JP2022045936A - Ｅｕｖマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びｅｕｖマスクブランク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板上に設けられた多層反射膜とを有し、多層反射膜が、Ｓｉ層とＭｏ層とが交互に積層されたＳｉ／Ｍｏ積層部を有し、Ｓｉ／Ｍｏ積層部のＳｉ層とＭｏ層との間のいずれか１以上に、ＳｉとＮとを含有する層がＳｉ層とＭｏ層との双方に接して形成されているＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。【効果】高い反射率を有し、熱が加わった場合であっても、反射率が低下し難い多層反射膜を有するＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板及びＥＵＶマスクブランクを提供することができる。【選択図】図１
Description
本発明は、ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造などに使用されるＥＵＶマスクの素材となるＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクブランクの製造に用いられるＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板及びその製造方法に関する。
半導体デバイス（半導体装置）の製造工程では、転写用マスクに露光光を照射し、マスクに形成されている回路パターンを、縮小投影光学系を介して半導体基板（半導体ウェハ）上に転写するフォトリソグラフィ技術が繰り返し用いられる。従来、露光光の波長はフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザ光を用いた１９３ｎｍが主流であり、露光プロセスや加工プロセスを複数回組み合わせるマルチパターニングというプロセスを採用することにより、最終的には露光波長より小さい寸法のパターンを形成してきた。
しかし、継続的なデバイスパターンの微細化により、更なる微細パターンの形成が必要とされてきていることから、露光光としてＡｒＦエキシマレーザ光より更に波長の短いＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ（極端紫外））光を用いたＥＵＶリソグラフィ技術が開発されてきた。ＥＵＶ光とは、波長が例えば１０～２０ｎｍ程度の光、より具体的には、波長が１３．５ｎｍ付近の光である。このＥＵＶ光は、物質に対する透過性が極めて低く、従来の透過型の投影光学系やマスクが使えないことから、反射型の光学素子が用いられる。そのため、パターン転写用のマスクも反射型マスクが提案されている。反射型マスクは、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜の上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。一方、吸収体膜にパターニングする前の状態（レジスト層が形成された状態も含む）のものが、反射型マスクブランクと呼ばれ、これが反射型マスクの素材として用いられる。一般に、ＥＵＶ光を反射させる反射型マスク及び反射型マスクブランクは、各々、ＥＵＶマスク及びＥＵＶマスクブランクと呼ばれる。
ＥＵＶマスクブランクは、低熱膨張の基板と、その上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、その上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とを含む基本構造を有している。多層反射膜としては、通常、モリブデン（Ｍｏ）膜とケイ素（Ｓｉ）膜とを交互に積層することで、ＥＵＶ光に対する必要な反射率を得るＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が用いられる。更に、多層反射膜を保護するための保護膜として、ルテニウム（Ｒｕ）膜や、Ｒｕと、ニオブ（Ｎｂ）やジルコニウム（Ｚｒ）との混合物からなる膜が、多層反射膜の最表層に形成される。一方、吸収体膜としては、ＥＵＶ光に対して消衰係数の値が比較的大きいタンタル（Ｔａ）やクロム（Ｃｒ）を主成分とする材料が用いられる。
多層反射膜は、ＥＵＶ光に対して高い反射率を有することが求められるが、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に積層した部分では、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、双方の成分であるＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層が形成されてしまい、Ｍｏ層とＳｉ層との積層により得られる理論上の反射率から乖離した、低い反射率しか得られない。また、マスク加工プロセスや、マスクを使用したＥＵＶ光による露光時などにおいて、多層反射膜に熱が加わると、相互拡散層が厚くなったり、相互拡散層が変化したりして、更なる反射率の低下を招いてしまう。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高い反射率を有し、熱が加わった場合であっても、反射率が低下し難い多層反射膜を有するＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板及びその製造方法並びにＥＵＶマスクブランクを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、ＥＵＶマスクブランクに用いられる多層反射膜を構成するＳｉ／Ｍｏ積層部を、Ｓｉ層とＭｏ層とを交互に積層し、Ｓｉ層とＭｏ層との間のいずれか１以上に、ＳｉとＮとを含有する層をＳｉ層とＭｏ層との双方に接して形成した構成とすること、好ましくは、多層反射膜を、このようなＳｉ／Ｍｏ積層部と、多層反射膜の最上層としてＳｉ／Ｍｏ積層部に接して形成されたＲｕを含有する保護層とを含むように構成することにより、高い反射率を有し、熱が加わった場合であっても、反射率が低下し難い多層反射膜を有するＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板及びＥＵＶマスクブランクとなることを見出し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、以下のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びＥＵＶマスクブランクを提供する。
１．基板と、該基板上に設けられた多層反射膜とを有し、該多層反射膜が、Ｓｉ層とＭｏ層とが交互に積層されたＳｉ／Ｍｏ積層部を有し、該Ｓｉ／Ｍｏ積層部の上記Ｓｉ層と上記Ｍｏ層との間のいずれか１以上に、ＳｉとＮとを含有する層が上記Ｓｉ層と上記Ｍｏ層との双方に接して形成されていることを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
２．上記ＳｉとＮとを含む層の厚さが２ｎｍ以下であることを特徴とする１に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
３．上記多層反射膜が、更に、該多層反射膜の最上層として上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部に接して、Ｒｕを含有する保護層を有することを特徴とする１又は２に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
４．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部の上記保護層と接する層がＭｏ層であることを特徴とする３に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
５．上記多層反射膜の最上部が、上記基板から離間する側から、上記保護層と、上記Ｍｏ層と、上記ＳｉとＮとを含有する層と、上記Ｓｉ層とで構成されていることを特徴とする４に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
６．上記最上部において、上記保護層の厚さが４ｎｍ以下、上記Ｍｏ層の厚さが１ｎｍ以下、上記ＳｉとＮとを含有する層の厚さが２ｎｍ以下、かつ上記Ｓｉ層の厚さが４ｎｍ以下であることを特徴とする５に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
７．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層とで構成される３層積層構造単位、又は基板側から、Ｍｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＳｉ層とで構成される３層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
８．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層と、該Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層とで構成される４層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
９．波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°での、上記多層反射膜のピーク反射率が６５％以上であることを特徴とする１乃至８のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
１０．１乃至９のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を製造する方法であって、
（Ａ）上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程
を含み、上記スパッタリングを、
ＭｏターゲットとＳｉターゲットとを、各々１つ以上装着することができ、
ＭｏターゲットとＳｉターゲットとに、別々に電力を印加することができ、
基板と、各々のターゲットとの配置がオフセット配置であり、
各々のターゲットと基板との間を遮蔽する部材を有さず、
基板を主表面に沿って自転させることができ、かつ
窒素含有ガスを導入することができる
チャンバーを備えるマグネトロンスパッタ装置で実施することを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の製造方法。
１１．３乃至６のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を製造する方法であって、
（Ａ）上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程、及び
（Ｂ）上記保護層をスパッタリングにより形成する工程
を含み、
上記（Ａ）工程後、上記（Ａ）工程で形成した上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部に、該Ｓｉ／Ｍｏ積層部と反応するガスを接触させることなく、上記（Ｂ）工程を実施することを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の製造方法。
１２．上記（Ａ）工程を一のスパッタチャンバー内で実施し、上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、一のスパッタチャンバーから他のスパッタチャンバーに移動させて、上記（Ｂ）工程を上記他のスパッタチャンバー内で実施することを特徴とする１１に記載の製造方法。
１３．上記一及び他のスパッタチャンバーとの間に、各々のスパッタチャンバーと個別に又は両方のスパッタチャンバーと同時に連通可能な搬送用チャンバーを設け、上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、上記一のスパッタチャンバーから上記搬送用チャンバーを経由させて上記他のスパッタチャンバーへ移動させることを特徴とする１２に記載の製造方法。
１４．上記一のスパッタチャンバーから上記搬送用チャンバーへの移動、及び該搬送用チャンバーから上記他のスパッタチャンバーへの移動を、いずれも真空下で実施することを特徴とする１３に記載の製造方法。
１５．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層とで構成される３層積層構造単位、又は基板側から、Ｍｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＳｉ層とで構成される３層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１１乃至１４のいずれかに記載の製造方法。
１６．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層と、該Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層とで構成される４層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１１乃至１４のいずれかに記載の製造方法。
１７．波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°での、上記多層反射膜のピーク反射率が６５％以上であることを特徴とする１１乃至１６のいずれかに記載の製造方法。
１８．１乃至９のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の上記多層反射膜上に、Ｔａ又はＣｒを含有する吸収体膜を有することを特徴とするＥＵＶマスクブランク。
１９．１乃至９のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の上記多層反射膜上に、Ｔａを含有し、Ｃｒを含有しない吸収体膜と、該吸収体膜上に、Ｃｒを含有し、上記吸収体膜をドライエッチングする際のエッチングマスクとして機能するハードマスク膜とを有することを特徴とするＥＵＶマスクブランク。
１．基板と、該基板上に設けられた多層反射膜とを有し、該多層反射膜が、Ｓｉ層とＭｏ層とが交互に積層されたＳｉ／Ｍｏ積層部を有し、該Ｓｉ／Ｍｏ積層部の上記Ｓｉ層と上記Ｍｏ層との間のいずれか１以上に、ＳｉとＮとを含有する層が上記Ｓｉ層と上記Ｍｏ層との双方に接して形成されていることを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
２．上記ＳｉとＮとを含む層の厚さが２ｎｍ以下であることを特徴とする１に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
３．上記多層反射膜が、更に、該多層反射膜の最上層として上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部に接して、Ｒｕを含有する保護層を有することを特徴とする１又は２に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
４．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部の上記保護層と接する層がＭｏ層であることを特徴とする３に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
５．上記多層反射膜の最上部が、上記基板から離間する側から、上記保護層と、上記Ｍｏ層と、上記ＳｉとＮとを含有する層と、上記Ｓｉ層とで構成されていることを特徴とする４に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
６．上記最上部において、上記保護層の厚さが４ｎｍ以下、上記Ｍｏ層の厚さが１ｎｍ以下、上記ＳｉとＮとを含有する層の厚さが２ｎｍ以下、かつ上記Ｓｉ層の厚さが４ｎｍ以下であることを特徴とする５に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
７．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層とで構成される３層積層構造単位、又は基板側から、Ｍｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＳｉ層とで構成される３層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
８．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層と、該Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層とで構成される４層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１乃至６のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
９．波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°での、上記多層反射膜のピーク反射率が６５％以上であることを特徴とする１乃至８のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
１０．１乃至９のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を製造する方法であって、
（Ａ）上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程
を含み、上記スパッタリングを、
ＭｏターゲットとＳｉターゲットとを、各々１つ以上装着することができ、
ＭｏターゲットとＳｉターゲットとに、別々に電力を印加することができ、
基板と、各々のターゲットとの配置がオフセット配置であり、
各々のターゲットと基板との間を遮蔽する部材を有さず、
基板を主表面に沿って自転させることができ、かつ
窒素含有ガスを導入することができる
チャンバーを備えるマグネトロンスパッタ装置で実施することを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の製造方法。
１１．３乃至６のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を製造する方法であって、
（Ａ）上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程、及び
（Ｂ）上記保護層をスパッタリングにより形成する工程
を含み、
上記（Ａ）工程後、上記（Ａ）工程で形成した上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部に、該Ｓｉ／Ｍｏ積層部と反応するガスを接触させることなく、上記（Ｂ）工程を実施することを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の製造方法。
１２．上記（Ａ）工程を一のスパッタチャンバー内で実施し、上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、一のスパッタチャンバーから他のスパッタチャンバーに移動させて、上記（Ｂ）工程を上記他のスパッタチャンバー内で実施することを特徴とする１１に記載の製造方法。
１３．上記一及び他のスパッタチャンバーとの間に、各々のスパッタチャンバーと個別に又は両方のスパッタチャンバーと同時に連通可能な搬送用チャンバーを設け、上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、上記一のスパッタチャンバーから上記搬送用チャンバーを経由させて上記他のスパッタチャンバーへ移動させることを特徴とする１２に記載の製造方法。
１４．上記一のスパッタチャンバーから上記搬送用チャンバーへの移動、及び該搬送用チャンバーから上記他のスパッタチャンバーへの移動を、いずれも真空下で実施することを特徴とする１３に記載の製造方法。
１５．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層とで構成される３層積層構造単位、又は基板側から、Ｍｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＳｉ層とで構成される３層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１１乃至１４のいずれかに記載の製造方法。
１６．上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層と、該Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層とで構成される４層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする１１乃至１４のいずれかに記載の製造方法。
１７．波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°での、上記多層反射膜のピーク反射率が６５％以上であることを特徴とする１１乃至１６のいずれかに記載の製造方法。
１８．１乃至９のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の上記多層反射膜上に、Ｔａ又はＣｒを含有する吸収体膜を有することを特徴とするＥＵＶマスクブランク。
１９．１乃至９のいずれかに記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の上記多層反射膜上に、Ｔａを含有し、Ｃｒを含有しない吸収体膜と、該吸収体膜上に、Ｃｒを含有し、上記吸収体膜をドライエッチングする際のエッチングマスクとして機能するハードマスク膜とを有することを特徴とするＥＵＶマスクブランク。
本発明によれば、高い反射率を有し、熱が加わった場合であっても、反射率が低下し難い多層反射膜を有するＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板及びＥＵＶマスクブランクを提供することができる。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板は、基板と、基板上（一の主表面（表側の面）上）に形成された露光光を反射する多層反射膜、具体的には、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有する。多層反射膜は、基板の一の主表面に接して設けてよく、また、基板と多層反射膜との間に下地膜を設けてもよい。ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィに用いられるＥＵＶ光の波長は１３～１４ｎｍであり、通常、波長が１３．５ｎｍ程度（例えば１３．４～１３．６ｎｍ）の光である。
本発明のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板は、基板と、基板上（一の主表面（表側の面）上）に形成された露光光を反射する多層反射膜、具体的には、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有する。多層反射膜は、基板の一の主表面に接して設けてよく、また、基板と多層反射膜との間に下地膜を設けてもよい。ＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィに用いられるＥＵＶ光の波長は１３～１４ｎｍであり、通常、波長が１３．５ｎｍ程度（例えば１３．４～１３．６ｎｍ）の光である。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の一例を示す中間省略部分断面図である。このＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板１０は、基板１の一の主表面上に、一の主表面に接して形成された多層反射膜２を有する。
基板は、ＥＵＶ光露光用として、低熱膨張特性を有するものであることが好ましく、例えば、熱膨張係数が、±２×１０-8／℃以内、好ましくは±５×１０-9／℃の範囲内の材料で形成されているものが好ましい。また、基板は、表面が十分に平坦化されているものを用いることが好ましく、基板の主表面の表面粗さは、ＲＭＳ値で０．５ｎｍ以下、特に０．２ｎｍ以下であることが好ましい。このような表面粗さは、基板の研磨などにより得ることができる。
多層反射膜は、ＥＵＶマスクにおいて、露光光であるＥＵＶ光を反射する膜である。本発明において、多層反射膜は、Ｓｉ（ケイ素）層とＭｏ（モリブデン）層とが交互に積層された多層で構成されたＳｉ／Ｍｏ積層部を有する。このＳｉ／Ｍｏ積層部には、ＥＵＶ光に対して相対的に高い屈折率を有する材料であるＳｉの層と、ＥＵＶ光に対して相対的に低い屈折率を有する材料であるＭｏの層とを、周期的に積層したものが用いられる。ここで、Ｓｉ層及びＭｏ層は、各々、ケイ素単体及びモリブデン単体で形成されている層である。Ｓｉ層及びＭｏ層の積層数は、例えば４０周期以上（各々４０層以上）であることが好ましく、また、６０周期以下（各々６０層以下）であることが好ましい。Ｓｉ／Ｍｏ積層部のＳｉ層及びＭｏ層の厚さは、露光波長に応じて適宜設定され、Ｓｉ層の厚さは５ｎｍ以下であることが好ましく、Ｍｏ層の厚さは４ｎｍ以下であることが好ましい。Ｓｉ層の厚さの下限は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ以上であり、Ｍｏ層の厚さの下限は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ以上である。Ｓｉ層及びＭｏ層の厚さは、ＥＵＶ光に対して高い反射率が得られるように設定すればよい。また、Ｓｉ層及びＭｏ層の厚さの各々の厚さは、一定であっても、個々の層において異なっていてもよい。Ｓｉ／Ｍｏ積層部の全体の厚さは、通常２５０～４５０ｎｍ程度である。
本発明において、Ｓｉ／Ｍｏ積層部は、Ｓｉ層とＭｏ層との間のいずれか１以上に、ＳｉとＮとを含有する層がＳｉ層とＭｏ層との双方に接して形成されている。ＳｉとＮとを含有する層は、酸素を含まないことが好ましい。ＳｉとＮとを含有する層として具体的には、ＳｉＮ（ここで、ＳｉＮは構成元素がＳｉ及びＮのみからなることを意味する。）層が好適である。ＳｉとＮとを含有する層のＮの含有率は、１原子％以上、特に５原子％以上であることが好ましく、また、６０原子％以下、特に５７原子％以下であることが好ましい。また、ＳｉとＮを含有する層の厚さは２ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以下であることがより好ましい。ＳｉとＮを含有する層の厚さの下限は、特に限定されるものではないが、０．１ｎｍ以上であることが好ましい。
ＳｉとＮとを含有する層は、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を構成するＳｉ層とＭｏ層との間の少なくとも１箇所に設けられている。ＳｉとＮとを含有する層は、Ｍｏ層の基板側（下側）の一部又は全部に設けても、Ｍｏ層の基板から離間する側（上側）の一部又は全部に設けてもよいが、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を構成するＳｉ層とＭｏ層との間の全てに設けることが特に好ましい。
特に、高い反射率を得る観点から、Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、基板側から、Ｓｉ層と、Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層とで構成される３層積層構造単位、又は基板側から、Ｍｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＳｉ層とで構成される３層積層構造単位が、３０以上、特に４０以上含まれていることが好ましい。また、Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、基板側から、Ｓｉ層と、Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層とで構成される４層積層構造単位が、３０以上、特に４０以上含まれていることがより好ましい。３層積層構造単位及び４層積層構造単位の上限は、いずれも、好ましくは６０以下である。
本発明において、Ｓｉ／Ｍｏ積層部として具体的には、例えば、図１に示されるようなものが挙げられる。図１に示されるＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板１０の多層反射膜２には、基板１に接してＳｉ／Ｍｏ積層部２１が形成されている。Ｓｉ／Ｍｏ積層部２１には、Ｓｉ層２１１及びＭｏ層２１２が交互に積層されており、この場合は、基板１に最も近い側がＳｉ層２１１、基板１から最も離間する側がＭｏ層２１２となっている。そして、Ｓｉ層２１１及びＭｏ層２１２との間の全てに、Ｓｉ層２１１及びＭｏ層２１２の双方に接して、ＳｉとＮとを含む層２１３が形成されている。従って、この場合は、基板側から、Ｓｉ層２１１、ＳｉとＮとを含む層２１３及びＭｏ層２１２の３層積層構造単位が含まれ、また、基板側から、Ｍｏ層２１２、ＳｉとＮとを含む層２１３及びＳｉ層２１１の３層積層構造単位が含まれており、更に、基板側から、Ｓｉ層２１１、ＳｉとＮとを含む層２１３、Ｍｏ層２１２及びＳｉとＮとを含む層２１３の４層積層構造単位が含まれている。
多層反射膜のＳｉ／Ｍｏ積層部は、Ｓｉ層とＭｏ層とを交互に積層することにより形成される。図２は、理想的なＳｉ／Ｍｏ積層部と保護層とからなる多層反射膜を有するＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を説明するための中間省略部分断面図である。また、図３は、従来のＳｉ／Ｍｏ積層部と保護層とからなる多層反射膜を有するＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を示す中間省略部分断面図である。ＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板１０の多層反射膜２のＳｉ／Ｍｏ積層部２１を、基板１上に、Ｓｉ層とＭｏ層とを直接交互に積層して形成した場合、図２に示されるような、Ｓｉ層とＭｏ層とが接触した、Ｓｉ層２１１とＭｏ層２１２のみで構成されたＳｉ／Ｍｏ積層部２１が形成された状態であることが理想である。このようなＳｉ／Ｍｏ積層部２１であれば、Ｓｉ層とＭｏ層とのみで構成されたＳｉ／Ｍｏ積層部による、理論上の反射率が得られる。
しかし、このような構成のＳｉ／Ｍｏ積層部を形成することは、原理的には不可能ではないが、現実的な方法で形成した場合は、実際には、図３に示されるように、Ｓｉ層２１１とＭｏ層２１２とが接触する部分で、ＳｉとＭｏとが混合し、この部分に、ＳｉとＭｏとからなる相互拡散層２１ａが、意図せず形成されてしまう。このようなＳｉとＭｏとからなる相互拡散層が形成されると、Ｓｉ層とＭｏ層とのみで構成されたＳｉ／Ｍｏ積層部で得られる理論上の値から、反射率が低下してしまう。更に、マスク加工プロセスや、マスクを使用したＥＵＶ光による露光時などにおいて、多層反射膜に熱が加わると、ＳｉとＭｏとからなる相互拡散層が厚くなったり、ＳｉとＭｏとからなる相互拡散層が変化したりして、更なる反射率の低下を招いてしまう。
これに対して、Ｓｉ層とＭｏ層との間に、ＳｉとＮとを含有する層がＳｉ層とＭｏ層との双方に接して形成されていると、Ｓｉ層とＭｏ層との間に、反射率の低下を引き起こすＳｉとＭｏとからなる相互拡散層の形成が抑制されるので、Ｓｉ層とＭｏ層とのみで構成されたＳｉ／Ｍｏ積層部で得られる理論上の値からの反射率の低下が抑制され、従来と比べて、高い反射率が達成される。なお、ＳｉとＮとを含有する層が形成されていないＳｉ層とＭｏ層との間には、通常、上述したＳｉとＭｏとからなる相互拡散層が、Ｓｉ層とＭｏ層との双方に接して形成されているが、本発明の多層反射膜のＳｉ／Ｍｏ積層部では、ＳｉとＮとを含有する層が形成されているＳｉ層とＭｏ層との間では、ＳｉとＭｏとからなる相互拡散層の形成が抑制されるので、Ｓｉ層とＭｏ層との間の全てにＳｉとＭｏとからなる相互拡散層が形成されている従来の多層反射膜と比べて、熱による反射率の低減が抑制される。この観点からは、ＳｉとＮとを含有する層は、Ｓｉ層とＭｏ層との間の一部に形成されていればよいが、Ｓｉ層とＭｏ層との間の多くに形成されている方が有利であり、Ｓｉ層とＭｏ層との間の全てに形成されていることが特に有利である。
本発明において、多層反射膜は、多層反射膜の最上層としてＳｉ／Ｍｏ積層部に接して、保護層を有していることが好ましい。多層反射膜の最表層をＳｉ層又はＭｏ層とした場合、フッ素を含むガスを用いたドライエッチングでエッチングされてしまうため、Ｓｉ／Ｍｏ積層部の上に、保護層を設けることが有効である。保護層は、キャッピング層とも呼ばれ、その上に形成される吸収体膜から吸収体パターンを形成する際のエッチングストッパとして機能する。そのため、保護層には、吸収体膜とはエッチング特性が異なる材料が用いられる。また、保護層は、吸収体パターンの修正の際に、多層反射膜を保護するためにも有効であることが好ましい。
本発明において、保護層として具体的には、例えば、図１に示されるようなものが挙げられる。図１に示されるＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板１０の多層反射膜２には、Ｓｉ／Ｍｏ積層部２１に接して保護層２２が形成されている。
保護層の材料としては、ルテニウム（Ｒｕ）を含有する材料が用いられる。Ｒｕを含有する材料としては、Ｒｕ単体、Ｒｕに、ニオブ（Ｎｂ）やジルコニウム（Ｚｒ）を添加した化合物などが好適に用いられる。保護層の厚さは、通常５ｎｍ以下、特に４ｎｍ以下であることが好ましい。保護層の厚さの下限は、通常、２ｎｍ以上である。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部は、多層反射膜の基板に最も近い側の層を、Ｓｉ層としても、Ｍｏ層としてもよい。一方、基板から最も離間する側の層は、Ｓｉ層としても、Ｍｏ層としてもよいが、Ｍｏ層とすることが好ましく、Ｓｉ／Ｍｏ積層部の保護層と接する層がＭｏ層であることが好ましい。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部の保護層と接する層がＳｉ層である場合、Ｒｕを含有する材料の保護層を、Ｓｉ／Ｍｏ積層部に直接積層すると、図２に示されるような、Ｓｉ／Ｍｏ積層部２１のＳｉ層２１１と保護層２２とが接触した状態であることが理想である。このような状態であれば、保護層２２による多層反射膜２の反射率の低下は限定的であり、高い反射率が得られる。
しかし、このような状態にすることは、原理的には不可能ではないが、現実的な方法で形成した場合は、実際には、図３に示されるように、Ｓｉ層２１１と保護層２２とが接触する部分で、ＳｉとＲｕとが混合し、この部分に、ＳｉとＲｕとからなる相互拡散層２１ｂが、意図せず形成されてしまう。このようなＳｉとＲｕとからなる相互拡散層が形成されると、ＳｉとＲｕとからなる相互拡散層２１ｂにより、反射率が低下してしまう。更に、マスク加工プロセスや、マスクを使用したＥＵＶ光による露光時などにおいて、多層反射膜に熱が加わると、ＳｉとＲｕとからなる相互拡散層が厚くなったり、ＳｉとＲｕとからなる相互拡散層が変化したり、更には、Ｒｕを含有する材料の保護層が、大気に曝されると、保護層のみならず、Ｓｉ層も酸化されてしまい、更なる反射率の低下を招いてしまう。
これに対して、図１に示されるように、Ｓｉ／Ｍｏ積層部２１の保護層２２と接する層がＭｏ層２１２であると、Ｓｉ／Ｍｏ積層部とＲｕを含有する材料の保護層との間に、反射率の低下を引き起こすＳｉとＲｕとからなる相互拡散層が形成されることがないので、Ｓｉ／Ｍｏ積層部の保護層と接する層がＳｉ層である場合と比べて、高い反射率が達成される。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部の保護層と接する層をＭｏ層とする場合、このＭｏ層の直近のＳｉ層と、保護層と接するＭｏ層との間には、Ｓｉ層とＭｏ層との双方に接して、ＳｉとＮとを含有する層が形成されていることが好ましい。具体的には、多層反射膜の最上部が、基板から離間する側から、保護層と、Ｍｏ層と、ＳｉとＮとを含有する層と、Ｓｉ層とで構成されていることが好ましい。Ｓｉ／Ｍｏ積層部の保護層と接するＭｏ層の直近のＳｉ層と、保護層と接するＭｏ層との間は、保護層の影響を受けやすく、また、多層反射膜に熱が加わると、熱の影響を最も受けやすいため、ＳｉとＭｏとからなる相互拡散層が最も形成されやすい。そのため、多層反射膜の最上部のＳｉ層とＭｏ層との間にＳｉとＮとを含有する層が形成されていることが、高い反射率を得る上で、特に有効である。
この場合、ＳｉとＮとを含有する層を形成すると、Ｒｕを含有する材料で形成された保護層と接するＭｏ層を薄く形成しても、その上にＲｕを含有する材料で形成された保護層を形成すれば、Ｒｕを含有する材料で形成された保護層が比較的薄い膜であっても、Ｒｕを含有する材料で形成された保護層は、結晶性の緻密な構造を有する安定な状態となる。そのため、Ｒｕを含有する材料で形成された保護層と接するＭｏ層の厚さは、２ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以下であることがより好ましい。特に、多層反射膜の最上部が、基板から離間する側から、保護層と、Ｍｏ層と、ＳｉとＮとを含有する層と、Ｓｉ層とで構成されている場合、保護層の厚さは４ｎｍ以下、Ｍｏ層の厚さは１ｎｍ以下、ＳｉとＮとを含有する層の厚さは２ｎｍ以下、Ｓｉ層の厚さは４ｎｍ以下であることが好ましい。
本発明においては、多層反射膜の反射率を、波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°でのピーク反射率として、６５％以上とすることができ、多層反射膜に、熱処理、例えば、大気雰囲気中で、２００℃、１０分間の熱処理を実施しても、反射率の変化（低下）が小さく、熱処理後も、ピーク反射率として、６５％以上を維持することができる。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部の形成方法としては、ターゲットに電力を供給し、供給した電力で雰囲気ガスをプラズマ化（イオン化）して、スパッタリングを行うスパッタ法や、イオンビームをターゲットに照射するイオンビームスパッタ法が挙げられる。スパッタ法としては、ターゲットに直流電圧を印加するＤＣスパッタ法、ターゲットに高周波電圧を印加するＲＦスパッタ法がある。スパッタ法とはスパッタガスをチャンバーに導入した状態でターゲットに電圧を印加し、ガスをイオン化し、ガスイオンによるスパッタリング現象を利用した成膜方法で、特にマグネトロンスパッタ法は生産性において有利である。ターゲットに印加する電力はＤＣでもＲＦでもよく、また、ＤＣには、ターゲットのチャージアップを防ぐために、ターゲットに印加する負バイアスを短時間反転するパルススパッタリングも含まれる。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部は、例えば、複数のターゲットを装着できるスパッタ装置を用いてスパッタ法により形成することができ、具体的には、Ｓｉ層及びＳｉとＮとを含有する層を形成するためのケイ素（Ｓｉ）ターゲットと、Ｍｏ層を形成するためのモリブデン（Ｍｏ）ターゲット）とを用い、スパッタガスとして、Ｓｉ層及びＭｏ層を形成する場合は、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガス、ＳｉとＮとを含有する層を形成する場合は、希ガスと共に窒素ガス（Ｎ2ガス）などの窒素含有ガスを用いて、基板と、各々のターゲットとの配置をオフセット配置（各々のターゲットのスパッタ面の中心を通る鉛直線が、基板の膜形成面の中心を通る鉛直線と一致しない配置）とし、ＳｉターゲットとＭｏターゲットとを順次スパッタリングすることにより、Ｓｉ層、ＳｉとＮとを含有する層及びＭｏ層を順次形成することができる。スパッタリングは、基板を主表面に沿って自転させながら実施することが好ましい。また、この場合、チャンバー内には、シャッターなどのターゲットと基板との間を遮蔽する部材は設けないことが好ましい。なお、ＳｉとＮとを含有する層は、窒素含有ガスを用いた反応性スパッタリングで形成しても、ターゲットに窒化ケイ素ターゲットなどのケイ素化合物ターゲットを用いて形成してもよい。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部は、
（Ａ）Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程
を含む方法により形成することができる。この場合、特に、このスパッタリングを、ＭｏターゲットとＳｉターゲットとを、各々１つ以上装着することができ、ＭｏターゲットとＳｉターゲットとに、別々に電力を印加することができ、基板と、各々のターゲットとの配置がオフセット配置であり、各々のターゲットと基板との間を遮蔽する部材を有さず、基板を主表面に沿って自転させることができ、かつ窒素含有ガスを導入することができるチャンバーを備えるマグネトロンスパッタ装置で実施することが好適である。
（Ａ）Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程
を含む方法により形成することができる。この場合、特に、このスパッタリングを、ＭｏターゲットとＳｉターゲットとを、各々１つ以上装着することができ、ＭｏターゲットとＳｉターゲットとに、別々に電力を印加することができ、基板と、各々のターゲットとの配置がオフセット配置であり、各々のターゲットと基板との間を遮蔽する部材を有さず、基板を主表面に沿って自転させることができ、かつ窒素含有ガスを導入することができるチャンバーを備えるマグネトロンスパッタ装置で実施することが好適である。
保護層は、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と同様に、例えば、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により形成することができるが、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と同様、マグネトロンスパッタ法が有利である。
保護層は、例えば、単数又は複数のターゲットを装着できるスパッタ装置を用いてスパッタ法により形成することができ、具体的には、ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットと、必要に応じてニオブ（Ｎｂ）及びジルコニウム（Ｚｒ）から選ばれる１以上の元素のターゲットとを用い、スパッタガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガスを用いて、ターゲットと基板の主表面とを対向させて（例えば、ターゲットのスパッタ面の中心を通る鉛直線が、基板の膜形成面の中心を通る鉛直線と一致する配置で）、単独のターゲットでスパッタリングすること、又は基板と、各々のターゲットとの配置をオフセット配置として、複数のターゲットを同時にスパッタリングすることにより形成することができる。スパッタリングは、基板を主表面に沿って自転させながら実施することが好ましい。
保護層を、金属以外の他の元素を含む化合物で形成する場合は、スパッタガスとして、希ガスと共に、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭素含有ガスなどの反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成することができる。また、ターゲットを、化合物としてもよい。
このように、多層反射膜は、
（Ａ）Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程と、
（Ｂ）保護層をスパッタリングにより形成する工程と
により好適に形成することができる。この場合、例えば、（Ａ）工程を一のスパッタチャンバー内で実施し、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、一のスパッタチャンバーから他のスパッタチャンバーに移動させて、（Ｂ）工程を他のスパッタチャンバー内で実施することができるが、（Ａ）工程から（Ｂ）工程に移行する際に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を、例えば、大気中などの酸素を含む雰囲気に曝してしまうと、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と保護層との間に、無用な酸化物層が形成されてしまい、反射率の低下や、層間での剥がれなどが生じるおそれがある。そのため（Ａ）工程後、（Ｂ）工程に移行する際、（Ａ）工程で形成したＳｉ／Ｍｏ積層部に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と反応するガス、特に、酸素ガス（Ｏ2ガス）などの酸素を含むガスを接触させること（より具体的には、大気に曝すこと）なく（Ｂ）工程に移行して、（Ｂ）工程を実施することが好ましい。
（Ａ）Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程と、
（Ｂ）保護層をスパッタリングにより形成する工程と
により好適に形成することができる。この場合、例えば、（Ａ）工程を一のスパッタチャンバー内で実施し、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、一のスパッタチャンバーから他のスパッタチャンバーに移動させて、（Ｂ）工程を他のスパッタチャンバー内で実施することができるが、（Ａ）工程から（Ｂ）工程に移行する際に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を、例えば、大気中などの酸素を含む雰囲気に曝してしまうと、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と保護層との間に、無用な酸化物層が形成されてしまい、反射率の低下や、層間での剥がれなどが生じるおそれがある。そのため（Ａ）工程後、（Ｂ）工程に移行する際、（Ａ）工程で形成したＳｉ／Ｍｏ積層部に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と反応するガス、特に、酸素ガス（Ｏ2ガス）などの酸素を含むガスを接触させること（より具体的には、大気に曝すこと）なく（Ｂ）工程に移行して、（Ｂ）工程を実施することが好ましい。
（Ａ）工程で形成したＳｉ／Ｍｏ積層部に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と反応するガスを接触させることなく、（Ｂ）工程を実施する方法として、具体的には、（Ａ）工程を一のスパッタチャンバー内で実施し、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、一のスパッタチャンバーから他のスパッタチャンバーに移動させて、（Ｂ）工程を他のスパッタチャンバー内で実施する際、一及び他のスパッタチャンバーとの間に、各々のスパッタチャンバーと個別に又は両方のスパッタチャンバーと同時に連通可能な搬送用チャンバーを設け、Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、一のスパッタチャンバーから搬送用チャンバーを経由させて他のスパッタチャンバーへ移動させる方法が挙げられる。この際、一のスパッタチャンバーから搬送用チャンバーへの移動、及び搬送用チャンバーから他のスパッタチャンバーへの移動を、いずれも常圧（大気圧）又は減圧（常圧より低圧）の不活性ガス雰囲気下又は真空下で実施することが好ましい。
図４は、本発明の多層反射膜の形成に好適なスパッタ装置の一例を示す概念図である。このスパッタ装置１００は、Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成するためのスパッタチャンバー１０１と、保護層をスパッタリングにより形成するためのスパッタチャンバー１０２と、スパッタチャンバー１０１、１０２の双方と連結する搬送用チャンバー１０３と、搬送用チャンバー１０３と連結するロードロックチャンバー１０４とで構成されている。搬送用チャンバー１０３とロードロックチャンバー１０４との間には、開閉可能な隔壁（図示せず）が設けられており、また、スパッタチャンバー１０１、１０２とロードロックチャンバー１０４との間にも、各々、必要に応じて開閉可能な隔壁を設けることができる。
このようなスパッタ装置で多層反射膜を形成する場合、例えば、まず、ロードロックチャンバー１０４に基板を導入し、ロードロックチャンバー１０４内を減圧後、隔壁を開けて、基板を、搬送用チャンバー１０３を経由させてスパッタチャンバー１０１に移動させて、スパッタチャンバー１０１内でＳｉ／Ｍｏ積層部を形成する。次に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部が形成された基板を、スパッタチャンバー１０１から搬送用チャンバー１０３を経由させてスパッタチャンバー１０２に移動させて、スパッタチャンバー１０２内で保護層を形成する。次に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部及び保護層（多層反射膜）が形成された基板を、スパッタチャンバー１０２から搬送用チャンバー１０３を経由させてロードロックチャンバー１０４に移動させて、隔壁を閉じ、ロードロックチャンバー１０４内を常圧に戻して、多層反射膜が形成された基板を取り出せば、ＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を得ることができる。多層反射膜をこのように形成すれば、（Ａ）工程で形成したＳｉ／Ｍｏ積層部に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と反応するガスを接触させることなく（Ｂ）工程を実施することができる。
ＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板は、多層反射膜上に吸収体膜を形成することにより、ＥＵＶマスクブランクとなる。
本発明のＥＵＶマスクブランクは、ＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の上記多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜、具体的には、ＥＵＶ光を吸収し、反射率を低下させる吸収体膜を有する。吸収体膜は、保護層に接して設けられることが好ましい。ＥＵＶマスクブランクは、更に、吸収体膜上に、吸収体膜をドライエッチングする際のエッチングマスクとして機能するハードマスク膜を有していてもよい。一方、基板の一の主表面と反対側の面である他の主表面（裏側の面）下、好ましくは他の主表面に接して、ＥＵＶマスクを露光装置に静電チャックするために用いる導電膜を設けてもよい。なお、本発明において、基板の一の主表面を表側の面かつ上側、他の主表面を裏側の面かつ下側としているが、両者の表裏及び上下は便宜上定めたものであり、一の主表面と他の主表面とは、基板における２つの主表面（膜形成面）のいずれかであり、表裏及び上下は置換可能である。
ＥＵＶマスクブランク（ＥＵＶ露光用マスクブランク）からは、吸収体膜をパターニングして形成される吸収体パターン（吸収体膜のパターン）を有するＥＵＶマスク（ＥＵＶ露光用マスク）が製造される。ＥＵＶマスクブランク及びＥＵＶマスクは、反射型マスクブランク及び反射型マスクである。
吸収体膜は、多層反射膜の上に形成され、露光光であるＥＵＶ光を吸収して、露光光の反射率を低減する膜であり、ＥＵＶマスクにおいては、吸収体膜が形成されている部分と、吸収体膜が形成されていない部分との反射率の差によって、転写パターンを形成する。
吸収体膜の材料としては、ＥＵＶ光を吸収し、パターン加工が可能な材料であれば、制限はない。吸収体膜の材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）又はクロム（Ｃｒ）を含有する材料が挙げられる。また、Ｔａ又はＣｒを含有する材料は、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などを含有していてもよい。Ｔａを含有する材料としては、Ｔａ単体、ＴａＯ、ＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＣ、ＴａＣＮ、ＴａＣＯ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢ、ＴａＯＢ、ＴａＮＢ、ＴａＯＮＢ、ＴａＣＢ、ＴａＣＮＢ、ＴａＣＯＢ、ＴａＣＯＮＢなどのタンタル化合物が挙げられる。Ｃｒを含有する材料として具体的には、Ｃｒ単体、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢ、ＣｒＯＢ、ＣｒＮＢ、ＣｒＯＮＢ、ＣｒＣＢ、ＣｒＣＮＢ、ＣｒＣＯＢ、ＣｒＣＯＮＢなどのクロム化合物が挙げられる。
吸収体膜は、スパッタリングで形成することができ、スパッタリングは、マグネトロンスパッタが好ましい。具体的には、クロム（Ｃｒ）ターゲット、タンタル（Ｔａ）ターゲットなどの金属ターゲットや、クロム化合物ターゲット、タンタル化合物ターゲットなどの金属化合物ターゲット（Ｃｒ、Ｔａなどの金属と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などとを含有するターゲット）などを用い、スパッタガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガスなどの希ガスを用いたスパッタリング、また、希ガスと共に、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭素含有ガスなどの反応性ガスとを用いた反応性スパッタリングにより形成することができる。
吸収体膜上の基板から離間する側には、好ましくは吸収体膜と接して、吸収体膜とはエッチング特性が異なるハードマスク膜（吸収体膜のエッチングマスク膜）を設けてもよい。このハードマスク膜は、吸収体膜をドライエッチングする際のエッチングマスクとして機能する膜である。このハードマスク膜は、吸収体パターンを形成した後には、例えば、パターン検査などの検査で用いる光の波長における反射率を低減するための反射率低減層として残して吸収体膜の一部としても、取り除いてＥＵＶマスク上には残存させないようにしてもよい。ハードマスク膜の材料としては、クロム（Ｃｒ）を含有する材料が挙げられる。Ｃｒを含有する材料で形成されているハードマスク膜は、特に、吸収体膜が、Ｔａを含有し、Ｃｒを含有しない材料で形成されている場合に好適である。吸収体膜の上に、パターン検査などの検査で用いる光の波長における反射率を低減する機能を主に担う層（反射率低減層）を形成するとき、ハードマスク膜は、吸収体膜の反射率低減層の上に形成することができる。ハードマスク膜は、例えば、マグネトロンスパッタ法により形成することができる。ハードマスク膜の膜厚は、特に制限はないが、通常５～２０ｎｍ程度である。
導電膜は、シート抵抗が１００Ω／□以下であることが好ましく、材質に特に制限はない。導電膜の材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）又はクロム（Ｃｒ）を含有する材料が挙げられる。また、Ｔａ又はＣｒを含有する材料は、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などを含有していてもよい。Ｔａを含有する材料としては、Ｔａ単体、ＴａＯ、ＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＣ、ＴａＣＮ、ＴａＣＯ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢ、ＴａＯＢ、ＴａＮＢ、ＴａＯＮＢ、ＴａＣＢ、ＴａＣＮＢ、ＴａＣＯＢ、ＴａＣＯＮＢなどのタンタル化合物が挙げられる。Ｃｒを含有する材料として具体的には、Ｃｒ単体、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢ、ＣｒＯＢ、ＣｒＮＢ、ＣｒＯＮＢ、ＣｒＣＢ、ＣｒＣＮＢ、ＣｒＣＯＢ、ＣｒＣＯＮＢなどのクロム化合物が挙げられる。
導電膜の膜厚は、静電チャック用として機能すればよく、特に制限はないが、通常５～１００ｎｍ程度である。導電膜の膜厚は、ＥＵＶマスクとして形成した後、即ち、吸収体パターンを形成した後に、多層反射膜及び吸収体パターンと、膜応力がバランスするように形成することが好ましい。導電膜は、多層反射膜を形成する前に形成しても、基板の多層反射膜側の全ての膜を形成した後に形成してもよく、また、基板の多層反射膜側の一部の膜を形成した後、導電膜を形成し、その後、基板の多層反射膜側の残部の膜を形成してもよい。導電膜は、例えば、マグネトロンスパッタ法により形成することができる。
更に、ＥＵＶマスクブランクは、基板から最も離間する側に、レジスト膜が形成されたものであってもよい。レジスト膜は、電子線（ＥＢ）レジストが好ましい。
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
［実施例１］
熱膨張係数が±５．０×１０-9／℃の範囲内の低熱膨張素材で形成され、主表面の表面粗さがＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下、主表面の平坦度がＴＩＲ値で１００ｎｍである基板に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と、Ｒｕを含有する保護層とからなる多層反射膜を形成した。
熱膨張係数が±５．０×１０-9／℃の範囲内の低熱膨張素材で形成され、主表面の表面粗さがＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下、主表面の平坦度がＴＩＲ値で１００ｎｍである基板に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と、Ｒｕを含有する保護層とからなる多層反射膜を形成した。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部は、ターゲットとして、ＳｉターゲットとＭｏターゲット、スパッタガスとして、ＡｒガスとＮ2ガスを用い、マグネトロンスパッタにより形成した。マグネトロンスパッタ装置に、ＳｉターゲットとＭｏターゲットを、各々１つずつ装着し、基板と、各々のターゲットとの配置をオフセット配置とし、基板を自転させながら形成した。まず、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、Ｓｉ層を厚さ３．０ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスとＮ2ガスを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、ＳｉＮ層を厚さ１．０ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｍｏターゲットのみを放電させて、Ｍｏ層を厚さ３．０ｎｍの設定で形成した。これらＳｉ層、ＳｉＮ層及びＭｏ層の形成を１サイクルとして、これら３層の形成を合計４０サイクル繰り返した。その後、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、Ｓｉ層を厚さ２．８ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスとＮ2ガスを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、ＳｉＮ層を厚さ１．０ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｍｏターゲットのみを放電させて、Ｍｏ層を厚さ０．５ｎｍの設定で形成して、Ｓｉ／Ｍｏ積層部とした。
保護層は、ターゲットとして、Ｒｕターゲット、スパッタガスとして、Ａｒガスを用い、マグネトロンスパッタにより形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置とは別のマグネトロンスパッタ装置に、Ｒｕターゲットを１つ装着し、基板と、ターゲットを対向させて配置し、基板を自転させながら形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置から保護層を形成するマグネトロンスパッタ装置へのＳｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板の移動は、双方のスパッタチャンバーに連通した搬送用チャンバーを経由させて、真空下で移動させた。スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｒｕターゲットを放電させて、Ｒｕ層を厚さ２．５ｎｍの設定で形成し、保護層とした。
得られた多層反射膜の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、多層反射膜の上部には、表面側（基板から離間する側）から順に、厚さ２．５ｎｍのＲｕ層、厚さ０．５ｎｍのＭｏ層、厚さ１．０ｎｍのＳｉＮ層、厚さ２．６ｎｍのＳｉ層、厚さ０．５ｎｍのＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層、厚さ２．３ｎｍのＭｏ層、厚さ０．９ｎｍのＳｉＮ層が観察された。また、同様の方法で得られた多層反射膜に対して、大気雰囲気中で、２００℃、１０分間の熱処理を実施し、多層反射膜の断面を同様に観察したところ、熱処理前と同様であった。また、波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°でのピーク反射率を、熱処理前後で測定したところ、熱処理前は６７％、熱処理後は６５％であり、いずれも、６５％以上の高い反射率であった。
［実施例２］
熱膨張係数が±５．０×１０-9／℃の範囲内の低熱膨張素材で形成され、主表面の表面粗さがＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下、主表面の平坦度がＴＩＲ値で１００ｎｍである基板に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と、Ｒｕを含有する保護層とからなる多層反射膜を形成した。
熱膨張係数が±５．０×１０-9／℃の範囲内の低熱膨張素材で形成され、主表面の表面粗さがＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下、主表面の平坦度がＴＩＲ値で１００ｎｍである基板に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と、Ｒｕを含有する保護層とからなる多層反射膜を形成した。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部は、ターゲットとして、ＳｉターゲットとＭｏターゲット、スパッタガスとして、ＡｒガスとＮ2ガスを用い、マグネトロンスパッタにより形成した。マグネトロンスパッタ装置に、ＳｉターゲットとＭｏターゲットを、各々１つずつ装着し、基板と、各々のターゲットとの配置をオフセット配置とし、基板を自転させながら形成した。まず、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、Ｓｉ層を厚さ３．０ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスとＮ2ガスを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、ＳｉＮ層を厚さ０．５ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｍｏターゲットのみを放電させて、Ｍｏ層を厚さ３．０ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスとＮ2ガスを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、ＳｉＮ層を厚さ０．５ｎｍの設定で形成した。これらＳｉ層、ＳｉＮ層、Ｍｏ層及びＳｉＮ層の形成を１サイクルとして、これら４層の形成を合計４０サイクル繰り返した。その後、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、Ｓｉ層を厚さ２．４ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスとＮ2ガスを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、ＳｉＮ層を厚さ０．５ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｍｏターゲットのみを放電させて、Ｍｏ層を厚さ０．５ｎｍの設定で形成して、Ｓｉ／Ｍｏ積層部とした。
保護層は、ターゲットとして、Ｒｕターゲット、スパッタガスとして、Ａｒガスを用い、マグネトロンスパッタにより形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置とは別のマグネトロンスパッタ装置に、Ｒｕターゲットを１つ装着し、基板と、ターゲットを対向させて配置し、基板を自転させながら形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置から保護層を形成するマグネトロンスパッタ装置へのＳｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板の移動は、双方のスパッタチャンバーに連通した搬送用チャンバーを経由させて、真空下で移動させた。スパッタチャンバー内にＡｒガスを流し、Ｒｕターゲットを放電させて、Ｒｕ層を厚さ２．５ｎｍの設定で形成し、保護層とした。
得られた多層反射膜の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、多層反射膜の上部には、表面側（基板から離間する側）から順に、厚さ２．７ｎｍのＲｕ層、厚さ０．５ｎｍのＭｏ層、厚さ０．５ｎｍのＳｉＮ層、厚さ２．５ｎｍのＳｉ層、厚さ０．５ｎｍのＳｉＮ層、厚さ２．５ｎｍのＭｏ層、厚さ０．５ｎｍのＳｉＮ層が観察された。また、同様の方法で得られた多層反射膜に対して、大気雰囲気中で、２００℃、１０分間の熱処理を実施し、多層反射膜の断面を同様に観察したところ、熱処理前と同様であった。また、波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°でのピーク反射率を、熱処理前後で測定したところ、熱処理前は６７％、熱処理後は６５％であり、いずれも、６５％以上の高い反射率であった。
［比較例１］
熱膨張係数が±５．０×１０-9／℃の範囲内の低熱膨張素材で形成され、主表面の表面粗さがＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下、主表面の平坦度がＴＩＲ値で１００ｎｍである基板に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と、Ｒｕを含有する保護層とからなる多層反射膜を形成した。
熱膨張係数が±５．０×１０-9／℃の範囲内の低熱膨張素材で形成され、主表面の表面粗さがＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下、主表面の平坦度がＴＩＲ値で１００ｎｍである基板に、Ｓｉ／Ｍｏ積層部と、Ｒｕを含有する保護層とからなる多層反射膜を形成した。
Ｓｉ／Ｍｏ積層部は、ターゲットとして、ＳｉターゲットとＭｏターゲット、スパッタガスとして、ＡｒガスとＮ2ガスを用い、マグネトロンスパッタにより形成した。マグネトロンスパッタ装置に、ＳｉターゲットとＭｏターゲットを、各々１つずつ装着し、基板と、各々のターゲットとの配置をオフセット配置とし、基板を自転させながら形成した。まず、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、Ｓｉ層を厚さ４．０ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｍｏターゲットのみを放電させて、Ｍｏ層を厚さ３．０ｎｍの設定で形成した。これらＳｉ層及びＭｏ層の形成を１サイクルとして、これら２層の形成を合計４０サイクル繰り返した。その後、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｓｉターゲットのみを放電させて、Ｓｉ層を厚さ３．０ｎｍの設定で形成した。次いで、スパッタチャンバー内にＡｒガスのみを流し、Ｍｏターゲットのみを放電させて、Ｍｏ層を厚さ１．０ｎｍの設定で形成して、Ｓｉ／Ｍｏ積層部とした。
保護層は、ターゲットとして、Ｒｕターゲット、スパッタガスとして、Ａｒガスを用い、マグネトロンスパッタにより形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置とは別のマグネトロンスパッタ装置に、Ｒｕターゲットを１つ装着し、基板と、ターゲットを対向させて配置し、基板を自転させながら形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置から保護層を形成するマグネトロンスパッタ装置へのＳｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板の移動は、双方のスパッタチャンバーに連通した搬送用チャンバーを経由させて、真空下で移動させた。スパッタチャンバー内にＡｒガスを流し、Ｒｕターゲットを放電させて、Ｒｕ層を厚さ２．５ｎｍの設定で形成し、保護層とした。
得られた多層反射膜の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察したところ、多層反射膜の上部には、表面側（基板から離間する側）から順に、厚さ２．５ｎｍのＲｕ層、厚さ１．２ｎｍのＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層、厚さ２．８ｎｍのＳｉ層、厚さ０．５ｎｍのＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層、厚さ２．７ｎｍのＭｏ層、厚さ１．３ｎｍのＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層が観察された。また、同様の方法で得られた多層反射膜に対して、大気雰囲気中で、２００℃、１０分間の熱処理を実施し、多層反射膜の断面を同様に観察したところ、多層反射膜の上部には、表面側（基板から離間する側）から順に、厚さ２．５ｎｍのＲｕ層、厚さ１．６ｎｍのＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層、厚さ２．６ｎｍのＳｉ層、厚さ０．５ｎｍのＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層、厚さ２．６ｎｍのＭｏ層、厚さ１．６ｎｍのＳｉとＭｏとが混合した相互拡散層が観察された。また、波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°でのピーク反射率を、熱処理前後で測定したところ、熱処理前は６５％、熱処理後は６２％であり、熱処理後は、６５％未満の低い反射率であった。
１ 基板
１０ ＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板
２ 多層反射膜
２１ Ｓｉ／Ｍｏ積層部
２１１ Ｓｉ層
２１２ Ｍｏ層
２１３ ＳｉとＮとを含む層
２１ａ ＳｉとＭｏとからなる相互拡散層
２１ｂ ＳｉとＲｕとからなる相互拡散層
２２ 保護層
１００ スパッタ装置
１０１、１０２ スパッタチャンバー
１０３ 搬送用チャンバー
１０４ ロードロックチャンバー
１０ ＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板
２ 多層反射膜
２１ Ｓｉ／Ｍｏ積層部
２１１ Ｓｉ層
２１２ Ｍｏ層
２１３ ＳｉとＮとを含む層
２１ａ ＳｉとＭｏとからなる相互拡散層
２１ｂ ＳｉとＲｕとからなる相互拡散層
２２ 保護層
１００ スパッタ装置
１０１、１０２ スパッタチャンバー
１０３ 搬送用チャンバー
１０４ ロードロックチャンバー
図４は、本発明の多層反射膜の形成に好適なスパッタ装置の一例を示す概念図である。このスパッタ装置１００は、Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成するためのスパッタチャンバー１０１と、保護層をスパッタリングにより形成するためのスパッタチャンバー１０２と、スパッタチャンバー１０１、１０２の双方と連結する搬送用チャンバー１０３と、搬送用チャンバー１０３と連結するロードロックチャンバー１０４とで構成されている。搬送用チャンバー１０３とロードロックチャンバー１０４との間には、開閉可能な隔壁（図示せず）が設けられており、また、スパッタチャンバー１０１、１０２と搬送用チャンバー１０３との間にも、各々、必要に応じて開閉可能な隔壁を設けることができる。
保護層は、ターゲットとして、Ｒｕターゲット、スパッタガスとして、Ａｒガスを用い、マグネトロンスパッタにより形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置とは別のマグネトロンスパッタ装置に、Ｒｕターゲットを１つ装着し、基板と、ターゲットを対向させて配置し、基板を自転させながら形成した。Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成したマグネトロンスパッタ装置から保護層を形成するマグネトロンスパッタ装置へのＳｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板の移動は、双方のスパッタチャンバーに連通した搬送用チャンバーを経由させて、真空下で移動させた。スパッタチャンバー内にＡｒガスを流し、Ｒｕターゲットを放電させて、Ｒｕ層を厚さ２．５ｎｍの設定で形成し、保護層とした。
Claims (19)
- 基板と、該基板上に設けられた多層反射膜とを有し、該多層反射膜が、Ｓｉ層とＭｏ層とが交互に積層されたＳｉ／Ｍｏ積層部を有し、該Ｓｉ／Ｍｏ積層部の上記Ｓｉ層と上記Ｍｏ層との間のいずれか１以上に、ＳｉとＮとを含有する層が上記Ｓｉ層と上記Ｍｏ層との双方に接して形成されていることを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 上記ＳｉとＮとを含む層の厚さが２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 上記多層反射膜が、更に、該多層反射膜の最上層として上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部に接して、Ｒｕを含有する保護層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部の上記保護層と接する層がＭｏ層であることを特徴とする請求項３に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 上記多層反射膜の最上部が、上記基板から離間する側から、上記保護層と、上記Ｍｏ層と、上記ＳｉとＮとを含有する層と、上記Ｓｉ層とで構成されていることを特徴とする請求項４に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 上記最上部において、上記保護層の厚さが４ｎｍ以下、上記Ｍｏ層の厚さが１ｎｍ以下、上記ＳｉとＮとを含有する層の厚さが２ｎｍ以下、かつ上記Ｓｉ層の厚さが４ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層とで構成される３層積層構造単位、又は基板側から、Ｍｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＳｉ層とで構成される３層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層と、該Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層とで構成される４層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°での、上記多層反射膜のピーク反射率が６５％以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板。
- 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を製造する方法であって、
（Ａ）上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程
を含み、上記スパッタリングを、
ＭｏターゲットとＳｉターゲットとを、各々１つ以上装着することができ、
ＭｏターゲットとＳｉターゲットとに、別々に電力を印加することができ、
基板と、各々のターゲットとの配置がオフセット配置であり、
各々のターゲットと基板との間を遮蔽する部材を有さず、
基板を主表面に沿って自転させることができ、かつ
窒素含有ガスを導入することができる
チャンバーを備えるマグネトロンスパッタ装置で実施することを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の製造方法。 - 請求項３乃至６のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板を製造する方法であって、
（Ａ）上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部をスパッタリングにより形成する工程、及び
（Ｂ）上記保護層をスパッタリングにより形成する工程
を含み、
上記（Ａ）工程後、上記（Ａ）工程で形成した上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部に、該Ｓｉ／Ｍｏ積層部と反応するガスを接触させることなく、上記（Ｂ）工程を実施することを特徴とするＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の製造方法。 - 上記（Ａ）工程を一のスパッタチャンバー内で実施し、上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、一のスパッタチャンバーから他のスパッタチャンバーに移動させて、上記（Ｂ）工程を上記他のスパッタチャンバー内で実施することを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
- 上記一及び他のスパッタチャンバーとの間に、各々のスパッタチャンバーと個別に又は両方のスパッタチャンバーと同時に連通可能な搬送用チャンバーを設け、上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部を形成した基板を、上記一のスパッタチャンバーから上記搬送用チャンバーを経由させて上記他のスパッタチャンバーへ移動させることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
- 上記一のスパッタチャンバーから上記搬送用チャンバーへの移動、及び該搬送用チャンバーから上記他のスパッタチャンバーへの移動を、いずれも真空下で実施することを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
- 上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層とで構成される３層積層構造単位、又は基板側から、Ｍｏ層と、Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＳｉ層とで構成される３層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項記載の製造方法。
- 上記Ｓｉ／Ｍｏ積層部中に、上記基板側から、Ｓｉ層と、該Ｓｉ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層と、該ＳｉとＮとを含む層に接して形成されたＭｏ層と、該Ｍｏ層に接して形成されたＳｉとＮとを含む層とで構成される４層積層構造単位が、３０以上含まれていることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の製造方法。
- 波長１３．４～１３．６ｎｍの範囲内のＥＵＶ光の入射角６°での、上記多層反射膜のピーク反射率が６５％以上であることを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の製造方法。
- 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の上記多層反射膜上に、Ｔａ又はＣｒを含有する吸収体膜を有することを特徴とするＥＵＶマスクブランク。
- 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランク用多層反射膜付き基板の上記多層反射膜上に、Ｔａを含有し、Ｃｒを含有しない吸収体膜と、該吸収体膜上に、Ｃｒを含有し、上記吸収体膜をドライエッチングする際のエッチングマスクとして機能するハードマスク膜とを有することを特徴とするＥＵＶマスクブランク。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023054145A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| WO2024024513A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7226389B2 (ja) * | 2020-04-28 | 2023-02-21 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランク用膜付き基板及び反射型マスクブランク |
| JP7420027B2 (ja) * | 2020-09-10 | 2024-01-23 | 信越化学工業株式会社 | Ｅｕｖマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びｅｕｖマスクブランク |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004331998A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 多層膜成膜方法、反射鏡及び露光装置 |
| JP2006093454A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡 |
| US20080143981A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-06-19 | Carl Zeis Smt Ag | Optical arrangement and euv lithography device with at least one heated optical element, operating methods, and methods for cleaning as well as for providing an optical element |
| JP2011192693A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Hoya Corp | 多層反射膜付基板、反射型マスクブランク及びそれらの製造方法 |
| JP2012054412A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法 |
| US20120141922A1 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | Wim Yves Deweerd | Method and Apparatus for EUV Mask Having Diffusion Barrier |
| JP2013514651A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖリソグラフィ用反射マスク |
| JP2015109366A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク若しくはｅｕｖリソグラフィ用の反射層付基板、およびその製造方法 |
| JP2016519778A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-07-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 極端紫外線リソグラフィマスクブランク製造システムとそのための操作方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4460284B2 (ja) | 2001-07-03 | 2010-05-12 | イーユーヴィー リミテッド ライアビリティー コーポレイション | 光学要素及びその形成方法 |
| US6965885B2 (en) | 2002-01-22 | 2005-11-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Self-organizing feature map with improved performance by non-monotonic variation of the learning rate |
| US6835671B2 (en) | 2002-08-16 | 2004-12-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of making an integrated circuit using an EUV mask formed by atomic layer deposition |
| KR20070003521A (ko) | 2005-06-30 | 2007-01-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｅｕｖ용 다층 마스크 |
| JP5544914B2 (ja) | 2010-02-15 | 2014-07-09 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクの製造方法 |
| WO2015012151A1 (ja) | 2013-07-22 | 2015-01-29 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| US11275300B2 (en) | 2018-07-06 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask blank defect reduction |
-
2020
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-
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- 2021-09-09 CN CN202111052720.9A patent/CN114167680A/zh active Pending
-
2023
- 2023-11-30 JP JP2023202324A patent/JP2024023457A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004331998A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 多層膜成膜方法、反射鏡及び露光装置 |
| JP2006093454A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡 |
| US20080143981A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-06-19 | Carl Zeis Smt Ag | Optical arrangement and euv lithography device with at least one heated optical element, operating methods, and methods for cleaning as well as for providing an optical element |
| JP2013514651A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖリソグラフィ用反射マスク |
| JP2011192693A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Hoya Corp | 多層反射膜付基板、反射型マスクブランク及びそれらの製造方法 |
| JP2012054412A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法 |
| US20120141922A1 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | Wim Yves Deweerd | Method and Apparatus for EUV Mask Having Diffusion Barrier |
| JP2016519778A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-07-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 極端紫外線リソグラフィマスクブランク製造システムとそのための操作方法 |
| JP2015109366A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク若しくはｅｕｖリソグラフィ用の反射層付基板、およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023054145A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| WO2024024513A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
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