JP2021111744A - Manufacturing method for conductive layer, manufacturing method for wiring board and manufacturing method for heater device - Google Patents
Manufacturing method for conductive layer, manufacturing method for wiring board and manufacturing method for heater device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021111744A JP2021111744A JP2020004312A JP2020004312A JP2021111744A JP 2021111744 A JP2021111744 A JP 2021111744A JP 2020004312 A JP2020004312 A JP 2020004312A JP 2020004312 A JP2020004312 A JP 2020004312A JP 2021111744 A JP2021111744 A JP 2021111744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- manufacturing
- base material
- layer
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 20
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 194
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
本発明は、導電層の製造方法、配線基板の製造方法及びヒータ装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a conductive layer, a method for manufacturing a wiring board, and a method for manufacturing a heater device.
金属粉と樹脂を含む導電ペーストを利用して、パターン状の導電層を形成する技術が知られている。この種の技術は、例えば、特許文献１に示されるように、半導体製造装置用のヒータ装置（セラミックヒータ）におけるヒータ電極を形成するために利用されている。ヒータ装置は、半導体の製造過程において、エッチングや化学蒸着（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）等の各種処理を施す際に、シリコンウェハを加熱して温めるための装置であり、例えば、静電チャック、ＣＶＤヒータ等として利用されている。
A technique for forming a patterned conductive layer by using a conductive paste containing a metal powder and a resin is known. This type of technique is used, for example, to form a heater electrode in a heater device (ceramic heater) for a semiconductor manufacturing device, as shown in
導電ペーストからなるパターン状の導電層は、特許文献１に示されるように、所定の基材（例えば、グリーンシート）上に、印刷技術を利用して形成されている。なお、基材上の導電層は、最終的に焼成されてヒータ電極となる。また、パターン状の導電層は、配線基板の配線等を形成するためにも利用されている。
As shown in
印刷技術を利用して、導電ペーストからパターン状の導電層を形成すると、導電層の形状精度を高めることに限界があった。 When a patterned conductive layer is formed from a conductive paste by using printing technology, there is a limit in improving the shape accuracy of the conductive layer.
例えば、スクリーン印刷により、導電層を基材上に形成する場合、基材上に配されたスクリーン印刷版の上面で、導電ペーストがスキージを利用して面状に広げられる。そして、導電ペーストは、面状に広げられる際に、スクリーン印刷版に設けられているパターン状の孔を通過することにより、基材上にパターン状の導電層として転写される。このようなスクリーン印刷により、例えば、平面視で所定の線幅を有し、断面が台形状の導電層を形成しようとすると、導電層の側面の立ち上がる角度が予定よりも小さくなって側面がなだらかになり易い。しかも、スクリーン印刷によって形成すると、導電層の両側面側の厚みが中央側の厚みよりも厚くなり易く、ムラが生じ易い。また、導電層同士の間でも、断面形状（断面積）にばらつきが発生し易い。 For example, when the conductive layer is formed on the base material by screen printing, the conductive paste is spread in a plane shape on the upper surface of the screen printing plate arranged on the base material by using a squeegee. Then, when the conductive paste is spread in a plane shape, it is transferred as a patterned conductive layer on the base material by passing through the patterned holes provided in the screen printing plate. By such screen printing, for example, when trying to form a conductive layer having a predetermined line width in a plan view and having a trapezoidal cross section, the rising angle of the side surface of the conductive layer becomes smaller than planned and the side surface is gentle. It is easy to become. Moreover, when formed by screen printing, the thickness of the conductive layer on both side surfaces tends to be thicker than the thickness on the center side, and unevenness tends to occur. Further, the cross-sectional shape (cross-sectional area) tends to vary even between the conductive layers.
このように導電層の形状精度が悪いと、最終的に得られるヒータ電極等の性能が低下する虞があり、問題となっていた。 If the shape accuracy of the conductive layer is poor as described above, the performance of the finally obtained heater electrode or the like may be deteriorated, which has been a problem.
本発明の目的は、形状精度の高い導電層を形成可能な導電層の製造方法等を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for producing a conductive layer capable of forming a conductive layer having high shape accuracy.
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 金属粉と樹脂を含む導電ペーストを基材の表面上に塗工して導電ペースト層を形成する塗工工程と、前記導電ペースト層に対して、前記基材の透過率が前記導電ペーストの透過率よりも大きいレーザ光を照射して、前記導電ペースト層をパターン状に切断することで、前記基材の表面上にパターン状の導電層を形成するレーザ加工工程とを備える導電層の製造方法。
The means for solving the above-mentioned problems are as follows. That is,
<1> A coating step of applying a conductive paste containing a metal powder and a resin onto the surface of a base material to form a conductive paste layer, and the conductivity of the base material with respect to the conductive paste layer is the conductivity. A conductive layer including a laser processing step of forming a patterned conductive layer on the surface of the base material by irradiating a laser beam having a transmittance larger than that of the paste and cutting the conductive paste layer into a pattern. Manufacturing method.
＜２＞ 前記塗工工程において、前記導電ペースト層は、前記レーザ加工工程においてパターン状に切断される予定の第１部と、前記第１部の外周を囲い前記第１部に隣接する第２部とを備えるように前記基材の表面に形成される前記＜１＞に記載の導電層の製造方法。 <2> In the coating step, the conductive paste layer has a first portion to be cut in a pattern in the laser processing step and a second portion that surrounds the outer periphery of the first portion and is adjacent to the first portion. The method for producing a conductive layer according to <1>, which is formed on the surface of the base material so as to include a portion.
＜３＞ 前記基材における前記レーザ光の透過率が、５０％以上である前記＜１＞又は＜２＞に記載の導電層の製造方法。 <3> The method for producing a conductive layer according to <1> or <2>, wherein the laser light transmittance of the base material is 50% or more.
＜４＞ 前記金属粉が、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる前記＜１＞〜＜３＞の何れか１つに記載の導電層の製造方法。 <4> The method for producing a conductive layer according to any one of <1> to <3>, wherein the metal powder is composed of at least one selected from the group consisting of tungsten (W) and molybdenum (Mo).
＜５＞ 前記＜１＞〜＜４＞の何れか１つに記載の導電層の製造方法により得られたパターン状の前記導電層を、絶縁性基板に転写して、前記導電層より形成される配線を含む配線基板を形成する配線基板の製造方法。 <5> The patterned conductive layer obtained by the method for producing a conductive layer according to any one of <1> to <4> is transferred to an insulating substrate and formed from the conductive layer. A method of manufacturing a wiring board for forming a wiring board including wiring.
＜６＞ 前記＜１＞〜＜４＞の何れか１つに記載の導電層の製造方法により得られたパターン状の前記導電層を、グリーンシートに転写して積層物を形成する転写工程と、前記積層物を焼結して、前記導電層より形成されるヒータ電極を含むヒータ装置を得る焼成工程とを備えるヒータ装置の製造方法。 <6> A transfer step of transferring the patterned conductive layer obtained by the method for producing a conductive layer according to any one of <1> to <4> onto a green sheet to form a laminate. A method for manufacturing a heater device, which comprises a firing step of sintering the laminate to obtain a heater device including a heater electrode formed from the conductive layer.
本発明によれば、形状精度の高い導電層を形成可能な導電層の製造方法等を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a conductive layer capable of forming a conductive layer having high shape accuracy.
＜実施形態１＞
〔導電層の製造方法〕
本発明の実施形態１を、図１〜図６を参照しつつ説明する。本実施形態は、導電層の製造方法である。図１は、本発明の実施形態１に係る導電層の製造方法を示すフローチャートである。導電層は、後述するように、静電チャック、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置におけるヒータ電極や、配線基板の配線（導電配線）等として利用される。
<
[Manufacturing method of conductive layer]
本実施形態の導電層の製造方法は、塗工工程Ｓ１、乾燥工程Ｓ２、レーザ加工工程Ｓ３及び余白部除去工程Ｓ４を備えている。 The method for manufacturing the conductive layer of the present embodiment includes a coating step S1, a drying step S2, a laser processing step S3, and a margin removing step S4.
（塗工工程）
塗工工程Ｓ１は、金属粉（金属粉末）と樹脂を含む導電ペーストを基材１の表面１ａ上に塗工して導電ペースト層２を形成する工程である。図２は、塗工工程により、基材１の表面１ａ上に、導電ペースト層２が形成された状態を示す説明図（断面図）である。導電層は、金属粉と樹脂を含む導電ペーストからなる。金属粉に利用される金属としては、目的に応じて適宜、選択され、例えば、銅、アルミニウム、銀、金、白金、ニッケル、チタン、鉄、クロム、モリブデン、タングステン、これらの合金等が挙げられる。なお、導電層が、ヒータ電極等の発熱体として利用される場合は、前記金属として、タングステン、モリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種が利用されることが好ましい。
(Coating process)
The coating step S1 is a step of coating a conductive paste containing a metal powder (metal powder) and a resin on the
金属粉の平均粒径は、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はないが、例えば、０．６μｍ〜１６．０μｍである。また、樹脂としては、導電ペースト用の公知の樹脂（バインダ）が利用される。なお、本発明の目的を損なわない限り、導電ペーストは、金属粉及び樹脂以外の他の成分（溶剤、フィラー等）を含んでもよい。 The average particle size of the metal powder is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, and is, for example, 0.6 μm to 16.0 μm. Further, as the resin, a known resin (binder) for conductive paste is used. The conductive paste may contain components other than the metal powder and the resin (solvent, filler, etc.) as long as the object of the present invention is not impaired.
基材１は、導電ペースト層２を支持するフィルム状（又はシート状）の部材である。また、基材１は、後述するレーザ加工工程Ｓ３において使用されるレーザ光を透過する機能（光透過性）を備えている。基材１は、導電ペースト層２よりも前記レーザ光の透過率が高い。
The
基材１は、レーザ加工工程Ｓ３において、レーザ光により切断されない程度の透過率や厚みを備えている。基材１の厚みは、例えば、２５μｍ〜２００μｍである。
The
具体的な基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル樹脂等の合成樹脂からなるフィルム材が挙げられる。また、基材１としては、ＩＴＯフィルム等が利用されてもよい。
Specific examples of the
導電ペースト層２の厚みは、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はないが、例えば、０．５μｍ〜１００μｍに設定される。
The thickness of the
導電層（導電ペースト層２）が形成される基材１の表面１ａには、導電ペースト層２の密着性や、導電層の剥離性等を調整するための表面処理が適宜、施されてもよい。
Even if the
基材１の表面１ａ上に、流動性を有する柔らかい導電ペーストが印刷（例えば、スクリーン印刷）によって層状に塗工されて、導電ペースト層２が形成される。図２には、基材１及び導電ペースト層２が厚み方向に切断された断面図が示されている。
A soft conductive paste having fluidity is coated in layers on the
図３は、基材１上に形成された導電ペースト層２の上面図である。例えば、スクリーン印刷によって導電ペースト層２が形成される場合、基材１の表面１ａ上に、導電ペーストがスキージ（ブレード）を利用して塗り広げられる。導電ペーストは、スキージが、図３の上下方向（図３中の両矢印Ａの向き）に移動することによって、基材１の表面１ａ上に層状に広げられる。そして、図３に示されるように、平面視で矩形状の導電ペースト層２が形成される。
FIG. 3 is a top view of the
なお、導電ペースト層２の厚みは、一定の大きさとなるように設定されているものの、印刷によって導電ペースト層２を形成すると、通常、導電ペースト層２に厚みムラが発生する。例えば、スキージを図３の上下方向（両矢印Ａの方向）に移動させて導電ペースト層２を形成すると、全体として矩形状をなした導電ペースト層２の周縁部Ｒ１（図３中に示される枠状部分）が、その内側にある中央部Ｒ２と比べて、厚みが予定よりも大きくなり易い傾向がある。また、導電ペースト層２の中央部Ｒ２のうち、中央側に配される第１部２ａ（図３中の境界線Ｘから内側の部分）と、第１部２ａの外周を囲いつつ第１部２ａに隣接する第２部２ｂ（図３中の円形状の境界線Ｘよりも外側の部分）とでは、第１部２ａの方が、厚みが更に均一である。そのため、導電層の製造には、導電ペースト層２の中央側に配される第１部２ａが利用される。なお、第１部２ａは、上述した周縁部Ｒ１と重ならないように設定される。
Although the thickness of the
このように塗工工程Ｓ１において、導電ペースト層２は、後述するレーザ加工工程においてパターン状に切断される予定の第１部２ａと、第１部２ａの外周を囲い第１部２ａに隣接する第２部２ｂとを備えるように、基材１の表面１ａに形成される。
As described above, in the coating step S1, the
なお、塗工工程Ｓ１では、スクリーン印刷以外の印刷方法（例えば、コータ法、ドクターブレード法）を利用して、導電ペースト層２が形成されてもよい。
In the coating step S1, the
（乾燥工程）
乾燥工程Ｓ２（図１参照）は、基材１上に形成された導電ペースト層２を乾燥させる工程である。塗工工程Ｓ１において基材１上に塗工された導電ペースト層２は、例えば、バッチ式乾燥機内に入れられて、熱風により乾燥される。乾燥機内の温度は、例えば、８０℃〜９０℃に設定される。乾燥時間は、例えば、５分間〜１５分間行われる。なお、乾燥工程Ｓ２における乾燥条件（加熱温度、乾燥時間等）は、導電ペーストに使用した材質（樹脂等）に応じて、適宜、設定される。例えば、室温で導電ペースト層２が自然に乾燥するような場合は、積極的に、導電ペースト層２の乾燥工程を行わなくてもよい。
(Drying process)
The drying step S2 (see FIG. 1) is a step of drying the
（レーザ加工工程）
レーザ加工工程Ｓ３（図１参照）は、導電ペースト層２に対して、基材１の透過率が導電ペーストの透過率よりも大きいレーザ光３を照射して、導電ペースト層２をパターン状に切断することで、基材１の表面１ａ上にパターン状の導電層４を形成する工程である。図４は、レーザ加工工程を模式的に表した説明図である。図４に示されるように、基材１上の導電ペースト層２に対して、図示されないレーザ装置より発射されたレーザ光３が照射されると、レーザ光３が照射された箇所に、溝５（以下、レーザ溝５）が形成される。レーザ光３が照射された箇所の導電ペースト層２は、気化して消失する。なお、レーザ光３は、基材１の水平な表面１ａに対して、略垂直な方向から照射される。
(Laser processing process)
In the laser processing step S3 (see FIG. 1), the
レーザ光３としては、例えば、グリーンレーザ（波長：５３２ｎｍ）が使用される。レーザ光３の出力は、例えば、１Ｗ〜６Ｗで行われる。なお、レーザ加工工程Ｓ３におけるレーザ光３の諸条件（例えば、波長、出力、走査速度、パス数等）は、基材１が切断されずに導電ペース層２が切断できるように、基材１や導電ペースト層２の各材質や各厚み等を考慮して、適宜、設定される。
As the laser beam 3, for example, a green laser (wavelength: 532 nm) is used. The output of the laser beam 3 is, for example, 1 W to 6 W. The conditions of the laser beam 3 (for example, wavelength, output, scanning speed, number of passes, etc.) in the laser processing step S3 are such that the
レーザ光３は、基材１の透過率が、導電ペースト（導電ペースト層２）の透過率よりも大きい。つまり、レーザ光３は、基材１の方が、導電ペーストよりも透過し易い。基材１におけるレーザ光３の透過率は、例えば、５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上が更に好ましい。これに対して、導電ペースト（導電ペースト層２）におけるレーザ光３の透過率は、例えば、２０％以下が好ましく、１０％以下がより好ましい。
In the laser beam 3, the transmittance of the
基材１の透過率及び導電ペーストの透過率がこのような範囲であると、レーザ加工工程Ｓ３において、基材１にレーザ光３が照射されても切断されず、しかも、基材１中に熱が蓄積されて、その熱の影響によって導電ペースト層２にクラック等が生じることが抑制される。レーザ光３としては、例えば、グリーンレーザが利用される。
When the transmittance of the
レーザ光３は、パターン状の導電層４が描画されるように導電ペースト層２に照射される。レーザ光３によって導電ペースト層２がパターン状に切断されることで、基材１上には、パターン状の導電層４が形成される。なお、基材１上には、導電層４として利用されずに残った余白部６も形成される。
The laser beam 3 irradiates the
レーザ光３は、導電ペースト層２に対して、略垂直な方向から照射されるため、導電ペースト層２の切断面は、基材１の水平な表面１ａに対して略垂直に立ち上がった状態となる。そのため、導電層４の側面は、基材１の表面１ａに対して略垂直に立ち上がるように形成される。そのため、導電層４を幅方向に切断した際の断面形状は、矩形状のような台形状となる。導電層４の断面形状については、後述する。
Since the laser beam 3 is irradiated from a direction substantially perpendicular to the
図５は、導電ペースト層２に描画されたパターン状の導電層４と余白部６とを示す説明図である。導電ペースト層２にレーザ光３が照射されて、予め設定されているパターン状のレーザ溝５が形成されると、導電ペースト層２には、パターン状の導電層４が形成される。パターン状の導電層４は、上述した導電ペースト層２の第１部２ａ（図３参照）に形成される。導電層４は、平面視した際に、所定の線幅を有する配線状の形をなしている。隣り合った配線状の導電層４の間には、余白部６が配されている。なお、導電ペースト層２の第１部２ａに形成された余白部６を、特に「第１余白部６ａ」と称する。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a patterned
また、パターン状の導電層４の周りには、導電層４を取り囲むようは枠状の余白部６が形成されている。この余白部６は、上述した導電ペースト層２の第２部２ｂ（図３参照）に形成されるものであり、特に「第２余白部６ｂ」と称する。なお、図５には、ヒータ装置のヒータ電極として利用されるパターン状の導電層４が示されている。
Further, a frame-shaped
（余白部除去工程）
余白部除去工程Ｓ４（図１参照）は、レーザ加工工程Ｓ３の後、必要に応じて、基材１上に形成された余白部６を、基材１から剥離して除去する工程である。導電層４は、レーザ加工工程Ｓ３によって、基材１上に既に形成されているものの、導電層４に対して更に他の加工等が施される場合、余白部６の存在が他の加工等の妨げとなる場合がある。そのため、余白部除去工程Ｓ４では、基材１上から余白部６が取り除かれる。
(Margin removal process)
The margin removing step S4 (see FIG. 1) is a step of peeling and removing the
余白部６を、基材１の表面１ａから除去する方法としては、本発明の目的を損なわない限り、特に制限されない。余白部６を除去する具体的な方法としては、例えば、粘着面を備えた粘着テープ（粘着シート）を利用して、余白部６を基材１から剥離してもよい。また、パターン状の導電層４が形成された基材１上の導電ペースト層２に対して、所定のフィルム基材を重ね、その重ねたフィルム基材に、基材１の裏面（表面１ａの反対面）側から、余白部６を基材１越しに押し当てて、フィルム基材に余白部６のみを転写させることによって、余白部６を、基材１から除去する方法が利用されてもよい。なお、これらの方法以外に、この種の導電層を形成する際に利用される公知の手法を用いて、余白部６が除去されてもよい。図６は、余白部６が除去されて、基材１上にパターン状の導電層４のみが形成されている状態を示す説明図である。
The method of removing the
以上のような各工程を備えた導電層の製造方法により、導電層４が形成される。なお、導電層４は、必要に応じて焼成されて焼結される。
The
＜実施形態２＞
〔ヒータ装置の製造方法〕
次いで、本発明の実施形態２を、図７〜図１０を参照しつつ説明する。本実施形態は、ヒータ装置の製造方法である。図７は、実施形態２に係るヒータ装置の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態のヒータ装置の製造方法は、実施形態１で製造されたパターン状の導電層４（図６参照）を利用して、ヒータ装置を製造するものである。ここでは、静電チャックとして利用されるヒータ装置の製造方法について説明する。ヒータ装置の製造方法は、グリーンシート（セラミックグリーンシート）を利用したシート積層法を応用したものである。
<
[Manufacturing method of heater device]
Next,
本実施形態のヒータ装置の製造方法は、転写工程Ｓ５、積層工程Ｓ６及び焼成工程Ｓ７を備えている。 The method for manufacturing the heater device of the present embodiment includes a transfer step S5, a laminating step S6, and a firing step S7.
（転写工程）
転写工程Ｓ５は、パターン状の導電層４を、グリーンシート７に転写して積層物を形成する工程である。図８は、実施形態２に係るヒータ装置１０の製造方法の転写工程Ｓ５を模式的に表した説明図である。図８に示されるように、転写工程Ｓ５では、先ず、導電層４が下側を向きつつ、裏面１ｂが上側を向くように基材１が配置される。そして、パターン状の導電層４がグリーンシート７の表面７ａにおける所定箇所に配置されるように、基材１がグリーンシート７に重ねられる。その後、基材１の表面１ａに付着しているパターン状の導電層４が、グリーンシート７の表面７ａに押し当てられる。その際、導電層４は、裏面１ｂ側から治具等によって基材１越しに押圧されて、グリーンシート７の表面７ａに付着される。このように押圧された後の導電層４は、基材１の表面１ａに対する付着力よりも、グリーンシート７の表面７ａに対する付着力の方が大きくなる。そのため、押圧後に、基材１をグリーンシート７側から引き剥がすことによって、導電層４が基材１から剥離されてグリーンシート７へ転写される。このようにして、グリーンシート７上にパターン状の導電層４が形成された積層物８が形成される。
(Transfer process)
The transfer step S5 is a step of transferring the patterned
グリーンシート７は、例えば、以下の方法によって製造される。窒化アルミニウム粉末、酸化イットリウム粉末、アクリル系樹脂（バインダ）、分散剤、可塑剤等をそれぞれ適量で含む混合物に、トルエン等の有機溶剤を加えて、それらの混合物をボールミルで混練し、得られた混練物をドクターブレード法によってシート状に成形することにより、グリーンシート７が得られる。グリーンシート７は、本発明の目的を損なわない限り、公知のものを用いることができる。 The green sheet 7 is manufactured by, for example, the following method. An organic solvent such as toluene was added to a mixture containing aluminum nitride powder, yttrium oxide powder, acrylic resin (binder), dispersant, plasticizer, etc. in appropriate amounts, and the mixture was kneaded with a ball mill to obtain the result. A green sheet 7 is obtained by molding the kneaded product into a sheet by the doctor blade method. As the green sheet 7, known ones can be used as long as the object of the present invention is not impaired.
（積層工程）
積層工程Ｓ６は、転写工程Ｓ５後に得られた積層物８に対して、他のグリーンシート１７，２７等が積層される工程である。図９は、実施形態２に係るヒータ装置１０の製造方法の積層工程を模式的に表した説明図である。本実施形態の場合、グリーンシート７上に導電層４が積層された積層物８に対して、グリーンシート１７、チャック電極用の導電部９、グリーンシート２７がこの順で積層される。グリーンシート１７は、導電層４を覆うようにグリーンシート７に積層される。このようにして、積層物１８が形成される。積層物１８は、必要に応じて熱圧着されてもよい。
(Laminating process)
The laminating step S6 is a step in which other
グリーンシート１７，２７としては、上述したグリーンシート７と同様の物が使用される。また、導電部９は、公知の電極用インクを使用して印刷により、グリーンシート１７上に形成される。なお、積層物１８には、ビア用インクを使用して、印刷によりビア用の導電部等が形成されてもよい。
As the
（焼成工程）
焼成工程Ｓ７は、積層物１８（積層物８を含む）を焼結して、導電層４より形成されるヒータ電極４１を含むヒータ装置１０を得る工程である。図１０は、実施形態２に係るヒータ装置１０の製造方法の焼成工程を模式的に表した説明図である。焼成工程Ｓ７では、積層物８を含む積層物１８が焼結される。なお、焼成工程Ｓ７の前に、必要に応じて、窒素雰囲気下で加熱（例えば、５５０℃で１２時間）して脱脂する脱脂工程を行ってもよい。
(Baking process)
The firing step S7 is a step of sintering the laminate 18 (including the laminate 8) to obtain a
焼成工程Ｓ７は、例えば、積層物１８を、加湿した水素窒素雰囲気下で、所定の温度（例えば１９００℃）で所定時間（例えば、４時間）、焼成することにより行われる。このような焼成工程Ｓ７を経ることによって、積層物１８中のグリーンシート７，１７，２７が焼結して、セラミックス本体部７１となる。そして、導電層４は、焼結してヒータ電極４１となり、導電部９は、焼結してチャック電極９１となる。このようにして、セラミックス板状のヒータ装置１０が製造される。このようなヒータ装置１０に、ベース部材（不図示）が接合等されることによって、静電チャックが得られる。
The firing step S7 is performed, for example, by firing the laminate 18 in a humidified hydrogen-nitrogen atmosphere at a predetermined temperature (for example, 1900 ° C.) for a predetermined time (for example, 4 hours). By going through such a firing step S7, the
以上のような各工程を備えたヒータ装置の製造方法により、ヒータ装置１０が得られる。
The
＜実施形態３＞
〔配線基板の製造方法〕
次いで、本発明の実施形態３を、図１１〜図１３を参照しつつ説明する。本実施形態は、配線基板の製造方法である。図１１は、実施形態３に係る配線基板の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態の配線基板の製造方法は、実施形態１と同様の製造方法で製造されたパターン状の導電層を利用して、配線基板を製造するものである。ここでは、後述する絶縁性基板が有機系材料からなる配線基板の製造方法について説明する。
<Embodiment 3>
[Manufacturing method of wiring board]
Next, Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 13. This embodiment is a method for manufacturing a wiring board. FIG. 11 is a flowchart showing a method of manufacturing the wiring board according to the third embodiment. The method for manufacturing a wiring board of the present embodiment is to manufacture a wiring board by using a patterned conductive layer manufactured by the same manufacturing method as that of the first embodiment. Here, a method for manufacturing a wiring board in which the insulating substrate described later is made of an organic material will be described.
本実施形態の配線基板の製造方法は、接着剤付与工程Ｓ１５、転写工程Ｓ１６、熱処理工程Ｓ１７及び保護層形成工程Ｓ１８を備えている。 The method for manufacturing a wiring board of the present embodiment includes an adhesive applying step S15, a transfer step S16, a heat treatment step S17, and a protective layer forming step S18.
（接着剤付与工程）
接着剤付与工程Ｓ１５は、実施形態１と同様の製造方法で製造されたパターン状の導電層４Ａの表面に、接着剤１１（図１２参照）を付与する工程である。導電層４Ａの表面に対して、接着剤１１は、公知の付与方法（刷毛等による塗布や印刷）等を利用して付与される。また、接着剤１１は、公知のものが採用される。
(Adhesive application process)
The adhesive applying step S15 is a step of applying the adhesive 11 (see FIG. 12) to the surface of the patterned conductive layer 4A manufactured by the same manufacturing method as in the first embodiment. The adhesive 11 is applied to the surface of the conductive layer 4A by using a known application method (application or printing by a brush or the like) or the like. Further, as the adhesive 11, a known adhesive is adopted.
（転写工程）
転写工程Ｓ１６は、パターン状の導電層４Ａを、絶縁性基板１２に転写する工程である。 図１２は、実施形態３に係る配線基板の製造方法の転写工程Ｓ１６を模式的に表した説明図である。図１２には、基材１Ａの表面１Ａａ上に形成されたパターン状の導電層４Ａ上に、接着剤１１が塗布された状態が示されている。転写工程Ｓ１６では、先ず、接着剤１１が塗布された導電層４Ａが下側を向きつつ、裏面１Ａｂが上側を向くように基材１Ａが配置される。そして、パターン状の導電層４Ａが、絶縁性基板１２の表面における所定箇所に配置されるように、基材１Ａが絶縁性基板１２に重ねられる。その際、導電層４Ａは、接着剤１１を介して絶縁性基板１２上に押し当てられる。絶縁性基板１２としては、例えば、ポリイミド製の絶縁性基板（有機系の絶縁性基板の一例）が使用される。導電層４Ａは、裏面１Ａｂ側から治具等によって基材１Ａ越しに押圧されて、絶縁性基板１２の表面１２ａに接着される。このように接着剤１１で接着された後の導電層４Ａは、基材１Ａの表面１Ａａに対する接着力（付着力）よりも、絶縁性基板１２の表面１２ａに対する接着力の方が大きくなる。そのため、押圧後に、基材１Ａを絶縁性基板１２側から引き剥がすことによって、導電層４Ａが基材１Ａから剥離されて絶縁性基板１２へ転写される。このようにして、絶縁性基板１２上にパターン状の導電層４Ａが転写される。
(Transfer process)
The transfer step S16 is a step of transferring the patterned conductive layer 4A to the insulating
（熱処理工程）
熱処理工程Ｓ１７は、絶縁性基板１２上の導電層４Ａを熱処理して、導電層４Ａを硬化（焼結）させることにより、パターン状の配線（導電配線）４２を形成する工程である。パターン状の導電層４Ａは、絶縁性基板１２や接着剤１１と共に加熱される。そのため、絶縁性基板１２や接着剤１１は、耐熱性を考慮して適宜、選択される。
(Heat treatment process)
The heat treatment step S17 is a step of forming a patterned wiring (conductive wiring) 42 by heat-treating the conductive layer 4A on the insulating
（保護層形成工程）
保護層形成工程Ｓ１８は、絶縁性基板１２上に形成されたパターン状の配線４２を覆うように、絶縁性基板１２上に保護層１３を形成する工程である。保護層１３は、例えば、絶縁性の樹脂（例えば、エポキシ樹脂）等を含む液状の保護剤の硬化物からなる。図１３は、実施形態３に係る配線基板２０の製造方法の保護層形成工程Ｓ１８を模式的に表した説明図である。図１３に示されるように、配線４２を覆うように絶縁性基板１２上に保護層１３が形成されると、配線基板２０が得られる。
(Protective layer forming process)
The protective layer forming step S18 is a step of forming the
以上のような各工程を備えた配線基板の製造方法により、配線基板２０が得られる。本実施形態の配線基板の製造方法は、上述したように、パターン状の導電層４Ａを、絶縁性基板１２に転写して、導電層４Ａより形成される配線４２を含む配線基板２０を形成するものである。
The
＜実施形態４＞
〔配線基板の製造方法〕
次いで、本発明の実施形態４を、図１４〜図１７を参照しつつ説明する。本実施形態は、配線基板の製造方法である。図１４は、実施形態４に係る配線基板の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態の配線基板の製造方法は、実施形態１と同様の製造方法で製造されたパターン状の導電層を利用して、配線基板を製造するものである。ここでは、後述する絶縁性基板が無機系材料からなる配線基板の製造方法について説明する。
<
[Manufacturing method of wiring board]
Next,
本実施形態の配線基板の製造方法は、転写工程Ｓ２６、保護層形成工程Ｓ２７及び焼成工程Ｓ２８を備えている。 The method for manufacturing a wiring board of the present embodiment includes a transfer step S26, a protective layer forming step S27, and a firing step S28.
（転写工程）
転写工程Ｓ２６は、パターン状の導電層４Ｂを、絶縁性基板２２に転写する工程である。図１５は、実施形態４に係る配線基板の製造方法の転写工程Ｓ２６を模式的に表した説明図である。図１５に示されるように、転写工程Ｓ２６では、先ず、導電層４Ｂが下側を向きつつ、裏面１Ｂｂが上側を向くように基材１Ｂが配置される。そして、パターン状の導電層４Ｂが、絶縁性基板２２の表面２２ａにおける所定箇所に配置されるように、基材１Ｂが絶縁性基板２２に重ねられる。絶縁性基板２２としては、例えば、グリーンシート（セラミックグリーンシート）（無機系の絶縁性基板の一例）が使用される。その後、基材１Ｂの表面１Ｂａに付着しているパターン状の導電層４Ｂが、絶縁性基板２２の表面２２ａに押し当てられる。その際、導電層４Ｂは、裏面１Ｂｂ側から治具等によって基材１Ｂ越しに押圧されて、絶縁性基板２２の表面２２ａに付着される。このように押圧された後の導電層４Ｂは、基材１Ｂの表面１Ｂａに対する付着力よりも、絶縁性基板２２の表面２２ａに対する付着力の方が大きくなる。そのため、押圧後に、基材１Ｂを絶縁性基板２２側から引き剥がすことによって、導電層４Ｂが基材１Ｂから剥離されて絶縁性基板２２へ転写される。このようにして、絶縁性基板（グリーンシート）２２上にパターン状の導電層４Ｂが形成される。このようにして、絶縁性基板２２上にパターン状の導電層４Ｂが転写される。
(Transfer process)
The transfer step S26 is a step of transferring the patterned
（保護層形成工程）
保護層形成工程Ｓ２７は、導電層４Ｂを覆うように絶縁性基板２２上に絶縁性の保護層２３を形成する工程である。図１６は、実施形態４に係る配線基板の製造方法の保護層形成工程Ｓ２７を模式的に表した説明図である。保護層２３としては、例えば、上記絶縁性基板２２に使用したグリーンシートと同様のグリーンシートが利用される。グリーンシートからなる保護層２３は、導電層４Ｂを覆うように絶縁性基板２２上に積層される。
(Protective layer forming process)
The protective layer forming step S27 is a step of forming the insulating
（焼成工程）
焼成工程Ｓ２８は、絶縁性基板２２上に導電層４Ｂ及び保護層２３が積層された積層物を焼結して、導電層４Ｂより形成される配線（導電配線）４３を含む配線基板３０を得る工程である。図１７は、実施形態４に係る配線基板の製造方法の焼成工程を模式的に表した説明図である。焼成工程Ｓ２８において、導電層４Ｂを含む上記積層物が焼結される。なお、焼成工程Ｓ２８の前に、必要に応じて、窒素雰囲気下で加熱して脱脂する脱脂工程を行ってもよい。
(Baking process)
In the firing step S28, the laminate in which the
焼成工程Ｓ２８は、例えば、上記積層物を、加湿した水素窒素雰囲気下で、所定の温度で所定時間、焼成することにより行われる。このような焼成工程Ｓ２８を経ることによって、上記積層物中の絶縁性基板２２及び保護層２３が焼結して、セラミックス本体部７２となる。そして、導電層４Ｂは、焼結して配線４３となる。
The firing step S28 is performed, for example, by firing the laminate in a humidified hydrogen-nitrogen atmosphere at a predetermined temperature for a predetermined time. Through the firing step S28, the insulating
以上のような各工程を備えた配線基板の製造方法により、配線基板３０が得られる。
The
〔導電層の断面形状〕
図１８は、実施形態１の導電層４の断面形状を模式的に表した説明図である。図１８には、線状の導電層４を幅方向に沿って切断した際の断面図が示されている。図１８に示されるように、実施形態１の導電層４の断面は、矩形状に近い台形状をなしている。導電層４の表面（上面）は略平坦であり、導電層４の厚みは、略設定値（基材からの高さｈ）となっている。また、導電層４の両側面（台形の斜辺）は、基材から略垂直に同程度立ち上がっており、導電層４の断面は、矩形状に近い、斜辺の長さが等しい等脚台形のような形となっている。なお、図１８（及び後述の図１９）において、符号Ｔで示される台形は、予め設定されている導電層４の目標とする形状（台形状）である。このように、レーザ光を利用して導電ペースト層を切断する実施形態１の製造方法によって得られた導電層４は、形状精度が高い。
[Cross-sectional shape of conductive layer]
FIG. 18 is an explanatory view schematically showing the cross-sectional shape of the
なお、レーザ光を利用して形成されたパターン状の導電層４は、その断面形状は、幅方向の中心を通る中心線Ｌに対して線対象（左右対称）の形状（台形状）となっている。このように、レーザ光を利用して形成されたパターン状の導電層４は、断面積等の数値管理が容易であり、レーザ光のビーム径や、導電ペースト層の塗工厚み等を適宜、調整することで、導電層４の断面形状を制御することが可能である。
The cross-sectional shape of the patterned
図１９は、比較例の導電層４Ｘの断面形状を模式的に表した説明図である。比較例の導電層４Ｘは、スクリーン印刷によって、実施形態１と同様のパターンを有する導電層４Ｘを形成した場合である。比較例の導電層４Ｘは、図１９に示されるように、表面（上面）は平坦でなく、厚みムラが見られる。導電層４Ｘの側面の立ち上がる角度は、予定より小さく、側面がなだらかな斜面となっている。しかも、導電層４Ｘの両側面側の厚みが中央側よりも厚くなっている。このように、スクリーン印刷によって線幅の小さい導電層を形成すると、形状精度が悪く、導電層にばらつきが生じ易い。導電層４Ｘの形状精度が悪いと、例えば、導電層４Ｘからヒータ電極を形成した場合に、ヒータ電極の温度分布にばらつきが生じてしまう。
FIG. 19 is an explanatory view schematically showing the cross-sectional shape of the
１…基材、１ａ…基材の表面、２…導電ペースト層、２ａ…第１部、２ｂ…第２部、３…レーザ光、４…導電層、５…レーザ溝、６…余白部、７…グリーンシート、８…積層物、１０…ヒータ装置、１１…接着剤、１２…絶縁性基板、１３…保護層、１７…グリーンシート、１８…積層物、２０…配線基板、２２…絶縁性基板、２３…保護層、４１…ヒータ電極、４２…配線、９１…チャック電極 1 ... base material, 1a ... surface of base material, 2 ... conductive paste layer, 2a ... first part, 2b ... second part, 3 ... laser light, 4 ... conductive layer, 5 ... laser groove, 6 ... margin part, 7 ... Green sheet, 8 ... Laminate, 10 ... Heater device, 11 ... Adhesive, 12 ... Insulation substrate, 13 ... Protective layer, 17 ... Green sheet, 18 ... Laminate, 20 ... Wiring substrate, 22 ... Insulation Substrate, 23 ... protective layer, 41 ... heater electrode, 42 ... wiring, 91 ... chuck electrode
Claims (6)
前記導電ペースト層に対して、前記基材の透過率が前記導電ペーストの透過率よりも大きいレーザ光を照射して、前記導電ペースト層をパターン状に切断することで、前記基材の表面上にパターン状の導電層を形成するレーザ加工工程とを備える導電層の製造方法。 A coating process in which a conductive paste containing metal powder and resin is applied onto the surface of a base material to form a conductive paste layer, and
The conductive paste layer is irradiated with a laser beam having a transmittance higher than that of the conductive paste, and the conductive paste layer is cut into a pattern on the surface of the substrate. A method for manufacturing a conductive layer, which comprises a laser processing step of forming a patterned conductive layer.
前記積層物を焼結して、前記導電層より形成されるヒータ電極を含むヒータ装置を得る焼成工程とを備えるヒータ装置の製造方法。 A transfer step of transferring the patterned conductive layer obtained by the method for producing a conductive layer according to any one of claims 1 to 4 onto a green sheet to form a laminate.
A method for manufacturing a heater device, which comprises a firing step of sintering the laminate to obtain a heater device including a heater electrode formed from the conductive layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020004312A JP2021111744A (en) | 2020-01-15 | 2020-01-15 | Manufacturing method for conductive layer, manufacturing method for wiring board and manufacturing method for heater device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020004312A JP2021111744A (en) | 2020-01-15 | 2020-01-15 | Manufacturing method for conductive layer, manufacturing method for wiring board and manufacturing method for heater device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021111744A true JP2021111744A (en) | 2021-08-02 |
Family
ID=77060232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020004312A Pending JP2021111744A (en) | 2020-01-15 | 2020-01-15 | Manufacturing method for conductive layer, manufacturing method for wiring board and manufacturing method for heater device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021111744A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114449774A (en) * | 2022-02-28 | 2022-05-06 | 厦门市匠研新材料技术有限公司 | Manufacturing process of conducting circuit |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344961A (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-21 | Fujifilm Electronic Imaging Ltd | Method of forming conductive pattern on substrate |
| JP2016072567A (en) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 日本特殊陶業株式会社 | Component for semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2019021867A (en) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of electrostatic chuck plate |
| WO2019203021A1 (en) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | リンテック株式会社 | Workpiece processing sheet |
-
2020
- 2020-01-15 JP JP2020004312A patent/JP2021111744A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344961A (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-21 | Fujifilm Electronic Imaging Ltd | Method of forming conductive pattern on substrate |
| JP2016072567A (en) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 日本特殊陶業株式会社 | Component for semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2019021867A (en) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of electrostatic chuck plate |
| WO2019203021A1 (en) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | リンテック株式会社 | Workpiece processing sheet |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114449774A (en) * | 2022-02-28 | 2022-05-06 | 厦门市匠研新材料技术有限公司 | Manufacturing process of conducting circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019192718A (en) | Method of processing wafer | |
| JP2008041927A (en) | Manufacturing method of electrostatic chuck | |
| JP2018026427A (en) | Substrate fixing device and manufacturing method of the same | |
| JPH05315630A (en) | Manufacture of flexible thin film solar cell | |
| JP2021111744A (en) | Manufacturing method for conductive layer, manufacturing method for wiring board and manufacturing method for heater device | |
| KR20100015461A (en) | Stage for substrate temperature control unit | |
| JP7329917B2 (en) | Substrate fixing device | |
| JP6321522B2 (en) | Heating device | |
| KR102361626B1 (en) | Ceramic Direct Bonded Copper Board and Manufacturing Method Thereof | |
| JP2013012693A (en) | Semiconductor module mounting method | |
| JP2006100762A (en) | Method of manufacturing solid-state imaging device | |
| KR100611281B1 (en) | Ceramics heater for semiconductor production system | |
| JP2007184289A (en) | Heater | |
| JPH10209257A (en) | Electrostatic chuck device and its manufacture | |
| JP6634109B2 (en) | Manufacturing method of electrostatic chuck | |
| JP7429173B2 (en) | Manufacturing method of adhesive retaining jig | |
| TWI816902B (en) | Manufacturing method of component connector | |
| JP7487038B2 (en) | Manufacturing method of a jig, a jig, a manufacturing device for a three-dimensional object, and a manufacturing method of a three-dimensional object | |
| JP2002151829A (en) | Substrate for transferring metal section pattern, manufacturing method thereof, and manufacturing method of heat-resistant wiring board using the same | |
| TWI729361B (en) | Temperature sensor element, system for transporting the same and method for producing the same | |
| US20220084866A1 (en) | Electrostatic chuck and substrate fixing device | |
| JP2005056620A (en) | Heater device in semiconductor wafer, and its manufacturing method | |
| JP6882040B2 (en) | Holding device | |
| JP2023068895A (en) | Method for manufacturing adhesive holding jig | |
| TWI692995B (en) | Print circuit board and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221129 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231026 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240116 |