JP2021099340A - 被試験デバイス(dut)から測定機器に試験信号を提供する装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】インバータ又は同様のパワーエレクトロニクスからのハイパワー電気信号のAC電気信号とDC電気信号の両方を測定するプローブヘッドを提供する。【解決手段】被試験デバイス(DUT)から測定機器に試験信号を提供する装置が開示される。装置は、DUTから電気信号を受信するように構成されるプローブヘッド110を備える。プローブヘッド110は電気光学変調器を備える。装置は、光源を備える制御ボックス120も備える。光源は、電気光学変調器に入力光信号を提供するように構成され、電気光学変調器は、DUTからの電気信号に基づいて出力光信号を提供するように構成される。制御ボックス120は、光バイアス制御回路も備える。バイアス制御信号のみが電気光学変調器に提供される。【選択図】図1
Description
ハイパワーエレクトロニクスは、今日の社会においてどこにでもあり、自動車車両及び列車等の種々の試みにおいて適用可能性が増加している。例えば、これらのパワーエレクトロニクスは、直流(DC)信号を交流(AC)信号に変換する又はAC信号をDC信号に変換するインバータをしばしば含む。
しばしば、インバータ又は同様のパワーエレクトロニクスからのAC電気信号とDC電気信号との両方を測定することが所望される。しかしながら、ハイパワー電気信号の直接測定は、グラウンドに電気的に接続される、既知のオシロスコープ又は同様の測定機器にとって実用的でない。
したがって、必要とされるものは、上記で論じた既知の測定機器の少なくとも欠点を克服する装置である。
代表的な実施形態は、以下の詳細な説明を添付図面とともに読むことによって最もよく理解される。種々の特徴は必ずしも一律の縮尺で描かれていないことを強調しておく。実際には、寸法は、議論を明瞭にするために任意に増減させることができる。適用可能な箇所及び実際に役立つ箇所であればどの箇所でも、同様の参照符号は同様の要素を参照する。
以下の詳細な説明では、限定ではなく説明を目的として、具体的な詳細を開示する例示の実施形態が、本教示による一実施形態の十分な理解を与えるために述べられる。しかしながら、本明細書に開示される具体的な詳細から離れた本教示による他の実施形態も、添付の特許請求の範囲の範囲内に留まることが、本開示を利用できる当業者には明らかであろう。その上、既知の装置及び方法の説明は、例示の実施形態の説明を不明瞭にしないために省略される場合がある。そのような方法及び装置は、明らかに本教示の範囲内にある。
本明細書において用いられる術語は、特定の実施形態の説明のみを目的としたものであり、限定することを意図したものではない。定義された用語は、当該定義された用語の技術的意味及び科学的意味に加えて、本教示の技術分野において一般に理解され受け入れられているようなものである。
特に断りのない限り、第1の要素(例えば、光導波路又は送電線)が第2の要素(例えば、それぞれ光学電気(O/E)変調器又はE/O変調器)に接続されると言うとき、これは、これらの2つの要素を互いに接続するのに1つ以上の中間要素又は介在デバイスを用いることができる場合を含む。一方、第1の要素が第2の要素に直接接続されると言うとき、これは、これらの2つの要素が、中間デバイスも介在デバイスも伴うことなく互いに接続される場合のみを含む。同様に、信号が要素に結合されると言うとき、これは、信号を要素に結合するのに1つ以上の中間要素を用いることができる場合を含む。一方、信号が要素に直接結合されると言うとき、これは、中間デバイスも介在デバイスも伴うことなく、信号が要素に直接結合される場合のみを含む。
本明細書及び添付の特許請求の範囲において用いられるような、「一(「a」、「an」)」及び、「その(the)」又は「前記(the)」は、文脈がそうでないことを明らかに示していない限り、単数及び複数の双方の指示対象を含む。したがって、例えば、「一デバイス/デバイス(a device)」は、1つのデバイス及び複数のデバイスを含む。
本明細書及び添付の特許請求の範囲において用いられるような用語「実質的な」又は「実質的に」は、それらの通常の意味に加えて、許容可能な限度又は程度の範囲内であることを意味する。本明細書及び添付の特許請求の範囲において用いられるような用語「約/ほぼ(approximately)」は、その通常の意味に加えて、当業者に許容可能な限度又は量の範囲内であることを意味する。例えば、「ほぼ同じ」は、当業者が、比較されている項目を同じであるとみなすことを意味する。
被試験デバイス(DUT:Device under Test)から測定機器に試験信号を提供する装置の種々の実施形態が本明細書で述べられる。
代表的な実施形態によれば、被試験デバイス(DUT)から測定機器に試験信号を提供する装置は、DUTから電気信号を受信するように構成されるプローブヘッドを備える。プローブヘッドは電気光学変調器を備える。その装置は、電気光学変調器に入力光信号を提供するように構成される光源を備える制御ボックスも備える。電気光学変調器は、DUTからの電気信号に基づいて出力光信号を提供するように構成される。その装置は光バイアス制御回路も備える。バイアス制御信号は電気光学変調器に提供される。
別の代表的な実施形態によれば、被試験デバイス(DUT)から測定機器に試験信号を提供する装置は、DUTから電気信号を受信するように構成されるプローブヘッドを備え、プローブヘッドは電気光学変調器を備える。その装置は、電気光学変調器に入力光信号を提供するように構成されている光源であって、電気光学変調器はDUTからの電気信号に基づいて出力光信号を提供するように構成されるものである、光源と、光バイアス制御回路とを備える制御ボックスも備える。バイアス制御信号のみが電気光学変調器に提供される。
特に、また、図2の検討から認識されるように、本教示によれば、プローブヘッドは、光信号のみを制御ボックスに送信し、光信号を制御ボックスから受信する。したがって、種々の代表的な実施形態のプローブヘッドは、制御ボックス及び測定機器からガルバニック絶縁(galvanically isolated)される。
図1は、代表的な実施形態によるDUTからのハイパワー電気信号の電圧レベルを測定するシステム100の簡略化された概略ブロック図である。
システム100は、センサ先端112及びプローブ114を備えるプローブヘッド110を備える。システム100は制御ボックス120も備え、制御ボックス120は、一端でプローブヘッド110に、また、別の端でプローブインタフェースコネクタ130に接続される。プローブインタフェースコネクタ130は、被試験デバイス(DUT)(図1に示さず)から転送される信号を測定するオシロスコープ140に接続される。
代表的な実施形態によれば、プローブインタフェースコネクタ130及びオシロスコープ140は、既知のデバイスであり、本明細書であまり詳細に述べられない。プローブインタフェースコネクタ130は、制御ボックス120から受信される信号を送信し、その動作中にパワーを制御ボックス120に提供する。
本教示によれば、DUTから受信される信号は、AC成分及びDC成分を含むことができる電気信号である。本明細書でより完全に述べるように、プローブヘッド110は、DUTからの電気信号を、プローブ114を介して受信するようになっている。DUTからの電気信号は、電気光学(E/O)変換器116で受信される。E/O変換器116は、DUTからの電気信号を光信号に変換し、光信号は、光ファイバ118を介して制御ボックス120に送信される。プローブヘッド110によって制御ボックス120に送信された光信号は、オシロスコープによる測定のために、O/E変換器122において電気信号に変換される。
E/O変換器116及びO/E変換器122が、便宜のため象徴的に図1に示すように配設される。しかしながら、本明細書でより完全に述べるように、これらの変換器は、制御ボックス120内だけに、プローブヘッド110内だけに、又は両方の中に配設することができる。さらに、図1のE/O変換器116及びO/E変換器122は、本教示に従って起こる電気/光変換及び光/電気変換を象徴する。そのため、また、本説明が継続するにつれて明らかになるように、プローブヘッド110は、オシロスコープ140を、プローブ114で受信される電気信号及びセンサ先端112からガルバニック絶縁する。プローブ114で受信される電気信号は、AC成分及びDC成分をともに有する比較的高い電圧の電気信号とすることができる。センサ先端112は、抵抗分圧器等の電圧低減ネットワークを組み込むことができるが、DCを保存する必要性は、高電圧DUTとプローブヘッド110との間にガルバニック接続が依然として存在することを意味する。上記で述べたように、高電圧信号は、グラウンドに電気接続されるオシロスコープ140等のオシロスコープによって安全に測定することができない。本教示によって、比較的高い電圧のAC及びDC信号は、制御ボックス120に送信する前に光信号に変換される。本明細書でより完全に述べるように、制御ボックス120は、DUTからの高電圧AC及びDC成分を表す許容可能に低い電圧AC及びDC成分を有する電気信号をオシロスコープ140に提供する。最後に、また、以下でより完全に述べるように、種々の代表的な実施形態によれば、用語DCは、時間変動成分のない電圧信号、又は、光バイアス制御回路(図1に示さず)の周波数応答より小さい周波数若しくはクロスオーバフィルタ(図5に示す)の周波数を有する時間変動成分を有する電圧信号をともに含む。
図2は、代表的な実施形態によるプローブヘッド210及び制御ボックス220の簡略化された概略ブロック図である。プローブヘッド210及び制御ボックス220は、DUT(図2に示さず)からの高電圧AC信号と高電圧DC信号との両方の測定を可能にするためにシステム100内で機能するように適合される。したがって、システム100の説明の種々の詳細は、プローブヘッド210及び制御ボックス220の説明と共通であり、図2の代表的な実施形態の説明を曖昧にすることを回避するために反復しないものとすることができる。
図2を参照すると、制御ボックス220は、レーザ204に入力を提供する電流源202を備える。特に、出力レーザパワーの一部分がフィードバックループを介して電流源202に入力されるため、レーザ204からの信号出力のパワーは、本説明が継続するにつれて明らかになる理由で、実質的に一定のままである。
レーザ204からの出力は第1の光タップ206に提供される。第1の光タップ206は、以下で述べるように、レーザからプローブヘッドに信号出力パワーのかなりの部分を提供する。レーザ204からのパワー出力のわずかな部分(例示的に約1%〜約5%)は、第1のO/E変換器208に提供され、プローブヘッド210内のマッハツェンダ変調器(MZM)234に対する入力パワー(Pin)を表す。本説明が継続するにつれて認識されるように、MZM234は、DUTからの入力電気信号を受信し、光信号を制御ボックスに出力する。したがって、MZM234は、E/O変換器として機能し、したがって、オシロスコープ140を、DUTからの比較的高い電圧のAC及びDC信号から電気絶縁する。
第1のO/E変換器208は、トランスインピーダンス増幅器(TIA:trans-impedance amplifier)(図2に示さず)に接続された光検出器(図2に示さず)を例示的に備え、光バイアス制御回路内211に部分的に又は完全に組み込むことができる。第1のO/E変換器208は、レーザ204からのPinに比例する電気信号209を、光バイアス制御回路211への第1の入力として提供する。特に、Pinが実質的に一定である場合、第1の光タップ206は既定とすることができ、一定入力を光バイアス制御回路211に提供することができる。
光バイアス制御回路211に対する1つの入力として提供されるレーザ204からの電気信号209は、MZM234をバイアスするのを補助する。本説明が継続するにつれて明らかになるように、光バイアス制御回路211からの第1の出力信号212はDAC218に提供される。第1の出力信号はデジタル電気信号であり、プローブヘッド210のMZM234に印加されるバイアス電圧に比例するが、反対の符号を有する。アナログ信号への変換後に、光バイアス制御回路211からの第1の出力信号212は加算回路216に提供される。特に、第3のO/E変換器226及びDAC218からのAC及びDC信号は、加算回路216によってともに加算される。加算回路216は、フィルタリングを提供するために必要とされない。むしろ、加算回路216のインダクタシンボルは単にDC経路を示し、一方、加算回路216のキャパシタシンボルはAC経路を示す。加算回路216からの出力は、適切な電気コネクタ228を介してオシロスコープ(図2に示さず)に提供される。
プローブヘッド210は、図1に示すセンサ先端112及びプローブ114を備えることができる接続部230を介してDUTから入力信号を受信する。入力信号は、AC成分及びDC成分を含み、DC成分は、上記で述べたように、時間変動成分のない電圧信号、又は、光バイアス制御回路211の周波数応答より小さい周波数を有する時間変動成分を有する電圧信号をともに含む。これについては以下でより完全に述べる。
接続部230からの出力はスイッチ232に提供される。図3A及び図3Bに関連して以下でより完全に述べるように、スイッチ232は、DUT信号をMZM234の入力(RF)ポートから切り離して推定DC電圧(inferred DC voltage)を「ゼロ」にするために必要とされる。これは、MZM234のドリフトの存在下でのプローブヘッド210の適切な動作を保証する。スイッチ232が閉鎖され、MZM234が安定でありかつ直交状態(quadrature)にバイアスされると、MZM234に対する第2の入力236、第1の出力信号212、及びDAC218からの信号は全て、DCから光バイアス制御回路211の帯域幅までのDUT信号を表す。しかしながら、外部要因によるMZMバイアスドリフトが著しくなると、本教示によって、スイッチ232は、短時間、開放するため、光バイアス制御回路211及び第1の出力信号212は「ゼロ」にリセットされる。このリセット手順の周波数は、MZM234の特性、環境変化、及び装置の精度要件に依存する。概して、第2の入力236に提供される信号は、スイッチ232が開放しているとき、第2の入力236に比例するオフセットだけ第1の出力信号212と異なる。MZM234は、以下で述べ図3Bに示すように、常に直交状態にバイアスされる。
スイッチが導通することによって、DUTからの入力信号は、MZM234のRF入力に対する第1の入力233として提供される。認識されるように、第1の入力233はアナログ電気信号である。第2の入力236はMZM234に対するバイアス入力として役立つ。第2の入力236に対する信号は、光バイアス制御回路211からのバイアス信号240のDAC238による変換後のアナログ電気信号である。図2に示すように、光バイアス制御回路211からプローブヘッド210へのバイアス信号240はデジタル光信号であり、それにより、DUTからのオシロスコープ140の電気絶縁を保証する。
動作時、入力光信号241はMZM234に提供され、出力光信号242はMZM234から提供される。出力光信号242は、制御ボックス220に提供され、第2の光タップ224に入力される。以下でより完全に述べるように、制御ボックス220の第3のO/E変換器226に対する出力光信号242は、光バイアス制御回路211の周波数応答より大きい周波数を有するAC信号を含む。対照的に、光バイアス制御回路211は、その周波数応答より大きい周波数を有する時間変動(AC)信号に応答しない。これは、光バイアス制御回路211がその帯域幅を超える周波数に応答することができないため予想される。むしろ、光バイアス制御回路211は、DCを含むその帯域幅内にある周波数に応答する。したがって、光バイアス制御回路211はDC信号及びその帯域幅内の信号周波数に関する情報を含み、一方、光バイアス制御回路211は、MZM234に対する第2の入力236にバイアス信号を印加することによって、出力光信号242からこのコンテンツを除去する。したがって、光バイアス制御回路211の帯域幅より大きいAC信号のみが、MZM234の出力光信号242に提供され、その結果、制御ボックス220及び加算回路216にルーティングされる。
DC信号及び光バイアス制御回路211の帯域幅内の周波数を有する信号は、第1の出力信号212及びDAC218によって加算回路216に提供される。加算回路216において、DAC218からのDC信号は、出力光信号242を受信する第3のO/E変換器226からのAC信号に加算される。加算は、第3のO/E変換器226の出力に通じるAC経路及びDAC218からの出力に通じるDC経路における異なる利得又は損失を補償するために重み付けすることができる。加算されたAC及びDC信号は、MZM234に対する第1の入力233(RF入力)を再構成するが、オシロスコープ140に安全にルーティングされる適切に低い電圧を有する。
MZM234からの出力光信号パワーのわずかな部分(例示的に約1%〜約5%)は、第2のO/E変換器222に提供される。第1のO/E変換器208のように、第2のO/E変換器222は、TIA(図2に示さず)に接続された光検出器(図2に示さず)を例示的に備え、光バイアス制御回路211内に部分的に又は完全に組み込むことができる。第2のO/E変換器222は、MZM234からの出力パワー(Pout)に比例する電気信号223を光バイアス制御回路211に提供する。したがって、電気信号223は、光バイアス制御回路に対する第2の入力として役立つ。したがって、代表的な実施形態によれば、MZM234に対する入力パワー(Pin)に比例する電気信号209は光バイアス制御回路211に対する第1の入力として役立ち、MZM234からの出力パワー(Pout)に比例する電気信号223は光バイアス制御回路211に対する第2の入力として役立つ。
以下でより完全に述べるように、代表的な実施形態によれば、MZM234からの出力光信号242の出力パワーとMZM234に提供される入力光信号241の入力パワーとの比(Pout/Pin)は、MZM234、第1の光タップ206及び第2の光タップ224、並びに光ファイバ及びインターコネクト内の損失を考慮した後に0.5に維持される。これは、図3A及び図3Bに関連して以下でより完全に述べるように、MZM234を直交ポイントで動作させる。そのため、動作中に、MZM234は、その直交ポイントで動作するために光バイアス制御回路によってバイアスされる。スイッチ232が係合すると、その大きさに応じて、DUT入力からMZM234のRFポートへの電気信号のDC成分は、MZM234のバイアスを変更し、MZM234をその直交ポイントからシフトさせることができる。これは、次に、MZM234のPout/Pinの比を0.5(又は損失を考慮した後の50%透過)から変更させることになる。図4に関連して以下でより完全に述べるように、光バイアス制御回路211は、MZM234に対する第2の入力236に提供されるバイアス信号240をより低い又はより高い値に変更して、MZM234のPout/Pinを0.5に戻すように適合される。したがって、DUTからの電気信号のDC成分によって引き起こされるMZM234のバイアスのシフトは、MZM234のバイアスを変化させ(増加させ又は減少させ)、所望の0.5からのPout/Pinの比の変化をもたらす。MZM234のPout/Pinの比を0.5に戻すために、バイアス信号240及び第2の入力236は光バイアス制御回路211によって変更される。その変更は、第1の入力233のDC成分によって引き起こされるMZM234の所望の直交バイアスからのシフトを補償する。そのため、第2の入力236は、第1の入力233に含まれるDCに対して大きさが比例するが、場合によっては符号が反対である。これは、MZM234のPout/Pinの比を0.5に戻す。上記で述べたように、また、以下でより完全に述べるように、光バイアス制御回路211からの第1の出力信号212は、反対の符号を有する場合があるMZM234に印加されるバイアスに比例する。したがって、オシロスコープに提供される第1の出力信号212はDUTからの入力信号のDC成分を表す。
少し別の言い方をすれば、MZM234のバイアス制御は、閉じた制御ループで働く。したがって、第1の入力233におけるDUTからのMZM234のRFポートへのDC電気信号の印加は、MZM234をその直交ポイントから移動させることができる。直交ポイントからのこの移動は、MZM234からの出力光信号242の値の変化及び0.5からのPout/Pinの比の対応する変化を引き起こす。Pout/Pinの比を0.5に戻すために、DUTからの第1の入力233に対するDC電気信号に対して大きさが比例するが、符号が反対である第2の入力236は、直交ポイントからのシフトを相殺するためにMZM234のバイアス入力に印加されなければならない。バイアス信号240及び第2の入力236に対する結果として得られるバイアス信号が適切な直交バイアスを回復させるため、光バイアス制御回路211は第1の入力233のDCに関する情報を含む。したがって、光バイアス制御回路211からの第1の出力信号212及びオシロスコープ140に提供されるDAC218からの結果として得られる電気信号は、DUTからのDC電気信号に比例する。したがって、有益なことには、本教示は、DUTからの比較的高い電圧信号からのDC電圧がオシロスコープ140によって測定されることを可能にする。
図3Aは、代表的な実施形態によるMZM300の上面図である。MZM300は、上記で述べたように、プローブヘッド110、210内に実装され得るとともに、プローブヘッド110、210のE/O変換器として機能する。MZM300の或る特定の詳細及び態様は、例えば上述したMZM234と共通であり、代表的な本実施形態の説明を曖昧にすることを回避するために反復しないものとすることができる。
MZM300は、既知のニオブ酸リチウム(LiNbO3)変調器等の電気光学変調器である。MZM300は光入力301及び光出力302を備える。RF入力303はRF電極304に接続され、RF電極304はMZM300のニオブ酸リチウム材料に結合される。同様に、バイアス入力305はバイアス電極306に接続され、バイアス電極306はMZM300のニオブ酸リチウム材料に結合される。知られているように、ニオブ酸リチウムは電気光学材料である。したがって、RF信号(本教示に合わせてDC信号を含む)及びバイアス信号の印加は、屈折率(nr)の変化をもたらす。認識されるように、RF入力303及びバイアス入力305における電圧の印加は、MZM300を強度変調器として機能させる。
しかしながら、電気光学材料であることに加えて、ニオブ酸リチウムは圧電材料及び焦電材料(pyroelectric material)でもある。したがって、機械力、音響波、及び温度変化はニオブ酸リチウム材料内に電圧を誘起する。さらに、誘電材料(例えば、SiO2)が、しばしば、RF電極304とニオブ酸リチウムとの間、及び、バイアス電極306とニオブ酸リチウムとの間に設けられる。この誘電材料は、誘電体の寄生キャパシタのように働き、電荷蓄積及び結果として得られる静電界を引き起こす可能性がある。それらの発生源によらず、MZM300の外部の因子から誘起されるこれらの電圧は、ニオブ酸リチウムの屈折率(nr)の望ましくない変化、最終的に、MZM300による望ましくない変調源を引き起こす。最終的に、これらの種々の因子は、MZM300のバイアスポイントにおける望ましくないドリフトを引き起こす可能性がある。マッハツェンダ干渉計を構成する2つのアームは、述べた効果を増大させる。
図3Bは、代表的な実施形態によるMZMの透過対印加電圧の伝達関数310(透過曲線と呼ばれることもある)である。当業者によって認識されるように、伝達関数は、干渉計の機能を記述するためにしばしば使用される。
上記で述べたように、代表的な実施形態によれば、MZM234は、印加電圧が50%の透過をもたらすそのMZM直交バイアスポイント311で動作する。認識されるように、MZM234がMZM直交バイアスポイント311で動作すると、Pout/Pinは、MZM、カプラ、及び他のコンポーネント内の損失を考慮した後、0.5に等しい。しかしながら、MZM234のRF入力における第1の入力233としての、DUTからのDC信号の印加は、伝達関数310上でMZMのバイアスポイントのシフトをもたらすことができる。例えば、DUTからのDC信号に基づいて、バイアスポイントは、伝達関数310上のポイント312に又は伝達関数310上のポイント314にシフトすることができる。シフトは、バイアス電極306のバイアス入力305に電圧を印加して補償することができる。RF電極304及びバイアス電極306が、通常、異なる印加電圧(Vπ)を有するため、シフトを補償するバイアス電極306に印加される電圧は、MZM234に対する第1の入力233に含まれるDC値に等しいのではなく、それに比例する。しかしながら、較正後、バイアス電圧の変化は、この時点で明確にするため外部因子によるバイアス変化を排除すると、DUTからのDC信号の尺度である。
バイアスポイントがMZM直交バイアスポイント311から増加又は減少すると、MZM234の透過は相応して変化する。この透過の変化は、損失を考慮した後の、それぞれ0.5より大きい又は0.5より小さいPout/Pinの変化において顕著である。そのため、また、上記で述べた代表的な実施形態に合わせると、光バイアス制御回路211からの第2の入力236は、MZM234の第1の入力233に提供されるDUTからのDC信号に比例して変化する。したがって、光バイアス制御回路211からの第1の出力信号212は、以下で(また上記で)述べるようにスイッチ232を使用して推定されるオフセットを除いて、MZM234に対する第2の入力236におけるバイアス入力信号に比例する。
上記で述べたように、MZM234、300のバイアスポイントのドリフトは、温度及び機械力等の外部因子によって誘起される可能性もある。上記で述べたように、プローブヘッド210に設けられるスイッチ232は、DUTの試験が進行中でないとき、第1の出力信号212のリセットを可能にする。このため、スイッチ232を係脱させることは、DUTからの電気信号がMZM234に印加されることを防止することになる。この状態で、いつも通り、Pout/Pinは0.5に維持され、第1の出力信号212は「ゼロ」に設定される。なぜならば、MZM234のRFポートにDCが存在しないからである。スイッチ232が再係合した後、第1の入力233のDC成分は、たとえ外部因子によってバイアスポイントがMZM直交バイアスポイント311からドリフトしたときでも、正確に推定することができる。全ての場合に、バイアス信号240、したがって、MZM234のバイアス入力に提供される第2の入力236は、損失を考慮した後に、パワー比Pout/Pinを0.5の所望の値に維持し、MZM234は、MZM直交バイアスポイント311で動作する。
第1の出力信号212をゼロにリセットすることは、それぞれの較正された測定前に推奨される。網羅的ではないが、リセットが必要とされるときを決定するために使用される1つの方法は、時間及び温度にわたるMZM234のドリフトを特徴付けることである。これらの結果は、その後、リセットする前の時間を推定するために使用することができる。少し別の言い方をすれば、指定範囲の外でドリフトするのにMZM234がかかる時間を決定することによって、リセットは、その決定された継続時間が経過する前の時間に起こるように設定することができる。
図4Aは、代表的な実施形態によるマッハツェンダ変調器(MZM)434に接続された光バイアス制御回路411の簡略化された概略ブロック図である。図1〜図3Bに関連して述べた代表的な実施形態の種々のコンポーネントの多くの詳細及び態様は、現在述べている代表的な実施形態の光バイアス制御回路411のそれらと共通であり、現在述べている代表的な実施形態の説明を曖昧にすることを回避するために反復しないものとすることができる。
図4Aを参照すると、レーザ(図4に示さず)の出力は第1の光タップ406に提供される。第1の光タップ406は、レーザからの信号出力パワーのかなりの部分を入力パワー(Pin)として、プローブヘッド(図4に示さず)内に配設されるMZM434に提供する。Pinのわずかな部分(例示的に約1%〜約5%)は第1の光検出器430に提供され、第1の光検出器430は第1のTIA440にその出力を提供する。ここでも同様に、Pinが実質的に一定である場合、第1の光タップ406はオプションであり、Pinを表す一定入力を光バイアス制御回路411に提供することができる。
上記で示唆されるように、第1の光検出器430及び第1のTIA440は、本教示に関連して使用されるO/E変換器(例えば、図2に示す第1のO/E変換器208)のうちの1つを提供することができる。
第1のTIA440の出力は、第1のADC441においてデジタル変換を受け、プロセッサ446又はマイクロプロセッサ及びメモリ447を含むことができるコントローラ444に提供される。述べたように、コントローラ444は、有形かつ非一時的であり、1つ以上のプロセッサを表すプロセッサ446を備える。本明細書において用いられるとき、「非一時的」という用語は、状態の永久の特性として解釈されるのではなく、或る期間にわたって持続する状態の特性として解釈されるものとする。プロセッサ446は、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、プロセッサチップ、コントローラ、マイクロコントローラ、デジタル信号プロセッサ(DSP)、状態機械、又はプログラマブルロジックデバイスとすること(を含むこと)もできる。プロセッサ446は、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)等のプログラマブルゲートアレイ(PGA)を含むプログラマブルロジックデバイス(PDL)、又は、離散的ゲート及び/又はトランジスタロジックを含む別のタイプの回路とすること(を含むこと)もできる。プロセッサ446は、中央処理ユニット(CPU)、グラフィクス処理ユニット(GPU)、又は両方とすることができる。さらに、プロセッサ446は、複数プロセッサ、並列プロセッサ、又は両方を含むことができる。複数プロセッサを、単一デバイス又は複数デバイスに含む又は結合することができる。「非一時的」という用語は、特に、搬送波若しくは信号、又は任意の時点に任意の場所に一時的にのみ存在する他の形態の特性等の、一過性の特性を否定する。図4Bに関連して以下でより完全に述べるように、コントローラ444のためのプロセッサ446は、メモリ447に記憶されたソフトウェア命令を実行して、本明細書の種々の実施形態で述べる機能を実施するように構成される。プロセッサ446は、汎用プロセッサとすることができるか、又は、特定用途向け集積回路(ASIC)の一部とすることができる。
メモリ447は、命令を記憶する有形の非一時的コンピュータ可読媒体であり、命令は、プロセッサ446によって実行されると、上記で論じたように、MZM434が直交ポイントでその動作を維持するための特定のバイアスレベルをプロセッサ446に決定させる。本明細書において用いられるとき、「非一時的」という用語は、状態の永久の特性として解釈されるのではなく、或る期間にわたって持続する状態の特性として解釈されるものとする。「非一時的」という用語は、特に、搬送波若しくは信号、又は任意の時点に任意の場所に一時的にのみ存在する他の形態の特性等の、一過性の特性を否定する。本明細書に記載のメモリは、製造品及び/又は機械コンポーネントである。本明細書に記載のメモリは、データ及び実行可能命令をコンピュータによって読み出すことができるコンピュータ可読媒体である。本明細書に記載のメモリは、ランダムアクセスメモリ(RAM)、リードオンリーメモリ(ROM)、フラッシュメモリ、電気的プログラマブルリードオンリーメモリ(EPROM)、電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ(EEPROM)、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、テープ、コンパクトディスクリードオンリーメモリ(CD−ROM)、デジタル多用途ディスク(DVD)、フロッピーディスク、ブルーレイディスク、又は当該技術分野において既知の任意の他の形態の記憶媒体とすることができる。メモリは、揮発性又は不揮発性、セキュア及び/又は暗号化、非セキュア及び/又は非暗号化とすることができる。
メモリ447は、主メモリ若しくはスタティックメモリ、又は両方を含むことができ、メモリはバス(図示せず)を介して互いに通信することができる。本明細書で述べるメモリ447は、データ及び実行可能命令を記憶することができ、命令が内部に記憶されている期間の間、非一時的である、有形の記憶媒体である。他の命令の中でもとりわけ、メモリは、プロセッサによって実行されると、(Pout/Pin)が0.5に維持されるように、MZM434を直交ポイントに維持するために光バイアス制御回路411からのMZM434に対するバイアス入力をプロセッサに決定させる、命令を記憶する。
Poutのわずかな部分(例示的に約1%〜約5%)は第2の光検出器450に提供され、第2の光検出器450は第2のTIA452にその出力を提供する。上記で示唆するように、第2の光検出器450及び第2のTIA452は、本教示に関連して使用されるO/E変換器(例えば、図2に示す第1のO/E変換器208)のうちの1つを提供することができる。第2のTIA452の出力は、第2のADC454においてデジタル変換を受け、コントローラ444に提供される。
コントローラ444は、バイアス信号470を決定し出力し、バイアス信号470はMZM434のDCバイアス入力482として提供される。したがって、図2の代表的な実施形態に関連して述べたバイアス信号240のように、光バイアス制御回路411からのバイアス信号470は、MZM434に対する第2の入力信号を提供し、MZM434に対するバイアス入力として役立つ。
有益なことには、また、図4Bに関して以下でより完全に述べるように、光バイアス制御回路411は、MZM434のPout/Pinを0.5に戻すためにバイアス信号470をより低い又はより高いDC値に変更するように適合される。したがって、DUTからの電気信号のDC成分によって引き起こされるMZM434のバイアスのドリフトは、DCバイアス入力482に印加されるバイアス信号470によって補償される。MZM234のPout/Pinの比を0.5に戻すために、バイアス信号470は、図2の第1の入力233に含まれるDC電圧に比例する大きさだけ、光バイアス制御回路411によって変更される。図2を参照して上記で述べたように、光バイアス制御回路211からの第1の出力信号212は、MZM234に印加されるバイアスに比例する。したがって、オシロスコープ140に提供される第1の出力信号212は、DUTからの入力信号のDC成分を表す。
出力光信号442はMZM434から提供される。出力光信号442は第2の光タップ424に入射する。第2の光タップ424は、レーザからの信号出力パワーのかなりの部分をMZM434からの出力パワー(Pout)としてO/E変換器(図4に示さず)に提供する。例示的に、第2の光タップ424のこの出力は、図2の代表的な実施形態に関連して述べた第3のO/E変換器226である。上記で述べたように、出力光信号442は、光バイアス制御回路411の周波数応答より大きい周波数を有するAC信号のみを、O/E変換器に渡し、最終的にオシロスコープに渡す。ここでも同様に、これは、光バイアス制御回路411がその帯域幅の外にある信号を観測できないために予想される。対照的に、光バイアス制御回路411の帯域幅内にある周波数は検知され、DCバイアス入力482に対する補正がDAC472を通して適用される。
図4Bは、代表的な実施形態による、MZMを直交ポイントに維持するために、光バイアス制御回路からのMZMに対するバイアス入力を設定するためのプロセス460のフローチャートである。上記で述べたように、プロセス460は、メモリに記憶された命令として提供される。これらの命令は、プロセッサ446によって実行されると、(Pout/Pin)が0.5に維持されるようにMZM434を直交ポイントに維持するために、DCバイアス入力482に対して、光バイアス制御回路411からのMZM434に対するバイアス入力をプロセッサ446に反復的に決定させる。
図1〜図4Aに関連して述べた代表的な実施形態の種々のコンポーネントの多くの詳細及び態様は、現在述べている代表的な実施形態のプロセス460のそれらと共通であり、現在述べている代表的な実施形態の説明を曖昧にすることを回避するために反復しないものとすることができる。さらに、プロセス460が、MZM434を所望の直交ポイントに維持することに関連して主に述べられるが、プロセス460の種々の態様及び詳細は、図2の代表的な実施形態に従って述べたプローブヘッド210及び制御ボックス220に、また、図5の代表的な実施形態によるプローブヘッド及び制御ボックスに適用可能である。
461にて、コントローラ444において、それぞれ、ADC441及びADC462からのPout及びPinを表す入力信号が測定される。
462にて、更なる損失についての補正が適用される。補正は、第1の光タップ406及び第2の光タップ424の比、MZM434における損失、第1の光検出器430及び第2の光検出器450のO/E変換係数、並びに第1のTIA440及び第2のTIA452の利得を考慮することを含むことができる。
463にて、Pout/Pinの比が決定される。Pout/Pin比がわかるとどのように進めるかに関する特定の選択は、MZM直交バイアスポイント311の傾斜並びに第1の光検出器430及び第2の光検出器450からコントローラ444への信号経路の特定の利得に依存する。以下の例示的な例において、傾斜がMZM直交バイアスポイント311について示されるようなものであり、信号経路利得が非反転であることが仮定される。
比が0.5より小さいと判定される場合、464にて、DAC472からMZM434のDCバイアス入力482へのバイアス入力信号は、DAC472の最小分解能の整数倍に等しい増分Vstepだけ増加される。DAC472の最小分解能を使用することは、DCバイアス入力482に対するバイアル電圧の十分に精密な制御を提供するが、より大きい整数倍はより速い応答を提供することができる。
次に、増加したバイアス電圧が、上記でまた以下で述べる光バイアス制御回路の最大周波数応答を制限するために、ローパスフィルタ469に提供され、480にて、DAC472の出力は、MZM434のDCバイアス入力482に印加される新しいバイアス電圧に更新される。
481にて、480にてMZM434のDCバイアス入力482に印加されるDAC472からのバイアス電圧は、ΔTの継続時間の間、維持される。ここで、1/ΔTは、461のそれぞれの実行の間の時間間隔であるシステムのサンプリングレートに等しい。既知のナイキストシャノンのサンプリング定理によって、サンプリングレートは、光バイアス制御回路411の所望の周波数応答の少なくとも2倍である。遅延ΔTは、全ての先行するステップの累積遅延とともにコントローラの帯域幅を規定する。
481における遅延ΔTによって、プロセス460は、461における開始を反復する。
代替的に、463にてPout/Pinの比が0.5より大きいと判定される場合、465にて、MZM434のDCバイアス入力482に対するバイアス入力信号は、DAC472の最小分解能の整数倍に等しいVstepだけ減少される。
次に、減少したバイアス電圧が、上述した光バイアス制御回路の最大周波数応答を制限するために、ローパスフィルタ469に提供され、480にて、バイアス電圧は、DAC472からMZM434のDCバイアス入力482に印加される新しいバイアス電圧に更新される。
481にて、MZM434のDCバイアス入力482に印加されるバイアス電圧は、ΔTの継続時間の間、維持される。
481における遅延ΔTによって、プロセス460は、461における開始を反復する。
最後に、463にてPout/Pinの比が0.5の(DAC472の最小位ビットに関連する)小さい割合における又は小さい割合以内の0.5であると判定される場合、466にて、DAC472からのMZM434のDCバイアス入力482に対するバイアス入力信号は、その現在のレベルに維持される。
図5は、別の代表的な実施形態によるプローブヘッド519及び制御ボックス520の簡略化された概略ブロック図である。
プローブヘッド510及び制御ボックス520は、DUT(図5に示さず)からの高電圧AC信号と高電圧DC信号との両方の測定を可能にするためにシステム100内で機能するように適合される。したがって、図1〜図4Bの代表的な実施形態に関連して上述した、システム100、プローブヘッド210、制御ボックス220、光バイアス制御回路411、及びプロセス460の説明の種々の詳細及び態様は、プローブヘッド510及び制御ボックス520の説明と共通とすることができるが、図5の代表的な実施形態の説明を曖昧にすることを回避するために反復しないものとすることができる。
図5を参照すると、制御ボックス520は、レーザ504に対する入力を提供する電流源502を備える。特に、出力レーザパワーの一部分がフィードバックループを介して電流源に入力されるため、レーザ504からの信号出力のパワーは、本説明が継続するにつれて明らかになる理由で、実質的に一定のままである。
レーザ504からの出力は、プローブヘッド510内に配設される第1の光タップ506に提供される。第1の光タップ506は、以下で述べるように、レーザからMZM534に信号出力パワーのかなりの部分を提供する。レーザ504からのパワー出力のわずかな部分(例示的に約1%〜約5%)は、プローブヘッド510内に配設される第1のO/E変換器508に提供される。第1の光タップ506からの光パワーのこのわずかな部分は、プローブヘッド510内のMZM534に対する入力パワー(Pin)を表す。本説明が継続するにつれて認識されるように、MZM534は、DUTからの入力電気信号を受信し、光信号を制御ボックス520に出力する。したがって、MZM534は、E/O変換器として機能し、したがって、オシロスコープを、DUTからの比較的高い電圧のAC及びDC信号から電気絶縁する。
第1のO/E変換器508は、トランスインピーダンス増幅器(TIA)(図5に示さず)に接続された光検出器(図5に示さず)を例示的に備え、上記で論じたように光バイアス制御回路511内に部分的に又は完全に組み込むことができる。第1のO/E変換器508は、レーザ504からのPinに比例する電気信号509を、光バイアス制御回路511に対する第1の入力として提供する。上述したように、レーザ504からの電気信号509は、光バイアス制御回路511に対する1つの入力として提供され、MZM534をバイアスするのを補助する。
動作時、入力光信号541はMZM534に提供され、出力光信号542はMZM534から提供される。出力光信号542は、第2の光タップ524に入力される。制御ボックス520の第3のO/E変換器526に対する出力光信号542は、光バイアス制御回路511の周波数応答より大きい周波数を有するAC信号を含む。出力光信号パワーのわずかな部分(例示的に約1%〜約5%)は、第2のO/E変換器522に提供される。第1のO/E変換器508のように、第2のO/E変換器522は、TIA(図5に示さず)に接続された光検出器(図5に示さず)を例示的に備え、光バイアス制御回路511内に部分的に又は完全に組み込むことができる。第2のO/E変換器522は、MZM534からの出力パワー(Pout)に比例する電気信号523を提供する。電気信号523は、光バイアス制御回路511に対する第2の入力として役立つ。したがって、代表的な実施形態によれば、MZM534に対する入力パワー(Pin)に比例する電気信号509は光バイアス制御回路511に対する第1の入力として役立ち、MZM534からの出力パワー(Pout)に比例する電気信号523は光バイアス制御回路511に対する第2の入力として役立つ。以下でより完全に述べるように、代表的な実施形態によれば、MZM534からの出力光信号542の出力パワーとMZM534に提供される入力光信号541の入力パワーの比(Pout/Pin)は、MZM534、第1の光タップ506及び第2の光タップ524、並びに光ファイバ及びインターコネクト内の損失を考慮した後、0.5に維持される。これは、図3A及び図3Bに関連して上述したように、MZM234を直交ポイントで動作させる。
対照的に、上記でより完全に述べたように、光バイアス制御回路511は、その周波数応答より大きい周波数を有する時間変動(AC)信号に応答しない。ここでも同様に、光バイアス制御回路511は、その帯域幅を超える周波数に応答することができない。光バイアス制御回路511は、その帯域幅内にある周波数に応答する。したがって、バイアスコントローラは、MZM534バイアスドリフトに関する情報を含み、MZM534に対する第2の入力536にバイアス信号を印加することによって、バイアスドリフトを補正する。クロスオーバフィルタ540がDUTからの周波数を低帯域(DC)及び高帯域(AC)に分離し、そのとき、クロスオーバ周波数が1Hz〜10kHzのどこかにあるため、高帯域からの周波数のみがMZM534に印加される。これらの高帯域周波数のみが、MZM534出力の出力光信号542上で変調され、その結果、制御ボックス520及び加算回路516にルーティングされる。
現在述べている代表的な実施形態によれば、プローブヘッド510は、図1に示すセンサ先端112及びプローブ114を備えることができる接続部530を介してDUTから入力信号を受信する。入力信号は、AC成分及びDC成分を含み、DC成分は、上記で述べたように、時間変動成分のない電圧信号、又は、クロスオーバフィルタ540のクロスオーバ周波数より小さい周波数を有する時間変動成分を有する電圧信号をともに含む。これについては以下でより完全に述べる。
上記で述べたように、DUTからの入力信号は、クロスオーバフィルタ540によって低周波帯域と高周波帯域とに分割される。低周波帯域は本教示によるDC信号を含み、クロスオーバフィルタは1Hz〜10kHzのクロスオーバ周波数を有する。DUTからの入力信号の残りは、高周波帯域内の信号を含み、MZM534に対するRF入力である第1の入力533を通して送信される。
対照的に、上記で規定されたDC信号を含む低周波帯域は、クロスオーバフィルタ540によって、図示するアナログ信号としてADC546に提供される。低周波帯域に含まれるDC信号は、その後、デジタル光信号として制御ボックス520のDAC518及び加算回路516に提供される。そのため、ADC546及びDAC518は、低周波光リンクの一部、場合によっては、デジタル光リンクの一部である。加算回路516からの出力は、適切な電気コネクタ528を介してオシロスコープ(図5に示さず)に提供される。
加算回路516において決定される低周波帯域と高周波帯域との重み付き加算が、DUTからのオリジナル信号のスケーリングされたバージョンをもたらさなければならないため、クロスオーバフィルタを記述する伝達関数は、結局1にならなければならない。少し別の言い方をすれば、適切な信号再構成を保証するために、DUTからのオリジナル信号に含まれる情報の喪失又は周波数の喪失が全くなしでなければならない。
上述したように、低周波帯域は、ADC546及びDAC518を含む低周波光リンクを通して送信される。このリンクの実装は、リンクがMZM534を含まないため、DCドリフトを受けない。
クロスオーバフィルタ540によって、DCがMZM534の入力に決して存在しない間、バイアスポイントのドリフトは、環境影響によって、例えば、温度の変動によって依然として起こる可能性がある。しかしながら、光バイアス制御回路511は、MZMを直交状態に常に維持し、したがって、高周波帯域の適切な送信を保証する。
低周波帯域及び高周波帯域が、場合によっては異なる利得又は損失を有する2つの別個の光リンクを通して送信されるため、加算回路516は、上記で述べたように、各信号がともに加算されて、最終的な伝達関数が1に等しくなるように、各信号の適切な重み付けを必要とする可能性がある。これは、DCの減算及び加算を含むとすることができる。上述の重み付けを決定することは、機器較正の一部である。
当業者であれば、請求項に係る発明を実施する際に、図面、開示及び添付の特許請求の範囲の検討により、開示される実施形態に対する他の変形形態を理解し、それを行うことができる。特許請求の範囲において、「を含む」という単語は他の要素を排除しない。或る特定の手段が互いに異なる複数の従属請求項に列挙されているだけであれば、それらの手段を組み合わせて有利に使用することができないことは示されていないものとする。
代表的な実施形態が本明細書に開示されているが、当業者であれば、本教示に従った多くの変形形態が可能であり、添付の特許請求の範囲の範囲内にあることが分かる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲の範囲内にあることを除いて限定されるものではない。
Claims (22)
- 被試験デバイス(DUT)から測定機器に試験信号を提供する装置であって、
前記DUTから電気信号(209)を受信するように構成され、電気光学変調器を備えるプローブヘッド(110)と、
制御ボックス(120)と
を備え、
前記制御ボックス(120)は、前記DUTからの前記電気信号(209)に基づいて出力光信号(242)を提供するように構成されている前記電気光学変調器に入力光信号(241)を提供するように構成されている光源と、光バイアス制御回路(211)とを備え、バイアス制御信号のみが前記電気光学変調器に提供される、装置。 - 前記光バイアス制御回路(211)は、前記電気光学変調器から出力光信号(242)の一部分を受信し、前記電気光学変調器のバイアスを実質的に直交ポイント(312)に維持する、請求項1に記載の装置。
- 前記光バイアス制御回路(211)に提供される前記電気光学変調器からの前記出力光信号(242)は、最初に前記電気信号(209)に変換される、請求項2に記載の装置。
- 前記電気光学変調器はマッハツェンダ変調器(MZM(234))を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記入力光信号(241)は入力パワーレベルを有し、前記出力光信号(242)は出力パワーレベルを有し、前記入力パワーレベルと前記出力パワーレベルとの比は実質的に一定値に維持される、請求項1に記載の装置。
- 前記出力光信号(242)は出力パワーレベルを有し、該出力パワーレベルは実質的に一定値に維持される、請求項1に記載の装置。
- 前記電気信号(209)は、交流(AC)成分及び直流(DC)成分を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記光バイアス制御回路(211)の周波数応答は実質的にDCである、請求項7に記載の装置。
- 前記バイアスの前記DC成分は、前記電気光学変調器から受信される前記AC成分と結合されて、オリジナル電気信号(209)が再構成される、請求項8に記載の装置。
- 被試験デバイス(DUT)から測定機器に試験信号を提供する装置であって、
前記DUTから電気信号(209)を受信するように構成され、電気光学変調器を備えるプローブヘッド(110)と、
制御ボックス(120)と
を備え、
前記制御ボックス(120)は、前記DUTからの前記電気信号(209)に基づいて出力光信号(242)を提供するように構成されている前記電気光学変調器に入力光信号(241)を提供するように構成されている光源であって、ここで、前記電気信号(209)は直流(DC)成分及び交流(AC)成分を有するものである、光源と、前記電気光学変調器にバイアス制御信号を提供するように構成される光バイアス制御回路(211)であって、前記電気光学変調器に対する前記バイアス制御信号は前記DC成分の大きさに比例する、光バイアス制御回路(211)とを備える、装置。 - 前記電気光学変調器に対する前記バイアス制御信号は前記電気信号(209)の前記DC成分を含み、前記電気光学変調器から受信される信号は前記電気信号(209)の前記AC成分を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記光バイアス制御回路(211)は、前記電気光学変調器から出力光信号(242)の一部分を受信し、前記電気光学変調器のバイアスを実質的に直交ポイント(312)に維持する、請求項10に記載の装置。
- 前記光バイアス制御回路(211)に提供される前記電気光学変調器からの前記出力光信号(242)は、最初に前記電気信号(209)に変換される、請求項12に記載の装置。
- 前記電気光学変調器はマッハツェンダ変調器(MZM(234))を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記入力光信号(241)は入力パワーレベルを有し、前記出力光信号(242)は出力パワーレベルを有し、前記入力パワーレベルと前記出力パワーレベルとの比は実質的に一定値に維持される、請求項10に記載の装置。
- 被試験デバイス(DUT)から測定機器に試験信号を提供する装置であって、
前記DUTから電気信号(209)を受信するように構成されるプローブヘッド(110)であって、電気光学変調器と、低周波数出力及び高周波数出力を有し、前記高周波数出力が前記電気光学変調器に提供されるものである、クロスオーバフィルタ(540)とを備えるプローブヘッド(110)と、
光源を備える制御ボックス(120)と
を備え、
前記光源は、前記DUTからの前記電気信号(209)に基づいて出力光信号(242)を提供するように構成されている前記電気光学変調器に入力光信号(241)を提供するように構成され、前記制御ボックス(120)は、前記クロスオーバフィルタ(540)から直流(DC)成分を、そして、前記電気光学変調器から交流(AC)成分を受信するように構成されるものである、装置。 - 前記制御ボックス(120)は光バイアス制御回路(211)を更に備える、請求項16に記載の装置。
- 前記光バイアス制御回路(211)は、前記電気光学変調器から出力光信号(242)の一部分を受信し、前記電気光学変調器のバイアスを実質的に直交ポイント(312)に維持する、請求項17に記載の装置。
- 前記電気光学変調器はマッハツェンダ変調器(MZM(234))を含む、請求項16に記載の装置。
- 前記入力光信号(241)は入力パワーレベルを有し、前記出力光信号(242)は出力パワーレベルを有し、前記入力パワーレベルと前記出力パワーレベルとの比は実質的に一定値に維持される、請求項16に記載の装置。
- 前記電気信号(209)はAC成分及びDC成分を有し、前記プローブヘッド(110)は、前記DC成分が前記電気光学変調器に入力されることを防止し、前記DC成分を前記制御ボックス(120)に提供するように適合された回路を更に備える、請求項16に記載の装置。
- 前記クロスオーバフィルタ(540)の前記低周波数出力から受信される前記DC成分は、前記電気光学変調器から受信される前記AC成分と結合されて、前記DUTからの前記電気信号(209)が再構成される、請求項16に記載の装置。
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