JP2022001736A - Catalyst device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電極通電によって触媒を活性化させて排気ガスを浄化する触媒装置に関する。 The present invention relates to a catalyst device that activates a catalyst by energizing an electrode to purify exhaust gas.
従来、電気加熱式の触媒装置は、金属触媒が担持された担体と、担体に取り付けられた櫛状の金属電極とを備える。金属電極は、複数箇所において固定層によって担体に固定されている(特許文献1等参照)。固定層は、例えば担体の表面に形成された下地層に対し、金属媒体を覆うよう接合されることにより、担体に取り付け固定されている。 Conventionally, an electrically heated catalyst device includes a carrier on which a metal catalyst is supported and a comb-shaped metal electrode attached to the carrier. The metal electrode is fixed to the carrier by a fixing layer at a plurality of places (see Patent Document 1 and the like). The fixed layer is attached and fixed to the carrier, for example, by being bonded to a base layer formed on the surface of the carrier so as to cover the metal medium.
この種の触媒装置では、金属電極への通電時、固定層も通電された状態となる。固定層の断面積が小さいと、その分、抵抗が上昇し、これが固定層の温度上昇の要因となる。固定層が温度上昇すると、固定層が溶断してしまう可能性があり、何らかの対策が必要とされていた。 In this type of catalyst device, when the metal electrode is energized, the fixed layer is also energized. If the cross-sectional area of the fixed layer is small, the resistance increases by that amount, which causes the temperature of the fixed layer to rise. When the temperature of the fixed layer rises, the fixed layer may be melted, and some measures have been required.
本発明の目的は、固定層の溶断の抑制を可能にした触媒装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a catalyst device capable of suppressing the fusing of a fixed layer.
前記問題点を解決する触媒装置は、触媒が担持された担体と、前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、前記固定層が前記金属電極に配置される領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が前記金属電極に配置されない領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積よりも大きくした。 The catalyst device for solving the above-mentioned problems includes a carrier on which a catalyst is carried, a comb-shaped metal electrode provided with a base layer interposed between the surfaces of the carrier, and a part of the metal electrode. A fixed layer for fixing the metal electrode to the base layer by being joined to the base layer so as to cover the metal electrode is provided, the region where the fixed layer is arranged on the metal electrode, and the metal electrode is the base layer. The contact area between the metal electrode and the base layer per specified area on the surface facing the metal electrode is defined in the region where the fixed layer is not arranged on the metal electrode and the surface where the metal electrode faces the base layer. It was made larger than the contact area of the metal electrode and the base layer per area of.
本発明によれば、触媒装置において固定層の溶断を抑制できる。 According to the present invention, it is possible to suppress the fusing of the fixed layer in the catalyst device.
(第1実施形態)
以下、触媒装置の第1実施形態を説明する。
図1に示すように、触媒装置1は、例えば自動車等の排気経路上に設けられ、エンジンから排出される排出ガスを浄化する装置である。触媒装置1は、触媒装置1に設けられた櫛歯状の金属電極2への通電によって金属触媒を活性化させて排気ガスを浄化する電気加熱式である。
(First Embodiment)
Hereinafter, the first embodiment of the catalyst device will be described.
As shown in FIG. 1, the catalyst device 1 is a device provided on an exhaust path of, for example, an automobile or the like, and purifies the exhaust gas discharged from the engine. The catalyst device 1 is an electric heating type that activates a metal catalyst by energizing a comb-
触媒装置1は、内部が排気ガスの通過路となる担体3を備える。担体3は、例えばセラミックスからなる多孔質部材であって、略円筒状をなしている。担体3の内部は、軸方向に延びる空孔が径方向において隙間なく複数配列されたハニカム構造をなし、これら空孔を排気ガスが通過する。担体3の材料であるセラミックスは、例えばSiC(炭化珪素)粒子とSi(珪素)粒子とで構成される複合材が好ましく、導電性を有するセラミックスであればよい。また、担体3のハニカム構造の壁面には、例えば白金、パラジウム、ロジウム等の金属触媒が担持されている。
The catalyst device 1 includes a
図1及び図2に示すように、担体3の表面4には、金属電極2の下地層5が設けられている。下地層5は、金属電極2及び担体3の間に介在されている。下地層5は、金属電極2を固定するための層であって、担体3の軸L1を中心として径方向両側に一対(計2つ)配置されている。下地層5は、担体3の表面4に設けられた第1下地層6と、第1下地層6の表面に設けられた第2下地層7とを備えた2層構造をなしている。第1下地層6は、導電性を有したセラミック材料からなり、本例の場合、例えばSiC(炭化珪素)粒子とSi(珪素)粒子とで構成された複合材の層からなる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
ここで、担体3に含有されるSiC(炭化珪素)粒子の割合は、第1下地層6を構成するSiC(炭化珪素)粒子の割合よりも多いことが好ましい。これにより、担体3の抵抗値を、第1下地層6のものに比べて高くし、担体3の発熱性を高めることができる。
Here, the proportion of SiC (silicon carbide) particles contained in the
このような関係性を前提として、担体3を構成するSiC(炭化珪素)粒子とSi(珪素)粒子との合計量を100%としたとき、SiC(炭化珪素)は、65体積%〜75体積%であることが好ましい。これに対して、第1下地層6を構成するSiC(炭化珪素)粒子とSi(珪素)粒子との合計量を100%としたとき、SiC(炭化珪素)粒子は、55体積%〜65体積%であることが好ましい。
On the premise of such a relationship, when the total amount of SiC (silicon carbide) particles and Si (silicon) particles constituting the
第2下地層7は、酸化鉱物からなる酸化鉱物粒子が分散し、この酸化鉱物粒子を金属マトリクスで連結した層である。具体的には、金属マトリックスは、NiCr合金またはMCrAkY合金(但し、「M」はFe、Co、Niのうち少なくとも一種)等が挙げられる。酸化鉱物は、SiO2やAl2O3などの酸化物を主な成分とするものであり、例えばベントナイトやマイカ或いはそれらの混合物などからなることが好ましい。本例の場合、第2下地層7は、第1下地層6の表面に金属マトリックスとなるNiCr合金粒子と酸化鉱物粒子となるベントナイト粒子とを混合した混合粉末を溶射した層である。
The
なお、本例の場合、担体3の抵抗値、第1下地層6の抵抗値、及び第2下地層7の抵抗値は、前述の記載順に抵抗値が高くなっている。従って、これらの中で担体3が最も抵抗値が高いため、通電時に担体3が過熱され易い。また、第2下地層7の抵抗値を第1下地層6の抵抗値よりも低くすることにより、第2下地層7で金属電極2からの電流を、担体3の周方向(図1の矢印A1方向)に流れ易くすることができる。なお、第1下地層6は、第2下地層7から担体3の周方向(図1の矢印A1方向)に流れた電流が担体3に流れるように、中間の抵抗値として調整される層となっている。
In the case of this example, the resistance value of the
金属電極2は、例えばFe−Cr合金(例えば、ステンレス鋼)などの導電性を有した金属からなる。金属電極2は、担体3の軸L1を中心として径方向両側に一対(計2つ)配置されている。金属電極2は、担体3の長手方向(図1のX軸方向)に沿って延びる基部10と、基部10から担体3の周方向(図1の矢印A1方向)に沿って延びる複数の配線部11とを備える。基部10の長手方向の途中には、担体3の径方向外側に直立した端子部12が形成されている。基部10及び配線部11の境界部分は、基部10が担体3の表面4から離れる方向に僅かに屈曲した形状となっている。配線部11は、担体3の長手方向(図1のX軸方向)に等間隔に並んで配置されている。
The
図3に示すように、配線部11は、複数箇所に設けられた固定層13によって下地層5に固定されている。本例の固定層13は、配線部11の一部を覆うように下地層5に接合されることによって、下地層5に固定されている。このように、固定層13は、各々の配線部11において配線部11の一部分を覆うように配置されている。本例の場合、固定層13は、下地層5の2層のうち表面側の第2下地層7に取り付けられている。固定層13に覆われた配線部11の部位と下地層5との間には、所定の空隙14が形成されている。固定層13は、担体3の周方向において千鳥状に配置されている。固定層13は、第2下地層7で例示した材料からなり、本例の場合、第2下地層7と同じ材料としてもよい。
As shown in FIG. 3, the
ここで、第2下地層7及び固定層13に含まれるベントナイト等の酸化鉱物(粒子)と、NiCr合金等の金属(マトリックス)との割合は、これらの合計量に対して、酸化鉱物(粒子)が55体積%〜70体積%であることが好ましい。また、固定層13の金属(マトリックス)の含有割合は、第2下地層7に比べて少ないことが好ましい。これにより、固定層13の熱膨張率を配線部11の熱膨張率に近づけることができ、配線部11の熱収縮率により固定層13に作用する熱応力を軽減することができる。
Here, the ratio of the oxide mineral (particles) such as bentonite contained in the
図4に示すように、固定層13は、担体3の平面視において四角状(矩形状)に形成されている。この場合、固定層13は、正方形及び長方形のいずれでもよい。本例の場合、固定層13は、4辺のうち対向する一対の第1辺15a及び第2辺15bが平行となり、これらと直交する方向の第3辺15c及び第4辺15dが平行となっている。また、固定層13の各辺を繋ぐ角部16は、丸みを帯びていてもよいし、或いは直角となっていてもよい。
As shown in FIG. 4, the fixed
図5及び図6に示すように、金属電極2及び下地層5の接触面積を「S」とした場合、この接触面積Sを、固定層13が配置されない箇所(本例は、接触面積S2と記す)よりも、固定層13が配置された箇所(接触面積S1と記す)の方が大きくなるように設けた。また、別の表現で表した場合、固定層13が金属電極2に配置される領域、かつ金属電極2が下地層5と対向する面においての規定面積当たりの金属電極2及び下地層5の接触面積S(S1)を、固定層13が金属電極2に配置されない領域、かつ金属電極2が下地層5と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極2及び下地層5の接触面積S(S2)よりも大きくする。なお、規定の面積当たりとは、例えば単位面積当たりであることが好ましい。
As shown in FIGS. 5 and 6, when the contact area of the
本例の場合、金属電極2には、固定層13が配置される箇所において下地層5に向かって突出する凸部17が設けられている。具体的には、凸部17は、金属電極2の配線部11に形成されている。このように、本例では、金属電極2に凸部17を設け、この凸部17が下地層5と接触する箇所を、金属電極2及び下地層5の接触部18とした。このように、金属電極2の凸部17によって下地層5との接触箇所を増やすことにより、固定層13が配置されない箇所よりも固定層13が配置される箇所の方の接触面積Sを大きくとっている。
In the case of this example, the
次に、本実施形態の触媒装置1の作用について説明する。
図7(a)〜(e)に、触媒装置1の製造手順を図示する。まず、図7(a)に示すように、セラミックスからなる担体3の表面4に下地層5を形成する。この工程では、一対の下地層5を形成する。具体的には、まず、金属触媒が担持された担体3を用意し、SiC(炭化珪素)粒子とSi(珪素)粒子とを分散媒で分散させたペースト材を担体3の表面4に塗布する。そして、これを焼成して、担体3の表面4に第1下地層6を形成する。なお、ペースト材の塗布は、スクリーン印刷によって実施してもよい。そして、この後、金属触媒を担持する。
Next, the operation of the catalyst device 1 of the present embodiment will be described.
7 (a) to 7 (e) show the manufacturing procedure of the catalyst device 1. First, as shown in FIG. 7A, the
続いて、第1下地層6の上面に、第2下地層7の形状に応じた開口を有した金属製のマスキング材(図示略)を配置する。そして、この開口に向かって、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって吹き付けてNiCr合金を溶融し、第2下地層7を形成する。
Subsequently, a metal masking material (not shown) having an opening corresponding to the shape of the
図7(b)に示すように、配線部11に局所的に凸部17が形成された金属電極2を用意し、この金属電極2を下地層5の(第2下地層7)の表面に配置する。本例の場合、金属電極2の基部10を担体3の軸方向(軸L1の方向)に沿わせるようにしつつ、配線部11を担体3の周方向(矢印A1の方向)に沿って延在するように配置する。具体的には、シート状の金属電極2を、第2下地層7の表面に倣うように湾曲させて配置させる。このとき、シート状の金属電極2の基部10と反対側の連結部21とを互いに離間する方向に引っ張りながら位置合わせすることにより、第2下地層7の表面に倣わせる。
As shown in FIG. 7B, a
図7(c)に示すように、金属電極2が配置された担体3の表面4に、固定層13の形成に使用するマスキング材22を配置する。マスキング材22には、各固定層13の形状、及びこれらの配置パターンに応じた四角状(矩形状)の開口23が形成されている。そして、金属電極2の配線部11が開口23から露出するようにマスキング材22を担体3の表面4に配置する。特に、本例の場合、配線部11の凸部17にマスキング材22の開口23が位置するように、金属電極2の上面にマスキング材22が配置される。
As shown in FIG. 7 (c), the masking
続いて、マスキング材22がセットされた担体3に対し、第2下地層7の形成時と同様の方法で、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって開口23に吹き付ける。これにより、NiCr合金を溶融し、金属電極2の配線部11の上面に固定層13を形成する。従って、金属電極2の配線部11の一部を覆い、かつ第2下地層7に接合されるように固定層13が形成され、この固定層13によって各配線部11が第2下地層7に固定される。
Subsequently, on the
図7(d)に示すように、固定層13の形成後、マスキング材22を担体3から取り外す。このとき、同図からも分かるように、金属電極2の配線部11に固定層13が局所的に複数設けられる。
As shown in FIG. 7D, after forming the fixed
図7(e)に示すように、担体3からマスキング材22を取り外した後、金属電極2から余剰部分(例えば、連結部21の部分)を切断する。これにより、担体3の表面4に一方の金属電極2が固定層13によって取り付けられる。同様の手順に沿って、担体3の表面4の他方にも金属電極2を固定層13によって担体3に取り付ける。以上によって、担体3の表面4に対向するように一対の金属電極2を備えた触媒装置1が製造される。
As shown in FIG. 7 (e), after the masking
ここで、図8(a)〜(d)に、NiCr混合粒子の溶射によって固定層13を形成する工程の詳細を図示する。なお、同図において左側の図は、担体3の側方から金属電極2を見たときの断面図であり、右側の図は、担体3の軸方向から金属電極2を見たときの断面図である。
Here, FIGS. 8 (a) to 8 (d) illustrate the details of the step of forming the fixed
図8(a)に示すように、金属電極2を第2下地層7の表面に載置する場合、湾曲させた金属電極2のばね力で金属電極2を第2下地層7に張り付ける。ところで、第2下地層7の表面は、微細な凹凸形状をなしている。このため、金属電極2を第2下地層7に配置した際、第2下地層7の凹凸のうち背の高い山部24で金属電極2の裏面を支持する。このように、金属電極2の裏面と山部24との接触箇所が金属電極2及び第2下地層7の接触部18となる。
As shown in FIG. 8A, when the
図8(b)に示すように、固定層13の形成の溶射が実行されると、金属電極2及び第2下地層7の表面に固定層13が蓄積されていく。溶射初期時は、金属電極2及び第2下地層7の積層される固定層13の量は未だ少ない。溶射持は、溶射粉の衝撃によって、金属電極2が上下に振動する。特に、金属電極2と第2下地層7との間に空隙14が存在するので、この空隙14によって金属電極2の振動が助長される。また、溶射初期時は、金属電極2上に乗る溶射粉も少なく、金属電極2の振動が大きいと想定される。
As shown in FIG. 8B, when the thermal spraying of the formation of the fixed
図8(c)に示すように、溶射の中盤になると、固定層13が金属電極2及び第2下地層7に更に積層されていく。このときも、金属電極2は振動するが、第2下地層7の積層した固定層13と近くなっていくに従い、振動が徐々に小さくなる。
As shown in FIG. 8 (c), in the middle of thermal spraying, the fixed
図8(d)に示すように、溶射が終了すると、溶射中盤に比べて金属電極2や第2下地層7に固定層13が更に積層され、金属電極2側の固定層13と、第2下地層7側の固定層13とが繋がる。この固定層13同士の繋がりの際、隙間部分が粗大孔25として発生した状態となってしまうことがある。粗大孔25が固定層13に残存した場合、通電断面積が減少する。これにより、抵抗が上昇し、温度上昇で溶断の可能性に繋がる。
As shown in FIG. 8D, when the thermal spraying is completed, the fixed
そこで、本例の場合は、図5及び図6に示すように、金属電極2において固定層13が設けられる箇所に凸部17を形成し、金属電極2と下地の層部分との間の接触面積Sを確保する。これにより、金属電極2の裏面において下地の層部分で支持される面積を広くとることが可能となり、金属電極2と下地の層部分との間の空隙14が小さく済む。このため、固定層13の溶射粉を溶射するときの金属電極2の振動を少なく抑えることが可能となり、ひいては粗大孔25の形成も抑制される。よって、固定層13の通電断面積の減少が低減され、固定層13の溶断を抑制することができる。
Therefore, in the case of this example, as shown in FIGS. 5 and 6, a
上記実施形態の触媒装置1によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)触媒装置1は、触媒が担持された担体3と、担体3の表面4において間に下地層5が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極2と、金属電極2を下地層5に固定する固定層13とを備える。固定層13は、金属電極2の一部を覆うように下地層5に接合されることにより、金属電極2を下地層5に固定する。また、本例の場合、固定層13が金属電極2に配置される領域、かつ金属電極2が下地層5と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極2及び下地層5の接触面積S(本例は、「S1」)を、固定層13が金属電極2に配置されない領域、かつ金属電極2が下地層5と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極2及び下地層5の接触面積S(本例は、「S2」)よりも大きくした。すなわち、本例の場合、金属電極2及び下地層5の接触面積Sを、固定層13が配置されない箇所よりも、固定層13が配置された箇所の方が大きくなるように設けた。
According to the catalyst device 1 of the above embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The catalyst device 1 is provided with a
本例の構成によれば、金属電極2に固定層13が設けられた箇所において、金属電極2と下地層5との間の空隙14を小さくすることが可能となる。このため、例えば溶射等によって金属電極2に固定層13を設けて金属電極2を固定層13によって下地層5に固定する製造工程時、金属電極2の振動を少なく抑えることが可能となり、固定層13の内部に発生する粗大孔25の形成が抑制される。よって、固定層13の通電断面積の減少が低減され、固定層13の溶断を抑制することができる。
According to the configuration of this example, it is possible to reduce the
(2)金属電極2は、基部10と、基部10から延びる複数の配線部11とを備える。固定層13は、各々の配線部11において配線部11の一部分を覆うように配置されている。この場合、局所的に設けた固定層13によって、金属電極2を下地層5にしっかりと固定することができる。
(2) The
(3)金属電極2には、固定層13が配置される箇所において下地層5に向かって突出する凸部17が設けられ、この凸部17が下地層5と接触する箇所を金属電極2及び下地層5の接触部18とした。この場合、金属電極2に凸部17を設けるという簡素な構造によって、溶射等による層形成時(固定層13の形成時)の金属電極2の振動を少なく抑えて、固定層13の溶断を抑制することができる。
(3) The
(第2実施形態)
次に、第2実施形態を説明する。なお、第2実施形態は、第1実施形態の固定層範囲において金属電極2と下地層5との接触面積Sを確保する方法を変更した実施例である。よって、第1実施形態と同様の箇所には同一符号を付して詳しい説明を省略し、異なる部分についてのみ詳述する。
(Second Embodiment)
Next, the second embodiment will be described. The second embodiment is an example in which the method of securing the contact area S between the
図9及び図10に示すように、金属電極2及び下地層5の間には、前述の下地層5とは別の層の追加下地層31が設けられている。追加下地層31は、固定層13が配置される箇所の少なくとも一部分に形成されることが好ましい。また、追加下地層31は、例えば第2下地層7の形成時と同様の工法を使用して製造するとよい。製造の具体例としては、第2下地層7の上面に、追加下地層31の形状に応じた開口を有した金属製のマスキング材(図示略)を配置する。そして、この開口に向かって、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって吹き付けてNiCr合金を溶融し、追加下地層31を形成する。
As shown in FIGS. 9 and 10, an
このように、本例では、金属電極2及び下地層5の間に追加下地層31を設け、この追加下地層31が金属電極2と接触する箇所を、金属電極2及び追加下地層31(下地の層部分)の接触部18とした。このように、追加下地層31によって金属電極2との接触箇所を増やすことにより、固定層13が配置されない箇所よりも固定層13が配置される箇所の方の接触面積Sを大きくとっている。
As described above, in this example, the
このように、金属電極2及び下地層5の間に追加下地層31を形成し、金属電極2と下地の層部分との間の接触面積Sを確保する。これにより、金属電極2の裏面において下地の層部分で支持される面積を広くとることが可能となり、金属電極2と下地の層部分との間の空隙14が小さく済む。このため、固定層13の溶射粉を溶射するときの金属電極2の振動を少なく抑えることが可能となり、ひいては粗大孔25の形成も抑制される。よって、固定層13の通電断面積の減少が低減され、固定層13の溶断を抑制することができる。
In this way, the
従って、第2実施形態によれば、第1実施形態に記載の効果に加えて以下の効果を得ることができる。
(4)金属電極2及び下地層5の間には、下地層5とは別の層の追加下地層31が設けられ、追加下地層31が金属電極2の裏面と接触する箇所を金属電極2及び下地層5の接触部18とした。この場合、追加下地層31を設けるという簡素な構造によって、溶射等による層形成時(固定層13の形成時)の金属電極2の振動を少なく抑えて、固定層13の溶断を抑制することができる。
Therefore, according to the second embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects described in the first embodiment.
(4) An
なお、本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・各実施形態において、金属電極2の配線部11は、整列する方向に等間隔配置されることに限定されず、非等間隔で配置されてもよい。
In addition, this embodiment can be changed and carried out as follows. The present embodiment and the following modified examples can be implemented in combination with each other within a technically consistent range.
-In each embodiment, the
・各実施形態において、配線部11の個数は、適宜変更してもよい。
・各実施形態において、金属電極2は、担体3に対して一対(2つ)設けられることに限定されず、1つとしてもよいし、或いは3つ以上配置してもよい。
-In each embodiment, the number of
-In each embodiment, the
・各実施形態において、金属電極2の櫛歯状は、基部10から同一方向に延び、かつ基部10の長手方向に等間隔配列された形状に限定されない。例えば、基部10から両方向に突出し、かつ基部10の長手方向に整列した形状としてもよい。
-In each embodiment, the comb-shaped shape of the
・各実施形態において、担体3は、触媒が担持された形状であればよい。
・各実施形態において、第1下地層6及び第2下地層7の厚さは、同じ厚さに限定されず、異なっていてもよい。
-In each embodiment, the
-In each embodiment, the thicknesses of the
・各実施形態において、下地層5は、2層(第1下地層6、第2下地層7)に限定されず、3層以上としてもよい。
・各実施形態において、固定層13の形状やサイズは、適宜変更してもよい。
-In each embodiment, the
-In each embodiment, the shape and size of the fixed
・各実施形態において、固定層13の材料は、下地層5と異なるものを使用してもよい。
・各実施形態において、固定層13の配置場所は、千鳥状に限定されず、例えば各々の配線部11の先端や根元とするなど、適宜変更してもよい。
-In each embodiment, the material of the fixed
-In each embodiment, the arrangement location of the fixed
・第1実施形態において、凸部17の形状は、円形や四角形など、種々の形状を用いることができる。
・第1実施形態において、凸部17は、穴形状に限定されず、例えば配線を屈曲した溝でもよい。
-In the first embodiment, various shapes such as a circle and a quadrangle can be used as the shape of the
-In the first embodiment, the
・第2実施形態において、追加下地層31は、1層に限定されず、複数層としてもよい。
・第2実施形態において、追加下地層31は、全ての固定層13に設けられることに限定されず、全ての固定層13のうち特定のものに選択的に設けてもよい。
-In the second embodiment, the
-In the second embodiment, the
・各実施形態において、接触面積Sとは、金属電極2と下地層5とが接触する箇所であればよく、接触箇所の全てを足し合わせた面積をいう。
次に、上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想について記載する。
-In each embodiment, the contact area S may be any point where the
Next, the technical idea that can be grasped from the above embodiment and the modified example will be described.
(イ)触媒が担持された担体と、前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が配置されない箇所よりも、前記固定層が配置された箇所の方が大きくなるように設けた触媒装置。 (A) A carrier on which a catalyst is supported, a comb-shaped metal electrode provided with an underlayer interposed therebetween on the surface of the carrier, and the underlayer so as to cover a part of the metal electrode. By being joined, the metal electrode is provided with a fixed layer for fixing the metal electrode to the base layer, and the contact area between the metal electrode and the base layer is such that the fixed layer is arranged rather than a place where the fixed layer is not placed. A catalyst device provided so that the area where the electrode is located is larger.
1…触媒装置、2…金属電極、3…担体、4…表面、5…下地層、10…基部、11…配線部、13…固定層、17…凸部、18…接触部、31…追加下地層、S…接触面積。 1 ... catalyst device, 2 ... metal electrode, 3 ... carrier, 4 ... surface, 5 ... base layer, 10 ... base, 11 ... wiring part, 13 ... fixed layer, 17 ... convex part, 18 ... contact part, 31 ... addition Underlayer, S ... Contact area.
Claims (1)
前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、
前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、
前記固定層が前記金属電極に配置される領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が前記金属電極に配置されない領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積よりも大きくした触媒装置。 The carrier on which the catalyst was supported and the carrier
A comb-shaped metal electrode provided on the surface of the carrier with an underlying layer interposed therebetween.
It is provided with a fixing layer for fixing the metal electrode to the base layer by being bonded to the base layer so as to cover a part of the metal electrode.
The fixed layer is the metal in the region where the fixed layer is arranged on the metal electrode, and the contact area between the metal electrode and the base layer per a predetermined area on the surface where the metal electrode faces the base layer. A catalyst device in which the contact area between the metal electrode and the base layer is larger than the specified area per specified area in the region not arranged on the electrode and on the surface where the metal electrode faces the base layer.
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JP2020106168A JP2022001736A (en) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | Catalyst device |
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