JP2022001736A - Catalyst device - Google Patents

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忍 嶋▲崎▼
Shinobu Shimazaki
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Abstract

To provide a catalyst device capable of inhibiting fusion cutting of a fixation layer.SOLUTION: A catalyst device 1 includes: a comb-teeth shaped metallic electrode 2; and a fixation layer 13 fixing the metallic electrode 2 to a base layer 5. The fixation layer 13 is bonded to the base layer 5 to cover part of the metallic electrode 2 to fix the metallic electrode 2 to the base layer 5. In this example, a contact area S of the metallic electrode 2 and the base layer 5 in a portion where the fixation layer 13 is disposed is set larger than that in a portion where the fixation layer 13 is not disposed.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、電極通電によって触媒を活性化させて排気ガスを浄化する触媒装置に関する。 The present invention relates to a catalyst device that activates a catalyst by energizing an electrode to purify exhaust gas.

従来、電気加熱式の触媒装置は、金属触媒が担持された担体と、担体に取り付けられた櫛状の金属電極とを備える。金属電極は、複数箇所において固定層によって担体に固定されている（特許文献１等参照）。固定層は、例えば担体の表面に形成された下地層に対し、金属媒体を覆うよう接合されることにより、担体に取り付け固定されている。 Conventionally, an electrically heated catalyst device includes a carrier on which a metal catalyst is supported and a comb-shaped metal electrode attached to the carrier. The metal electrode is fixed to the carrier by a fixing layer at a plurality of places (see Patent Document 1 and the like). The fixed layer is attached and fixed to the carrier, for example, by being bonded to a base layer formed on the surface of the carrier so as to cover the metal medium.

国際公開２０１０／０６３３５３号International Publication No. 2010/0635353

この種の触媒装置では、金属電極への通電時、固定層も通電された状態となる。固定層の断面積が小さいと、その分、抵抗が上昇し、これが固定層の温度上昇の要因となる。固定層が温度上昇すると、固定層が溶断してしまう可能性があり、何らかの対策が必要とされていた。 In this type of catalyst device, when the metal electrode is energized, the fixed layer is also energized. If the cross-sectional area of the fixed layer is small, the resistance increases by that amount, which causes the temperature of the fixed layer to rise. When the temperature of the fixed layer rises, the fixed layer may be melted, and some measures have been required.

本発明の目的は、固定層の溶断の抑制を可能にした触媒装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a catalyst device capable of suppressing the fusing of a fixed layer.

前記問題点を解決する触媒装置は、触媒が担持された担体と、前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、前記固定層が前記金属電極に配置される領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が前記金属電極に配置されない領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積よりも大きくした。 The catalyst device for solving the above-mentioned problems includes a carrier on which a catalyst is carried, a comb-shaped metal electrode provided with a base layer interposed between the surfaces of the carrier, and a part of the metal electrode. A fixed layer for fixing the metal electrode to the base layer by being joined to the base layer so as to cover the metal electrode is provided, the region where the fixed layer is arranged on the metal electrode, and the metal electrode is the base layer. The contact area between the metal electrode and the base layer per specified area on the surface facing the metal electrode is defined in the region where the fixed layer is not arranged on the metal electrode and the surface where the metal electrode faces the base layer. It was made larger than the contact area of the metal electrode and the base layer per area of.

本発明によれば、触媒装置において固定層の溶断を抑制できる。 According to the present invention, it is possible to suppress the fusing of the fixed layer in the catalyst device.

第１実施形態の触媒装置の斜視図。The perspective view of the catalyst apparatus of 1st Embodiment. 触媒装置の正面図。Front view of the catalyst device. 図４のII−II線断面図。FIG. 4 is a sectional view taken along line II-II of FIG. 固定層が設けられた金属電極の平面図。Top view of a metal electrode provided with a fixed layer. 図４のIII−III線断面図。FIG. 4 is a sectional view taken along line III-III of FIG. 図４のIV−IV線断面図。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG. （ａ）〜（ｅ）は触媒装置の担体に金属電極を固定する際の手順図。(A) to (e) are procedure diagrams when fixing a metal electrode to a carrier of a catalyst device. （ａ）〜（ｄ）は溶射によって固定層を形成する際の工程図。(A) to (d) are process diagrams when forming a fixed layer by thermal spraying. 第２実施形態において側方から見た触媒装置の一部拡大断面図。Partially enlarged cross-sectional view of the catalyst device seen from the side in the second embodiment. 軸方向からみた触媒装置の一部拡大断面図。Partially enlarged cross-sectional view of the catalyst device seen from the axial direction.

（第１実施形態）
以下、触媒装置の第１実施形態を説明する。
図１に示すように、触媒装置１は、例えば自動車等の排気経路上に設けられ、エンジンから排出される排出ガスを浄化する装置である。触媒装置１は、触媒装置１に設けられた櫛歯状の金属電極２への通電によって金属触媒を活性化させて排気ガスを浄化する電気加熱式である。 (First Embodiment)
Hereinafter, the first embodiment of the catalyst device will be described.
As shown in FIG. 1, the catalyst device 1 is a device provided on an exhaust path of, for example, an automobile or the like, and purifies the exhaust gas discharged from the engine. The catalyst device 1 is an electric heating type that activates a metal catalyst by energizing a comb-shaped metal electrode 2 provided in the catalyst device 1 to purify exhaust gas.

触媒装置１は、内部が排気ガスの通過路となる担体３を備える。担体３は、例えばセラミックスからなる多孔質部材であって、略円筒状をなしている。担体３の内部は、軸方向に延びる空孔が径方向において隙間なく複数配列されたハニカム構造をなし、これら空孔を排気ガスが通過する。担体３の材料であるセラミックスは、例えばSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子とで構成される複合材が好ましく、導電性を有するセラミックスであればよい。また、担体３のハニカム構造の壁面には、例えば白金、パラジウム、ロジウム等の金属触媒が担持されている。 The catalyst device 1 includes a carrier 3 whose inside is an exhaust gas passage path. The carrier 3 is, for example, a porous member made of ceramics and has a substantially cylindrical shape. The inside of the carrier 3 has a honeycomb structure in which a plurality of axially extending pores are arranged without gaps in the radial direction, and exhaust gas passes through these pores. The ceramics used as the material of the carrier 3 is preferably a composite material composed of, for example, SiC (silicon carbide) particles and Si (silicon) particles, and may be any ceramic having conductivity. Further, a metal catalyst such as platinum, palladium, or rhodium is supported on the wall surface of the honeycomb structure of the carrier 3.

図１及び図２に示すように、担体３の表面４には、金属電極２の下地層５が設けられている。下地層５は、金属電極２及び担体３の間に介在されている。下地層５は、金属電極２を固定するための層であって、担体３の軸Ｌ１を中心として径方向両側に一対（計２つ）配置されている。下地層５は、担体３の表面４に設けられた第１下地層６と、第１下地層６の表面に設けられた第２下地層７とを備えた２層構造をなしている。第１下地層６は、導電性を有したセラミック材料からなり、本例の場合、例えばSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子とで構成された複合材の層からなる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the surface 4 of the carrier 3 is provided with the base layer 5 of the metal electrode 2. The base layer 5 is interposed between the metal electrode 2 and the carrier 3. The base layer 5 is a layer for fixing the metal electrode 2, and is arranged in pairs (two in total) on both sides in the radial direction with the axis L1 of the carrier 3 as the center. The base layer 5 has a two-layer structure including a first base layer 6 provided on the surface 4 of the carrier 3 and a second base layer 7 provided on the surface of the first base layer 6. The first base layer 6 is made of a conductive ceramic material, and in this example, is made of a layer of a composite material composed of, for example, SiC (silicon carbide) particles and Si (silicon) particles.

ここで、担体３に含有されるSiC（炭化珪素）粒子の割合は、第１下地層６を構成するSiC（炭化珪素）粒子の割合よりも多いことが好ましい。これにより、担体３の抵抗値を、第１下地層６のものに比べて高くし、担体３の発熱性を高めることができる。 Here, the proportion of SiC (silicon carbide) particles contained in the carrier 3 is preferably higher than the proportion of SiC (silicon carbide) particles constituting the first base layer 6. As a result, the resistance value of the carrier 3 can be made higher than that of the first base layer 6, and the heat generation property of the carrier 3 can be enhanced.

このような関係性を前提として、担体３を構成するSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子との合計量を１００％としたとき、SiC（炭化珪素）は、６５体積％〜７５体積％であることが好ましい。これに対して、第１下地層６を構成するSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子との合計量を１００％としたとき、SiC（炭化珪素）粒子は、５５体積％〜６５体積％であることが好ましい。 On the premise of such a relationship, when the total amount of SiC (silicon carbide) particles and Si (silicon) particles constituting the carrier 3 is 100%, the volume of SiC (silicon carbide) is 65% by volume to 75% by volume. % Is preferable. On the other hand, when the total amount of the SiC (silicon carbide) particles and the Si (silicon) particles constituting the first base layer 6 is 100%, the SiC (silicon carbide) particles are 55% by volume to 65 volumes by volume. % Is preferable.

第２下地層７は、酸化鉱物からなる酸化鉱物粒子が分散し、この酸化鉱物粒子を金属マトリクスで連結した層である。具体的には、金属マトリックスは、NiCr合金またはMCrAkY合金（但し、「M」はFe、Co、Niのうち少なくとも一種）等が挙げられる。酸化鉱物は、SiO２やAl２O３などの酸化物を主な成分とするものであり、例えばベントナイトやマイカ或いはそれらの混合物などからなることが好ましい。本例の場合、第２下地層７は、第１下地層６の表面に金属マトリックスとなるNiCr合金粒子と酸化鉱物粒子となるベントナイト粒子とを混合した混合粉末を溶射した層である。 The second base layer 7 is a layer in which oxide mineral particles made of oxide minerals are dispersed and the oxide mineral particles are connected by a metal matrix. Specifically, examples of the metal matrix include NiCr alloys and MCrAkY alloys (where "M" is at least one of Fe, Co, and Ni). The oxide mineral contains an oxide such as SiO 2 or Al 2 O 3 as a main component, and is preferably composed of, for example, bentonite, mica, or a mixture thereof. In the case of this example, the second base layer 7 is a layer obtained by spraying a mixed powder of a mixture of NiCr alloy particles serving as a metal matrix and bentonite particles serving as oxide mineral particles on the surface of the first base layer 6.

なお、本例の場合、担体３の抵抗値、第１下地層６の抵抗値、及び第２下地層７の抵抗値は、前述の記載順に抵抗値が高くなっている。従って、これらの中で担体３が最も抵抗値が高いため、通電時に担体３が過熱され易い。また、第２下地層７の抵抗値を第１下地層６の抵抗値よりも低くすることにより、第２下地層７で金属電極２からの電流を、担体３の周方向（図１の矢印Ａ１方向）に流れ易くすることができる。なお、第１下地層６は、第２下地層７から担体３の周方向（図１の矢印Ａ１方向）に流れた電流が担体３に流れるように、中間の抵抗値として調整される層となっている。 In the case of this example, the resistance value of the carrier 3, the resistance value of the first base layer 6, and the resistance value of the second base layer 7 are higher in the order described above. Therefore, since the carrier 3 has the highest resistance value among these, the carrier 3 is likely to be overheated when energized. Further, by lowering the resistance value of the second base layer 7 to be lower than the resistance value of the first base layer 6, the current from the metal electrode 2 in the second base layer 7 is transmitted in the circumferential direction of the carrier 3 (arrow in FIG. 1). It can be made easier to flow in the A1 direction). The first base layer 6 is a layer adjusted as an intermediate resistance value so that the current flowing from the second base layer 7 in the circumferential direction of the carrier 3 (direction of arrow A1 in FIG. 1) flows through the carrier 3. It has become.

金属電極２は、例えばFe−Cr合金（例えば、ステンレス鋼）などの導電性を有した金属からなる。金属電極２は、担体３の軸Ｌ１を中心として径方向両側に一対（計２つ）配置されている。金属電極２は、担体３の長手方向（図１のＸ軸方向）に沿って延びる基部１０と、基部１０から担体３の周方向（図１の矢印Ａ１方向）に沿って延びる複数の配線部１１とを備える。基部１０の長手方向の途中には、担体３の径方向外側に直立した端子部１２が形成されている。基部１０及び配線部１１の境界部分は、基部１０が担体３の表面４から離れる方向に僅かに屈曲した形状となっている。配線部１１は、担体３の長手方向（図１のＸ軸方向）に等間隔に並んで配置されている。 The metal electrode 2 is made of a conductive metal such as a Fe—Cr alloy (for example, stainless steel). A pair (two in total) of the metal electrodes 2 are arranged on both sides in the radial direction with the axis L1 of the carrier 3 as the center. The metal electrode 2 has a base portion 10 extending along the longitudinal direction of the carrier 3 (X-axis direction in FIG. 1) and a plurality of wiring portions extending from the base portion 10 along the circumferential direction of the carrier 3 (direction of arrow A1 in FIG. 1). 11 and. In the middle of the base portion 10 in the longitudinal direction, an upright terminal portion 12 is formed on the radial outer side of the carrier 3. The boundary portion between the base portion 10 and the wiring portion 11 has a shape in which the base portion 10 is slightly bent in a direction away from the surface 4 of the carrier 3. The wiring portions 11 are arranged side by side at equal intervals in the longitudinal direction of the carrier 3 (X-axis direction in FIG. 1).

図３に示すように、配線部１１は、複数箇所に設けられた固定層１３によって下地層５に固定されている。本例の固定層１３は、配線部１１の一部を覆うように下地層５に接合されることによって、下地層５に固定されている。このように、固定層１３は、各々の配線部１１において配線部１１の一部分を覆うように配置されている。本例の場合、固定層１３は、下地層５の２層のうち表面側の第２下地層７に取り付けられている。固定層１３に覆われた配線部１１の部位と下地層５との間には、所定の空隙１４が形成されている。固定層１３は、担体３の周方向において千鳥状に配置されている。固定層１３は、第２下地層７で例示した材料からなり、本例の場合、第２下地層７と同じ材料としてもよい。 As shown in FIG. 3, the wiring portion 11 is fixed to the base layer 5 by the fixing layers 13 provided at a plurality of locations. The fixed layer 13 of this example is fixed to the base layer 5 by being joined to the base layer 5 so as to cover a part of the wiring portion 11. In this way, the fixed layer 13 is arranged so as to cover a part of the wiring portion 11 in each wiring portion 11. In the case of this example, the fixed layer 13 is attached to the second base layer 7 on the surface side of the two layers of the base layer 5. A predetermined gap 14 is formed between the portion of the wiring portion 11 covered with the fixed layer 13 and the base layer 5. The fixed layer 13 is arranged in a staggered manner in the circumferential direction of the carrier 3. The fixed layer 13 is made of the material exemplified in the second base layer 7, and in this example, it may be the same material as the second base layer 7.

ここで、第２下地層７及び固定層１３に含まれるベントナイト等の酸化鉱物（粒子）と、NiCr合金等の金属（マトリックス）との割合は、これらの合計量に対して、酸化鉱物（粒子）が５５体積％〜７０体積％であることが好ましい。また、固定層１３の金属（マトリックス）の含有割合は、第２下地層７に比べて少ないことが好ましい。これにより、固定層１３の熱膨張率を配線部１１の熱膨張率に近づけることができ、配線部１１の熱収縮率により固定層１３に作用する熱応力を軽減することができる。 Here, the ratio of the oxide mineral (particles) such as bentonite contained in the second base layer 7 and the fixed layer 13 to the metal (matrix) such as NiCr alloy is the oxide mineral (particles) with respect to the total amount thereof. ) Is preferably 55% by volume to 70% by volume. Further, the content ratio of the metal (matrix) in the fixed layer 13 is preferably smaller than that in the second base layer 7. As a result, the coefficient of thermal expansion of the fixed layer 13 can be brought close to the coefficient of thermal expansion of the wiring portion 11, and the thermal stress acting on the fixed layer 13 can be reduced by the coefficient of thermal contraction of the wiring portion 11.

図４に示すように、固定層１３は、担体３の平面視において四角状（矩形状）に形成されている。この場合、固定層１３は、正方形及び長方形のいずれでもよい。本例の場合、固定層１３は、４辺のうち対向する一対の第１辺１５ａ及び第２辺１５ｂが平行となり、これらと直交する方向の第３辺１５ｃ及び第４辺１５ｄが平行となっている。また、固定層１３の各辺を繋ぐ角部１６は、丸みを帯びていてもよいし、或いは直角となっていてもよい。 As shown in FIG. 4, the fixed layer 13 is formed in a square shape (rectangular shape) in a plan view of the carrier 3. In this case, the fixed layer 13 may be either a square or a rectangle. In the case of this example, in the fixed layer 13, a pair of first side 15a and second side 15b facing each other among the four sides are parallel, and the third side 15c and the fourth side 15d in the direction orthogonal to these are parallel. ing. Further, the corner portions 16 connecting the sides of the fixed layer 13 may be rounded or may be at right angles.

図５及び図６に示すように、金属電極２及び下地層５の接触面積を「Ｓ」とした場合、この接触面積Ｓを、固定層１３が配置されない箇所（本例は、接触面積Ｓ２と記す）よりも、固定層１３が配置された箇所（接触面積Ｓ１と記す）の方が大きくなるように設けた。また、別の表現で表した場合、固定層１３が金属電極２に配置される領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（Ｓ１）を、固定層１３が金属電極２に配置されない領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（Ｓ２）よりも大きくする。なお、規定の面積当たりとは、例えば単位面積当たりであることが好ましい。 As shown in FIGS. 5 and 6, when the contact area of the metal electrode 2 and the base layer 5 is “S”, the contact area S is defined as a location where the fixed layer 13 is not arranged (in this example, the contact area S2). The location where the fixed layer 13 is arranged (referred to as the contact area S1) is provided so as to be larger than the portion (described). Further, when expressed in another expression, the contact between the metal electrode 2 and the base layer 5 per the specified area in the region where the fixed layer 13 is arranged on the metal electrode 2 and the surface where the metal electrode 2 faces the base layer 5. The area S (S1) is the contact area S (contact area S) of the metal electrode 2 and the base layer 5 per the specified area in the region where the fixed layer 13 is not arranged on the metal electrode 2 and the surface where the metal electrode 2 faces the base layer 5. Make it larger than S2). The specified area is preferably per unit area, for example.

本例の場合、金属電極２には、固定層１３が配置される箇所において下地層５に向かって突出する凸部１７が設けられている。具体的には、凸部１７は、金属電極２の配線部１１に形成されている。このように、本例では、金属電極２に凸部１７を設け、この凸部１７が下地層５と接触する箇所を、金属電極２及び下地層５の接触部１８とした。このように、金属電極２の凸部１７によって下地層５との接触箇所を増やすことにより、固定層１３が配置されない箇所よりも固定層１３が配置される箇所の方の接触面積Ｓを大きくとっている。 In the case of this example, the metal electrode 2 is provided with a convex portion 17 projecting toward the base layer 5 at a position where the fixed layer 13 is arranged. Specifically, the convex portion 17 is formed in the wiring portion 11 of the metal electrode 2. As described above, in this example, the convex portion 17 is provided on the metal electrode 2, and the portion where the convex portion 17 comes into contact with the base layer 5 is designated as the contact portion 18 between the metal electrode 2 and the base layer 5. In this way, by increasing the contact points with the base layer 5 by the convex portions 17 of the metal electrode 2, the contact area S at the place where the fixed layer 13 is arranged is larger than that at the place where the fixed layer 13 is not arranged. ing.

次に、本実施形態の触媒装置１の作用について説明する。
図７（ａ）〜（ｅ）に、触媒装置１の製造手順を図示する。まず、図７（ａ）に示すように、セラミックスからなる担体３の表面４に下地層５を形成する。この工程では、一対の下地層５を形成する。具体的には、まず、金属触媒が担持された担体３を用意し、SiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子とを分散媒で分散させたペースト材を担体３の表面４に塗布する。そして、これを焼成して、担体３の表面４に第１下地層６を形成する。なお、ペースト材の塗布は、スクリーン印刷によって実施してもよい。そして、この後、金属触媒を担持する。 Next, the operation of the catalyst device 1 of the present embodiment will be described.
7 (a) to 7 (e) show the manufacturing procedure of the catalyst device 1. First, as shown in FIG. 7A, the base layer 5 is formed on the surface 4 of the carrier 3 made of ceramics. In this step, a pair of base layers 5 are formed. Specifically, first, a carrier 3 on which a metal catalyst is supported is prepared, and a paste material in which SiC (silicon carbide) particles and Si (silicon) particles are dispersed in a dispersion medium is applied to the surface 4 of the carrier 3. .. Then, this is fired to form the first base layer 6 on the surface 4 of the carrier 3. The paste material may be applied by screen printing. Then, after this, a metal catalyst is supported.

続いて、第１下地層６の上面に、第２下地層７の形状に応じた開口を有した金属製のマスキング材（図示略）を配置する。そして、この開口に向かって、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって吹き付けてNiCr合金を溶融し、第２下地層７を形成する。 Subsequently, a metal masking material (not shown) having an opening corresponding to the shape of the second base layer 7 is arranged on the upper surface of the first base layer 6. Then, a powder obtained by mixing NiCr alloy particles and bentonite particles is sprayed toward this opening by spraying such as gas flame spraying or plasma spraying to melt the NiCr alloy and form the second base layer 7.

図７（ｂ）に示すように、配線部１１に局所的に凸部１７が形成された金属電極２を用意し、この金属電極２を下地層５の（第２下地層７）の表面に配置する。本例の場合、金属電極２の基部１０を担体３の軸方向（軸Ｌ１の方向）に沿わせるようにしつつ、配線部１１を担体３の周方向（矢印Ａ１の方向）に沿って延在するように配置する。具体的には、シート状の金属電極２を、第２下地層７の表面に倣うように湾曲させて配置させる。このとき、シート状の金属電極２の基部１０と反対側の連結部２１とを互いに離間する方向に引っ張りながら位置合わせすることにより、第２下地層７の表面に倣わせる。 As shown in FIG. 7B, a metal electrode 2 having a convex portion 17 locally formed on the wiring portion 11 is prepared, and the metal electrode 2 is placed on the surface of the base layer 5 (second base layer 7). Deploy. In the case of this example, the wiring portion 11 extends along the circumferential direction of the carrier 3 (direction of arrow A1) while the base 10 of the metal electrode 2 is aligned with the axial direction of the carrier 3 (direction of axis L1). Arrange to do so. Specifically, the sheet-shaped metal electrode 2 is curved and arranged so as to follow the surface of the second base layer 7. At this time, by aligning the base portion 10 of the sheet-shaped metal electrode 2 and the connecting portion 21 on the opposite side while pulling them in a direction away from each other, the surface of the second base layer 7 is imitated.

図７（ｃ）に示すように、金属電極２が配置された担体３の表面４に、固定層１３の形成に使用するマスキング材２２を配置する。マスキング材２２には、各固定層１３の形状、及びこれらの配置パターンに応じた四角状（矩形状）の開口２３が形成されている。そして、金属電極２の配線部１１が開口２３から露出するようにマスキング材２２を担体３の表面４に配置する。特に、本例の場合、配線部１１の凸部１７にマスキング材２２の開口２３が位置するように、金属電極２の上面にマスキング材２２が配置される。 As shown in FIG. 7 (c), the masking material 22 used for forming the fixed layer 13 is arranged on the surface 4 of the carrier 3 on which the metal electrode 2 is arranged. The masking material 22 is formed with a square (rectangular) opening 23 corresponding to the shape of each fixed layer 13 and their arrangement pattern. Then, the masking material 22 is arranged on the surface 4 of the carrier 3 so that the wiring portion 11 of the metal electrode 2 is exposed from the opening 23. In particular, in the case of this example, the masking material 22 is arranged on the upper surface of the metal electrode 2 so that the opening 23 of the masking material 22 is located in the convex portion 17 of the wiring portion 11.

続いて、マスキング材２２がセットされた担体３に対し、第２下地層７の形成時と同様の方法で、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって開口２３に吹き付ける。これにより、NiCr合金を溶融し、金属電極２の配線部１１の上面に固定層１３を形成する。従って、金属電極２の配線部１１の一部を覆い、かつ第２下地層７に接合されるように固定層１３が形成され、この固定層１３によって各配線部１１が第２下地層７に固定される。 Subsequently, on the carrier 3 on which the masking material 22 is set, a powder obtained by mixing NiCr alloy particles and bentonite particles in the same manner as when the second base layer 7 is formed is sprayed, for example, by gas flame spraying or plasma spraying. It is sprayed on the opening 23 by thermal spraying. As a result, the NiCr alloy is melted to form the fixed layer 13 on the upper surface of the wiring portion 11 of the metal electrode 2. Therefore, the fixed layer 13 is formed so as to cover a part of the wiring portion 11 of the metal electrode 2 and to be joined to the second base layer 7, and each wiring portion 11 is connected to the second base layer 7 by the fixed layer 13. It is fixed.

図７（ｄ）に示すように、固定層１３の形成後、マスキング材２２を担体３から取り外す。このとき、同図からも分かるように、金属電極２の配線部１１に固定層１３が局所的に複数設けられる。 As shown in FIG. 7D, after forming the fixed layer 13, the masking material 22 is removed from the carrier 3. At this time, as can be seen from the figure, a plurality of fixed layers 13 are locally provided on the wiring portion 11 of the metal electrode 2.

図７（ｅ）に示すように、担体３からマスキング材２２を取り外した後、金属電極２から余剰部分（例えば、連結部２１の部分）を切断する。これにより、担体３の表面４に一方の金属電極２が固定層１３によって取り付けられる。同様の手順に沿って、担体３の表面４の他方にも金属電極２を固定層１３によって担体３に取り付ける。以上によって、担体３の表面４に対向するように一対の金属電極２を備えた触媒装置１が製造される。 As shown in FIG. 7 (e), after the masking material 22 is removed from the carrier 3, the surplus portion (for example, the portion of the connecting portion 21) is cut from the metal electrode 2. As a result, one of the metal electrodes 2 is attached to the surface 4 of the carrier 3 by the fixing layer 13. A metal electrode 2 is also attached to the other side of the surface 4 of the carrier 3 by a fixing layer 13 according to the same procedure. As described above, the catalyst device 1 provided with the pair of metal electrodes 2 so as to face the surface 4 of the carrier 3 is manufactured.

ここで、図８（ａ）〜（ｄ）に、NiCr混合粒子の溶射によって固定層１３を形成する工程の詳細を図示する。なお、同図において左側の図は、担体３の側方から金属電極２を見たときの断面図であり、右側の図は、担体３の軸方向から金属電極２を見たときの断面図である。 Here, FIGS. 8 (a) to 8 (d) illustrate the details of the step of forming the fixed layer 13 by spraying the NiCr mixed particles. In the figure, the left side view is a cross-sectional view when the metal electrode 2 is viewed from the side of the carrier 3, and the right side view is a cross-sectional view when the metal electrode 2 is viewed from the axial direction of the carrier 3. Is.

図８（ａ）に示すように、金属電極２を第２下地層７の表面に載置する場合、湾曲させた金属電極２のばね力で金属電極２を第２下地層７に張り付ける。ところで、第２下地層７の表面は、微細な凹凸形状をなしている。このため、金属電極２を第２下地層７に配置した際、第２下地層７の凹凸のうち背の高い山部２４で金属電極２の裏面を支持する。このように、金属電極２の裏面と山部２４との接触箇所が金属電極２及び第２下地層７の接触部１８となる。 As shown in FIG. 8A, when the metal electrode 2 is placed on the surface of the second base layer 7, the metal electrode 2 is attached to the second base layer 7 by the spring force of the curved metal electrode 2. By the way, the surface of the second base layer 7 has a fine uneven shape. Therefore, when the metal electrode 2 is arranged on the second base layer 7, the back surface of the metal electrode 2 is supported by the tall mountain portion 24 of the irregularities of the second base layer 7. In this way, the contact point between the back surface of the metal electrode 2 and the mountain portion 24 becomes the contact portion 18 of the metal electrode 2 and the second base layer 7.

図８（ｂ）に示すように、固定層１３の形成の溶射が実行されると、金属電極２及び第２下地層７の表面に固定層１３が蓄積されていく。溶射初期時は、金属電極２及び第２下地層７の積層される固定層１３の量は未だ少ない。溶射持は、溶射粉の衝撃によって、金属電極２が上下に振動する。特に、金属電極２と第２下地層７との間に空隙１４が存在するので、この空隙１４によって金属電極２の振動が助長される。また、溶射初期時は、金属電極２上に乗る溶射粉も少なく、金属電極２の振動が大きいと想定される。 As shown in FIG. 8B, when the thermal spraying of the formation of the fixed layer 13 is executed, the fixed layer 13 is accumulated on the surfaces of the metal electrode 2 and the second base layer 7. At the initial stage of thermal spraying, the amount of the fixed layer 13 on which the metal electrode 2 and the second base layer 7 are laminated is still small. In thermal spraying, the metal electrode 2 vibrates up and down due to the impact of the thermal spray powder. In particular, since the gap 14 exists between the metal electrode 2 and the second base layer 7, the gap 14 promotes the vibration of the metal electrode 2. Further, at the initial stage of thermal spraying, it is assumed that the amount of thermal spray powder on the metal electrode 2 is small and the vibration of the metal electrode 2 is large.

図８（ｃ）に示すように、溶射の中盤になると、固定層１３が金属電極２及び第２下地層７に更に積層されていく。このときも、金属電極２は振動するが、第２下地層７の積層した固定層１３と近くなっていくに従い、振動が徐々に小さくなる。 As shown in FIG. 8 (c), in the middle of thermal spraying, the fixed layer 13 is further laminated on the metal electrode 2 and the second base layer 7. At this time as well, the metal electrode 2 vibrates, but the vibration gradually decreases as it gets closer to the fixed layer 13 in which the second base layer 7 is laminated.

図８（ｄ）に示すように、溶射が終了すると、溶射中盤に比べて金属電極２や第２下地層７に固定層１３が更に積層され、金属電極２側の固定層１３と、第２下地層７側の固定層１３とが繋がる。この固定層１３同士の繋がりの際、隙間部分が粗大孔２５として発生した状態となってしまうことがある。粗大孔２５が固定層１３に残存した場合、通電断面積が減少する。これにより、抵抗が上昇し、温度上昇で溶断の可能性に繋がる。 As shown in FIG. 8D, when the thermal spraying is completed, the fixed layer 13 is further laminated on the metal electrode 2 and the second base layer 7 as compared with the middle stage of the thermal spraying, and the fixed layer 13 on the metal electrode 2 side and the second It is connected to the fixed layer 13 on the base layer 7 side. When the fixed layers 13 are connected to each other, the gap portion may be generated as a coarse hole 25. When the coarse hole 25 remains in the fixed layer 13, the energized cross-sectional area decreases. As a result, the resistance rises, and the temperature rise leads to the possibility of fusing.

そこで、本例の場合は、図５及び図６に示すように、金属電極２において固定層１３が設けられる箇所に凸部１７を形成し、金属電極２と下地の層部分との間の接触面積Ｓを確保する。これにより、金属電極２の裏面において下地の層部分で支持される面積を広くとることが可能となり、金属電極２と下地の層部分との間の空隙１４が小さく済む。このため、固定層１３の溶射粉を溶射するときの金属電極２の振動を少なく抑えることが可能となり、ひいては粗大孔２５の形成も抑制される。よって、固定層１３の通電断面積の減少が低減され、固定層１３の溶断を抑制することができる。 Therefore, in the case of this example, as shown in FIGS. 5 and 6, a convex portion 17 is formed at a portion of the metal electrode 2 where the fixed layer 13 is provided, and the contact between the metal electrode 2 and the underlying layer portion is formed. Secure the area S. As a result, it is possible to increase the area supported by the underlying layer portion on the back surface of the metal electrode 2, and the gap 14 between the metal electrode 2 and the underlying layer portion can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the vibration of the metal electrode 2 when spraying the sprayed powder of the fixed layer 13, and thus the formation of the coarse pores 25 is also suppressed. Therefore, the decrease in the current-carrying cross-sectional area of the fixed layer 13 is reduced, and the fusing of the fixed layer 13 can be suppressed.

上記実施形態の触媒装置１によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）触媒装置１は、触媒が担持された担体３と、担体３の表面４において間に下地層５が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極２と、金属電極２を下地層５に固定する固定層１３とを備える。固定層１３は、金属電極２の一部を覆うように下地層５に接合されることにより、金属電極２を下地層５に固定する。また、本例の場合、固定層１３が金属電極２に配置される領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（本例は、「Ｓ１」）を、固定層１３が金属電極２に配置されない領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（本例は、「Ｓ２」）よりも大きくした。すなわち、本例の場合、金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓを、固定層１３が配置されない箇所よりも、固定層１３が配置された箇所の方が大きくなるように設けた。 According to the catalyst device 1 of the above embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The catalyst device 1 is provided with a carrier 3 on which a catalyst is supported, a comb-shaped metal electrode 2 provided with a base layer 5 interposed between the surface 4 of the carrier 3, and a metal electrode 2 below. It is provided with a fixed layer 13 fixed to the stratum 5. The fixing layer 13 is bonded to the base layer 5 so as to cover a part of the metal electrode 2, thereby fixing the metal electrode 2 to the base layer 5. Further, in the case of this example, the contact area S of the metal electrode 2 and the base layer 5 per the specified area in the region where the fixed layer 13 is arranged on the metal electrode 2 and the surface where the metal electrode 2 faces the base layer 5. (In this example, "S1") is the region where the fixed layer 13 is not arranged on the metal electrode 2, and the metal electrode 2 and the base layer 5 have a predetermined area on the surface where the metal electrode 2 faces the base layer 5. It was made larger than the contact area S (in this example, "S2"). That is, in the case of this example, the contact area S of the metal electrode 2 and the base layer 5 is provided so that the portion where the fixed layer 13 is arranged is larger than the portion where the fixed layer 13 is not arranged.

本例の構成によれば、金属電極２に固定層１３が設けられた箇所において、金属電極２と下地層５との間の空隙１４を小さくすることが可能となる。このため、例えば溶射等によって金属電極２に固定層１３を設けて金属電極２を固定層１３によって下地層５に固定する製造工程時、金属電極２の振動を少なく抑えることが可能となり、固定層１３の内部に発生する粗大孔２５の形成が抑制される。よって、固定層１３の通電断面積の減少が低減され、固定層１３の溶断を抑制することができる。 According to the configuration of this example, it is possible to reduce the gap 14 between the metal electrode 2 and the base layer 5 at the place where the fixed layer 13 is provided on the metal electrode 2. Therefore, during the manufacturing process in which the fixed layer 13 is provided on the metal electrode 2 by spraying or the like and the metal electrode 2 is fixed to the base layer 5 by the fixed layer 13, the vibration of the metal electrode 2 can be suppressed to a small extent, and the fixed layer can be suppressed. The formation of the coarse pores 25 generated inside the 13 is suppressed. Therefore, the decrease in the current-carrying cross-sectional area of the fixed layer 13 is reduced, and the fusing of the fixed layer 13 can be suppressed.

（２）金属電極２は、基部１０と、基部１０から延びる複数の配線部１１とを備える。固定層１３は、各々の配線部１１において配線部１１の一部分を覆うように配置されている。この場合、局所的に設けた固定層１３によって、金属電極２を下地層５にしっかりと固定することができる。 (2) The metal electrode 2 includes a base portion 10 and a plurality of wiring portions 11 extending from the base portion 10. The fixed layer 13 is arranged so as to cover a part of the wiring portion 11 in each wiring portion 11. In this case, the metal electrode 2 can be firmly fixed to the base layer 5 by the locally provided fixing layer 13.

（３）金属電極２には、固定層１３が配置される箇所において下地層５に向かって突出する凸部１７が設けられ、この凸部１７が下地層５と接触する箇所を金属電極２及び下地層５の接触部１８とした。この場合、金属電極２に凸部１７を設けるという簡素な構造によって、溶射等による層形成時（固定層１３の形成時）の金属電極２の振動を少なく抑えて、固定層１３の溶断を抑制することができる。 (3) The metal electrode 2 is provided with a convex portion 17 projecting toward the base layer 5 at a portion where the fixed layer 13 is arranged, and the portion where the convex portion 17 comes into contact with the base layer 5 is provided with the metal electrode 2 and the portion. The contact portion 18 of the base layer 5 was used. In this case, the simple structure in which the convex portion 17 is provided on the metal electrode 2 suppresses the vibration of the metal electrode 2 during layer formation (when the fixed layer 13 is formed) due to thermal spraying or the like, and suppresses the fusing of the fixed layer 13. can do.

（第２実施形態）
次に、第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態は、第１実施形態の固定層範囲において金属電極２と下地層５との接触面積Ｓを確保する方法を変更した実施例である。よって、第１実施形態と同様の箇所には同一符号を付して詳しい説明を省略し、異なる部分についてのみ詳述する。 (Second Embodiment)
Next, the second embodiment will be described. The second embodiment is an example in which the method of securing the contact area S between the metal electrode 2 and the base layer 5 in the fixed layer range of the first embodiment is changed. Therefore, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted, and only different parts will be described in detail.

図９及び図１０に示すように、金属電極２及び下地層５の間には、前述の下地層５とは別の層の追加下地層３１が設けられている。追加下地層３１は、固定層１３が配置される箇所の少なくとも一部分に形成されることが好ましい。また、追加下地層３１は、例えば第２下地層７の形成時と同様の工法を使用して製造するとよい。製造の具体例としては、第２下地層７の上面に、追加下地層３１の形状に応じた開口を有した金属製のマスキング材（図示略）を配置する。そして、この開口に向かって、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって吹き付けてNiCr合金を溶融し、追加下地層３１を形成する。 As shown in FIGS. 9 and 10, an additional base layer 31 different from the above-mentioned base layer 5 is provided between the metal electrode 2 and the base layer 5. The additional base layer 31 is preferably formed in at least a part of the place where the fixed layer 13 is arranged. Further, the additional base layer 31 may be manufactured, for example, by using the same method as when the second base layer 7 is formed. As a specific example of production, a metal masking material (not shown) having an opening corresponding to the shape of the additional base layer 31 is arranged on the upper surface of the second base layer 7. Then, toward this opening, a powder obtained by mixing NiCr alloy particles and bentonite particles is sprayed by thermal spraying such as gas flame spraying or plasma spraying to melt the NiCr alloy and form an additional base layer 31.

このように、本例では、金属電極２及び下地層５の間に追加下地層３１を設け、この追加下地層３１が金属電極２と接触する箇所を、金属電極２及び追加下地層３１（下地の層部分）の接触部１８とした。このように、追加下地層３１によって金属電極２との接触箇所を増やすことにより、固定層１３が配置されない箇所よりも固定層１３が配置される箇所の方の接触面積Ｓを大きくとっている。 As described above, in this example, the additional base layer 31 is provided between the metal electrode 2 and the base layer 5, and the portion where the additional base layer 31 comes into contact with the metal electrode 2 is designated as the metal electrode 2 and the additional base layer 31 (base). The contact portion 18 of the layer portion of the above was used. In this way, by increasing the contact points with the metal electrode 2 by the additional base layer 31, the contact area S at the place where the fixed layer 13 is arranged is larger than that at the place where the fixed layer 13 is not arranged.

このように、金属電極２及び下地層５の間に追加下地層３１を形成し、金属電極２と下地の層部分との間の接触面積Ｓを確保する。これにより、金属電極２の裏面において下地の層部分で支持される面積を広くとることが可能となり、金属電極２と下地の層部分との間の空隙１４が小さく済む。このため、固定層１３の溶射粉を溶射するときの金属電極２の振動を少なく抑えることが可能となり、ひいては粗大孔２５の形成も抑制される。よって、固定層１３の通電断面積の減少が低減され、固定層１３の溶断を抑制することができる。 In this way, the additional base layer 31 is formed between the metal electrode 2 and the base layer 5, and the contact area S between the metal electrode 2 and the base layer portion is secured. As a result, it is possible to increase the area supported by the underlying layer portion on the back surface of the metal electrode 2, and the gap 14 between the metal electrode 2 and the underlying layer portion can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the vibration of the metal electrode 2 when spraying the sprayed powder of the fixed layer 13, and thus the formation of the coarse pores 25 is also suppressed. Therefore, the decrease in the current-carrying cross-sectional area of the fixed layer 13 is reduced, and the fusing of the fixed layer 13 can be suppressed.

従って、第２実施形態によれば、第１実施形態に記載の効果に加えて以下の効果を得ることができる。
（４）金属電極２及び下地層５の間には、下地層５とは別の層の追加下地層３１が設けられ、追加下地層３１が金属電極２の裏面と接触する箇所を金属電極２及び下地層５の接触部１８とした。この場合、追加下地層３１を設けるという簡素な構造によって、溶射等による層形成時（固定層１３の形成時）の金属電極２の振動を少なく抑えて、固定層１３の溶断を抑制することができる。 Therefore, according to the second embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects described in the first embodiment.
(4) An additional base layer 31 of a layer different from the base layer 5 is provided between the metal electrode 2 and the base layer 5, and the portion where the additional base layer 31 comes into contact with the back surface of the metal electrode 2 is the metal electrode 2. And the contact portion 18 of the base layer 5. In this case, the simple structure of providing the additional base layer 31 can suppress the vibration of the metal electrode 2 at the time of layer formation (when the fixed layer 13 is formed) due to thermal spraying or the like, and suppress the fusing of the fixed layer 13. can.

なお、本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・各実施形態において、金属電極２の配線部１１は、整列する方向に等間隔配置されることに限定されず、非等間隔で配置されてもよい。 In addition, this embodiment can be changed and carried out as follows. The present embodiment and the following modified examples can be implemented in combination with each other within a technically consistent range.
-In each embodiment, the wiring portions 11 of the metal electrodes 2 are not limited to being arranged at equal intervals in the alignment direction, and may be arranged at non-equal intervals.

・各実施形態において、配線部１１の個数は、適宜変更してもよい。
・各実施形態において、金属電極２は、担体３に対して一対（２つ）設けられることに限定されず、１つとしてもよいし、或いは３つ以上配置してもよい。 -In each embodiment, the number of wiring portions 11 may be appropriately changed.
-In each embodiment, the metal electrodes 2 are not limited to being provided in pairs (two) with respect to the carrier 3, and may be one or three or more.

・各実施形態において、金属電極２の櫛歯状は、基部１０から同一方向に延び、かつ基部１０の長手方向に等間隔配列された形状に限定されない。例えば、基部１０から両方向に突出し、かつ基部１０の長手方向に整列した形状としてもよい。 -In each embodiment, the comb-shaped shape of the metal electrode 2 is not limited to a shape extending in the same direction from the base 10 and being evenly spaced in the longitudinal direction of the base 10. For example, the shape may be such that it protrudes from the base 10 in both directions and is aligned in the longitudinal direction of the base 10.

・各実施形態において、担体３は、触媒が担持された形状であればよい。
・各実施形態において、第１下地層６及び第２下地層７の厚さは、同じ厚さに限定されず、異なっていてもよい。 -In each embodiment, the carrier 3 may have a shape in which a catalyst is supported.
-In each embodiment, the thicknesses of the first base layer 6 and the second base layer 7 are not limited to the same thickness and may be different.

・各実施形態において、下地層５は、２層（第１下地層６、第２下地層７）に限定されず、３層以上としてもよい。
・各実施形態において、固定層１３の形状やサイズは、適宜変更してもよい。 -In each embodiment, the base layer 5 is not limited to two layers (first base layer 6, second base layer 7), and may be three or more layers.
-In each embodiment, the shape and size of the fixed layer 13 may be appropriately changed.

・各実施形態において、固定層１３の材料は、下地層５と異なるものを使用してもよい。
・各実施形態において、固定層１３の配置場所は、千鳥状に限定されず、例えば各々の配線部１１の先端や根元とするなど、適宜変更してもよい。 -In each embodiment, the material of the fixed layer 13 may be different from that of the base layer 5.
-In each embodiment, the arrangement location of the fixed layer 13 is not limited to the staggered shape, and may be appropriately changed, for example, at the tip or root of each wiring portion 11.

・第１実施形態において、凸部１７の形状は、円形や四角形など、種々の形状を用いることができる。
・第１実施形態において、凸部１７は、穴形状に限定されず、例えば配線を屈曲した溝でもよい。 -In the first embodiment, various shapes such as a circle and a quadrangle can be used as the shape of the convex portion 17.
-In the first embodiment, the convex portion 17 is not limited to the hole shape, and may be, for example, a groove in which the wiring is bent.

・第２実施形態において、追加下地層３１は、１層に限定されず、複数層としてもよい。
・第２実施形態において、追加下地層３１は、全ての固定層１３に設けられることに限定されず、全ての固定層１３のうち特定のものに選択的に設けてもよい。 -In the second embodiment, the additional base layer 31 is not limited to one layer, and may be a plurality of layers.
-In the second embodiment, the additional base layer 31 is not limited to being provided in all the fixed layers 13, and may be selectively provided in a specific one among all the fixed layers 13.

・各実施形態において、接触面積Ｓとは、金属電極２と下地層５とが接触する箇所であればよく、接触箇所の全てを足し合わせた面積をいう。
次に、上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想について記載する。 -In each embodiment, the contact area S may be any point where the metal electrode 2 and the base layer 5 come into contact with each other, and means an area obtained by adding all the contact points.
Next, the technical idea that can be grasped from the above embodiment and the modified example will be described.

（イ）触媒が担持された担体と、前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が配置されない箇所よりも、前記固定層が配置された箇所の方が大きくなるように設けた触媒装置。 (A) A carrier on which a catalyst is supported, a comb-shaped metal electrode provided with an underlayer interposed therebetween on the surface of the carrier, and the underlayer so as to cover a part of the metal electrode. By being joined, the metal electrode is provided with a fixed layer for fixing the metal electrode to the base layer, and the contact area between the metal electrode and the base layer is such that the fixed layer is arranged rather than a place where the fixed layer is not placed. A catalyst device provided so that the area where the electrode is located is larger.

１…触媒装置、２…金属電極、３…担体、４…表面、５…下地層、１０…基部、１１…配線部、１３…固定層、１７…凸部、１８…接触部、３１…追加下地層、Ｓ…接触面積。 1 ... catalyst device, 2 ... metal electrode, 3 ... carrier, 4 ... surface, 5 ... base layer, 10 ... base, 11 ... wiring part, 13 ... fixed layer, 17 ... convex part, 18 ... contact part, 31 ... addition Underlayer, S ... Contact area.

Claims (1)

触媒が担持された担体と、
前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、
前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、
前記固定層が前記金属電極に配置される領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が前記金属電極に配置されない領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積よりも大きくした触媒装置。 The carrier on which the catalyst was supported and the carrier
A comb-shaped metal electrode provided on the surface of the carrier with an underlying layer interposed therebetween.
It is provided with a fixing layer for fixing the metal electrode to the base layer by being bonded to the base layer so as to cover a part of the metal electrode.
The fixed layer is the metal in the region where the fixed layer is arranged on the metal electrode, and the contact area between the metal electrode and the base layer per a predetermined area on the surface where the metal electrode faces the base layer. A catalyst device in which the contact area between the metal electrode and the base layer is larger than the specified area per specified area in the region not arranged on the electrode and on the surface where the metal electrode faces the base layer.
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