JP2021086495A - センサ装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 入力情報を検出することが可能なセンサ装置及び表示装置を提供する。【解決手段】 センサ装置ＳＤは、パネルＰＮＬ及び制御回路ＣＣを備える。パネルＰＮＬは、絶縁層ＩＮＳ、第１電極Ｅ１、及び第２電極Ｅ２を有する。制御回路ＣＣは、タイミング制御回路ＴＩ及び第１増幅器ＡＰ１を含む第１回路ＣＩ１と、浮動接地線に接続された検出回路ＤＣを含み第１回路ＣＩ１から電気的に隔離された第２回路ＣＩ２と、を有する。第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は、第１同期信号Ｓｙ１を出力し、タイミング制御回路ＴＩは、第２同期信号Ｓｙ２を出力し、第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２αを上記浮動接地線及び第１電極Ｅ１のそれぞれに与え、検出器は、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、センサ装置及び表示装置に関する。

一般に、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスタント）及びタブレットＰＣ（パーソナルコンピュータ）に適用可能な表示装置は、例えば静電容量型センサを有し、入力手段を用いて表示画面から直接入力されるデータを検出するように構成されている。入力手段としては、導体、指などの導電性を有する物体を利用することができる。上記表示装置としては、例えば、表示パネルの内部に上記センサを形成する電極が設けられたインセル型の表示装置や、表示パネルの表示面上に上記センサを形成する電極が設けられたオンセル型の表示装置を挙げることができる。

上記センサを形成する電極は、画像を表示する表示領域内に位置し、静電容量の変化を検出する。このため、表示装置は、入力手段が上記電極に近接することにより、上記電極に生じる静電容量の変化（静電容量結合の強弱）を取り出すことで、入力手段による入力情報を検出することができる。

特表２０１３−５０１２８７号公報

本実施形態は、入力情報を検出することが可能なセンサ装置及び表示装置を提供する。

一実施形態に係るセンサ装置は、
絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、を有するパネルと、タイミング制御回路及び第１増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備える。
前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器と、第１出力器と、を有する。
第１センシング駆動期間に、前記第１出力器は、第１同期信号を出力し、前記タイミング制御回路は、前記第１同期信号に基づいて生成した第２同期信号であって、前記第１同期信号の極性を反転させた極性を持つ前記第２同期信号を出力し、前記第１増幅器は、前記第２同期信号を増幅し、増幅した前記第２同期信号を前記浮動接地線及び前記第１電極のそれぞれに与え、前記検出器は、前記第２電極に発生したセンサ信号の変化を読取る。

また、一実施形態に係るセンサ装置は、
絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極と、を有するパネルと、タイミング制御回路、第１増幅器、及び第２増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備える。
前記第１電極及び第２電極は、第１領域に位置し、前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器と、第１出力器と、を有する。
第１センシング駆動期間に、前記第１出力器は、第１同期信号を出力し、前記タイミング制御回路は、前記第１同期信号に基づいて生成した第２同期信号であって、前記第１同期信号の極性を反転させた極性を持つ前記第２同期信号を出力し、前記第１同期信号に基づいて生成した第５同期信号であって、前記第１同期信号の極性と同一の極性を持つ前記第５同期信号を出力し、前記第１増幅器は、前記第２同期信号を増幅し、増幅した前記第２同期信号を前記浮動接地線及び前記第３電極のそれぞれに与え、前記第２増幅器は、前記第５同期信号を増幅し、増幅した前記第５同期信号を前記第１電極に与え、前記検出器は、前記第２電極に発生したセンサ信号の変化を読取る。

また、一実施形態に係るセンサ装置は、
絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、を有するパネルと、タイミング制御回路及び第１増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備える。
前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器を有する。
第１センシング駆動期間に、前記タイミング制御回路は、第６同期信号と、前記第６同期信号の極性を反転させた極性を持つ第７同期信号と、をそれぞれ出力し、前記第１増幅器は、前記第７同期信号を増幅し、増幅した前記第７同期信号を前記浮動接地線及び前記第１電極のそれぞれに与え、前記検出器は、前記第６同期信号に同期して、前記第２電極に発生したセンサ信号の変化を読取る。

また、一実施形態に係るセンサ装置は、
絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、を有するパネルと、第１増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備える。
前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器と、第２出力器と、を有する。
第２センシング駆動期間に、前記第２出力器は、第３同期信号を出力し、前記第１増幅器は、前記第３同期信号を増幅し、増幅した前記第３同期信号を前記浮動接地線及び前記第１電極のそれぞれに与え、前記検出回路は、前記第２電極に書込み信号を書込み、前記検出器は、前記書込み信号の変化であって前記第２電極に発生したセンサ信号を読取る。

また、一実施形態に係る表示装置は、
上述した複数のセンサ装置の何れか一のセンサ装置を備える。
前記パネルは、画素電極と、表示機能層と、をさらに備えた表示パネルである。前記制御回路は、第３回路をさらに有する。
画像を表示する表示駆動期間に、前記第３回路は、前記第１電極にコモン電圧を与え、前記画素電極に画像信号を与える。

図１は、比較例に係るセンサ装置を示す回路図である。 図２は、図１に示したパネルを示す平面図である。 図３は、第１の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図４は、図３に示したパネルを示す平面図である。 図５は、上記第１の実施形態に係るセンサ装置による第１センシング駆動を説明するための回路図である。 図６は、上記第１センシング駆動の比較例を説明するための回路図である。 図７は、第２の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図８は、第３の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図９は、上記第３の実施形態に係るセンサ装置による第２センシング駆動を説明するための回路図である。 図１０は、上記第２センシング駆動の比較例を説明するための回路図である。 図１１は、第４の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図１２は、第５の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図１３は、図１２に示したパネルを示す平面図である。 図１４は、第６の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図１５は、図１４に示したパネルを示す平面図である。 図１６は、上記第６の実施形態の変形例２に係るセンサ装置による第１センシング駆動を説明するための図であり、パネルを示す断面図である。 図１７は、上記第６の実施形態の変形例２に係るセンサ装置による第１センシング駆動を説明するための他の図であり、パネルを示す断面図である。 図１８は、上記第６の実施形態の変形例２に係るパネルの位置及び入力手段の位置に対するセンサ信号の変化をグラフで示す図である。 図１９は、第７の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図２０は、上記第７の実施形態に係るセンサ装置による第１センシング駆動を説明するための回路図である。 図２１は、図２０に示した上記第１センシング駆動の比較例を説明するための回路図である。 図２２は、第８の実施形態に係るセンサ装置を示す回路図である。 図２３は、第９の実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 図２４は、上記表示装置の基本構成及び等価回路を示す図である。 図２５は、図２４に示した画素を示す等価回路図である。 図２６は、上記表示装置の一部の構造を示す断面図である。 図２７は、上記第９の実施形態に係るパネル及びフレキシブル配線基板を示す平面図である。

以下に、本発明の各実施形態及び比較例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状などについて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

以下の説明において、第１電極Ｅ１から第２電極Ｅ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２電極Ｅ２から第１電極Ｅ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

（比較例）
まず、比較例に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図１は、本比較例に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。図２は、図１に示したパネルＰＮＬを示す平面図である。図２において、第１電極Ｅ１にドットパターンを付し、第２電極Ｅ２に斜線を付している。
図１に示すように、センサ装置ＳＤは、パネルＰＮＬと、パネルＰＮＬの駆動を制御するように構成された制御回路ＣＣと、を備えている。

図１及び図２に示すように、パネルＰＮＬは、センサパネルであり、絶縁層ＩＮＳと、第１電極Ｅ１と、第２電極Ｅ２と、を有している。
絶縁層ＩＮＳは、ガラス、樹脂などの絶縁材料で形成されている。本比較例において、絶縁層ＩＮＳはガラスで形成され、光透過性を持っている。その場合、絶縁層ＩＮＳをガラス基板と称してもよい。絶縁層ＩＮＳは、第１主面ＳＵ１と、第１主面ＳＵ１とは反対の第２主面ＳＵ２と、を有している。絶縁層ＩＮＳは、第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１の外側の第２領域Ａ２と、に位置している。本比較例において、第１領域Ａ１は四角形の形状を持ち、第２領域Ａ２は、矩形枠状の形状を持ち、第１領域Ａ１を囲んでいる。

第１電極Ｅ１は、絶縁層ＩＮＳの第１主面ＳＵ１側に設けられている。言い換えると、第１電極Ｅ１は、絶縁層ＩＮＳの上方に設けられている。第１電極Ｅ１は、第１領域Ａ１に位置し、第２領域Ａ２に位置していない。本比較例において、第１電極Ｅ１は、単個の電極であり、四角形の形状を持っている。本比較例において、第１電極Ｅ１は、センサ駆動電極として機能している。

第２電極Ｅ２は、絶縁層ＩＮＳの第２主面ＳＵ２側に設けられている。言い換えると、第２電極Ｅ２は、絶縁層ＩＮＳの下方に設けられている。第２電極Ｅ２は、第１電極Ｅ１とともに絶縁層ＩＮＳを挟んでいる。第２電極Ｅ２は、第１領域Ａ１に位置し、第２領域Ａ２に位置していない。本比較例において、パネルＰＮＬは、複数の第２電極Ｅ２を有している。複数の第２電極Ｅ２は、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にマトリクス状に設けられている。各々の第２電極Ｅ２は、四角形の形状を持っている。本比較例において、第２電極Ｅ２は、検出電極として機能している。
なお、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２は、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第３方向ｄ３は、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にそれぞれ直交している。

第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）、酸化亜鉛（Zinc Oxide：ＺｎＯ）などの透明な導電材料で形成されている。
但し、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２に利用する材料は、透明な導電材料に限定されるものではなく、透明な導電材料の替わりに金属を利用してもよい。その場合、絶縁層ＩＮＳは、光透過性を持っていなくともよい。

図１に示すように、制御回路ＣＣは、第１回路ＣＩ１と、第１回路ＣＩ１から電気的に隔離された第２回路ＣＩ２と、を有している。図中、第２回路ＣＩ２を破線で囲んで示している。例えば、第１回路ＣＩ１及び第２回路ＣＩ２がプリント回路基板（ＰＣＢ：printed circuit board）を用いて形成されている場合、第２回路ＣＩ２は、プリント回路基板のうち電気的に隔離された一部である。第１回路ＣＩ１は、第１増幅器ＡＰ１と、トランスを用いたアイソレータＩＯ１の一部と、コンデンサを用いたアイソレータＩＯ２の一部と、を含んでいる。

第２回路ＣＩ２は、検出回路ＤＣと、リニアレギュレータとしてのＬＤＯ（Low Dropout）レギュレータＲＧと、アイソレータＩＯ１の一部と、アイソレータＩＯ２の一部と、を含んでいる。第２回路ＣＩ２において、検出回路ＤＣ、ＬＤＯレギュレータＲＧ、アイソレータＩＯ１、及びアイソレータＩＯ２は、それぞれ浮動接地線（Floating GND line）に接続されている。
一方、第１回路ＣＩ１において、アイソレータＩＯ１、及びアイソレータＩＯ２は、それぞれ系統接地線（System GND line）に接続されている。

検出回路ＤＣは、集積回路（Touch IC）で構成されている。検出回路ＤＣは、ＬＤＯレギュレータＲＧに接続された電源端子ＡＶＤＤと、浮動接地線に接続されたグランド端子ＧＮＤと、を有している。アイソレータＩＯ１及びＬＤＯレギュレータＲＧは、電源ＰＳと、電源端子ＡＶＤＤとの間に接続されている。
電源ＰＳにおいて、例えば、出力電圧は５Ｖである。電源ＰＳが出力する電圧は、アイソレータＩＯ１及びＬＤＯレギュレータＲＧを介して検出回路ＤＣの電源端子ＡＶＤＤに与えられる。

また、検出回路ＤＣは、検出器ＩＮと、第１出力器ＯＵ１と、をさらに有している。検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に電気的に接続されている。本比較例において、検出回路ＤＣは複数の検出器ＩＮを有し、検出器ＩＮは第２電極Ｅ２と一対一で接続されている。検出器ＩＮは、積分器で構成され、演算増幅器ＡＭＰと、コンデンサＣ_ｆｂとを有している。

第１出力器ＯＵ１は、増幅器で構成されている。アイソレータＩＯ２は、第１出力器ＯＵ１と、第１増幅器ＡＰ１との間に接続されている。第１出力器ＯＵ１はパルス波形を持つ第１同期信号Ｓｙ１を出力するように構成されている。

次に、本比較例における第１センシング駆動について説明する。第１センシング駆動のための第１センシングモードは、相互容量（Mutual-Capacitive Sensing）モードと称される場合がある。第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第１同期信号Ｓｙ１はアイソレータＩＯ２を介して第１増幅器ＡＰ１に与えられる。第１増幅器ＡＰ１は、第１同期信号Ｓｙ１を増幅し、増幅した第１同期信号Ｓｙ１αを浮動接地線及び第１電極Ｅ１のそれぞれに与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

上記のように構成された比較例に係るセンサ装置ＳＤによれば、ＦＷ（firmware）修正が可能である場合、第１同期信号Ｓｙ１を浮動接地線に与え、Ground Line Modulationを実施し、入力手段による入力を検出することができる。入力手段としては、導体、指などの導電性を有する物体を挙げることができる。その際、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２における座標、及び第３方向ｄ３における第２電極Ｅ２から入力手段までの距離を検出することができる。
上記のように、ＦＷ修正が可能である場合、入力手段による入力を良好に検出することができる。しかしながら、ＦＷ修正ができない場合、入力手段による入力を良好に検出することは困難である。そこで、次に、ＦＷ修正ができない場合であっても、入力手段による入力を良好に検出することのできる実施形態について説明する。

（第１の実施形態）
次に、第１の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図３は、第１の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。図４は、図３に示したパネルＰＮＬを示す平面図である。図４において、第１電極Ｅ１にドットパターンを付し、第２電極Ｅ２に斜線を付している。

図３及び図４に示すように、パネルＰＮＬは、第３電極Ｅ３をさらに有している。第３電極Ｅ３は、絶縁層ＩＮＳの第２主面ＳＵ２側に設けられている。第３電極Ｅ３は、第２領域Ａ２に位置し、第２電極Ｅ２に絶縁距離を置いて設けられている。本第１の実施形態において、パネルＰＮＬは、複数の第３電極Ｅ３を有している。複数の第３電極Ｅ３は、第１領域Ａ１を囲むように配置されている。

複数の第３電極Ｅ３としては、第３電極Ｅ３ａ、第３電極Ｅ３ｂ、第３電極Ｅ３ｃ、及び第３電極Ｅ３ｄを挙げることができる。第３電極Ｅ３ａ及び第３電極Ｅ３ｂは、それぞれ第２方向ｄ２に延在し、短冊状の形状を持ち、第１方向ｄ１に第１領域Ａ１（複数の第２電極Ｅ２）を挟んでいる。第３電極Ｅ３ｃ及び第３電極Ｅ３ｄは、それぞれ第１方向ｄ１に延在し、短冊状の形状を持ち、第２方向ｄ２に第１領域Ａ１（複数の第２電極Ｅ２）を挟んでいる。本第１の実施形態において、第３電極Ｅ３はシールド電極として機能している。また、第１電極Ｅ１はセンサ駆動電極として機能し、第２電極Ｅ２は検出電極として機能している。

なお、パネルＰＮＬが有する第３電極Ｅ３の個数、第３電極Ｅ３の形状、及び第３電極Ｅ３の配置は、本第１の実施形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、第３電極Ｅ３は第１領域Ａ１を囲んでいなくともよく、第３電極Ｅ３は第２領域Ａ２のうち第１領域Ａ１を電気的にシールドしたい領域のみに配置されてもよい。
又は、パネルＰＮＬは、第３電極Ｅ３無しに構成されてもよい。

図３に示すように、第１回路ＣＩ１は、タイミング制御回路ＴＩをさらに含んでいる。タイミング制御回路ＴＩは、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）であるTiming Generatorで構成されている。タイミング制御回路ＴＩにおいて、入力端子はアイソレータＩＯ２に接続され、出力端子は第１増幅器ＡＰ１に接続されている。第１増幅器ＡＰ１は、浮動接地線及び第１電極Ｅ１の他、複数の第３電極Ｅ３に接続されている。

次に、本第１の実施形態における第１センシング駆動について説明する。
図３に示すように、第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第１同期信号Ｓｙ１はアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられる。タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第２同期信号Ｓｙ２であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ第２同期信号Ｓｙ２を出力する。第２同期信号Ｓｙ２は、第１増幅器ＡＰ１に与えられる。第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２を増幅し、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αを浮動接地線及び第１電極Ｅ１のそれぞれに与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

本第１の実施形態において、パネルＰＮＬは、第３電極Ｅ３を有している。そのため、第１センシング駆動期間に、第１増幅器ＡＰ１は、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αを、浮動接地線及び第１電極Ｅ１だけではなく、第３電極Ｅ３にも与えている。

次に、本第１の実施形態に係る第１センシング駆動についてより詳細に説明する。図５は、本第１の実施形態に係るセンサ装置ＳＤによる第１センシング駆動を説明するための回路図である。ここでは、入力手段として、人間の指を例に説明する。
図５に示すように、検出回路ＤＣは、制御スイッチＳＷ１及びリセットスイッチＳＷ２をさらに備えている。容量Ｃ_ＨＴは、指とＶＣＯＭ（系統接地線）との間の容量である。容量Ｃ_ＨＲは、指と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_１は、ＶＣＯＭ（系統接地線）と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_ｏｆｔは、オフセット調整容量である。コンデンサＣ_ｆｂは、Gain調整容量である。

演算増幅器ＡＭＰは、反転入力端子と、非反転入力端子と、出力端子と、を含んでいる。反転入力端子には、コンデンサＣ_ｆｂが接続され、制御スイッチＳＷ１を介して容量Ｃ_ＨＲ、容量Ｃ_１、及び容量Ｃ_ｏｆｔが電気的に接続されている。非反転入力端子は基準電位線に接続され、非反転入力端子には基準電圧Ｖ_ｒｅｆが与えられる。出力端子にはコンデンサＣ_ｆｂが接続されている。リセットスイッチＳＷ２は、コンデンサＣ_ｆｂに並列に接続されている。容量Ｃ_ｏｆｔは浮動接地線に接続され、容量Ｃ_ｏｆｔには浮動接地線からオフセット電圧Ｖ_ｏｆｔが与えられる。

ここで、オフセット電圧Ｖ_ｏｆｔについて説明する。
検出回路ＤＣ（Touch IC）の中においてオフセット電圧Ｖ_ｏｆｔは生成される。第１出力器ＯＵ１から出力された第１同期信号Ｓｙ１に同期して、第１同期信号Ｓｙ１がＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化するとき（第２同期信号Ｓｙ２がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに変化するとき）、Ｖ_ｏｆｔ１＜Ｖ_ｏｆｔ２として、電圧Ｖ_ｏｆｔ２（Floating GND基準）から電圧Ｖ_ｏｆｔ１（Floating GND基準）に変化する。容量Ｃ_ｏｆｔには、ΔＶ＝Ｖ_ｒｅｆ−Ｖ_ｏｆｔ２から、ΔＶ＝Ｖ_ｒｅｆ−Ｖ_ｏｆｔ１に変化する。
つまり、電流は、容量Ｃ_ｏｆｔの制御スイッチＳＷ１側から反対側の端子に向かって＋電流が流れる。一般的には、電圧Ｖ_ｏｆｔ１＝FGND、電圧Ｖ_ｏｆｔ２は電源電圧ＶＤＤで、容量Ｃ_ｏｆｔの容量値を可変にすることで、引き抜く電荷量を可変にする。

リセットスイッチＳＷ２のオン／オフは、第１同期信号Ｓｙ１に同期している。リセットスイッチＳＷ２をオンに切替えることにより、コンデンサＣ_ｆｂの電荷をゼロにすることができる。このため、リセットスイッチＳＷ２をオンに切替える前まで、コンデンサＣ_ｆｂへの電荷の蓄積を継続することも可能である。検出器ＩＮは、コンデンサＣ_ｆｂに蓄積された電荷量に比例した電圧を出力信号Ｖ_ｏｕｔとして出力することができる。なお、駆動する際、ＡＦＥ（Analog Front End）基板、センサの電源、及びＧＮＤをフローティングに設定している。出力信号Ｖ_ｏｕｔは次の式１で表すことができる。

ここで、電圧Ｖ_ｔｘは、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αである。

オフセット電圧Ｖ_ｏｆｔは、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持っている。そのため、容量Ｃ_ｏｆｔに電流Ｉが過剰に流れた場合にオフセットキャンセルを良好に行うことができ、入力情報の良好な検出に寄与することができる。なお、オフセット電圧Ｖ_ｏｆｔが、第１同期信号Ｓｙ１の極性と同一の極性を持っている場合、オフセット電圧Ｖ_ｏｆｔは逆に機能することとなり、オフセットキャンセル動作が困難となり、入力情報を良好に検出することが困難となる。

次に、上記第１センシング駆動の比較例について説明する。図６は、上記第１センシング駆動の比較例を説明するための回路図である。ここでも、入力手段として、人間の指を例に説明する。
図６に示すように、検出回路ＤＣは、制御スイッチＳＷ１及びリセットスイッチＳＷ２をさらに備えている。容量Ｃ_ＨＴは、指と第１電極Ｅ１との間の容量である。容量Ｃ_ＨＲは、指と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_１は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_ｏｆｔは、オフセット調整容量である。コンデンサＣ_ｆｂは、Gain調整容量である。

指の検出の有無にかかわらず、容量Ｃ_ｏｆｔに流れる電流Ｉは一定である。容量Ｃ_ＨＴ及び容量Ｃ_ＨＲが付加されることで、容量Ｃ_ｍｕｔは減少する。

ここで、容量Ｃ_ｍｕｔについて説明する。
容量Ｃ_ｍｕｔは、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間の交差容量（Ｃ＝εｒＳ／ｄ）である。εｒは間の絶縁物の比誘電率であり、Ｓは電極面積であり、ｄは第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との距離である。容量Ｃ_ｍｕｔは、フリンジ容量から構成され、いわゆる、並行平板の電極ではなく、電極エッジから発生する電界を利用している。
容量Ｃ_ｍｕｔのフリンジ容量は、指が近づくと、第１電極Ｅ１と指、第２電極Ｅ２と指の間のフリンジ電界によって、減少する。
Ｃ_１＝Ｃ_ｍｕｔ
指が無いとき、Ｃ_ＨＲ≒０、Ｃ_ＨＴ≒０となり、
指がつくと、Ｃ_ＨＲ＞０、Ｃ_ＨＴ＞０となり、
Ｃ_ｍｕｔ（指有り）＜Ｃ_ｍｕｔ（指無し）
となる。
検出器ＩＮが出力する出力信号Ｖ_ｏｕｔは次の式２で表すことができる。

上記のように構成された第１の実施形態に係るセンサ装置ＳＤによれば、センサ装置ＳＤは、第２回路ＣＩ２の外部に、タイミング制御回路ＴＩを設けている。タイミング制御回路ＴＩは、新たに第２同期信号Ｓｙ２を生成し、第１センシングモードに合わせて第２同期信号Ｓｙ２の位相を変更（反転）することができる。位相反転した第２同期信号Ｓｙ２を使って電気的に隔離された第２回路ＣＩ２の浮動接地線、第１電極Ｅ１、及び第３電極Ｅ３を駆動することができる。そのため、ＦＷ修正しなくとも、第２同期信号Ｓｙ２を浮動接地線に与え、Ground Line Modulationを実施することで、指による入力を良好に検出することができる。そして、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２における指の座標、及び第３方向ｄ３における第２電極Ｅ２から指までの距離を検出することができ、いわゆるHover検出などを行うことができる。上記のことから、入力情報を検出することが可能なセンサ装置ＳＤを得ることができる。

パネルＰＮＬは第３電極Ｅ３を有している。第１センシング駆動期間に、第２同期信号Ｓｙ２は第３電極Ｅ３に与えられる。第３電極Ｅ３は、第２電極Ｅ２とパネルＰＮＬの外部の物体との間に形成され得る不所望な電界をシールドすることができる。そのため、入力情報を精度良く検出することが可能なセンサ装置ＳＤを得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図７は、本第２の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。本第２の実施形態では、上記第１の実施形態との相違点について説明する。

図７に示すように、パネルＰＮＬにおいて、第１電極Ｅ１はシールド電極として機能し、第２電極Ｅ２は検出電極として機能し、第３電極Ｅ３はシールド電極として機能している。本第２の実施形態において、パネルＰＮＬは、第３電極Ｅ３無しに構成されてもよい。

第１回路ＣＩ１は、タイミング制御回路ＴＩを含んでいない。
検出回路ＤＣは、第１出力器ＯＵ１の替わりに第２出力器ＯＵ２を有している。第２出力器ＯＵ２は、検出器ＩＮと同様に構成され、積分器で形成されている。第２出力器ＯＵ２の反転入力端子は、アイソレータＩＯ２に接続されている。第１増幅器ＡＰ１は、アイソレータＩＯ２を介して第２出力器ＯＵ２に接続されている。

次に、本第２の実施形態における第２センシング駆動について説明する。第２センシング駆動のための第２センシングモードは、自己容量（Self-Capacitive Sensing）モードと称される場合がある。

第２センシング駆動期間に、第２出力器ＯＵ２は第３同期信号Ｓｙ３を出力し、第３同期信号Ｓｙ３はアイソレータＩＯ２を介して第１増幅器ＡＰ１に与えられる。第１増幅器ＡＰ１は、第３同期信号Ｓｙ３を増幅し、増幅した第３同期信号Ｓｙ３αを浮動接地線、第１電極Ｅ１、及び第３電極Ｅ３のそれぞれに与える。検出回路ＤＣは、第２電極Ｅ２に書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆを書込む。その後、検出器ＩＮは、書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆの変化であって第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号を読取る。

上記のように構成された第２の実施形態に係るセンサ装置ＳＤによれば、第２センシング駆動にて、入力情報を検出することが可能なセンサ装置ＳＤを得ることができる。検出回路ＤＣの第２出力器ＯＵ２を用いて第２センシング駆動のタイミングを制御することができる。これにより、第２センシング駆動のタイミングを簡単に制御することが可能なセンサ装置ＳＤを得ることができる。また、第２センシング駆動のタイミング制御のための回路構成を簡便にすることができる。

第２電極Ｅ２に書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆを書込む際、第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３を第２電極Ｅ２と同相で駆動している。言い換えると、第２電極Ｅ２に与える書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆと、第１電極Ｅ１及び第３電極Ｅ３に与える増幅した第３同期信号Ｓｙ３αとは、位相及び振幅に関して同一である。第２電極Ｅ２と第１電極Ｅ１との間に形成され得る寄生容量、及び第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間に形成され得る寄生容量を低減することができるため、入力情報を精度良く検出することが可能なセンサ装置ＳＤを得ることができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図８は、本第３の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。本第３の実施形態では、上記第１の実施形態及び上記第２の実施形態との相違点について説明する。

図８に示すように、センサ装置ＳＤは、第１センシング駆動及び第２センシング駆動の両方に対応している。第１センシング駆動期間にて、第１電極Ｅ１はセンサ駆動電極として機能し、第２電極Ｅ２は検出電極として機能し、第３電極Ｅ３はシールド電極として機能する。一方、第２センシング駆動期間にて、第１電極Ｅ１はシールド電極として機能し、第２電極Ｅ２は検出電極として機能し、第３電極Ｅ３はシールド電極として機能する。本第３の実施形態において、パネルＰＮＬは、第３電極Ｅ３無しに構成されてもよい。

検出回路ＤＣは、第１出力器ＯＵ１及び第２出力器ＯＵ２の両方を有している。第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第２出力器ＯＵ２は第３同期信号Ｓｙ３を出力しない。一方、第２センシング駆動期間に、第２出力器ＯＵ２は第３同期信号Ｓｙ３を出力し、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力しない。
第１回路ＣＩ１はタイミング制御回路ＴＩを含み、タイミング制御回路ＴＩはアイソレータＩＯ２と第１増幅器ＡＰ１との間に接続されている。

次に、本第３の実施形態における第１センシング駆動について説明する。
第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第１同期信号Ｓｙ１はアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられる。タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第２同期信号Ｓｙ２であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ第２同期信号Ｓｙ２を出力する。第２同期信号Ｓｙ２は、第１増幅器ＡＰ１に与えられる。第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２を増幅し、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αを浮動接地線、第１電極Ｅ１、及び第３電極Ｅ３のそれぞれに与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

次に、本第３の実施形態における第２センシング駆動について説明する。
第２センシング駆動期間に、第２出力器ＯＵ２は第３同期信号Ｓｙ３を出力し、第３同期信号Ｓｙ３はアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられる。タイミング制御回路ＴＩは、第３同期信号Ｓｙ３に基づいて生成した第４同期信号Ｓｙ４であって、第３同期信号Ｓｙ３の極性と同一の極性を持つ第４同期信号Ｓｙ４を出力する。第４同期信号Ｓｙ４は、第１増幅器ＡＰ１に与えられる。第１増幅器ＡＰ１は、第４同期信号Ｓｙ４を増幅し、増幅した第４同期信号Ｓｙ４αを浮動接地線、第１電極Ｅ１、及び第３電極Ｅ３のそれぞれに与える。検出回路ＤＣは、第２電極Ｅ２に書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆを書込む。その後、検出器ＩＮは、書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆの変化であって第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号を読取る。

次に、本第３の実施形態に係る第２センシング駆動についてより詳細に説明する。図９は、本第３の実施形態に係るセンサ装置ＳＤによる第２センシング駆動を説明するための回路図である。ここでは、入力手段として、人間の指を例に説明する。
図９に示すように、検出回路ＤＣは、制御スイッチＳＷ１及びリセットスイッチＳＷ２をさらに備えている。容量Ｃ_ＨＴは、指とＶＣＯＭ（系統接地線）との間の容量である。容量Ｃ_ＨＲは、指と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_１は、ＶＣＯＭ（系統接地線）と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_ｏｆｔは、オフセット調整容量である。コンデンサＣ_ｆｂは、Gain調整容量である。

コンデンサＣ_ｆｂは、演算増幅器ＡＭＰの出力端子と反転入力端子との間に接続されている。反転入力端子には、制御スイッチＳＷ１を介して容量Ｃ_ＨＲ、容量Ｃ_１、及び容量Ｃ_ｏｆｔが電気的に接続されている。非反転入力端子は基準電位線に接続され、非反転入力端子には書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆが与えられる。
容量Ｃ_ｏｆｔは浮動接地線に接続され、容量Ｃ_ｏｆｔには浮動接地線からオフセット電圧Ｖ_ｏｆｔが与えられる。

リセットスイッチＳＷ２のオン／オフは、第１同期信号Ｓｙ１又は第３同期信号Ｓｙ３に同期している。リセットスイッチＳＷ２をオンに切替えることにより検出器ＩＮは、出力信号Ｖ_ｏｕｔを出力する。なお、駆動する際、ＡＦＥ基板、センサの電源、及びＧＮＤをフローティングに設定している。出力信号Ｖ_ｏｕｔは次の式３で表すことができる。

Ｓｅｌｆ駆動時の駆動電圧は、Ｖ_ｓｅｌｆ＝Ｖ_{ｓｅｌｆＨ}−Ｖ_{ｓｅｌｆＬ}となる。電圧Ｖ_ｔｘは、Ｖ_ｔｘ＝Ｖ_ｔｘＨ−Ｖ_ｔｘＬとなる。式３は、Ｓｅｌｆ駆動の電圧レベルが、Ｖ_{ｓｅｌｆＬ}からＶ_{ｓｅｌｆＨ}に変化したときの数式である。
Ｓｅｌｆ駆動の電圧レベルが、Ｖ_{ｓｅｌｆＨ}からＶ_{ｓｅｌｆＬ}に変化したときは式が変わり、次の式４で表すことができる。

オフセット電圧Ｖ_ｏｆｔは、第３同期信号Ｓｙ３の極性と同一の極性を持っている。第１センシング駆動と比較し、第２センシング駆動において、容量Ｃ_ｏｆｔを流れる電流Ｉの向きが逆となるためである。そのため、容量Ｃ_ｏｆｔ介してオフセットキャンセルを良好に行うことができ、入力情報の良好な検出に寄与することができる。

次に、上記第２センシング駆動の比較例について説明する。図１０は、上記第２センシング駆動の比較例を説明するための回路図である。ここでも、入力手段として、人間の指を例に説明する。
図１０に示すように、検出回路ＤＣは、制御スイッチＳＷ１及びリセットスイッチＳＷ２をさらに備えている。容量Ｃ_ＨＴは、指とＶＣＯＭ（系統接地線）との間の容量である。容量Ｃ_ＨＲは、指と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_１は、ＶＣＯＭ（系統接地線）と第２電極Ｅ２との間の容量である。容量Ｃ_ｏｆｔは、オフセット調整容量である。コンデンサＣ_ｆｂは、Gain調整容量である。検出器ＩＮが出力する出力信号Ｖ_ｏｕｔは次の式５で表すことができる。

上記のように構成された第３の実施形態に係るセンサ装置ＳＤによれば、検出回路ＤＣは、第１出力器ＯＵ１及び第２出力器ＯＵ２の両方を有している。第１回路ＣＩ１はタイミング制御回路ＴＩを含んでいる。タイミング制御回路ＴＩは、センシングモードに合わせて、位相（極性）を反転した第２同期信号Ｓｙ２を出力したり、位相（極性）を反転していない第４同期信号Ｓｙ４を出力したり、することができる。第１センシング駆動にて入力情報を検出したり、第２センシング駆動にて入力情報を検出したりすることが可能なセンサ装置ＳＤを得ることができる。その他、本第３の実施形態は、上記第１の実施形態及び上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図１１は、本第４の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。本第４の実施形態では、上記第１の実施形態との相違点について説明する。

図１１に示すように、本第４の実施形態において、第３電極Ｅ３は、パネルＰＮＬにとって必須の構成である。第１回路ＣＩ１は、第２増幅器ＡＰ２をさらに含んでいる。第１増幅器ＡＰ１及び第２増幅器ＡＰ２は、一方でタイミング制御回路ＴＩに接続されている。本第４の実施形態において、第１増幅器ＡＰ１の入力端子及び第２増幅器ＡＰ２の入力端子は、電気的に接続されている。第１増幅器ＡＰ１は、他方で浮動接地線及び第１電極Ｅ１に接続されている。第２増幅器ＡＰ２は、他方で全ての第３電極Ｅ３に接続されている。

次に、本第４の実施形態における第１センシング駆動について説明する。
第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第１同期信号Ｓｙ１はアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられる。タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第２同期信号Ｓｙ２であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ第２同期信号Ｓｙ２を出力する。第２同期信号Ｓｙ２は、第１増幅器ＡＰ１及び第２増幅器ＡＰ２にそれぞれ与えられる。第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２を増幅し、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αを浮動接地線及び第１電極Ｅ１のそれぞれに与える。その際、第２増幅器ＡＰ２は、第２同期信号Ｓｙ２を増幅し、増幅した第２同期信号Ｓｙ２βを第３電極Ｅ３に与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

ここで、第２増幅器ＡＰ２が増幅した第２同期信号Ｓｙ２βの振幅は、第１増幅器ＡＰ１が増幅した第２同期信号Ｓｙ２αの振幅より大きい（第２同期信号Ｓｙ２αの振幅＜第２同期信号Ｓｙ２βの振幅）。

上記のように構成された第４の実施形態に係るセンサ装置ＳＤによれば、浮動接地線及び第１電極Ｅ１を駆動するための第１増幅器ＡＰ１と、第３電極Ｅ３を駆動するための第２増幅器ＡＰ２と、を分けることができる。第２同期信号Ｓｙ２βの振幅を第２同期信号Ｓｙ２αの振幅より大きくすることで、第３電極Ｅ３の電位を第１電極Ｅ１の電位より高くすることができる。これにより、上記第１の実施形態と比較し、第３電極Ｅ３によるシールド効果を高めることができ、入力情報を、一層、精度良く検出することが可能なセンサ装置ＳＤを得ることができる。その他、本第４の実施形態は、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図１２は、本第５の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。図１３は、図１２に示したパネルＰＮＬを示す平面図である。図１３において、第１電極Ｅ１にドットパターンを付し、第２電極Ｅ２及び第３電極Ｅ３に斜線を付している。本第５の実施形態では、上記第４の実施形態との相違点について説明する。

図１２及び図１３に示すように、第１増幅器ＡＰ１の入力端子及び第２増幅器ＡＰ２の入力端子は、タイミング制御回路ＴＩに電気的に独立して接続されている。第１増幅器ＡＰ１の出力端子は、浮動接地線及び第１電極Ｅ１に接続されている。第２増幅器ＡＰ２の出力端子は、全ての第３電極Ｅ３に接続されている。

次に、本第５の実施形態における第１センシング駆動について説明する。
第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第１同期信号Ｓｙ１はアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられる。タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第２同期信号Ｓｙ２であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ第２同期信号Ｓｙ２を出力する。第２同期信号Ｓｙ２は、第１増幅器ＡＰ１に与えられる。一方、タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第５同期信号Ｓｙ５であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ第５同期信号Ｓｙ５を出力する。第５同期信号Ｓｙ５は、第２増幅器ＡＰ２に与えられる。

第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２を増幅し、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αを浮動接地線及び第１電極Ｅ１のそれぞれに与える。その際、第２増幅器ＡＰ２は、第５同期信号Ｓｙ５を増幅し、増幅した第５同期信号Ｓｙ５αを第３電極Ｅ３に与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

ここで、第２増幅器ＡＰ２が増幅した第５同期信号Ｓｙ５αの振幅は、第１増幅器ＡＰ１が増幅した第２同期信号Ｓｙ２αの振幅より大きい（第２同期信号Ｓｙ２αの振幅＜第５同期信号Ｓｙ５αの振幅）。
上記のように構成された第５の実施形態においても、上記第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第５の実施形態の変形例１）
次に、上記第５の実施形態の変形例１に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。
図１２に示すように、センサ装置ＳＤを用いて第２センシング駆動を行ってもよい。第２センシング駆動期間に、検出回路ＤＣは、第２電極Ｅ２に書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆを書込む。その際、書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆと同位相の第２同期信号Ｓｙ２αで浮動接地線及び第１電極Ｅ１を駆動し、書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆと同位相の第５同期信号Ｓｙ５αで第３電極Ｅ３を駆動する。上記のことから、本変形例１のセンサ装置ＳＤは、上記第２の実施形態のように、第２センシング駆動を実現することができる。

なお、第５同期信号Ｓｙ５αの振幅は、第２同期信号Ｓｙ２αの振幅と同一でもよいが、第２同期信号Ｓｙ２αの振幅より大きい方が望ましい。上述したように、第３電極Ｅ３によるシールド効果を高めることができるためである。

（第５の実施形態の変形例２）
次に、上記第５の実施形態の変形例２に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。
図１２に示すように、センサ装置ＳＤは、第１センシング駆動するように構成されている。第１センシング駆動期間にて、第１電極Ｅ１はシールド電極として機能し、第２電極Ｅ２は検出電極として機能し、第３電極Ｅ３はセンサ駆動電極として機能する。

第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２αではなく、定電圧を浮動接地線及び第１電極Ｅ１に与えるように構成されている。浮動接地線及び第１電極Ｅ１は固定電位に設定され、例えば系統接地（System GND）と同電位に設定される。第２増幅器ＡＰ２は、第３電極Ｅ３に第５同期信号Ｓｙ５αを与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

これにより、第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間に形成される電界の変化に基づいて検出することができ、いわゆるGesture検出に使用することができる。例えば、第２電極Ｅ２の上方における手のひら（入力手段）の動きを検出することができる。本変形例２では、センサ駆動電極は第３電極Ｅ３である。第２電極Ｅ２から第３方向ｄ３の距離（範囲）であり、入力手段を検出可能な距離（範囲）は、センサ駆動電極が第１電極Ｅ１であるHover検出よりも、Gesture検出の方が長い（広い）。

上記のように、Gesture検出の方が、Hover検出より検出可能な距離が長いと言う特徴を有している。一方で、Hover検出の方が、Gesture検出より第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２における座標を詳細に検出することができると言う特徴を有している。
なお、第１センシング駆動にてGesture検出する際、上記のように浮動接地線及び第１電極Ｅ１を固定電位に設定しなくともよい。例えば、第５同期信号Ｓｙ５αの位相を第２同期信号Ｓｙ２αの位相の逆に設定し、第３電極Ｅ３を駆動してもよい。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図１４は、本第６の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。図１５は、図１４に示したパネルＰＮＬを示す平面図である。図１５において、第１電極Ｅ１にドットパターンを付し、第２電極Ｅ２及び第３電極Ｅ３に斜線を付している。本第６の実施形態では、上記第４の実施形態との相違点について説明する。

図１４及び図１５に示すように、第１増幅器ＡＰ１の出力端子は、浮動接地線及び第１電極Ｅ１に接続されている。
第１回路ＣＩ１は、複数の第２増幅器ＡＰ２を含んでいる。第１増幅器ＡＰ１の入力端子及び複数の第２増幅器ＡＰ２の入力端子は、タイミング制御回路ＴＩに電気的に独立して接続されている。複数の第２増幅器ＡＰ２は、複数の第３電極Ｅ３と一対一で電気的に接続されている。複数の第２増幅器ＡＰ２は、第２増幅器ＡＰ２ａ、第２増幅器ＡＰ２ｂ、第２増幅器ＡＰ２ｃ、及び第２増幅器ＡＰ２ｄを含んでいる。第２増幅器ＡＰ２ａの出力端子は、第３電極Ｅ３ａに接続されている。第２増幅器ＡＰ２ｂの出力端子は、第３電極Ｅ３ｂに接続されている。第２増幅器ＡＰ２ｃの出力端子は、第３電極Ｅ３ｃに接続されている。第２増幅器ＡＰ２ｄの出力端子は、第３電極Ｅ３ｄに接続されている。制御回路ＣＣは、第３電極Ｅ３ａ、第３電極Ｅ３ｂ、第３電極Ｅ３ｃ、及び第３電極Ｅ３ｄを、独立して駆動するように構成されている。

次に、本第６の実施形態における第１センシング駆動について説明する。
第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第１同期信号Ｓｙ１はアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられる。タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第２同期信号Ｓｙ２であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ第２同期信号Ｓｙ２を出力する。第２同期信号Ｓｙ２は、第１増幅器ＡＰ１に与えられる。

一方、タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した複数の第５同期信号Ｓｙ５であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ複数の第５同期信号Ｓｙ５を出力する。第５同期信号Ｓｙ５ａは第２増幅器ＡＰ２ａに与えられ、第５同期信号Ｓｙ５ｂは第２増幅器ＡＰ２ｂに与えられ、第５同期信号Ｓｙ５ｃは第２増幅器ＡＰ２ｃに与えられ、第５同期信号Ｓｙ５ｄは第２増幅器ＡＰ２ｄに与えられている。

第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２を増幅し、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αを浮動接地線及び第１電極Ｅ１のそれぞれに与える。その際、各々の第２増幅器ＡＰ２は、対応する第５同期信号Ｓｙ５を増幅し、増幅した第５同期信号を対応する第３電極Ｅ３に与える。第２増幅器ＡＰ２ａは、第５同期信号Ｓｙ５ａを増幅し、増幅した第５同期信号Ｓｙ５ａαを第３電極Ｅ３ａに与える。第２増幅器ＡＰ２ｂは、第５同期信号Ｓｙ５ｂを増幅し、増幅した第５同期信号Ｓｙ５ｂαを第３電極Ｅ３ｂに与える。第２増幅器ＡＰ２ｃは、第５同期信号Ｓｙ５ｃを増幅し、増幅した第５同期信号Ｓｙ５ｃαを第３電極Ｅ３ｃに与える。第２増幅器ＡＰ２ｄは、第５同期信号Ｓｙ５ｄを増幅し、増幅した第５同期信号Ｓｙ５ｄαを第３電極Ｅ３ｄに与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

ここで、各々の第２増幅器ＡＰ２が増幅した第５同期信号Ｓｙ５ａα，Ｓｙ５ｂα，Ｓｙ５ｃα，Ｓｙ５ｄαの振幅は、第２同期信号Ｓｙ２αの振幅より大きい。
上記のように構成された第６の実施形態においても、上記第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第６の実施形態の変形例１）
次に、上記第６の実施形態の変形例１に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。
図１４に示すように、センサ装置ＳＤを用いて第２センシング駆動を行ってもよい。第２センシング駆動期間に、検出回路ＤＣは、第２電極Ｅ２に書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆを書込む。その際、書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆと同位相の第２同期信号Ｓｙ２αで浮動接地線及び第１電極Ｅ１を駆動し、書込み信号Ｖ_ｓｅｌｆと同位相の第５同期信号Ｓｙ５ａα，Ｓｙ５ｂα，Ｓｙ５ｃα，Ｓｙ５ｄαで第３電極Ｅ３を駆動する。上記のことから、本変形例１のセンサ装置ＳＤは、上記第２の実施形態のように、第２センシング駆動を実現することができる。

なお、各々の第５同期信号Ｓｙ５ａα，Ｓｙ５ｂα，Ｓｙ５ｃα，Ｓｙ５ｄαの振幅は、第２同期信号Ｓｙ２αの振幅と同一でもよいが、第２同期信号Ｓｙ２αの振幅より大きい方が望ましい。

（第６の実施形態の変形例２）
次に、上記第６の実施形態の変形例２に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。
図１４に示すように、センサ装置ＳＤは、第１センシング駆動するように構成されている。第１センシング駆動期間にて、第１電極Ｅ１はシールド電極として機能し、第２電極Ｅ２は検出電極として機能する。第３電極Ｅ３ａ，Ｅ３ｂ，Ｅ３ｃ，Ｅ３ｄは順にセンサ駆動電極として機能し、センサ駆動電極として機能していない残りの第３電極はシールド電極として機能する。例えば、第３電極Ｅ３ａがセンサ駆動電極として機能する期間、残りの第３電極Ｅ３ｂ，Ｅ３ｃ，Ｅ３ｄはシールド電極として機能する。

第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２αではなく、定電圧を浮動接地線及び第１電極Ｅ１に与えるように構成されている。浮動接地線及び第１電極Ｅ１は、固定電位に設定され、例えば系統接地（System GND）と同電位に設定される。
第２増幅器ＡＰ２ａ，ＡＰ２ｂ，ＡＰ２ｃ，ＡＰ２ｄは、シールド電極として機能する第３電極Ｅ３に定電圧を与え、シールド電極として機能する第３電極Ｅ３を固定電位（例えば系統接地と同電位）に設定する。一方、第２増幅器ＡＰ２ａ，ＡＰ２ｂ，ＡＰ２ｃ，ＡＰ２ｄは、センサ駆動電極として機能する第３電極Ｅ３に第５同期信号を与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

これにより、第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間に形成される電界の変化に基づいて検出することができ、Gesture検出及びHover検出に使用することができる。上述した第５の実施形態と比較し、入力手段の位置及び高さをより詳細に検出することができる。何故なら、第３電極Ｅ３ａ，Ｅ３ｂ，Ｅ３ｃ，Ｅ３ｄを同時にセンサ駆動電極として機能させるのではなく、第３電極Ｅ３ａ，Ｅ３ｂ，Ｅ３ｃ，Ｅ３ｄを順番にセンサ駆動電極として機能させることができるためである。

次に、本変形例２の第１センシング駆動の例について説明する。
図１６は、本変形例２に係るセンサ装置ＳＤによる第１センシング駆動を説明するための図であり、パネルＰＮＬを示す断面図である。図１６は、第３電極Ｅ３ａをセンサ駆動電極として機能させ、残りの第３電極Ｅ３ｂ，Ｅ３ｃ，Ｅ３ｄをシールド電極として機能させる場合のセンサ装置ＳＤの動作に対応している。

図１７は、本変形例２に係るセンサ装置ＳＤによる第１センシング駆動を説明するための他の図であり、パネルＰＮＬを示す断面図である。図１７は、第３電極Ｅ３ｂをセンサ駆動電極として機能させ、残りの第３電極Ｅ３ａ，Ｅ３ｃ，Ｅ３ｄをシールド電極として機能させる場合のセンサ装置ＳＤの動作に対応している。
なお、図１６及び図１７において、第１位置Ｐ１の入力手段を実線で示し、第２位置Ｐ２の入力手段を破線で示している。

図１８は、本変形例２に係るパネルＰＮＬの位置及び入力手段の位置に対するセンサ信号の変化をグラフで示す図である。本変形例２では、第３電極Ｅ３ａと第３電極Ｅ３ｂとの間に、第２電極Ｅ２ａ、第２電極Ｅ２ｂ、及び第２電極Ｅ２ｃの３個の第２電極Ｅ２が第１方向ｄ１に並べられている場合を例に説明する。

図１８（ａ）は、図１６に示したようにパネルＰＮＬを駆動する期間に第１位置Ｐ１の入力手段を検出した場合の、第２電極Ｅ２ａ，Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃに発生したセンサ信号の変化をそれぞれ示している。
図１８（ｂ）は、図１７に示したようにパネルＰＮＬを駆動する期間に第１位置Ｐ１の入力手段を検出した場合の、第２電極Ｅ２ａ，Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃに発生したセンサ信号の変化をそれぞれ示している。

図１８（ｃ）は、図１６に示したようにパネルＰＮＬを駆動する期間に第２位置Ｐ２の入力手段を検出した場合の、第２電極Ｅ２ａ，Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃに発生したセンサ信号の変化をそれぞれ示している。
図１８（ｄ）は、図１７に示したようにパネルＰＮＬを駆動する期間に第２位置Ｐ２の入力手段を検出した場合の、第２電極Ｅ２ａ，Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃに発生したセンサ信号の変化をそれぞれ示している。

まず、第１位置Ｐ１の入力手段を検出する第１センシング駆動について説明する。
図１６及び図１８（ａ）に示すように、第１位置Ｐ１の入力手段は、第３電極Ｅ３ａと第２電極Ｅ２ａとの間に形成される電界、及び第３電極Ｅ３ａと第２電極Ｅ２ｂとの間に形成される電界を遮り難いが、第３電極Ｅ３ａと第２電極Ｅ２ｃとの間に形成される電界を遮り易いことが分かる。そして、第２電極Ｅ２ａ，Ｅ２ｂのセンサ信号の強度は、実質的に同一であり、第２電極Ｅ２ｃのセンサ信号の強度より低くなることが分かる。

図１７及び図１８（ｂ）に示すように、第１位置Ｐ１の入力手段は、第３電極Ｅ３ｂと第２電極Ｅ２ｃとの間に形成される電界、及び第３電極Ｅ３ｂと第２電極Ｅ２ｂとの間に形成される電界を遮り難いが、第３電極Ｅ３ｂと第２電極Ｅ２ａとの間に形成される電界を遮り易いことが分かる。そして、第２電極Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃのセンサ信号の強度は、実質的に同一であり、第２電極Ｅ２ａのセンサ信号の強度より低くなることが分かる。

これにより、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）の両方データに基づくと、第１位置Ｐ１の入力手段が、第２電極Ｅ２ａの上方に位置し、かつ、高い位置（第２電極Ｅ２ｂから第３方向ｄ３に離れた位置）にあることが分かる。
入力手段と第３電極Ｅ３ａとの位置、及び入力手段と第２電極Ｅ２との位置の関係が変化するため、入力手段の位置及び高さに関する情報を解析することが可能となる。

次に、第２位置Ｐ２の入力手段を検出する第１センシング駆動について説明する。
図１６及び図１８（ｃ）に示すように、第２位置Ｐ２の入力手段は、第３電極Ｅ３ａと第２電極Ｅ２ａとの間に形成される電界を遮り難いが、第３電極Ｅ３ａと第２電極Ｅ２ｂとの間に形成される電界、及び第３電極Ｅ３ａと第２電極Ｅ２ｃとの間に形成される電界を遮り易いことが分かる。そして、第２電極Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃのセンサ信号の強度は実質的に同一であり、第２電極Ｅ２ａのセンサ信号の強度は第２電極Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃのセンサ信号の強度より低くなることが分かる。

図１７及び図１８（ｄ）に示すように、第２位置Ｐ２の入力手段は、第３電極Ｅ３ｂと第２電極Ｅ２ｃとの間に形成される電界を遮り難いが、第３電極Ｅ３ｂと第２電極Ｅ２ｂとの間に形成される電界、及び第３電極Ｅ３ｂと第２電極Ｅ２ａとの間に形成される電界を遮り易いことが分かる。そして、第２電極Ｅ２ａ，Ｅ２ｂのセンサ信号の強度は実質的に同一であり、第２電極Ｅ２ｃのセンサ信号の強度は第２電極Ｅ２ａ，Ｅ２ｂのセンサ信号の強度より低くなることが分かる。

これにより、図１８（ｃ）及び図１８（ｄ）の両方データに基づくと、第２位置Ｐ２の入力手段が、第２電極Ｅ２ａの上方に位置し、かつ、低い位置（第１位置Ｐ１より第２電極Ｅ２ｂ側）にあることが分かる。

なお、本比較例２にて第１センシング駆動を実施する際、上記のように浮動接地線、第１電極Ｅ１、及びシールド電極として機能する第３電極Ｅ３を固定電位に設定しなくともよい。例えば、図１６の例において、第５同期信号Ｓｙ５ａαの位相を、第２同期信号Ｓｙ２α、及び第５同期信号Ｓｙ５ｂα，Ｓｙ５ｃα，Ｓｙ５ｄαの位相の逆に設定し、第３電極Ｅ３を駆動してもよい。

（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図１９は、本第７の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。本第７の実施形態では、上記第５の実施形態との相違点について説明する。
図１９に示すように、第１増幅器ＡＰ１の出力端子は、浮動接地線及び全ての第３電極Ｅ３に接続されている。第２増幅器ＡＰ２の出力端子は、第１電極Ｅ１に接続されている。

次に、本第７の実施形態における第１センシング駆動について説明する。
第１センシング駆動期間に、第１出力器ＯＵ１は第１同期信号Ｓｙ１を出力し、第１同期信号Ｓｙ１はアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられる。タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第２同期信号Ｓｙ２であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性を反転させた極性を持つ第２同期信号Ｓｙ２を出力する。第２同期信号Ｓｙ２は、第１増幅器ＡＰ１に与えられる。一方、タイミング制御回路ＴＩは、第１同期信号Ｓｙ１に基づいて生成した第５同期信号Ｓｙ５であって、第１同期信号Ｓｙ１の極性と同一の極性を持つ第５同期信号Ｓｙ５を出力する。第５同期信号Ｓｙ５は、第２増幅器ＡＰ２に与えられる。

第１増幅器ＡＰ１は、第２同期信号Ｓｙ２を増幅し、増幅した第２同期信号Ｓｙ２αを浮動接地線及び第３電極Ｅ３のそれぞれに与える。その際、第２増幅器ＡＰ２は、第５同期信号Ｓｙ５を増幅し、増幅した第５同期信号Ｓｙ５αを第１電極Ｅ１に与える。その後、検出器ＩＮは、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。

次に、本第７の実施形態に係る第１センシング駆動についてより詳細に説明する。図２０は、本第７の実施形態に係るセンサ装置ＳＤによる第１センシング駆動を説明するための回路図である。図２０には、人間Ｈと、パネルＰＮＬと、制御回路ＣＣを含む基板（例えば、ＰＣＢ）ＢＤとの電気的な接続関係を示している。ここでは、入力手段は、人間Ｈの手（例えば、指）である。

図２０に示すように、図中、符号Ｃは容量であり、符号Ｒは抵抗であり、符号Ｚは、系統接地線とEarthとの間のインピーダンスである。容量Ｃ３は基板ＢＤのトータルの容量である。容量Ｃ２は、第２電極Ｅ２と第１電極Ｅ１との間の容量である。容量Ｃ４は、第１電極Ｅ１と系統接地線との間の容量である。電荷量Ｑ１は、容量Ｃ１と電圧Ｖ１との積（Ｑ１＝Ｃ１・Ｖ１）であり、人間Ｈとセンサ（パネルＰＮＬ）との間の電荷量である。符号Ｖ２は、基板ＢＤの起電力である。

制御回路ＣＣには、第３電極Ｅ３などを駆動する第１増幅器ＡＰ１と、第１電極Ｅ１を駆動する第２増幅器ＡＰ２と、が存在している。第２増幅器ＡＰ２は、容量Ｃ４の充放電電流を少なくなるように動作する。系統接地線の電位の変動が小さくなるため、容量Ｃ１の充放電電荷量の低下を抑えることができる。

次に、上記第１センシング駆動の比較例について説明する。図２１は、図２０に示した上記第１センシング駆動の比較例を説明するための回路図である。
図２１に示すように、系統接地線とEarthとが同電位である場合、
Ｚ＝０であり、
Ｖ１＝Ｖ２となる。

一方、系統接地線の電位とEarthの電位とが異なる場合、
Ｚ≠０であり、
センサ（パネルＰＮＬ）の充放電に応じて容量Ｃ３から電荷が供給される。
インピーダンスＺに応じた、系統接地線の電位変化が起こる。
容量Ｃ２に流す電流量、及びインピーダンスＺに応じて、系統接地線の電位変化が決まる。
そのため、系統接地線の電位が下がっている分、容量Ｃ１の充放電電荷量は、Ｃ１・Ｖ２よりも小さくなる。

上記のように構成された第７の実施形態においても、上記第５の実施形態の変形例２と同様の効果を得ることができる。第１増幅器ＡＰ１の駆動波形と、第２増幅器ＡＰ２の駆動波形とは、逆位相となる。第２電極Ｅ２と第１電極Ｅ１との間の充放電の電流方向と、第１電極Ｅ１と系統接地（System GND）との間の充放電の電流方向とは、逆になるため、系統接地線の電圧の変化が小さくなるものである。

（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態に係るセンサ装置ＳＤについて説明する。図２２は、本第８の実施形態に係るセンサ装置ＳＤを示す回路図である。本第８の実施形態では、上記第１の実施形態との相違点について説明する。
図２２に示すように、パネルＰＮＬにおいて、第１電極Ｅ１はセンサ駆動電極として機能し、第２電極Ｅ２は検出電極として機能し、第３電極Ｅ３はシールド電極として機能している。本第８の実施形態において、パネルＰＮＬは、第３電極Ｅ３無しに構成されてもよい。

検出回路ＤＣは、検出タイミング回路ＤＴをさらに備えている。検出タイミング回路ＤＴは、アイソレータＩＯ２とリセットスイッチＳＷ２との間に接続されている。上述した実施形態では、同期信号は、検出回路ＤＣからアイソレータＩＯ２を介してタイミング制御回路ＴＩに与えられるものであった。しかしながら、本第８の実施形態では、同期信号は、タイミング制御回路ＴＩからアイソレータＩＯ２を介してリセットスイッチＳＷ２に与えられるものである。

次に、本第８の実施形態における第１センシング駆動について説明する。
第１センシング駆動期間に、タイミング制御回路ＴＩは、第６同期信号Ｓｙ６と、第６同期信号Ｓｙ６の極性を反転させた極性を持つ第７同期信号Ｓｙ７と、をそれぞれ出力する。タイミング制御回路ＴＩは第３出力器ＯＵ３を有し、第６同期信号Ｓｙ６は第３出力器ＯＵ３から出力される。第６同期信号Ｓｙ６は、アイソレータＩＯ２を介して検出回路ＤＣのリセットスイッチＳＷ２に与えられる。第７同期信号Ｓｙ７は、第１増幅器ＡＰ１に与えられる。第１増幅器ＡＰ１は、第７同期信号Ｓｙ７を増幅し、増幅した第７同期信号Ｓｙ７αを浮動接地線、第１電極Ｅ１、及び第３電極Ｅ３のそれぞれに与える。その後、検出器ＩＮは、第６同期信号Ｓｙ６に同期して、第２電極Ｅ２に発生したセンサ信号の変化を読取る。なお、リセットスイッチＳＷ２のオン／オフは、第６同期信号Ｓｙ６に同期している。
上記のように構成された第８の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第９の実施形態）
次に、第９の実施形態に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。図２３は、本第９の実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を示す斜視図である。
図２３に示すように、本第９の実施形態において、表示装置ＤＳＰは液晶表示装置である。表示装置ＤＳＰは、パネルＰＮＬ、パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ１、静電容量型のセンサＳＥ、センサＳＥを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ２、パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２，ＦＰＣ３などを備えている。本第９の実施形態において、パネルＰＮＬは、表示パネルとして、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルである。表示装置ＤＳＰは、上述した複数のセンサ装置ＳＤのうち何れか一のセンサ装置ＳＤを備えている。

パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された表示機能層としての液晶層（後述する液晶層ＬＩ）と、を備えている。なお、本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１をアレイ基板と、第２基板ＳＵＢ２を対向基板と、それぞれ言い換えることができる。パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡを備えている。このパネルＰＮＬは、バックライトユニットＢＬからのバックライトを選択的に透過することで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の液晶表示パネルである。なお、パネルＰＮＬは、透過表示機能に加えて、外光を選択的に反射することで画像を表示する反射表示機能を備えた半透過型の液晶表示パネルであってもよい。

バックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。なお、パネルＰＮＬが反射表示機能のみを備えた反射型である場合には、バックライトユニットＢＬは省略される。

センサＳＥは、複数の検出電極Ｒｘを備えている。これらの検出電極Ｒｘは、例えばパネルＰＮＬの画像を表示する画面側の外面の上方に設けられている。このため、検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に接していてもよく、又は第２基板ＳＵＢ２から離れて位置していてもよい。本実施形態において、検出電極Ｒｘは第２基板ＳＵＢ２の外面に接している。ここで、上記外面は、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１と対向する面とは反対側の面であり、画像を表示する表示面を含んでいる。また、図示した例では、各検出電極Ｒｘは、実質的に第１方向ｄ１に延出し、第１方向ｄ１に交差する第２方向ｄ２に並んでいる。なお、各検出電極Ｒｘは、第２方向ｄ２に延出し第１方向ｄ１に並んでいてもよいし、島状に形成され第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にマトリクス状に配置されていてもよい。

駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ１は、パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、センサＳＥの検出電極Ｒｘと制御モジュールＣＭとを接続している。駆動部としての駆動ＩＣチップＩＣ２は、制御モジュールＣＭ上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ３は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。

駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２などを介して接続されている。例えば、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２が第１基板ＳＵＢ１上に接続された分岐部ＦＰＣＢを有している場合、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、分岐部ＦＰＣＢ及び第１基板ＳＵＢ１上の配線を介して接続されていてもよい。また、駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１及びＦＰＣ２を介して接続されていてもよい。

図２４は、上記表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を示す図である。
図２４に示すように、表示装置ＤＳＰは、パネルＰＮＬなどに加えて、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに位置した駆動ＩＣチップＩＣ１、ゲート線駆動回路ＧＤＣなどを備えている。本実施形態において、駆動ＩＣチップＩＣ１は、ソース線駆動回路ＳＤＣ及び共通電極駆動回路ＣＤＣを備えている。なお、駆動ＩＣチップＩＣ１は、ソース線駆動回路ＳＤＣ及び共通電極駆動回路ＣＤＣの少なくとも一部を備えていてもよい。非表示領域ＮＤＡの形状は、表示領域ＤＡを囲む額縁状（矩形枠状）である。

パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。また、パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本のゲート線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本のソース線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。

ゲート線Ｇは、第１方向ｄ１に略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ゲート線駆動回路ＧＤＣに接続されている。また、ゲート線Ｇは、第２方向ｄ２に間隔を置いて並べられている。ソース線Ｓは、第２方向ｄ２に略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ソース線駆動回路ＳＤＣに接続されている。また、ソース線Ｓは、第１方向ｄ１に間隔を置いて並べられ、ゲート線Ｇと交差している。なお、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内に設けられ、共通電極駆動回路ＣＤＣに電気的に接続されている。この共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸで共用されている。共通電極ＣＥの詳細については後述する。

図２５は、図２４に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。
図２５に示すように、各画素ＰＸは、画素スイッチング素子ＰＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＩなどを備えている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタで形成されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓと電気的に接続されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであってもよい。また、画素スイッチング素子ＰＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体などによって形成されていてもよい。画素電極ＰＥは、画素スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ、絶縁膜及び画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。

図２６は、表示装置ＤＳＰの一部の構造を示す断面図である。
すなわち、表示装置ＤＳＰは、上述したパネルＰＮＬ及びバックライトユニットＢＬに加えて、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２なども備えている。なお、図示したパネルＰＮＬは、表示モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していてもよい。例えば、パネルＰＮＬは、ＦＦＳモードなどの主として基板主面に略平行な横電界を利用するＩＰＳ（In-Plane Switching）モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。

又は、パネルＰＮＬは、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード、ＶＡ（Vertical Aligned）モードなどの主として基板主面に略垂直な縦電界を利用するモードに対応した構成を有していてもよい。縦電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥが備えられ、第２基板ＳＵＢ２に共通電極ＣＥが備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、互いに直交する第１方向ｄ１と第２方向ｄ２とで規定される平面と平行な面である。

パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び液晶層ＬＩを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは所定の間隙を形成した状態で貼り合わされている。液晶層ＬＩは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の間隙に封入されている。

第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２に対向する側に、ソース線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。

第１絶縁層１１は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。なお、詳述しないが、本実施形態では、例えばトップゲート構造の画素スイッチング素子が適用されている。このような実施形態では、第１絶縁層１１は、第３方向ｄ３に積層された複数の絶縁層を含んでいる。例えば、第１絶縁層１１は、第１絶縁基板１０と画素スイッチング素子の半導体層との間に介在するアンダーコート層、半導体層とゲート電極との間に介在するゲート絶縁層、ゲート電極とソース・ドレイン電極との間に介在する層間絶縁層などの各種絶縁層を含んでいる。ゲート配線は、ゲート電極と同様に、ゲート絶縁層と層間絶縁層との間に配置されている。ソース線Ｓは、第１絶縁層１１の上に形成されている。また、画素スイッチング素子のソース電極やドレイン電極なども第１絶縁層１１の上に形成されている。図示した例では、ソース線Ｓは、第２方向ｄ２に延出している。

第２絶縁層１２は、ソース線Ｓ及び第１絶縁層１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁層１２の上に形成されている。このような共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。なお、図示した例では、共通電極ＣＥの上に金属層ＭＬが形成され、共通電極ＣＥを低抵抗化しているが、金属層ＭＬは省略してもよい。

第３絶縁層１３は、共通電極ＣＥ及び第２絶縁層１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の上に形成されている。各画素電極ＰＥは、隣接するソース線Ｓの間にそれぞれ位置し、共通電極ＣＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁層１３を覆っている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に形成され、各画素を区画している。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、それぞれ第２絶縁基板２０の内面に形成され、それらの一部がブラックマトリクスＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に配置された赤色カラーフィルタであり、赤色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に配置された緑色カラーフィルタであり、緑色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に配置された青色カラーフィルタであり、青色の樹脂材料によって形成されている。

図示した例は、カラー画像を構成する最小単位である単位画素が赤色画素、緑色画素、及び、青色画素の３個の色画素によって構成された場合に相当する。但し、単位画素は、上記の３個の色画素の組み合わせによるものに限らない。例えば、単位画素は、赤色画素、緑色画素、青色画素に加えて、白色画素の４個の色画素によって構成されてもよい。この場合、白色あるいは透明のカラーフィルタが白色画素に配置されてもよいし、白色画素のカラーフィルタそのものを省略してもよい。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の外面の上方に形成されている。この検出電極Ｒｘの詳細な構造については後述する。また、ここでは、簡略化して図示しており、後述するリード線Ｌの図示を省略している。この実施形態において、検出電極Ｒｘは、導電材料として、例えば金属によって形成されている。なお、検出電極Ｒｘは、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されていてもよく、又は、金属（例えば、金属線）と透明な導電材料（例えば、透明な導電層）との組合せ（集合体）によって形成されていてもよい。各検出電極Ｒｘは、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１、液晶層ＬＩ、第２配向膜ＡＬ２、オーバーコート層ＯＣ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、第２絶縁基板２０といった誘電体を介して共通電極ＣＥと対向している。

第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上方に配置されている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。第１光学素子ＯＤ１に含まれる偏光板の吸収軸は、第２光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板の吸収軸と互いに直交している。また、この例では、表示装置ＤＳＰの入力面は第２光学素子ＯＤ２の表面である。表示装置ＤＳＰは入力面への入力手段による入力情報などを検出することができる。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰが備える静電容量型のセンサＳＥについて説明する。図２７は、本実施形態に係るパネルＰＮＬ及びフレキシブル配線基板ＦＰＣ２を示す平面図である。図２７において、上記駆動ＩＣチップＩＣ１の図示を省略しているが、上述したように共通電極駆動回路ＣＤＣは駆動ＩＣチップＩＣ１に設けられている。
図２７に示すように、本実施形態のセンサＳＥは、第１基板ＳＵＢ１側の共通電極ＣＥ、並びに第２基板ＳＵＢ２側の検出電極Ｒｘ、リード線Ｌ、及び接続線ＬＣを備えている。つまり、共通電極ＣＥは、表示用の電極として機能するとともに、センサ駆動電極として機能する。

共通電極ＣＥ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに配置されている。図示した例では、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第１方向ｄ１に間隔を置いて並び、第２方向ｄ２に略直線的に延出し、帯状に形成された複数の分割電極Ｃを備えている。複数の分割電極Ｃのうち、表示領域ＤＡ内で第１方向ｄ１にて最も外側に位置する分割電極Ｃはリード線Ｌと対向する一側縁を有し、上記一側縁は表示領域ＤＡの外周縁と平面的に重なっている。
なお、本実施形態において、平面的とは、パネルＰＮＬを平面視した状態をいう。すなわち、平面的とは、表示面の法線方向からパネルＰＮＬをみたときの状態（図２３における第３方向ｄ３の逆方向からパネルＰＮＬをみたときの状態）をいう。このため、「平面的に」を「第３方向ｄ３の逆方向からパネルＰＮＬをみた状態において」と言い換えることができる。

本実施形態において、表示領域ＤＡは矩形状であり、複数のリード線Ｌは第２基板ＳＵＢ２の非表示領域ＮＤＡに位置し、各分割電極Ｃの上辺は表示領域ＤＡの上側の縁と平面的に重なり、各分割電極Ｃの下辺は表示領域ＤＡの下側の縁と平面的に重なり、複数の分割電極Ｃのうちの両端の各分割電極Ｃのリード線Ｌと対向する一側縁は、表示領域ＤＡの外周縁と平面的に重なっている。

検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第２方向ｄ２に間隔をおいて並び、第１方向ｄ１に略直線的に延出している。つまり、ここでは、検出電極Ｒｘは、分割電極Ｃと交差する方向に延出している。検出電極Ｒｘは、複数の金属線で形成されている。共通電極ＣＥ（第２方向ｄ２に延在する複数の分割電極Ｃ）と第１方向ｄ１に延在する複数の検出電極Ｒｘとは、上記の通り、各種誘電体を挟んで対向している。

なお、分割電極Ｃの個数、サイズ、及び形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。また、共通電極ＣＥは、後述する例のように、第２方向ｄ２に間隔を置いて並び、第１方向ｄ１に略直線的に延出していてもよい。さらには、共通電極ＣＥは、分割されることなく、表示領域ＤＡにおいて連続的に形成された単個の平板電極であってもよい。

リード線Ｌは、非表示領域ＮＤＡ内にて第２基板ＳＵＢ２の上方に設けられている。接続線ＬＣは、第２基板ＳＵＢ２の上方に設けられ、リード線Ｌと検出電極Ｒｘとを接続している。この実施形態において、接続線ＬＣは、第１方向ｄ１に延出している。リード線Ｌは、接続線ＬＣを介して検出電極Ｒｘと一対一で電気的に接続されている。リード線Ｌの各々は、検出電極Ｒｘに発生したセンサ信号の変化をフレキシブル配線基板ＦＰＣ２側に出力する。
表示装置ＤＳＰは、さらに、非表示領域ＮＤＡに配置された共通電極駆動回路ＣＤＣを備えている。分割電極Ｃのそれぞれは、共通電極駆動回路ＣＤＣに電気的に接続されている。

フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、非表示領域ＮＤＡにて、第２基板ＳＵＢ２の上方に配置されたＯＬＢ（Outer Lead Bonding）パッド群に接続されている。ＯＬＢパッド群の各パッドは、リード線Ｌ及び接続線ＬＣを経由して検出電極Ｒｘに電気的に接続されている。この実施形態において、検出電極Ｒｘだけでなく、接続線ＬＣ及びリード線Ｌも、導電材料としての金属によって形成されている。

本第９の実施形態において、共通電極ＣＥは上記第１電極Ｅ１に相当し、検出電極Ｒｘは上記第２電極Ｅ２に相当している。第３絶縁層１３、オーバーコート層ＯＣ、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ、及び第２絶縁基板２０は、それぞれ上記絶縁層ＩＮＳに相当している。制御モジュールＣＭ及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、上記制御回路ＣＣに相当している。駆動ＩＣチップＩＣ２は、上記検出回路ＤＣに相当している。

共通電極ＣＥは、上記第１電極Ｅ１に相当している。検出電極Ｒｘは、上記第２電極Ｅ２に相当している。本第９の実施形態において、第３電極Ｅ３を図示していないが、表示装置ＤＳＰは、第３電極Ｅ３を備えていてもよく、第３電極Ｅ３を備えていなくともよい。

表示領域ＤＡは上記第１領域Ａ１と一致し、非表示領域ＮＤＡは上記第２領域Ａ２と一致している。但し、表示領域ＤＡは上記第１領域Ａ１と一致していなくともよく、また、非表示領域ＮＤＡは上記第２領域Ａ２と一致していなくともよい。
ゲート線駆動回路ＧＤＣ、駆動ＩＣチップＩＣ１、駆動ＩＣチップＩＣ２、制御モジュールＣＭなどの集合体は、上記制御回路ＣＣに相当している。駆動ＩＣチップＩＣ１は、第３回路として機能している。

本第９の実施形態の表示装置ＤＳＰは、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、液晶層ＬＩなどを用い、表示駆動を行うことができる。画像を表示する表示駆動期間に、共通電極駆動回路ＣＤＣは、共通電極ＣＥに対して、コモン電圧を与える。ソース線駆動回路ＳＤＣは、画素電極ＰＥに画像信号（例えば、映像信号）を与える。

また、表示装置ＤＳＰは、共通電極ＣＥ、検出電極Ｒｘなどを用い、第１センシング駆動期間に第１センシング駆動を行ったり、第２センシング駆動期間に第２センシング駆動を行ったり、することができる。例えば、第１センシング駆動期間に、制御モジュールＣＭは、共通電極ＣＥに対して、分岐部ＦＰＣＢ、駆動ＩＣチップＩＣ１などを介して第２同期信号Ｓｙ２αなどの同期信号を与えることができる。
上記のように構成された第９の実施形態においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

上述した第９の実施形態では、表示装置として、液晶表示装置を例に開示した。しかし、上述した実施形態は、有機ＥＬ（electroluminescent）表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置に適用可能である。また、上述した実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

ＳＤ…センサ装置、ＰＮＬ…パネル、ＩＮＳ…絶縁層、ＳＵ１…第１主面、
ＳＵ２…第２主面、Ｅ１…第１電極、Ｅ２，Ｅ２ａ，Ｅ２ｂ，Ｅ２ｃ…第２電極、
Ｅ３，Ｅ３ａ，Ｅ３ｂｃ，Ｅ３ｄ…第３電極、ＣＣ…制御回路、ＣＩ１…第１回路、
ＡＰ１…第１増幅器、ＡＰ２，ＡＰ２ａ，ＡＰ２ｂ，ＡＰ２ｃ，ＡＰ２ｄ…第２増幅器、
ＴＩ…タイミング制御回路、ＯＵ３…第３出力器、ＣＩ２…第２回路、ＤＣ…検出回路、
ＩＮ…検出器、ＡＭＰ…演算増幅器、Ｃｆｂ…コンデンサ、ＳＷ２…リセットスイッチ、
ＯＵ１…第１出力器、ＯＵ２…第２出力器、ＤＴ…検出タイミング回路、
ＤＳＰ…表示装置、ＳＵＢ１…第１基板、Ｇ…ゲート線、Ｓ…ソース線、
ＣＥ…共通電極、１３…第３絶縁層、ＰＥ…画素電極、ＳＵＢ２…第２基板、
２０…第２絶縁基板、ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ…カラーフィルタ、
ＯＣ…オーバーコート層、Ｒｘ…検出電極、ＬＩ…液晶層、ＰＸ…画素、
ＰＳＷ…画素スイッチング素子、ＣＭ…制御モジュール、ＧＤＣ…ゲート線駆動回路、
ＩＣ１…駆動ＩＣチップ、ＳＤＣ…ソース線駆動回路、ＣＤＣ…共通電極駆動回路、
ＩＣ２…駆動ＩＣチップ、Ｓｙ…同期信号、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、
ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ｄ１…第１方向、ｄ２…第２方向、
ｄ３…第３方向。

Claims (13)

1. 絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、を有するパネルと、
   タイミング制御回路及び第１増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備え、
   前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器と、第１出力器と、を有し、
   第１センシング駆動期間に、
   前記第１出力器は、第１同期信号を出力し、
   前記タイミング制御回路は、前記第１同期信号に基づいて生成した第２同期信号であって、前記第１同期信号の極性を反転させた極性を持つ前記第２同期信号を出力し、
   前記第１増幅器は、前記第２同期信号を増幅し、増幅した前記第２同期信号を前記浮動接地線及び前記第１電極のそれぞれに与え、
   前記検出器は、前記第２電極に発生したセンサ信号の変化を読取る、
   センサ装置。
2. 前記パネルは、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極をさらに有し、
   前記第１電極及び前記第２電極は、第１領域に位置し、
   前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、
   前記第１センシング駆動期間に、
   前記第１増幅器は、増幅した前記第２同期信号を前記第３電極にさらに与える、
   請求項１に記載のセンサ装置。
3. 前記検出回路は、第２出力器をさらに有し、
   第２センシング駆動期間に、
   前記第２出力器は、第３同期信号を出力し、
   前記タイミング制御回路は、前記第３同期信号に基づいて生成した第４同期信号であって、前記第３同期信号の極性と同一の極性を持つ前記第４同期信号を出力し、
   前記第１増幅器は、前記第４同期信号を増幅し、増幅した前記第４同期信号を前記浮動接地線及び前記第１電極のそれぞれに与え、
   前記検出回路は、前記第２電極に書込み信号を書込み、
   前記検出器は、前記書込み信号の変化であって前記第２電極に発生したセンサ信号を読取る、
   請求項１に記載のセンサ装置。
4. 前記パネルは、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極をさらに有し、
   前記第１電極及び前記第２電極は、第１領域に位置し、
   前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、
   前記第２センシング駆動期間に、
   前記第１増幅器は、増幅した前記第４同期信号を前記第３電極にさらに与える、
   請求項３に記載のセンサ装置。
5. 前記パネルは、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極をさらに有し、
   前記第１電極及び前記第２電極は、第１領域に位置し、
   前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、
   前記第１回路は、第２増幅器をさらに含み、
   前記第１センシング駆動期間に、
   前記第２増幅器は、前記第２同期信号を増幅し、増幅した前記第２同期信号を前記第３電極に与え、
   前記第２増幅器が増幅した前記第２同期信号の振幅は、前記第１増幅器が増幅した前記第２同期信号の振幅より大きい、
   請求項１に記載のセンサ装置。
6. 前記パネルは、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極をさらに有し、
   前記第１電極及び前記第２電極は、第１領域に位置し、
   前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、
   前記第１回路は、第２増幅器をさらに含み、
   前記第１センシング駆動期間に、
   前記タイミング制御回路は、前記第１同期信号に基づいて生成した第５同期信号であって、前記第１同期信号の極性を反転させた極性を持つ前記第５同期信号を出力し、
   前記第２増幅器は、前記第５同期信号を増幅し、増幅した前記第５同期信号を前記第３電極に与え、
   前記第２増幅器が増幅した前記第５同期信号の振幅は、前記第１増幅器が増幅した前記第２同期信号の振幅より大きい、
   請求項１に記載のセンサ装置。
7. 前記パネルは、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられ互いに電気的に絶縁された複数の第３電極をさらに有し、
   前記第１電極及び前記第２電極は、第１領域に位置し、
   前記複数の第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、前記第２領域に沿って互いに間隔を置いて配置され、
   前記第１回路は、前記複数の第３電極と一対一で電気的に接続された複数の第２増幅器をさらに含み、
   前記第１センシング駆動期間に、
   前記タイミング制御回路は、前記第１同期信号に基づいて生成した複数の第５同期信号であって、前記第１同期信号の極性を反転させた極性を持つ前記複数の第５同期信号を出力し、
   各々の前記第２増幅器は、対応する前記第５同期信号を増幅し、増幅した前記第５同期信号を対応する前記第３電極に与え、
   各々の前記第２増幅器が増幅した前記第５同期信号の振幅は、前記第１増幅器が増幅した前記第２同期信号の振幅より大きい、
   請求項１に記載のセンサ装置。
8. 絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極と、を有するパネルと、
   タイミング制御回路、第１増幅器、及び第２増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備え、
   前記第１電極及び第２電極は、第１領域に位置し、
   前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、
   前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器と、第１出力器と、を有し、
   第１センシング駆動期間に、
   前記第１出力器は、第１同期信号を出力し、
   前記タイミング制御回路は、
   前記第１同期信号に基づいて生成した第２同期信号であって、前記第１同期信号の極性を反転させた極性を持つ前記第２同期信号を出力し、
   前記第１同期信号に基づいて生成した第５同期信号であって、前記第１同期信号の極性と同一の極性を持つ前記第５同期信号を出力し、
   前記第１増幅器は、前記第２同期信号を増幅し、増幅した前記第２同期信号を前記浮動接地線及び前記第３電極のそれぞれに与え、
   前記第２増幅器は、前記第５同期信号を増幅し、増幅した前記第５同期信号を前記第１電極に与え、
   前記検出器は、前記第２電極に発生したセンサ信号の変化を読取る、
   センサ装置。
9. 絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、を有するパネルと、
   タイミング制御回路及び第１増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備え、
   前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器を有し、
   第１センシング駆動期間に、
   前記タイミング制御回路は、第６同期信号と、前記第６同期信号の極性を反転させた極性を持つ第７同期信号と、をそれぞれ出力し、
   前記第１増幅器は、前記第７同期信号を増幅し、増幅した前記第７同期信号を前記浮動接地線及び前記第１電極のそれぞれに与え、
   前記検出器は、前記第６同期信号に同期して、前記第２電極に発生したセンサ信号の変化を読取る、
   センサ装置。
10. 前記パネルは、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極をさらに有し、
    前記第１電極及び前記第２電極は、第１領域に位置し、
    前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、
    前記第１センシング駆動期間に、
    前記第１増幅器は、増幅した前記第７同期信号を前記第３電極にさらに与える、
    請求項９に記載のセンサ装置。
11. 絶縁層と、前記絶縁層の第１主面側に設けられた第１電極と、前記絶縁層の第１主面とは反対の第２主面側に設けられ前記第１電極とともに前記絶縁層を挟んだ第２電極と、を有するパネルと、
    第１増幅器を含む第１回路と、浮動接地線に接続された検出回路を含み前記第１回路から電気的に隔離された第２回路と、を有する制御回路と、を備え、
    前記検出回路は、前記第２電極に電気的に接続された検出器と、第２出力器と、を有し、
    第２センシング駆動期間に、
    前記第２出力器は、第３同期信号を出力し、
    前記第１増幅器は、前記第３同期信号を増幅し、増幅した前記第３同期信号を前記浮動接地線及び前記第１電極のそれぞれに与え、
    前記検出回路は、前記第２電極に書込み信号を書込み、
    前記検出器は、前記書込み信号の変化であって前記第２電極に発生したセンサ信号を読取る、
    センサ装置。
12. 前記パネルは、前記絶縁層の前記第２主面側に設けられた第３電極をさらに有し、
    前記第１電極及び前記第２電極は、第１領域に位置し、
    前記第３電極は、前記第１領域の外側の第２領域に位置し、
    前記第２センシング駆動期間に、
    前記第１増幅器は、増幅した前記第３同期信号を前記第３電極にさらに与える、
    請求項１１に記載のセンサ装置。
13. 請求項１乃至１２の何れか１項に記載のセンサ装置を備え、
    前記パネルは、画素電極と、表示機能層と、をさらに備えた表示パネルであり、
    前記制御回路は、第３回路をさらに有し、
    画像を表示する表示駆動期間に、前記第３回路は、
    前記第１電極にコモン電圧を与え、
    前記画素電極に画像信号を与える、
    表示装置。

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