JP2021183873A - 熱処理炉 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理炉において、比較的大きな基板であっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。【解決手段】熱処理炉１０は、処理室１２を内部に有する筐体１１と、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれにおいてガスの還流を発生させるために設けられている還流発生機構１５とを備える。左右の還流発生機構１５それぞれは、後側から前側にガスを誘導するためのダクト２１Ｌ（２１Ｒ）と、ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）内のガスを後側から前側に流すことで前記還流を発生させるためのファン２２Ｌ（２２Ｒ）と、ガスを加熱するヒータ２３Ｌ（２３Ｒ）と、２１Ｌ（２１Ｒ）、ガスを通過させて清浄化したガスを放出するフィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）と、フィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）を通過したガスの一部を処理室１２の左右方向の中央側に誘導すると共に当該ガスの一部を後側に向かって放出するノズル２５Ｌ（２５Ｒ）とを備える。【選択図】 図１

Description

本発明は、熱処理炉に関する。

工業製品の製造において、その中間品（処理品）に熱処理が施されることがある。特許文献１に、処理品が基板である場合の熱処理用の装置が開示されている。特許文献１に開示されている装置は、筐体と、筐体内に加熱ガスを供給する機構とを備える。筐体に、基板を出し入れするための開口が設けられていて、その開口は扉（シャッタ）によって閉塞及び開放される。

特開２００５−１８３６３８号公報

近年、熱処理の対象となる基板は大型化しており、大型の基板を全体にわたって均等に熱処理するための取り組みが様々行われている。

特許文献１に開示の装置の場合、筐体内を加熱ガスが一方向に流れる。この場合、基板が大型であると、例えば基板の左右方向の中央部と両側部とで加熱ガスの流速が異なることがあり、均等に熱処理されない可能性がある。また、筐体内の温度に関して、扉が設けられている筐体の開口側は、他の領域と比較して低温となりやすい。このため、基板が均等に熱処理されない可能性がある。

そこで、本開示は、比較的大きな基板であっても、全体として均等に熱処理することが可能となる熱処理炉を提供することを目的とする。

（１）本開示の熱処理炉は、前後及び左右に広がる処理室を内部に有すると共に、当該処理室に対する基板の出し入れのために前側に設けられている開口を閉塞及び開放する扉を有する筐体と、前記処理室の右領域及び左領域それぞれにおいてガスの還流を発生させるために左右それぞれに設けられている還流発生機構と、を備え、左右の前記還流発生機構それぞれは、前記筐体に沿って後側から前側にガスを誘導するためのダクトと、前記ダクト内のガスを後側から前側に流すことで前記還流を発生させるためのファンと、ガスを加熱するヒータと、前記ダクトの前寄りに設けられガスを通過させて清浄化したガスを放出するフィルタと、前記フィルタを通過したガスの一部を前記処理室の左右方向の中央側に誘導すると共に当該ガスの一部を後側に向かって放出するノズルと、を備える。

前記熱処理炉によれば、筐体内の処理室の右領域及び左領域それぞれで、ヒータにより加熱されたガスの還流が生じることから、比較的大きな基板であっても、前記ガスによって、全体として熱処理することが可能となる。
処理室の右領域及び左領域それぞれで還流が生じると、処理室の前側であって左右方向の中央で温度が上昇し難いことがある。更に、処理室の前側が開口しているため、扉が開かれると、処理室の前側で温度が低下し易い。このため、処理室の前側であって左右方向の中央の範囲に位置する基板の一部は、他部と比較して低温となる可能性がある。
しかし、前記熱処理炉によれば、前記範囲に対して、ノズルからガスを放出することが可能となり、前記範囲の温度を高めることが可能となる。このため、比較的大きな基板であっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。

（２）また、好ましくは、前記ノズルは、前記処理室の左右方向の端側に位置する前記フィルタから左右方向の中央に向かって延びる形状を有し、前記ノズルは、ガスを放出する放出口を左右方向の中央側に片寄って複数有する。この構成により、処理室の前側であって左右方向の中央の範囲に対して、効率よく、ノズルからガスが放出される。

（３）また、前記ノズルから放出されるガスによって、処理室の前側であって左右方向の中央の範囲の温度を、他の範囲と同等に高める機能が、より一層上手く活用されるために、前記左領域で発生するガスの還流と、前記右領域で発生するガスの還流とが、左右で対称となるように、左右の前記還流発生機構は左右で対称となって設けられている。

（４）また、好ましくは、前記筐体は、前部に、左右方向に長い梁状である仕切り部を上下方向に間隔をあけて複数有していて、上下で隣り合う前記仕切り部の間が、前記開口であり、前記仕切り部に、前記ノズルは取り付けられている。この構成によれば、開口を構成するための仕切り部が、ノズルを設置するための部材としても活用される。

（５）また、前記（４）に記載の熱処理炉において、好ましくは、前記開口を挟む上下の前記仕切り部それぞれに、前記ノズルが設けられている。この構成によれば、一つの開口を通じて複数枚の基板が処理室に投入され、これら基板が熱処理される場合であっても、複数枚の基板の上側及び下側それぞれに対して、ノズルからガスが放出される。

（６）また、前記（４）又は（５）に記載の熱処理炉において、好ましくは、前記ノズルの上下方向の寸法は、前記仕切り部の上下方向の寸法以下である。この構成によれば、ノズルによって前記開口が狭くならない。

（７）また、前記（６）に記載の熱処理炉の場合、ノズルの上下方向の寸法に制限があって小さくなる。そこで、更に好ましくは、前記ノズルの前後方向の寸法は、前記ノズルの上下方向の寸法よりも大きい。この場合、ノズルの前後方向の寸法が大きいため、ノズルのガス通過断面積をある程度大きく確保することが可能となる。このため、ノズルにおいて十分な量のガスを通過させ、左右方向の中央の範囲に放出することができる。

本開示によれば、比較的大きな基板であっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。

熱処理炉の正面図である。 図１に示す矢印ＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。 図１に示す矢印ＩＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。 筐体の前側の一部を右側から見た断面図である。 ノズルを処理室側から見た場合の斜視図である。

〔熱処理炉の全体構成について〕
図１は、熱処理炉の正面図である。図２は、図１に示す矢印ＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。図３は、図１に示す矢印ＩＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。図１〜図３に示す熱処理炉１０は、複数枚の基板Ｗを熱処理するための装置である。基板Ｗは、大型であり、例えば矩形であって、前後方向及び左右方向にそれぞれ３メートル程度の寸法を有する。基板Ｗの広い面（上面）が水平面に沿うようにして、基板Ｗは、熱処理１０に投入され、加熱されたガスにより熱処理される。熱処理を終えると基板Ｗは取り出される。基板Ｗの投入及び取り出しは、図外のロボットアームによって行われる。

基板Ｗを筐体１１内に投入するため、及び、基板Ｗを筐体１１から取り出すため、筐体１１に開口１３が設けられている。筐体１１は、開口１３を閉塞及び開放する扉（シャッタ）１４を有する。図２では、一つの扉１４が開口１３を開放している状態が示されている。本開示の熱処理炉１０において、開口１３が設けられている部分が「前」であり、その反対側が「後」である。熱処理炉１０を前から見て右手側が「右」であり、左手側が「左」である。前後（前後方向）及び左右（上下方向）の双方に直交する方向、つまり鉛直方向が、上下（上下方向）となる。図１に示すように、筐体１１の前部の左右両側に、扉１４を開閉動作させるアクチュエータ１９が設けられている。本実施形態では、アクチュエータ１９はエアシリンダであるが、その他の形式であってもよい。

熱処理炉１０は、一つの筐体１１と、左側の還流発生機構１５と、右側の還流発生機構１５とを備える。

筐体１１は、その内部に、前後及び左右に広がる処理室１２を有する。処理室１２は、上下方向にも広がって設けられている。処理室１２に、複数枚の基板Ｗが上下方向に間隔をあけて設けられる。このために、筐体１１は、基板Ｗを載せるラック部２７（図３参照）を上下方向に複数段備える。開口１３は、上下に複数設けられている。一つの開口１３を通じて、二枚の基板Ｗ，Ｗの出し入れが可能となる（図４参照）。図４は、筐体１１の前側の一部を右側から見た断面図である。

図４に示すように、筐体１１は、その前部に、複数の仕切り部２６を有する。仕切り部２６は、左右方向に長い梁状の部材である。仕切り部２６は上下方向に間隔をあけて設けられている。上下で隣り合う仕切り部２６，２６の間が、開口１３である。

扉１４と仕切り部２６との間にはパッキン１８が設けられていて、パッキン１８によって、処理室１２のガスの開口１３から漏れが抑制される。扉１４が開口１３を閉じた状態で、パッキン１８が仕切り部２６に接触することで、ガスの漏れが抑制される。本実施形態では、扉１４の外周縁に沿ってパッキン１８が取り付けられている。

筐体１１は、上下前後左右に壁を有する。これら壁は、断熱性を有する。これら壁に囲まれた領域が、処理室１２である。図３に示すように、筐体１１の前壁２８Ｆに、仕切り部２６、開口１３、及び扉１４が設けられている。筐体１１の後壁２８Ｂの更に後方に、点検室２９が設けられている。点検室２９と処理室１２とが、後壁２８Ｂによって区画されている。

還流発生機構１５は、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれに設けられている。右領域ＡＲは、処理室１２の右側半分の空間であり、左領域ＡＬは、処理室１２の左側半分の空間である。還流発生機構１５は、右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれにおいてガスの還流を発生させるために左右それぞれに設けられている。還流発生機構１５によって発生するガスの還流は、上下方向の仮想線を中心とする還流である。図３では、ガスの流れの様子が白抜きの矢印で示されている。

〔還流発生機構１５について〕
本実施形態では、図３に示すように、左領域ＡＬで発生するガスの還流と、右領域ＡＲで発生するガスの還流とが左右で対称となるように、構成を同じとする左右の還流発生機構１５，１５が左右で対称となって設けられている。第一の還流発生機構１５が、筐体１１の左側に設けられていて、第二の還流発生機構１５が、筐体１１の右側に設けられている。第一の還流発生機構１５と第二の還流発生機構１５とは、処理室１２の中心線Ｃを基準として左右対称の構成を備える。中心線Ｃは、処理室１２を左領域ＡＬと右領域ＡＲとに左右均等に二分割する線である。

左側の還流発生機構１５は、ダクト２１Ｌと、ファン２２Ｌと、ヒータ２３Ｌと、フィルタ２４Ｌと、ノズル２５Ｌとを備える。

ダクト２１Ｌは、筐体１１の内壁面に沿って後側から前側にガスを誘導する。ダクト２１Ｌは、処理室１２の左側の後部に設けられていて左右方向に延びる左後ろ仕切壁３１Ｌと、この左後ろ仕切壁３１Ｌの左端から前に延びて設けられている左仕切壁３２Ｌとを有する。左後ろ仕切壁３１Ｌと筐体１１の後壁２８Ｂとの間に空間が設けられていて、左仕切壁３２Ｌと筐体１１の左壁２８Ｌとの間に空間が設けられていて、これら空間が、ガスの通る流路となる。左後ろ仕切壁３１Ｌの右端と後壁２８Ｂとの間に開口が設けられていて、この開口がガスの導入口３３Ｌとなる。左仕切壁３２Ｌの前側には開口が設けられていて、その開口をフィルタ２４Ｌが覆っている。この開口がガスの放出窓３４Ｌとなる。左後ろ仕切壁３１Ｌよりも前方側であって、左仕切壁３２Ｌよりも右側の領域が、基板Ｗが存在する領域となる。

ファン２２Ｌは、例えばシロッコファンである。ファン２２Ｌは、ダクト２１Ｌのガスの流路において、導入口３３Ｌ側の途中に設けられている。ファン２２Ｌの作動により、基板Ｗが存在する領域のガスが導入口３３Ｌから吸い込まれる。ファン２２Ｌは、ダクト２１Ｌ内のガスを後側から前側に流す。そのガスは、放出窓３４Ｌからフィルタ２４Ｌを通じて、基板Ｗが存在する領域に放出される。これにより、左領域ＡＬにおいてガスの還流を発生させることができる。

ヒータ２３Ｌは、ダクト２１Ｌの前記導入口３３Ｌから導入されたガスを加熱する。ヒータ２３Ｌは、ダクト２１Ｌ内に設置されていて、ダクト２１Ｌを通過するガスを加熱する。ヒータ２３Ｌは、ファン２２Ｌと導入口３３Ｌとの間に設けられている。

フィルタ２４Ｌは、例えばＨＥＰＡフィルタであり、耐熱性を有する。フィルタ２４Ｌは、ダクト２１Ｌの前寄りに設けられている。本実施形態では、ダクト２１Ｌの放出窓３４Ｌは、前後方向に並んで三つ設けられている。フィルタ２４Ｌは、放出窓３４Ｌそれぞれを覆うようにして設けられている。フィルタ２４Ｌは、ダクト２１Ｌを流れて放出窓３４Ｌから放出されるガスを通過させる。これにより、清浄化したガスが、フィルタ２４Ｌから基板Ｗが存在する領域に放出される。

ノズル２５Ｌは、フィルタ２４Ｌを通過したガスの一部を処理室１２の左右方向の中央側に誘導すると共に、誘導したガスの一部を後側に向かって放出する。ノズル２５Ｌの具体的な構成については、後に説明する。ノズル２５Ｌから放出されたガスは、処理室１２の前側であって左右方向の中央の範囲Ｑに向かう。

右側の還流発生機構１５について説明する。
右側の還流発生機構１５は、ダクト２１Ｒと、ファン２２Ｒと、ヒータ２３Ｒと、フィルタ２４Ｒと、ノズル２５Ｒとを備える。

ダクト２１Ｒは、筐体１１の内壁面に沿って後側から前側にガスを誘導する。ダクト２１Ｒは、処理室１２の右側の後部に設けられていて左右方向に延びる右後ろ仕切壁３１Ｒと、この右後ろ仕切壁３１Ｒの右端から前に延びて設けられている右仕切壁３２Ｒとを有する。右後ろ仕切壁３１Ｒと筐体１１の後壁２８Ｂとの間に空間が設けられていて、右仕切壁３２Ｒと筐体１１の右壁２８Ｒとの間に空間が設けられていて、これら空間が、ガスの通る流路となる。右後ろ仕切壁３１Ｒの左端と後壁２８Ｂとの間に開口が設けられていて、この開口がガスの導入口３３Ｒとなる。右仕切壁３２Ｒの前側には開口が設けられていて、その開口をフィルタ２４Ｒが覆っている。この開口がガスの放出窓３４Ｒとなる。右後ろ仕切壁３１Ｒよりも前方側であって、右仕切壁３２Ｒよりも左側の領域が、基板Ｗが存在する領域となる。

ファン２２Ｒは、例えばシロッコファンである。ファン２２Ｒは、ダクト２１Ｒのガスの流路において、導入口３３Ｒ側の途中に設けられている。ファン２２Ｒの作動により、基板Ｗが存在する領域のガスが導入口３３Ｒから吸い込まれる。ファン２２Ｒは、ダクト２１Ｒ内のガスを後側から前側に流す。そのガスは、放出窓３４Ｒからフィルタ２４Ｒを通じて、基板Ｗが存在する領域に放出される。これにより、右領域ＡＲにおいてガスの還流を発生させることができる。

ヒータ２３Ｒは、ダクト２１Ｒの前記導入口３３Ｒから導入されたガスを加熱する。ヒータ２３Ｒは、ダクト２１Ｒ内に設置されていて、ダクト２１Ｒを通過するガスを加熱する。ヒータ２３Ｒは、ファン２２Ｒと導入口３３Ｒとの間に設けられている。

フィルタ２４Ｒは、例えばＨＥＰＡフィルタであり、耐熱性を有する。フィルタ２４Ｒは、ダクト２１Ｒの前寄りに設けられている。本実施形態では、ダクト２１Ｒの放出窓３４Ｒは、前後方向に並んで三つ設けられている。フィルタ２４Ｒは、放出窓３４Ｒそれぞれを覆うようにして設けられている。フィルタ２４Ｒは、ダクト２１Ｒを流れて放出窓３４Ｒから放出されるガスを通過させる。これにより、清浄化したガスが、フィルタ２４Ｒから基板Ｗが存在する領域に放出される。

ノズル２５Ｒは、フィルタ２４Ｒを通過したガスの一部を処理室１２の左右方向の中央側に誘導すると共に、誘導したガスの一部を後側に向かって放出する。ノズル２５Ｒから放出されたガスは、処理室１２の前側であって左右方向の中央の範囲Ｑに向かう。右側のノズル２５Ｒは、左側のノズル２５Ｌと左右対称であるが同じ構成を有する。このため、左側のノズル２５Ｌを例としてノズルの具体的構成を後に説明する。

〔本実施形態の熱処理炉１０について〕
以上より、本実施形態の熱処理炉１０は、前後及び左右に広がる処理室１２を内部に有する筐体１１と、左右の還流発生機構１５とを備える。筐体１１は、扉１４を有していて、その扉１４は、処理室１２に対する基板Ｗの出し入れのために前側に設けられている開口１３を閉塞及び開放する。還流発生機構１５は、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれにおいてガスの還流を発生させるために、左右それぞれに設けられている。左（右）の還流発生機構１５は、ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）、ファン２２Ｌ（２２Ｒ）、ヒータ２３Ｌ（２３Ｒ）、フィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）、及び、ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）を備える。

ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）は、筐体１１の内壁に沿って後側から前側にガスを誘導する。ファン２２Ｌ（２２Ｒ）は、ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）内のガスを後側から前側に流すことでガスの還流を発生させる。図３において、左右のガスの還流が白抜きの矢印で示されている。ヒータ２３Ｌ（２３Ｒ）は、筐体１１内でガスを加熱する。フィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）は、ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）の前寄りに設けられていて、ガスを通過させて清浄化したガスを放出する。ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）は、フィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）を通過したガスの一部を処理室１２の左右方向の中央側に誘導すると共に、そのガスの一部を後側に向かって放出する。

この熱処理炉１０によれば（図３参照）、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれで、ヒータ２３Ｌにより加熱されたガスの還流が生じることから、比較的大きな基板Ｗであっても、前記ガスによって、全体として熱処理することが可能となる。

ここで、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれで還流が生じると、処理室１２の前側であって左右方向の中央（範囲Ｑ）で温度（雰囲気温度）が上昇し難いことがある。これは、左のフィルタ２４Ｌの前寄りの一部から流れるガスと、右のフィルタ２４Ｒの前寄りの一部から流れるガスとが衝突して、範囲Ｑではガスの流れが悪くなるためである。本実施形態では、特に左領域ＡＬで発生するガスの還流と、右領域ＡＲで発生するガスの還流とが、左右で対称となる。このため、前記範囲Ｑでは、ガスの流れが悪くなる。

更に、処理室１２の前側が開口しているため、扉１４が開かれると、処理室１２の前側で温度（雰囲気温度）が低下し易い。このため、前記範囲Ｑに位置する基板Ｗの一部は、他部と比較して低温となる可能性がある。
しかし、本実施形態の熱処理炉１０によれば、前記範囲Ｑに対して、ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）からガスを放出することが可能となり、その範囲Ｑの温度（雰囲気温度）を高めることが可能となる。このため、大きな基板Ｗであっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。

また、基板Ｗの熱処理によって昇華物が発生しても、ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）から放出されるガスによって、その昇華物が筐体１１内の後側へ送られる。このため、昇華物が筐体１１の外部に流出するのを抑えることが可能となる。
更に、本実施形態の熱処理炉１０では、処理室１２が筐体１１の外部（外気）よりも負圧となるように、処理室１２の圧力が調整されている。このため、開口１３の扉１４が開状態となっても、昇華物が、筐体１１内から筐体１１外へ流出するのを抑えることが可能となる。

〔ノズル２５Ｌ，２５Ｒについて〕
ノズルの構成について更に説明する。
左側のノズル２５Ｌと右側のノズル２５Ｌとは、中心線Ｃを基準として左右対称に配置されているが、構成は同じである。そこで、その構成を左側のノズル２５Ｌについて説明する。

図５は、ノズル２５Ｌを処理室１２側から見た場合の斜視図である。ノズル２５Ｌは、処理室１２の左端側に位置するフィルタ２４Ｌの一部から左右方向の中央に向かって延びる形状を有する。ノズル２５Ｌの端部は、フィルタ２４Ｌの一部に取り付けられている。フィルタ２４Ｌに対するノズル２５Ｌの取付部４５は、フィルタ２４Ｌ側に向かって拡大する形状を有する。取付部４５の一部がフィルタ２４Ｌに固定されている。フィルタ２４Ｌを通過したガスが、取付部４５を通じて、ノズル２５Ｌの左右方向の中央側へ導入される。取付部４５は、フィルタ２４Ｌの一部のみを覆っていて、フィルタ２４Ｌの他部は、基板Ｗが存在する領域に露出する。つまり、フィルタ２４Ｌを通過した一部のガスがノズル２５Ｌに導入され、残りは基板Ｗが存在する領域に放出される。

ノズル２５Ｌに、ガスを放出する放出口４０が複数設けられている。フィルタ２４Ｌを通過してノズル２５Ｌに導入されたガスが、放出口４０から、基板Ｗが存在する領域に放出される。放出口４０は、後ろ向きに向かって開口する孔により構成されている。複数の放出口４０は、左右方向の中央側に片寄って配置されている。本実施形態では、放出口４０は、ノズル２５Ｌの後面において、左右方向の中央側に複数設けられていて、左右方向の端側には設けられていない。このように、放出口４０が左右方向の中央側に片寄って設けられていることで、処理室１２（図３参照）の前側であって左右方向の中央の範囲Ｑに対して、効率よく、ノズル２５Ｌからガスが放出される。

ノズル２５Ｌは、梁状の部材である仕切り部２６に取り付けられている。前記のとおり（図２参照）、筐体１１は、複数の仕切り部２６を有する。ノズル２５Ｌは、全ての仕切り部２６に取り付けられていてもよいが、一部の仕切り部２６に取り付けられていなくてもよい。つまり、一部又は全部の仕切り部２６に、ノズル２５Ｌは取り付けられている。仕切り部２６にノズル２５Ｌが取り付けられていることで、開口１３を構成するための仕切り部２６が、ノズル２５Ｌを設置するための部材としても活用される。

本実施形態の熱処理炉１０では、筐体１１に複数の開口１３が設けられている。これら開口１３のうちのほとんどに関して、その開口１３を挟む上下の仕切り部２６，２６それぞれに、ノズル２５Ｌが設けられている。一つの開口１３を通じて二枚の基板Ｗが処理室１２に投入され（図４参照）、これら基板Ｗが熱処理される。一つの開口１３を挟む上下の仕切り部２６，２６それぞれに、ノズル２５Ｌが設けられていることで、これら二枚の基板Ｗの上側及び下側それぞれに対して、ノズル２５Ｌからガスが放出される。

図４及び図５に示すように、ノズル２５Ｌは、横断面が矩形となるパイプにより構成される。ノズル２５Ｌの上下方向の寸法Ｈ１は、仕切り部２６の上下方向の寸法Ｈ２以下である（Ｈ１≦Ｈ２）。本実施形態では、ノズル２５Ｌの前記寸法Ｈ１と、仕切り部２６の前記寸法Ｈ２とは同じである。この構成により、ノズル２５Ｌによって開口１３が狭くならない。

ノズル２５Ｌの上下方向の寸法Ｈ１が、仕切り部２６の上下方向の寸法Ｈ２以下であることから、そのノズル２５Ｌの前記寸法Ｈ１に制限があって小さくなる。そこで、ノズル２５Ｌの前後方向の寸法Ｗ１は、そのノズル２５Ｌの上下方向の寸法Ｈ１よりも大きく設定されている（Ｗ１＞Ｈ１）。このように設定されることで、ノズル２５Ｌの前後方向の寸法Ｗ１が大きく、ノズル２５Ｌのガス通過断面積をある程度大きく確保することが可能となる。このため、ノズル２５Ｌにおいて十分な量のガスを通過させ、前記中央の範囲Ｑに放出することができる。

以上より、本実施形態の熱処理炉１０によれば、処理室１２において、前記中央の範囲Ｑの温度を、他の範囲と同等に、高めることが可能となる。このため、比較的大きな基板Ｗであっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。

〔その他〕
今回開示した実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の権利範囲は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の範囲に記載された構成と均等の範囲内でのすべての変更が含まれる。

１０：熱処理炉 １１：筐体 １２：処理室
１３：開口 １４：扉 １５：還流発生機構
２１Ｌ，２１Ｒ：ダクト ２２Ｌ，２２Ｒ：ファン
２３Ｌ，２３Ｒ：ヒータ ２４Ｌ，２４Ｒ：フィルタ
２５Ｌ，２５Ｒ：ノズル ２６Ｌ，２６Ｒ：仕切り部
ＡＲ：右領域 ＡＬ：左領域 Ｗ：基板

Claims (7)

1. 前後及び左右に広がる処理室を内部に有すると共に、当該処理室に対する基板の出し入れのために前側に設けられている開口を閉塞及び開放する扉を有する筐体と、
   前記処理室の右領域及び左領域それぞれにおいてガスの還流を発生させるために左右それぞれに設けられている還流発生機構と、
   を備え、
   左右の前記還流発生機構それぞれは、
   前記筐体に沿って後側から前側にガスを誘導するためのダクトと、
   前記ダクト内のガスを後側から前側に流すことで前記還流を発生させるためのファンと、
   ガスを加熱するヒータと、
   前記ダクトの前寄りに設けられガスを通過させて清浄化したガスを放出するフィルタと、
   前記フィルタを通過したガスの一部を前記処理室の左右方向の中央側に誘導すると共に当該ガスの一部を後側に向かって放出するノズルと、
   を備える、熱処理炉。
2. 前記ノズルは、前記処理室の左右方向の端側に位置する前記フィルタから左右方向の中央に向かって延びる形状を有し、
   前記ノズルは、ガスを放出する放出口を左右方向の中央側に片寄って複数有する、
   請求項１に記載の熱処理炉。
3. 前記左領域で発生するガスの還流と、前記右領域で発生するガスの還流とが、左右で対称となるように、左右の前記還流発生機構は左右で対称となって設けられている、請求項１又は２に記載の熱処理炉。
4. 前記筐体は、前部に、左右方向に長い梁状である仕切り部を上下方向に間隔をあけて複数有していて、上下で隣り合う前記仕切り部の間が、前記開口であり、
   前記仕切り部に、前記ノズルは取り付けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱処理炉。
5. 前記開口を挟む上下の前記仕切り部それぞれに、前記ノズルが設けられている、請求項４に記載の熱処理炉。
6. 前記ノズルの上下方向の寸法は、前記仕切り部の上下方向の寸法以下である、請求項４又は５に記載の熱処理炉。
7. 前記ノズルの前後方向の寸法は、前記ノズルの上下方向の寸法よりも大きい、請求項６に記載の熱処理炉。

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