JP2021125576A - Wafer processing device - Google Patents

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博文 関口
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Abstract

To provide a wafer processing device which can discharge particles without diffusing the particles.SOLUTION: A wafer processing device 1 includes: a chamber 11 having upper and lower units 21, 22; an upper heater 24 having a heating plate 24a and a cylindrical support part 24b inserted into a hole part 21e; an upper seal part 31 which seals a space between the support part 24b and the hole part 21e; and an annular upper plate member 26 which enables a fluid to move from the lower side to the upper side around the support part 24b. A circumferential groove part 21h is provided along a circumferential direction of the support part 24b at the lower end side of the hole part 21e. An outer periphery side groove part 21k extending from the circumferential groove part 21h in a radial direction is provided on a lower surface of the upper unit 21. The upper plate member 26 is provided so as to close a part of an opening at the lower side of the outer periphery side groove part 21k and an opening at the lower side of the circumferential groove part 21h. An outer periphery side end part of the outer periphery side groove part 21k leads to a discharge port.SELECTED DRAWING: Figure 9

Description

本発明は、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うウェハ処理装置に関する。 The present invention relates to a wafer processing apparatus that performs a predetermined process using a supercritical fluid on a wafer.

近年、ウェハの表面に形成されるパターンの微細化が進んでおり、アスペクト比が高くなってきている。そのため、パターンの洗浄等に用いる有機溶剤などの処理液が表面に残ったまま乾燥させると、処理液の表面張力によってパターンが倒壊するという問題が生じる。その問題を解決するため、基板の表面から処理液を除去する乾燥処理等に超臨界流体を用いることがある。 In recent years, the pattern formed on the surface of a wafer has been miniaturized, and the aspect ratio has been increasing. Therefore, if the treatment liquid such as an organic solvent used for cleaning the pattern is dried while remaining on the surface, there arises a problem that the pattern collapses due to the surface tension of the treatment liquid. In order to solve this problem, a supercritical fluid may be used for a drying treatment or the like to remove the treatment liquid from the surface of the substrate.

超臨界流体を用いた乾燥処理等が行われる際に、チャンバ内で発生したパーティクル等によってウェハに欠陥が生じることがある。そのようにパーティクル等がウェハのほうに流れないようにするため、ウェハのエッジを取り囲む遮断膜を用いた処理装置が知られている（特許文献１参照）。 When a drying process or the like using a supercritical fluid is performed, a defect may occur in the wafer due to particles or the like generated in the chamber. In order to prevent particles and the like from flowing toward the wafer, a processing device using a blocking film surrounding the edge of the wafer is known (see Patent Document 1).

特開２０１８−２０７１０３号公報JP-A-2018-207103

従来の処理装置のように、遮断膜によってウェハのエッジが取り囲まれていても、パーティクル等が遮断膜によって仕切られた領域から排出口まで移動する際に、パーティクル等の一部がウェハのほうに拡散してウェハに付着する可能性がある。 Even if the edge of the wafer is surrounded by a blocking film as in a conventional processing device, when particles or the like move from the area partitioned by the blocking film to the discharge port, some of the particles or the like move toward the wafer. It may diffuse and adhere to the wafer.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、パーティクル等がウェハに付着する可能性をより低減することができるウェハ処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus capable of further reducing the possibility of particles or the like adhering to a wafer.

上記目的を達成するため、本発明によるウェハ処理装置は、上部ユニット、及び上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバを開閉する開閉手段と、収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、加熱プレートの上面に接続され、上部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する上部ヒータと、支持部と孔部との間をシールするための上部シール部と、支持部の周囲において流体が下方から上方に移動可能となるように上部シール部の収容空間側に設けられた、支持部の通る円形状の孔を有する上部プレート部材と、を備え、収容空間に流体を注入するための１以上の注入口、及び収容空間から流体を排出するための１以上の排出口がそれぞれ、上部及び下部ユニットの少なくとも一方に設けられており、加熱プレートの上面と上部ユニットの下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、孔部の下端側の開口には、支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、上部ユニットの下面には、周方向溝部から上部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、上部プレート部材は、外周側溝部の下方側の開口の少なくとも一部、及び周方向溝部の下方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ものである。 In order to achieve the above object, the wafer processing apparatus according to the present invention has an upper unit and a lower unit facing the upper unit to form an accommodation space for accommodating the wafer, and a predetermined one using a supercritical fluid for the wafer. A chamber for processing, an opening and closing means for opening and closing the chamber by moving at least one of the upper and lower units in the vertical direction, a heating plate extending horizontally in the accommodation space, and a heating plate connected to the upper surface of the heating plate. In the upper heater having a cylindrical support portion inserted into the cylindrical hole portion provided in the upper unit, the upper seal portion for sealing between the support portion and the hole portion, and the periphery of the support portion. An upper plate member having a circular hole through which a support portion passes, which is provided on the accommodation space side of the upper seal portion so that the fluid can move from the lower side to the upper portion, is provided to inject the fluid into the accommodation space. One or more inlets and one or more outlets for discharging fluid from the accommodation space are provided on at least one of the upper and lower units, respectively, between the upper surface of the heating plate and the lower surface of the upper unit. Has a gap extending in the horizontal direction through which fluid can flow, and the opening on the lower end side of the hole is provided with a circumferential groove along the circumferential direction around the support portion, and the lower surface of the upper unit is provided with a circumferential groove. Is provided with an outer peripheral groove extending from the circumferential groove toward the outer peripheral side of the upper plate member, and the upper plate member is provided at least a part of the opening on the lower side of the outer peripheral groove and below the circumferential groove. It is provided so as to close all the openings on the side, and the end on the outer peripheral side of the groove on the outer peripheral side is connected to the discharge port.

このような構成により、上部ヒータの支持部と上部ユニットの孔部との接触部分で発生したパーティクル等を、周方向溝部及び外周側溝部を介して排出口に導くことができる。そのため、それらのパーティクル等がウェハのほうに拡散することを防止することができ、ウェハにパーティクル等が付着する可能性をより低減することができるようになる。 With such a configuration, particles or the like generated at the contact portion between the support portion of the upper heater and the hole portion of the upper unit can be guided to the discharge port via the circumferential groove portion and the outer peripheral side groove portion. Therefore, it is possible to prevent the particles and the like from diffusing toward the wafer, and it is possible to further reduce the possibility that the particles and the like adhere to the wafer.

また、本発明によるウェハ処理装置では、外周側溝部の外周側の端部から排出口につながる上部流路が、加熱プレートの上面と上部ユニットの下面との間に配設された平面視がＵ字形状のＵ字部材によって形成され、Ｕ字部材は、開口側が排出口側となり、他端側が外周側溝部の外周側の端部の位置となるように配置されてもよい。 Further, in the wafer processing apparatus according to the present invention, the upper flow path from the outer peripheral end of the outer peripheral groove to the discharge port is arranged between the upper surface of the heating plate and the lower surface of the upper unit. The U-shaped member may be formed by a U-shaped member, and the U-shaped member may be arranged so that the opening side is the discharge port side and the other end side is the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion.

このような構成により、パーティクル等を含む流体がＵ字部材の内部を通過することになり、ウェハのほうに拡散することを防止することができる。 With such a configuration, the fluid containing particles and the like passes through the inside of the U-shaped member, and it is possible to prevent the fluid from diffusing toward the wafer.

また、本発明によるウェハ処理装置では、収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、加熱プレートの下面に接続され、下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、下部ヒータの支持部と下部ユニットの孔部との間をシールするための下部シール部と、下部ヒータの支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように下部シール部の収容空間側に設けられた、下部ヒータの支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、をさらに備え、下部ヒータの加熱プレートの下面と下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、下部ユニットの孔部の上端側の開口には、下部ヒータの支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、下部ユニットの上面には、下部ユニットの周方向溝部から下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、下部プレート部材は、下部ユニットの外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び下部ユニットの周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、下部ユニットの外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっていてもよい。 Further, in the wafer processing apparatus according to the present invention, a heating plate extending in the horizontal direction in the accommodation space and a cylindrical support portion connected to the lower surface of the heating plate and inserted into a cylindrical hole provided in the lower unit. To allow fluid to move from above to below around the lower heater, the lower seal for sealing between the lower heater support and the hole in the lower unit, and the lower heater support. A lower plate member provided on the accommodation space side of the lower seal portion and having a circular hole through which the support portion of the lower heater passes is further provided, and is provided between the lower surface of the heating plate of the lower heater and the upper surface of the lower unit. Has a horizontal gap through which fluid can flow, and the opening on the upper end side of the hole of the lower unit is provided with a circumferential groove along the circumferential direction around the support portion of the lower heater. , The upper surface of the lower unit is provided with an outer peripheral groove extending from the circumferential groove of the lower unit toward the outer peripheral side of the lower plate member, and the lower plate member has an opening on the upper side of the outer peripheral groove of the lower unit. It may be provided so as to close at least a part of the lower unit and all the openings on the upper side of the circumferential groove portion of the lower unit, and the outer peripheral end portion of the outer peripheral side groove portion of the lower unit may be connected to the discharge port.

このような構成により、下部ヒータの支持部と下部ユニットの孔部との接触部分で発生したパーティクル等を、周方向溝部及び外周側溝部を介して排出口に導くことができる。そのため、それらのパーティクル等がウェハのほうに拡散することを防止することができ、ウェハにパーティクル等が付着する可能性をより低減することができるようになる。 With such a configuration, particles or the like generated at the contact portion between the support portion of the lower heater and the hole portion of the lower unit can be guided to the discharge port via the circumferential groove portion and the outer peripheral side groove portion. Therefore, it is possible to prevent the particles and the like from diffusing toward the wafer, and it is possible to further reduce the possibility that the particles and the like adhere to the wafer.

また、本発明によるウェハ処理装置は、上部ユニット、及び上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバを開閉する開閉手段と、収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、加熱プレートの下面に接続され、下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、支持部と孔部との間をシールするための下部シール部と、支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように下部シール部の収容空間側に設けられた、支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、を備え、加熱プレートの下面と下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、孔部の上端側の開口には、支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、下部ユニットの上面には、下部ユニットの周方向溝部から下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、下部プレート部材は、外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ものである。 Further, the wafer processing apparatus according to the present invention has an upper unit and a lower unit facing the upper unit to form an accommodation space for accommodating the wafer, and for performing a predetermined process using a supercritical fluid on the wafer. A chamber, an opening / closing means for opening and closing the chamber by moving at least one of the upper and lower units in the vertical direction, a heating plate extending horizontally in the accommodation space, and a heating plate connected to the lower surface of the heating plate and provided in the lower unit. A lower heater having a cylindrical support portion inserted into the cylindrical hole portion, a lower seal portion for sealing between the support portion and the hole portion, and a fluid flowing from above to below around the support portion. A lower plate member having a circular hole through which a support portion passes, which is provided on the accommodation space side of the lower seal portion so as to be movable, is provided between the lower surface of the heating plate and the upper surface of the lower unit. Has a gap extending in the horizontal direction through which fluid can flow, and the opening on the upper end side of the hole is provided with a circumferential groove along the circumferential direction around the support portion, and is provided on the upper surface of the lower unit. Is provided with an outer peripheral groove extending from the circumferential groove of the lower unit toward the outer peripheral side of the lower plate member, and the lower plate member includes at least a part of the opening on the upper side of the outer peripheral groove and the circumferential groove. It is provided so as to close all the openings on the upper side of the above, and the end on the outer peripheral side of the groove on the outer peripheral side is connected to the discharge port.

このような構成により、下部ヒータの支持部と下部ユニットの孔部との接触部分で発生したパーティクル等を、周方向溝部及び外周側溝部を介して排出口に導くことができる。そのため、それらのパーティクル等がウェハのほうに拡散することを防止することができ、ウェハにパーティクル等が付着する可能性をより低減することができるようになる。 With such a configuration, particles or the like generated at the contact portion between the support portion of the lower heater and the hole portion of the lower unit can be guided to the discharge port via the circumferential groove portion and the outer peripheral side groove portion. Therefore, it is possible to prevent the particles and the like from diffusing toward the wafer, and it is possible to further reduce the possibility that the particles and the like adhere to the wafer.

また、本発明によるウェハ処理装置では、チャンバは、チャンバが閉じられた際に上部及び下部ユニットの間をシールするためのシール部を有しており、下部ユニットには、シール部の下方側に、収容空間の外周に沿って溝部が設けられており、溝部の底部に排出口が設けられていてもよい。 Further, in the wafer processing apparatus according to the present invention, the chamber has a sealing portion for sealing between the upper and lower units when the chamber is closed, and the lower unit has a sealing portion on the lower side of the sealing portion. A groove is provided along the outer periphery of the accommodation space, and a discharge port may be provided at the bottom of the groove.

このような構成により、上部及び下部ユニットの接触部分で発生したパーティクル等を、溝部を介して排出することができるため、そのパーティクル等がウェハに付着する可能性をより低減することができる。 With such a configuration, particles and the like generated in the contact portions of the upper and lower units can be discharged through the groove portion, so that the possibility that the particles and the like adhere to the wafer can be further reduced.

本発明によるウェハ処理装置によれば、チャンバ内で発生するパーティクル等がウェハのほうに拡散することを防止することができ、パーティクル等がウェハに付着する可能性をより低減することができる。 According to the wafer processing apparatus according to the present invention, it is possible to prevent particles and the like generated in the chamber from diffusing toward the wafer, and it is possible to further reduce the possibility of particles and the like adhering to the wafer.

本発明の実施の形態によるウェハ処理装置の構成を示す一部切り欠き斜視図A partially cutaway perspective view showing a configuration of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 同実施の形態によるウェハ処理装置のチャンバの縦断面を示す断面図A cross-sectional view showing a vertical cross section of a chamber of a wafer processing apparatus according to the same embodiment. 同実施の形態によるウェハ処理装置のチャンバの縦断面を示す断面図A cross-sectional view showing a vertical cross section of a chamber of a wafer processing apparatus according to the same embodiment. 同実施の形態における上部ユニットの斜視図Perspective view of the upper unit in the same embodiment 同実施の形態における下部ユニットの平面図Top view of the lower unit in the same embodiment 同実施の形態における上部プレート部材の底面図Bottom view of the upper plate member in the same embodiment 同実施の形態における下部プレート部材の平面図Top view of the lower plate member in the same embodiment 同実施の形態における上部ユニットの底面図Bottom view of the upper unit in the same embodiment 同実施の形態における上部プレート部材が装着された上部ユニットの底面図Bottom view of the upper unit to which the upper plate member in the same embodiment is mounted. 同実施の形態における上部プレート部材及びＵ字部材が装着された上部ユニットの底面図Bottom view of the upper unit to which the upper plate member and the U-shaped member are mounted in the same embodiment. 同実施の形態によるウェハ処理装置のチャンバの縦断面を示す断面図A cross-sectional view showing a vertical cross section of a chamber of a wafer processing apparatus according to the same embodiment. 同実施の形態におけるチャンバの拡大断面図Enlarged sectional view of the chamber in the same embodiment 同実施の形態におけるチャンバの上部プレート部材の箇所の拡大断面図Enlarged sectional view of a portion of the upper plate member of the chamber in the same embodiment. 同実施の形態におけるチャンバの下部プレート部材の箇所の拡大断面図Enlarged sectional view of a portion of the lower plate member of the chamber in the same embodiment. 同実施の形態におけるチャンバの拡大断面図Enlarged sectional view of the chamber in the same embodiment

以下、本発明によるウェハ処理装置について、実施の形態を用いて説明する。なお、以下の実施の形態において、同じ符号を付した構成要素は同一または相当するものであり、再度の説明を省略することがある。本実施の形態によるウェハ処理装置は、ヒータの支持部と、その支持部が挿入される孔部との接触部分で発生するパーティクル等を、排出口に導く流路が形成されたものである。 Hereinafter, the wafer processing apparatus according to the present invention will be described with reference to embodiments. In the following embodiments, the components with the same reference numerals are the same or correspond to each other, and the description thereof may be omitted again. In the wafer processing apparatus according to the present embodiment, a flow path is formed to guide particles and the like generated at the contact portion between the support portion of the heater and the hole into which the support portion is inserted to the discharge port.

図１は、本実施の形態によるウェハ処理装置１の構成を示す一部切り欠き斜視図である。図２、図３は、ウェハ処理装置１のチャンバ１１の縦断面を示す断面図である。図２は、チャンバ１１が開いた状態を示しており、図３は、チャンバ１１が閉じた状態を示している。図４は、上部ユニット２１を下面側から見た斜視図である。図５は、下部ユニット２２の平面図である。図６Ａは、上部ユニット２１に装着された状態の上部プレート部材２６の底面図である。図６Ｂは、下部ユニット２２に装着された状態の下部プレート部材２７の平面図である。図７Ａ〜図７Ｃは、上部ユニット２２の底面図である。図７Ａは、上部ユニット２１のみを示しており、図７Ｂは、上部プレート部材２６が装着された状態を示しており、図７Ｃは、上部プレート部材２６及びＵ字部材２８が装着された状態を示している。図８は、図５のＡ−Ａ線におけるチャンバ１１の縦断面図である。図９は、図５のＡ−Ａ線の位置でのチャンバ１１の縦断面図における中心付近（図８の破線で囲われた領域）の拡大断面図である。図１０は、図９で示される縦断面図における上部プレート部材２６付近（図９の左上側の破線で囲われた領域）の拡大断面図である。図１１は、図９で示される縦断面図における下部プレート部材２７付近（図９の右下側の破線で囲われた領域）の拡大断面図である。図１２は、図５のＢ−Ｂ線の位置でのチャンバ１１の縦断面図における収容空間２２ｃの排出口２２４ｄ付近の拡大断面図である。 FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the configuration of the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment. 2 and 3 are cross-sectional views showing a vertical cross section of the chamber 11 of the wafer processing apparatus 1. FIG. 2 shows the state in which the chamber 11 is open, and FIG. 3 shows the state in which the chamber 11 is closed. FIG. 4 is a perspective view of the upper unit 21 as viewed from the lower surface side. FIG. 5 is a plan view of the lower unit 22. FIG. 6A is a bottom view of the upper plate member 26 mounted on the upper unit 21. FIG. 6B is a plan view of the lower plate member 27 mounted on the lower unit 22. 7A to 7C are bottom views of the upper unit 22. FIG. 7A shows only the upper unit 21, FIG. 7B shows a state in which the upper plate member 26 is mounted, and FIG. 7C shows a state in which the upper plate member 26 and the U-shaped member 28 are mounted. Shown. FIG. 8 is a vertical cross-sectional view of the chamber 11 in line AA of FIG. FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the center (the region surrounded by the broken line in FIG. 8) in the vertical cross-sectional view of the chamber 11 at the position of the line AA in FIG. FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the upper plate member 26 (the region surrounded by the broken line on the upper left side of FIG. 9) in the vertical cross-sectional view shown in FIG. FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the lower plate member 27 (the region surrounded by the broken line on the lower right side of FIG. 9) in the vertical cross-sectional view shown in FIG. FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the discharge port 224d of the accommodation space 22c in the vertical cross-sectional view of the chamber 11 at the position of the line BB in FIG.

本実施の形態によるウェハ処理装置１は、上部ユニット２１及び下部ユニット２２を有するチャンバ１１と、チャンバ１１の上部ユニット２１及び下部ユニット２２を開閉するための開閉手段１２と、上部ユニット２１に取り付けられる上部ヒータ２４と、下部ユニット２２に取り付けられる下部ヒータ２５と、上部ユニット２１に設けられる上部プレート部材２６と、下部ユニット２２に設けられる下部プレート部材２７と、上部ヒータ２４と上部ユニット２１との間をシールするための上部シール部３１と、下部ヒータ２５と下部ユニット２２との間をシールするための下部シール部３２と、を備える。 The wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment is attached to the chamber 11 having the upper unit 21 and the lower unit 22, the opening / closing means 12 for opening / closing the upper unit 21 and the lower unit 22 of the chamber 11, and the upper unit 21. Between the upper heater 24, the lower heater 25 attached to the lower unit 22, the upper plate member 26 provided on the upper unit 21, the lower plate member 27 provided on the lower unit 22, and the upper heater 24 and the upper unit 21. It is provided with an upper seal portion 31 for sealing the lower heater 25 and a lower seal portion 32 for sealing between the lower heater 25 and the lower unit 22.

チャンバ１１では、ウェハ２に超臨界流体を用いた所定の処理が行われる。本実施の形態では、その所定の処理が超臨界流体を用いたウェハ２の乾燥処理である場合について主に説明するが、その他の処理、例えば、超臨界流体を用いた洗浄処理や洗浄乾燥処理がウェハ２に行われてもよい。ウェハ２の乾燥処理は、例えば、ウェハ２の表面に残留した有機溶剤などの処理液を、超臨界流体に置換することによって除去し、その超臨界流体を乾燥させることによって行われる。本実施の形態では、処理に用いられる流体が二酸化炭素である場合、すなわち二酸化炭素の超臨界流体が用いられる場合について主に説明するが、他の超臨界流体が用いられてもよい。 In the chamber 11, a predetermined process using a supercritical fluid is performed on the wafer 2. In the present embodiment, the case where the predetermined treatment is the drying treatment of the wafer 2 using the supercritical fluid will be mainly described, but other treatments, for example, the washing treatment using the supercritical fluid and the washing and drying treatment May be performed on the wafer 2. The drying treatment of the wafer 2 is performed, for example, by removing the treatment liquid such as an organic solvent remaining on the surface of the wafer 2 by replacing it with a supercritical fluid, and drying the supercritical fluid. In the present embodiment, the case where the fluid used for the treatment is carbon dioxide, that is, the case where the supercritical fluid of carbon dioxide is used will be mainly described, but other supercritical fluids may be used.

上部ユニット２１の下面側には、水平方向に搬入されるウェハ２を支持する支持手段２１ａが設けられている。したがって、ウェハ２が搬入されると、図２で示されるように、上部ユニット２１の下方側にウェハ２が位置することになる。支持手段２１ａは、例えば、図２、図４で示されるように、断面が略Ｌ字形状であり、水平方向に延びる先端部分において、搬入されたウェハ２の周縁部を支持するものであってもよい。本実施の形態では、図４、図５で示されるように、上部ユニット２１に３個の支持手段２１ａが設けられている場合について主に説明するが、そうでなくてもよい。支持手段２１ａの個数は、例えば、１個や２個であってもよく、４個以上であってもよい。また、ウェハ２を適切に支持できるのであれば、支持手段２１ａの形状も問わない。 Supporting means 21a for supporting the wafer 2 carried in the horizontal direction is provided on the lower surface side of the upper unit 21. Therefore, when the wafer 2 is carried in, the wafer 2 is located on the lower side of the upper unit 21 as shown in FIG. As shown in FIGS. 2 and 4, for example, the supporting means 21a has a substantially L-shaped cross section, and supports the peripheral edge portion of the carried-in wafer 2 at the tip portion extending in the horizontal direction. May be good. In the present embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the case where the upper unit 21 is provided with the three supporting means 21a will be mainly described, but it may not be the case. The number of support means 21a may be, for example, one or two, or four or more. Further, the shape of the supporting means 21a does not matter as long as the wafer 2 can be appropriately supported.

下部ユニット２２は、上部ユニット２１と対向するものである。上部ユニット２１及び下部ユニット２２によって、ウェハ２を収容する収容空間２２ｃが構成される。収容空間２２ｃは、通常、略円柱形状の空間である。収容空間２２ｃの容積が大きい場合には、流体を超臨界状態にするための昇圧の時間が長くなるため、収容空間２２ｃの容積は、小さいことが好適である。なお、本実施の形態では、収容空間２２ｃが下部ユニット２２側に形成されている場合について主に説明するが、そうでなくてもよい。収容空間２２ｃは、上部ユニット２１及び下部ユニット２２のそれぞれによって形成されていてもよく、上部ユニット２１側に形成されていてもよい。また、下部ユニット２２には、図８等で示されるように、流体の注入路と排出路２２２とが設けられていてもよい。流体の注入路や排出路２２２は、可動側のユニットではなく、固定側のユニットに設けられることが好適である。 The lower unit 22 faces the upper unit 21. The upper unit 21 and the lower unit 22 form a storage space 22c for accommodating the wafer 2. The accommodation space 22c is usually a space having a substantially cylindrical shape. When the volume of the accommodating space 22c is large, the time for pressurizing the fluid to bring it into a supercritical state becomes long. Therefore, it is preferable that the volume of the accommodating space 22c is small. In the present embodiment, the case where the accommodation space 22c is formed on the lower unit 22 side will be mainly described, but it may not be the case. The accommodation space 22c may be formed by each of the upper unit 21 and the lower unit 22, or may be formed on the upper unit 21 side. Further, the lower unit 22 may be provided with a fluid injection path and a fluid discharge path 222, as shown in FIG. 8 and the like. It is preferable that the fluid injection path and the discharge path 222 are provided not in the movable side unit but in the fixed side unit.

下部ユニット２２の上面側（すなわち、収容空間２２ｃの底面側）には、ウェハ２を支持する支持手段２２ａが設けられている。本実施の形態では、上部ユニット２１の支持手段２１ａによってウェハ２が支持された状態で上部ユニット２１及び下部ユニット２２が閉じられた際には、ウェハ２は、上部ユニット２１の支持手段２１ａで支持されなくなり、下部ユニット２２の支持手段２２ａで支持されるようになる場合について主に説明する。すなわち、チャンバ１１が閉じられた際には、支持手段２２ａにおけるウェハ２の載置面が、支持手段２１ａにおけるウェハの載置面よりも上方側に位置しているものとする。一方、収容空間２２ｃに収容されたウェハ２は、上部ユニット２１に設けられた支持手段２１ａによって支持されてもよい。いずれの場合であっても、収容空間２２ｃにおいては、下部ユニット２２側の支持手段２２ａ、及び上部ユニット２１側の支持手段２１ａの一方によってのみウェハ２が支持されていることが好適である。 A support means 22a for supporting the wafer 2 is provided on the upper surface side of the lower unit 22 (that is, the bottom surface side of the accommodation space 22c). In the present embodiment, when the upper unit 21 and the lower unit 22 are closed while the wafer 2 is supported by the supporting means 21a of the upper unit 21, the wafer 2 is supported by the supporting means 21a of the upper unit 21. The case where the lower unit 22 is not supported and is supported by the support means 22a of the lower unit 22 will be mainly described. That is, when the chamber 11 is closed, it is assumed that the mounting surface of the wafer 2 on the supporting means 22a is located above the mounting surface of the wafer on the supporting means 21a. On the other hand, the wafer 2 accommodated in the accommodating space 22c may be supported by the supporting means 21a provided in the upper unit 21. In any case, in the accommodation space 22c, it is preferable that the wafer 2 is supported only by one of the support means 22a on the lower unit 22 side and the support means 21a on the upper unit 21 side.

支持手段２２ａは、略円柱形状の収容空間２２ｃの外周側から軸心に向かって下方に傾斜するテーパ面と、テーパ面の下端側に繋がる水平方向の面である載置面とを少なくとも有する。複数の支持手段２２ａの各テーパ面によってウェハ２の位置決めがなされ、収容空間２２ｃにおけるあらかじめ決められた位置（例えば、平面視における収容空間２２ｃの中心位置）のウェハ２が、載置面で支持されるようになる。本実施の形態では、図５で示されるように、下部ユニット２２に３個の支持手段２２ａが設けられている場合について主に説明するが、そうでなくてもよい。支持手段２２ａの個数は、例えば、１個や２個であってもよく、４個以上であってもよい。また、ウェハ２を適切に支持できるのであれば、支持手段２２ａの形状も問わない。 The supporting means 22a has at least a tapered surface that is inclined downward from the outer peripheral side of the substantially cylindrical accommodation space 22c toward the axial center, and a mounting surface that is a horizontal surface connected to the lower end side of the tapered surface. The wafer 2 is positioned by each tapered surface of the plurality of supporting means 22a, and the wafer 2 at a predetermined position in the accommodation space 22c (for example, the center position of the accommodation space 22c in a plan view) is supported by the mounting surface. Become so. In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the case where the lower unit 22 is provided with the three supporting means 22a will be mainly described, but it may not be the case. The number of support means 22a may be, for example, one or two, or four or more. Further, the shape of the supporting means 22a does not matter as long as the wafer 2 can be appropriately supported.

収容空間２２ｃに流体を注入するための１以上の注入口と、収容空間２２ｃから流体を排出するための１以上の排出口がそれぞれ、上部ユニット２１及び下部ユニット２２の少なくとも一方に設けられている。すなわち、１以上の注入口が上部ユニット２１及び下部ユニット２２の少なくとも一方に設けられており、１以上の排出口が上部ユニット２１及び下部ユニット２２の少なくとも一方に設けられているものとする。本実施の形態では、図５で示されるように、平面視において円形状である収容空間２２ｃの一端側（図中右側）に、流体の注入口２２３ａ、２２３ｂが設けられており、他端側（図中左側）に、流体の排出口２２４ｄ、２２４ｅ、２２４ｆが設けられており、注入口２２３ａ、２２３ｂの間、及び収容空間２２ｃの中心付近に、流体の排出口２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ、２２４ｇ、２２４ｈが設けられている場合について主に説明する。なお、注入口２２３ａ、２２３ｂを特に区別しない場合には、単に注入口２２３と呼ぶこともある。排出口２２４ａ〜２２４ｈについても同様である。図５で示されるように、平面視における収容空間２２ｃの一端側に注入口２２３ａ、２２３ｂが設けられており、他端側に排出口２２４ｄ、２２４ｅ、２２４ｆが設けられていることによって、全体として、一端側から他端側に流体が流れることになり、ウェハ２上に流体が滞留したり、ウェハ２上から流れ出た流体が再度、ウェハ２上に戻ったりすることを回避することができる。なお、図５で示されるように、全体として収容空間２２ｃの一端側から他端側に流体が流れるのであれば、それら以外の排出口２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ、２２４ｇ、２２４ｈが設けられてもよい。また、その他の注入口２２３が設けられてもよい。 One or more inlets for injecting fluid into the accommodation space 22c and one or more outlets for discharging fluid from the accommodation space 22c are provided in at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22, respectively. .. That is, it is assumed that one or more injection ports are provided in at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22, and one or more discharge ports are provided in at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22. In the present embodiment, as shown in FIG. 5, fluid injection ports 223a and 223b are provided on one end side (right side in the drawing) of the accommodation space 22c which is circular in a plan view, and the other end side. (Left side in the figure), fluid discharge ports 224d, 224e, and 224f are provided, and between the injection ports 223a and 223b and near the center of the accommodation space 22c, the fluid discharge ports 224a, 224b, 224c, and 224g. The case where 224h is provided will be mainly described. When the injection ports 223a and 223b are not particularly distinguished, they may be simply referred to as injection ports 223. The same applies to the discharge ports 224a to 224h. As shown in FIG. 5, the injection ports 223a and 223b are provided on one end side of the accommodation space 22c in a plan view, and the discharge ports 224d, 224e, and 224f are provided on the other end side. Since the fluid flows from one end side to the other end side, it is possible to prevent the fluid from staying on the wafer 2 and the fluid flowing out from the wafer 2 returning to the wafer 2 again. As shown in FIG. 5, if the fluid flows from one end side to the other end side of the accommodation space 22c as a whole, other discharge ports 224a, 224b, 224c, 224g, and 224h may be provided. .. Further, another injection port 223 may be provided.

また、注入口２２３及び排出口２２４の配置は、図５で示される配置以外であってもよい。本実施の形態では、注入口２２３及び排出口２２４の両方が、下部ユニット２２に設けられる場合について主に説明するが、注入口２２３は、上部ユニット２１に設けられてもよい。なお、排出口２２４は、通常、下部ユニット２２に設けられることが好適であるが、上部ユニット２１に設けられてもよい。 Further, the arrangement of the injection port 223 and the discharge port 224 may be other than the arrangement shown in FIG. In the present embodiment, the case where both the injection port 223 and the discharge port 224 are provided in the lower unit 22 will be mainly described, but the injection port 223 may be provided in the upper unit 21. The discharge port 224 is usually preferably provided in the lower unit 22, but may be provided in the upper unit 21.

また、上部ユニット２１の下面（すなわち、収容空間２２ｃの上面）には、上下方向に延びる円筒形状の孔部２１ｅが設けられている。孔部２１ｅは、上部ヒータ２４を装着するために用いられる。孔部２１ｅは、上方の空間２１ｆにつながっていてもよい。また、空間２１ｆも軸方向が上下方向である円筒形状であってもよい。 Further, a cylindrical hole portion 21e extending in the vertical direction is provided on the lower surface of the upper unit 21 (that is, the upper surface of the accommodation space 22c). The hole 21e is used for mounting the upper heater 24. The hole 21e may be connected to the space 21f above. Further, the space 21f may also have a cylindrical shape whose axial direction is the vertical direction.

また、下部ユニット２２の上面（すなわち、収容空間２２ｃの下面）には、上下方向に延びる円筒形状の孔部２２ｅが設けられている。孔部２２ｅは、下部ヒータ２５を装着するために用いられる。孔部２２ｅは、下方の空間２２ｆにつながっていてもよい。また、空間２２ｆも軸方向が上下方向である円筒形状であってもよい。 Further, a cylindrical hole portion 22e extending in the vertical direction is provided on the upper surface of the lower unit 22 (that is, the lower surface of the accommodation space 22c). The hole 22e is used to mount the lower heater 25. The hole 22e may be connected to the space 22f below. Further, the space 22f may also have a cylindrical shape whose axial direction is the vertical direction.

上部ユニット２１及び下部ユニット２２は、耐圧性のある材料によって構成されていることが好適である。その材料は、例えば、ステンレス鋼等であってもよい。また、その表面には、例えば、パーティクルの発生を防止するための不動態皮膜を形成する処理や、硬質化のためのＤＬＣ処理がなされてもよい。 The upper unit 21 and the lower unit 22 are preferably made of a pressure-resistant material. The material may be, for example, stainless steel. Further, the surface thereof may be subjected to, for example, a treatment for forming a passivation film for preventing the generation of particles or a DLC treatment for hardening.

チャンバ１１は、チャンバ１１が閉じられた際に上部ユニット２１及び下部ユニット２２の間をシールするためのシール部２３を有していてもよい。シール部２３は、円環状の部材であり、下部ユニット２２における収容空間２２ｃの開口の環状の縁部分、または、その縁部分に対向する上部ユニット２１の部分に配置されてもよい。シール部２３は、例えば、図２、図３で示されるように、上部ユニット２１の下端側に装着されてもよい。シール部２３は、図１２で示されるように、断面が略Ｕ字形状のものであってもよい。その場合には、チャンバ１１が閉じている状態において、収容空間２２ｃの流体がシール部２３を介して外部に流出しようとする際に、略Ｕ字形状の内側部分の圧力が高まってシール性がより向上し、収容空間２２ｃの流体の流出を効果的に防止することができる。また、図１２で示されるように、シール部２３は、例えば、シール押え２３ａによって押えられることによって、その位置が保持されてもよい。シール部２３は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂、またはシリコンなどの材料によって構成されてもよい。 The chamber 11 may have a sealing portion 23 for sealing between the upper unit 21 and the lower unit 22 when the chamber 11 is closed. The seal portion 23 is an annular member, and may be arranged at the annular edge portion of the opening of the accommodation space 22c in the lower unit 22 or the portion of the upper unit 21 facing the edge portion. The seal portion 23 may be mounted on the lower end side of the upper unit 21, for example, as shown in FIGS. 2 and 3. As shown in FIG. 12, the seal portion 23 may have a substantially U-shaped cross section. In that case, when the fluid in the accommodation space 22c tries to flow out through the seal portion 23 in the state where the chamber 11 is closed, the pressure in the substantially U-shaped inner portion increases and the sealability is improved. It can be further improved and the outflow of the fluid in the accommodation space 22c can be effectively prevented. Further, as shown in FIG. 12, the position of the seal portion 23 may be held by being pressed by, for example, the seal retainer 23a. The seal portion 23 may be made of, for example, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene or a material such as silicon.

開閉手段１２は、上部ユニット２１及び下部ユニット２２の少なくとも一方を上下方向に移動させることによってチャンバ１１を開閉する。上部ユニット２１及び下部ユニット２２が開閉手段１２によって閉じられ、両者が嵌め合わされて一体化されることによって、ウェハ２に対して処理を行うための収容空間２２ｃが形成される。また、シール部２３、上部シール部３１、下部シール部３２が存在することによって、収容空間２２ｃの気密性が高められる。本実施の形態では、開閉手段１２が、ベース１５に固定されたエアシリンダであり、ベース１５に対して、矩形状の上面板１６の四隅をそれぞれ同じタイミングで上下方向に移動させることによって、上部ユニット２１を上下方向に移動させる場合について主に説明する。なお、図１では、一部の開閉手段１２を省略している。 The opening / closing means 12 opens / closes the chamber 11 by moving at least one of the upper unit 21 and the lower unit 22 in the vertical direction. The upper unit 21 and the lower unit 22 are closed by the opening / closing means 12, and both are fitted and integrated to form a storage space 22c for processing the wafer 2. Further, the presence of the seal portion 23, the upper seal portion 31, and the lower seal portion 32 enhances the airtightness of the accommodation space 22c. In the present embodiment, the opening / closing means 12 is an air cylinder fixed to the base 15, and the four corners of the rectangular upper plate 16 are moved in the vertical direction at the same timing with respect to the base 15, so that the upper part thereof is moved. A case where the unit 21 is moved in the vertical direction will be mainly described. In FIG. 1, some opening / closing means 12 are omitted.

開閉手段１２は、エアシリンダ以外のソレノイド、ラックアンドピニオンとピニオンを駆動させる回転駆動手段、または、ボールねじとねじ軸を回転させる回転駆動手段等によって構成されてもよい。また、上面板１６の四隅のうち、１個から３個の隅に開閉手段１２が設けられており、それ以外の箇所には上面板１６の頂点部分を上下方向にガイドするためのガイド部材が設けられていてもよい。なお、本実施の形態では、開閉手段１２が、上部ユニット２１を上下方向に移動させる場合について説明するが、そうでなくてもよい。開閉手段１２は、下部ユニット２２を上下方向に移動させてもよく、上部ユニット２１及び下部ユニット２２の両方をそれぞれ上下方向の逆向きに移動させてもよい。 The opening / closing means 12 may be configured by a solenoid other than the air cylinder, a rotary drive means for driving the rack and pinion and the pinion, a rotary drive means for rotating the ball screw and the screw shaft, and the like. Further, opening / closing means 12 are provided at one to three corners of the four corners of the upper surface plate 16, and guide members for guiding the apex portion of the upper surface plate 16 in the vertical direction are provided at other portions. It may be provided. In the present embodiment, the case where the opening / closing means 12 moves the upper unit 21 in the vertical direction will be described, but this may not be the case. The opening / closing means 12 may move the lower unit 22 in the vertical direction, or may move both the upper unit 21 and the lower unit 22 in the opposite directions in the vertical direction.

ウェハ処理装置１は、チャンバ１１が閉じた状態、すなわち上部ユニット２１及び下部ユニット２２が上下方向に嵌め合わされて、内部の空間２２ｃが気密に保たれている状態において、チャンバ１１の周縁部を締め付けるクランプ４１を有していてもよい。クランプ４１は、ステージ４２の上面に固定されている。ベース１５には、スライドレール４３が固定されており、そのスライドレール４３にはスライドガイド４４が摺動可能に設けられている。そして、ステージ４２にスライドガイド４４が固定されていることによって、スライドレール４３の長手方向にクランプ４１が移動可能となっている。クランプ４１の移動、すなわちステージ４２の移動は、図示しない駆動手段を用いて実現されてもよい。その駆動手段は、例えば、エアシリンダやソレノイド、ラックアンドピニオンとピニオンを駆動させる回転駆動手段、ボールねじとねじ軸を回転させる回転駆動手段等であってもよい。クランプ４１は、駆動手段によって、チャンバ１１のロック位置と、リリース位置との間を移動することになる。本実施の形態では、図１で示されるように、３個のクランプ４１によってチャンバ１１の上部ユニット２１と下部ユニット２２とがロックされる場合について主に説明するが、クランプ４１の個数は、例えば、２個であってもよく、４個以上であってもよい。複数のクランプ４１のロック位置とリリース位置との間の移動は、独立して行われてもよく、連動して行われてもよい。 The wafer processing device 1 tightens the peripheral edge of the chamber 11 in a state where the chamber 11 is closed, that is, the upper unit 21 and the lower unit 22 are fitted in the vertical direction and the internal space 22c is kept airtight. It may have a clamp 41. The clamp 41 is fixed to the upper surface of the stage 42. A slide rail 43 is fixed to the base 15, and a slide guide 44 is slidably provided on the slide rail 43. Since the slide guide 44 is fixed to the stage 42, the clamp 41 can move in the longitudinal direction of the slide rail 43. The movement of the clamp 41, that is, the movement of the stage 42 may be realized by using a driving means (not shown). The drive means may be, for example, an air cylinder, a solenoid, a rotary drive means for driving a rack and pinion and a pinion, a rotary drive means for rotating a ball screw and a screw shaft, or the like. The clamp 41 moves between the lock position and the release position of the chamber 11 by the driving means. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, a case where the upper unit 21 and the lower unit 22 of the chamber 11 are locked by the three clamps 41 will be mainly described, but the number of clamps 41 is, for example, It may be two, or four or more. The movement of the plurality of clamps 41 between the lock position and the release position may be performed independently or in conjunction with each other.

上部ヒータ２４は、収容空間２２ｃにおいて水平方向に延びる加熱プレート２４ａと、加熱プレート２４ａの上面に接続される円筒形状の支持部２４ｂとを有する。加熱プレート２４ａは、例えば、円盤形状であってもよい。また、支持部２４ｂの一端は、加熱プレート２４ａの平面と、支持部２４ｂの円筒形状の中心軸とが直交するように、円盤形状である加熱プレート２４ａの中心付近に固定されていてもよい。加熱プレート２４ａと支持部２４ｂとは、例えば、一体的に構成されていてもよく、独立した部材であってもよい。上部ヒータ２４の支持部２４ｂが、上部ユニット２１に設けられた円筒形状の孔部２１ｅに挿入されることによって、上部ヒータ２４が上部ユニット２１に装着される。なお、支持部２４ｂは、全体が円筒形状であってもよく、または、少なくとも一部が円筒形状であってもよい。本実施の形態では、図９で示されるように、支持部２４ｂが、半径の異なる複数の円筒形状によって構成される場合について主に説明する。後述する支持部２５ｂについても同様であるとする。 The upper heater 24 has a heating plate 24a extending in the horizontal direction in the accommodation space 22c, and a cylindrical support portion 24b connected to the upper surface of the heating plate 24a. The heating plate 24a may have a disk shape, for example. Further, one end of the support portion 24b may be fixed near the center of the disk-shaped heating plate 24a so that the plane surface of the heating plate 24a and the cylindrical central axis of the support portion 24b are orthogonal to each other. The heating plate 24a and the support portion 24b may be integrally formed or may be independent members, for example. The upper heater 24 is attached to the upper unit 21 by inserting the support portion 24b of the upper heater 24 into the cylindrical hole portion 21e provided in the upper unit 21. The support portion 24b may have a cylindrical shape as a whole, or at least a part of the support portion 24b may have a cylindrical shape. In the present embodiment, as shown in FIG. 9, a case where the support portion 24b is formed of a plurality of cylindrical shapes having different radii will be mainly described. The same applies to the support portion 25b described later.

図９で示されるように、上部ヒータ２４の加熱プレート２４ａの上面と、上部ユニット２１の下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間２１ｎが存在している。すなわち、加熱プレート２４ａの上面と、上部ユニット２１の下面との間に上下方向の所定の間隔が空くように、上部ユニット２１に上部ヒータ２４が取り付けられている。 As shown in FIG. 9, there is a horizontally extending gap 21n through which fluid can flow between the upper surface of the heating plate 24a of the upper heater 24 and the lower surface of the upper unit 21. That is, the upper heater 24 is attached to the upper unit 21 so that a predetermined distance in the vertical direction is provided between the upper surface of the heating plate 24a and the lower surface of the upper unit 21.

下部ヒータ２５は、収容空間２２ｃにおいて水平方向に延びる加熱プレート２５ａと、加熱プレート２５ａの下面に接続される円筒形状の支持部２５ｂとを有する。下部ヒータ２５は、上下が逆となる以外は、上部ヒータ２４と同様のものであり、その詳細な説明を省略する。下部ヒータ２５の支持部２５ｂが、下部ユニット２２に設けられた円筒形状の孔部２２ｅに挿入されることによって、下部ヒータ２５が下部ユニット２２に装着される。 The lower heater 25 has a heating plate 25a extending in the horizontal direction in the accommodation space 22c, and a cylindrical support portion 25b connected to the lower surface of the heating plate 25a. The lower heater 25 is the same as the upper heater 24 except that the lower heater 25 is turned upside down, and detailed description thereof will be omitted. The lower heater 25 is attached to the lower unit 22 by inserting the support portion 25b of the lower heater 25 into the cylindrical hole portion 22e provided in the lower unit 22.

図９で示されるように、下部ヒータ２５の加熱プレート２５ａの下面と、下部ユニット２２の上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間２２ｎが存在している。すなわち、加熱プレート２５ａの下面と、下部ユニット２２の上面との間に上下方向の所定の間隔が空くように、下部ユニット２２に下部ヒータ２５が取り付けられている。 As shown in FIG. 9, there is a horizontally extending gap 22n through which fluid can flow between the lower surface of the heating plate 25a of the lower heater 25 and the upper surface of the lower unit 22. That is, the lower heater 25 is attached to the lower unit 22 so that a predetermined distance in the vertical direction is provided between the lower surface of the heating plate 25a and the upper surface of the lower unit 22.

上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５は、収容空間２２ｃ内の流体を加熱するために用いられる。収容空間２２ｃにおいて、流体を超臨界状態にするためである。流体が二酸化炭素である場合には、例えば、上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５によって二酸化炭素が３１．１℃以上となるように加熱されてもよい。なお、上部ユニット２１及び下部ユニット２２に設けられた空間２１ｆ、２２ｆは、それぞれ上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５への電力供給用の配線の通る空間である。 The upper heater 24 and the lower heater 25 are used to heat the fluid in the accommodation space 22c. This is to bring the fluid into a supercritical state in the accommodation space 22c. When the fluid is carbon dioxide, for example, the upper heater 24 and the lower heater 25 may heat the carbon dioxide to 31.1 ° C. or higher. The spaces 21f and 22f provided in the upper unit 21 and the lower unit 22 are spaces through which wiring for supplying electric power to the upper heater 24 and the lower heater 25 passes, respectively.

上部シール部３１は、上部ヒータ２４の支持部２４ｂと、上部ユニット２１の孔部２１ｅとの間をシールする。上部シール部３１は、支持部２４ｂと孔部２１ｅとの間から流体が漏れることを防止し、収容空間２２ｃを気密に保つために用いられる。上部シール部３１は、シール部２３と同様のものであってもよい。 The upper seal portion 31 seals between the support portion 24b of the upper heater 24 and the hole portion 21e of the upper unit 21. The upper seal portion 31 is used to prevent fluid from leaking from between the support portion 24b and the hole portion 21e, and to keep the accommodation space 22c airtight. The upper seal portion 31 may be the same as the seal portion 23.

下部シール部３２は、下部ヒータ２５の支持部２５ｂと、下部ユニット２２の孔部２２ｅとの間をシールする。下部シール部３２は、支持部２５ｂと孔部２２ｅとの間から流体が漏れることを防止し、収容空間２２ｃを気密に保つために用いられる。下部シール部３２は、シール部２３と同様のものであってもよい。 The lower seal portion 32 seals between the support portion 25b of the lower heater 25 and the hole portion 22e of the lower unit 22. The lower seal portion 32 is used to prevent fluid from leaking from between the support portion 25b and the hole portion 22e, and to keep the accommodation space 22c airtight. The lower seal portion 32 may be the same as the seal portion 23.

上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５は、例えば、メンテナンスなどのために取り外されることもある。そのように、上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５がチャンバ１１から取り外されたり、取り付けられたりする際に、上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５とチャンバ１１との接触部分、より具体的には上部シール部３１及び下部シール部３２の箇所においてパーティクル等が発生しやすくなる。また、収容空間２２ｃにおける効率的な加熱を実現するため、上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５を回転させることも考えられる。そのように、上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５を回転させた際にも、上部シール部３１及び下部シール部３２の箇所においてパーティクル等が発生しやすくなる。本実施の形態によるウェハ処理装置１は、後述するように、そのようにして発生したパーティクル等を、ウェハ２のほうに拡散させることなく、効率よく排出することができるものである。 The upper heater 24 and the lower heater 25 may be removed for maintenance, for example. As such, when the upper heater 24 and the lower heater 25 are removed from or attached to the chamber 11, the contact portion between the upper heater 24 and the lower heater 25 and the chamber 11, more specifically, the upper seal portion 31 Particles and the like are likely to be generated at the lower seal portion 32. Further, in order to realize efficient heating in the accommodation space 22c, it is conceivable to rotate the upper heater 24 and the lower heater 25. As such, even when the upper heater 24 and the lower heater 25 are rotated, particles and the like are likely to be generated at the upper seal portion 31 and the lower seal portion 32. As will be described later, the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment can efficiently discharge the particles and the like generated in this manner without diffusing them toward the wafer 2.

ここで、上述したように、収容空間２２ｃは、通常、略円柱形状の空間であり、孔部２１ｅ、２２ｅ、及び支持部２４ｂ、２５ｂは円筒形状である。本実施の形態では、収容空間２２ｃの略円柱形状、孔部２１ｅ、２２ｅ、及び支持部２４ｂ、２５ｂの円筒形状のそれぞれの上下方向に延びる中心軸が、同一直線上に存在する場合について主に説明する。したがって、その中心軸に直行する平面において、中心軸を通る直線の方向を半径方向と呼ぶことがある。また、その半径方向において中心軸に近い側を内周側、中心軸から離れる側を外周側と呼ぶこともある。 Here, as described above, the accommodation space 22c is usually a substantially cylindrical space, and the holes 21e and 22e and the support portions 24b and 25b are cylindrical. In the present embodiment, mainly in the case where the central axes extending in the vertical direction of the substantially cylindrical shape of the accommodation space 22c, the holes 21e and 22e, and the cylindrical shapes of the support portions 24b and 25b are present on the same straight line. explain. Therefore, in a plane orthogonal to the central axis, the direction of a straight line passing through the central axis may be referred to as a radial direction. Further, the side close to the central axis in the radial direction may be referred to as an inner peripheral side, and the side away from the central axis may be referred to as an outer peripheral side.

上部プレート部材２６は、円環形状の板状の部材であり、上部ヒータ２４の支持部２４ｂの周囲において、流体が下方から上方に移動可能となるように、上部シール部３１の収容空間２２ｃ側に設けられている。図６Ａ、図１０で示されるように、上部プレート部材２６の中心に設けられた、支持部２４ｂの通る円形状の孔２６ｃの内周面における一方の面側の角部２６ｂは、Ｃ面取りされている。なお、Ｃ面取りに代えて、Ｒ面取りなどの別の面取りがされていてもよい。いずれの場合であっても、孔２６ｃの内周面には、孔２６ｃの中心を通り、上部プレート部材２６の面方向に直交する方向に延びる直線と平行な面が存在することが好適である。上部プレート部材２６は、Ｃ面取りされた角部２６ｂの側が下方側となるように、上部ユニット２１の下面に固定されている。孔２６ｃの内径は、円筒形状の支持部２４ｂの外径と略同じであり、孔２６ｃと支持部２４ｂとの間に隙間がないことが好適である。すなわち、上部プレート部材２６の内周面は、支持部２４ｂの外周面に接していることが好適である。このように構成されていることによって、図１０で示されるように、上部プレート部材２６の内周側（孔２６ｃの周囲）は上方には容易にたわむが、下方にはたわみ難くなり、逆止弁のように作用することによって、支持部２４ｂの周囲では流体が下方から上方に流れ、逆方向に流れ難くなる。図１０において、角部２６ｂは面取りされているため、上部プレート部材２６の内周面（図１０の右端）は上方に移動しやすくなっているが、上部プレート部材２６の内周面の上側の角部は面取りされていないため、上部プレート部材２６の内周面（図１０の右端）は下方に移動し難くなっているからである。上部ユニット２１の底面には、図７Ａで示されるように、上部プレート部材２６に対応した形状の凹部２１ｄが設けられている。上部プレート部材２６は、図７Ｂで示されるように、Ｃ面取りされた角部２６ｂが下方側となるように凹部２１ｄに装着される。なお、図７Ｂでは、上部ヒータ２４、及び上部シール部３１については省略している。 The upper plate member 26 is a ring-shaped plate-shaped member, and is on the accommodation space 22c side of the upper seal portion 31 so that the fluid can move from the lower side to the upper side around the support portion 24b of the upper heater 24. It is provided in. As shown in FIGS. 6A and 10, the corner portion 26b on one side of the inner peripheral surface of the circular hole 26c through which the support portion 24b passes, which is provided at the center of the upper plate member 26, is chamfered by C. ing. In addition, instead of C chamfering, another chamfering such as R chamfering may be performed. In any case, it is preferable that the inner peripheral surface of the hole 26c has a surface parallel to a straight line passing through the center of the hole 26c and extending in a direction orthogonal to the surface direction of the upper plate member 26. .. The upper plate member 26 is fixed to the lower surface of the upper unit 21 so that the side of the C-chamfered corner portion 26b is the lower side. The inner diameter of the hole 26c is substantially the same as the outer diameter of the cylindrical support portion 24b, and it is preferable that there is no gap between the hole 26c and the support portion 24b. That is, it is preferable that the inner peripheral surface of the upper plate member 26 is in contact with the outer peripheral surface of the support portion 24b. With this configuration, as shown in FIG. 10, the inner peripheral side (around the hole 26c) of the upper plate member 26 easily bends upward, but it becomes difficult to bend downward, and the check valve stops. By acting like a valve, the fluid flows from the bottom to the top around the support portion 24b, making it difficult for the fluid to flow in the opposite direction. In FIG. 10, since the corner portion 26b is chamfered, the inner peripheral surface (right end in FIG. 10) of the upper plate member 26 is easily moved upward, but the upper side of the inner peripheral surface of the upper plate member 26 is upper. This is because the corners are not chamfered, so that the inner peripheral surface (right end in FIG. 10) of the upper plate member 26 is difficult to move downward. As shown in FIG. 7A, the bottom surface of the upper unit 21 is provided with a recess 21d having a shape corresponding to the upper plate member 26. As shown in FIG. 7B, the upper plate member 26 is mounted in the recess 21d so that the C-chamfered corner portion 26b is on the lower side. In FIG. 7B, the upper heater 24 and the upper seal portion 31 are omitted.

上部ユニット２１の孔部２１ｅの下端側の開口には、上部ヒータ２４の支持部２４ｂの周囲に周方向に沿って周方向溝部２１ｈが形成されている。図９で示されるように、周方向溝部２１ｈは、上部ヒータ２４の支持部２４ｂと、上部ユニット２１の孔部２１ｅの内周面と、上部シール部３１とによって形成されていてもよい。そして、周方向溝部２１ｈの下方側の開口はすべて、図９で示されるように、上部プレート部材２６の内周側によって塞がれる。このように、周方向溝部２１ｈの下方側の開口が上部プレート部材２６によって閉じられることにより、孔部２１ｅの下端側の開口における支持部２４ｂの周囲に、周方向の流路が形成されることになる。 A circumferential groove 21h is formed around the support portion 24b of the upper heater 24 along the circumferential direction in the opening on the lower end side of the hole portion 21e of the upper unit 21. As shown in FIG. 9, the circumferential groove portion 21h may be formed by the support portion 24b of the upper heater 24, the inner peripheral surface of the hole portion 21e of the upper unit 21, and the upper seal portion 31. Then, as shown in FIG. 9, all the openings on the lower side of the circumferential groove portion 21h are closed by the inner peripheral side of the upper plate member 26. In this way, the opening on the lower side of the circumferential groove portion 21h is closed by the upper plate member 26, so that a circumferential flow path is formed around the support portion 24b in the opening on the lower end side of the hole portion 21e. become.

上部ユニット２１の下面には、周方向溝部２１ｈから上部プレート部材２６の外周側に向かって、上部プレート部材２６の半径方向に延びる外周側溝部２１ｋが設けられている。外周側溝部２１ｋの外周側の端部は、平面視において、上部プレート部材２６の外縁よりも外方側にまで延びていてもよく、または、上部プレート部材２６の外縁よりも内側に存在してもよい。本実施の形態では、前者の場合について主に説明する。外周側溝部２１ｋは、半径方向に直行する面での断面が、上方に凸の円弧状となるように、上部ユニット２１の下面に形成されてもよい。本実施の形態では、上部ユニット２１に２個の外周側溝部２１ｋが形成されている場合について主に説明するが、外周側溝部２１ｋの個数は問わない。上部ユニット２１に形成される外周側溝部２１ｋの個数は、例えば、１個であってもよく、３個以上であってもよい。２個以上の外周側溝部２１ｋが形成される場合には、平面視において、２個以上の外周側溝部２１ｋの長手方向が、支持部２４ｂの中心軸を中心として均等な角度となることが好適である。 On the lower surface of the upper unit 21, an outer peripheral groove portion 21k extending in the radial direction of the upper plate member 26 is provided from the circumferential groove portion 21h toward the outer peripheral side of the upper plate member 26. The outer peripheral end of the outer peripheral gutter 21k may extend outward from the outer edge of the upper plate member 26 in plan view, or may be present inside the outer edge of the upper plate member 26. May be good. In this embodiment, the former case will be mainly described. The outer peripheral gutter portion 21k may be formed on the lower surface of the upper unit 21 so that the cross section of the surface orthogonal to the radial direction is an arc shape that is convex upward. In the present embodiment, the case where two outer peripheral side groove portions 21k are formed in the upper unit 21 will be mainly described, but the number of outer peripheral side groove portions 21k does not matter. The number of outer peripheral gutters 21k formed in the upper unit 21 may be, for example, one or three or more. When two or more outer peripheral gutters 21k are formed, it is preferable that the longitudinal directions of the two or more outer peripheral gutters 21k are evenly angled with respect to the central axis of the support portion 24b in a plan view. Is.

図７Ｂで示されるように、上部ユニット２１の下面に上部プレート部材２６が装着された状態においても、外周側溝部２１ｋの外周側の端部は、上部プレート部材２６で塞がれていなくてもよい。すなわち、外周側溝部２１ｋの下方側の開口は、少なくとも一部（内周側）が、上部プレート部材２６によって塞がれることになる。なお、外周側溝部２１ｋの外周側の端部が、平面視において、上部プレート部材２６の外縁よりも内側に存在する場合には、外周側溝部２１ｋの下方側の開口のすべてが上部プレート部材２６によって塞がれることになる。このように、外周側溝部２１ｋの下方側の開口の少なくとも一部が上部プレート部材２６によって閉じられることにより、半径方向の流路が形成されることになる。 As shown in FIG. 7B, even when the upper plate member 26 is mounted on the lower surface of the upper unit 21, the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 21k is not closed by the upper plate member 26. good. That is, at least a part (inner peripheral side) of the opening on the lower side of the outer peripheral gutter portion 21k is closed by the upper plate member 26. When the outer peripheral end of the outer peripheral groove 21k is inside the outer edge of the upper plate member 26 in a plan view, all the openings on the lower side of the outer peripheral groove 21k are the upper plate member 26. Will be blocked by. In this way, at least a part of the opening on the lower side of the outer peripheral gutter portion 21k is closed by the upper plate member 26, so that a flow path in the radial direction is formed.

外周側溝部２１ｋの外周側の端部は排出口２２４につながっている。本実施の形態では、外周側溝部２１ｋの外周側の端部から排出口２２４につながる上部流路２１ｍがＵ字部材２８によって形成される場合について主に説明する。Ｕ字部材２８は、平面視がＵ字形状の部材であり、加熱プレート２４ａの上面と、上部ユニット２１の下面との間に配設される。そして、図７Ｃで示されるように、開口側が排出口２２４側となり、他端側が外周側溝部２１ｋの外周側の端部の位置となるように配置される。なお、外周側溝部２１ｋの外周側の端部は、平面視でＵ字部材２８の内側の位置となっているものとする。Ｕ字部材２８は、上面は上部ユニット２１の下面に接しており、下面は加熱プレートの上面に接している。このようにして、外周側溝部２１ｋの外周側の端部から、排出口２２４の近傍までの上部流路２１ｍが形成される。したがって、後述するように、パーティクル等を含む流体が上部流路２１ｍを流れることによって、パーティクル等がウェハ２のほうに拡散しないようにすることができ、ウェハ２にパーティクル等が付着する可能性を低減することができる。なお、上部流路２１ｍは、外周側溝部２１ｋの外周側の端部と排出口２２４とをつなぐものであれば、どのようなものであってもよい。したがって、Ｕ字部材２８以外によって、上部流路２１ｍが形成されてもよいことは言うまでもない。例えば、上部流路２１ｍは、半径方向に配置される一対の棒状部材であってもよい。そして、その一対の棒状部材の間に、外周側溝部２１ｋの外周側の端部から排出口２２４までの上部流路２１ｍが形成されてもよい。 The outer peripheral end of the outer peripheral groove 21k is connected to the discharge port 224. In the present embodiment, a case where the upper flow path 21m connected to the discharge port 224 from the outer peripheral end of the outer peripheral groove 21k is formed by the U-shaped member 28 will be mainly described. The U-shaped member 28 is a member having a U-shape in a plan view, and is arranged between the upper surface of the heating plate 24a and the lower surface of the upper unit 21. Then, as shown in FIG. 7C, the opening side is the discharge port 224 side, and the other end side is the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral gutter portion 21k. It is assumed that the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion 21k is located inside the U-shaped member 28 in a plan view. The upper surface of the U-shaped member 28 is in contact with the lower surface of the upper unit 21, and the lower surface is in contact with the upper surface of the heating plate. In this way, the upper flow path 21m from the outer peripheral end of the outer peripheral groove 21k to the vicinity of the discharge port 224 is formed. Therefore, as will be described later, when the fluid containing the particles or the like flows through the upper flow path 21 m, the particles or the like can be prevented from diffusing toward the wafer 2, and the particles or the like may adhere to the wafer 2. Can be reduced. The upper flow path 21m may be any shape as long as it connects the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 21k and the discharge port 224. Therefore, it goes without saying that the upper flow path 21 m may be formed by a member other than the U-shaped member 28. For example, the upper flow path 21m may be a pair of rod-shaped members arranged in the radial direction. Then, an upper flow path 21m from the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion 21k to the discharge port 224 may be formed between the pair of rod-shaped members.

下部プレート部材２７は、円環形状の板状の部材であり、下部ヒータ２５の支持部２５ｂの周囲において、流体が上方から下方に移動可能となるように、下部シール部３２の収容空間２２ｃ側に設けられている。図６Ｂ、図１１で示されるように、下部プレート部材２７の中心に設けられた、支持部２５ｂの通る円形状の孔２７ｃの内周面における一方の面側の角部２７ｂは、Ｃ面取りされている。なお、Ｃ面取りに代えて、Ｒ面取りなどの別の面取りがされていてもよい。いずれの場合であっても、孔２７ｃの内周面には、孔２７ｃの中心を通り、下部プレート部材２７の面方向に直交する方向に延びる直線と平行な面が存在することが好適である。下部プレート部材２７は、Ｃ面取りされた角部２７ｂの側が上方側となるように、下部ユニット２２の上面に固定されている。孔２７ｃの内径は、円筒形状の支持部２５ｂの外径と略同じであり、孔２７ｃと支持部２５ｂとの間に隙間がないことが好適である。すなわち、下部プレート部材２７の内周面は、支持部２５ｂの外周面に接していることが好適である。このように構成されていることによって、図１１で示されるように、下部プレート部材２７の内周側（孔２７ｃの周囲）は下方には容易にたわむが、上方にはたわみ難くなり、逆止弁のように作用することによって、支持部２５ｂの周囲では流体が上方から下方に流れ、逆方向に流れ難くなる。なお、下部プレート部材２７は、２個の貫通孔２７ａを有する以外は、上部プレート部材２６と同様のものである。下部ユニット２２の上面には、図５で示されるように、下部プレート部材２７に対応した形状の凹部２２ｄが設けられている。下部プレート部材２７は、Ｃ面取りされた角部２７ｂが上方側となるように凹部２２ｄに装着される。 The lower plate member 27 is a ring-shaped plate-shaped member, and is on the accommodation space 22c side of the lower seal portion 32 so that the fluid can move from the upper side to the lower side around the support portion 25b of the lower heater 25. It is provided in. As shown in FIGS. 6B and 11, the corner portion 27b on one side of the inner peripheral surface of the circular hole 27c through which the support portion 25b passes, which is provided at the center of the lower plate member 27, is chamfered by C. ing. In addition, instead of C chamfering, another chamfering such as R chamfering may be performed. In any case, it is preferable that the inner peripheral surface of the hole 27c has a surface parallel to a straight line passing through the center of the hole 27c and extending in a direction orthogonal to the surface direction of the lower plate member 27. .. The lower plate member 27 is fixed to the upper surface of the lower unit 22 so that the side of the C-chamfered corner portion 27b is on the upper side. The inner diameter of the hole 27c is substantially the same as the outer diameter of the cylindrical support portion 25b, and it is preferable that there is no gap between the hole 27c and the support portion 25b. That is, it is preferable that the inner peripheral surface of the lower plate member 27 is in contact with the outer peripheral surface of the support portion 25b. With this configuration, as shown in FIG. 11, the inner peripheral side (around the hole 27c) of the lower plate member 27 easily bends downward, but it becomes difficult to bend upward, and a check valve is stopped. By acting like a valve, the fluid flows from above to below around the support portion 25b, making it difficult for the fluid to flow in the opposite direction. The lower plate member 27 is the same as the upper plate member 26 except that it has two through holes 27a. As shown in FIG. 5, a recess 22d having a shape corresponding to the lower plate member 27 is provided on the upper surface of the lower unit 22. The lower plate member 27 is mounted in the recess 22d so that the C-chamfered corner portion 27b is on the upper side.

下部ユニット２２の孔部２２ｅの上端側の開口には、下部ヒータ２５の支持部２５ｂの周囲に周方向に沿って周方向溝部２２ｈが形成されている。図９で示されるように、周方向溝部２２ｈは、下部ヒータ２５の支持部２５ｂと、下部ユニット２２の孔部２２ｅの内周面と、下部シール部３２とによって形成されていてもよい。そして、周方向溝部２２ｈの上方側の開口はすべて、図９で示されるように、下部プレート部材２７の内周側によって塞がれる。このように、周方向溝部２２ｈの上方側の開口が下部プレート部材２７によって閉じられることにより、孔部２２ｅの上端側の開口における支持部２５ｂの周囲に、周方向の流路が形成されることになる。 A circumferential groove 22h is formed around the support portion 25b of the lower heater 25 along the circumferential direction in the opening on the upper end side of the hole portion 22e of the lower unit 22. As shown in FIG. 9, the circumferential groove portion 22h may be formed by the support portion 25b of the lower heater 25, the inner peripheral surface of the hole portion 22e of the lower unit 22, and the lower seal portion 32. Then, as shown in FIG. 9, all the openings on the upper side of the circumferential groove portion 22h are closed by the inner peripheral side of the lower plate member 27. In this way, the opening on the upper side of the circumferential groove portion 22h is closed by the lower plate member 27, so that a circumferential flow path is formed around the support portion 25b in the opening on the upper end side of the hole portion 22e. become.

下部ユニット２２の上面には、周方向溝部２２ｈから下部プレート部材２７の外周側に向かって、下部プレート部材２７の半径方向に延びる外周側溝部２２ｋが設けられている。外周側溝部２２ｋの外周側の端部は、平面視において、下部プレート部材２７の外縁よりも外方側にまで延びていてもよく、または、下部プレート部材２７の外縁よりも内側に存在してもよい。本実施の形態では、後者の場合について主に説明する。外周側溝部２２ｋは、半径方向に直行する面での断面が、下方に凸の円弧状となるように、下部ユニット２２の上面に形成されてもよい。本実施の形態では、下部ユニット２２に２個の外周側溝部２２ｋが形成されている場合について主に説明するが、外周側溝部２２ｋの個数は問わない。下部ユニット２２に形成される外周側溝部２２ｋの個数は、例えば、１個であってもよく、３個以上であってもよい。２個以上の外周側溝部２２ｋが形成される場合には、平面視において、２個以上の外周側溝部２２ｋの長手方向が、支持部２５ｂの中心軸を中心として均等な角度となることが好適である。 On the upper surface of the lower unit 22, an outer peripheral groove portion 22k extending in the radial direction of the lower plate member 27 is provided from the circumferential groove portion 22h toward the outer peripheral side of the lower plate member 27. The outer peripheral end of the outer peripheral gutter 22k may extend outward from the outer edge of the lower plate member 27 in plan view, or may be present inside the outer edge of the lower plate member 27. May be good. In this embodiment, the latter case will be mainly described. The outer peripheral gutter portion 22k may be formed on the upper surface of the lower unit 22 so that the cross section of the surface orthogonal to the radial direction is a downwardly convex arc shape. In the present embodiment, the case where two outer peripheral side groove portions 22k are formed in the lower unit 22 will be mainly described, but the number of outer peripheral side groove portions 22k does not matter. The number of outer peripheral gutters 22k formed in the lower unit 22 may be, for example, one or three or more. When two or more outer peripheral side groove portions 22k are formed, it is preferable that the longitudinal directions of the two or more outer peripheral side groove portions 22k are even angles with respect to the central axis of the support portion 25b in a plan view. Is.

外周側溝部２２ｋの上方側の開口は、少なくとも一部（内周側）が、下部プレート部材２７によって塞がれている。なお、外周側溝部２２ｋの外周側の端部が、平面視において、下部プレート部材２７の外縁よりも内側に存在する場合には、外周側溝部２２ｋの上方側の開口のすべてが下部プレート部材２７によって塞がれることになる。一方、外周側溝部２２ｋの外周側の端部が、平面視において、下部プレート部材２７の外縁よりも外周側に存在する場合には、外周側溝部２２ｋの外周側の端部は、下部プレート部材２７で塞がれないことになる。このように、外周側溝部２２ｋの上方側の開口の少なくとも一部が下部プレート部材２７によって閉じられることにより、半径方向の流路が形成されることになる。 At least a part (inner peripheral side) of the opening on the upper side of the outer peripheral gutter portion 22k is closed by the lower plate member 27. When the outer peripheral end of the outer peripheral groove 22k is inside the outer edge of the lower plate member 27 in a plan view, all the openings on the upper side of the outer peripheral groove 22k are the lower plate member 27. Will be blocked by. On the other hand, when the outer peripheral end of the outer peripheral groove 22k is on the outer peripheral side of the outer edge of the lower plate member 27 in a plan view, the outer peripheral end of the outer peripheral groove 22k is the lower plate member. It will not be blocked by 27. In this way, at least a part of the opening on the upper side of the outer peripheral gutter portion 22k is closed by the lower plate member 27, so that a flow path in the radial direction is formed.

下部ユニット２２の上面に設けられた外周側溝部２２ｋの外周側の端部は排出口２２４につながっている。外周側溝部２２ｋの外周側の端部の位置が、排出口２２４の位置であってもよく、または、外周側溝部２２ｋの外周側の端部から、排出口２２４までの下部流路が形成されていてもよい。前者の場合には、外周側溝部２２ｋの外周側の端部と排出口２２４とは直接つながっていることになり、後者の場合には、外周側溝部２２ｋの外周側の端部と排出口２２４とは間接的につながっていることになる。下部流路は、例えば、上部流路２１ｍと同様に、隙間２２ｎにＵ字部材などを用いて形成されてもよい。本実施の形態では、前者の場合、すなわち外周側溝部２２ｋの外周側の端部の位置が、排出口２２４の位置である場合について主に説明する。 The outer peripheral end of the outer peripheral groove 22k provided on the upper surface of the lower unit 22 is connected to the discharge port 224. The position of the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 22k may be the position of the discharge port 224, or a lower flow path from the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 22k to the discharge port 224 is formed. You may be. In the former case, the outer peripheral side end of the outer peripheral gutter 22k and the discharge port 224 are directly connected, and in the latter case, the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 22k and the discharge port 224. Is indirectly connected to. The lower flow path may be formed by using a U-shaped member or the like in the gap 22n, as in the case of the upper flow path 21m, for example. In the present embodiment, the former case, that is, the case where the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion 22k is the position of the discharge port 224 will be mainly described.

下部プレート部材２７に設けられた上下方向の貫通孔２７ａは、下部プレート部材２７が下部ユニット２２の凹部２２ｄに装着された際に、平面視で排出口２２４ｂ、２２４ｃとそれぞれ重なっていることが好適である。このようにして、例えば、図１２で示されるように、ウェハ２から下部ユニット２２の上面と下部ヒータ２５の下面との間の隙間２２ｎに流れた流体を、排出口２２４ｂ、２２４ｃから排出することができる。なお、貫通孔２７ａの個数は問わない。貫通孔２７ａの個数は、例えば、１個であってもよく、３個以上であってもよい。なお、貫通孔２７ａの個数に応じた個数の排出口２２４が、下部ユニット２２の上面に設けられていることが好適である。 It is preferable that the vertical through holes 27a provided in the lower plate member 27 overlap with the discharge ports 224b and 224c in a plan view when the lower plate member 27 is mounted in the recess 22d of the lower unit 22. Is. In this way, for example, as shown in FIG. 12, the fluid flowing from the wafer 2 into the gap 22n between the upper surface of the lower unit 22 and the lower surface of the lower heater 25 is discharged from the discharge ports 224b and 224c. Can be done. The number of through holes 27a does not matter. The number of through holes 27a may be, for example, one or three or more. It is preferable that the number of discharge ports 224 corresponding to the number of through holes 27a is provided on the upper surface of the lower unit 22.

上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂、またはシリコンなどの樹脂材料によって構成されてもよい。なお、上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７は、逆止弁として作用することが好適であるため、内周面側がたわむことができる程度の弾性を有していることが好適である。上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７は、例えば、外周側が上部ユニット２１及び下部ユニット２２の凹部２１ｄ及び凹部２２ｄにそれぞれねじ止め等によって固定されてもよい。また、Ｕ字部材２８は、例えば、樹脂、金属等の材料によって構成されてもよい。Ｕ字部材２８もねじ止め等によって、上部ユニット２１または上部ヒータ２４に固定されてもよい。 The upper plate member 26 and the lower plate member 27 may be made of, for example, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene or a resin material such as silicon. Since the upper plate member 26 and the lower plate member 27 preferably act as check valves, it is preferable that the upper plate member 26 and the lower plate member 27 have elasticity enough to allow the inner peripheral surface side to bend. The upper plate member 26 and the lower plate member 27 may be fixed to the recesses 21d and the recesses 22d of the upper unit 21 and the lower unit 22 by screwing or the like on the outer peripheral side, respectively. Further, the U-shaped member 28 may be made of a material such as resin or metal. The U-shaped member 28 may also be fixed to the upper unit 21 or the upper heater 24 by screwing or the like.

上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７は、それぞれ円筒形状の支持部２４ｂ、２５ｂの周囲に配置される。したがって、上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７の孔２６ｃ、２７ｃの中心を通り、上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７の面方向に垂直な直線は、通常、円筒形状である支持部２４ｂ、２５ｂの中心軸と同軸になる。 The upper plate member 26 and the lower plate member 27 are arranged around the cylindrical support portions 24b and 25b, respectively. Therefore, the straight lines passing through the centers of the holes 26c and 27c of the upper plate member 26 and the lower plate member 27 and perpendicular to the plane direction of the upper plate member 26 and the lower plate member 27 are usually cylindrical support portions 24b and 25b. It becomes coaxial with the central axis of.

次に、上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７の箇所における流体の流れについて、図９の破線で囲われた領域をそれぞれ拡大した図面である図１０、図１１を用いて説明する。なお、図１０、図１１では、収容空間２２ｃに対して流体の注入と排出とが並行して行われている状況を示しているとする。 Next, the flow of the fluid at the positions of the upper plate member 26 and the lower plate member 27 will be described with reference to FIGS. 10 and 11, which are enlarged views of the area surrounded by the broken line in FIG. 9, respectively. It is assumed that FIGS. 10 and 11 show a situation in which fluid injection and discharge are performed in parallel in the accommodation space 22c.

図１０において、上部流路２１ｍは、図７Ｃで示されるように、排出口２２４ｅにつながっている。また、上部プレート部材２６は、支持部２４ｂの周囲において、下方から上方に流体が流れるように、角部２６ｂのＣ面取りがなされている。したがって、図中の矢印で示されるように、上部ユニット２１の下面と上部ヒータ２４の上面との間の隙間２１ｎから、上部プレート部材２６の内周面、周方向溝部２１ｈ、外周側溝部２１ｋを介して上部流路２１ｍに向かって流体が流れることになる。そのため、例えば、上部シール部３１などの箇所で生じたパーティクル１７等は排出口２２４ｅから排出されることになり、ウェハ２の周囲に拡散してウェハ２に付着することを防止することができる。 In FIG. 10, the upper flow path 21m is connected to the discharge port 224e as shown in FIG. 7C. Further, the upper plate member 26 is Chamfered at the corner portion 26b so that the fluid flows from the lower side to the upper side around the support portion 24b. Therefore, as indicated by the arrows in the drawing, the inner peripheral surface of the upper plate member 26, the circumferential groove portion 21h, and the outer peripheral side groove portion 21k are formed from the gap 21n between the lower surface of the upper unit 21 and the upper surface of the upper heater 24. The fluid will flow toward the upper flow path 21 m through the flow path. Therefore, for example, the particles 17 and the like generated at the upper seal portion 31 and the like are discharged from the discharge port 224e, and can be prevented from diffusing around the wafer 2 and adhering to the wafer 2.

図１１において、外周側溝部２２ｋの外周側の端部の位置が排出口２２４ｈとなっている。また、下部プレート部材２７は、支持部２５ｂの周囲において、上方から下方に流体が流れるように、角部２７ｂのＣ面取りがなされている。したがって、図中の矢印で示されるように、下部ユニット２２の上面と下部ヒータ２５の下面との間の隙間２２ｎから、下部プレート部材２７の内周面、周方向溝部２２ｈ、外周側溝部２２ｋを介して排出口２２４ｈ、排出路２２２に向かって流体が流れることになる。そのため、例えば、下部シール部３２などの箇所で生じたパーティクル１７等は排出口２２４ｈから排出されることになり、ウェハ２の周囲に拡散してウェハ２に付着することを防止することができる。 In FIG. 11, the position of the end portion on the outer peripheral side of the outer peripheral side groove portion 22k is the discharge port 224h. Further, the lower plate member 27 is C-chamfered at a corner portion 27b so that a fluid flows from above to below around the support portion 25b. Therefore, as indicated by the arrows in the drawing, the inner peripheral surface of the lower plate member 27, the circumferential groove portion 22h, and the outer peripheral side groove portion 22k are formed from the gap 22n between the upper surface of the lower unit 22 and the lower surface of the lower heater 25. The fluid will flow toward the discharge port 224h and the discharge path 222 through the discharge port 224h. Therefore, for example, the particles 17 and the like generated at the lower seal portion 32 and the like are discharged from the discharge port 224h, and can be prevented from diffusing around the wafer 2 and adhering to the wafer 2.

次に、上部ユニット２１と下部ユニット２２との接触部分で生じたパーティクル１７等の排出について、図１２を参照して説明する。図１２は、図５のＢ−Ｂ線の位置でのチャンバ１１の縦断面図における排出口２２４ｄ付近を拡大した拡大断面図である。図１２で示されるように、下部ユニット２２には、収容空間２２ｃの外周に沿って溝部２２ｇが設けられている。溝部２２ｇは、図１２で示されるように、チャンバ１１が閉じられた状態において、シール部２３の下方側となる位置に、上方に開口するように設けられている。そのため、シール部２３や、上部ユニット２１及び下部ユニット２２の接合部において生じたパーティクル１７などを効率よく受けることができる。また、上部ヒータ２４の上面側を通過した流体も、溝部２２ｇで受けられることが好適である。そのため、上部ヒータ２４と下部ユニット２２の本体側との間の隙間は、上部ヒータ２４の上面側から溝部２２ｇに至る流路よりも狭くなっていることが好適である。さらに、溝部２２ｇの底部に、排出口２２４ａ、２２４ｄ、２２４ｅ、２２４ｆが設けられている。そのため、溝部２２ｇで受けられたパーティクル１７等を、ウェハ２の側に拡散させることなく排出することができ、溝部２２ｇで受けられたパーティクル１７等がウェハ２に付着する可能性を低減することができる。また、ウェハ２の上面を通過した流体は、下部ヒータ２５の下面側を介して、収容空間２２ｃの中央付近の排出口２２４ｂ、２２４ｃから排出される。 Next, the discharge of particles 17 and the like generated at the contact portion between the upper unit 21 and the lower unit 22 will be described with reference to FIG. FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the discharge port 224d in the vertical cross-sectional view of the chamber 11 at the position of the line BB in FIG. As shown in FIG. 12, the lower unit 22 is provided with a groove portion 22g along the outer circumference of the accommodation space 22c. As shown in FIG. 12, the groove portion 22g is provided so as to open upward at a position on the lower side of the seal portion 23 when the chamber 11 is closed. Therefore, the seal portion 23 and the particles 17 generated at the joint portion between the upper unit 21 and the lower unit 22 can be efficiently received. Further, it is preferable that the fluid that has passed through the upper surface side of the upper heater 24 is also received by the groove portion 22g. Therefore, it is preferable that the gap between the upper heater 24 and the main body side of the lower unit 22 is narrower than the flow path from the upper surface side of the upper heater 24 to the groove portion 22g. Further, discharge ports 224a, 224d, 224e, and 224f are provided at the bottom of the groove portion 22g. Therefore, the particles 17 and the like received in the groove portion 22g can be discharged without being diffused to the side of the wafer 2, and the possibility that the particles 17 and the like received in the groove portion 22g adhere to the wafer 2 can be reduced. can. Further, the fluid that has passed through the upper surface of the wafer 2 is discharged from the discharge ports 224b and 224c near the center of the accommodation space 22c via the lower surface side of the lower heater 25.

次に、本実施の形態によるウェハ処理装置１の動作について具体的に説明する。まず、図１で示されるように、クランプ４１がリリース位置に移動され、開閉手段１２によってチャンバ１１が開けられ、上部ユニット２１及び下部ユニット２２が上下方向に離間した状態になっているとする。その状態において、前工程の洗浄装置において、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の洗浄剤によって洗浄されたウェハ２が、搬送ロボットによって搬送され、上部ユニット２１の下面側に搬入される。その搬入されたウェハ２は、支持手段２１ａによって支持される（図２）。 Next, the operation of the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment will be specifically described. First, as shown in FIG. 1, it is assumed that the clamp 41 is moved to the release position, the chamber 11 is opened by the opening / closing means 12, and the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated in the vertical direction. In that state, the wafer 2 cleaned with a cleaning agent such as IPA (isopropyl alcohol) in the cleaning device in the previous process is conveyed by the transfer robot and carried into the lower surface side of the upper unit 21. The carried-in wafer 2 is supported by the supporting means 21a (FIG. 2).

その後、開閉手段１２によって上面板１６が下降されることによってチャンバ１１が閉じられる。なお、収容空間２２ｃにおいては、ウェハ２は、下部ユニット２２の支持手段２２ａによって支持されることになる。また、ステージ４２がチャンバ１１の軸心に向かって移動されることによって、クランプ４１が、上部ユニット２１及び下部ユニット２２をロックするロック位置に移動される（図３）。 After that, the chamber 11 is closed by lowering the top plate 16 by the opening / closing means 12. In the accommodation space 22c, the wafer 2 is supported by the support means 22a of the lower unit 22. Further, as the stage 42 is moved toward the axial center of the chamber 11, the clamp 41 is moved to a lock position for locking the upper unit 21 and the lower unit 22 (FIG. 3).

そして、二酸化炭素の注入路に接続された注入バルブが開けられ、チャンバ１１の収容空間２２ｃに二酸化炭素が注入される。二酸化炭素は、例えば、加圧ポンプなどの昇圧機構を用いて昇圧されて収容空間２２ｃに注入される。また、上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５によって、注入された二酸化炭素が加熱される。 Then, the injection valve connected to the carbon dioxide injection path is opened, and carbon dioxide is injected into the accommodation space 22c of the chamber 11. Carbon dioxide is boosted by using a boosting mechanism such as a pressurizing pump and injected into the accommodation space 22c. Further, the injected carbon dioxide is heated by the upper heater 24 and the lower heater 25.

注入された二酸化炭素は、収容空間２２ｃ内の圧力が臨界圧力７．３８ＭＰａ以上、温度が臨界温度３１．１℃以上になると超臨界状態となり、ウェハ２上のＩＰＡ等は、超臨界状態の二酸化炭素に溶解される。収容空間２２ｃにおける超臨界状態の二酸化炭素（超臨界流体）の圧力が一定値を超えると、排出路２２２に接続された排出バルブ（圧力調整バルブ）によって、収容空間２２ｃ内の圧力を保ちながら超臨界流体が徐々に排出される。このようにして、ウェハ２に付着していたＩＰＡ等が溶解した超臨界流体が排出され、収容空間２２ｃにおいて、ウェハ２からのＩＰＡ等の除去が行われることになる。 The injected carbon dioxide is in a supercritical state when the pressure in the accommodation space 22c is 7.38 MPa or more and the temperature is 31.1 ° C or more, and the IPA or the like on the wafer 2 is in the supercritical state. It is dissolved in carbon. When the pressure of carbon dioxide (supercritical fluid) in the supercritical state in the accommodation space 22c exceeds a certain value, the discharge valve (pressure adjustment valve) connected to the discharge path 222 keeps the pressure in the accommodation space 22c and super-supercharges. The critical fluid is gradually discharged. In this way, the supercritical fluid in which the IPA and the like adhering to the wafer 2 are dissolved is discharged, and the IPA and the like are removed from the wafer 2 in the accommodation space 22c.

なお、収容空間２２ｃは、少なくともＩＰＡ等の排出が完了するまで二酸化炭素が超臨界状態となる圧力及び温度に保たれることが好適である。収容空間２２ｃは、例えば、圧力は７．４〜１５ＭＰａに、また、温度は上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５によって３１〜５０℃に保たれることが好ましい。 It is preferable that the accommodation space 22c is maintained at a pressure and temperature at which carbon dioxide is in a supercritical state at least until the discharge of IPA or the like is completed. In the accommodation space 22c, for example, the pressure is preferably maintained at 7.4 to 15 MPa, and the temperature is preferably maintained at 31 to 50 ° C. by the upper heater 24 and the lower heater 25.

収容空間２２ｃへの二酸化炭素の注入は継続されるため、超臨界二酸化炭素流体の注入と、ＩＰＡ等が溶解している超臨界二酸化炭素流体の排出が並行して行われることになる。その場合に、図１０、図１１で示されるように、上部ユニット２１と上部ヒータ２４との接触部分で発生したパーティクル、粉塵等は、周方向溝部２１ｈ、外周側溝部２１ｋ、及び上部流路２１ｍを介して、排出口２２４に流れ、下部ユニット２２と下部ヒータ２５との接触部分で発生したパーティクル、粉塵等は、周方向溝部２２ｈ、外周側溝部２２ｋを介して、排出口２２４に流れることになる。また、上部ユニット２１と下部ユニット２２との接触部分で発生したパーティクル、粉塵等は、収容空間２２ｃの周囲に設けられた溝部２２ｇを介して排出口２２４に流れることになる。したがって、パーティクル等がウェハ２の周囲に拡散することを防止することができる。 Since the injection of carbon dioxide into the accommodation space 22c is continued, the injection of the supercritical carbon dioxide fluid and the discharge of the supercritical carbon dioxide fluid in which IPA or the like is dissolved will be performed in parallel. In that case, as shown in FIGS. 10 and 11, particles, dust, etc. generated at the contact portion between the upper unit 21 and the upper heater 24 are collected in the circumferential groove portion 21h, the outer peripheral side groove portion 21k, and the upper flow path 21m. Particles, dust, etc. generated at the contact portion between the lower unit 22 and the lower heater 25 flow to the discharge port 224 via the circumferential groove portion 22h and the outer peripheral side groove portion 22k. Become. Further, particles, dust, etc. generated at the contact portion between the upper unit 21 and the lower unit 22 will flow to the discharge port 224 through the groove portion 22g provided around the accommodation space 22c. Therefore, it is possible to prevent particles and the like from diffusing around the wafer 2.

ＩＰＡ等が溶解している超臨界流体の排出が終了すると、注入バルブが閉じられ、収容空間２２ｃ内を排出バルブによって降圧し、超臨界流体を気体に相転換させてから排出する。その後、排出バルブが閉じられる。収容空間２２ｃは、加温が停止されてもよく、３１〜５０℃に維持されてもよい。なお、超臨界流体によるＩＰＡ等の排出が終了したかどうかは、例えば、ＩＰＡ等を検知するセンサによって収容空間２２ｃ内においてＩＰＡ等を検知することによって確認されてもよい。ＩＰＡ等を検知するセンサは、例えば、アルコール検知センサ等であってもよい。 When the discharge of the supercritical fluid in which IPA or the like is dissolved is completed, the injection valve is closed, the pressure is lowered by the discharge valve in the accommodation space 22c, the supercritical fluid is phase-converted into a gas, and then discharged. After that, the discharge valve is closed. The accommodation space 22c may be stopped from heating or may be maintained at 31-50 ° C. Whether or not the discharge of IPA or the like by the supercritical fluid is completed may be confirmed, for example, by detecting the IPA or the like in the accommodation space 22c by a sensor that detects the IPA or the like. The sensor that detects IPA or the like may be, for example, an alcohol detection sensor or the like.

その後、クランプ４１は、リリース位置に移動される。また、開閉手段１２によって上面板１６が上昇されることによってチャンバ１１が開けられ、上部ユニット２１と下部ユニット２２とが離間する。上部ユニット２１と下部ユニット２２とが離間することによって、ウェハ２は、下部ユニット２２の支持手段２２ａによって支持された状態から、上部ユニット２１の支持手段２１ａによって支持された状態となり、上部ユニット２１と一緒に上方に移動する。そして、超臨界流体を用いて乾燥されたウェハ２は、搬送ロボットによって搬出され、一連の乾燥処理が終了になる。 After that, the clamp 41 is moved to the release position. Further, the chamber 11 is opened by raising the upper surface plate 16 by the opening / closing means 12, and the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated from each other. When the upper unit 21 and the lower unit 22 are separated from each other, the wafer 2 is changed from the state of being supported by the supporting means 22a of the lower unit 22 to the state of being supported by the supporting means 21a of the upper unit 21. Move upwards together. Then, the wafer 2 dried using the supercritical fluid is carried out by the transfer robot, and a series of drying processes is completed.

以上のように、本実施の形態によるウェハ処理装置１によれば、パーティクル等の発生しやすい箇所から排出口２２４までの流路を形成することができるため、パーティクル等のウェハ２の周囲への拡散を防止することができる。具体的には、上部ユニット２１の孔部２１ｅにおいて発生するパーティクル等を、周方向溝部２１ｈ及び外周側溝部２１ｋを介して、排出口２２４に導くことができる。また、下部ユニット２２の孔部２２ｅにおいて発生するパーティクル等を、周方向溝部２２ｈ及び外周側溝部２２ｋを介して、排出口２２４に導くことができる。したがって、パーティクル等がウェハ２のほうに拡散することを防止することができ、ウェハ２にパーティクル等が付着する可能性をより低減することができるようになる。また、上部流路２１ｍや下部流路がＵ字部材２８等によって形成されている場合には、上部流路２１ｍや下部流路から、パーティクル等がウェハ２のほうに拡散することを防止することができる。 As described above, according to the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment, since it is possible to form a flow path from the place where particles or the like are likely to be generated to the discharge port 224, the particles or the like can be placed around the wafer 2. Diffusion can be prevented. Specifically, particles or the like generated in the hole portion 21e of the upper unit 21 can be guided to the discharge port 224 via the circumferential groove portion 21h and the outer peripheral side groove portion 21k. Further, particles or the like generated in the hole portion 22e of the lower unit 22 can be guided to the discharge port 224 via the circumferential groove portion 22h and the outer peripheral side groove portion 22k. Therefore, it is possible to prevent the particles and the like from diffusing toward the wafer 2, and it is possible to further reduce the possibility that the particles and the like adhere to the wafer 2. Further, when the upper flow path 21 m or the lower flow path is formed by the U-shaped member 28 or the like, it is necessary to prevent particles or the like from diffusing toward the wafer 2 from the upper flow path 21 m or the lower flow path. Can be done.

また、収容空間２２ｃの外周側であって、シール部２３の下方側に溝部２２ｇが設けられており、溝部２２ｇの底部に排出口２２４が設けられていることにより、シール部２３や、上部ユニット２１と下部ユニット２２との接触部分において生じたパーティクル等を溝部２２ｇから排出することができ、パーティクル等が拡散してウェハ２に付着することを防止することができる。 Further, the groove portion 22g is provided on the outer peripheral side of the accommodation space 22c and below the seal portion 23, and the discharge port 224 is provided at the bottom of the groove portion 22g, so that the seal portion 23 and the upper unit are provided. Particles and the like generated at the contact portion between the 21 and the lower unit 22 can be discharged from the groove portion 22g, and the particles and the like can be prevented from diffusing and adhering to the wafer 2.

また、平面視における収容空間２２ｃの一端側（例えば、図５の右側）に注入口２２３が設けられており、他端側（例えば、図５の左側）に排出口２２４が設けられていている場合には、ウェハ２上を一方向に超臨界流体が流れることになり、ＩＰＡ等の処理液を含む超臨界流体がウェハ２上に滞留することや、処理液を含む超臨界流体がウェハ２に戻ることを回避することができる。その結果、効率よく処理液を除去することができるようになる。 Further, an injection port 223 is provided on one end side (for example, the right side of FIG. 5) of the accommodation space 22c in a plan view, and an discharge port 224 is provided on the other end side (for example, the left side of FIG. 5). In this case, the supercritical fluid flows in one direction on the wafer 2, the supercritical fluid containing the treatment liquid such as IPA stays on the wafer 2, and the supercritical fluid containing the treatment liquid stays on the wafer 2. It is possible to avoid returning to. As a result, the treatment liquid can be removed efficiently.

なお、本実施の形態では、図１０で示されるように、外周側溝部２１ｋの外周側の端部が、上部流路２１ｍを介して排出口２２４につながっている場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。例えば、上部ユニット２１に排出口２２４が設けられている場合には、外周側溝部２１ｋの外周側の端部の位置が、排出口２２４の位置となっていてもよい。この場合には、外周側溝部２１ｋの外周側の端部は、平面視において、上部プレート部材２６の外縁よりも内側に位置していてもよい。このように、外周側溝部２１ｋの外周側の端部が排出口２２４につながる構成は問わない。 In the present embodiment, as shown in FIG. 10, the case where the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 21k is connected to the discharge port 224 via the upper flow path 21m has been mainly described. It doesn't have to be. For example, when the upper unit 21 is provided with the discharge port 224, the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion 21k may be the position of the discharge port 224. In this case, the outer peripheral end of the outer peripheral groove 21k may be located inside the outer edge of the upper plate member 26 in a plan view. As described above, the configuration in which the end portion on the outer peripheral side of the outer peripheral side groove portion 21k is connected to the discharge port 224 does not matter.

また、本実施の形態では、図１１で示されるように、外周側溝部２２ｋの外周側の端部の位置が、排出口２２４の位置である場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。例えば、外周側溝部２２ｋの外周側の端部から排出口２２４につながる下部流路が形成されていてもよい。その下部流路は、例えば、下部ユニット２２の上面と、下部ヒータ２５の下面との間の隙間２２ｎに、Ｕ字部材や、その他の部材などを用いて形成されてもよい。この場合には、外周側溝部２２ｋの外周側の端部は、平面視において、下部プレート部材２７の外縁よりも外方に位置していてもよい。このように、外周側溝部２２ｋの外周側の端部が排出口２２４につながる構成は問わない。 Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 11, the case where the position of the end portion on the outer peripheral side of the outer peripheral side groove portion 22k is the position of the discharge port 224 has been mainly described, but even if it is not the case. good. For example, a lower flow path may be formed from the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 22k to the discharge port 224. The lower flow path may be formed by using a U-shaped member, other members, or the like in the gap 22n between the upper surface of the lower unit 22 and the lower surface of the lower heater 25, for example. In this case, the outer peripheral end of the outer peripheral groove 22k may be located outside the outer edge of the lower plate member 27 in a plan view. As described above, the configuration in which the end portion on the outer peripheral side of the outer peripheral side groove portion 22k is connected to the discharge port 224 does not matter.

ここで、例えば、外周側溝部２１ｋの外周側の端部の位置が排出口２２４の位置となっている場合には、通常、その排出口２２４は、上方に延びる排出路に接続されていることになる。したがって、流体の排出が行われていない場合には、排出路に存在する流体に含まれるパーティクル等が、重力の影響によって下方側に、すなわち外周側溝部２２ｋの側に逆流する可能性がある。また、外周側溝部２２ｋの外周側の端部が、下部流路を介して排出口２２４につながっており、下部流路が隙間２２ｎに形成されている場合には、通常、下部流路のほうが、外周側溝部２２ｋよりも上方側に位置することになる。したがって、流体の排出が行われていない場合には、下部流路に存在する流体に含まれるパーティクル等が、重力の影響によって下方側に、すなわち外周側溝部２２ｋの側に逆流する可能性がある。一方、図９で示されるように構成されている場合には、流体の排出が行われていなくても、上部流路２１ｍのパーティクル等が外周側溝部２１ｋの側に逆流する可能性は低く、また、排出路２２２のパーティクル等が外周側溝部２２ｋの側に逆流する可能性も低い。したがって、図９で示されるように、外周側溝部２１ｋの外周側の端部は、上部流路２１ｍを介して排出口２２４につながることが好適であり、外周側溝部２２ｋの外周側の端部の位置が、下部ユニット２２に設けられた排出口２２４の位置となっていることが好適である。 Here, for example, when the position of the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 21k is the position of the discharge port 224, the discharge port 224 is usually connected to an upwardly extending discharge path. become. Therefore, when the fluid is not discharged, particles and the like contained in the fluid existing in the discharge path may flow back to the lower side, that is, to the side of the outer peripheral gutter portion 22k due to the influence of gravity. Further, when the outer peripheral side end of the outer peripheral gutter 22k is connected to the discharge port 224 via the lower flow path and the lower flow path is formed in the gap 22n, the lower flow path is usually better. , It will be located above the outer peripheral side groove portion 22k. Therefore, when the fluid is not discharged, particles and the like contained in the fluid existing in the lower flow path may flow back to the lower side, that is, to the side of the outer peripheral gutter portion 22k due to the influence of gravity. .. On the other hand, in the case of the configuration as shown in FIG. 9, even if the fluid is not discharged, it is unlikely that particles or the like in the upper flow path 21m will flow back to the outer peripheral side groove portion 21k side. In addition, it is unlikely that particles or the like in the discharge path 222 will flow back to the outer peripheral side groove portion 22k. Therefore, as shown in FIG. 9, it is preferable that the outer peripheral end of the outer peripheral gutter 21k is connected to the discharge port 224 via the upper flow path 21m, and the outer peripheral end of the outer gutter 22k. Is preferably the position of the discharge port 224 provided in the lower unit 22.

また、本実施の形態では、上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７がそれぞれ円環形状の部材である場合について説明したが、そうでなくてもよい。上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７はそれぞれ、支持部２４ｂ、２５ｂの通る円形状の孔２６ｃ、２７ｃを有しているのであれば、外周側の形状は問わない。上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７の少なくとも一方の外周側の形状は、例えば、楕円形状、矩形状、多角形状等であってもよい。 Further, in the present embodiment, the case where the upper plate member 26 and the lower plate member 27 are ring-shaped members, respectively, has been described, but it is not necessary. As long as the upper plate member 26 and the lower plate member 27 have circular holes 26c and 27c through which the support portions 24b and 25b pass, respectively, the shape on the outer peripheral side does not matter. The shape of at least one of the upper plate member 26 and the lower plate member 27 on the outer peripheral side may be, for example, an elliptical shape, a rectangular shape, a polygonal shape, or the like.

また、本実施の形態では、外周側溝部２１ｋ、２２ｋが、円環形状の上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７の半径方向に延びる場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。外周側溝部２１ｋ、２２ｋはそれぞれ、少なくとも周方向溝部２１ｈ、２２ｈから上部プレート部材２６及び下部プレート部材２７の外周側に延びるものであればよく、外周側溝部２１ｋ、２２ｋの延びる方向は問わない。また、外周側溝部２１ｋ、２２ｋは、例えば、直線状のものであってもよく、曲線状のものであってもよい。また、上述したように、外周側溝部２１ｋ、２２ｋの外周側の端部はそれぞれ、上部プレート部材２６、下部プレート部材２７の外縁よりも外方に存在してもよく、または、外縁よりも内側に存在してもよい。 Further, in the present embodiment, the case where the outer peripheral side groove portions 21k and 22k extend in the radial direction of the ring-shaped upper plate member 26 and the lower plate member 27 has been mainly described, but it is not necessary. The outer peripheral side groove portions 21k and 22k may extend from at least the circumferential groove portions 21h and 22h to the outer peripheral side of the upper plate member 26 and the lower plate member 27, respectively, and the extending directions of the outer peripheral side groove portions 21k and 22k do not matter. Further, the outer peripheral gutters 21k and 22k may be, for example, linear or curved. Further, as described above, the outer peripheral side end portions of the outer peripheral gutter portions 21k and 22k may exist outside the outer edges of the upper plate member 26 and the lower plate member 27, respectively, or may exist inside the outer edge. May be present in.

また、本実施の形態では、ウェハ処理装置１が上部ヒータ２４及び下部ヒータ２５の両方を備えている場合について主に説明したが、そうでなくてもよい。ウェハ処理装置１は、上部ヒータ２４を有していなくてもよく、または、下部ヒータ２５を有していなくてもよい。ウェハ処理装置１が上部ヒータ２４を有していない場合には、上部ユニット２１に上部シール部３１や上部プレート部材２６が装着されていなくてもよい。また、ウェハ処理装置１が下部ヒータ２５を有していない場合には、下部ユニット２２に下部シール部３２や下部プレート部材２７が装着されていなくてもよい。 Further, in the present embodiment, the case where the wafer processing apparatus 1 includes both the upper heater 24 and the lower heater 25 has been mainly described, but it is not necessary. The wafer processing device 1 may not have the upper heater 24 or may not have the lower heater 25. When the wafer processing device 1 does not have the upper heater 24, the upper seal portion 31 and the upper plate member 26 may not be mounted on the upper unit 21. Further, when the wafer processing device 1 does not have the lower heater 25, the lower seal portion 32 and the lower plate member 27 may not be mounted on the lower unit 22.

また、本実施の形態では、収容空間２２ｃの外周側に収容されたウェハ２を取り囲むように環状の溝部２２ｇが設けられている場合について説明したが、そうでなくてもよい。収容空間２２ｃには、溝部２２ｇが設けられていなくてもよい。 Further, in the present embodiment, the case where the annular groove portion 22g is provided so as to surround the wafer 2 accommodated on the outer peripheral side of the accommodating space 22c has been described, but this may not be the case. The storage space 22c may not be provided with the groove portion 22g.

また、本実施の形態では、収容空間２２ｃが所定の圧力になるまでは流体の排出が行われない場合について説明したが、そうでなくてもよい。二酸化炭素などの流体をボンベから収容空間２２ｃに供給し始めた際に、所定の期間（例えば、数秒程度）だけ排出口２２４を介した排気を行い、その後に、排気を終了して収容空間２２ｃの圧力が上昇するようにしてもよい。そのようにすることで、昇圧開始時に収容空間２２ｃに残留しているパーティクルや粉塵等を、収容空間２２ｃから排出することができる。 Further, in the present embodiment, the case where the fluid is not discharged until the accommodation space 22c reaches a predetermined pressure has been described, but it is not necessary. When a fluid such as carbon dioxide is started to be supplied from the cylinder to the storage space 22c, the air is exhausted through the discharge port 224 for a predetermined period (for example, about several seconds), and then the exhaust is finished and the storage space 22c is terminated. The pressure may be increased. By doing so, particles, dust, and the like remaining in the accommodation space 22c at the start of boosting can be discharged from the accommodation space 22c.

また、本発明は、以上の実施の形態に限定されることなく、種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることは言うまでもない。 Further, it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made, and these are also included in the scope of the present invention.

以上より、本発明によるウェハ処理装置によれば、パーティクル等をウェハのほうに拡散させることなく排出できるという効果が得られ、ウェハに対して超臨界流体を用いた所定の処理を行うウェハ処理装置等として有用である。 From the above, according to the wafer processing apparatus according to the present invention, it is possible to obtain the effect that particles and the like can be discharged without diffusing toward the wafer, and the wafer processing apparatus that performs a predetermined treatment using a supercritical fluid on the wafer. It is useful as such.

１ ウェハ処理装置
２ ウェハ
１１ チャンバ
１２ 開閉手段
２１ 上部ユニット
２１ｈ、２２ｈ 周方向溝部
２１ｋ、２２ｋ 外周側溝部
２２ 下部ユニット
２２ｃ 収容空間
２２ｇ 溝部
２３ シール部
２４ 上部ヒータ
２４ａ、２５ａ 加熱プレート
２４ｂ、２５ｂ 支持部
２５ 下部ヒータ
２６ 上部プレート部材
２７ 下部プレート部材
３１ 上部シール部
３２ 下部シール部
２２３、２２３ａ、２２３ｂ 注入口
２２４、２２４ａ〜２２４ｈ 排出口 1 Wafer processing device 2 Wafer 11 Chamber 12 Opening and closing means 21 Upper unit 21h, 22h Circumferential groove 21k, 22k Outer peripheral groove 22 Lower unit 22c Storage space 22g Groove 23 Seal 24 Upper heater 24a, 25a Heating plate 24b, 25b Support 25 Lower heater 26 Upper plate member 27 Lower plate member 31 Upper seal part 32 Lower seal part 223, 223a, 223b Injection port 224, 224a to 224h Discharge port

Claims (5)

上部ユニット、及び前記上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、前記ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、
前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによって前記チャンバを開閉する開閉手段と、
前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの上面に接続され、前記上部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する上部ヒータと、
前記支持部と前記孔部との間をシールするための上部シール部と、
前記支持部の周囲において流体が下方から上方に移動可能となるように前記上部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記支持部の通る円形状の孔を有する上部プレート部材と、を備え、
前記収容空間に流体を注入するための１以上の注入口、及び前記収容空間から流体を排出するための１以上の排出口がそれぞれ、前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方に設けられており、
前記加熱プレートの上面と前記上部ユニットの下面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
前記孔部の下端側の開口には、前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
前記上部ユニットの下面には、前記周方向溝部から前記上部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
前記上部プレート部材は、前記外周側溝部の下方側の開口の少なくとも一部、及び前記周方向溝部の下方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ウェハ処理装置。 A chamber having an upper unit and a lower unit facing the upper unit to form an accommodation space for accommodating a wafer, and performing a predetermined process using a supercritical fluid on the wafer.
An opening / closing means for opening / closing the chamber by moving at least one of the upper and lower units in the vertical direction.
An upper heater having a heating plate extending in the horizontal direction in the accommodation space, and a cylindrical support portion connected to the upper surface of the heating plate and inserted into a cylindrical hole provided in the upper unit.
An upper seal portion for sealing between the support portion and the hole portion,
An upper plate member having a circular hole through which the support portion passes, which is provided on the accommodation space side of the upper seal portion so that a fluid can move from the lower side to the upper portion around the support portion, is provided. ,
One or more inlets for injecting fluid into the accommodation space and one or more outlets for discharging fluid from the accommodation space are provided in at least one of the upper and lower units, respectively.
There is a horizontally extending gap through which the fluid can flow between the upper surface of the heating plate and the lower surface of the upper unit.
The opening on the lower end side of the hole portion is provided with a circumferential groove portion along the circumferential direction around the support portion.
On the lower surface of the upper unit, an outer peripheral gutter extending from the circumferential groove toward the outer peripheral side of the upper plate member is provided.
The upper plate member is provided so as to close at least a part of the opening on the lower side of the outer peripheral gutter portion and all of the opening on the lower side of the circumferential groove portion.
A wafer processing device in which the outer peripheral end of the outer peripheral groove is connected to a discharge port. 前記外周側溝部の外周側の端部から排出口につながる上部流路が、前記加熱プレートの上面と前記上部ユニットの下面との間に配設された平面視がＵ字形状のＵ字部材によって形成され、
前記Ｕ字部材は、開口側が排出口側となり、他端側が前記外周側溝部の外周側の端部の位置となるように配置される、請求項１記載のウェハ処理装置。 The upper flow path from the outer peripheral end of the outer peripheral groove to the discharge port is arranged between the upper surface of the heating plate and the lower surface of the upper unit by a U-shaped member having a U-shape in a plan view. Formed,
The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the U-shaped member is arranged so that the opening side is the discharge port side and the other end side is the position of the outer peripheral side end portion of the outer peripheral side groove portion. 前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの下面に接続され、前記下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、
前記下部ヒータの前記支持部と前記下部ユニットの前記孔部との間をシールするための下部シール部と、
前記下部ヒータの前記支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように前記下部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記下部ヒータの前記支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、をさらに備え、
前記下部ヒータの前記加熱プレートの下面と前記下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
前記下部ユニットの前記孔部の上端側の開口には、前記下部ヒータの前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
前記下部ユニットの上面には、前記下部ユニットの周方向溝部から前記下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
前記下部プレート部材は、前記下部ユニットの前記外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び前記下部ユニットの前記周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
前記下部ユニットの前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、請求項１または請求項２記載のウェハ処理装置。 A lower heater having a heating plate extending horizontally in the accommodation space, and a cylindrical support portion connected to the lower surface of the heating plate and inserted into a cylindrical hole provided in the lower unit.
A lower seal portion for sealing between the support portion of the lower heater and the hole portion of the lower unit, and a lower seal portion.
A circular hole through which the support portion of the lower heater passes, which is provided on the accommodation space side of the lower seal portion so that the fluid can move from the upper side to the lower portion around the support portion of the lower heater. Further equipped with a lower plate member having
There is a horizontally extending gap through which the fluid can flow between the lower surface of the heating plate of the lower heater and the upper surface of the lower unit.
A circumferential groove is provided along the circumferential direction around the support portion of the lower heater in the opening on the upper end side of the hole portion of the lower unit.
On the upper surface of the lower unit, an outer peripheral gutter extending from the circumferential groove of the lower unit toward the outer peripheral side of the lower plate member is provided.
The lower plate member is provided so as to close at least a part of the opening on the upper side of the outer peripheral groove portion of the lower unit and all of the opening on the upper side of the circumferential groove portion of the lower unit.
The wafer processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the outer peripheral end of the lower unit is connected to a discharge port. 上部ユニット、及び前記上部ユニットと対向してウェハを収容する収容空間を構成する下部ユニットを有し、前記ウェハに超臨界流体を用いた所定の処理を行うためのチャンバと、
前記上部及び下部ユニットの少なくとも一方を上下方向に移動させることによって前記チャンバを開閉する開閉手段と、
前記収容空間において水平方向に延びる加熱プレートと、当該加熱プレートの下面に接続され、前記下部ユニットに設けられた円筒形状の孔部に挿入される円筒形状の支持部とを有する下部ヒータと、
前記支持部と前記孔部との間をシールするための下部シール部と、
前記支持部の周囲において流体が上方から下方に移動可能となるように前記下部シール部の前記収容空間側に設けられた、前記支持部の通る円形状の孔を有する下部プレート部材と、を備え、
前記加熱プレートの下面と前記下部ユニットの上面との間には、流体が流通可能な水平方向に延びる隙間が存在し、
前記孔部の上端側の開口には、前記支持部の周囲に周方向に沿って周方向溝部が設けられており、
前記下部ユニットの上面には、前記下部ユニットの周方向溝部から前記下部プレート部材の外周側に向かって延びる外周側溝部が設けられており、
前記下部プレート部材は、前記外周側溝部の上方側の開口の少なくとも一部、及び前記周方向溝部の上方側の開口のすべてを塞ぐように設けられ、
前記外周側溝部の外周側の端部は排出口につながっている、ウェハ処理装置。 A chamber having an upper unit and a lower unit facing the upper unit to form an accommodation space for accommodating a wafer, and performing a predetermined process using a supercritical fluid on the wafer.
An opening / closing means for opening / closing the chamber by moving at least one of the upper and lower units in the vertical direction.
A lower heater having a heating plate extending horizontally in the accommodation space, and a cylindrical support portion connected to the lower surface of the heating plate and inserted into a cylindrical hole provided in the lower unit.
A lower seal portion for sealing between the support portion and the hole portion,
A lower plate member having a circular hole through which the support portion passes is provided on the accommodation space side of the lower seal portion so that a fluid can move from the upper side to the lower side around the support portion. ,
There is a horizontally extending gap through which the fluid can flow between the lower surface of the heating plate and the upper surface of the lower unit.
The opening on the upper end side of the hole portion is provided with a circumferential groove portion along the circumferential direction around the support portion.
On the upper surface of the lower unit, an outer peripheral gutter extending from the circumferential groove of the lower unit toward the outer peripheral side of the lower plate member is provided.
The lower plate member is provided so as to close at least a part of the opening on the upper side of the outer peripheral gutter portion and all of the opening on the upper side of the circumferential groove portion.
A wafer processing device in which the outer peripheral end of the outer peripheral groove is connected to a discharge port. 前記チャンバは、当該チャンバが閉じられた際に前記上部及び下部ユニットの間をシールするためのシール部を有しており、
前記下部ユニットには、前記シール部の下方側に、前記収容空間の外周に沿って溝部が設けられており、
当該溝部の底部に排出口が設けられている、請求項１から請求項４のいずれか記載のウェハ処理装置。 The chamber has a sealing portion for sealing between the upper and lower units when the chamber is closed.
The lower unit is provided with a groove portion on the lower side of the seal portion along the outer periphery of the accommodation space.
The wafer processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a discharge port is provided at the bottom of the groove.
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