JP2022037582A - 多層基板および撮像素子ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】撮像素子を搭載する基板を透過して撮像素子に入射する光を遮光すること。【解決手段】撮像素子１０１を搭載する、複数の導体層を有する多層基板１０２は、一直線に積み重ねて接続された複数のビア（ドリルビア３００および小径ビア３０１）と、ビアと他の配線とを絶縁する未配線領域３０２を透過して撮像素子１０１に向かう光を遮光する遮光部を備える。遮光部は、少なくとも１つの導体層において、他の導体層の未配線領域３０２より広い範囲で形成したビアのランド３００ａである。【選択図】図７

Description

本発明は、多層基板および撮像素子ユニットに関する。

従来、撮像素子ユニットのパッケージングの構成として、セラミックで形成された凹状のキャビティー構造のパッケージ中に撮像素子を実装するのが一般的であった。また、最近では軽量化・小型化が望まれているために、基板上に撮像素子を直接実装する構造いわゆるパッケージレス構造が提案されている。特許文献１は、撮像チップが実装基板にＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）実装されている例を開示している。

特開２０１５－０１２２１１号公報

しかしながら、パッケージレス構造では、基板の信号配線間を絶縁する為の導体を配置しないスペース（以下、未配線領域と呼ぶ）から光が透過してしまい、基板側である撮像素子の背面からの光も撮像してしまう。撮像素子は高感度化が進んでいるため、撮像素子背面からの光を遮光する必要性が高まっている。しかし、撮像素子背面からの光を遮光するために、パッケージレス構造の撮像素子ユニットまたはパッケージレス構造の撮像素子ユニットを搭載する撮像装置に遮光部材を追加するとコストが増加してしまう。

本発明は、撮像素子を搭載する基板を透過して撮像素子に入射する光を遮光することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の基板は、撮像素子を搭載する、複数の導体層を有する多層基板であって、一直線に積み重ねて接続された複数のビアと、前記ビアと他の配線とを絶縁する未配線領域を透過して前記撮像素子に向かう光を遮光する遮光部を備える。

本発明によれば、撮像素子を搭載する基板を透過して撮像素子に入射する光を遮光することができる。

撮像素子ユニットを備える撮像装置を示す図である。 撮像素子ユニットの構成を示す図である。 多層基板のレイアウトの概略を説明する図である。 従来の多層基板の構造を説明する図である。 従来の多層基板の各導体層の配線およびビアの配置を示す図である。 本実施形態の多層基板の各導体層の配線およびビアの配置を示す図である。 本実施形態の多層基板の構造を説明する図である。

（第１実施形態）
図１は、本実施形態の撮像素子ユニットを備える撮像装置を示す図である。撮像装置１は、例えば、デジタル一眼レフカメラ、ビデオカメラ、コンパクトデジタルカメラ等の撮像装置である。撮像装置１は、レンズユニット２およびカメラ本体３を備える。なお、撮像装置１はレンズユニット２とカメラ本体３が一体となった撮像装置でもよいし、レンズユニット２がカメラ本体３に対して着脱可能なレンズ交換式の撮像装置であってもよい。また、撮像装置１は、ミラーレスカメラであってもよい。

カメラ本体３は、撮像素子ユニット１０を備える。撮像素子ユニット１０の詳細は、図２を用いて後述する。光軸４は、撮像装置１の撮像光学系の光軸である。撮像装置１において、光軸４をＺ軸とし、被写体（不図示）から撮像装置１に向かう方向をＺ軸の正方向とする。撮像装置１の正位置での鉛直方向をＹ軸とし、天に向かう方向を正の方向とする。Ｙ軸およびＺ軸に直交する方向をＸ軸とする。

図２は、本実施形態の撮像素子ユニットの構成を示す図である。撮像素子ユニット１０は、撮像素子１０１、多層基板１０２、部品１０３、カバーガラス１０４、ワイヤボンディングパッド１０５、接続導体１０６、枠１０７を備える。撮像素子１０１は、入射した光に応じて画像信号を出力する。撮像素子１０１は、例えば、ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）を用いたイメージセンサである。撮像素子１０１は、光電変換部を有し、光に応じた電気信号を出力する。

多層基板１０２は、撮像素子１０１を搭載する。多層基板１０２の－Ｚ方向の面に撮像素子１０１の＋Ｚ方向の面が、例えば、接着剤を用いて接着される。また、多層基板１０２の＋Ｚ方向の面には、部品１０３が配置される。以下では、撮像素子１０１を搭載する多層基板１０２の－Ｚ方向の面を多層基板１０２の上面、部品１０３が配置される多層基板１０２の＋Ｚ方向の面を多層基板１０２の下面とも呼ぶ。多層基板１０２は、プリント基板である。多層基板１０２には、部品１０３に接続するパターンが、例えば銅などの金属で形成される。

多層基板１０２は撮像素子１０１を搭載するためリジッド基板が望ましく、ガラスエポキシなどで生成される。なお、本発明の多層基板１０２はリジッド基板に限られるものではなく、プラスチック材料を用いたフレキシブル基板でもよい。また、セラミックスと銅配線を用いたＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）基板などでもよい。多層基板１０２は、特定の材料に、銅などの金属配線でパターンが形成され、部品が搭載される基板であればよい。

部品１０３は、多層基板１０２の撮像素子１０１とは反対の面、すなわち多層基板１０２の＋Ｚ方向の面に配置される様々な部品である。部品１０３は、例えば、撮像素子１０１を動作させるのに必要なコンデンサ・抵抗・コイルなどの受動部品や、撮像素子１０１を動作させるための電圧を生成するリニアレギュレータ・クロックを与える発振器などである。また、部品１０３は、撮像素子１０１の状態などを監視する温度計や、撮像素子１０１の固体情報を記憶するＲＯＭなどの撮像素子１０１を動作させる以外の用途の部品であってもよい。また、部品１０３には、多層基板１０２と外部の基板との間で電源や信号のやりとりをするための信号をまとめて接続するコネクタも含まれる。

ワイヤボンディングパッド１０５は、撮像素子１０１と多層基板１０２を電気的に接続するための電極である。複数のワイヤボンディングパッド１０５が、撮像素子１０１の周りに配置される。ワイヤボンディングパッド１０５は、多層基板１０２上の撮像素子１０１と同じ面、すなわち多層基板１０２の－Ｚ方向の面に配置される。ワイヤボンディングパッド１０５は、多層基板１０２の表面の層に、例えば金メッキなどの処理で形成される。

接続導体１０６は、撮像素子１０１と多層基板１０２を電気的に接続するための接続導体（ワイヤ）である。接続導体１０６の端部の一方は撮像素子１０１に、他方は多層基板１０２上のワイヤボンディングパッド１０５に接続する。接続導体１０６は金属線であり、例えば、金線、アルミ線、銅線等が使用される。接続導体１０６の接続は、例えば、公知のワイヤーボンダーを使用した超音波熱圧着によるものが一般的であるが、これに限られるものではない。

カバーガラス１０４は、撮像素子１０１を封止するためのカバーガラスである。カバーガラス１０４は、撮像素子１０１より－Ｚ方向に配置される。カバーガラス１０４には、反射防止コートなどが形成されている。枠１０７は、撮像素子１０１を環囲する枠である。枠１０７は、ワイヤボンディングパッド１０５より外周に形勢される。また、枠１０７の＋Ｚ方向の面は多層基板１０２に接着され、枠１０７の－Ｚ方向の面はカバーガラス１０４に接着される。

次に、図３を用いて本実施形態の多層基板１０２のレイアウトを説明する。図３は、多層基板のレイアウトの概略を説明する図である。図３（Ａ）は、多層基板１０２を－Ｚ方向から見た図である。多層基板１０２の上面には、撮像素子１０１が搭載される。撮像素子領域２０１は、撮像素子１０１が配置される領域である。撮像素子１０１の長手方向はＸ軸に、短手方向はＹ軸に平行である。撮像素子領域２０１の周囲には、複数のワイヤボンディングパッド１０５が配置される。また、不図示であるが、多層基板１０２の上面のワイヤボンディングパッド１０５の周囲には、枠１０７が接着される領域がある。

図３（Ｂ）は、多層基板１０２を＋Ｚ方向から見た図である。多層基板１０２の下面には、複数の部品１０３が配置される。部品１０３は、例えば、受動部品やリニアレギュレータ・クロック、発振器、コネクタなどの部品である。

次に、多層基板１０２の詳細について説明する。図４は、従来の多層基板１０２の構成を説明する図である。図４は、図２の撮像素子ユニットの断面図の一部を示している。本実施形態の多層基板１０２は、例えば、ビルドアップ基板である。ビルドアップ基板は、コア層の両面にビルドアップ層を積層した多層基板である。

まず、コア層について説明する。多層基板１０２は、コアとなるプリプレグからなる絶縁層３１０の両面に、導体層３２１を設けた両面基板を内包する。導体層３２１はリソグラフィーによって、所望のパターンにパターニングされた後に、ドリルビア３００によって両面の導体層３２１が接続される。本実施形態では、絶縁層３１０および導体層３２１をコア層、ドリルビア３００を内層ビアもしくはコア層ビアと呼ぶ。

ドリルビア３００は、絶縁層３１０の両面の導体層３２１を接続する。ドリルビア３００の両端は、導体層３２１にパターン形成されたランド３００ａ内に形成される。ランド３００ａはドリルビア３００の位置ずれを考慮し、ドリルビア３００よりも径が大きくパターン形成されている。ランド３００ａと導体層３２１とで絶縁が必要な領域には、導体層３２１のない未配線領域３０２を設ける。なお、多層基板１０２がビルドアップ基板である場合には、コア層ビアであるドリルビア３００の径は外層ビアである小径ビア３０１の径より大きい。

次に、ビルドアップ層について説明する。両面基板の上面および下面には、絶縁層３１１および導体層３２２がこの順に設けられている。導体層３２２も、導体層３２１と同様にリソグラフィーによって、所望のパターンにパターニングされる。そして導体層３２２は、小径ビア３０１によって必要箇所が導体層３２１と接続される。小径ビア３０１は、レーザーまたはドリルによって穴開け加工される。以下では、小径ビア３０１を表層ビアもしくは外層ビアともいう。小径ビア３０１もドリルビア３００と同様に、導体層３２２にパターン形成されたランド３０１ａ内に形成される。ランド３０１ａは小径ビア３０１の位置ずれを考慮し、小径ビア３０１よりも径が大きくパターン形成されている。ランド３０１ａと導体層３２２とで絶縁が必要な領域には、導体層３２２のない未配線領域３０２を設ける。

絶縁層３１１および導体層３２２と同様に、絶縁層３１２および導体層３２３と、絶縁層３１３および導体層３２４とが形成されている。具体的には、両面基板の上面および下面にそれぞれ、絶縁層３１１、導体層３２２、絶縁層３１２、導体層３２３、絶縁層３１３、導体層３２４がこの順に設けられている。ドリルビア３００および全ての小径ビア３０１は、一直線に積み重ねて接続されている。

絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１３は、絶縁層３１０と同様にプリプレグからなる。絶縁層３１０の厚みは、例えば、０．０５～１．５ｍｍ、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１３の厚みは、例えば、絶縁層３１０の厚み以下である０．０５～０．３ｍｍである。プリプレグは、繊維をクロス上に織ったあるいは編んだものに、樹脂を含侵させたものである。繊維はガラス繊維のものが一般的であるが、絶縁性であれば、これに限定されない。樹脂としては、エポキシやフェノールを主成分とするものが広く使用されている。また樹脂は、多くの場合、紙、ガラス等の絶縁フィラーを含有している。

導体層３２１、導体層３２２、導体層３２３、導体層３２４の導体は、一般には銅が好適であるが、必要に応じて他の金属を使用しても良い。なお、本実施形態では、多層基板１０２の一例としてビルドアップ基板の例を示したが、多層基板１０２はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層３１０に、他の絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１３と同様の厚みのものを使用するエニーレイヤー基板であっても良い。エニーレイヤー基板では、全層で小径ビア３０１が使用される。すなわち、多層基板１０２がエニーレイヤー基板である場合には、ドリルビア３００の径と小径ビア３０１の径は等しくなる。

各導体層３２４の外面には、ソルダーレジスト３３０が形成されている。ただし、部品１０３を実装する端子の位置やワイヤボンディングパッド１０５は、ソルダーレジスト３３０を開口している。撮像素子１０１側のソルダーレジスト３３０が開口した導体層３２４には、ワイヤボンディングパッド１０５が形成されている。一方、部品１０３側のソルダーレジスト３３０が開口した導体層３２４には、半田３３１を介して部品１０３が接続される。なお、図４の矢印は、多層基板１０２を透過して、多層基板１０２側から撮像素子１０１に入射する光線Ｌを示している。

次に、図５を用いて従来の多層基板１０２の各導体層およびドリルビア３００、小径ビア３０１の配置を説明する。図５は、従来の多層基板１０２の各導体層の配線およびビアの配置を示す図である。

図５（Ａ）は、撮像素子１０１側の導体層３２４の配置を示す図である。配線４０１およびランド３０１ａは、撮像素子１０１と接続されるワイヤボンディングパッド１０５および小径ビア３０１を接続する導体層３２４の信号配線である。配線４０１は、撮像素子１０１側の導体層３２３へ接続するため、小径ビア３０１と接続される。配線４０２は、配線４０１およびランド３０１ａとは異なる撮像素子１０１側の導体層３２４の配線であり、例えばＧＮＤ配線である。配線４０１およびランド３０１ａは、導体が配線されない未配線領域３０２により配線４０２と絶縁される。

図５（Ｂ）は、撮像素子１０１側の導体層３２３および導体層３２２の配置示す図である。図５（Ａ）に示される導体層３２４の小径ビア３０１は、図５（Ｂ）に示される導体層３２３の小径ビア３０１と接続される。同様に、導体層３２３の小径ビア３０１は、導体層３２２の小径ビア３０１と接続される。ランド３０１ａは、撮像素子１０１側の導体層３２２、導体層３２３の配線である。配線４０３は、ランド３０１ａとは異なる撮像素子１０１側の導体層３２２、導体層３２３の配線である。撮像素子１０１側の導体層３２２、導体層３２３のランド３０１ａは、未配線領域３０２により配線４０３と絶縁される。

図５（Ｃ）は、撮像素子１０１側の導体層３２１の配置を示す図である。図５（Ｂ）に示される導体層３２２の小径ビア３０１は、図５（Ｃ）に示される導体層３２１のドリルビア３００と接続される。導体層３２１において小径ビア３０１は、ドリルビア３００に接続される。ランド３００ａは、撮像素子１０１側の導体層３２１の配線である。配線４０４は、ランド３００ａとは異なる撮像素子１０１側の導体層３２１の配線である。撮像素子１０１側の導体層３２１のランド３００ａは、未配線領域３０２により配線４０４と絶縁される。

図５（Ｄ）は、部品１０３側の導体層３２１の配置を示す図である。図５（Ｃ）に示される撮像素子１０１側の導体層３２１の小径ビア３０１は、図５（Ｄ）に示される部品１０３側の導体層３２１のドリルビア３００に接続される。ランド３００ａは、部品１０３側の導体層３２１の配線である。配線４０５は、ランド３００ａとは異なる部品１０３側の導体層３２１の配線である。部品１０３側の導体層３２１のランド３００ａは、未配線領域３０２により配線４０５と絶縁される。

図５（Ｅ）は、部品１０３側の導体層３２３および導体層３２２の配置示す図である。図５（Ｄ）に示される導体層３２１の小径ビア３０１は、図５（Ｅ）に示される導体層３２２の小径ビア３０１に接続される。同様に、導体層３２２の小径ビア３０１は、導体層３２３の小径ビア３０１と接続される。ランド３０１ａは、部品１０３側の導体層３２２、導体層３２３の配線である。配線４０６は、ランド３０１ａとは異なる部品１０３側の導体層３２２、導体層３２３の配線である。部品１０３側の導体層３２２、導体層３２３のランド３０１ａは、未配線領域３０２によりその他の配線４０２と絶縁される。

図５（Ｆ）は、部品１０３側の導体層３２４の配置を示す図である。図５（Ｅ）に示される導体層３２３の小径ビア３０１は、図５（Ｆ）に示される導体層３２４の小径ビア３０１と接続され、配線４０１と接続される。配線４０１およびランド３０１ａは、部品１０３側の導体層３２４の配線である。配線４０１は、半田３３１を介して部品１０３と接続される。配線４０７は、配線４０１およびランド３０１ａとは異なる部品１０３側の導体層３２４の配線である。配線４０１およびランド３０１ａは、導体が配線されない未配線領域３０２により配線４０７と絶縁される。なお、図５（Ａ）～図５（Ｆ）で説明した各導体層の配線４０２～配線４０７は必ずしも同じノードでなくてよい。

図５（Ｇ）は、各導体層の導体を重ねた状態を示す図である。多層基板１０２の各導体層（図５（Ａ）～図５（Ｆ））を重ねると、全層で導体の無い未配線領域３０２ａが生じる場合がある。各導体層のビタ（ドリルビア３００および小径ビア３０１）が一直線積み重ねられているため、ビアの周辺に設けられた導体の無い未配線領域３０２にも全層で重なる領域ができ、全層で導体の無い未配線領域３０２ａが生じる。

未配線領域３０２は、絶縁層のプリプレグおよびソルダーレジスト３３０で構成される。プリプレグは、繊維に樹脂を含侵させたもので、遮光性を備えていない。ソルダーレジスト３３０もプリプレグと同様に遮光性を備えていない。すなわち、プリプレグおよびソルダーレジスト３３０で構成される未配線領域３０２は、遮光性を備えていない。そのため、全層で導体の無い未配線領域３０２ａが多層基板１０２の撮像素子１０１に対応する領域内に存在すると、多層基板１０２を透過した光が撮像素子１０１に入射していまい、撮像素子１０１は背面（多層基板１０２側）からの光を撮像してしまう。

そこで、本実施形態では多層基板１０２の構造によって光を遮光することで、多層基板１０２側から撮像素子１０１へ入射した光が撮像されてしまう恐れを低減する。多層基板１０２側からの光を遮光するために、例えば、多層基板１０２に光を遮断する遮光層を設けてもよいし、光を透過させる素材である各導体層の未配線領域３０２が重ならないように配置してもよい。図６を用いて、各導体層の未配線領域３０２が重ならないように配置する例について説明する。図６は、本実施形態における多層基板１０２の各導体層の配線およびビアの配置を示す図である。

図６（Ａ）は、撮像素子１０１側の導体層３２４の配置を示す図である。図６（Ｂ）は、撮像素子１０１側の導体層３２３および導体層３２２の配置示す図である。図６（Ａ）は図５（Ａ）と、図６（Ｂ）は図５（Ｂ）と同様の図であり、本実施形態における撮像素子１０１側の導体層３２４、導体層３２３、導体層３２２は従来例と同様の構成であるため、説明を省略する。図６（Ｅ）は、部品１０３側の導体層３２３および導体層３２２の配置示す図である。図５（Ｆ）は部品１０３側の導体層３２４の配置を示す図である。図６（Ｅ）は図５（Ｅ）と、図６（Ｆ）は図５（Ｆ）と同様の図であり、本実施形態における部品１０３側の導体層３２２、導体層３２３、導体層３２４は従来例と同様の構成であるため、説明を省略する。

図６（Ｃ）は、撮像素子１０１側の導体層３２１の配置を示す図である。図６（Ｄ）は、部品１０３側の導体層３２１の配置を示す図である。本実施形態では、未配線領域３０２が重ならないように、導体層３２１のランド３００ａが他の導体層（導体層３２２、導体層３２３、導体層３２４）の未配線領域３０２に重なるよう配置する。そのために、本実施形態における各導体層３２１のランド３００ａは、導体層３２２、導体層３２３、導体層３２４の未配線領域３０２より広い範囲でパターン形成される。ドリルビア３００のランド３００ａが、多層基板１０２を透過する光を遮光する遮光部となる。これにより、部品１０３側の導体層３２２、導体層３２３、導体層３２４の未配線領域３０２から入りこむ光を導体層３２１のランド３００ａによって遮光することができる。

図６（Ｇ）は、本実施形態における各導体層の導体を重ねた状態を示す図である。従来例では全層で導体の無い未配線領域３０２ａ（図５（Ｇ））が生じていたが、本実施形態の多層基板１０２の各導体層（図６（Ａ）～図６（Ｆ））を重ねると、全層で導体の無い未配線領域がなくなっていることが分かる。このように、全層で導体の無い未配線領域３０２ａが生じない多層基板１０２の構造にすることで、多層基板１０２側から撮像素子１０１に入射する光を、多層基板１０２において遮光することができる。

図７は、本実施形態における多層基板１０２の構造を説明する図である。図７の多層基板１０２は、図６の多層基板１０２に対応している。以下では、図４に示した従来の多層基板１０２と異なる点について説明する。本実施形態の多層基板１０２と従来の多層基板１０２では、導体層３２１のランド３００ａが異なっている。本実施形態のランド３００ａは、基板平面方向（ＸＹ平面方向）において従来のランド３００ａより広い範囲でパターン形成される。具体的には、光軸方向（Ｚ方向）から見たときに他の導体層（導体層３２２～３２４）の未配線領域３０２がランド３００ａにより覆われるよう、本実施形態のランド３００ａは基板平面方向において該未配線領域３０２より広い範囲でパターン形成される。そのため、部品１０３側の導体層３２４～３２２の未配線領域３０２を透過してきた光（光線Ｌ）は、部品１０３側の導体層３２１のランド３００ａにより遮光される。

全ての導体層３２１～３２４の未配線領域３０２が重なる場合に光が多層基板１０２を透過してしまうため、一部の導体層の配線（パターン）が、他の導体層の未配線領域３０２と重なるようにすればよい。本実施形態では、導体層３２１のランド３００ａにより遮光する例を説明したが、これに限られるものではなく、導体層３２１以外の導体層の小径ビア３０１や配線で他の導体層の未配線領域３０２を覆うことによって遮光するようにしてもよい。

本実施形態のドリルビア３００および小径ビア３０１は、例えば、高速伝送配線であり、ドリルビア３００および小径ビア３０１で伝送される信号は高速伝送信号である。高速伝送配線は、例えばＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｇｎａｌ:低電圧差動信号）等の伝送方式を採用した、２本の信号線を１対とする伝送路である。高速伝送配線を使って撮像素子１０１と多層基板との間で撮像信号を伝送することで、撮像信号の高速伝送に対応している。高速伝送路のインピーダンスを一定に管理するため、高速伝送路では通常の信号の配線よりも未配線領域３０２を大きくとることが一般的である。このように、高速伝送配線は未配線領域３０２が通常より大きくなるため、通常の信号よりも光が透過できる領域が広くなる。そのため、高速伝送配線であるドリルビア３００のランド３００ａによって未配線領域３０２が光軸方向から見て覆われるよう、基板平面方向に未配線領域３０２より広い範囲３００ｂでランド３００ａをパターン形成し、撮像素子１０１への光を遮光する。なお、本実施形態では導体層３２１のランド３００ａによって遮光する例を説明したが、撮像素子１０１に光線Ｌが直接入射することを防止する構成であればよく、撮像素子１０１の下面領域内にあるビアとランドにも適用される。なお、本実施形態ではドリルビア３００および小径ビア３０１で高速伝送信号を伝送する例について説明したが、これに限られるものではなく、通常の信号や電源でもよい。

また、本実施形態では、多層基板１０２をビルドアップ基板として説明したが、多層基板をエニーレイヤー基板等としても構わない。ビルドアップ基板はコア層ビアであるドリルビア３００の径が外層ビアである小径ビア３０１の径より大きいが、エニーレイヤー基板ではドリルビア３００と小径ビア３０１の径は同じである。そのため、エニーレイヤー基板では、コア基板にあるドリルビア３００のランド３００ａに限らず、ビルドアップ層にある小径ビア３０１のランド３０１ａを未配線領域３０２よりも広い範囲でパターン形成して撮像素子１０１背面からの光を遮光してもよい。

また、多層基板１０２内だけでなく、撮像素子１０１と多層基板１０２との間に多層基板１０２側からの光を遮光できる遮光部を設けるようにしてもよい。具体的には、多層基板１０２の撮像素子側のソルダーレジスト３３０の表面に遮光層となるシルク層を印刷することで、遮光部を設けてもよい。また、撮像素子１０１と多層基板１０２の間の撮像素子１０１側の面に、遮光部として遮光シートまたは遮光性のある接着剤等の遮光層を設けてもよい。また、撮像素子側のソルダーレジスト３３０を黒色として、ソルダーレジスト３３０自体が遮光性を有する遮光部となるようにしてもよい。また、上記の遮光のための構成を組み合わせてもよい。

以上のように、本実施形態によれば、多層基板１０２の内部または撮像素子１０１と多層基板１０２との間に光を遮光できる遮光層を設けることにより、撮像素子１０１の背面からの光を遮光することが可能となる。

（その他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１０ 撮像素子ユニット
１０１ 撮像素子
１０２ 多層基板
１０３ 部品
３００ ドリルビア
３００ａ ランド
３０１ 小径ビア
３０２ 未配線領域

Claims (11)

1. 撮像素子を搭載する、複数の導体層を有する多層基板であって、
   一直線に積み重ねて接続された複数のビアと、
   前記ビアと他の配線とを絶縁する未配線領域を透過して前記撮像素子に向かう光を遮光する遮光部を備えることを特徴とする多層基板。
2. 前記遮光部は、少なくとも１つの導体層において、他の導体層の前記未配線領域より広い範囲で形成した前記ビアのランドであることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
3. 前記ランドは、コア層のビアのランドであることを特徴とする請求項２に記載の多層基板。
4. 前記多層基板は、エニーレイヤー基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層基板。
5. 前記多層基板は、ビルドアップ基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層基板。
6. 前記ビアは、高速伝送配線であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層基板。
7. 前記遮光部は、ソルダーレジストの表面に設けられることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
8. 前記遮光部は、印刷されたシルク層、遮光シート、遮光性のある接着剤のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の多層基板。
9. 前記遮光部は、黒色のソルダーレジストであることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
10. 前記ソルダーレジストは、撮像素子側のソルダーレジストであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の多層基板。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の多層基板と、前記多層基板に搭載される撮像素子とを含むことを特徴とする撮像素子ユニット。

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