JP2021136143A - Carbon nanotube dispersion, manufacturing method of field electron emission element employing the same, and manufacturing method of light-emitting element - Google Patents
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 66
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 19
- -1 tin alkoxide Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 29
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 2
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical compound [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical group CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229960000686 benzalkonium chloride Drugs 0.000 description 1
- CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[NH+](C)CC1=CC=CC=C1 CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- MZSDGDXXBZSFTG-UHFFFAOYSA-N sodium;benzenesulfonic acid Chemical compound [Na+].OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 MZSDGDXXBZSFTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- QIVLHVRZYONPSZ-UHFFFAOYSA-N tributylindigane Chemical compound CCCC[In](CCCC)CCCC QIVLHVRZYONPSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Description
本発明は、強電界によって電子を放出する電界電子放出膜を製造するために用いるカーボンナノチューブ分散液、当該分散液を用いた電界電子放出膜および電界電子放出素子（電界電子放出電極）、並びに発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a carbon nanotube dispersion liquid used for producing a field electron emission film that emits electrons by a strong electric field, an electric field electron emission film and an electric field electron emission element (field electron emission electrode) using the dispersion liquid, and light emission. The present invention relates to a method for manufacturing an element.
次世代の高輝度フラットパネルディスプレイとして、フィールドエミッンョンディスプレイ（ＦＥＤ）の研究開発が進められている。また、一般照明としての発光素子は、白熱灯や蛍光灯が長年にわたり用いられてきており、蛍光灯は白熱灯と比べると同じ明るさでも消費電力を低く抑えられるという特徴を有しており、照明として広く利用されている。近年、白色灯や蛍光灯などの既存の照明に代わり、発光ダイオード（ＬＥＤ）を光源とした表示装置や照明が開発され、普及している。最近では、信号機などの表示装置、ＬＣＤ用のバックライト、各種照明などに利用されている。
ＬＥＤは、半導体のキャリアの再結合により発光する原理であるため、材料のバンド構造で決められた固有の波長の単色光であり、かつ点光源であるため、特にバックライトや照明などの大面積に均一に、そして白色などのブロードな波長で利用するアプリケーションには不適である。特に、白色表示にする場合には、紫外線発光素子としてＬＥＤを用い、その紫外線で蛍光体を発光させる構成が必要となっている。
Research and development of field emulation display (FED) is underway as a next-generation high-brightness flat panel display. In addition, incandescent lamps and fluorescent lamps have been used for many years as light emitting elements for general lighting, and fluorescent lamps have a feature that power consumption can be suppressed to a low level even if the brightness is the same as that of incandescent lamps. Widely used as lighting. In recent years, instead of existing lighting such as white lamps and fluorescent lamps, display devices and lighting using light emitting diodes (LEDs) as light sources have been developed and become widespread. Recently, it has been used for display devices such as traffic lights, backlights for LCDs, and various types of lighting.
Since LEDs emit light by recombination of semiconductor carriers, they are monochromatic light with a unique wavelength determined by the band structure of the material, and because they are point light sources, they have a particularly large area such as a backlight or lighting. It is not suitable for applications that are used uniformly and at broad wavelengths such as white. In particular, in the case of displaying white, it is necessary to use an LED as an ultraviolet light emitting element and to emit a phosphor with the ultraviolet light.
これに対し、ＦＥＤと同様の方式で、面電子放出源から放出される電子で蛍光体を発光させることで、薄型かつ高輝度の面発光素子が容易に得られると考えられる。電界放射型の電子放出源（フィールドエミッタ）は、物質に印加する電界の強度を上げると、その強度に応じて物質表面のエネルギー障壁の幅が次第に狭まり、電界強度が１０7Ｖ／ｃｍ以上の強電界となると、物質中の電子がトンネル効果によりそのエネルギー障壁を突破できるようになる。そのため物質から電子が放出されるという現象を利用している。この場合、電場がポアッソンの方程式に従うために、電子を放出する部材（エミッタ）に電界が集中する部分を形成すると、比較的低い引き出し電圧で効率的に冷電子の放出を行うことができる。
近年、エミッタ材料としてカーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴと表記する。）が注目されている。ＣＮＴは、炭素原子が規則的に配列したグラフェンシートを丸めた中空の円筒であり、その外径はナノメータオーダで、長さは通常０.５μｍ〜数１０μｍの非常にアスペクト比の高い物質である。その形状から、電界が集中しやすく高い電子放出能が期待できる。また、ＣＮＴは、化学的、物理的安定性が高いという特徴を有するため、動作真空中の残留ガスの吸着やイオン衝撃等に対して影響を受け難いことが期待できる。
On the other hand, it is considered that a thin and high-brightness surface-emitting element can be easily obtained by emitting a phosphor with electrons emitted from a surface electron emitting source in the same manner as the FED. Field emission electron emission source (field emitter) is, increasing the intensity of the electric field applied to the substance, gradually narrows the energy barrier material surface according to the strength, electric field strength 10 7 V / cm or more When a strong electric field is applied, electrons in a substance can break through the energy barrier due to the tunnel effect. Therefore, it utilizes the phenomenon that electrons are emitted from a substance. In this case, since the electric field follows Poisson's equation, if a portion where the electric field is concentrated is formed on the member (emitter) that emits electrons, cold electrons can be efficiently emitted with a relatively low extraction voltage.
In recent years, carbon nanotubes (hereinafter referred to as CNT) have been attracting attention as emitter materials. A CNT is a hollow cylinder made by rolling a graphene sheet in which carbon atoms are regularly arranged. Its outer diameter is on the order of nanometers, and its length is usually 0.5 μm to several tens of μm, which is a substance with a very high aspect ratio. .. Due to its shape, the electric field is easily concentrated and high electron emission ability can be expected. Further, since CNT has a feature of high chemical and physical stability, it can be expected that it is not easily affected by adsorption of residual gas in an operating vacuum, ionic impact, and the like.
ＣＮＴを使用した電子放出源の製造方法として、ＣＮＴを含む分散液を基板に塗布し、乾燥・焼成する方法は、生産性および製造コストの点で優れていると考えられ、種々検討されている。
ＣＮＴは非常に細かい繊維状の微粒子（粉末）であるため、ＣＮＴを用いて電子放出源を形成する場合は、ＣＮＴを基板に固着する必要がある。一般に、ＣＮＴの固着には、樹脂などのバインダ材料が用いられる。具体的には、バインダ材料とＣＮＴを溶媒に混合分散してペースト状（またはインク状）とし、これを印刷法、スプレー法、ダイコーター法等の手法で基板の表面に塗布し、乾燥・焼成することにより、バインダ材料の接着性を利用して基板上にＣＮＴを固着する。このような方法でＣＮＴを基板上に固着した場合、ＣＮＴ自体はバインダ材料の中に埋め込まれたかたちとなるため、高い電子放出特性を実現するために、ＣＮＴを露出させ、かつＣＮＴを基板に対して垂直に配向させる方法が用いられてきた。例えば、特許文献１には、ＣＮＴを含む層の表面に多孔質で粘着性を有するシート部材を貼り付けて乾燥した後、そのシート部材を剥離することにより、ＣＮＴを部分的に露出させ、かつＣＮＴを垂直に配向させる技術が開示されている。また、特許文献２には、ＣＮＴを含む層をドライエッチングする技術が開示されている。さらに、膜の内部に存在するＣＮＴの露出方法としては、特許文献３には、ＣＮＴ、オリゴマー、架橋性モノマー、重合開始材および溶剤を含む組成物を基板上に塗布して形成した膜に対して熱処理を行い、熱応力により膜に亀裂を生じさせ、その亀裂部内にＣＮＴを露出させ、電子放出源とする方法が提案されている。
特許文献４および特許文献５には、６０〜９９.９質量％の錫ドープインジウム酸化物と０.１〜２０質量％のＣＮＴとを含む電界電子放出膜であって、前記の膜表面に、幅が０.１〜５０μｍの範囲である溝が１ｍｍ2当たりの総延長２ｍｍ以上、かつ、溝部分の面積比率が２〜６０％の範囲で形成されており、前記の溝の壁面においてＣＮＴが露出した構造を有する、電界電子放出膜が提案されている。このうち、特許文献５の電界電子放出膜は、溝の深さの変動係数が０.３０以下であることを特徴とするものである。
ＣＮＴを使用した電子放出源は、前述のＦＥＤや照明のほか、電子線露光装置、Ｘ線発生装置等の様々な用途に活用することが提案され期待されている。
As a method for producing an electron emission source using CNT, a method of applying a dispersion liquid containing CNT to a substrate, drying and firing it is considered to be excellent in terms of productivity and production cost, and various studies have been conducted. ..
Since CNTs are very fine fibrous fine particles (powder), it is necessary to fix CNTs to a substrate when forming an electron emission source using CNTs. Generally, a binder material such as resin is used for fixing CNTs. Specifically, the binder material and CNT are mixed and dispersed in a solvent to form a paste (or ink), which is applied to the surface of the substrate by a printing method, a spray method, a die coater method, or the like, and dried and fired. By doing so, the CNT is fixed on the substrate by utilizing the adhesiveness of the binder material. When the CNTs are fixed on the substrate by such a method, the CNTs themselves are embedded in the binder material. Therefore, in order to realize high electron emission characteristics, the CNTs are exposed and the CNTs are attached to the substrate. On the other hand, a method of vertically aligning has been used. For example, in
It is proposed and expected that the electron emission source using CNT will be used for various purposes such as an electron beam exposure device and an X-ray generator in addition to the above-mentioned FED and lighting.
発光素子等に用いられる電界電子放出素子（電界電子放出電極）に求められる特性としては、電力消費量が低い（省電力性が高い）等が挙げられる。電力消費量が低い（省電力性が高い）とは、一定の電界電子の放出量を得るために必要である電界強度が低いことである。また、電界電子放出素子の製造工程がコストや生産性に優れることも併せて求められる。
特許文献１〜４の技術を用いて、電界電子放出素子（電界電子放出電極）を用いた発光素子を作成した場合、省電力性には改善の余地があった。省電力性を改善するには、一定量の電界電子放出を得るために必要な印加電圧が低いことが有用である。また、印加電圧を低くすることにより、電界電子放出膜を用いた照明等の装置を小型化することが可能になる等の効果も期待できる。
特許文献１に記載の方法では、粘着性のシート状部材とＣＮＴとの密着性をコントロールすることが困難であり、剥離の際にＣＮＴが不均一に露出し、電力消費量が増加する要因となっていた。特許文献２に記載の方法では、ＣＮＴを露出させるためにドライエッチングを行うが、エッチングの際にＣＮＴが劣化し、電力消費量が増加する要因となっていた。また、特許文献１および２に記載の方法は、基板と水平方向に配向しているＣＮＴについては露出させる効果が少ないので、ＣＮＴを起毛する工程が必要であった。さらに、これらの方法では、膜の形成のために有機質のバインダと有機溶媒とを使用するため、導電性の高い膜を得ることが困難であった。特許文献３に記載の技術では、膜の主成分を樹脂とする必要があり、膜の導電性を高くすることが困難であることや、ＣＮＴを露出させる亀裂の密度や分布の制御が容易ではなく、高い省電力性を得ることが困難であるという問題があった。特許文献４および５に記載の技術は、発光素子に用いた場合、それまでの技術より小電力で作動が可能である電界電子放出膜が記載されているが、特許文献４に記載の技術では、省電力性の点で改善の余地があった。特許文献５に記載の技術では、省電力性は高いものの、溝の深さの変動係数が０.３０以下である溝を機械的に形成する工程が必要で、生産性の点で改善の余地があった。
The characteristics required for a field electron emitting element (field electron emitting electrode) used for a light emitting element or the like include low power consumption (high power saving) and the like. Low power consumption (high power saving) means low electric field strength required to obtain a constant amount of electric field electrons emitted. Further, it is also required that the manufacturing process of the field electron emitting element is excellent in cost and productivity.
When a light emitting element using a field electron emitting element (field electron emitting electrode) was produced by using the techniques of
With the method described in
本発明は、製造工程において表面に溝を形成する工程が不要であり、一定量の電界電子放出を得るために必要な印加電圧が低く、省電力性に優れた電界電子放出膜、電界電子放出素子（電界電子放出電極）を製造するためのＣＮＴ分散液および、当該分散液を用いた電界電子放出素子並びに当該電界電子放出素子を用いた発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention does not require a step of forming a groove on the surface in the manufacturing process, the applied voltage required to obtain a certain amount of field electron emission is low, and the field electron emission film and field electron emission excellent in power saving are achieved. It is an object of the present invention to provide a CNT dispersion liquid for manufacturing an element (field electron emission electrode), an electric field electron emission element using the dispersion liquid, and a method for manufacturing a light emitting element using the field electron emission element.
上記の目的を達成するために、本明細書では以下の発明を開示する。
［１］有機溶媒中に有機インジウム化合物、錫アルコキシド、錫ドープインジウム酸化物粉、カーボンナノチューブおよび有機樹脂粒子を含有させたＣＮＴ分散液であって、前記の有機樹脂粒子が１０００℃以下で熱分解する性質を有するものである、ＣＮＴ分散液が提供される。
［２］上記［１］に記載の有機樹脂粒子は、８００℃で熱分解する性質を有するものであることが好ましい。
［３］上記［１］または［２］項に記載のＣＮＴ分散液は、前記の有機インジウム化合物および錫アルコキシドが熱分解により化学量論組成の酸化物を形成したと仮定した場合、インジウム酸化物および錫酸化物の質量の和が０.５質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。
［４］また、当該ＣＮＴ分散液は、前記のカーボンナノチューブの質量と、前記のインジウム酸化物および錫酸化物の質量の和との比が０.００１以上０.２以下であることが好ましい。
［５］また、当該ＣＮＴ分散液は、前記の有機樹脂粒子の数平均１次粒子径が３０ｎｍ以上３μｍ以下であり、前記の有機樹脂粒子の質量と前記のインジウム酸化物および錫酸化物の質量の和との比が０.００３以上０.５以下であることが好ましい。
［６］上記［１］記載のＣＮＴ分散液は、さらに錫ドープインジウム酸化物粉を含有することができる。
［７］当該ＣＮＴ分散液は、前記の有機インジウム化合物および錫アルコキシドが熱分解により化学量論組成の酸化物を形成したと仮定した場合、インジウム酸化物、錫酸化物および錫ドープインジウム酸化物粉の質量の和が０.５質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。
［８］また、当該ＣＮＴ分散液は、前記のカーボンナノチューブの質量と、前記のインジウム酸化物、錫酸化物および錫ドープインジウム酸化物粉の質量の和との比が０.００１以上０.２以下であることが好ましい。
［９］また、当該ＣＮＴ分散液は、前記の有機樹脂粒子の数平均１次粒子径が３０ｎｍ以上３μｍ以下であり、前記の有機樹脂粒子の質量と前記のインジウム酸化物、錫酸化物および錫ドープインジウム酸化物粉の質量の和との比が０.００３以上０.５以下であることが好ましい。
［１０］また、本発明においては、上記［１］に記載のカーボンナノチューブ分散液を基板に塗布する工程と、前記のカーボンナノチューブ分散液を塗布した基板を３００℃以上６００℃未満で加熱して基板上にカーボンナノチューブ含有膜を形成する工程と、前記の表面にカーボンナノチューブ含有膜を形成した基板を６００℃以上１２００℃以下で加熱して基板上に電界電子放出膜を形成する工程を含む、電界電子放出素子の製造方法が提供される。
［１１］また、本発明においては、上記［１］に記載のカーボンナノチューブ分散液を基板に塗布する工程と、前記のカーボンナノチューブ分散液を塗布した基板を６００℃以上１２００℃以下で加熱して基板上にカーボンナノチューブ含有膜を形成して基板上に電界電子放出膜を形成する工程、を含む、電界電子放出素子の製造方法が提供される。
［１２］また、本発明においてはさらに、上記［１０］または［１１］に記載の製造方法により得られた電界電子放出素子をカソード電極とし、前記電界電子放出素子に対向して配置されるアノード電極および蛍光体が設けられている構造体（アノード）を含み、前記電界電子放出素子と前記アノードとの間を真空に保持する、発光素子の製造方法が提供される。
In order to achieve the above object, the following inventions are disclosed in the present specification.
[1] A CNT dispersion liquid containing an organic indium compound, tin alkoxide, tin-doped indium oxide powder, carbon nanotubes, and organic resin particles in an organic solvent, wherein the organic resin particles are thermally decomposed at 1000 ° C. or lower. A CNT dispersion liquid is provided, which has the property of forming a CNT dispersion.
[2] The organic resin particles according to the above [1] preferably have the property of thermally decomposing at 800 ° C.
[3] The CNT dispersion liquid according to the above item [1] or [2] is an indium oxide, assuming that the organic indium compound and tin alkoxide form an oxide having a stoichiometric composition by thermal decomposition. The sum of the masses of the tin oxide and the tin oxide is preferably 0.5% by mass or more and 50% by mass or less.
[4] Further, in the CNT dispersion liquid, the ratio of the mass of the carbon nanotubes to the mass of the indium oxide and the tin oxide is preferably 0.001 or more and 0.2 or less.
[5] Further, the CNT dispersion liquid has a number average primary particle diameter of 30 nm or more and 3 μm or less of the organic resin particles, and the mass of the organic resin particles and the mass of the indium oxide and the tin oxide. The ratio of to the sum of is preferably 0.003 or more and 0.5 or less.
[6] The CNT dispersion liquid according to the above [1] can further contain tin-doped indium oxide powder.
[7] The CNT dispersion liquid is an indium oxide, a tin oxide, and a tin-doped indium oxide powder, assuming that the organic indium compound and the tin alkoxide form an oxide having a chemical quantitative composition by thermal decomposition. The sum of the masses of is preferably 0.5% by mass or more and 50% by mass or less.
[8] Further, in the CNT dispersion liquid, the ratio of the mass of the carbon nanotubes and the mass of the indium oxide, tin oxide and tin-doped indium oxide powder is 0.001 or more and 0.2. The following is preferable.
[9] Further, the CNT dispersion liquid has a number average primary particle diameter of 30 nm or more and 3 μm or less of the organic resin particles, and the mass of the organic resin particles and the indium oxide, tin oxide and tin. The ratio of the mass of the doped indium oxide powder to the sum of the masses is preferably 0.003 or more and 0.5 or less.
[10] Further, in the present invention, the step of applying the carbon nanotube dispersion liquid according to the above [1] to the substrate and the substrate coated with the carbon nanotube dispersion liquid are heated at 300 ° C. or higher and lower than 600 ° C. It includes a step of forming a carbon nanotube-containing film on a substrate and a step of heating the substrate having a carbon nanotube-containing film formed on the surface at 600 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower to form a field electron emission film on the substrate. A method for manufacturing a field electron emitting element is provided.
[11] Further, in the present invention, the step of applying the carbon nanotube dispersion liquid according to the above [1] to the substrate and the substrate coated with the carbon nanotube dispersion liquid are heated at 600 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower. Provided is a method for manufacturing a field electron emitting element, which comprises a step of forming a carbon nanotube-containing film on a substrate and forming a field electron emitting film on the substrate.
[12] Further, in the present invention, the field electron emitting element obtained by the manufacturing method according to the above [10] or [11] is used as a cathode electrode, and an anode arranged so as to face the field electron emitting element. Provided is a method for manufacturing a light emitting element, which includes a structure (anode) provided with an electrode and a phosphor, and holds a vacuum between the field electron emitting element and the anode.
製造工程において表面に溝を形成する工程が不要であり、一定量の電界電子放出を得るために必要な印加電圧が低く、省電力性に優れた電界電子放出膜、電界電子放出素子（電界電子放出電極）、を製造するためのＣＮＴ分散液および、当該分散液を用いた電界電子放出素子並びに当該電界電子放出素子を用いた発光素子の製造方法を得ることができる。 In the manufacturing process, there is no need to form grooves on the surface, the applied voltage required to obtain a certain amount of field electron emission is low, and the field electron emission film and field electron emission element (field electron emission element) are excellent in power saving. A CNT dispersion liquid for manufacturing (emission electrode), an electric field electron emission element using the dispersion liquid, and a method for manufacturing a light emitting element using the field electron emission element can be obtained.
［ＣＮＴ分散液］
本発明において、電界電子放出膜を製造するためのＣＮＴ分散液は、溶媒中に錫ドープインジウム酸化物（以下、ＩＴＯと表記する。）を形成するための有機インジウム化合物および錫アルコキシド、もしくは、有機インジウム化合物、錫アルコキシドおよび錫ドープインジウム酸化物粉、エミッタとなるＣＮＴ、および、１０００℃以下で熱分解する性質を有する有機樹脂粒子を溶媒中に含有させたものである。なお、本発明のＣＮＴ分散液は、１０００℃以下で熱分解する性質を有する樹脂粒子を含有することが最大の特徴であるが、その理由については後述する。
ＣＮＴ分散液に使用する溶媒（分散媒）の種類には、特に制限はないが、インジウムおよび錫成分にアルコキシドを用いる場合には、混合時の加水分解を抑制する観点から有機溶媒を使用することが好ましい。有機溶媒の好適な例として、アルコール、酢酸ブチル等が挙げられる。本発明のＣＮＴ分散液には、上記の他、分散剤、増粘剤等を添加することができる。
[CNT dispersion liquid]
In the present invention, the CNT dispersion liquid for producing a field electron emission film is an organic indium compound and tin alkoxide for forming a tin-doped indium oxide (hereinafter referred to as ITO) in a solvent, or an organic solution. The solvent contains an indium compound, tin alkoxide and tin-doped indium oxide powder, CNT as an emitter, and organic resin particles having a property of thermally decomposing at 1000 ° C. or lower. The CNT dispersion liquid of the present invention is characterized by containing resin particles having a property of thermally decomposing at 1000 ° C. or lower, and the reason will be described later.
The type of solvent (dispersion medium) used in the CNT dispersion is not particularly limited, but when alkoxide is used for the indium and tin components, an organic solvent should be used from the viewpoint of suppressing hydrolysis during mixing. Is preferable. Preferable examples of the organic solvent include alcohol, butyl acetate and the like. In addition to the above, a dispersant, a thickener, or the like can be added to the CNT dispersion liquid of the present invention.
［金属成分およびＣＮＴ］
ＣＮＴ分散液に添加するインジウム成分としては、有機インジウム化合物が挙げられる。有機インジウム化合物としては、トリアルキルインジウムまたはインジウムアルコキシドを使用することができる。取り扱いの容易性の観点からトリアルキルインジウムとしてはトリブチルインジウムが好適な例として挙げられる。アルコキシドとしては、メトキシド、エトキシド、ブトキシド、イソプロポキシド等、加熱により酸化物に変化するものであれば、その種類は特に限定されない。
ＣＮＴ分散液に添加する錫成分としては、錫アルコキシドが挙げられる。アルコキシドとしては、インジウムアルコキシドと同様に、メトキシド、エトキシド、ブトキシド、イソプロポキシド等、加熱により酸化物に変化するものであれば、その種類は特に限定されない。
インジウムおよび錫の成分としては、ＩＴＯ粉をＣＮＴ分散液に添加することもできる。ＩＴＯ粉の粒径は、平均粒径として３μｍ以下が好ましく、０.１μｍ以下がさらに好ましい。ＩＴＯの前駆物質として、有機インジウム化合物と錫アルコキシド、有機インジウム化合物および錫アルコキシドの１種または２種とＩＴＯ粉の組み合わせがある。本明細書においては、ＩＴＯ含有量という言葉は、ＣＮＴ分散液中に含まれる有機インジウム化合物および錫アルコキシドが全て熱分解により化学量論組成の酸化物に変化すると仮定して算出した値である。したがって、金属成分として有機インジウム化合物と錫アルコキシドのみを含むＣＮＴ分散液の場合は、有機インジウム化合物と錫アルコキシドの仕込み量から、金属成分として有機インジウム化合物、錫アルコキシドとＩＴＯ粉を含む場合は、有機インジウム化合物と錫アルコキシドの仕込み量および添加したＩＴＯ粉の量からＩＴＯ含有量を算出する。ＣＮＴ分散液中のＩＴＯ含有量は特に限定されないが、ＣＮＴ分散液の０.５質量％〜５０質量％とすることができる。
ＣＮＴ分散液に使用するＣＮＴの種類には、特に制限はないが、単層（シングルウォール）ＣＮＴを用いることが好ましい。ＣＮＴ分散液中のＣＮＴ含有量は、ＣＮＴ分散液中のＩＴＯの含有量に対して０.１〜２０質量％の範囲が好ましい。０.１質量％未満の場合には、電子の放出が不十分となるおそれがあり、２０質量％を超えると、高価なＣＮＴを多量に必要とし、膜の製造コストが高くなるので、不経済である。上記のバランスを考慮すると、電界電子放出膜中のＣＮＴ含有量は、０.５〜１５質量％がさらに好ましく、１〜１０質量％が一層好ましい。
[Metallic components and CNTs]
Examples of the indium component added to the CNT dispersion liquid include organic indium compounds. As the organic indium compound, trialkyl indium or indium alkoxide can be used. From the viewpoint of ease of handling, tributyl indium is a preferable example of trialkyl indium. The type of alkoxide is not particularly limited as long as it changes to an oxide by heating, such as methoxide, ethoxide, butoxide, and isopropoxide.
Examples of the tin component added to the CNT dispersion liquid include tin alkoxide. Similar to indium alkoxide, the type of alkoxide is not particularly limited as long as it changes to an oxide by heating, such as methoxide, ethoxide, butoxide, and isopropoxide.
As the components of indium and tin, ITO powder can also be added to the CNT dispersion liquid. The average particle size of the ITO powder is preferably 3 μm or less, more preferably 0.1 μm or less. As the precursor of ITO, there are one or two kinds of organic indium compound and tin alkoxide, one or two kinds of organic indium compound and tin alkoxide, and a combination of ITO powder. In the present specification, the term ITO content is a value calculated on the assumption that all the organic indium compounds and tin alkoxide contained in the CNT dispersion liquid are changed to oxides having a stoichiometric composition by thermal decomposition. Therefore, in the case of a CNT dispersion liquid containing only an organic indium compound and tin alkoxide as a metal component, it is organic when the metal component contains an organic indium compound, tin alkoxide and ITO powder, based on the amount of the organic indium compound and tin alkoxide charged. The ITO content is calculated from the amount of the indium compound and tin alkoxide charged and the amount of the added ITO powder. The ITO content in the CNT dispersion is not particularly limited, but can be 0.5% by mass to 50% by mass of the CNT dispersion.
The type of CNT used in the CNT dispersion is not particularly limited, but it is preferable to use a single-walled CNT. The CNT content in the CNT dispersion is preferably in the range of 0.1 to 20% by mass with respect to the content of ITO in the CNT dispersion. If it is less than 0.1% by mass, electron emission may be insufficient, and if it exceeds 20% by mass, a large amount of expensive CNTs are required and the manufacturing cost of the film increases, which is uneconomical. Is. Considering the above balance, the CNT content in the field electron emission film is more preferably 0.5 to 15% by mass, further preferably 1 to 10% by mass.
［有機樹脂粒子］
使用する有機樹脂粒子としては、６００℃以上の加熱処理により熱分解もしくは揮発する性質を有するものであればその種類に特に制限はない。１０００℃以下の加熱処理で熱分解する性質を有するものを用いることができる。なお、本明細書においては、熱分解は揮発も含む概念として扱う。有機樹脂粒子として、６００℃以上の加熱処理により熱分解もしくは揮発する性質を有するものとするのは、後述するＣＮＴ端部露出処理の際に樹脂粒子を除去しＣＮＴの端部を露出できるようにするためである。１０００℃以下の加熱処理で熱分解する性質を有するものを用いれば、ＣＮＴ端部露出処理の際にエネルギーコストを低く抑えることができる。本発明においては、当該熱分解温度の下限は特に規定するものではないが、後述するＣＮＴ分散液の塗布液の加熱（焼成）を３００℃以上で行うので、その加熱温度以上であることが好ましい。上記の６００℃以上の加熱処理により熱分解もしくは揮発する性質は、１×１０-5Ｐａの減圧下における熱分解もしくは揮発する性質でもよい。例えば、好適な有機樹脂粒子として、１×１０-5Ｐａの減圧下において８００℃の加熱処理により熱分解もしくは揮発する性質を有する有機樹脂粒子があげられる。
したがって、有機樹脂粒子の有機樹脂は、耐熱性が高くないものであることが好ましい。好適に使用できる樹脂粒子の材質として、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、多環芳香族型エポキシ樹脂、水添脂環式エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂が例示できる。
使用する樹脂粒子粉の平均粒径（数平均１次粒子径）は、１０ｎｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。平均粒径が３μｍを超える場合には、加熱処理により樹脂粒子が除去されにくくなることがあり、平均粒径が１０ｎｍ未満の粒子は高価であり、電界電子放出膜の製造コストが高くなる恐れがある。樹脂粒子粉の平均粒径は、３０ｎｍ〜１μｍの範囲内であることがより好ましい。
ＣＮＴ分散液に添加する樹脂粒子の形態は、乾粉、樹脂粒子を含有する分散液いずれでも構わないが、樹脂粒子を含有する分散液の形態でＣＮＴ分散液に添加すれば、ＣＮＴ分散液中に樹脂粒子を容易に分散させることができる。ＣＮＴ分散液中の樹脂粒子の含有量は、ＣＮＴ分散液中のＩＴＯの含有量に対して、０.３質量％〜５０質量％とすることができ、０.５質量％〜４０質量％であることが好ましく、１質量％〜３０質量％であることが一層好ましい。０.３質量％未満または５０質量％超の場合には、電界電子の放出が不十分となるおそれがある。
[Organic resin particles]
The type of organic resin particles used is not particularly limited as long as it has the property of being thermally decomposed or volatilized by heat treatment at 600 ° C. or higher. Those having the property of being thermally decomposed by heat treatment at 1000 ° C. or lower can be used. In this specification, thermal decomposition is treated as a concept including volatilization. The organic resin particles have the property of being thermally decomposed or volatilized by heat treatment at 600 ° C. or higher so that the resin particles can be removed and the CNT end can be exposed during the CNT end exposure treatment described later. To do. If a material having a property of thermally decomposing by heat treatment at 1000 ° C. or lower is used, the energy cost can be kept low during the CNT end exposure treatment. In the present invention, the lower limit of the thermal decomposition temperature is not particularly specified, but since the coating liquid of the CNT dispersion liquid described later is heated (baked) at 300 ° C. or higher, it is preferably higher than that heating temperature. .. The property of being thermally decomposed or volatilized by the above heat treatment at 600 ° C. or higher may be the property of being thermally decomposed or volatilized under a reduced pressure of 1 × 10 -5 Pa. For example, suitable organic resin particles include organic resin particles having the property of being thermally decomposed or volatilized by heat treatment at 800 ° C. under a reduced pressure of 1 × 10 -5 Pa.
Therefore, it is preferable that the organic resin of the organic resin particles does not have high heat resistance. As the material of the resin particles that can be preferably used, polymethyl methacrylate resin, bisphenol type epoxy resin, novolak type phenol resin, biphenyl type epoxy resin, polycyclic aromatic type epoxy resin, hydrogenated oil ring type epoxy resin, oil ring type Examples thereof include epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, and heterocyclic epoxy resins.
The average particle size (number average primary particle size) of the resin particle powder used is preferably in the range of 10 nm to 3 μm. When the average particle size exceeds 3 μm, it may be difficult to remove the resin particles by the heat treatment, and the particles having an average particle size of less than 10 nm are expensive, and the production cost of the field electron emission film may increase. be. The average particle size of the resin particle powder is more preferably in the range of 30 nm to 1 μm.
The form of the resin particles added to the CNT dispersion may be either dry powder or a dispersion containing the resin particles, but if the resin particles are added to the CNT dispersion in the form of a dispersion containing the resin particles, the resin particles may be added to the CNT dispersion. The resin particles can be easily dispersed. The content of the resin particles in the CNT dispersion liquid can be 0.3% by mass to 50% by mass, and 0.5% by mass to 40% by mass, based on the content of ITO in the CNT dispersion liquid. It is preferably present, and more preferably 1% by mass to 30% by mass. If it is less than 0.3% by mass or more than 50% by mass, the emission of electric field electrons may be insufficient.
ＣＮＴ分散液には、粘度調整のために、増粘剤を添加しても良い。ＣＮＴ分散液の粘度が低い場合、増粘剤を添加することにより、ＣＮＴ分散液の塗布性が向上し、基板と膜との密着性が向上する。増粘剤としては、公知の増粘剤を使用することができる。好適な例として、エチルセルロース等が挙げられる。ＣＮＴ分散液中のＣＮＴの分散性を向上させる目的で、ＣＮＴ分散液に分散剤を加えてもよい。分散剤は公知の分散剤を使用することができる。好適な例として、アニオン系の界面活性剤、ドデシルベンゼンスルホン酸、塩化ベンザルコニウム、ベンゼンスルホン酸ソーダ等が挙げられる。
ＣＮＴ分散液の調製に当たって、湿式微粒化装置やボールミル等を用いてＣＮＴ分散液の分散処理を行うと、ＣＮＴ分散液中のＣＮＴの分散状態が向上する。
A thickener may be added to the CNT dispersion liquid for adjusting the viscosity. When the viscosity of the CNT dispersion liquid is low, the coatability of the CNT dispersion liquid is improved and the adhesion between the substrate and the film is improved by adding the thickener. As the thickener, a known thickener can be used. Preferable examples include ethyl cellulose and the like. A dispersant may be added to the CNT dispersion for the purpose of improving the dispersibility of the CNT in the CNT dispersion. A known dispersant can be used as the dispersant. Suitable examples include anionic surfactants, dodecylbenzenesulfonic acid, benzalkonium chloride, sodium benzenesulfonic acid and the like.
When the CNT dispersion liquid is prepared by using a wet atomizing device, a ball mill, or the like to disperse the CNT dispersion liquid, the dispersion state of the CNTs in the CNT dispersion liquid is improved.
［電界電子放出素子の製造方法］
［ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の形成］
まず、ＣＮＴ分散液を基板上に塗布して、塗布膜を形成する。基板はその種類に制限はないが、基板が導電性であれば電気的接続方法の自由度が増大する点で有利であり好ましいといえる。好適な基板の例として、シリコン基板等の半導体基板、グラファイト基板や金属基板等が挙げられる。塗布方法としては、静電塗布、スプレー塗布、スピン塗布、ディップ塗布等の公知の塗布方法を用いることができる。
引き続き、前記の塗布膜を３００℃以上６００℃未満の温度域で加熱することにより、ＩＴＯを主成分とし、ＣＮＴを微量含む膜（以下、ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜と表記する。）を得ることができる。生成するＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の詳細については後述する。
前記の加熱は減圧下（真空中）で行っても良いし、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行っても良く、大気雰囲気で行っても良い。ＣＮＴ分散液中の樹脂粒子がこの加熱処理で燃焼する恐れがある場合には、減圧下または不活性ガス中で加熱処理をすることが好ましい。この場合、加熱時間は、１０分間以上とすることができる。１０分間未満の場合には、有機インジウム化合物および錫アルコキシドの熱分解が十分に進行せず、ＩＴＯの生成が不十分になる恐れがある。加熱時間に上限はないが、エネルギーコストの観点で、１０時間以下なる加熱条件を選択することが好ましい。なお、当該加熱の前に、ＣＮＴ分散液の塗布膜を３００℃未満の温度に加熱し、塗布膜の乾燥（溶媒成分の除去）を行っても良い。
[Manufacturing method of field electron emitting element]
[Formation of CNT-containing ITO film]
First, the CNT dispersion liquid is applied onto the substrate to form a coating film. The type of the substrate is not limited, but it can be said that if the substrate is conductive, it is advantageous and preferable in that the degree of freedom of the electrical connection method is increased. Examples of suitable substrates include semiconductor substrates such as silicon substrates, graphite substrates, metal substrates, and the like. As the coating method, known coating methods such as electrostatic coating, spray coating, spin coating, and dip coating can be used.
Subsequently, by heating the coating film in a temperature range of 300 ° C. or higher and lower than 600 ° C., a film containing ITO as a main component and a small amount of CNT (hereinafter referred to as CNT-containing ITO film) can be obtained. .. Details of the CNT-containing ITO film to be produced will be described later.
The heating may be performed under reduced pressure (in a vacuum), in an inert gas such as nitrogen or argon, or in an atmospheric atmosphere. When the resin particles in the CNT dispersion liquid may burn in this heat treatment, it is preferable to perform the heat treatment under reduced pressure or in an inert gas. In this case, the heating time can be 10 minutes or more. If it is less than 10 minutes, the thermal decomposition of the organic indium compound and the tin alkoxide may not proceed sufficiently, and the production of ITO may be insufficient. Although there is no upper limit to the heating time, it is preferable to select a heating condition of 10 hours or less from the viewpoint of energy cost. Prior to the heating, the coating film of the CNT dispersion liquid may be heated to a temperature of less than 300 ° C. to dry the coating film (remove the solvent component).
［ＣＮＴ端部露出処理］
前記の処理で得られた、基板上に形成されたＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の表面付近に存在するＣＮＴを露出させるために、当該ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜を積層した基板に６００℃以上１２００℃以下で加熱処理を行い、ＣＮＴ端部を露出させる。本発明者等は、この加熱処理によりＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の表面付近に存在するＣＮＴが露出する機構を、以下のように考えている。
すなわち、ＣＮＴ分散液を基板に塗布した段階で、当該分散液中に分散しているＣＮＴの一定割合のものは、同じく分散液中に分散している有機樹脂粒子と分散媒との界面に存在しており、その界面に存在するＣＮＴは、塗布液を加熱（焼成）した後もＣＮＴ含有ＩＴＯ膜のベースとなるＩＴＯと有機樹脂粒子の界面に残存すると考えられる。そのＣＮＴ含有ＩＴＯ膜をさらに高温で加熱し、有機樹脂粒子を熱分解で除去すると、当該有機樹脂粒子の熱分解により生成した空洞部分にＣＮＴ端部が露出する結果になる。そのため、本発明においては、ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の表面からＣＮＴの端部を露出させるための起毛処理や溝の形成処理等が不要になる。本発明者等は、このような処理により得られた、ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の表面部分でＣＮＴの端部を露出させた電界電子放出膜が、電界電子を放出しやすい特性を有し生産性に優れることを見出して、本発明を完成するに至った。
前記の方法でＣＮＴの端部を膜の表面から露出させた電界電子放出膜は、電界電子が放出されやすい。この理由は明確にはわかっていないが、本発明者らは、以下の理由が一因であると考えている。本発明の電界電子放出膜に電圧を印加した場合、露出しているＣＮＴ先端部から電界電子が放出されるが、加熱処理により樹脂粒子が除去された部分でＣＮＴの端部が露出するＣＮＴが多く存在しており、電界電子が放出されやすい状態を実現できていると推測している。
[CNT end exposure processing]
In order to expose the CNTs existing near the surface of the CNT-containing ITO film formed on the substrate obtained by the above treatment, the substrate on which the CNT-containing ITO film is laminated is heat-treated at 600 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower. To expose the CNT end. The present inventors consider the mechanism by which the CNTs existing near the surface of the CNT-containing ITO film are exposed by this heat treatment as follows.
That is, at the stage when the CNT dispersion liquid is applied to the substrate, a certain proportion of CNTs dispersed in the dispersion liquid exists at the interface between the organic resin particles also dispersed in the dispersion liquid and the dispersion medium. It is considered that the CNT existing at the interface remains at the interface between the ITO and the organic resin particles, which is the base of the CNT-containing ITO film, even after the coating liquid is heated (baked). When the CNT-containing ITO film is further heated at a higher temperature and the organic resin particles are removed by thermal decomposition, the CNT end portion is exposed in the cavity portion generated by the thermal decomposition of the organic resin particles. Therefore, in the present invention, it is not necessary to perform a raising process, a groove forming process, or the like for exposing the end portion of the CNT from the surface of the CNT-containing ITO film. The present inventors have a property that the electric field electron emitting film obtained by such a treatment and in which the end portion of the CNT is exposed on the surface portion of the CNT-containing ITO film has a property of easily emitting electric field electrons and is highly productive. We have found that it is excellent and have completed the present invention.
The field electron emitting film in which the end portion of the CNT is exposed from the surface of the film by the above method tends to emit field electrons. The reason for this is not clearly understood, but the present inventors consider that the following reasons are one of the causes. When a voltage is applied to the field electron emission film of the present invention, electric field electrons are emitted from the exposed CNT tip, but the CNT whose end is exposed at the portion where the resin particles are removed by the heat treatment. There are many, and it is presumed that a state in which field electrons are easily emitted can be realized.
ＣＮＴの端部を露出させるための加熱は、減圧下（真空中）で行っても良いし、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行っても良く、大気雰囲気で行っても良い。ＣＮＴ分散液中の樹脂粒子がこの加熱処理で燃焼する恐れがある場合には、減圧下または不活性ガス中で加熱処理をすることが好ましい。この加熱の温度は、６００℃以上１２００℃以下とすることができる。加熱温度が６００℃未満の場合には、ＣＮＴ端部の表面からの露出が不十分になる恐れがある。加熱温度が１２００℃を超える場合には、使用するＣＮＴによってはＣＮＴに損傷が生じ、電界電子放出が起こりにくくなる場合がある。この加熱の温度は、この加熱の行う雰囲気において、６００℃以上１２００℃以下の範囲で、使用する有機樹脂粒子が熱分解または揮発する温度の範囲から選択すればよい。この加熱時間は、ＣＮＴ含有膜の表面からＣＮＴ端部を十分露出させることができれば特に限定はないが、１分間以上とすることが好ましい。１分間未満の場合には、この加熱によるＣＮＴ端部露出の効果が十分に得られない恐れがある。加熱時間に上限はないが、エネルギーコストの観点で、１０時間以下とすることが好ましい。
本ＣＮＴ端部露出処理において、加熱による有機樹脂粒子の熱分解は、ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の表面から基板方向に向かって進行する。電界電子放出素子の性質上、ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の表面付近に存在するＣＮＴの端部が露出するとエミッタとして作用するので、前記の有機樹脂粒子の熱分解は、ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の厚さ方向全体で起こらず、有機樹脂粒子の一部が残存していても構わない。熱分解により有機樹脂を除去する厚さはＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の厚さやＣＮＴの含有量によっても変化するが、使用する有機樹脂粒子の平均粒径の２倍以上とすることが好ましい。熱分解による有機樹脂の除去の程度は、完全に除去されなくてもよく、除去された部分からＣＮＴの端部が十分露出された状態が得られる程度でよい。
The heating for exposing the end portion of the CNT may be performed under reduced pressure (in a vacuum), in an inert gas such as nitrogen or argon, or in an atmospheric atmosphere. When the resin particles in the CNT dispersion liquid may burn in this heat treatment, it is preferable to perform the heat treatment under reduced pressure or in an inert gas. The temperature of this heating can be 600 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower. If the heating temperature is less than 600 ° C., the exposure from the surface of the CNT end portion may be insufficient. If the heating temperature exceeds 1200 ° C., the CNTs may be damaged depending on the CNTs used, and field electron emission may be less likely to occur. The heating temperature may be selected from the temperature range in which the organic resin particles to be used are thermally decomposed or volatilized in the range of 600 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower in the atmosphere where the heating is performed. The heating time is not particularly limited as long as the CNT end portion can be sufficiently exposed from the surface of the CNT-containing film, but it is preferably 1 minute or more. If it is less than 1 minute, the effect of exposing the CNT end by this heating may not be sufficiently obtained. There is no upper limit to the heating time, but it is preferably 10 hours or less from the viewpoint of energy cost.
In the present CNT end exposure treatment, the thermal decomposition of the organic resin particles by heating proceeds from the surface of the CNT-containing ITO film toward the substrate. Due to the nature of the field electron emitting element, when the end of the CNT existing near the surface of the CNT-containing ITO film is exposed, it acts as an emitter. Therefore, the thermal decomposition of the organic resin particles is performed on the entire thickness direction of the CNT-containing ITO film. It does not matter that a part of the organic resin particles remains. The thickness at which the organic resin is removed by thermal decomposition varies depending on the thickness of the CNT-containing ITO film and the content of CNT, but it is preferably at least twice the average particle size of the organic resin particles used. The degree of removal of the organic resin by thermal decomposition does not have to be completely removed, and it is sufficient that the end portion of the CNT is sufficiently exposed from the removed portion.
上述した基板上に電界電子放出膜を形成するプロセスは、（１）ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の形成、および（２）ＣＮＴ端部露出処理の二段階のプロセスであるが、条件を選択すると、一段階のプロセスで行うことも可能である。例えば、有機樹脂粒子として熱分解する温度が低いものを使用すると、（１）のＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の形成を行うと同時に（２）のＣＮＴ端部露出処理を行うことが可能である。また、（１）のＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の形成を行う加熱温度を６００℃以上にすると、熱分解の温度が高い有機樹脂粒子を使用しても、（１）と（２）の反応を同時に生起させることが可能である。その場合、二つの反応が並行して起こるので、健全な電界電子放出膜を得るための適切な条件を選択する必要がある。 The process of forming the field electron emission film on the substrate described above is a two-step process of (1) forming the CNT-containing ITO film and (2) exposing the CNT end, but when the conditions are selected, one step. It is also possible to do it in the process of. For example, when organic resin particles having a low thermal decomposition temperature are used, it is possible to perform the CNT-containing ITO film (1) and the CNT end exposure treatment (2) at the same time. Further, when the heating temperature for forming the CNT-containing ITO film of (1) is set to 600 ° C. or higher, the reactions of (1) and (2) occur at the same time even if the organic resin particles having a high thermal decomposition temperature are used. It is possible to make it. In that case, since the two reactions occur in parallel, it is necessary to select appropriate conditions for obtaining a sound field electron emission film.
［電界電子放出膜］
本発明の電界電子放出膜は、ＩＴＯを主成分とし、ＣＮＴを微量含む膜（ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜）の表面にＣＮＴの端部を露出させた構造を有するものである。
電界電子放出膜中のＩＴＯの含有量としては、５０質量％以上が好ましい。５０質量％未満では、膜の電導度が低くなり、電界電子放出膜の省電力性を損なう恐れがある。ＩＴＯは、電界電子放出膜中に最大９９.９質量％まで含有させることが可能であるが、ＣＮＴの含有量とのバランスから、７０〜９９.５質量％が好ましく、９０〜９９質量％がより好ましい。なお、ＩＴＯはインジウム酸化物中に錫酸化物が固溶したものであり、製造条件によりその組成が変化する。また、出発原料として有機金属を用い、焼成温度が低い場合には有機成分が一部残存する場合もあるが、本発明における電界電子放出膜中のＩＴＯの含有量とは、電界電子放出膜中に含まれるインジウムおよび錫が、それぞれ化学量論組成の酸化物であると仮定して算出した値である。
本発明の電界電子放出膜は、実質的にインジウム酸化物、錫酸化物、原料であるインジウムもしくは錫の有機化合物の部分分解物および原料と樹脂粒子に由来する有機物とＣＮＴとから構成されるが、上記の成分範囲内で、電界電子放出膜の特性に悪影響を与えない金属粒子等の導電性物質を含むことを妨げない。しかし、膜の伝導度を低下させるので、絶縁性の物質を多く含むことは好ましくない。
なお、電界電子放出膜中のインジウムと錫の組成比は、ＩｎおよびＳｎの質量比で示される元素組成比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が０.４〜０.９５であることが好ましい。元素組成比が０.４未満または０.９５を超える場合には、電界電子放出膜の導電性が低下する場合がある。
電界電子放出膜の厚さは、１μｍ〜１ｍｍとすることが好ましい。１μｍ未満の膜厚では、膜厚に対する膜厚のバラツキが大きくなりやすい。また、１ｍｍを超えると、材料コストが嵩むので好ましくない。これらの点を考慮すると、電界電子放出膜の厚さは、１０〜９００μｍとすることが更に好ましく、２０〜８００μｍとすることが一層好ましい。
[Field electron emission film]
The field electron emission film of the present invention has a structure in which the end portion of CNT is exposed on the surface of a film containing ITO as a main component and a small amount of CNT (CNT-containing ITO film).
The content of ITO in the field electron emission film is preferably 50% by mass or more. If it is less than 50% by mass, the conductivity of the film becomes low, which may impair the power saving property of the field electron emission film. ITO can be contained in the field electron emission film up to 99.9% by mass, but from the viewpoint of the balance with the CNT content, 70 to 99.5% by mass is preferable, and 90 to 99% by mass is preferable. More preferred. ITO is a solid solution of tin oxide in indium oxide, and its composition changes depending on the production conditions. Further, when an organic metal is used as a starting material and the firing temperature is low, some organic components may remain, but the content of ITO in the field electron emission film in the present invention is defined in the field electron emission film. These values are calculated on the assumption that indium and tin contained in are oxides having a chemical composition.
The electroelectron emission film of the present invention is substantially composed of indium oxide, tin oxide, a partial decomposition product of an organic compound of indium or tin as a raw material, an organic substance derived from the raw material and resin particles, and CNT. Within the above component range, it does not prevent the inclusion of a conductive substance such as metal particles that does not adversely affect the characteristics of the electric field electron emitting film. However, it is not preferable to contain a large amount of an insulating substance because it lowers the conductivity of the film.
The composition ratio of indium and tin in the field electron emission film is preferably an elemental composition ratio In / (In + Sn) represented by the mass ratio of In and Sn of 0.4 to 0.95. When the element composition ratio is less than 0.4 or more than 0.95, the conductivity of the field electron emission film may decrease.
The thickness of the field electron emission film is preferably 1 μm to 1 mm. If the film thickness is less than 1 μm, the film thickness tends to vary greatly with respect to the film thickness. Further, if it exceeds 1 mm, the material cost increases, which is not preferable. Considering these points, the thickness of the field electron emission film is more preferably 10 to 900 μm, and even more preferably 20 to 800 μm.
［電界電子放出素子（電界電子放出電極）］
本発明の電界電子放出素子（電界電子放出電極）は、基板等の支持体上に本発明の電界電子放出膜が形成されたものである。上述のように、基板はその種類に制限はないが、基板が導電性であれば電気的接続方法の自由度が増大する点で有利であり好ましいといえる。好適な基板の例として、シリコン基板等の半導体基板、グラファイト基板や金属基板等が挙げられる。
[Field electron emission element (field electron emission electrode)]
The field electron emitting element (field electron emitting electrode) of the present invention is a field electron emitting film of the present invention formed on a support such as a substrate. As described above, the type of the substrate is not limited, but it can be said that if the substrate is conductive, it is advantageous and preferable in that the degree of freedom of the electrical connection method is increased. Examples of suitable substrates include semiconductor substrates such as silicon substrates, graphite substrates, metal substrates, and the like.
［発光素子］
本発明の発光素子は、本発明の電界電子放出素子（電界電子放出電極）と、前記電界電子放出素子に対向して配置され、アノード電極および蛍光体が設けられている構造体（アノード）とを含み、前記電界電子放出素子と前記アノードとの間が真空に保持されていることを特徴とするものである。この構成により、省電力性に優れた発光素子を得ることができる。ここで真空とは、発光素子の発光を妨げない程度に減圧された状態を指す。この発光素子は、電界電子放出膜、電界電子放出素子についてＩＶ特性の評価用素子して使用することができる。
アノードは、基板上にアノード電極が形成され、さらにその上に蛍光体が塗布されたものを用いることができる。アノードは、公知の電界電子放出素子を用いた発光素子で用いられているものを用いることができる。一例として、ガラス基板上にアノード電極としてＩＴＯ膜が形成され、その上に蛍光体が塗布されているものを用いることができる。
[Light emitting element]
The light emitting element of the present invention includes a field electron emitting element (field electron emitting electrode) of the present invention and a structure (anode) arranged opposite to the field electron emitting element and provided with an anode electrode and a phosphor. The present invention is characterized in that the space between the field electron emitting element and the anode is held in a vacuum. With this configuration, it is possible to obtain a light emitting element having excellent power saving properties. Here, the vacuum refers to a state in which the pressure is reduced to such an extent that the light emission of the light emitting element is not hindered. This light emitting element can be used as an element for evaluating IV characteristics of a field electron emitting film and a field electron emitting element.
As the anode, an anode electrode having an anode electrode formed on the substrate and a phosphor coated on the anode electrode can be used. As the anode, those used in a light emitting device using a known field electron emitting device can be used. As an example, an ITO film formed on a glass substrate as an anode electrode and a phosphor coated on the ITO film can be used.
［実施例１］
［ＣＮＴ分散液］
酢酸ブチル１８.６３９４ｇに下記を添加し、撹拌混合することにより、ベースとなる有機溶液を得た。
・トリブチルインジウム（Ｃ12Ｈ27Ｉｎ）（Ｉｎとして０.２７９ｇを含む）
・テトラブトキシ錫（Ｃ16Ｈ36Ｏ4Ｓｎ）（Ｓｎとして０.１１０ｇを含む）
得られた溶液に下記を添加し、撹拌混合することにより、ＣＮＴ含有液を得た。
・カーボンナノチューブ（シングルウォール、Ｈａｎｗｈａ Ｎａｎｏｔｅｃｈ社製、ＡＳＰ−１００Ｆ）０.０１５ｇ
・エポスターＭＸ１００Ｗ（日本触媒製、平均粒径１５０ｎｍのポリメタクリル酸メチル系粒子を１０質量％含む水分散体）０.４７ｇ
・エチルセルロース（関東化学製、エチルセルロース１００ｃＰ（エトキシ含有量４８〜４９.５％）３.６ｇ
得られたＣＮＴ含有溶液に、湿式微粒化装置（スギノマシン製、スターバーストラボ）を用いジルコニアビーズ（直径０.５ｍｍ）を６０ＭＰａの圧力で噴霧衝突させながら溶液を微粒化することを１０回繰り返し、ＣＮＴ分散液を得た。
[Example 1]
[CNT dispersion liquid]
The following was added to 18.6394 g of butyl acetate, and the mixture was stirred and mixed to obtain a base organic solution.
-Tributyl indium (C 12 H 27 In) (including 0.279 g as In)
-Tetrabutoxytin (C 16 H 36 O 4 Sn) (including 0.110 g as Sn)
The following was added to the obtained solution, and the mixture was stirred and mixed to obtain a CNT-containing liquid.
-Carbon nanotube (single wall, manufactured by Hanhua Nanotech, ASP-100F) 0.015 g
Eposter MX100W (manufactured by Nippon Shokubai, an aqueous dispersion containing 10% by mass of polymethylmethacrylate particles having an average particle size of 150 nm) 0.47 g
-Ethyl cellulose (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., ethyl cellulose 100 cP (ethoxy content 48-49.5%) 3.6 g
Using a wet atomizing device (manufactured by Sugino Machine Limited, Starburst Lab), zirconia beads (0.5 mm in diameter) were spray-collided with the obtained CNT-containing solution at a pressure of 60 MPa, and the solution was atomized 10 times. , CNT dispersion was obtained.
［ＣＮＴ含有ＩＴＯ膜］
静電塗布装置（アピックヤマダ製）を用い、１５０℃に加熱した導電性シリコンウェハ（シリコン基板）の表面に、前記ＣＮＴ分散液を塗布した。このとき、塗布膜厚は、焼成後の膜厚が４００μｍになるように調整した。引き続き、ＣＮＴ分散液を塗布した基板を、空気中２５０℃の条件下で３０分間加熱し、乾燥した。乾燥後、ＣＮＴ分散液を塗布した基板を、真空中（約１×１０-5Ｐａ）４５０℃の条件下で３０分間焼成して、シリコン基板上にＣＮＴ含有ＩＴＯ膜を生成させた。その後、シリコン基板上に生成したＣＮＴ含有ＩＴＯ膜を真空中（約１×１０-5Ｐａ）８５０℃の条件下で６０分間焼成して、シリコン基板上に形成されたＣＮＴ含有ＩＴＯ膜（シリコン基板上に形成された電界電子放出膜）を得た。
[CNT-containing ITO film]
The CNT dispersion liquid was applied to the surface of a conductive silicon wafer (silicon substrate) heated to 150 ° C. using an electrostatic coating device (manufactured by Apic Yamada). At this time, the coating film thickness was adjusted so that the film thickness after firing was 400 μm. Subsequently, the substrate coated with the CNT dispersion liquid was heated in air at 250 ° C. for 30 minutes and dried. After drying, the substrate coated with the CNT dispersion liquid was fired in vacuum (about 1 × 10 -5 Pa) under the condition of 450 ° C. for 30 minutes to form a CNT-containing ITO film on the silicon substrate. Then, the CNT-containing ITO film formed on the silicon substrate was fired in vacuum (about 1 × 10 -5 Pa) under the condition of 850 ° C. for 60 minutes, and the CNT-containing ITO film (silicon substrate) formed on the silicon substrate was formed. The field electron emission film formed above) was obtained.
このようにして得られたシリコン基板上の電界電子放出膜をカソード電極とした。上記の操作により、カソード電極を３枚作成し、以下の評価を行った。 The field electron emission film on the silicon substrate thus obtained was used as a cathode electrode. Three cathode electrodes were prepared by the above operation, and the following evaluation was performed.
［ＣＮＴ露出状態の評価］
シリコン基板上の電界電子放出膜の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、電界電子放出膜の表面におけるＣＮＴの露出状況を確認した。
[Evaluation of CNT exposure state]
The surface of the field electron emission film on the silicon substrate was observed with a scanning electron microscope (SEM) to confirm the exposure state of CNT on the surface of the field electron emission film.
［カソード電極の評価］
（評価用素子の作成）
基板付きの溝を形成したＣＮＴ含有ＩＴＯ膜を１辺７ｍｍの正方形に切断し、電界電子放出素子（カソード電極）とした。正方形の対向する２辺にガラスファイバー製スペーサー（直径４５０μｍ）をカソード電極上に設置し、固定した。表面にＩＴＯを蒸着し、蛍光体を塗布したガラス板をアノード電極とした。アノード電極をカソード電極と同様の形状に切断した。アノード電極の蛍光体塗布面とカソード電極のＣＮＴ含有ＩＴＯ膜の存在する面が対向するように、アノード電極を前記スペーサーの上に設置・固定して、評価用素子を形成した。
（評価用素子のＩＶ特性の評価）
得られた評価用素子のカソード電極およびアノード電極を電源装置に接続し、１０-4Ｐａの真空容器中に設置し、カソード電極への印加することにより、アノード電極とカソード電極間に印加した電圧と前記カソード電極とアノード電極間に流れる電流値の関係について測定を行った。カソード電極に印加する電圧は、前記カソード電極とアノード電極間に流れる電流を徐々に上昇させた。ここで、電界強度はアノードとカソード電極間に印加した電圧を、アノード電極とカソード電極が対向する距離（４５０μｍ）で除した値とした。また、電流密度は評価用素子を流れる総電流をアノード電極の面積（０.４９ｃｍ2）で除した値とした。
いずれの実施例、比較例とも、ＩＶ特性の評価中、アノード電極の発光が認められた。
上記のカソード電極の作成と評価を２回行い、２回の電流密度の測定値の平均値を求めた。この電流密度の平均値と電界強度関係について、図１に示す。実施例２，３および比較例１における電流密度の平均値と電界強度関係についても、同様に図１に示す。
[Evaluation of cathode electrode]
(Creation of evaluation element)
A CNT-containing ITO film having a groove with a substrate was cut into a square having a side of 7 mm to obtain a field electron emitting element (cathode electrode). Glass fiber spacers (diameter 450 μm) were placed on the cathode electrodes on the two opposite sides of the square and fixed. A glass plate on which ITO was vapor-deposited on the surface and coated with a phosphor was used as an anode electrode. The anode electrode was cut into a shape similar to that of the cathode electrode. The anode electrode was placed and fixed on the spacer so that the phosphor-coated surface of the anode electrode and the surface of the cathode electrode on which the CNT-containing ITO film exists faced each other to form an evaluation element.
(Evaluation of IV characteristics of evaluation element)
The cathode electrode and the cathode electrode of the obtained evaluation element were connected to the power supply device , placed in a vacuum vessel of 10-4 Pa, and applied to the cathode electrode to obtain a voltage applied between the anode electrode and the cathode electrode. And the relationship between the current value flowing between the cathode electrode and the anode electrode was measured. The voltage applied to the cathode electrode gradually increased the current flowing between the cathode electrode and the anode electrode. Here, the electric field strength is a value obtained by dividing the voltage applied between the anode and the cathode electrode by the distance (450 μm) between the anode electrode and the cathode electrode. The current density was defined as the total current flowing through the evaluation element divided by the area of the anode electrode (0.49 cm 2).
In both Examples and Comparative Examples, light emission from the anode electrode was observed during the evaluation of the IV characteristics.
The above-mentioned cathode electrode was prepared and evaluated twice, and the average value of the measured values of the current densities was obtained twice. The relationship between the average value of the current density and the electric field strength is shown in FIG. Similarly, FIG. 1 shows the relationship between the average value of the current densities and the electric field strength in Examples 2 and 3 and Comparative Example 1.
［実施例２］
エポスターＭＸ１００Ｗの添加量を０.４７ｇから０.２２ｇに変更した以外は、実施例１と同様の方法で評価用素子の作成および評価を行った。
[Example 2]
An evaluation element was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the amount of Eposter MX100W added was changed from 0.47 g to 0.22 g.
［実施例３］
エポスターＭＸ１００Ｗの添加量を０.４７ｇから０.１ｇに変更した以外は、実施例１と同様の方法で評価用素子の作成および評価を行った。
[Example 3]
An evaluation element was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the amount of Eposter MX100W added was changed from 0.47 g to 0.1 g.
［比較例１］
エポスターＭＸ１００Ｗを添加しなかった以外は、実施例１と同様の方法で評価用素子の作成および評価を行った。
[Comparative Example 1]
The evaluation element was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that Eposter MX100W was not added.
実施例１〜３、比較例１の電界電子放出膜の表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、いずれの電界電子放出膜の表面にもＣＮＴの端部が露出していることが確認されたが、比較例１の電界電子放出膜は、実施例１〜３の電界電子放出膜と比べて表面から端部が露出するＣＮＴの数はごくわずかであった。実施例１〜３の電界電子放出膜について、表面近傍の状態を確認したところ、表面から深さ１μｍ以上の領域で、有機樹脂粒子が除去されたと思われる部分でＣＮＴ端部が露出していることが確認された。また、実施例１〜３、比較例１の電界電子放出膜の一部を試料とし、その試料の質量を測定した。試料中に含まれるインジウムおよび錫の質量を測定し、インジウムおよび錫について化学量論組成の酸化物であると仮定して算出した質量の和を含有するＩＴＯの質量として、電界電子放出膜中のＩＴＯの比率を確認したところ、いずれの電界電子放出膜についても７０％以上であった。実施例１〜３、比較例１について、評価用素子の評価において印加した電界強度と、カソード電極とアノード電極間に流れる電流の電流密度の関係を示す図１の結果は、実施例の電界電子放出膜は、製造工程において表面に溝を形成する工程が不要であり、比較例の電界電子放出膜と比較して、印加する電界強度が同じ場合には多くの電界電子の放出が起こっており、省電力性に優れることを示している。 When the surfaces of the field electron emitting films of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were observed with a scanning electron microscope, it was confirmed that the ends of the CNTs were exposed on the surfaces of all the field electron emitting films. However, in the field electron emission film of Comparative Example 1, the number of CNTs whose edges were exposed from the surface was very small as compared with the field electron emission films of Examples 1 to 3. When the state near the surface of the field electron emission films of Examples 1 to 3 was confirmed, the CNT end was exposed at a portion where the organic resin particles were considered to have been removed in a region having a depth of 1 μm or more from the surface. It was confirmed that. In addition, a part of the field electron emission films of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 was used as a sample, and the mass of the sample was measured. The masses of indium and tin contained in the sample were measured, and the mass of ITO containing the sum of the masses calculated assuming that indium and tin were oxides having a stoichiometric composition was taken in the electric field electron emission film. When the ratio of ITO was confirmed, it was 70% or more for all the electric field electron emitting films. Regarding Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, the result of FIG. 1 showing the relationship between the electric field strength applied in the evaluation of the evaluation element and the current density of the current flowing between the cathode electrode and the anode electrode is the electric field electron of the example. The emission film does not require a step of forming a groove on the surface in the manufacturing process, and more electric field electrons are emitted when the applied electric field strength is the same as that of the electric field electron emission film of the comparative example. , Shows that it is excellent in power saving.
Claims (12)
前記のカーボンナノチューブ分散液を塗布した基板を３００℃以上６００℃未満で加熱して基板上にカーボンナノチューブ含有膜を形成する工程と、
前記の表面にカーボンナノチューブ含有膜を形成した基板を６００℃以上１２００℃以下で加熱して基板上に電界電子放出膜を形成する工程、
を含む、電界電子放出素子の製造方法。 The step of applying the carbon nanotube dispersion liquid according to claim 1 to the substrate, and
A step of heating the substrate coated with the carbon nanotube dispersion liquid at 300 ° C. or higher and lower than 600 ° C. to form a carbon nanotube-containing film on the substrate.
A step of heating a substrate having a carbon nanotube-containing film formed on the surface at 600 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower to form a field electron emission film on the substrate.
A method for manufacturing a field electron emitting device including.
前記のカーボンナノチューブ分散液を塗布した基板を６００℃以上１２００℃以下で加熱して基板上にカーボンナノチューブ含有膜を形成して基板上に電界電子放出膜を形成する工程、
を含む、電界電子放出素子の製造方法。 The step of applying the carbon nanotube dispersion liquid according to claim 1 to the substrate, and
A step of heating a substrate coated with the carbon nanotube dispersion liquid at 600 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower to form a carbon nanotube-containing film on the substrate and forming a field electron emission film on the substrate.
A method for manufacturing a field electron emitting device including.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2020031292A JP7393246B2 (en) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | Carbon nanotube dispersion liquid, method for manufacturing a field electron emission device using the same, and method for manufacturing a light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021136143A true JP2021136143A (en) | 2021-09-13 |
| JP7393246B2 JP7393246B2 (en) | 2023-12-06 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020031292A Active JP7393246B2 (en) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | Carbon nanotube dispersion liquid, method for manufacturing a field electron emission device using the same, and method for manufacturing a light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7393246B2 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4069532B2 (en) | 1999-01-11 | 2008-04-02 | 松下電器産業株式会社 | Carbon ink, electron-emitting device, method for manufacturing electron-emitting device, and image display device |
| JP2002270379A (en) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd | Electroluminescence |
| JP6130157B2 (en) | 2013-02-06 | 2017-05-17 | 国立大学法人東北大学 | Field electron emission device and method of manufacturing light emitting device using the same |
| JP7029331B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-03-03 | 国立大学法人東北大学 | Field electron emission film, field electron emission element, light emitting element and their manufacturing method |
-
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7393246B2 (en) | 2023-12-06 |
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