JP2022044084A - ウェハ研磨方法及びウェハ研磨装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記ウェハは、前記第1面の被研磨性よりも前記第2面の被研磨性が大きく、
前記第1研磨パッド及び前記第2研磨パッドは、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、前記母材に保持され、前記気泡内に収容された研磨粒子とを有し、
前記第1研磨パッドの研磨能率は、前記第2研磨パッドの研磨能率より低いことを特徴とする。
前記第1軸心と直交する方向に延び、前記第1研磨パッドと対面する第2研磨パッドを有し、前記第1軸心周りに回転される第2定盤と、
前記第1軸心と平行な第2軸心と直交する方向に延びて前記第1研磨パッドと対面するとともに前記第2研磨パッドと対面する固定部を有し、前記第2軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、
前記固定部には、第1面が前記第1研磨パッドと対面し、前記第1面の裏側である第2面が前記第2研磨パッドと対面するようにウェハが固定され、
前記ウェハは、前記第1面の被研磨性よりも前記第2面の被研磨性が大きく、
前記第1研磨パッド及び前記第2研磨パッドは、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、前記母材に保持され、前記気泡内に収容された研磨粒子とを有し、
前記第1研磨パッドの研磨能率は、前記第2研磨パッドの研磨能率より低いことを特徴とする。
第1、2研磨パッド7、9及び不織布パッドの大きさ:直径300(mm)
キャリヤ5の回転数:60(rpm)
加工面圧:20.5(kPa)
研磨液の供給速度:10ml/分
研磨時間:10分×3回
W1…第1面
W2…第2面
7…第1研磨パッド
9…第2研磨パッド
O1…第1軸心
1…第1定盤
3…第2定盤
O2…第2軸心
5…キャリヤ
5a…固定部
10…ウェハ研磨装置
Claims (7)
- 所定の面圧下において、ウェハの第1面と第1研磨パッドとを相対移動させて前記第1面を研磨するとともに、前記ウェハの前記第1面の裏側である第2面と第2研磨パッドとを相対移動させて前記第2面を研磨するウェハ研磨方法であって、
前記ウェハは、前記第1面の被研磨性よりも前記第2面の被研磨性が大きく、
前記第1研磨パッド及び前記第2研磨パッドは、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、前記母材に保持され、前記気泡内に収容された研磨粒子とを有し、
前記第1研磨パッドの研磨能率は、前記第2研磨パッドの研磨能率より低いことを特徴とするウェハ研磨方法。 - 前記ウェハは、前記第1面がSi面であり、前記第2面がC面であるSiCからなり、
前記第2研磨パッドによる前記第2面の研磨能率は、前記第1研磨パッドによる前記第1面の研磨能率の1.2~2.9倍である請求項1記載のウェハ研磨方法。 - 前記第2研磨パッドによる前記第2面の研磨能率は、前記第1研磨パッドによる前記第1面の研磨能率の1.4~1.8倍である請求項2記載のウェハ研磨方法。
- 前記ウェハと前記第1研磨パッドとの間及び前記ウェハと前記第2研磨パッドとの間に研磨液を介在させ、
前記研磨液は研磨粒子を含まない請求項1乃至3のいずれか1項記載のウェハ研磨方法。 - 前記第1研磨パッドと前記第2研磨パッドとは、母材の気泡率が異なる請求項1乃至4のいずれか1項記載のウェハ研磨方法。
- 前記第1研磨パッドと前記第2研磨パッドとは、前記研磨粒子の含有率が異なる請求項4記載のウェハ研磨方法。
- 第1軸心と直交する方向に延びる第1研磨パッドを有し、前記第1軸心周りに回転される第1定盤と、
前記第1軸心と直交する方向に延び、前記第1研磨パッドと対面する第2研磨パッドを有し、前記第1軸心周りに回転される第2定盤と、
前記第1軸心と平行な第2軸心と直交する方向に延びて前記第1研磨パッドと対面するとともに前記第2研磨パッドと対面する固定部を有し、前記第2軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、
前記固定部には、第1面が前記第1研磨パッドと対面し、前記第1面の裏側である第2面が前記第2研磨パッドと対面するようにウェハが固定され、
前記ウェハは、前記第1面の被研磨性よりも前記第2面の被研磨性が大きく、
前記第1研磨パッド及び前記第2研磨パッドは、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、前記母材に保持され、前記気泡内に収容された研磨粒子とを有し、
前記第1研磨パッドの研磨能率は、前記第2研磨パッドの研磨能率より低いことを特徴とするウェハ研磨装置。
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---|---|---|---|---|
JPH10277923A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2004025415A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Noritake Co Ltd | 研磨体およびその製造方法 |
JP2004071833A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
JP2008068390A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
JP2015005702A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 昭和電工株式会社 | SiC基板の製造方法 |
JP2015211993A (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-26 | 古河電気工業株式会社 | 研磨パッド、研磨パッドを用いた研磨方法及び該研磨パッドの使用方法 |
WO2018116521A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩液及び研摩方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10277923A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2004025415A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Noritake Co Ltd | 研磨体およびその製造方法 |
JP2004071833A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
JP2008068390A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
JP2015005702A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 昭和電工株式会社 | SiC基板の製造方法 |
JP2015211993A (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-26 | 古河電気工業株式会社 | 研磨パッド、研磨パッドを用いた研磨方法及び該研磨パッドの使用方法 |
WO2018116521A1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩液及び研摩方法 |
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