JP2021506133A - 計量ターゲット情報コンテンツの増強 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2017年12月12日付米国暫定特許出願第62/597900号に基づく利益を主張する出願であり、参照によりその全容を本願に繰り入れるものとする。
S(x,y)=S0(x)f(x,y) 式1
S(x0,y)=ΣN n=0an(x0)cos((2π/Py)ny+φn(x0)) 式2
S^(x0,y)=(1/M)ΣM−1 m=0S(x0+mP,y) 式3
中心(スタック,計測)=ε+AAsy・η(スタック,計測) 式4
中心(y)=ε+AAsyη(y)ΣM m=0bm(y)cos((2π/Py)my+Φm(y)) 式5
I±(x,y;Δ)=I^ ±(Δ)f(y) 式6
f(y)=f(y+Py) 式7
OVL(x,y)=f0・{I+(x,y;ε+f0)−I−(x,y;ε+f0)+I+(x,y;ε−f0)−I−(x,y;ε−f0)}/{I+(x,y;ε+f0)−I−(x,y;ε+f0)−I+(x,y;ε−f0)+I−(x,y;ε−f0)} 式8
OVL(x,y)=f0・{I^ +(ε+f0)f(y)−I^ −(ε+f0)f(y)+I^ +(ε−f0)f(y)−I^ −(ε−f0)f(y)}/{I^ +(ε+f0)f(y)−I^ −(ε+f0)f(y)−I^ +(ε−f0)f(y)+I^ −(ε−f0)f(y)} 式9
OVL(x,y)=f0・{I^ +(ε+f0)−I^ −(ε+f0)+I^ +(ε−f0)−I^ −(ε−f0)}/{I^ +(ε+f0)−I^ −(ε+f0)−I^ +(ε−f0)+I^ −(ε−f0)} 式10
Claims (32)
- 計量ターゲットを計測するステップを有し、その計量ターゲットが少なくとも一通りの計測方向に沿い少なくとも2個の周期構造を備え、その計量ターゲットが更に、個別の計測方向に直交する第3周期構造を備える計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、更に、前記計測により導出された信号中のノイズを、前記第3周期構造に関係する信号成分を識別し除去することで低減するステップを、有する計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、更に、前記計測により導出された信号から複数個のスライスを導出するステップを有し、それらスライスが前記第3周期構造の特性に対応している計量計測方法。
- 請求項3に記載の計量計測方法であって、更に、前記複数個のスライスを平均化して計量信号を生成するステップを有する計量計測方法。
- 請求項3に記載の計量計測方法であって、更に、少なくとも1個の正確度パラメタとの関連で前記複数個のスライスを比較することで最適スライス信号を選択するステップを、有する計量計測方法。
- 請求項5に記載の計量計測方法であって、更に、相次ぐターゲット、ウェハ又はバッチのうち少なくとも一つに関し前記選択を反復するステップを有する計量計測方法。
- 請求項5に記載の計量計測方法であって、更に、その空間的挙動及び前記最適スライスを追跡することで計量ロバスト性を改善するステップを、有する計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、更に、カメラ軸及びビーム軸を比較することで前記第3周期構造を用い計測座標を校正するステップを、有する計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、更に、前記第3周期構造から計測された信号の高調波成分及び焦点情報のうち少なくとも一方を導出するステップを、有する計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、更に、前記第3周期構造から計測された信号を分析すべく一通り又は複数通りの機械学習アルゴリズムを適用するステップと、前記直交方向に係るデータから情報を導出するステップと、を有する計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、前記計量ターゲットが、イメージング計量ターゲット及びスキャタロメトリ計量ターゲットのうち少なくとも一方を備える計量計測方法。
- 請求項11に記載の計量計測方法であって、前記イメージングターゲットが少なくとも2対の周期構造を有し、そのうち少なくとも1対が二通りの計測方向それぞれに沿っている計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、前記計量ターゲットが瞳面スキャタロメトリ計量ターゲットを備え、その計量ターゲットを計測するステップが、その計量ターゲット内の複数個所にてその計量ターゲットを計測するステップと、正確度が増強された計量指標をそれら複数通りの計測結果から抽出するステップと、を含む計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、前記第3周期構造が、均一限界寸法、単調変化性限界寸法、周期的単調変化性限界寸法、並びに2個以上の周期的サブ構造のうち、少なくとも一つを有する計量計測方法。
- 請求項1に記載の計量計測方法であって、少なくとも1個のコンピュータプロセッサにより少なくとも部分的に実行される計量計測方法。
- 1個又は複数個のプロセッサ及びメモリを有するコントローラを備え、そのメモリにプログラム命令が格納されており、それらプログラム命令が、当該1個又は複数個のプロセッサに、
少なくとも一通りの計測方向に沿い少なくとも2個の周期構造を備え、個別の計測方向に直交する第3周期構造をも備える計量ターゲットについての、一通り又は複数通りの計測結果を受け取らせるよう、且つ
受け取った前記一通り又は複数通りの計測結果に基づき一通り又は複数通りの計量指標を決定させるよう、
構成されているシステム。 - 請求項16に記載のシステムであって、前記1個又は複数個のプロセッサが、更に、前記一通り又は複数通りの計測結果から導出された信号中のノイズを、前記第3周期構造に関係する信号成分を識別し除去することで低減するよう、構成されているシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記1個又は複数個のプロセッサが、更に、前記一通り又は複数通りの計測結果から導出された信号から複数個のスライスを導出するよう構成されており、それらスライスが前記第3周期構造の特性に対応しているシステム。
- 請求項18に記載のシステムであって、前記1個又は複数個のプロセッサが、更に、前記複数個のスライスを平均化して計量信号を生成するよう構成されているシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記1個又は複数個のプロセッサが、更に、カメラ軸及びビーム軸を比較することで前記第3周期構造を用い1個又は複数個の計測座標を校正するよう構成されているシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記1個又は複数個のプロセッサが、更に、前記第3周期構造から計測された信号の高調波成分及び焦点情報のうち少なくとも一方を導出するよう構成されているシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記1個又は複数個のプロセッサが、更に、前記第3周期構造から計測された信号を分析すべく一通り又は複数通りの機械学習アルゴリズムを適用するよう、且つ前記直交方向に係るデータから情報を導出するよう、構成されているシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記計量ターゲットが、イメージング計量ターゲット及びスキャタロメトリ計量ターゲットのうち少なくとも一方を備えるシステム。
- 請求項23に記載のシステムであって、前記イメージングターゲットが少なくとも2対の周期構造を有し、そのうち少なくとも1対が二通りの計測方向それぞれに沿っているシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記計量ターゲットが瞳面スキャタロメトリ計量ターゲットを備え、前記一通り又は複数通りの計測結果がその計量ターゲット内の複数個所にて獲得され、前記1個又は複数個のプロセッサが、更に、正確度が増強された計量指標を前記複数通りの計測結果から抽出するよう構成されているシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記第3周期構造が、均一限界寸法、単調変化性限界寸法、周期的単調変化性限界寸法、並びに2個以上の周期的サブ構造のうち、少なくとも一つを有するシステム。
- 少なくとも一通りの計測方向に沿い少なくとも2個の周期構造を備える計量ターゲットであり、個別の計測方向に直交する第3周期構造をも備える計量ターゲット。
- 請求項27に記載の計量ターゲットであって、イメージングターゲット及びスキャタロメトリターゲットのうち少なくとも一方として構成された計量ターゲット。
- 請求項28に記載の計量ターゲットであって、少なくとも2対の周期構造を有するイメージングターゲットとして構成されており、そのうち少なくとも1対が二通りの計測方向それぞれに沿っている計量ターゲット。
- 請求項27に記載の計量ターゲットであって、前記第3周期構造が、均一限界寸法、単調変化性限界寸法、周期的単調変化性限界寸法、並びに2個以上の周期的サブ構造のうち、少なくとも一つを有する計量ターゲット。
- 請求項27に記載の計量ターゲットであって、前記第3周期構造がプロセス互換性である計量ターゲット。
- 請求項31に記載の計量ターゲットであって、前記プロセス互換性が、前記第3周期構造の諸要素のセグメント化、前記第3周期構造の諸要素の諸セグメントの限界寸法の均一化、並びに均一又は可変限界寸法を有するカットマスクの適用のうち、少なくとも一つで構成される計量ターゲット。
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2024878A (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | Asml Holding Nv | Metrology system, lithographic apparatus, and method |
US11353799B1 (en) * | 2019-07-23 | 2022-06-07 | Kla Corporation | System and method for error reduction for metrology measurements |
US11415898B2 (en) * | 2019-10-14 | 2022-08-16 | Kla Corporation | Signal-domain adaptation for metrology |
CN110823812B (zh) * | 2019-10-29 | 2020-11-24 | 上海交通大学 | 基于机器学习的散射介质成像方法及*** |
US20220210525A1 (en) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | Applied Materials Israel Ltd. | Prediction of electrical properties of a semiconductor specimen |
CN113095045B (zh) * | 2021-04-20 | 2023-11-10 | 河海大学 | 一种基于逆向操作的中文数学应用题数据增强方法 |
US20230258446A1 (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-17 | Kla Corporation | Estimating in-die overlay with tool induced shift correction |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004508711A (ja) * | 2000-08-30 | 2004-03-18 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2011155302A (ja) * | 2003-02-22 | 2011-08-11 | Kla-Tencor Corp | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
JP2015528922A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-10-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 装置様散乱測定法のオーバーレイターゲット |
WO2017148982A1 (en) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1537703A (en) * | 1976-01-27 | 1979-01-04 | Rca Corp | Fabrication of rectangular relief profiles in photoresist |
JP4366458B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-11-18 | 新オプトウエア株式会社 | 光情報記録媒体 |
JP2000218708A (ja) * | 1999-01-01 | 2000-08-08 | Three D Syst Inc | 立体造形装置および方法 |
JP3881125B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2007-02-14 | レーザーテック株式会社 | 段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 |
JP4199408B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2008-12-17 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、及び波長変換モジュール |
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
JP3878027B2 (ja) * | 2002-02-18 | 2007-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 偏光解析方法及び光学的膜厚測定装置 |
JP2004118894A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Victor Co Of Japan Ltd | ディスク状磁気記録媒体 |
US7833640B2 (en) * | 2005-08-19 | 2010-11-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Intermediate tri-layer structure for perpendicular recording media |
US7863763B2 (en) | 2005-11-22 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks |
US7671990B1 (en) | 2006-07-28 | 2010-03-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Cross hatched metrology marks and associated method of use |
CA2600900A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-21 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Transmissive diffraction grating, and spectral separation element and spectroscope using the same |
JP4897006B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
NL2003179A1 (nl) * | 2008-07-18 | 2010-01-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method and scatterometry method and measurement system used therein. |
US9709903B2 (en) | 2011-11-01 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corporation | Overlay target geometry for measuring multiple pitches |
US8879073B2 (en) * | 2012-02-24 | 2014-11-04 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology using targets with field enhancement elements |
CN103631761B (zh) * | 2012-08-29 | 2018-02-27 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 并行处理架构进行矩阵运算并用于严格波耦合分析的方法 |
US9093458B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
WO2014062972A1 (en) | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Kla-Tencor Corporation | Symmetric target design in scatterometry overlay metrology |
JP2014107348A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
WO2014194095A1 (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Combined imaging and scatterometry metrology |
US9490182B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-11-08 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of multiple patterning parameters |
WO2015153497A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Focus measurements using scatterometry metrology |
KR101986258B1 (ko) * | 2014-08-29 | 2019-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법, 타겟 및 기판 |
WO2016123552A1 (en) | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Kla-Tencor Corporation | Device metrology targets and methods |
US9903711B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-02-27 | KLA—Tencor Corporation | Feed forward of metrology data in a metrology system |
US10520832B2 (en) | 2015-05-19 | 2019-12-31 | Kla-Tencor Corporation | Topographic phase control for overlay measurement |
US10551749B2 (en) | 2017-01-04 | 2020-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Metrology targets with supplementary structures in an intermediate layer |
-
2018
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004508711A (ja) * | 2000-08-30 | 2004-03-18 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
JP2011155302A (ja) * | 2003-02-22 | 2011-08-11 | Kla-Tencor Corp | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
JP2015528922A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-10-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 装置様散乱測定法のオーバーレイターゲット |
WO2017148982A1 (en) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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