JP2021175160A - Filter device - Google Patents

Abstract

To provide a filter device which enables the enhancement in filter characteristics.SOLUTION: A filter device comprises: a first conductor layer 14a; a first dielectric layer 12a located on the first conductor layer and having a thickness h1; a second conductor layer 14b located on the first dielectric layer; a plurality of first conductor posts 16a connecting the first conductor layer and the second conductor layer; a second dielectric layer 12b located on the second conductor layer and having a thickness h2 which satisfies h2/h1≤0.4; a third conductor layer 14c located on the second dielectric layer; a plurality of second conductor posts 16b connecting the second conductor layer and the third conductor layer; a first resonator 10a having a first space 15a in the first dielectric layer, which is surrounded by the plurality of first conductor posts; a second resonator 10b having a second space 15b in the second dielectric layer, which is surrounded by the plurality of first conductor posts and generally coincides with the first space in plan view; and a connection window 18b provided in the second conductor layer and connecting the first space and the second space.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明はフィルタ装置に関し、誘電体層を貫通する導電体ポストを有するフィルタ装置に関する。 The present invention relates to a filter device, and relates to a filter device having a conductor post penetrating a dielectric layer.

ミリ波等で用いられる導波管フィルタの導電体壁の代わりに、複数の導電体ポストを壁として用いるＳＩＷ（Substrate Integrated Waveguide）フィルタが知られている。導電体ポストで閉じられた空間で共振器を形成し、共振器を平面方向に配列することでフィルタ装置とすることが知られている（例えば特許文献１）。導電体ポストで閉じられた共振器を、導電体層を介し積層することが知られている（例えば特許文献２）。 A SIW (Substrate Integrated Waveguide) filter that uses a plurality of conductor posts as a wall instead of the conductor wall of the waveguide filter used for millimeter waves or the like is known. It is known that a resonator is formed in a space closed by a conductor post, and the resonators are arranged in a plane direction to form a filter device (for example, Patent Document 1). It is known that a resonator closed by a conductor post is laminated via a conductor layer (for example, Patent Document 2).

特開２０１８−２０７１６７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-207167 特開２０１８−１９１１７０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-191170

導波管を用いた導波管フィルタでは金属の立体的な加工が必要であるが、ＳＩＷフィルタでは、プリント基板等を用い平面的に製造できる。また、空間内を誘電体で埋め込むことができるため、比誘電率による波長の縮小効果により小型化可能である。特許文献１では共振器を平面方向に配置することで、各共振器における導電体ポストで閉じられた空間の大きさを変えることが容易である。これにより、共振器の特性を調整しフィルタ特性を向上させることができる。特許文献２では共振器を積層しているため、各共振器の特性を調整することが難しい。共振器を積層するＳＩＷフィルタでは、フィルタ特性を向上させるための好ましい誘電体層の厚さについては知られていない。 A waveguide filter using a waveguide requires three-dimensional processing of metal, but a SIW filter can be manufactured in a plane using a printed circuit board or the like. Further, since the space can be embedded with a dielectric material, the size can be reduced due to the wavelength reduction effect due to the relative permittivity. In Patent Document 1, by arranging the resonators in the plane direction, it is easy to change the size of the space closed by the conductor post in each resonator. Thereby, the characteristics of the resonator can be adjusted and the filter characteristics can be improved. In Patent Document 2, since the resonators are laminated, it is difficult to adjust the characteristics of each resonator. In the SIW filter in which the resonator is laminated, the preferable thickness of the dielectric layer for improving the filter characteristics is not known.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものでありフィルタ特性を向上させることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve the filter characteristics.

本発明は、第１導電体層と、ｈ１の厚さを有し前記第１導電体層上に設けられた第１誘電体層と、前記第１誘電体層上に設けられた第２導電体層と、前記第１誘電体層を貫通し前記第１導電体層と前記第２導電体層とを接続する複数の第１導電体ポストと、ｈ２／ｈ１≦０．４であるｈ２の厚さを有し前記第２導電体層上に設けられた第２誘電体層と、前記第２誘電体層上に設けられた第３導電体層と、前記第２誘電体層を貫通し前記第２導電体層と前記第３導電体層とを接続する複数の第２導電体ポストと、前記第１導電体層と前記第２導電体層と前記複数の第１導電体ポストとにより囲まれた前記第１誘電体層内の第１空間を有する第１共振器と、前記第２導電体層と前記第３導電体層と前記複数の第１導電体ポストとにより囲まれ前記第１空間と平面視において略一致する前記第２誘電体層内の第２空間を有する第２共振器と、前記第２導電体層に設けられ、前記第１空間と前記第２空間とを接続する接続窓と、を備えるフィルタ装置である。 In the present invention, the first conductive layer, the first conductive layer having a thickness of h1 and provided on the first conductive layer, and the second conductive layer provided on the first conductive layer. A plurality of first conductor posts that penetrate the body layer, the first conductor layer, and connect the first conductor layer and the second conductor layer, and h2 of h2 / h1 ≦ 0.4. It penetrates the second conductor layer having a thickness and provided on the second conductor layer, the third conductor layer provided on the second conductor layer, and the second dielectric layer. With a plurality of second conductor posts connecting the second conductor layer and the third conductor layer, the first conductor layer, the second conductor layer, and the plurality of first conductor posts. The first conductor having a first space in the first dielectric layer surrounded by the second conductor layer, the third conductor layer, and the plurality of first conductor posts. A second resonator having a second space in the second dielectric layer that substantially coincides with one space in a plan view, and a second conductor provided in the second conductor layer, connecting the first space and the second space. It is a filter device provided with a connecting window.

上記構成において、前記第１空間および前記第２空間の平面形状は略正方形である構成とすることができる。 In the above configuration, the planar shapes of the first space and the second space can be configured to be substantially square.

上記構成において、前記複数の第１導電体ポストと前記複数の第２導電体ポストとの平面視における位置は略一致する構成とすることができる。 In the above configuration, the positions of the plurality of first conductor posts and the plurality of second conductor posts in a plan view can be substantially the same.

上記構成において、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層の比誘電率は略一致する構成とすることができる。 In the above configuration, the relative permittivity of the first dielectric layer and the second dielectric layer can be substantially the same.

上記構成において、前記フィルタ装置の通過帯域を形成する共振モードは、ＴＥモードである構成とすることができる。 In the above configuration, the resonance mode forming the pass band of the filter device may be the TE mode.

上記構成において、前記接続窓の平面形状は略円形である構成とすることができる。 In the above configuration, the planar shape of the connection window may be substantially circular.

上記構成において、前記接続窓内に前記第１誘電体層または前記第２誘電体層が設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the first dielectric layer or the second dielectric layer may be provided in the connection window.

上記構成において、一対の導電体層と、前記一対の導電体層に挟まれた誘電体層と、前記誘電体層を貫通し前記一対の導電体層の間を接続する複数の導電体ポストと、を各々備え、前記一対の導電体層と前記複数の導電体ポストとにより囲まれた誘電体内の空間を各々有する複数の共振器を備え、複数の共振器のうち隣接する共振器において、前記一対の導電体層の一方を共有し、前記空間は平面視において略一致し、共有する導電体層は、隣接する共振器の空間を接続する接続窓を有し、前記複数の共振器は前記第１共振器および前記第２共振器を含む構成とすることができる。 In the above configuration, a pair of conductor layers, a dielectric layer sandwiched between the pair of conductor layers, and a plurality of conductor posts that penetrate the dielectric layers and connect between the pair of conductor layers. A plurality of resonators each having a space in a dielectric surrounded by the pair of conductor layers and the plurality of conductor posts, and in an adjacent resonator among the plurality of conductors, the above-mentioned One of the pair of conductor layers is shared, the spaces are substantially coincident in plan view, the shared conductor layers have a connecting window connecting the spaces of adjacent resonators, and the plurality of resonators are said to have the same. The configuration may include the first resonator and the second resonator.

上記構成において、前記接続窓の少なくとも１つの接続窓は他の接続窓とサイズが異なる構成とすることができる。 In the above configuration, at least one connection window of the connection window may have a configuration different in size from the other connection windows.

上記構成において、前記複数の共振器のうち最外の共振器の最外の導電体層は前記最外の共振器の空間に接続する開口を有し、前記開口内にパッドが設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the outermost conductor layer of the outermost resonator among the plurality of resonators has an opening connected to the space of the outermost resonator, and a pad is provided in the opening. It can be configured.

上記構成において、前記複数の共振器のうち最外の２つの共振器の最外の導電体層は前記最外の２つの共振器の空間にそれぞれ接続する２つの開口と、前記２つの開口内に２つのパッドがそれぞれ設けられ、前記２つの開口のサイズは互いに異なる、および／または前記２つのパッドのサイズは互いに異なる構成とすることができる。 In the above configuration, the outermost conductor layer of the two outermost resonators among the plurality of resonators has two openings connected to the space of the two outermost resonators, and the inside of the two openings. Two pads are provided in the above, and the sizes of the two openings are different from each other, and / or the sizes of the two pads can be different from each other.

本発明によれば、フィルタ特性を向上させることができる。 According to the present invention, the filter characteristics can be improved.

図１は、実施例１に係るフィルタ装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of the filter device according to the first embodiment. 図２（ａ）は、実施例１に係るフィルタ装置の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 2A is a plan view of the filter device according to the first embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 2A. 図３は、実施例１に係るフィルタ装置の解体斜視図である。FIG. 3 is a disassembled perspective view of the filter device according to the first embodiment. 図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係るフィルタ装置の製造方法を示す図である。4 (a) to 4 (c) are diagrams showing a method of manufacturing the filter device according to the first embodiment. 図５は、シミュレーション１におけるフィルタの通過特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the passing characteristics of the filter in Simulation 1. 図６（ａ）および図６（ｂ）は、シミュレーション１における誘電体層内の電界分布を示す平面図および断面図である。6 (a) and 6 (b) are a plan view and a cross-sectional view showing the electric field distribution in the dielectric layer in simulation 1. 図７は、シミュレーション２を行った構造を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the structure in which the simulation 2 was performed. 図８は、シミュレーション２における通過特性を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing passage characteristics in simulation 2. 図９は、シミュレーション２におけるｈ２／ｈ１に対する減衰極の減衰量を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the amount of attenuation of the attenuation pole with respect to h2 / h1 in the simulation 2. 図１０は、シミュレーション２における通過特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing passage characteristics in simulation 2. 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係るフィルタ装置の断面図である。11 (a) and 11 (b) are cross-sectional views of the filter device according to the first and second modifications of the first embodiment, respectively. 図１２（ａ）は、実施例２に係るアンテナモジュールの斜視図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である12 (a) is a perspective view of the antenna module according to the second embodiment, and FIG. 12 (b) is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 12 (a).

以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、実施例１に係るフィルタ装置の斜視図である。図２（ａ）は、実施例１に係るフィルタ装置の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３は、実施例１に係るフィルタ装置の解体斜視図である。積層方向をＺ方向、平面方向のうち複数の導電体ポストの配列方向をＸ方向およびＹ方向とする。 FIG. 1 is a perspective view of the filter device according to the first embodiment. FIG. 2A is a plan view of the filter device according to the first embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 2A. FIG. 3 is a disassembled perspective view of the filter device according to the first embodiment. The stacking direction is the Z direction, and the arrangement directions of the plurality of conductor posts are the X direction and the Y direction.

図１から図３に示すように、複数の誘電体層１２ａから１２ｄが積層されている。誘電体層１２ａ下、誘電体層１２ａから１２ｄの間および誘電体層１２ｄ上にそれぞれ導電体層１４ａから１４ｅが設けられている。誘電体層１２ｂおよび１２ｃは誘電体層１２ａおよび１２ｄより厚い。このように、複数の誘電体層１２ａから１２ｄの少なくとも１つの誘電体層の厚さは他の誘電体層の厚さと異なる。 As shown in FIGS. 1 to 3, a plurality of dielectric layers 12a to 12d are laminated. Conductor layers 14a to 14e are provided below the dielectric layer 12a, between the dielectric layers 12a and 12d, and above the dielectric layer 12d, respectively. The dielectric layers 12b and 12c are thicker than the dielectric layers 12a and 12d. As described above, the thickness of at least one dielectric layer of the plurality of dielectric layers 12a to 12d is different from the thickness of the other dielectric layers.

導電体層１４ａから１４ｅは開口からなる窓１８ａから１８ｅをそれぞれ有する。窓１８ａから１８ｅの平面形状は略円形であり、互いの大きさ（直径）は略同じである。窓１８ａから１８ｅの中心は、平面視において互いに略重なる。窓１８ａおよび１８ｅにはパッド２０ａおよび２０ｅが設けられている。パッド２０ａおよび２０ｅの平面形状は略円形であり、互いの大きさ（直径）は略同じである。窓１８ａおよび１８ｅの中心とパッド２０ａおよび２０ｅの中心とは平面視において略重なる。 The conductor layers 14a to 14e each have windows 18a to 18e formed of openings. The planar shapes of the windows 18a to 18e are substantially circular, and their sizes (diameters) are substantially the same. The centers of the windows 18a to 18e substantially overlap each other in a plan view. Pads 20a and 20e are provided on the windows 18a and 18e. The planar shapes of the pads 20a and 20e are substantially circular, and their sizes (diameters) are substantially the same. The centers of the windows 18a and 18e and the centers of the pads 20a and 20e substantially overlap in a plan view.

誘電体層１２ａから１２ｄおよび導電体層１４ａから１４ｅをＺ方向に貫通する複数の導電体ポスト１６が設けられている。導電体ポスト１６は、誘電体層１２ａから１２ｄを貫通する導電体ポスト１６ａから１６ｄを各々有する。導電体ポスト１６ａから１６ｄは、各々上下の導電体層１４ａから１４ｅを電気的に接続する。導電体ポスト１６がＸ方向に配列するポスト群３０ａおよび３０ｂとＹ方向に配列するポスト群３０ｃから３０ｄとを有する。ポスト群３０ａと３０ｂとはＹ方向に対向し、ポスト群３０ｃと３０ｄとはＸ方向に対向する。ポスト群３０ａから３０ｄで囲まれた空間の平面形状は略正方形である。導電体ポスト１６ａから１６ｄに各々囲まれた空間の平面形状は互いに略一致している。 A plurality of conductor posts 16 that penetrate the dielectric layers 12a to 12d and the conductor layers 14a to 14e in the Z direction are provided. The conductor posts 16 have conductor posts 16a to 16d penetrating the dielectric layers 12a to 12d, respectively. The conductor posts 16a to 16d electrically connect the upper and lower conductor layers 14a to 14e, respectively. The conductor posts 16 have post groups 30a and 30b arranged in the X direction and post groups 30c to 30d arranged in the Y direction. The post groups 30a and 30b face each other in the Y direction, and the post groups 30c and 30d face each other in the X direction. The planar shape of the space surrounded by the post groups 30a to 30d is substantially square. The planar shapes of the spaces surrounded by the conductor posts 16a to 16d are substantially the same as each other.

導電体層１４ａ、１４ｂおよび導電体ポスト１６ａで囲まれた誘電体層１２ａ内の空間１５ａは共振器１０ａを形成する。導電体層１４ｂ、１４ｃおよび導電体ポスト１６ｂで囲まれた誘電体層１２ｂ内の空間１５ｂは共振器１０ｂを形成する。導電体層１４ｃ、１４ｄおよび導電体ポスト１６ｃで囲まれた誘電体層１２ｃ内の空間１５ｃは共振器１０ｃを形成する。導電体層１４ｄ、１４ｅおよび導電体ポスト１６ｄで囲まれた誘電体層１２ｄ内の空間１５ｄは共振器１０ｄを形成する。 The space 15a in the dielectric layer 12a surrounded by the conductor layers 14a and 14b and the conductor post 16a forms the resonator 10a. The space 15b in the dielectric layer 12b surrounded by the conductor layers 14b, 14c and the conductor post 16b forms the resonator 10b. The space 15c in the dielectric layer 12c surrounded by the conductor layers 14c, 14d and the conductor post 16c forms the resonator 10c. The space 15d in the dielectric layer 12d surrounded by the conductor layers 14d, 14e and the conductor posts 16d forms the resonator 10d.

窓１８ｂは共振器１０ａと共振器１０ｂとの間を高周波信号が伝搬する接続窓として機能する。窓１８ｃおよび１８ｄも同様に隣接する共振器を高周波信号が伝搬する接続窓として機能する。窓１８ａおよび１８ｅは高周波信号を外部に出力または外部から入力する入出力窓として機能する。窓１８ａから１８ｅは誘電体層１２ａから１２ｄにより埋め込まれている。窓１８ａから１８ｅは誘電体層１２ａから１２ｄに埋め込まれていなくてもよい。 The window 18b functions as a connection window in which a high frequency signal propagates between the resonator 10a and the resonator 10b. The windows 18c and 18d also function as connecting windows through which high frequency signals propagate through adjacent resonators. The windows 18a and 18e function as input / output windows for outputting high frequency signals to the outside or inputting them from the outside. The windows 18a to 18e are embedded by the dielectric layers 12a to 12d. The windows 18a to 18e do not have to be embedded in the dielectric layers 12a to 12d.

各共振器１０ａから１０ｄは、誘電体層１２ａから１２ｄ内では高周波信号が伝搬するＺ方向に電界が一様なＴＥ（Transverse Electric Wave）モード（ＴＥ_１１０モード）において共振する。共振周波数における波長は、ポスト群３０ｃと３０ｄの内側間の距離Ｌｘおよびポスト群３０ａと３０ｃの内側間の距離Ｌｙの略２倍となる。 Each resonator 10a to 10d resonates in the dielectric layer 12a to 12d in the TE (Transverse Electric Wave) mode (TE ₁₁₀ mode) in which the electric field is uniform in the Z direction in which the high frequency signal propagates. The wavelength at the resonance frequency is approximately twice the distance Lx between the insides of the post groups 30c and 30d and the distance Ly between the insides of the post groups 30a and 30c.

誘電体層１２ａから１２ｄは、例えば樹脂層またはセラミックス等の絶縁層である。導電体層１４ａから１４ｅは例えば銅層等の金属層である。導電体ポスト１６は例えば銅ポスト等の金属ポストである。 The dielectric layers 12a to 12d are, for example, a resin layer or an insulating layer such as ceramics. The conductor layers 14a to 14e are metal layers such as a copper layer. The conductor post 16 is a metal post such as a copper post.

［実施例１の製造方法］
図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係るフィルタ装置の製造方法を示す図である。図４（ａ）に示すように、誘電体層１２ａ´から１２ｄ´の上面にそれぞれ導電体層１４ｂから１４ｅが貼り付けられたプリント基板を準備する。誘電体層１２ａ´から１２ｄ´の下面にそれぞれ接着剤１３ａから１３ｄを塗布する。 [Manufacturing method of Example 1]
4 (a) to 4 (c) are diagrams showing a method of manufacturing the filter device according to the first embodiment. As shown in FIG. 4A, a printed circuit board in which the conductor layers 14b to 14e are attached to the upper surfaces of the dielectric layers 12a'to 12d', respectively, is prepared. Adhesives 13a to 13d are applied to the lower surfaces of the dielectric layers 12a'to 12d', respectively.

図４（ｂ）に示すように、誘電体層１２ａ´から１２ｄ´の下面と導電体層１４ａから１４ｄの上面をそれぞれ接着剤１３ａから１３ｄを用い接着する。窓１８ｂから１８ｄ内は接着剤１３ａから１３ｄが埋め込まれる。誘電体層１２ａ´から１２ｄ´と接着剤１３ａから１３ｄとの比誘電率を略同じとする。これにより、誘電体層１２ａ´から１２ｄ´と接着剤１３ａから１３ｄは、それぞれ誘電体層１２ａから１２ｄとして機能する。 As shown in FIG. 4B, the lower surfaces of the dielectric layers 12a'to 12d' and the upper surfaces of the conductor layers 14a to 14d are adhered to each other using adhesives 13a to 13d, respectively. Adhesives 13a to 13d are embedded in the windows 18b to 18d. The relative permittivity of the dielectric layers 12a ′ to 12d ′ and the adhesives 13a to 13d is substantially the same. As a result, the dielectric layers 12a'to 12d' and the adhesives 13a to 13d function as the dielectric layers 12a to 12d, respectively.

図４（ｃ）に示すように、誘電体層１２ａから１２ｄおよび導電体層１４ａから１４ｅを貫通する導電体ポスト１６を形成する。これにより、実施例１に係るフィルタ装置が製造される。 As shown in FIG. 4C, the conductor posts 16 penetrating the dielectric layers 12a to 12d and the conductor layers 14a to 14e are formed. As a result, the filter device according to the first embodiment is manufactured.

［シミュレーション１］
実施例１に係るフィルタ装置の通過特性をシミュレーションした。誘電体層１２ａ´から１２ｄ´の比誘電率を３．６６、接着剤１３ａから１３ｄの比誘電率を３．７とした。誘電体層１２ａから１２ｄの厚さをそれぞれ４３９μｍ、１２１８μｍ、１２０１μｍおよび４３９μｍとした。導電体層１４ａから１４ｅを銅層とし、厚さを１８μｍとした。導電体ポスト１６を銅ポストとし、直径を４５０μｍとした。距離ＬｘおよびＬｙを４．１４５ｍｍとした。 [Simulation 1]
The passing characteristics of the filter device according to the first embodiment were simulated. The relative permittivity of the dielectric layers 12a'to 12d' was set to 3.66, and the relative permittivity of the adhesives 13a to 13d was set to 3.7. The thicknesses of the dielectric layers 12a to 12d were 439 μm, 1218 μm, 1201 μm and 439 μm, respectively. The conductor layers 14a to 14e were copper layers, and the thickness was 18 μm. The conductor post 16 was a copper post and had a diameter of 450 μm. The distances Lx and Ly were set to 4.145 mm.

図５は、シミュレーション１におけるフィルタの通過特性を示す図である。図５において、実線はインピーダンス整合前、破線はインピーダンス整合後を示す。 FIG. 5 is a diagram showing the passing characteristics of the filter in Simulation 1. In FIG. 5, the solid line shows before impedance matching, and the broken line shows after impedance matching.

図５に示すように、インピーダンス整合前において、矢印５４のように、各共振器１０ａから１０ｄが結合して発生する共振周波数に対応するピークが形成される。インピーダンス整合後のように、入出力インピーダンスを適切に整合させることにより、ピークの間の落ち込んでいる部分の整合が取れ、均一な通過帯域５５が形成される。 As shown in FIG. 5, before impedance matching, as shown by arrow 54, a peak corresponding to the resonance frequency generated by coupling the resonators 10a to 10d is formed. By properly matching the input / output impedances, such as after impedance matching, the depressed portion between the peaks is matched and a uniform passband 55 is formed.

図６（ａ）および図６（ｂ）は、シミュレーション１における誘電体層内の電界分布を示す平面図および断面図であり、共振器１０ｄの共振周波数２７．８ＧＨｚにおける誘電体層１２ｄ内の電界分布を示す。印加電圧は１Ｖとした。 6 (a) and 6 (b) are a plan view and a cross-sectional view showing the electric field distribution in the dielectric layer in Simulation 1, and are electric fields in the dielectric layer 12d at a resonance frequency of 27.8 GHz of the resonator 10d. Shows the distribution. The applied voltage was 1 V.

図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、パッド２０ｅ付近にはパッド２０ｅに起因した電界の集中が生じている。導電体ポスト１６ｄ近くでは、Ｚ方向の電界強度はほぼ同じとなる。このように、共振周波数において誘電体層１２ｄ内のモードはＴＥモードであり、ＴＥ_１１０モードとなる。なお、ＴＥ_１１０の１１０はＺ方向の電界が一様であるモードであることを示している。 As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), the electric field is concentrated in the vicinity of the pad 20e due to the pad 20e. Near the conductor post 16d, the electric field strength in the Z direction is almost the same. As described above, the mode in the dielectric layer 12d at the resonance frequency is the TE mode, which is the TE ₁₁₀ mode. Note that ₁₁₀ of TE 110 indicates a mode in which the electric field in the Z direction is uniform.

［シミュレーション２］
Ｚ方向に隣接する共振器における誘電体層の厚さを最適化するためシミュレーション２を行った。図７は、シミュレーション２を行った構造を示す断面図である。図７に示すように、導電体層１４ａ（第１導電体層）上に誘電体層１２ａ（第１誘電体層）が設けられ、誘電体層１２ａ上に導電体層１４ｂ（第２導電体層）が設けられ、導電体層１４ｂ上に誘電体層１２ｂ（第２誘電体層）が設けられ、誘電体層１２ｂ上に導電体層１４ｃ（第３導電体層）が設けられている。誘電体層１２ａを貫通し導電体層１４ａと１４ｂとを接続する複数の導電体ポスト１６ａ（第１導電体ポスト）が設けられ、誘電体層１２ｂを貫通し導電体層１４ｂと１４ｃとを接続する複数の導電体ポスト１６ｂ（第２導電体ポスト）が設けられている。 [Simulation 2]
Simulation 2 was performed to optimize the thickness of the dielectric layer in the resonator adjacent in the Z direction. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the structure in which the simulation 2 was performed. As shown in FIG. 7, a dielectric layer 12a (first dielectric layer) is provided on the conductor layer 14a (first conductor layer), and the conductor layer 14b (second conductor) is provided on the dielectric layer 12a. A layer) is provided, a dielectric layer 12b (second dielectric layer) is provided on the conductor layer 14b, and a conductor layer 14c (third conductor layer) is provided on the dielectric layer 12b. A plurality of conductor posts 16a (first conductor posts) that penetrate the dielectric layer 12a and connect the conductor layers 14a and 14b are provided, and penetrate the dielectric layer 12b and connect the conductor layers 14b and 14c. A plurality of conductor posts 16b (second conductor posts) are provided.

共振器１０ａ（第１共振器）は、導電体層１４ａと１４ｂと複数の導電体ポスト１６ａとにより囲まれた誘電体層１２ａ内の空間１５ａ（第１空間）を有する。共振器１０ｂ（第２共振器）は、導電体層１４ｂと１４ｃと複数の導電体ポスト１６ｂとにより囲まれた誘電体層１２ｂ内の空間１５ｂ（第２空間）を有する。空間１５ａと１５ｂとは平面視において略一致しており、窓１８ｂ（接続窓）は空間１５ａと１５ｂとを接続する。なお、空間１５ａと１５ｂとが平面視において略一致とは、導電体ポスト１６ａおよび１６ｂのうち最も大きい直径程度のずれを許容する範囲で一致していることを示す。 The resonator 10a (first resonator) has a space 15a (first space) in the dielectric layer 12a surrounded by the conductor layers 14a and 14b and the plurality of conductor posts 16a. The resonator 10b (second resonator) has a space 15b (second space) in the dielectric layer 12b surrounded by the conductor layers 14b and 14c and the plurality of conductor posts 16b. The spaces 15a and 15b substantially coincide with each other in a plan view, and the window 18b (connection window) connects the spaces 15a and 15b. It should be noted that the fact that the spaces 15a and 15b are substantially the same in the plan view indicates that the spaces 15a and 15b are in agreement within a range that allows a deviation of about the largest diameter among the conductor posts 16a and 16b.

導電体層１４ａおよび１４ｃの窓１８ａおよび１８ｃが入出力窓となり、導電体層１４ｂの窓１８ｂが接続窓となる。窓１８ａおよび１８ｃ内にパッド２０ａおよび２０ｃがそれぞれ設けられている。誘電体層１２ａおよび１２ｂの厚さをそれぞれｈ１およびｈ２とする。厚さｈ１およびｈ２以外はシミュレーション１と同じ条件を用いた。 The windows 18a and 18c of the conductor layers 14a and 14c serve as input / output windows, and the windows 18b of the conductor layers 14b serve as connection windows. Pads 20a and 20c are provided in the windows 18a and 18c, respectively. Let the thicknesses of the dielectric layers 12a and 12b be h1 and h2, respectively. The same conditions as in Simulation 1 were used except for the thicknesses h1 and h2.

図８は、シミュレーション２における通過特性を示す図である。図８では、厚さｈ２を０．４ｍｍに固定し、厚さｈ１を０．４ｍｍから１．３ｍｍまで変えている。 FIG. 8 is a diagram showing passage characteristics in simulation 2. In FIG. 8, the thickness h2 is fixed at 0.4 mm, and the thickness h1 is changed from 0.4 mm to 1.3 mm.

図８に示すように、ｈ１＝０．４ｍｍでは、通過帯域５５より高周波側の減衰極５０は１つであり減衰量は約−４０ｄＢである。ｈ１＝０．９ｍｍでは、減衰極５０の減衰量は大きくなり約−５５ｄＢである。ｈ１＝１．０ｍｍでは、減衰極５０のピークが急峻になり減衰量は−９０ｄＢと急激に大きくなる。ｈ１＝１．１ｍｍでは、減衰極５１と５２の２つの減衰極が形成される。２つの減衰極５１および５２の減衰量は−７０〜−８０ｄＢであり、ｈ１＝０．９の減衰極５０の減衰量より大きい。ｈ１＝１．３ｍｍでは、ｈ１＝１．１ｍｍと同様に２つの減衰極５１および５２が形成される。 As shown in FIG. 8, at h1 = 0.4 mm, there is one attenuation pole 50 on the high frequency side of the pass band 55, and the amount of attenuation is about −40 dB. When h1 = 0.9 mm, the amount of attenuation of the attenuation pole 50 becomes large and is about −55 dB. When h1 = 1.0 mm, the peak of the attenuation pole 50 becomes steep and the amount of attenuation sharply increases to −90 dB. At h1 = 1.1 mm, two damping poles 51 and 52 are formed. The amount of attenuation of the two attenuation poles 51 and 52 is −70 to −80 dB, which is larger than the amount of attenuation of the attenuation pole 50 of h1 = 0.9. At h1 = 1.3 mm, two damping poles 51 and 52 are formed as in h1 = 1.1 mm.

図９は、シミュレーション２におけるｈ２／ｈ１に対する減衰極の減衰量を示す図である。図９に示すように、ｈ２／ｈ１を１から小さくしていくと減衰極５０の減衰量は大きくなる。ｈ２／ｈ１＝０．４において減衰極５０の減衰量は急激に大きくなる。ｈ２／ｈ１が０．４より小さくなると減衰極５１と５２が形成され減衰量は小さくなるが、ｈ２／ｈ１が０．４のときの減衰極５０の減衰量より大きい。また。減衰極５１と５２が形成されるため、減衰域を広くできる。 FIG. 9 is a diagram showing the amount of attenuation of the attenuation pole with respect to h2 / h1 in the simulation 2. As shown in FIG. 9, as h2 / h1 is reduced from 1, the amount of attenuation of the attenuation pole 50 increases. At h2 / h1 = 0.4, the amount of attenuation of the attenuation pole 50 increases sharply. When h2 / h1 is smaller than 0.4, the attenuation poles 51 and 52 are formed and the amount of attenuation is small, but it is larger than the amount of attenuation of the attenuation pole 50 when h2 / h1 is 0.4. Also. Since the damping poles 51 and 52 are formed, the damping range can be widened.

図１０は、シミュレーション２における通過特性を示す図である。図１０では、ｈ１＝ｈ２＝０．４ｍｍ、０．７ｍｍおよび１．０ｍｍのサンプルとｈ１＝０．４ｍｍおよびｈ２＝１．０ｍｍのサンプルについてシミュレーションしている。 FIG. 10 is a diagram showing passage characteristics in simulation 2. In FIG. 10, the samples of h1 = h2 = 0.4 mm, 0.7 mm and 1.0 mm and the samples of h1 = 0.4 mm and h2 = 1.0 mm are simulated.

図１０に示すように、ｈ１＝ｈ２を大きくすると、減衰極５０の減衰量は大きくなる。しかし、ｈ１＝ｈ２＝１．０ｍｍとしても、ｈ１＝０．４ｍｍおよびｈ２＝１．０ｍｍの減衰極５０のように急峻な減衰極は形成されない。このように、減衰極５０の減衰量の増加および減衰極５１および５２の形成はｈ２／ｈ１を変えた場合に生じる現象と考えられる。この現象が生じる原因は明確ではないが、例えば厚さｈ１とｈ２の差が大きくなることで、ある特定の周波数においてインピーダンスの不整合が大きくなり、共振器１０ａと１０ｂとの間において高周波信号の反射が大きくなるためと考えられる。 As shown in FIG. 10, when h1 = h2 is increased, the amount of attenuation of the attenuation pole 50 is increased. However, even if h1 = h2 = 1.0 mm, a steep damping pole such as the damping pole 50 of h1 = 0.4 mm and h2 = 1.0 mm is not formed. As described above, the increase in the amount of attenuation of the attenuation pole 50 and the formation of the attenuation poles 51 and 52 are considered to be phenomena that occur when h2 / h1 is changed. The cause of this phenomenon is not clear, but for example, when the difference between the thicknesses h1 and h2 becomes large, the impedance mismatch becomes large at a specific frequency, and the high frequency signal between the resonators 10a and 10b becomes large. This is thought to be due to the increased reflection.

実施例１によれば、隣接する共振器１０ａおよび１０ｂの導電体層１４ａおよび１４ｂの厚さの比ｈ２／ｈ１≦０．４とする。これにより、図８および図９のように、減衰特性を改善できる。ｈ２／ｈ１＜０．４が好ましく、ｈ２／ｈ１≦０．３６がより好ましく、ｈ２／ｈ１≦０．３３がさらに好ましい。これにより、図８のように、減衰極５１および５２が形成され減衰域を広くできる。 According to the first embodiment, the ratio of the thicknesses of the conductor layers 14a and 14b of the adjacent resonators 10a and 10b is h2 / h1 ≦ 0.4. Thereby, as shown in FIGS. 8 and 9, the damping characteristics can be improved. h2 / h1 <0.4 is preferable, h2 / h1 ≦ 0.36 is more preferable, and h2 / h1 ≦ 0.33 is further preferable. As a result, as shown in FIG. 8, the damping poles 51 and 52 are formed, and the damping region can be widened.

空間１５ａから１５ｄの平面形状は、略長方形等の多角形、略円形または略楕円形でもよいが、略正方形であることが好ましい。これにより、Ｘ方向とＹ方向とで共振周波数が略等しくなる。よって、不要な共振の発生を抑制できる。なお、略正方形とは、距離ＬｘとＬｙとにおいて、導電体ポスト１６ａから１６ｄのうち最も大きい直径程度のずれを許容する範囲で一致していることを示す。 The planar shape of the spaces 15a to 15d may be a polygon such as a substantially rectangular shape, a substantially circular shape, or a substantially elliptical shape, but is preferably a substantially square shape. As a result, the resonance frequencies are substantially equal in the X direction and the Y direction. Therefore, the occurrence of unnecessary resonance can be suppressed. The substantially square means that the distances Lx and Ly coincide with each other within a range that allows a deviation of about the largest diameter from the conductor posts 16a to 16d.

複数の導電体ポスト１６ａから１６ｄは誘電体層１２ａから１２ｄ毎に別々に形成してもよい。図４（ｃ）のように、誘電体層１２ａから１２ｄに同時に導電体ポスト１６を形成する。これにより、導電体ポスト１６ａから１６ｄを別々に形成する方法に比べ、製造工程を簡略化できる。このように製造したフィルタ装置では、複数の導電体ポスト１６ａから１６ｄとの平面視における位置は略一致する。なお、略一致とは、導電体ポスト１６ａから１６ｄのうち最も大きい直径程度のずれを許容する範囲で一致していることを示す。 The plurality of conductor posts 16a to 16d may be formed separately for each of the dielectric layers 12a to 12d. As shown in FIG. 4C, the conductor posts 16 are simultaneously formed on the dielectric layers 12a to 12d. As a result, the manufacturing process can be simplified as compared with the method of forming the conductor posts 16a to 16d separately. In the filter device manufactured in this way, the positions of the plurality of conductor posts 16a to 16d in a plan view are substantially the same. It should be noted that "substantially matching" means that the conductor posts 16a to 16d are matched within a range that allows a deviation of about the largest diameter.

誘電体層１２ａと１２ｂとの比誘電率は略一致する。これにより、誘電体層１２ａと１２ｂとの界面における高周波信号の反射を抑制できる。なお、略一致とは、例えば誘電体層１２ａの比誘電率と１２ｂの比誘電率との差が±１０％以下であることを許容する。すなわち、誘電体層１２ａおよび１２ｂの比誘電率をそれぞれεａおよびεｂとしたとき、例えば２×｜εａ−εｂ｜／（εａ＋εｂ）≦０．１である。図４（ａ）における接着剤１３ａから１３ｄの比誘電率と誘電体層１２ａから１２ｄの比誘電率の差も同様に例えば±１０％以下である程度に略一致することが好ましい。 The relative permittivity of the dielectric layers 12a and 12b is substantially the same. Thereby, the reflection of the high frequency signal at the interface between the dielectric layers 12a and 12b can be suppressed. It should be noted that substantially the same means that, for example, the difference between the relative permittivity of the dielectric layer 12a and the relative permittivity of 12b is ± 10% or less. That is, when the relative permittivity of the dielectric layers 12a and 12b is εa and εb, respectively, for example, 2 × | εa−εb | / (εa + εb) ≦ 0.1. Similarly, the difference between the relative permittivity of the adhesives 13a to 13d and the relative permittivity of the dielectric layers 12a to 12d in FIG. 4A is preferably ± 10% or less, which is substantially the same to some extent.

図６（ａ）および図６（ｂ）のように、通過帯域５５を形成する共振モードは、ＴＥモードである。これにより、ｈ２／ｈ１を０．４以下とすることで減衰特性を向上できる。 As shown in FIGS. 6A and 6B, the resonance mode forming the pass band 55 is the TE mode. As a result, the attenuation characteristics can be improved by setting h2 / h1 to 0.4 or less.

窓１８ａから１８ｅの平面形状は略円形である。これにより、窓１８ａから１８ｅにおける高周波信号の反射を抑制できる。なお、窓１８ａから１８ｅの平面形状は円形以外に多角形または楕円形状でもよい。高周波信号の反射を抑制するためには、窓１８ａから１８ｅの平面形状は、５角形以上の略正多角形または略円形であることが好ましい。 The planar shape of the windows 18a to 18e is substantially circular. Thereby, the reflection of the high frequency signal in the windows 18a to 18e can be suppressed. The planar shape of the windows 18a to 18e may be polygonal or elliptical in addition to the circular shape. In order to suppress the reflection of high frequency signals, the planar shape of the windows 18a to 18e is preferably a pentagon or more, a substantially regular polygon or a substantially circular shape.

窓１８ａから１８ｅ内に誘電体層１２ａから１２ｄのいずれかが設けられていることが好ましい。これにより、窓１８ａから１８ｅにおける高周波信号の反射を抑制することができる。 It is preferable that any of the dielectric layers 12a to 12d is provided in the windows 18a to 18e. Thereby, the reflection of the high frequency signal in the windows 18a to 18e can be suppressed.

図１から図３のように、複数の共振器１０ａから１０ｄは、一対の導電体層と、一対の導電体層に挟まれた誘電体層と、誘電体層を貫通し一対の導電体層の間を接続する複数の導電体ポストと、を各々備え、一対の導電体層と複数の導電体ポストとにより囲まれた誘電体層１２ａから１２ｄ内の空間１５ａから１５ｄを各々有する。隣接する共振器において、一対の導電体層の一方を共有し、空間は平面視において略一致し、共有する導電体層は、隣接する共振器の空間を接続する接続窓を有する。このように、共振器１０ａから１０ｄを３以上積層することで、図５のように、各共振器１０ａから１０ｄの共振周波数を異ならせ、通過帯域５５を広帯域にすることができる。 As shown in FIGS. 1 to 3, the plurality of resonators 10a to 10d have a pair of conductor layers, a dielectric layer sandwiched between the pair of conductor layers, and a pair of conductor layers penetrating the dielectric layers. Each of the plurality of conductor posts connecting between the conductors has a space of 15a to 15d within the dielectric layers 12a to 12d surrounded by the pair of conductor layers and the plurality of conductor posts. In adjacent resonators, one of the pair of conductor layers is shared, the spaces are substantially coincident in plan view, and the shared conductor layers have a connecting window connecting the spaces of the adjacent resonators. By stacking three or more resonators 10a to 10d in this way, the resonance frequencies of the resonators 10a to 10d can be made different as shown in FIG. 5, and the pass band 55 can be widened.

複数の共振器１０ａから１０ｄのうち最外の共振器１０ａおよび１０ｄの最外の導電体層１４ａおよび１４ｅは最外の共振器の空間１５ａおよび１５ｄに接続する窓１８ａおよび１８ｅとなる開口を有する。開口内にパッド２０ａおよび２０ｅが設けられている。窓１８ａおよび１８ｂとパッド２０ａおよび２０ｅの大きさを変えることにより、同軸線路と同様にインピーダンスを制御できる。 The outermost conductor layers 14a and 14e of the outermost resonators 10a and 10d of the plurality of resonators 10a to 10d have openings that serve as windows 18a and 18e that connect to the outermost resonator spaces 15a and 15d. .. Pads 20a and 20e are provided in the opening. By changing the sizes of the windows 18a and 18b and the pads 20a and 20e, the impedance can be controlled in the same manner as the coaxial line.

［実施例１の変形例１］
図１１（ａ）は、実施例１の変形例１に係るフィルタ装置の断面図である。図１１（ａ）に示すように、実施例１の変形例１では、窓１８ｂから１８ｄの大きさＷｂからＷｄが互いに異なっている。このように、窓１８ｂから１８ｄの少なくとも１つの窓は他の窓とサイズが異なる。これにより、上下の空間１５ａから１５ｄの電磁界の結合を変えることができる。電磁界結合を変えることで、帯域幅を制御することができる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。 [Modification 1 of Example 1]
FIG. 11A is a cross-sectional view of the filter device according to the first modification of the first embodiment. As shown in FIG. 11A, in the first modification of the first embodiment, the sizes Wb to Wd of the windows 18b to 18d are different from each other. As described above, at least one window of windows 18b to 18d is different in size from the other windows. Thereby, the coupling of the electromagnetic fields in the upper and lower spaces 15a to 15d can be changed. Bandwidth can be controlled by changing the field coupling. Other configurations are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

［実施例１の変形例２］
図１１（ｂ）は、実施例１の変形例２に係るフィルタ装置の断面図である。図１１（ｂ）に示すように、実施例１の変形例２では、窓１８ａと１８ｅの大きさＷａおよびＷｅが互いに異なっている。また、パッド２０ａと２０ｅの大きさＷＡおよびＷＥが互いに異なっている。このように、２つの開口である窓１８ａおよび１８ｅのサイズは互いに異なる、および／または２つのパッド２０ａおよび２０ｅのサイズは互いに異なる。これにより、フィルタ装置の上下に接続する回路に対応し入出力インピーダンスを設定することができる。 [Modification 2 of Example 1]
FIG. 11B is a cross-sectional view of the filter device according to the second modification of the first embodiment. As shown in FIG. 11B, in the second modification of the first embodiment, the sizes Wa and We of the windows 18a and 18e are different from each other. Further, the sizes WA and WE of the pads 20a and 20e are different from each other. Thus, the sizes of the two openings, windows 18a and 18e, are different from each other, and / or the sizes of the two pads 20a and 20e are different from each other. This makes it possible to set the input / output impedance corresponding to the circuits connected above and below the filter device.

図１２（ａ）は、実施例２に係るアンテナモジュールの斜視図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、誘電体層３０上にパッチアンテナであるアンテナ素子３２が設けられている。アンテナ素子３２は導電体層である。アンテナ素子３２はＸ方向およびＹ方向にマトリックス状に配列されている。誘電体層３０下にはフィルタ装置１０がアンテナ素子３２に対応しＸ方向およびＹ方向にマトリックス状に配列されている。 12 (a) is a perspective view of the antenna module according to the second embodiment, and FIG. 12 (b) is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 12 (a). As shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b), an antenna element 32 which is a patch antenna is provided on the dielectric layer 30. The antenna element 32 is a conductor layer. The antenna elements 32 are arranged in a matrix in the X direction and the Y direction. Under the dielectric layer 30, filter devices 10 correspond to the antenna element 32 and are arranged in a matrix in the X and Y directions.

フィルタ装置１０の詳細は実施例１およびその変形例のフィルタ装置と同様であり説明を省略する。フィルタ装置１０のパッド２０ａとアンテナ素子３２とは誘電体層３０を貫通する導電体ポスト３４により接続されている。フィルタ装置１０からパッド２０ａを介し導電体ポスト３４に入力した高周波信号は導電体ポスト３４を伝送しアンテナ素子３２から放射される。アンテナ素子３２に入射した高周波信号は導電体ポスト３４を伝送しパッド２０ａを介しフィルタ装置１０に出力される。複数のアンテナ素子をビームフォーミングに用いることができる。 The details of the filter device 10 are the same as those of the filter device of the first embodiment and the modified examples thereof, and the description thereof will be omitted. The pad 20a of the filter device 10 and the antenna element 32 are connected by a conductor post 34 penetrating the dielectric layer 30. The high frequency signal input from the filter device 10 to the conductor post 34 via the pad 20a is transmitted through the conductor post 34 and radiated from the antenna element 32. The high frequency signal incident on the antenna element 32 is transmitted through the conductor post 34 and output to the filter device 10 via the pad 20a. A plurality of antenna elements can be used for beamforming.

アンテナ素子３２のピッチＰはアンテナ素子３２が放射する電磁波の真空中の波長をλとしたとき約λ／２である。例えば２８ＧＨｚではλは約１０．７ｍｍであり、ピッチＰは約５．３５ｍｍである。特許文献１のように、共振器を平面方向に配列すると、アンテナ素子３２のピッチ内のフィルタを配置できない。実施例１およびその変形例に係るフィルタ装置１０は複数の共振器１０ａから１０ｄを積層しているため、複数のアンテナ素子３２の直下に対応する複数のフィルタ装置１０を配置することができる。 The pitch P of the antenna element 32 is about λ / 2 when the wavelength of the electromagnetic wave radiated by the antenna element 32 in vacuum is λ. For example, at 28 GHz, λ is about 10.7 mm and pitch P is about 5.35 mm. When the resonators are arranged in the plane direction as in Patent Document 1, the filter within the pitch of the antenna element 32 cannot be arranged. Since the filter devices 10 according to the first embodiment and its modifications are laminated with a plurality of resonators 10a to 10d, a plurality of filter devices 10 corresponding to directly under the plurality of antenna elements 32 can be arranged.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the examples of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific examples, and various modifications and modifications are made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０ フィルタ装置
１０ａ〜１０ｄ 共振器
１２ａ〜１２ｄ、１２ａ´〜１２ｄ´、３０ 誘電体層
１３ａ〜１３ｄ 接着剤
１４ａ〜１４ｅ 導電体層
１５ａ〜１５ｄ 空間
１６、１６ａ〜１６ｄ、３４ 導電体ポスト
１８ａ〜１８ｅ 窓
２０ａ、２０ｃ、２０ｅ パッド
３２ アンテナ素子
10 Filter device 10a-10d Resonator 12a-12d, 12a'-12d', 30 Dielectric layer 13a-13d Adhesive 14a-14e Conductor layer 15a-15d Space 16, 16a-16d, 34 Conductor post 18a-18e Window 20a, 20c, 20e Pad 32 Antenna element

Claims (11)

第１導電体層と、
ｈ１の厚さを有し前記第１導電体層上に設けられた第１誘電体層と、
前記第１誘電体層上に設けられた第２導電体層と、
前記第１誘電体層を貫通し前記第１導電体層と前記第２導電体層とを接続する複数の第１導電体ポストと、
ｈ２／ｈ１≦０．４であるｈ２の厚さを有し前記第２導電体層上に設けられた第２誘電体層と、
前記第２誘電体層上に設けられた第３導電体層と、
前記第２誘電体層を貫通し前記第２導電体層と前記第３導電体層とを接続する複数の第２導電体ポストと、
前記第１導電体層と前記第２導電体層と前記複数の第１導電体ポストとにより囲まれた前記第１誘電体層内の第１空間を有する第１共振器と、
前記第２導電体層と前記第３導電体層と前記複数の第１導電体ポストとにより囲まれ前記第１空間と平面視において略一致する前記第２誘電体層内の第２空間を有する第２共振器と、
前記第２導電体層に設けられ、前記第１空間と前記第２空間とを接続する接続窓と、
を備えるフィルタ装置。 The first conductor layer and
A first dielectric layer having a thickness of h1 and provided on the first conductor layer,
A second conductor layer provided on the first dielectric layer and
A plurality of first conductor posts that penetrate the first dielectric layer and connect the first conductor layer and the second conductor layer.
A second dielectric layer having a thickness of h2 with h2 / h1 ≦ 0.4 and provided on the second conductor layer, and a second dielectric layer.
A third conductor layer provided on the second dielectric layer and
A plurality of second conductor posts that penetrate the second dielectric layer and connect the second conductor layer and the third conductor layer, and
A first resonator having a first space in the first dielectric layer surrounded by the first conductor layer, the second conductor layer, and the plurality of first conductor posts.
It is surrounded by the second conductor layer, the third conductor layer, and the plurality of first conductor posts, and has a second space in the second dielectric layer that substantially coincides with the first space in a plan view. With the second resonator
A connection window provided on the second conductor layer and connecting the first space and the second space,
A filter device comprising. 前記第１空間および前記第２空間の平面形状は略正方形である請求項１に記載のフィルタ装置。 The filter device according to claim 1, wherein the plane shapes of the first space and the second space are substantially square. 前記複数の第１導電体ポストと前記複数の第２導電体ポストとの平面視における位置は略一致する請求項１または２に記載のフィルタ装置。 The filter device according to claim 1 or 2, wherein the positions of the plurality of first conductor posts and the plurality of second conductor posts in a plan view are substantially the same. 前記第１誘電体層と前記第２誘電体層の比誘電率は略一致する請求項１から３のいずれか一項に記載のフィルタ装置。 The filter device according to any one of claims 1 to 3, wherein the relative permittivity of the first dielectric layer and the second dielectric layer are substantially the same. 前記フィルタ装置の通過帯域を形成する共振モードは、ＴＥモードである請求項１から４のいずれか一項に記載のフィルタ装置。 The filter device according to any one of claims 1 to 4, wherein the resonance mode forming the pass band of the filter device is the TE mode. 前記接続窓の平面形状は略円形である請求項１から５のいずれか一項に記載のフィルタ装置。 The filter device according to any one of claims 1 to 5, wherein the plane shape of the connection window is substantially circular. 前記接続窓内に前記第１誘電体層または前記第２誘電体層が設けられている請求項１から６のいずれか一項に記載のフィルタ装置。 The filter device according to any one of claims 1 to 6, wherein the first dielectric layer or the second dielectric layer is provided in the connection window. 一対の導電体層と、前記一対の導電体層に挟まれた誘電体層と、前記誘電体層を貫通し前記一対の導電体層の間を接続する複数の導電体ポストと、を各々備え、前記一対の導電体層と前記複数の導電体ポストとにより囲まれた誘電体内の空間を各々有する複数の共振器を備え、
複数の共振器のうち隣接する共振器において、前記一対の導電体層の一方を共有し、前記空間は平面視において略一致し、共有する導電体層は、隣接する共振器の空間を接続する接続窓を有し、
前記複数の共振器は前記第１共振器および前記第２共振器を含む請求項１から７のいずれか一項に記載のフィルタ装置。 Each includes a pair of conductor layers, a dielectric layer sandwiched between the pair of conductor layers, and a plurality of conductor posts that penetrate the dielectric layers and connect between the pair of conductor layers. A plurality of resonators each having a space in a dielectric surrounded by the pair of conductor layers and the plurality of conductor posts.
In an adjacent resonator among a plurality of resonators, one of the pair of conductor layers is shared, the spaces are substantially coincident in a plan view, and the shared conductor layers connect the spaces of the adjacent resonator layers. Has a connection window,
The filter device according to any one of claims 1 to 7, wherein the plurality of resonators include the first resonator and the second resonator. 前記接続窓の少なくとも１つの接続窓は他の接続窓とサイズが異なる請求項８に記載のフィルタ装置。 The filter device according to claim 8, wherein at least one connection window of the connection window has a size different from that of the other connection windows. 前記複数の共振器のうち最外の共振器の最外の導電体層は前記最外の共振器の空間に接続する開口を有し、前記開口内にパッドが設けられている請求項８または９に記載のフィルタ装置。 The outermost conductor layer of the outermost resonator among the plurality of resonators has an opening connected to the space of the outermost resonator, and a pad is provided in the opening. 9. The filter device according to 9. 前記複数の共振器のうち最外の２つの共振器の最外の導電体層は前記最外の２つの共振器の空間にそれぞれ接続する２つの開口と、前記２つの開口内に２つのパッドがそれぞれ設けられ、
前記２つの開口のサイズは互いに異なる、および／または前記２つのパッドのサイズは互いに異なる請求項８または９に記載のフィルタ装置。
The outermost conductor layer of the two outermost resonators among the plurality of resonators has two openings connected to the spaces of the two outermost resonators, and two pads in the two openings. Are provided respectively,
The filter device according to claim 8 or 9, wherein the two openings have different sizes and / or the two pads have different sizes.

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