JP2021140670A - Method of manufacturing rfid inlay - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、RFIDインレイの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an RFID inlay.
近年、製品の製造、管理、流通等の分野において、製品に関する情報や識別情報が書き込まれたICチップから非接触通信によって情報を送受するRFID(Radio Frequency Identification)技術に対応した、いわゆる、RFIDタグ、RFIDラベル等のRFID媒体が普及している(特許文献1参照)。 In recent years, in the fields of product manufacturing, management, distribution, etc., so-called RFID tags compatible with RFID (Radio Frequency Identification) technology that sends and receives information by non-contact communication from IC chips in which information and identification information about products are written. , RFID labels and other RFID media have become widespread (see Patent Document 1).
RFIDインレイには、アンテナパターンが形成された基材に、異方導電性ペーストや異方導電性フィルムのような異方導電性材料を用いてICチップが実装されたものがある。 Some RFID inlays have an IC chip mounted on a base material on which an antenna pattern is formed by using an anisotropic conductive material such as an anisotropic conductive paste or an anisotropic conductive film.
RFID媒体が正常に動作するためには、アンテナパターンとICチップとが、製品としての使用条件下において、電気的接続及び機械的接続を維持できることが要求される。 In order for the RFID medium to operate normally, it is required that the antenna pattern and the IC chip can maintain electrical and mechanical connections under the conditions of use as a product.
しかし、異方導電性材料を用いた従来の実装方法では、基材の種類等によっては、ICチップをアンテナパターンに実装する工程において接着不良が発生することがあり、ICチップをアンテナパターンに安定して実装することが難しかった。 However, in the conventional mounting method using an anisotropic conductive material, adhesion failure may occur in the process of mounting the IC chip on the antenna pattern depending on the type of the base material, and the IC chip is stable on the antenna pattern. It was difficult to implement.
そこで、本発明は、異方導電性材料を用いてICチップをアンテナパターンに安定して実装することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to stably mount an IC chip on an antenna pattern using an anisotropic conductive material.
本発明のある態様によれば、基材に形成されたアンテナパターンにICチップが接続されたRFIDインレイの製造方法であって、前記アンテナパターンが形成された前記基材を特定条件で加熱する前加熱工程と、前記前加熱工程に続いて前記アンテナパターンに異方導電性材料を介して前記ICチップを実装する実装工程と、を有するRFIDインレイの製造方法が提供される。 According to an aspect of the present invention, it is a method of manufacturing an RFID inlay in which an IC chip is connected to an antenna pattern formed on a base material, and before the base material on which the antenna pattern is formed is heated under specific conditions. Provided is a method for manufacturing an RFID inlay, which comprises a heating step and a mounting step of mounting the IC chip on the antenna pattern via an anisotropic conductive material following the preheating step.
本発明によれば、前加熱工程で、基材が特定温度に加熱されるため、実装工程において異方導電性材料を硬化させる前に、基材に含まれる水分を蒸発させることができる。したがって、異方導電性材料の内部に水蒸気が気泡として留まったり、水蒸気が突沸することで異方導電性材料が飛散したりすることを防止できる。 According to the present invention, since the base material is heated to a specific temperature in the preheating step, the water contained in the base material can be evaporated before the anisotropic conductive material is cured in the mounting step. Therefore, it is possible to prevent the water vapor from staying as bubbles inside the anisotropic conductive material and the anisotropic conductive material from scattering due to the sudden boiling of the water vapor.
これにより、異方導電性材料を用いた場合に、アンテナパターンが形成された基材とICチップとの間における接着不良を抑制することができる。したがって、本発明は、異方導電性材料を用いてICチップをアンテナパターンに安定して実装することができる。 As a result, when an anisotropic conductive material is used, it is possible to suppress poor adhesion between the base material on which the antenna pattern is formed and the IC chip. Therefore, according to the present invention, the IC chip can be stably mounted on the antenna pattern by using the anisotropic conductive material.
[RFIDインレイ]
本発明の実施形態に係るRFIDインレイ1について説明する。図1は、本実施形態に係るRFIDインレイ1を説明する平面図である。図2は、図1における要部Sを拡大して説明する拡大図である。
[RFID inlay]
The RFID inlay 1 according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view illustrating the RFID inlay 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is an enlarged view for explaining the main part S in FIG. 1 in an enlarged manner.
図1に示されるように、RFIDインレイ1は、基材2と、基材2に金属箔により形成されたアンテナパターン3と、アンテナパターン3に接続されたICチップ4とを備える。
As shown in FIG. 1, the RFID inlay 1 includes a
<基材>
本実施形態において、基材2は、吸湿性を有する基材である。一例として、基材2は、上質紙、中質紙、又はこれらを用いて形成された塗工紙等の紙基材である。基材2は、樹脂フィルムの単体又はこれらの樹脂フィルムを複数積層してなる多層フィルムであってもよい。
<Base material>
In the present embodiment, the
吸湿性を有する材料からなる基材2上に形成されたアンテナパターン3に異方導電性材料E(図2参照)を用いてICチップ4を接着すると、異方導電性材料Eが基材2に浸透するため、ICチップ4と基材2との接着強度が高められる。
When the
基材2として紙基材を使用する場合には、紙基材の厚さは、曲げ強度を確保する観点から、50μm以上260μm以下であることが好ましく、曲げ強度と取扱性を考慮して、80μmとすることがより好ましい。なお、基材2の厚さは、上記範囲内において、RFIDインレイ1を用いて作製される製品としてのRFID媒体の意匠性や用途等に応じて、適宜選択可能である。
When a paper base material is used as the
<アンテナパターン>
図1に示されるように、アンテナパターン3は、ループ部31と、ICチップ4が接続されるICチップ接続部32と、ループ部31から左右対称に延びるメアンダ33,34と、メアンダ33,34の端部に接続されたキャパシタハット35,36とを備える。すなわち、アンテナパターン3は、ダイポールアンテナを構成する。
<Antenna pattern>
As shown in FIG. 1, the
本実施形態では、アンテナパターン3は、一例として、UHF帯(300MHz〜3GHz、特に860MHz〜960MHz)に対応したアンテナ長さ及びアンテナ線幅になるように設計されている。
In the present embodiment, the
また、本実施形態では、アンテナパターン3は、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤A(図3参照)により、基材2に接着されている。
Further, in the present embodiment, the
アンテナパターン3は、金属箔で形成されている。アンテナパターン3に適用可能な金属としては、例えば、銅、アルミニウムがあげられる。製造コストを抑える観点から、アルミニウム箔を用いることが好ましい。
The
RFIDインレイ1の全体の厚さ、RFID媒体に成型された際のRFID媒体全体の厚さ、及び製造コスト等の観点から、金属箔の厚さは、3μm以上25μm以下であることが好ましい。本実施形態においては、一例として、厚さ20μmのアルミニウム箔が使用される。 From the viewpoint of the total thickness of the RFID inlay 1, the total thickness of the RFID medium when molded into the RFID medium, the manufacturing cost, and the like, the thickness of the metal foil is preferably 3 μm or more and 25 μm or less. In this embodiment, as an example, an aluminum foil having a thickness of 20 μm is used.
<ICチップ>
RFIDインレイ1において、ICチップ4は、UHF帯に対応して、ICチップ4の読取装置であるリーダ(図示されていない)との間で通信可能に設計された半導体パッケージである。
<IC chip>
In the RFID inlay 1, the
ICチップ4は、図2に示すように、アンテナパターン3のループ部31の一部に形成されたICチップ接続部32に異方導電性材料Eによって電気的及び機械的に接続される。
As shown in FIG. 2, the
本実施形態では、異方導電性材料Eは、接着成分であるバインダ樹脂中に、所定粒径に調製された導電性フィラーが混合された熱硬化型の異方導電性接着剤である。このため、異方導電性材料Eは、熱圧着処理されることにより、アンテナパターン3とICチップ4、及び基材2とICチップ4とを電気的及び機械的に接続することができる。
In the present embodiment, the anisotropic conductive material E is a thermosetting type anisotropic conductive adhesive in which a conductive filler prepared to have a predetermined particle size is mixed in a binder resin which is an adhesive component. Therefore, the anisotropic conductive material E can be electrically and mechanically connected to the
以上の構成を有するRFIDインレイ1は、RFIDインレイ1の表面や裏面に別の基材を積層したり、表面や裏面に粘着剤層を形成したりするなどのさらなる加工が施されることにより、ラベル、タグ、リストバンド、チケット、カード等のRFID媒体を形成することができる。 The RFID inlay 1 having the above configuration is further processed by laminating another base material on the front surface or the back surface of the RFID inlay 1 or forming an adhesive layer on the front surface or the back surface. RFID media such as labels, tags, wristbands, tickets and cards can be formed.
[RFIDインレイの製造方法]
続いて、RFIDインレイ1の製造方法について説明する。図3は、前加熱工程を説明する模式図であり、図4は、ICチップを実装する実装工程を説明する模式図である。なお、図3及び図4の各工程は、図2に示したIII−III線における断面図を用いて示されている。
[Manufacturing method of RFID inlay]
Subsequently, a method for manufacturing the RFID inlay 1 will be described. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a preheating process, and FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a mounting process for mounting an IC chip. In addition, each process of FIG. 3 and FIG. 4 is shown using the cross-sectional view taken along the line III-III shown in FIG.
RFIDインレイ1の製造方法は、ICチップ4の接着前に基材2を加熱する前加熱工程と、加熱後の基材2にICチップ4を実装する実装工程とを有する。
The method for manufacturing the RFID inlay 1 includes a preheating step of heating the
前加熱工程では、図3に示されるように、アンテナパターン3が粘着剤Aによって接着された基材2に、特定温度に加熱された加熱加圧ユニット100を所定時間当接することにより、基材2を加熱する。これにより、基材2に含まれる水分を蒸発させることができる。
In the preheating step, as shown in FIG. 3, the base material is brought into contact with the
本実施形態では、前加熱工程において、基材2を160℃以上350℃以下の温度において1秒以上2秒以下加熱する。
In the present embodiment, in the preheating step, the
前加熱工程における加熱条件は、ICチップ4を実装する実装工程の加熱条件に合わせることが好ましい。上記温度範囲内において加熱温度を高く設定するほど、後に続く実装工程との温度差を小さくできる。また、前加熱工程の温度を高く設定するほど、実装工程において、異方導電性材料Eを硬化させる温度を高く設定することができ、硬化時間、すなわち、加熱時間を短縮することができる。
The heating conditions in the preheating step are preferably matched to the heating conditions in the mounting step in which the
前加熱工程では、加熱温度が350℃を超えると、基材2に皺が発生したり基材2が熱により焦げたりする。また、基材2とアンテナパターン3とを接着する粘着剤Aの硬化が過度に進行し、粘着剤Aがひび割れを起こしてしまう場合がある。また、加熱温度が160℃未満であると、基材2に含まれる水分を十分に蒸発させることができないことがある。
In the preheating step, when the heating temperature exceeds 350 ° C., the
基材2に含まれる水分が十分に蒸発されないと、基材2に残留している水分が、この後の実装工程において、異方導電性材料Eの硬化温度に加熱した段階で、基材中の水分が熱硬化中の異方導電性材料を押しのけて突沸し、異方導電性材料Eが基材又はアンテナパターン上に飛散したり、ICチップと基材との間にボイドとして残留したりすることがある。
If the water contained in the
このため、本実施形態においては、基材2に含まれる水分を十分に蒸発させることのできる加熱時間と、基材2の状態を正常に維持できる加熱温度との兼ね合いから、前加熱工程における加熱温度を160℃以上350℃以下に設定する。
Therefore, in the present embodiment, the heating in the preheating step is performed in consideration of the balance between the heating time capable of sufficiently evaporating the water contained in the
また、前加熱工程において基材2の状態を正常に維持する観点から、加熱温度は、250℃前後とすることが好ましい。
Further, from the viewpoint of maintaining the state of the
本実施形態においては、前加熱工程における加熱時間は、1秒以上2秒以下に設定する。前加熱工程における加熱時間が1秒未満であると、基材2に含まれる水分を十分に蒸発させることができないことがある。また、前加熱工程における加熱時間が2秒を超えると、基材2に皺が発生したり基材2が熱により焦げたりすることがある。
In the present embodiment, the heating time in the preheating step is set to 1 second or more and 2 seconds or less. If the heating time in the preheating step is less than 1 second, the water contained in the
なお、前加熱工程における加熱時間が1秒以上2秒以下であれば、前加熱工程と実装工程とを含めた全工程に要する時間を短縮することができる。 If the heating time in the preheating step is 1 second or more and 2 seconds or less, the time required for all the steps including the preheating step and the mounting step can be shortened.
本実施形態においては、一例として、前加熱工程における加熱温度を200℃、加熱時間を2秒間に設定することが好ましい。 In the present embodiment, as an example, it is preferable to set the heating temperature in the preheating step to 200 ° C. and the heating time to 2 seconds.
続いて、実装工程について説明する。 Subsequently, the mounting process will be described.
前加熱工程に続く実装工程において、異方導電性材料Eを用いて、アンテナパターン3にICチップ4を実装する。
In the mounting step following the preheating step, the
実装工程では、ICチップ4及び基材2を160℃以上350℃以下の温度で1秒以上2秒以下加熱する。また、実装工程では、加熱とともに0.2N/cm2以上5.0N/cm2以下で加圧する。
In the mounting step, the
図4には、異方導電性材料EとICチップ4とが配置されたアンテナパターン3に、加熱加圧ユニット200によって、加熱及び加圧処理が施される工程が示されている。
FIG. 4 shows a step of heating and pressurizing the
実装工程では、加熱温度が350℃を超えると、基材2に皺が発生したり基材2が熱により焦げたりする。また、基材2とアンテナパターン3とを接着する粘着剤Aの硬化が過度に進行し、粘着剤Aがひび割れを起こして接着強度が低下する場合がある。また、加熱温度が160℃未満であると、異方導電性材料Eが硬化するまでの時間を長く要するため、生産性が低下する。
In the mounting process, when the heating temperature exceeds 350 ° C., the
このため、本実施形態においては、生産効率を維持できる加熱時間と、基材2の状態を正常に維持できる加熱温度との兼ね合いから、実装工程における加熱温度は、160℃以上350℃以下に設定される。
Therefore, in the present embodiment, the heating temperature in the mounting process is set to 160 ° C. or higher and 350 ° C. or lower in consideration of the balance between the heating time that can maintain the production efficiency and the heating temperature that can maintain the state of the
また、本実施形態においては、実装工程における加熱時間は、1秒以上2秒以下に設定される。実装工程における加熱時間が1秒未満であると、異方導電性材料Eを十分に硬化させることができない。また、2秒を超えると生産性が低下する。実装工程における加熱時間が1秒以上2秒以下であれば、前加熱工程及び実装工程を含めた全工程に要する時間を短縮することができる。 Further, in the present embodiment, the heating time in the mounting process is set to 1 second or more and 2 seconds or less. If the heating time in the mounting process is less than 1 second, the anisotropic conductive material E cannot be sufficiently cured. Moreover, if it exceeds 2 seconds, the productivity decreases. When the heating time in the mounting step is 1 second or more and 2 seconds or less, the time required for all the steps including the preheating step and the mounting step can be shortened.
実装工程における加熱温度は、上記温度範囲内において、異方導電性材料Eの硬化温度に応じて設定可能である。上記温度範囲内において加熱温度を高く設定するほど、異方導電性材料Eを硬化させる温度を高く設定することができ、硬化時間を短縮することができる。 The heating temperature in the mounting process can be set within the above temperature range according to the curing temperature of the anisotropic conductive material E. The higher the heating temperature is set within the above temperature range, the higher the temperature at which the anisotropic conductive material E is cured can be set, and the curing time can be shortened.
また、本実施形態において、実装工程では、加熱とともに、0.2N以上5.0N以下の圧力にて加圧する。このときの荷重は、基材2の種類、ICチップ4のサイズ、ICチップのバンプ形状、バンプ数及びバンプの形成位置等に応じて調整可能である。
Further, in the present embodiment, in the mounting step, pressure is applied at a pressure of 0.2 N or more and 5.0 N or less together with heating. The load at this time can be adjusted according to the type of the
本実施形態においては、一例として、実装工程における加熱温度を180℃、加熱時間を2秒間、圧力を1.0N/cm2に設定することが好ましい。 In the present embodiment, as an example, it is preferable to set the heating temperature in the mounting process to 180 ° C., the heating time to 2 seconds, and the pressure to 1.0 N / cm 2.
なお、前加熱工程の後、基材2が再び吸湿しないように、前加熱工程の後、速やかに実装工程が実行されることが好ましい。さらには、基材2が再び吸湿しないように作業環境の湿度を調整することが好ましい。
It is preferable that the mounting step is executed immediately after the preheating step so that the
また、前加熱工程の後、基材2が再び吸湿しないように、前加熱工程と実装工程との間隔に応じて、前加熱工程における加熱温度を調整してもよい。すなわち、前加熱工程と実装工程との間隔が長めに設定される場合には、前加熱工程における加熱温度を上記温度範囲内において高めに設定することが好ましい。
Further, after the preheating step, the heating temperature in the preheating step may be adjusted according to the interval between the preheating step and the mounting step so that the
以上の工程を経ることにより、アンテナパターン3が配置された基材2に異方導電性材料Eを用いてICチップ4を実装し、RFIDインレイ1を製造することができる。
By going through the above steps, the
<作用・効果>
従来のRFIDインレイでは、紙基材のように水分を吸収することのできる基材と、熱硬化性の異方導電性材料とを組み合わせて用いた場合、硬化温度に加熱した段階で、基材中の水分が熱硬化中の異方導電性材料を押しのけて突沸し、異方導電性材料Eが基材又はアンテナパターン上に飛散したり、ICチップと基材との間にボイドとして残留したりすることがあった。
<Action / effect>
In the conventional RFID inlay, when a base material capable of absorbing water such as a paper base material and a thermosetting anisotropic conductive material are used in combination, the base material is heated to the curing temperature. The moisture inside pushes away the anisotropic conductive material that is being thermoset and suddenly boils, and the anisotropic conductive material E scatters on the base material or the antenna pattern, or remains as a void between the IC chip and the base material. There were times when it happened.
これらの異方導電性材料の飛散やボイドの発生は、基材とICチップとの間、及びアンテナパターンとICチップとの間の接着強度を低下させ、RFIDインレイの折曲げに対する耐久性や温度変化による耐久性を低下させることがわかった。 Scattering of these anisotropic conductive materials and generation of voids reduce the adhesive strength between the base material and the IC chip and between the antenna pattern and the IC chip, and the durability and temperature of the RFID inlay against bending. It was found that the durability due to the change was reduced.
これに対して、本実施形態に係るRFIDインレイ1の製造方法は、ICチップ4の実装前に基材2を加熱する前加熱工程を有する。
On the other hand, the method for manufacturing the RFID inlay 1 according to the present embodiment includes a preheating step of heating the
前加熱工程では、基材2に含まれる水分が蒸発する温度まで加熱されるため、実装工程において、異方導電性材料Eを硬化させる際に、基材2に含まれる水分が異方導電性材料Eの内部に気泡として留まったり、突沸することで異方導電性材料Eが飛散したりすることを防止できる。
In the preheating step, the water contained in the
したがって、本実施形態に係るRFIDインレイの製造方法によれば、異方導電性材料を用いた場合であっても、アンテナパターンが形成された基材とICチップとの間における接着不良を抑制することができる。したがって、ICチップをアンテナパターンに安定して実装することができる。 Therefore, according to the method for manufacturing an RFID inlay according to the present embodiment, even when an anisotropic conductive material is used, poor adhesion between the base material on which the antenna pattern is formed and the IC chip is suppressed. be able to. Therefore, the IC chip can be stably mounted on the antenna pattern.
また、本実施形態においては、前加熱工程において、加熱温度を160℃以上350℃以下、加熱時間を1秒以上2秒以下に設定することにより、基材2に皺が発生したり基材2が熱により焦げたりすることなく、また、基材2とアンテナパターン3とを接着する粘着剤Aのひび割れ等を発生させることなく、基材2に含まれる水分を蒸発させることができる。
Further, in the present embodiment, by setting the heating temperature to 160 ° C. or higher and 350 ° C. or lower and the heating time to 1 second or longer and 2 seconds or lower in the preheating step, wrinkles are generated on the
また、実装工程において、ICチップ4及び基材2を160℃以上350℃以下の加熱温度で1秒以上2秒以下加熱するとともに、0.2N/cm2以上5.0N/cm2以下で加圧する。
Further, in the mounting step, the
これにより、基材2に皺が発生したり、基材2が熱により焦げたりすることなく、また、基材2とアンテナパターン3とを接着する粘着剤Aのひび割れ等を発生させることなく、異方導電性材料Eを硬化させることができる。
As a result, the
以上のことから、本実施形態に係るRFIDインレイの製造方法は、異方導電性材料が硬化するまでの間に、基材2の内部の水分が硬化前の異方導電性材料Eを通過して抜け出ることができないような短時間で異方導電性材料Eを硬化させる高速製造において、有用である。
From the above, in the method for manufacturing an RFID inlay according to the present embodiment, the moisture inside the
また、本実施形態に係るRFIDインレイの製造方法によれば、短時間で硬化する異方導電性材料Eと併用することにより、RFIDインレイ1の製造における生産効率を高めることができる。 Further, according to the method for manufacturing an RFID inlay according to the present embodiment, the production efficiency in the manufacture of the RFID inlay 1 can be improved by using it in combination with the anisotropic conductive material E that cures in a short time.
また、本実施形態において、特に、基材2が紙基材である場合には、異方導電性材料Eのバインダ樹脂が紙基材に浸潤することができる。このため、ICチップ4と基材2との接着を強固にできるという利点も奏する。
Further, in the present embodiment, particularly when the
[その他の実施形態]
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
[Other Embodiments]
Although the embodiment of the present invention has been described above, the above-described embodiment shows only a part of the application examples of the present invention, and the purpose of limiting the technical scope of the present invention to the specific configuration of the above-described embodiment. is not it.
本実施形態においては、アンテナパターン3がUHF帯インレット用のダイポールアンテナである場合について説明したが、HF帯用のコイルアンテナであってもよい。
In the present embodiment, the case where the
異方導電性材料Eとしては、異方導電性接着剤のほか異方導電性フィルムを使用することができる。 As the anisotropic conductive material E, an anisotropic conductive film can be used in addition to the anisotropic conductive adhesive.
本実施形態においては、加熱加圧ユニット100及び加熱加圧ユニット200は、それぞれ個別のユニットであると説明したが、これらは、同一であってもよい。一つの加熱加圧ユニットが前加熱工程及び実装工程に併用されていてもよい。
In the present embodiment, the heating /
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
[ICチップの接着状態の観察]
実施例及び比較例の供試体としてのRFIDインレイを用意し、実装工程後の接着状態を顕微鏡により目視にて観察した。
[Observation of the adhesive state of the IC chip]
RFID inlays as specimens of Examples and Comparative Examples were prepared, and the adhesive state after the mounting process was visually observed with a microscope.
<実施例>
・基材:紙(厚さ80μm)
・アンテナ:アルミニウム箔(厚さ20μm)
・異方導電性材料:熱硬化型異方導電性接着剤(日本化学工業製「速硬化ACP SMERF NF0306」)
・ICチップタイプ:IMPINJ社製 MONZA R6
・前加熱工程条件
温度(180℃)、加熱時間(2秒)、加圧(1.0N)
・実装工程条件(異方導電性材料の硬化条件)
温度(180℃)、加熱時間(2秒)、加圧(1.0N)
<Example>
-Base material: Paper (thickness 80 μm)
・ Antenna: Aluminum foil (thickness 20 μm)
-Iteroconductive material: Thermosetting anisotropic conductive adhesive (Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. "Fast-curing ACP SMERF NF0306")
・ IC chip type: IMPINJ MONZA R6
-Preheating process conditions Temperature (180 ° C), heating time (2 seconds), pressurization (1.0N)
-Mounting process conditions (curing conditions for anisotropic conductive materials)
Temperature (180 ° C), heating time (2 seconds), pressurization (1.0N)
<比較例>
比較例の供試体は、前加熱工程を実行しなかった以外は、実施例と同条件にて作製した。
<Comparison example>
Specimens of Comparative Examples were prepared under the same conditions as those of Examples except that the preheating step was not performed.
<評価結果>
比較例のRFIDインレイでは、異方導電性材料にボイドや飛散が生じており、基材におけるICチップの接着部分において、異方導電性材料に斑が生じた。
<Evaluation result>
In the RFID inlay of the comparative example, voids and scattering were generated in the anisotropic conductive material, and spots were generated in the anisotropic conductive material at the adhesive portion of the IC chip on the base material.
一方、実施例のRFIDインレイでは、異方導電性材料にボイドや飛散は認められず、基材におけるICチップの接着部分において、一定の層厚に保持されていた。これにより、ICチップは、アンテナパターンに安定して実装されていることがわかった。 On the other hand, in the RFID inlay of the example, voids and scattering were not observed in the anisotropic conductive material, and the RFID inlay was held at a constant layer thickness at the adhesive portion of the IC chip on the base material. From this, it was found that the IC chip was stably mounted on the antenna pattern.
1 RFIDインレイ
2 基材
3 アンテナパターン
4 ICチップ
31 ループ部
32 ICチップ接続部
33,34 メアンダ
35,36 キャパシタハット
100,200 加熱加圧ユニット
E 異方導電性材料
1
Claims (5)
前記アンテナパターンが形成された前記基材を特定条件で加熱する前加熱工程と、
前記前加熱工程に続いて前記アンテナパターンに異方導電性材料を介して前記ICチップを実装する実装工程と、
を有する、RFIDインレイの製造方法。 A method for manufacturing an RFID inlay in which an IC chip is connected to an antenna pattern formed on a base material.
A preheating step of heating the base material on which the antenna pattern is formed under specific conditions, and
Following the preheating step, a mounting step of mounting the IC chip on the antenna pattern via an anisotropic conductive material, and
A method for manufacturing an RFID inlay.
前記前加熱工程において、前記基材を160℃以上350℃以下の温度において1秒以上2秒以下加熱する
RFIDインレイの製造方法。 The method for manufacturing an RFID inlay according to claim 1.
A method for manufacturing an RFID inlay that heats the substrate at a temperature of 160 ° C. or higher and 350 ° C. or lower for 1 second or longer and 2 seconds or shorter in the preheating step.
前記実装工程において、前記ICチップ及び前記基材を160℃以上350℃以下の温度において1秒以上2秒以下加熱する
RFIDインレイの製造方法。 The method for manufacturing an RFID inlay according to claim 1 or 2.
A method for manufacturing an RFID inlay that heats the IC chip and the base material at a temperature of 160 ° C. or higher and 350 ° C. or lower for 1 second or longer and 2 seconds or shorter in the mounting step.
前記実装工程において、前記ICチップを前記基材に0.2N以上5.0N以下で加圧する、
RFIDインレイの製造方法。 The method for manufacturing an RFID inlay according to any one of claims 1 to 3.
In the mounting step, the IC chip is pressed against the base material at 0.2 N or more and 5.0 N or less.
How to make an RFID inlay.
前記基材が紙基材である、
RFIDインレイの製造方法。 The method for manufacturing an RFID inlay according to any one of claims 1 to 4.
The base material is a paper base material,
How to manufacture RFID inlays.
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