JP2021504958A - 基板処理装置、基板を処理する方法及び処理加工物を製造する方法 - Google Patents
基板処理装置、基板を処理する方法及び処理加工物を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021504958A JP2021504958A JP2020528861A JP2020528861A JP2021504958A JP 2021504958 A JP2021504958 A JP 2021504958A JP 2020528861 A JP2020528861 A JP 2020528861A JP 2020528861 A JP2020528861 A JP 2020528861A JP 2021504958 A JP2021504958 A JP 2021504958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- substrate
- base
- passage
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明の意味における処理は、基板に作用する任意の化学的、物理的又は機械的作用を含む。さらに、処理には、単独で、又は化学的、物理的又は機械的効果作用と組み合わせて、温度調整も含まれる。このような調整は、基板を所望の温度に加熱すること、基板を所望の温度に維持すること、及び、例えば、処理自体が基板を過熱する傾向がある場合、基板を冷却して所望の処理温度に維持することを含むと理解されるべきである。
−拡張された、基本的に平面の処理側表面を有する基部、
−処理側表面に配置され、その周辺部で基板を支持するように設計された基板支持体であって、その周辺部が、処理側表面から離隔されている、基板支持体、
を備え、
基板処理装置は、さらに、
−基部の裏側表面の、処理側表面とは反対側に配置された、電磁放射線を測定するように適合された少なくとも1つの放射線センサ、
−少なくとも1つの放射線センサと基板支持体の周辺部との間に配置された少なくとも1つの放射流路、
を備え、
放射流路は、電磁放射線に対して少なくとも部分的に透過性である。
−本発明による基板処理装置を提供する段階、
−基板支持体の周辺部に基板を配置する段階、
−基板をコーティングする段階、及び、
−放射線センサを用いて電磁放射線を検出する段階
を含む。
−基板支持体の周辺部、より具体的には前記周辺部によって規定される平面と、処理側表面との間に加熱要素を提供する段階であって、前記加熱要素が通路を含む、段階、
−基部の反対側の基板支持体の周辺部からある距離、より具体的には、前記周辺部によって規定される平面の距離にある処理材料の供給源を提供する段階、
−囲いを提供し、少なくとも基部、基板支持体、加熱要素、及び、処理材料の供給源を囲む段階、
−囲いに真空を適用する段階、及び、
−放射線センサによって検出された電磁放射線に基づいて、基板を加熱するために加熱要素に電力を供給する段階
を含む。
11 処理材料の供給源
12 処理空間
13 シールド
14 基板支持体
15 加熱要素
15’ 加熱要素
16 支柱
16’ 支柱
17 基板
18 加熱反射表面
19 基部
190 処理側表面
191 裏側表面
20 冷却流路
21 放射線センサ
22 放射導体
23 通路基部
24 通路加熱反射表面/基部の反射処理側表面
25 通路加熱要素
26 放射導体
27 封止材料
28 スリーブ
29 レンズ
Claims (16)
- 拡張された、本質的に平面の処理側表面(190)を有する基部(19)、
前記処理側表面(190)に配置され、その周辺部で基板(17)を支持するように設計された基板支持体(14)であって、前記周辺部が、前記処理側表面(190)から離隔されている平面を規定する、基板支持体(14)、
前記基板支持体(14)の周辺部によって規定される平面と前記処理側表面(190)との間の、前記基部(19)に配置された加熱要素(15)であって、前記加熱要素(15)が、前記基板支持体(14)の前記周辺部によって規定される平面から前記処理側表面(190)への電磁放射線の通過を可能にする通路(25)を含む、加熱要素(15)、
電磁放射線を測定するように構成された少なくとも1つの放射線センサ(21)、及び、
前記少なくとも1つの放射線センサ(21)と前記基板支持体(14)の周辺部によって規定される平面との間に配置される少なくとも1つの放射流路、
を備え、
前記放射流路が、電磁放射線に対して少なくとも部分的に透過性である、基板処理装置(10)。 - 処理材料の供給源(11)が、前記基部(19)の反対側の前記基板支持体(14)の周辺部によって規定される平面から距離を置いて配置される、請求項1に記載の基板処理装置(10)。
- 前記放射流路が、前記処理側表面(190)から前記裏側表面(191)まで延びる、前記基部(19)内の通路(23)、及び、少なくとも1つの放射導体(22、26)を備える、請求項1又は2に記載の基板処理装置(10)。
- 熱反射表面(18)が前記処理側表面(190)に配置され、前記熱反射表面(18)が、前記基板支持体(14)の周辺部によって規定される平面から前記熱反射表面(18)を通って電磁放射線の通過を可能にする通路(24)を備える、請求項1から3の何れか一項に記載の基板処理装置(10)。
- 第1の放射導体(22)が、前記裏側表面(191)に配置される、請求項3又は4に記載の基板処理装置(10)。
- 第1の放射導体(22)が、前記基部(19)の通路(23)内に、又は、前記基部(19)及び前記熱反射表面(18)の通路(23、24)内に、又は、前記基部(19)、前記熱反射表面(18)及び前記加熱要素(15)の通路(23、24、25)内に配置される、請求項3又は4に記載の基板処理装置(10)。
- 前記第1の放射導体(22)が、前記基部(19)の処理側表面(190)に関する前記基部(19)の前記通路(23)から突出しない、特に、前記処理側表面(190)にクリアランスを残す、請求項6に記載の基板処理装置(10)。
- 追加の放射導体(26)が、前記基板支持体(14)の周辺部によって規定される平面と、前記第1の放射導体(22)との間に配置され、特に、前記反射表面(18)の表面上に配置され、少なくとも前記反射表面(18)の通路(24)を覆う、請求項5から7の何れか一項に記載の基板処理装置(10)。
- 前記第1の放射導体(22)が、スリーブ(28)によって横方向に囲まれる、請求項8に記載の基板処理装置(10)。
- 前記放射導体(22)と前記基部(19)との間に封止材料(27)が配置される、請求項3から9の何れか一項に記載の基板処理装置(10)。
- 前記放射導体(22)と前記スリーブ(28)との間、及び/又は、前記スリーブ(28)と前記基部(19)との間に封止材料(27)が配置される、請求項9に記載の基板処理装置(10)。
- 少なくとも1つの放射流路が、レンズとして形成され、又は、レンズ(30)、特に、前記基板支持体(14)の周辺部によって規定される平面と放射導体(22)との間に配置されるレンズを含む、請求項1から11の何れか一項に記載の基板処理装置(10)。
- 前記レンズ(30)が、第1の放射導体(22)と追加の放射導体(26)との間に配置される、請求項12に記載の基板処理装置(10)。
- 前記放射線検出器(21)が、最大45°、特に30°、さらに特に15°の受光角を含む、請求項1から13の何れか一項に記載の基板処理装置(10)。
- 前記基部(19)に冷却流路(20)が配置される、請求項1から14の何れか一項に記載の基板処理装置(10)。
- 基板を処理し、基板処理装置で処理された加工物を製造する方法であって、
請求項1から15の何れか一項に記載の基板処理装置(10)を提供する段階、
前記基板支持体(14)の周辺部に基板(7)を配置する段階、
前記基板(7)をコーティングする段階、及び、
前記放射線センサ(21)を用いて電磁放射線を検出する段階、
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH14512017 | 2017-11-28 | ||
CH01451/17 | 2017-11-28 | ||
PCT/EP2018/082728 WO2019105944A1 (en) | 2017-11-28 | 2018-11-27 | Substrate processing apparatus and method of processing a substrate and a manufacturing a processed workpiece |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021504958A true JP2021504958A (ja) | 2021-02-15 |
JP7282769B2 JP7282769B2 (ja) | 2023-05-29 |
Family
ID=64556899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020528861A Active JP7282769B2 (ja) | 2017-11-28 | 2018-11-27 | 基板処理装置、基板を処理する方法及び処理加工物を製造する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11551950B2 (ja) |
EP (1) | EP3718132A1 (ja) |
JP (1) | JP7282769B2 (ja) |
KR (1) | KR102633715B1 (ja) |
CN (1) | CN111373520B (ja) |
TW (2) | TWI802617B (ja) |
WO (1) | WO2019105944A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11749542B2 (en) * | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04297054A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-10-21 | Anelva Corp | 半導体ウエハーの処理方法および装置 |
JPH08162415A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | Cvd装置 |
JP2001148371A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Ulvac Japan Ltd | 静電吸着装置、及び吸着状態判断方法 |
JP2004363623A (ja) * | 2004-07-22 | 2004-12-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005501407A (ja) * | 2001-08-23 | 2005-01-13 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 高速熱処理の急速雰囲気切り替えシステムおよびその方法 |
JP2006512590A (ja) * | 2002-12-23 | 2006-04-13 | マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 高速加熱装置における半導体ウェーハの温度を決定する方法 |
US20130157460A1 (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Xinyu Fu | Methods for annealing a metal contact layer to form a metal silicidation layer |
JP2017527987A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | ワトロー エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | ボンド層での一体化された温度検知を有する接合アッセンブリ |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6179465B1 (en) * | 1996-03-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system using multiple light sources |
US5893643A (en) | 1997-03-25 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring pedestal temperature in a semiconductor wafer processing system |
JPH1140510A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 温度計測装置および温度計測方法ならびに基板熱処理装置 |
US6183130B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for substrate temperature measurement using a reflecting cavity and detector |
DE10119047B4 (de) * | 2000-04-21 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd. | Thermische Bearbeitungsvorrichtung und thermisches Bearbeitungsverfahren |
DE10329107B4 (de) * | 2002-12-23 | 2015-05-28 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren zum Bestimmung wenigstens einer Zustandsvariablen aus einem Modell eines RTP-Systems |
US7993057B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-08-09 | Asm America, Inc. | Redundant temperature sensor for semiconductor processing chambers |
US8111978B2 (en) | 2008-07-11 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing chamber with shower head |
KR100954859B1 (ko) * | 2009-07-01 | 2010-04-28 | (주)앤피에스 | 온도 측정 장치 |
EP2896065A1 (en) * | 2012-08-27 | 2015-07-22 | Oerlikon Advanced Technologies AG | Processing arrangement with temperature conditioning arrangement and method of processing a substrate |
-
2018
- 2018-11-27 JP JP2020528861A patent/JP7282769B2/ja active Active
- 2018-11-27 CN CN201880076991.8A patent/CN111373520B/zh active Active
- 2018-11-27 EP EP18811226.2A patent/EP3718132A1/en active Pending
- 2018-11-27 WO PCT/EP2018/082728 patent/WO2019105944A1/en unknown
- 2018-11-27 US US16/767,160 patent/US11551950B2/en active Active
- 2018-11-27 KR KR1020207018640A patent/KR102633715B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-28 TW TW107142384A patent/TWI802617B/zh active
- 2018-11-28 TW TW112117901A patent/TW202335170A/zh unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04297054A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-10-21 | Anelva Corp | 半導体ウエハーの処理方法および装置 |
JPH08162415A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | Cvd装置 |
JP2001148371A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Ulvac Japan Ltd | 静電吸着装置、及び吸着状態判断方法 |
JP2005501407A (ja) * | 2001-08-23 | 2005-01-13 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 高速熱処理の急速雰囲気切り替えシステムおよびその方法 |
JP2006512590A (ja) * | 2002-12-23 | 2006-04-13 | マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 高速加熱装置における半導体ウェーハの温度を決定する方法 |
JP2004363623A (ja) * | 2004-07-22 | 2004-12-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
US20130157460A1 (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Xinyu Fu | Methods for annealing a metal contact layer to form a metal silicidation layer |
JP2017527987A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | ワトロー エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | ボンド層での一体化された温度検知を有する接合アッセンブリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200388517A1 (en) | 2020-12-10 |
CN111373520B (zh) | 2023-08-29 |
CN111373520A (zh) | 2020-07-03 |
KR20200090890A (ko) | 2020-07-29 |
KR102633715B1 (ko) | 2024-02-05 |
TW201929057A (zh) | 2019-07-16 |
TWI802617B (zh) | 2023-05-21 |
JP7282769B2 (ja) | 2023-05-29 |
US11551950B2 (en) | 2023-01-10 |
EP3718132A1 (en) | 2020-10-07 |
WO2019105944A1 (en) | 2019-06-06 |
WO2019105944A8 (en) | 2020-05-22 |
TW202335170A (zh) | 2023-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100729097B1 (ko) | 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법 | |
JP6242861B2 (ja) | 円錐形の石英ドームを通って伝送される光を制御する光学系 | |
US9558981B2 (en) | Control systems employing deflection sensors to control clamping forces applied by electrostatic chucks, and related methods | |
KR101676334B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI745717B (zh) | 用於半導體製程腔室的表面塗層的襯套組件 | |
JP6333285B2 (ja) | 基板処理チャンバ構成要素用の熱放射バリア | |
KR20070115564A (ko) | 기판 프로세싱 챔버용 링 조립체 | |
JP7175766B2 (ja) | サセプタ支持体 | |
US10701762B2 (en) | Heat radiation device, and processing device using heat radiation device | |
US20170316963A1 (en) | Direct optical heating of substrates | |
TWI597376B (zh) | 具有溫度調整裝置的處理裝置及處理基板的方法 | |
US20150292815A1 (en) | Susceptor with radiation source compensation | |
JP7282769B2 (ja) | 基板処理装置、基板を処理する方法及び処理加工物を製造する方法 | |
CN101822122A (zh) | 用于辐射单元的装置 | |
CN105009263B (zh) | 反射性衬里 | |
KR102597416B1 (ko) | 진공 처리 장치 | |
US9103018B2 (en) | Sputtering target temperature control utilizing layers having predetermined emissivity coefficients | |
US20150156856A1 (en) | Heat treatment apparatus | |
TWI545654B (zh) | 用於快速熱處理腔之透明反射板 | |
JP7290413B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP2014204107A (ja) | 熱処理装置 | |
KR20130110564A (ko) | 발열부재 조립체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
JP2011192673A (ja) | プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7282769 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |