JP2022057058A - Semiconductor memory device and manufacturing method thereof - Google Patents

Abstract

To provide an SD Express card including a high-speed PCIe I/F having a means for efficiently dissipating heat, and a manufacturing method of the SD Express card.SOLUTION: A control chip and a memory chip are implemented on a metal core substrate having a through-hole and covered with an adhesive film and heat spreader, and the heat spreader and the metal core substrate are connected to each other with a metal wire. By efficiently conducting the heat emitted from above the control chip and memory chip to the metal core substrate, the heat exhaust efficiency to the outside of the SD Express card is enhanced.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示は、ホスト装置に対し挿抜が可能な半導体メモリ装置、ならびにその製造方法に関する。 The present disclosure relates to a semiconductor memory device that can be inserted into and removed from a host device, and a method for manufacturing the same.

近年、フラッシュメモリ等の大容量の不揮発性記憶素子を備え、高速でのデータ処理が可能な、小型、挿抜可能なカード形状のＳＤカード、ＵＳＢメモリといった半導体メモリ装置が市場に普及している。このような半導体メモリ装置は、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、デジタルカメラ、オーディオプレーヤ及びカーナビゲーションシステム等のホスト装置と接続して利用されている。 In recent years, semiconductor memory devices such as small, insertable card-shaped SD cards and USB memories, which are equipped with a large-capacity non-volatile storage element such as a flash memory and are capable of high-speed data processing, have become widespread in the market. Such a semiconductor memory device is used by connecting to a host device such as a personal computer, a smartphone, a digital camera, an audio player, and a car navigation system.

図１は、従来ＳＤカード１００の端子配置を示した図である。従来ＳＤカード１００は、ホスト装置と接続するためのインターフェース（以下Ｉ／Ｆと略記）として、図１（ａ）に示すように１段目に配置されている９つの端子を有する。これらの各端子には、図１（ｂ）に示すように、３．３Ｖ電源であるＶＤＤ１（端子番号４）、グラウンドであるＶＳＳ１およびＶＳＳ２（端子番号３、６）、シングルエンド方式のクロック信号であるＣＬＫ（端子番号５）、コマンド信号であるはＣＭＤ（端子番号２）、データ信号であるＤＡＴ０、ＤＡＴ１、ＤＡＴ２、ＤＡＴ３（端子番号７、８、９、１）が割り当てられる。上記信号、電源、およびグラウンドから構成されるＩ／ＦをＳＤ Ｉ／Ｆと呼び、最大バス速度は１０４ＭＢ／ｓである。
昨今、ギガビットオーダーの高速Ｉ／Ｆとして差動シリアル方式を利用したＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ（以下ＰＣＩｅと略記）が注目されている。差動シリアル方式とは、ある信号Ｘについて、信号線Ｘ＋および信号線Ｘ－の２本の信号線の組により構成される伝送路を用いて信号を高速に伝送する方式である。 FIG. 1 is a diagram showing a terminal arrangement of a conventional SD card 100. Conventionally, the SD card 100 has nine terminals arranged in the first stage as shown in FIG. 1A as an interface (hereinafter abbreviated as I / F) for connecting to a host device. As shown in FIG. 1 (b), each of these terminals has a 3.3V power supply, VDD1 (terminal number 4), ground VSS1 and VSS2 (terminal numbers 3 and 6), and a single-ended clock signal. CLK (terminal number 5), CMD (terminal number 2) as a command signal, and DAT0, DAT1, DAT2, DAT3 (terminal numbers 7, 8, 9, 1) as data signals are assigned. The I / F composed of the above signal, power supply, and ground is called an SD I / F, and the maximum bus speed is 104 MB / s.
Recently, PCI Express (hereinafter abbreviated as PCIe) using a differential serial system as a high-speed I / F on the order of gigabit has been attracting attention. The differential serial system is a system in which a signal X is transmitted at high speed by using a transmission line composed of a set of two signal lines, a signal line X + and a signal line X−.

図２は、従来ＳＤカード１００にＰＣＩｅ Ｉ／Ｆ ２レーンを追加したＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００の端子配置を示した図である。このＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００は、図２（ａ）に示すように３段に配置されている計２７端子を有する。 FIG. 2 is a diagram showing a terminal arrangement of an SD Express card 200 in which a PCIe I / F 2 lane is added to a conventional SD card 100. The SD Express card 200 has a total of 27 terminals arranged in three stages as shown in FIG. 2 (a).

ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００は、ホスト装置からの指示により、ＳＤ Ｉ／ＦもしくはＰＣＩｅ Ｉ／Ｆのいずれか一方を選択してホスト装置と通信を行うことができる。またＰＣＩｅ Ｉ／Ｆを２レーン有することから、ＰＣＩｅ Ｉ／Ｆが選択された場合、最大２レーンを用いたＰＣＩｅ Ｉ／Ｆによる通信を行うことができる。 The SD Express card 200 can select either SD I / F or PCIe I / F to communicate with the host device according to an instruction from the host device. Further, since the PCIe I / F has two lanes, when the PCIe I / F is selected, it is possible to perform communication by the PCIe I / F using a maximum of two lanes.

ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００における各端子の割り当ては、図２（ｂ）に示す通りである。 The allocation of each terminal in the SD Express card 200 is as shown in FIG. 2 (b).

１段目の端子はＳＤ Ｉ／Ｆが選択された場合とＰＣＩｅ Ｉ／Ｆが選択された場合では各端子の信号割り当てが異なる。ＳＤ Ｉ／Ｆが選択された場合の端子割り当ては、従来ＳＤカード１００と共通である。一方ＰＣＩｅ Ｉ／Ｆが選択された場合、１段目の端子には、リセット信号であるＰＥＲＳＴ＃信号（端子番号１）、クロック要求信号であるＣＬＫＲＥＱ＃信号（端子番号９）、差動クロック信号であるＲＥＦＣＬＫ＋、ＲＥＦＣＬＫ－（端子番号７、８）というＰＣＩｅ制御信号が割り当てられる。なおＶＤＤ１、ＶＳＳ１、ＶＳＳ２は両Ｉ／Ｆで共通である。 As for the terminals of the first stage, the signal assignment of each terminal is different when SD I / F is selected and when PCIe I / F is selected. The terminal assignment when SD I / F is selected is the same as that of the conventional SD card 100. On the other hand, when PCIe I / F is selected, the reset signal PERST # signal (terminal number 1), the clock request signal CLKREQ # signal (terminal number 9), and the differential clock signal are connected to the first stage terminal. The PCIe control signals of REFCLK + and REFCLK- (terminal numbers 7 and 8) are assigned. Note that VDD1, VSS1, and VSS2 are common to both I / Fs.

さらにＰＣＩｅ Ｉ／Ｆが選択されたとき、２段目の端子には、１．８Ｖ電源であるＶＤＤ２（端子番号１４）、３．３Ｖ電源であるＶＤＤ１ａ（端子番号１９）、グラウンドであるＶＳＳ３、ＶＳＳ４、ＶＳＳ５（端子番号１０、１３、１７）、ＰＣＩｅ Ｉ／Ｆ １レーン目の差動データ信号であるＴＸ０＋、ＴＸ０－、ＲＸ０－、ＲＸ０＋（端子番号１１、１２、１５、１６）が割り当てられる。なお端子番号１８はＲｅｓｅｒｖｅｄとし、将来の拡張に備えるために現在は未割当である。 Further, when PCIe I / F is selected, the terminals of the second stage include VDD2 (terminal number 14) which is a 1.8V power supply, VDD1a (terminal number 19) which is a 3.3V power supply, and VSS3 which is a ground. VSS4, VSS5 (terminal numbers 10, 13, 17) and PCIe I / F TX0 +, TX0-, RX0-, RX0 + (terminal numbers 11, 12, 15, 16), which are differential data signals in the first lane, are assigned. .. The terminal number 18 is Reserved and is not currently assigned to prepare for future expansion.

加えて３段目の端子には、１．８Ｖ電源であるＶＤＤ２ａ（端子番号２４）、グラウンドであるＶＳＳ６、ＶＳＳ７、ＶＳＳ８（端子番号２０、２３、２７）、ＰＣＩｅ Ｉ／Ｆ ２レーン目の差動データ信号であるＴＸ１＋、ＴＸ１－、ＲＸ１－、ＲＸ１＋（端子番号２１、２２、２５、２６）が割り当てられる。 In addition, for the terminals on the third stage, the difference between VDD2a (terminal number 24), which is a 1.8V power supply, VSS6, VSS7, VSS8 (terminal numbers 20, 23, 27), which is the ground, and PCIe I / F second lane. The dynamic data signals TX1 +, TX1-, RX1-, RX1 + (terminal numbers 21, 22, 25, 26) are assigned.

ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００がサポートするＰＣＩｅ Ｉ／Ｆ１レーン当たりのバス速度が約２ＧＢ／ｓ（Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ４）であるとき、２レーンのＰＣＩｅ Ｉ／Ｆを有するＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００の最大バス速度は約４ＧＢ／ｓとなる。 When the bus speed per PCIe I / F 1 lane supported by the SD Express card 200 is about 2 GB / s (Generation 4), the maximum bus speed of the SD Express card 200 with 2 lanes PCIe I / F is about 4 GB / s. It becomes s.

図３は、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００の構成の一例を示した図である。図３において、メモリチップ３０１はホスト装置から入力されたデータを保存するメモリチップである。コントローラチップ３０２はＰＣＩｅ Ｉ／Ｆを介してホスト装置とデータ通信を行い、かつメモリチップ３０１に対しデータの読み書きを制御するコントローラチップである。金属端子３０３はホスト装置とＰＣＩｅ Ｉ／Ｆを介してデータを通信するための金属端子である。電子基板３０４は表面にメモリチップ３０１およびコントローラチップ３０２が実装され、裏面に金属端子３０３が実装された電子基板である。パッケージ３０５はメモリチップ３０１、コントローラチップ３０２、およびこれらの周辺の電子回路に直接手が触れることを避けるためのパッケージである。 FIG. 3 is a diagram showing an example of the configuration of the SD Express card 200. In FIG. 3, the memory chip 301 is a memory chip that stores data input from the host device. The controller chip 302 is a controller chip that performs data communication with a host device via a PCIe I / F and controls data reading / writing to / from the memory chip 301. The metal terminal 303 is a metal terminal for communicating data with the host device via the PCIe I / F. The electronic board 304 is an electronic board on which a memory chip 301 and a controller chip 302 are mounted on the front surface and a metal terminal 303 is mounted on the back surface. Package 305 is a package for avoiding direct contact with the memory chip 301, the controller chip 302, and the electronic circuits around them.

メモリチップ３０１は、ＮＡＮＤフラッシュメモリをはじめとする不揮発性半導体メモリから構成される。昨今では、データ記録容量を大きくするため、複数の不揮発性半導体メモリを電子基板３０４に対して垂直に実装する場合が多くなっている。またコントローラチップ３０２は、少なくともＰＣＩｅ Ｉ／Ｆを介してホスト装置と通信するための回路、メモリチップ３０１に対しデータを読み書きするための回路、データを一時的に保持するバッファ、およびこれらの回路もしくはバッファの動作させるため、ＣＰＵ上で動作するファームウェアが含まれる。 The memory chip 301 is composed of a non-volatile semiconductor memory such as a NAND flash memory. In recent years, in order to increase the data recording capacity, a plurality of non-volatile semiconductor memories are often mounted perpendicular to the electronic board 304. Further, the controller chip 302 is a circuit for communicating with a host device at least via a PCIe I / F, a circuit for reading and writing data to and from the memory chip 301, a buffer for temporarily holding data, and these circuits or In order to operate the buffer, the firmware that operates on the CPU is included.

電子基板３０４上に、メモリチップ３０１やコントローラチップ３０２など半導体チップを実装する方法は、以下の特許文献１、２に記載されている。 Methods for mounting semiconductor chips such as a memory chip 301 and a controller chip 302 on an electronic board 304 are described in Patent Documents 1 and 2 below.

特開２０１５－１７６９０６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-176906 特開２０１９－１５３６１９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-153619

メモリチップ３０１は、主として３．３Ｖ電源を印加することで動作する。従来ＳＤカード１００およびＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００の端子当たりの最大電流はおよそ５００ｍＡである。メモリチップ３０１の消費電力は、データ読み書き速度にほぼ比例するが、従来ＳＤカード１００のように最大バス速度が１０４ＭＢ／ｓの場合、３．３Ｖ電源端子としてＶＤＤ１を１個備えれば十分であった。しかしながら、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００が有する最大４ＧＢ／ｓのバス速度に見合うデータ読み書き速度を実現するには、３．３Ｖ電源の電流値をより高くしてメモリチップ３０１がより多くの電力を消費できるようにしなければならない。従ってＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００では、３．３Ｖ電源端子としてＶＤＤ１に加えＶＤＤ１ａを追加し、３．３Ｖ電源全体の電流値合計が５００ｍＡを超えることを許容している。 The memory chip 301 operates mainly by applying a 3.3 V power supply. Conventionally, the maximum current per terminal of the SD card 100 and the SD Express card 200 is about 500 mA. The power consumption of the memory chip 301 is almost proportional to the data read / write speed, but when the maximum bus speed is 104 MB / s like the conventional SD card 100, it is sufficient to have one VDD1 as a 3.3 V power supply terminal. rice field. However, in order to realize a data read / write speed commensurate with the maximum bus speed of 4 GB / s of the SD Express card 200, the current value of the 3.3 V power supply may be increased so that the memory chip 301 can consume more power. Must be. Therefore, in the SD Express card 200, VDD1a is added in addition to VDD1 as a 3.3V power supply terminal, and the total current value of the entire 3.3V power supply is allowed to exceed 500mA.

また、コントローラチップ３０２は一般にメモリチップ３０１より駆動電圧が低いことが多い。従来ＳＤカード１００では、３．３Ｖ電源でメモリチップ３０１に加えコントローラチップ３０２も駆動させていたが、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００では、電圧降下に伴う電力ロスを低減するため、新たに１．８Ｖ電源が導入された。またＰＣＩｅバスの速度が高くなるほど、コントローラチップ３０２の消費電力が高くなるため、３．３Ｖの場合と同様、１．８Ｖ電源としてＶＤＤ２およびＶＤＤ２ａの２つの端子が導入された。 Further, the controller chip 302 generally has a lower drive voltage than the memory chip 301. Conventionally, in the SD card 100, the controller chip 302 is also driven in addition to the memory chip 301 by the 3.3V power supply, but in the SD Express card 200, in order to reduce the power loss due to the voltage drop, a new 1.8V power supply is used. Introduced. Further, as the speed of the PCIe bus increases, the power consumption of the controller chip 302 increases. Therefore, as in the case of 3.3V, two terminals of VDD2 and VDD2a have been introduced as 1.8V power supplies.

このようにＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００では、従来ＳＤカード１００に対して消費電力の最大値を緩和することで、ホスト装置から高速なデータアクセスが可能となっている。 As described above, in the SD Express card 200, high-speed data access is possible from the host device by relaxing the maximum value of the power consumption as compared with the conventional SD card 100.

一方でＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００へのアクセス速度が高くなるほど、メモリチップ３０１およびコントローラチップ３０２の消費電力が高くなり、結果として両チップから放出される発熱量が大きくなる。この場合、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００から適切な方法で熱を排出することが望ましい。 On the other hand, as the access speed to the SD Express card 200 increases, the power consumption of the memory chip 301 and the controller chip 302 increases, and as a result, the amount of heat generated from both chips increases. In this case, it is desirable to dissipate heat from the SD Express card 200 by an appropriate method.

以上の課題を鑑み、本発明では、高速データアクセスが可能なＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードをはじめとする半導体メモリ装置に対し、内部で発生する熱を効果的に排熱する半導体メモリ装置、およびその製造方法を提供する。 In view of the above problems, the present invention provides a semiconductor memory device that effectively exhausts heat generated inside, and a manufacturing method thereof, for a semiconductor memory device such as an SD Express card capable of high-speed data access. offer.

本開示における半導体メモリ装置は、板状の半導体メモリ装置であって、前記半導体メモリ装置は、半導体チップが面上に装着された電子基板と、前記電子基板における前記半導体チップが装着された面を覆う接着フィルムと、前記接着フィルムを覆うヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダと前記電子基板に実装された金属パッドとを接続する金属ワイヤーと、を有する。 The semiconductor memory device in the present disclosure is a plate-shaped semiconductor memory device, and the semiconductor memory device includes an electronic substrate on which a semiconductor chip is mounted on a surface and a surface of the electronic substrate on which the semiconductor chip is mounted. It has an adhesive film for covering, a heat spreader for covering the adhesive film, and a metal wire for connecting the heat spreader and a metal pad mounted on the electronic substrate.

また、本開示の半導体メモリ装置の製造方法は、電子基板上面に半導体チップ、および金属パッドを実装し、前記電子基板および前記半導体チップの上に接着フィルムをかぶせ、
前記接着フィルム上にヒートスプレッダをかぶせ、前記ヒートスプレッダおよび前記金属パッドとを金属製ワイヤーで接続する工程を含む。 Further, in the method for manufacturing a semiconductor memory device of the present disclosure, a semiconductor chip and a metal pad are mounted on the upper surface of an electronic substrate, and an adhesive film is placed on the electronic substrate and the semiconductor chip.
The step of covering the adhesive film with a heat spreader and connecting the heat spreader and the metal pad with a metal wire is included.

本開示により、半導体メモリ装置内部のコントロールチップおよびメモリチップ上方から放出される熱を効率的に電子基板に伝導させることで、半導体メモリ装置の排熱効率を高めることができる。 According to the present disclosure, the heat exhaust efficiency of the semiconductor memory device can be improved by efficiently conducting the heat emitted from the control chip inside the semiconductor memory device and the upper part of the memory chip to the electronic substrate.

従来のＳＤカードの端子配置について説明した図The figure explaining the terminal arrangement of the conventional SD card 従来のＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードの端子配置について説明した図The figure explaining the terminal arrangement of the conventional SD Express card 従来のＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードの構成の一例を示した図The figure which showed an example of the structure of the conventional SD Express card 第１の実施の形態におけるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードの構成の一例を示した図The figure which showed an example of the structure of the SD Express card in 1st Embodiment メタルコア基板の拡大図Enlarged view of the metal core board 第２の実施の形態におけるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードの構成の一例を示した図The figure which showed an example of the structure of the SD Express card in 2nd Embodiment

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、同じ符号を付した構成要素については、それぞれの実施の形態において同一の機能を有するものとする。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings as appropriate. However, more detailed explanation than necessary may be omitted. For example, detailed explanations of already well-known matters and duplicate explanations for substantially the same configuration may be omitted. This is to avoid unnecessary redundancy of the following description and to facilitate the understanding of those skilled in the art. It should be noted that the components with the same reference numerals have the same function in each embodiment.

なお、本開示は、当業者が理解するための添付図面及び以下の説明を提供するのであって、これらによって請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。 It should be noted that the present disclosure provides an attached drawing and the following description for those skilled in the art to understand, and is not intended to limit the subject matter described in the claims by these.

［第１の実施の形態］
図４は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体メモリ装置であるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード、および上記に接続されるホスト装置の構成について説明した図である。図４において、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００は、メモリチップ４０１、コントローラチップ４０２、金属端子４０３、メタルコア基板４０４、メタルコア基板４０４の上面に実装された金属パッド４０５、およびメタルコア基板４０４の放熱効果を高めるスルーホール４０６を有する。また、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００は、内部の熱伝導率を高くするための接着フィルム４０７、上部の水平方向への熱伝導をよくするためのヒートスプレッダ４０８、ヒートスプレッダ４０８から金属パッド４０５への熱伝導効果を高める金属ワイヤー４０９、外部を覆うパッケージ４１０、を有する。ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００と接続されるホスト装置４５０は、ホスト電子基板４５１、ホスト電子基板４５１上に実装されたホストコントローラ４５２、ホスト電子基板４５１上のホスト信号線４５３、ホスト電子基板４５１上に実装され、ホスト信号線４５３と金属端子４０３との間で信号および熱を伝達するコネクタピン４５４、を有する。 [First Embodiment]
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of an SD Express card, which is a semiconductor memory device according to the first embodiment of the present invention, and a host device connected to the above. In FIG. 4, the SD Express card 400 has a memory chip 401, a controller chip 402, a metal terminal 403, a metal core substrate 404, a metal pad 405 mounted on the upper surface of the metal core substrate 404, and a through hole for enhancing the heat dissipation effect of the metal core substrate 404. Has 406. Further, the SD Express card 400 has an adhesive film 407 for increasing the internal thermal conductivity, a heat spreader 408 for improving the horizontal heat conduction at the upper part, and a heat conduction effect from the heat spreader 408 to the metal pad 405. It has a metal wire 409 to enhance and a package 410 to cover the outside. The host device 450 connected to the SD Express card 400 is mounted on the host electronic board 451 and the host controller 452 mounted on the host electronic board 451; the host signal line 453 on the host electronic board 451 and the host electronic board 451. , A connector pin 454 that transfers signals and heat between the host signal line 453 and the metal terminal 403.

また図５は、メタルコア基板４０４の拡大図である。図５においては、メタルコア基板４０４における金属層５０１、上部絶縁層５０２、下部絶縁層５０３が示されている。 Further, FIG. 5 is an enlarged view of the metal core substrate 404. In FIG. 5, the metal layer 501, the upper insulating layer 502, and the lower insulating layer 503 in the metal core substrate 404 are shown.

以下図４、図５を用いて、本発明の第１の実施の形態について説明する。 Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

ホスト装置４５０がＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００にデータを記録するとき、ホストコントローラ４５２は、ホスト電子基板４５１上のホスト信号線４５３、コネクタピン４５４、およびの金属端子４０３を介して、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００にデータを送信する。金属端子４０３を介して受信されたデータは、コントローラチップ４０２の制御の下、メモリチップ４０１に伝送され、記録される。この時、データ伝送およびデータ記録速度が２ＧＢ／ｓから４ＧＢ／ｓと非常に高速である場合、メモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２にて発生する熱を適切に排出することが望ましい。 When the host device 450 records data on the SD Express card 400, the host controller 452 data on the SD Express card 400 via the host signal line 453, the connector pin 454, and the metal terminal 403 on the host electronic board 451. To send. The data received via the metal terminal 403 is transmitted to and recorded in the memory chip 401 under the control of the controller chip 402. At this time, when the data transmission and data recording speeds are extremely high, from 2 GB / s to 4 GB / s, it is desirable to appropriately discharge the heat generated by the memory chip 401 and the controller chip 402.

発熱体の各面から放出される熱量は、各面の表面積に比例する。通常、メモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２は、ともに上面および下面の表面積が他の面に比べはるかに大きいため、これら各チップから熱が排出される方向は、図４の上方および下方が支配的である。よって以後の説明では、各チップでの排熱の方向は、図４の上方および下方のみを考える。 The amount of heat released from each surface of the heating element is proportional to the surface area of each surface. Normally, both the memory chip 401 and the controller chip 402 have much larger surface areas on the upper and lower surfaces than the other surfaces, so that the direction in which heat is discharged from each of these chips is dominated above and below in FIG. be. Therefore, in the following description, the direction of waste heat in each chip is considered only above and below in FIG.

本実施の形態においては、図５に示す構造によって放熱性能を高めている。 In the present embodiment, the heat dissipation performance is enhanced by the structure shown in FIG.

メタルコア基板４０４は、金属層５０１を上部絶縁層５０２および下部絶縁層５０３で挟むことで形成される電子基板である。金属層５０１として、銅、アルミニウム、もしくはこれらの化合物を用いることで、基板内の熱伝導率が高くなる。また上部絶縁層５０２および下部絶縁層５０３は、ガラスエポキシなどの樹脂が用いられることが多い。 The metal core substrate 404 is an electronic substrate formed by sandwiching the metal layer 501 between the upper insulating layer 502 and the lower insulating layer 503. By using copper, aluminum, or a compound thereof as the metal layer 501, the thermal conductivity in the substrate is increased. Further, a resin such as glass epoxy is often used for the upper insulating layer 502 and the lower insulating layer 503.

本実施の形態においては、メタルコア基板４０４とヒートスプレッダ４０８とを接続する金属ワイヤー４０９によって放熱性能を高めている。 In the present embodiment, the heat dissipation performance is enhanced by the metal wire 409 connecting the metal core substrate 404 and the heat spreader 408.

またメタルコア基板４０４にはスルーホール４０６という金属製の小孔が上下方向に貫通しており、これによりメタルコア基板４０４の上下方向の放熱性能がさらに向上している。 Further, a small metal hole called a through hole 406 penetrates in the metal core substrate 404 in the vertical direction, whereby the heat dissipation performance in the vertical direction of the metal core substrate 404 is further improved.

以下、本実施の形態にかかるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードにおいて、主としてメモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２から排出される熱を効率よく半導体メモリ装置外に放出する方法についてさらに詳しく説明する。 Hereinafter, in the SD Express card according to the present embodiment, a method of efficiently discharging the heat discharged mainly from the memory chip 401 and the controller chip 402 to the outside of the semiconductor memory device will be described in more detail.

＜金属ワイヤー４０９の作用について＞
メモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２の下方から放出される熱は、メモリチップ４０１、コントローラチップ４０２、金属端子４０３間で電源や信号を送受信するために上部絶縁層５０２上に配線された導線を介して、メタルコア基板４０４に伝わる。そしてメタルコア基板４０４に伝導された熱は、上部絶縁層５０２、金属層５０１、下部絶縁層５０３の順に伝わってＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の下部に伝導する。 <About the action of metal wire 409>
The heat released from below the memory chip 401 and the controller chip 402 is passed through a wire wired on the upper insulating layer 502 for transmitting and receiving power and signals between the memory chip 401, the controller chip 402, and the metal terminal 403. , Is transmitted to the metal core substrate 404. The heat conducted to the metal core substrate 404 is transmitted in the order of the upper insulating layer 502, the metal layer 501, and the lower insulating layer 503, and is conducted to the lower part of the SD Express card 400.

一方で、メモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２の上方から放出される熱に関して説明すると、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の上方には空気が存在し、通常その空気層の厚さはかなり大きい。従ってＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の上方から熱を放出しても空気の熱伝導率の低さ故、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の温度上昇を効果的に抑止することが困難である。そこで、メモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２の上方から放出される熱についても、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の下方より排熱することを考える。 On the other hand, regarding the heat released from above the memory chip 401 and the controller chip 402, air exists above the SD Express card 400, and the thickness of the air layer is usually quite large. Therefore, even if heat is released from above the SD Express card 400, it is difficult to effectively suppress the temperature rise of the SD Express card 400 due to the low thermal conductivity of the air. Therefore, it is considered that the heat released from above the memory chip 401 and the controller chip 402 is also exhausted from below the SD Express card 400.

メモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２の上方から放出された熱は、接着フィルム４０７を介してＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の上部全体を覆っているヒートスプレッダ４０８に伝導する。 The heat released from above the memory chip 401 and the controller chip 402 is conducted through the adhesive film 407 to the heat spreader 408 that covers the entire upper part of the SD Express card 400.

接着フィルム４０７がない場合、パッケージ４１０内に空気の層が生じることになり、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００上方への熱伝導率が低下する。接着フィルムを導入することで、コントローラチップ４０２、メモリチップ４０１の上方からの放熱効果を高めることができる。 Without the adhesive film 407, a layer of air would form in the package 410, reducing the thermal conductivity upwards of the SD Express card 400. By introducing the adhesive film, the heat dissipation effect from above the controller chip 402 and the memory chip 401 can be enhanced.

更にヒートスプレッダ４０８は熱伝導率の高い銅またはベリリウム銅（ＢｅＣｕ）などの銅化合物で構成されており、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００上方で水平方向に効率よく熱が伝導する。その後、ヒートスプレッダ４０８の熱は、金属ワイヤー４０９を介してメタルコア基板４０４上面に伝導後、ホスト装置４５０のホスト電子基板４５１に排出される。なお、金属ワイヤー４０９は、メタルコア基板４０４の上部に実装されている金属パッド４０５と接続することで、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００下方への放熱効率を高めることができる。 Further, the heat spreader 408 is composed of a copper compound having high thermal conductivity such as copper or beryllium copper (BeCu), and heat is efficiently conducted in the horizontal direction above the SD Express card 400. After that, the heat of the heat spreader 408 is conducted to the upper surface of the metal core substrate 404 via the metal wire 409, and then discharged to the host electronic substrate 451 of the host device 450. By connecting the metal wire 409 to the metal pad 405 mounted on the upper part of the metal core substrate 404, it is possible to increase the heat dissipation efficiency downward of the SD Express card 400.

＜スルーホール４０６の作用について＞
次に、メモリチップ４０１およびコントローラチップ４０２の下方から放出される熱について説明する。コントローラチップ４０２の下方から放出される熱は、＜金属ワイヤー４０９の作用について＞で説明した経路に加え、スルーホール４０６を介してより効率よくＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の下部に熱が伝導する。 <About the action of through hole 406>
Next, the heat released from below the memory chip 401 and the controller chip 402 will be described. The heat released from below the controller chip 402 is more efficiently conducted to the lower part of the SD Express card 400 through the through hole 406 in addition to the path described in <About the action of the metal wire 409>.

ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の下部に伝導された熱は、空気、もしくはコネクタピン４５４を介してホスト電子基板４５１に伝導する。空気は熱伝導率が低い物質であるが、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００およびホスト電子基板４５１との間は非常に近接しているため、熱伝導率を低下させる大きな要因とはならない。 The heat conducted to the lower part of the SD Express card 400 is conducted to the host electronic board 451 via air or the connector pin 454. Although air is a substance having a low thermal conductivity, it is not a major factor in lowering the thermal conductivity because it is very close to the SD Express card 400 and the host electronic substrate 451.

通常、ホスト電子基板４５１は、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００よりはるかに表面積が大きい。従ってＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００内部で排出された熱がホスト電子基板４５１に伝導すれば、速やかに熱が放出され、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の温度上昇を抑止することができる。 Normally, the host electronic substrate 451 has a much larger surface area than the SD Express card 400. Therefore, if the heat discharged inside the SD Express card 400 is conducted to the host electronic substrate 451 the heat is quickly released, and the temperature rise of the SD Express card 400 can be suppressed.

図３に示す従来のＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードでは電子基板３０４は非金属の絶縁層のみで構成され、かつ熱伝導率を高めるためのスルーホールが存在しない。これに対し、本実施の形態にかかるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００では、金属層５０１および熱伝導効果を高めるためのスルーホール４０６を有するメタルコア基板４０４を使用することで、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の下方へ効率よく熱を伝導させることができる。 In the conventional SD Express card shown in FIG. 3, the electronic substrate 304 is composed of only a non-metal insulating layer, and there is no through hole for increasing the thermal conductivity. On the other hand, in the SD Express card 400 according to the present embodiment, by using the metal core substrate 404 having the metal layer 501 and the through hole 406 for enhancing the heat conduction effect, the SD Express card 400 is efficiently moved downward. It can conduct heat.

なお、本実施の形態においては、金属ワイヤー４０９が接続する金属パッド４０５の下部に更にスルーホール４０６を形成している。このようにすることで、上述したような金属ワイヤー４０９が奏する放熱作用と、スルーホール４０６が奏する放熱作用とを相乗させることができ、より一層放熱効果を向上させることができる。 In the present embodiment, a through hole 406 is further formed in the lower part of the metal pad 405 to which the metal wire 409 is connected. By doing so, the heat dissipation action of the metal wire 409 as described above and the heat dissipation action of the through hole 406 can be synergized, and the heat dissipation effect can be further improved.

＜本実施の形態にかかるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の製造方法の一例＞
以下、本実施の形態にかかるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の製造方法について説明する。 <An example of a method for manufacturing the SD Express card 400 according to the present embodiment>
Hereinafter, a method for manufacturing the SD Express card 400 according to the present embodiment will be described.

第１工程は、メタルコア基板４０４にスルーホール４０６を開けることである。スルーホールは、メモリチップ４０１、コントローラチップ４０２の下部に設けるほか、メタルコア基板４０４上面に実装される金属パッド４０５、もしくはメタルコア基板４０４下面に実装される金属端子に接続されるよう設けることが望ましい。 The first step is to make a through hole 406 in the metal core substrate 404. It is desirable that the through hole is provided in the lower part of the memory chip 401 and the controller chip 402, and is also provided so as to be connected to the metal pad 405 mounted on the upper surface of the metal core board 404 or the metal terminal mounted on the lower surface of the metal core board 404.

第２工程は、必要な配線を施した上記メタルコア基板４０４の上面にメモリチップ４０１、コントローラチップ４０２を装着してハンダ実装することである。昨今のメモリチップ４０１は基板垂直方向に積層して実装されることが多いので、このようなメモリチップ４０１とメタルコア基板４０４とはワイヤーボンディングで接続される。 The second step is to mount the memory chip 401 and the controller chip 402 on the upper surface of the metal core substrate 404 to which the necessary wiring is applied and mount them by soldering. Since the memory chips 401 these days are often stacked and mounted in the vertical direction of the substrate, such a memory chip 401 and the metal core substrate 404 are connected by wire bonding.

第３工程は、第２工程で得られた中間物の上部に接着フィルム４０７、ヒートスプレッダ４０８をかぶせ、ヒートスプレッダ４０８とメタルコア基板４０４上部の金属パッド４０５とを金属ワイヤー４０９で接続することである。接着フィルム４０７は、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００内から空気層を可能な限り排除するように実装される。また、金属ワイヤー４０９は、上記ワイヤーボンディング実装可能な製造装置で実装できる。 The third step is to cover the adhesive film 407 and the heat spreader 408 on the intermediate material obtained in the second step, and connect the heat spreader 408 and the metal pad 405 on the metal core substrate 404 with a metal wire 409. The adhesive film 407 is mounted so as to remove the air layer from the SD Express card 400 as much as possible. Further, the metal wire 409 can be mounted by the manufacturing apparatus capable of mounting the wire bonding.

最後に各種部品が実装されたメタルコア基板４０４をパッケージ化することでパッケージ４１０が構成される。この際、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００内部の空洞は接着フィルム４０７で充填し、空気を排除することで熱伝導効率を高める。 Finally, the package 410 is configured by packaging the metal core substrate 404 on which various components are mounted. At this time, the cavity inside the SD Express card 400 is filled with the adhesive film 407 to eliminate air, thereby increasing the heat conduction efficiency.

これら一連の実装操作は、従来ＳＤカード１００もしくは従来のＳＤ ＥｘｐｒｅｓｓカードであるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード２００の実装操作を流用可能である。従って本実施の形態にかかるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００を製造するにあたって大きな設備投資を行う必要がなく、製造コスト増大を抑止することができる。 For these series of mounting operations, the mounting operation of the conventional SD card 100 or the SD Express card 200, which is a conventional SD Express card, can be diverted. Therefore, it is not necessary to make a large capital investment in manufacturing the SD Express card 400 according to the present embodiment, and it is possible to suppress an increase in manufacturing cost.

以上説明したように、本実施の形態によれば、スルーホール４０６が存在するメタルコア基板４０４を用いることでＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００下方への熱伝導率を高め、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の温度上昇を抑止することができる。またメタルコア基板４０４上部に空気より熱伝導率の高い物質で構成される接着フィルム４０７と銅もしくは銅化合物製のヒートスプレッダ４０８を覆いかぶせてパッケージ化することで、メモリチップ４０１、コントローラチップ４０２上方から放出される熱を効率的にＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード４００の下部に伝導し、さらに温度上昇抑止効果を高めることができる。 As described above, according to the present embodiment, by using the metal core substrate 404 in which the through holes 406 are present, the thermal conductivity downward of the SD Express card 400 is increased, and the temperature rise of the SD Express card 400 is suppressed. be able to. Further, by covering the upper part of the metal core substrate 404 with an adhesive film 407 composed of a substance having a higher thermal conductivity than air and a heat spreader 408 made of copper or a copper compound and packaging it, it is released from above the memory chip 401 and the controller chip 402. The heat generated can be efficiently conducted to the lower part of the SD Express card 400, and the effect of suppressing the temperature rise can be further enhanced.

［第２の実施の形態］
図６は、本発明の第２の実施の形態にかかる半導体メモリ装置であるＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード、および上記に接続されるホスト装置の構成について説明した図である。図６においては、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード６００、温度センサー６０１、コントローラチップ６０２が示されている。 [Second Embodiment]
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an SD Express card, which is a semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention, and a host device connected to the above. In FIG. 6, an SD Express card 600, a temperature sensor 601 and a controller chip 602 are shown.

以下、本発明の第２の実施の形態について、主として第１の実施の形態と異なる部分について説明する。 Hereinafter, the second embodiment of the present invention will be described mainly with respect to parts different from the first embodiment.

メタルコア基板４０４上面に実装された温度センサー６０１は、コントローラチップ６０２と信号通信ができるよう接続される。 The temperature sensor 601 mounted on the upper surface of the metal core substrate 404 is connected to the controller chip 602 so that signal communication can be performed.

温度センサー６０１で計測されたＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード６００内の温度の実測値が、所定の頻度でコントローラチップ６０２に通知される。コントローラチップ６０２は、温度センサー６０１から通知された温度が所定の温度Ｔ１以上であると検知したとき、これ以上温度が上昇すると、メモリチップ４０１およびコントローラチップ６０２が熱による破壊を起こす恐れがあるため、メモリチップ４０１へのデータアクセス速度を低下させ、メモリチップ４０１およびコントローラチップ６０２の消費電力を低減させることで温度上昇抑止を図る。上記を実現するには、例えば、メモリチップ４０１とコントローラチップ６０２のデータアクセスを行うためのクロック周波数を下げたり、メモリチップ４０１とコントローラチップ６０２およびクロックやデータの送受信を一時的に止めることで、全体としてのデータアクセス速度を低下させたりする方法がある。 The measured value of the temperature in the SD Express card 600 measured by the temperature sensor 601 is notified to the controller chip 602 at a predetermined frequency. When the controller chip 602 detects that the temperature notified from the temperature sensor 601 is equal to or higher than the predetermined temperature T1, if the temperature rises further, the memory chip 401 and the controller chip 602 may be destroyed by heat. By reducing the data access speed to the memory chip 401 and reducing the power consumption of the memory chip 401 and the controller chip 602, the temperature rise is suppressed. To realize the above, for example, the clock frequency for data access between the memory chip 401 and the controller chip 602 may be lowered, or the transmission / reception of the memory chip 401 and the controller chip 602 and the clock or data may be temporarily stopped. There are ways to reduce the overall data access speed.

メモリチップ４０１へのアクセス速度が低下することでメモリチップ４０１およびコントローラチップ６０２の消費電力が低減し、温度センサー６０１から通知された温度が所定の温度Ｔ２以下であると検知したとき、コントローラチップ６０２は、メモリチップ４０１へのアクセスを元の方法に戻す。これによりメモリチップ４０１に対するアクセス速度は元に戻る。 The power consumption of the memory chip 401 and the controller chip 602 is reduced by reducing the access speed to the memory chip 401, and when it is detected that the temperature notified from the temperature sensor 601 is equal to or lower than the predetermined temperature T2, the controller chip 602 is used. Returns access to the memory chip 401 to the original method. As a result, the access speed to the memory chip 401 is restored.

本実施の形態において、メモリチップ４０１もしくはコントローラチップ６０２で発生する熱の外部への放出は、第１の実施の形態と同様に行われる。 In the present embodiment, the heat generated by the memory chip 401 or the controller chip 602 is released to the outside in the same manner as in the first embodiment.

以上説明したように、本実施の形態によれば、温度センサー６０１により検知されたＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード６００内の温度がＴ１以上になったとき、コントローラチップ６０２はメモリチップ４０１へのアクセス速度を低下させ、コントローラチップ６０２およびメモリチップ４０１からの発熱量を低減させることで、これ以上の温度上昇を抑止する。またＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード６００内の温度がＴ２以下になったとき、コントローラチップ６０２はメモリチップ４０１へのアクセス速度を元に戻し、通常のアクセス性能を実現する。 As described above, according to the present embodiment, when the temperature in the SD Express card 600 detected by the temperature sensor 601 becomes T1 or higher, the controller chip 602 reduces the access speed to the memory chip 401. By reducing the amount of heat generated from the controller chip 602 and the memory chip 401, further temperature rise is suppressed. Further, when the temperature inside the SD Express card 600 becomes T2 or less, the controller chip 602 restores the access speed to the memory chip 401 and realizes normal access performance.

なお閾値温度であるＴ１、Ｔ２は、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードの構成、メモリチップ４０１およびコントローラチップ６０２の温度特性に応じて自由に設定することが可能である。ただし実用上、Ｔ１＞Ｔ２と設定することが好ましい。 The threshold temperatures T1 and T2 can be freely set according to the configuration of the SD Express card and the temperature characteristics of the memory chip 401 and the controller chip 602. However, practically, it is preferable to set T1> T2.

なお本実施の形態の説明では、温度センサー６０１は温度の実測値（摂氏、華氏、絶対温度など、単位は問わない）をコントローラチップ６０２に通知しているが、Ｔ１以上になったこと、およびＴ２以下になったことがコントローラチップ６０２で識別できる信号であってもよい。 In the description of the present embodiment, the temperature sensor 601 notifies the controller chip 602 of the measured value of the temperature (any unit such as Celsius, Fahrenheit, absolute temperature, etc.), but the temperature is T1 or higher. It may be a signal that the controller chip 602 can identify that the temperature is T2 or less.

また本実施の形態の説明では、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード６００内に温度センサー６０１は１個実装されているものとして説明したが、温度センサー６０１は複数個実装されていてもよい。この場合、例えばすべての温度センサー６０１の実測値の最大値をＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード６００内の温度とみなすことができる。 Further, in the description of the present embodiment, it is assumed that one temperature sensor 601 is mounted in the SD Express card 600, but a plurality of temperature sensors 601 may be mounted. In this case, for example, the maximum value of the measured values of all the temperature sensors 601 can be regarded as the temperature in the SD Express card 600.

さらに、本発明にかかる実施の形態は、ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカードのみならず、半導体製メモリチップ、もしくはコントローラチップが搭載された電子機器にも適用可能である。 Further, the embodiment according to the present invention can be applied not only to an SD Express card but also to an electronic device equipped with a semiconductor memory chip or a controller chip.

本開示は、ＰＣＩｅなど高速な外部インターフェースを持つ、ＳＤメモリカードをはじめとする半導体メモリ装置、及び前記半導体メモリ装置の製造方法に関するものである。 The present disclosure relates to a semiconductor memory device such as an SD memory card having a high-speed external interface such as PCIe, and a method for manufacturing the semiconductor memory device.

１００ 従来ＳＤカード
２００ ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード
３０１ メモリチップ
３０２ コントローラチップ
３０３ 金属端子
３０４ 電子基板
３０５ パッケージ
４００ ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード
４０１ メモリチップ
４０２ コントローラチップ
４０３ 金属端子
４０４ メタルコア基板
４０５ 金属パッド
４０６ スルーホール
４０７ 接着フィルム
４０８ ヒートスプレッダ
４０９ 金属ワイヤー
４１０ パッケージ
４５０ ホスト装置
４５１ ホスト電子基板
４５２ ホストコントローラ
４５３ ホスト信号線
４５４ コネクタピン
５０１ 金属層
５０２ 上部絶縁層
５０３ 下部絶縁層
６００ ＳＤ Ｅｘｐｒｅｓｓカード
６０１ 温度センサー
６０２ コントローラチップ


100 Conventional SD card 200 SD Express card 301 Memory chip 302 Controller chip 303 Metal terminal 304 Electronic board 305 Package 400 SD Express card 401 Memory chip 402 Controller chip 403 Metal terminal 404 Metal core board 405 Metal pad 406 Through hole 407 Adhesive film 408 Heat spreader 409 Metal wire 410 Package 450 Host device 451 Host electronic board 452 Host controller 453 Host signal line 454 Connector pin 501 Metal layer 502 Upper insulation layer 503 Lower insulation layer 600 SD Express card 601 Temperature sensor 602 Controller chip

Claims (6)

板状の半導体メモリ装置であって、
半導体チップが面上に装着された電子基板と、
前記電子基板における前記半導体チップが装着された面を覆う接着フィルムと、
前記接着フィルムを覆うヒートスプレッダと、
前記ヒートスプレッダと前記電子基板に実装された金属パッドとを接続する金属ワイヤーと、
を有する半導体メモリ装置。 It is a plate-shaped semiconductor memory device.
An electronic board with a semiconductor chip mounted on the surface,
An adhesive film covering the surface of the electronic substrate on which the semiconductor chip is mounted, and
The heat spreader that covers the adhesive film and
A metal wire connecting the heat spreader and the metal pad mounted on the electronic board, and
A semiconductor memory device having. 前記電子基板は複数の前記半導体チップを前記面上に装着し、前記複数の半導体チップは、ホスト装置との間で送受信されるデータの制御を行うコントローラチップと、
前記ホスト装置から受信したデータを格納するメモリチップを含む、請求項１に記載の半導体メモリ装置。 The electronic substrate has a plurality of the semiconductor chips mounted on the surface, and the plurality of semiconductor chips include a controller chip that controls data transmitted to and received from a host device.
The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising a memory chip for storing data received from the host device. 前記電子基板は、前記電子基板を貫くスルーホールとを備える、請求項１に記載の半導体メモリ装置。 The semiconductor memory device according to claim 1, wherein the electronic substrate includes a through hole penetrating the electronic substrate. 前記スルーホールは、前記金属パッドと接続される請求項３に記載の半導体メモリ装置。 The semiconductor memory device according to claim 3, wherein the through hole is connected to the metal pad. 前記半導体メモリ装置の内部にさらに温度センサーを備え、
前記温度センサーが前記半導体メモリ装置の内部の温度が第１の所定温度以上であることを検知したとき、データ処理速度を通常時より低下させ、
前記半導体チップは、前記半導体メモリ装置の内部の温度が第２の所定温度以下であることを検知したとき、前記データ処理速度を前記通常時に戻す制御を行う、
請求項１に記載の半導体メモリ装置。 A temperature sensor is further provided inside the semiconductor memory device, and the temperature sensor is further provided.
When the temperature sensor detects that the temperature inside the semiconductor memory device is equal to or higher than the first predetermined temperature, the data processing speed is lowered from the normal time.
When the semiconductor chip detects that the temperature inside the semiconductor memory device is equal to or lower than the second predetermined temperature, the semiconductor chip controls to return the data processing speed to the normal time.
The semiconductor memory device according to claim 1. 半導体メモリ装置の製造方法であって、
電子基板上面に半導体チップ、および金属パッドを実装し、
前記電子基板および前記半導体チップの上に接着フィルムをかぶせ、
前記接着フィルム上にヒートスプレッダをかぶせ、
前記ヒートスプレッダおよび前記金属パッドとを金属製ワイヤーで接続する工程を含む、半導体メモリ装置製造方法。

It is a manufacturing method of semiconductor memory equipment.
A semiconductor chip and a metal pad are mounted on the upper surface of the electronic board,
An adhesive film is put on the electronic substrate and the semiconductor chip, and the adhesive film is put on the electronic substrate and the semiconductor chip.
Cover the adhesive film with a heat spreader.
A method for manufacturing a semiconductor memory device, which comprises a step of connecting the heat spreader and the metal pad with a metal wire.

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