JP2021145114A - Susceptor and electrostatic chuck device - Google Patents

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徳人 森下
Naruto Morishita
徳人 森下
幸夫 三浦
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幸夫 三浦
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Abstract

To provide a susceptor and an electrostatic chuck device including the same, which can suppress a change in a contact area between a power feed terminal and an electrode pin even if the electrode pin is tilted with respect to the power feed terminal due to shear stress caused by a difference in linear expansion coefficients of a mounting plate, a support plate, an internal electrode, etc.SOLUTION: A susceptor 1 includes an electrode 4 installed inside a ceramic plate 3 having a mounting surface 3a for placing a sample and a power supply terminal 5 provided through a ceramic plate 2 to contact an electrode 4. On the surface opposite to the mounting surface 3a, there is a recess 6 that includes at least the power supply terminal 5 and is concave toward the mounting surface 3a.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、サセプタおよび静電チャック装置に関する。 The present invention relates to a susceptor and an electrostatic chuck device.

近年、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体の製造工程において使用されるドライエッチング装置や、ＣＶＤ装置等においては、エッチングやＣＶＤによる成膜をウエハ毎に均一に行うため、半導体ウエハ、液晶基板ガラス、プリント基板等の板状試料を、１枚ずつ処理する枚葉化がすすんでいる。この枚葉式プロセスにおいては、板状試料を１枚ずつ処理室内に保持するために、この板状試料をサセプタと称される試料台（台座）に載置し、所定の処理を施している。
このサセプタは、プラズマ中での使用に耐え、かつ高温での使用に耐え得る必要があることから、耐プラズマ性に優れ、熱伝導率が大きいことが要求される。このようなサセプタとしては、耐プラズマ性、熱伝導性に優れたセラミックス焼結体からなるサセプタが使用されている。 In recent years, in dry etching equipment and CVD equipment used in semiconductor manufacturing processes such as ICs, LSIs, and VLSIs, semiconductor wafers, liquid crystal substrate glass, etc. are used in order to uniformly perform film formation by etching or CVD for each wafer. Sheet-wafering is progressing in which plate-shaped samples such as printed substrates are processed one by one. In this single-wafer process, in order to hold the plate-shaped samples one by one in the processing chamber, the plate-shaped samples are placed on a sample table (pedestal) called a susceptor and subjected to a predetermined treatment. ..
Since this susceptor needs to be able to withstand use in plasma and high temperature, it is required to have excellent plasma resistance and high thermal conductivity. As such a susceptor, a susceptor made of a ceramics sintered body having excellent plasma resistance and thermal conductivity is used.

このようなサセプタには、その内部に電荷を発生させて静電吸着力で板状試料を固定するための静電チャック用電極、通電発熱させて板状試料を加熱するためのヒータ電極、高周波電力を通電してプラズマを発生させてプラズマ処理するためのプラズマ発生用電極等の内部電極を配設したものがある（例えば、特許文献１参照）。 Such a susceptor includes an electrode for an electrostatic chuck for generating an electric charge inside and fixing the plate-shaped sample by electrostatic attraction, a heater electrode for heating the plate-shaped sample by energizing and generating heat, and a high frequency. Some are provided with internal electrodes such as electrodes for generating plasma for generating plasma by energizing electric power (see, for example, Patent Document 1).

図７は、上記のような内部電極が内蔵されたサセプタの一例を示す断面図である。図７に示すサセプタ６００は、図示しない板状試料を載置する載置板６０１と、この載置板６０１を支える支持板６０２と、この載置板６０１と支持板６０２に挟まれて保持される内部電極６０３と、この内部電極６０３に接するように支持板６０２内に埋設され、内部電極６０３に電流を供給する給電用端子６０４，６０４とを有する。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a susceptor having a built-in internal electrode as described above. The susceptor 600 shown in FIG. 7 is sandwiched and held between a mounting plate 601 on which a plate-shaped sample (not shown) is placed, a support plate 602 for supporting the mounting plate 601 and the mounting plate 601 and the support plate 602. It has an internal electrode 603 and feeding terminals 604 and 604 embedded in a support plate 602 so as to be in contact with the internal electrode 603 and supplying a current to the internal electrode 603.

給電端子に電流を供給するために、給電用端子に対して電極ピンを押し当てて、給電用端子と電極ピンを接続する接続構造が知られている（例えば、特許文献２参照）。この接続構造は、給電用端子と電極ピンの接続部には、上記の載置板、支持板、内部電極等の線膨張率の差に起因するせん断応力が掛かるため、そのせん断応力を緩和するために有効である。 A connection structure is known in which an electrode pin is pressed against a power supply terminal to connect the power supply terminal and the electrode pin in order to supply a current to the power supply terminal (see, for example, Patent Document 2). In this connection structure, shear stress due to the difference in linear expansion rate of the mounting plate, support plate, internal electrode, etc. is applied to the connection portion between the power feeding terminal and the electrode pin, so that the shear stress is relaxed. It is effective for.

特許第３７４６９３５号公報Japanese Patent No. 3746935 特許第６２２８０３１号公報Japanese Patent No. 6228031

しかしながら、特許文献２の接続構造では、平面状の給電端子に電極ピンを押し当てるため、接続部に、上記の載置板、支持板、内部電極等の線膨張率の差に起因するせん断応力が掛かると、給電端子に対して電極ピンが傾いて、給電端子と電極ピンとの接触面積が変化し、電極ピンから給電端子へ所定量の電流を供給することができないという課題があった。 However, in the connection structure of Patent Document 2, since the electrode pin is pressed against the flat power feeding terminal, the shear stress caused by the difference in the linear expansion rate of the mounting plate, the support plate, the internal electrode, etc. is applied to the connection portion. When this is applied, the electrode pin is tilted with respect to the power feeding terminal, the contact area between the feeding terminal and the electrode pin changes, and there is a problem that a predetermined amount of current cannot be supplied from the electrode pin to the feeding terminal.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、載置板、支持板、内部電極等の線膨張率の差に起因するせん断応力が掛かって、給電端子に対して電極ピンが傾いても、給電端子と電極ピンとの接触面積の変化を抑制することができるサセプタ、およびサセプタを含む静電チャック装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and the electrode pins are tilted with respect to the feeding terminal due to shear stress caused by the difference in linear expansion rate of the mounting plate, the support plate, the internal electrodes, and the like. However, it is an object of the present invention to provide a susceptor capable of suppressing a change in the contact area between the power feeding terminal and the electrode pin, and an electrostatic chuck device including the susceptor.

上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、試料を載置する載置面を有するセラミックス板の内部に設けられた電極と、該電極に接するように、前記セラミックス板を貫通して設けられる給電端子と、を備え、前記載置面とは反対側の面において、少なくとも前記給電端子を含み、前記載置面側に凹む凹部を有する、サセプタを提供する。 In order to solve the above problems, one aspect of the present invention is to penetrate an electrode provided inside a ceramic plate having a mounting surface on which a sample is placed and the ceramic plate so as to be in contact with the electrode. Provided is a susceptor comprising a power feeding terminal provided, and having at least the power feeding terminal on a surface opposite to the previously described mounting surface and having a recess recessed on the previously described mounting surface side.

本発明の一態様においては、前記セラミックス板の厚み方向における前記凹部の内面の断面形状は、少なくとも１つの曲率若しくは二次関数で表される曲線状または双曲線状であってもよい。 In one aspect of the present invention, the cross-sectional shape of the inner surface of the recess in the thickness direction of the ceramic plate may be curved or hyperbolic represented by at least one curvature or a quadratic function.

本発明の一態様においては、前記内面を被覆する金属層を有していてもよい。 In one aspect of the present invention, it may have a metal layer that covers the inner surface.

本発明の一態様においては、前記金属層における前記内面とは反対側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は２μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。 In one aspect of the present invention, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the metal layer opposite to the inner surface may be 2 μm or more and 30 μm or less.

本発明の一態様においては、前記電極および前記給電端子は、絶縁性物質と導電性物質の複合体であってもよい。 In one aspect of the present invention, the electrode and the feeding terminal may be a composite of an insulating substance and a conductive substance.

本発明の一態様においては、前記絶縁性物質は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化イットリウム（ＩＩＩ）、イットリウム・アルミニウム・ガーネットおよびＳｍＡｌＯ３からなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。 In one aspect of the invention, the insulating material is at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, yttrium oxide (III), yttrium aluminum garnet and SmAlO 3. May be good.

本発明の一態様においては、前記導電性物質は、Ｍｏ２Ｃ、Ｍｏ、ＷＣ、Ｗ、ＴａＣ、Ｔａ、ＳｉＣ、カーボンブラック、カーボンナノチューブおよびカーボンナノファイバーからなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。 In one aspect of the invention, the conductive material is at least one selected from the group consisting of Mo 2 C, Mo, WC, W, TaC, Ta, SiC, carbon black, carbon nanotubes and carbon nanofibers. There may be.

本発明の一態様は、セラミックスからなる静電チャック部材と、金属からなる温度調整用ベース部材とを、接着剤層を介して接合してなる静電チャック装置であって、前記静電チャック部材は、本発明の一態様に係るサセプタからなる静電チャック装置を提供する。 One aspect of the present invention is an electrostatic chuck device in which an electrostatic chuck member made of ceramics and a temperature control base member made of metal are joined via an adhesive layer, and the electrostatic chuck member. Provides an electrostatic chuck device comprising a susceptor according to one aspect of the present invention.

本発明によれば、載置板、支持板、内部電極等の線膨張率の差に起因するせん断応力が掛かって、給電端子に対して電極ピンが傾いても、給電端子と電極ピンとの接触面積の変化を抑制することができるサセプタ、およびサセプタを含む静電チャック装置を提供することができる。 According to the present invention, even if the electrode pin is tilted with respect to the power supply terminal due to shear stress caused by the difference in linear expansion rate of the mounting plate, the support plate, the internal electrode, etc., the contact between the power supply terminal and the electrode pin A susceptor capable of suppressing a change in area and an electrostatic chuck device including the susceptor can be provided.

本発明の一実施形態に係るサセプタを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the susceptor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る静電チャック装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electrostatic chuck device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るサセプタの第１変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st modification of the susceptor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るサセプタの第２変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd modification of the susceptor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るサセプタの第３変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 3rd modification of the susceptor which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るサセプタの第４変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the 4th modification of the susceptor which concerns on one Embodiment of this invention. 従来のサセプタを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional susceptor.

以下、図面を参照して本発明に係るサセプタおよび静電チャック装置の実施の形態について説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、便宜上、特徴となる部分を拡大して示しており、各構成要素の寸法比率等は、実際とは異なる場合がある。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更できる。 Hereinafter, embodiments of the susceptor and electrostatic chuck device according to the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the drawings used in the following description are shown by enlarging the characteristic portions for convenience, and the dimensional ratios and the like of each component may differ from the actual ones. Further, the materials, dimensions, etc. exemplified in the following description are examples, and the present invention is not limited thereto, and can be appropriately changed without changing the gist thereof.

［サセプタ］
図１は、本実施形態のサセプタを示す断面図である。図１に示すように、本実施形態のサセプタ１は、導電性物質を含む一対のセラミックス板２，３と、一対のセラミックス板２，３の間に介在する電極４と、電極４に接するように、セラミックス板２を貫通して設けられる給電端子５と、を備えている。
以下、セラミックス板２を第１のセラミックス板２、セラミックス板３を第２のセラミックス板３と言う。
図１に示すように、サセプタ１は、第１のセラミックス板２と、電極４と、第２のセラミックス板３とがこの順に積層されている。すなわち、サセプタ１は、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３が、電極４を介して、接合一体化されてなる接合体である。 [Suceptor]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a susceptor of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the susceptor 1 of the present embodiment is in contact with the pair of ceramic plates 2 and 3 containing a conductive substance, the electrode 4 interposed between the pair of ceramic plates 2 and 3, and the electrode 4. The power supply terminal 5 is provided so as to penetrate the ceramic plate 2.
Hereinafter, the ceramic plate 2 is referred to as a first ceramic plate 2, and the ceramic plate 3 is referred to as a second ceramic plate 3.
As shown in FIG. 1, in the susceptor 1, the first ceramic plate 2, the electrode 4, and the second ceramic plate 3 are laminated in this order. That is, the susceptor 1 is a joined body in which the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 are joined and integrated via the electrode 4.

図１に示すように、第２のセラミックス板３は、試料（図示略）を載置する載置面３ａを有する。すなわち、載置面３ａは、第２のセラミックス板３における電極４とは反対側の面（上面）である。 As shown in FIG. 1, the second ceramic plate 3 has a mounting surface 3a on which a sample (not shown) is placed. That is, the mounting surface 3a is the surface (upper surface) of the second ceramic plate 3 opposite to the electrode 4.

図１に示すように、本実施形態のサセプタ１は、載置面３ａとは反対側の面、すなわち、第１のセラミックス板２における電極４とは反対側の面（下面）２ａにおいて、給電端子５を含み、載置面３ａ側に凹む凹部６を有する。本実施形態のサセプタ１では、給電端子５のみに凹部６が形成されている。また、凹部６の内面６ａ（開口部）は、第１のセラミックス板２と給電端子５の境界まで形成されている。さらに、セラミックス板２，３の厚み方向における凹部６の内面６ａの断面形状は、少なくとも１つの曲率若しくは二次関数で表される曲線状または双曲線状であることが好ましい。すなわち、前記の凹部６の内面６ａの断面形状は、１つまたは２つ以上の曲率で表される曲線状であってもよく、双曲線状であってもよい。凹部６の内面６ａの断面形状の具体例としては、例えば、図１に示す弧状または円弧状が挙げられる。 As shown in FIG. 1, the susceptor 1 of the present embodiment feeds power on a surface opposite to the mounting surface 3a, that is, a surface (lower surface) 2a opposite to the electrode 4 in the first ceramic plate 2. It includes a terminal 5 and has a recess 6 recessed on the mounting surface 3a side. In the susceptor 1 of the present embodiment, the recess 6 is formed only in the power feeding terminal 5. Further, the inner surface 6a (opening) of the recess 6 is formed up to the boundary between the first ceramic plate 2 and the power feeding terminal 5. Further, the cross-sectional shape of the inner surface 6a of the recess 6 in the thickness direction of the ceramic plates 2 and 3 is preferably a curved shape or a hyperbolic shape represented by at least one curvature or a quadratic function. That is, the cross-sectional shape of the inner surface 6a of the recess 6 may be a curved shape represented by one or two or more curvatures, or may be a hyperbolic shape. Specific examples of the cross-sectional shape of the inner surface 6a of the recess 6 include an arc shape or an arc shape shown in FIG.

凹部６の内面６ａの形状や大きさは、特に限定されないが、図１に示すように、給電端子５に押し当てて接続される電極ピン３０の接続部３１の先端部３１Ａの形状や大きさに応じて、適宜調整される。凹部６の内面６ａの形状は、例えば、先端部３１Ａの外径３１ａに沿った形状をなしている。これにより、給電端子５に対して電極ピン３０が傾いても、凹部６の内面６ａと電極ピン３０の先端部３１Ａとの接触面積を充分に確保し、これらの接触面積の変化を抑制することができる。 The shape and size of the inner surface 6a of the recess 6 are not particularly limited, but as shown in FIG. 1, the shape and size of the tip portion 31A of the connection portion 31 of the electrode pin 30 which is pressed against the power supply terminal 5 and connected. It is adjusted as appropriate according to the above. The shape of the inner surface 6a of the recess 6 is, for example, a shape along the outer diameter 31a of the tip portion 31A. As a result, even if the electrode pin 30 is tilted with respect to the power feeding terminal 5, a sufficient contact area between the inner surface 6a of the recess 6 and the tip portion 31A of the electrode pin 30 is sufficiently secured, and changes in these contact areas are suppressed. Can be done.

第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３は、その重ね合わせ面の形状を同じくする。
第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３の厚さは、特に限定されず、セラミックス接合体１の用途に応じて適宜調整される。 The first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 have the same shape of their overlapping surfaces.
The thicknesses of the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 are not particularly limited, and are appropriately adjusted according to the use of the ceramic joint 1.

第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３は、同一組成または主成分が同一である。第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３は、絶縁性物質と導電性物質の複合体からなる。 The first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 have the same composition or the same main component. The first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 are made of a composite of an insulating substance and a conductive substance.

第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３に含まれる絶縁性物質は、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）等が挙げられる。 The insulating material contained in the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 is not particularly limited, and is, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (Al N), yttrium oxide (Y 2 O 3). ), Yttrium aluminum garnet (YAG) and the like.

第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３に含まれる導電性物質は、特に限定されないが、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭素（Ｃ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、カーボンナノファイバー、希土類酸化物、希土類フッ化物等が挙げられる。 The conductive material contained in the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 is not particularly limited, and is, for example, silicon carbide (SiC), titanium oxide (TIO 2 ), titanium nitride (TiN), titanium carbide ( Examples thereof include TiC), carbon (C), carbon nanotube (CNT), carbon nanofibers, rare earth oxides, and rare earth fluorides.

第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３の材料は、体積固有抵抗値が１０１３Ω・ｃｍ以上かつ１０１５Ω・ｃｍ以下程度であり、機械的な強度を有し、しかも腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐久性を有するものであれば、特に限定されない。このような材料としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）−炭化ケイ素（ＳｉＣ）複合焼結体等が挙げられるが、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性の観点から、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）−炭化ケイ素（ＳｉＣ）複合焼結体が好ましい。 The materials of the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 have a volume resistivity of 10 13 Ω · cm or more and 10 15 Ω · cm or less, have mechanical strength, and are corrosive. It is not particularly limited as long as it has durability against gas and its plasma. Examples of such a material include an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) sintered body, an aluminum nitride (AlN) sintered body, an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) -silicon carbide (SiC) composite sintered body, and the like. However, from the viewpoint of dielectric properties at high temperature, high corrosion resistance, plasma resistance, and heat resistance, an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) -silicon carbide (SiC) composite sintered body is preferable.

第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径は、０．５μｍ以上かつ３．０μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以上かつ２．０μｍ以下であることがより好ましい。
第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径が０．５μｍ以上３．０μｍ以下であれば、緻密で耐電圧性が高く、耐久性の高い第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３を得ることができる。 The average primary particle diameters of the insulating substances constituting the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 are preferably 0.5 μm or more and 3.0 μm or less, and 1.0 μm or more and 2.0 μm or less. Is more preferable.
When the average primary particle diameter of the insulating substances constituting the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 is 0.5 μm or more and 3.0 μm or less, the first ceramic plate 2 is dense, has high withstand voltage resistance, and has high durability. The ceramic plate 2 of 1 and the second ceramic plate 3 can be obtained.

第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径の測定方法は、次の通りである。日本電子社製の電解放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）で、第１のセラミックス板２および第２のセラミックス板３の厚み方向の切断面を観察し、インターセプト法により絶縁性物質２００個の粒子径の平均を平均一次粒子径とする。 The method for measuring the average primary particle size of the insulating substance constituting the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 is as follows. With an electrolytic emission scanning electron microscope (FE-SEM) manufactured by JEOL Ltd., the cut surfaces of the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 in the thickness direction were observed, and 200 insulating substances were observed by the intercept method. Let the average particle size be the average primary particle size.

電極４は、高周波電力を通電してプラズマを発生させてプラズマ処理するためのプラズマ発生用電極、電荷を発生させて静電吸着力で板状試料を固定するための静電チャック用電極、通電発熱させて板状試料を加熱するためのヒータ電極等として用いられるものである。電極４の形状（電極４を平面視した（厚さ方向から見た）場合の形状）や、大きさ（厚さや、電極４を平面視した（厚さ方向から見た）場合の面積）は、特に限定されず、サセプタ１の用途に応じて適宜調整される。 The electrode 4 is a plasma generation electrode for energizing high-frequency power to generate plasma and performing plasma processing, an electrostatic chuck electrode for generating electric charge and fixing a plate-shaped sample by electrostatic attraction, and energization. It is used as a heater electrode or the like for heating a plate-shaped sample by generating heat. The shape of the electrode 4 (the shape when the electrode 4 is viewed in a plane (viewed from the thickness direction)) and the size (the thickness and the area when the electrode 4 is viewed in a plane (viewed from the thickness direction)) are , Is not particularly limited, and is appropriately adjusted according to the use of the susceptor 1.

電極４は、絶縁性物質と導電性物質の複合体である。 The electrode 4 is a composite of an insulating substance and a conductive substance.

電極４に含まれる絶縁性物質は、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化イットリウム（ＩＩＩ）（Ｙ２Ｏ３）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）およびＳｍＡｌＯ３からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。電極４に含まれる絶縁性物質は、第1のセラミック板２および第２のセラミック板３の主成分に合わせることが好ましい。
電極４が、導電性物質と絶縁性物質からなることにより、第１のセラミック板２および、第２のセラミック板３との接合強度並びに、電極としての機械的強度が強くなる。
電極４に含まれる絶縁性物質が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であることにより、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が保たれる。 The insulating substance contained in the electrode 4 is not particularly limited, and is, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (Al N ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), yttrium oxide (III) (Y 2 O). 3 ), at least one selected from the group consisting of yttrium aluminum garnet (YAG) and SmAlO 3 is preferable. The insulating substance contained in the electrode 4 is preferably matched with the main components of the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3.
Since the electrode 4 is made of a conductive substance and an insulating substance, the bonding strength between the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 and the mechanical strength as an electrode are increased.
Since the insulating substance contained in the electrode 4 is aluminum oxide (Al 2 O 3 ), the dielectric property at high temperature, high corrosion resistance, plasma resistance, and heat resistance are maintained.

電極４に含まれる導電性物質は、炭化モリブデン（Ｍｏ２Ｃ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭化タングステン（ＷＣ）、タングステン（Ｗ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、タンタル（Ｔａ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、カーボンブラック、カーボンナノチューブおよびカーボンナノファイバーからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。電極４に含まれる導電性物質が前記物質からなる群から選択される少なくとも１種であることにより、導電層の導電率を担保することができる。 Conductive material contained in the electrode 4, molybdenum carbide (Mo 2 C), molybdenum (Mo), tungsten carbide (WC), tungsten (W), tantalum carbide (TaC), tantalum (Ta), silicon carbide (SiC) , Carbon black, preferably at least one selected from the group consisting of carbon nanotubes and carbon nanofibers. When the conductive substance contained in the electrode 4 is at least one selected from the group consisting of the substances, the conductivity of the conductive layer can be ensured.

電極４における絶縁性物質と導電性物質の含有量の比（配合比）は、特に限定されず、サセプタ１の用途に応じて適宜調整される。 The ratio (blending ratio) of the contents of the insulating substance and the conductive substance in the electrode 4 is not particularly limited, and is appropriately adjusted according to the use of the susceptor 1.

給電端子５は、電極４に電流を供給するものである。給電端子５の形状（給電端子５を平面視した（厚さ方向から見た）場合の形状）や、大きさ（厚さや、給電端子５を平面視した（厚さ方向から見た）場合の面積）は、特に限定されず、サセプタ１の用途に応じて適宜調整される。 The power feeding terminal 5 supplies a current to the electrode 4. The shape of the power supply terminal 5 (the shape when the power supply terminal 5 is viewed in a plane (viewed from the thickness direction)) and the size (the thickness and the shape when the power supply terminal 5 is viewed in a plane (viewed from the thickness direction)) The area) is not particularly limited, and is appropriately adjusted according to the use of the susceptor 1.

給電端子５は、絶縁性物質と導電性物質の複合体である。 The power feeding terminal 5 is a composite of an insulating substance and a conductive substance.

給電端子５に含まれる絶縁性物質は、電極４に含まれる絶縁性物質と同様である。
給電端子５に含まれる導電性物質は、電極４に含まれる導電性物質と同様である。 The insulating substance contained in the power feeding terminal 5 is the same as the insulating substance contained in the electrode 4.
The conductive substance contained in the power feeding terminal 5 is the same as the conductive substance contained in the electrode 4.

給電端子５における絶縁性物質と導電性物質の含有量の比（配合比）は、特に限定されず、サセプタ１の用途に応じて適宜調整されるが、例えば、導電性物質の含有量が４５質量％以上７５％以下であることが好ましく、５０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましく、５５質量％以上６５質量％以下であることがより好ましい。導電性物質の含有量が４５質量％以上７５質量％以下であれば、電極４に十分な電流を供給することができ、給電端子としての強度も兼ね備えることができる。 The ratio (blending ratio) of the content of the insulating substance and the conductive substance in the power feeding terminal 5 is not particularly limited and is appropriately adjusted according to the use of the susceptor 1. For example, the content of the conductive substance is 45. It is preferably 5% by mass or more and 75% by mass or less, more preferably 50% by mass or more and 70% by mass or less, and more preferably 55% by mass or more and 65% by mass or less. When the content of the conductive substance is 45% by mass or more and 75% by mass or less, a sufficient current can be supplied to the electrode 4, and the strength as a feeding terminal can also be obtained.

本実施形態のサセプタ１によれば、載置面３ａとは反対側の面において、給電端子５を含み、載置面３ａ側に凹む凹部６を有するため、セラミックス板２，３、電極４等の線膨張率の差に起因するせん断応力が掛かって、給電端子５に対して電極ピン３０が傾いても、給電端子５と電極ピン３０との接触面積の変化を抑制することができる。また、セラミックス板２，３の厚み方向における凹部６の内面６ａの断面形状は、少なくとも１つの曲率若しくは二次関数で表される曲線状または双曲線状であれば、セラミックス板２，３、電極４等の線膨張率の差に起因するせん断応力が掛かって、給電端子５に対して電極ピン３０が傾いても、給電端子５と電極ピン３０との接触面積の変化を抑制する効果がより向上する。 According to the susceptor 1 of the present embodiment, since the surface opposite to the mounting surface 3a includes the feeding terminal 5 and has the recess 6 recessed on the mounting surface 3a side, the ceramic plates 2, 3, the electrodes 4, etc. Even if the electrode pin 30 is tilted with respect to the feeding terminal 5 due to the shear stress caused by the difference in the coefficient of linear expansion of the above, it is possible to suppress the change in the contact area between the feeding terminal 5 and the electrode pin 30. Further, if the cross-sectional shape of the inner surface 6a of the recess 6 in the thickness direction of the ceramic plates 2 and 3 is a curved shape or a hyperbola represented by at least one curvature or a quadratic function, the ceramic plates 2 and 3 and the electrode 4 Even if the electrode pin 30 is tilted with respect to the feeding terminal 5 due to shear stress caused by the difference in linear expansion rate such as, the effect of suppressing the change in the contact area between the feeding terminal 5 and the electrode pin 30 is further improved. do.

なお、本実施形態では、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３が別体である場合を例示したが、本発明に係るサセプタはこれに限定されない。本発明に係るサセプタは、第１のセラミックス板と第２のセラミックス板が一体化され、その内部に電極が設けられていてもよい。 In the present embodiment, the case where the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 are separate bodies is illustrated, but the susceptor according to the present invention is not limited to this. In the susceptor according to the present invention, the first ceramic plate and the second ceramic plate may be integrated and an electrode may be provided inside the first ceramic plate.

［サセプタの製造方法］
以下、図１を参照しながら、本実施形態のサセプタの製造方法について説明する。 [Manufacturing method of susceptor]
Hereinafter, the method for producing the susceptor of the present embodiment will be described with reference to FIG.

スクリーン印刷法等の塗工法により、第１のセラミックス板２の上面２ｂに電極形成用ペーストを塗布し、電極４となる塗膜（電極塗膜）を形成する。
電極形成用ペーストとしては、電極４を形成する絶縁性物質および導電性物質を、溶媒に分散させたものが用いられる。
電極形成用ペースに含まれる溶媒としては、イソプロピルアルコール等が用いられる。 An electrode-forming paste is applied to the upper surface 2b of the first ceramic plate 2 by a coating method such as a screen printing method to form a coating film (electrode coating film) to be the electrode 4.
As the electrode-forming paste, a paste in which an insulating substance and a conductive substance forming the electrode 4 are dispersed in a solvent is used.
Isopropyl alcohol or the like is used as the solvent contained in the electrode forming pace.

次に、電極塗膜の第１のセラミックス板２と接する面とは反対側の面に、第２のセラミックス板３の下面３ｂが接するように、第２のセラミックス板３を積層する。 Next, the second ceramic plate 3 is laminated so that the lower surface 3b of the second ceramic plate 3 is in contact with the surface of the electrode coating film on the side opposite to the surface in contact with the first ceramic plate 2.

次に、第２のセラミックス板３に、例えば、ダイヤモンドドリルによる穴あけ加工、レーザー加工法、放電加工法、超音波加工法等により、その下面２ａから電極４に至る貫通孔２Ａを形成する。 Next, a through hole 2A extending from the lower surface 2a to the electrode 4 is formed in the second ceramic plate 3 by, for example, drilling with a diamond drill, laser machining, electric discharge machining, ultrasonic machining, or the like.

次に、スクリーン印刷法等の塗工法により、貫通孔２Ａ内に給電端子形成用ペーストを塗布し、給電端子５となる塗膜（導電性塗膜）を形成する。
給電端子形成用ペーストとしては、給電端子５を形成する絶縁性物質および導電性物質を、溶媒に分散させたものが用いられる。
給電端子形成用ペースに含まれる溶媒としては、イソプロピルアルコール等が用いられる。 Next, a paste for forming a power feeding terminal is applied into the through hole 2A by a coating method such as a screen printing method to form a coating film (conductive coating film) serving as the power feeding terminal 5.
As the feed terminal forming paste, a paste in which an insulating substance and a conductive substance forming the power supply terminal 5 are dispersed in a solvent is used.
Isopropyl alcohol or the like is used as the solvent contained in the pace for forming the feeding terminal.

次に、第１のセラミックス板２、電極４となる塗膜、給電端子５となる塗膜、および第２のセラミックス板３を含む積層体を、加熱しながら、厚さ方向に加圧する。積層体を、加熱しながら、厚さ方向に加圧する際の雰囲気は、真空、あるいはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ２等の不活性雰囲気が好ましい。 Next, the laminate including the first ceramic plate 2, the coating film serving as the electrode 4, the coating film serving as the power feeding terminal 5, and the second ceramic plate 3 is pressed in the thickness direction while being heated. The atmosphere when the laminate is pressurized in the thickness direction while being heated is preferably a vacuum or an inert atmosphere such as Ar, He, N 2.

前記の積層体を加熱する温度（熱処理温度）は、１６００℃以上かつ１９００℃以下であることが好ましく、１６５０℃以上かつ１８５０℃以下であることがより好ましい。
積層体を加熱する温度が１６００℃以上かつ１９００℃以下であれば、それぞれの塗膜に含まれる溶媒を揮発させて、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３の間に、電極４を形成することができる。また、電極４を介して、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３を接合一体化することができる。 The temperature for heating the laminate (heat treatment temperature) is preferably 1600 ° C. or higher and 1900 ° C. or lower, and more preferably 1650 ° C. or higher and 1850 ° C. or lower.
When the temperature for heating the laminate is 1600 ° C. or higher and 1900 ° C. or lower, the solvent contained in each coating film is volatilized, and the electrode 4 is placed between the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3. Can be formed. Further, the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 can be joined and integrated via the electrode 4.

前記の積層体を厚さ方向に加圧する圧力（加圧力）は、１．０ＭＰａ以上かつ５０．０ＭＰａ以下であることが好ましく、５．０ＭＰａ以上かつ２０．０ＭＰａ以下であることがより好ましい。
積層体を厚さ方向に加圧する圧力が１．０ＭＰａ以上かつ５０．０ＭＰａ以下であれば、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３の間に、電極４を形成することができる。また、電極４を介して、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３を接合一体化することができる。 The pressure (pressurizing pressure) for pressurizing the laminated body in the thickness direction is preferably 1.0 MPa or more and 50.0 MPa or less, and more preferably 5.0 MPa or more and 20.0 MPa or less.
When the pressure for pressurizing the laminate in the thickness direction is 1.0 MPa or more and 50.0 MPa or less, the electrode 4 can be formed between the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3. Further, the first ceramic plate 2 and the second ceramic plate 3 can be joined and integrated via the electrode 4.

次に、レーザー加工法、放電加工法、超音波加工法等により、第１のセラミックス板２の下面２ａにおいて、給電端子５を含み、載置面３ａ側に凹む凹部６を形成し、サセプタ１を得る。 Next, a recess 6 including a power supply terminal 5 and recessed on the mounting surface 3a side is formed on the lower surface 2a of the first ceramic plate 2 by a laser machining method, an electric discharge machining method, an ultrasonic machining method, or the like, and the susceptor 1 is formed. To get.

［静電チャック装置］
以下、図２を参照しながら、本発明の一実施形態に係る静電チャック装置について説明する。 [Electrostatic chuck device]
Hereinafter, the electrostatic chuck device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図２は、本実施形態の静電チャック装置を示す断面図である。なお、図２において、図１に示したセラミックス接合体と同一の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図２に示すように、本実施形態の静電チャック装置１００は、円板状の静電チャック部材１０２と、静電チャック部材１０２を所望の温度に調整する円板状の温度調節用ベース部材１０３と、これら静電チャック部材１０２および温度調整用ベース部材１０３を接合・一体化する接着剤層１０４と、を有している。本実施形態の静電チャック装置１００では、静電チャック部材１０２が、例えば、上述の実施形態のサセプタ１からなる。ここでは、静電チャック部材１０２がサセプタ１からなる場合について説明する。
以下の説明においては、載置板１１１の載置面１１１ａ側を「上」、温度調整用ベース部材１０３側を「下」として記載し、各構成の相対位置を表すことがある。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing the electrostatic chuck device of the present embodiment. In FIG. 2, the same components as those of the ceramic joint shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck device 100 of the present embodiment includes a disk-shaped electrostatic chuck member 102 and a disk-shaped temperature control base member that adjusts the electrostatic chuck member 102 to a desired temperature. It has 103, and an adhesive layer 104 that joins and integrates the electrostatic chuck member 102 and the temperature adjusting base member 103. In the electrostatic chuck device 100 of the present embodiment, the electrostatic chuck member 102 includes, for example, the susceptor 1 of the above-described embodiment. Here, a case where the electrostatic chuck member 102 is composed of the susceptor 1 will be described.
In the following description, the mounting surface 111a side of the mounting plate 111 may be referred to as "upper" and the temperature adjusting base member 103 side may be referred to as "lower" to represent the relative positions of each configuration.

［静電チャック部材］
静電チャック部材１０２は、上面が半導体ウエハ等の板状試料を載置する載置面１１１ａとされたセラミックスからなる載置板１１１と、載置板１１１の載置面１１１ａとは反対の面側に設けられた支持板１１２と、これら載置板１１１と支持板１１２との間に挟持された静電吸着用電極１１３と、載置板１１１と支持板１１２とに挟持され静電吸着用電極１１３の周囲を囲む環状の絶縁材１１４と、静電吸着用電極１１３に接するように支持板１１２の貫通孔１１５内に設けられた給電端子１１６と、温度調節用ベース部材１０３の固定孔１１７内に設けられた電極ピン１１８と、を有している。
静電チャック部材１０２において、載置板１１１が上記の第２のセラミックス板３に相当し、支持板１１２が上記の第１のセラミックス板２に相当し、静電吸着用電極１１３が上記の電極４に相当し、給電端子１１６が上記の給電端子５に相当し、電極ピン１１８が電極ピン３０に相当する。 [Electrostatic chuck member]
The electrostatic chuck member 102 has a mounting plate 111 whose upper surface is made of ceramics having a mounting surface 111a on which a plate-shaped sample such as a semiconductor wafer is mounted, and a surface opposite to the mounting surface 111a of the mounting plate 111. The support plate 112 provided on the side, the electrostatic adsorption electrode 113 sandwiched between the mounting plate 111 and the support plate 112, and the electrostatic adsorption electrode 113 sandwiched between the mounting plate 111 and the support plate 112 for electrostatic adsorption. An annular insulating material 114 surrounding the electrode 113, a power supply terminal 116 provided in a through hole 115 of the support plate 112 so as to be in contact with the electrostatic adsorption electrode 113, and a fixing hole 117 of the temperature control base member 103. It has an electrode pin 118 provided inside.
In the electrostatic chuck member 102, the mounting plate 111 corresponds to the second ceramic plate 3, the support plate 112 corresponds to the first ceramic plate 2, and the electrostatic adsorption electrode 113 corresponds to the electrode. The power supply terminal 116 corresponds to the above-mentioned power supply terminal 5, and the electrode pin 118 corresponds to the electrode pin 30.

［載置板］
載置板１１１の載置面１１１ａには、半導体ウエハ等の板状試料を支持するための多数の突起が立設され（図示略）ている。さらに、載置板１１１の載置面１１１ａの周縁部には、ヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスが漏れないように、この周縁部を一周するように、断面四角形状の環状突起部が設けられていてもよい。さらに、この載置面１１１ａ上の環状突起部に囲まれた領域には、環状突起部と高さが同一であり横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部が設けられていてもよい。 [Mounting board]
A large number of protrusions for supporting a plate-shaped sample such as a semiconductor wafer are erected on the mounting surface 111a of the mounting plate 111 (not shown). Further, on the peripheral edge of the mounting surface 111a of the mounting plate 111, an annular protrusion having a quadrangular cross section is provided so as to go around the peripheral edge so that cooling gas such as helium (He) does not leak. You may be. Further, in the region surrounded by the annular protrusions on the mounting surface 111a, a plurality of protrusions having the same height as the annular protrusions, having a circular cross section and a substantially rectangular vertical cross section are provided. You may be.

載置板１１１の厚さは、０．３ｍｍ以上かつ３．０ｍｍ以下であることが好ましく、０．５ｍｍ以上かつ１．５ｍｍ以下であることがより好ましい。載置板１１１の厚さが０．３ｍｍ以上であれば、耐電圧性に優れる。一方、載置板１１１の厚さが３．０ｍｍ以下であれば、静電チャック部材１０２の静電吸着力が低下することがなく、載置板１１１の載置面１１１ａに載置される板状試料と温度調整用ベース部材１０３との間の熱伝導性が低下することもなく、処理中の板状試料の温度を好ましい一定の温度に保つことができる。 The thickness of the mounting plate 111 is preferably 0.3 mm or more and 3.0 mm or less, and more preferably 0.5 mm or more and 1.5 mm or less. When the thickness of the mounting plate 111 is 0.3 mm or more, the withstand voltage resistance is excellent. On the other hand, if the thickness of the mounting plate 111 is 3.0 mm or less, the electrostatic attraction force of the electrostatic chuck member 102 does not decrease, and the plate is mounted on the mounting surface 111a of the mounting plate 111. The temperature of the plate-shaped sample being processed can be maintained at a preferable constant temperature without reducing the thermal conductivity between the shaped sample and the temperature adjusting base member 103.

［支持板］
支持板１１２は、載置板１１１と静電吸着用電極１１３を下側から支持している。 [Support plate]
The support plate 112 supports the mounting plate 111 and the electrostatic adsorption electrode 113 from below.

支持板１１２の厚さは、０．３ｍｍ以上かつ３．０ｍｍ以下であることが好ましく、０．５ｍｍ以上かつ１．５ｍｍ以下であることがより好ましい。支持板１１２の厚さが０．３ｍｍ以上であれば、充分な耐電圧を確保することができる。一方、支持板１１２の厚さが３．０ｍｍ以下であれば、静電チャック部材１０２の静電吸着力が低下することがなく、載置板１１１の載置面１１１ａに載置される板状試料と温度調整用ベース部材１０３との間の熱伝導性が低下することもなく、処理中の板状試料の温度を好ましい一定の温度に保つことができる。 The thickness of the support plate 112 is preferably 0.3 mm or more and 3.0 mm or less, and more preferably 0.5 mm or more and 1.5 mm or less. If the thickness of the support plate 112 is 0.3 mm or more, a sufficient withstand voltage can be secured. On the other hand, if the thickness of the support plate 112 is 3.0 mm or less, the electrostatic attraction force of the electrostatic chuck member 102 does not decrease, and the plate shape is mounted on the mounting surface 111a of the mounting plate 111. The temperature of the plate-shaped sample being processed can be maintained at a preferable constant temperature without reducing the thermal conductivity between the sample and the temperature adjusting base member 103.

［静電吸着用電極］
静電吸着用電極１１３では、電圧を印加することにより、載置板１１１の載置面１１１ａに板状試料を保持する静電吸着力が生じる。 [Electrode for electrostatic adsorption]
In the electrostatic adsorption electrode 113, by applying a voltage, an electrostatic adsorption force for holding the plate-shaped sample on the mounting surface 111a of the mounting plate 111 is generated.

静電吸着用電極１１３の厚さは、５μｍ以上かつ２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上かつ１００μｍ以下であることがより好ましい。静電吸着用電極１１３の厚さが５μｍ以上であれば、充分な導電性を確保することができる。一方、静電吸着用電極１１３の厚さが２００μｍ以下であれば、載置板１１１の載置面１１１ａに載置される板状試料と温度調整用ベース部材３との間の熱伝導性が低下することがなく、処理中の板状試料の温度を望ましい一定の温度に保つことができる。また、プラズマ透過性が低下することがなく、安定にプラズマを発生させることができる。 The thickness of the electrostatic adsorption electrode 113 is preferably 5 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 100 μm or less. When the thickness of the electrostatic adsorption electrode 113 is 5 μm or more, sufficient conductivity can be ensured. On the other hand, if the thickness of the electrostatic adsorption electrode 113 is 200 μm or less, the thermal conductivity between the plate-shaped sample mounted on the mounting surface 111a of the mounting plate 111 and the temperature adjusting base member 3 is high. The temperature of the plate-shaped sample being processed can be maintained at a desired constant temperature without lowering. In addition, plasma permeability can be stably generated without deterioration.

［絶縁材］
絶縁材１１４は、静電吸着用電極１１３を囲繞して腐食性ガスおよびそのプラズマから静電吸着用電極１１３を保護するためのものである。
絶縁材１１４により、載置板１１１と支持板１１２とが、静電吸着用電極１１３を介して接合一体化されている。 [Insulating material]
The insulating material 114 surrounds the electrostatic adsorption electrode 113 and protects the electrostatic adsorption electrode 113 from corrosive gas and its plasma.
The mounting plate 111 and the support plate 112 are joined and integrated by the insulating material 114 via the electrostatic adsorption electrode 113.

絶縁材１１４は、載置板１１１と支持板１１２の境界部、すなわち静電吸着用電極１１３形成部以外の外縁部領域を接合するために設けられたものである。絶縁材１１４の形状（絶縁材１１４を平面視した（厚さ方向から見た）場合の形状）は、特に限定されず、静電吸着用電極１１３の形状に応じて適宜調整される。
本実施形態の静電チャック装置１００では、絶縁材１１４の厚さは、静電吸着用電極１１３の厚さと等しくなっている。 The insulating material 114 is provided to join the boundary portion between the mounting plate 111 and the support plate 112, that is, the outer edge portion region other than the electrostatic adsorption electrode 113 forming portion. The shape of the insulating material 114 (the shape when the insulating material 114 is viewed in a plan view (viewed from the thickness direction)) is not particularly limited, and is appropriately adjusted according to the shape of the electrostatic adsorption electrode 113.
In the electrostatic chuck device 100 of the present embodiment, the thickness of the insulating material 114 is equal to the thickness of the electrostatic adsorption electrode 113.

絶縁材１１４は、絶縁性物質からなる。
絶縁材１１４を構成する絶縁性物質は、特に限定されないが、載置板１１１および支持板１１２の主成分と同じにすることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）等が挙げられる。絶縁材１１４を構成する絶縁性物質は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であることが好ましい。絶縁材１１４を構成する絶縁性物質が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であることにより、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が保たれる。 The insulating material 114 is made of an insulating substance.
The insulating material constituting the insulating material 114 is not particularly limited, but is preferably the same as the main components of the mounting plate 111 and the support plate 112, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and aluminum nitride (Al N). ), Yttrium oxide (Y 2 O 3 ), yttrium aluminum garnet (YAG) and the like. The insulating substance constituting the insulating material 114 is preferably aluminum oxide (Al 2 O 3). Since the insulating substance constituting the insulating material 114 is aluminum oxide (Al 2 O 3 ), the dielectric property at high temperature, high corrosion resistance, plasma resistance, and heat resistance are maintained.

絶縁材１１４を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径は、１．６μｍ以上かつ１０．０μｍ以下であることが好ましく、１．６μｍ以上かつ６．０μｍ以下であることがより好ましい。
絶縁材１１４を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径が１．６μｍ以上であれば、充分な耐電圧性を得ることができる。一方、絶縁材１１４を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径が１０．０μｍ以下であれば、研削等の加工性がよい。 The average primary particle size of the insulating substance constituting the insulating material 114 is preferably 1.6 μm or more and 10.0 μm or less, and more preferably 1.6 μm or more and 6.0 μm or less.
When the average primary particle size of the insulating substance constituting the insulating material 114 is 1.6 μm or more, sufficient withstand voltage resistance can be obtained. On the other hand, when the average primary particle size of the insulating substance constituting the insulating material 114 is 10.0 μm or less, the processability such as grinding is good.

絶縁材１１４を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径の測定方法は、載置板１１１および支持板１１２を構成する絶縁性物質の平均一次粒子径の測定方法と同様である。 The method for measuring the average primary particle size of the insulating substance constituting the insulating material 114 is the same as the method for measuring the average primary particle size of the insulating substance constituting the mounting plate 111 and the support plate 112.

［給電端子］
給電端子１１６は、静電吸着用電極１１３に電流を供給するものである。
給電端子１１６の数、形状等は、静電吸着用電極１１３の形態、すなわち単極型か、双極型かにより決定される。 [Power supply terminal]
The power feeding terminal 116 supplies a current to the electrostatic adsorption electrode 113.
The number, shape, and the like of the feeding terminals 116 are determined by the form of the electrostatic adsorption electrode 113, that is, whether it is a unipolar type or a bipolar type.

［電極ピン］
電極ピン１１８は、給電端子１１６に電流を供給するものである。電極ピン１１８は、例えば、図１に示す電極ピン３０のような構造をなしている。電極ピン３０は、給電端子５に押し当てて接続される接続部３１と、接続部３１における先端部３１Ａとは反対側に設けられたバネ３２とを有する。バネ３２の弾性力により、先端部３１Ａを給電端子１１６に押し当てることにより、給電端子１１６と電極ピン１１８が接続される。 [Electrode pin]
The electrode pin 118 supplies a current to the feeding terminal 116. The electrode pin 118 has a structure similar to that of the electrode pin 30 shown in FIG. 1, for example. The electrode pin 30 has a connecting portion 31 that is pressed against and connected to the power feeding terminal 5, and a spring 32 that is provided on the side of the connecting portion 31 opposite to the tip portion 31A. The power supply terminal 116 and the electrode pin 118 are connected by pressing the tip portion 31A against the power supply terminal 116 by the elastic force of the spring 32.

［温度調整用ベース部材］
温度調整用ベース部材１０３は、金属およびセラミックスの少なくとも一方からなる厚みのある円板状のものである。温度調整用ベース部材１０３の躯体は、プラズマ発生用内部電極を兼ねた構成とされている。温度調整用ベース部材１０３の躯体の内部には、水、Ｈｅガス、Ｎ２ガス等の冷却媒体を循環させる流路１２１が形成されている。 [Temperature adjustment base member]
The temperature adjusting base member 103 is a thick disk made of at least one of metal and ceramics. The skeleton of the temperature adjusting base member 103 is configured to also serve as an internal electrode for plasma generation. Inside the skeleton of the temperature adjusting base member 103, a flow path 121 for circulating a cooling medium such as water, He gas, N 2 gas, etc. is formed.

温度調整用ベース部材１０３の躯体は、外部の高周波電源１２２に接続されている。また、温度調整用ベース部材１０３の固定孔１１７内には、その外周が絶縁材料１２３により囲繞された電極ピン１１８が、絶縁材料１２３を介して固定されている。電極ピン１１８は、外部の直流電源１２４に接続されている。 The skeleton of the temperature adjusting base member 103 is connected to an external high frequency power supply 122. Further, in the fixing hole 117 of the temperature adjusting base member 103, an electrode pin 118 whose outer periphery is surrounded by the insulating material 123 is fixed via the insulating material 123. The electrode pin 118 is connected to an external DC power supply 124.

温度調整用ベース部材１０３を構成する材料は、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限されるものではない。温度調整用ベース部材３を構成する材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、チタン（Ｔｉ）等が好適に用いられる。
温度調整用ベース部材１０３における少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理またはポリイミド系樹脂による樹脂コーティングが施されていることが好ましい。また、温度調整用ベース部材１０３の全面が、前記のアルマイト処理または樹脂コーティングが施されていることがより好ましい。 The material constituting the temperature adjusting base member 103 is not particularly limited as long as it is a metal having excellent thermal conductivity, conductivity, and workability, or a composite material containing these metals. As the material constituting the temperature adjusting base member 3, for example, aluminum (Al), copper (Cu), stainless steel (SUS), titanium (Ti) and the like are preferably used.
At least the surface of the temperature adjusting base member 103 exposed to plasma is preferably anodized or resin-coated with a polyimide resin. Further, it is more preferable that the entire surface of the temperature adjusting base member 103 is subjected to the above-mentioned alumite treatment or resin coating.

温度調整用ベース部材１０３にアルマイト処理または樹脂コーティングを施すことにより、温度調整用ベース部材１０３の耐プラズマ性が向上するとともに、異常放電が防止される。したがって、温度調整用ベース部材１０３の耐プラズマ安定性が向上し、また、温度調整用ベース部材１０３の表面傷の発生も防止することができる。 By applying an alumite treatment or a resin coating to the temperature adjusting base member 103, the plasma resistance of the temperature adjusting base member 103 is improved and abnormal discharge is prevented. Therefore, the plasma resistance stability of the temperature adjusting base member 103 is improved, and the occurrence of surface scratches on the temperature adjusting base member 103 can be prevented.

［接着剤層］
接着剤層１０４は、静電チャック部１０２と、冷却用ベース部１０３とを接着一体化するものである。 [Adhesive layer]
The adhesive layer 104 adheres and integrates the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103.

接着剤層１０４の厚さは、１００μｍ以上かつ２００μｍ以下であることが好ましく、１３０μｍ以上かつ１７０μｍ以下であることがより好ましい。
接着剤層１０４の厚さが上記の範囲内であれば、静電チャック部１０２と冷却用ベース部１０３との間の接着強度を十分に保持することができる。また、静電チャック部１０２と冷却用ベース部１０３との間の熱伝導性を十分に確保することができる。 The thickness of the adhesive layer 104 is preferably 100 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 130 μm or more and 170 μm or less.
When the thickness of the adhesive layer 104 is within the above range, the adhesive strength between the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 can be sufficiently maintained. Further, it is possible to sufficiently secure the thermal conductivity between the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103.

接着剤層１０４は、例えば、シリコーン系樹脂組成物を加熱硬化した硬化体、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で形成されている。
シリコーン系樹脂組成物は、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を有するケイ素化合物であり、耐熱性、弾性に優れた樹脂であるので、より好ましい。 The adhesive layer 104 is formed of, for example, a cured product obtained by heat-curing a silicone-based resin composition, an acrylic resin, an epoxy resin, or the like.
The silicone-based resin composition is a silicon compound having a siloxane bond (Si—O—Si), and is more preferable because it is a resin having excellent heat resistance and elasticity.

このようなシリコーン系樹脂組成物としては、特に、熱硬化温度が７０℃〜１４０℃のシリコーン樹脂が好ましい。
ここで、熱硬化温度が７０℃を下回ると、静電チャック部１０２と冷却用ベース部１０３とを対向させた状態で接合する際に、接合過程で硬化が十分に進まないことから、作業性に劣ることになるため好ましくない。一方、熱硬化温度が１４０℃を超えると、静電チャック部１０２および冷却用ベース部１０３との熱膨張差が大きく、静電チャック部１０２と冷却用ベース部１０３との間の応力が増加し、これらの間で剥離が生じることがあるため好ましくない。 As such a silicone-based resin composition, a silicone resin having a thermosetting temperature of 70 ° C. to 140 ° C. is particularly preferable.
Here, if the thermosetting temperature is lower than 70 ° C., when the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 are joined in a state of facing each other, the curing does not proceed sufficiently in the joining process, so that workability It is not preferable because it is inferior to. On the other hand, when the heat curing temperature exceeds 140 ° C., the difference in thermal expansion between the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 is large, and the stress between the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 increases. , It is not preferable because peeling may occur between them.

本実施形態の静電チャック装置１００によれば、静電チャック部材１０２がサセプタ１からなるため、給電端子１１６に対して電極ピン１１８が傾いても、静電チャック部材１０２の載置面１１１ａとは反対側の面に設けられた給電端子１１６を含む凹部の内面と電極ピン１１８の先端部との接触面積を充分に確保し、これらの接触面積の変化を抑制することができる。 According to the electrostatic chuck device 100 of the present embodiment, since the electrostatic chuck member 102 is composed of the susceptor 1, even if the electrode pin 118 is tilted with respect to the power feeding terminal 116, the electrostatic chuck member 102 is placed on the mounting surface 111a. Can sufficiently secure the contact area between the inner surface of the recess including the power feeding terminal 116 provided on the opposite surface and the tip end portion of the electrode pin 118, and suppress the change in these contact areas.

以下、本実施形態の静電チャック装置の製造方法について説明する。 Hereinafter, a method of manufacturing the electrostatic chuck device of this embodiment will be described.

上述のようにして得られたサセプタ１からなる静電チャック部材１０２を用意する。 The electrostatic chuck member 102 made of the susceptor 1 obtained as described above is prepared.

冷却用ベース部１０３の一主面１０３ａの所定領域に、シリコーン系樹脂組成物からなる接着剤を塗布する。ここで、接着剤の塗布量を、静電チャック部１０２と冷却用ベース部１０３とが接合一体化できるように調整する。
この接着剤の塗布方法としては、ヘラ等を用いて手動で塗布する他、バーコート法、スクリーン印刷法等が挙げられる。 An adhesive made of a silicone-based resin composition is applied to a predetermined region of one main surface 103a of the cooling base portion 103. Here, the amount of the adhesive applied is adjusted so that the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 can be joined and integrated.
Examples of the method for applying this adhesive include a bar coating method, a screen printing method, and the like, in addition to manually applying the adhesive using a spatula or the like.

冷却用ベース部１０３の一主面１０３ａに接着剤を塗布した後、静電チャック部１０２と、接着剤を塗布した冷却用ベース部１０３とを重ね合わせる。
また、電極ピン１１８を、冷却用ベース部１０３中に穿孔された固定孔１１７に挿入し嵌め込む。
次いで、静電チャック部１０２を冷却用ベース部１０３に対して所定の圧力にて押圧し、静電チャック部１０２と冷却用ベース部１０３を接合一体化する。これにより、静電チャック部１０２と冷却用ベース部１０３が接着剤層１０４を介して接合一体化されたものとなる。 After applying the adhesive to one main surface 103a of the cooling base portion 103, the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 coated with the adhesive are overlapped with each other.
Further, the electrode pin 118 is inserted into and fitted into the fixing hole 117 formed in the cooling base portion 103.
Next, the electrostatic chuck portion 102 is pressed against the cooling base portion 103 with a predetermined pressure to join and integrate the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103. As a result, the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 are joined and integrated via the adhesive layer 104.

以上により、静電チャック部１０２および冷却用ベース部１０３は、接着剤層１０４を介して接合一体化された本実施形態の静電チャック装置１００が得られる。 As described above, the electrostatic chuck device 100 of the present embodiment is obtained in which the electrostatic chuck portion 102 and the cooling base portion 103 are joined and integrated via the adhesive layer 104.

なお、本実施形態に係る板状試料としては、半導体ウエハに限るものではなく、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、有機ＥＬディスプレイ等の平板型ディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板等であってもよい。また、その基板の形状や大きさに合わせて本実施形態の静電チャック装置を設計すればよい。 The plate-shaped sample according to the present embodiment is not limited to a semiconductor wafer, and is, for example, a glass substrate for a flat plate display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display (PDP), or an organic EL display. It may be. Further, the electrostatic chuck device of the present embodiment may be designed according to the shape and size of the substrate.

［他の実施形態］
なお、本発明は、上記の実施形態に限定するものではない。 [Other Embodiments]
The present invention is not limited to the above embodiment.

例えば、図３〜図６に示すような第１変形例〜第４変形例に係るサセプタ２００，３００，４００，５００を採用してもよい。なお、第１変形例〜第５変形例に係るサセプタ２００，３００，４００，５００では、前記実施形態における構成要素と同一の部分については同一の符号を付し、その説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。 For example, the susceptors 200, 300, 400, and 500 according to the first modification to the fourth modification as shown in FIGS. 3 to 6 may be adopted. In the susceptors 200, 300, 400, and 500 according to the first modification to the fifth modification, the same parts as the components in the embodiment are designated by the same reference numerals, the description thereof is omitted, and the differences are different. Will be described only.

図３に示す第１変形例のサセプタ２００は、第１のセラミックス板２の下面２ａにおいて、給電端子５および第１のセラミックス板２を含み、載置面３ａ側に凹む凹部６を有する。すなわち、凹部６の内面６ａは、給電端子５からなる中央部６Ａと、中央部６Ａの外縁に沿う外縁部６Ｂとから形成されている。これにより、給電端子５に対する電極ピン３０の傾き（ずれ）が大きくなっても、凹部６の内面６ａと電極ピン３０の先端部３１Ａとの接触面積を充分に確保し、これらの接触面積の変化を抑制することができる。 The susceptor 200 of the first modification shown in FIG. 3 includes a power feeding terminal 5 and a first ceramic plate 2 on the lower surface 2a of the first ceramic plate 2, and has a recess 6 recessed on the mounting surface 3a side. That is, the inner surface 6a of the recess 6 is formed of a central portion 6A including the power feeding terminal 5 and an outer edge portion 6B along the outer edge of the central portion 6A. As a result, even if the inclination (deviation) of the electrode pin 30 with respect to the power feeding terminal 5 becomes large, a sufficient contact area between the inner surface 6a of the recess 6 and the tip portion 31A of the electrode pin 30 is sufficiently secured, and the contact area changes. Can be suppressed.

図４に示す第２変形例のサセプタ３００は、第１のセラミックス板２の下面２ａにおいて、給電端子５を含み、載置面３ａ側に凹む凹部６を有する。本変形例のサセプタ３００では、給電端子５のみに凹部６が形成され、凹部６の内面６ａ（開口部）は、第１のセラミックス板２と給電端子５の境界まで至らない。これにより、給電端子５に対する電極ピン３０の傾き（ずれ）を小さくして、凹部６の内面６ａと電極ピン３０の先端部３１Ａとの接触面積を充分に確保し、これらの接触面積の変化を抑制することができる。 The susceptor 300 of the second modification shown in FIG. 4 includes a power feeding terminal 5 on the lower surface 2a of the first ceramic plate 2 and has a recess 6 recessed on the mounting surface 3a side. In the susceptor 300 of this modification, the recess 6 is formed only in the power feeding terminal 5, and the inner surface 6a (opening) of the recess 6 does not reach the boundary between the first ceramic plate 2 and the feeding terminal 5. As a result, the inclination (deviation) of the electrode pin 30 with respect to the power feeding terminal 5 is reduced, a sufficient contact area between the inner surface 6a of the recess 6 and the tip portion 31A of the electrode pin 30 is sufficiently secured, and the change in these contact areas is changed. It can be suppressed.

図５に示す第３変形例のサセプタ４００は、第１のセラミックス板２の下面２ａにおいて、給電端子５および第１のセラミックス板２を含み、載置面３ａ側に凹む凹部６を有する。さらに、サセプタ４００は、凹部６の内面６ａを被覆する金属層４１０を有する。本変形例のサセプタ４００では、金属層４１０が凹部６の内面６ａに沿って形成され、金属層４１０が載置面３ａ側に凹む凹部４１１を有する。また、第１のセラミックス板２の厚み方向における凹部４１１の内面４１１ａの断面形状は、少なくとも１つの曲率若しくは二次関数で表される曲線状または双曲線状であることが好ましい。 The susceptor 400 of the third modification shown in FIG. 5 includes a power feeding terminal 5 and a first ceramic plate 2 on the lower surface 2a of the first ceramic plate 2, and has a recess 6 recessed on the mounting surface 3a side. Further, the susceptor 400 has a metal layer 410 that covers the inner surface 6a of the recess 6. In the susceptor 400 of the present modification, the metal layer 410 is formed along the inner surface 6a of the recess 6, and the metal layer 410 has a recess 411 recessed toward the mounting surface 3a. Further, the cross-sectional shape of the inner surface 411a of the recess 411 in the thickness direction of the first ceramic plate 2 is preferably a curved shape or a hyperbolic shape represented by at least one curvature or a quadratic function.

金属層４１０は、導電性物質からなる。金属層４１０を構成する導電性物質としては、特に限定されないが、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓｎ等が挙げられ、これらを単独で用いてもよいし、複合して用いてもよい。 The metal layer 410 is made of a conductive substance. The conductive substance constituting the metal layer 410 is not particularly limited, and examples thereof include Ag, Cu, In, Ti, Sn, etc., which may be used alone or in combination. ..

金属層４１０における凹部６の内面６ａとは反対側の面（凹部４１１の内面４１１ａ）の算術平均粗さ（Ｒａ）は２μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましく、６μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
凹部４１１の内面４１１ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が２μｍ以上３０μｍ以下であれば、給電ピン３０から十分な電流を給電端子５に供給することができる上、給電端子５の摩耗性を小さくすることができる。 The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the metal layer 410 opposite to the inner surface 6a of the recess 6 (inner surface 411a of the recess 411) is preferably 2 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 4 μm or more and 25 μm or less. It is preferably 6 μm or more and 20 μm or less, more preferably.
When the arithmetic mean roughness (Ra) of the inner surface 411a of the recess 411 is 2 μm or more and 30 μm or less, a sufficient current can be supplied from the power supply pin 30 to the power supply terminal 5, and the wear resistance of the power supply terminal 5 is reduced. be able to.

凹部４１１の内面４１１ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、東京精密社製の触針式の表面粗さ計を用いて、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３「製品の幾何特性仕様（ＧＰＳ）−表面性状：輪郭曲線方式−用語，定義及び表面性状パラメータ」に準じて測定する。 The arithmetic mean roughness (Ra) of the inner surface 411a of the recess 411 was determined by using a stylus type surface roughness meter manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., JIS B 0601: 2013 "Product Geometric Characteristic Specifications (GPS) -Surface Texture: Contour curve method-Terms, definitions and surface texture parameters ”.

金属層４１０を設けることにより、給電端子５と給電ピン３０との接続による抵抗を下げて、これらの導通を向上することができる。 By providing the metal layer 410, it is possible to reduce the resistance due to the connection between the power feeding terminal 5 and the power feeding pin 30 and improve the continuity thereof.

図６に示す第４変形例のサセプタ５００は、第１のセラミックス板２の下面２ａにおいて、給電端子５のみを含み、載置面３ａ側に凹む凹部６を有する。さらに、サセプタ４００は、凹部６の内面６ａを被覆する金属層５１０を有する。本変形例のサセプタ５００では、金属層５１０が凹部６の内面６ａに沿って形成され、金属層５１０が載置面３ａ側に凹む凹部５１１を有する。また、第１のセラミックス板２の厚み方向における凹部５１１の内面５１１ａの断面形状は、少なくとも１つの曲率若しくは二次関数で表される曲線状または双曲線状であることが好ましい。金属層５１０は、導電性物質からなる。金属層５１０を構成する導電性物質は、金属層４１０を構成する導電性物質と同じものが挙げられる。金属層５１０を設けることにより、給電端子５と給電ピン３０との接続による抵抗を下げて、これらの導通を向上することができる。 The susceptor 500 of the fourth modification shown in FIG. 6 includes only the power feeding terminal 5 on the lower surface 2a of the first ceramic plate 2, and has a recess 6 recessed on the mounting surface 3a side. Further, the susceptor 400 has a metal layer 510 that covers the inner surface 6a of the recess 6. In the susceptor 500 of the present modification, the metal layer 510 is formed along the inner surface 6a of the recess 6, and the metal layer 510 has a recess 511 recessed toward the mounting surface 3a. Further, the cross-sectional shape of the inner surface 511a of the recess 511 in the thickness direction of the first ceramic plate 2 is preferably a curved shape or a hyperbolic shape represented by at least one curvature or a quadratic function. The metal layer 510 is made of a conductive substance. Examples of the conductive substance constituting the metal layer 510 include the same conductive substances as those constituting the metal layer 410. By providing the metal layer 510, it is possible to reduce the resistance due to the connection between the power supply terminal 5 and the power supply pin 30 and improve the continuity thereof.

本発明のサセプタは、載置面とは反対側の面において、給電端子を含み、載置面側に凹む凹部を有するため、セラミックス板、電極等の線膨張率の差に起因するせん断応力が掛かって、給電端子に対して電極ピンが傾いても、給電端子と電極ピンとの接触面積の変化を抑制することができるものであるから、静電チャック装置の静電チャック部材に好適に用いられ、その有用性は非常に大きいものである。 Since the susceptor of the present invention includes a feeding terminal on the surface opposite to the mounting surface and has a recessed recess on the mounting surface side, shear stress due to the difference in linear expansion rate of the ceramic plate, electrodes, etc. is generated. Even if the electrode pin is tilted with respect to the power feeding terminal, the change in the contact area between the power feeding terminal and the electrode pin can be suppressed. Therefore, it is suitably used as an electrostatic chuck member of an electrostatic chuck device. , Its usefulness is very great.

１ サセプタ
２ セラミックス板（第１のセラミックス板）
３ セラミックス板（第２のセラミックス板）
４ 電極
５ 給電端子
６ 凹部
３０ 電極ピン
１００ 静電チャック装置
１０２ 静電チャック部材
１０３ 温度調整用ベース部材
１０４ 接着剤層
１１１ 載置板
１１２ 支持板
１１３ 静電吸着用電極
１１４ 絶縁材
１１５ 貫通孔
１１６ 給電端子
１１７ 固定孔
１１８ 電極ピン
１２１ 流路
１２２ 高周波電源
１２３ 絶縁材料
１２４ 直流電源 1 Suceptor 2 Ceramic plate (first ceramic plate)
3 Ceramic plate (second ceramic plate)
4 Electrode 5 Power supply terminal 6 Recession 30 Electrode pin 100 Electrostatic chuck device 102 Electrostatic chuck member 103 Temperature adjustment base member 104 Adhesive layer 111 Mounting plate 112 Support plate 113 Electrostatic adsorption electrode 114 Insulation material 115 Through hole 116 Power supply terminal 117 Fixed hole 118 Electrode pin 121 Flow path 122 High frequency power supply 123 Insulation material 124 DC power supply

Claims (8)

試料を載置する載置面を有するセラミックス板の内部に設けられた電極と、該電極に接するように、前記セラミックス板を貫通して設けられる給電端子と、を備え、
前記載置面とは反対側の面において、少なくとも前記給電端子を含み、前記載置面側に凹む凹部を有する、サセプタ。 It is provided with an electrode provided inside a ceramic plate having a mounting surface on which a sample is placed, and a feeding terminal provided through the ceramic plate so as to be in contact with the electrode.
A susceptor having a recess on the surface opposite to the previously described mounting surface, including at least the power feeding terminal and having a recess on the previously described mounting surface side. 前記セラミックス板の厚み方向における前記凹部の内面の断面形状は、少なくとも１つの曲率若しくは二次関数で表される曲線状または双曲線状である、請求項１に記載のサセプタ。 The susceptor according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the inner surface of the recess in the thickness direction of the ceramic plate is a curved shape or a hyperbolic shape represented by at least one curvature or a quadratic function. 前記内面を被覆する金属層を有する、請求項２に記載のサセプタ。 The susceptor according to claim 2, further comprising a metal layer covering the inner surface. 前記金属層における前記内面とは反対側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は２μｍ以上３０μｍ以下である、請求項３に記載のサセプタ。 The susceptor according to claim 3, wherein the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the metal layer opposite to the inner surface is 2 μm or more and 30 μm or less. 前記電極および前記給電端子は、絶縁性物質と導電性物質の複合体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のサセプタ。 The susceptor according to any one of claims 1 to 4, wherein the electrode and the feeding terminal are a composite of an insulating substance and a conductive substance. 前記絶縁性物質は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化イットリウム（ＩＩＩ）、イットリウム・アルミニウム・ガーネットおよびＳｍＡｌＯ３からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項５に記載のサセプタ。 The susceptor according to claim 5, wherein the insulating substance is at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, yttrium oxide (III), yttrium aluminum garnet and SmAlO 3. 前記導電性物質は、Ｍｏ２Ｃ、Ｍｏ、ＷＣ、Ｗ、ＴａＣ、Ｔａ、ＳｉＣ、カーボンブラック、カーボンナノチューブおよびカーボンナノファイバーからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項５または６のいずれか１項に記載のサセプタ。 The conductive substance is at least one selected from the group consisting of Mo 2 C, Mo, WC, W, TaC, Ta, SiC, carbon black, carbon nanotubes and carbon nanofibers, according to claim 5 or 6. The susceptor according to any one item. セラミックスからなる静電チャック部材と、金属からなる温度調整用ベース部材とを、接着剤層を介して接合してなる静電チャック装置であって、
前記静電チャック部材は、請求項１〜７のいずれか１項に記載のサセプタからなる、静電チャック装置。 An electrostatic chuck device in which an electrostatic chuck member made of ceramics and a temperature control base member made of metal are joined via an adhesive layer.
The electrostatic chuck member is an electrostatic chuck device comprising the susceptor according to any one of claims 1 to 7.
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