以下、本発明の実施形態に係る入力装置について図面を参照しつつ詳しく説明する。図１は、本発明の実施形態における透明電極部材の構造を概念的に示す平面図である。図２は、図１のＶ１−Ｖ１断面図である。図３は、本発明の実施形態における透明電極部材の透明電極の具体的な構造の一例を概念的に示す部分断面図である。図４は、本発明の実施形態における透明電極部材の透明電極の具体的な構造の他の一例を概念的に示す部分断面図である。
Hereinafter, the input device according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view conceptually showing the structure of the transparent electrode member according to the embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line V1-V1 of FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view conceptually showing an example of a specific structure of the transparent electrode of the transparent electrode member according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a partial cross-sectional view conceptually showing another specific example of the specific structure of the transparent electrode of the transparent electrode member according to the embodiment of the present invention.
図１及び図２に示されるように、本発明の実施形態における透明電極部材１００は、透光性を有する絶縁性の基材１０１を備える。本明細書において「透明」及び「透光性」とは、可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。更に、ヘイズ値が６％以下であることが好適である。本明細書において「遮光」及び「遮光性」とは、可視光線透過率が５０％未満（好ましくは２０％未満）の状態を指す。基材１０１は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ；Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリオレフィン系ポリマー（ＣＯＣ；Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ，ＣＯＰ；Ｃｙｃｌｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリカーボネート（ＰＣ；Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）等の樹脂フィルムを含む樹脂系基材やガラス基材等で形成される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the transparent electrode member 100 according to the embodiment of the present invention includes a translucent insulating base material 101. As used herein, the terms "transparent" and "translucent" refer to a state in which the visible light transmittance is 50% or more (preferably 80% or more). Further, it is preferable that the haze value is 6% or less. As used herein, the terms "light-shielding" and "light-shielding property" refer to a state in which the visible light transmittance is less than 50% (preferably less than 20%). The base material 101 has a translucent property and contains a resin such as polyethylene terephthalate (PET; Polyethylene terephthalate), a polyolefin polymer (COC; Cyclic Olefin Polymer, COP; Cyclolic Olefin Polymer), and a polycarbonate (PC; Polycarbonate). It is formed of a resin-based substrate, a glass substrate, or the like.
透明電極部材１００は、基材１０１の一つの面である第１面Ｓ１に配置された、透光性を有する透明電極１１０と絶縁部１０２とを備える。
The transparent electrode member 100 includes a transparent electrode 110 having translucency and an insulating portion 102 arranged on the first surface S1 which is one surface of the base material 101.
絶縁部１０２は、第１面Ｓ１の法線方向からみたときに、透明電極１１０が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域ＩＲに配置される。
The insulating portion 102 is arranged in the insulating region IR located at least a part around the region where the transparent electrode 110 is arranged when viewed from the normal direction of the first surface S1.
透明電極１１０は、図３及び図４に示されるように、絶縁材料からなるマトリックスＭＸと、マトリックスＭＸ内に分散した導電性ナノワイヤＮＷと、を含む分散層ＤＬを備える。マトリックスＭＸを構成する絶縁材料の具体例として、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、及びポリウレタン樹脂などが挙げられる。導電性ナノワイヤＮＷとしては、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。導電性ナノワイヤＮＷの分散性は、マトリックスＭＸにより確保されている。複数の導電性ナノワイヤＮＷが少なくとも一部において互いに接触することにより、透明電極１１０の面内における導電性が保たれている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the transparent electrode 110 includes a dispersion layer DL including a matrix MX made of an insulating material and conductive nanowires NW dispersed in the matrix MX. Specific examples of the insulating material constituting the matrix MX include polyester resin, acrylic resin, polyurethane resin and the like. As the conductive nanowire NW, at least one selected from the group consisting of gold nanowires, silver nanowires, and copper nanowires is used. The dispersibility of the conductive nanowire NW is ensured by the matrix MX. By contacting the plurality of conductive nanowires NW with each other at least in part, the conductivity in the plane of the transparent electrode 110 is maintained.
透明電極１１０は、図１及び図２に示されるように、第１面Ｓ１の法線方向からみたときに、導電部１１１からなる導電領域ＣＲと光学調整部１１２を有する領域（光学調整領域ＡＲ）とを有する。導電部１１１は、光学調整部１１２よりも導電性が高く、光学調整部１１２は、分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が導電部１１１よりも低い。
As shown in FIGS. 1 and 2, the transparent electrode 110 has a conductive region CR including a conductive portion 111 and a region having an optical adjustment portion 112 (optical adjustment region AR) when viewed from the normal direction of the first surface S1. ) And. The conductive portion 111 has higher conductivity than the optical adjustment portion 112, and the optical adjustment portion 112 has a lower dispersion density of the conductive nanowires NW in the dispersion layer DL than the conductive portion 111.
かかる構造では、透明電極１１０が備える分散層ＤＬにおいて、導電性ナノワイヤＮＷがマトリックスＭＸ内で分散しつつ互いに連結することによって、他の透明導電性材料、特に酸化物系の導電性材料に比べて、高い導電性を達成することができる。その一方で、導電性ナノワイヤＮＷ自体は透光性を有していないため、分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が高いことによって、透明電極１１０の反射率が高くなる傾向がある。すなわち、分散層ＤＬを備える透明電極１１０では、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が導電性及び反射率の双方に対して影響を及ぼすため、導電性を高めることと反射率を低下させることがトレードオフの関係にある。そこで、透明電極１１０を、相対的に導電性が高い導電領域ＣＲと、相対的に反射率が低い光学調整領域ＡＲと、を有する構成とすることにより、透明電極１１０の導電性を維持しつつ反射率を低減して、透明電極１１０の不可視性を高めている。
In such a structure, in the dispersion layer DL included in the transparent electrode 110, the conductive nanowires NW are dispersed and connected to each other in the matrix MX, so that the conductive nanowires NW are dispersed in the matrix MX and connected to each other, so that the conductive nanowires NW are compared with other transparent conductive materials, particularly oxide-based conductive materials. , High conductivity can be achieved. On the other hand, since the conductive nanowire NW itself does not have translucency, the high dispersion density of the conductive nanowire NW in the dispersion layer DL tends to increase the reflectance of the transparent electrode 110. That is, in the transparent electrode 110 provided with the dispersion layer DL, the dispersion density of the conductive nanowires NW affects both the conductivity and the reflectance, so that there is a trade-off between increasing the conductivity and decreasing the reflectance. There is a relationship. Therefore, the transparent electrode 110 is configured to have a conductive region CR having a relatively high conductivity and an optical adjustment region AR having a relatively low reflectance, while maintaining the conductivity of the transparent electrode 110. The reflectance is reduced to increase the invisibility of the transparent electrode 110.
光学調整領域ＡＲを設けた構成では、透明電極に貫通孔を有する場合に比べると、反射率以外の光学特性（例えば屈折率）を大きく相違させることなく、光学調整領域ＡＲの反射率を導電領域ＣＲの反射率よりも低くすることができる。したがって、例えば、透明電極部材１００を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性を高めることができる。さらに、光学調整領域ＡＲの構成を適切に制御すれば、透明電極１１０に設けられた貫通孔に比べて光学調整領域ＡＲの導電性を高めることも可能である。この場合には、透明電極１１０全体としての導電性を高めることが可能であり、透明電極１１０における光学調整領域ＡＲの面積割合を高めることも可能である。したがって、光学調整領域ＡＲを設けることにより、透明電極１１０の導電性を高めることと不可視性を高めることとが、貫通孔を設けた場合に比べて、高次に実現されうる。
In the configuration provided with the optical adjustment region AR, the reflectance of the optical adjustment region AR is set to the conductive region without significantly different optical characteristics (for example, refractive index) other than the reflectance as compared with the case where the transparent electrode has a through hole. It can be lower than the reflectance of CR. Therefore, for example, when there is an image that is visually recognized through the transparent electrode member 100, the display uniformity of the image can be improved. Further, if the configuration of the optical adjustment region AR is appropriately controlled, it is possible to increase the conductivity of the optical adjustment region AR as compared with the through hole provided in the transparent electrode 110. In this case, it is possible to increase the conductivity of the transparent electrode 110 as a whole, and it is also possible to increase the area ratio of the optical adjustment region AR in the transparent electrode 110. Therefore, by providing the optical adjustment region AR, it is possible to increase the conductivity and the invisibility of the transparent electrode 110 at a higher order than in the case where the through hole is provided.
ここで、絶縁領域ＩＲの反射率は、導電領域ＣＲの反射率よりも低いことが好ましい。この場合には、光学調整領域ＡＲを有することにより、全体的な反射率が低下した透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとにおける反射率の差が、光学調整部１１２を有しない場合よりも低くなる。したがって、透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとの境界が視認されにくくなって、透明電極１１０の不可視性を高めることが可能となる。
Here, the reflectance of the insulating region IR is preferably lower than the reflectance of the conductive region CR. In this case, by having the optical adjustment region AR, the difference in reflectance between the transparent electrode 110 in which the overall reflectance is lowered and the insulating region IR becomes lower than in the case where the optical adjustment region 112 is not provided. Therefore, the boundary between the transparent electrode 110 and the insulating region IR becomes difficult to see, and the invisibility of the transparent electrode 110 can be increased.
さらに、絶縁領域ＩＲに配置される絶縁部１０２が分散層ＤＬの構成要素の一つであるマトリックスＭＸを含有することが好ましい。この場合には、マトリックスＭＸを共通に含有することに起因して、光学調整部１１２の反射率以外の光学特性（例えば屈折率）と絶縁部１０２の光学特性とが近似する。このため、例えば、透明電極部材１００を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性が高まりやすくなり、透明電極１１０の不可視性をより安定的に向上させることができる。
Further, it is preferable that the insulating portion 102 arranged in the insulating region IR contains the matrix MX which is one of the constituent elements of the dispersed layer DL. In this case, due to the fact that the matrix MX is commonly contained, the optical characteristics (for example, the refractive index) other than the reflectance of the optical adjustment unit 112 and the optical characteristics of the insulating unit 102 are close to each other. Therefore, for example, when there is an image that is visually recognized through the transparent electrode member 100, the display uniformity of the image is likely to be improved, and the invisibility of the transparent electrode 110 can be improved more stably.
透明電極部材１００において、光学調整部１１２の分散層ＤＬでは、絶縁性を示す程度に、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が低減されていてもよい。図３はかかる構成（第１構成）の具体例であり、光学調整部１１２の分散層ＤＬには導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在せず、分散層ＤＬはマトリックスＭＸから構成される。この場合には、反射率を高める部材である導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在しないため、光学調整部１１２の反射率が特に低くなる。ここで、図３に示されるように、透明電極部材１００の絶縁領域ＩＲに配置される絶縁部１０２は、光学調整部１１２の分散層ＤＬと同様に、マトリックスＭＸから構成されている。この場合には、透明電極部材１００は、導電領域ＣＲの周囲に位置する反射率が低い領域（絶縁領域ＩＲ及び光学調整領域ＡＲ）に配置された部材が共通の材料（マトリックスＭＸ）からなる構成となる。かかる構成を備える場合には、透明電極１１０全体の反射率が特に低くなって、透明電極１１０の不可視性がより安定的に向上する。
In the transparent electrode member 100, in the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112, the dispersion density of the conductive nanowires NW may be reduced to the extent that insulation is exhibited. FIG. 3 is a specific example of such a configuration (first configuration), in which the conductive nanowire NW is substantially not present in the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112, and the dispersion layer DL is composed of the matrix MX. In this case, since the conductive nanowire NW which is a member for increasing the reflectance is substantially not present, the reflectance of the optical adjustment unit 112 is particularly low. Here, as shown in FIG. 3, the insulating portion 102 arranged in the insulating region IR of the transparent electrode member 100 is composed of the matrix MX, similarly to the dispersion layer DL of the optical adjusting portion 112. In this case, the transparent electrode member 100 has a structure in which the members arranged in the low reflectance region (insulation region IR and optical adjustment region AR) located around the conductive region CR are made of a common material (matrix MX). It becomes. When such a configuration is provided, the reflectance of the entire transparent electrode 110 is particularly low, and the invisibility of the transparent electrode 110 is more stably improved.
なお、図３では、絶縁部１０２及び光学調整部１１２はいずれも、導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在せず、マトリックスＭＸから構成される場合が示されているが、これに限定されない。絶縁部１０２及び光学調整部１１２のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤＮＷ又はこれに基づく物質がマトリックスＭＸに依然として分散していてもよい。次に説明する図４に示される絶縁部１０２の構造も同様である。
Note that FIG. 3 shows that the insulating portion 102 and the optical adjusting portion 112 both have substantially no conductive nanowire NW and are composed of the matrix MX, but the present invention is not limited to this. In both the insulating portion 102 and the optical adjusting portion 112, if the conductivity of this portion is appropriately lowered to become non-conductive and the insulating function can be exhibited, the conductive nanowire NW or a substance based on the conductive nanowire NW can be used. It may still be dispersed in the matrix MX. The same applies to the structure of the insulating portion 102 shown in FIG. 4 described below.
透明電極部材１００において、光学調整部１１２は、絶縁部１０２よりも高い導電性を有してもよい。図４はかかる構成（第２構成）の具体例であり、光学調整部１１２の分散層ＤＬは、基材１０１に対して遠位な側（使用者に対向する側）では導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が低く、基材１０１に近位な側（基材１０１に対向する側）では導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が高くなっている。分散層ＤＬに分散する導電性ナノワイヤＮＷのうち、露出する導電性ナノワイヤＮＷが最も視認されやすいところ、光学調整部１１２の分散層ＤＬが図４に示される構造を有している場合には、光学調整部１１２の視認性を適切に低下させることができる。しかも、基材１０１に近位な側に位置する導電性ナノワイヤＮＷによって、導電部１１１の分散層ＤＬよりは低いものの、ある程度の導電性を確保することができる。したがって、光学調整部１１２の分散層ＤＬが図４に示される構造を有している場合には、透明電極１１０全体の導電性を高くすることができる。また、この場合には光学調整部１１２の分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度と導電部１１１の分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度との差が比較的少なくなるため、透明電極１１０において光学調整部１１２と導電部１１１とによって形成されるパターンが視認されにくくなる。
In the transparent electrode member 100, the optical adjusting portion 112 may have higher conductivity than the insulating portion 102. FIG. 4 is a specific example of such a configuration (second configuration), in which the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 is a conductive nanowire NW on the side distal to the base material 101 (the side facing the user). The dispersion density is low, and the dispersion density of the conductive nanowires NW is high on the side proximal to the base material 101 (the side facing the base material 101). Of the conductive nanowires NW dispersed in the dispersion layer DL, the exposed conductive nanowire NW is most easily visible, and when the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 has the structure shown in FIG. The visibility of the optical adjustment unit 112 can be appropriately reduced. Moreover, the conductive nanowire NW located on the side proximal to the base material 101 can secure a certain degree of conductivity although it is lower than the dispersion layer DL of the conductive portion 111. Therefore, when the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 has the structure shown in FIG. 4, the conductivity of the entire transparent electrode 110 can be increased. Further, in this case, the difference between the dispersion density of the conductive nanowire NW in the dispersion layer DL of the optical adjustment unit 112 and the dispersion density of the conductive nanowire NW in the dispersion layer DL of the conductive unit 111 is relatively small, so that the transparent electrode is used. In 110, the pattern formed by the optical adjusting portion 112 and the conductive portion 111 becomes difficult to visually recognize.
なお、図４では、光学調整部１１２は、第１面Ｓ１の法線方向に沿って、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が変化している場合が示されているが、これに限定されない。絶縁部１０２及び光学調整部１１２のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤＮＷ又はこれに基づく物質がマトリックスＭＸに依然として分散していてもよい。
Note that FIG. 4 shows a case where the dispersion density of the conductive nanowire NW changes along the normal direction of the first surface S1 in the optical adjustment unit 112, but the present invention is not limited to this. In both the insulating portion 102 and the optical adjusting portion 112, if the conductivity of this portion is appropriately lowered to become non-conductive and the insulating function can be exhibited, the conductive nanowire NW or a substance based on the conductive nanowire NW can be used. It may still be dispersed in the matrix MX.
図１に示されるように、透明電極部材１００において、光学調整領域ＡＲは、導電領域ＣＲ内に位置する。かかる構成の場合には、光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに直接的に接する部分を有しない。このため、導電領域ＣＲによって透明電極１１０に導電路を適切に形成することが可能となり、透明電極１１０としての導電性が低下することが抑制される。光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに直接的に接する部分を有すると、透明電極１１０に形成される導電路が蛇行してしまう場合があり、この場合には透明電極１１０としての導電性が低下してしまう。また、後述するように、光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに接続する部分を有することにより、不可視性が低下してしまう場合がある。
As shown in FIG. 1, in the transparent electrode member 100, the optical adjustment region AR is located in the conductive region CR. In the case of such a configuration, the optical adjustment region AR does not have a portion that directly contacts the insulation region IR. Therefore, the conductive region CR makes it possible to appropriately form a conductive path in the transparent electrode 110, and it is possible to suppress a decrease in the conductivity of the transparent electrode 110. If the optical adjustment region AR has a portion that is in direct contact with the insulating region IR, the conductive path formed in the transparent electrode 110 may meander, and in this case, the conductivity of the transparent electrode 110 is lowered. It ends up. Further, as will be described later, invisibility may be reduced by having a portion where the optical adjustment region AR is connected to the insulation region IR.
透明電極部材１００において、光学調整領域ＡＲの面積割合（調整率）は、１０％以上４０％以下であることが好ましい場合がある。光学調整部１１２では反射率を低下させることとのトレードオフとして導電性が相対的に低下する傾向がある。本発明の実施形態における透明電極部材１００では、透明電極１１０の反射率を安定的に低下させる観点から調整率を１０％以上とすることが好ましい場合があり、１５％以上とすることがより好ましい場合がある。一方、調整率を４０％程度まで高めて透明電極１１０の不可視性を向上させても、透明電極１１０として求められる導電性を確保することができる場合があり、調整率を３５％以下とすることが優れた不可視性を確保しつつ導電性を高める観点から好ましい場合がある。
In the transparent electrode member 100, the area ratio (adjustment rate) of the optical adjustment region AR may be preferably 10% or more and 40% or less. In the optical adjustment unit 112, the conductivity tends to be relatively lowered as a trade-off with the reduction of the reflectance. In the transparent electrode member 100 according to the embodiment of the present invention, the adjustment rate may be preferably 10% or more, more preferably 15% or more, from the viewpoint of stably reducing the reflectance of the transparent electrode 110. In some cases. On the other hand, even if the adjustment rate is increased to about 40% to improve the invisibility of the transparent electrode 110, the conductivity required for the transparent electrode 110 may be secured, and the adjustment rate should be 35% or less. May be preferable from the viewpoint of increasing conductivity while ensuring excellent invisibility.
透明電極１１０では、光学調整領域ＡＲは、導電領域ＣＲ内に離散的に位置する複数の部分領域を有している。相対的に透光性が異なる光学調整領域ＡＲと導電領域ＣＲとが互いに大きなパターンを形成している場合には、そのパターン形状によっては、パターンの視認性が高くなってしまうことが懸念される。また、光学調整部１１２は相対的に導電性が低い領域であるから、これが透明電極１１０内でまとまって位置する場合には、透明電極１１０内を蛇行する導電路が形成されるおそれがあり、この場合には、透明電極１１０としての導電性が低下してしまう。したがって、上記のように、相対的に導電性の低い光学調整部１１２からなる部分領域（すなわち光学調整領域ＡＲ）を導電領域ＣＲ内に離散的に配置することによって、透明電極１１０内に視認されやすいパターンが形成されたり、実質的に導電性が低下したりすることが抑制される。また、後述するように、透明電極１１０が絶縁領域ＩＲを介して複数配置されている場合には、複数の透明電極１１０の間に位置する絶縁領域ＩＲの反射率が透明電極１１０の導電部１１１の反射率と相違することに起因して、絶縁領域ＩＲの視認性が高まってしまうこともある。このような場合であっても、透明電極１１０の導電領域ＣＲ内に光学調整領域ＡＲが離散的に配置されていることにより、絶縁領域ＩＲに少なくとも一部が囲まれた状態にある透明電極１１０の不可視性を向上させることができる。
In the transparent electrode 110, the optical adjustment region AR has a plurality of partial regions discretely located in the conductive region CR. When the optical adjustment region AR and the conductive region CR, which have relatively different translucency, form a large pattern with each other, there is a concern that the visibility of the pattern may be improved depending on the pattern shape. .. Further, since the optical adjustment unit 112 is a region having relatively low conductivity, if it is collectively located in the transparent electrode 110, a conductive path meandering in the transparent electrode 110 may be formed. In this case, the conductivity of the transparent electrode 110 is reduced. Therefore, as described above, by arranging the partial region (that is, the optical adjustment region AR) composed of the optical adjustment portion 112 having relatively low conductivity discretely in the conductive region CR, it is visually recognized in the transparent electrode 110. It is suppressed that an easy pattern is formed and the conductivity is substantially lowered. Further, as will be described later, when a plurality of transparent electrodes 110 are arranged via the insulating region IR, the reflectance of the insulating region IR located between the plurality of transparent electrodes 110 is the conductive portion 111 of the transparent electrode 110. The visibility of the insulated region IR may be improved due to the difference from the reflectance of the insulating region IR. Even in such a case, since the optical adjustment region AR is discretely arranged in the conductive region CR of the transparent electrode 110, the transparent electrode 110 is in a state where at least a part thereof is surrounded by the insulating region IR. Invisibility can be improved.
光学調整領域ＡＲを構成する部分領域は、互いに３０μｍ以上離間していることが好ましい場合がある。この離間距離ｓｄ（図１）は、離散配置される光学調整部１１２の間に位置する導電領域ＣＲの幅であるから、透明電極１１０における個々の導電路の幅となる。したがって、離間距離ｓｄが３０μｍ以上であることにより、透明電極１１０としての導電性が低下することが安定的に抑制される。
It may be preferable that the partial regions constituting the optical adjustment region AR are separated from each other by 30 μm or more. Since the separation distance sd (FIG. 1) is the width of the conductive region CR located between the optically adjusting portions 112 arranged discretely, it is the width of each conductive path in the transparent electrode 110. Therefore, when the separation distance sd is 30 μm or more, the decrease in conductivity of the transparent electrode 110 is stably suppressed.
光学調整領域ＡＲが離散的に配置されている場合において、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）のそれぞれの形状は円であり、円の直径は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であってもよい。透明電極１１０の不可視性をより安定的に向上させる観点から、上記の複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）の形状は、透明電極１１０内で均一であることが好ましい。この部分領域（光学調整領域ＡＲ）の形状が円であって、その直径が上記の範囲である場合には、調整率を４０％以下としつつ、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）の離間距離を３０μｍ以上とすることを容易に実現することができる。
When the optical adjustment region AR is arranged discretely, the shape of each of the plurality of partial regions (optical adjustment region AR) is a circle, and the diameter of the circle may be 10 μm or more and 100 μm or less. From the viewpoint of more stably improving the invisibility of the transparent electrode 110, it is preferable that the shape of the plurality of partial regions (optical adjustment region AR) is uniform in the transparent electrode 110. When the shape of this partial region (optical adjustment region AR) is a circle and its diameter is within the above range, the distance between a plurality of partial regions (optical adjustment region AR) while setting the adjustment ratio to 40% or less. It can be easily realized that the distance is 30 μm or more.
上記の複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）のそれぞれの形状を、円に代えて、四角形としてもよい。この場合には、四角形の対角線のうちで最長の対角線の長さは、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが、上記の円の直径の理由と同様の理由により、好ましい。
The shape of each of the plurality of partial regions (optical adjustment region AR) may be changed to a quadrangle instead of a circle. In this case, the length of the longest diagonal line of the diagonal lines of the quadrangle is preferably 10 μm or more and 100 μm or less for the same reason as the diameter of the circle.
図１に示されるように、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）が透明電極１１０の全体にわたって配置される場合には、透明電極１１０全体として反射率にばらつきが生じにくいため、透明電極１１０の不可視性が向上しやすく、好ましい。
As shown in FIG. 1, when a plurality of partial regions (optical adjustment region AR) are arranged over the entire transparent electrode 110, the reflectance of the transparent electrode 110 as a whole is unlikely to vary, so that the transparent electrode 110 Invisibility is easily improved, which is preferable.
図５は、本実施形態に係る入力装置としての静電容量式センサを示す平面図である。図６は、図５に示す領域Ａ１を拡大した平面図である。図７は、図６に示す切断面Ｃ１−Ｃ１における断面図である。図８は、図６に示す切断面Ｃ２−Ｃ２における断面図である。図９は、図６に示す切断面Ｃ３−Ｃ３における断面図である。なお、透明電極は透明なので本来は視認できないが、図５及び図６では理解を容易にするため透明電極の外形を示している。
FIG. 5 is a plan view showing a capacitance type sensor as an input device according to the present embodiment. FIG. 6 is an enlarged plan view of the region A1 shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the cut surface C1-C1 shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of the cut surface C2-C2 shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of the cut surface C3-C3 shown in FIG. Since the transparent electrode is transparent, it cannot be visually recognized originally, but FIGS. 5 and 6 show the outer shape of the transparent electrode for easy understanding.
図５から図９に示すように、本実施形態に係る静電容量式センサ１は、基材２と、第１透明電極４と、第２透明電極５と、第２透明配線を構成するブリッジ配線部１０（ブリッジ配線層）と、パネル３と、検知部及び制御部（いずれも不図示）と、を備える。ブリッジ配線部１０からみて基材２と反対側にパネル３が設けられている。基材２とパネル３との間には、光学透明粘着層（ＯＣＡ；Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）３０が設けられている。基材２とブリッジ配線部１０との間には、絶縁物からなる絶縁層２０が設けられている。図７に示すように、ブリッジ配線部１０が設けられた部分においては、光学透明粘着層３０は、ブリッジ配線部１０とパネル３との間に設けられている。
As shown in FIGS. 5 to 9, the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment includes a base material 2, a first transparent electrode 4, a second transparent electrode 5, and a bridge constituting a second transparent wiring. It includes a wiring unit 10 (bridge wiring layer), a panel 3, a detection unit, and a control unit (all not shown). The panel 3 is provided on the side opposite to the base material 2 when viewed from the bridge wiring portion 10. An optical transparent adhesive layer (OCA) 30 is provided between the base material 2 and the panel 3. An insulating layer 20 made of an insulating material is provided between the base material 2 and the bridge wiring portion 10. As shown in FIG. 7, in the portion where the bridge wiring portion 10 is provided, the optical transparent adhesive layer 30 is provided between the bridge wiring portion 10 and the panel 3.
基材２は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。基材２の一方の主面である第１面Ｓ１には、第１透明電極４（第１の主電極部）、及び、第２透明電極５（第２の主電極部）が設けられている。この詳細については、後述する。図７に示すように、パネル３は、ブリッジ配線部１０からみて基材２とは反対側に設けられ、透光性を有する。このパネル３側から操作者の指などの操作体が接触又は近接されて透明電極部材１００への操作が行われる。パネル３の材料は、特には限定されないが、パネル３の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリオレフィン系ポリマー（ＣＯＣ，ＣＯＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ；Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）等の樹脂系基材、ガラス基材などが挙げられる。樹脂系基材上に、透光性の無機微粒子（ジルコニアやチタニアが例示される。）が樹脂マトリックスに分散してなるハードコート層が設けられていてもよい。パネル３は、基材２とパネル３との間に設けられた光学透明粘着層３０を介して基材２と接合されている。光学透明粘着層３０は、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等からなる。
The base material 2 has translucency and is formed of a film-like transparent base material such as polyethylene terephthalate (PET), a glass base material, or the like. A first transparent electrode 4 (first main electrode portion) and a second transparent electrode 5 (second main electrode portion) are provided on the first surface S1 which is one main surface of the base material 2. There is. The details will be described later. As shown in FIG. 7, the panel 3 is provided on the side opposite to the base material 2 when viewed from the bridge wiring portion 10, and has translucency. An operating body such as an operator's finger is brought into contact with or close to the panel 3 side to operate the transparent electrode member 100. The material of the panel 3 is not particularly limited, but the material of the panel 3 includes polyethylene terephthalate (PET), polyolefin-based polymer (COC, COP), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), and the like. Examples thereof include a resin-based base material and a glass base material. A hard coat layer in which translucent inorganic fine particles (exemplified zirconia and titania) are dispersed in a resin matrix may be provided on the resin-based substrate. The panel 3 is bonded to the base material 2 via an optically transparent adhesive layer 30 provided between the base material 2 and the panel 3. The optical transparent adhesive layer 30 is made of an acrylic adhesive, double-sided adhesive tape, or the like.
図５に示すように、静電容量式センサ１は、パネル３側の面の法線に沿った方向（Ｚ１−Ｚ２方向：図７及び図８参照）からみて、検出領域１１と非検出領域２５とからなる。検出領域１１は、指などの操作体により操作を行うことができる領域であり、非検出領域２５は、検出領域１１の外周側に位置する額縁状の領域である。非検出領域２５は、加飾層（不図示）によって遮光され、静電容量式センサ１におけるパネル３側の面から基材２側の面への光（外光が例示される。）及び基材２側の面からパネル３側の面への光（静電容量式センサ１と組み合わせて使用される表示装置のバックライトからの光が例示される。）は、非検出領域２５を透過しにくくなっている。
As shown in FIG. 5, the capacitance type sensor 1 has a detection area 11 and a non-detection area when viewed from the direction along the normal of the surface on the panel 3 side (Z1-Z2 direction: see FIGS. 7 and 8). It consists of 25. The detection area 11 is an area that can be operated by an operating body such as a finger, and the non-detection area 25 is a frame-shaped area located on the outer peripheral side of the detection area 11. The non-detection region 25 is shielded from light by a decorative layer (not shown), and the light (external light is exemplified) and the base from the surface on the panel 3 side to the surface on the substrate 2 side in the capacitive sensor 1. Light from the surface on the material 2 side to the surface on the panel 3 side (light from the backlight of the display device used in combination with the capacitive sensor 1 is exemplified) is transmitted through the non-detection region 25. It's getting harder.
図５に示すように、静電容量式センサ１は、第１電極連結体８（第１の電極層）と第２電極連結体１２（第２の電極層）とが基材２の一方の主面（第１面Ｓ１）に設けられた構成、すなわち同一表面に設けられた構成、を有する透明電極部材４００を備える。第１電極連結体８は、検出領域１１に配置され、複数の第１透明電極４（第１の主電極部）を有する。図８に示すように、複数の第１透明電極４は、基材２におけるＺ１−Ｚ２方向に沿った方向を法線とする主面のうちＺ１側に位置する第１面Ｓ１に設けられている。各第１透明電極４は、細長い連結部７（第１の接続部）を介してＹ１−Ｙ２方向（第１の方向）に連結されている。そして、Ｙ１−Ｙ２方向に連結された複数の第１透明電極４を有する第１電極連結体８が、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配列されている。連結部７は第１透明配線を構成し、第１透明電極４に一体として形成されている。連結部７は、隣り合う２つの第１透明電極４を互いに電気的に接続している。第１電極連結体８及び第２電極連結体１２の周囲には絶縁領域ＩＲ（絶縁領域２１）が設けられている。
As shown in FIG. 5, in the capacitance type sensor 1, the first electrode connecting body 8 (first electrode layer) and the second electrode connecting body 12 (second electrode layer) are one of the base materials 2. The transparent electrode member 400 having a structure provided on the main surface (first surface S1), that is, a structure provided on the same surface is provided. The first electrode connecting body 8 is arranged in the detection region 11 and has a plurality of first transparent electrodes 4 (first main electrode portions). As shown in FIG. 8, the plurality of first transparent electrodes 4 are provided on the first surface S1 located on the Z1 side of the main surfaces of the base material 2 whose normal direction is along the Z1-Z2 direction. There is. Each first transparent electrode 4 is connected in the Y1-Y2 direction (first direction) via an elongated connecting portion 7 (first connecting portion). Then, the first electrode connecting bodies 8 having a plurality of first transparent electrodes 4 connected in the Y1-Y2 direction are arranged at intervals in the X1-X2 direction. The connecting portion 7 constitutes the first transparent wiring and is integrally formed with the first transparent electrode 4. The connecting portion 7 electrically connects two adjacent first transparent electrodes 4 to each other. An insulating region IR (insulated region 21) is provided around the first electrode connecting body 8 and the second electrode connecting body 12.
第１透明電極４及び連結部７は、第１の電極層として、透光性を有し、導電性ナノワイヤＮＷを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤＮＷを含む材料を用いることで、第１透明電極４の高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。また、導電性ナノワイヤＮＷを含む材料を用いることで、静電容量式センサ１の変形性能を向上させることができる。
The first transparent electrode 4 and the connecting portion 7 are formed of a material having translucency and containing conductive nanowires NW as the first electrode layer. By using a material containing the conductive nanowire NW, it is possible to achieve high translucency of the first transparent electrode 4 and low electrical resistance. Further, by using a material containing the conductive nanowire NW, the deformation performance of the capacitance type sensor 1 can be improved.
図６及び図８に示すように、第１透明電極４は複数の第１光学調整領域４１（ダミー部）を有する。複数の第１光学調整領域４１の構造は前述の光学調整領域ＡＲに等しいので、第１光学調整領域４１は、第１透明電極４の導電部１１１よりも高抵抗である。複数の第１光学調整領域４１は、第１透明電極４において互いに離れて配設されるが、第１透明電極４における連結部７の周囲、及び、連結部７には設けられていない。隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の距離（第１距離）Ｄ１は、一定であり、３０μｍ以上である。図６に示す例では、第１光学調整領域４１の形状は、円である。第１光学調整領域４１の円の直径Ｄ１１は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。
As shown in FIGS. 6 and 8, the first transparent electrode 4 has a plurality of first optical adjustment regions 41 (dummy portions). Since the structure of the plurality of first optical adjustment regions 41 is equal to the above-mentioned optical adjustment region AR, the first optical adjustment region 41 has a higher resistance than the conductive portion 111 of the first transparent electrode 4. The plurality of first optical adjustment regions 41 are arranged apart from each other in the first transparent electrode 4, but are not provided around the connecting portion 7 in the first transparent electrode 4 and in the connecting portion 7. The distance (first distance) D1 between the plurality of adjacent first optical adjustment regions 41 is constant and is 30 μm or more. In the example shown in FIG. 6, the shape of the first optical adjustment region 41 is a circle. The diameter D11 of the circle of the first optical adjustment region 41 is 10 μm or more and 100 μm or less.
第２電極連結体１２は、検出領域１１に配置され、複数の第２透明電極５（第２の主電極部）を有する。図７に示すように、複数の第２透明電極５は、基材２の第１面Ｓ１に設けられている。このように、第２透明電極５は、第１透明電極４と同じ面（基材２の第１面Ｓ１）に設けられている。各第２透明電極５は、細長いブリッジ配線部１０（第２の接続部）を介してＸ１−Ｘ２方向（第２の方向）に連結されている。そして、図５に示すように、Ｘ１−Ｘ２方向に連結された複数の第２透明電極５を有する第２電極連結体１２が、Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配列されている。ブリッジ配線部１０は、第２透明電極５とは別体として形成されている。なお、Ｘ１−Ｘ２方向は、Ｙ１−Ｙ２方向と交差している。例えば、Ｘ１−Ｘ２方向は、Ｙ１−Ｙ２方向と垂直に交わっている。
The second electrode connecting body 12 is arranged in the detection region 11 and has a plurality of second transparent electrodes 5 (second main electrode portions). As shown in FIG. 7, the plurality of second transparent electrodes 5 are provided on the first surface S1 of the base material 2. As described above, the second transparent electrode 5 is provided on the same surface as the first transparent electrode 4 (first surface S1 of the base material 2). Each second transparent electrode 5 is connected in the X1-X2 direction (second direction) via an elongated bridge wiring portion 10 (second connection portion). Then, as shown in FIG. 5, the second electrode connecting bodies 12 having a plurality of second transparent electrodes 5 connected in the X1-X2 direction are arranged at intervals in the Y1-Y2 direction. The bridge wiring portion 10 is formed as a separate body from the second transparent electrode 5. The X1-X2 direction intersects the Y1-Y2 direction. For example, the X1-X2 direction intersects the Y1-Y2 direction perpendicularly.
第２透明電極５は、第２の電極層として、透光性を有し、導電性ナノワイヤＮＷを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤＮＷは、第１透明電極４の材料に関して前述した通りである。
The second transparent electrode 5 has a translucent property and is formed of a material containing conductive nanowires NW as the second electrode layer. The conductive nanowire NW is as described above with respect to the material of the first transparent electrode 4.
図６及び図７に示すように、第２透明電極５は複数の第２光学調整領域５１（ダミー部）を有する。複数の第２光学調整領域５１の構造は前述の光学調整領域ＡＲに等しいので、第２光学調整領域５１は、第２透明電極５の導電部１１１よりも高抵抗である。複数の第２光学調整領域５１は、第２透明電極５において互いに離れて配設されるが、ブリッジ配線部１０と重なる領域、及び、ブリッジ配線部１０の周囲には設けられていない。隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の距離（第２距離）Ｄ２は、一定であり、３０μｍ以上である。図６に示す例では、第２光学調整領域５１の形状は、円である。第２光学調整領域５１の円の直径Ｄ１２は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。
As shown in FIGS. 6 and 7, the second transparent electrode 5 has a plurality of second optical adjustment regions 51 (dummy portions). Since the structure of the plurality of second optical adjustment regions 51 is equal to the above-mentioned optical adjustment region AR, the second optical adjustment region 51 has a higher resistance than the conductive portion 111 of the second transparent electrode 5. The plurality of second optical adjustment regions 51 are arranged apart from each other in the second transparent electrode 5, but are not provided in the region overlapping the bridge wiring portion 10 and around the bridge wiring portion 10. The distance (second distance) D2 between the plurality of adjacent second optical adjustment regions 51 is constant and is 30 μm or more. In the example shown in FIG. 6, the shape of the second optical adjustment region 51 is a circle. The diameter D12 of the circle of the second optical adjustment region 51 is 10 μm or more and 100 μm or less.
図７から図９に示すように、絶縁層２０は第１透明電極４、第２透明電極５、及び連結部７と直接的に接しておらず、絶縁層２０は、緩衝層６０を介して第１透明電極４、第２透明電極５、及び連結部７に積層されている。緩衝層６０は、透光性と導電性を有する材料で構成され、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、又は、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性を有する導電性酸化物系材料で形成される。また、図７に示すように、ブリッジ配線部１０も絶縁層２０と同様に、緩衝層６０を介して第２透明電極５に積層されている。したがって、ブリッジ配線部１０は緩衝層６０を介して第２透明電極５に対して電気的に接続されている。
As shown in FIGS. 7 to 9, the insulating layer 20 is not in direct contact with the first transparent electrode 4, the second transparent electrode 5, and the connecting portion 7, and the insulating layer 20 is via the buffer layer 60. It is laminated on the first transparent electrode 4, the second transparent electrode 5, and the connecting portion 7. The buffer layer 60 is made of a material having translucency and conductivity, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), GZO (Gallium-dropped Zinc Oxide), AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide). , Or, it is formed of a translucent conductive oxide-based material such as FTO (Fluorine-topped Tin Oxide). Further, as shown in FIG. 7, the bridge wiring portion 10 is also laminated on the second transparent electrode 5 via the buffer layer 60, similarly to the insulating layer 20. Therefore, the bridge wiring portion 10 is electrically connected to the second transparent electrode 5 via the buffer layer 60.
ブリッジ配線部１０は、透光性及び導電性を有する酸化物系材料を含む材料により形成される。透光性及び導電性を有する酸化物系材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ、及び、ＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。
The bridge wiring portion 10 is formed of a material containing an oxide-based material having translucency and conductivity. As the oxide-based material having translucency and conductivity, at least one selected from the group consisting of ITO, IZO, GZO, AZO, and FTO is used.
ブリッジ配線部１０は、ＩＴＯ等の酸化物系材料を含む第１層と、第１層よりも低抵抗で透明な金属からなる第２層と、を有していてもよい。また、ブリッジ配線部１０は、ＩＴＯ等の酸化物系材料を含む第３層をさらに有していてもよい。ブリッジ配線部１０が第１層と第２層との積層構造、あるいは第１層と第２層と第３層との積層構造を有する場合には、ブリッジ配線部１０と、第１透明電極４及び第２透明電極５と、の間においてエッチング選択性を有することが望ましい。
The bridge wiring portion 10 may have a first layer containing an oxide-based material such as ITO, and a second layer made of a transparent metal having a lower resistance than the first layer. Further, the bridge wiring portion 10 may further have a third layer containing an oxide-based material such as ITO. When the bridge wiring portion 10 has a laminated structure of the first layer and the second layer, or a laminated structure of the first layer, the second layer, and the third layer, the bridge wiring portion 10 and the first transparent electrode 4 It is desirable to have etching selectivity between the second transparent electrode 5 and the second transparent electrode 5.
図６から図９に示すように、各第１透明電極４間を連結する連結部７の表面には、緩衝層６０を介して絶縁層２０が設けられている。図７に示すように、絶縁層２０は、連結部７と第２透明電極５との間の空間を埋め、第２透明電極５の表面上の緩衝層６０上にも多少乗り上げている。絶縁層２０としては、例えばノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。
As shown in FIGS. 6 to 9, an insulating layer 20 is provided on the surface of the connecting portion 7 connecting the first transparent electrodes 4 with the buffer layer 60 interposed therebetween. As shown in FIG. 7, the insulating layer 20 fills the space between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5, and slightly rides on the buffer layer 60 on the surface of the second transparent electrode 5. As the insulating layer 20, for example, a novolak resin (resist) is used.
図７から図９に示すように、ブリッジ配線部１０は、絶縁層２０の表面２０ａから絶縁層２０のＸ１−Ｘ２方向の両側に位置する各第２透明電極５の表面にかかるように設けられ、第２透明電極５に対しては緩衝層６０を介して固定されている。これにより、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第２透明電極５を互いに電気的に接続している。
As shown in FIGS. 7 to 9, the bridge wiring portion 10 is provided so as to extend from the surface 20a of the insulating layer 20 to the surface of each second transparent electrode 5 located on both sides of the insulating layer 20 in the X1-X2 direction. , It is fixed to the second transparent electrode 5 via the buffer layer 60. As a result, the bridge wiring portion 10 electrically connects two adjacent second transparent electrodes 5 to each other.
図７から図９に示すように、連結部７の表面に対して緩衝層６０を介して設けられた絶縁層２０の表面に各第２透明電極５間を接続するブリッジ配線部１０が設けられている。このように、連結部７とブリッジ配線部１０との間には絶縁層２０が介在し、第１透明電極４と第２透明電極５とは互いに電気的に絶縁された状態となっている。静電容量式センサ１では、第１透明電極４と第２透明電極５とが同じ面（基材２の第１面Ｓ１）に設けられているため、静電容量式センサ１の薄型化を実現できる。
As shown in FIGS. 7 to 9, a bridge wiring portion 10 for connecting between the second transparent electrodes 5 is provided on the surface of the insulating layer 20 provided via the buffer layer 60 with respect to the surface of the connecting portion 7. ing. As described above, the insulating layer 20 is interposed between the connecting portion 7 and the bridge wiring portion 10, and the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are electrically insulated from each other. In the capacitance type sensor 1, since the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are provided on the same surface (first surface S1 of the base material 2), the capacitance type sensor 1 can be made thinner. realizable.
図６に示すように、第１透明電極４及び第２透明電極５は、基材２の第１面Ｓ１において隣り合った状態で並んで配置されている。第１透明電極４及び第２透明電極５は、図１における透明電極１１０に対応する。第１透明電極４と第２透明電極５との間には、絶縁領域２１が設けられている。絶縁領域２１は、図１、図５における絶縁領域ＩＲに対応する。これにより、第１透明電極４と第２透明電極５とは、互いに電気的に絶縁された状態となっている。絶縁領域２１の形状については後述する。
As shown in FIG. 6, the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are arranged side by side in a state of being adjacent to each other on the first surface S1 of the base material 2. The first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 correspond to the transparent electrode 110 in FIG. An insulating region 21 is provided between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. The insulating region 21 corresponds to the insulating region IR in FIGS. 1 and 5. As a result, the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are electrically insulated from each other. The shape of the insulating region 21 will be described later.
なお、図６から図８に示す連結部７は、第１透明電極４に一体として形成され、Ｙ１−Ｙ２方向に延びている。また、図６から図９に示すブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第２透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びている。但し、連結部７及びブリッジ配線部１０の配置形態は、これだけには限定されない。例えば、連結部７は、第２透明電極５に一体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びていてもよい。この場合には、連結部７は、隣り合う２つの第２透明電極５を互いに電気的に接続する。ブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第１透明電極４とは別体として形成され、Ｙ１−Ｙ２方向に延びていてもよい。この場合には、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第１透明電極４を互いに電気的に接続する。本実施形態に係る静電容量式センサ１の説明では、ブリッジ配線部１０が、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第２透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びた場合を例に挙げる。
The connecting portion 7 shown in FIGS. 6 to 8 is integrally formed with the first transparent electrode 4 and extends in the Y1-Y2 direction. Further, the bridge wiring portion 10 shown in FIGS. 6 to 9 is formed on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7 as a separate body from the second transparent electrode 5, and extends in the X1-X2 direction. However, the arrangement form of the connecting portion 7 and the bridge wiring portion 10 is not limited to this. For example, the connecting portion 7 may be integrally formed with the second transparent electrode 5 and may extend in the X1-X2 direction. In this case, the connecting portion 7 electrically connects two adjacent second transparent electrodes 5 to each other. The bridge wiring portion 10 may be formed on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7 as a separate body from the first transparent electrode 4, and may extend in the Y1-Y2 direction. In this case, the bridge wiring portion 10 electrically connects two adjacent first transparent electrodes 4 to each other. In the description of the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment, the bridge wiring portion 10 is formed on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7 as a separate body from the second transparent electrode 5, and is oriented in the X1-X2 direction. Take as an example the case where it extends to.
図５に示すように、非検出領域２５には、各第１電極連結体８及び各第２電極連結体１２から引き出された複数本の配線部６が形成されている。第１電極連結体８及び第２電極連結体１２のそれぞれは、接続配線１６を介して配線部６と電気的に接続されている。各配線部６は、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続される外部接続部２７に接続されている。すなわち、各配線部６は、第１電極連結体８及び第２電極連結体１２と、外部接続部２７と、を電気的に接続している。外部接続部２７は、例えば導電ペースト、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料を介して、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続されている。
As shown in FIG. 5, in the non-detection region 25, a plurality of wiring portions 6 drawn from each first electrode connecting body 8 and each second electrode connecting body 12 are formed. Each of the first electrode connecting body 8 and the second electrode connecting body 12 is electrically connected to the wiring portion 6 via the connecting wiring 16. Each wiring unit 6 is connected to an external connection unit 27 that is electrically connected to a flexible printed board (not shown). That is, each wiring portion 6 electrically connects the first electrode connecting body 8 and the second electrode connecting body 12 and the external connecting portion 27. The external connection portion 27 is electrically connected to a flexible printed substrate (not shown) via a material having a metal such as a conductive paste, Cu, Cu alloy, CuNi alloy, Ni, Ag, or Au.
そして、このフレキシブルプリント基板と接続されたプリント配線板（不図示）には、操作体と透明電極（主に第１透明電極４及び第２透明電極５）との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部（不図示）と、検知部からの信号に基づいて操作体の位置を算出する制御部が搭載されている。なお、詳細な説明は行わないが、検知部や制御部には、集積回路が用いられている。
Then, on the printed wiring board (not shown) connected to the flexible printed circuit board, the change in capacitance that occurs between the operating body and the transparent electrodes (mainly the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5). A detection unit (not shown) for detecting the above and a control unit for calculating the position of the operating body based on the signal from the detection unit are mounted. Although detailed description will not be given, integrated circuits are used in the detection unit and the control unit.
各配線部６は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料により形成される。接続配線１６は、ＩＴＯ、導電性ナノワイヤ等の透明導電性材料で形成され、検出領域１１から非検出領域２５に延出している。配線部６は、接続配線１６の上に非検出領域２５内で積層され、接続配線１６と電気的に接続されている。また、第１透明電極４や第２透明電極５と同じ導電性ナノワイヤＮＷ（具体例として銀ナノワイヤが挙げられる。）を有する分散層ＤＬが連続して非検出領域２５に延出して接続配線１６を構成し、非検出領域２５においてこの接続配線１６と配線部６を構成する金属層とが積層された積層配線構造を有していてもよい。導電性ナノワイヤＮＷを有する分散層ＤＬからなる接続配線１６がさらに延出して配線部６の少なくとも一部を構成していてもよい。この場合において、配線部６は、分散層ＤＬと金属系の材料との積層構造であってもよい。
Each wiring portion 6 is formed of a material having a metal such as Cu, Cu alloy, CuNi alloy, Ni, Ag, and Au. The connection wiring 16 is formed of a transparent conductive material such as ITO and conductive nanowires, and extends from the detection region 11 to the non-detection region 25. The wiring portion 6 is laminated on the connection wiring 16 in the non-detection region 25 and is electrically connected to the connection wiring 16. Further, the dispersion layer DL having the same conductive nanowire NW (specific example, silver nanowires) as the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 extends continuously to the non-detection region 25, and the connection wiring 16 May have a laminated wiring structure in which the connection wiring 16 and the metal layer constituting the wiring portion 6 are laminated in the non-detection region 25. The connection wiring 16 made of the dispersion layer DL having the conductive nanowires NW may further extend to form at least a part of the wiring portion 6. In this case, the wiring portion 6 may have a laminated structure of the dispersed layer DL and the metal-based material.
配線部６は、基材２の第１面Ｓ１における非検出領域２５に位置する部分に設けられている。外部接続部２７も、配線部６と同様に、基材２の第１面Ｓ１における非検出領域２５に位置する部分に設けられている。
The wiring portion 6 is provided in a portion located in the non-detection region 25 on the first surface S1 of the base material 2. Similar to the wiring portion 6, the external connection portion 27 is also provided in a portion located in the non-detection region 25 on the first surface S1 of the base material 2.
図５では、理解を容易にするために配線部６や外部接続部２７が視認されるように表示しているが、実際には、非検出領域２５に位置する部分には、遮光性を有する加飾層（不図示）が設けられている。このため、静電容量式センサ１をパネル３側の面からみると、配線部６及び外部接続部２７は加飾層によって隠蔽され、視認されない。加飾層を構成する材料は、遮光性を有する限り任意である。加飾層は絶縁性を有していてもよい。
In FIG. 5, the wiring portion 6 and the external connection portion 27 are displayed so as to be visually recognized for easy understanding, but in reality, the portion located in the non-detection region 25 has a light-shielding property. A decorative layer (not shown) is provided. Therefore, when the capacitance type sensor 1 is viewed from the surface on the panel 3 side, the wiring portion 6 and the external connection portion 27 are hidden by the decorative layer and cannot be visually recognized. The material constituting the decorative layer is arbitrary as long as it has a light-shielding property. The decorative layer may have an insulating property.
静電容量式センサ１では、図７に示す例えばパネル３の表面３ａ上に操作体の一例として指を接触させると、指と指に近い第１透明電極４との間、及び指と指に近い第２透明電極５との間で静電容量が生じる。静電容量式センサ１は、このときの静電容量の変化を検知部により検知し、この静電容量変化に基づいて、指の接触位置を制御部によって算出することが可能である。つまり、静電容量式センサ１は、指と第１電極連結体８との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＸ座標を検知し、指と第２電極連結体１２との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＹ座標を検知する（自己容量検出型）。
In the capacitance type sensor 1, when a finger is brought into contact with the surface 3a of the panel 3 shown in FIG. 7, for example, as an example of an operating body, the finger is placed between the finger and the first transparent electrode 4 close to the finger, and between the fingers. Capacitance is generated between the second transparent electrode 5 and the nearby second transparent electrode 5. The capacitance type sensor 1 can detect the change in capacitance at this time by the detection unit, and can calculate the contact position of the finger by the control unit based on the change in capacitance. That is, the capacitance type sensor 1 detects the X coordinate of the position of the finger based on the change in capacitance between the finger and the first electrode connecting body 8, and between the finger and the second electrode connecting body 12. The Y coordinate of the finger position is detected based on the change in capacitance of the finger (self-capacitance detection type).
これに対して、静電容量式センサ１は相互容量検出型であってもよい。すなわち、静電容量式センサ１は、第１電極連結体８及び第２電極連結体１２のいずれか一方の電極（例えば第１電極連結体８）の一列に駆動電圧を印加し、第１電極連結体８及び第２電極連結体１２のいずれか他方の電極（例えば第２電極連結体１２）と指との間の静電容量の変化を検知してもよい。この場合には、静電容量式センサ１は、いずれの第１電極連結体８に電圧を印加したときに静電容量の変化が検出されたかにより指の位置のＸ座標を検知し、いずれの第２電極連結体１２において静電容量が変化したかにより指の位置のＹ座標を検知する。
On the other hand, the capacitance type sensor 1 may be a mutual capacitance detection type. That is, the capacitance type sensor 1 applies a driving voltage to a row of one of the electrodes (for example, the first electrode connecting body 8) of either the first electrode connecting body 8 or the second electrode connecting body 12 to apply a driving voltage to the first electrode. The change in capacitance between the connector 8 and the second electrode of the second electrode connector 12 (for example, the second electrode connector 12) and the finger may be detected. In this case, the capacitance type sensor 1 detects the X coordinate of the position of the finger depending on which change in capacitance is detected when a voltage is applied to the first electrode connector 8, and whichever. The Y coordinate of the position of the finger is detected depending on whether the capacitance has changed in the second electrode connector 12.
ここで、従来技術に係る静電容量式センサでは、導電性ナノワイヤＮＷを含む導電部を有する透明電極の反射率と、隣り合う透明電極の間隙を含む絶縁部の反射率と、の間の差が大きくなると、導電部と絶縁部との違いが視覚的に明らかになる。そうすると、透明電極がパターンとして視認されやすくなる。静電容量式センサが反射防止層や反射低減層などを備える場合には、導電部の反射率と絶縁部の反射率との間の差を抑えることができる一方で、反射防止層や反射低減層を形成する設備の追加が必要になったり、静電容量式センサの製造工程が増加したりする。
Here, in the capacitance type sensor according to the prior art, the difference between the reflectance of the transparent electrode having the conductive portion including the conductive nanowire NW and the reflectance of the insulating portion including the gap between the adjacent transparent electrodes. When becomes larger, the difference between the conductive part and the insulating part becomes visually clear. Then, the transparent electrode becomes easily visible as a pattern. When the capacitance type sensor is provided with an antireflection layer or a reflection reduction layer, the difference between the reflectance of the conductive portion and the reflectance of the insulating portion can be suppressed, while the antireflection layer and the reflection reduction can be suppressed. It will be necessary to add equipment to form layers, and the manufacturing process of capacitive sensors will increase.
これに対して、本実施形態に係る静電容量式センサ１では、第１透明電極４は互いに離れて配設された複数の第１光学調整領域４１を有する。また、第２透明電極５は互いに離れて配設された複数の第２光学調整領域５１を有する。そのため、第１透明電極４及び第２透明電極５のうちには、導電性ナノワイヤＮＷを含む導電領域ＣＲと、複数の第１光学調整領域４１及び複数の第２光学調整領域５１により形成された複数の領域（光学調整領域ＡＲ）と、が存在する。そのため、第１透明電極４及び第２透明電極５のうちには、導電領域ＣＲと光学調整領域ＡＲとの間の複数の境界（内部境界）が存在する。一方で、第１透明電極４と絶縁領域２１との間の境界（外部境界）、及び第２透明電極５と絶縁領域２１との間の境界（外部境界）が存在する。
On the other hand, in the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment, the first transparent electrode 4 has a plurality of first optical adjustment regions 41 arranged apart from each other. Further, the second transparent electrode 5 has a plurality of second optical adjustment regions 51 arranged apart from each other. Therefore, in the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5, a conductive region CR including the conductive nanowire NW, a plurality of first optical adjustment regions 41, and a plurality of second optical adjustment regions 51 are formed. There are a plurality of regions (optical adjustment region AR). Therefore, in the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5, there are a plurality of boundaries (internal boundaries) between the conductive region CR and the optical adjustment region AR. On the other hand, there is a boundary (external boundary) between the first transparent electrode 4 and the insulating region 21 and a boundary (external boundary) between the second transparent electrode 5 and the insulating region 21.
このように、静電容量式センサ１の平面視において、内部境界及び外部境界の両方が視認されるため、外部境界だけが強調されることが抑えられ、第１透明電極４及び第２透明電極５がパターンとして視認され難くなる。これにより、第１透明電極４及び第２透明電極５のパターンの不可視性を向上させることができる。
As described above, in the plan view of the capacitance type sensor 1, both the internal boundary and the external boundary are visually recognized, so that only the external boundary is suppressed from being emphasized, and the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode are suppressed. 5 becomes difficult to be visually recognized as a pattern. Thereby, the invisibility of the pattern of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 can be improved.
また、第１光学調整領域４１は、第１透明電極４における連結部７の周囲を除く領域に設けられ、第２光学調整領域５１は、第２透明電極５におけるブリッジ配線部１０の周囲を除く領域に設けられている。これによれば、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１が設けられたことで第１透明電極４及び第２透明電極５の電気抵抗が過度に低くなることを抑えることができる。また、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１が集中し、第１透明電極４及び第２透明電極５がパターンとして視認され易くなることを抑えることができる。
Further, the first optical adjustment region 41 is provided in a region excluding the periphery of the connecting portion 7 in the first transparent electrode 4, and the second optical adjustment region 51 excludes the periphery of the bridge wiring portion 10 in the second transparent electrode 5. It is provided in the area. According to this, it is possible to suppress that the electric resistance of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 becomes excessively low due to the provision of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51. Further, it is possible to prevent the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51 from being concentrated and the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 from being easily visually recognized as a pattern.
また、隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の第１距離は一定であり、隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の第２距離は一定である。つまり、複数の第１光学調整領域４１は、第１透明電極４における連結部７の周囲を除く領域において均一に設けられている。
Further, the first distance between the plurality of adjacent first optical adjustment regions 41 is constant, and the second distance between the plurality of adjacent second optical adjustment regions 51 is constant. That is, the plurality of first optical adjustment regions 41 are uniformly provided in regions other than the periphery of the connecting portion 7 in the first transparent electrode 4.
また、第１透明電極４及び第２透明電極５の材料に含まれる導電性ナノワイヤＮＷは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、及び銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つである。これによれば、第１透明電極４及び第２透明電極５の材料として例えばＩＴＯなどの酸化物系材料が用いられた場合と比較して、第１光学調整領域４１を有する第１透明電極４及び第２光学調整領域５１を有する第２透明電極５の電気抵抗を低くすることができる。
Further, the conductive nanowire NW contained in the material of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 is at least one selected from the group consisting of gold nanowires, silver nanowires, and copper nanowires. According to this, the first transparent electrode 4 having the first optical adjustment region 41 is compared with the case where an oxide-based material such as ITO is used as the material of the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. And the electric resistance of the second transparent electrode 5 having the second optical adjustment region 51 can be lowered.
ここで、絶縁領域２１の形状について説明する。図１０は、図６においてブリッジ配線部１０の図示を省略した図であり、図１１（ａ）は図１０の絶縁層２０の一つの側面２０ｃ側から、絶縁層２０及びその周辺を見た斜視図、（ｂ）は（ａ）の切断面Ａ−Ａ’における断面図、（ｃ）は（ａ）の切断面Ｂ−Ｂ’における断面図である。図１１（ａ）は、上記側面２０ｃと交差する絶縁領域２１と、この絶縁領域２１で隔てられた第１透明電極４及び第２透明電極５とを、絶縁層２０とともに示している。
Here, the shape of the insulating region 21 will be described. 10 is a view in which the bridge wiring portion 10 is not shown in FIG. 6, and FIG. 11A is a perspective view of the insulating layer 20 and its periphery from the side surface 20c of one of the insulating layers 20 of FIG. In the figure, (b) is a cross-sectional view of the cut surface AA'of (a), and (c) is a cross-sectional view of the cut surface BB'of (a). FIG. 11A shows an insulating region 21 intersecting the side surface 20c and a first transparent electrode 4 and a second transparent electrode 5 separated by the insulating region 21 together with the insulating layer 20.
図１２は、比較例における絶縁領域１２１の構成を示す平面図である。図１３（ａ）は図１２の絶縁層２０の側面２０ｄ側から、絶縁層２０及びその周辺を見た斜視図、（ｂ）は（ａ）の切断面Ｃ−Ｃ’における断面図、（ｃ）は（ａ）の切断面Ｄ−Ｄ’における断面図である。図１３（ａ）は、上記側面２０ｄと交差する絶縁領域１２１と、この絶縁領域１２１で隔てられた第１透明電極４及び第２透明電極５とを、絶縁層２０とともに示している。
FIG. 12 is a plan view showing the configuration of the insulating region 121 in the comparative example. 13 (a) is a perspective view of the insulating layer 20 and its periphery from the side surface 20d side of the insulating layer 20 of FIG. 12, (b) is a cross-sectional view of the cut surface CC'of (a), (c). ) Is a cross-sectional view taken along the cut surface DD'of (a). FIG. 13A shows an insulating region 121 intersecting the side surface 20d and a first transparent electrode 4 and a second transparent electrode 5 separated by the insulating region 121 together with the insulating layer 20.
図６と図１０に示すように、絶縁領域２１は、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、隣り合う第１透明電極４と第２透明電極５の間で直線状に延びる第１延伸部２１ａと、隣り合う２つの第２透明電極５の間で連結部７が延びる方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に沿って延びる第２延伸部２１ｂと、第１延伸部２１ａと第２延伸部２１ｂとが互いに連結される位置に設けられた交差部２１ｃとを備える。
As shown in FIGS. 6 and 10, the insulating region 21 is located between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. A first stretched portion 21a extending linearly, a second stretched portion 21b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5, and a first stretched portion. A crossing portion 21c provided at a position where the 21a and the second extending portion 21b are connected to each other is provided.
第１延伸部２１ａと第２延伸部２１ｂは、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、同一の幅Ｄ３で延びている。この幅Ｄ３は、例えば約１０μｍ以上、２０μｍ以下程度である。
The first stretched portion 21a and the second stretched portion 21b extend with the same width D3 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. This width D3 is, for example, about 10 μm or more and about 20 μm or less.
図６と図１０に示すように、交差部２１ｃは、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、第１延伸部２１ａ及び第２延伸部２１ｂが、絶縁層２０の外縁２０ｂと交差する領域を含むように設けられている。交差部２１ｃは、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに略矩形状をなしており、４辺のうち、互いに対向する一方の２辺がＹ１−Ｙ２方向（第１の方向）に沿って延び、他方の対向する２辺がＸ１−Ｘ２方向（第２の方向）に沿って延びている。
As shown in FIGS. 6 and 10, when the intersection 21c is viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2, the first stretched portion 21a and the second stretched portion 21b have an insulating layer 20. It is provided so as to include a region intersecting with the outer edge 20b of the above. The intersecting portion 21c has a substantially rectangular shape when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2, and two of the four sides facing each other are in the Y1-Y2 direction (the first). It extends along the direction of 1), and the other two opposite sides extend along the X1-X2 direction (second direction).
図１２に示すように、比較例の絶縁領域１２１は、上記実施形態における交差部２１ｃのように、それ以外の部分（第１延伸部２１ａ及び第２延伸部２１ｂ）よりも幅の広い部分は有しておらず、すべて同じ幅Ｄ３で形成されている。
As shown in FIG. 12, the insulating region 121 of the comparative example has a portion wider than the other portions (first stretched portion 21a and second stretched portion 21b) such as the intersecting portion 21c in the above embodiment. They do not have and are all formed with the same width D3.
前述のように、第１透明電極４、第２透明電極５、及び連結部７と絶縁層２０とは直接的に接触せず、これらの間には緩衝層６０が積層されている（図１１（ａ）、（ｂ）参照）。これに対して、図１１（ａ）、（ｃ）に示すように、絶縁領域２１には緩衝層６０が設けられていないため、絶縁領域２１には、絶縁層２０が直接的に接触するように設けられている。
As described above, the first transparent electrode 4, the second transparent electrode 5, and the connecting portion 7 and the insulating layer 20 do not come into direct contact with each other, and a buffer layer 60 is laminated between them (FIG. 11). (A), (b)). On the other hand, as shown in FIGS. 11A and 11C, since the insulating region 21 is not provided with the cushioning layer 60, the insulating layer 20 is in direct contact with the insulating region 21. It is provided in.
この絶縁領域２１（主としてマトリックスＭＸから構成される。）の絶縁層２０に対する密着性は、絶縁領域２１の光学透明粘着層３０に対する密着性よりも低い。このため、図１１（ａ）や図１３（ａ）に示すように、絶縁層２０の外縁２０ｂの一つの面である側面２０ｃでは、絶縁層２０が絶縁領域２１に適切に密着せず、絶縁領域２１と絶縁層２０との間に隙間Ｇが生じる。これは、外縁２０ｂのほかの部分についても同様である。絶縁領域２１と絶縁層２０と光学透明粘着層３０とに囲まれた隙間Ｇでは、絶縁層２０からの水分やイオンが絶縁領域２１の表面に拡散しやすい。そして、隙間Ｇは第１透明電極４又は連結部７と第２透明電極５との間に位置するため、これらの間の電位差に基づく電界が隙間Ｇには加わっている。このため、隙間Ｇでは電気化学反応が生じやすく、絶縁領域２１の表面にデンドライト１７０が発生しやすい。こうして生じたデンドライト１７０は、第１透明電極４又は連結部７と第２透明電極５との間をつなぐように成長し、短絡の原因となる。
The adhesiveness of the insulating region 21 (mainly composed of the matrix MX) to the insulating layer 20 is lower than the adhesiveness of the insulating region 21 to the optical transparent adhesive layer 30. Therefore, as shown in FIGS. 11A and 13A, the insulating layer 20 does not properly adhere to the insulating region 21 on the side surface 20c, which is one surface of the outer edge 20b of the insulating layer 20, and is insulated. A gap G is formed between the region 21 and the insulating layer 20. This also applies to other parts of the outer edge 20b. In the gap G surrounded by the insulating region 21, the insulating layer 20, and the optical transparent adhesive layer 30, moisture and ions from the insulating layer 20 are likely to diffuse to the surface of the insulating region 21. Since the gap G is located between the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5, an electric field based on the potential difference between them is applied to the gap G. Therefore, an electrochemical reaction is likely to occur in the gap G, and dendrite 170 is likely to be generated on the surface of the insulating region 21. The dendrite 170 thus generated grows so as to connect between the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5, and causes a short circuit.
比較例のように第１透明電極４または連結部７と第２透明電極５とを隔てる絶縁領域１２１の幅Ｄ３が狭い場合には、図１３（ｂ）に示すように、デンドライト１７０が絶縁領域２１の表面を覆うように成長することが容易であるため、第１透明電極４と第２透明電極５とを短絡させる状態に至りやすい。
When the width D3 of the insulating region 121 separating the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 is narrow as in the comparative example, the dendrite 170 is the insulating region as shown in FIG. 13 (b). Since it is easy to grow so as to cover the surface of 21, it is easy to reach a state in which the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are short-circuited.
これに対し、本実施形態に係る静電容量式センサ１は交差部２１ｃを有する。交差部２１ｃは、交差する絶縁層２０の外縁２０ｂに沿った方向において、第１延伸部２１ａ及び第２延伸部２１ｂの幅Ｄ３（第２の幅）よりも広い幅Ｄ４（第１の幅）を有する（図１０、図１１（ａ）参照）。このため、第１透明電極４又は連結部７と第２透明電極５との間の電位差に基づく電界が隙間Ｇに加わって、隙間Ｇにおける絶縁領域２１の表面にデンドライト１７０が発生しても、幅の広い交差部２１ｃの表面全体までデンドライト１７０が連続的に広がることはない、又は、広がるまでに要する時間を長くすることができる。よって、交差部２１ｃを挟んで配置された、第１透明電極４又は連結部７と、第２透明電極５とが短絡される可能性が低下し、静電容量式センサ１の検知機能の低下を抑えることができる。デンドライト１７０の発生を含むイオンマイグレーション現象の発生を抑制できるため、耐湿性などの耐久性を高めることができる。交差部２１ｃの幅Ｄ４は、絶縁層２０の構成材料や層厚、静電容量式センサ１の使用環境などを考慮して設定される。
On the other hand, the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment has an intersection 21c. The intersecting portion 21c has a width D4 (first width) wider than the width D3 (second width) of the first stretched portion 21a and the second stretched portion 21b in the direction along the outer edge 20b of the intersecting insulating layer 20. (See FIGS. 10 and 11 (a)). Therefore, even if an electric field based on the potential difference between the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 is applied to the gap G and dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 21 in the gap G, The dendrite 170 does not continuously spread over the entire surface of the wide intersection 21c, or the time required for spreading can be increased. Therefore, the possibility that the first transparent electrode 4 or the connecting portion 7 arranged so as to sandwich the intersection 21c and the second transparent electrode 5 are short-circuited is reduced, and the detection function of the capacitance type sensor 1 is deteriorated. Can be suppressed. Since the occurrence of the ion migration phenomenon including the generation of the dendrite 170 can be suppressed, the durability such as moisture resistance can be improved. The width D4 of the intersection 21c is set in consideration of the constituent materials and layer thickness of the insulating layer 20, the usage environment of the capacitance type sensor 1, and the like.
本実施形態に係る静電容量式センサ１では、交差部２１ｃは、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、Ｘ１−Ｘ２方向において、隣り合う２つの第２延伸部２１ｂよりも内側に入らない位置に配置される。別言すると、交差部２１ｃは第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１の直径よりも対角線が長く、面積も大きくなっているが、連結部７に重ならないように配置されている。このような構成・配置により、交差部２１ｃを有する形状でありながら、第１電極連結体８に、連結部７よりも幅の狭い電流経路が生成することが回避されている。交差部２１ｃを形成したことにより連結部７よりも幅の狭い電流経路が生成すると、静電容量式センサ１に静電気放電（ＥＳＤ）が生じたときに、この電流経路に位置する導電性ナノワイヤＮＷに流れる電流が過大になり、導電性ナノワイヤＮＷの溶断が生じる可能性が高まってしまう。導電性ナノワイヤＮＷの溶断は第１電極連結体８の導電不良をもたらし、静電容量式センサ１の検知機能を低下させる。
In the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment, the intersecting portion 21c has two adjacent second stretches in the X1-X2 direction when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is arranged at a position not inside the portion 21b. In other words, the intersection 21c has a longer diagonal line and a larger area than the diameters of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, but is arranged so as not to overlap the connecting portion 7. Due to such a configuration and arrangement, it is avoided that a current path having a width narrower than that of the connecting portion 7 is generated in the first electrode connecting portion 8 even though the shape has the intersecting portion 21c. When a current path narrower than that of the connecting portion 7 is generated by forming the intersecting portion 21c, the conductive nanowire NW located in this current path when electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitive sensor 1. The current flowing through the wire becomes excessive, and the possibility that the conductive nanowire NW is blown increases. Fusing of the conductive nanowire NW causes a poor conductivity of the first electrode connector 8, and deteriorates the detection function of the capacitance type sensor 1.
また、交差部２１ｃは、Ｘ１−Ｘ２方向の幅が第２延伸部２１ｂの幅よりも大きく、かつよりＹ１−Ｙ２方向に所定の長さを有している。このため、製造過程において、絶縁層２０をその外縁２０ｂが交差部２１ｃに重なるように配置することは、比較的容易である。すなわち、絶縁層２０のアライメント（位置合わせ）を容易に行うことができる。
Further, the intersecting portion 21c has a width in the X1-X2 direction larger than the width of the second extending portion 21b, and has a predetermined length in the Y1-Y2 direction. Therefore, in the manufacturing process, it is relatively easy to arrange the insulating layer 20 so that its outer edge 20b overlaps the intersection 21c. That is, the insulating layer 20 can be easily aligned.
以下に変形例について説明する。
変形例では、デンドライト１７０が成長しても隣り合う電極の短絡が生じる可能性を低下させるという交差部２１ｃの基本性能に加えて、交差部２１ｃの配置や形状を変化させることにより、静電気放電に起因する不具合の発生を抑制したり、連結部７近傍の不可視性を高めたり、絶縁層２０をその外縁２０ｂが交差部２１ｃに重なるように配置することが容易になったりする。
A modified example will be described below.
In the modified example, in addition to the basic performance of the intersection 21c that reduces the possibility of short-circuiting of adjacent electrodes even if the dendrite 170 grows, the arrangement and shape of the intersection 21c are changed to cause electrostatic discharge. It is possible to suppress the occurrence of defects due to the occurrence, increase the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7, and facilitate the arrangement of the insulating layer 20 so that the outer edge 20b of the insulating layer 20 overlaps the intersection portion 21c.
具体的には、連結部７を挟んで配置される２つの交差部２１ｃが連結部７のＸ１−Ｘ２方向の幅を狭めないように配置されることにより、静電気放電に起因する不具合の発生を抑制することができる。
Specifically, by arranging the two intersecting portions 21c arranged so as to sandwich the connecting portion 7 so as not to narrow the width of the connecting portion 7 in the X1-X2 direction, a problem caused by electrostatic discharge occurs. It can be suppressed.
交差部２１ｃが、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１の形状またはその相似形状の少なくとも一部を有することにより、交差部２１ｃの形状が第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１の形状に近づき、連結部７近傍の不可視性を高めることができる。また、交差部２１ｃの面積を、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１の面積よりも大きくすることによっても、連結部７近傍の不可視性を高めることができる。
Since the intersection 21c has at least a part of the shape of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51 or a similar shape thereof, the shape of the intersection 21c becomes the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment. It is possible to approach the shape of the region 51 and increase the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7. Further, by making the area of the intersection 21c larger than the area of the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be enhanced.
交差部２１ｃの面積が大きくなり、その形状が円形に近づくほど、絶縁層２０の外縁２０ｂが交差部２１ｃに重なるように絶縁層２０を配置することは容易になる。
The larger the area of the intersection 21c and the closer the shape is to a circle, the easier it is to arrange the insulation layer 20 so that the outer edge 20b of the insulation layer 20 overlaps the intersection 21c.
（変形例１）
図１４は、変形例１における絶縁層２２０と絶縁領域２２１が交差する領域を拡大して示す平面図である。図１４においては、図１０などと同様にブリッジ配線部１０の図示を省略し、また、絶縁層２２０を仮想的に破線で示している。
変形例１の絶縁領域２２１は、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、隣り合う第１透明電極４と第２透明電極５の間で直線状に延びる第１延伸部２２１ａと、隣り合う２つの第２透明電極５の間で連結部７が延びる方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に沿って延びる第２延伸部２２１ｂとを備える。さらに、第２延伸部２２１ｂには、Ｘ１−Ｘ２方向に対して斜めに延びる絶縁層２２０の外縁２２０ｂと交差する部分において、第２延伸部２２１ｂよりも広い幅を有する交差部２２１ｃが設けられている。交差部２２１ｃは、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円形の一部をなす形状を有し、Ｘ１−Ｘ２方向において、連結部７を挟んで互いに対向する２つの第２延伸部２２１ｂのそれぞれから外側へ、すなわち、対向する第２延伸部２２１ｂから離れる側へ突出するように形成されている。
(Modification 1)
FIG. 14 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 220 and the insulating region 221 intersect in the modified example 1. In FIG. 14, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 220 is virtually shown by a broken line.
The insulating region 221 of the first modification 1 extends linearly between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. A stretched portion 221a and a second stretched portion 221b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5 are provided. Further, the second stretched portion 221b is provided with an intersecting portion 221c having a width wider than that of the second stretched portion 221b at a portion intersecting the outer edge 220b of the insulating layer 220 extending diagonally in the X1-X2 direction. There is. The intersection 221c has a shape forming a part of a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, and faces each other with the connecting portion 7 in the X1-X2 direction. It is formed so as to project outward from each of the two second stretched portions 221b, that is, to a side away from the opposite second stretched portion 221b.
以上の構成で交差部２２１ｃを設けることにより、絶縁層２２０の外縁２２０ｂの近傍に生じた隙間Ｇについて、連結部７と第２透明電極５との幅を広げることができる。このため、隙間Ｇに位置する絶縁領域２２１の表面にデンドライト１７０が生成しても、連結部７と第２透明電極５との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する２つの第２延伸部２２１ｂの間に交差部２２１ｃが突出することがないため、対向し合う２つの第２延伸部２２１ｂの間隔、別言すると連結部７のＸ１−Ｘ２方向における幅が一定に維持される。それゆえ、静電容量式センサ１に静電気放電（ＥＳＤ）が生じても、導電性ナノワイヤＮＷが溶断して連結部７の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、交差部２２１ｃの形状は、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円形の一部を有するため、連結部７近傍の不可視性を高めることができる。
By providing the intersecting portion 221c with the above configuration, the width between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 can be widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 220b of the insulating layer 220. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 221 located in the gap G, a short circuit is unlikely to occur between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 221c does not protrude between the two second extending portions 221b facing each other, the distance between the two second extending portions 221b facing each other, in other words, the X1-X2 direction of the connecting portion 7. The width in is kept constant. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the shape of the intersection 221c has a part of a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be enhanced.
（変形例２）
図１５は、変形例２における絶縁層３２０と絶縁領域３２１が交差する領域を拡大して示す平面図である。図１５においては、図１０などと同様にブリッジ配線部１０の図示を省略し、また、絶縁層３２０を仮想的に破線で示している。
変形例２の絶縁領域３２１は、変形例１と同様に、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、隣り合う第１透明電極４と第２透明電極５の間で直線状に延びる第１延伸部３２１ａと、隣り合う２つの第２透明電極５の間で連結部７が延びる方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に沿って延びる第２延伸部３２１ｂとを備える。さらに、第２延伸部３２１ｂには、Ｘ１−Ｘ２方向に沿って延びる絶縁層３２０の外縁３２０ｂと交差する部分において、第２延伸部３２１ｂよりも広い幅を有する交差部３２１ｃが設けられている。交差部３２１ｃは、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円に基づく半円形状を有し、Ｘ１−Ｘ２方向において、連結部７を挟んで互いに対向する２つの第２延伸部３２１ｂのそれぞれから外側へ突出するように形成されている。
(Modification 2)
FIG. 15 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 320 and the insulating region 321 intersect in the modified example 2. In FIG. 15, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 320 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 321 of the second modification is between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 321a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 321b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, the second stretched portion 321b is provided with an intersecting portion 321c having a width wider than that of the second stretched portion 321b at a portion intersecting the outer edge 320b of the insulating layer 320 extending in the X1-X2 direction. The intersection 321c has a semicircular shape based on a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, and two intersecting portions 321c facing each other with the connecting portion 7 interposed therebetween in the X1-X2 direction. It is formed so as to project outward from each of the second stretched portions 321b.
変形例２の交差部３２１ｃは、変形例１の交差部２２１ｃとの対比で、連結部７を挟んで対向配置される２つの交差部３２１ｃがＸ１−Ｘ２方向に沿って並んでいる点が相違する。この相違に対応して、変形例１では、絶縁層２２０はＸ１−Ｘ２方向およびＹ１−Ｙ２方向に対して傾いた辺を有する矩形状であるのに対し、変形例２では、絶縁層３２０はＸ１−Ｘ２方向およびＹ１−Ｙ２方向に沿った辺を有する矩形状である。変形例２において、交差部３２１ｃを設けることにより、変形例１と同様に、絶縁層３２０の外縁３２０ｂの近傍に生じた隙間Ｇについて、連結部７と第２透明電極５との幅を広げることができる。このため、隙間Ｇに位置する絶縁領域３２１の表面にデンドライト１７０が生成しても、連結部７と第２透明電極５との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する２つの第２延伸部３２１ｂの間に交差部３２１ｃが突出することがないため、対向し合う２つの第２延伸部３２１ｂの間隔、別言すると連結部７のＸ１−Ｘ２方向における幅が一定に維持される。それゆえ、静電容量式センサ１に静電気放電（ＥＳＤ）が生じても、導電性ナノワイヤＮＷが溶断して連結部７の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、交差部３２１ｃの形状は、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円形の一部を有するため、連結部７近傍の不可視性を高めることができる。
The intersection portion 321c of the modification 2 is different from the intersection portion 221c of the modification 1 in that two intersection portions 321c arranged to face each other across the connecting portion 7 are arranged along the X1-X2 direction. do. Corresponding to this difference, in the modified example 1, the insulating layer 220 has a rectangular shape having sides inclined with respect to the X1-X2 direction and the Y1-Y2 direction, whereas in the modified example 2, the insulating layer 320 has a rectangular shape. It is a rectangular shape having sides along the X1-X2 direction and the Y1-Y2 direction. In the second modification, by providing the intersection 321c, the width between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5 is widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 320b of the insulating layer 320, as in the first modification. Can be done. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 321 located in the gap G, a short circuit is unlikely to occur between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 321c does not protrude between the two second extending portions 321b facing each other, the distance between the two second extending portions 321b facing each other, in other words, the X1-X2 direction of the connecting portion 7. The width in is kept constant. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the shape of the intersection portion 321c has a part of a circle having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be enhanced.
（変形例３）
図１６は、変形例３における絶縁層４２０と絶縁領域４２１が交差する領域を拡大して示す平面図である。図１６においては、図１０などと同様にブリッジ配線部１０の図示を省略し、また、絶縁層４２０を仮想的に破線で示している。
変形例３の絶縁領域４２１は、変形例１と同様に、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、隣り合う第１透明電極４と第２透明電極５の間で直線状に延びる第１延伸部４２１ａと、隣り合う２つの第２透明電極５の間で連結部７が延びる方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に沿って延びる第２延伸部４２１ｂとを備える。さらに、第１延伸部４２１ａには、Ｘ１−Ｘ２方向に対して斜めに延びる絶縁層４２０の外縁４２０ｂと交差する部分において、第１延伸部４２１ａよりも広い幅を有する交差部４２１ｃが設けられている。交差部４２１ｃは、第１延伸部４２１ａの中心線Ｌ４ａと第２延伸部４２１ｂの中心線Ｌ４ｂとの交点４２１ｄから始まって、この交点４２１ｄから外方へ延びる略楕円形状を有し、その長軸は第１延伸部４２１ａが延びる方向に沿って延びている。さらに、交差部４２１ｃは、その外縁が、互いに対向する２つの第２延伸部４２１ｂの内側の仮想境界線Ｌ４１、Ｌ４２よりも内側に入らないように設けられている。
(Modification 3)
FIG. 16 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 420 and the insulating region 421 intersect in the modified example 3. In FIG. 16, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 420 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 421 of the third modification is between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 421a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 421b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, the first stretched portion 421a is provided with an intersecting portion 421c having a width wider than that of the first stretched portion 421a at a portion intersecting the outer edge 420b of the insulating layer 420 extending diagonally in the X1-X2 direction. There is. The intersection 421c has a substantially elliptical shape starting from the intersection 421d between the center line L4a of the first extension 421a and the center line L4b of the second extension 421b and extending outward from the intersection 421d, and has a long axis thereof. Extends along the direction in which the first stretched portion 421a extends. Further, the intersecting portion 421c is provided so that its outer edge does not enter inside the virtual boundary lines L41 and L42 inside the two second extending portions 421b facing each other.
交差部４２１ｃをこのような構成で設けることにより、絶縁層４２０の外縁４２０ｂの近傍に生じた隙間Ｇについて、第１透明電極４と第２透明電極５との幅を特に広げることができる。このため、隙間Ｇに位置する絶縁領域４２１の表面にデンドライト１７０が生成しても、隙間Ｇに位置する絶縁領域４２１の表面全体までデンドライト１７０が連続的に広がることを抑えることができる、又は、広がるまでにかかる時間を長くすることができる。このため、第１透明電極４と第２透明電極５との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する２つの第２延伸部４２１ｂの間に交差部４２１ｃが突出することがないため、対向し合う２つの第２延伸部４２１ｂの間隔が一定に維持される。すなわち、連結部７のＸ１−Ｘ２方向の幅が狭くなることはない。それゆえ、静電容量式センサ１に静電気放電（ＥＳＤ）が生じても、導電性ナノワイヤＮＷが溶断して連結部７の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、他の前述の変形例との対比で、交差部４２１ｃの面積が大きいため、絶縁層４２０のアライメント（位置合わせ）を容易に行うことができる。加えて、交差部４２１ｃは第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と同様に分散層ＤＬから導電性ナノワイヤＮＷを除去・変質させることにより形成されるため、交差部４２１ｃの面積が第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１の面積よりも大きいことは、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１の配置密度が低くなっている連結部７近傍における光学調整領域ＡＲの面積密度を高めることになり、連結部７近傍における不可視性の向上に寄与する。
By providing the intersecting portion 421c with such a configuration, the width between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 can be particularly widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 420b of the insulating layer 420. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 421 located in the gap G, it is possible to prevent the dendrite 170 from continuously spreading to the entire surface of the insulating region 421 located in the gap G, or The time it takes to spread can be lengthened. Therefore, a short circuit is unlikely to occur between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 421c does not protrude between the two second stretched portions 421b facing each other, the distance between the two second stretched portions 421b facing each other is kept constant. That is, the width of the connecting portion 7 in the X1-X2 direction is not narrowed. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the area of the intersection 421c is large in comparison with other above-mentioned modifications, the insulating layer 420 can be easily aligned. In addition, since the intersection 421c is formed by removing and altering the conductive nanowire NW from the dispersion layer DL in the same manner as the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, the area of the intersection 421c is the first. The fact that it is larger than the area of the 1 optical adjustment region 41 and the 2nd optical adjustment region 51 means that the optical adjustment region AR in the vicinity of the connecting portion 7 where the arrangement density of the 1st optical adjustment region 41 and the 2nd optical adjustment region 51 is low is This will increase the area density of the optics and contribute to the improvement of invisibility in the vicinity of the connecting portion 7.
（変形例４）
図１７は、変形例４における絶縁層５２０と絶縁領域５２１が交差する領域を拡大して示す平面図である。図１７においては、図１０などと同様にブリッジ配線部１０の図示を省略し、また、絶縁層５２０を仮想的に破線で示している。
変形例４の絶縁領域５２１は、変形例１と同様に、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、隣り合う第１透明電極４と第２透明電極５の間で直線状に延びる第１延伸部５２１ａと、隣り合う２つの第２透明電極５の間で連結部７が延びる方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に沿って延びる第２延伸部５２１ｂとを備える。さらに、第１延伸部５２１ａの中心線Ｌ５ａと第２延伸部５２１ｂの中心線Ｌ５ｂとの交点５２１ｄを中心として、Ｘ１−Ｘ２方向に対して斜めに延びる絶縁層５２０の外縁５２０ｂと交差する部分において、第１延伸部５２１ａ及び第２延伸部５２１ｂよりも広い幅を有する交差部５２１ｃが設けられている。交差部５２１ｃは、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円形状を有し、その中心は、第１延伸部５２１ａの中心線Ｌ５ａと第２延伸部５２１ｂの中心線Ｌ５ｂとの交点５２１ｄ上にある。
(Modification example 4)
FIG. 17 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 520 and the insulating region 521 intersect in the modified example 4. In FIG. 17, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 520 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 521 of the modified example 4 is located between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 521a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 521b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, at a portion intersecting the outer edge 520b of the insulating layer 520 extending diagonally in the X1-X2 direction with the intersection 521d of the center line L5a of the first stretched portion 521a and the center line L5b of the second stretched portion 521b as the center. , A crossing portion 521c having a width wider than that of the first stretched portion 521a and the second stretched portion 521b is provided. The intersection 521c has a circular shape similar to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51, and the center thereof is the center line L5a of the first extension portion 521a and the center of the second extension portion 521b. It is on the intersection 521d with the line L5b.
このような形状の交差部５２１ｃを設けることにより、絶縁層５２０の外縁５２０ｂの近傍に生じた隙間Ｇについて、第１透明電極４と第２透明電極５との幅を広げることができる。このため、隙間Ｇに位置する絶縁領域５２１の表面にデンドライト１７０が生成しても、隙間Ｇに位置する絶縁領域５２１の表面全体までデンドライト１７０が連続的に広がることを抑えることができ、又は、広がるまでにかかる時間を長くすることができる。このため、第１透明電極４と第２透明電極５との間で短絡が生じにくい。また、交差部５２１ｃは、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円形をなしているため、連結部７近傍の不可視性を確保することができる。
By providing the intersection portion 521c having such a shape, the width between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 can be widened with respect to the gap G generated in the vicinity of the outer edge 520b of the insulating layer 520. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 521 located in the gap G, it is possible to prevent the dendrite 170 from continuously spreading to the entire surface of the insulating region 521 located in the gap G, or The time it takes to spread can be lengthened. Therefore, a short circuit is unlikely to occur between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 521c has a circular shape similar to that of the first optical adjusting region 41 and the second optical adjusting region 51, invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be ensured.
（変形例５）
図１８は、変形例５における絶縁層６２０と絶縁領域６２１が交差する領域を拡大して示す平面図である。図１８においては、図１０などと同様にブリッジ配線部１０の図示を省略し、また、絶縁層６２０を仮想的に破線で示している。
変形例５の絶縁領域６２１は、変形例１と同様に、基材２の第１面Ｓ１の法線に沿って見たときに、隣り合う第１透明電極４と第２透明電極５の間で直線状に延びる第１延伸部６２１ａと、隣り合う２つの第２透明電極５の間で連結部７が延びる方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に沿って延びる第２延伸部６２１ｂとを備える。さらに、第１延伸部６２１ａには、Ｘ１−Ｘ２方向に対して斜めに延びる絶縁層６２０の外縁６２０ｂと交差する部分において、第１延伸部６２１ａよりも広い幅を有する交差部６２１ｃが設けられている。交差部６２１ｃは、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円を２つ結合させた形状を有し、第１延伸部６２１ａの幅方向の両側へ突出するように形成されている。交差部６２１ｃは、連結部７内に至らないように突出している。
(Modification 5)
FIG. 18 is an enlarged plan view showing a region where the insulating layer 620 and the insulating region 621 intersect in the modified example 5. In FIG. 18, the bridge wiring portion 10 is not shown in the same manner as in FIG. 10, and the insulating layer 620 is virtually shown by a broken line.
Similar to the first modification, the insulating region 621 of the modified example 5 is located between the adjacent first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 when viewed along the normal line of the first surface S1 of the base material 2. It is provided with a first stretched portion 621a extending linearly in the above direction and a second stretched portion 621b extending along a direction (Y1-Y2 direction) in which the connecting portion 7 extends between two adjacent second transparent electrodes 5. Further, the first stretched portion 621a is provided with an intersecting portion 621c having a width wider than that of the first stretched portion 621a at a portion intersecting the outer edge 620b of the insulating layer 620 extending diagonally in the X1-X2 direction. There is. The intersection 621c has a shape in which two circles having a similar shape to the first optical adjustment region 41 and the second optical adjustment region 51 are connected so as to project to both sides of the first stretched portion 621a in the width direction. It is formed. The intersection 621c projects so as not to reach the inside of the connecting portion 7.
このような構成の交差部６２１ｃを設けたことにより、変形例１の交差部２２１ｃや変形例２の交差部３２１ｃとの対比で、絶縁層６２０の外縁６２０ｂの近傍に生じた隙間Ｇについて、第１透明電極４と第２透明電極５との幅を広げることができる。このため、隙間Ｇに位置する絶縁領域６２１の表面にデンドライト１７０が生成しても、隙間Ｇに位置する絶縁領域６２１の表面全体までデンドライト１７０が連続的に広がることを抑えることができ、又は、広がるまでにかかる時間を長くすることがより安定的に実現される。このため、第１透明電極４と第２透明電極５との間で短絡が生じにくい。また、互いに対向する２つの第２延伸部６２１ｂの間に交差部６２１ｃが突出することがないため、対向し合う２つの第２延伸部６２１ｂの間隔、別言すると連結部７のＸ１−Ｘ２方向における幅が一定に維持される。それゆえ、静電容量式センサ１に静電気放電（ＥＳＤ）が生じても、導電性ナノワイヤＮＷが溶断して連結部７の導電性が低下する不具合が生じにくい。さらに、交差部６２１ｃは、第１光学調整領域４１及び第２光学調整領域５１と相似形状となる円形の一部をなしているため、連結部７近傍の不可視性を確保することができる。
By providing the intersection portion 621c having such a configuration, the gap G generated in the vicinity of the outer edge 620b of the insulating layer 620 is the first in comparison with the intersection portion 221c of the modification 1 and the intersection portion 321c of the modification 2. The width of the 1 transparent electrode 4 and the 2nd transparent electrode 5 can be widened. Therefore, even if the dendrite 170 is generated on the surface of the insulating region 621 located in the gap G, it is possible to prevent the dendrite 170 from continuously spreading to the entire surface of the insulating region 621 located in the gap G, or It is possible to increase the time it takes to spread more stably. Therefore, a short circuit is unlikely to occur between the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5. Further, since the intersecting portion 621c does not protrude between the two second extending portions 621b facing each other, the distance between the two second extending portions 621b facing each other, in other words, the X1-X2 direction of the connecting portion 7. The width in is kept constant. Therefore, even if electrostatic discharge (ESD) occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur. Further, since the intersecting portion 621c forms a part of a circle having a similar shape to the first optical adjusting region 41 and the second optical adjusting region 51, invisibility in the vicinity of the connecting portion 7 can be ensured.
さらに、交差部６２１ｃは、その外縁が、互いに対向する２つの第２延伸部６２１ｂの内側の仮想境界線Ｌ６１、Ｌ６２よりも内側に入らないように設けられている。よって、互いに対向する２つの第２延伸部６２１ｂの間に交差部６２１ｃが突出することがないため、対向し合う２つの第２延伸部６２１ｂの間隔が一定に維持される。したがって、静電容量式センサ１に静電気放電が生じても、導電性ナノワイヤＮＷが溶断して連結部７の導電性が低下する不具合が生じにくい。
本発明について上記実施形態を参照しつつ説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、改良の目的又は本発明の思想の範囲内において改良又は変更が可能である。
Further, the intersecting portion 621c is provided so that its outer edge does not enter inside the virtual boundary lines L61 and L62 inside the two second extending portions 621b facing each other. Therefore, since the intersecting portion 621c does not project between the two second stretched portions 621b facing each other, the distance between the two second stretched portions 621b facing each other is kept constant. Therefore, even if an electrostatic discharge occurs in the capacitance type sensor 1, the problem that the conductive nanowire NW is blown and the conductivity of the connecting portion 7 is lowered is unlikely to occur.
Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be improved or modified within the scope of the purpose of improvement or the idea of the present invention.
