JP2021158165A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対して、改質ガスを供給し、前記第1下地の表面を改質させる工程と、
(b)1分子中に第1元素の原子を2つ以上含み、前記第1元素の原子のそれぞれが、前記第1元素とは異なる少なくとも1つの第2元素の原子を介して、該第2元素の原子に直接結合している化合物を原料ガスとして用い、該原料ガスを、前記第1下地の表面を改質させた後の前記基板に対して、前記原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件下で供給し、前記第2下地の表面上に、選択的に、少なくとも前記第1元素と前記第2元素とを含む膜を形成する工程と、
を行う技術が提供される。
以下、本開示の一態様について、図1〜図4、および図5(a)〜図5(e)を参照しながら説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整器)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200の表面に露出した複数種類の下地のうち特定の下地の表面上に選択的に膜を成長させて形成する選択成長(選択成膜)の処理シーケンス例について、図1〜図4、および、図5(a)〜図5(e)を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
(a)表面に第1下地としての下地200aと第2下地としての下地200bとが露出したウエハ200に対して、改質ガスとしてSi含有ガスであるASガスとF含有ガスとを供給することで、下地200aの表面を改質させる工程(ステップA)と、
(b)1分子中に第1元素の原子を2つ以上含み、第1元素の原子のそれぞれが、第1元素とは異なる少なくとも1つの第2元素の原子を介して、該第2元素の原子に直接結合している化合物を原料ガスとして用い、該原料ガスと反応ガスとを、下地200aの表面を改質させた後のウエハ200に対して、原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件下で供給し、下地200bの表面上に、選択的に、少なくとも第1元素と第2元素とを含む膜を形成する工程(ステップB)と、
を行う。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内へのボート217の搬入が終了した後、処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次のステップAおよびステップBをこの順に実行する。
このステップでは、表面に下地200aと下地200bとが露出したウエハ200に対して、改質ガスとしてASガスとF含有ガスとをこの順に供給することで、下地200aの表面を改質させる。ステップAでは、ウエハ200に対してASガスを供給するステップA1と、ウエハ200に対してF含有ガスを供給するステップA2とを、この順に行う。ステップA1とステップA2とをこの順に行うことで、下地200aの表面を、均一に且つ充分に改質(F終端)させることが可能となる。
ステップA1では、処理室201内のウエハ200、すなわち、表面に下地200aと下地200bとが露出したウエハ200に対してSi含有ガスとしてASガスを供給する。これにより、ASガスに含まれるSiを下地200aの表面に吸着させる。
ASガス供給流量:1〜2000sccm、好ましくは1〜500sccm
ASガス供給時間:1秒〜60分
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0〜10000sccm
処理温度:室温(25℃)〜600℃、好ましくは室温〜450℃
処理圧力:1〜2000Pa、好ましくは1〜1000Pa
が例示される。ここで述べた条件は、処理室201内においてASガスが気相分解(熱分解)しない条件である。
Aで表されるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましい。Aで表されるアルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。Aで表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等が挙げられる。
Aで表されるアルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1〜4のアルコキシ基がより好ましい。Aで表されるアルコキシ基中のアルキル基は、上記Aで表されるアルキル基と同様である。
xが2または3の場合、2つまたは3つのAは、同一であってよいし、異なっていてもよい。
Bで表されるアルキル基は、上記Aで表されるアルキル基と同様である。また、2つのBは同一であってもよいし、異なっていてもよく、xが1または2の場合、複数の(NB2)は同一であってもよいし、異なっていてもよい。更に、2つのBが結合して環構造を形成していてもよいし、形成された環構造は更にアルキル基等の置換基を有していてもよい。
中でも、ASガスとしては、MASガスが好ましい。ステップA1において改質ガスとしてMASガスを用いることで、ステップA2において、下地200aの表面を、より均一に且つ充分に改質(F終端)させることが可能となる。
ステップA2では、ウエハ200に対して、F含有ガスを供給することで、F含有ガスと下地200aの表面に吸着させたSiとを反応させて、ウエハ200の表面をフッ素終端(F終端)させるように改質させる。
F含有ガス供給流量:1〜2000sccm、好ましくは1〜500sccm
F含有ガス供給時間:1秒〜60分
処理温度:室温〜550℃、好ましくは室温〜450℃
処理圧力:1〜2000Pa、好ましくは1〜1000Pa
が例示される。他の条件は、ステップA1における処理条件と同様とする。ここで述べた条件は、下地200aの表面をエッチングしない条件であり、また、後述するように下地200aの表面が改質(F終端)される条件である。
このステップでは、ステップAにおいて下地200aの表面を改質させた後のウエハ200に対して、成膜ガスとして、上述の原料ガスと反応ガスとを、原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件下で供給し、下地200bの表面上に、選択的に、少なくとも第1元素と第2元素とを含む膜を形成する。ステップBでは、ウエハ200に対して原料ガスを供給するステップB1と、ウエハ200に対して反応ガスを供給するステップB2と、を非同時に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行う。
ステップB1では、処理室201内のウエハ200、すなわち、下地200a,200bのうち下地200aの表面を選択的に改質させた後のウエハ200に対して原料ガスを供給する。
原料ガス供給流量:1〜2000sccm、好ましくは10〜1000sccm
原料ガス供給時間:1〜180秒、好ましくは10〜120秒
処理温度:350〜600℃、好ましくは400〜550℃
処理圧力:1〜2000Pa、好ましくは10〜1333Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップA1における処理条件と同様とする。
この条件は、原料ガスとして、後述する式(1)および式(2)のいずれかで表される化合物を用いた場合の、原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件である。
本ステップにおける処理条件としては、より具体的には、処理温度が、原料ガスに用いられる化合物の熱分解温度未満であることが好ましく、原料ガスに用いられる化合物の熱分解温度より1〜5℃以上低い温度であることが好ましく、原料ガスに用いられる化合物の熱分解温度より1〜10℃以上低い温度であることがより好ましい。処理温度の下限としては、原料ガスが化学吸着可能な温度であればよい。
(1) : X3A−Y−AX3
(2) : X3A−Z−AX2−Z−AX3
式中、Aは、シリコン(Si)原子、ゲルマニウム(Ge)原子、または4価の金属原子で表される第1元素の原子であり、Xは、各々独立に、塩素(Cl)原子、臭素(Br)原子、ヨウ素(I)原子、NR2、またはORを表し、Rは、各々独立に、水素(H)原子、または炭素数1〜5のアルキル基を表し、Yは、NH、O、CH2、またはCH2−CH2を表し、2つのZは、NH、O、またはCH2を表す。YおよびZ中の、NHにおける窒素(N)原子、Oにおける酸素(O)原子、並びに、CH2およびCH2−CH2における炭素(C)原子は、第2元素の原子である。
(b) : X3A−NH−AX2−NH−AX3
(c) : X3A−O−AX3
(d) : X3A−O−AX2−O−AX3
(e) : X3A−CH2−AX3
(f) : X3A−CH2−AX2−CH2−AX3
(g) : X3A−CH2−CH2−AX3
式(a)〜式(g)におけるA、X、およびRは、式(1)および式(2)におけるA、X、およびRと同義である。
ステップB2では、処理室201内のウエハ200、すなわち、下地200b上に形成された第1層としての第1元素及び第2元素含有層に対して反応ガスを供給する。
反応ガス供給流量:10〜10000sccm
反応ガス供給時間:1〜60秒、好ましくは5〜50秒
処理温度:350〜600℃、好ましくは400〜550℃
処理圧力:1〜4000Pa、好ましくは1〜1333Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップA1における処理条件と同様とする。
上述したステップB1,B2を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、図5(d)に示すように、ウエハ200の表面に露出した下地200a,200bのうち下地200bの表面上に第1元素及び第2元素含有膜(以下、単に膜ともいう)を選択的に形成することができる。なお、図5(d)は、第1元素がSiであり、第2元素がNである例、すなわち、下地200bの表面上にSiN膜を選択的に形成する例を示している。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成される第1元素及び第2元素含有層の厚さを所望の膜厚よりも薄くし、第1元素及び第2元素含有層を積層することで形成される膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
下地200b上への第1元素及び第2元素含有膜の選択的な形成が完了した後、ノズル249a〜249cのそれぞれからパージガスとして不活性ガスを処理室201内へ供給し、排気口231aより排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
処理室201内の圧力が常圧に復帰された後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本態様によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
以上、本開示の一態様を具体的に説明した。
しかしながら、本開示は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
AASガス供給流量:1〜3000sccm、好ましくは1〜500sccm
AASガス供給時間:1秒〜120分、好ましくは30秒〜60分
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0〜20000sccm
処理温度:室温(25℃)〜500℃、好ましくは室温〜250℃
処理圧力:5〜1000Pa
が例示される。
また、本態様では、ステップA´における処理時間を、ステップAにおける処理時間よりも短縮させることができ、生産性をより向上させることが可能となる。また、本態様では、ステップA´において一種類のガスを用いて改質を行うことができることから、ガス供給系を簡素化させることができ、装置コストを大幅に低減させることが可能となる。
上述の態様では、処理後のウエハ200の大気暴露により、下地200aの表面に存在するF終端を除去する例について説明したが、例えば、ステップBが終了した後に、処理室201内のウエハ200に対してH2Oガスを供給し、ウエハ200の表面に接触させることで、下地200aの表面に存在するF終端を除去するようにしてもよい。
ASガス→F含有ガス→(原料ガス+触媒ガス→反応ガス)×n
ASガス→F含有ガス→(原料ガス→反応ガス+触媒ガス)×n
ASガス→F含有ガス→(原料ガス+触媒ガス→反応ガス+触媒ガス)×n
ASガス→F含有ガス→(原料ガス→第1反応ガス→第2反応ガス)×n
ASガス→F含有ガス→(原料ガス→第1反応ガス→第2反応ガス→第3反応ガス)×n
AASガス→(原料ガス→反応ガス)×n
AASガス→(原料ガス+触媒ガス→反応ガス)×n
AASガス→(原料ガス→反応ガス+触媒ガス)×n
AASガス→(原料ガス+触媒ガス→反応ガス+触媒ガス)×n
AASガス→(原料ガス→第1反応ガス→第2反応ガス)×n
AASガス→(原料ガス→第1反応ガス→第2反応ガス→第3反応ガス)×n
なお、インヒビターとしてF終端を用いる場合は、反応ガスとしてH2Oガス等のOH基を含むガス以外のガス(NH3ガス等)を用いることが好ましい。インヒビターとしてF終端を用いる場合に反応ガスとしてH2Oガス等を用いると、F終端とH2Oガスとが反応し、インヒビターが除去されてしまうことがあるためである。
一方、インヒビターとして炭化水素基終端を用いる場合は、反応ガスとしてH2Oガス等を用いても、インヒビターが除去されることはない。よって、反応ガスとしてH2Oガス等を用いる場合は、インヒビターとして炭化水素基終端を用いることが好ましい。なお、インヒビターとして炭化水素基終端を用いる場合は、反応ガスとしてH2Oガス等のOH基を含むガス以外のガス(NH3ガス等)を用いることも可能である。
以下、好ましい態様について付記する。
本開示の一態様によれば、
(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対して、改質ガスを供給し、前記第1下地の表面を改質させる工程と、
(b)1分子中に第1元素の原子を2つ以上含み、前記第1元素の原子のそれぞれが、前記第1元素とは異なる少なくとも1つの第2元素の原子を介して、該第2元素の原子に直接結合している化合物を原料ガスとして用い、該原料ガスを、前記第1下地の表面を改質させた後の前記基板に対して、前記原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件下で供給し、前記第2下地の表面上に、選択的に、少なくとも前記第1元素と前記第2元素とを含む膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、
前記化合物は、前記第1元素の原子同士の結合を含まない。
付記1または2に記載の方法であって、
前記化合物は、前記第2元素の1つの原子に、前記第1元素の2つの原子が直接結合した構造を含むか、もしくは、前記第2元素の原子同士が結合したそれぞれの前記第2元素の原子に前記第1元素の2つの原子がそれぞれ直接結合した構造を含む。
付記1〜3のいずれか1項に記載の方法であって、
前記化合物において、前記第1元素は、半導体元素または金属元素であり、前記第2元素は、窒素、酸素、または炭素である。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、
前記化合物は、下記式(1)および式(2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(1) : X3A−Y−AX3
(2) : X3A−Z−AX2−Z−AX3
(式中、Aは、シリコン原子、ゲルマニウム原子、または4価の金属原子で表される前記第1元素の原子であり、Xは、各々独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、NR2、またはORを表し、Rは、各々独立に、水素原子、または炭素数1〜5のアルキル基を表し、Yは、NH、O、CH2、またはCH2−CH2を表し、2つのZは、NH、O、またはCH2を表す。YおよびZ中の、NHにおける窒素原子、Oにおける酸素原子、並びに、CH2およびCH2−CH2における炭素原子は、前記第2元素の原子である。)
付記1〜5のいずれか1項に記載の方法であって、
前記化合物において、前記第1元素がシリコンであり、前記第2元素が窒素、酸素、または炭素であり、前記化合物は、Si−N−Si結合、Si−N−Si−N−Si結合、Si−O−Si結合、Si−O−Si−O−Si結合、Si−C−Si結合、Si−C−Si−C−Si結合、およびSi−C−C−Si結合のうち少なくとも1つの結合を含む。
付記1〜6のいずれか1項に記載の方法であって、
(b)は、
(b1)前記基板に対して前記原料ガスを供給する工程と、
(b2)前記基板に対して前記原料ガスとは分子構造が異なる反応ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行う工程を含む。
付記1〜7のいずれか1項に記載の方法であって、
(a)において、前記改質ガスとしてフッ素含有ガスを用い、前記第1下地の表面をフッ素で終端させる。
付記8に記載の方法であって、
(a)において、前記改質ガスとしてさらにシリコン含有ガスを用い、
(a)では、
(a1)前記基板に対して前記シリコン含有ガスを供給する工程と、
(a2)前記基板に対して前記フッ素含有ガスを供給する工程と、
をこの順に行う。
付記9に記載の方法であって、
前記シリコン含有ガスとしてアミノシラン系ガスを用いる。
付記9または10に記載の方法であって、
前記シリコン含有ガスは、1分子中に1つのアミノ基を含む化合物のガスである。
付記1〜7のいずれか1項に記載の方法であって、
(a)において、前記改質ガスとして炭化水素基含有ガスを用い、前記第1下地の表面を炭化水素基で終端させる。
付記12に記載の方法であって、
前記炭化水素基含有ガスとして、炭化水素基およびアミノ基を含む化合物のガスを用いる。
付記12または13に記載の方法であって、
前記炭化水素基含有ガスとして、アルキルアミノシラン系ガスを用いる。
付記12〜14のいずれか1項に記載の方法であって、
前記炭化水素基含有ガスは、1分子中に1つのアミノ基と3つの炭化水素基とを含む化合物のガスである。
付記8または12に記載の方法であって、
(c)(b)の後、前記第1下地の表面に形成されたフッ素終端または炭化水素基終端を除去する工程を更に有する。
付記1〜16のいずれか1項に記載の方法であって、
前記第1下地は酸化膜(例えば、シリコン酸化膜)であり、前記第2下地は酸化膜(例えば、シリコン酸化膜)以外の膜である。
付記1〜17のいずれか1項に記載の方法であって、
(a)および(b)を、ノンプラズマの雰囲気下で行う。
本開示の他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して改質ガスを供給する改質ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して1分子中に第1元素の原子を2つ以上含み、前記第1元素の原子のそれぞれが、それらの間に前記第1元素とは異なる第2元素の原子を挟んで、前記第2元素の原子にそれぞれ結合している原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板の温度を調整する温度調整器と、
前記処理室内において、付記1の各処理(各工程)を行わせるように、前記改質ガス供給系、前記原料ガス供給系、および前記温度調整器を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
付記1の各手順(各工程)をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200a 第1下地
200b 第2下地
Claims (8)
- (a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対して、改質ガスを供給し、前記第1下地の表面を改質させる工程と、
(b)1分子中に第1元素の原子を2つ以上含み、前記第1元素の原子のそれぞれが、前記第1元素とは異なる少なくとも1つの第2元素の原子を介して、該第2元素の原子に直接結合している化合物を原料ガスとして用い、該原料ガスを、前記第1下地の表面を改質させた後の前記基板に対して、前記原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件下で供給し、前記第2下地の表面上に、選択的に、少なくとも前記第1元素と前記第2元素とを含む膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記化合物は、前記第1元素の原子同士の結合を含まない、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物は、前記第2元素の1つの原子に、前記第1元素の2つの原子が直接結合した構造を含むか、もしくは、前記第2元素の原子同士が結合したそれぞれの前記第2元素の原子に前記第1元素の2つの原子がそれぞれ直接結合した構造を含む、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物において、前記第1元素は、半導体元素または金属元素であり、前記第2元素は、窒素、酸素、または炭素である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物は、下記式(1)および式(2)のいずれかで表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(1) : X3A−Y−AX3
(2) : X3A−Z−AX2−Z−AX3
(式中、Aは、シリコン原子、ゲルマニウム原子、または4価の金属原子で表される前記第1元素の原子であり、Xは、各々独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、NR2、またはORを表し、Rは、各々独立に、水素原子、または炭素数1〜5のアルキル基を表し、Yは、NH、O、CH2、またはCH2−CH2を表し、2つのZは、NH、O、またはCH2を表す。YおよびZ中の、NHにおける窒素原子、Oにおける酸素原子、並びに、CH2およびCH2−CH2における炭素原子は、前記第2元素の原子である。) - (b)は、
(b1)前記基板に対して前記原料ガスを供給する工程と、
(b2)前記基板に対して前記原料ガスとは分子構造が異なる反応ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行う工程を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して改質ガスを供給する改質ガス供給系と、
1分子中に第1元素の原子を2つ以上含み、前記第1元素の原子のそれぞれが、前記第1元素とは異なる少なくとも1つの第2元素の原子を介して、該第2元素の原子に直接結合している化合物を原料ガスとして用い、該原料ガスを、前記処理室内の基板に対して供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板の温度を調整する温度調整器と、
前記処理室内において、(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対して、前記改質ガスを供給し、前記第1下地の表面を改質させる処理と、(b)前記原料ガスを、前記第1下地の表面を改質させた後の前記基板に対して、前記原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件下で供給し、前記第2下地の表面上に、選択的に、少なくとも前記第1元素と前記第2元素とを含む膜を形成する処理と、を行わせるように、前記改質ガス供給系、前記原料ガス供給系、および前記温度調整器を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内において、
(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対して、改質ガスを供給し、前記第1下地の表面を改質させる手順と、
(b)1分子中に第1元素の原子を2つ以上含み、前記第1元素の原子のそれぞれが、前記第1元素とは異なる少なくとも1つの第2元素の原子を介して、該第2元素の原子に直接結合している化合物を原料ガスとして用い、該原料ガスを、前記第1下地の表面を改質させた後の前記基板に対して、前記原料ガスの熱分解を介した成膜反応が実質的に生じない条件下で供給し、前記第2下地の表面上に、選択的に、少なくとも前記第1元素と前記第2元素とを含む膜を形成する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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