JP2021501475A - 軟質シート上にフィルムを製造するための方法 - Google Patents
軟質シート上にフィルムを製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021501475A JP2021501475A JP2020523984A JP2020523984A JP2021501475A JP 2021501475 A JP2021501475 A JP 2021501475A JP 2020523984 A JP2020523984 A JP 2020523984A JP 2020523984 A JP2020523984 A JP 2020523984A JP 2021501475 A JP2021501475 A JP 2021501475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- donor substrate
- soft sheet
- sheet
- formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 83
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- -1 LiTaO 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017214 AsGa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 210000000170 cell membrane Anatomy 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
下記の工程:
ドナー基板を準備する工程、
ドナー基板内に脆化区域を形成し、フィルムの範囲を定める(delimit)工程、
フィルム表面における成膜により軟質シートを形成する工程、
ドナー基板を脆化区域に沿って分離し(detach)、フィルムを軟質シート上に転写する(transfer)工程
を含んでなることを特徴とする方法を提供する。
物理蒸着、化学蒸着、電気化学蒸着、スピンコーティング、ラッカー吹付および噴霧
のうち1つにより実施され得る。
式中、Eはシートの材料のヤング率であり、Hはシートの厚さであり、vはポアソン比である。
ニオブ酸リチウムは、高温までその圧電を保持することで顕著な圧電/焦電材料である。他の多くの材料が100〜250℃程度の温度範囲ではそれらの特性を失うところ、ニオブ酸リチウムのキュリー温度は1140℃前後である。従って、ニオブ酸リチウムは、これらの温度範囲で圧電性および/または焦電性を用いるシステムについて注目される材料である。
イットリウム安定化ジルコニアは一般に多結晶セラミックの形態であり、まれではあるが、単結晶基板の形態でもある。
スクリーンまたはその他の光学部品(レンズ、ミラーなど)の生産分野では、非平坦または曲面部品の生産は、ケイ素などの単結晶材料の薄膜フィルムの使用を困難とする。本実施例は、ある特定の曲率を有するガラスシート上に薄膜ケイ素フィルムを得られるようにすることを目的とする。このケイ素フィルムは、例えば、高精細度超コンパクト曲面スクリーンを生産するための高性能トランジスタを生産するために役立ち得る。
実施例4は、例えば高周波(RF)フィルターなどの音波構造を目的とする。ある特定の構造において、考慮する基板およびまたは層の後面で寄生波の反射を避けることが求められる。1つの手段は、特に任意のテクスチャー処理または他のタイプの粗さを導入することによって幾何学的に不完全な界面および後面を作製することからなる。例えばLiTaO3などの単結晶材料のある種の薄膜フィルムの使用が想定される場合には、この制約を満たすのは困難であるかまたは不可能ですらあり、これは付加的な中間層の複合積層体の導入に頼ることなくそうである。実施例4はこのような目的を狙いとする。
本発明の一つの実施形態によれば、ドナー基板の非平坦トポロジーは、ウエハー1000の表面に配置された複数のパッド1001の形成から得られる(図5A参照)。
Claims (17)
- 軟質シート(20)上にフィルム(12)、特に単結晶を製造するための方法であって、
下記の工程:
ドナー基板(10)を準備する工程、
ドナー基板(10)内に脆化区域(11)を形成し、フィルム(12)の範囲を定める工程、
フィルム(12)表面における成膜により軟質シート(20)を形成する工程、
ドナー基板(10)を脆化区域(11)に沿って分離し、フィルム(12)を軟質シート(20)上に転写する工程
を含んでなることを特徴とする、方法。 - 脆化区域(11)の形成が、ドナー基板(10)内へのイオン種の添加により行われる、請求項1に記載の方法。
- 添加されるイオン種が、水素および/またはヘリウムである、請求項2に記載の方法。
- ドナー基板(10)の分離が、熱処理により生じる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- フィルム(12)が、半導体材料、圧電材料、磁性材料および機能性酸化物から選択された材料からなる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- フィルム(12)の厚さが、100nm〜10μm、好ましくは100nm〜1μmである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 軟質シート(20)が、金属、ガラスおよびセラミックスから選択された材料からなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 軟質シート(20)が、1〜50μmの厚さを有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 軟質シート(20)の成膜が、以下の技術:
物理蒸着、化学蒸着、電気化学蒸着、スピンコーティング、ラッカー吹付および噴霧
のうち1つにより実施される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - 軟質シート(20)の形成の前に、フィルム(12)表面における成膜により中間層(21)を形成することを含んでなる、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 中間層(21)が、フィルム(12)に対する軟質シート(20)の接着を増強するように構成される、請求項11に記載の方法。
- 中間層がフィルム(12)と電気的接触を形成する、請求項11または12に記載の方法。
- ドナー基板の分離の後に、転写されたフィルム(12)の、支持体(20)とは反対側の面に付加的フィルム(13)を成膜することをさらに含んでなる、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 分離終了時のドナー基板の残部(10’)が、新しいフィルム(12)の製造のためにリサイクルされる、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
- ドナー基板が、脆化区域(11)の形成の前に得られた非平坦面を有し、かつ、リサイクル前に、ドナー基板の残部が、実質的にゼロであるか、または、残部(10’)のトポロジーに応じた材料の除去を含む、その表面の再生操作を受ける、請求項15に記載の方法。
- ドナー基板が、ウエハー(1000)の表面に配置された複数のパッド(1001)を含んでなり、各パッド(1001)が、転写すべき個々のフィルム(1012)の範囲を定める脆化区域(1011)を含んでなり、かつ、軟質シート(20)がパッド(1001)の全体の表面に成膜される、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1760272A FR3073083B1 (fr) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | Procede de fabrication d'un film sur un feuillet flexible |
FR1760272 | 2017-10-31 | ||
PCT/EP2018/079796 WO2019086503A1 (en) | 2017-10-31 | 2018-10-31 | Method for manufacturing a film on a flexible sheet |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021501475A true JP2021501475A (ja) | 2021-01-14 |
JP7170720B2 JP7170720B2 (ja) | 2022-11-14 |
Family
ID=61224010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020523984A Active JP7170720B2 (ja) | 2017-10-31 | 2018-10-31 | 軟質シート上にフィルムを製造するための方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11557715B2 (ja) |
EP (1) | EP3704735B1 (ja) |
JP (1) | JP7170720B2 (ja) |
KR (1) | KR102523181B1 (ja) |
CN (1) | CN111295744A (ja) |
FR (1) | FR3073083B1 (ja) |
SG (1) | SG11202003812XA (ja) |
TW (1) | TWI811258B (ja) |
WO (1) | WO2019086503A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3077923B1 (fr) * | 2018-02-12 | 2021-07-16 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant par transfert de couche |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005516392A (ja) * | 2002-01-23 | 2005-06-02 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 炭化珪素薄層の受け取り基板への最適移載方法 |
JP2012195503A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Lintec Corp | 薄型半導体装置の製造方法 |
WO2017108994A1 (fr) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Soitec | Procede de fabrication d'une couche monocristalline, notamment piezoelectrique |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2756847B1 (fr) * | 1996-12-09 | 1999-01-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de separation d'au moins deux elements d'une structure en contact entre eux par implantation ionique |
DE69728022T2 (de) * | 1996-12-18 | 2004-08-12 | Canon K.K. | Vefahren zum Herstellen eines Halbleiterartikels unter Verwendung eines Substrates mit einer porösen Halbleiterschicht |
US6346458B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-02-12 | Robert W. Bower | Transposed split of ion cut materials |
US20040224482A1 (en) * | 2001-12-20 | 2004-11-11 | Kub Francis J. | Method for transferring thin film layer material to a flexible substrate using a hydrogen ion splitting technique |
US6562127B1 (en) | 2002-01-16 | 2003-05-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates |
FR2845518B1 (fr) * | 2002-10-07 | 2005-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur |
JP5089033B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7803690B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Epitaxy silicon on insulator (ESOI) |
FR2951581B1 (fr) * | 2009-10-19 | 2011-12-16 | Ecole Polytech | Procede de fabrication d'un film multicouche comprenant au moins une couche ultra mince de silicium cristallin et dispositifs obtenus par ce procede |
FR2964048B1 (fr) * | 2010-08-30 | 2012-09-21 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de réalisation d'un film, par exemple monocristallin, sur un support en polymère |
KR101295532B1 (ko) * | 2010-11-11 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 평판소자의 제조방법 |
TWI573198B (zh) * | 2011-09-27 | 2017-03-01 | 索泰克公司 | 在三度空間集積製程中轉移材料層之方法及其相關結構與元件 |
FR2984597B1 (fr) * | 2011-12-20 | 2016-07-29 | Commissariat Energie Atomique | Fabrication d’une structure souple par transfert de couches |
FR3041364B1 (fr) | 2015-09-18 | 2017-10-06 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert de paves monocristallins |
-
2017
- 2017-10-31 FR FR1760272A patent/FR3073083B1/fr active Active
-
2018
- 2018-10-31 WO PCT/EP2018/079796 patent/WO2019086503A1/en unknown
- 2018-10-31 US US16/759,992 patent/US11557715B2/en active Active
- 2018-10-31 JP JP2020523984A patent/JP7170720B2/ja active Active
- 2018-10-31 CN CN201880071196.XA patent/CN111295744A/zh active Pending
- 2018-10-31 KR KR1020207015331A patent/KR102523181B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-31 EP EP18795627.1A patent/EP3704735B1/en active Active
- 2018-10-31 SG SG11202003812XA patent/SG11202003812XA/en unknown
- 2018-10-31 TW TW107138588A patent/TWI811258B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005516392A (ja) * | 2002-01-23 | 2005-06-02 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 炭化珪素薄層の受け取り基板への最適移載方法 |
JP2012195503A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Lintec Corp | 薄型半導体装置の製造方法 |
WO2017108994A1 (fr) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Soitec | Procede de fabrication d'une couche monocristalline, notamment piezoelectrique |
JP2019508924A (ja) * | 2015-12-22 | 2019-03-28 | ソワテク | 単結晶層、特に圧電層の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR3073083A1 (fr) | 2019-05-03 |
WO2019086503A1 (en) | 2019-05-09 |
EP3704735A1 (en) | 2020-09-09 |
KR20200076725A (ko) | 2020-06-29 |
TW201924945A (zh) | 2019-07-01 |
JP7170720B2 (ja) | 2022-11-14 |
KR102523181B1 (ko) | 2023-04-18 |
US11557715B2 (en) | 2023-01-17 |
US20230075685A1 (en) | 2023-03-09 |
EP3704735B1 (en) | 2021-12-01 |
CN111295744A (zh) | 2020-06-16 |
FR3073083B1 (fr) | 2019-10-11 |
US20200343441A1 (en) | 2020-10-29 |
SG11202003812XA (en) | 2020-05-28 |
TWI811258B (zh) | 2023-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6767749B2 (en) | Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting | |
TWI635632B (zh) | 複合基板、彈性波裝置及彈性波裝置的製法 | |
JP2007537127A (ja) | ダイヤモンド担持半導体デバイスおよび形成方法 | |
JP2010056736A (ja) | 電子部品及び電子部品の製造方法 | |
JP2007228356A (ja) | 圧電薄膜デバイス | |
US20220301923A1 (en) | Method for manufacturing a film on a support having a non-flat surface | |
WO2010143475A1 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
JP5182379B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
JP5458651B2 (ja) | 弾性表面波素子用基板及び弾性表面波素子の製造方法 | |
JP2021501475A (ja) | 軟質シート上にフィルムを製造するための方法 | |
JP2020057850A (ja) | 表面弾性波素子用複合基板とその製造方法 | |
JP5992912B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
US12052921B2 (en) | Method for manufacturing a film on a flexible sheet | |
JP7262421B2 (ja) | 圧電体複合基板およびその製造方法 | |
JP7410068B2 (ja) | 接合体、光導波路基板および光変調器 | |
JP2002290182A (ja) | 表面弾性波素子用基板の製造方法 | |
CN108565333B (zh) | 一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法 | |
JP2007242788A (ja) | 圧電薄膜素子 | |
JP4960060B2 (ja) | 水晶振動板及びその製造方法 | |
JP4942028B2 (ja) | 水晶振動板及びその製造方法 | |
KR20020084332A (ko) | 다이아몬드 박막을 이용한 표면 탄성파 필터의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7170720 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |