JP2022031134A - 誘電体薄膜および電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】 誘電損失が小さい誘電体薄膜を提供する。【解決手段】 誘電体組成物を有する誘電体薄膜である。ＣｕＫα１放射線により誘電体薄膜をＸＲＤ分析した場合において、誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝５３～５８°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ５５とし、誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝３０～３５°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ３１として、０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．２５を満たす。【選択図】 図１

Description

本発明は、誘電体薄膜および電子部品に関する。

特許文献１および特許文献２には、ペロブスカイト型酸窒化物ＡＢＯ_２Ｎの粉末を作製する方法が記載されている。しかし、特許文献１および特許文献２には、ペロブスカイト型酸窒化物ＡＢＯ_２Ｎを用いた薄膜を得ることに関しては何ら開示されていない。

特開昭６１－１２２１０８号公報 特開２０１３－００１６２５号公報

近年では、デジタル機器の小型化、高性能化に伴い、誘電損失の小さい誘電体薄膜が求められている。

本発明は、誘電損失が小さい誘電体薄膜を提供することを目的とする。

本発明に係る誘電体薄膜は、
誘電体組成物を有する誘電体薄膜であり、
ＣｕＫα１放射線により誘電体薄膜をＸＲＤ分析した場合において、
前記誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝５３～５８°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ５５とし、
前記誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝３０～３５°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ３１として、
０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．２５を満たす。

前記誘電体組成物がペロブスカイト型酸窒化物であってもよい。

前記ペロブスカイト型酸窒化物が化学式Ｍａ_ｚＭｂＯ_ｘＮ_ｙ（原子数比）で表され、
ＭａがＳｒ，Ｂａ，Ｃａ，Ｌａ，Ｎｄから選ばれる１種以上の元素であり、
ＭｂがＴａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、
０．８００≦ｚ≦１．２００
２．４５０≦ｘ≦３．４９３
０．００５≦ｙ≦０．７００
を満たしてもよく、
Ｍａがペロブスカイト構造におけるＡサイトを占めた場合のイオン価数をａ、Ｍｂがペロブスカイト構造におけるＢサイトを占めた場合のイオン価数をｂとして、
６．７≦ａ＋ｂ≦７．３
を満たしてもよい。

０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．１７を満たしてもよい。

本発明の電子部品は、上記の誘電体薄膜を有する。

実施例９のＸＲＤチャートである。

以下、本発明を実施形態に基づき説明する。

本実施形態の誘電体薄膜は、誘電体組成物を有する誘電体薄膜であり、
ＣｕＫα１放射線により誘電体薄膜をＸＲＤ分析した場合において、
前記誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝５３～５８°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ５５とし、
前記誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝３０～３５°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ３１として、
０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．２５を満たす。

ＸＲＤチャートにおいて誘電体組成物に由来するピークを抜き出したときに、０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．２５を満たす場合には、誘電損失（ｔａｎδ）が著しく小さくなることを本発明者らは見出した。０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．２５を満たす場合とは、２θ＝５３～５８°に存在する前記誘電体組成物由来のピークが相対的に弱い場合である。０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．１７を満たすことが好ましい。また、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１の下限については特に制限はない。例えば０．０７以上であってもよい。

ＣｕＫα１放射線は、波長が１．５４０５６Åの放射線である。

前記誘電体組成物はペロブスカイト型酸窒化物であってもよい。ペロブスカイト型酸窒化物は強誘電体であってもよい。

前記ペロブスカイト型酸窒化物は化学式Ｍａ_ｚＭｂＯ_ｘＮ_ｙ（原子数比）で表すことができる。

ＭａはＳｒ，Ｂａ，Ｃａ，Ｌａ，Ｎｄから選ばれる１種類以上の元素であることが好ましい。ＭａはＳｒ，Ｌａから選ばれる１種類以上の元素であることがさらに好ましく、ＭａはＳｒであることが最も好ましい。ＭｂはＴａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｗから選ばれる１種類以上の元素であることが好ましい。ＭｂはＴａ，Ｔｉから選ばれる１種類以上の元素であることがさらに好ましく、ＭｂはＴａであることが最も好ましい。

Ｍａに占めるＳｒの割合は３５．０ａｔ％以上であってもよく、５０．０ａｔ％以上が好ましく、５５．９ａｔ％以上がさらに好ましい。Ｍａに占めるＳｒの割合が９０．０ａｔ％以下であってもよい。Ｍｂに占めるＴａの割合は３５．０ａｔ％以上であってもよく、５０．０ａｔ％以上が好ましく、５５．９ａｔ％以上がさらに好ましい。Ｍｂに占めるＴａの割合が９０．０ａｔ％以下であってもよい。なお、後述する実験例３の１００－βはＭａに占めるＳｒの割合を示し、Ｍｂに占めるＴａの割合を示す。

０．８００≦ｚ≦１．２００、２．４５０≦ｘ≦３．４９３、０．００５≦ｙ≦０．７００を全て満たすことが好ましく、０．８００≦ｚ≦１．２００、３．０５０≦ｘ≦３．４９３、０．００５≦ｙ≦０．３００、を全て満たすことがさらに好ましい。

さらに、Ｍａがペロブスカイト構造におけるＡサイトを占めた場合のイオン価数をａ、Ｍｂがペロブスカイト構造におけるＢサイトを占めた場合のイオン価数をｂとして、６．７≦ａ＋ｂ≦７．３を満たすことが好ましい。さらに好ましくはａ＋ｂ＝７．０である。

イオン価数の算出方法について説明する。Ｍａがペロブスカイト構造におけるＡサイトを占めた場合のイオン価数は、Ｍａとして含まれる各元素のイオン価数を、その存在比に応じて平均化した値である。Ｍｂがペロブスカイト構造におけるＢサイトを占めた場合のイオン価数は、Ｍｂとして含まれる各元素のイオン価数を、その存在比に応じて平均化した値である。

例えば、ＭａがＳｒ：Ｌａ＝４：１の比で存在してＡサイトを占め、ＭｂがＴａ：Ｔｉ＝４：１の比で存在してＢサイトを占める場合について述べる。Ｓｒイオンの価数は２であり、Ｌａイオンの価数は３である。この場合にａは以下の式（１）により算出される。また、Ｔａイオンの価数は５であり、Ｔｉイオンの価数は４である。この場合にｂは以下の式（２）により算出される。そして、ａ＝２．２、ｂ＝４．８となる。そして、ａ＋ｂは７．０となる。

ａ＝（Ｓｒイオンの価数）×（Ｓｒイオンの存在比）＋（Ｌａイオンの価数）×（Ｌａイオンの存在比）
＝２×４／５＋３×１／５
＝２．２ ・・・式（１）

ｂ＝（Ｔａイオンの価数）×（Ｔａイオンの存在比）＋（Ｔｉイオンの価数）×（Ｔｉイオンの存在比）
＝５×４／５＋４×１／５
＝４．８ ・・・式（２）

上記の特徴を有する誘電体薄膜は、特に誘電損失（ｔａｎδ）を著しく低下させることができる。具体的には、測定周波数を１ｋＨｚとして、ｔａｎδ≦１．００％とすることができ、ｔａｎδ≦０．２０％とすることができ、ｔａｎδ≦０．１８％とすることができる。また、測定周波数を１ｋＨｚとして、比誘電率εは２０以上とすることができ、４０以上とすることができる。なお、εの上限には特に制限はない。５００以下であってもよい。

誘電体薄膜における０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．２５を満たす誘電体組成物の含有割合については特に制限はない。例えば、誘電体薄膜全体を１００質量％として９０質量％以上である。また、誘電体薄膜が複数種類の誘電体組成物を有する場合でも、ＸＲＤチャートにおいてどのピークがどの誘電体組成物に由来するかは識別可能である。そして、各誘電体組成物についてＩｎｔ５５／Ｉｎｔ３１を算出可能である。図１に示すＸＲＤチャートはペロブスカイト型酸窒化物からなる誘電体薄膜のＸＲＤチャートであり、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１＝０．０８である。仮に他の種類の誘電体組成物が誘電体薄膜に含まれる場合でも、ピークの位置および大きさからペロブスカイト型酸窒化物由来のピークが特定でき、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が算出できる。

誘電体薄膜の厚みには特に制限はない。例えば１０～２０００ｎｍである。

以下、誘電体薄膜の製造方法について説明する。誘電体薄膜の製造方法には特に制限はないが、基板上に（下部）電極を形成し、電極上に誘電体薄膜を形成する場合について説明する。

まず、基板を準備する。基板の材質には特に制限はない。例えば、Ｓｉ単結晶基板を用いることが入手容易性およびコスト性に優れている。フレキシビリティを重視する場合には金属箔、例えばＮｉ箔を基板として使用することも出来る。なお、金属箔を基板として使用する場合には、基板が電極を兼ねてもよい。

次に、基板上に電極を形成する。電極の材質に特に制限はなく、電極として機能すればよい。例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ｎｉ等が挙げられる。電極の厚みには特に制限はない。基板に電極を形成する場合には０．０１～１０μｍであってもよい。電極の形成方法には特に制限はない。例えばスパッタ法、蒸着法などが挙げられる。

次に、電極上に誘電体薄膜を形成する。以下、ペロブスカイト型酸窒化物からなる誘電体薄膜の形成方法について説明する。ペロブスカイト型酸窒化物からなる誘電体薄膜の形成方法としては、例えば、反応性スパッタ法によりペロブスカイト型酸窒化物からなる誘電体薄膜を成膜する方法や、スパッタ法によりペロブスカイト型酸化物（ペロブスカイト型酸窒化物）からなる誘電体薄膜を成膜し、成膜後に窒化アニールを行う方法が挙げられる。ただし、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が０．２５以下である誘電体組成物を有する誘電体薄膜が得られる方法であればその他の方法であってもよい。

以下、反応性スパッタ法によりペロブスカイト型酸窒化物からなる誘電体薄膜を成膜する方法について説明する。

ペロブスカイト型酸化物からなるターゲットを作製する。ターゲットの作製方法については特に制限はなく、既知の方法を用いることができる。

次に、チャンバー内にターゲットおよび電極を形成した基板を設置する。そして、Ａｒガス、Ｏ_２ガスおよびＮ_２ガスをチャンバー内に供給しながらターゲットに電力を投入する。必要であれば基板を加熱してもよい。このことで電極に対するペロブスカイト型酸化物からなる薄膜の成膜とペロブスカイト型酸化物の窒化とを同時に行い、ペロブスカイト型酸窒化物からなる薄膜を形成することができる。基板の温度には特に制限はない。例えば２０～８００℃であってもよい。ターゲットに投入する電力の大きさにも特に制限はない。例えば１００～３００Ｗであってもよい。また、スパッタ時間は目的とする誘電体薄膜の厚みが得られる時間とする。

Ａｒガスは通常の誘電体薄膜の成膜でも用いられるガスであり、Ａｒガスを供給しない場合には誘電体薄膜の成膜が困難である。Ａｒガスの供給量には特に制限はない。

ここで、Ａｒガスと同時に反応ガスであるＯ_２ガスおよびＮ_２ガスを供給する。Ｎ_２ガスを供給することで、ペロブスカイト型酸化物の一部を窒化することができ、ペロブスカイト型酸窒化物を作製することができる。Ｎ_２ガスの供給量には特に制限はない。

ここで、Ｎ_２ガスと共に適量のＯ_２ガスを供給することで、誘電体薄膜における欠陥を低減することができる。欠陥にＯ原子が入るためであると考えられる。欠陥を低減することで、ペロブスカイト型酸窒化物からなる結晶体の配列を均一にすることができる。この結果、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が上記の範囲内となる。

Ｏ_２ガスの供給量には特に制限はない。たとえば０．１～５ｓｃｃｍとすればよい。Ｏ_２ガスの供給量が少なすぎる場合には、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が高くなりすぎ、ｔａｎδ≦１．００％を達成できない。Ｏ_２ガスの供給量が多すぎてもＩｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が高くなりすぎ、ｔａｎδ≦１．００％を達成できない。これはＯ_２ガスの供給量が多すぎることでペロブスカイト型酸窒化物からなる結晶体の配列が歪むためであると考えられる。

以下、スパッタ法によりペロブスカイト型酸化物（ペロブスカイト型酸窒化物）からなる誘電体薄膜を成膜し、成膜後に窒化アニールを行う方法について説明する。

チャンバー内にターゲットおよび電極を形成した基板を設置するところまでは反応性スパッタ法による方法と同様である。次に、ガスを供給しながらターゲットに電力を投入する。必要であれば基板を加熱してもよい。基板の温度には特に制限はない。例えば２０～９００℃であってもよい。ターゲットに投入する電力の大きさにも特に制限はない。例えば１００～３００Ｗであってもよい。また、スパッタ時間は目的とする誘電体薄膜の厚みが得られる時間とする。

反応性スパッタ法によりペロブスカイト型酸窒化物からなる誘電体薄膜を成膜する場合と比較して、Ａｒガスは供給するがＯ_２ガスおよび／またはＮ_２ガスを供給しなくてもよい。Ｏ_２ガスを供給せずＮ_２ガスを供給する場合には、欠陥を有するペロブスカイト型酸窒化物からなる誘電体薄膜が成膜される。Ｏ_２ガスおよびＮ_２ガスを供給しない場合には、欠陥を有するペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜が成膜される。Ｏ_２ガスを供給しＮ_２ガスを供給しない場合には、Ｏ_２ガスおよびＮ_２ガスを供給しない場合と比較して欠陥が少ないペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜が成膜される。

次に、得られたペロブスカイト型酸化物（ペロブスカイト型酸窒化物）からなる誘電体薄膜に窒化アニールを行う。窒化アニールはターゲットに１００～２００Ｗの電力を投入し、Ａｒガスを供給せず、Ｏ_２ガスおよびＮ_２ガスを供給することにより行う。窒化アニールによりペロブスカイト型酸化物を窒化してペロブスカイト型酸窒化物とし、ペロブスカイト型酸窒化物の窒化をさらに進めることができる。なお、Ａｒガスを供給しないため、ターゲットに電力を投入してもスパッタ法による成膜は生じない。

窒化アニール時のＯ_２ガスの供給量には特に制限はない。窒化アニール前のペロブスカイト型酸化物（ペロブスカイト型酸窒化物）の状態に依存する。例えばスパッタ法による誘電体薄膜の成膜時にＡｒガスのみを供給した場合には、０．１～５ｓｃｃｍとしてもよい。Ｏ_２ガスの供給量が少なすぎる場合には、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が高くなりすぎ、ｔａｎδ≦１．００％を達成できない。Ｏ_２ガスの供給量が多すぎてもＩｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が高くなりすぎ、ｔａｎδ≦１．００％を達成できない。

窒化アニール時のＮ_２ガスの供給量にも特に制限はない。窒化アニール前のペロブスカイト型酸化物（ペロブスカイト型酸窒化物）の状態に依存する。

窒化アニール時の基板の温度には特に制限はない。例えば２０～９００℃としてもよい。すなわち、窒化アニール時に基板に熱を加えなくてもよい。窒化アニール時間についても特に制限はない。例えば５～１８０分としてもよい。

次に、必要に応じて誘電体薄膜の電極（上部電極）を形成してもよい。誘電体薄膜のεおよびｔａｎδを測定するために誘電体薄膜に電極を形成する場合における電極の材質および形成方法には特に制限はない。εおよびｔａｎδを測定できればよい。また、誘電体薄膜を含む電子部品（薄膜キャパシタ等）を作製するために誘電体薄膜に電極を形成する場合についても電極の材質および形成方法には特に制限はない。

なお、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が０．２５以下であるペロブスカイト型酸窒化物を有する粉末を得ることは難しい。

Ｘ線回折法における代表的な分析手法として定性分析がある。Ｘ線回折法における定性分析では、実測した回折パターンを既知物質の回折パターンと比較することにより、結晶相を同定する。

回折パターンの形状（回折角度および強度）は結晶相に含まれる結晶を構成する原子や分子の配列（結晶の構造）に依存する。結晶相に含まれる結晶の構造が変化することで解説パターンの回折角度および強度が変化するため、実測した回折パターンを既知物質の回折パターンと比較することにより、結晶相を同定する。

経験的に、結晶相の同定には強度が高い３つのピークが重要となる。ＳｒＴａＯ_２Ｎ粉末において、強度が高いピークの回折角度は、強度が高い方から順に２θ＝３１°、５５°、４４°のピークである。ペロブスカイト構造を有するＳｒＴａＯ_２Ｎ粉末では、この強度比はほぼ一定であり、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１＝０．２９５である。すなわち、ＳｒＴａＯ_２Ｎ粉末のＩｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が０．２５以下となることは通常はあり得ない。さらに、ＳｒＴａＯ_２Ｎ以外のペロブスカイト構造を有する粉末であっても、同様である。

本実施形態に係る誘電体薄膜は、特に誘電損失が小さいことが求められる電子部品に好適に用いられる。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されない。

（実験例１）
十分に洗浄を行い乾燥させたＳｉ基板を準備した。次に、Ｓｉ基板上にＰｔからなる下部電極を形成した。下部電極の形成はスパッタ法にて行った。下部電極の厚みは約０．１μｍとした。

次に、下部電極上に誘電体薄膜を成膜した。誘電体薄膜はＳｒ_ｚＴａＯ_ｘＮ_ｙで表されるペロブスカイト型酸窒化物からなる薄膜とした。誘電体薄膜は成膜用ターゲットとしてＳｒ_２Ｔａ_２Ｏ_７焼結体を用いた反応性スパッタ法により成膜した。

成膜時にチャンバー内へＡｒガス、Ｏ_２ガスおよびＮ_２ガスを供給した。この際のＯ_２ガスの供給量およびＮ_２ガスの供給量を表１に示す値とした。なお、比較例１ではＯ_２ガスを供給しなかった。

成膜時の基板温度は２０～９００℃、ターゲットに投入する電力は１００～３００Ｗ、成膜時間は表１に記載された薄膜厚みの誘電体薄膜が得られる時間とした。

得られた誘電体薄膜について、ＣｕＫα１放射線によるＸ線回折法（ＸＲＤ）によりピーク強度を測定した。具体的には、検出角度（２θ）を２０～６０°としてＩｎ－ｐｌａｎｅ測定法によりピーク強度を測定した。（００２）面に由来するピークが２２°近傍に現れた。（１１２）面に由来するピークが３１°近傍に現れた。（００４）面に由来するピークまたは（２２０）面に由来するピークが４４°近傍に現れた。（２２２）面に由来するピークが５１°近傍に現れた。（２０４）面に由来するピークが５５°近傍に現れた。Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１を表１に示す。

全ての実施例および比較例で０．８００≦ｚ≦１．２００、３．０５０≦ｘ≦３．４９３、０．００５≦ｙ≦０．３００を全て満たすことをＸ線光電子分光法により確認した。

次に、誘電体薄膜上にＡｇからなる上部電極を形成した。上部電極の形成は蒸着法で行った。そして、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｅ４９８０Ａ プレシジョンＬＣＲメーターを用いて周波数１ｋＨｚでεおよびｔａｎδを測定した。ｔａｎδは１．００％以下である場合を良好とした。結果を表１に示す。

表１より、成膜時に十分にＯ_２ガスを供給した各実施例の誘電体薄膜はＩｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が０．２５以下となり、ｔａｎδが小さい誘電体薄膜となった。また、誘電体薄膜の厚みが厚くても薄くてもεおよびｔａｎδが大きくなる傾向にあった。

これに対し、Ｏ_２ガスを供給しなかった比較例１は薄膜厚みが同程度である他の実施例と比較してεが大きくなったが、ｔａｎδも大きくなった。

（実験例２）
下部電極の形成までは実験例１と同様とした。

下部電極上に誘電体薄膜を成膜する際に、実験例１とは異なり、Ｏ_２ガスを供給しなかった。また、比較例２以外の試料ではＮ_２ガスを供給しなかった。成膜時のＯ_２ガスの供給量およびＮ_２ガスの供給量を表２に示す。

成膜時にターゲットに投入する電力は１００～３００Ｗ、成膜時間は表２に記載された薄膜厚みの誘電体薄膜が得られる時間とした。

次に、実験例１とは異なり、窒化アニールを行った。窒化アニールでは、ターゲットに電力を投入し、Ａｒガスを供給せず、Ｏ_２ガスおよびＮ_２ガスのみ、供給した。窒化アニール時のＯ_２ガスの供給量およびＮ_２ガスの供給量を表２に記載した。また、成膜時および窒化アニール時の基板温度を表２に示す。成膜時の基板温度と窒化アニール時の基板温度とは同一である。

ピーク強度の測定、上部電極の形成、および、ε、ｔａｎδの測定は実験例１と同様に実施した。なお、図１は実施例９のＸＲＤチャートである。

全ての実施例および比較例で０．８００≦ｚ≦１．２００、３．０５０≦ｘ≦３．４９３、０．００５≦ｙ≦０．３００を全て満たすことを実験例１と同様に確認した。

表２より、窒化アニール時のＯ_２ガスの供給量が好適に制御された各実施例はＩｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が０．２５以下となり、ｔａｎδが小さい誘電体薄膜となった。また、実施例９、実施例７、実施例１０より、膜厚が厚いほどｔａｎδが小さくなる傾向にあった。

これに対し、Ｏ_２ガスの供給量が大きい比較例２はＩｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が大きすぎ、ｔａｎδが大きくなりすぎた。

（実験例３）
実験例３では、誘電体薄膜の組成を（Ｓｒ_{（１００－β）／１００}Ｌａ_{β／１００}）_ｚ（Ｔａ_{（１００－β）／１００}Ｔｉ_{β／１００}）Ｏ_ｘＮ_ｙ（原子数比）とする点以外は実験例１と同様に実施した。誘電体薄膜の組成を上記の組成とするために、成膜用ターゲットとしてＳｒ_２Ｔａ_２Ｏ_７焼結体およびＬａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７焼結体を用いた反応性スパッタ法により成膜した。成膜時の基板温度は６００℃とし、薄膜厚みは５４０ｎｍとした。結果を表３に示す。

全ての実施例で０．８００≦ｚ≦１．２００、３．０５０≦ｘ≦３．４９３、０．００５≦ｙ≦０．３００を全て満たすことを実験例１と同様に確認した。

表３より、Ｓｒの一部をＬａに置換し、Ｔａの一部をＴｉに置換しても、Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１が０．２５以下であれば、ｔａｎδが小さい誘電体薄膜となった。

Claims (5)

1. 誘電体組成物を有する誘電体薄膜であり、
   ＣｕＫα１放射線により誘電体薄膜をＸＲＤ分析した場合において、
   前記誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝５３～５８°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ５５とし、
   前記誘電体組成物に由来するピークであって２θ＝３０～３５°に存在するピークのうち、強度が最大であるピークの強度をＩｎｔ３１として、
   ０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．２５を満たす誘電体薄膜。
2. 前記誘電体組成物がペロブスカイト型酸窒化物である請求項１に記載の誘電体薄膜。
3. 前記ペロブスカイト型酸窒化物が化学式Ｍａ_ｚＭｂＯ_ｘＮ_ｙ（原子数比）で表され、
   ＭａがＳｒ，Ｂａ，Ｃａ，Ｌａ，Ｎｄから選ばれる１種以上の元素であり、
   ＭｂがＴａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、
   ０．８００≦ｚ≦１．２００
   ２．４５０≦ｘ≦３．４９３
   ０．００５≦ｙ≦０．７００
   を満たし、
   Ｍａがペロブスカイト構造におけるＡサイトを占めた場合のイオン価数をａ、Ｍｂがペロブスカイト構造におけるＢサイトを占めた場合のイオン価数をｂとして、
   ６．７≦ａ＋ｂ≦７．３
   を満たす請求項２に記載の誘電体薄膜。
4. ０≦Ｉｎｔ５５／Ｉｎｔ３１≦０．１７を満たす請求項１～３のいずれかに記載の誘電体薄膜。
5. 請求項１～４のいずれかに記載の誘電体薄膜を有する電子部品。

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