JP2021074831A - 結晶材料の研磨方法及びファラデー回転子の製造方法 - Google Patents
結晶材料の研磨方法及びファラデー回転子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021074831A JP2021074831A JP2019204082A JP2019204082A JP2021074831A JP 2021074831 A JP2021074831 A JP 2021074831A JP 2019204082 A JP2019204082 A JP 2019204082A JP 2019204082 A JP2019204082 A JP 2019204082A JP 2021074831 A JP2021074831 A JP 2021074831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- thickness
- double
- crystal material
- sided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 23
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 21
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
[1]結晶材料を鏡面に研磨するに際し、鏡面研磨加工する手段として両面研磨加工を用い、該両面研磨加工の際に用いるワークキャリアの厚さと、該両面研磨加工後の結晶材料の目標厚さとの差を50μm以下とすることを特徴とする結晶材料の研磨方法。
[2] 前記両面研磨加工の際に用いる研磨パッドは、その沈み込み量(圧縮率(%)×パッド厚さ(mm)×1/100)が0.04mm以下である前記[1]に記載の研磨方法。
[3]前記[1]に記載の研磨方法による両面研磨加工後の結晶材料は、その中央部と端部の厚さの差が2.0μmm以下である前記[1]に記載の研磨方法。
[4]前記[2]に記載の研磨方法による両面研磨加工後の結晶材料は、その中央部と端部の厚さの差が1.0μmm以下である前記[2]に記載の研磨方法。
[5]前記[1]〜[4]のいずれかに記載の研磨方法を実施する研磨工程を含むことを特徴とするファラデー回転子の製造方法。
[6]前記ファラデー回転子は、その中央部と端部の厚さの差が2.0μmm以下であり、かつ、5.0mm□から16.0mm□の大きさである前記[5]に記載の製造方法。
液相エピタキシャル法によってビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を作製した。このビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶をダイサー加工して、11.0mm×11.0mmの平板状のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を30枚切り出した。次に、前記平板状のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶に、両面ラップ加工を施した。このとき、2000番の砥粒を使用して、目標厚さ540μmよりも24μm厚い564μmになるように加工した。
実施例1と同様にダイサー加工までを実施し、11.0mm×11.0mmの平板状のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を27枚切り出した。そして、実施例1と同様に両面ラップ加工を行い、目標厚さ538μmよりも24μm厚い562μmになるように加工した。
実施例1と同様に両面ラップ加工まで実施した。ワークの目標厚さは538umであった。そして、実施例1と同様に両面研磨加工を実施したが、研磨パッドはフジボウ愛媛社製FP80(製品名、沈み込み量0.06mm)、ワークキャリアは365umの厚さの物を用いた。得られたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶ウェハの1枚について、実施例1と同様に両面研磨加工後の面ダレを測定したところ、3.0umであった。
比較例1と同様に、研磨パッドにフジボウ愛媛社製FP80(製品名)を用い、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶ウェハの目標厚さ(ワーク厚)とワークキャリア厚との差(ワーク飛び出し量)をいくつかの組み合わせの条件下で実施し、各条件での面ダレ量を測定した結果を図1にまとめた。
図1からわかるように、ワーク飛び出し量が50um以下となるワーク厚とワークキャリア厚との組み合わせで研磨することで、面ダレを2um以下に抑えることができる。
実施例1と同様に両面ラップ加工まで実施した。ワークの目標厚さは540umであった。そして、前記両面ラップ加工を施した平板状のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶に対して、実施例1と同様に両面研磨加工を実施したが、ワークキャリアは510umの厚さの物を用い、研磨パッドの沈み込み量を、0.061、0.055、0.045、0.039、0.035、0.030mmの6種類に振り分け、それぞれについて両面研磨を行った。次いで、両面研磨加工後の面ダレを測定し、その結果を図2にまとめた。また、ワーク飛び出し量100um、沈み込み量0.039mmの両面研磨加工も行ったが、面ダレは1.4umであった。結果を図2にまとめた。
図2に示された結果より、面ダレ1.0um以下を達成する条件として、ワークの飛び出し量 50um以下、かつ、研磨パッドの沈み込み量0.04um以下の両方が必要であることがわかる。
2 ワーク
3 上定盤+研磨パッド
4 下定盤+研磨パッド
Claims (6)
- 結晶材料を鏡面に研磨するに際し、鏡面研磨加工する手段として両面研磨加工を用い、該両面研磨加工の際に用いるワークキャリアの厚さと、該両面研磨加工後の結晶材料の目標厚さとの差を50μm以下とすることを特徴とする結晶材料の研磨方法。
- 前記両面研磨加工の際に用いる研磨パッドは、その沈み込み量(圧縮率(%)×パッド厚さ(mm)×1/100)が0.04mm以下である請求項1に記載の研磨方法。
- 請求項1に記載の研磨方法による両面研磨加工後の結晶材料は、その中央部と端部の厚さの差が2.0μmm以下である請求項1に記載の研磨方法。
- 請求項2に記載の研磨方法による両面研磨加工後の結晶材料は、その中央部と端部の厚さの差が1.0μmm以下である請求項2に記載の研磨方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨方法を実施する研磨工程を含むことを特徴とするファラデー回転子の製造方法。
- 前記ファラデー回転子は、その中央部と端部の厚さの差が2.0μmm以下であり、かつ、5.0mm□から16.0mm□の大きさである請求項5に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019204082A JP2021074831A (ja) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 結晶材料の研磨方法及びファラデー回転子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019204082A JP2021074831A (ja) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 結晶材料の研磨方法及びファラデー回転子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021074831A true JP2021074831A (ja) | 2021-05-20 |
Family
ID=75899859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019204082A Pending JP2021074831A (ja) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 結晶材料の研磨方法及びファラデー回転子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021074831A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113664694A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-19 | 山西烁科晶体有限公司 | 碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005172899A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Photocrystal Inc | 光コア部品チップの製造法 |
JP2010045279A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の両面研磨方法 |
JP2013220516A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ウェハ基板及びその製造方法 |
JP2014110433A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Siltronic Ag | 少なくとも1つのウエハを研磨する方法 |
-
2019
- 2019-11-11 JP JP2019204082A patent/JP2021074831A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005172899A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Photocrystal Inc | 光コア部品チップの製造法 |
JP2010045279A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の両面研磨方法 |
JP2013220516A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ウェハ基板及びその製造方法 |
JP2014110433A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Siltronic Ag | 少なくとも1つのウエハを研磨する方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113664694A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-19 | 山西烁科晶体有限公司 | 碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101846926B1 (ko) | 웨이퍼의 양면 연마방법 | |
KR101994782B1 (ko) | 경면연마 웨이퍼의 제조방법 | |
US20090311949A1 (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
US20090311863A1 (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
WO2014104098A1 (ja) | 複合基板、その製法及び弾性波デバイス | |
JP2002231665A (ja) | エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法 | |
JP2021074831A (ja) | 結晶材料の研磨方法及びファラデー回転子の製造方法 | |
CN110383427B (zh) | 晶圆的制造方法 | |
KR102165589B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 연마 방법, 실리콘 웨이퍼 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 | |
JP5871282B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶ウェーハの製造方法。 | |
KR20190088414A (ko) | 캐리어의 제조방법 및 웨이퍼의 양면 연마방법 | |
JP2007260793A (ja) | ウェーハ基板の研磨方法及び圧電性単結晶からなるウェーハ | |
JP2014040339A (ja) | 圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法 | |
WO2018211903A1 (ja) | シリコンウエーハの研磨方法 | |
JP2021132102A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
WO2010128671A1 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
US20130149941A1 (en) | Method Of Machining Semiconductor Substrate And Apparatus For Machining Semiconductor Substrate | |
JP6471686B2 (ja) | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP5282440B2 (ja) | 評価用ウェーハ及び両面研磨の研磨代の評価方法 | |
JP7271875B2 (ja) | 酸化物単結晶基板の製造方法 | |
JP7119706B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法 | |
JP7131378B2 (ja) | 単結晶ウエハの製造方法 | |
JP7472546B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶基板の製造方法 | |
JP2013220516A (ja) | ウェハ基板及びその製造方法 | |
JP7304792B2 (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230327 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20231003 |