes are different in this way, the variation in the conductance of the pipes becomes larger.

また、個別排出管４１および共通排出管４２を流れるガスの圧力分布は、処理ユニット２０の処理状態に応じても変化する。例えば図４を参照して、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間Ｔ１において、処理ユニット２０Ａのみがドライ処理を実行する。よって、処理ユニット２０Ａのチャンバ２１のみにガスが供給される。また処理ユニット２０Ａのチャンバ２１からガスが排出される。つまり、期間Ｔ１において処理ユニット２０Ａが稼働している。 Further, the pressure distribution of the gas flowing through the individual discharge pipe 41 and the common discharge pipe 42 also changes depending on the processing state of the processing unit 20. For example, referring to FIG. 4, only the processing unit 20A executes the dry processing in the period T1 from the time t1 to the time t2. Therefore, gas is supplied only to the chamber 21 of the processing unit 20A. Further, gas is discharged from the chamber 21 of the processing unit 20A. That is, the processing unit 20A is operating in the period T1.

一方、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃは期間Ｔ１において稼働しない。つまり、期間Ｔ１においては、処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１にはガスが供給されない。処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１からのガスの排出は期間Ｔ１において行われてもよく、行われなくてもよい。ここでは一例としてガスの排出を行わないものと仮定する。各チャンバ２１からのガスの排出および停止の切り替えは、例えば、コンダクタンス調整部４４によって実現されてもよく、あるいは、各個別排出管４１に別途のバルブを設け、当該バルブの開閉の切り替えによって実現されてもよい。 On the other hand, the processing unit 20B and the processing unit 20C do not operate in the period T1. That is, during the period T1, gas is not supplied to the chamber 21 of the processing unit 20B and the processing unit 20C. The discharge of gas from the chamber 21 of the processing unit 20B and the processing unit 20C may or may not be performed during the period T1. Here, as an example, it is assumed that gas is not discharged. Switching between discharging and stopping gas from each chamber 21 may be realized by, for example, a conductance adjusting unit 44, or by providing a separate valve in each individual discharge pipe 41 and switching the opening and closing of the valve. You may.

図４の例では、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間Ｔ２では、処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｂがドライ処理を実行し、処理ユニット２０Ｃはドライ処理を実行しない。 In the example of FIG. 4, during the period T2 from the time t2 to the time t3, the processing unit 20A and the processing unit 20B execute the dry processing, and the processing unit 20C does not execute the dry processing.

ここで、ドライ処理の実行状態および待機状態をそれぞれ「１」および「０」で表現しつつ、処理ユニット２０Ａから処理ユニット２０Ｃの処理状態をこの順で並べて記載すると、期間Ｔ１における全処理ユニット２０の処理状態の組み合わせを（１００）で表すことができる。なお以下では、全処理ユニット２０の処理状態の組み合わせを全体処理状態とも呼ぶ。図４の例では、期間Ｔ２の全体処理状態は（１１０）であり、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間Ｔ３の全体処理状態は（１１１）であり、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間Ｔ４の全体処理状態は（０１１）であり、時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間Ｔ５の全体処理状態は（００１）である。 Here, if the processing states of the processing unit 20A to the processing unit 20C are described side by side in this order while the execution state and the standby state of the dry processing are represented by “1” and “0”, respectively, the total processing unit 20 in the period T1 is described. The combination of the processing states of can be represented by (100). In the following, the combination of the processing states of all the processing units 20 is also referred to as the overall processing state. In the example of FIG. 4, the total processing state of the period T2 is (110), the total processing state of the period T3 from the time t3 to the time t4 is (111), and the entire period T4 from the time t4 to the time t5. The processing state is (011), and the overall processing state of the period T5 from the time t5 to the time t6 is (001).

以上のように、処理ユニット２０の全体処理状態は期間Ｔ１～Ｔ５の間で相違し、その全体処理状態に応じてガスの給排気も相違する。よって、処理ユニット２０の全体処理状態の変化に伴って、個別排出管４１および共通排出管４２内のガスの圧力分布が変化し、配管のコンダクタンスが変化する。 As described above, the overall processing state of the processing unit 20 differs between the periods T1 to T5, and the gas supply / exhaust also differs depending on the overall processing state. Therefore, as the overall processing state of the processing unit 20 changes, the pressure distribution of the gas in the individual discharge pipe 41 and the common discharge pipe 42 changes, and the conductance of the pipe changes.

図４の例では、３つの処理ユニット２０の全てが基板Ｗを処理する場合が示されているものの、例えば異常等の諸要因により処理ユニット２０Ｂが稼働しない場合もある。この場合、処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｃが稼働し、処理ユニット２０Ｂが稼働しない場合もある。つまり、全体処理状態が（１０１）となることもあり得る。 In the example of FIG. 4, although the case where all three processing units 20 process the substrate W is shown, the processing unit 20B may not operate due to various factors such as an abnormality. In this case, the processing unit 20A and the processing unit 20C may operate, and the processing unit 20B may not operate. That is, the overall processing state may be (101).

以上のように、配管のコンダクタンスは、個別排出管４１の形状および処理ユニット２０の処理状態等の諸要因に応じて変化する。以下では、まず、配管形状の相違によるコンダクタンスのばらつきを低減させる実施例について説明した後に、処理状態によるコンダクタンスのばらつきをも低減させる実施例について説明する。 As described above, the conductance of the pipe changes depending on various factors such as the shape of the individual discharge pipe 41 and the processing state of the processing unit 20. In the following, first, an example of reducing the variation in conductance due to the difference in the pipe shape will be described, and then an example of reducing the variation in conductance due to the processing state will be described.

＜配管形状の相違によるコンダクタンスのばらつき＞
本実施の形態では、配管のコンダクタンスを示すコンダクタンスデータを、処理ユニット２０ごとに、予め実験またはシミュレーションによって取得する（コンダクタンス取得処理）。ここでは一例として実験によりコンダクタンスデータを取得するものとする。 <Variation of conductance due to difference in piping shape>
In the present embodiment, conductance data indicating the conductance of the pipe is acquired in advance for each processing unit 20 by an experiment or a simulation (conductance acquisition processing). Here, as an example, conductance data is acquired by an experiment.

当該実験は、排気ポンプ４３に吸引動作を行わせて処理ユニット２０からガスを排出させることで行われる。排気ポンプ４３が吸引動作を開始すると、チャンバ２１内の圧力は時間の経過とともに低下する。この圧力値の時間に対する変化はコンダクタンスの差に応じて処理ユニット２０Ａ～２０Ｃの間で相違する。 The experiment is performed by causing the exhaust pump 43 to perform a suction operation to discharge gas from the processing unit 20. When the exhaust pump 43 starts the suction operation, the pressure in the chamber 21 decreases with the passage of time. The change of this pressure value with time differs between the processing units 20A to 20C depending on the difference in conductance.

図５は、チャンバ２１内の圧力の時間変化（圧力カーブとも呼ぶ）の一例を模式的に示すグラフである。図５は、コンダクタンスが高いときの圧力カーブを実線の曲線で示しており、コンダクタンスが低いときの圧力カーブを破線の曲線で示している。 FIG. 5 is a graph schematically showing an example of a time change (also referred to as a pressure curve) of the pressure in the chamber 21. In FIG. 5, the pressure curve when the conductance is high is shown by a solid line curve, and the pressure curve when the conductance is low is shown by a broken line curve.

図５から理解できる通り、コンダクタンスが高いほど圧力の低下速度は高い。つまり、コンダクタンスが高いほど、圧力が収束値に収束するまでの時間は短い。なお以下では、圧力の収束値を到達真空度とも呼ぶ。この到達真空度はコンダクタンスが高いほど低い。 As can be understood from FIG. 5, the higher the conductance, the higher the rate of decrease in pressure. That is, the higher the conductance, the shorter the time it takes for the pressure to converge to the convergence value. In the following, the convergence value of the pressure is also referred to as the ultimate vacuum degree. The higher the conductance, the lower the ultimate vacuum.

以上のように、排気ポンプ４３を作動させたときのチャンバ２１内の圧力に関する情報は、配管のコンダクタンスに相関しており、コンダクタンスの高低を示す指標となる。例えば、圧力カーブを、コンダクタンスを示す指標として採用することができる。より具体的な例として、圧力の到達真空度、圧力の低下速度および圧力が到達真空度に収束するまでの時間の少なくともいずれか一つを当該指標に採用できる。圧力の低下速度としては、例えばガスの排気開始時点を基準として、同じタイミングでの瞬時値を採用してもよく、あるいは、同じ期間における低下速度の統計値（例えば平均値および最大値）を採用してもよい。 As described above, the information regarding the pressure in the chamber 21 when the exhaust pump 43 is operated correlates with the conductance of the pipe and serves as an index indicating the level of the conductance. For example, the pressure curve can be adopted as an index showing conductance. As a more specific example, at least one of the ultimate vacuum degree of pressure, the rate of decrease in pressure, and the time until the pressure converges to the ultimate vacuum degree can be adopted as the index. As the pressure decrease rate, for example, the instantaneous value at the same timing may be adopted based on the gas exhaust start time point, or the statistical value of the decrease rate in the same period (for example, the average value and the maximum value) is adopted. You may.

図１の例では、各処理ユニット２０に対応するコンダクタンスを検出するためのコンダクタンス検出部２５の一例として、圧力センサ２５１が設けられている。圧力センサ２５１は複数の処理ユニット２０に対応して設けられる。各圧力センサ２５１は、対応するチャンバ２１内の圧力を測定し、その測定値を示す圧力情報を制御部８０に出力する。 In the example of FIG. 1, a pressure sensor 251 is provided as an example of the conductance detection unit 25 for detecting the conductance corresponding to each processing unit 20. The pressure sensor 251 is provided corresponding to a plurality of processing units 20. Each pressure sensor 251 measures the pressure in the corresponding chamber 21, and outputs pressure information indicating the measured value to the control unit 80.

以上のように、排気ポンプ４３を作動させた状態で圧力センサ２５１が圧力を測定することによって、コンダクタンス値を得ることができる。そこで、例えば基板処理装置１００の据え付け時に、作業員は、コンダクタンス値を取得する取得処理を基板処理装置１００に行わせる。具体的には、作業員は入力デバイスに取得処理の指示を入力し、制御部８０は当該指示に応じて、コンダクタンス値の取得処理を行う。 As described above, the conductance value can be obtained by measuring the pressure with the pressure sensor 251 while the exhaust pump 43 is operated. Therefore, for example, at the time of installation of the substrate processing apparatus 100, the worker causes the substrate processing apparatus 100 to perform an acquisition process for acquiring a conductance value. Specifically, the worker inputs an instruction of the acquisition process to the input device, and the control unit 80 performs the conductance value acquisition process in response to the instruction.

図６は、コンダクタンス値の取得処理の一例を示すフローチャートである。まず、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ａのチャンバ２１のみからガスを排出する（ステップＳ２１）。つまり、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ｂおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１からはガスを排出しない。そして、コンダクタンス検出部２５が処理ユニット２０Ａに対応するコンダクタンスを測定する（ステップＳ２２）。具体的には、圧力センサ２５１が処理ユニット２０Ａのチャンバ２１内の圧力を測定し、制御部８０に出力する。制御部８０は当該圧力に関する情報（例えば到達真空度）を処理ユニット２０Ａに対応するコンダクタンス値として把握する。 FIG. 6 is a flowchart showing an example of the conductance value acquisition process. First, the gas discharge unit 40 discharges gas only from the chamber 21 of the processing unit 20A (step S21). That is, the gas discharge unit 40 does not discharge gas from the chamber 21 of the processing unit 20B and the processing unit 20C. Then, the conductance detection unit 25 measures the conductance corresponding to the processing unit 20A (step S22). Specifically, the pressure sensor 251 measures the pressure in the chamber 21 of the processing unit 20A and outputs it to the control unit 80. The control unit 80 grasps information about the pressure (for example, the ultimate vacuum degree) as a conductance value corresponding to the processing unit 20A.

次に、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１のみからガスを排出する（ステップＳ２３）。つまり、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１からはガスを排出しない。そして、コンダクタンス検出部２５が処理ユニット２０Ｂに対応するコンダクタンスを測定する（ステップＳ２４）。具体的には、圧力センサ２５１が処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１内の圧力を測定し、制御部８０に出力する。制御部８０は当該圧力に関する情報（例えば到達真空度）を処理ユニット２０Ｂに対応するコンダクタンス値として把握する。 Next, the gas discharge unit 40 discharges gas only from the chamber 21 of the processing unit 20B (step S23). That is, the gas discharge unit 40 does not discharge gas from the chamber 21 of the processing unit 20A and the processing unit 20C. Then, the conductance detection unit 25 measures the conductance corresponding to the processing unit 20B (step S24). Specifically, the pressure sensor 251 measures the pressure in the chamber 21 of the processing unit 20B and outputs it to the control unit 80. The control unit 80 grasps information about the pressure (for example, the ultimate vacuum degree) as a conductance value corresponding to the processing unit 20B.

次に、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１のみからガスを排出する（ステップＳ２５）。つまり、ガス排出部４０は処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１からはガスを排出しない。そして、コンダクタンス検出部２５が処理ユニット２０Ｃに対応するコンダクタンスを測定する（ステップＳ２６）。具体的には、圧力センサ２５１が処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１内の圧力を測定し、制御部８０に出力する。制御部８０は当該圧力に関する情報（例えば到達真空度）を処理ユニット２０Ｃに対応するコンダクタンス値として把握する。 Next, the gas discharge unit 40 discharges gas only from the chamber 21 of the processing unit 20C (step S25). That is, the gas discharge unit 40 does not discharge gas from the chamber 21 of the processing unit 20A and the processing unit 20B. Then, the conductance detection unit 25 measures the conductance corresponding to the processing unit 20C (step S26). Specifically, the pressure sensor 251 measures the pressure in the chamber 21 of the processing unit 20C and outputs it to the control unit 80. The control unit 80 grasps the information regarding the pressure (for example, the ultimate vacuum degree) as the conductance value corresponding to the processing unit 20C.

制御部８０は各コンダクタンス値をコンダクタンスデータとして記憶媒体８２１に記憶させる。これにより、記憶媒体８２１には、個別排出管４１の配管形状に応じたコンダクタンスのばらつきを反映したコンダクタンスデータが記憶される。このコンダクタンスデータには、チャンバ２１内の圧力に関する情報がコンダクタンス値として含まれることとなる。 The control unit 80 stores each conductance value in the storage medium 821 as conductance data. As a result, the storage medium 821 stores conductance data that reflects the variation in conductance according to the pipe shape of the individual discharge pipe 41. This conductance data will include information about the pressure in the chamber 21 as a conductance value.

制御部８０はコンダクタンス値のばらつきが小さくなるように、コンダクタンス調整部４４のコンダクタンス制御量を求める。ここでいうコンダクタンス制御量とは、コンダクタンス調整部４４の可動部材４６の位置（または変位量）を示す制御量である。コンダクタンス値とコンダクタンス制御量との関係は例えば実験またはシミュレーションにより予め設定される。 The control unit 80 obtains the conductance control amount of the conductance adjustment unit 44 so that the variation in the conductance value becomes small. The conductance control amount referred to here is a control amount indicating the position (or displacement amount) of the movable member 46 of the conductance adjustment unit 44. The relationship between the conductance value and the conductance control amount is preset, for example, by an experiment or a simulation.

制御部８０は当該コンダクタンス制御量に基づいて、コンダクタンス調整部４４を制御する。これにより、個別排出管４１の形状的な相違に起因したコンダクタンスのばらつきを低減させることができる。 The control unit 80 controls the conductance adjustment unit 44 based on the conductance control amount. As a result, it is possible to reduce the variation in conductance caused by the difference in the shape of the individual discharge pipe 41.

制御部８０はコンダクタンス調整部４４をコンダクタンス制御量に基づいて制御した上で、処理レシピに基づいて基板処理装置１００を制御する。これにより、コンダクタンスのばらつきを低減させた状態で、基板処理装置１００が基板Ｗを順次に処理する。したがって、基板Ｗに対する処理ユニット２０間の処理ばらつきを低減させることができる。特に図１のように処理ユニット２０が鉛直方向において並んでいる場合には、配管形状に起因したコンダクタンスのばらつきが非常に大きくなるので、コンダクタンス調整部４４による調整は特に有益である。 The control unit 80 controls the conductance adjusting unit 44 based on the conductance control amount, and then controls the substrate processing apparatus 100 based on the processing recipe. As a result, the substrate processing apparatus 100 sequentially processes the substrate W in a state where the variation in conductance is reduced. Therefore, it is possible to reduce the processing variation between the processing units 20 for the substrate W. In particular, when the processing units 20 are arranged in the vertical direction as shown in FIG. 1, the conductance variation due to the pipe shape becomes very large, so that the adjustment by the conductance adjusting unit 44 is particularly useful.

＜処理状態によるコンダクタンスのばらつき＞
次に、全体処理状態の変化によるコンダクタンスの変化も考慮した実施例について述べる。コンダクタンスは上述のように全体処理状態によって変動するので、その全体処理状態に応じたコンダクタンスを把握するために、事前のコンダクタンス値の取得処理において、全体処理状態に応じたコンダクタンスデータを取得する。 <Variation of conductance depending on the processing state>
Next, an example will be described in which a change in conductance due to a change in the overall processing state is also taken into consideration. Since the conductance varies depending on the overall processing state as described above, in order to grasp the conductance according to the overall processing state, the conductance data corresponding to the overall processing state is acquired in the prior conductance value acquisition process.

図７は、コンダクタンス値の取得処理の一例を示すフローチャートである。この取得処理も例えば基板処理装置１００の据え付け時に行われる。まず、制御部８０は全体処理状態を一つ選択する（ステップＳ１１）。 FIG. 7 is a flowchart showing an example of the conductance value acquisition process. This acquisition process is also performed, for example, when the substrate processing device 100 is installed. First, the control unit 80 selects one overall processing state (step S11).

次に制御部８０は、選択された全体処理状態で基板処理装置１００を制御しつつ、その全体処理状態でのコンダクタンス値をコンダクタンス検出部２５によって取得する（ステップＳ１２）。初期的には、例えば（１００）を全体処理状態として採用する。これにより、制御部８０は全体処理状態（１００）における各処理ユニット２０に対応するコンダクタンス値を取得することができる。 Next, the control unit 80 controls the substrate processing apparatus 100 in the selected overall processing state, and acquires the conductance value in the overall processing state by the conductance detection unit 25 (step S12). Initially, for example, (100) is adopted as the overall processing state. As a result, the control unit 80 can acquire the conductance value corresponding to each processing unit 20 in the overall processing state (100).

なお、取得処理では実際に基板Ｗを処理する必要はない。つまり、基板Ｗの搬出入を行わなくてもよい。また、取得処理では、ガスの給排気の状態が各全体処理状態とある程度同様であればよいので、必ずしも処理ガスおよびキャリアガスの両方を供給する必要はなく、いずれか一方のみでもよい。 It is not necessary to actually process the substrate W in the acquisition process. That is, it is not necessary to carry in and out the substrate W. Further, in the acquisition process, since the gas supply / exhaust state may be similar to each overall processing state to some extent, it is not always necessary to supply both the processing gas and the carrier gas, and only one of them may be used.

次に制御部８０は、全ての全体処理状態でのコンダクタンス値を取得したか否かを判断する（ステップＳ１３）。全ての全体処理状態でのコンダクタンス値を未だ取得していないときには、制御部８０はステップＳ１１にて別の全体処理状態を選択し、ステップＳ１２，Ｓ１３を順に実行する。全ての全体処理状態でのコンダクタンス値を取得したときには、制御部８０は全体処理状態ごと、かつ、処理ユニット２０ごとのコンダクタンス値を含むコンダクタンスデータを非一時的な記憶媒体８２１に記憶させる。 Next, the control unit 80 determines whether or not the conductance values in all the overall processing states have been acquired (step S13). When the conductance values in all the overall processing states have not yet been acquired, the control unit 80 selects another overall processing state in step S11, and executes steps S12 and S13 in order. When the conductance values in all the overall processing states are acquired, the control unit 80 stores the conductance data including the conductance values for each overall processing state and each processing unit 20 in the non-temporary storage medium 821.

下表は、図７の取得処理によって取得されたコンダクタンスデータを示す表である。 The table below is a table showing conductance data acquired by the acquisition process of FIG. 7.

Figure 2022073539000002
Figure 2022073539000002

表１には、コンダクタンス値ＰＡ１～ＰＡ４，ＰＢ１～ＰＢ４，ＰＣ１～ＰＣ４が示されている。例えば、コンダクタンス値ＰＡ１は、処理状態（１００）における処理ユニット２０Ａについてのコンダクタンスを示すデータであり、例えば、到達真空度である。 Table 1 shows conductance values PA1 to PA4, PB1 to PB4, and PC1 to PC4. For example, the conductance value PA1 is data indicating the conductance of the processing unit 20A in the processing state (100), and is, for example, the ultimate vacuum degree.

＜基板処理装置の動作＞
図８は、基板処理の一例を示すフローチャートであり、基板処理装置１００の動作を、コンダクタンス調整部４４の制御を中心に説明するためのフローチャートである。まず、制御部８０は処理レシピに基づいて、各期間の全処理ユニット２０の処理状態を特定する（ステップＳ１）。つまり、制御部８０は処理状態のタイムスケジュールを特定する。図４の例に即して説明すると、制御部８０は期間Ｔ１～Ｔ５における全体処理状態を処理レシピに基づいて、それぞれ（１００）、（１１０）、（１１１）、（０１１）および（００１）と特定する。 <Operation of board processing device>
FIG. 8 is a flowchart showing an example of substrate processing, and is a flowchart for explaining the operation of the substrate processing apparatus 100, focusing on the control of the conductance adjusting unit 44. First, the control unit 80 specifies the processing state of all the processing units 20 in each period based on the processing recipe (step S1). That is, the control unit 80 specifies the time schedule of the processing state. Explaining according to the example of FIG. 4, the control unit 80 sets the overall processing state in the periods T1 to T5 based on the processing recipe, respectively (100), (110), (111), (011) and (001). To specify.

次に、制御部８０は、ステップＳ１において特定した各期間の全体処理状態と、記憶媒体８２１に記憶されたコンダクタンスデータとに基づいて、コンダクタンスのばらつきが低減するように、各期間におけるコンダクタンス調整部４４を制御する。例えば、制御部８０は各期間におけるコンダクタンス制御量をコンダクタンスデータに基づいて求める。ここでいうコンダクタンス制御量とは、コンダクタンス調整部４４の可動部材４６の位置（または変位量）を示す制御量である。 Next, the control unit 80 is a conductance adjusting unit in each period so as to reduce the variation in conductance based on the overall processing state of each period specified in step S1 and the conductance data stored in the storage medium 821. Controls 44. For example, the control unit 80 obtains the conductance control amount in each period based on the conductance data. The conductance control amount referred to here is a control amount indicating the position (or displacement amount) of the movable member 46 of the conductance adjustment unit 44.

期間Ｔ１における処理状態は（１００）であるので、制御部８０は期間Ｔ１におけるコンダクタンス調整部４４Ａのコンダクタンス制御量を、コンダクタンス値ＰＡ１に基づいて求める。同様に、期間Ｔ２における処理状態は（１１０）であるので、制御部８０は、期間Ｔ２におけるコンダクタンス調整部４４Ａ，４４Ｂのコンダクタンス制御量を、それぞれ、コンダクタンス値ＰＡ２，ＰＢ２に基づいて求める。同様にして、制御部８０は、期間Ｔ３におけるコンダクタンス調整部４４Ａ～４４Ｃのコンダクタンス制御量を、それぞれ、コンダクタンス値ＰＡ４～ＰＣ４に基づいて求め、期間Ｔ４におけるコンダクタンス調整部４４Ｂ，４４Ｃのコンダクタンス制御量を、それぞれ、コンダクタンス値ＰＢ３，ＰＣ２に基づいて求め、期間Ｔ５におけるコンダクタンス調整部４４Ｃのコンダクタンス制御量を、コンダクタンス値ＰＣ３に基づいて求める。各コンダクタンス値とコンダクタンス制御量との関係は予め実験またはシミュレーションにより設定されてもよい。 Since the processing state in the period T1 is (100), the control unit 80 obtains the conductance control amount of the conductance adjusting unit 44A in the period T1 based on the conductance value PA1. Similarly, since the processing state in the period T2 is (110), the control unit 80 obtains the conductance control amounts of the conductance adjusting units 44A and 44B in the period T2 based on the conductance values PA2 and PB2, respectively. Similarly, the control unit 80 obtains the conductance control amounts of the conductance adjustment units 44A to 44C in the period T3 based on the conductance values PA4 to PC4, respectively, and determines the conductance control amounts of the conductance adjustment units 44B and 44C in the period T4. , Each of which is obtained based on the conductance values PB3 and PC2, and the conductance control amount of the conductance adjusting unit 44C in the period T5 is obtained based on the conductance value PC3. The relationship between each conductance value and the conductance control amount may be set in advance by experiment or simulation.

次に、制御部８０は、ステップＳ１で特定したタイムスケジュールおよびステップＳ２で求めたコンダクタンス制御量に基づいて、基板Ｗを各処理ユニット２０に順次に搬送させつつ、各処理ユニット２０に基板Ｗに対するドライ処理を行わせる（ステップＳ３）。これにより、制御部８０は期間Ｔ１において、コンダクタンス値ＰＡ１に基づいたコンダクタンス制御量でコンダクタンス調整部４４Ａを制御しつつ、処理ユニット２０Ａにドライ処理を行わせる。また制御部８０は期間Ｔ２において、コンダクタンス値ＰＡ２，ＰＢ２に基づいた制御量でコンダクタンス調整部４４Ａ，４４Ｂをそれぞれ制御しつつ、処理ユニット２０Ａ，２０Ｂにドライ処理を行わせる。以下、同様にして、制御部８０は期間Ｔ３～Ｔ５についてコンダクタンス調整部４４を制御しつつ、各処理ユニット２０にドライ処理を行わせる。 Next, the control unit 80 sequentially conveys the substrate W to each processing unit 20 based on the time schedule specified in step S1 and the conductance control amount obtained in step S2, and causes each processing unit 20 to with respect to the substrate W. The dry treatment is performed (step S3). As a result, the control unit 80 causes the processing unit 20A to perform dry processing while controlling the conductance adjusting unit 44A with the conductance control amount based on the conductance value PA1 in the period T1. Further, in the period T2, the control unit 80 causes the processing units 20A and 20B to perform dry processing while controlling the conductance adjustment units 44A and 44B with the control amounts based on the conductance values PA2 and PB2, respectively. Hereinafter, in the same manner, the control unit 80 causes each processing unit 20 to perform dry processing while controlling the conductance adjusting unit 44 for the periods T3 to T5.

以上のように、制御部８０はフィードフォワード制御により、処理ユニット２０の全体処理状態に応じてコンダクタンス調整部４４を制御している。これにより、各期間Ｔ１～Ｔ５において、コンダクタンスのばらつきを全体処理状態に応じて適切に低減させることができる。したがって、チャンバ２１内の圧力の処理ユニット２０間のばらつきをさらに低減させることができ、基板Ｗに対する処理ユニット２０間の処理ばらつきもさらに低減させることができる。 As described above, the control unit 80 controls the conductance adjusting unit 44 according to the overall processing state of the processing unit 20 by feedforward control. Thereby, in each period T1 to T5, the variation in conductance can be appropriately reduced according to the overall processing state. Therefore, the variation in the pressure in the chamber 21 between the processing units 20 can be further reduced, and the processing variation between the processing units 20 with respect to the substrate W can be further reduced.

＜コンダクタンスデータの更新＞
各処理ユニット２０に対する配管のコンダクタンスは経時的に変化し得る。例えば排気ポンプ４３の排気能力が経時的に劣化したり、あるいは、ドライ処理により生じる各排出配管の経時変化(反応生成物の堆積等)などの諸要因によって、コンダクタンスは変動し得る。 <Update of conductance data>
The conductance of the piping for each processing unit 20 can change over time. For example, the conductance may fluctuate due to various factors such as deterioration of the exhaust capacity of the exhaust pump 43 over time, or changes over time in each exhaust pipe (accumulation of reaction products, etc.) caused by the dry treatment.

そこで、制御部８０はコンダクタンスデータの取得処理（図６または図７）を例えば所定時間ごとに行うことで、記憶媒体８２１に格納されたコンダクタンスデータを更新してもよい。つまり、制御部８０は最新の取得処理によって測定されたコンダクタンス値を用いて、記憶媒体８２１のコンダクタンスデータを更新してもよい。これによれば、経時変化に対応した最新のコンダクタンスデータを得ることができる。よって、制御部８０が最新のコンダクタンスデータを用いてコンダクタンス調整部４４を制御することができ、経時変化によるコンダクタンスのばらつきも低減させることができる。よって、経時変化が生じても、処理ユニット２０の間の処理ばらつきを適切に低減させることができる。 Therefore, the control unit 80 may update the conductance data stored in the storage medium 821 by, for example, performing a conductance data acquisition process (FIG. 6 or FIG. 7) at predetermined time intervals. That is, the control unit 80 may update the conductance data of the storage medium 821 using the conductance value measured by the latest acquisition process. According to this, the latest conductance data corresponding to the change with time can be obtained. Therefore, the control unit 80 can control the conductance adjusting unit 44 using the latest conductance data, and the variation in conductance due to the change with time can be reduced. Therefore, even if a change with time occurs, the processing variation between the processing units 20 can be appropriately reduced.

しかも上述の例では、コンダクタンス値として、圧力に関する情報を採用している。これによれば、圧力センサ２５１によって圧力を測定できるので、コンダクタンス値を簡単に得ることができる。 Moreover, in the above example, information on pressure is adopted as the conductance value. According to this, since the pressure can be measured by the pressure sensor 251, the conductance value can be easily obtained.

＜第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、各処理ユニット２０の処理状態をドライ処理の実行状態と待機状態との２つで表現した。第２の実施の形態では、ドライ処理の具体的な手順に応じて実行状態をさらに細分化する。 <Second embodiment>
In the first embodiment, the processing state of each processing unit 20 is represented by two states, a dry processing execution state and a standby state. In the second embodiment, the execution state is further subdivided according to the specific procedure of the dry treatment.

ここで、ドライ処理の具体的な手順の一例について述べる。まず、処理ユニット２０のチャンバ２１内に基板Ｗが搬入される（搬入工程）。続いて、ガス排出部４０はチャンバ２１からガスを排出する（高真空工程）。高真空工程では、ガス供給部６０によるガスの供給が行われず、チャンバ２１内の圧力がベース圧力まで減圧される。これにより、チャンバ２１内のガスの大部分が排出され、チャンバ２１内の雰囲気の清浄度を向上させることができる。なお、基板Ｗの搬入はチャンバ２１内の圧力がベース圧力となった状態で行われてもよい。 Here, an example of a specific procedure of the dry treatment will be described. First, the substrate W is carried into the chamber 21 of the processing unit 20 (carrying step). Subsequently, the gas discharge unit 40 discharges gas from the chamber 21 (high vacuum step). In the high vacuum step, the gas is not supplied by the gas supply unit 60, and the pressure in the chamber 21 is reduced to the base pressure. As a result, most of the gas in the chamber 21 is discharged, and the cleanliness of the atmosphere in the chamber 21 can be improved. The substrate W may be carried in with the pressure in the chamber 21 as the base pressure.

次に、ガス供給部６０はキャリアガスを含むガスをチャンバ２１内に供給する（調圧工程）。調圧工程では、チャンバ２１内の圧力がドライ処理に適した処理圧力となるように調整される。次に、ガス供給部６０はキャリアガスに加えて処理ガスもチャンバ２１内に供給する（実処理工程）。実処理工程では、チャンバ２１内の圧力が処理圧力となるように調整されつつ、処理ガスによって基板Ｗに対する実質的な処理が行われる。 Next, the gas supply unit 60 supplies a gas containing a carrier gas into the chamber 21 (pressure adjustment step). In the pressure adjusting step, the pressure in the chamber 21 is adjusted to be a processing pressure suitable for dry processing. Next, the gas supply unit 60 supplies the processing gas into the chamber 21 in addition to the carrier gas (actual processing step). In the actual processing step, the substrate W is substantially processed by the processing gas while the pressure in the chamber 21 is adjusted to be the processing pressure.

基板Ｗに対する処理が十分に行われると、ガス供給部６０はキャリアガスおよび処理ガスの供給を停止してドライ処理を終了させる。これにより、チャンバ２１内の圧力が再びベース圧力まで低下する。その後、処理済みの基板Ｗが基板搬送部によってチャンバ２１内から搬出される（搬出工程）。 When the processing to the substrate W is sufficiently performed, the gas supply unit 60 stops the supply of the carrier gas and the processing gas to end the dry processing. As a result, the pressure in the chamber 21 drops to the base pressure again. After that, the processed substrate W is carried out from the chamber 21 by the substrate transport unit (delivery step).

以上のように、ドライ処理において、チャンバ２１内の圧力は、一旦、キャリアガスによって調整され、その後、処理ガスが追加的に供給される。そこで、第２の実施の形態では、ドライ処理の実行状態を、キャリアガスのみが供給される調圧状態と、キャリアガスおよび処理ガスの両方が供給される実処理状態とに分けて考える。 As described above, in the dry treatment, the pressure in the chamber 21 is once adjusted by the carrier gas, and then the treatment gas is additionally supplied. Therefore, in the second embodiment, the execution state of the dry treatment is divided into a pressure control state in which only the carrier gas is supplied and an actual treatment state in which both the carrier gas and the treatment gas are supplied.

図９は、基板処理装置１００のタイミングチャートの一例を示す図である。図９では、チャンバ２１内の圧力の時間変化の一例も模式的に示されている。また、図９では、各処理ユニット２０の処理状態として、実処理状態、調圧状態および待機状態がそれぞれ「実処理」、「調圧」および「待機」で示されている。 FIG. 9 is a diagram showing an example of a timing chart of the substrate processing apparatus 100. In FIG. 9, an example of the time change of the pressure in the chamber 21 is also schematically shown. Further, in FIG. 9, as the processing state of each processing unit 20, the actual processing state, the pressure adjusting state, and the standby state are indicated by “actual processing”, “pressure adjusting”, and “standby”, respectively.

図９の例では、時刻ｔ１において、処理ユニット２０Ａに基板Ｗが搬入される。ここでは、基板Ｗの搬入はチャンバ２１内の圧力がベース圧力となった状態で行われる。処理ユニット２０Ａは基板Ｗの搬入後に速やかに調圧工程を開始する。処理ユニット２０Ａのチャンバ２１内の圧力が処理圧力に調整されると、時刻ｔ１１において、処理ユニット２０Ａは実処理工程を開始する。 In the example of FIG. 9, the substrate W is carried into the processing unit 20A at time t1. Here, the substrate W is carried in in a state where the pressure in the chamber 21 becomes the base pressure. The processing unit 20A immediately starts the pressure adjusting process after the substrate W is carried in. When the pressure in the chamber 21 of the processing unit 20A is adjusted to the processing pressure, the processing unit 20A starts the actual processing process at time t11.

図９の例では、時刻ｔ１１の後の時刻ｔ２において、処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１に基板Ｗが搬入される。処理ユニット２０Ｂは基板Ｗの搬入後に速やかに調圧工程を開始する。処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１内の圧力が処理圧力に調整されると、時刻ｔ２１において、処理ユニット２０Ｂは実処理工程を開始する。 In the example of FIG. 9, the substrate W is carried into the chamber 21 of the processing unit 20B at the time t2 after the time t11. The processing unit 20B immediately starts the pressure adjusting process after the substrate W is carried in. When the pressure in the chamber 21 of the processing unit 20B is adjusted to the processing pressure, the processing unit 20B starts the actual processing process at time t21.

図９の例では、時刻ｔ２１の後の時刻ｔ３において、処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１に基板Ｗが搬入される。処理ユニット２０Ｃは、基板Ｗの搬入後に速やかに調圧工程を開始する。処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１内の圧力が処理圧力に調整されると、時刻ｔ３１において、処理ユニット２０Ｃは実処理工程を開始する。 In the example of FIG. 9, the substrate W is carried into the chamber 21 of the processing unit 20C at the time t3 after the time t21. The processing unit 20C immediately starts the pressure adjusting process after the substrate W is carried in. When the pressure in the chamber 21 of the processing unit 20C is adjusted to the processing pressure, the processing unit 20C starts the actual processing process at time t31.

図９の例では、時刻ｔ３１の後の時刻ｔ４において処理ユニット２０Ａがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ａのチャンバ２１から搬出される。また、時刻ｔ４よりも後の時刻ｔ５において、処理ユニット２０Ｂがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｂのチャンバ２１から搬出される。また、時刻ｔ５よりも後の時刻ｔ６において、処理ユニット２０Ｃがドライ処理を終了し、処理済みの基板Ｗが処理ユニット２０Ｃのチャンバ２１から搬出される。 In the example of FIG. 9, the processing unit 20A finishes the dry processing at the time t4 after the time t31, and the processed substrate W is carried out from the chamber 21 of the processing unit 20A. Further, at a time t5 after the time t4, the processing unit 20B finishes the dry processing, and the processed substrate W is carried out from the chamber 21 of the processing unit 20B. Further, at a time t6 after the time t5, the processing unit 20C finishes the dry processing, and the processed substrate W is carried out from the chamber 21 of the processing unit 20C.

図９の例では、処理ユニット２０の全体処理状態が３つの数字の並びで示されている。ここでは、実処理状態、調圧状態および待機状態がそれぞれ「２」、「１」、「０」で表現されている。例えば図９では、時刻ｔ１から時刻ｔ１１までの期間における全体処理状態は（１００）である。 In the example of FIG. 9, the overall processing state of the processing unit 20 is shown by a sequence of three numbers. Here, the actual processing state, the pressure adjustment state, and the standby state are represented by "2", "1", and "0", respectively. For example, in FIG. 9, the overall processing state in the period from time t1 to time t11 is (100).

図９の例では、全体処理状態として（１００）、（２００）、（２１０）、（２２０）、（２２１）、（２２２）、（０２２）および（００２）が示されている。しかしながら、各工程のタイミングは処理レシピに応じて変化するので、全体処理状態のタイムスケジュールは図８に限らない。つまり、処理レシピによっては、図９に示された数字列以外の数字列も登場し得る。例えば、処理ユニット２０Ｂへ基板Ｗが搬入される時刻ｔ２が時刻ｔ１１よりも早まれば、時刻ｔ２から時刻ｔ１１までの期間の全体処理状態は（１１０）となる。 In the example of FIG. 9, (100), (200), (210), (220), (221), (222), (022) and (002) are shown as the total processing states. However, since the timing of each step changes according to the processing recipe, the time schedule of the entire processing state is not limited to FIG. That is, depending on the processing recipe, a number string other than the number string shown in FIG. 9 may appear. For example, if the time t2 at which the substrate W is carried into the processing unit 20B is earlier than the time t11, the overall processing state during the period from the time t2 to the time t11 is (110).

全体処理状態の総組み合わせ数は、次のように算出される。すなわち、処理ユニット２０の数（ここでは３）を指数とした処理状態の数（ここでは３）の累乗から１（全てが待機状態である組）を引くことで、総組み合わせ数が算出される。上述の例では、総組み合わせ数は２６通りである。 The total number of combinations in the total processing state is calculated as follows. That is, the total number of combinations is calculated by subtracting 1 (a set in which all are in standby states) from the power of the number of processing states (here 3) with the number of processing units 20 (here 3) as an exponent. .. In the above example, the total number of combinations is 26.

第２の実施の形態では、２６通りの組み合わせの各々において、各処理ユニット２０についてのコンダクタンスを予め取得し、当該コンダクタンスをコンダクタンスデータとして記憶媒体８２１に予め記憶しておく。コンダクタンスデータの取得処理の一例は図７のフローチャートと同様である。ただし、選択される全体処理状態は２６通りある。これにより、処理ユニット２０Ａに対するコンダクタンス値が２６通りの全体処理状態ごとに取得され、処理ユニット２０Ｂに対するコンダクタンス値が２６通りの全体処理状態ごとに取得され、処理ユニット２０Ｃに対するコンダクタンス値が２６通りの全体処理状態ごとに取得される。そして、これらのコンダクタンス値を含むコンダクタンスデータが記憶媒体８２１に記憶される。 In the second embodiment, the conductance for each processing unit 20 is acquired in advance in each of the 26 combinations, and the conductance is stored in advance in the storage medium 821 as conductance data. An example of the conductance data acquisition process is the same as the flowchart of FIG. 7. However, there are 26 types of total processing states to be selected. As a result, the conductance value for the processing unit 20A is acquired for each of the 26 overall processing states, the conductance value for the processing unit 20B is acquired for each of the 26 overall processing states, and the conductance value for the processing unit 20C is 26 for the entire processing state. Obtained for each processing status. Then, the conductance data including these conductance values is stored in the storage medium 821.

第２の実施の形態における基板処理装置１００の動作の一例も図８のフローチャートに示す通りである。まず、制御部８０は、処理レシピに基づいて、各期間の処理ユニット２０の全体処理状態を特定する（ステップＳ１）。つまり、制御部８０は全体処理状態のタイムスケジュールを特定する。図９の例に即して説明すると、制御部８０は各期間における全体処理状態を処理レシピに基づいて、それぞれ（１００）、（２００）、（２１０）、（２２０）、（２２１）、（２２２）、（０２２）および（００２）と特定する。 An example of the operation of the substrate processing apparatus 100 in the second embodiment is also as shown in the flowchart of FIG. First, the control unit 80 specifies the overall processing state of the processing unit 20 for each period based on the processing recipe (step S1). That is, the control unit 80 specifies the time schedule of the entire processing state. Explaining according to the example of FIG. 9, the control unit 80 sets the overall processing state in each period based on the processing recipe, (100), (200), (210), (220), (221), ( 222), (022) and (002).

次に、制御部８０は、ステップＳ１において特定した各期間の全体処理状態と、記憶媒体８２１に記憶されたコンダクタンスデータとに基づいて、各期間においてコンダクタンスのばらつきが低減するように、各期間におけるコンダクタンス調整部４４のコンダクタンス制御量を求める。コンダクタンス制御量の求め方は第１の実施の形態と同様である。ここでは一例として、時刻ｔ２から時刻ｔ２１までの期間に着目して説明しておく。当該期間おける全体処理状態は（２１０）である。よって、制御部８０は、記憶媒体８２１に記憶されたコンダクタンスデータから、（２１０）の全体処理状態における処理ユニット２０Ａおよび処理ユニット２０Ｂのコンダクタンス値を特定し、当該コンダクタンス値に基づいてそれぞれ、コンダクタンス調整部４４Ａおよびコンダクタンス調整部４４Ｂのコンダクタンス制御量を求める。 Next, the control unit 80 in each period so as to reduce the variation in conductance in each period based on the overall processing state of each period specified in step S1 and the conductance data stored in the storage medium 821. The conductance control amount of the conductance adjustment unit 44 is obtained. The method of obtaining the conductance control amount is the same as that of the first embodiment. Here, as an example, the period from time t2 to time t21 will be focused on. The overall processing state during the period is (210). Therefore, the control unit 80 specifies the conductance values of the processing unit 20A and the processing unit 20B in the overall processing state of (210) from the conductance data stored in the storage medium 821, and adjusts the conductance, respectively, based on the conductance values. The conductance control amount of the unit 44A and the conductance adjusting unit 44B is obtained.

次に、制御部８０は、ステップＳ１で特定したタイムスケジュールおよびステップＳ２で求めたコンダクタンス制御量に基づいて、基板Ｗを各処理ユニット２０に順次に搬送させつつ、各処理ユニット２０に基板Ｗに対するドライ処理を行わせる（ステップＳ３）。 Next, the control unit 80 sequentially conveys the substrate W to each processing unit 20 based on the time schedule specified in step S1 and the conductance control amount obtained in step S2, and causes each processing unit 20 to with respect to the substrate W. The dry treatment is performed (step S3).

これにより、各期間において、各処理ユニット２０についての配管のコンダクタンスのばらつきを低減させることができる。第２の実施の形態では、処理状態をより細かく分類しているので、配管のコンダクタンスのばらつきをさらに低減させることができる。したがって、圧力の処理ユニット２０間のばらつきをさらに低減させることができ、基板Ｗに対する処理ユニット２０間の処理ばらつきをさらに低減させることができる。 Thereby, it is possible to reduce the variation in the conductance of the piping for each processing unit 20 in each period. In the second embodiment, since the processing states are classified in more detail, the variation in the conductance of the piping can be further reduced. Therefore, the variation in pressure between the processing units 20 can be further reduced, and the processing variation between the processing units 20 with respect to the substrate W can be further reduced.

＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態にかかる基板処理装置１００は第１または第２の実施の形態と同様である。第３の実施の形態では、コンダクタンス調整部４４の具体的な構成の他の例について述べる。 <Third embodiment>
The substrate processing apparatus 100 according to the third embodiment is the same as that of the first or second embodiment. In the third embodiment, another example of a specific configuration of the conductance adjusting unit 44 will be described.

図１０は、コンダクタンス調整部４４の構成の他の一例を概略的に示す図である。図１０の例では、コンダクタンス調整部４４はベローズ４８１と駆動機構４８２とを含む。ベローズ４８１は蛇腹状の筒状形状を有しており、伸縮自在である。具体的には、ベローズ４８１は筒状の中心軸に沿う方向において、伸縮自在である。ベローズ４８１は個別排出管４１に介装されており、ベローズ４８１の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成する。ベローズ４８１はその伸縮方向の両端が個別排出管４１に接続される。 FIG. 10 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the conductance adjusting unit 44. In the example of FIG. 10, the conductance adjusting unit 44 includes a bellows 481 and a drive mechanism 482. The bellows 481 has a bellows-like cylindrical shape and is expandable and contractible. Specifically, the bellows 481 is expandable and contractible in the direction along the central axis of the cylinder. The bellows 481 is interposed in the individual discharge pipe 41, and the internal space of the bellows 481 constitutes a part of the flow path of the individual discharge pipe 41. Both ends of the bellows 481 in the expansion / contraction direction are connected to the individual discharge pipe 41.

駆動機構４８２は制御部８０によって制御され、ベローズ４８１の伸縮方向の長さを調整する。駆動機構４８２は例えばベローズ４８１の両端に連結され、その両端の間の間隔（つまり、ベローズ４８１の伸縮方向の長さ）を調整する。駆動機構４８２は例えばボールねじ機構またはリニアモータを含む。駆動機構４８２はベローズ４８１を収縮させることにより、個別排出管４１の全体の長さ（配管長）を短くすることができる。つまり、コンダクタンスを高めることができる。駆動機構４８２がベローズ４８１を伸長させることにより、個別排出管４１の配管長を長くすることができる。つまり、コンダクタンスを低めることができる。 The drive mechanism 482 is controlled by the control unit 80, and adjusts the length of the bellows 481 in the expansion / contraction direction. The drive mechanism 482 is connected to, for example, both ends of the bellows 481 and adjusts the distance between the ends (that is, the length of the bellows 481 in the expansion / contraction direction). The drive mechanism 482 includes, for example, a ball screw mechanism or a linear motor. By contracting the bellows 481, the drive mechanism 482 can shorten the overall length (pipe length) of the individual discharge pipe 41. That is, the conductance can be increased. By extending the bellows 481 by the drive mechanism 482, the pipe length of the individual discharge pipe 41 can be lengthened. That is, the conductance can be lowered.

図１１は、コンダクタンス調整部４４の構成の他の一例を概略的に示す図である。図１１の例では、コンダクタンス調整部４４は複数の並列管４９１と複数のバルブ４９２とを含む。複数の並列管４９１は互いに並列に接続され、個別排出管４１に介装される。図１０の例では、複数の並列管４９１として４つの並列管４９１ａ～４９１ｄが設けられる。各並列管４９１の内部空間は個別排出管４１の流路の一部を構成する。複数の並列管４９１の断面積は互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。なお、並列管４９１にオリフィスが介装される場合、そのオリフィスの開口面積（開口径）が複数の並列管４９１の間で異なっていてもよい。この構造でも、並列管４９１の断面積が互いに相違するといえる。 FIG. 11 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the conductance adjusting unit 44. In the example of FIG. 11, the conductance adjusting unit 44 includes a plurality of parallel pipes 491 and a plurality of valves 492. The plurality of parallel pipes 491 are connected in parallel to each other and are interposed in the individual discharge pipes 41. In the example of FIG. 10, four parallel pipes 491a to 491d are provided as a plurality of parallel pipes 491. The internal space of each parallel pipe 491 constitutes a part of the flow path of the individual discharge pipe 41. The cross-sectional areas of the plurality of parallel pipes 491 may be the same or different from each other. When an orifice is interposed in the parallel pipe 491, the opening area (opening diameter) of the orifice may be different among the plurality of parallel pipes 491. Even in this structure, it can be said that the cross-sectional areas of the parallel pipes 491 are different from each other.

複数のバルブ４９２は複数の並列管４９１に対応して設けられる。図１１の例では、４つの並列管４９１が設けられているので、４つのバルブ４９２が設けられている。各バルブ４９２は、対応する並列管４９１に介装される。バルブ４９２は制御部８０によって制御され、並列管４９１の流路の開閉を切り替える。バルブ４９２は例えばエア作動弁である。 The plurality of valves 492 are provided corresponding to the plurality of parallel pipes 491. In the example of FIG. 11, since four parallel pipes 491 are provided, four valves 492 are provided. Each valve 492 is interposed in a corresponding parallel tube 491. The valve 492 is controlled by the control unit 80 to switch the opening and closing of the flow path of the parallel pipe 491. The valve 492 is, for example, an air actuated valve.

複数のバルブ４９２の開閉状態が個別に切り替えられることにより、個別排出管４１の流路となる並列管４９１の総断面積を調整することができる。ここで、複数の並列管４９１の断面積が互いに異なる場合について述べる。並列管４９１ａ～４９１ｄの断面積はこの順で大きいものとする。つまり、並列管４９１ａの断面積が最も大きい。 By individually switching the open / closed state of the plurality of valves 492, the total cross-sectional area of the parallel pipe 491 that is the flow path of the individual discharge pipe 41 can be adjusted. Here, a case where the cross-sectional areas of the plurality of parallel pipes 491 are different from each other will be described. It is assumed that the cross-sectional areas of the parallel pipes 491a to 491d are larger in this order. That is, the cross-sectional area of the parallel pipe 491a is the largest.

ここでは、４つのバルブ４９２のいずれか一つのみを開くものとする。例えば並列管４９１ａに介装されたバルブ４９２のみを開くと、他のバルブ４９２を開く場合に比べて、個別排出管４１のコンダクタンスを最も高くすることができる。また、並列管４９１ｂに介装されたバルブ４９２のみを開くと、コンダクタンスをその次に高くすることができ、並列管４９１ｃに介装されたバルブ４９２のみを開くと、コンダクタンスをその次に高くすることができ、並列管４９１ｄに介装されたバルブ４９２のみを開くと、コンダクタンスを最も低くすることができる。このように断面積の異なる４つの並列管４９１が設けられていれば、少なくとも４段階でコンダクタンスを調整することができる。 Here, it is assumed that only one of the four valves 492 is opened. For example, when only the valve 492 interposed in the parallel pipe 491a is opened, the conductance of the individual discharge pipe 41 can be maximized as compared with the case where the other valves 492 are opened. Further, opening only the valve 492 interposed in the parallel pipe 491b can raise the conductance next, and opening only the valve 492 interposed in the parallel pipe 491c raises the conductance next. The conductance can be minimized by opening only the valve 492 interposed in the parallel pipe 491d. If four parallel pipes 491 having different cross sections are provided in this way, the conductance can be adjusted in at least four steps.

複数のバルブ４９２を同時に開いてもよい。この場合、４つのバルブ４９２の開閉状態の組み合わせに応じて、より多くの階調でコンダクタンスを調整することができる。またコンダクタンスの調整可能範囲を広くすることもできる。 A plurality of valves 492 may be opened at the same time. In this case, the conductance can be adjusted with more gradations according to the combination of the open / closed states of the four valves 492. It is also possible to widen the adjustable range of conductance.

また、このようなコンダクタンス調整部４４によれば、簡単な構造でコンダクタンスを調整できる。 Further, according to the conductance adjusting unit 44, the conductance can be adjusted with a simple structure.

＜変形例＞
第１の実施の形態では、処理ユニット２０の処理状態として２つの状態（実行状態および待機状態）を採用し、第２の実施の形態では、３つの状態（調圧状態、実処理状態および待機状態）を採用した。しかるに、処理状態はこれらの状態に限らない。要するに、個別排出管４１の圧力分布が他の処理状態と異なり得る状態を処理状態の一つとして採用すればよい。例えば、実処理工程において、チャンバ２１内の圧力を時間ともに変化させる場合、処理状態として、圧力が低い第１値に調整された低圧処理状態と、圧力がより高い第２値に調整された高圧処理状態とを採用してもよい。 <Modification example>
In the first embodiment, two states (execution state and standby state) are adopted as the processing states of the processing unit 20, and in the second embodiment, three states (pressure adjusting state, actual processing state and standby state) are adopted. State) was adopted. However, the processing state is not limited to these states. In short, a state in which the pressure distribution of the individual discharge pipe 41 may be different from other processing states may be adopted as one of the processing states. For example, in the actual processing step, when the pressure in the chamber 21 is changed with time, the processing state is a low pressure processing state adjusted to a low pressure first value and a high pressure adjusted to a higher pressure second value. The processing state may be adopted.

また、コンダクタンス調整部４４は互いに同じ構造を有していることが望ましいものの、異なる構造を有していてもよい。 Further, although it is desirable that the conductance adjusting units 44 have the same structure as each other, they may have different structures.

また、個別排出管４１には不図示の圧力調整部が介装され得る。当該圧力調整部は制御部８０によって制御され、個別排出管４１内のガスの圧力を調整する。圧力調整部は、例えばオートプレッシャーコントローラ（ＡＰＣ）であってもよい。この圧力調整部はガスの圧力が指示値に近づくように圧力を調整することができる。よって、チャンバ２１内の圧力を調整することができる。ここで、コンダクタンス調整部４４が設けられていない場合を考慮する。この場合、チャンバ２１内の圧力の処理ユニット２０間のばらつきを低減させるためには、圧力調整部がその開度を大きく調整させる必要がある。よって、圧力が所定の処理圧力となるまでの応答時間が長くなり得る。また、開度の調整可能範囲の広い圧力調整部を採用する必要がある。 Further, a pressure adjusting unit (not shown) may be interposed in the individual discharge pipe 41. The pressure adjusting unit is controlled by the control unit 80 to adjust the pressure of the gas in the individual discharge pipe 41. The pressure adjusting unit may be, for example, an auto pressure controller (APC). This pressure adjusting unit can adjust the pressure so that the pressure of the gas approaches the indicated value. Therefore, the pressure in the chamber 21 can be adjusted. Here, consider the case where the conductance adjusting unit 44 is not provided. In this case, in order to reduce the variation between the pressure processing units 20 in the chamber 21, the pressure adjusting unit needs to greatly adjust the opening degree. Therefore, the response time until the pressure reaches a predetermined processing pressure can be long. Further, it is necessary to adopt a pressure adjusting unit having a wide adjustable range of the opening degree.

これに対して、本実施の形態によれば、コンダクタンス調整部４４がコンダクタンスのばらつきを低減させることができる。よって、各圧力調整部はより小さい開度の調整量で圧力を処理圧力に調整することができる。したがって、より短時間で圧力を処理圧力に調整することができ、また、調整可能範囲の狭い圧力調整部を採用することもできる。 On the other hand, according to the present embodiment, the conductance adjusting unit 44 can reduce the variation in conductance. Therefore, each pressure adjusting unit can adjust the pressure to the processing pressure with an adjusting amount having a smaller opening degree. Therefore, the pressure can be adjusted to the processing pressure in a shorter time, and a pressure adjusting unit having a narrow adjustable range can be adopted.

また上述の例では、基板処理装置１００は、ドライ処理を行う処理ユニット２０を含んでいるものの、ウェット処理を行う処理ユニット（ウェット処理ユニット）が混在していてもよい。ウェット処理ユニットは、例えば基板Ｗに対する洗浄処理を行う。処理ユニット２０とウェット処理ユニットとの間で基板Ｗを搬送することにより、ドライ処理の前もしくは後に基板Ｗを洗浄することがきる。 Further, in the above example, although the substrate processing apparatus 100 includes the processing unit 20 for performing the dry processing, the processing units (wet processing units) for performing the wet processing may coexist. The wet processing unit performs cleaning processing on the substrate W, for example. By transporting the substrate W between the treatment unit 20 and the wet treatment unit, the substrate W can be washed before or after the dry treatment.

以上のように、基板処理装置１００は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において、例示であって、この基板処理装置１００がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施の形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 As described above, the substrate processing apparatus 100 has been described in detail, but the above description is exemplary in all aspects, and the substrate processing apparatus 100 is not limited thereto. It is understood that a myriad of variants not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure. The configurations described in the above embodiments and the modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not conflict with each other.

１００ 基板処理装置
２１ チャンバ
２２ 基板保持部
２５ コンダクタンス検出部
２８１ 記憶媒体
４１ 個別排出管
４２ 共通排出管
４３ 排気ポンプ
４４ コンダクタンス調整部
４５１ 底部
４５２ 側壁
４６ 可動部材
４７ 駆動機構
４９１ 並列管
４９２ バルブ
６０ ガス供給部
８０ 制御部
Ｗ 基板 100 Board processing device 21 Chamber 22 Conductance detector 281 Storage medium 41 Individual discharge pipe 42 Common discharge pipe 43 Exhaust pump 44 Conductance adjustment part 451 Bottom 452 Side wall 46 Movable member 47 Drive mechanism 491 Parallel pipe 492 Valve 60 Gas supply Unit 80 Control unit W board

Claims (8)

基板に対してドライ処理を行う基板処理装置であって、
前記基板に対してドライ処理を行う処理空間を形成する複数のチャンバと、
前記複数のチャンバにそれぞれ接続された複数の個別排出管と、
前記複数の個別排出管に接続された共通排出管と、
前記共通排出管に介装された排気ポンプと、
前記複数の個別排出管にそれぞれ介装され、前記複数の個別排出管の流路に繋がる内部空間を有し、前記内部空間の体積を調整する複数のコンダクタンス調整部と、
予め取得された、前記複数のチャンバの処理状態の組み合わせを示す全体処理状態ごとに、前記複数のチャンバの各々と前記排気ポンプとの間のコンダクタンスを示すコンダクタンスデータを記憶する記憶媒体と、
前記基板に対する処理手順を規定した処理レシピに基づいて、前記複数のチャンバの前記全体処理状態を特定し、特定された前記全体処理状態と、前記コンダクタンスデータとに基づいて、前記コンダクタンスの差が低減するように、前記コンダクタンス調整部を制御する制御部と
を備える、基板処理装置。 It is a board processing device that performs dry processing on the board.
A plurality of chambers forming a processing space for performing dry processing on the substrate, and
A plurality of individual discharge pipes connected to the plurality of chambers, respectively,
A common discharge pipe connected to the plurality of individual discharge pipes,
The exhaust pump installed in the common discharge pipe and
A plurality of conductance adjusting units that are interposed in the plurality of individual discharge pipes, have an internal space connected to the flow path of the plurality of individual discharge pipes, and adjust the volume of the internal space.
A storage medium for storing conductance data indicating conductance between each of the plurality of chambers and the exhaust pump for each overall processing state indicating a combination of processing states of the plurality of chambers acquired in advance.
The overall processing state of the plurality of chambers is specified based on a processing recipe that defines the processing procedure for the substrate, and the difference in conductance is reduced based on the specified overall processing state and the conductance data. A substrate processing apparatus including a control unit that controls the conductance adjustment unit. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理状態は、前記基板に対するドライ処理を実行する実行状態と、前記基板が搬入されていない待機状態とを含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1.
The processing state is a board processing apparatus including an execution state in which a dry process is executed on the substrate and a standby state in which the substrate is not carried in. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記複数のチャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記実行状態は、
前記ガス供給部が前記ガスとして不活性ガスを供給する調圧状態と、
前記ガス供給部が前記ガスとして、前記基板と作用する処理ガス、および、前記不活性ガスを供給する実処理状態とを含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2.
A gas supply unit that supplies gas into the plurality of chambers,
The execution state is
The pressure-adjusted state in which the gas supply unit supplies the inert gas as the gas,
A substrate processing apparatus including a processing gas in which the gas supply unit acts as the gas as the gas, and an actual processing state in which the inert gas is supplied. 請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記コンダクタンスを測定するコンダクタンス検出部を備え、
前記制御部は、前記コンダクタンス検出部によって測定された前記コンダクタンスを用いて、前記記憶媒体の前記コンダクタンスデータを更新する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
A conductance detector for measuring the conductance is provided.
The control unit is a substrate processing device that updates the conductance data of the storage medium by using the conductance measured by the conductance detection unit. 請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記コンダクタンスデータは、前記排気ポンプを作動させたときの前記チャンバ内の圧力に関する情報を、前記コンダクタンスとして含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
The conductance data includes information regarding the pressure in the chamber when the exhaust pump is operated as the conductance. 請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、
底部と、
前記底部の周縁に立設される側壁と、
前記底部に対して近接および離間する方向に変位し、前記底部および前記側壁とともに前記内部空間を形成する可動部材と
前記可動部材を変位させて、前記内部空間の体積を調整する駆動機構と
を含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
At least one of the plurality of conductance adjusting units is
At the bottom,
A side wall erected on the peripheral edge of the bottom and
It includes a movable member that is displaced in a direction toward and away from the bottom portion to form the internal space together with the bottom portion and the side wall, and a drive mechanism that displaces the movable member to adjust the volume of the internal space. , Substrate processing equipment. 請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記複数のコンダクタンス調整部の少なくとも一つは、
互いに並列に接続された複数の並列管と、
前記複数の並列管にそれぞれ介装された複数のバルブと
を含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
At least one of the plurality of conductance adjusting units is
Multiple parallel pipes connected in parallel with each other,
A substrate processing apparatus including a plurality of valves interposed in the plurality of parallel tubes. 請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記複数の並列管の断面積は互いに相違する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 7.
A substrate processing device in which the cross-sectional areas of the plurality of parallel pipes are different from each other.
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