JP2021181620A - 積層体とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、下地の基板101を準備し、基板の一方の主面101aに、エアロゾルデポジション法(以下ではAD法と呼ぶ)を用いて、セラミックスの材料からなる第一層(AD膜)102を形成(コーティング)する(図1(a))。基板101としては、ガラス、銅等の金属からなるものが用いられる。形成された第一層102は、基板101と反対側の表面に、非平坦部分としての凹部、具体的には、マイクロメータースケール(5μm未満)の凹部(オープンポア)102Aを有している。
次に、第一層102上に、メタルオーガニックデポジション法(以下ではMOD法と呼ぶ)を用いて、第二層103を形成する。
次に、光照射もしくは放射熱・対流熱の照射を行った前駆体塗膜103Aに対し、焼成もしくは光照射を行う。この場合の処理温度は、280〜320℃の範囲とすることが好ましい。これにより、前駆体塗膜103A中の金属有機化合物が分解されて、無機セラミックスの膜が形成される。このとき、金属有機化合物中の有機基が分解除去されるため、膜の体積は減少し、非結晶性もしくは微結晶性の微粒子を経て無機セラミックスの膜が形成される。
特許文献1に記載されている装置および条件(原料:酸化アルミニウム微粒子粉体、温度:室温)によるAD法を用いて、スライドガラス上に酸化アルミニウム膜(AD膜(第一層))を作製した。次に、MOD法を用いて、この酸化アルミニウム膜上に酸化アルミニウム積層膜(MOD膜(第二層))を作製した。
塗布溶液金属濃度:0.4mol/L
塗布方法:スピンコート(3000rpm、10s)
乾燥:ホットプレートを使用、120℃
焼成:電気炉を使用、窒素フロー中300℃
上記の塗布−乾燥−焼成工程のサイクルを1〜7回繰り返して、膜厚を最大0.3μmまで変化させ、MOD/AD積層体におけるMOD膜膜厚依存性を調べた。
AD法を用いて、銅板上に酸化アルミニウム膜(第一層)を形成し、次にMOD法を用いて、酸化アルミニウム積層膜(第二層)を形成してMOD/AD積層体を作製した。第一層、第二層の成膜条件は、実施例1と同様とした。銅板を用いて作製されたMOD/AD積層体、ならびにAD膜単体の耐電圧の測定を行った。測定の結果を表3に示す。
特許文献1に記載されている条件により、AD法を用いて、スライドガラス上に酸化アルミニウム膜(AD膜(第一層))を作製した。次に、MOD法を用いて、この酸化アルミニウム膜上に酸化ケイ素膜(MOD膜(第二層))を作製し、MOD酸化ケイ素/AD酸化アルミニウム積層体を得た。
塗布溶液金属濃度:0.5mol/L
塗布方法:スピンコート(3000rpm、10s)
乾燥:ホットプレートを使用、120℃
焼成:電気炉を使用、窒素フロー中300℃
上記の塗布−乾燥−焼成工程のサイクルを1〜7回繰り返して膜厚を変化させ、MOD/AD積層体の形状、特性等のMOD膜膜厚依存性を調べた。
AD法を用いて、銅板上に酸化アルミニウム膜(第一層)を形成し、次にMOD法によって酸化ケイ素膜(第二層)を形成してMOD/AD積層体を作製した。第一層、第二層の成膜条件は、実施例3と同様とした。
特許文献1に記載されている条件により、AD法を用いて、スライドガラス上に酸化アルミニウム膜(AD膜(第一層))を作製した。次に、MOD法を用いて、このAD膜上に、酸化バナジウム膜(MOD膜(第二層))を作製し、MOD酸化バナジウム/AD酸化アルミニウム積層体を得た。
塗布溶液金属濃度:0.25wt%
塗布方法:スピンコート(3000rpm、10s)
乾燥:ホットプレートを使用、120℃
焼成:電気炉を使用、窒素フロー中300℃
上記の塗布−乾燥−焼成工程のサイクルを1〜7回繰り返して膜厚を変化させ、MOD/AD積層体の形状、特性等のMOD膜膜厚依存性を調べた。
101、201・・・基板
101a、201a・・・基板の一方の主面
102、202・・・第一層(AD膜)
102A、202A・・・凹部
103、103C、203・・・第二層(MOD膜)
103A・・・MOD膜前駆体
103B・・・空孔
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の一方の主面に形成され、前記基板と反対側に非平坦部分としての深さが5μm未満の凹部を有し、セラミックスからなる第一層と、
少なくとも前記凹部が充填されるように前記第一層上に形成された、非結晶性あるいは微結晶性の材料からなる第二層と、を備え、
前記非結晶性あるいは微結晶性の材料が、無機のセラミックスの材料からなり、
前記基板の一方の主面は、前記第一層の表面及び前記第二層の表面よりも平坦であり、
前記第二層の表面が、前記第一層の表面より平坦であることを特徴とする積層体。 - 前記第二層の表面粗さ(Rz)が、前記第一層の表面粗さ(Rz)より小さいことを特徴とする請求項1に記載の積層体。
- 前記第一層と前記第二層とで構成される積層膜が、可視光に対して透過性を有することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の積層体。
- 前記積層膜の可視光の透過率が、前記第一層のみの可視光の透過率の1.2倍以上であることを特徴とする請求項3に記載の積層体。
- 前記積層膜のヘイズ値が、前記第一層のみのヘイズ値の30%以下であることを特徴とする請求項3または4のいずれかに記載の積層体。
- 前記第一層と前記第二層とで構成される積層膜の耐電圧が、前記第一層のみの耐電圧の2倍以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記第二層が二つ以上の層を重ねてなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の積層体。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の積層体の製造方法であって、
AD法を用いて、基板の一方の主面に、前記基板と反対側に深さが5μm未満の凹部を有し、セラミックスの材料からなる第一層を形成する工程と、
MOD法を用いて、少なくとも前記凹部が充填されるように、前記第一層上に非結晶性あるいは微結晶性の材料からなる第二層を形成する工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法。 - 前記第二層を形成する工程において、金属有機化合物を熱分解または光分解することを特徴とする請求項8に記載の積層体の製造方法。
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