JP2021086846A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
シリコンウエハ等の基板を洗浄水で洗浄した後に乾燥させる基板処理装置が知られている。このような基板処理装置として、IPA蒸気乾燥方式のものが知られている。 A substrate processing apparatus is known in which a substrate such as a silicon wafer is washed with washing water and then dried. As such a substrate processing apparatus, an IPA steam drying method is known.
IPA蒸気乾燥方式の基板処理装置では、まず複数枚の基板を垂直に起立した状態に保持した基板ホルダを降下させて、各基板を処理槽に貯留した洗浄水に浸漬して洗浄する。この後に、基板ホルダを上昇させることで、各基板を洗浄水から引き上げて処理槽の上方の乾燥室内に移動させる。乾燥室内には、それぞれ加熱されたIPA(イソプロピルアルコール、2-プロパノール)蒸気と窒素ガスが供給されている。温度が低い基板がIPA蒸気に曝されることによって、基板の表面にIPA蒸気が凝集し、基板の表面に付着している洗浄水にIPAが溶解していく。この結果、IPAが溶解した洗浄水が流れ落ち、時間の経過とともに基板の表面の洗浄水がIPAに置換される。基板は、IPA蒸気からの熱エネルギーを受けて温度が上昇し、その表面からIPAが蒸発する。 In the IPA steam drying type substrate processing apparatus, first, a substrate holder holding a plurality of substrates in a vertically standing state is lowered, and each substrate is immersed in cleaning water stored in a processing tank for cleaning. After this, by raising the substrate holder, each substrate is pulled out of the washing water and moved to the drying chamber above the treatment tank. Heated IPA (isopropyl alcohol, 2-propanol) vapor and nitrogen gas are supplied to the drying chamber, respectively. When the substrate having a low temperature is exposed to the IPA vapor, the IPA vapor is aggregated on the surface of the substrate, and the IPA is dissolved in the washing water adhering to the surface of the substrate. As a result, the washing water in which the IPA is dissolved flows down, and the washing water on the surface of the substrate is replaced with the IPA over time. The temperature of the substrate rises due to the heat energy from the IPA vapor, and the IPA evaporates from the surface thereof.
一方、基板の表面から洗浄水中へのシリコンの溶出は避けることができない。このため、基板表面に、洗浄水が長時間残留していると、洗浄水が蒸発して基板が乾燥した際に、その表面にシリコンがパーティクルとして析出して半導体デバイスの欠陥となってしまう。基板ホルダでは、基板を保持する保持溝に洗浄水の表面張力等により洗浄水が残留しやすい。 On the other hand, elution of silicon from the surface of the substrate into the washing water cannot be avoided. Therefore, if the cleaning water remains on the surface of the substrate for a long time, when the cleaning water evaporates and the substrate dries, silicon precipitates as particles on the surface and becomes a defect of the semiconductor device. In the substrate holder, the cleaning water tends to remain in the holding groove for holding the substrate due to the surface tension of the cleaning water or the like.
洗浄水を吸引する構造を設けた基板ホルダが特許文献1によって提案されている。この特許文献1の基板ホルダでは、基板の周縁が挿入されて基板を支持する溝部の底面に吸引孔が開口している。吸引孔は、アスピレータに接続されており、溝部の底に貯まる洗浄水等を吸引する。これにより、溝部内に貯まる液体を除去している。
特許文献1に記載された基板ホルダでは、溝部の底面に基板の端面が接触することで基板を支持する。このため、基板の端面が吸引孔を塞いでしまい、溝部に貯まった液体を適正に吸引できなくなることがある。また、基板の端面が吸引孔を塞がなくても、基板の端面が溝部の底面と接触することにより、溝部内が、吸引孔が露呈する側と露呈していない側とに仕切られてしまうことがある。この場合、吸引孔が露呈していない側の液体が十分に吸引されず溝部内に残ることがある。
In the substrate holder described in
本発明は、上記事情を鑑みてなされものであり、保持溝内の洗浄水等を確実に吸引することができる基板ホルダを備えた基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method provided with a substrate holder capable of reliably sucking cleaning water or the like in a holding groove.
本発明の基板処理装置は、基板を起立した姿勢かつ所定の間隔に配列させて保持する基板ホルダと、洗浄水を貯留する処理槽と、前記基板ホルダを、前記処理槽よりも上方に移動させた上昇位置と、前記基板ホルダに保持された基板を前記処理槽内に貯留された洗浄水中に浸漬する降下位置との間で昇降させる昇降部と、前記基板ホルダに設けられ、基板を配列させる配列方向に延在する保持部材と、前記保持部材の上部に前記配列方向に並べて設けられ、それぞれが上方に開き基板の周縁が挿入される複数の保持溝と、前記保持部材に設けられ、前記複数の保持溝内に周縁が挿入されることで保持された基板と離れる前記複数の保持溝の溝底部の位置にそれぞれ吸引口として一端が露呈した複数の吸引孔と、前記保持部材内に設けられ、前記複数の吸引孔に接続された吸引路と、前記吸引路を介して前記複数の吸引孔に接続され、前記複数の吸引孔のそれぞれに陰圧を発生させる吸引部とを備えるものである。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the substrate holder for holding the substrates in an upright posture and arranged and held at predetermined intervals, the processing tank for storing the washing water, and the substrate holder are moved above the processing tank. An elevating part that elevates and lowers between the ascending position and the descending position where the substrate held in the substrate holder is immersed in the washing water stored in the processing tank, and an elevating portion provided in the substrate holder to arrange the substrates A holding member extending in the arrangement direction, a plurality of holding grooves provided on the upper part of the holding member side by side in the arrangement direction, each of which opens upward and into which the peripheral edge of the substrate is inserted, and the holding member provided with the above. A plurality of suction holes, one end of which is exposed as a suction port, are provided in the holding member at the positions of the groove bottoms of the plurality of holding grooves, which are separated from the substrate held by inserting the peripheral edge into the plurality of holding grooves. It is provided with a suction path connected to the plurality of suction holes and a suction unit connected to the plurality of suction holes via the suction path and generating a negative pressure in each of the plurality of suction holes. is there.
本発明の基板処理方法は、基板の表面を洗浄した後に乾燥させる基板処理方法において、基板ホルダに設けられた保持溝に基板の周縁を挿入した状態にして基板を保持する保持ステップと、貯留された洗浄水に前記基板ホルダとともに基板を浸漬し基板を洗浄する洗浄ステップと、貯留された洗浄水の上方に前記基板ホルダとともに基板を移動して基板表面を乾燥する乾燥ステップと、前記乾燥ステップの際に前記保持溝の溝底部の基板の周縁から離れる位置に露呈した吸引孔の一端から前記保持溝内の液体を吸引する吸引ステップとを有するものである。 The substrate processing method of the present invention is a substrate processing method in which the surface of a substrate is washed and then dried, and the substrate is stored in a holding step in which the peripheral edge of the substrate is inserted into a holding groove provided in the substrate holder to hold the substrate. A cleaning step of immersing the substrate together with the substrate holder in the cleaning water to clean the substrate, a drying step of moving the substrate together with the substrate holder above the stored cleaning water to dry the substrate surface, and the drying step of the drying step. It has a suction step for sucking the liquid in the holding groove from one end of the suction hole exposed at a position away from the peripheral edge of the substrate at the bottom of the holding groove.
本発明によれば、上方に開いた断面V字状であって、傾斜して設けられた保持溝の溝側面に基板の周縁を接触させて保持し、この保持溝の溝底部の基板の周縁から離れる位置に設けた吸引口で、保持溝内に残留する洗浄水等を吸引するから、洗浄水等を確実に吸引することができる。 According to the present invention, the peripheral edge of the substrate is brought into contact with the side surface of the groove of the holding groove provided with an inclination and has a V-shaped cross section that opens upward, and the peripheral edge of the substrate is held at the bottom of the groove of the holding groove. Since the cleaning water or the like remaining in the holding groove is sucked by the suction port provided at a position away from the suction port, the cleaning water or the like can be reliably sucked.
図1において、基板処理装置10は、基板11を洗浄水で洗浄する洗浄処理と、洗浄された基板11を乾燥させる乾燥処理とを行う。基板処理装置10は、バッチ式で基板処理を行う。この例においては、基板11は、シリコンウエハ(半導体基板)である。また、洗浄水は、純水(脱イオン水)である。
In FIG. 1, the
基板処理装置10は、槽部12と、この槽部12の上部に配される蓋部14とを備えている。槽部12は、箱形状の処理槽15と、この処理槽15の上部外側に一体に設けられた外槽16とを有している。処理槽15には、供給管17を介して、供給部(図示省略)から供給される洗浄水が貯留される。外槽16は、処理槽15から溢れ出た洗浄水を受ける。外槽16に溢れ出た洗浄水は、ドレイン管18を介して外部に排出される。なお、処理槽15は、その底部に接続されたドレイン管19を通して、処理槽15内の洗浄水を排出することができる。
The
処理槽15内には、基板ホルダ21に保持された複数枚の基板11が配置され、それら基板11が、処理槽15に貯留された洗浄水に浸漬される。なお、図1では、図示の便宜上、数枚の基板11を描いてあるが、実際には50枚程度の基板11が基板ホルダ21に保持される。
A plurality of
蓋部14は、実線で示されるように、槽部12の上部を閉じた閉じ位置と、二点鎖線で示されるように、槽部12の上部を解放した開き位置との間で回動自在である。この蓋部14は、モータ22a等で構成される開閉部22によって、開き位置と閉じ位置に回動される。蓋部14は、例えば半円筒形状であって、閉じ位置のときに、処理槽15の上方、すなわち貯留されている洗浄水の液面よりも上方に乾燥室23を形成する。
The
蓋部14には、その内側に吐出部24が設けられている。吐出部24は、基板11を乾燥する際に、窒素(N2)ガス及びIPA(イソプロピルアルコール、2-プロパノール)蒸気を乾燥室23内に供給する。この吐出部24は、基板11が並ぶX方向(配列方向)に延びたパイプ状であり、例えばX方向に沿って複数の吐出穴(図示省略)が形成されている。窒素ガス及びIPA蒸気は、各吐出穴から、例えば上向きに吐出される。
The
吐出部24には、ガス供給管25を介して、窒素ガス供給源及びIPA供給源(いずれも図示省略)が接続されている。ガス供給管25上には、ヒータ26及びフィルタ27が接続されている。窒素ガス供給源は、窒素ガスをガス供給管25に供給する。これにより、ヒータ26で加熱され、フィルタ27で濾過した窒素ガスを吐出部24に供給する。IPA供給源は、液体のIPAをガス供給管25に供給する。液体のIPAは、ヒータ26で加熱されて蒸気とされ、フィルタ27で濾過されて吐出部24に供給される。IPA蒸気を含む乾燥室23内のガスは、排気管28等によって排気することができる。
A nitrogen gas supply source and an IPA supply source (both not shown) are connected to the
基板ホルダ21は、複数の基板11をそれぞれ鉛直に起立した姿勢、すなわち基板表面(表面、裏面)を上下方向に沿った向きで保持する。複数枚の基板11は、表面同士、裏面同士、あるいは表面と裏面とを対面させた状態でそれらを所定の間隔で配列させて基板ホルダ21に保持される。この例では、基板ホルダ21は、直径300mmの基板11を保持する。配列ピッチは、例えば5mmまたは7mmである。
The
上記基板ホルダ21は、連結部31を介して、昇降部32に取り付けられている。この昇降部32によって、基板ホルダ21は昇降され、保持した基板11を処理槽15内の洗浄水に浸漬した降下位置と、基板11を洗浄水から引き上げて乾燥室23内に収容し、乾燥処理を行う上昇位置と、この上昇位置よりも高いローディング位置とに移動される。なお、この例では、基板ホルダ21の一端を昇降部32に連結して昇降させる構成であるが、基板ホルダ21の両端を昇降部32に連結して昇降させる構成としてもよい。
The
ローディング位置は、基板ホルダ21に対して基板11のローディング及びアンローディングを行う位置である。ローディング機構(図示省略)に基板11を保持した状態で、空の基板ホルダ21をローディング位置に移動することによって、基板ホルダ21に基板11がローディングされる。また、空のローディング機構が待機している状態で、基板ホルダ21をローディング位置に移動することによって、ローディング機構に基板11を引き渡し、基板ホルダ21が下降することによって基板11が基板ホルダ21からアンローディングされる。
The loading position is a position where the
基板ホルダ21には、詳細を後述する保持溝G1、G2(図2参照)内に残留する液体(以下、残留液という)を除去するための複数の吸引孔S1(図4参照)及び吸引孔S2(図7参照)と、各吸引孔S1、S2に接続された吸引路P1、P2(図2参照)とが設けられている。吸引路P1、P2は、連結部31に形成された吸引路35を介して吸引部37に接続されている。この例では、吸引部37は、残留液を捕捉する真空トラップ37aと、真空ポンプ37bとから構成され、吸引孔S1、S2に陰圧を発生させる。これにより、保持溝G1、G2内の残留液を吸引孔S1、S2から吸引する。なお、吸引孔S1、S2で吸引される残留液は、洗浄水、液化したIPA及びこれらが混合した液体である。
The
図2に示すように、基板ホルダ21は、固定板38、39と、誘導部材40と、一対の側方保持部材41と、一対の中間保持部材42とを有している。基板ホルダ21の各部材の材料は特に限定されない。この例では、基板ホルダ21の各部材は、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)で作製されている。
As shown in FIG. 2, the
誘導部材40、側方保持部材41及び中間保持部材42は、いずれもX方向に延びた板状の部材である。これらの誘導部材40、側方保持部材41及び中間保持部材42は、固定板38と固定板39との間に互いに平行に配され、それぞれの端部が固定板38、39に固定されている。固定板39には、連結部31が取り付けられている。
The
誘導部材40は、固定板38、39の幅方向(Y方向)の中央に固定されている。この誘導部材40は、その頂部のX方向に直交する断面が三角形状であり、1つの頂点が誘導部材40の最上部になっている。誘導部材40は、その最上部と基板11の最下部の端面との距離が0mmとなるように、その高さが決められている。これにより、基板11の表面や周縁に沿って最下部にまで流下した洗浄液等の液体を誘導部材40に伝え流し、基板11の最下部に液体が滞留することを防止する。基板11の高さ方向の位置は、後述するように、一対の保持溝G1に保持されることで決まる。なお、この例では、基板11と誘導部材40の最上部との間の距離の公差が+0.2mm〜0mmであって、実際には誘導部材40の頂点に基板11の最下部の端面が接触しない場合もあるが、基板11の最下部にまで流下した洗浄液等の液体を誘導部材40に伝え流すことができる。
The
一対の側方保持部材41は、固定板38、39のY方向の両端にそれぞれ固定されている。また、一対の側方保持部材41のそれぞれには、X方向に上記の配列ピッチで、基板11の周縁を保持する保持溝G1が複数形成されている。誘導部材40と一方の側方保持部材41との間隔(Y方向の距離)及び誘導部材40と他方の側方保持部材41との間隔は同じである。また、側方保持部材41同士の間隔は、基板11の直径よりも小さい。
The pair of
一対の中間保持部材42のそれぞれには、X方向に上記の配列ピッチで、基板11の周縁を保持する複数の保持溝G2が形成されている。これらの中間保持部材42は、誘導部材40と側方保持部材41との間にそれぞれ配されている。誘導部材40と一方の中間保持部材42の間隔(Y方向の距離)及び誘導部材40と他方の中間保持部材42の間隔は同じである。
Each of the pair of
これにより、図3に示すように、Y方向に直線上に並ぶ一対の側方保持部材41に形成された保持溝G1及び一対の中間保持部材42に形成された保持溝G2によって、1枚の基板11が保持される。一対の保持溝G1は、同じ高さの位置の基板11の周縁をそれぞれ保持し、一対の保持溝G2は、同じ高さの基板11の周縁を保持する。また、保持溝G2が基板11を保持する位置は、保持溝G1が基板11を保持する位置よりも低く、誘導部材40の頂点よりも高い。
As a result, as shown in FIG. 3, the holding grooves G1 formed in the pair of
この例では、上述のように保持溝G1によって基板11の高さ方向の位置が決まる。すなわち、後述する形状により、一対の保持溝G1によって、基板11を所定の高さ方向の位置に保持する。また、保持溝G1は、基板11のX方向及びY方向の移動を規制する。保持溝G2は、基板11の周縁のX方向の移動を規制することによって、保持溝G1に保持されている箇所を中心とする基板11の回転(X方向への倒れ)を規制する。
In this example, as described above, the holding groove G1 determines the position of the
図4に示すように、側方保持部材41の上部は、その内面すなわち保持される基板11の中心側となる面が斜め上方を向く傾斜面51となっている。また、側方保持部材41の上部の外面は、垂直な面となっている。保持溝G1は、傾斜面51から側方保持部材41の頂部を切り欠いて外面側に貫通するように形成されており、Y方向から見て上方に開いたV字状である。また、保持溝G1は、それが延在する方向すなわち、保持溝G1の溝底部G1aが延在する方向に直交する断面の形状がV字状である。保持溝G1は、傾斜角θ1で傾斜して設けられている。すなわち、その直線状の溝底部G1aが水平面に対して傾斜角θ1で傾斜している。このように形成された保持溝G1は、一対の溝側面53を有している。
As shown in FIG. 4, the upper portion of the
水平面からの傾きの角度である傾斜角θ1は、傾斜面51の傾斜角よりも小さくしてある。後述する保持溝G1の開き角度θ2が一定であるので、保持溝G1は、傾斜面51における開口幅(X方向の長さ)と深さとが、傾斜面51の上部に向かって直線的に増大する形状である。また、X方向における一対の溝側面53の間隔が、下方に向かって漸減するとともに、外側に向かって漸減する。
The inclination angle θ1 which is the angle of inclination from the horizontal plane is made smaller than the inclination angle of the
上記のような形状の保持溝G1は、ローディング時に基板ホルダ21に対して相対的に近づいてくる基板11の周縁に溝側面53が接触することによって、その基板11の周縁をX方向及びY方向についての保持溝G1内の所定位置に案内する。図5に模式的に示すように、一対の保持溝G1内のそれぞれにおいて基板11の周縁が一対の溝側面53にそれぞれ接触することにより、所定の高さ方向の位置で基板11が一対の保持溝G1に保持されるとともに、X方向への移動が規制される。基板11と保持溝G1の一対の溝側面53との接触は、点接触ないし極めて小さい面積での接触である。一対の溝側面53の両方に基板11の周縁が接触し、それらの接触点Cpで基板11を吊った状態になって、保持溝G1が上下方向に基板11を支持する。また、保持溝G1は、傾斜角θ1で傾斜して設けられているため、基板11のY方向への移動が規制される。
The holding groove G1 having the above-mentioned shape causes the peripheral edge of the
傾斜角θ1は、Y方向において保持溝G1が基板11を保持する位置、基板11の直径(この例では300mm)やSEMI規格等に基づいて決められる。この例では、傾斜角θ1は、60°である。このように、溝底部G1aを傾斜させることで、保持溝G1内の洗浄水等を下方に流れやすくしている。傾斜角θ1は、50°以上70°以下の範囲内とすることが好ましい。傾斜角θ1を50°以上とすれば、洗浄水等の水切れをより良好にでき、70°以下とすれば基板11をより良好に保持できる。
The inclination angle θ1 is determined based on the position where the holding groove G1 holds the
保持溝G1は、上記のように開き角度θ2で開いた断面V字状である。開き角度θ2は、傾斜角θ1で傾斜した方向すなわち溝底部G1aに沿った方向(延在する方向)から見た保持溝G1のV字の角度である。保持溝G1は、開き角度θ2が大きいほど、保持溝G1内における残留液を少なくする上で有利であり、開き角度θ2が小さいほど基板11の保持する位置の精度を高くする上で有利である。このような観点から、開き角度θ2は、50°以上70°以下の範囲内とすることが好ましい。70°以下であれば基板11を保持する位置の精度を確実に得ることができ、50°以上であれば基板11と保持溝G1との間の残留液を確実に少なくすることができる。この例では、開き角度θ2を60°としている。なお、図4では、開き角度θ2を誇張して保持溝G1を描いてある。
The holding groove G1 has a V-shaped cross section opened at an opening angle θ2 as described above. The opening angle θ2 is a V-shaped angle of the holding groove G1 as seen from the direction inclined at the inclination angle θ1, that is, the direction along the groove bottom portion G1a (extending direction). The larger the opening angle θ2 of the holding groove G1, the more advantageous it is in reducing the residual liquid in the holding groove G1, and the smaller the opening angle θ2 is, the more advantageous it is in improving the accuracy of the holding position of the
上記形状の保持溝G1は、基板11の端面が溝底部G1aに接触することがないように基板11を保持する。基板11の周縁が面取りされてベベル部が形成されている場合でも同様に基板11が保持溝G1に保持される。また、保持溝G1は、溝底部G1aが直線状すなわち幅(X方向の長さ)がない溝底部G1aから各溝側面53が開いて、それらの間隔が上方に向かって傾斜面51の開口側に向かって漸増するV字形状であることから、基板11の端面が溝底部G1aに接触することがない。これにより、基板11の端面と溝底部G1aとの間に形成されている隙間を通って洗浄水等を下方に流すことができる。また、吸引孔S1による、その隙間を通した残留液の吸引が可能になる。
The holding groove G1 having the above shape holds the
図4において、傾斜面51の保持溝G1の下方の部分には、排出溝55が形成されている。排出溝55は、保持溝G1ごとに設けられている。排出溝55は、傾斜面51に沿って、保持溝G1の下部から傾斜面51の下側の垂直面まで延在している。この排出溝55は、上端が保持溝G1の下部に接続され、他端が開放端になっている。これにより、保持溝G1内の洗浄水等を排出溝55に導いて排出させ、保持溝G1内からの洗浄水等の排出性を高めて保持溝G1内の残留液を低減する。
In FIG. 4, a
また、側方保持部材41の上部の外面には、保持溝G1ごとに排出溝56が設けられている。排出溝56は、鉛直方向に延在しており、その上端が保持溝G1の上部に接続されている。排出溝56の下端部は、その深さが下端に向かって漸減している。この排出溝56によって、保持溝G1の上部の洗浄水等の排出性を高めて残留液を低減する。なお、排出溝55、56の断面形状は、この例では矩形状であるが、特に限定されない。
Further, a
側方保持部材41の内部には、保持溝G1ごとに吸引孔S1が形成されている。また、側方保持部材41の内部には、X方向に延在した吸引路P1が形成されている。吸引孔S1は、その軸心が溝底部G1aを貫通し、吸引孔S1の一端が溝底部G1aに吸引口S1aとして露呈している。すなわち、吸引口S1aの中心が溝底部G1a上にある。吸引孔S1の他端は、吸引路P1に接続されている。吸引孔S1は、吸引部37によって発生される陰圧で保持溝G1内の残留液を吸引する。
Inside the
図6に示すように、吸引口S1aは、基板11の周縁と離隔して設けられている。すなわち、吸引口S1aは、基板11の周縁との間に有限な距離を有する位置に設けられている。このように、吸引口S1aを基板11の周縁から離すことによって、吸引口S1aの一部が基板11で塞がれることを防止する。
As shown in FIG. 6, the suction port S1a is provided so as to be separated from the peripheral edge of the
保持溝G1内においては、残留液が基板11の周縁及び溝側面53に接触することで、その残留液の表面張力による液滴Wdが接触点Cpの近傍に形成される。溝底部G1a上における吸引口S1aの位置(中心位置)は、溝底部G1aが延在する方向について液滴Wdが形成される範囲の中心と略一致させることがより好ましい。発明者らは、このような位置に吸引口S1aを設けることで、液滴Wdをより効果的に吸引することを確認している。
In the holding groove G1, when the residual liquid comes into contact with the peripheral edge of the
接触点Cpから最短距離となる溝底部G1a上の位置を基準位置とすると、この例では、液滴Wdの範囲は、溝底部G1aに沿った方向で、基準位置から上方よりも下方に大きく広がり、液滴Wdの中心が基準位置よりも下方にずれた位置にある。これに応じて、吸引口S1aの中心位置を基準位置よりも下方にずらして液滴Wdの中心に一致させている。溝底部G1aが延在する方向について液滴Wdが形成される範囲は、実験等によって知ることができ、液滴Wdが形成される既知の範囲に基づいて吸引口S1aの中心位置を決めることができる。 Assuming that the position on the groove bottom G1a, which is the shortest distance from the contact point Cp, is the reference position, in this example, the range of the droplet Wd expands greatly downward from the reference position in the direction along the groove bottom G1a. , The center of the droplet Wd is located at a position shifted below the reference position. Correspondingly, the center position of the suction port S1a is shifted downward from the reference position so as to coincide with the center of the droplet Wd. The range in which the droplet Wd is formed in the direction in which the groove bottom G1a extends can be known by experiments or the like, and the center position of the suction port S1a can be determined based on the known range in which the droplet Wd is formed. it can.
なお、吸引口S1aの中心位置が液滴Wdの中心と一致しなくても、液滴Wdが形成される範囲内で、吸引口S1aの中心位置を基準位置よりも下方にずらして配置することにより、残留液を効果的に低減する効果があるので、このような構成も好ましい。 Even if the center position of the suction port S1a does not coincide with the center of the droplet Wd, the center position of the suction port S1a should be shifted below the reference position within the range where the droplet Wd is formed. Therefore, such a configuration is also preferable because it has an effect of effectively reducing the residual liquid.
吸引孔S1の軸心方向に投影した吸引口S1aの直径は、吸引孔S1の直径と同じである。このとき、吸引孔S1の直径は、1mm以上2mm以下の範囲内とすることが好ましい。2mm以下とすることにより、保持溝G1内での溝側面53の実質的な間隔を広げず、基板11の保持を確実に行うことができる。また、1mm以上とすることにより、残留液を確実に吸引することができる。この例では、吸引孔S1の直径を1mmとしている。
The diameter of the suction port S1a projected in the axial direction of the suction hole S1 is the same as the diameter of the suction hole S1. At this time, the diameter of the suction hole S1 is preferably in the range of 1 mm or more and 2 mm or less. By setting the thickness to 2 mm or less, the
図7に示すように、中間保持部材42の上部は、X方向に直交する断面が二等辺三角形になっており、斜め上方を向く同じ傾斜角の一対の傾斜面61が形成されている。この中間保持部材42の上部に保持溝G2が形成されている。保持溝G2は、一対の傾斜面61にそれぞれ形成されたV字溝部63と、鉛直溝部64とを有している。
As shown in FIG. 7, the upper portion of the intermediate holding
V字溝部63は、保持溝G1と同様に、それが延在する方向と直交する断面形状がV字状である。V字溝部63は、保持溝G1と同様に、傾斜面61よりも大きな溝傾斜角で傾斜させて形成されており、開き角度は一定である。したがって、V字溝部63は、傾斜面51における開口幅(X方向の長さ)と深さとが、傾斜面61の上部に向かって直線的に増大する形状である。また、V字溝部63の一対の溝側面53のX方向における間隔が、下方に向かって漸減するとともに、中間保持部材42のY方向の中心に向かって漸減する。
Similar to the holding groove G1, the V-shaped
一対の傾斜面61にそれぞれ形成された各V字溝部63は、Y方向の上部中央で互いに連結しており、これらのV字溝部63によって中間保持部材42の頂部は、Y方から見て上方に開いたV字状である。また、各V字溝部63は、下端が開放端になっており、洗浄水等の排出性を高めてある。この例におけるV字溝部63は、溝傾斜角が40°、開き角が60°である。保持溝G2におけるV字溝部63の溝傾斜角及び開き角は、保持溝G1同様に定義される。
The V-shaped
鉛直溝部64は、溝幅(X方向の長さ)を一定にした溝をY方向に沿って形成した部分である。この鉛直溝部64は、中間保持部材42の頂部よりも低い位置でY方向の中央部に設けられている。鉛直溝部64は、互いに平行な一対の鉛直面と、水平な溝底面64aを有している。鉛直面は、X方向に直交する。鉛直溝部64の溝幅すなわち鉛直面の間隔は、基板11の厚みよりわずかに大きくしてある。
The
保持溝G2では、一対のV字溝部63の上部により、基板11の周縁が鉛直溝部64内に案内されて挿入される。基板11は、その周縁が鉛直溝部64に挿入されることによって、鉛直溝部64の一対の鉛直面によって、上述のように基板11のX方向への倒れが規制される。したがって、V字溝部63の上部と鉛直溝部64とにより、保持溝G2の上部は、Y方向に直交する断面がY字状のY字溝と同様な構成となり、V字溝部63の下部が洗浄水等の排出路となる構成である。なお、鉛直溝部64内に挿入される基板11の周縁の面積は小さい。
In the holding groove G2, the peripheral edge of the
中間保持部材42の内部には、保持溝G2ごとに吸引孔S2が形成されている。また、中間保持部材42の内部には、X方向に延在した吸引路P2が形成されている。吸引孔S2は、その軸心が鉛直溝部64の溝底面64aの中心を通るように形成されており、その一端が溝底面64a上に吸引口S2aとして露呈している。吸引孔S2の他端は、吸引路P2に接続されている。この例では、溝底面64aの中心は、保持溝G2のX方向及びY方向の中心と一致する。
Inside the intermediate holding
上記の吸引孔S2は、吸引部37によって発生される陰圧で吸引口S2aから保持溝G2内の残留液を吸引する。なお、符号67は、鉛直溝部64の溝幅よりも大きな直径の吸引孔S2を形成する際に形成された溝である。
The suction hole S2 sucks the residual liquid in the holding groove G2 from the suction port S2a by the negative pressure generated by the
吸引孔S2の直径は、1mm以上2mm以下の範囲内とすることが好ましい。2mm以下とすることにより、基板11のX方向への倒れを確実に規制することができ、1mm以上とすることにより、残留液を確実に吸引することができる。この例では、吸引孔S2の直径を1mmとしている。
The diameter of the suction hole S2 is preferably in the range of 1 mm or more and 2 mm or less. When the thickness is 2 mm or less, the tilting of the
図8に示すように、中間保持部材42は、保持溝G1によって高さが規定される基板11の端面が溝底面64aに接触しないように、溝底面64aの高さが調整されている。したがって、溝底面64aに形成された吸引口S2aは、基板11の周縁から離した位置に設けられており、吸引口S2aの一部または全部が基板11で塞がれることを防止する。
As shown in FIG. 8, the height of the
保持溝G1、G2や排出溝55、56の各表面は、保持溝G1、G2内の残留液の液量を少なくする点から親水性とすることが好ましい。このために、表面が親水性となる材料を用いて基板ホルダ21を作製することは好ましい。また、上記のようにPEEKで作製された基板ホルダ21では、その表面が疎水性となるが、このような場合には、基板ホルダ21の表面に親水化処理を行って、保持溝G1、G2や排出溝55、56の各表面を親水性とすることができる。
The surfaces of the holding grooves G1 and G2 and the
貯留している洗浄水から基板ホルダ21が脱した際に、保持溝G1、G2内には、洗浄水が残留液として残留する。また、基板11の表面に付着している洗浄水をIPAで置換する過程で、洗浄水とIPAとが混合した液体及び液体のIPAが保持溝G1、G2内に流下して残留液となる。このため、吸引孔S1、S2による吸引は、処理槽15の上方に基板ホルダ21が移動した後にも所定時間継続する。この例では、貯留している洗浄水から基板ホルダ21が脱した際に保持溝G1、G2内に残留している残留液(洗浄水)を吸引するには、側方保持部材41の頂部が貯留している洗浄水の液面に達した時点から10秒程度の吸引の継続でよいが、洗浄水をIPAで置換する過程で生じる残留液を吸引するために、吸引の継続時間を側方保持部材41の頂部が、貯留している洗浄水の液面に達した時点から60秒以上にしている。
When the
さらに、保持溝G1、G2内の残留液の液量を少なくするために、基板処理装置10では、昇降部32による基板ホルダ21の上昇速度を制御する。具体的には、昇降部32は、基板ホルダ21を降下位置から第1上昇速度で上昇させ、側方保持部材41の頂部が貯留されている洗浄水の液面に近づくと、例えば液面に達した時点から第2上昇速度で基板ホルダ21を上昇させ、その第2上昇速度で上昇位置まで上昇させる。なお、貯留されている洗浄水より基板ホルダ21が脱した後には、基板ホルダ21の上昇速度を第2上昇速度あるいは第1上昇速度よりも速くしてもよい。また、基板ホルダ21と貯留された液面との上下方向の位置関係は、昇降部32に設けたエンコーダ等で検知できる。
Further, in order to reduce the amount of the residual liquid in the holding grooves G1 and G2, the
発明者らは、基板ホルダ21の上昇に起因して生じる処理槽15内の洗浄水の液面の波立の程度が、保持溝G1、G2内の残留液の液量に影響を与え、波立の程度が小さいほど残留液の液量を小さくする上で有効であることを確認している。また、基板ホルダ21の上昇速度を低くすることによって、洗浄水の液面の波立を小さくできることを確認している。洗浄水の液面の波立を小さくする観点からは、上昇速度は3mm/秒以下とすることが好ましく、基板処理装置10の好ましい処理効率を確保する観点からは、1mm/秒以上とすることが好ましい。
The inventors have stated that the degree of undulation of the washing water in the
また、保持溝G1、G2が、貯留されている洗浄水の液面を通過する際に、基板ホルダ21を遅い上昇速度で上昇させて、保持溝G1、G2内の洗浄水が貯留されている洗浄水から保持溝G1、G2内の洗浄水が分離されるタイミングを遅くすることによって、洗浄水がその表面張力で保持溝G1、G2内に残留する量を低減できる。このような観点から、少なくとも保持溝G1、G2が貯留されている洗浄水の液面を通過する際の上昇速度は、1mm/秒以下とすることが確実に残留液を低減することができるので好ましい。一方、基板処理装置10の処理効率を高めるには、上昇速度を速くすることが好ましい。
Further, when the holding grooves G1 and G2 pass through the liquid level of the stored washing water, the
このため、降下位置からの上昇では、第1上昇速度で基板ホルダ21を上昇させ、側方保持部材41の頂部が貯留されている洗浄水の液面に近づいてからは、第1上昇速度よりも遅い第2上昇速度で基板ホルダ21を上昇させて、保持溝G1、G2が貯留された洗浄水の液面を通過する際の上昇速度を低くすることは好ましい態様である。また、上記から第1上昇速度は、1mm/秒以上3mm/秒以下の範囲内することが好ましく、第2上昇速度は、1mm/秒以下とすることが好ましい。この例では、第1上昇速度を3mm/秒とし、第2上昇速度を1mm/秒としている。
Therefore, when ascending from the descending position, the
なお、上記のように、基板ホルダ21の上昇速度の制御による残留液の低減は、吸引孔S1、S2による残留液の吸引を行わない場合でも行う場合でも有用である。吸引を行う場合では、保持溝G1、G2内の残留液を低減することで、吸引によって残留液が基板11に付着していない状態になるまでの時間を短縮でき、基板11へのパーティクルの付着を低減できるからである。また、吸引孔S1、S2から吸引部37まで吸引系に要求される吸引能力を小さくする上でも有利である。
As described above, the reduction of the residual liquid by controlling the ascending speed of the
次に上記構成の作用について説明する。蓋部14を開き位置とした状態で、処理槽15内に洗浄水の定常供給を開始する。処理槽15から外槽16に溢れ出た洗浄水は、ドレイン管18で排出される。
Next, the operation of the above configuration will be described. With the
ローディング機構によって、基板処理装置10の上方に洗浄対象となる基板11が搬送されてくると、基板ホルダ21がローディング位置にまで上昇する。これにより、ローディング機構から基板ホルダ21内に各基板11が移動する。このときに、各基板11は、その周縁がそれぞれ対応する一対の保持溝G1及び一対の保持溝G2に入り込んで、所定の位置に案内され、一対の保持溝G1によって所定の高さ位置に保持される。また、一対の保持溝G2によって倒れが規制される。この後に、ローディング機構による基板11の保持が解除されてから、基板ホルダ21が降下位置に移動する。これにより、基板ホルダ21に保持されている各基板11が処理槽15内の洗浄水に浸漬される。また、蓋部14が閉じ位置に回動する。
When the
蓋部14が閉じ位置に回動した後に、乾燥室23内に吐出部24を介して窒素ガスの供給が開始される。ヒータ26は、常時オンとされているので、例えば140℃程度に加熱された窒素ガスが吐出部24から乾燥室23に供給される。これにより、乾燥室23内のガスが窒素ガスで置換される。
After the
洗浄水中において基板11の洗浄が完了すると、液体のIPAのガス供給管25への供給が開始される。液体のIPAは、ヒータ26で加熱されて気化し、IPA蒸気となって吐出部24から乾燥室23に供給される。
When the washing of the
乾燥室23にIPA蒸気が十分に供給された後、基板11とともに基板ホルダ21が降下位置から上昇位置への上昇が開始される。まず、基板ホルダ21は、第1上昇速度で上昇される。そして、側方保持部材41の頂部が処理槽15に貯留されている洗浄水の液面に近づくと、基板ホルダ21は、第2上昇速度で上昇され、この第2上昇速度で上昇位置まで上昇される。したがって、貯留された洗浄水の液面を保持溝G1、G2が通過する際には、第2上昇速度で基板ホルダ21が上昇する。
After the IPA steam is sufficiently supplied to the drying
また、側方保持部材41の頂部が処理槽15に貯留されている洗浄水の液面に達すると、吸引部37が作動を開始する。この吸引部37による吸引は、基板ホルダ21が貯留されている洗浄水から脱した後にも、所定時間継続される。
Further, when the top of the
貯留されている洗浄水から基板ホルダ21の全てが脱し、基板ホルダ21及び基板11が乾燥室23内に収容された状態になると、洗浄水の供給が停止されるとともに、ドレイン管19を介して処理槽15内の洗浄水が急速に排出される。
When all of the
貯留されている洗浄水から基板ホルダ21が脱した状態で、保持溝G1内に残留している洗浄水は、吸引口S1aを介して吸引孔S1に吸引される。同様に、保持溝G2内に残留している洗浄水は、吸引口S2aを介して吸引孔S2に吸引される。吸引孔S1、S2に吸引された洗浄水は、吸引路P1、P2、35を介して真空トラップ37aに送られて捕捉される。
With the
一方で、基板11の表面に付着している洗浄水は、凝集するIPAで順次に置換される。これにより、基板11の表面がIPAで濡れた状態になる。この後に、基板11の温度上昇によりIPAが気化して、最終的に基板11の表面が乾燥する。
On the other hand, the washing water adhering to the surface of the
上記のように、基板11の表面に付着している洗浄水がIPAで置換される過程では、IPAが溶解した洗浄水や液化したIPAが、基板11の表面を伝って流れ落ちる。このように流れ落ちる液体の多くは、基板11の下部の周縁から処理槽15へと落下するが、一部の液体は、保持溝G1、G2内に流下して残留液となる。しかしながら、吸引部37による吸引が継続されているため、上記のように保持溝G1、G2内に流下した残留液は、吸引口S1a、S2aから吸引孔S1、S2に吸引されて、保持溝G1、G2内から除去される。
As described above, in the process of replacing the cleaning water adhering to the surface of the
保持溝G1、G2における吸引口S1a、S2aは、基板11の周縁から離れた位置に設けているので、基板11の周縁に一部または全部が塞がれることはない。したがって、残留液が妨げられることなく吸引される。
Since the suction ports S1a and S2a in the holding grooves G1 and G2 are provided at positions away from the peripheral edge of the
また、保持溝G1では、残留液の表面張力で基板11と保持溝G1の溝側面53とに付着して形成される液滴Wdの中心と一致するように設けた吸引口S1aから残留液を吸引するため、残留液が効率的に吸引される。したがって、溝底部G1a内に、残留液が残らないように吸引される。所定時間が経過すると、吸引部37が停止され、吸引孔S1、S2による吸引が停止する。
Further, in the holding groove G1, the residual liquid is discharged from the suction port S1a provided so as to coincide with the center of the droplet Wd formed by adhering to the
貯留されている洗浄水から基板ホルダ21が脱してから所定時間が経過すると、IPAの供給を停止するとともに、排気管28を介して乾燥室23内及び槽部12内を排気する。IPAの排気が十分に行われた後、窒素ガスの供給を停止するとともに、蓋部14を開き位置にする。この後、基板ホルダ21は、上昇位置からローディング位置に上昇し、ローディング機構に基板11を引き渡した後に、降下位置に下降する。また、排気管28による排気を停止し、さらに処理槽15内に洗浄水を急速に供給する。これにより、次の洗浄対象となる基板11の待ち受け状態になる。
When a predetermined time has elapsed after the
上記のように保持溝G1、G2内の残留液を吸引するため、保持溝G1、G2に保持されている基板11の部分において、洗浄水が基板11の表面で乾燥することがないから、その表面にシリコンの析出がない。したがって、保持溝G1、G2におけるパーティクルの付着を抑制できる。
Since the residual liquid in the holding grooves G1 and G2 is sucked as described above, the cleaning water does not dry on the surface of the
図9に示すように、3点で基板11を保持するように基板ホルダ71を構成してもよい。なお、基板ホルダ71は、以下に説明する他は、最初の例と同様であるので、実質的に同じ構成部材には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
As shown in FIG. 9, the
図9において、基板ホルダ71には、中央保持部材73と一対の側方保持部材41とが設けられている。この例においても、基板11は、保持溝G1によって高さ方向の位置が規定される。中央保持部材73は、固定板38、39の幅方向(Y方向)の中央に固定されている。中央保持部材73には、X方向に複数の保持溝G3が所定の配列ピッチで形成されている。この保持溝G3は、基板11の最下部が挿入され、基板11のX方向の倒れを規制する。図10に示すように、基板ホルダ71は、Y方向に並ぶ1組の中央保持部材73の保持溝G3と、一対の側方保持部材41の保持溝G1によって1枚の基板11を保持する。
In FIG. 9, the
図11に示すように、保持溝G3は、中央保持部材73の上部に設けられている。中央保持部材73及び保持溝G3の形状は、中間保持部材42(図7参照)とほぼ同様である。保持溝G3は、V字溝部63及び鉛直溝部64を有し、V字溝部63の下端から下方に向かって延びた排出溝76が形成されている。この例における保持溝G3のV字溝部63は、溝傾斜角が45°、開き角が60°である。
As shown in FIG. 11, the holding groove G3 is provided in the upper part of the central holding
中央保持部材73の内部には、保持溝G3ごとに吸引孔S3が形成されており、その一端が鉛直溝部64の溝底面64aに吸引口S3aとして露呈している。また、中央保持部材73の内部には、X方向に延在した吸引路P3が形成されている。吸引孔S3の他端は、吸引路P3に接続されている。吸引路P3は、図9に示されるように、連結部31の吸引路35に接続され、この吸引路35を介して吸引部37(図1参照)に接続されている。保持溝G3の溝底面64aの高さは、保持溝G1によって高さ方向の位置が規定される基板11の最下部の他面が接触しないように調整されている。すなわち、吸引口S3aは、基板11の周縁から離れた位置に設けられ、基板11の周縁に一部または全部が塞がれることはない。
Inside the central holding
上記のように構成された基板ホルダ71では、最初の例と同様に、吸引部37を作動させて、保持溝G1、G3内の残留液の吸引を行う。これにより、保持溝G1、G3に保持されている基板11の部分において、洗浄水が基板11の表面で乾燥することがないから、その表面にシリコンの析出がない。
In the
上記の各実施形態では、側方保持部材、中間保持部材及び中央保持部材に設けた吸引路の一端を吸引部に接続して、吸引孔からの残留液の吸引を行っているが、これらに設けた吸引路の両端に吸引部に接続した構成であってもよい。このときにその吸引路を、一端側と他端側とに2分割してもよい。 In each of the above embodiments, one end of the suction path provided in the side holding member, the intermediate holding member, and the central holding member is connected to the suction portion to suck the residual liquid from the suction hole. It may be configured to be connected to suction portions at both ends of the provided suction path. At this time, the suction path may be divided into two parts, one end side and the other end side.
図2に示す基板ホルダ21を用いて基板処理装置10で乾燥処理を行った際の基板11に対するパーティクルの付着の状態を図12のパーティクルマップに示す。基板11に付着したパーティクルは、パーティクルカウンターを用いて45nm以上のものを測定した。また、通常の測定では、基板11の外周のベベル部をクランプすることがあるため外周から3mm程度の範囲を測定除外(Edge Exclusion)としている。本測定においても、これと同様に、吸引の効果を検証するために外周から3mmの部分を除外して、パーティクルの測定を行った。また、この測定では、パーティクルのサイズについても取得した。さらに、比較のために、吸引孔を設けていない他は同じ構成の基板ホルダを用いて、乾燥処理を行った際の基板11のパーティクルマップを図13に示す。図12、図13では、基板11における保持溝G1の高さを符号HCP1で示す一点鎖線で、保持溝G2の高さを符号HCP2で示す一点鎖線でそれぞれ示す。
The particle map of FIG. 12 shows the state of adhesion of particles to the
図12、図13から、吸引孔を設けていない構成で乾燥処理を行った場合に比べて、基板ホルダ21を用いた場合、基板11の保持溝G1で保持されていた部分におけるパーティクルは大幅に減少していることがわかる。また、基板ホルダ21を用いた場合、吸引しない場合で検出されたようなサイズの大きなパーティクルの付着がなかった。また、保持溝G2の部分においても、吸引孔を設けていない構成で乾燥処理を行った場合に比べて、基板ホルダ21を用いた場合、基板11の保持溝G2で保持されていた部分におけるパーティクルが減少していることがわかる。
From FIGS. 12 and 13, when the
10 基板処理装置
11 基板
15 処理槽
21、71 基板ホルダ
41 側方保持部材
42 中間保持部材
73 中央保持部材
Cp 接触点
G1〜G3 保持溝
G1a〜G3a 溝底部
P1〜P3 吸引路
S1〜S3 吸引孔
S1a〜S3a 吸引口
10
Claims (11)
洗浄水を貯留する処理槽と、
前記基板ホルダを、前記処理槽よりも上方に移動させた上昇位置と、前記基板ホルダに保持された基板を前記処理槽内に貯留された洗浄水中に浸漬する降下位置との間で昇降させる昇降部と、
前記基板ホルダに設けられ、基板を配列させる配列方向に延在する保持部材と、
前記保持部材の上部に前記配列方向に並べて設けられ、それぞれが上方に開き基板の周縁が挿入される複数の保持溝と、
前記保持部材に設けられ、前記複数の保持溝内に周縁が挿入されることで保持された基板と離れる前記複数の保持溝の溝底部の位置にそれぞれ吸引口として一端が露呈した複数の吸引孔と、
前記保持部材内に設けられ、前記複数の吸引孔に接続された吸引路と、
前記吸引路を介して前記複数の吸引孔に接続され、前記複数の吸引孔のそれぞれに陰圧を発生させる吸引部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A board holder that holds the boards in an upright position and arranges them at predetermined intervals.
A treatment tank that stores wash water and
Lifting and lowering the substrate holder between the ascending position where the substrate holder is moved above the processing tank and the descending position where the substrate held by the substrate holder is immersed in the washing water stored in the processing tank. Department and
A holding member provided on the substrate holder and extending in the arrangement direction for arranging the substrates, and
A plurality of holding grooves provided on the upper part of the holding member side by side in the arrangement direction, each of which opens upward and into which the peripheral edge of the substrate is inserted.
A plurality of suction holes provided in the holding member, one end of which is exposed as a suction port at the position of the groove bottom of the plurality of holding grooves, which is separated from the substrate held by inserting the peripheral edge into the plurality of holding grooves. When,
A suction path provided in the holding member and connected to the plurality of suction holes,
A substrate processing apparatus comprising a suction unit connected to the plurality of suction holes via the suction path and generating a negative pressure in each of the plurality of suction holes.
ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The elevating part raises the substrate holder at the first ascending speed from the descending position, and when at least the plurality of holding grooves pass through the liquid level of the washing water stored in the treatment tank, the second ascending speed The first ascending speed is within the range of 1 mm / sec or more and 3 mm / sec or less, and the second ascending speed is within the range of 1 mm / sec or less. The substrate processing apparatus according to any one of 1 to 6.
基板ホルダに設けられた保持溝に基板の周縁を挿入した状態にして基板を保持する保持ステップと、
貯留された洗浄水に前記基板ホルダとともに基板を浸漬し基板を洗浄する洗浄ステップと、
貯留された洗浄水の上方に前記基板ホルダとともに基板を移動して基板表面を乾燥する乾燥ステップと、
前記乾燥ステップの際に前記保持溝の溝底部の基板の周縁から離れる位置に露呈した吸引孔の一端から前記保持溝内の液体を吸引する吸引ステップと
を有することを特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing method in which the surface of a substrate is cleaned and then dried.
A holding step for holding the board with the peripheral edge of the board inserted in the holding groove provided on the board holder.
A cleaning step of immersing the substrate together with the substrate holder in the stored cleaning water to clean the substrate, and
A drying step of moving the substrate together with the substrate holder above the stored wash water to dry the substrate surface,
A substrate processing method comprising a suction step of sucking a liquid in the holding groove from one end of a suction hole exposed at a position away from the peripheral edge of the substrate at the bottom of the holding groove during the drying step.
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