JP2021179490A

JP2021179490A - Liquid crystal device and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2021179490A
Application number: JP2020083825A
Authority: JP
Inventors: 翔太飯塚; Shota Iizuka
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2020-05-12
Filing date: 2020-05-12
Publication date: 2021-11-18

Abstract

To provide a liquid crystal device capable of improving display quality, and an electronic apparatus.SOLUTION: A liquid crystal device 100 comprises: a liquid crystal layer between an element substrate and a counter substrate; an eighth insulator layer 40h disposed between a first substrate composing the element substrate and the liquid crystal layer; a plurality of pixel electrodes 27 disposed between the eighth insulator layer 40h and the liquid crystal layer; and a recess 50 provided in the eighth insulator layer 40h between pixel electrodes 27 adjacent to each other. The recess 50 has a depth of 100 Å or more.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display and an electronic device.

液晶装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。 As a liquid crystal device, an active drive type liquid crystal device having a switching element in a pixel is known. Such a liquid crystal device is used, for example, as a light bulb of a projector as an electronic device.

液晶装置は、例えば、プロジェクターのレーザー光源などから強い光が照射されると、液晶層に含まれる液晶分子が分解され、液晶層の中に表示不良の原因となる不純物イオンが生成されることがある。例えば、特許文献１には、表示領域を囲む遮光領域に切り込みを設けることにより、切り込みに不純物イオンを集積させて、表示に影響を及ぼさないようにする技術が開示されている。 When a liquid crystal device is irradiated with strong light from, for example, a laser light source of a projector, liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer may be decomposed and impurity ions causing display defects may be generated in the liquid crystal layer. be. For example, Patent Document 1 discloses a technique of providing a notch in a light-shielding region surrounding a display region to accumulate impurity ions in the notch so as not to affect the display.

特開２０１９−４０１５３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-40153

しかしながら、特許文献１に記載の液晶装置では、集積される不純物イオンの量が増えると、切り込みから溢れた不純物イオンによって、表示不良、即ち、角シミが発生するという課題がある。 However, the liquid crystal display described in Patent Document 1 has a problem that when the amount of accumulated impurity ions increases, display defects, that is, corner stains, occur due to the impurity ions overflowing from the notch.

液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層を備える液晶装置であって、前記素子基板を構成する基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、前記絶縁層に設けられ、平面視で、前記画素電極と、前記画素電極に隣り合う画素電極との間に、前記液晶層につながる開口を有する凹部と、を備え、前記凹部の深さは、１００Å以上である。 The liquid crystal display is a liquid crystal device having a liquid crystal layer between the element substrate and the facing substrate, and is an insulating layer arranged between the substrate constituting the element substrate and the liquid crystal layer, and the insulating layer and the above. A plurality of pixel electrodes arranged between the liquid crystal layer and an opening connected to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the pixel electrode adjacent to the pixel electrode in a plan view provided on the insulating layer. The recess is provided with a recess having a depth of 100 Å or more.

電子機器は、上記に記載の液晶装置を備える。 The electronic device includes the liquid crystal display described above.

第１実施形態の液晶装置の構成を示す平面図。The plan view which shows the structure of the liquid crystal apparatus of 1st Embodiment. 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line HH'of the liquid crystal display shown in FIG. 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。An equivalent circuit diagram showing the electrical configuration of a liquid crystal display. 液晶装置の具体的な構造を示す断面図。The cross-sectional view which shows the concrete structure of the liquid crystal apparatus. 画素の構成を示す平面図。The plan view which shows the composition of a pixel. 図５に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA'of the pixels shown in FIG. 配向膜の状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state of the alignment film. 液晶分子の配向状態と速度分布とを示す断面図。A cross-sectional view showing the orientation state and velocity distribution of liquid crystal molecules. 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of a projector as an electronic device. 第２実施形態の画素の構造を示す断面図。The cross-sectional view which shows the structure of the pixel of 2nd Embodiment. 変形例の画素の構造を示す断面図。The cross-sectional view which shows the structure of the pixel of the modification.

第１実施形態
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス又は石英などである。 First Embodiment As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display 100 of the present embodiment is a liquid crystal display as an electro-optic layer sandwiched between an element substrate 10 and an opposed substrate 20 arranged to face each other and a pair of the substrates. It has a layer 15. The first base material 10a as the substrate constituting the element substrate 10 and the second base material 20a constituting the facing substrate 20 are, for example, glass or quartz.

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。 The element substrate 10 is larger than the facing substrate 20, and both substrates are joined via a sealing material 14 arranged along the outer periphery of the facing substrate 20. A liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy is enclosed in the gap to form the liquid crystal layer 15.

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、例えば、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。 As the sealing material 14, for example, an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin is adopted. For example, a spacer for keeping the distance between the pair of substrates constant is mixed in the sealing material 14.

シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐを配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域Ｅ１が配置されている。 Inside the sealing material 14, a display area E in which a plurality of pixels P that contribute to display are arranged is provided. Around the display area E, a peripheral area E1 provided with a peripheral circuit or the like that does not contribute to the display is arranged.

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と１辺部との間には、データ線駆動回路２２が設けられている。また、１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、検査回路２５が設けられている。さらに、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路２４が設けられている。１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。 A data line drive circuit 22 is provided between the sealing material 14 along one side of the element substrate 10 and the one side. Further, an inspection circuit 25 is provided between the sealing material 14 along the other side portion facing the one side portion and the display area E. Further, a scanning line drive circuit 24 is provided between the sealing material 14 and the display area E along the other two sides that are orthogonal to one side and face each other. A plurality of wirings 29 connecting the two scanning line drive circuits 24 are provided between the sealing material 14 and the inspection circuit 25 along the other side portion facing the one side portion.

対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。 A light-shielding film 18 is also provided in the shape of a frame inside the sealing material 14 arranged in the shape of a frame on the side of the facing substrate 20. The light-shielding film 18 is made of, for example, a light-reflecting metal or a metal oxide, and the inside of the light-shielding film 18 is a display region E having a plurality of pixels P. As the light-shielding film 18, for example, tungsten silicide (WSi) can be used.

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子７０に接続されている。以降、１辺部に沿った方向をＸ方向とし、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、Ｚ方向から見ることを平面視という。 The wiring connected to the data line drive circuit 22 and the scanning line drive circuit 24 is connected to a plurality of external connection terminals 70 arranged along one side. Hereinafter, the direction along one side portion will be referred to as the X direction, and the direction along the other two side portions orthogonal to the one side portion and facing each other will be described as the Y direction. Further, viewing from the Z direction is called a plan view.

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極２７と、スイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、データ線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the first base material 10a on the liquid crystal layer 15 side, a pixel electrode 27 having light reflectivity provided for each pixel P and a thin film as a switching element (hereinafter, “transistor”). 30 ”), data lines (not shown), and a first alignment film 28 covering them are formed.

画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で形成されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、トランジスター３０、第１配向膜２８を含むものである。 The pixel electrode 27 is formed of, for example, a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide). The element substrate 10 in the present invention includes at least a pixel electrode 27, a transistor 30, and a first alignment film 28.

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。 On the surface of the facing substrate 20 on the liquid crystal layer 15 side, a light-shielding film 18, an insulating layer 33 formed to cover the light-shielding film 18, a counter electrode 31 provided to cover the insulating layer 33, and a counter electrode 31 A second alignment film 32 is provided to cover the surface. The facing substrate 20 in the present invention includes at least a light-shielding film 18, a facing electrode 31, and a second alignment film 32.

遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。 As shown in FIG. 1, the light-shielding film 18 surrounds the display area E and is provided at a position where it planely overlaps with the scanning line drive circuit 24 and the inspection circuit 25. As a result, the light incident on the peripheral circuits including these drive circuits is shielded from the opposite board 20 side, and the peripheral circuits are prevented from malfunctioning due to the light. Further, the display area E is shielded from light so that unnecessary stray light does not enter the display area E, thereby ensuring high contrast in the display of the display area E.

絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。 The insulating layer 33 is made of an inorganic material such as silicon oxide, has light transmittance, and is provided so as to cover the light-shielding film 18. Examples of the method for forming such an insulating layer 33 include a method of forming a film by using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like.

対向電極３１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。 The counter electrode 31 is made of a transparent conductive film such as ITO, covers the insulating layer 33, and is connected to the wiring on the element substrate 10 side by the vertical conductive portions 26 provided at the four corners of the counter substrate 20 as shown in FIG. It is electrically connected.

画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。 The first alignment film 28 that covers the pixel electrode 27 and the second alignment film 32 that covers the counter electrode 31 are selected based on the optical design of the liquid crystal device 100. As the first alignment film 28 and the second alignment film 32, an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) is formed into a film by using a vapor phase growth method, and the first alignment film 28 and the second alignment film 32 are substantially formed with respect to liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy. Examples thereof include a vertically oriented inorganic alignment film.

このような液晶装置１００は、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。 Such a liquid crystal device 100 is a transmissive type, and the transmittance of the pixel P when no voltage is applied is larger than the transmittance when the voltage is applied. A normally black mode optical design is adopted in which the rate is smaller than the transmittance when a voltage is applied. Polarizing elements are arranged and used on the incident side and the emitted side of light according to the optical design.

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。 As shown in FIG. 3, the liquid crystal display 100 has a plurality of scanning lines 3a and a plurality of data lines 6a isolated from each other and orthogonal to each other, and a capacitance line 3b at least in the display region E. For example, the direction in which the scanning line 3a extends is the X direction, and the direction in which the data line 6a extends is the Y direction.

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。 A pixel electrode 27, a transistor 30, and a capacitance element 16 are provided in a region divided by the scanning line 3a, the data line 6a, the capacitance line 3b, and these signal lines, and these form a pixel circuit of the pixel P. It is composed.

走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続されている。 The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the transistor 30, and the data line 6a is electrically connected to the source region of the transistor 30. The pixel electrode 27 is electrically connected to the drain region of the transistor 30.

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。 The data line 6a is connected to the data line drive circuit 22 (see FIG. 1), and supplies the image signals D1, D2, ..., Dn supplied from the data line drive circuit 22 to the pixel P. The scanning line 3a is connected to the scanning line driving circuit 24 (see FIG. 1), and supplies scanning signals SC1, SC2, ..., SCm supplied from the scanning line driving circuit 24 to each pixel P.

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。 The image signals D1 to Dn supplied from the data line drive circuit 22 to the data lines 6a may be supplied in this order in a line-sequential manner, or may be supplied to a plurality of adjacent data lines 6a in groups. good. The scanning line drive circuit 24 supplies the scanning signals SC1 to SCm to the scanning line 3a in a pulsed line sequence at a predetermined timing.

液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。 In the liquid crystal apparatus 100, the transistor 30 which is a switching element is turned on for a certain period by the input of the scanning signals SC1 to SCm, so that the image signals D1 to Dn supplied from the data line 6a are pixel electrodes at predetermined timings. It is configured to be written in 27. Then, the image signals D1 to Dn of a predetermined level written in the liquid crystal layer 15 via the pixel electrode 27 are held between the pixel electrode 27 and the counter electrodes 31 arranged to face each other via the liquid crystal layer 15 for a certain period of time. NS.

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。 In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, the capacitance element 16 is connected in parallel with the liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31. The capacitive element 16 has a dielectric layer as a capacitive film between two capacitive electrodes.

図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０と、を備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英である。素子基板１０は、第１基材１０ａの上に、絶縁層４０及び配線層４１と、画素電極２７と、第１配向膜２８と、を備えている。 As shown in FIG. 4, the liquid crystal display 100 includes an element substrate 10 and an opposed substrate 20 arranged to face the element substrate 10. The first base material 10a constituting the element substrate 10 is, for example, quartz. The element substrate 10 includes an insulating layer 40, a wiring layer 41, a pixel electrode 27, and a first alignment film 28 on the first base material 10a.

絶縁層４０は、例えば、酸化シリコンで構成されており、第１絶縁層４０ａと、第２絶縁層４０ｂと、第３絶縁層４０ｃと、第４絶縁層４０ｄと、第５絶縁層４０ｅと、第６絶縁層４０ｆと、第７絶縁層４０ｇと、絶縁層としての第８絶縁層４０ｈと、を有する。第１絶縁層４０ａと第２絶縁層４０ｂとの間には、平面視で四角形の枠状に形成された遮光膜４２が配置されている。配線層４１は、遮光膜４３と、トランジスター３０と、走査線３ａと、容量線３ｂと、データ線６ａと、を備えている。 The insulating layer 40 is made of, for example, silicon oxide, and includes a first insulating layer 40a, a second insulating layer 40b, a third insulating layer 40c, a fourth insulating layer 40d, and a fifth insulating layer 40e. It has a sixth insulating layer 40f, a seventh insulating layer 40g, and an eighth insulating layer 40h as an insulating layer. A light-shielding film 42 formed in a rectangular frame shape in a plan view is arranged between the first insulating layer 40a and the second insulating layer 40b. The wiring layer 41 includes a light-shielding film 43, a transistor 30, a scanning line 3a, a capacitance line 3b, and a data line 6a.

絶縁層４０の上には、画素電極２７が配置されている。画素電極２７の上には、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８の上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が配置されている。 A pixel electrode 27 is arranged on the insulating layer 40. A first alignment film 28 on which an inorganic material such as silicon oxide is obliquely vapor-deposited is provided on the pixel electrode 27. On the first alignment film 28, a liquid crystal layer 15 in which a liquid crystal or the like is enclosed is arranged in a space surrounded by the sealing material 14.

一方、対向基板２０は、第２基材２０ａを備えている。第２基材２０ａは、例えば、石英である。対向基板２０は、第２基材２０ａの上（液晶層１５側）に、絶縁層３３と、対向電極３１と、第２配向膜３２と、を備えている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電性膜からなる。第２配向膜３２は、第１配向膜２８と同様に、例えば、酸化シリコンなどの無機材料が斜方蒸着されている。 On the other hand, the facing substrate 20 includes a second base material 20a. The second base material 20a is, for example, quartz. The facing substrate 20 includes an insulating layer 33, a facing electrode 31, and a second alignment film 32 on the second base material 20a (on the liquid crystal layer 15 side). The counter electrode 31 is made of, for example, a transparent conductive film such as ITO. Similar to the first alignment film 28, the second alignment film 32 is obliquely vapor-deposited with an inorganic material such as silicon oxide.

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。後述するプロジェクター１０００の光Ｌは、素子基板１０側から入射する。次に、図５及び図６を参照しながら、画素Ｐの一部の構成について説明する。 The liquid crystal layer 15 takes a predetermined alignment state by the alignment films 28 and 32 in a state where no electric field is generated between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31. The light L of the projector 1000, which will be described later, is incident from the element substrate 10 side. Next, a configuration of a part of the pixel P will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

図５に示すように、画素Ｐは、隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間に、データ線６ａや走査線３ａが配置されている。また、データ線６ａと走査線３ａとが交差する部分にトランジスター３０が配置されている。 As shown in FIG. 5, in the pixel P, a data line 6a and a scanning line 3a are arranged between the adjacent pixel electrodes 27 and the pixel electrodes 27. Further, the transistor 30 is arranged at a portion where the data line 6a and the scanning line 3a intersect.

図６は、素子基板１０における第８絶縁層４０ｈから画素電極２７までの構造を示す断面図である。図６に示すように、第８絶縁層４０ｈは、例えば、ＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）膜である絶縁層４０ｈ１と、例えば、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）膜である絶縁層４０ｈ２との積層膜である。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of the element substrate 10 from the eighth insulating layer 40h to the pixel electrode 27. As shown in FIG. 6, the eighth insulating layer 40h is a laminated film of, for example, an insulating layer 40h1 which is a TEOS (Tetraethoxysilane) film and, for example, an insulating layer 40h2 which is a BSG (Borosilicate Glass) film.

隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間の絶縁層４０ｈ２には、液晶層１５側に開口し、液晶層１５につながる凹部５０が設けられている。具体的には、凹部５０は、絶縁層４０ｈ２に設けられている。凹部５０の深さＨは、例えば、１００Å以上である。凹部５０の製造方法としては、例えば、マスクを用いて画素電極２７をパターニングした後、ドライエッチング処理を追加して形成する。画素電極２７と画素電極２７との間、即ち、凹部５０の開口５０ａの幅Ｗは、例えば、０．３μｍ〜０．６μｍである。 The insulating layer 40h2 between the adjacent pixel electrodes 27 and the pixel electrodes 27 is provided with a recess 50 that is open on the liquid crystal layer 15 side and is connected to the liquid crystal layer 15. Specifically, the recess 50 is provided in the insulating layer 40h2. The depth H of the recess 50 is, for example, 100 Å or more. As a method for manufacturing the recess 50, for example, after patterning the pixel electrode 27 with a mask, a dry etching process is added to form the recess 50. The width W between the pixel electrode 27 and the pixel electrode 27, that is, the width W of the opening 50a of the recess 50 is, for example, 0.3 μm to 0.6 μm.

このように、画素電極２７と画素電極２７との間の絶縁層４０ｈ２に１００Å以上の深さの凹部５０が設けられているので、例えば、液晶層１５から生成された不純物イオンを凹部５０の開口５０ａを介して凹部５０の中に留めることが可能となる。言い換えれば、表示領域Ｅの中に設けられた複数の凹部５０に不純物イオンを分散させて留めることができる。よって、不純物イオンによる表示不良、言い換えれば、角シミが発生することを抑えることができる。また、ＢＳＧ膜である絶縁層４０ｈ２に凹部５０が設けられているので、ＢＳＧ膜の吸湿性を利用することが可能となり、イオントラップ効果を高めることができる。 As described above, since the insulating layer 40h2 between the pixel electrode 27 and the pixel electrode 27 is provided with the recess 50 having a depth of 100 Å or more, for example, the impurity ions generated from the liquid crystal layer 15 are opened in the recess 50. It can be fastened in the recess 50 via the 50a. In other words, the impurity ions can be dispersed and fastened in the plurality of recesses 50 provided in the display area E. Therefore, it is possible to suppress display defects due to impurity ions, in other words, occurrence of corner stains. Further, since the recess 50 is provided in the insulating layer 40h2 which is the BSG film, the hygroscopicity of the BSG film can be utilized and the ion trap effect can be enhanced.

図７に示すように、素子基板１０の表面、及び対向基板２０の表面には、例えば、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により、斜方蒸着して得られた第１配向膜２８及び第２配向膜３２が形成されている。斜方蒸着する蒸着角度θｂは、例えば、４５°である。これにより、素子基板１０及び対向基板２０の表面には、酸化シリコンの結晶体が柱状に成長する。柱状に成長した柱状結晶体を、カラム２８ａ，３２ａと称する。第１配向膜２８は、カラム２８ａの集合体である。第２配向膜３２は、カラム３２ａの集合体である。 As shown in FIG. 7, the surface of the element substrate 10 and the surface of the opposed substrate 20 are obtained by obliquely vapor-depositing silicon oxide, for example, by a vacuum vapor deposition method, which is an example of a physical vapor deposition method. The first alignment film 28 and the second alignment film 32 are formed. The vapor deposition angle θb for orthorhombic vapor deposition is, for example, 45 °. As a result, silicon oxide crystals grow in columns on the surfaces of the element substrate 10 and the facing substrate 20. The columnar crystals grown in columns are referred to as columns 28a and 32a. The first alignment film 28 is an aggregate of columns 28a. The second alignment film 32 is an aggregate of columns 32a.

カラム２８ａ，３２ａの成長角度θｃは、蒸着角度θｂと必ずしも一致せず、例えば、７０°となっている。第１配向膜２８及び第２配向膜３２の表面において、略垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐは、例えば、８５°である。また、素子基板１０及び対向基板２０の基板面から見た液晶分子ＬＣのプレチルトの方向、即ち方位角方向は、第１配向膜２８及び第２配向膜３２における斜方蒸着における平面的な蒸着方向と同じである。 The growth angles θc of the columns 28a and 32a do not always match the vapor deposition angles θb, and are, for example, 70 °. On the surfaces of the first alignment film 28 and the second alignment film 32, the pretilt angle θp of the liquid crystal molecule LC that is substantially vertically oriented is, for example, 85 °. Further, the pretilt direction of the liquid crystal molecule LC seen from the substrate surfaces of the element substrate 10 and the facing substrate 20, that is, the azimuth angle direction is the planar vapor deposition direction in the oblique vapor deposition in the first alignment film 28 and the second alignment film 32. Is the same as.

図８に示すように、画素電極２７と対向電極３１との間に駆動電圧を印加して液晶層１５を駆動すると、液晶分子ＬＣがプレチルトの方位角方向に倒れる。液晶層１５の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣは、プレチルトの方位角方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。 As shown in FIG. 8, when a driving voltage is applied between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31 to drive the liquid crystal layer 15, the liquid crystal molecule LC collapses in the azimuth angle direction of the pretilt. When the liquid crystal layer 15 is repeatedly driven (ON / OFF), the liquid crystal molecule LC repeats the behavior of tilting in the azimuth direction of the pretilt and returning to the initial orientation state.

このとき、液晶分子ＬＣの向きが変わることで、液晶層１５の中の液晶分子ＬＣが循環される。この循環に伴って、液晶層１５に生成された不純物イオンを、表示領域Ｅの全体に亘って分散させ、凹部５０の中にトラップすることができる。 At this time, the liquid crystal molecule LC in the liquid crystal layer 15 is circulated by changing the direction of the liquid crystal molecule LC. Along with this circulation, the impurity ions generated in the liquid crystal layer 15 can be dispersed over the entire display region E and trapped in the recess 50.

図９に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。 As shown in FIG. 9, the projector 1000 of the present embodiment includes a polarizing illumination device 1100 arranged along the system optical axis L, two dichroic mirrors 1104 and 1105 as optical separation elements, and three reflection mirrors 1106. , 1107, 1108, five relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, three transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as optical modulation means, and a cross dichroic prism 1206 as a photosynthetic element. , The projection lens 1207 is provided.

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。 The polarized lighting device 1100 is roughly composed of a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。 The dichroic mirror 1104 reflects the red light (R) of the polarized light flux emitted from the polarized lighting device 1100, and transmits the green light (G) and the blue light (B). The other dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。 The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then incident on the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205. The green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 is incident on the liquid crystal light bulb 1220 via the relay lens 1204. The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 is incident on the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。 The liquid crystal light bulbs 1210, 1220, and 1230 are arranged so as to face each of the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light. The colored light incident on the liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 is modulated based on the video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 1206.

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。 In this prism, four right-angled prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. Three colored lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and light representing a color image is synthesized. The combined light is projected onto the screen 1300 by the projection lens 1207, which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。なお、液晶ライトバルブ１２１０は、後述する液晶装置２００，３００も適用される。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。 The liquid crystal light bulb 1210 is the one to which the above-mentioned liquid crystal device 100 is applied. As the liquid crystal light bulb 1210, the liquid crystal devices 200 and 300 described later are also applied. The liquid crystal display 100 is arranged with a gap between a pair of polarizing elements arranged on the cross Nicol on the incident side and the emitted side of colored light. The same applies to the other liquid crystal light bulbs 1220 and 1230.

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。 In addition to the projector 1000, the electronic devices on which the liquid crystal device 100 is mounted include a head-up display (HUD), a head-mounted display (HMD), a smartphone, an EVF (Electrical View Finder), a mobile mini-projector, an electronic book, and a portable device. It can be used in various electronic devices such as telephones, mobile computers, digital cameras, digital video cameras, displays, in-vehicle devices, audio devices, exposure devices and lighting devices.

以上述べたように、本実施形態の液晶装置１００は、素子基板１０を構成する第１基材１０ａと液晶層１５との間に配置された第８絶縁層４０ｈと、第８絶縁層４０ｈと液晶層１５との間に配置された複数の画素電極２７と、第８絶縁層４０ｈに設けられ、平面視で、画素電極２７と、該画素電極２７に隣り合う画素電極２７との間に、液晶層１５につながる開口５１ａを有する凹部５０と、を備え、凹部５０の深さは、１００Å以上である。 As described above, the liquid crystal display 100 of the present embodiment includes the eighth insulating layer 40h and the eighth insulating layer 40h arranged between the first base material 10a constituting the element substrate 10 and the liquid crystal layer 15. A plurality of pixel electrodes 27 arranged between the liquid crystal layer 15 and a pixel electrode 27 provided on the eighth insulating layer 40h and adjacent to the pixel electrode 27 in a plan view, A recess 50 having an opening 51a connected to the liquid crystal layer 15 is provided, and the depth of the recess 50 is 100 Å or more.

この構成によれば、画素電極２７と、該画素電極２７に隣り合う画素電極２７との間に、液晶層１５とつながる開口５１ａを有し、深さが１００Å以上の凹部５０が設けられているので、例えば、液晶層１５から生成された不純物イオンを凹部５０の中に留めることが可能となる。言い換えれば、表示領域Ｅの中の複数の凹部５０に不純物イオンを分散させて留めることができる。よって、不純物イオンによる表示不良、言い換えれば、角シミが発生することを抑えることができる。 According to this configuration, a recess 50 having an opening 51a connected to the liquid crystal layer 15 and having a depth of 100 Å or more is provided between the pixel electrode 27 and the pixel electrode 27 adjacent to the pixel electrode 27. Therefore, for example, the impurity ions generated from the liquid crystal layer 15 can be retained in the recess 50. In other words, the impurity ions can be dispersed and fastened in the plurality of recesses 50 in the display area E. Therefore, it is possible to suppress display defects due to impurity ions, in other words, occurrence of corner stains.

また、第８絶縁層４０ｈは、異なる２層の絶縁層を積層した構造であり、第１基材１０ａ側からＴＥＯＳ膜と、ＴＥＯＳ膜上に積層されたＢＳＧ膜からなり、凹部５０は、ＢＳＧ膜に設けられている。これによれば、ＢＳＧ膜の吸湿性を利用することが可能となり、イオントラップ効果を高めることができる。 The eighth insulating layer 40h has a structure in which two different insulating layers are laminated, and is composed of a TEOS film from the first base material 10a side and a BSG film laminated on the TEOS film, and the recess 50 is a BSG. It is provided on the membrane. According to this, it becomes possible to utilize the hygroscopicity of the BSG film, and the ion trap effect can be enhanced.

また、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター１０００を提供することができる。 Further, since the liquid crystal device 100 described above is provided, it is possible to provide the projector 1000 capable of improving the display quality.

第２実施形態
第２実施形態の液晶装置２００は、図１０に示すように、凹部５１は、画素電極２７と画素電極２７との間に開口５１ａと、開口５１ａよりも幅広の部分５１ｂとを有し、幅広の部分５１ｂは、平面視で画素電極２７と重なり、画素電極２７の裏面２７ａに回り込んで設けられている部分であり、この点が、第１実施形態の液晶装置１００と異なっている。その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。 Second Embodiment In the liquid crystal display 200 of the second embodiment, as shown in FIG. 10, the recess 51 has an opening 51a between the pixel electrode 27 and the pixel electrode 27, and a portion 51b wider than the opening 51a. The wide portion 51b is a portion that overlaps with the pixel electrode 27 in a plan view and is provided so as to wrap around the back surface 27a of the pixel electrode 27, which is different from the liquid crystal device 100 of the first embodiment. ing. The other configurations are almost the same. Therefore, in the second embodiment, the parts different from the first embodiment will be described in detail, and the description of other overlapping parts will be omitted as appropriate.

第２実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態と同様に、第８絶縁層４０ｈがＴＥＯＳ膜とＢＳＧ膜との２層で構成されている。凹部５１は、ＢＳＧ膜である絶縁層４０ｈ２に設けられている。具体的には、凹部５１の端部が画素電極２７の裏になるように配置されている。凹部５１の深さＨは、第１実施形態の凹部５０と同様に、１００Å以上である。 In the liquid crystal display 200 of the second embodiment, the eighth insulating layer 40h is composed of two layers of a TEOS film and a BSG film, as in the first embodiment. The recess 51 is provided in the insulating layer 40h2 which is a BSG film. Specifically, the end portion of the recess 51 is arranged so as to be behind the pixel electrode 27. The depth H of the recess 51 is 100 Å or more, similar to the recess 50 of the first embodiment.

凹部５１の製造方法としては、マスクを用いて画素電極２７をパターニングした後、ウェットエッチング処理を追加して形成する。凹部５１の形状は、例えば、球面形状である。このように、凹部５１が画素電極２７の裏に回り込んでいるので、凹部５１の体積を増やすことが可能となり、不純物イオンのトラップ効果を高めることができる。 As a method for manufacturing the recess 51, after patterning the pixel electrode 27 with a mask, a wet etching process is added to form the recess 51. The shape of the recess 51 is, for example, a spherical shape. Since the recess 51 wraps around the back of the pixel electrode 27 in this way, the volume of the recess 51 can be increased, and the trapping effect of impurity ions can be enhanced.

なお、上記した第１実施形態の凹部５０は、以下のような構造でもよい。図１１は、変形例の液晶装置３００の凹部５０の構造を示す断面図である。変形例の液晶装置３００の凹部５０は、第１配向膜２８、即ち、斜方蒸着膜のカラム２８ａが形成されている部分と、形成されていない部分と、を有する。これによれば、斜方蒸着膜が付いていない部分があるので、凹部５０の中に不純物イオンを留めることができる。
また、上記した第２実施形態の凹部５１も、図１１の変形例と同様に、凹部５１が、斜方蒸着膜のカラム２８ａが形成されている部分と、形成されていない部分とを有する構成としてもよい。 The recess 50 of the first embodiment described above may have the following structure. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of the recess 50 of the liquid crystal display device 300 of the modified example. The recess 50 of the liquid crystal display device 300 of the modified example has a first alignment film 28, that is, a portion where the column 28a of the oblique vapor deposition film is formed and a portion where the column 28a is not formed. According to this, since there is a portion without the oblique vapor deposition film, impurity ions can be retained in the recess 50.
Further, the recess 51 of the second embodiment described above also has a configuration in which the recess 51 has a portion where the column 28a of the oblique vapor deposition film is formed and a portion where the column 28a of the oblique vapor deposition film is not formed, as in the modified example of FIG. May be.

なお、上記実施形態のように、第８絶縁層４０ｈに凹部５０，５１を設けたが、これに限定されず、画素電極２７の下の膜であればどのような膜でもよい。 Although the recesses 50 and 51 are provided in the eighth insulating layer 40h as in the above embodiment, the present invention is not limited to this, and any film may be used as long as it is a film under the pixel electrode 27.

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２８ａ…カラム、２９…配線、３０…トランジスター、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３２ａ…カラム、３３…絶縁層、４０…絶縁層、４０ａ…第１絶縁層、４０ｂ…第２絶縁層、４０ｃ…第３絶縁層、４０ｄ…第４絶縁層、４０ｅ…第５絶縁層、４０ｆ…第６絶縁層、４０ｇ…第７絶縁層、４０ｈ…絶縁層としての第８絶縁層、４０ｈ１…絶縁層、４０ｈ２…絶縁層、４１…配線層、４２…遮光膜、４３…遮光膜、５０…凹部、５１…凹部、７０…外部接続用端子、１００…液晶装置、２００…液晶装置、３００…液晶装置、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４…ダイクロイックミラー、１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６…反射ミラー、１１０７…反射ミラー、１１０８…反射ミラー、１２０１…リレーレンズ、１２０２…リレーレンズ、１２０３…リレーレンズ、１２０４…リレーレンズ、１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０…液晶ライトバルブ、１２２０…液晶ライトバルブ、１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。 3a ... Scanning line, 3b ... Capacitive line, 6a ... Data line, 10 ... Element substrate, 10a ... First base material, 14 ... Sealing material, 15 ... Liquid crystal layer, 16 ... Capacitive element, 18 ... Light-shielding film, 20 ... Opposing Substrate, 20a ... 2nd substrate, 22 ... Data line drive circuit, 24 ... Scan line drive circuit, 25 ... Inspection circuit, 26 ... Vertical conduction part, 27 ... Pixel electrode, 28 ... First alignment film, 28a ... Column, 29 ... wiring, 30 ... transistor, 31 ... counter electrode, 32 ... second alignment film, 32a ... column, 33 ... insulating layer, 40 ... insulating layer, 40a ... first insulating layer, 40b ... second insulating layer, 40c ... 3rd insulating layer, 40d ... 4th insulating layer, 40e ... 5th insulating layer, 40f ... 6th insulating layer, 40g ... 7th insulating layer, 40h ... 8th insulating layer as an insulating layer, 40h1 ... insulating layer, 40h2 ... Insulation layer, 41 ... Wiring layer, 42 ... Light-shielding film, 43 ... Light-shielding film, 50 ... Recessed, 51 ... Recessed, 70 ... External connection terminal, 100 ... Liquid crystal device, 200 ... Liquid crystal device, 300 ... Liquid crystal device, 1000 ... Projector, 1100 ... Polarized lighting device, 1101 ... Lamp unit, 1102 ... Integrator lens, 1103 ... Polarized conversion element, 1104 ... Dichroic mirror, 1105 ... Dichroic mirror, 1106 ... Reflection mirror, 1107 ... Reflection mirror, 1108 ... Reflection mirror, 1201 ... Relay lens, 1202 ... Relay lens, 1203 ... Relay lens, 1204 ... Relay lens, 1205 ... Relay lens, 1206 ... Cross dichroic prism, 1207 ... Projection lens, 1210 ... Liquid crystal light valve, 1220 ... Liquid crystal light valve, 1230 ... LCD light valve, 1300 ... screen.

Claims

素子基板と対向基板との間に液晶層を備える液晶装置であって、
前記素子基板を構成する基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、
前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、
前記絶縁層に設けられ、平面視で、前記画素電極と、前記画素電極に隣り合う画素電極との間に、前記液晶層につながる開口を有する凹部と、
を備え、
前記凹部の深さは、１００Å以上であることを特徴とする液晶装置。 A liquid crystal device having a liquid crystal layer between an element substrate and a facing substrate.
An insulating layer arranged between the substrate constituting the element substrate and the liquid crystal layer, and
A plurality of pixel electrodes arranged between the insulating layer and the liquid crystal layer,
A recess provided in the insulating layer and having an opening connected to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the pixel electrode adjacent to the pixel electrode in a plan view.
Equipped with
A liquid crystal display characterized in that the depth of the recess is 100 Å or more.

請求項１に記載の液晶装置であって、
前記凹部は、平面視で、前記画素電極と重なる部分を有することを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal display according to claim 1.
A liquid crystal display characterized in that the recess has a portion that overlaps with the pixel electrode in a plan view.

請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
前記画素電極と前記液晶層との間に斜方蒸着膜が配置されており、
前記凹部の中に前記斜方蒸着膜が付いていない部分があることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal display according to claim 1 or 2.
An orthorhombic vapor deposition film is arranged between the pixel electrode and the liquid crystal layer.
A liquid crystal display characterized in that there is a portion in the concave portion to which the oblique vapor deposition film is not attached.

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記絶縁層は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層に積層され、前記凹部が設けられた第２絶縁層を含み、
前記第２絶縁層は、ＢＳＧ膜であることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal display according to any one of claims 1 to 3.
The insulating layer includes a first insulating layer and a second insulating layer laminated on the first insulating layer and provided with the recesses.
The second insulating layer is a liquid crystal display characterized by being a BSG film.

請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic device comprising the liquid crystal display according to any one of claims 1 to 4.