以下、本発明の実施形態に係る入力装置について図面を参照しつつ詳しく説明する。図1は、本発明の実施形態における透明電極部材の構造を概念的に示す平面図である。図2は、図1のV1−V1断面図である。図3は、本発明の実施形態における透明電極部材の透明電極の具体的な構造の一例を概念的に示す部分断面図である。図4は、本発明の実施形態における透明電極部材の透明電極の具体的な構造の他の一例を概念的に示す部分断面図である。
Hereinafter, the input device according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view conceptually showing the structure of the transparent electrode member according to the embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line V1-V1 of FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view conceptually showing an example of a specific structure of the transparent electrode of the transparent electrode member according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a partial cross-sectional view conceptually showing another specific example of the specific structure of the transparent electrode of the transparent electrode member according to the embodiment of the present invention.
図1及び図2に示されるように、本発明の実施形態における透明電極部材100は、透光性を有する絶縁性の基材101を備える。本明細書において「透明」及び「透光性」とは、可視光線透過率が50%以上(好ましくは80%以上)の状態を指す。更に、ヘイズ値が6%以下であることが好適である。本明細書において「遮光」及び「遮光性」とは、可視光線透過率が50%未満(好ましくは20%未満)の状態を指す。基材101は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート(PET;Polyethylene terephthalate)、ポリオレフィン系ポリマー(COC;Cyclic Olefin Copolymer,COP;Cyclic Olefin Polymer)、ポリカーボネート(PC;Polycarbonate)等の樹脂フィルムを含む樹脂系基材やガラス基材等で形成される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the transparent electrode member 100 according to the embodiment of the present invention includes a translucent insulating base material 101. As used herein, the terms "transparent" and "translucent" refer to a state in which the visible light transmittance is 50% or more (preferably 80% or more). Further, it is preferable that the haze value is 6% or less. As used herein, the terms "light-shielding" and "light-shielding property" refer to a state in which the visible light transmittance is less than 50% (preferably less than 20%). The base material 101 has a translucent property and contains a resin such as polyethylene terephthalate (PET; Polyethylene terephthalate), a polyolefin polymer (COC; Cyclic Olefin Polymer, COP; Cyclolic Olefin Polymer), and a polycarbonate (PC; Polycarbonate). It is formed of a resin-based substrate, a glass substrate, or the like.
透明電極部材100は、基材101の一つの面である第1面S1に配置された、透光性を有する透明電極110と絶縁部102とを備える。
The transparent electrode member 100 includes a transparent electrode 110 having translucency and an insulating portion 102 arranged on the first surface S1 which is one surface of the base material 101.
絶縁部102は、第1面S1の法線方向からみたときに、透明電極110が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域IRに配置される。
The insulating portion 102 is arranged in the insulating region IR located at least a part around the region where the transparent electrode 110 is arranged when viewed from the normal direction of the first surface S1.
透明電極110は、図3及び図4に示されるように、絶縁材料からなるマトリックスMXと、マトリックスMX内に分散した導電性ナノワイヤNWと、を含む分散層DLを備える。マトリックスMXを構成する絶縁材料の具体例として、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、及びポリウレタン樹脂などが挙げられる。導電性ナノワイヤNWとしては、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも1つが用いられる。導電性ナノワイヤNWの分散性は、マトリックスMXにより確保されている。複数の導電性ナノワイヤNWが少なくとも一部において互いに接触することにより、透明電極110の面内における導電性が保たれている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the transparent electrode 110 includes a dispersion layer DL including a matrix MX made of an insulating material and conductive nanowires NW dispersed in the matrix MX. Specific examples of the insulating material constituting the matrix MX include polyester resin, acrylic resin, polyurethane resin and the like. As the conductive nanowire NW, at least one selected from the group consisting of gold nanowires, silver nanowires, and copper nanowires is used. The dispersibility of the conductive nanowire NW is ensured by the matrix MX. By contacting the plurality of conductive nanowires NW with each other at least in part, the conductivity in the plane of the transparent electrode 110 is maintained.
透明電極110は、図1及び図2に示されるように、第1面S1の法線方向からみたときに、導電部111からなる導電領域CRと光学調整部112を有する領域(光学調整領域AR)とを有する。導電部111は、光学調整部112よりも導電性が高く、光学調整部112は、分散層DLにおける導電性ナノワイヤNWの分散密度が導電部111よりも低い。
As shown in FIGS. 1 and 2, the transparent electrode 110 has a conductive region CR including a conductive portion 111 and a region having an optical adjustment portion 112 (optical adjustment region AR) when viewed from the normal direction of the first surface S1. ) And. The conductive portion 111 has higher conductivity than the optical adjustment portion 112, and the optical adjustment portion 112 has a lower dispersion density of the conductive nanowires NW in the dispersion layer DL than the conductive portion 111.
かかる構造では、透明電極110が備える分散層DLにおいて、導電性ナノワイヤNWがマトリックスMX内で分散しつつ互いに連結することによって、他の透明導電性材料、特に酸化物系の導電性材料に比べて、高い導電性を達成することができる。その一方で、導電性ナノワイヤNW自体は透光性を有していないため、分散層DLにおける導電性ナノワイヤNWの分散密度が高いことによって、透明電極110の反射率が高くなる傾向がある。すなわち、分散層DLを備える透明電極110では、導電性ナノワイヤNWの分散密度が導電性及び反射率の双方に対して影響を及ぼすため、導電性を高めることと反射率を低下させることがトレードオフの関係にある。そこで、透明電極110を、相対的に導電性が高い導電領域CRと、相対的に反射率が低い光学調整領域ARと、を有する構成とすることにより、透明電極110の導電性を維持しつつ反射率を低減して、透明電極110の不可視性を高めている。
In such a structure, in the dispersion layer DL included in the transparent electrode 110, the conductive nanowires NW are dispersed and connected to each other in the matrix MX, so that the conductive nanowires NW are dispersed in the matrix MX and connected to each other, so that the conductive nanowires NW are compared with other transparent conductive materials, particularly oxide-based conductive materials. , High conductivity can be achieved. On the other hand, since the conductive nanowire NW itself does not have translucency, the high dispersion density of the conductive nanowire NW in the dispersion layer DL tends to increase the reflectance of the transparent electrode 110. That is, in the transparent electrode 110 provided with the dispersion layer DL, the dispersion density of the conductive nanowires NW affects both the conductivity and the reflectance, so that there is a trade-off between increasing the conductivity and decreasing the reflectance. There is a relationship. Therefore, the transparent electrode 110 is configured to have a conductive region CR having a relatively high conductivity and an optical adjustment region AR having a relatively low reflectance, while maintaining the conductivity of the transparent electrode 110. The reflectance is reduced to increase the invisibility of the transparent electrode 110.
光学調整領域ARを設けた構成では、透明電極に貫通孔を有する場合に比べると、反射率以外の光学特性(例えば屈折率)を大きく相違させることなく、光学調整領域ARの反射率を導電領域CRの反射率よりも低くすることができる。したがって、例えば、透明電極部材100を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性を高めることができる。さらに、光学調整領域ARの構成を適切に制御すれば、透明電極110に設けられた貫通孔に比べて光学調整領域ARの導電性を高めることも可能である。この場合には、透明電極110全体としての導電性を高めることが可能であり、透明電極110における光学調整領域ARの面積割合を高めることも可能である。したがって、光学調整領域ARを設けることにより、透明電極110の導電性を高めることと不可視性を高めることとが、貫通孔を設けた場合に比べて、高次に実現されうる。
In the configuration provided with the optical adjustment region AR, the reflectance of the optical adjustment region AR is set to the conductive region without significantly different optical characteristics (for example, refractive index) other than the reflectance as compared with the case where the transparent electrode has a through hole. It can be lower than the reflectance of CR. Therefore, for example, when there is an image that is visually recognized through the transparent electrode member 100, the display uniformity of the image can be improved. Further, if the configuration of the optical adjustment region AR is appropriately controlled, it is possible to increase the conductivity of the optical adjustment region AR as compared with the through hole provided in the transparent electrode 110. In this case, it is possible to increase the conductivity of the transparent electrode 110 as a whole, and it is also possible to increase the area ratio of the optical adjustment region AR in the transparent electrode 110. Therefore, by providing the optical adjustment region AR, it is possible to increase the conductivity and the invisibility of the transparent electrode 110 at a higher order than in the case where the through hole is provided.
ここで、絶縁領域IRの反射率は、導電領域CRの反射率よりも低いことが好ましい。この場合には、光学調整領域ARを有することにより、全体的な反射率が低下した透明電極110と絶縁領域IRとにおける反射率の差が、光学調整部112を有しない場合よりも低くなる。したがって、透明電極110と絶縁領域IRとの境界が視認されにくくなって、透明電極110の不可視性を高めることが可能となる。
Here, the reflectance of the insulating region IR is preferably lower than the reflectance of the conductive region CR. In this case, by having the optical adjustment region AR, the difference in reflectance between the transparent electrode 110 in which the overall reflectance is lowered and the insulating region IR becomes lower than in the case where the optical adjustment region 112 is not provided. Therefore, the boundary between the transparent electrode 110 and the insulating region IR becomes difficult to see, and the invisibility of the transparent electrode 110 can be increased.
さらに、絶縁領域IRに配置される絶縁部102が分散層DLの構成要素の一つであるマトリックスMXを含有することが好ましい。この場合には、マトリックスMXを共通に含有することに起因して、光学調整部112の反射率以外の光学特性(例えば屈折率)と絶縁部102の光学特性とが近似する。このため、例えば、透明電極部材100を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性が高まりやすくなり、透明電極110の不可視性をより安定的に向上させることができる。
Further, it is preferable that the insulating portion 102 arranged in the insulating region IR contains the matrix MX which is one of the constituent elements of the dispersed layer DL. In this case, due to the fact that the matrix MX is commonly contained, the optical characteristics (for example, the refractive index) other than the reflectance of the optical adjustment unit 112 and the optical characteristics of the insulating unit 102 are close to each other. Therefore, for example, when there is an image that is visually recognized through the transparent electrode member 100, the display uniformity of the image is likely to be improved, and the invisibility of the transparent electrode 110 can be improved more stably.
透明電極部材100において、光学調整部112の分散層DLでは、絶縁性を示す程度に、導電性ナノワイヤNWの分散密度が低減されていてもよい。図3はかかる構成(第1構成)の具体例であり、光学調整部112の分散層DLには導電性ナノワイヤNWが実質的に存在せず、分散層DLはマトリックスMXから構成される。この場合には、反射率を高める部材である導電性ナノワイヤNWが実質的に存在しないため、光学調整部112の反射率が特に低くなる。ここで、図3に示されるように、透明電極部材100の絶縁領域IRに配置される絶縁部102は、光学調整部112の分散層DLと同様に、マトリックスMXから構成されている。この場合には、透明電極部材100は、導電領域CRの周囲に位置する反射率が低い領域(絶縁領域IR及び光学調整領域AR)に配置された部材が共通の材料(マトリックスMX)からなる構成となる。かかる構成を備える場合には、透明電極110全体の反射率が特に低くなって、透明電極110の不可視性がより安定的に向上する。
In the transparent electrode member 100, in the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112, the dispersion density of the conductive nanowires NW may be reduced to the extent that insulation is exhibited. FIG. 3 is a specific example of such a configuration (first configuration), in which the conductive nanowire NW is substantially not present in the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112, and the dispersion layer DL is composed of the matrix MX. In this case, since the conductive nanowire NW which is a member for increasing the reflectance is substantially not present, the reflectance of the optical adjustment unit 112 is particularly low. Here, as shown in FIG. 3, the insulating portion 102 arranged in the insulating region IR of the transparent electrode member 100 is composed of the matrix MX, similarly to the dispersion layer DL of the optical adjusting portion 112. In this case, the transparent electrode member 100 has a structure in which the members arranged in the low reflectance region (insulation region IR and optical adjustment region AR) located around the conductive region CR are made of a common material (matrix MX). It becomes. When such a configuration is provided, the reflectance of the entire transparent electrode 110 is particularly low, and the invisibility of the transparent electrode 110 is more stably improved.
なお、図3では、絶縁部102及び光学調整部112はいずれも、導電性ナノワイヤNWが実質的に存在せず、マトリックスMXから構成される場合が示されているが、これに限定されない。絶縁部102及び光学調整部112のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤNW又はこれに基づく物質がマトリックスMXに依然として分散していてもよい。次に説明する図4に示される絶縁部102の構造も同様である。
Note that FIG. 3 shows that the insulating portion 102 and the optical adjusting portion 112 both have substantially no conductive nanowire NW and are composed of the matrix MX, but the present invention is not limited to this. In both the insulating portion 102 and the optical adjusting portion 112, if the conductivity of this portion is appropriately lowered to become non-conductive and the insulating function can be exhibited, the conductive nanowire NW or a substance based on the conductive nanowire NW can be used. It may still be dispersed in the matrix MX. The same applies to the structure of the insulating portion 102 shown in FIG. 4 described below.
透明電極部材100において、光学調整部112は、絶縁部102よりも高い導電性を有してもよい。図4はかかる構成(第2構成)の具体例であり、光学調整部112の分散層DLは、基材101に対して遠位な側(使用者に対向する側)では導電性ナノワイヤNWの分散密度が低く、基材101に近位な側(基材101に対向する側)では導電性ナノワイヤNWの分散密度が高くなっている。分散層DLに分散する導電性ナノワイヤNWのうち、露出する導電性ナノワイヤNWが最も視認されやすいところ、光学調整部112の分散層DLが図4に示される構造を有している場合には、光学調整部112の視認性を適切に低下させることができる。しかも、基材101に近位な側に位置する導電性ナノワイヤNWによって、導電部111の分散層DLよりは低いものの、ある程度の導電性を確保することができる。したがって、光学調整部112の分散層DLが図4に示される構造を有している場合には、透明電極110全体の導電性を高くすることができる。また、この場合には光学調整部112の分散層DLにおける導電性ナノワイヤNWの分散密度と導電部111の分散層DLにおける導電性ナノワイヤNWの分散密度との差が比較的少なくなるため、透明電極110において光学調整部112と導電部111とによって形成されるパターンが視認されにくくなる。
In the transparent electrode member 100, the optical adjusting portion 112 may have higher conductivity than the insulating portion 102. FIG. 4 is a specific example of such a configuration (second configuration), in which the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 is a conductive nanowire NW on the side distal to the base material 101 (the side facing the user). The dispersion density is low, and the dispersion density of the conductive nanowires NW is high on the side proximal to the base material 101 (the side facing the base material 101). Of the conductive nanowires NW dispersed in the dispersion layer DL, the exposed conductive nanowire NW is most easily visible, and when the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 has the structure shown in FIG. The visibility of the optical adjustment unit 112 can be appropriately reduced. Moreover, the conductive nanowire NW located on the side proximal to the base material 101 can secure a certain degree of conductivity although it is lower than the dispersion layer DL of the conductive portion 111. Therefore, when the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 has the structure shown in FIG. 4, the conductivity of the entire transparent electrode 110 can be increased. Further, in this case, the difference between the dispersion density of the conductive nanowire NW in the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 and the dispersion density of the conductive nanowire NW in the dispersion layer DL of the conductive unit 111 is relatively small, so that the transparent electrode is used. In 110, the pattern formed by the optical adjusting portion 112 and the conductive portion 111 becomes difficult to visually recognize.
なお、図4では、光学調整部112は、第1面S1の法線方向に沿って、導電性ナノワイヤNWの分散密度が変化している場合が示されているが、これに限定されない。絶縁部102及び光学調整部112のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤNW又はこれに基づく物質がマトリックスMXに依然として分散していてもよい。
Note that FIG. 4 shows a case where the dispersion density of the conductive nanowire NW changes along the normal direction of the first surface S1 in the optical adjustment unit 112, but the present invention is not limited to this. In both the insulating portion 102 and the optical adjusting portion 112, if the conductivity of this portion is appropriately lowered to become non-conductive and the insulating function can be exhibited, the conductive nanowire NW or a substance based on the conductive nanowire NW can be used. It may still be dispersed in the matrix MX.
図1に示されるように、透明電極部材100において、光学調整領域ARは、導電領域CR内に位置する。かかる構成の場合には、光学調整領域ARが絶縁領域IRに直接的に接する部分を有しない。このため、導電領域CRによって透明電極110に導電路を適切に形成することが可能となり、透明電極110としての導電性が低下することが抑制される。光学調整領域ARが絶縁領域IRに直接的に接する部分を有すると、透明電極110に形成される導電路が蛇行してしまう場合があり、この場合には透明電極110としての導電性が低下してしまう。また、後述するように、光学調整領域ARが絶縁領域IRに接続する部分を有することにより、不可視性が低下してしまう場合がある。
As shown in FIG. 1, in the transparent electrode member 100, the optical adjustment region AR is located in the conductive region CR. In the case of such a configuration, the optical adjustment region AR does not have a portion that directly contacts the insulation region IR. Therefore, the conductive region CR makes it possible to appropriately form a conductive path in the transparent electrode 110, and it is possible to suppress a decrease in the conductivity of the transparent electrode 110. If the optical adjustment region AR has a portion that is in direct contact with the insulating region IR, the conductive path formed in the transparent electrode 110 may meander, and in this case, the conductivity of the transparent electrode 110 is lowered. It ends up. Further, as will be described later, invisibility may be reduced by having a portion where the optical adjustment region AR is connected to the insulation region IR.
透明電極部材100において、光学調整領域ARの面積割合(調整率)は、10%以上40%以下であることが好ましい場合がある。光学調整部112では反射率を低下させることとのトレードオフとして導電性が相対的に低下する傾向がある。本発明の実施形態における透明電極部材100では、透明電極110の反射率を安定的に低下させる観点から調整率を10%以上とすることが好ましい場合があり、15%以上とすることがより好ましい場合がある。一方、調整率を40%程度まで高めて透明電極110の不可視性を向上させても、透明電極110として求められる導電性を確保することができる場合があり、調整率を35%以下とすることが優れた不可視性を確保しつつ導電性を高める観点から好ましい場合がある。
In the transparent electrode member 100, the area ratio (adjustment rate) of the optical adjustment region AR may be preferably 10% or more and 40% or less. In the optical adjustment unit 112, the conductivity tends to be relatively lowered as a trade-off with the reduction of the reflectance. In the transparent electrode member 100 according to the embodiment of the present invention, the adjustment rate may be preferably 10% or more, more preferably 15% or more, from the viewpoint of stably reducing the reflectance of the transparent electrode 110. In some cases. On the other hand, even if the adjustment rate is increased to about 40% to improve the invisibility of the transparent electrode 110, the conductivity required for the transparent electrode 110 may be secured, and the adjustment rate should be 35% or less. May be preferable from the viewpoint of increasing conductivity while ensuring excellent invisibility.
透明電極110では、光学調整領域ARは、導電領域CR内に離散的に位置する複数の部分領域を有している。相対的に透光性が異なる光学調整領域ARと導電領域CRとが互いに大きなパターンを形成している場合には、そのパターン形状によっては、パターンの視認性が高くなってしまうことが懸念される。また、光学調整部112は相対的に導電性が低い領域であるから、これが透明電極110内でまとまって位置する場合には、透明電極110内を蛇行する導電路が形成されるおそれがあり、この場合には、透明電極110としての導電性が低下してしまう。したがって、上記のように、相対的に導電性の低い光学調整部112からなる部分領域(すなわち光学調整領域AR)を導電領域CR内に離散的に配置することによって、透明電極110内に視認されやすいパターンが形成されたり、実質的に導電性が低下したりすることが抑制される。また、後述するように、透明電極110が絶縁領域IRを介して複数配置されている場合には、複数の透明電極110の間に位置する絶縁領域IRの反射率が透明電極110の導電部111の反射率と相違することに起因して、絶縁領域IRの視認性が高まってしまうこともある。このような場合であっても、透明電極110の導電領域CR内に光学調整領域ARが離散的に配置されていることにより、絶縁領域IRに少なくとも一部が囲まれた状態にある透明電極110の不可視性を向上させることができる。
In the transparent electrode 110, the optical adjustment region AR has a plurality of partial regions discretely located in the conductive region CR. When the optical adjustment region AR and the conductive region CR, which have relatively different translucency, form a large pattern with each other, there is a concern that the visibility of the pattern may be improved depending on the pattern shape. .. Further, since the optical adjustment unit 112 is a region having relatively low conductivity, if it is collectively located in the transparent electrode 110, a conductive path meandering in the transparent electrode 110 may be formed. In this case, the conductivity of the transparent electrode 110 is reduced. Therefore, as described above, by arranging the partial region (that is, the optical adjustment region AR) composed of the optical adjustment portion 112 having relatively low conductivity discretely in the conductive region CR, it is visually recognized in the transparent electrode 110. It is suppressed that an easy pattern is formed and the conductivity is substantially lowered. Further, as will be described later, when a plurality of transparent electrodes 110 are arranged via the insulating region IR, the reflectance of the insulating region IR located between the plurality of transparent electrodes 110 is the conductive portion 111 of the transparent electrode 110. The visibility of the insulated region IR may be improved due to the difference from the reflectance of the insulating region IR. Even in such a case, since the optical adjustment region AR is discretely arranged in the conductive region CR of the transparent electrode 110, the transparent electrode 110 is in a state where at least a part thereof is surrounded by the insulating region IR. Invisibility can be improved.
光学調整領域ARを構成する部分領域は、互いに30μm以上離間していることが好ましい場合がある。この離間距離sd(図1)は、離散配置される光学調整部112の間に位置する導電領域CRの幅であるから、透明電極110における個々の導電路の幅となる。したがって、離間距離sdが30μm以上であることにより、透明電極110としての導電性が低下することが安定的に抑制される。
It may be preferable that the partial regions constituting the optical adjustment region AR are separated from each other by 30 μm or more. Since the separation distance sd (FIG. 1) is the width of the conductive region CR located between the optically adjusting portions 112 arranged discretely, it is the width of each conductive path in the transparent electrode 110. Therefore, when the separation distance sd is 30 μm or more, the decrease in conductivity of the transparent electrode 110 is stably suppressed.
光学調整領域ARが離散的に配置されている場合において、複数の部分領域(光学調整領域AR)のそれぞれの形状は円であり、円の直径は、10μm以上、100μm以下であってもよい。透明電極110の不可視性をより安定的に向上させる観点から、上記の複数の部分領域(光学調整領域AR)の形状は、透明電極110内で均一であることが好ましい。この部分領域(光学調整領域AR)の形状が円であって、その直径が上記の範囲である場合には、調整率を40%以下としつつ、複数の部分領域(光学調整領域AR)の離間距離を30μm以上とすることを容易に実現することができる。
When the optical adjustment region AR is arranged discretely, the shape of each of the plurality of partial regions (optical adjustment region AR) is a circle, and the diameter of the circle may be 10 μm or more and 100 μm or less. From the viewpoint of more stably improving the invisibility of the transparent electrode 110, it is preferable that the shape of the plurality of partial regions (optical adjustment region AR) is uniform in the transparent electrode 110. When the shape of this partial region (optical adjustment region AR) is a circle and its diameter is within the above range, the distance between a plurality of partial regions (optical adjustment region AR) while setting the adjustment ratio to 40% or less. It can be easily realized that the distance is 30 μm or more.
上記の複数の部分領域(光学調整領域AR)のそれぞれの形状を、円に代えて、四角形としてもよい。この場合には、四角形の対角線のうちで最長の対角線の長さは、10μm以上、100μm以下であることが、上記の円の直径の理由と同様の理由により、好ましい。
The shape of each of the plurality of partial regions (optical adjustment region AR) may be changed to a quadrangle instead of a circle. In this case, the length of the longest diagonal line of the diagonal lines of the quadrangle is preferably 10 μm or more and 100 μm or less for the same reason as the diameter of the circle.
図1に示されるように、複数の部分領域(光学調整領域AR)が透明電極110の全体にわたって配置される場合には、透明電極110全体として反射率にばらつきが生じにくいため、透明電極110の不可視性が向上しやすく、好ましい。
As shown in FIG. 1, when a plurality of partial regions (optical adjustment region AR) are arranged over the entire transparent electrode 110, the reflectance of the transparent electrode 110 as a whole is unlikely to vary, so that the transparent electrode 110 Invisibility is easily improved, which is preferable.
図5は、本実施形態に係る入力装置としての静電容量式センサを示す平面図である。図6は、図5に示す領域A1を拡大した平面図である。図7は、図6に示す切断面C1−C1における断面図である。図8は、図6に示す切断面C2−C2における断面図である。図9は、図6に示す切断面C3−C3における断面図である。なお、透明電極は透明なので本来は視認できないが、図5及び図6では理解を容易にするため透明電極の外形を示している。
FIG. 5 is a plan view showing a capacitance type sensor as an input device according to the present embodiment. FIG. 6 is an enlarged plan view of the region A1 shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the cut surface C1-C1 shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of the cut surface C2-C2 shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of the cut surface C3-C3 shown in FIG. Since the transparent electrode is transparent, it cannot be visually recognized originally, but FIGS. 5 and 6 show the outer shape of the transparent electrode for easy understanding.
図5から図9に示すように、本実施形態に係る静電容量式センサ1は、基材2と、第1透明電極4と、第2透明電極5と、第2透明配線を構成するブリッジ配線部10(ブリッジ配線層)と、パネル3と、検知部及び制御部(いずれも不図示)と、を備える。ブリッジ配線部10からみて基材2と反対側にパネル3が設けられている。基材2とパネル3との間には、光学透明粘着層(OCA;Optical Clear Adhesive)30が設けられている。基材2とブリッジ配線部10との間には、絶縁物からなる絶縁層20が設けられている。図7に示すように、ブリッジ配線部10が設けられた部分においては、光学透明粘着層30は、ブリッジ配線部10とパネル3との間に設けられている。
As shown in FIGS. 5 to 9, the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment includes a base material 2, a first transparent electrode 4, a second transparent electrode 5, and a bridge constituting a second transparent wiring. It includes a wiring unit 10 (bridge wiring layer), a panel 3, a detection unit, and a control unit (all not shown). The panel 3 is provided on the side opposite to the base material 2 when viewed from the bridge wiring portion 10. An optical transparent adhesive layer (OCA) 30 is provided between the base material 2 and the panel 3. An insulating layer 20 made of an insulating material is provided between the base material 2 and the bridge wiring portion 10. As shown in FIG. 7, in the portion where the bridge wiring portion 10 is provided, the optical transparent adhesive layer 30 is provided between the bridge wiring portion 10 and the panel 3.
基材2は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。基材2の一方の主面である第1面S1には、第1透明電極4(第1の主電極部)、及び、第2透明電極5(第2の主電極部)が設けられている。この詳細については、後述する。図7に示すように、パネル3は、ブリッジ配線部10からみて基材2とは反対側に設けられ、透光性を有する。このパネル3側から操作者の指などの操作体が接触又は近接されて透明電極部材100への操作が行われる。パネル3の材料は、特には限定されないが、パネル3の材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリオレフィン系ポリマー(COC,COP)、ポリカーボネート(PC)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA;Polymethylmethacrylate)等の樹脂系基材、ガラス基材などが挙げられる。樹脂系基材上に、透光性の無機微粒子(ジルコニアやチタニアが例示される。)が樹脂マトリックスに分散してなるハードコート層が設けられていてもよい。パネル3は、基材2とパネル3との間に設けられた光学透明粘着層30を介して基材2と接合されている。光学透明粘着層30は、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等からなる。
The base material 2 has translucency and is formed of a film-like transparent base material such as polyethylene terephthalate (PET), a glass base material, or the like. A first transparent electrode 4 (first main electrode portion) and a second transparent electrode 5 (second main electrode portion) are provided on the first surface S1 which is one main surface of the base material 2. There is. The details will be described later. As shown in FIG. 7, the panel 3 is provided on the side opposite to the base material 2 when viewed from the bridge wiring portion 10, and has translucency. An operating body such as an operator's finger is brought into contact with or close to the panel 3 side to operate the transparent electrode member 100. The material of the panel 3 is not particularly limited, but the material of the panel 3 includes polyethylene terephthalate (PET), polyolefin-based polymer (COC, COP), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), and the like. Examples thereof include a resin-based base material and a glass base material. A hard coat layer in which translucent inorganic fine particles (exemplified zirconia and titania) are dispersed in a resin matrix may be provided on the resin-based substrate. The panel 3 is bonded to the base material 2 via an optically transparent adhesive layer 30 provided between the base material 2 and the panel 3. The optical transparent adhesive layer 30 is made of an acrylic adhesive, double-sided adhesive tape, or the like.
図5に示すように、静電容量式センサ1は、パネル3側の面の法線に沿った方向(Z1−Z2方向:図7及び図8参照)からみて、検出領域11と非検出領域25とからなる。検出領域11は、指などの操作体により操作を行うことができる領域であり、非検出領域25は、検出領域11の外周側に位置する額縁状の領域である。非検出領域25は、加飾層(不図示)によって遮光され、静電容量式センサ1におけるパネル3側の面から基材2側の面への光(外光が例示される。)及び基材2側の面からパネル3側の面への光(静電容量式センサ1と組み合わせて使用される表示装置のバックライトからの光が例示される。)は、非検出領域25を透過しにくくなっている。
As shown in FIG. 5, the capacitance type sensor 1 has a detection area 11 and a non-detection area when viewed from the direction along the normal of the surface on the panel 3 side (Z1-Z2 direction: see FIGS. 7 and 8). It consists of 25. The detection area 11 is an area that can be operated by an operating body such as a finger, and the non-detection area 25 is a frame-shaped area located on the outer peripheral side of the detection area 11. The non-detection region 25 is shielded from light by a decorative layer (not shown), and the light (external light is exemplified) and the base from the surface on the panel 3 side to the surface on the substrate 2 side in the capacitive sensor 1. Light from the surface on the material 2 side to the surface on the panel 3 side (light from the backlight of the display device used in combination with the capacitive sensor 1 is exemplified) is transmitted through the non-detection region 25. It's getting harder.
図5に示すように、静電容量式センサ1は、第1電極連結体8(第1の電極層)と第2電極連結体12(第2の電極層)とが基材2の一方の主面(第1面S1)に設けられた構成、すなわち同一表面に設けられた構成、を有する透明電極部材400を備える。第1電極連結体8は、検出領域11に配置され、複数の第1透明電極4(第1の主電極部)を有する。図8に示すように、複数の第1透明電極4は、基材2におけるZ1−Z2方向に沿った方向を法線とする主面のうちZ1側に位置する第1面S1に設けられている。各第1透明電極4は、細長い連結部7(第1の接続部)を介してY1−Y2方向(第1の方向)に連結されている。そして、Y1−Y2方向に連結された複数の第1透明電極4を有する第1電極連結体8が、X1−X2方向に間隔を空けて配列されている。連結部7は第1透明配線を構成し、第1透明電極4に一体として形成されている。連結部7は、隣り合う2つの第1透明電極4を互いに電気的に接続している。第1電極連結体8及び第2電極連結体12の周囲には絶縁領域IR(絶縁領域21)が設けられている。
As shown in FIG. 5, in the capacitance type sensor 1, the first electrode connecting body 8 (first electrode layer) and the second electrode connecting body 12 (second electrode layer) are one of the base materials 2. The transparent electrode member 400 having a structure provided on the main surface (first surface S1), that is, a structure provided on the same surface is provided. The first electrode connecting body 8 is arranged in the detection region 11 and has a plurality of first transparent electrodes 4 (first main electrode portions). As shown in FIG. 8, the plurality of first transparent electrodes 4 are provided on the first surface S1 located on the Z1 side of the main surfaces of the base material 2 whose normal direction is along the Z1-Z2 direction. There is. Each first transparent electrode 4 is connected in the Y1-Y2 direction (first direction) via an elongated connecting portion 7 (first connecting portion). Then, the first electrode connecting bodies 8 having a plurality of first transparent electrodes 4 connected in the Y1-Y2 direction are arranged at intervals in the X1-X2 direction. The connecting portion 7 constitutes the first transparent wiring and is integrally formed with the first transparent electrode 4. The connecting portion 7 electrically connects two adjacent first transparent electrodes 4 to each other. An insulating region IR (insulated region 21) is provided around the first electrode connecting body 8 and the second electrode connecting body 12.
第1透明電極4及び連結部7は、第1の電極層として、透光性を有し、導電性ナノワイヤNWを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤNWを含む材料を用いることで、第1透明電極4の高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。また、導電性ナノワイヤNWを含む材料を用いることで、静電容量式センサ1の変形性能を向上させることができる。
The first transparent electrode 4 and the connecting portion 7 are formed of a material having translucency and containing conductive nanowires NW as the first electrode layer. By using a material containing the conductive nanowire NW, it is possible to achieve high translucency of the first transparent electrode 4 and low electrical resistance. Further, by using a material containing the conductive nanowire NW, the deformation performance of the capacitance type sensor 1 can be improved.
図6及び図8に示すように、第1透明電極4は複数の第1光学調整領域41(ダミー部)を有する。複数の第1光学調整領域41の構造は前述の光学調整領域ARに等しいので、第1光学調整領域41は、第1透明電極4の導電部111よりも高抵抗である。複数の第1光学調整領域41は、第1透明電極4において互いに離れて配設されるが、第1透明電極4における連結部7の周囲、及び、連結部7には設けられていない。隣り合う複数の第1光学調整領域41同士の間の距離(第1距離)D1は、一定であり、30μm以上である。図6に示す例では、第1光学調整領域41の形状は、円である。第1光学調整領域41の円の直径D11は、10μm以上、100μm以下である。
As shown in FIGS. 6 and 8, the first transparent electrode 4 has a plurality of first optical adjustment regions 41 (dummy portions). Since the structure of the plurality of first optical adjustment regions 41 is equal to the above-mentioned optical adjustment region AR, the first optical adjustment region 41 has a higher resistance than the conductive portion 111 of the first transparent electrode 4. The plurality of first optical adjustment regions 41 are arranged apart from each other in the first transparent electrode 4, but are not provided around the connecting portion 7 in the first transparent electrode 4 and in the connecting portion 7. The distance (first distance) D1 between the plurality of adjacent first optical adjustment regions 41 is constant and is 30 μm or more. In the example shown in FIG. 6, the shape of the first optical adjustment region 41 is a circle. The diameter D11 of the circle of the first optical adjustment region 41 is 10 μm or more and 100 μm or less.
第2電極連結体12は、検出領域11に配置され、複数の第2透明電極5(第2の主電極部)を有する。図7に示すように、複数の第2透明電極5は、基材2の第1面S1に設けられている。このように、第2透明電極5は、第1透明電極4と同じ面(基材2の第1面S1)に設けられている。各第2透明電極5は、細長いブリッジ配線部10(第2の接続部)を介してX1−X2方向(第2の方向)に連結されている。そして、図5に示すように、X1−X2方向に連結された複数の第2透明電極5を有する第2電極連結体12が、Y1−Y2方向に間隔を空けて配列されている。ブリッジ配線部10は、第2透明電極5とは別体として形成されている。なお、X1−X2方向は、Y1−Y2方向と交差している。例えば、X1−X2方向は、Y1−Y2方向と垂直に交わっている。
The second electrode connecting body 12 is arranged in the detection region 11 and has a plurality of second transparent electrodes 5 (second main electrode portions). As shown in FIG. 7, the plurality of second transparent electrodes 5 are provided on the first surface S1 of the base material 2. As described above, the second transparent electrode 5 is provided on the same surface as the first transparent electrode 4 (first surface S1 of the base material 2). Each second transparent electrode 5 is connected in the X1-X2 direction (second direction) via an elongated bridge wiring portion 10 (second connection portion). Then, as shown in FIG. 5, the second electrode connecting bodies 12 having a plurality of second transparent electrodes 5 connected in the X1-X2 direction are arranged at intervals in the Y1-Y2 direction. The bridge wiring portion 10 is formed as a separate body from the second transparent electrode 5. The X1-X2 direction intersects the Y1-Y2 direction. For example, the X1-X2 direction intersects the Y1-Y2 direction perpendicularly.
第2透明電極5は、第2の電極層として、透光性を有し、導電性ナノワイヤNWを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤNWは、第1透明電極4の材料に関して前述した通りである。
The second transparent electrode 5 has a translucent property and is formed of a material containing conductive nanowires NW as the second electrode layer. The conductive nanowire NW is as described above with respect to the material of the first transparent electrode 4.
図6及び図7に示すように、第2透明電極5は複数の第2光学調整領域51(ダミー部)を有する。複数の第2光学調整領域51の構造は前述の光学調整領域ARに等しいので、第2光学調整領域51は、第2透明電極5の導電部111よりも高抵抗である。複数の第2光学調整領域51は、第2透明電極5において互いに離れて配設されるが、ブリッジ配線部10と重なる領域、及び、ブリッジ配線部10の周囲には設けられていない。隣り合う複数の第2光学調整領域51同士の間の距離(第2距離)D2は、一定であり、30μm以上である。図6に示す例では、第2光学調整領域51の形状は、円である。第2光学調整領域51の円の直径D12は、10μm以上、100μm以下である。
As shown in FIGS. 6 and 7, the second transparent electrode 5 has a plurality of second optical adjustment regions 51 (dummy portions). Since the structure of the plurality of second optical adjustment regions 51 is equal to the above-mentioned optical adjustment region AR, the second optical adjustment region 51 has a higher resistance than the conductive portion 111 of the second transparent electrode 5. The plurality of second optical adjustment regions 51 are arranged apart from each other in the second transparent electrode 5, but are not provided in the region overlapping the bridge wiring portion 10 and around the bridge wiring portion 10. The distance (second distance) D2 between the plurality of adjacent second optical adjustment regions 51 is constant and is 30 μm or more. In the example shown in FIG. 6, the shape of the second optical adjustment region 51 is a circle. The diameter D12 of the circle of the second optical adjustment region 51 is 10 μm or more and 100 μm or less.
図7から図9に示すように、絶縁層20は第1透明電極4、第2透明電極5、及び連結部7と直接的に接しておらず、絶縁層20は、緩衝層60を介して第1透明電極4、第2透明電極5、及び連結部7に積層されている。緩衝層60は、透光性と導電性を有する材料で構成され、例えばITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、GZO(Gallium−doped Zinc Oxide)、AZO(Aluminum−doped Zinc Oxide)、又は、FTO(Fluorine−doped Tin Oxide)などの透光性を有する導電性酸化物系材料で形成される。また、図7に示すように、ブリッジ配線部10も絶縁層20と同様に、緩衝層60を介して第2透明電極5に積層されている。したがって、ブリッジ配線部10は緩衝層60を介して第2透明電極5に対して電気的に接続されている。
As shown in FIGS. 7 to 9, the insulating layer 20 is not in direct contact with the first transparent electrode 4, the second transparent electrode 5, and the connecting portion 7, and the insulating layer 20 is via the buffer layer 60. It is laminated on the first transparent electrode 4, the second transparent electrode 5, and the connecting portion 7. The buffer layer 60 is made of a material having translucency and conductivity, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), GZO (Gallium-dropped Zinc Oxide), AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide). , Or, it is formed of a translucent conductive oxide-based material such as FTO (Fluorine-topped Tin Oxide). Further, as shown in FIG. 7, the bridge wiring portion 10 is also laminated on the second transparent electrode 5 via the buffer layer 60, similarly to the insulating layer 20. Therefore, the bridge wiring portion 10 is electrically connected to the second transparent electrode 5 via the buffer layer 60.
ブリッジ配線部10は、透光性及び導電性を有する酸化物系材料を含む材料により形成される。透光性及び導電性を有する酸化物系材料としては、ITO、IZO、GZO、AZO、及び、FTOよりなる群から選択された少なくとも1つが用いられる。
The bridge wiring portion 10 is formed of a material containing an oxide-based material having translucency and conductivity. As the oxide-based material having translucency and conductivity, at least one selected from the group consisting of ITO, IZO, GZO, AZO, and FTO is used.
ブリッジ配線部10は、ITO等の酸化物系材料を含む第1層と、第1層よりも低抵抗で透明な金属からなる第2層と、を有していてもよい。また、ブリッジ配線部10は、ITO等の酸化物系材料を含む第3層をさらに有していてもよい。ブリッジ配線部10が第1層と第2層との積層構造、あるいは第1層と第2層と第3層との積層構造を有する場合には、ブリッジ配線部10と、第1透明電極4及び第2透明電極5と、の間においてエッチング選択性を有することが望ましい。
The bridge wiring portion 10 may have a first layer containing an oxide-based material such as ITO, and a second layer made of a transparent metal having a lower resistance than the first layer. Further, the bridge wiring portion 10 may further have a third layer containing an oxide-based material such as ITO. When the bridge wiring portion 10 has a laminated structure of the first layer and the second layer, or a laminated structure of the first layer, the second layer, and the third layer, the bridge wiring portion 10 and the first transparent electrode 4 It is desirable to have etching selectivity between the second transparent electrode 5 and the second transparent electrode 5.
図6から図9に示すように、各第1透明電極4間を連結する連結部7の表面には、緩衝層60を介して絶縁層20が設けられている。図7に示すように、絶縁層20は、連結部7と第2透明電極5との間の空間を埋め、第2透明電極5の表面上の緩衝層60上にも多少乗り上げている。絶縁層20としては、例えばノボラック樹脂(レジスト)が用いられる。
As shown in FIGS. 6 to 9, an insulating layer 20 is provided on the surface of the connecting portion 7 connecting the first transparent electrodes 4 with the buffer layer 60 interposed therebetween. As shown in FIG. 7, the insulating layer 20 fills the space between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5, and slightly rides on the buffer layer 60 on the surface of the second transparent electrode 5. As the insulating layer 20, for example, a novolak resin (resist) is used.
図7から図9に示すように、ブリッジ配線部10は、絶縁層20の表面20aから絶縁層20のX1−X2方向の両側に位置する各第2透明電極5の表面にかかるように設けられ、第2透明電極5に対しては緩衝層60を介して固定されている。これにより、ブリッジ配線部10は、隣り合う2つの第2透明電極5を互いに電気的に接続している。
As shown in FIGS. 7 to 9, the bridge wiring portion 10 is provided so as to extend from the surface 20a of the insulating layer 20 to the surface of each second transparent electrode 5 located on both sides of the insulating layer 20 in the X1-X2 direction. , It is fixed to the second transparent electrode 5 via the buffer layer 60. As a result, the bridge wiring portion 10 electrically connects two adjacent second transparent electrodes 5 to each other.
図7から図9に示すように、連結部7の表面に対して緩衝層60を介して設けられた絶縁層20の表面に各第2透明電極5間を接続するブリッジ配線部10が設けられている。このように、連結部7とブリッジ配線部10との間には絶縁層20が介在し、第1透明電極4と第2透明電極5とは互いに電気的に絶縁された状態となっている。静電容量式センサ1では、第1透明電極4と第2透明電極5とが同じ面(基材2の第1面S1)に設けられているため、静電容量式センサ1の薄型化を実現できる。
As shown in FIGS. 7 to 9, a bridge wiring portion 10 for connecting between the second transparent electrodes 5 is provided on the surface of the insulating layer 20 provided via the buffer layer 60 with respect to the surface of the connecting portion 7. ing. As described above, the insulating layer 20 is interposed between the connecting portion 7 and the bridge wiring portion 10, and the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are electrically insulated from each other. In the capacitance type sensor 1, since the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are provided on the same surface (first surface S1 of the base material 2), the capacitance type sensor 1 can be made thinner. realizable.
図6に示すように、第1透明電極4及び第2透明電極5は、基材2の第1面S1において隣り合った状態で並んで配置されている。第1透明電極4及び第2透明電極5は、図1における透明電極110に対応する。第1透明電極4と第2透明電極5との間には、絶縁領域21が設けられている。絶縁領域21は、図1、図5における絶縁領域IRに対応する。これにより、第1透明電極4と第2透明電極5とは、互いに電気的に絶縁された状態となっている。絶縁領域21の形状については後述する。
As shown in FIG. 6, the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are arranged side by side in a state of being adjacent to each other on the first surface S1 of the base material 2. The first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 correspond to the transparent electrode 110 in FIG. An insulating region 21 is provided between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. The insulating region 21 corresponds to the insulating region IR in FIGS. 1 and 5. As a result, the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are electrically insulated from each other. The shape of the insulating region 21 will be described later.
なお、図6から図8に示す連結部7は、第1透明電極4に一体として形成され、Y1−Y2方向に延びている。また、図6から図9に示すブリッジ配線部10は、連結部7を覆う絶縁層20の表面20aに第2透明電極5とは別体として形成され、X1−X2方向に延びている。但し、連結部7及びブリッジ配線部10の配置形態は、これだけには限定されない。例えば、連結部7は、第2透明電極5に一体として形成され、X1−X2方向に延びていてもよい。この場合には、連結部7は、隣り合う2つの第2透明電極5を互いに電気的に接続する。ブリッジ配線部10は、連結部7を覆う絶縁層20の表面20aに第1透明電極4とは別体として形成され、Y1−Y2方向に延びていてもよい。この場合には、ブリッジ配線部10は、隣り合う2つの第1透明電極4を互いに電気的に接続する。本実施形態に係る静電容量式センサ1の説明では、ブリッジ配線部10が、連結部7を覆う絶縁層20の表面20aに第2透明電極5とは別体として形成され、X1−X2方向に延びた場合を例に挙げる。
The connecting portion 7 shown in FIGS. 6 to 8 is integrally formed with the first transparent electrode 4 and extends in the Y1-Y2 direction. Further, the bridge wiring portion 10 shown in FIGS. 6 to 9 is formed on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7 as a separate body from the second transparent electrode 5, and extends in the X1-X2 direction. However, the arrangement form of the connecting portion 7 and the bridge wiring portion 10 is not limited to this. For example, the connecting portion 7 may be integrally formed with the second transparent electrode 5 and may extend in the X1-X2 direction. In this case, the connecting portion 7 electrically connects two adjacent second transparent electrodes 5 to each other. The bridge wiring portion 10 may be formed on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7 as a separate body from the first transparent electrode 4, and may extend in the Y1-Y2 direction. In this case, the bridge wiring portion 10 electrically connects two adjacent first transparent electrodes 4 to each other. In the description of the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment, the bridge wiring portion 10 is formed on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7 as a separate body from the second transparent electrode 5, and is oriented in the X1-X2 direction. Take as an example the case where it extends to.
図5に示すように、非検出領域25には、各第1電極連結体8及び各第2電極連結体12から引き出された複数本の配線部6が形成されている。第1電極連結体8及び第2電極連結体12のそれぞれは、接続配線16を介して配線部6と電気的に接続されている。各配線部6は、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続される外部接続部27に接続されている。すなわち、各配線部6は、第1電極連結体8及び第2電極連結体12と、外部接続部27と、を電気的に接続している。外部接続部27は、例えば導電ペースト、Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag、Au等の金属を有する材料を介して、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続されている。
As shown in FIG. 5, in the non-detection region 25, a plurality of wiring portions 6 drawn from each first electrode connecting body 8 and each second electrode connecting body 12 are formed. Each of the first electrode connecting body 8 and the second electrode connecting body 12 is electrically connected to the wiring portion 6 via the connecting wiring 16. Each wiring unit 6 is connected to an external connection unit 27 that is electrically connected to a flexible printed board (not shown). That is, each wiring portion 6 electrically connects the first electrode connecting body 8 and the second electrode connecting body 12 and the external connecting portion 27. The external connection portion 27 is electrically connected to a flexible printed substrate (not shown) via a material having a metal such as a conductive paste, Cu, Cu alloy, CuNi alloy, Ni, Ag, or Au.
そして、このフレキシブルプリント基板と接続されたプリント配線板(不図示)には、操作体と透明電極(主に第1透明電極4及び第2透明電極5)との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部(不図示)と、検知部からの信号に基づいて操作体の位置を算出する制御部が搭載されている。なお、詳細な説明は行わないが、検知部や制御部には、集積回路が用いられている。
Then, on the printed wiring board (not shown) connected to the flexible printed circuit board, the change in capacitance that occurs between the operating body and the transparent electrodes (mainly the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5). A detection unit (not shown) for detecting the above and a control unit for calculating the position of the operating body based on the signal from the detection unit are mounted. Although detailed description will not be given, integrated circuits are used in the detection unit and the control unit.
各配線部6は、Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag、Au等の金属を有する材料により形成される。接続配線16は、ITO、導電性ナノワイヤ等の透明導電性材料で形成され、検出領域11から非検出領域25に延出している。配線部6は、接続配線16の上に非検出領域25内で積層され、接続配線16と電気的に接続されている。また、第1透明電極4や第2透明電極5と同じ導電性ナノワイヤNW(具体例として銀ナノワイヤが挙げられる。)を有する分散層DLが連続して非検出領域25に延出して接続配線16を構成し、非検出領域25においてこの接続配線16と配線部6を構成する金属層とが積層された積層配線構造を有していてもよい。導電性ナノワイヤNWを有する分散層DLからなる接続配線16がさらに延出して配線部6の少なくとも一部を構成していてもよい。この場合において、配線部6は、分散層DLと金属系の材料との積層構造であってもよい。
Each wiring portion 6 is formed of a material having a metal such as Cu, Cu alloy, CuNi alloy, Ni, Ag, and Au. The connection wiring 16 is formed of a transparent conductive material such as ITO and conductive nanowires, and extends from the detection region 11 to the non-detection region 25. The wiring portion 6 is laminated on the connection wiring 16 in the non-detection region 25 and is electrically connected to the connection wiring 16. Further, the dispersion layer DL having the same conductive nanowire NW (specific example, silver nanowires) as the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 extends continuously to the non-detection region 25, and the connection wiring 16 May have a laminated wiring structure in which the connection wiring 16 and the metal layer constituting the wiring portion 6 are laminated in the non-detection region 25. The connection wiring 16 made of the dispersion layer DL having the conductive nanowires NW may further extend to form at least a part of the wiring portion 6. In this case, the wiring portion 6 may have a laminated structure of the dispersed layer DL and the metal-based material.
配線部6は、基材2の第1面S1における非検出領域25に位置する部分に設けられている。外部接続部27も、配線部6と同様に、基材2の第1面S1における非検出領域25に位置する部分に設けられている。
The wiring portion 6 is provided in a portion located in the non-detection region 25 on the first surface S1 of the base material 2. Similar to the wiring portion 6, the external connection portion 27 is also provided in a portion located in the non-detection region 25 on the first surface S1 of the base material 2.
図5では、理解を容易にするために配線部6や外部接続部27が視認されるように表示しているが、実際には、非検出領域25に位置する部分には、遮光性を有する加飾層(不図示)が設けられている。このため、静電容量式センサ1をパネル3側の面からみると、配線部6及び外部接続部27は加飾層によって隠蔽され、視認されない。加飾層を構成する材料は、遮光性を有する限り任意である。加飾層は絶縁性を有していてもよい。
In FIG. 5, the wiring portion 6 and the external connection portion 27 are displayed so as to be visually recognized for easy understanding, but in reality, the portion located in the non-detection region 25 has a light-shielding property. A decorative layer (not shown) is provided. Therefore, when the capacitance type sensor 1 is viewed from the surface on the panel 3 side, the wiring portion 6 and the external connection portion 27 are hidden by the decorative layer and cannot be visually recognized. The material constituting the decorative layer is arbitrary as long as it has a light-shielding property. The decorative layer may have an insulating property.
静電容量式センサ1では、図7に示す例えばパネル3の表面3a上に操作体の一例として指を接触させると、指と指に近い第1透明電極4との間、及び指と指に近い第2透明電極5との間で静電容量が生じる。静電容量式センサ1は、このときの静電容量の変化を検知部により検知し、この静電容量変化に基づいて、指の接触位置を制御部によって算出することが可能である。つまり、静電容量式センサ1は、指と第1電極連結体8との間の静電容量変化に基づいて指の位置のX座標を検知し、指と第2電極連結体12との間の静電容量変化に基づいて指の位置のY座標を検知する(自己容量検出型)。
In the capacitance type sensor 1, when a finger is brought into contact with the surface 3a of the panel 3 shown in FIG. 7, for example, as an example of an operating body, the finger is placed between the finger and the first transparent electrode 4 close to the finger, and between the fingers. Capacitance is generated between the second transparent electrode 5 and the nearby second transparent electrode 5. The capacitance type sensor 1 can detect the change in capacitance at this time by the detection unit, and can calculate the contact position of the finger by the control unit based on the change in capacitance. That is, the capacitance type sensor 1 detects the X coordinate of the position of the finger based on the change in capacitance between the finger and the first electrode connecting body 8, and between the finger and the second electrode connecting body 12. The Y coordinate of the finger position is detected based on the change in capacitance of the finger (self-capacitance detection type).
これに対して、静電容量式センサ1は相互容量検出型であってもよい。すなわち、静電容量式センサ1は、第1電極連結体8及び第2電極連結体12のいずれか一方の電極(例えば第1電極連結体8)の一列に駆動電圧を印加し、第1電極連結体8及び第2電極連結体12のいずれか他方の電極(例えば第2電極連結体12)と指との間の静電容量の変化を検知してもよい。この場合には、静電容量式センサ1は、いずれの第1電極連結体8に電圧を印加したときに静電容量の変化が検出されたかにより指の位置のX座標を検知し、いずれの第2電極連結体12において静電容量が変化したかにより指の位置のY座標を検知する。
On the other hand, the capacitance type sensor 1 may be a mutual capacitance detection type. That is, the capacitance type sensor 1 applies a driving voltage to a row of one of the electrodes (for example, the first electrode connecting body 8) of either the first electrode connecting body 8 or the second electrode connecting body 12 to apply a driving voltage to the first electrode. The change in capacitance between the connector 8 and the second electrode of the second electrode connector 12 (for example, the second electrode connector 12) and the finger may be detected. In this case, the capacitance type sensor 1 detects the X coordinate of the position of the finger depending on which change in capacitance is detected when a voltage is applied to the first electrode connector 8, and whichever. The Y coordinate of the position of the finger is detected depending on whether the capacitance has changed in the second electrode connector 12.
ここで、従来技術に係る静電容量式センサでは、導電性ナノワイヤNWを含む導電部を有する透明電極の反射率と、隣り合う透明電極の間隙を含む絶縁部の反射率と、の間の差が大きくなると、導電部と絶縁部との違いが視覚的に明らかになる。そうすると、透明電極がパターンとして視認されやすくなる。静電容量式センサが反射防止層や反射低減層などを備える場合には、導電部の反射率と絶縁部の反射率との間の差を抑えることができる一方で、反射防止層や反射低減層を形成する設備の追加が必要になったり、静電容量式センサの製造工程が増加したりする。
Here, in the capacitance type sensor according to the prior art, the difference between the reflectance of the transparent electrode having the conductive portion including the conductive nanowire NW and the reflectance of the insulating portion including the gap between the adjacent transparent electrodes. When becomes larger, the difference between the conductive part and the insulating part becomes visually clear. Then, the transparent electrode becomes easily visible as a pattern. When the capacitance type sensor is provided with an antireflection layer or a reflection reduction layer, the difference between the reflectance of the conductive portion and the reflectance of the insulating portion can be suppressed, while the antireflection layer and the reflection reduction can be suppressed. It will be necessary to add equipment to form layers, and the manufacturing process of capacitive sensors will increase.
これに対して、本実施形態に係る静電容量式センサ1では、第1透明電極4は互いに離れて配設された複数の第1光学調整領域41を有する。また、第2透明電極5は互いに離れて配設された複数の第2光学調整領域51を有する。そのため、第1透明電極4及び第2透明電極5のうちには、導電性ナノワイヤNWを含む導電領域CRと、複数の第1光学調整領域41及び複数の第2光学調整領域51により形成された複数の領域(光学調整領域AR)と、が存在する。そのため、第1透明電極4及び第2透明電極5のうちには、導電領域CRと光学調整領域ARとの間の複数の境界(内部境界)が存在する。一方で、第1透明電極4と絶縁領域21との間の境界(外部境界)、及び第2透明電極5と絶縁領域21との間の境界(外部境界)が存在する。
On the other hand, in the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment, the first transparent electrode 4 has a plurality of first optical adjustment regions 41 arranged apart from each other. Further, the second transparent electrode 5 has a plurality of second optical adjustment regions 51 arranged apart from each other. Therefore, in the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5, a conductive region CR including the conductive nanowire NW, a plurality of first optical adjustment regions 41, and a plurality of second optical adjustment regions 51 are formed. There are a plurality of regions (optical adjustment region AR). Therefore, in the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5, there are a plurality of boundaries (internal boundaries) between the conductive region CR and the optical adjustment region AR. On the other hand, there is a boundary (external boundary) between the first transparent electrode 4 and the insulating region 21 and a boundary (external boundary) between the second transparent electrode 5 and the insulating region 21.
このように、静電容量式センサ1の平面視において、内部境界及び外部境界の両方が視認されるため、外部境界だけが強調されることが抑えられ、第1透明電極4及び第2透明電極5がパターンとして視認され難くなる。これにより、第1透明電極4及び第2透明電極5のパターンの不可視性を向上させることができる。
As described above, in the plan view of the capacitance type sensor 1, both the internal boundary and the external boundary are visually recognized, so that only the external boundary is suppressed from being emphasized, and the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode are suppressed. 5 becomes difficult to be visually recognized as a pattern. Thereby, the invisibility of the pattern of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 can be improved.
また、第1光学調整領域41は、第1透明電極4における連結部7の周囲を除く領域に設けられ、第2光学調整領域51は、第2透明電極5におけるブリッジ配線部10の周囲を除く領域に設けられている。これによれば、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51が設けられたことで第1透明電極4及び第2透明電極5の電気抵抗が過度に低くなることを抑えることができる。また、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51が集中し、第1透明電極4及び第2透明電極5がパターンとして視認され易くなることを抑えることができる。
Further, the first optical adjustment region 41 is provided in a region excluding the periphery of the connecting portion 7 in the first transparent electrode 4, and the second optical adjustment region 51 excludes the periphery of the bridge wiring portion 10 in the second transparent electrode 5. It is provided in the area. According to this, it is possible to suppress that the electric resistance of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 becomes excessively low due to the provision of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51. Further, it is possible to prevent the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51 from being concentrated and the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 from being easily visually recognized as a pattern.
また、隣り合う複数の第1光学調整領域41同士の間の第1距離は一定であり、隣り合う複数の第2光学調整領域51同士の間の第2距離は一定である。つまり、複数の第1光学調整領域41は、第1透明電極4における連結部7の周囲を除く領域において均一に設けられている。
Further, the first distance between the plurality of adjacent first optical adjustment regions 41 is constant, and the second distance between the plurality of adjacent second optical adjustment regions 51 is constant. That is, the plurality of first optical adjustment regions 41 are uniformly provided in regions other than the periphery of the connecting portion 7 in the first transparent electrode 4.
また、第1透明電極4及び第2透明電極5の材料に含まれる導電性ナノワイヤNWは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも1つである。これによれば、第1透明電極4及び第2透明電極5の材料として例えばITOなどの酸化物系材料が用いられた場合と比較して、第1光学調整領域41を有する第1透明電極4及び第2光学調整領域51を有する第2透明電極5の電気抵抗を低くすることができる。
Further, the conductive nanowire NW contained in the material of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 is at least one selected from the group consisting of gold nanowires, silver nanowires, and copper nanowires. According to this, the first transparent electrode 4 having the first optical adjustment region 41 is compared with the case where an oxide-based material such as ITO is used as the material of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. And the electric resistance of the second transparent electrode 5 having the second optical adjustment region 51 can be lowered.
ここで、絶縁領域21の形状について説明する。図10は、図6においてブリッジ配線部10の図示を省略した図であり、図11(a)は図10の絶縁層20の一つの側面20c側から、絶縁層20及びその周辺を見た斜視図、(b)は(a)の切断面A−A’における断面図、(c)は(a)の切断面B−B’における断面図である。図11(a)は、上記側面20cと交差する絶縁領域21と、この絶縁領域21で隔てられた第1透明電極4及び第2透明電極5とを、絶縁層20とともに示している。
Here, the shape of the insulating region 21 will be described. 10 is a view in which the bridge wiring portion 10 is not shown in FIG. 6, and FIG. 11A is a perspective view of the insulating layer 20 and its periphery from the side surface 20c of one of the insulating layers 20 of FIG. In the figure, (b) is a cross-sectional view of the cut surface AA'of (a), and (c) is a cross-sectional view of the cut surface BB'of (a). FIG. 11A shows an insulating region 21 intersecting the side surface 20c and a first transparent electrode 4 and a second transparent electrode 5 separated by the insulating region 21 together with the insulating layer 20.
図12は、比較例における絶縁領域121の構成を示す平面図である。図13(a)は図12の絶縁層20の側面20d側から、絶縁層20及びその周辺を見た斜視図、(b)は(a)の切断面C−C’における断面図、(c)は(a)の切断面D−D’における断面図である。図13(a)は、上記側面20dと交差する絶縁領域121と、この絶縁領域121で隔てられた第1透明電極4及び第2透明電極5とを、絶縁層20とともに示している。
FIG. 12 is a plan view showing the configuration of the insulating region 121 in the comparative example. 13 (a) is a perspective view of the insulating layer 20 and its periphery from the side surface 20d side of the insulating layer 20 of FIG. 12, (b) is a cross-sectional view of the cut surface CC'of (a), (c). ) Is a cross-sectional view taken along the cut surface DD'of (a). FIG. 13A shows an insulating region 121 intersecting the side surface 20d and a first transparent electrode 4 and a second transparent electrode 5 separated by the insulating region 121 together with the insulating layer 20.
図6と図10に示すように、絶縁領域21は、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、隣り合う第1透明電極4と第2透明電極5の間で直線状に延びる第1延伸部21aと、隣り合う2つの第2透明電極5の間で連結部7が延びる方向(Y1−Y2方向)に沿って延びる第2延伸部21bと、第1延伸部21aと第2延伸部21bとが互いに連結される位置に設けられた交差部21cとを備える。
As shown in FIGS. 6 and 10, the insulating region 21 is located between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. A first stretched portion 21a extending linearly, a second stretched portion 21b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5, and a first stretched portion. A crossing portion 21c provided at a position where the 21a and the second extending portion 21b are connected to each other is provided.
第1延伸部21aと第2延伸部21bは、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、同一の幅D3で延びている。この幅D3は、例えば約10μm以上、20μm以下程度である。
The first stretched portion 21a and the second stretched portion 21b extend with the same width D3 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. This width D3 is, for example, about 10 μm or more and about 20 μm or less.
図6と図10に示すように、交差部21cは、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、第1延伸部21a及び第2延伸部21bが、絶縁層20の外縁20bと交差する領域を含むように設けられている。交差部21cは、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに略矩形状をなしており、4辺のうち、互いに対向する一方の2辺がY1−Y2方向(第1の方向)に沿って延び、他方の対向する2辺がX1−X2方向(第2の方向)に沿って延びている。
As shown in FIGS. 6 and 10, when the intersection 21c is viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2, the first stretched portion 21a and the second stretched portion 21b have an insulating layer 20. It is provided so as to include a region intersecting with the outer edge 20b of the above. The intersecting portion 21c has a substantially rectangular shape when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2, and two of the four sides facing each other are in the Y1-Y2 direction (the first). It extends along the direction of 1), and the other two opposite sides extend along the X1-X2 direction (second direction).
図12に示すように、比較例の絶縁領域121は、上記実施形態における交差部21cのように、それ以外の部分(第1延伸部21a及び第2延伸部21b)よりも幅の広い部分は有しておらず、すべて同じ幅D3で形成されている。
As shown in FIG. 12, the insulating region 121 of the comparative example has a portion wider than the other portions (first stretched portion 21a and second stretched portion 21b) such as the intersecting portion 21c in the above embodiment. They do not have and are all formed with the same width D3.
前述のように、第1透明電極4、第2透明電極5、及び連結部7と絶縁層20とは直接的に接触せず、これらの間には緩衝層60が積層されている(図11(a)、(b)参照)。これに対して、図11(a)、(c)に示すように、絶縁領域21には緩衝層60が設けられていないため、絶縁領域21には、絶縁層20が直接的に接触するように設けられている。
As described above, the first transparent electrode 4, the second transparent electrode 5, and the connecting portion 7 and the insulating layer 20 do not come into direct contact with each other, and a buffer layer 60 is laminated between them (FIG. 11). (A), (b)). On the other hand, as shown in FIGS. 11A and 11C, since the insulating region 21 is not provided with the cushioning layer 60, the insulating layer 20 is in direct contact with the insulating region 21. It is provided in.
この絶縁領域21(主としてマトリックスMXから構成される。)の絶縁層20に対する密着性は、絶縁領域21の光学透明粘着層30に対する密着性よりも低い。このため、図11(a)や図13(a)に示すように、絶縁層20の外縁20bの一つの面である側面20cでは、絶縁層20が絶縁領域21に適切に密着せず、絶縁領域21と絶縁層20との間に隙間Gが生じる。これは、外縁20bのほかの部分についても同様である。絶縁領域21と絶縁層20と光学透明粘着層30とに囲まれた隙間Gでは、絶縁層20からの水分やイオンが絶縁領域21の表面に拡散しやすい。そして、隙間Gは第1透明電極4又は連結部7と第2透明電極5との間に位置するため、これらの間の電位差に基づく電界が隙間Gには加わっている。このため、隙間Gでは電気化学反応が生じやすく、絶縁領域21の表面にデンドライト170が発生しやすい。こうして生じたデンドライト170は、第1透明電極4又は連結部7と第2透明電極5との間をつなぐように成長し、短絡の原因となる。
The adhesiveness of the insulating region 21 (mainly composed of the matrix MX) to the insulating layer 20 is lower than the adhesiveness of the insulating region 21 to the optical transparent adhesive layer 30. Therefore, as shown in FIGS. 11A and 13A, the insulating layer 20 does not properly adhere to the insulating region 21 on the side surface 20c, which is one surface of the outer edge 20b of the insulating layer 20, and is insulated. A gap G is formed between the region 21 and the insulating layer 20. This also applies to other parts of the outer edge 20b. In the gap G surrounded by the insulating region 21, the insulating layer 20, and the optical transparent adhesive layer 30, moisture and ions from the insulating layer 20 are likely to diffuse to the surface of the insulating region 21. Since the gap G is located between the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5, an electric field based on the potential difference between them is applied to the gap G. Therefore, an electrochemical reaction is likely to occur in the gap G, and dendrite 170 is likely to be generated on the surface of the insulating region 21. The dendrite 170 thus generated grows so as to connect between the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5, and causes a short circuit.
比較例のように第1透明電極4または連結部7と第2透明電極5とを隔てる絶縁領域121の幅D3が狭い場合には、図13(b)に示すように、デンドライト170が絶縁領域21の表面を覆うように成長することが容易であるため、第1透明電極4と第2透明電極5とを短絡させる状態に至りやすい。
When the width D3 of the insulating region 121 separating the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 is narrow as in the comparative example, the dendrite 170 is the insulating region as shown in FIG. 13 (b). Since it is easy to grow so as to cover the surface of 21, it is easy to reach a state in which the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are short-circuited.
これに対し、本実施形態に係る静電容量式センサ1は交差部21cを有する。交差部21cは、交差する絶縁層20の外縁20bに沿った方向において、第1延伸部21a及び第2延伸部21bの幅D3(第2の幅)よりも広い幅D4(第1の幅)を有する(図10、図11(a)参照)。このため、第1透明電極4又は連結部7と第2透明電極5との間の電位差に基づく電界が隙間Gに加わって、隙間Gにおける絶縁領域21の表面にデンドライト170が発生しても、幅の広い交差部21cの表面全体までデンドライト170が連続的に広がることはない、又は、広がるまでに要する時間を長くすることができる。よって、交差部21cを挟んで配置された、第1透明電極4又は連結部7と、第2透明電極5とが短絡される可能性が低下し、静電容量式センサ1の検知機能の低下を抑えることができる。デンドライト170の発生を含むイオンマイグレーション現象の発生を抑制できるため、耐湿性などの耐久性を高めることができる。交差部21cの幅D4は、絶縁層20の構成材料や層厚、静電容量式センサ1の使用環境などを考慮して設定される。
On the other hand, the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment has an intersection 21c. The intersecting portion 21c has a width D4 (first width) wider than the width D3 (second width) of the first stretched portion 21a and the second stretched portion 21b in the direction along the outer edge 20b of the intersecting insulating layer 20. (See FIGS. 10 and 11 (a)). Therefore, even if an electric field based on the potential difference between the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 is applied to the gap G and dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 21 in the gap G, The dendrite 170 does not continuously spread over the entire surface of the wide intersection 21c, or the time required for spreading can be increased. Therefore, the possibility that the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 arranged so as to sandwich the intersection 21c and the second transparent electrode 5 are short-circuited is reduced, and the detection function of the capacitance type sensor 1 is deteriorated. Can be suppressed. Since the occurrence of the ion migration phenomenon including the generation of the dendrite 170 can be suppressed, the durability such as moisture resistance can be improved. The width D4 of the intersection 21c is set in consideration of the constituent materials and layer thickness of the insulating layer 20, the usage environment of the capacitance type sensor 1, and the like.
本実施形態に係る静電容量式センサ1では、交差部21cは、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、X1−X2方向において、隣り合う2つの第2延伸部21bよりも内側に入らない位置に配置される。別言すると、交差部21cは第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51の直径よりも対角線が長く、面積も大きくなっているが、連結部7に重ならないように配置されている。このような構成・配置により、交差部21cを有する形状でありながら、第1電極連結体8に、連結部7よりも幅の狭い電流経路が生成することが回避されている。交差部21cを形成したことにより連結部7よりも幅の狭い電流経路が生成すると、静電容量式センサ1に静電気放電(ESD)が生じたときに、この電流経路に位置する導電性ナノワイヤNWに流れる電流が過大になり、導電性ナノワイヤNWの溶断が生じる可能性が高まってしまう。導電性ナノワイヤNWの溶断は第1電極連結体8の導電不良をもたらし、静電容量式センサ1の検知機能を低下させる。
In the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment, the intersecting portion 21c has two adjacent second stretches in the X1-X2 direction when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is arranged at a position not inside the portion 21b. In other words, the intersection 21c has a longer diagonal line and a larger area than the diameters of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, but is arranged so as not to overlap the connecting portion 7. Due to such a configuration and arrangement, it is avoided that a current path having a width narrower than that of the connecting portion 7 is generated in the first electrode connecting portion 8 even though the shape has the intersecting portion 21c. When a current path narrower than that of the connecting portion 7 is generated by forming the intersecting portion 21c, the conductive nanowire NW located in this current path when electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitive sensor 1. The current flowing through the wire becomes excessive, and the possibility that the conductive nanowire NW is blown increases. Fusing of the conductive nanowire NW causes a poor conductivity of the first electrode connector 8, and deteriorates the detection function of the capacitance type sensor 1.
また、交差部21cは、X1−X2方向の幅が第2延伸部21bの幅よりも大きく、かつよりY1−Y2方向に所定の長さを有している。このため、製造過程において、絶縁層20をその外縁20bが交差部21cに重なるように配置することは、比較的容易である。すなわち、絶縁層20のアライメント(位置合わせ)を容易に行うことができる。
Further, the intersecting portion 21c has a width in the X1-X2 direction larger than the width of the second extending portion 21b, and has a predetermined length in the Y1-Y2 direction. Therefore, in the manufacturing process, it is relatively easy to arrange the insulating layer 20 so that its outer edge 20b overlaps the intersection 21c. That is, the insulating layer 20 can be easily aligned.
以下に変形例について説明する。
変形例では、デンドライト170が成長しても隣り合う電極の短絡が生じる可能性を低下させるという交差部21cの基本性能に加えて、交差部21cの配置や形状を変化させることにより、静電気放電に起因する不具合の発生を抑制したり、連結部7近傍の不可視性を高めたり、絶縁層20をその外縁20bが交差部21cに重なるように配置することが容易になったりする。
A modified example will be described below.
In the modified example, in addition to the basic performance of the intersection 21c that reduces the possibility of short-circuiting of adjacent electrodes even if the dendrite 170 grows, the arrangement and shape of the intersection 21c are changed to cause electrostatic discharge. It is possible to suppress the occurrence of defects due to the occurrence, increase the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7, and facilitate the arrangement of the insulating layer 20 so that the outer edge 20b of the insulating layer 20 overlaps the intersection portion 21c.
具体的には、連結部7を挟んで配置される2つの交差部21cが連結部7のX1−X2方向の幅を狭めないように配置されることにより、静電気放電に起因する不具合の発生を抑制することができる。
Specifically, by arranging the two intersecting portions 21c arranged so as to sandwich the connecting portion 7 so as not to narrow the width of the connecting portion 7 in the X1-X2 direction, a problem caused by electrostatic discharge occurs. It can be suppressed.
交差部21cが、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51の形状またはその相似形状の少なくとも一部を有することにより、交差部21cの形状が第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51の形状に近づき、連結部7近傍の不可視性を高めることができる。また、交差部21cの面積を、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51の面積よりも大きくすることによっても、連結部7近傍の不可視性を高めることができる。
Since the intersection 21c has at least a part of the shape of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51 or a similar shape thereof, the shape of the intersection 21c becomes the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment. It is possible to approach the shape of the region 51 and increase the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7. Further, by making the area of the intersection 21c larger than the area of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be enhanced.
交差部21cの面積が大きくなり、その形状が円形に近づくほど、絶縁層20の外縁20bが交差部21cに重なるように絶縁層20を配置することは容易になる。
The larger the area of the intersection 21c and the closer the shape is to a circle, the easier it is to arrange the insulation layer 20 so that the outer edge 20b of the insulation layer 20 overlaps the intersection 21c.
(変形例1)
図14は、変形例1における絶縁層220と絶縁領域221が交差する領域を拡大して示す平面図である。図14においては、図10などと同様にブリッジ配線部10の図示を省略し、また、絶縁層220を仮想的に破線で示している。
変形例1の絶縁領域221は、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、隣り合う第1透明電極4と第2透明電極5の間で直線状に延びる第1延伸部221aと、隣り合う2つの第2透明電極5の間で連結部7が延びる方向(Y1−Y2方向)に沿って延びる第2延伸部221bとを備える。さらに、第2延伸部221bには、X1−X2方向に対して斜めに延びる絶縁層220の外縁220bと交差する部分において、第2延伸部221bよりも広い幅を有する交差部221cが設けられている。交差部221cは、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円形の一部をなす形状を有し、X1−X2方向において、連結部7を挟んで互いに対向する2つの第2延伸部221bのそれぞれから外側へ、すなわち、対向する第2延伸部221bから離れる側へ突出するように形成されている。
(Modification 1)
FIG. 14 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 220 and the insulating region 221 intersect in the modified example 1. In FIG. 14, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 220 is virtually shown by a broken line.
The insulating region 221 of the first modification 1 extends linearly between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. A stretched portion 221a and a second stretched portion 221b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5 are provided. Further, the second stretched portion 221b is provided with an intersecting portion 221c having a width wider than that of the second stretched portion 221b at a portion intersecting the outer edge 220b of the insulating layer 220 extending diagonally in the X1-X2 direction. There is. The intersection 221c has a shape forming a part of a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, and faces each other with the connecting portion 7 in the X1-X2 direction. It is formed so as to project outward from each of the two second stretched portions 221b, that is, to a side away from the opposite second stretched portion 221b.
以上の構成で交差部221cを設けることにより、絶縁層220の外縁220bの近傍に生じた隙間Gについて、連結部7と第2透明電極5との幅を広げることができる。このため、隙間Gに位置する絶縁領域221の表面にデンドライト170が生成しても、連結部7と第2透明電極5との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する2つの第2延伸部221bの間に交差部221cが突出することがないため、対向し合う2つの第2延伸部221bの間隔、別言すると連結部7のX1−X2方向における幅が一定に維持される。それゆえ、静電容量式センサ1に静電気放電(ESD)が生じても、導電性ナノワイヤNWが溶断して連結部7の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、交差部221cの形状は、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円形の一部を有するため、連結部7近傍の不可視性を高めることができる。
By providing the intersecting portion 221c with the above configuration, the width between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 can be widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 220b of the insulating layer 220. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 221 located in the gap G, a short circuit is unlikely to occur between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 221c does not protrude between the two second extending portions 221b facing each other, the distance between the two second extending portions 221b facing each other, in other words, the X1-X2 direction of the connecting portion 7. The width in is kept constant. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the shape of the intersection 221c has a part of a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be enhanced.
(変形例2)
図15は、変形例2における絶縁層320と絶縁領域321が交差する領域を拡大して示す平面図である。図15においては、図10などと同様にブリッジ配線部10の図示を省略し、また、絶縁層320を仮想的に破線で示している。
変形例2の絶縁領域321は、変形例1と同様に、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、隣り合う第1透明電極4と第2透明電極5の間で直線状に延びる第1延伸部321aと、隣り合う2つの第2透明電極5の間で連結部7が延びる方向(Y1−Y2方向)に沿って延びる第2延伸部321bとを備える。さらに、第2延伸部321bには、X1−X2方向に沿って延びる絶縁層320の外縁320bと交差する部分において、第2延伸部321bよりも広い幅を有する交差部321cが設けられている。交差部321cは、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円に基づく半円形状を有し、X1−X2方向において、連結部7を挟んで互いに対向する2つの第2延伸部321bのそれぞれから外側へ突出するように形成されている。
(Modification 2)
FIG. 15 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 320 and the insulating region 321 intersect in the modified example 2. In FIG. 15, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 320 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 321 of the second modification is between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 321a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 321b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, the second stretched portion 321b is provided with an intersecting portion 321c having a width wider than that of the second stretched portion 321b at a portion intersecting the outer edge 320b of the insulating layer 320 extending in the X1-X2 direction. The intersection 321c has a semicircular shape based on a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, and two intersecting portions 321c facing each other with the connecting portion 7 interposed therebetween in the X1-X2 direction. It is formed so as to project outward from each of the second stretched portions 321b.
変形例2の交差部321cは、変形例1の交差部221cとの対比で、連結部7を挟んで対向配置される2つの交差部321cがX1−X2方向に沿って並んでいる点が相違する。この相違に対応して、変形例1では、絶縁層220はX1−X2方向およびY1−Y2方向に対して傾いた辺を有する矩形状であるのに対し、変形例2では、絶縁層320はX1−X2方向およびY1−Y2方向に沿った辺を有する矩形状である。変形例2において、交差部321cを設けることにより、変形例1と同様に、絶縁層320の外縁320bの近傍に生じた隙間Gについて、連結部7と第2透明電極5との幅を広げることができる。このため、隙間Gに位置する絶縁領域321の表面にデンドライト170が生成しても、連結部7と第2透明電極5との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する2つの第2延伸部321bの間に交差部321cが突出することがないため、対向し合う2つの第2延伸部321bの間隔、別言すると連結部7のX1−X2方向における幅が一定に維持される。それゆえ、静電容量式センサ1に静電気放電(ESD)が生じても、導電性ナノワイヤNWが溶断して連結部7の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、交差部321cの形状は、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円形の一部を有するため、連結部7近傍の不可視性を高めることができる。
The intersection portion 321c of the modification 2 is different from the intersection portion 221c of the modification 1 in that two intersection portions 321c arranged to face each other across the connecting portion 7 are arranged along the X1-X2 direction. do. Corresponding to this difference, in the modified example 1, the insulating layer 220 has a rectangular shape having sides inclined with respect to the X1-X2 direction and the Y1-Y2 direction, whereas in the modified example 2, the insulating layer 320 has a rectangular shape. It is a rectangular shape having sides along the X1-X2 direction and the Y1-Y2 direction. In the second modification, by providing the intersection 321c, the width between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 is widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 320b of the insulating layer 320, as in the first modification. Can be done. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 321 located in the gap G, a short circuit is unlikely to occur between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 321c does not protrude between the two second extending portions 321b facing each other, the distance between the two second extending portions 321b facing each other, in other words, the X1-X2 direction of the connecting portion 7. The width in is kept constant. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the shape of the intersection portion 321c has a part of a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be enhanced.
(変形例3)
図16は、変形例3における絶縁層420と絶縁領域421が交差する領域を拡大して示す平面図である。図16においては、図10などと同様にブリッジ配線部10の図示を省略し、また、絶縁層420を仮想的に破線で示している。
変形例3の絶縁領域421は、変形例1と同様に、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、隣り合う第1透明電極4と第2透明電極5の間で直線状に延びる第1延伸部421aと、隣り合う2つの第2透明電極5の間で連結部7が延びる方向(Y1−Y2方向)に沿って延びる第2延伸部421bとを備える。さらに、第1延伸部421aには、X1−X2方向に対して斜めに延びる絶縁層420の外縁420bと交差する部分において、第1延伸部421aよりも広い幅を有する交差部421cが設けられている。交差部421cは、第1延伸部421aの中心線L4aと第2延伸部421bの中心線L4bとの交点421dから始まって、この交点421dから外方へ延びる略楕円形状を有し、その長軸は第1延伸部421aが延びる方向に沿って延びている。さらに、交差部421cは、その外縁が、互いに対向する2つの第2延伸部421bの内側の仮想境界線L41、L42よりも内側に入らないように設けられている。
(Modification 3)
FIG. 16 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 420 and the insulating region 421 intersect in the modified example 3. In FIG. 16, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 420 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 421 of the third modification is between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 421a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 421b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, the first stretched portion 421a is provided with an intersecting portion 421c having a width wider than that of the first stretched portion 421a at a portion intersecting the outer edge 420b of the insulating layer 420 extending diagonally in the X1-X2 direction. There is. The intersection 421c has a substantially elliptical shape starting from the intersection 421d between the center line L4a of the first extension 421a and the center line L4b of the second extension 421b and extending outward from the intersection 421d, and has a long axis thereof. Extends along the direction in which the first stretched portion 421a extends. Further, the intersecting portion 421c is provided so that its outer edge does not enter inside the virtual boundary lines L41 and L42 inside the two second extending portions 421b facing each other.
交差部421cをこのような構成で設けることにより、絶縁層420の外縁420bの近傍に生じた隙間Gについて、第1透明電極4と第2透明電極5との幅を特に広げることができる。このため、隙間Gに位置する絶縁領域421の表面にデンドライト170が生成しても、隙間Gに位置する絶縁領域421の表面全体までデンドライト170が連続的に広がることを抑えることができる、又は、広がるまでにかかる時間を長くすることができる。このため、第1透明電極4と第2透明電極5との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する2つの第2延伸部421bの間に交差部421cが突出することがないため、対向し合う2つの第2延伸部421bの間隔が一定に維持される。すなわち、連結部7のX1−X2方向の幅が狭くなることはない。それゆえ、静電容量式センサ1に静電気放電(ESD)が生じても、導電性ナノワイヤNWが溶断して連結部7の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、他の前述の変形例との対比で、交差部421cの面積が大きいため、絶縁層420のアライメント(位置合わせ)を容易に行うことができる。加えて、交差部421cは第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と同様に分散層DLから導電性ナノワイヤNWを除去・変質させることにより形成されるため、交差部421cの面積が第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51の面積よりも大きいことは、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51の配置密度が低くなっている連結部7近傍における光学調整領域ARの面積密度を高めることになり、連結部7近傍における不可視性の向上に寄与する。
By providing the intersecting portion 421c with such a configuration, the width between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 can be particularly widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 420b of the insulating layer 420. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 421 located in the gap G, it is possible to prevent the dendrite 170 from continuously spreading to the entire surface of the insulating region 421 located in the gap G, or The time it takes to spread can be lengthened. Therefore, a short circuit is unlikely to occur between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 421c does not protrude between the two second stretched portions 421b facing each other, the distance between the two second stretched portions 421b facing each other is kept constant. That is, the width of the connecting portion 7 in the X1-X2 direction is not narrowed. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the area of the intersection 421c is large in comparison with other above-mentioned modifications, the insulating layer 420 can be easily aligned. In addition, since the intersection 421c is formed by removing and altering the conductive nanowire NW from the dispersion layer DL in the same manner as the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the area of the intersection 421c is the first. The fact that it is larger than the area of the 1 optical adjustment region 41 and the 2nd optical adjustment region 51 means that the optical adjustment region AR in the vicinity of the connecting portion 7 where the arrangement density of the 1st optical adjustment region 41 and the 2nd optical adjustment region 51 is low is This will increase the area density of the optics and contribute to the improvement of invisibility in the vicinity of the connecting portion 7.
(変形例4)
図17は、変形例4における絶縁層520と絶縁領域521が交差する領域を拡大して示す平面図である。図17においては、図10などと同様にブリッジ配線部10の図示を省略し、また、絶縁層520を仮想的に破線で示している。
変形例4の絶縁領域521は、変形例1と同様に、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、隣り合う第1透明電極4と第2透明電極5の間で直線状に延びる第1延伸部521aと、隣り合う2つの第2透明電極5の間で連結部7が延びる方向(Y1−Y2方向)に沿って延びる第2延伸部521bとを備える。さらに、第1延伸部521aの中心線L5aと第2延伸部521bの中心線L5bとの交点521dを中心として、X1−X2方向に対して斜めに延びる絶縁層520の外縁520bと交差する部分において、第1延伸部521a及び第2延伸部521bよりも広い幅を有する交差部521cが設けられている。交差部521cは、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円形状を有し、その中心は、第1延伸部521aの中心線L5aと第2延伸部521bの中心線L5bとの交点521d上にある。
(Modification example 4)
FIG. 17 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 520 and the insulating region 521 intersect in the modified example 4. In FIG. 17, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 520 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 521 of the modified example 4 is located between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 521a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 521b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, at a portion intersecting the outer edge 520b of the insulating layer 520 extending diagonally in the X1-X2 direction with the intersection 521d of the center line L5a of the first stretched portion 521a and the center line L5b of the second stretched portion 521b as the center. , A crossing portion 521c having a width wider than that of the first stretched portion 521a and the second stretched portion 521b is provided. The intersection 521c has a circular shape similar to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, and the center thereof is the center line L5a of the first extension portion 521a and the center of the second extension portion 521b. It is on the intersection 521d with the line L5b.
このような形状の交差部521cを設けることにより、絶縁層520の外縁520bの近傍に生じた隙間Gについて、第1透明電極4と第2透明電極5との幅を広げることができる。このため、隙間Gに位置する絶縁領域521の表面にデンドライト170が生成しても、隙間Gに位置する絶縁領域521の表面全体までデンドライト170が連続的に広がることを抑えることができ、又は、広がるまでにかかる時間を長くすることができる。このため、第1透明電極4と第2透明電極5との間で短絡が生じにくい。また、交差部521cは、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円形をなしているため、連結部7近傍の不可視性を確保することができる。
By providing the intersection portion 521c having such a shape, the width between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 can be widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 520b of the insulating layer 520. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 521 located in the gap G, it is possible to prevent the dendrite 170 from continuously spreading to the entire surface of the insulating region 521 located in the gap G, or The time it takes to spread can be lengthened. Therefore, a short circuit is unlikely to occur between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 521c has a circular shape similar to that of the first optical adjusting region 41 and the second optical adjusting region 51, invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be ensured.
(変形例5)
図18は、変形例5における絶縁層620と絶縁領域621が交差する領域を拡大して示す平面図である。図18においては、図10などと同様にブリッジ配線部10の図示を省略し、また、絶縁層620を仮想的に破線で示している。
変形例5の絶縁領域621は、変形例1と同様に、基材2の第1面S1の法線に沿って見たときに、隣り合う第1透明電極4と第2透明電極5の間で直線状に延びる第1延伸部621aと、隣り合う2つの第2透明電極5の間で連結部7が延びる方向(Y1−Y2方向)に沿って延びる第2延伸部621bとを備える。さらに、第1延伸部621aには、X1−X2方向に対して斜めに延びる絶縁層620の外縁620bと交差する部分において、第1延伸部621aよりも広い幅を有する交差部621cが設けられている。交差部621cは、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円を2つ結合させた形状を有し、第1延伸部621aの幅方向の両側へ突出するように形成されている。交差部621cは、連結部7内に至らないように突出している。
(Modification 5)
FIG. 18 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 620 and the insulating region 621 intersect in the modified example 5. In FIG. 18, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 620 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 621 of the modified example 5 is located between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 621a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 621b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, the first stretched portion 621a is provided with an intersecting portion 621c having a width wider than that of the first stretched portion 621a at a portion intersecting the outer edge 620b of the insulating layer 620 extending diagonally in the X1-X2 direction. There is. The intersection 621c has a shape in which two circles having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51 are connected so as to project to both sides of the first stretched portion 621a in the width direction. It is formed. The intersection 621c projects so as not to reach the inside of the connecting portion 7.
このような構成の交差部621cを設けたことにより、変形例1の交差部221cや変形例2の交差部321cとの対比で、絶縁層620の外縁620bの近傍に生じた隙間Gについて、第1透明電極4と第2透明電極5との幅を広げることができる。このため、隙間Gに位置する絶縁領域621の表面にデンドライト170が生成しても、隙間Gに位置する絶縁領域621の表面全体までデンドライト170が連続的に広がることを抑えることができ、又は、広がるまでにかかる時間を長くすることがより安定的に実現される。このため、第1透明電極4と第2透明電極5との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する2つの第2延伸部621bの間に交差部621cが突出することがないため、対向し合う2つの第2延伸部621bの間隔、別言すると連結部7のX1−X2方向における幅が一定に維持される。それゆえ、静電容量式センサ1に静電気放電(ESD)が生じても、導電性ナノワイヤNWが溶断して連結部7の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、交差部621cは、第1光学調整領域41及び第2光学調整領域51と相似形状となる円形の一部をなしているため、連結部7近傍の不可視性を確保することができる。
By providing the intersection portion 621c having such a configuration, the gap G generated in the vicinity of the outer edge 620b of the insulating layer 620 is the first in comparison with the intersection portion 221c of the modification 1 and the intersection portion 321c of the modification 2. The width of the 1 transparent electrode 4 and the 2nd transparent electrode 5 can be widened. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 621 located in the gap G, it is possible to prevent the dendrite 170 from continuously spreading to the entire surface of the insulating region 621 located in the gap G, or It is possible to increase the time it takes to spread more stably. Therefore, a short circuit is unlikely to occur between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 621c does not protrude between the two second extending portions 621b facing each other, the distance between the two second extending portions 621b facing each other, in other words, the X1-X2 direction of the connecting portion 7. The width in is kept constant. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the intersecting portion 621c forms a part of a circle having a similar shape to the first optical adjusting region 41 and the second optical adjusting region 51, invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be ensured.
さらに、交差部621cは、その外縁が、互いに対向する2つの第2延伸部621bの内側の仮想境界線L61、L62よりも内側に入らないように設けられている。よって、互いに対向する2つの第2延伸部621bの間に交差部621cが突出することがないため、対向し合う2つの第2延伸部621bの間隔が一定に維持される。したがって、静電容量式センサ1に静電気放電が生じても、導電性ナノワイヤNWが溶断して連結部7の導電性が低下する不具合が生じにくい。
本発明について上記実施形態を参照しつつ説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、改良の目的又は本発明の思想の範囲内において改良又は変更が可能である。
Further, the intersecting portion 621c is provided so that its outer edge does not enter inside the virtual boundary lines L61 and L62 inside the two second extending portions 621b facing each other. Therefore, since the intersecting portion 621c does not project between the two second stretched portions 621b facing each other, the distance between the two second stretched portions 621b facing each other is kept constant. Therefore, even if an electrostatic discharge occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur.
Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be improved or modified within the scope of the purpose of improvement or the idea of the present invention.