JP2021086846A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Abstract

To provide a substrate processing apparatus provided with a substrate holder capable of reliably sucking washing water or the like in a holding groove, and a substrate processing method.SOLUTION: A substrate holder moves between a descending position in which a held substrate is immersed in stored washing water and an ascending position in which the substrate is housed in a drying chamber. The substrate holder is provided with a guide member, a side holding member 41, and an intermediate holding member. A holding groove G1 is formed on the upper part of the side holding member 41. The holding groove G1 has a V-shape with an upwardly open cross section, and is formed so as to cut out the top of the side holding member 41 from an inclined surface 51 and penetrate to the outer surface side. The holding groove G1 is provided so as to be inclined at an inclination angle θ1. One end of a suction hole S1 is exposed as a suction port S1a in the groove bottom G1a of the holding groove G1.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

シリコンウエハ等の基板を洗浄水で洗浄した後に乾燥させる基板処理装置が知られている。このような基板処理装置として、ＩＰＡ蒸気乾燥方式のものが知られている。 A substrate processing apparatus is known in which a substrate such as a silicon wafer is washed with washing water and then dried. As such a substrate processing apparatus, an IPA steam drying method is known.

ＩＰＡ蒸気乾燥方式の基板処理装置では、まず複数枚の基板を垂直に起立した状態に保持した基板ホルダを降下させて、各基板を処理槽に貯留した洗浄水に浸漬して洗浄する。この後に、基板ホルダを上昇させることで、各基板を洗浄水から引き上げて処理槽の上方の乾燥室内に移動させる。乾燥室内には、それぞれ加熱されたＩＰＡ（イソプロピルアルコール、2-プロパノール）蒸気と窒素ガスが供給されている。温度が低い基板がＩＰＡ蒸気に曝されることによって、基板の表面にＩＰＡ蒸気が凝集し、基板の表面に付着している洗浄水にＩＰＡが溶解していく。この結果、ＩＰＡが溶解した洗浄水が流れ落ち、時間の経過とともに基板の表面の洗浄水がＩＰＡに置換される。基板は、ＩＰＡ蒸気からの熱エネルギーを受けて温度が上昇し、その表面からＩＰＡが蒸発する。 In the IPA steam drying type substrate processing apparatus, first, a substrate holder holding a plurality of substrates in a vertically standing state is lowered, and each substrate is immersed in cleaning water stored in a processing tank for cleaning. After this, by raising the substrate holder, each substrate is pulled out of the washing water and moved to the drying chamber above the treatment tank. Heated IPA (isopropyl alcohol, 2-propanol) vapor and nitrogen gas are supplied to the drying chamber, respectively. When the substrate having a low temperature is exposed to the IPA vapor, the IPA vapor is aggregated on the surface of the substrate, and the IPA is dissolved in the washing water adhering to the surface of the substrate. As a result, the washing water in which the IPA is dissolved flows down, and the washing water on the surface of the substrate is replaced with the IPA over time. The temperature of the substrate rises due to the heat energy from the IPA vapor, and the IPA evaporates from the surface thereof.

一方、基板の表面から洗浄水中へのシリコンの溶出は避けることができない。このため、基板表面に、洗浄水が長時間残留していると、洗浄水が蒸発して基板が乾燥した際に、その表面にシリコンがパーティクルとして析出して半導体デバイスの欠陥となってしまう。基板ホルダでは、基板を保持する保持溝に洗浄水の表面張力等により洗浄水が残留しやすい。 On the other hand, elution of silicon from the surface of the substrate into the washing water cannot be avoided. Therefore, if the cleaning water remains on the surface of the substrate for a long time, when the cleaning water evaporates and the substrate dries, silicon precipitates as particles on the surface and becomes a defect of the semiconductor device. In the substrate holder, the cleaning water tends to remain in the holding groove for holding the substrate due to the surface tension of the cleaning water or the like.

洗浄水を吸引する構造を設けた基板ホルダが特許文献１によって提案されている。この特許文献１の基板ホルダでは、基板の周縁が挿入されて基板を支持する溝部の底面に吸引孔が開口している。吸引孔は、アスピレータに接続されており、溝部の底に貯まる洗浄水等を吸引する。これにより、溝部内に貯まる液体を除去している。 Patent Document 1 proposes a substrate holder provided with a structure for sucking wash water. In the substrate holder of Patent Document 1, a suction hole is opened in the bottom surface of the groove portion into which the peripheral edge of the substrate is inserted and supports the substrate. The suction hole is connected to an ejector and sucks the washing water or the like accumulated at the bottom of the groove. As a result, the liquid accumulated in the groove is removed.

特開平８−８８２１０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-88210

特許文献１に記載された基板ホルダでは、溝部の底面に基板の端面が接触することで基板を支持する。このため、基板の端面が吸引孔を塞いでしまい、溝部に貯まった液体を適正に吸引できなくなることがある。また、基板の端面が吸引孔を塞がなくても、基板の端面が溝部の底面と接触することにより、溝部内が、吸引孔が露呈する側と露呈していない側とに仕切られてしまうことがある。この場合、吸引孔が露呈していない側の液体が十分に吸引されず溝部内に残ることがある。 In the substrate holder described in Patent Document 1, the substrate is supported by the end face of the substrate coming into contact with the bottom surface of the groove. Therefore, the end surface of the substrate may block the suction holes, and the liquid accumulated in the groove may not be properly sucked. Further, even if the end surface of the substrate does not block the suction hole, the end surface of the substrate comes into contact with the bottom surface of the groove portion, so that the inside of the groove portion is divided into a side where the suction hole is exposed and a side where the suction hole is not exposed. Sometimes. In this case, the liquid on the side where the suction holes are not exposed may not be sufficiently sucked and may remain in the groove.

本発明は、上記事情を鑑みてなされものであり、保持溝内の洗浄水等を確実に吸引することができる基板ホルダを備えた基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method provided with a substrate holder capable of reliably sucking cleaning water or the like in a holding groove.

本発明の基板処理装置は、基板を起立した姿勢かつ所定の間隔に配列させて保持する基板ホルダと、洗浄水を貯留する処理槽と、前記基板ホルダを、前記処理槽よりも上方に移動させた上昇位置と、前記基板ホルダに保持された基板を前記処理槽内に貯留された洗浄水中に浸漬する降下位置との間で昇降させる昇降部と、前記基板ホルダに設けられ、基板を配列させる配列方向に延在する保持部材と、前記保持部材の上部に前記配列方向に並べて設けられ、それぞれが上方に開き基板の周縁が挿入される複数の保持溝と、前記保持部材に設けられ、前記複数の保持溝内に周縁が挿入されることで保持された基板と離れる前記複数の保持溝の溝底部の位置にそれぞれ吸引口として一端が露呈した複数の吸引孔と、前記保持部材内に設けられ、前記複数の吸引孔に接続された吸引路と、前記吸引路を介して前記複数の吸引孔に接続され、前記複数の吸引孔のそれぞれに陰圧を発生させる吸引部とを備えるものである。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the substrate holder for holding the substrates in an upright posture and arranged and held at predetermined intervals, the processing tank for storing the washing water, and the substrate holder are moved above the processing tank. An elevating part that elevates and lowers between the ascending position and the descending position where the substrate held in the substrate holder is immersed in the washing water stored in the processing tank, and an elevating portion provided in the substrate holder to arrange the substrates A holding member extending in the arrangement direction, a plurality of holding grooves provided on the upper part of the holding member side by side in the arrangement direction, each of which opens upward and into which the peripheral edge of the substrate is inserted, and the holding member provided with the above. A plurality of suction holes, one end of which is exposed as a suction port, are provided in the holding member at the positions of the groove bottoms of the plurality of holding grooves, which are separated from the substrate held by inserting the peripheral edge into the plurality of holding grooves. It is provided with a suction path connected to the plurality of suction holes and a suction unit connected to the plurality of suction holes via the suction path and generating a negative pressure in each of the plurality of suction holes. is there.

本発明の基板処理方法は、基板の表面を洗浄した後に乾燥させる基板処理方法において、基板ホルダに設けられた保持溝に基板の周縁を挿入した状態にして基板を保持する保持ステップと、貯留された洗浄水に前記基板ホルダとともに基板を浸漬し基板を洗浄する洗浄ステップと、貯留された洗浄水の上方に前記基板ホルダとともに基板を移動して基板表面を乾燥する乾燥ステップと、前記乾燥ステップの際に前記保持溝の溝底部の基板の周縁から離れる位置に露呈した吸引孔の一端から前記保持溝内の液体を吸引する吸引ステップとを有するものである。 The substrate processing method of the present invention is a substrate processing method in which the surface of a substrate is washed and then dried, and the substrate is stored in a holding step in which the peripheral edge of the substrate is inserted into a holding groove provided in the substrate holder to hold the substrate. A cleaning step of immersing the substrate together with the substrate holder in the cleaning water to clean the substrate, a drying step of moving the substrate together with the substrate holder above the stored cleaning water to dry the substrate surface, and the drying step of the drying step. It has a suction step for sucking the liquid in the holding groove from one end of the suction hole exposed at a position away from the peripheral edge of the substrate at the bottom of the holding groove.

本発明によれば、上方に開いた断面Ｖ字状であって、傾斜して設けられた保持溝の溝側面に基板の周縁を接触させて保持し、この保持溝の溝底部の基板の周縁から離れる位置に設けた吸引口で、保持溝内に残留する洗浄水等を吸引するから、洗浄水等を確実に吸引することができる。 According to the present invention, the peripheral edge of the substrate is brought into contact with the side surface of the groove of the holding groove provided with an inclination and has a V-shaped cross section that opens upward, and the peripheral edge of the substrate is held at the bottom of the groove of the holding groove. Since the cleaning water or the like remaining in the holding groove is sucked by the suction port provided at a position away from the suction port, the cleaning water or the like can be reliably sucked.

基板処理装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the substrate processing apparatus. 基板ホルダの外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the appearance of a substrate holder. 基板ホルダによる基板の保持状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the holding state of the substrate by the substrate holder. 側方保持部材に設けた保持溝を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the holding groove provided in the side holding member. 保持溝と基板の接触状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the contact state of a holding groove and a substrate. 保持溝の位置における側方保持部材の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the side holding member at the position of a holding groove. 中間保持部材に設けた保持溝を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the holding groove provided in the intermediate holding member. 保持溝の位置における中間保持部材の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the intermediate holding member at the position of a holding groove. ３点で保持する基板ホルダの外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the appearance of the substrate holder which holds at 3 points. ３点で保持する基板ホルダによる基板の保持状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the holding state of the substrate by the substrate holder which holds at 3 points. 保持溝の位置における中央保持部材の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the central holding member at the position of a holding groove. 保持溝に吸引孔を設けた基板ホルダを用いて乾燥処理を行った基板のパーティクルの付着状態を示すパーティクルマップである。It is a particle map which shows the adhesion state of the particle of the substrate which was dried by using the substrate holder which provided the suction hole in the holding groove. 保持溝に吸引孔を設けていない基板ホルダを用いて乾燥処理を行った基板のパーティクルの付着状態を示すパーティクルマップである。It is a particle map which shows the adhesion state of the particle of the substrate which was dried by using the substrate holder which does not provide the suction hole in the holding groove.

図１において、基板処理装置１０は、基板１１を洗浄水で洗浄する洗浄処理と、洗浄された基板１１を乾燥させる乾燥処理とを行う。基板処理装置１０は、バッチ式で基板処理を行う。この例においては、基板１１は、シリコンウエハ（半導体基板）である。また、洗浄水は、純水（脱イオン水）である。 In FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 performs a cleaning treatment for cleaning the substrate 11 with cleaning water and a drying treatment for drying the cleaned substrate 11. The substrate processing apparatus 10 performs substrate processing in a batch system. In this example, the substrate 11 is a silicon wafer (semiconductor substrate). The washing water is pure water (deionized water).

基板処理装置１０は、槽部１２と、この槽部１２の上部に配される蓋部１４とを備えている。槽部１２は、箱形状の処理槽１５と、この処理槽１５の上部外側に一体に設けられた外槽１６とを有している。処理槽１５には、供給管１７を介して、供給部（図示省略）から供給される洗浄水が貯留される。外槽１６は、処理槽１５から溢れ出た洗浄水を受ける。外槽１６に溢れ出た洗浄水は、ドレイン管１８を介して外部に排出される。なお、処理槽１５は、その底部に接続されたドレイン管１９を通して、処理槽１５内の洗浄水を排出することができる。 The substrate processing device 10 includes a tank portion 12 and a lid portion 14 arranged on the upper portion of the tank portion 12. The tank portion 12 has a box-shaped processing tank 15 and an outer tank 16 integrally provided on the outer side of the upper part of the processing tank 15. The treatment tank 15 stores the washing water supplied from the supply unit (not shown) via the supply pipe 17. The outer tank 16 receives the washing water overflowing from the treatment tank 15. The washing water overflowing into the outer tank 16 is discharged to the outside through the drain pipe 18. The treatment tank 15 can discharge the washing water in the treatment tank 15 through the drain pipe 19 connected to the bottom of the treatment tank 15.

処理槽１５内には、基板ホルダ２１に保持された複数枚の基板１１が配置され、それら基板１１が、処理槽１５に貯留された洗浄水に浸漬される。なお、図１では、図示の便宜上、数枚の基板１１を描いてあるが、実際には５０枚程度の基板１１が基板ホルダ２１に保持される。 A plurality of substrates 11 held by the substrate holder 21 are arranged in the processing tank 15, and the substrates 11 are immersed in the washing water stored in the processing tank 15. Although several substrates 11 are drawn in FIG. 1 for convenience of illustration, about 50 substrates 11 are actually held by the substrate holder 21.

蓋部１４は、実線で示されるように、槽部１２の上部を閉じた閉じ位置と、二点鎖線で示されるように、槽部１２の上部を解放した開き位置との間で回動自在である。この蓋部１４は、モータ２２ａ等で構成される開閉部２２によって、開き位置と閉じ位置に回動される。蓋部１４は、例えば半円筒形状であって、閉じ位置のときに、処理槽１５の上方、すなわち貯留されている洗浄水の液面よりも上方に乾燥室２３を形成する。 The lid portion 14 is rotatable between a closed position in which the upper portion of the tank portion 12 is closed as shown by a solid line and an open position in which the upper portion of the tank portion 12 is opened as shown by a chain double-dashed line. Is. The lid portion 14 is rotated to an open position and a closed position by an opening / closing portion 22 composed of a motor 22a or the like. The lid portion 14 has, for example, a semi-cylindrical shape, and when in the closed position, forms the drying chamber 23 above the treatment tank 15, that is, above the liquid level of the stored washing water.

蓋部１４には、その内側に吐出部２４が設けられている。吐出部２４は、基板１１を乾燥する際に、窒素（Ｎ_２）ガス及びＩＰＡ（イソプロピルアルコール、2-プロパノール）蒸気を乾燥室２３内に供給する。この吐出部２４は、基板１１が並ぶＸ方向（配列方向）に延びたパイプ状であり、例えばＸ方向に沿って複数の吐出穴（図示省略）が形成されている。窒素ガス及びＩＰＡ蒸気は、各吐出穴から、例えば上向きに吐出される。 The lid portion 14 is provided with a discharge portion 24 inside. When the substrate 11 is dried, the discharge unit 24 _{supplies nitrogen (N 2} ) gas and IPA (isopropyl alcohol, 2-propanol) vapor into the drying chamber 23. The discharge portion 24 has a pipe shape extending in the X direction (arrangement direction) in which the substrates 11 are lined up, and for example, a plurality of discharge holes (not shown) are formed along the X direction. Nitrogen gas and IPA vapor are discharged from each discharge hole, for example, upward.

吐出部２４には、ガス供給管２５を介して、窒素ガス供給源及びＩＰＡ供給源（いずれも図示省略）が接続されている。ガス供給管２５上には、ヒータ２６及びフィルタ２７が接続されている。窒素ガス供給源は、窒素ガスをガス供給管２５に供給する。これにより、ヒータ２６で加熱され、フィルタ２７で濾過した窒素ガスを吐出部２４に供給する。ＩＰＡ供給源は、液体のＩＰＡをガス供給管２５に供給する。液体のＩＰＡは、ヒータ２６で加熱されて蒸気とされ、フィルタ２７で濾過されて吐出部２４に供給される。ＩＰＡ蒸気を含む乾燥室２３内のガスは、排気管２８等によって排気することができる。 A nitrogen gas supply source and an IPA supply source (both not shown) are connected to the discharge unit 24 via a gas supply pipe 25. A heater 26 and a filter 27 are connected on the gas supply pipe 25. The nitrogen gas supply source supplies nitrogen gas to the gas supply pipe 25. As a result, the nitrogen gas heated by the heater 26 and filtered by the filter 27 is supplied to the discharge unit 24. The IPA source supplies the liquid IPA to the gas supply pipe 25. The liquid IPA is heated by the heater 26 to be vaporized, filtered by the filter 27, and supplied to the discharge unit 24. The gas in the drying chamber 23 containing the IPA steam can be exhausted by the exhaust pipe 28 or the like.

基板ホルダ２１は、複数の基板１１をそれぞれ鉛直に起立した姿勢、すなわち基板表面（表面、裏面）を上下方向に沿った向きで保持する。複数枚の基板１１は、表面同士、裏面同士、あるいは表面と裏面とを対面させた状態でそれらを所定の間隔で配列させて基板ホルダ２１に保持される。この例では、基板ホルダ２１は、直径３００ｍｍの基板１１を保持する。配列ピッチは、例えば５ｍｍまたは７ｍｍである。 The substrate holder 21 holds the plurality of substrates 11 in a vertically standing posture, that is, the substrate front surface (front surface, back surface) in an orientation along the vertical direction. The plurality of substrates 11 are held in the substrate holder 21 by arranging them at predetermined intervals with the front surfaces facing each other, the back surfaces facing each other, or the front surfaces and the back surfaces facing each other. In this example, the substrate holder 21 holds the substrate 11 having a diameter of 300 mm. The arrangement pitch is, for example, 5 mm or 7 mm.

上記基板ホルダ２１は、連結部３１を介して、昇降部３２に取り付けられている。この昇降部３２によって、基板ホルダ２１は昇降され、保持した基板１１を処理槽１５内の洗浄水に浸漬した降下位置と、基板１１を洗浄水から引き上げて乾燥室２３内に収容し、乾燥処理を行う上昇位置と、この上昇位置よりも高いローディング位置とに移動される。なお、この例では、基板ホルダ２１の一端を昇降部３２に連結して昇降させる構成であるが、基板ホルダ２１の両端を昇降部３２に連結して昇降させる構成としてもよい。 The board holder 21 is attached to the elevating portion 32 via the connecting portion 31. The substrate holder 21 is raised and lowered by the elevating portion 32, and the substrate holder 21 is raised and lowered, and the lowered position where the held substrate 11 is immersed in the cleaning water in the processing tank 15 and the substrate 11 are pulled up from the cleaning water and housed in the drying chamber 23 for drying treatment. It is moved to the ascending position where the above is performed and the loading position higher than this ascending position. In this example, one end of the board holder 21 is connected to the elevating part 32 to move up and down, but both ends of the board holder 21 may be connected to the elevating part 32 to move up and down.

ローディング位置は、基板ホルダ２１に対して基板１１のローディング及びアンローディングを行う位置である。ローディング機構（図示省略）に基板１１を保持した状態で、空の基板ホルダ２１をローディング位置に移動することによって、基板ホルダ２１に基板１１がローディングされる。また、空のローディング機構が待機している状態で、基板ホルダ２１をローディング位置に移動することによって、ローディング機構に基板１１を引き渡し、基板ホルダ２１が下降することによって基板１１が基板ホルダ２１からアンローディングされる。 The loading position is a position where the substrate 11 is loaded and unloaded with respect to the substrate holder 21. The substrate 11 is loaded into the substrate holder 21 by moving the empty substrate holder 21 to the loading position while the substrate 11 is held by the loading mechanism (not shown). Further, while the empty loading mechanism is on standby, the substrate holder 21 is moved to the loading position to deliver the substrate 11 to the loading mechanism, and the substrate holder 21 is lowered to release the substrate 11 from the substrate holder 21. It will be loaded.

基板ホルダ２１には、詳細を後述する保持溝Ｇ１、Ｇ２（図２参照）内に残留する液体（以下、残留液という）を除去するための複数の吸引孔Ｓ１（図４参照）及び吸引孔Ｓ２（図７参照）と、各吸引孔Ｓ１、Ｓ２に接続された吸引路Ｐ１、Ｐ２（図２参照）とが設けられている。吸引路Ｐ１、Ｐ２は、連結部３１に形成された吸引路３５を介して吸引部３７に接続されている。この例では、吸引部３７は、残留液を捕捉する真空トラップ３７ａと、真空ポンプ３７ｂとから構成され、吸引孔Ｓ１、Ｓ２に陰圧を発生させる。これにより、保持溝Ｇ１、Ｇ２内の残留液を吸引孔Ｓ１、Ｓ２から吸引する。なお、吸引孔Ｓ１、Ｓ２で吸引される残留液は、洗浄水、液化したＩＰＡ及びこれらが混合した液体である。 The substrate holder 21 has a plurality of suction holes S1 (see FIG. 4) and suction holes for removing liquid (hereinafter referred to as residual liquid) remaining in the holding grooves G1 and G2 (see FIG. 2), which will be described in detail later. S2 (see FIG. 7) and suction paths P1 and P2 (see FIG. 2) connected to the suction holes S1 and S2 are provided. The suction passages P1 and P2 are connected to the suction portion 37 via a suction passage 35 formed in the connecting portion 31. In this example, the suction unit 37 is composed of a vacuum trap 37a for capturing the residual liquid and a vacuum pump 37b, and generates negative pressure in the suction holes S1 and S2. As a result, the residual liquid in the holding grooves G1 and G2 is sucked from the suction holes S1 and S2. The residual liquid sucked in the suction holes S1 and S2 is wash water, liquefied IPA, and a mixed liquid thereof.

図２に示すように、基板ホルダ２１は、固定板３８、３９と、誘導部材４０と、一対の側方保持部材４１と、一対の中間保持部材４２とを有している。基板ホルダ２１の各部材の材料は特に限定されない。この例では、基板ホルダ２１の各部材は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）で作製されている。 As shown in FIG. 2, the substrate holder 21 has fixing plates 38 and 39, a guide member 40, a pair of side holding members 41, and a pair of intermediate holding members 42. The material of each member of the substrate holder 21 is not particularly limited. In this example, each member of the substrate holder 21 is made of PEEK (polyetheretherketone).

誘導部材４０、側方保持部材４１及び中間保持部材４２は、いずれもＸ方向に延びた板状の部材である。これらの誘導部材４０、側方保持部材４１及び中間保持部材４２は、固定板３８と固定板３９との間に互いに平行に配され、それぞれの端部が固定板３８、３９に固定されている。固定板３９には、連結部３１が取り付けられている。 The guide member 40, the side holding member 41, and the intermediate holding member 42 are all plate-shaped members extending in the X direction. The guide member 40, the side holding member 41, and the intermediate holding member 42 are arranged parallel to each other between the fixing plate 38 and the fixing plate 39, and their respective ends are fixed to the fixing plates 38 and 39. .. A connecting portion 31 is attached to the fixing plate 39.

誘導部材４０は、固定板３８、３９の幅方向（Ｙ方向）の中央に固定されている。この誘導部材４０は、その頂部のＸ方向に直交する断面が三角形状であり、１つの頂点が誘導部材４０の最上部になっている。誘導部材４０は、その最上部と基板１１の最下部の端面との距離が０ｍｍとなるように、その高さが決められている。これにより、基板１１の表面や周縁に沿って最下部にまで流下した洗浄液等の液体を誘導部材４０に伝え流し、基板１１の最下部に液体が滞留することを防止する。基板１１の高さ方向の位置は、後述するように、一対の保持溝Ｇ１に保持されることで決まる。なお、この例では、基板１１と誘導部材４０の最上部との間の距離の公差が＋０．２ｍｍ〜０ｍｍであって、実際には誘導部材４０の頂点に基板１１の最下部の端面が接触しない場合もあるが、基板１１の最下部にまで流下した洗浄液等の液体を誘導部材４０に伝え流すことができる。 The guide member 40 is fixed at the center of the fixing plates 38 and 39 in the width direction (Y direction). The top of the guide member 40 has a triangular cross section orthogonal to the X direction, and one apex is the top of the guide member 40. The height of the guide member 40 is determined so that the distance between the uppermost portion thereof and the lowermost end surface of the substrate 11 is 0 mm. As a result, the liquid such as the cleaning liquid that has flowed down to the lowermost portion along the surface or the peripheral edge of the substrate 11 is transmitted to the guiding member 40, and the liquid is prevented from staying at the lowermost portion of the substrate 11. The position of the substrate 11 in the height direction is determined by being held by a pair of holding grooves G1 as described later. In this example, the tolerance of the distance between the substrate 11 and the uppermost portion of the guiding member 40 is +0.2 mm to 0 mm, and the lowermost end surface of the substrate 11 actually contacts the apex of the guiding member 40. Although it may not be possible, a liquid such as a cleaning liquid that has flowed down to the bottom of the substrate 11 can be transmitted to the induction member 40.

一対の側方保持部材４１は、固定板３８、３９のＹ方向の両端にそれぞれ固定されている。また、一対の側方保持部材４１のそれぞれには、Ｘ方向に上記の配列ピッチで、基板１１の周縁を保持する保持溝Ｇ１が複数形成されている。誘導部材４０と一方の側方保持部材４１との間隔（Ｙ方向の距離）及び誘導部材４０と他方の側方保持部材４１との間隔は同じである。また、側方保持部材４１同士の間隔は、基板１１の直径よりも小さい。 The pair of side holding members 41 are fixed to both ends of the fixing plates 38 and 39 in the Y direction, respectively. Further, each of the pair of side holding members 41 is formed with a plurality of holding grooves G1 for holding the peripheral edge of the substrate 11 at the above-mentioned arrangement pitch in the X direction. The distance between the guiding member 40 and one side holding member 41 (distance in the Y direction) and the distance between the guiding member 40 and the other side holding member 41 are the same. Further, the distance between the side holding members 41 is smaller than the diameter of the substrate 11.

一対の中間保持部材４２のそれぞれには、Ｘ方向に上記の配列ピッチで、基板１１の周縁を保持する複数の保持溝Ｇ２が形成されている。これらの中間保持部材４２は、誘導部材４０と側方保持部材４１との間にそれぞれ配されている。誘導部材４０と一方の中間保持部材４２の間隔（Ｙ方向の距離）及び誘導部材４０と他方の中間保持部材４２の間隔は同じである。 Each of the pair of intermediate holding members 42 is formed with a plurality of holding grooves G2 for holding the peripheral edge of the substrate 11 at the above-mentioned arrangement pitch in the X direction. These intermediate holding members 42 are arranged between the guiding member 40 and the side holding member 41, respectively. The distance between the guiding member 40 and one intermediate holding member 42 (distance in the Y direction) and the distance between the guiding member 40 and the other intermediate holding member 42 are the same.

これにより、図３に示すように、Ｙ方向に直線上に並ぶ一対の側方保持部材４１に形成された保持溝Ｇ１及び一対の中間保持部材４２に形成された保持溝Ｇ２によって、１枚の基板１１が保持される。一対の保持溝Ｇ１は、同じ高さの位置の基板１１の周縁をそれぞれ保持し、一対の保持溝Ｇ２は、同じ高さの基板１１の周縁を保持する。また、保持溝Ｇ２が基板１１を保持する位置は、保持溝Ｇ１が基板１１を保持する位置よりも低く、誘導部材４０の頂点よりも高い。 As a result, as shown in FIG. 3, the holding grooves G1 formed in the pair of side holding members 41 arranged in a straight line in the Y direction and the holding grooves G2 formed in the pair of intermediate holding members 42 form one sheet. The substrate 11 is held. The pair of holding grooves G1 each hold the peripheral edge of the substrate 11 at the same height, and the pair of holding grooves G2 hold the peripheral edge of the substrate 11 at the same height. Further, the position where the holding groove G2 holds the substrate 11 is lower than the position where the holding groove G1 holds the substrate 11, and is higher than the apex of the guiding member 40.

この例では、上述のように保持溝Ｇ１によって基板１１の高さ方向の位置が決まる。すなわち、後述する形状により、一対の保持溝Ｇ１によって、基板１１を所定の高さ方向の位置に保持する。また、保持溝Ｇ１は、基板１１のＸ方向及びＹ方向の移動を規制する。保持溝Ｇ２は、基板１１の周縁のＸ方向の移動を規制することによって、保持溝Ｇ１に保持されている箇所を中心とする基板１１の回転（Ｘ方向への倒れ）を規制する。 In this example, as described above, the holding groove G1 determines the position of the substrate 11 in the height direction. That is, according to the shape described later, the substrate 11 is held at a position in a predetermined height direction by a pair of holding grooves G1. Further, the holding groove G1 regulates the movement of the substrate 11 in the X direction and the Y direction. The holding groove G2 regulates the rotation (tilt in the X direction) of the substrate 11 around the portion held by the holding groove G1 by restricting the movement of the peripheral edge of the substrate 11 in the X direction.

図４に示すように、側方保持部材４１の上部は、その内面すなわち保持される基板１１の中心側となる面が斜め上方を向く傾斜面５１となっている。また、側方保持部材４１の上部の外面は、垂直な面となっている。保持溝Ｇ１は、傾斜面５１から側方保持部材４１の頂部を切り欠いて外面側に貫通するように形成されており、Ｙ方向から見て上方に開いたＶ字状である。また、保持溝Ｇ１は、それが延在する方向すなわち、保持溝Ｇ１の溝底部Ｇ１ａが延在する方向に直交する断面の形状がＶ字状である。保持溝Ｇ１は、傾斜角θ１で傾斜して設けられている。すなわち、その直線状の溝底部Ｇ１ａが水平面に対して傾斜角θ１で傾斜している。このように形成された保持溝Ｇ１は、一対の溝側面５３を有している。 As shown in FIG. 4, the upper portion of the side holding member 41 is an inclined surface 51 whose inner surface, that is, the surface on the center side of the substrate 11 to be held faces diagonally upward. Further, the outer surface of the upper portion of the side holding member 41 is a vertical surface. The holding groove G1 is formed so as to cut out the top of the side holding member 41 from the inclined surface 51 and penetrate the outer surface side, and is V-shaped open upward when viewed from the Y direction. Further, the holding groove G1 has a V-shaped cross section orthogonal to the direction in which it extends, that is, the direction in which the groove bottom portion G1a of the holding groove G1 extends. The holding groove G1 is provided so as to be inclined at an inclination angle θ1. That is, the linear groove bottom portion G1a is inclined with respect to the horizontal plane at an inclination angle θ1. The holding groove G1 thus formed has a pair of groove side surfaces 53.

水平面からの傾きの角度である傾斜角θ１は、傾斜面５１の傾斜角よりも小さくしてある。後述する保持溝Ｇ１の開き角度θ２が一定であるので、保持溝Ｇ１は、傾斜面５１における開口幅（Ｘ方向の長さ）と深さとが、傾斜面５１の上部に向かって直線的に増大する形状である。また、Ｘ方向における一対の溝側面５３の間隔が、下方に向かって漸減するとともに、外側に向かって漸減する。 The inclination angle θ1 which is the angle of inclination from the horizontal plane is made smaller than the inclination angle of the inclination surface 51. Since the opening angle θ2 of the holding groove G1 described later is constant, the opening width (length in the X direction) and the depth of the holding groove G1 on the inclined surface 51 increase linearly toward the upper part of the inclined surface 51. It is a shape to be used. Further, the distance between the pair of groove side surfaces 53 in the X direction gradually decreases downward and outward.

上記のような形状の保持溝Ｇ１は、ローディング時に基板ホルダ２１に対して相対的に近づいてくる基板１１の周縁に溝側面５３が接触することによって、その基板１１の周縁をＸ方向及びＹ方向についての保持溝Ｇ１内の所定位置に案内する。図５に模式的に示すように、一対の保持溝Ｇ１内のそれぞれにおいて基板１１の周縁が一対の溝側面５３にそれぞれ接触することにより、所定の高さ方向の位置で基板１１が一対の保持溝Ｇ１に保持されるとともに、Ｘ方向への移動が規制される。基板１１と保持溝Ｇ１の一対の溝側面５３との接触は、点接触ないし極めて小さい面積での接触である。一対の溝側面５３の両方に基板１１の周縁が接触し、それらの接触点Ｃｐで基板１１を吊った状態になって、保持溝Ｇ１が上下方向に基板１１を支持する。また、保持溝Ｇ１は、傾斜角θ１で傾斜して設けられているため、基板１１のＹ方向への移動が規制される。 The holding groove G1 having the above-mentioned shape causes the peripheral edge of the substrate 11 to come into contact with the peripheral edge of the substrate 11 which is relatively close to the substrate holder 21 during loading, so that the peripheral edge of the substrate 11 is in the X direction and the Y direction. Guide to a predetermined position in the holding groove G1. As schematically shown in FIG. 5, the peripheral edges of the substrate 11 in each of the pair of holding grooves G1 come into contact with the pair of groove side surfaces 53, whereby the substrate 11 holds the pair at a predetermined height direction. It is held in the groove G1 and its movement in the X direction is restricted. The contact between the substrate 11 and the pair of groove side surfaces 53 of the holding groove G1 is a point contact or a contact in an extremely small area. The peripheral edges of the substrate 11 come into contact with both of the pair of groove side surfaces 53, and the substrate 11 is suspended at the contact points Cp, and the holding groove G1 supports the substrate 11 in the vertical direction. Further, since the holding groove G1 is provided so as to be inclined at the inclination angle θ1, the movement of the substrate 11 in the Y direction is restricted.

傾斜角θ１は、Ｙ方向において保持溝Ｇ１が基板１１を保持する位置、基板１１の直径（この例では３００ｍｍ）やＳＥＭＩ規格等に基づいて決められる。この例では、傾斜角θ１は、６０°である。このように、溝底部Ｇ１ａを傾斜させることで、保持溝Ｇ１内の洗浄水等を下方に流れやすくしている。傾斜角θ１は、５０°以上７０°以下の範囲内とすることが好ましい。傾斜角θ１を５０°以上とすれば、洗浄水等の水切れをより良好にでき、７０°以下とすれば基板１１をより良好に保持できる。 The inclination angle θ1 is determined based on the position where the holding groove G1 holds the substrate 11 in the Y direction, the diameter of the substrate 11 (300 mm in this example), the SEMI standard, and the like. In this example, the tilt angle θ1 is 60 °. By inclining the groove bottom portion G1a in this way, the cleaning water or the like in the holding groove G1 can easily flow downward. The inclination angle θ1 is preferably in the range of 50 ° or more and 70 ° or less. When the inclination angle θ1 is 50 ° or more, drainage of washing water or the like can be made better, and when it is 70 ° or less, the substrate 11 can be held better.

保持溝Ｇ１は、上記のように開き角度θ２で開いた断面Ｖ字状である。開き角度θ２は、傾斜角θ１で傾斜した方向すなわち溝底部Ｇ１ａに沿った方向（延在する方向）から見た保持溝Ｇ１のＶ字の角度である。保持溝Ｇ１は、開き角度θ２が大きいほど、保持溝Ｇ１内における残留液を少なくする上で有利であり、開き角度θ２が小さいほど基板１１の保持する位置の精度を高くする上で有利である。このような観点から、開き角度θ２は、５０°以上７０°以下の範囲内とすることが好ましい。７０°以下であれば基板１１を保持する位置の精度を確実に得ることができ、５０°以上であれば基板１１と保持溝Ｇ１との間の残留液を確実に少なくすることができる。この例では、開き角度θ２を６０°としている。なお、図４では、開き角度θ２を誇張して保持溝Ｇ１を描いてある。 The holding groove G1 has a V-shaped cross section opened at an opening angle θ2 as described above. The opening angle θ2 is a V-shaped angle of the holding groove G1 as seen from the direction inclined at the inclination angle θ1, that is, the direction along the groove bottom portion G1a (extending direction). The larger the opening angle θ2 of the holding groove G1, the more advantageous it is in reducing the residual liquid in the holding groove G1, and the smaller the opening angle θ2 is, the more advantageous it is in improving the accuracy of the holding position of the substrate 11. .. From such a viewpoint, the opening angle θ2 is preferably in the range of 50 ° or more and 70 ° or less. If it is 70 ° or less, the accuracy of the position for holding the substrate 11 can be surely obtained, and if it is 50 ° or more, the residual liquid between the substrate 11 and the holding groove G1 can be surely reduced. In this example, the opening angle θ2 is set to 60 °. In FIG. 4, the holding groove G1 is drawn with the opening angle θ2 exaggerated.

上記形状の保持溝Ｇ１は、基板１１の端面が溝底部Ｇ１ａに接触することがないように基板１１を保持する。基板１１の周縁が面取りされてベベル部が形成されている場合でも同様に基板１１が保持溝Ｇ１に保持される。また、保持溝Ｇ１は、溝底部Ｇ１ａが直線状すなわち幅（Ｘ方向の長さ）がない溝底部Ｇ１ａから各溝側面５３が開いて、それらの間隔が上方に向かって傾斜面５１の開口側に向かって漸増するＶ字形状であることから、基板１１の端面が溝底部Ｇ１ａに接触することがない。これにより、基板１１の端面と溝底部Ｇ１ａとの間に形成されている隙間を通って洗浄水等を下方に流すことができる。また、吸引孔Ｓ１による、その隙間を通した残留液の吸引が可能になる。 The holding groove G1 having the above shape holds the substrate 11 so that the end surface of the substrate 11 does not come into contact with the groove bottom portion G1a. Even when the peripheral edge of the substrate 11 is chamfered to form a bevel portion, the substrate 11 is similarly held in the holding groove G1. Further, in the holding groove G1, each groove side surface 53 is opened from the groove bottom portion G1a in which the groove bottom portion G1a is linear, that is, there is no width (length in the X direction), and the distance between them is upward on the opening side of the inclined surface 51. Since the V-shape gradually increases toward, the end surface of the substrate 11 does not come into contact with the groove bottom portion G1a. As a result, the cleaning water or the like can flow downward through the gap formed between the end surface of the substrate 11 and the groove bottom portion G1a. Further, the suction hole S1 enables suction of the residual liquid through the gap.

図４において、傾斜面５１の保持溝Ｇ１の下方の部分には、排出溝５５が形成されている。排出溝５５は、保持溝Ｇ１ごとに設けられている。排出溝５５は、傾斜面５１に沿って、保持溝Ｇ１の下部から傾斜面５１の下側の垂直面まで延在している。この排出溝５５は、上端が保持溝Ｇ１の下部に接続され、他端が開放端になっている。これにより、保持溝Ｇ１内の洗浄水等を排出溝５５に導いて排出させ、保持溝Ｇ１内からの洗浄水等の排出性を高めて保持溝Ｇ１内の残留液を低減する。 In FIG. 4, a discharge groove 55 is formed in a portion of the inclined surface 51 below the holding groove G1. The discharge groove 55 is provided for each holding groove G1. The discharge groove 55 extends along the inclined surface 51 from the lower part of the holding groove G1 to the vertical surface below the inclined surface 51. The upper end of the discharge groove 55 is connected to the lower part of the holding groove G1, and the other end is an open end. As a result, the cleaning water or the like in the holding groove G1 is guided to the discharge groove 55 and discharged, the dischargeability of the washing water or the like from the holding groove G1 is improved, and the residual liquid in the holding groove G1 is reduced.

また、側方保持部材４１の上部の外面には、保持溝Ｇ１ごとに排出溝５６が設けられている。排出溝５６は、鉛直方向に延在しており、その上端が保持溝Ｇ１の上部に接続されている。排出溝５６の下端部は、その深さが下端に向かって漸減している。この排出溝５６によって、保持溝Ｇ１の上部の洗浄水等の排出性を高めて残留液を低減する。なお、排出溝５５、５６の断面形状は、この例では矩形状であるが、特に限定されない。 Further, a discharge groove 56 is provided for each holding groove G1 on the outer surface of the upper portion of the side holding member 41. The discharge groove 56 extends in the vertical direction, and the upper end thereof is connected to the upper portion of the holding groove G1. The depth of the lower end of the discharge groove 56 gradually decreases toward the lower end. The discharge groove 56 enhances the discharge property of the washing water or the like above the holding groove G1 and reduces the residual liquid. The cross-sectional shape of the discharge grooves 55 and 56 is rectangular in this example, but is not particularly limited.

側方保持部材４１の内部には、保持溝Ｇ１ごとに吸引孔Ｓ１が形成されている。また、側方保持部材４１の内部には、Ｘ方向に延在した吸引路Ｐ１が形成されている。吸引孔Ｓ１は、その軸心が溝底部Ｇ１ａを貫通し、吸引孔Ｓ１の一端が溝底部Ｇ１ａに吸引口Ｓ１ａとして露呈している。すなわち、吸引口Ｓ１ａの中心が溝底部Ｇ１ａ上にある。吸引孔Ｓ１の他端は、吸引路Ｐ１に接続されている。吸引孔Ｓ１は、吸引部３７によって発生される陰圧で保持溝Ｇ１内の残留液を吸引する。 Inside the side holding member 41, a suction hole S1 is formed for each holding groove G1. Further, a suction path P1 extending in the X direction is formed inside the side holding member 41. The axis of the suction hole S1 penetrates the groove bottom portion G1a, and one end of the suction hole S1 is exposed to the groove bottom portion G1a as a suction port S1a. That is, the center of the suction port S1a is on the groove bottom portion G1a. The other end of the suction hole S1 is connected to the suction path P1. The suction hole S1 sucks the residual liquid in the holding groove G1 by the negative pressure generated by the suction portion 37.

図６に示すように、吸引口Ｓ１ａは、基板１１の周縁と離隔して設けられている。すなわち、吸引口Ｓ１ａは、基板１１の周縁との間に有限な距離を有する位置に設けられている。このように、吸引口Ｓ１ａを基板１１の周縁から離すことによって、吸引口Ｓ１ａの一部が基板１１で塞がれることを防止する。 As shown in FIG. 6, the suction port S1a is provided so as to be separated from the peripheral edge of the substrate 11. That is, the suction port S1a is provided at a position having a finite distance from the peripheral edge of the substrate 11. By separating the suction port S1a from the peripheral edge of the substrate 11 in this way, it is possible to prevent a part of the suction port S1a from being blocked by the substrate 11.

保持溝Ｇ１内においては、残留液が基板１１の周縁及び溝側面５３に接触することで、その残留液の表面張力による液滴Ｗｄが接触点Ｃｐの近傍に形成される。溝底部Ｇ１ａ上における吸引口Ｓ１ａの位置（中心位置）は、溝底部Ｇ１ａが延在する方向について液滴Ｗｄが形成される範囲の中心と略一致させることがより好ましい。発明者らは、このような位置に吸引口Ｓ１ａを設けることで、液滴Ｗｄをより効果的に吸引することを確認している。 In the holding groove G1, when the residual liquid comes into contact with the peripheral edge of the substrate 11 and the groove side surface 53, the droplet Wd due to the surface tension of the residual liquid is formed in the vicinity of the contact point Cp. It is more preferable that the position (center position) of the suction port S1a on the groove bottom portion G1a substantially coincides with the center of the range in which the droplet Wd is formed in the extending direction of the groove bottom portion G1a. The inventors have confirmed that the droplet Wd can be sucked more effectively by providing the suction port S1a at such a position.

接触点Ｃｐから最短距離となる溝底部Ｇ１ａ上の位置を基準位置とすると、この例では、液滴Ｗｄの範囲は、溝底部Ｇ１ａに沿った方向で、基準位置から上方よりも下方に大きく広がり、液滴Ｗｄの中心が基準位置よりも下方にずれた位置にある。これに応じて、吸引口Ｓ１ａの中心位置を基準位置よりも下方にずらして液滴Ｗｄの中心に一致させている。溝底部Ｇ１ａが延在する方向について液滴Ｗｄが形成される範囲は、実験等によって知ることができ、液滴Ｗｄが形成される既知の範囲に基づいて吸引口Ｓ１ａの中心位置を決めることができる。 Assuming that the position on the groove bottom G1a, which is the shortest distance from the contact point Cp, is the reference position, in this example, the range of the droplet Wd expands greatly downward from the reference position in the direction along the groove bottom G1a. , The center of the droplet Wd is located at a position shifted below the reference position. Correspondingly, the center position of the suction port S1a is shifted downward from the reference position so as to coincide with the center of the droplet Wd. The range in which the droplet Wd is formed in the direction in which the groove bottom G1a extends can be known by experiments or the like, and the center position of the suction port S1a can be determined based on the known range in which the droplet Wd is formed. it can.

なお、吸引口Ｓ１ａの中心位置が液滴Ｗｄの中心と一致しなくても、液滴Ｗｄが形成される範囲内で、吸引口Ｓ１ａの中心位置を基準位置よりも下方にずらして配置することにより、残留液を効果的に低減する効果があるので、このような構成も好ましい。 Even if the center position of the suction port S1a does not coincide with the center of the droplet Wd, the center position of the suction port S1a should be shifted below the reference position within the range where the droplet Wd is formed. Therefore, such a configuration is also preferable because it has an effect of effectively reducing the residual liquid.

吸引孔Ｓ１の軸心方向に投影した吸引口Ｓ１ａの直径は、吸引孔Ｓ１の直径と同じである。このとき、吸引孔Ｓ１の直径は、１ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲内とすることが好ましい。２ｍｍ以下とすることにより、保持溝Ｇ１内での溝側面５３の実質的な間隔を広げず、基板１１の保持を確実に行うことができる。また、１ｍｍ以上とすることにより、残留液を確実に吸引することができる。この例では、吸引孔Ｓ１の直径を１ｍｍとしている。 The diameter of the suction port S1a projected in the axial direction of the suction hole S1 is the same as the diameter of the suction hole S1. At this time, the diameter of the suction hole S1 is preferably in the range of 1 mm or more and 2 mm or less. By setting the thickness to 2 mm or less, the substrate 11 can be reliably held without widening the substantial distance between the groove side surfaces 53 in the holding groove G1. Further, by setting the thickness to 1 mm or more, the residual liquid can be reliably sucked. In this example, the diameter of the suction hole S1 is 1 mm.

図７に示すように、中間保持部材４２の上部は、Ｘ方向に直交する断面が二等辺三角形になっており、斜め上方を向く同じ傾斜角の一対の傾斜面６１が形成されている。この中間保持部材４２の上部に保持溝Ｇ２が形成されている。保持溝Ｇ２は、一対の傾斜面６１にそれぞれ形成されたＶ字溝部６３と、鉛直溝部６４とを有している。 As shown in FIG. 7, the upper portion of the intermediate holding member 42 has an isosceles triangle in a cross section orthogonal to the X direction, and a pair of inclined surfaces 61 having the same inclination angle facing diagonally upward are formed. A holding groove G2 is formed in the upper part of the intermediate holding member 42. The holding groove G2 has a V-shaped groove portion 63 formed on each of the pair of inclined surfaces 61 and a vertical groove portion 64, respectively.

Ｖ字溝部６３は、保持溝Ｇ１と同様に、それが延在する方向と直交する断面形状がＶ字状である。Ｖ字溝部６３は、保持溝Ｇ１と同様に、傾斜面６１よりも大きな溝傾斜角で傾斜させて形成されており、開き角度は一定である。したがって、Ｖ字溝部６３は、傾斜面５１における開口幅（Ｘ方向の長さ）と深さとが、傾斜面６１の上部に向かって直線的に増大する形状である。また、Ｖ字溝部６３の一対の溝側面５３のＸ方向における間隔が、下方に向かって漸減するとともに、中間保持部材４２のＹ方向の中心に向かって漸減する。 Similar to the holding groove G1, the V-shaped groove portion 63 has a V-shaped cross section orthogonal to the direction in which it extends. Like the holding groove G1, the V-shaped groove portion 63 is formed so as to be inclined at a groove inclination angle larger than that of the inclined surface 61, and the opening angle is constant. Therefore, the V-shaped groove portion 63 has a shape in which the opening width (length in the X direction) and the depth of the inclined surface 51 increase linearly toward the upper part of the inclined surface 61. Further, the distance between the pair of groove side surfaces 53 of the V-shaped groove portion 63 in the X direction gradually decreases downward and gradually decreases toward the center of the intermediate holding member 42 in the Y direction.

一対の傾斜面６１にそれぞれ形成された各Ｖ字溝部６３は、Ｙ方向の上部中央で互いに連結しており、これらのＶ字溝部６３によって中間保持部材４２の頂部は、Ｙ方から見て上方に開いたＶ字状である。また、各Ｖ字溝部６３は、下端が開放端になっており、洗浄水等の排出性を高めてある。この例におけるＶ字溝部６３は、溝傾斜角が４０°、開き角が６０°である。保持溝Ｇ２におけるＶ字溝部６３の溝傾斜角及び開き角は、保持溝Ｇ１同様に定義される。 The V-shaped groove portions 63 formed on the pair of inclined surfaces 61 are connected to each other at the upper center in the Y direction, and the top of the intermediate holding member 42 is upward when viewed from the Y direction by these V-shaped groove portions 63. It is a V-shape that opens in. Further, each V-shaped groove portion 63 has an open end at the lower end, which enhances the discharge property of washing water and the like. The V-shaped groove portion 63 in this example has a groove inclination angle of 40 ° and an opening angle of 60 °. The groove inclination angle and the opening angle of the V-shaped groove portion 63 in the holding groove G2 are defined in the same manner as in the holding groove G1.

鉛直溝部６４は、溝幅（Ｘ方向の長さ）を一定にした溝をＹ方向に沿って形成した部分である。この鉛直溝部６４は、中間保持部材４２の頂部よりも低い位置でＹ方向の中央部に設けられている。鉛直溝部６４は、互いに平行な一対の鉛直面と、水平な溝底面６４ａを有している。鉛直面は、Ｘ方向に直交する。鉛直溝部６４の溝幅すなわち鉛直面の間隔は、基板１１の厚みよりわずかに大きくしてある。 The vertical groove portion 64 is a portion in which a groove having a constant groove width (length in the X direction) is formed along the Y direction. The vertical groove portion 64 is provided in the central portion in the Y direction at a position lower than the top portion of the intermediate holding member 42. The vertical groove portion 64 has a pair of vertical surfaces parallel to each other and a horizontal groove bottom surface 64a. The vertical plane is orthogonal to the X direction. The groove width of the vertical groove portion 64, that is, the interval between the vertical surfaces is slightly larger than the thickness of the substrate 11.

保持溝Ｇ２では、一対のＶ字溝部６３の上部により、基板１１の周縁が鉛直溝部６４内に案内されて挿入される。基板１１は、その周縁が鉛直溝部６４に挿入されることによって、鉛直溝部６４の一対の鉛直面によって、上述のように基板１１のＸ方向への倒れが規制される。したがって、Ｖ字溝部６３の上部と鉛直溝部６４とにより、保持溝Ｇ２の上部は、Ｙ方向に直交する断面がＹ字状のＹ字溝と同様な構成となり、Ｖ字溝部６３の下部が洗浄水等の排出路となる構成である。なお、鉛直溝部６４内に挿入される基板１１の周縁の面積は小さい。 In the holding groove G2, the peripheral edge of the substrate 11 is guided and inserted into the vertical groove portion 64 by the upper part of the pair of V-shaped groove portions 63. The peripheral edge of the substrate 11 is inserted into the vertical groove portion 64, and the pair of vertical surfaces of the vertical groove portion 64 regulates the substrate 11 from tilting in the X direction as described above. Therefore, due to the upper portion of the V-shaped groove portion 63 and the vertical groove portion 64, the upper portion of the holding groove G2 has a configuration similar to that of a Y-shaped groove having a Y-shaped cross section orthogonal to the Y direction, and the lower portion of the V-shaped groove portion 63 is cleaned. It is a configuration that serves as a discharge channel for water and the like. The area of the peripheral edge of the substrate 11 inserted into the vertical groove portion 64 is small.

中間保持部材４２の内部には、保持溝Ｇ２ごとに吸引孔Ｓ２が形成されている。また、中間保持部材４２の内部には、Ｘ方向に延在した吸引路Ｐ２が形成されている。吸引孔Ｓ２は、その軸心が鉛直溝部６４の溝底面６４ａの中心を通るように形成されており、その一端が溝底面６４ａ上に吸引口Ｓ２ａとして露呈している。吸引孔Ｓ２の他端は、吸引路Ｐ２に接続されている。この例では、溝底面６４ａの中心は、保持溝Ｇ２のＸ方向及びＹ方向の中心と一致する。 Inside the intermediate holding member 42, a suction hole S2 is formed for each holding groove G2. Further, a suction path P2 extending in the X direction is formed inside the intermediate holding member 42. The suction hole S2 is formed so that its axis passes through the center of the groove bottom surface 64a of the vertical groove portion 64, and one end thereof is exposed as a suction port S2a on the groove bottom surface 64a. The other end of the suction hole S2 is connected to the suction path P2. In this example, the center of the groove bottom surface 64a coincides with the center of the holding groove G2 in the X direction and the Y direction.

上記の吸引孔Ｓ２は、吸引部３７によって発生される陰圧で吸引口Ｓ２ａから保持溝Ｇ２内の残留液を吸引する。なお、符号６７は、鉛直溝部６４の溝幅よりも大きな直径の吸引孔Ｓ２を形成する際に形成された溝である。 The suction hole S2 sucks the residual liquid in the holding groove G2 from the suction port S2a by the negative pressure generated by the suction portion 37. Reference numeral 67 is a groove formed when the suction hole S2 having a diameter larger than the groove width of the vertical groove portion 64 is formed.

吸引孔Ｓ２の直径は、１ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲内とすることが好ましい。２ｍｍ以下とすることにより、基板１１のＸ方向への倒れを確実に規制することができ、１ｍｍ以上とすることにより、残留液を確実に吸引することができる。この例では、吸引孔Ｓ２の直径を１ｍｍとしている。 The diameter of the suction hole S2 is preferably in the range of 1 mm or more and 2 mm or less. When the thickness is 2 mm or less, the tilting of the substrate 11 in the X direction can be reliably regulated, and when the thickness is 1 mm or more, the residual liquid can be reliably sucked. In this example, the diameter of the suction hole S2 is 1 mm.

図８に示すように、中間保持部材４２は、保持溝Ｇ１によって高さが規定される基板１１の端面が溝底面６４ａに接触しないように、溝底面６４ａの高さが調整されている。したがって、溝底面６４ａに形成された吸引口Ｓ２ａは、基板１１の周縁から離した位置に設けられており、吸引口Ｓ２ａの一部または全部が基板１１で塞がれることを防止する。 As shown in FIG. 8, the height of the groove bottom surface 64a of the intermediate holding member 42 is adjusted so that the end surface of the substrate 11 whose height is defined by the holding groove G1 does not come into contact with the groove bottom surface 64a. Therefore, the suction port S2a formed on the bottom surface 64a of the groove is provided at a position away from the peripheral edge of the substrate 11 to prevent a part or all of the suction port S2a from being blocked by the substrate 11.

保持溝Ｇ１、Ｇ２や排出溝５５、５６の各表面は、保持溝Ｇ１、Ｇ２内の残留液の液量を少なくする点から親水性とすることが好ましい。このために、表面が親水性となる材料を用いて基板ホルダ２１を作製することは好ましい。また、上記のようにＰＥＥＫで作製された基板ホルダ２１では、その表面が疎水性となるが、このような場合には、基板ホルダ２１の表面に親水化処理を行って、保持溝Ｇ１、Ｇ２や排出溝５５、５６の各表面を親水性とすることができる。 The surfaces of the holding grooves G1 and G2 and the discharge grooves 55 and 56 are preferably hydrophilic from the viewpoint of reducing the amount of residual liquid in the holding grooves G1 and G2. For this reason, it is preferable to fabricate the substrate holder 21 using a material having a hydrophilic surface. Further, in the substrate holder 21 made of PEEK as described above, the surface thereof becomes hydrophobic. In such a case, the surface of the substrate holder 21 is hydrophilized and the holding grooves G1 and G2 are formed. The surfaces of the discharge grooves 55 and 56 can be made hydrophilic.

貯留している洗浄水から基板ホルダ２１が脱した際に、保持溝Ｇ１、Ｇ２内には、洗浄水が残留液として残留する。また、基板１１の表面に付着している洗浄水をＩＰＡで置換する過程で、洗浄水とＩＰＡとが混合した液体及び液体のＩＰＡが保持溝Ｇ１、Ｇ２内に流下して残留液となる。このため、吸引孔Ｓ１、Ｓ２による吸引は、処理槽１５の上方に基板ホルダ２１が移動した後にも所定時間継続する。この例では、貯留している洗浄水から基板ホルダ２１が脱した際に保持溝Ｇ１、Ｇ２内に残留している残留液（洗浄水）を吸引するには、側方保持部材４１の頂部が貯留している洗浄水の液面に達した時点から１０秒程度の吸引の継続でよいが、洗浄水をＩＰＡで置換する過程で生じる残留液を吸引するために、吸引の継続時間を側方保持部材４１の頂部が、貯留している洗浄水の液面に達した時点から６０秒以上にしている。 When the substrate holder 21 is removed from the stored cleaning water, the cleaning water remains as a residual liquid in the holding grooves G1 and G2. Further, in the process of replacing the cleaning water adhering to the surface of the substrate 11 with the IPA, the liquid and the liquid IPA in which the cleaning water and the IPA are mixed flow down into the holding grooves G1 and G2 and become a residual liquid. Therefore, the suction through the suction holes S1 and S2 continues for a predetermined time even after the substrate holder 21 moves above the processing tank 15. In this example, in order to suck the residual liquid (washing water) remaining in the holding grooves G1 and G2 when the substrate holder 21 is removed from the stored washing water, the top of the side holding member 41 is used. It is sufficient to continue suction for about 10 seconds from the time when the liquid level of the stored washing water is reached, but in order to suck the residual liquid generated in the process of replacing the washing water with IPA, the duration of suction is set to the side. It is 60 seconds or more from the time when the top of the holding member 41 reaches the liquid level of the stored washing water.

さらに、保持溝Ｇ１、Ｇ２内の残留液の液量を少なくするために、基板処理装置１０では、昇降部３２による基板ホルダ２１の上昇速度を制御する。具体的には、昇降部３２は、基板ホルダ２１を降下位置から第１上昇速度で上昇させ、側方保持部材４１の頂部が貯留されている洗浄水の液面に近づくと、例えば液面に達した時点から第２上昇速度で基板ホルダ２１を上昇させ、その第２上昇速度で上昇位置まで上昇させる。なお、貯留されている洗浄水より基板ホルダ２１が脱した後には、基板ホルダ２１の上昇速度を第２上昇速度あるいは第１上昇速度よりも速くしてもよい。また、基板ホルダ２１と貯留された液面との上下方向の位置関係は、昇降部３２に設けたエンコーダ等で検知できる。 Further, in order to reduce the amount of the residual liquid in the holding grooves G1 and G2, the substrate processing device 10 controls the ascending speed of the substrate holder 21 by the elevating portion 32. Specifically, the elevating portion 32 raises the substrate holder 21 from the descending position at the first ascending speed, and when the top of the side holding member 41 approaches the liquid level of the stored washing water, for example, the liquid level is reached. From the time when the substrate holder 21 is reached, the substrate holder 21 is raised at the second rising speed, and is raised to the rising position at the second rising speed. After the substrate holder 21 is removed from the stored washing water, the ascending speed of the substrate holder 21 may be faster than the second ascending speed or the first ascending speed. Further, the vertical positional relationship between the substrate holder 21 and the stored liquid level can be detected by an encoder or the like provided in the elevating unit 32.

発明者らは、基板ホルダ２１の上昇に起因して生じる処理槽１５内の洗浄水の液面の波立の程度が、保持溝Ｇ１、Ｇ２内の残留液の液量に影響を与え、波立の程度が小さいほど残留液の液量を小さくする上で有効であることを確認している。また、基板ホルダ２１の上昇速度を低くすることによって、洗浄水の液面の波立を小さくできることを確認している。洗浄水の液面の波立を小さくする観点からは、上昇速度は３ｍｍ／秒以下とすることが好ましく、基板処理装置１０の好ましい処理効率を確保する観点からは、１ｍｍ／秒以上とすることが好ましい。 The inventors have stated that the degree of undulation of the washing water in the treatment tank 15 caused by the rise of the substrate holder 21 affects the amount of residual liquid in the holding grooves G1 and G2, and the undulation occurs. It has been confirmed that the smaller the degree, the more effective it is in reducing the amount of residual liquid. Further, it has been confirmed that the ripple of the liquid level of the washing water can be reduced by lowering the ascending speed of the substrate holder 21. From the viewpoint of reducing the ripple of the liquid level of the washing water, the ascending speed is preferably 3 mm / sec or less, and from the viewpoint of ensuring the preferable processing efficiency of the substrate processing apparatus 10, it is preferably 1 mm / sec or more. preferable.

また、保持溝Ｇ１、Ｇ２が、貯留されている洗浄水の液面を通過する際に、基板ホルダ２１を遅い上昇速度で上昇させて、保持溝Ｇ１、Ｇ２内の洗浄水が貯留されている洗浄水から保持溝Ｇ１、Ｇ２内の洗浄水が分離されるタイミングを遅くすることによって、洗浄水がその表面張力で保持溝Ｇ１、Ｇ２内に残留する量を低減できる。このような観点から、少なくとも保持溝Ｇ１、Ｇ２が貯留されている洗浄水の液面を通過する際の上昇速度は、１ｍｍ／秒以下とすることが確実に残留液を低減することができるので好ましい。一方、基板処理装置１０の処理効率を高めるには、上昇速度を速くすることが好ましい。 Further, when the holding grooves G1 and G2 pass through the liquid level of the stored washing water, the substrate holder 21 is raised at a slow ascending speed to store the washing water in the holding grooves G1 and G2. By delaying the timing at which the washing water in the holding grooves G1 and G2 is separated from the washing water, the amount of the washing water remaining in the holding grooves G1 and G2 due to its surface tension can be reduced. From this point of view, it is possible to surely reduce the residual liquid by setting the ascending speed at least when passing through the liquid surface of the washing water in which the holding grooves G1 and G2 are stored to 1 mm / sec or less. preferable. On the other hand, in order to increase the processing efficiency of the substrate processing apparatus 10, it is preferable to increase the ascending speed.

このため、降下位置からの上昇では、第１上昇速度で基板ホルダ２１を上昇させ、側方保持部材４１の頂部が貯留されている洗浄水の液面に近づいてからは、第１上昇速度よりも遅い第２上昇速度で基板ホルダ２１を上昇させて、保持溝Ｇ１、Ｇ２が貯留された洗浄水の液面を通過する際の上昇速度を低くすることは好ましい態様である。また、上記から第１上昇速度は、１ｍｍ／秒以上３ｍｍ／秒以下の範囲内することが好ましく、第２上昇速度は、１ｍｍ／秒以下とすることが好ましい。この例では、第１上昇速度を３ｍｍ／秒とし、第２上昇速度を１ｍｍ／秒としている。 Therefore, when ascending from the descending position, the substrate holder 21 is raised at the first ascending speed, and after the top of the side holding member 41 approaches the liquid level of the stored washing water, the substrate holder 21 is raised from the first ascending speed. It is a preferable embodiment that the substrate holder 21 is raised at a slow second ascending speed to reduce the ascending speed when the holding grooves G1 and G2 pass through the liquid surface of the stored washing water. Further, from the above, the first ascending speed is preferably in the range of 1 mm / sec or more and 3 mm / sec or less, and the second ascending speed is preferably 1 mm / sec or less. In this example, the first ascending speed is 3 mm / sec and the second ascending speed is 1 mm / sec.

なお、上記のように、基板ホルダ２１の上昇速度の制御による残留液の低減は、吸引孔Ｓ１、Ｓ２による残留液の吸引を行わない場合でも行う場合でも有用である。吸引を行う場合では、保持溝Ｇ１、Ｇ２内の残留液を低減することで、吸引によって残留液が基板１１に付着していない状態になるまでの時間を短縮でき、基板１１へのパーティクルの付着を低減できるからである。また、吸引孔Ｓ１、Ｓ２から吸引部３７まで吸引系に要求される吸引能力を小さくする上でも有利である。 As described above, the reduction of the residual liquid by controlling the ascending speed of the substrate holder 21 is useful even when the residual liquid is not sucked by the suction holes S1 and S2. In the case of suction, by reducing the residual liquid in the holding grooves G1 and G2, it is possible to shorten the time until the residual liquid does not adhere to the substrate 11 by suction, and the particles adhere to the substrate 11. This is because It is also advantageous in reducing the suction capacity required for the suction system from the suction holes S1 and S2 to the suction portion 37.

次に上記構成の作用について説明する。蓋部１４を開き位置とした状態で、処理槽１５内に洗浄水の定常供給を開始する。処理槽１５から外槽１６に溢れ出た洗浄水は、ドレイン管１８で排出される。 Next, the operation of the above configuration will be described. With the lid 14 in the open position, the steady supply of wash water into the treatment tank 15 is started. The washing water overflowing from the treatment tank 15 to the outer tank 16 is discharged through the drain pipe 18.

ローディング機構によって、基板処理装置１０の上方に洗浄対象となる基板１１が搬送されてくると、基板ホルダ２１がローディング位置にまで上昇する。これにより、ローディング機構から基板ホルダ２１内に各基板１１が移動する。このときに、各基板１１は、その周縁がそれぞれ対応する一対の保持溝Ｇ１及び一対の保持溝Ｇ２に入り込んで、所定の位置に案内され、一対の保持溝Ｇ１によって所定の高さ位置に保持される。また、一対の保持溝Ｇ２によって倒れが規制される。この後に、ローディング機構による基板１１の保持が解除されてから、基板ホルダ２１が降下位置に移動する。これにより、基板ホルダ２１に保持されている各基板１１が処理槽１５内の洗浄水に浸漬される。また、蓋部１４が閉じ位置に回動する。 When the substrate 11 to be cleaned is conveyed above the substrate processing device 10 by the loading mechanism, the substrate holder 21 rises to the loading position. As a result, each substrate 11 moves from the loading mechanism into the substrate holder 21. At this time, the peripheral edges of each substrate 11 enter the corresponding pair of holding grooves G1 and the pair of holding grooves G2, are guided to a predetermined position, and are held at a predetermined height position by the pair of holding grooves G1. Will be done. In addition, the pair of holding grooves G2 regulates the fall. After this, the board holder 21 moves to the lowered position after the holding of the board 11 by the loading mechanism is released. As a result, each of the substrates 11 held in the substrate holder 21 is immersed in the cleaning water in the processing tank 15. Further, the lid portion 14 rotates to the closed position.

蓋部１４が閉じ位置に回動した後に、乾燥室２３内に吐出部２４を介して窒素ガスの供給が開始される。ヒータ２６は、常時オンとされているので、例えば１４０℃程度に加熱された窒素ガスが吐出部２４から乾燥室２３に供給される。これにより、乾燥室２３内のガスが窒素ガスで置換される。 After the lid portion 14 is rotated to the closed position, the supply of nitrogen gas into the drying chamber 23 is started via the discharge portion 24. Since the heater 26 is always on, for example, nitrogen gas heated to about 140 ° C. is supplied from the discharge unit 24 to the drying chamber 23. As a result, the gas in the drying chamber 23 is replaced with nitrogen gas.

洗浄水中において基板１１の洗浄が完了すると、液体のＩＰＡのガス供給管２５への供給が開始される。液体のＩＰＡは、ヒータ２６で加熱されて気化し、ＩＰＡ蒸気となって吐出部２４から乾燥室２３に供給される。 When the washing of the substrate 11 is completed in the washing water, the supply of the liquid to the gas supply pipe 25 of the IPA is started. The liquid IPA is heated by the heater 26 and vaporized to become IPA vapor, which is supplied from the discharge unit 24 to the drying chamber 23.

乾燥室２３にＩＰＡ蒸気が十分に供給された後、基板１１とともに基板ホルダ２１が降下位置から上昇位置への上昇が開始される。まず、基板ホルダ２１は、第１上昇速度で上昇される。そして、側方保持部材４１の頂部が処理槽１５に貯留されている洗浄水の液面に近づくと、基板ホルダ２１は、第２上昇速度で上昇され、この第２上昇速度で上昇位置まで上昇される。したがって、貯留された洗浄水の液面を保持溝Ｇ１、Ｇ２が通過する際には、第２上昇速度で基板ホルダ２１が上昇する。 After the IPA steam is sufficiently supplied to the drying chamber 23, the substrate holder 21 starts ascending from the descending position to the ascending position together with the substrate 11. First, the substrate holder 21 is raised at the first ascending speed. Then, when the top of the side holding member 41 approaches the liquid level of the washing water stored in the treatment tank 15, the substrate holder 21 is raised at the second rising speed and rises to the rising position at this second rising speed. Will be done. Therefore, when the holding grooves G1 and G2 pass through the liquid level of the stored washing water, the substrate holder 21 rises at the second rising speed.

また、側方保持部材４１の頂部が処理槽１５に貯留されている洗浄水の液面に達すると、吸引部３７が作動を開始する。この吸引部３７による吸引は、基板ホルダ２１が貯留されている洗浄水から脱した後にも、所定時間継続される。 Further, when the top of the side holding member 41 reaches the liquid level of the washing water stored in the treatment tank 15, the suction unit 37 starts operation. The suction by the suction unit 37 is continued for a predetermined time even after the substrate holder 21 is removed from the stored washing water.

貯留されている洗浄水から基板ホルダ２１の全てが脱し、基板ホルダ２１及び基板１１が乾燥室２３内に収容された状態になると、洗浄水の供給が停止されるとともに、ドレイン管１９を介して処理槽１５内の洗浄水が急速に排出される。 When all of the substrate holder 21 is removed from the stored cleaning water and the substrate holder 21 and the substrate 11 are housed in the drying chamber 23, the supply of the cleaning water is stopped and the cleaning water is stopped through the drain pipe 19. The washing water in the treatment tank 15 is rapidly discharged.

貯留されている洗浄水から基板ホルダ２１が脱した状態で、保持溝Ｇ１内に残留している洗浄水は、吸引口Ｓ１ａを介して吸引孔Ｓ１に吸引される。同様に、保持溝Ｇ２内に残留している洗浄水は、吸引口Ｓ２ａを介して吸引孔Ｓ２に吸引される。吸引孔Ｓ１、Ｓ２に吸引された洗浄水は、吸引路Ｐ１、Ｐ２、３５を介して真空トラップ３７ａに送られて捕捉される。 With the substrate holder 21 removed from the stored cleaning water, the cleaning water remaining in the holding groove G1 is sucked into the suction hole S1 through the suction port S1a. Similarly, the washing water remaining in the holding groove G2 is sucked into the suction hole S2 through the suction port S2a. The washing water sucked into the suction holes S1 and S2 is sent to the vacuum trap 37a via the suction passages P1, P2 and 35 and captured.

一方で、基板１１の表面に付着している洗浄水は、凝集するＩＰＡで順次に置換される。これにより、基板１１の表面がＩＰＡで濡れた状態になる。この後に、基板１１の温度上昇によりＩＰＡが気化して、最終的に基板１１の表面が乾燥する。 On the other hand, the washing water adhering to the surface of the substrate 11 is sequentially replaced by the agglomerating IPA. As a result, the surface of the substrate 11 becomes wet with IPA. After this, the IPA evaporates due to the temperature rise of the substrate 11, and finally the surface of the substrate 11 dries.

上記のように、基板１１の表面に付着している洗浄水がＩＰＡで置換される過程では、ＩＰＡが溶解した洗浄水や液化したＩＰＡが、基板１１の表面を伝って流れ落ちる。このように流れ落ちる液体の多くは、基板１１の下部の周縁から処理槽１５へと落下するが、一部の液体は、保持溝Ｇ１、Ｇ２内に流下して残留液となる。しかしながら、吸引部３７による吸引が継続されているため、上記のように保持溝Ｇ１、Ｇ２内に流下した残留液は、吸引口Ｓ１ａ、Ｓ２ａから吸引孔Ｓ１、Ｓ２に吸引されて、保持溝Ｇ１、Ｇ２内から除去される。 As described above, in the process of replacing the cleaning water adhering to the surface of the substrate 11 with IPA, the cleaning water in which IPA is dissolved and the liquefied IPA flow down along the surface of the substrate 11. Most of the liquid that flows down in this way falls from the lower peripheral edge of the substrate 11 to the processing tank 15, but some of the liquid flows down into the holding grooves G1 and G2 and becomes residual liquid. However, since the suction by the suction unit 37 is continued, the residual liquid that has flowed into the holding grooves G1 and G2 as described above is sucked from the suction ports S1a and S2a into the suction holes S1 and S2, and is sucked into the holding grooves G1. , Removed from within G2.

保持溝Ｇ１、Ｇ２における吸引口Ｓ１ａ、Ｓ２ａは、基板１１の周縁から離れた位置に設けているので、基板１１の周縁に一部または全部が塞がれることはない。したがって、残留液が妨げられることなく吸引される。 Since the suction ports S1a and S2a in the holding grooves G1 and G2 are provided at positions away from the peripheral edge of the substrate 11, the peripheral edge of the substrate 11 is not partially or completely blocked. Therefore, the residual liquid is sucked unimpeded.

また、保持溝Ｇ１では、残留液の表面張力で基板１１と保持溝Ｇ１の溝側面５３とに付着して形成される液滴Ｗｄの中心と一致するように設けた吸引口Ｓ１ａから残留液を吸引するため、残留液が効率的に吸引される。したがって、溝底部Ｇ１ａ内に、残留液が残らないように吸引される。所定時間が経過すると、吸引部３７が停止され、吸引孔Ｓ１、Ｓ２による吸引が停止する。 Further, in the holding groove G1, the residual liquid is discharged from the suction port S1a provided so as to coincide with the center of the droplet Wd formed by adhering to the substrate 11 and the groove side surface 53 of the holding groove G1 due to the surface tension of the residual liquid. Since it is sucked, the residual liquid is sucked efficiently. Therefore, the residual liquid is sucked so as not to remain in the groove bottom portion G1a. When the predetermined time elapses, the suction unit 37 is stopped, and the suction through the suction holes S1 and S2 is stopped.

貯留されている洗浄水から基板ホルダ２１が脱してから所定時間が経過すると、ＩＰＡの供給を停止するとともに、排気管２８を介して乾燥室２３内及び槽部１２内を排気する。ＩＰＡの排気が十分に行われた後、窒素ガスの供給を停止するとともに、蓋部１４を開き位置にする。この後、基板ホルダ２１は、上昇位置からローディング位置に上昇し、ローディング機構に基板１１を引き渡した後に、降下位置に下降する。また、排気管２８による排気を停止し、さらに処理槽１５内に洗浄水を急速に供給する。これにより、次の洗浄対象となる基板１１の待ち受け状態になる。 When a predetermined time has elapsed after the substrate holder 21 is removed from the stored washing water, the supply of IPA is stopped and the inside of the drying chamber 23 and the inside of the tank portion 12 are exhausted via the exhaust pipe 28. After the IPA is sufficiently exhausted, the supply of nitrogen gas is stopped and the lid 14 is opened. After that, the substrate holder 21 rises from the ascending position to the loading position, delivers the substrate 11 to the loading mechanism, and then descends to the descending position. Further, the exhaust by the exhaust pipe 28 is stopped, and the washing water is rapidly supplied into the treatment tank 15. As a result, the substrate 11 to be cleaned next is in the standby state.

上記のように保持溝Ｇ１、Ｇ２内の残留液を吸引するため、保持溝Ｇ１、Ｇ２に保持されている基板１１の部分において、洗浄水が基板１１の表面で乾燥することがないから、その表面にシリコンの析出がない。したがって、保持溝Ｇ１、Ｇ２におけるパーティクルの付着を抑制できる。 Since the residual liquid in the holding grooves G1 and G2 is sucked as described above, the cleaning water does not dry on the surface of the substrate 11 in the portion of the substrate 11 held in the holding grooves G1 and G2. There is no silicon precipitation on the surface. Therefore, the adhesion of particles in the holding grooves G1 and G2 can be suppressed.

図９に示すように、３点で基板１１を保持するように基板ホルダ７１を構成してもよい。なお、基板ホルダ７１は、以下に説明する他は、最初の例と同様であるので、実質的に同じ構成部材には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。 As shown in FIG. 9, the substrate holder 71 may be configured to hold the substrate 11 at three points. The substrate holder 71 is the same as the first example except that it will be described below. Therefore, substantially the same constituent members are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

図９において、基板ホルダ７１には、中央保持部材７３と一対の側方保持部材４１とが設けられている。この例においても、基板１１は、保持溝Ｇ１によって高さ方向の位置が規定される。中央保持部材７３は、固定板３８、３９の幅方向（Ｙ方向）の中央に固定されている。中央保持部材７３には、Ｘ方向に複数の保持溝Ｇ３が所定の配列ピッチで形成されている。この保持溝Ｇ３は、基板１１の最下部が挿入され、基板１１のＸ方向の倒れを規制する。図１０に示すように、基板ホルダ７１は、Ｙ方向に並ぶ１組の中央保持部材７３の保持溝Ｇ３と、一対の側方保持部材４１の保持溝Ｇ１によって１枚の基板１１を保持する。 In FIG. 9, the substrate holder 71 is provided with a central holding member 73 and a pair of side holding members 41. Also in this example, the position of the substrate 11 in the height direction is defined by the holding groove G1. The center holding member 73 is fixed to the center of the fixing plates 38 and 39 in the width direction (Y direction). A plurality of holding grooves G3 are formed in the central holding member 73 in the X direction at a predetermined arrangement pitch. The lowermost portion of the substrate 11 is inserted into the holding groove G3, and the substrate 11 is restricted from tilting in the X direction. As shown in FIG. 10, the substrate holder 71 holds one substrate 11 by a holding groove G3 of a set of central holding members 73 arranged in the Y direction and a holding groove G1 of a pair of side holding members 41.

図１１に示すように、保持溝Ｇ３は、中央保持部材７３の上部に設けられている。中央保持部材７３及び保持溝Ｇ３の形状は、中間保持部材４２（図７参照）とほぼ同様である。保持溝Ｇ３は、Ｖ字溝部６３及び鉛直溝部６４を有し、Ｖ字溝部６３の下端から下方に向かって延びた排出溝７６が形成されている。この例における保持溝Ｇ３のＶ字溝部６３は、溝傾斜角が４５°、開き角が６０°である。 As shown in FIG. 11, the holding groove G3 is provided in the upper part of the central holding member 73. The shapes of the central holding member 73 and the holding groove G3 are substantially the same as those of the intermediate holding member 42 (see FIG. 7). The holding groove G3 has a V-shaped groove portion 63 and a vertical groove portion 64, and a discharge groove 76 extending downward from the lower end of the V-shaped groove portion 63 is formed. The V-shaped groove portion 63 of the holding groove G3 in this example has a groove inclination angle of 45 ° and an opening angle of 60 °.

中央保持部材７３の内部には、保持溝Ｇ３ごとに吸引孔Ｓ３が形成されており、その一端が鉛直溝部６４の溝底面６４ａに吸引口Ｓ３ａとして露呈している。また、中央保持部材７３の内部には、Ｘ方向に延在した吸引路Ｐ３が形成されている。吸引孔Ｓ３の他端は、吸引路Ｐ３に接続されている。吸引路Ｐ３は、図９に示されるように、連結部３１の吸引路３５に接続され、この吸引路３５を介して吸引部３７（図１参照）に接続されている。保持溝Ｇ３の溝底面６４ａの高さは、保持溝Ｇ１によって高さ方向の位置が規定される基板１１の最下部の他面が接触しないように調整されている。すなわち、吸引口Ｓ３ａは、基板１１の周縁から離れた位置に設けられ、基板１１の周縁に一部または全部が塞がれることはない。 Inside the central holding member 73, a suction hole S3 is formed for each holding groove G3, and one end thereof is exposed as a suction port S3a on the groove bottom surface 64a of the vertical groove portion 64. Further, a suction path P3 extending in the X direction is formed inside the central holding member 73. The other end of the suction hole S3 is connected to the suction path P3. As shown in FIG. 9, the suction path P3 is connected to the suction path 35 of the connecting portion 31, and is connected to the suction section 37 (see FIG. 1) via the suction path 35. The height of the groove bottom surface 64a of the holding groove G3 is adjusted so that the other surface at the bottom of the substrate 11 whose position in the height direction is defined by the holding groove G1 does not come into contact with each other. That is, the suction port S3a is provided at a position away from the peripheral edge of the substrate 11, and the peripheral edge of the substrate 11 is not partially or completely blocked.

上記のように構成された基板ホルダ７１では、最初の例と同様に、吸引部３７を作動させて、保持溝Ｇ１、Ｇ３内の残留液の吸引を行う。これにより、保持溝Ｇ１、Ｇ３に保持されている基板１１の部分において、洗浄水が基板１１の表面で乾燥することがないから、その表面にシリコンの析出がない。 In the substrate holder 71 configured as described above, the suction unit 37 is operated to suck the residual liquid in the holding grooves G1 and G3, as in the first example. As a result, in the portion of the substrate 11 held in the holding grooves G1 and G3, the cleaning water does not dry on the surface of the substrate 11, so that silicon does not precipitate on the surface.

上記の各実施形態では、側方保持部材、中間保持部材及び中央保持部材に設けた吸引路の一端を吸引部に接続して、吸引孔からの残留液の吸引を行っているが、これらに設けた吸引路の両端に吸引部に接続した構成であってもよい。このときにその吸引路を、一端側と他端側とに２分割してもよい。 In each of the above embodiments, one end of the suction path provided in the side holding member, the intermediate holding member, and the central holding member is connected to the suction portion to suck the residual liquid from the suction hole. It may be configured to be connected to suction portions at both ends of the provided suction path. At this time, the suction path may be divided into two parts, one end side and the other end side.

図２に示す基板ホルダ２１を用いて基板処理装置１０で乾燥処理を行った際の基板１１に対するパーティクルの付着の状態を図１２のパーティクルマップに示す。基板１１に付着したパーティクルは、パーティクルカウンターを用いて４５ｎｍ以上のものを測定した。また、通常の測定では、基板１１の外周のベベル部をクランプすることがあるため外周から３ｍｍ程度の範囲を測定除外（Edge Exclusion）としている。本測定においても、これと同様に、吸引の効果を検証するために外周から３ｍｍの部分を除外して、パーティクルの測定を行った。また、この測定では、パーティクルのサイズについても取得した。さらに、比較のために、吸引孔を設けていない他は同じ構成の基板ホルダを用いて、乾燥処理を行った際の基板１１のパーティクルマップを図１３に示す。図１２、図１３では、基板１１における保持溝Ｇ１の高さを符号Ｈ_ＣＰ１で示す一点鎖線で、保持溝Ｇ２の高さを符号Ｈ_ＣＰ２で示す一点鎖線でそれぞれ示す。 The particle map of FIG. 12 shows the state of adhesion of particles to the substrate 11 when the substrate processing apparatus 10 performs the drying treatment using the substrate holder 21 shown in FIG. 2. The particles adhering to the substrate 11 were measured at 45 nm or more using a particle counter. Further, in normal measurement, the bevel portion on the outer circumference of the substrate 11 may be clamped, so that a range of about 3 mm from the outer circumference is excluded from the measurement (Edge Exclusion). In this measurement as well, in order to verify the effect of suction, the particles were measured by excluding the portion 3 mm from the outer circumference. In this measurement, the particle size was also obtained. Further, for comparison, FIG. 13 shows a particle map of the substrate 11 when the drying treatment is performed using a substrate holder having the same configuration except that the suction holes are not provided. In FIGS. 12 and 13, the height of the holding groove G1 on the substrate 11 is indicated by the alternate long and short dash line indicated by the reference _{numeral H CP} 1, and the height of the holding groove G2 is indicated by the alternate long and short dash line indicated by the reference _{numeral H CP 2.}

図１２、図１３から、吸引孔を設けていない構成で乾燥処理を行った場合に比べて、基板ホルダ２１を用いた場合、基板１１の保持溝Ｇ１で保持されていた部分におけるパーティクルは大幅に減少していることがわかる。また、基板ホルダ２１を用いた場合、吸引しない場合で検出されたようなサイズの大きなパーティクルの付着がなかった。また、保持溝Ｇ２の部分においても、吸引孔を設けていない構成で乾燥処理を行った場合に比べて、基板ホルダ２１を用いた場合、基板１１の保持溝Ｇ２で保持されていた部分におけるパーティクルが減少していることがわかる。 From FIGS. 12 and 13, when the substrate holder 21 is used, the particles in the portion held by the holding groove G1 of the substrate 11 are significantly larger than those in the case where the drying treatment is performed in a configuration without the suction holes. It can be seen that it is decreasing. Further, when the substrate holder 21 was used, there was no adhesion of large particles having a size as detected in the case where the substrate holder 21 was not sucked. Further, also in the portion of the holding groove G2, when the substrate holder 21 is used, the particles in the portion held by the holding groove G2 of the substrate 11 are compared with the case where the drying treatment is performed in a configuration in which the suction hole is not provided. Can be seen to be decreasing.

１０ 基板処理装置
１１ 基板
１５ 処理槽
２１、７１ 基板ホルダ
４１ 側方保持部材
４２ 中間保持部材
７３ 中央保持部材
Ｃｐ 接触点
Ｇ１〜Ｇ３ 保持溝
Ｇ１ａ〜Ｇ３ａ 溝底部
Ｐ１〜Ｐ３ 吸引路
Ｓ１〜Ｓ３ 吸引孔
Ｓ１ａ〜Ｓ３ａ 吸引口

10 Substrate processing device 11 Substrate 15 Processing tank 21, 71 Substrate holder 41 Side holding member 42 Intermediate holding member 73 Central holding member Cp Contact point G1 to G3 Holding groove G1a to G3a Groove bottom P1 to P3 Suction path S1 to S3 Suction hole S1a to S3a suction port

Claims (11)

基板を起立した姿勢かつ所定の間隔に配列させて保持する基板ホルダと、
洗浄水を貯留する処理槽と、
前記基板ホルダを、前記処理槽よりも上方に移動させた上昇位置と、前記基板ホルダに保持された基板を前記処理槽内に貯留された洗浄水中に浸漬する降下位置との間で昇降させる昇降部と、
前記基板ホルダに設けられ、基板を配列させる配列方向に延在する保持部材と、
前記保持部材の上部に前記配列方向に並べて設けられ、それぞれが上方に開き基板の周縁が挿入される複数の保持溝と、
前記保持部材に設けられ、前記複数の保持溝内に周縁が挿入されることで保持された基板と離れる前記複数の保持溝の溝底部の位置にそれぞれ吸引口として一端が露呈した複数の吸引孔と、
前記保持部材内に設けられ、前記複数の吸引孔に接続された吸引路と、
前記吸引路を介して前記複数の吸引孔に接続され、前記複数の吸引孔のそれぞれに陰圧を発生させる吸引部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A board holder that holds the boards in an upright position and arranges them at predetermined intervals.
A treatment tank that stores wash water and
Lifting and lowering the substrate holder between the ascending position where the substrate holder is moved above the processing tank and the descending position where the substrate held by the substrate holder is immersed in the washing water stored in the processing tank. Department and
A holding member provided on the substrate holder and extending in the arrangement direction for arranging the substrates, and
A plurality of holding grooves provided on the upper part of the holding member side by side in the arrangement direction, each of which opens upward and into which the peripheral edge of the substrate is inserted.
A plurality of suction holes provided in the holding member, one end of which is exposed as a suction port at the position of the groove bottom of the plurality of holding grooves, which is separated from the substrate held by inserting the peripheral edge into the plurality of holding grooves. When,
A suction path provided in the holding member and connected to the plurality of suction holes,
A substrate processing apparatus comprising a suction unit connected to the plurality of suction holes via the suction path and generating a negative pressure in each of the plurality of suction holes. 前記複数の保持溝は、それぞれが上方に開いた断面Ｖ字状であり基板の周縁が接触する溝側面を有するとともに傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of holding grooves has a V-shaped cross section that opens upward, has a groove side surface with which the peripheral edge of the substrate is in contact, and is inclined. 前記複数の吸引孔のそれぞれは、基板の周縁及び前記溝側面に接触した状態で形成される前記複数の保持溝内の残留液の液滴の中心と一致する位置に前記吸引口が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。 Each of the plurality of suction holes is provided with the suction port at a position corresponding to the center of the droplet of the residual liquid in the plurality of holding grooves formed in contact with the peripheral edge of the substrate and the side surface of the groove. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate processing apparatus is provided. 前記複数の保持溝は、前記保持部材の斜め上方に向く傾斜面にこの傾斜面よりも大きな傾斜角で設けられ、下部から上部に向かって開口幅及び深さが漸増することを特徴とする請求項２または３に記載の基板処理装置。 The plurality of holding grooves are provided on an inclined surface facing diagonally upward of the holding member at an inclination angle larger than the inclined surface, and the opening width and depth gradually increase from the lower part to the upper part. Item 2. The substrate processing apparatus according to item 2 or 3. 前記複数の保持溝は、前記傾斜角が５０°以上７０°以下の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the plurality of holding grooves have an inclination angle of 50 ° or more and 70 ° or less. 前記複数の保持溝は、傾斜する方向に直交する断面における開き角度が一定であり、前記開き角度が５０°以上７０°以下の範囲内であることを特徴とする請求項４または５に記載の基板処理装置。 The fourth or fifth aspect of the present invention, wherein the plurality of holding grooves have a constant opening angle in a cross section orthogonal to the direction of inclination, and the opening angle is within a range of 50 ° or more and 70 ° or less. Board processing equipment. 前記昇降部は、降下位置から第１上昇速度で前記基板ホルダを上昇させ、少なくとも前記複数の保持溝が前記処理槽内に貯留された洗浄水の液面を通過する際に、前記第１上昇速度よりも遅い第２上昇速度で前記基板ホルダを上昇させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 The elevating part raises the substrate holder at a first ascending speed from the descending position, and when at least the plurality of holding grooves pass through the liquid level of the washing water stored in the treatment tank, the first ascending The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate holder is elevated at a second ascending speed slower than the speed. 前記昇降部は、降下位置から第１上昇速度で前記基板ホルダを上昇させ、少なくとも前記複数の保持溝が前記処理槽内に貯留された洗浄水の液面を通過する際に、第２上昇速度で前記基板ホルダを上昇させ、前記第１上昇速度が１ｍｍ／秒以上３ｍｍ／秒以下の範囲内であり、前記第２上昇速度が１ｍｍ／秒以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 The elevating part raises the substrate holder at the first ascending speed from the descending position, and when at least the plurality of holding grooves pass through the liquid level of the washing water stored in the treatment tank, the second ascending speed The first ascending speed is within the range of 1 mm / sec or more and 3 mm / sec or less, and the second ascending speed is within the range of 1 mm / sec or less. The substrate processing apparatus according to any one of 1 to 6. 基板の表面を洗浄した後に乾燥させる基板処理方法において、
基板ホルダに設けられた保持溝に基板の周縁を挿入した状態にして基板を保持する保持ステップと、
貯留された洗浄水に前記基板ホルダとともに基板を浸漬し基板を洗浄する洗浄ステップと、
貯留された洗浄水の上方に前記基板ホルダとともに基板を移動して基板表面を乾燥する乾燥ステップと、
前記乾燥ステップの際に前記保持溝の溝底部の基板の周縁から離れる位置に露呈した吸引孔の一端から前記保持溝内の液体を吸引する吸引ステップと
を有することを特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing method in which the surface of a substrate is cleaned and then dried.
A holding step for holding the board with the peripheral edge of the board inserted in the holding groove provided on the board holder.
A cleaning step of immersing the substrate together with the substrate holder in the stored cleaning water to clean the substrate, and
A drying step of moving the substrate together with the substrate holder above the stored wash water to dry the substrate surface,
A substrate processing method comprising a suction step of sucking a liquid in the holding groove from one end of a suction hole exposed at a position away from the peripheral edge of the substrate at the bottom of the holding groove during the drying step. 前記保持溝は、上方に開いた断面Ｖ字状であり基板の周縁が接触する溝側面を有するとともに傾斜していることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 9, wherein the holding groove has a V-shaped cross section that opens upward, has a groove side surface with which the peripheral edge of the substrate is in contact, and is inclined. 前記乾燥ステップは、第１上昇速度で前記基板ホルダの上昇を開始し、少なくとも貯留された洗浄水の液面を前記保持溝が通過する際に、前記第１上昇速度よりも遅い第２上昇速度で前記基板ホルダを上昇させることを特徴とする請求項９または１０に記載の基板処理方法。 The drying step starts ascending the substrate holder at the first ascending rate, and at least when the holding groove passes the liquid level of the stored washing water, the second ascending rate is slower than the first ascending rate. The substrate processing method according to claim 9 or 10, wherein the substrate holder is raised.

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