JP2021189129A - Wiring board and inspection method thereof - Google Patents
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
Description
本発明は、配線基板の検査方法に係り、配線およびビアの断線しかかりを検出する方法、及び検査を容易にする構造を持った検査用の配線基板に関する。
ここで、本明細書では、「断線しかかり」とは、配線ネットにおいて、それを構成する導電体の一部分または複数の部分に、亀裂、欠け等が生じており、検査段階では電気的接続が損なわれる断線の状態までには至っていないが、潜在的に将来、断線の生じる高い
可能性を有している状態を指す。
The present invention relates to a method for inspecting a wiring board, and relates to a method for detecting disconnection of wiring and vias, and a wiring board for inspection having a structure that facilitates inspection.
Here, in the present specification, "breaking" means that a part or a plurality of parts of the conductor constituting the wiring net has cracks, chips, etc., and electrical connection is established at the inspection stage. It refers to a state in which the state of disconnection that is impaired has not been reached, but there is a high possibility that disconnection will occur in the future.
半導体パッケージは、半導体部品と配線基板をはんだ等を介して電気的に接合し組み立てを行う。近年ではHBM(High Bandwidth Memory)など半導体部品の高機能化に伴い、半導体部品が高価となっている。このため、半導体部品を搭載する配線基板は良品であることが必須となり、品質を担保するための配線基板の電気検査の実施が非常に重要となる。
従来、配線基板の電気検査方法には、以下の2つの検査方法が採用されており、それぞれの検査方法は状況に応じて使い分けられる。
The semiconductor package is assembled by electrically joining the semiconductor component and the wiring board via solder or the like. In recent years, semiconductor parts have become expensive due to the high functionality of semiconductor parts such as HBM (High Bandwidth Memory). Therefore, it is essential that the wiring board on which the semiconductor component is mounted is a good product, and it is very important to carry out an electrical inspection of the wiring board to ensure the quality.
Conventionally, the following two inspection methods have been adopted as the electrical inspection method of the wiring board, and each inspection method is used properly according to the situation.
1つ目の方法は、図1に示すように、ある一定の直流電圧が印加された1対の導通チェック用プローブ41a及び41bの内、一方のプローブ41aを配線基板42に形成された配線ネット43上にある上部電極44aに接触させるとともに、他方のプローブ41bを配線ネット43の他方上にある下部電極44bに接触させ、このとき、プローブ41a及び41b間に電流が流れるかによって配線ネット43の導通状態を判断する。この方法はI−V法と呼ばれる。
As shown in FIG. 1, the first method is a wiring net in which one of the pair of
2つ目の方法は、図2に示すように、交流電圧が印加された1対の導通チェック用プローブ41a及び41bの内、一方のプローブ41aを配線基板42に形成された配線ネット43上にある電極44aに接触させるとともに、他方のプローブ41bを配線基板の下面側に設けた外部電極45に接触させ、このとき、配線ネット43及び外部電極45の間に発生する静電容量により配線ネット43の導通状態を判断する。この方法は静電容量法と呼ばれる。
In the second method, as shown in FIG. 2, of the pair of
ここで、本明細書において、「配線ネット」とは、1の電極から他の電極までの配線層やビアを含めた電気的接続の一連のネット構成を指す。1つの配線基板に1又は2以上の配線ネットが形成されている。
静電容量法を用いた従来技術としては、特許文献1に記載の方法がある。特許文献1では、1対の導通チェック用プローブ間に印加される電圧と静電容量により発生する電圧降下の比率を比較することで配線の検査を行う。
Here, in the present specification, the "wiring net" refers to a series of net configurations of electrical connection including a wiring layer and vias from one electrode to another electrode. One or more wiring nets are formed on one wiring board.
As a conventional technique using the capacitance method, there is a method described in Patent Document 1. In Patent Document 1, wiring is inspected by comparing the ratio of the voltage applied between a pair of continuity check probes and the voltage drop generated by the capacitance.
I−V法、及び静電容量法では配線ネット43の断線・短絡の検出が可能となる。しかし、高価な半導体部品を用いるハイエンド半導体パッケージでは、配線ネットの断線しかかりも品質に大きく影響する。配線ネットの断線しかかりを検出するために、I−V法では、電流と電圧のより算出される抵抗値を良品と比較する方法が採られる。
一方、静電容量法では、断線しかかりが起こっても静電容量が変化しにくいため、断線しかかりの検出が困難であるといった課題がある。
本発明は、このような課題に鑑みなされたもので、配線ネットの電気検査において、静電容量法でも断線しかかりの検出が容易な配線基板及び検査方法を提供することにある。
With the IV method and the capacitance method, it is possible to detect disconnection / short circuit of the
On the other hand, the capacitance method has a problem that it is difficult to detect the disconnection because the capacitance does not easily change even if the disconnection occurs.
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a wiring board and an inspection method in which it is easy to detect a disconnection even by a capacitance method in an electrical inspection of a wiring net.
課題解決のために、本発明の一形態は、絶縁層を挟んで積層した複数の配線層と、絶縁層を貫通して配線層間を電気的に接続するビアと、を備え、上記配線層と上記ビアから構成される配線ネットの導通を、上記配線ネットと外部電極との間の静電容量から検査される配線基板であって、上記外部電極と対向する面に、電気的絶縁を持たせたスペーサー層を有することを特徴とする。
ここで、上記の配線基板は、半導体部品に搭載される際には、スペーサー層を除去してから用いられる。
また、本発明の他の態様は、上記態様の配線基板における、上記配線層と上記ビアから構成される配線ネットの導通を、上記配線ネットと外部電極との間の静電容量から検査する検査方法であって、上記配線基板に電圧を印加した時の、配線ネットと外部電極間に発生する電圧が予め設定した値となるまでに要する時間により配線ネットの断線の良品判断を行うことを特徴とする。
In order to solve the problem, one embodiment of the present invention includes a plurality of wiring layers laminated with an insulating layer interposed therebetween, and vias penetrating the insulating layer to electrically connect the wiring layers. A wiring board in which the continuity of the wiring net composed of the vias is inspected from the capacitance between the wiring net and the external electrode, and the surface facing the external electrode is provided with electrical insulation. It is characterized by having a spacer layer.
Here, the wiring board is used after removing the spacer layer when it is mounted on a semiconductor component.
Another aspect of the present invention is an inspection for inspecting the continuity of the wiring net composed of the wiring layer and the via in the wiring board of the above aspect from the electrostatic capacitance between the wiring net and the external electrode. It is a method, and is characterized in that a good product is judged as a disconnection of a wiring net based on the time required for the voltage generated between the wiring net and an external electrode to reach a preset value when a voltage is applied to the wiring board. And.
本発明の態様によれば、半導体部品に搭載される配線基板について、搭載前の段階で、静電容量法で配線の断線しかかりを検出することが可能となる。 According to the aspect of the present invention, it is possible to detect the disconnection of the wiring by the capacitance method in the wiring board mounted on the semiconductor component at the stage before mounting.
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
(第1の実施の形態)
[第1の実施の形態に係る配線基板の構造]
まず、第1の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。
図3は第1の実施の形態に係る配線基板の電気検査方法を例示する概略図であり、本発明に関わる配線しかかりの検査概略を示した図である。
配線基板の基本構成は、従来と同様であり、配線基板42は、絶縁層51(図2参照)を挟んで積層した複数の配線層52と、絶縁層を貫通して配線層間を電気的に接続するビアと、を備える。符号43は、配線ネットを示す。図2では、配線ネットが2つ記載され、図3では、配線ネットが1つ記載されている。
本実施形態の配線基板42は、図3に示すように、絶縁層51(図2参照)と、配線層52と、ビア53と、上部電極44a、下部電極44bとスペーサー層46を有する。
電気検査が終了後に、絶縁層上層には、他の配線層や絶縁層、ビア配線、コア層等の任意の層を形成することができる。電気検査が終了後であって、スペーサー層46を剥離した後に、絶縁層の下層に対し、樹脂を主成分とする層、シリコンを主成分とする層、セラミックを主成分とする層等が含まれていてもよい。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components may be designated by the same reference numerals and duplicate explanations may be omitted.
(First Embodiment)
[Structure of Wiring Board According to First Embodiment]
First, the structure of the wiring board according to the first embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an electrical inspection method of a wiring board according to the first embodiment, and is a diagram showing an outline of an inspection of wiring starting according to the present invention.
The basic configuration of the wiring board is the same as that of the conventional one, and the
As shown in FIG. 3, the
After the electrical inspection is completed, any layer such as another wiring layer, an insulating layer, via wiring, or a core layer can be formed on the upper layer of the insulating layer. After the electrical inspection is completed and the
<絶縁層>
絶縁層は、例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等により形成されている。又、絶縁性樹脂として、例えば、熱硬化性の絶縁性樹脂又は感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層の厚さは、例えば、3μm〜35μmとすることができる。絶縁層は、シリカ(SiO2)等のフィラーを含有しても構わない。
そして、絶縁層の上層において、全層が熱硬化性の絶縁性樹脂又は感光性の絶縁性樹脂からなるビルドアップ層で構成されていても良いし、熱硬化性の絶縁性樹脂又は感光性の絶縁性樹脂のビルドアップ層が双方存在して構成されていても良い。
<Insulation layer>
The insulating layer is formed of, for example, an epoxy resin or an insulating resin containing a polyimide resin as a main component. Further, as the insulating resin, for example, a thermosetting insulating resin or a photosensitive insulating resin can be used. The thickness of the insulating layer can be, for example, 3 μm to 35 μm. The insulating layer may contain a filler such as silica (SiO2).
Further, in the upper layer of the insulating layer, the entire layer may be composed of a build-up layer made of a thermosetting insulating resin or a photosensitive insulating resin, or a thermosetting insulating resin or a photosensitive insulating resin. Both build-up layers of the insulating resin may be present and configured.
<スペーサー層46>
スペーサー層46は、配線ネット43の電気検査が終了後に剥離される層である。スペーサー層46は、絶縁樹脂で構成され、例えば、熱硬化性の絶縁性樹脂又は感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。有機材料からなる絶縁樹脂を用いたスペーサー層の厚さは、例えば、3μm〜35μmとすることができる。絶縁層は、シリカ(SiO2)等のフィラーを含有しても構わない。
スペーサー層46は、無機物により構成することも可能である、この場合、スペーサー層46は、CVDやスパッタリング等で各種無機物を成膜して用いることができる。無機物を用いたスペーサー層の厚さは、例えば、0.05μm〜0.2μmとすることができる。
また、スペーサー層46の比誘電率は、2.0以上であることが望ましい。
<
The
The
Further, it is desirable that the relative permittivity of the
<配線層>
配線層52は、絶縁層51の上層に、所定の平面形状にパターニングされている。配線層52の材料としては、例えば、銅(Cu)等を用いることができる。配線層52の厚さは、例えば、1〜15μmとすることができる。配線層52は、ビア53等を介して下層の配線層52と接続されている。
<Wiring layer>
The
<電極>
上部電極44a、下部電極44bは、配線基板42の最外に位置する絶縁層51に形成されており、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続することができる。上部電極44a、下部電極44bは、絶縁層51の表面に対し、突起する形状でも良く、平坦でも良く、凹んだ形状でも良い。
上部電極44a、下部電極44bの材料としては、例えば、銅(Cu)を用いることができる。又、上部電極44a、下部電極44bの形成には、例えば、周知のセミアディティブ法を用いることができる。又、金属ポストの形成には、例えば、周知のサブトラクティブ法を用いてもよい。
<Electrode>
The
As the material of the
(電気検査方法)
本実施形態の配線ネットの検査方法は、静電容量法を採用する。検査方法は、図3に示すように、配線層とビアから構成される配線ネット43の導通を、配線ネットと配線基板の下側に配置した外部電極45との間の静電容量によって検査する。
すなわち、本実施形態の検査方法では、上記構成の配線基板42を外部電極45の上に設置し、上部電極44aと外部電極45間にパルス電圧Vinを印加する。
(Electrical inspection method)
As the inspection method of the wiring net of this embodiment, the capacitance method is adopted. As shown in FIG. 3, the inspection method inspects the continuity of the
That is, in the inspection method of the present embodiment, the
パルス電圧Vinを印加すると、配線層52、ビア53、上部電極44a、及び下部電極44bから構成される配線ネット43と、外部電極45との間に発生する容量成分Coutに掛かる電圧Voutが、図4に示すように立上って、経時に従い増加する。
容量成分Coutに掛かる電圧Voutの立ち上がり時間は、配線ネット43の抵抗値Rと容量成分Coutとの積に比例する。抵抗値Rと容量成分Coutの積は時定数τと呼ばれ、時定数τは、静電容量を持った素子の応答速度の特性を表す値となる。
When the pulse voltage Vin is applied, the voltage Vout applied to the capacitive component Cout generated between the
The rise time of the voltage Vout applied to the capacitance component Cout is proportional to the product of the resistance value R of the
ここで、配線ネット43に断線しかかりが発生すると配線ネット43の抵抗値はRより増加したR1の抵抗値を持つことなる。このため、断線しかかりが発生すると、図4中に破線で示すように、電圧Voutの立ち上がり時間が、断線しかかりに比例して増加する。本実施形態の検査方法では、この立ち上がり時間を正常部と比較することで、断線しかかりを検出する。
また、容量成分Coutは、向かい合う電極44b、45の面積Sと、その間隔dと、電極44b、45間の材料、つまりスペーサー層46の材料の誘電率εにより決定される。
Here, when the
Further, the capacitive component Cout is determined by the area S of the
従来の静電容量法による検査方法では、検査対象の配線基板の下層と外部電極との間にポーラス状絶縁シートを挟むようにして、検査装置の外部電極上に、配線基板を載せることで、配線基板を装置に吸着によって固定をした後、測定を実施していた。ポーラス状絶縁シートの厚みは50〜100μm程度であった。
本実施形態では、従来用いていた、ポーラス状絶縁シートより薄いスペーサー層を配線基板下部に設けることが可能となるので、従来の検査手法よりも電極間隔dの値を小さくすることにより、容量成分Coutを大きくとることができる。
In the inspection method by the conventional capacitance method, the wiring board is placed on the external electrode of the inspection device by sandwiching the porous insulating sheet between the lower layer of the wiring board to be inspected and the external electrode. Was fixed to the device by adsorption, and then the measurement was carried out. The thickness of the porous insulating sheet was about 50 to 100 μm.
In the present embodiment, it is possible to provide a spacer layer thinner than the porous insulating sheet used conventionally at the lower part of the wiring board. Therefore, by making the value of the electrode spacing d smaller than that of the conventional inspection method, the capacitance component Cout can be taken large.
このように、本実施形態では、容量成分Coutを大きくすることで、電圧Voutの立ち上がり時間が長くなるため、断線しかかりを精度良く検出することが可能となる。
上部電極44aと外部電極45間に印加する電圧Vinは、連続パルス電圧として、1回に限らず複数回繰り返しても良い。例えば、図5のように電圧Vinを印加し、複数回の立ち上がり時間をサンプリングすることで、よりノイズやエラーを除外することができ、より精度良く断線しかかりを検出することが可能となる。
As described above, in the present embodiment, by increasing the capacitance component Cout, the rising time of the voltage Vout becomes long, so that it is possible to accurately detect the disconnection.
The voltage Vin applied between the
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施形態について図面を参照して説明する。
第1の実施形態と同様な構成、方法については、説明を省略して記載する。
本実施形態の基本構成は、第1の実施形態と同様である。
(Second embodiment)
Next, the second embodiment will be described with reference to the drawings.
The configuration and method similar to those of the first embodiment will be described without description.
The basic configuration of this embodiment is the same as that of the first embodiment.
[第2の実施の形態に係る配線基板の構造]
発明に基づく実施形態の検査方法の検査精度を向上させるには、向かい合う電極44b、45の電極面積Sを大きくすることも有効である。
本実施形態では、図6に示すように、スペーサー層46の上部に対し、下部電極44bを形成した絶縁層と対向する側の間に、上層導電層47を設ける。上層導電層47を設けることで、被測定対象基板の電極面積は基板サイズと同サイズとなり、容量成分Coutの値を大きくすることができる。これにより、正常な配線ネット抵抗値Rと、一部断線しかかりが発生している配線ネットでの抵抗値R1との差が小さい場合でも、容量成分Coutを大きくすることで、時定数τを大きくとることができる。
すなわち、本実施形態にあっては、断線しかかりをより精度良く検出することが可能となる。
上層導電層47は、下部電極44bを形成後にその上にスパッタリング法、無電解めっき等の手法にて形成しても良いし、周知のセミアディティブプロセスを用いる場合は、下部電極44bを形成するにあたり用いた給電層をそのまま使用しても良い。
[Structure of Wiring Board According to Second Embodiment]
In order to improve the inspection accuracy of the inspection method of the embodiment based on the invention, it is also effective to increase the electrode area S of the facing
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, an upper
That is, in the present embodiment, it is possible to detect the disconnection more accurately.
The upper
(第3の実施の形態)
次に、第3の実施形態について図面を参照して説明する。
第1の実施形態、及び第2の実施形態と同様な構成、方法については、説明を省略して記載する。
本実施形態の基本構成は、第1の実施形態、又は第2の実施形態と同様である。
(Third embodiment)
Next, the third embodiment will be described with reference to the drawings.
The same configurations and methods as those of the first embodiment and the second embodiment will be described without description.
The basic configuration of this embodiment is the same as that of the first embodiment or the second embodiment.
[第3の実施の形態に係る配線基板の構造]
実施の形態の検査方法をする際に、被測定対象となる配線基板42は電気検査装置のステージ、すなわち外部電極45に吸着固定した後、上部電極44aにプローブを接触させることで容量成分の測定を行う。しかし、配線基板42は多層構造をとることで、反りやうねりなど発生し、外部電極45に吸着することができず、測定できないことがある。
[Structure of Wiring Board According to Third Embodiment]
When the inspection method of the embodiment is performed, the
そこで、本実施形態では、図7、8、9に示すように、スペーサー層46の下層に、下層導電層48を設ける。下層導電層48を設けることで、外部電極に吸着固定ができない場合でも、上部電極44aと下層導電層48間に電圧Vinを印加することで、測定が精度良く実行可能となる。
被測定対象となる配線基板42が電気検査装置のステージに吸着可能な場合は、図7の形態をとり、反りやうねりなどの影響によりステージ吸着ができない場合は、図9の形態をとる。
このように、本実施形態にあっては、安定して測定が可能となり、断線しかかりをより精度良く検出することが可能となる。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIGS. 7, 8 and 9, the lower
If the
As described above, in the present embodiment, stable measurement is possible, and it is possible to detect disconnection with more accuracy.
(全実施形態での効果)
本実施形態の配線基板の検査方法及び配線基板によれば、静電容量法で配線の断線しかかりを検出することが可能となる。
(Effects in all embodiments)
According to the wiring board inspection method and the wiring board of the present embodiment, it is possible to detect the disconnection of the wiring by the capacitance method.
41a、41bプローブ
42 配線基板
43 配線ネット
44a 上部電極
44b 下部電極
45 外部電極
46 スペーサー層
47 上層導電層
48 下層導電層
51 絶縁層
52 配線層
53 ビア
Vin 電圧
41a,
Claims (9)
上記外部電極と対向させる面に、電気的絶縁を持たせたスペーサー層を有することを特徴とする配線基板。 A plurality of wiring layers laminated with an insulating layer interposed therebetween and vias penetrating the insulating layer to electrically connect the wiring layers are provided, and the conduction of the wiring net composed of the wiring layer and the vias is described above. A wiring board that is inspected from the capacitance between the wiring net and the external electrode.
A wiring board characterized by having a spacer layer having electrical insulation on a surface facing the external electrode.
上記配線基板に電圧を印加した時の、配線ネットと外部電極間に発生する電圧が予め設定した値となるまでに要する時間により配線ネットの断線の良品判断を行うことを特徴とする配線基板の検査方法。 Inspecting the continuity of the wiring net composed of the wiring layer and the via in the wiring board according to any one of claims 1 to 6 from the capacitance between the wiring net and the external electrode. It is an inspection method to be done
A wiring board characterized by determining whether the wiring net is broken or not based on the time required for the voltage generated between the wiring net and the external electrode to reach a preset value when a voltage is applied to the wiring board. Inspection method.
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