JP2021062571A - Laminated substrate and peeling method - Google Patents

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Abstract

To provide a laminated substrate that prevents damage to an electronic device and a support base material during separation of the support base material.SOLUTION: A laminated substrate 10 has a laminated structure of a glass-made support base material 12, a polyimide resin layer 14, a device layer 15, and a resin layer 16. The resin layer 16 has a thickness of 50-200 μm, the resin layer 16 has a tensile elasticity of 1-5 GPa, and an adhesive layer 13 is provided between the support base material 12 and the polyimide resin layer 14.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、積層基板および剥離方法に関する。 The present invention relates to a laminated substrate and a peeling method.

太陽電池；液晶パネル（ＬＣＤ）；有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）；電磁波、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線等を感知する受信センサーパネル；等の電子デバイスを製造する際に、特許文献１に記載されるように、ポリイミド樹脂層を基板として用いる態様が開示されている。ポリイミド樹脂層は、ガラス基板上に設けられた積層基板の状態で用いられ、積層基板が電子デバイスの製造に提供されている。電子デバイスを形成した後、電子デバイスの基板であるポリイミド樹脂層と、支持基材であるガラス基板とが剥離等により分離される。 Described in Patent Document 1 when manufacturing electronic devices such as solar cells; liquid crystal panels (LCDs); organic EL panels (OLEDs); receiving sensor panels that detect electromagnetic waves, X-rays, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, etc. As described above, an embodiment in which the polyimide resin layer is used as a substrate is disclosed. The polyimide resin layer is used in the state of a laminated substrate provided on a glass substrate, and the laminated substrate is provided for manufacturing an electronic device. After forming the electronic device, the polyimide resin layer which is the substrate of the electronic device and the glass substrate which is the supporting base material are separated by peeling or the like.

特開２０１５−１０４８４３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-104843

上述したように、積層基板中のポリイミド樹脂層上には、電子デバイスを構成する各種電子デバイス用部材が形成されるため、電子デバイスを形成した後、電子デバイスの基板であるポリイミド樹脂層とガラス基板とが分離される。この分離の際に、電子デバイスおよびガラス基板はいずれも破損しないことが望ましい。電子デバイスが破損しても、ガラス基板が破損しても、製造歩留まりが悪くなる。
しかしながら、特許文献１では、上述のポリイミド樹脂層とガラス基板との分離について何ら考慮されていない。
電子デバイスを製造した際には、電子デバイスを保護する保護フィルムが貼合される。本発明者らは、この保護フィルムと、上述のポリイミド樹脂層とガラス基板との分離との関係に着目して、分離時の電子デバイスおよびガラス基板の破損について検討したところ、使用する保護フィルムの種類によって、上述のポリイミド樹脂層とガラス基板との分離時に、電子デバイスおよびガラス基板が破損する場合があることを知見した。
そこで、本発明は、支持基材の分離時における電子デバイスおよび支持基材の破損を抑制した積層基板および剥離方法を提供することを目的とする。 As described above, since various electronic device members constituting the electronic device are formed on the polyimide resin layer in the laminated substrate, after the electronic device is formed, the polyimide resin layer and the glass which are the substrates of the electronic device are formed. Separated from the substrate. It is desirable that neither the electronic device nor the glass substrate is damaged during this separation. Even if the electronic device is damaged or the glass substrate is damaged, the manufacturing yield is deteriorated.
However, in Patent Document 1, no consideration is given to the separation between the above-mentioned polyimide resin layer and the glass substrate.
When an electronic device is manufactured, a protective film that protects the electronic device is attached. The present inventors focused on the relationship between this protective film and the separation between the polyimide resin layer and the glass substrate described above, and examined the breakage of the electronic device and the glass substrate during separation. It was found that the electronic device and the glass substrate may be damaged when the above-mentioned polyimide resin layer and the glass substrate are separated depending on the type.
Therefore, an object of the present invention is to provide a laminated substrate and a peeling method that suppress the damage of the electronic device and the supporting base material at the time of separating the supporting base material.

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上述の目的を達成できることを見出した。
本発明の第１の態様は、ガラス製の支持基材と、ポリイミド樹脂層と、デバイス層と、樹脂層とが積層された積層基板であって、樹脂層の厚みが５０〜２００μｍであり、樹脂層の引張弾性率が１〜５ＧＰａである、積層基板を提供するものである。
支持基材とポリイミド樹脂層との間に、粘着層が設けられていることが好ましい。
支持基材の表面に直接、ポリイミド樹脂層が設けられており、樹脂層の厚みが１００〜２００μｍであり、樹脂層の引張弾性率が３〜５ＧＰａであることが好ましい。
粘着層は、シリコーン樹脂層であることが好ましい。
樹脂層は、光学機能性層を有することが好ましい。
本発明の第２の態様は、第１の態様の積層基板のうち、粘着層を有する積層基板において、粘着層とポリイミド樹脂層との間を境にして、支持基材上の粘着層からポリイミド樹脂層とデバイス層と樹脂層とを剥離する、剥離方法を提供するものである。
本発明の第３の態様は、第１の態様の積層基板のうち、粘着層が設けられていない構成の積層基板において、支持基材とポリイミド樹脂層との間を境にして、支持基材からポリイミド樹脂層とデバイス層と樹脂層とを剥離する、剥離方法を提供するものである。
樹脂層は、光学機能性層を有することが好ましい。 As a result of diligent studies, the present inventors have found that the above-mentioned object can be achieved by the following configuration.
The first aspect of the present invention is a laminated substrate in which a glass supporting base material, a polyimide resin layer, a device layer, and a resin layer are laminated, and the thickness of the resin layer is 50 to 200 μm. Provided is a laminated substrate having a tensile elastic modulus of 1 to 5 GPa of the resin layer.
It is preferable that an adhesive layer is provided between the support base material and the polyimide resin layer.
It is preferable that the polyimide resin layer is provided directly on the surface of the supporting base material, the thickness of the resin layer is 100 to 200 μm, and the tensile elastic modulus of the resin layer is 3 to 5 GPa.
The adhesive layer is preferably a silicone resin layer.
The resin layer preferably has an optical functional layer.
In the second aspect of the present invention, among the laminated substrates of the first aspect, in the laminated substrate having an adhesive layer, the polyimide is formed from the adhesive layer on the supporting substrate with the adhesive layer and the polyimide resin layer as a boundary. It provides a peeling method for peeling a resin layer, a device layer and a resin layer.
A third aspect of the present invention is the laminated substrate of the first aspect, which has a structure in which an adhesive layer is not provided, with a support base material and a polyimide resin layer as a boundary. The present invention provides a peeling method for peeling a polyimide resin layer, a device layer, and a resin layer.
The resin layer preferably has an optical functional layer.

本発明によれば、支持基材の分離時における電子デバイスおよび支持基材の破損が抑制された積層基板を提供できる。また、電子デバイスおよび支持基材の破損を抑制して支持基材を分離することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a laminated substrate in which damage to an electronic device and a supporting base material is suppressed when the supporting base material is separated. In addition, the supporting base material can be separated by suppressing damage to the electronic device and the supporting base material.

本発明の積層基板における樹脂層の厚みと、樹脂層の引張弾性率との範囲を示すグラフである。It is a graph which shows the range of the thickness of the resin layer in the laminated substrate of this invention, and the tensile elastic modulus of a resin layer. 本発明の実施形態の積層基板の第１の例を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the 1st example of the laminated substrate of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の積層基板の第１の例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the 1st example of the laminated substrate of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の積層基板の支持基材の分離を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the separation of the support base material of the laminated substrate of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の積層基板の第１の例の樹脂層を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the resin layer of 1st example of the laminated substrate of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の積層基板の第２の例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the 2nd example of the laminated substrate of embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態は本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す実施形態に制限されることはない。なお、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, in the present invention, the following embodiments are exemplary for explaining the present invention, and are not limited to the embodiments shown below. Various modifications and substitutions can be added to the following embodiments without departing from the scope of the present invention.
The numerical range represented by "~" means a range including the numerical values before and after "~" as the lower limit value and the upper limit value.

本発明の積層基板の特徴点としては、ガラス製の支持基材と、ポリイミド樹脂層と、デバイス層と、樹脂層とが積層されており、デバイス層に積層された樹脂層の厚みと、引張弾性率とを調整することにより、デバイス層への破損、および支持基材の破損を抑制する所望の効果を得ている。
本発明者らは、上述の積層基板において、ガラス製の支持基材と、ポリイミド樹脂層との間で剥離して、支持基材を分離する際に、樹脂層の厚みが薄く、かつ引張弾性率が小さい場合、支持基材の分離に必要な樹脂層の引上げ荷重は小さいが、樹脂層が大きく変形してしまい、樹脂層の曲率半径が小さくなり、デバイス層が大きく変形し、デバイス層にかかる応力が大きくなり、デバイス層に破損が生じることを知見している。
また、樹脂層の厚みが厚く、かつ引張弾性率が大きい場合、分離の際に、樹脂層の変形が小さく平行剥離に近い状態となり、支持基材の分離に必要な樹脂層の引上げ荷重が大きくなる。これにより、デバイス層にかかる応力は小さくなるが、支持基材にかかる応力が大きくなって支持基材に破損が生じたり、また、樹脂層の引上げ荷重が大きくなるため、樹脂層が伸びたりすることを知見している。
以上の点を考慮して、樹脂層の厚みと、引張弾性率とが調整されている。
樹脂層の厚みと、引張弾性率との規定について、具体的には、樹脂層の厚みが５０〜２００μｍであり、樹脂層の引張弾性率が１〜５ＧＰａである。図１において領域Ｄ１で示される範囲である。
以下、積層基板について説明する。 The feature of the laminated substrate of the present invention is that a glass supporting base material, a polyimide resin layer, a device layer, and a resin layer are laminated, and the thickness and tension of the resin layer laminated on the device layer. By adjusting the elastic modulus, a desired effect of suppressing damage to the device layer and damage to the supporting base material is obtained.
In the above-mentioned laminated substrate, the present inventors have thinned the resin layer and tensile elastic modulus when the supporting base material made of glass is peeled off from the polyimide resin layer to separate the supporting base material. When the modulus is small, the pulling load of the resin layer required for separating the supporting base material is small, but the resin layer is greatly deformed, the radius of curvature of the resin layer is small, the device layer is greatly deformed, and the device layer is formed. It has been found that the stress increases and the device layer is damaged.
Further, when the thickness of the resin layer is thick and the tensile elastic modulus is large, the deformation of the resin layer is small and the state is close to parallel peeling at the time of separation, and the pulling load of the resin layer required for separating the supporting base material is large. Become. As a result, the stress applied to the device layer is reduced, but the stress applied to the supporting base material is increased to cause damage to the supporting base material, and the pulling load of the resin layer is increased, so that the resin layer is stretched. I know that.
In consideration of the above points, the thickness of the resin layer and the tensile elastic modulus are adjusted.
Regarding the definition of the thickness of the resin layer and the tensile elastic modulus, specifically, the thickness of the resin layer is 50 to 200 μm, and the tensile elastic modulus of the resin layer is 1 to 5 GPa. A range indicated by the region D 1 in FIG. 1.
Hereinafter, the laminated substrate will be described.

＜積層基板＞
［積層基板の第１の例］
図２は本発明の実施形態の積層基板の第１の例を模式的に示す平面図であり、図３は本発明の実施形態の積層基板の第１の例を模式的に示す断面図である。図４は本発明の実施形態の積層基板の支持基材の分離を説明する断面図である。
第１の例の積層基板１０は、ガラス製の支持基材１２と、粘着層１３と、ポリイミド樹脂層１４と、デバイス層１５と、樹脂層１６とを積層されたものである。例えば、樹脂層１６は、支持基材１２上のデバイス層１５を覆って配置されている。
図２に示すように、支持基材１２の表面１２ａに粘着層１３が設けられ、この粘着層１３の表面１３ａにポリイミド樹脂層１４が設けられ、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａにデバイス層１５が設けられている。粘着層１３とポリイミド樹脂層１４とは同じ大きさであるが、支持基材１２の表面１２ａに比べて小さい。
図３に示すように樹脂層１６とデバイス層１５との間に密着層１９が設けられている。密着層１９はデバイス層１５の表面１５ａおよび支持基材１２の表面１２ａのうち外縁部１２ｃと接する。樹脂層１６は密着層１９によりデバイス層１５に貼合される。樹脂層１６は、デバイス層１５を利用する際には剥がされる。樹脂層１６とデバイス層１５との間に密着層１９を設けたが、これに限定されるものではなく、密着層１９が設けることなく、樹脂層１６をデバイス層１５に貼合してもよい。 <Laminated board>
[First example of laminated substrate]
FIG. 2 is a plan view schematically showing a first example of a laminated substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a first example of a laminated substrate according to an embodiment of the present invention. is there. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the separation of the supporting base material of the laminated substrate according to the embodiment of the present invention.
The laminated substrate 10 of the first example is a laminated substrate 12 made of glass, an adhesive layer 13, a polyimide resin layer 14, a device layer 15, and a resin layer 16. For example, the resin layer 16 is arranged so as to cover the device layer 15 on the support base material 12.
As shown in FIG. 2, the adhesive layer 13 is provided on the surface 12a of the support base material 12, the polyimide resin layer 14 is provided on the surface 13a of the adhesive layer 13, and the device layer 15 is provided on the surface 14a of the polyimide resin layer 14. It is provided. The adhesive layer 13 and the polyimide resin layer 14 have the same size, but are smaller than the surface 12a of the supporting base material 12.
As shown in FIG. 3, an adhesion layer 19 is provided between the resin layer 16 and the device layer 15. The adhesion layer 19 is in contact with the outer edge portion 12c of the surface 15a of the device layer 15 and the surface 12a of the support base material 12. The resin layer 16 is attached to the device layer 15 by the adhesion layer 19. The resin layer 16 is peeled off when the device layer 15 is used. The adhesion layer 19 is provided between the resin layer 16 and the device layer 15, but the present invention is not limited to this, and the resin layer 16 may be attached to the device layer 15 without providing the adhesion layer 19. ..

支持基材１２は、ポリイミド樹脂層１４を支持する部材であり、ポリイミド樹脂層１４は粘着層１３を介して支持基材１２に設けられている。また、支持基材１２はポリイミド樹脂層１４を補強する補強板として機能する。さらに、支持基材１２は、積層基板１０の搬送の際の搬送基板としても機能する。
積層基板１０においては、支持基材１２と粘着層１３との間で剥離される。積層基板１０の剥離方法では、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４とを引き剥がす方向に力を加えると、粘着層１３とポリイミド樹脂層１４との間を境にして、図４に示すように、樹脂層１６とデバイス層１５とポリイミド樹脂層１４とを一体に、支持基材１２上の粘着層１３から剥離して、支持基材１２を分離する。剥離方法では、支持基材１２の分離時における電子デバイスおよび支持基材の破損を抑制することができる。 The support base material 12 is a member that supports the polyimide resin layer 14, and the polyimide resin layer 14 is provided on the support base material 12 via the adhesive layer 13. Further, the support base material 12 functions as a reinforcing plate for reinforcing the polyimide resin layer 14. Further, the support base material 12 also functions as a transport substrate when transporting the laminated substrate 10.
In the laminated substrate 10, the support base material 12 and the adhesive layer 13 are peeled off. In the method of peeling the laminated substrate 10, when a force is applied in the direction of peeling the support base material 12 and the polyimide resin layer 14, the adhesive layer 13 and the polyimide resin layer 14 are separated from each other as shown in FIG. , The resin layer 16, the device layer 15, and the polyimide resin layer 14 are integrally peeled from the adhesive layer 13 on the support base material 12, and the support base material 12 is separated. In the peeling method, damage to the electronic device and the supporting base material at the time of separating the supporting base material 12 can be suppressed.

ポリイミド樹脂層１４は、後述する電子デバイスの製造のために用いられる基板である。ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａに、デバイス層１５が設けられている。デバイス層１５は、特定の機能を発揮する電子デバイスを有する。例えば、デバイス層１５の表面１５ａを複数の領域に区画し、各区画に電子デバイスを形成する、いわゆる多面付けとすることもできる。 The polyimide resin layer 14 is a substrate used for manufacturing an electronic device described later. The device layer 15 is provided on the surface 14a of the polyimide resin layer 14. The device layer 15 has an electronic device that exerts a specific function. For example, the surface 15a of the device layer 15 may be partitioned into a plurality of regions, and electronic devices may be formed in each compartment, which is a so-called multi-imposition.

樹脂層１６は、支持基材１２およびデバイス層１５を保護するものであり、特に外部からの受けた力による打痕、およびキズ等がデバイス層１５に生じないように保護する。樹脂層１６は、例えば、図２に示す積層基板１０では支持基材１２の表面１２ａ全域を覆っている。
樹脂層１６は、上述のように保護層として機能する以外に、デバイス層１５が、例えば、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、またはＬＤ素子を有する構成の場合、偏光フィルムのような光学機能性層として機能するものでもよい。樹脂層１６が光学機能性層として機能する場合、光学機能性層の量を減らすために、樹脂層１６はデバイス層１５と同じ大きさであることが好ましい。
樹脂層１６は、単層構造でも多層構造でもよく、単層の場合、例えば、樹脂フィルムで構成される。また、樹脂層１６は光学機能性層を有する構成でもよい。光学機能性層としては、上述のように偏光フィルムが挙げられる。偏光フィルムのような光学機能性層は、単層でも、多層でもよい。多層の場合、光学機能性層間に接着層が設けられるが、これらをまとめて樹脂層１６とし、密着層１９とは区別される。
また、樹脂層１６の厚みＴ（図５参照）には密着層１９の厚みが含まれない、 The resin layer 16 protects the support base material 12 and the device layer 15, and particularly protects the device layer 15 from dents and scratches caused by external forces. For example, in the laminated substrate 10 shown in FIG. 2, the resin layer 16 covers the entire surface 12a of the supporting base material 12.
In addition to functioning as a protective layer as described above, the resin layer 16 serves as an optical functional layer such as a polarizing film when the device layer 15 has, for example, an organic EL element, an LED element, or an LD element. It may be functional. When the resin layer 16 functions as an optical functional layer, the resin layer 16 is preferably the same size as the device layer 15 in order to reduce the amount of the optical functional layer.
The resin layer 16 may have a single-layer structure or a multi-layer structure, and in the case of a single layer, it is composed of, for example, a resin film. Further, the resin layer 16 may have a structure having an optical functional layer. Examples of the optical functional layer include a polarizing film as described above. The optical functional layer such as a polarizing film may be a single layer or a multilayer. In the case of a multi-layered structure, an adhesive layer is provided between the optically functional layers, and these are collectively referred to as a resin layer 16 to be distinguished from the adhesive layer 19.
Further, the thickness T of the resin layer 16 (see FIG. 5) does not include the thickness of the adhesion layer 19.

粘着層１３は、例えば、シリコーン樹脂層である。
粘着層１３がシリコーン樹脂層である場合、積層基板１０に加熱処理が施された際に、シリコーン樹脂層とポリイミド樹脂層１４との間の密着力よりも、支持基材１２とシリコーン樹脂層との間の密着力の方が大きくなることが好ましい。これは、加熱処理によって、支持基材１２のヒドロキシ基とシリコーン樹脂層のヒドロキシ基とが結合すること等によって生じ得る。その結果、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４とを引き剥がす方向に力が加えられると、シリコーン樹脂層とポリイミド樹脂層１４との間で剥離する。これにより、ポリイミド樹脂層１４を分離できる。 The adhesive layer 13 is, for example, a silicone resin layer.
When the pressure-sensitive adhesive layer 13 is a silicone resin layer, when the laminated substrate 10 is heat-treated, the support base material 12 and the silicone resin layer have a greater adhesion than the adhesion between the silicone resin layer and the polyimide resin layer 14. It is preferable that the adhesion between the two is larger. This may occur due to the bonding of the hydroxy group of the support base material 12 and the hydroxy group of the silicone resin layer by the heat treatment or the like. As a result, when a force is applied in the direction of peeling the support base material 12 and the polyimide resin layer 14, the silicone resin layer and the polyimide resin layer 14 are peeled off. Thereby, the polyimide resin layer 14 can be separated.

積層基板１０では、樹脂層１６の厚みが５０〜２００μｍであり、樹脂層１６の引張弾性率が１〜５ＧＰａである。樹脂層１６の厚みと引張弾性率は、図１に示す領域Ｄ１である。樹脂層１６の厚みと、樹脂層１６の引張弾性率とが図１に示す領域Ｄ１にあれば、支持基材の分離時における電子デバイスおよび支持基材の破損を抑制することができる。 In the laminated substrate 10, the thickness of the resin layer 16 is 50 to 200 μm, and the tensile elastic modulus of the resin layer 16 is 1 to 5 GPa. The thickness and tensile modulus of the resin layer 16 is a region D 1 shown in FIG. The thickness of the resin layer 16, if there is a tensile elastic modulus of the resin layer 16 in the region D 1 shown in FIG. 1, it is possible to suppress the damage of the electronic device and supporting substrate at the time of separation of the supporting substrate.

樹脂層１６の厚みが５０μｍ未満では、樹脂層１６と支持基材１２との剥離時に、支持基材１２の分離に必要な樹脂層１６の引上げ荷重は小さいが樹脂層１６が大きく変形して、樹脂層の曲率半径が小さくなり、デバイス層１５が大きく変形し、デバイス層１５が破損する。
樹脂層１６の厚みが２００μｍを超えると、樹脂層１６と支持基材１２との剥離時に、樹脂層１６の変形が小さく平行剥離に近い状態となり、支持基材１２の分離に必要な樹脂層の引上げ荷重が大きくなり、支持基材１２に作用する応力が大きくなり、支持基材１２が破損する。また、樹脂層１６の引上げ荷重が大きくなるため、樹脂層１６が伸びてしまうこともある。 When the thickness of the resin layer 16 is less than 50 μm, when the resin layer 16 and the support base material 12 are separated from each other, the pulling load of the resin layer 16 required for separating the support base material 12 is small, but the resin layer 16 is greatly deformed. The radius of curvature of the resin layer becomes small, the device layer 15 is greatly deformed, and the device layer 15 is damaged.
When the thickness of the resin layer 16 exceeds 200 μm, when the resin layer 16 and the supporting base material 12 are peeled off, the deformation of the resin layer 16 is small and the peeling state is close to parallel peeling. The pulling load becomes large, the stress acting on the supporting base material 12 becomes large, and the supporting base material 12 is damaged. Further, since the pulling load of the resin layer 16 becomes large, the resin layer 16 may be stretched.

樹脂層１６の引張弾性率が１ＧＰａ未満では、樹脂層１６と支持基材１２との剥離時に、支持基材１２の分離に必要な樹脂層１６の引上げ荷重は小さいが樹脂層１６が大きく変形して、樹脂層の曲率半径が小さくなり、デバイス層１５が大きく変形し、デバイス層１５が破損する。
樹脂層１６の引張弾性率が５ＧＰａを超えると、樹脂層１６と支持基材１２との剥離時に、樹脂層１６の変形が小さく平行剥離に近い状態となり、支持基材１２の分離に必要な樹脂層１６の引上げ荷重が大きくなり、支持基材１２に作用する応力が大きくなり、支持基材１２が破損する。また、樹脂層１６の引上げ荷重が大きくなるため、樹脂層１６が伸びてしまうこともある。 When the tensile elastic modulus of the resin layer 16 is less than 1 GPa, when the resin layer 16 and the support base material 12 are separated from each other, the pulling load of the resin layer 16 required for separating the support base material 12 is small, but the resin layer 16 is greatly deformed. As a result, the radius of curvature of the resin layer becomes smaller, the device layer 15 is greatly deformed, and the device layer 15 is damaged.
When the tensile elastic modulus of the resin layer 16 exceeds 5 GPa, when the resin layer 16 and the supporting base material 12 are peeled off, the deformation of the resin layer 16 is small and the resin layer 16 is in a state close to parallel peeling, and the resin required for separating the supporting base material 12 The pulling load of the layer 16 becomes large, the stress acting on the supporting base material 12 becomes large, and the supporting base material 12 is damaged. Further, since the pulling load of the resin layer 16 becomes large, the resin layer 16 may be stretched.

特に、樹脂層１６の厚みが５０μｍ未満であり、かつ引張弾性率が１ＧＰａ未満の場合、樹脂層１６と支持基材１２との分離時に、樹脂層１６の曲率半径がさらに小さくなり、デバイス層がさらに大きく変形して、デバイス層１５の破損の程度が増す。
また、樹脂層１６の厚みが２００μｍを超え、かつ引張弾性率が５ＧＰａ超える場合、樹脂層１６と支持基材１２との分離時に必要な樹脂層１６の引上げ荷重がさらに大きくなり、支持基材１２に作用する応力がさらに大きくなり支持基材１２の破損の程度が増す。 In particular, when the thickness of the resin layer 16 is less than 50 μm and the tensile elastic modulus is less than 1 GPa, the radius of curvature of the resin layer 16 becomes smaller when the resin layer 16 and the supporting base material 12 are separated, and the device layer becomes Further large deformation increases the degree of damage to the device layer 15.
When the thickness of the resin layer 16 exceeds 200 μm and the tensile elastic modulus exceeds 5 GPa, the pulling load of the resin layer 16 required for separating the resin layer 16 and the supporting base material 12 becomes even larger, and the supporting base material 12 The stress acting on the supporting base material 12 is further increased, and the degree of damage to the supporting base material 12 is increased.

［積層基板の第１の例の製造方法］
第１の例の積層基板１０において、支持基材１２上、粘着層１３およびポリイミド樹脂層１４を形成する場合、ポリイミド樹脂層１４の裏面（デバイス層１５が配置される側とは反対側の面）に、粘着層１３としてシリコーン樹脂層を形成する方法が好ましい。具体的には、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物をポリイミド樹脂層１４上に塗布し、得られた塗膜に対して硬化処理を施して、粘着層１３としてシリコーン樹脂層を得た後、シリコーン樹脂層の裏面（ポリイミド樹脂層１４側とは反対側の表面）に支持基材１２を積層する方法が好ましい。
より詳細には、硬化性シリコーンの層をポリイミド樹脂層１４の裏面に形成し、ポリイミド樹脂層１４の裏面にシリコーン樹脂層を形成する工程（樹脂層形成工程）と、シリコーン樹脂層の裏面に支持基材１２を積層する工程（積層工程）とを、少なくとも有する。以下、上述の各工程について説明する。 [Manufacturing method of the first example of a laminated substrate]
In the laminated substrate 10 of the first example, when the adhesive layer 13 and the polyimide resin layer 14 are formed on the support base material 12, the back surface of the polyimide resin layer 14 (the surface opposite to the side on which the device layer 15 is arranged) is formed. ), A method of forming a silicone resin layer as the adhesive layer 13 is preferable. Specifically, a curable composition containing curable silicone is applied onto the polyimide resin layer 14, and the obtained coating film is cured to obtain a silicone resin layer as the adhesive layer 13, and then the silicone resin layer is obtained. A method of laminating the support base material 12 on the back surface of the silicone resin layer (the surface opposite to the side opposite to the polyimide resin layer 14 side) is preferable.
More specifically, a step of forming a curable silicone layer on the back surface of the polyimide resin layer 14 and forming a silicone resin layer on the back surface of the polyimide resin layer 14 (resin layer forming step), and a step of supporting the back surface of the silicone resin layer. It has at least a step of laminating the base material 12 (lamination step). Hereinafter, each step described above will be described.

（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程は、硬化性シリコーンの層をポリイミド樹脂層１４の裏面に形成し、ポリイミド樹脂層１４の裏面に、粘着層１３としてシリコーン樹脂層を形成する工程である。本工程によって、ポリイミド樹脂層１４とシリコーン樹脂層とをこの順で備えるシリコーン樹脂層付き基板が得られる。
シリコーン樹脂層付き基板は、ロール状に巻いたポリイミド樹脂層１４の裏面にシリコーン樹脂層を形成してから再びロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール方式での製造が可能であり、生産効率に優れる。
本工程において、ポリイミド樹脂層１４の裏面に硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を、ポリイミド樹脂層１４の裏面に塗布する。次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施すことにより硬化層を形成することが好ましい。
ポリイミド樹脂層１４の裏面に硬化性組成物を塗布する方法の具体例としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、およびグラビアコート法が挙げられる。
次いで、ポリイミド樹脂層１４の裏面に塗布された硬化性シリコーンを硬化させて、シリコーン樹脂層を形成する。 (Resin layer forming process)
The resin layer forming step is a step of forming a curable silicone layer on the back surface of the polyimide resin layer 14 and forming a silicone resin layer as an adhesive layer 13 on the back surface of the polyimide resin layer 14. By this step, a substrate with a silicone resin layer including the polyimide resin layer 14 and the silicone resin layer in this order can be obtained.
The substrate with a silicone resin layer can be manufactured by a so-called roll-to-roll method in which a silicone resin layer is formed on the back surface of a roll-shaped polyimide resin layer 14 and then wound again in a roll shape. Excellent efficiency.
In this step, in order to form a curable silicone layer on the back surface of the polyimide resin layer 14, the above-mentioned curable composition is applied to the back surface of the polyimide resin layer 14. Next, it is preferable to form a cured layer by subjecting the curable silicone layer to a curing treatment.
Specific examples of the method of applying the curable composition to the back surface of the polyimide resin layer 14 include a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method, and a gravure. The coat method can be mentioned.
Next, the curable silicone applied to the back surface of the polyimide resin layer 14 is cured to form a silicone resin layer.

シリコーン樹脂層を形成するための硬化の方法は特に制限されず、使用される硬化性シリコーンの種類によって適宜最適な処理が実施される。例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンを用いる場合は、硬化処理としては熱硬化処理が好ましい。
熱硬化処理の条件は、ポリイミド樹脂層１４の耐熱性の範囲内で実施され、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０〜４００℃が好ましく、１００〜３００℃がより好ましい。加熱時間は、１０〜３００分が好ましく、２０〜１２０分がより好ましい。
シリコーン樹脂層については後に説明する。 The curing method for forming the silicone resin layer is not particularly limited, and the optimum treatment is appropriately carried out depending on the type of curable silicone used. For example, when a condensation reaction type silicone and an addition reaction type silicone are used, a thermosetting treatment is preferable as the curing treatment.
The conditions of the thermosetting treatment are carried out within the range of heat resistance of the polyimide resin layer 14. For example, the temperature conditions for thermosetting are preferably 50 to 400 ° C, more preferably 100 to 300 ° C. The heating time is preferably 10 to 300 minutes, more preferably 20 to 120 minutes.
The silicone resin layer will be described later.

（積層工程）
積層工程は、シリコーン樹脂層の表面に支持基材１２を積層する工程である。支持基材１２をシリコーン樹脂層の裏面上に積層する方法の具体例としては、常圧環境下でシリコーン樹脂層の裏面上に支持基材１２を重ねる方法が挙げられる。必要に応じて、シリコーン樹脂層の裏面上に支持基材１２を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層に支持基材１２を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層と支持基材１２との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法または真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱処理により気泡が成長しにくいという利点もある。
支持基材１２を積層する際には、シリコーン樹脂層に接触する支持基材１２の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。 (Laminating process)
The laminating step is a step of laminating the supporting base material 12 on the surface of the silicone resin layer. Specific examples of the method of laminating the support base material 12 on the back surface of the silicone resin layer include a method of laminating the support base material 12 on the back surface of the silicone resin layer under a normal pressure environment. If necessary, the support base material 12 may be placed on the back surface of the silicone resin layer, and then the support base material 12 may be pressure-bonded to the silicone resin layer using a roll or a press. Crimping with a roll or press is preferable because air bubbles mixed between the silicone resin layer and the supporting base material 12 are relatively easily removed.
Crimping by a vacuum laminating method or a vacuum pressing method is preferable because it suppresses the mixing of air bubbles and can realize good adhesion. By crimping under vacuum, even if minute bubbles remain, there is an advantage that the bubbles are unlikely to grow due to the heat treatment.
When laminating the support base material 12, it is preferable that the surface of the support base material 12 in contact with the silicone resin layer is sufficiently washed and then laminated in an environment with a high degree of cleanliness.

（デバイス層形成工程）
積層基板１０を製造する場合、ポリイミド樹脂層１４にデバイス層１５を形成する形成工程を有する。形成工程では、形成する電子デバイスに応じた、種々の製造条件にて各工程が実施される。例えば、４５０℃以上の高温条件に、２０分間以上曝されてデバイス層１５が形成される場合もある。電子デバイス上に、電子デバイスを酸化または硫化等から保護するバリア層を形成してもよい。バリア層としては、例えば、窒化珪素膜が挙げられる。ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａに、窒化珪素膜を形成し、この窒化珪素膜上に電子デバイスを作製してもよい。 (Device layer forming process)
When the laminated substrate 10 is manufactured, it has a forming step of forming the device layer 15 on the polyimide resin layer 14. In the forming step, each step is carried out under various manufacturing conditions according to the electronic device to be formed. For example, the device layer 15 may be formed by being exposed to a high temperature condition of 450 ° C. or higher for 20 minutes or longer. A barrier layer may be formed on the electronic device to protect the electronic device from oxidation, sulfurization, or the like. Examples of the barrier layer include a silicon nitride film. A silicon nitride film may be formed on the surface 14a of the polyimide resin layer 14, and an electronic device may be formed on the silicon nitride film.

ポリイミド樹脂層１４に電子デバイスを形成した後、樹脂層１６をデバイス層１５の表面に貼り付ける工程（貼合工程）を有する。
（貼合工程）
貼合工程は、支持基材１２の表面１２ａに密着層１９を向けて樹脂層１６を配置し、デバイス層１５を覆って樹脂層１６を支持基材１２に貼り付ける。これにより、例えば、図２に示す積層基板１０が得られる。 After forming an electronic device on the polyimide resin layer 14, the resin layer 16 is attached to the surface of the device layer 15 (bonding step).
(Lasting process)
In the bonding step, the resin layer 16 is arranged with the adhesion layer 19 facing the surface 12a of the support base material 12, and the resin layer 16 is attached to the support base material 12 so as to cover the device layer 15. As a result, for example, the laminated substrate 10 shown in FIG. 2 can be obtained.

［積層基板の第２の例］
図６は本発明の実施形態の積層基板の第２の例を模式的に示す断面図である。図６に示す第２の例の積層基板１０において、図２および図３に示す第１の例の積層基板１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図６に示す第２の例の積層基板１０は、図２および図３に示す積層基板１０と比べて、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４との間の粘着層１３がなく、支持基材１２の表面１２ａに直接、ポリイミド樹脂層１４が設けられていること以外は、図２および図３に示す積層基板１０と同じ構成である。
なお、支持基材１２の表面１２ａに、ポリイミド樹脂層１４を接着させるためにシランカップリング剤を設けることがあるが、この場合でも、支持基材１２の表面１２ａに直接、ポリイミド樹脂層１４が設けられているとする。 [Second example of laminated substrate]
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a second example of the laminated substrate according to the embodiment of the present invention. In the laminated substrate 10 of the second example shown in FIG. 6, the same components as those of the laminated substrate 10 of the first example shown in FIGS. 2 and 3 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
Compared with the laminated substrate 10 shown in FIGS. 2 and 3, the laminated substrate 10 of the second example shown in FIG. 6 does not have the adhesive layer 13 between the supporting base material 12 and the polyimide resin layer 14, and the supporting base material has no adhesive layer 13. It has the same configuration as the laminated substrate 10 shown in FIGS. 2 and 3 except that the polyimide resin layer 14 is directly provided on the surface 12a of 12.
A silane coupling agent may be provided on the surface 12a of the support base material 12 to bond the polyimide resin layer 14, but even in this case, the polyimide resin layer 14 is directly attached to the surface 12a of the support base material 12. It is assumed that it is provided.

第２の例の積層基板１０では、支持基材１２と、ポリイミド樹脂層１４とがこの順で積層されている。支持基材１２がポリイミド樹脂層１４を補強する補強板として機能し、かつ搬送基板として機能する。
第２の例の積層基板１０では、樹脂層１６は、第１の例の積層基板１０と同じ構成とすることができる。
第２の例の積層基板１０は、第１の例の積層基板１０に比して粘着層１３がない構成である。この構成の違いより、好適な、樹脂層１６の厚みと、引張弾性率との範囲が異なる。第２の例の積層基板１０では、樹脂層１６の厚みが１００〜２００μｍであり、樹脂層１６の引張弾性率が３〜５ＧＰａであることが好ましく、樹脂層１６の厚みと引張弾性率は図１に示す領域Ｄ２である。領域Ｄ２は領域Ｄ１に含まれる。
第２の例の積層基板１０では、樹脂層１６の厚みと、樹脂層１６の引張弾性率とが図１に示す領域Ｄ２にあれば、支持基材の分離時における電子デバイスおよび支持基材の破損を抑制することができる。
図６に示す粘着層１３がない構成の積層基板１０においては、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４との間で剥離される。
図６に示す粘着層１３がない構成の積層基板１０の剥離方法では、支持基材１２からポリイミド樹脂層１４を引き剥がす方向に力を加えると、支持基材１２とポリイミド樹脂層１４との間を境にして、ポリイミド樹脂層１とデバイス層１５と樹脂層１６とを一体に、支持基材１２から剥離して、支持基材１２を分離する。この剥離方法でも、支持基材１２の分離時における電子デバイスおよび支持基材の破損を抑制することができる。 In the laminated substrate 10 of the second example, the supporting base material 12 and the polyimide resin layer 14 are laminated in this order. The support base material 12 functions as a reinforcing plate for reinforcing the polyimide resin layer 14 and also functions as a transport substrate.
In the laminated substrate 10 of the second example, the resin layer 16 can have the same configuration as the laminated substrate 10 of the first example.
The laminated substrate 10 of the second example has no adhesive layer 13 as compared with the laminated substrate 10 of the first example. Due to this difference in configuration, the preferable range between the thickness of the resin layer 16 and the tensile elastic modulus is different. In the laminated substrate 10 of the second example, the thickness of the resin layer 16 is preferably 100 to 200 μm, the tensile elastic modulus of the resin layer 16 is preferably 3 to 5 GPa, and the thickness and tensile elastic modulus of the resin layer 16 are shown in FIG. It is the region D 2 shown in 1. The region D 2 is included in the region D 1.
In the laminated substrate 10 of the second example, if the thickness of the resin layer 16 and the tensile elastic modulus of the resin layer 16 are in the region D 2 shown in FIG. 1, the electronic device and the supporting base material at the time of separating the supporting base material Damage can be suppressed.
In the laminated substrate 10 having no adhesive layer 13 shown in FIG. 6, the support base material 12 and the polyimide resin layer 14 are peeled off.
In the method of peeling the laminated substrate 10 having no adhesive layer 13 shown in FIG. 6, when a force is applied in the direction of peeling the polyimide resin layer 14 from the support base material 12, between the support base material 12 and the polyimide resin layer 14. The polyimide resin layer 1, the device layer 15, and the resin layer 16 are integrally peeled from the support base material 12 to separate the support base material 12. This peeling method can also suppress damage to the electronic device and the supporting base material when the supporting base material 12 is separated.

［積層基板の第２の例の製造方法］
第２の例の積層基板１０においては、第１の例の積層基板１０に比して、粘着層１３がない構成である。
第２の例である積層基板１０を製造する際、支持基材１２の表面１２ａ上に、ポリイミド樹脂層１４を積層させる場合、支持基材１２の表面１２ａ上にポリイミド樹脂層１４を積層させる前に、支持基材１２の表面１２ａ上に公知のシランカップリング剤を塗布し、その後、シランカップリング剤が塗布された支持基材１２の表面１２ａ上にポリイミド樹脂層１４を積層することが好ましい。
支持基材１２にポリイミド樹脂層１４を設けた以降は、第１の例の積層基板１０と同様にして、積層基板１０を製造することができる。このため、製造方法について詳細な説明は省略する。 [Manufacturing method of the second example of the laminated substrate]
The laminated substrate 10 of the second example has no adhesive layer 13 as compared with the laminated substrate 10 of the first example.
When the polyimide resin layer 14 is laminated on the surface 12a of the support base material 12 in the production of the laminated substrate 10 which is the second example, before the polyimide resin layer 14 is laminated on the surface 12a of the support base material 12. It is preferable to apply a known silane coupling agent on the surface 12a of the support base material 12, and then laminate the polyimide resin layer 14 on the surface 12a of the support base material 12 coated with the silane coupling agent. ..
After the polyimide resin layer 14 is provided on the support base material 12, the laminated substrate 10 can be manufactured in the same manner as the laminated substrate 10 of the first example. Therefore, detailed description of the manufacturing method will be omitted.

以下、積層基板１０を構成する支持基材１２、粘着層１３、ポリイミド樹脂層１４、および樹脂層１６について詳述する。 Hereinafter, the supporting base material 12, the adhesive layer 13, the polyimide resin layer 14, and the resin layer 16 constituting the laminated substrate 10 will be described in detail.

＜支持基材＞
支持基材１２は、例えば、ガラス板で構成される。
ガラスの種類としては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス板の製造方法としては、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形する方法が挙げられる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、およびスロットダウンドロー法が挙げられる。 <Supporting base material>
The support base material 12 is composed of, for example, a glass plate.
As the type of glass, non-alkali borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glass containing silicon oxide as a main component are preferable. As the oxide-based glass, glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.
More specific examples of the glass plate include a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (trade name "AN100" manufactured by AGC Inc.).
Examples of the method for manufacturing a glass plate include a method in which a glass raw material is melted and molten glass is formed into a plate shape. Such molding methods may be general and include, for example, the float method, the fusion method, and the slot down draw method.

支持基材１２の厚みは、ポリイミド樹脂層１４よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。積層基板１０の取り扱い性の点から、支持基材１２の厚みはポリイミド樹脂層１４よりも厚いことが好ましい。
支持基材１２は、補強板および搬送基板としての機能が要求されるものであることから、フレキシブルではないことが好ましい。そのため、支持基材１２の厚みは、０．３ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましい。一方、支持基材１２の厚みは１．０ｍｍ以下が好ましい。 The thickness of the support base material 12 may be thicker or thinner than that of the polyimide resin layer 14. From the viewpoint of handleability of the laminated substrate 10, the thickness of the supporting base material 12 is preferably thicker than that of the polyimide resin layer 14.
Since the support base material 12 is required to function as a reinforcing plate and a transport substrate, it is preferable that the support base material 12 is not flexible. Therefore, the thickness of the support base material 12 is preferably 0.3 mm or more, more preferably 0.5 mm or more. On the other hand, the thickness of the support base material 12 is preferably 1.0 mm or less.

＜ポリイミド樹脂層＞
ポリイミド樹脂層１４は、ポリイミド樹脂からなり、例えば、ポリイミドフィルムが用いられる。ポリイミドフィルムの市販品の具体例としては、東洋紡株式会社製の「ゼノマックス」、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス２５Ｓ」が挙げられる。
電子デバイスを構成する高精細な配線等を形成するために、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａは平滑であることが好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａの表面粗度Ｒａは、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。表面粗度Ｒａの下限としては、０．０１ｎｍ以上が挙げられる。
ポリイミド樹脂層１４の厚みは、製造工程でのハンドリング性の点から、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。柔軟性の点から、ポリイミド樹脂層１４の厚みは１ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましい。
ポリイミド樹脂層１４の熱膨張係数と支持基材１２との熱膨張係数差は、小さい方が加熱後または冷却後の反りを抑制できるため好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂層１４と支持基材１２との熱膨張係数の差は、０〜９０×１０-６／℃が好ましく、０〜３０×１０-６／℃がより好ましい。 <Polyimide resin layer>
The polyimide resin layer 14 is made of a polyimide resin, and for example, a polyimide film is used. Specific examples of commercially available polyimide films include "Xenomax" manufactured by Toyobo Co., Ltd. and "UPIREX 25S" manufactured by Ube Industries, Ltd.
The surface 14a of the polyimide resin layer 14 is preferably smooth in order to form high-definition wiring and the like constituting the electronic device. Specifically, the surface roughness Ra of the surface 14a of the polyimide resin layer 14 is preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less, still more preferably 10 nm or less. The lower limit of the surface roughness Ra is 0.01 nm or more.
The thickness of the polyimide resin layer 14 is preferably 1 μm or more, more preferably 5 μm or more, still more preferably 10 μm or more, from the viewpoint of handleability in the manufacturing process. From the viewpoint of flexibility, the thickness of the polyimide resin layer 14 is preferably 1 mm or less, more preferably 0.2 mm or less.
The difference between the coefficient of thermal expansion of the polyimide resin layer 14 and the coefficient of thermal expansion of the supporting base material 12 is preferably small because warpage after heating or cooling can be suppressed. Specifically, the difference in thermal expansion coefficient between the polyimide resin layer 14 and the supporting base material 12 is preferably 0 to 90 × 10 -6 / ° C, more preferably 0 to 30 × 10 -6 / ° C.

ポリイミド樹脂層１４の面積（表面１４ａの面積）は、特に制限されないが、樹脂層１６を配置するため、支持基材１２よりも小さいことが好ましい。一方、ポリイミド樹脂層１４の面積は、電子デバイスの生産性の点から、３００ｃｍ２以上が好ましい。
ポリイミド樹脂層１４の形状は、特に制限されず、矩形状であっても円形状であってもよい。ポリイミド樹脂層１４には、オリエンテーションフラット（基板の外周に形成された平坦部分）、およびノッチ（基板の外周縁に形成された、少なくとも１つのＶ型の切欠き）が形成されていてもよい。 The area of the polyimide resin layer 14 (area of the surface 14a) is not particularly limited, but is preferably smaller than that of the supporting base material 12 because the resin layer 16 is arranged. On the other hand, the area of the polyimide resin layer 14 is preferably 300 cm 2 or more from the viewpoint of productivity of electronic devices.
The shape of the polyimide resin layer 14 is not particularly limited, and may be rectangular or circular. The polyimide resin layer 14 may be formed with an orientation flat (a flat portion formed on the outer periphery of the substrate) and a notch (at least one V-shaped notch formed on the outer peripheral edge of the substrate).

＜シリコーン樹脂層＞
シリコーン樹脂層は、粘着層を構成する層も一例である。シリコーン樹脂層は、主に、シリコーン樹脂からなるものである。シリコーン樹脂の構造は特に制限されない。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理によってシリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。
硬化性シリコーンの具体例としては、その硬化機構により、縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーン、および電子線硬化型シリコーンが挙げられる。硬化性シリコーンの重量平均分子量は、５，０００〜６０，０００が好ましく、５，０００〜３０，０００がより好ましい。 <Silicone resin layer>
The silicone resin layer is also an example of a layer constituting the adhesive layer. The silicone resin layer is mainly made of a silicone resin. The structure of the silicone resin is not particularly limited. The silicone resin is usually obtained by curing (crosslink curing) a curable silicone that can become a silicone resin by a curing treatment.
Specific examples of the curable silicone include a condensation reaction type silicone, an addition reaction type silicone, an ultraviolet curable silicone, and an electron beam curable silicone depending on the curing mechanism. The weight average molecular weight of the curable silicone is preferably 5,000 to 60,000, more preferably 5,000 to 30,000.

シリコーン樹脂層の製造方法としては、ポリイミド樹脂層１４の表面１４ａに上述のシリコーン樹脂となる硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、必要に応じて溶媒を除去して、塗膜を形成して、塗膜中の硬化性シリコーンを硬化させて、シリコーン樹脂層とする方法が好ましい。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンの他に、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、および金属化合物等を含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素の具体例としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス、アルミニウム、およびスズが挙げられる。金属化合物の含有量は、適宜調整される。 As a method for producing the silicone resin layer, a curable composition containing the above-mentioned curable silicone to be a silicone resin is applied to the surface 14a of the polyimide resin layer 14, and if necessary, the solvent is removed to form a coating film. A method of forming and curing the curable silicone in the coating film to form a silicone resin layer is preferable.
The curable composition may contain, in addition to the curable silicone, a solvent, a platinum catalyst (when an addition reaction type silicone is used as the curable silicone), a leveling agent, a metal compound and the like. Specific examples of the metal element contained in the metal compound include 3d transition metal, 4d transition metal, lanthanoid metal, bismuth, aluminum, and tin. The content of the metal compound is adjusted as appropriate.

シリコーン樹脂層の厚みは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。一方、シリコーン樹脂層の厚みは、１μｍ超が好ましく、４μｍ以上がより好ましい。上述の厚みは、５点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。 The thickness of the silicone resin layer is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, and even more preferably 30 μm or less. On the other hand, the thickness of the silicone resin layer is preferably more than 1 μm, more preferably 4 μm or more. The above-mentioned thickness is obtained by measuring the thickness of the silicone resin layer at an arbitrary position of 5 points or more with a contact-type film thickness measuring device and arithmetically averaging them.

＜デバイス層＞
デバイス層は、電子デバイスを有する。電子デバイスは、特に限定されるものではなく、トランジスタ、コイルおよび抵抗等の電子素子、ならびに信号線等が挙げられる。上述のもの以外に、電子デバイスとしては、後述の表示デバイス、受信センサーパネル、太陽電池、薄膜２次電池、および集積回路等が挙げられる。ポリイミド樹脂層が大気雰囲気下にて、例えば、４５０℃以上の高温条件に、２０分間以上曝されてデバイス層１５が形成される場合もある。
表示デバイスの具体例としては、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、マイクロＬＥＤディスプレイパネル、およびＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネルが挙げられる。
受信センサーパネルの具体例としては、電磁波受信センサーパネル、Ｘ線受光センサーパネル、紫外線受光センサーパネル、可視光線受光センサーパネル、および赤外線受光センサーパネルが挙げられる。受信センサーパネルに用いる場合、樹脂等の補強シート等によってポリイミド樹脂層が補強されていてもよい。 <Device layer>
The device layer has an electronic device. The electronic device is not particularly limited, and examples thereof include electronic elements such as transistors, coils and resistors, and signal lines and the like. In addition to the above, examples of the electronic device include a display device, a receiving sensor panel, a solar cell, a thin film secondary battery, an integrated circuit, and the like, which will be described later. The polyimide resin layer may be exposed to an atmospheric atmosphere, for example, a high temperature condition of 450 ° C. or higher for 20 minutes or longer to form the device layer 15.
Specific examples of the display device include LCD, OLED, electronic paper, plasma display panel, field emission panel, quantum dot LED panel, micro LED display panel, and MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel.
Specific examples of the receiving sensor panel include an electromagnetic wave receiving sensor panel, an X-ray receiving sensor panel, an ultraviolet receiving sensor panel, a visible light receiving sensor panel, and an infrared receiving sensor panel. When used for a receiving sensor panel, the polyimide resin layer may be reinforced with a reinforcing sheet such as resin.

デバイス層１５は、樹脂層１６を設ける前に、支持基材とポリイミド樹脂層とを含む積層体を用いて、ポリイミド樹脂層に電子デバイスを形成する。電子デバイスの形成後に、電子デバイスの保護のために、樹脂層１６をデバイス層１５の表面に設ける。 Before the resin layer 16 is provided, the device layer 15 forms an electronic device on the polyimide resin layer by using a laminate containing a support base material and a polyimide resin layer. After forming the electronic device, a resin layer 16 is provided on the surface of the device layer 15 to protect the electronic device.

＜樹脂層＞
樹脂層１６の厚みＴ（図５参照）は５０〜２００μｍであり、本発明の効果がより優れる点で、１００〜２００μｍが好ましい。
樹脂層１６の引張弾性率は１〜５ＧＰａであり、本発明の効果がより優れる点で、３〜５ＧＰａが好ましい。
樹脂層１６の厚みは、外部から受けた力の影響を低減するためにも５０μｍ以上である。
樹脂層１６の厚みとは、５点以上の任意の位置における厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
樹脂層１６は、引張弾性率が１〜５ＧＰａであれば、特に限定されるものではない。樹脂層１６を構成する材料としては、例えば、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ））、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、およびポリプロピレン（ＰＰ）等）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）が好ましい。
樹脂層１６の引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に基づいて測定されて得られた値である。
また、樹脂層１６が偏光フィルム等の光学機能性層を有する場合、光学機能性層を含む複合体を樹脂層１６として扱い、この複合体の引張弾性率を樹脂層１６の引張弾性率とする。
樹脂層１６は、デバイス層１５に貼合される際、例えば、図５に示すように密着層１９が積層される。 <Resin layer>
The thickness T (see FIG. 5) of the resin layer 16 is 50 to 200 μm, and 100 to 200 μm is preferable because the effect of the present invention is more excellent.
The tensile elastic modulus of the resin layer 16 is 1 to 5 GPa, and 3 to 5 GPa is preferable in that the effect of the present invention is more excellent.
The thickness of the resin layer 16 is 50 μm or more in order to reduce the influence of the force received from the outside.
The thickness of the resin layer 16 is a thickness obtained by measuring the thicknesses at arbitrary positions of 5 points or more with a contact-type film thickness measuring device and arithmetically averaging them.
The resin layer 16 is not particularly limited as long as it has a tensile elastic modulus of 1 to 5 GPa. Examples of the material constituting the resin layer 16 include polyester resin (for example, polyethylene terephthalate (PET)), polyolefin resin (for example, polyethylene (PE), polypropylene (PP), etc.), polycarbonate (PC), and polyimide (PI). ) Is preferable.
The tensile elastic modulus of the resin layer 16 is a value obtained by measuring based on JIS K7127.
When the resin layer 16 has an optical functional layer such as a polarizing film, the composite including the optical functional layer is treated as the resin layer 16, and the tensile elastic modulus of this composite is defined as the tensile elastic modulus of the resin layer 16. ..
When the resin layer 16 is attached to the device layer 15, for example, the adhesion layer 19 is laminated as shown in FIG.

密着層１９は、特に限定されるものではなく、公知の粘着層を用いることができる。粘着層を構成する粘着剤の具体例としては、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤が挙げられる。
また、密着層１９は樹脂で構成されていてもよく、樹脂の具体例としては、酢酸ビニル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレンエラストマーが挙げられる。
なお、（メタ）アクリルとは、アクリルとメタクリルとを含む概念である。 The adhesive layer 19 is not particularly limited, and a known adhesive layer can be used. Specific examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer include (meth) acrylic pressure-sensitive adhesives, silicone-based pressure-sensitive adhesives, and urethane-based pressure-sensitive adhesives.
The adhesive layer 19 may be made of a resin, and specific examples of the resin include vinyl acetate resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, and (meth) acrylic resin. Butyral resin, polyurethane resin, polystyrene elastomer can be mentioned.
Note that (meth) acrylic is a concept including acrylic and methacrylic.

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。後述する例１〜１５は実施例であり、例１６〜２４は比較例である。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and the like, but the present invention is not limited to these examples. Examples 1 to 15 described later are examples, and examples 16 to 24 are comparative examples.

＜評価＞
（剥離不良）
剥離不良の評価においては、各例において、ポリイミド樹脂層に、電子デバイスとして複数の有機ＥＬ素子を形成した後、有機ＥＬ素子上に下記表１に示す樹脂層を厚み１５μｍの粘着剤を用いて貼り合わせた。有機ＥＬ素子が形成されていない端部のポリイミドフィルムをガラス基板から部分的に剥がした。部分的に剥がした箇所を機械的に引き上げることにより、基板全面の有機ＥＬ素子付ポリイミドフィルムをガラス基板（支持基材）から剥離し、フレキシブルな有機ＥＬ素子を得ることを試みた。ガラス基板が割れることなく剥離できたものを、剥離不良なしとし、「Ａ」と評価した。
一方、ガラス基板が割れた場合には、剥離不良があるとし、「Ｂ」と評価した。この場合、表１の剥離不良の欄に「Ｂ（支持基材割れ）」と記した。 <Evaluation>
(Poor peeling)
In the evaluation of peeling failure, in each example, after forming a plurality of organic EL elements as electronic devices on the polyimide resin layer, the resin layer shown in Table 1 below was formed on the organic EL element using an adhesive having a thickness of 15 μm. I pasted them together. The polyimide film at the end where the organic EL element was not formed was partially peeled off from the glass substrate. An attempt was made to obtain a flexible organic EL element by peeling the polyimide film with an organic EL element on the entire surface of the substrate from the glass substrate (supporting base material) by mechanically pulling up the partially peeled portion. Those that could be peeled off without breaking the glass substrate were evaluated as "A" with no peeling defects.
On the other hand, when the glass substrate was broken, it was evaluated as "B" because of poor peeling. In this case, "B (cracking of supporting base material)" is written in the column of poor peeling in Table 1.

（電子デバイスの破損の評価）
電子デバイスの破損の評価においては、各例において、ポリイミド樹脂層に、電子デバイスとして複数の有機ＥＬ素子を形成した後、有機ＥＬ素子上に下記表１に示す樹脂層を厚み１５μｍの粘着剤を用いて貼り合わせた。有機ＥＬ素子が形成されていない端部のポリイミドフィルムをガラス基板から部分的に剥がした。部分的に剥がした箇所を機械的に引き上げることにより、基板全面の有機ＥＬ素子付ポリイミドフィルムをガラス基板から剥離し、フレキシブルな有機ＥＬ素子を得ることを試みた。ガラス基板が割れることなく剥離できた、有機ＥＬ素子について発光品位を目視判定した。目視判定の結果、１００ｃｍ２当たりの黒点（ダークスポット）の数が１個以下である場合を「Ａ」とし、１個超え５個以下である場合を「Ｂ」とし、５個超える場合を「Ｃ」と評価した。その結果を下記表１に、ダークスポットの数と一緒に示す。表１の電子デバイスの破損」の欄の括弧内の数値は、１００ｃｍ２当たりのダークスポットの数である。
なお、剥離の際に、ガラス基板が割れたものについては、発光品位を目視判定しなかった。発光品位を目視判定しないものについては、下記表１の「電子デバイスの破損」の欄に「−」と記した。 (Evaluation of damage to electronic devices)
In the evaluation of damage to the electronic device, in each example, after forming a plurality of organic EL elements as electronic devices on the polyimide resin layer, an adhesive having a thickness of 15 μm was applied to the resin layer shown in Table 1 below on the organic EL element. Used and pasted together. The polyimide film at the end where the organic EL element was not formed was partially peeled off from the glass substrate. An attempt was made to obtain a flexible organic EL element by peeling the polyimide film with an organic EL element on the entire surface of the substrate from the glass substrate by mechanically pulling up the partially peeled portion. The light emitting quality of the organic EL element, which could be peeled off without breaking the glass substrate, was visually determined. As a result of visual judgment, "A" is when the number of black spots (dark spots) per 100 cm 2 is 1 or less, "B" is when it is more than 1 and 5 or less, and "B" is when it exceeds 5. It was evaluated as "C". The results are shown in Table 1 below, along with the number of dark spots. The number in parentheses in the column of "Damage of electronic device in Table 1" is the number of dark spots per 100 cm 2.
It should be noted that the light emission quality was not visually judged for the glass substrate whose glass substrate was broken at the time of peeling. Those for which the light emission quality is not visually judged are marked with "-" in the column of "damage of electronic device" in Table 1 below.

以下、例１〜２４について説明する。
＜例１＞
（硬化性シリコーンおよび硬化性組成物の調製）
１Ｌのフラスコに、トリエトキシメチルシラン（１７９ｇ）、トルエン（３００ｇ）、酢酸（５ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、６０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液にクロロトリメチルシラン（７０ｇ）を加えて、混合物を２５℃で２０分間撹拌後、さらに、５０℃に加熱して１２時間反応させた。得られた反応粗液を２５℃に冷却後、水（３００ｇ）を用いて、反応粗液を３回洗浄した。洗浄された反応粗液からトルエンを減圧留去し、スラリー状態にした後、真空乾燥機で終夜乾燥することにより、白色のオルガノポリシロキサン化合物である硬化性シリコーンを得た。硬化性シリコーンは、Ｍ単位、Ｔ単位のモル比が１３：８７、有機基は全てメチル基、ＯＸ基数が０．０２であった。
硬化性シリコーン（５０ｇ）と、金属化合物としてジルコニウムテトラノルマルプロポキシド（「オルガチックスＺＡ−４５」、マツモトファインケミカル株式会社製、金属含有率２１．１％）（０．２４ｇ）と、２−エチルヘキサン酸セリウム（III）（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ社製、金属含有率１２％）（０．４２ｇ）、溶媒としてＩｓｏｐｅｒ Ｇ（東燃ゼネラル石油株式会社製）（７５ｇ）とを混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物を得た。 Hereinafter, Examples 1 to 24 will be described.
<Example 1>
(Preparation of curable silicone and curable composition)
Triethoxymethylsilane (179 g), toluene (300 g) and acetic acid (5 g) were added to a 1 L flask, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 20 minutes and then heated to 60 ° C. for 12 hours. The obtained crude reaction solution was cooled to 25 ° C., and then the crude reaction solution was washed 3 times with water (300 g). Chlorotrimethylsilane (70 g) was added to the washed crude reaction solution, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 20 minutes and then heated to 50 ° C. for 12 hours. The obtained crude reaction solution was cooled to 25 ° C., and then the crude reaction solution was washed 3 times with water (300 g). Toluene was distilled off from the washed crude reaction solution under reduced pressure to form a slurry, which was then dried overnight in a vacuum dryer to obtain a curable silicone which is a white organopolysiloxane compound. The curable silicone had a molar ratio of M units and T units of 13:87, all organic groups were methyl groups, and the number of OX groups was 0.02.
Curable silicone (50 g), zirconium tetranormal propoxide ("Organix ZA-45", manufactured by Matsumoto Fine Chemicals Co., Ltd., metal content 21.1%) (0.24 g) and 2-ethylhexane as metal compounds. A mixture of cerium (III) acid (manufactured by Alfa Aesar, metal content 12%) (0.42 g) and Isoper G (manufactured by Tonen General Petroleum Co., Ltd.) (75 g) as a solvent was mixed, and the obtained mixed solution was prepared. A curable composition was obtained by filtering using a filter having a pore size of 0.45 μm.

（硬化性組成物を用いたポリイミドフィルム−ガラス積層体の作製）
調製した硬化性組成物を、厚み０．０１５ｍｍのポリイミドフィルム（東洋紡株式会社製商品名「ゼノマックス」）上に、加熱後のシリコーン樹脂層の膜厚が８μｍとなるように塗布し、ホットプレートを用いて１４０℃で１０分間加熱することで、シリコーン樹脂層を形成した。続いて、４７０×３７０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのガラス基板「ＡＮ Ｗｉｚｕｓ」（支持基材）を水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製 「ＰＫ―ＬＣＧ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した。ポリイミドフィルム上に形成したシリコーン樹脂層の上に支持基材を置き、貼合装置を用いて貼り合わせ、ポリイミドフィルム−ガラス積層体を作製した。 (Preparation of polyimide film-glass laminate using curable composition)
The prepared curable composition is applied onto a polyimide film having a thickness of 0.015 mm (trade name "Xenomax" manufactured by Toyo Boseki Co., Ltd.) so that the thickness of the silicone resin layer after heating is 8 μm, and a hot plate is used. The silicone resin layer was formed by heating at 140 ° C. for 10 minutes. Subsequently, a glass substrate "AN Wizus" (supporting base material) having a thickness of 470 x 370 mm and a thickness of 0.5 mm was washed with a water-based glass cleaning agent ("PK-LCG213" manufactured by Parker Corporation) and then with pure water. A supporting base material was placed on a silicone resin layer formed on the polyimide film and bonded using a bonding device to prepare a polyimide film-glass laminate.

（有機ＥＬ素子の作製）
作製した積層体のポリイミドフィルム上に、プラズマＣＶＤを用いて窒化珪素薄膜（膜厚５００ｎｍ）を形成した。窒化珪素薄膜の上に有機ＥＬ素子を作製し、プラズマＣＶＤを用いて、有機ＥＬ素子の上にガスバリア層（窒化珪素薄膜）を形成した。このようにして、デバイス層を形成した。
（積層基板の作製）
得られた積層体のデバイス層上に、厚み１５μｍの粘着剤を用いて、樹脂層を貼り合わせて、積層基板を得た。
使用した樹脂層としては、厚みが５０μｍ、引張弾性率が５ＧＰａのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ルミラー（登録商標）Ｓ１０（製品名） 東レ株式会社製）を用いた。 (Manufacturing of organic EL element)
A silicon nitride thin film (thickness 500 nm) was formed on the produced polyimide film of the laminate by using plasma CVD. An organic EL element was formed on the silicon nitride thin film, and a gas barrier layer (silicon nitride thin film) was formed on the organic EL element by using plasma CVD. In this way, the device layer was formed.
(Manufacturing of laminated substrate)
A resin layer was laminated on the device layer of the obtained laminate using an adhesive having a thickness of 15 μm to obtain a laminated substrate.
As the resin layer used, a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa (Lumirror (registered trademark) S10 (product name) manufactured by Toray Industries, Inc.) was used.

＜例２〜８、１６〜２４＞
樹脂層の種類を変更したこと以外は、例１と同様の手順に従って、積層基板を得た。
例２では樹脂層に厚みが１８８μｍ、引張弾性率が５ＧＰａのＰＴＥフィルム（ルミラー（登録商標）Ｓ１０（製品名） 東レ株式会社製）を用いた。
例３では樹脂層に厚みが５０μｍ、引張弾性率が１ＧＰａの二軸延伸ナイロンフィルムを用いた。
例４では樹脂層に厚みが２００μｍ、引張弾性率が５ＧＰａの二軸延伸ナイロンフィルムを用いた。
例５では樹脂層に厚みが６０μｍ、引張弾性率が３．８ＧＰａの二軸延伸ポリプロピレンフィルム（パイレン（登録商標）フィルム−ＯＴＰ２１６１（製品名） 東洋紡株式会社製）を用いた。
例６では樹脂層に厚みが１２５μｍ、引張弾性率が２．４ＧＰａのポリカーボネートフィルム（パンライト（登録商標）シート ＰＣ−２１５１（製品名） 帝人株式会社製）を用いた。
例７では樹脂層に厚みが１８０μｍ、引張弾性率が２．４ＧＰａのポリカーボネートフィルム（パンライト（登録商標）シート ＰＣ−２１５１（製品名） 帝人株式会社製）を用いた。
例８では樹脂層に厚みが１２５μｍ、引張弾性率が３ＧＰａのポリイミドフィルム（カプトン（登録商標）Ｈ（製品名） 東レ・デュポン株式会社製）を用いた。
例１６では樹脂層に厚みが５０μｍ、引張弾性率が５．８ＧＰａのポリイミドフィルム（カプトン（登録商標）ＥＮ（製品名） 東レ・デュポン株式会社製）を用いた。
例１７では樹脂層に厚みが２１０μｍ、引張弾性率が５ＧＰａのＰＴＥフィルム（ルミラー（登録商標）Ｓ１０（製品名） 東レ株式会社製）を用いた。
例１８では樹脂層に厚みが２５０μｍ、引張弾性率が２．４ＧＰａのポリカーボネートフィルム（パンライト（登録商標）シート ＰＣ−２１５１（製品名） 帝人株式会社製）を用いた。
例１９では樹脂層に厚みが３８μｍ、引張弾性率が５ＧＰａのＰＴＥフィルム（ルミラー（登録商標）Ｓ１０（製品名） 東レ株式会社製）を用いた。
例２０では樹脂層に厚みが２５μｍ、引張弾性率が１ＧＰａの二軸延伸ナイロンフィルム（ハーデン（登録商標）フィルム Ｎ１１００（製品名） 東洋紡式会社製）を用いた。
例２１では樹脂層に厚みが５０μｍ、引張弾性率が０．７ＧＰａの無延伸ポリプロピレンフィルム（パイレン（登録商標）フィルム−ＣＴ Ｐ１０１１（製品名） 東洋紡式会社製）を用いた。
例２２では樹脂層に厚みが１００μｍ、引張弾性率が０．６ＧＰａの無延伸ナイロンフィルム（レイファン（登録商標）ＮＯ（１４０１） 東レフィルム加工株式会社製）を用いた。
例２３では樹脂層に厚みが１００μｍ、引張弾性率が０．２ＧＰａのリニアーローデンシティポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム（リックス（登録商標）フィルム ＬＩＸ−ＮＰ（製品名） 東洋紡式会社製）を用いた。
例２４では樹脂層に厚みが２００μｍ、引張弾性率が０．２ＧＰａの軟質ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）フィルムを用いた。 <Examples 2-8, 16-24>
A laminated substrate was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the type of the resin layer was changed.
In Example 2, a PTE film (Lumirror (registered trademark) S10 (product name) manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 188 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa was used for the resin layer.
In Example 3, a biaxially stretched nylon film having a thickness of 50 μm and a tensile elastic modulus of 1 GPa was used for the resin layer.
In Example 4, a biaxially stretched nylon film having a thickness of 200 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa was used for the resin layer.
In Example 5, a biaxially stretched polypropylene film (Pyrene (registered trademark) film-OTP2161 (product name) manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 60 μm and a tensile elastic modulus of 3.8 GPa was used for the resin layer.
In Example 6, a polycarbonate film having a thickness of 125 μm and a tensile elastic modulus of 2.4 GPa (Panlite (registered trademark) sheet PC-2151 (product name) manufactured by Teijin Limited) was used for the resin layer.
In Example 7, a polycarbonate film having a thickness of 180 μm and a tensile elastic modulus of 2.4 GPa (Panlite (registered trademark) sheet PC-2151 (product name) manufactured by Teijin Limited) was used for the resin layer.
In Example 8, a polyimide film having a thickness of 125 μm and a tensile elastic modulus of 3 GPa (Kapton (registered trademark) H (product name) manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) was used for the resin layer.
In Example 16, a polyimide film having a thickness of 50 μm and a tensile elastic modulus of 5.8 GPa (Kapton (registered trademark) EN (product name) manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) was used for the resin layer.
In Example 17, a PTE film (Lumirror (registered trademark) S10 (product name) manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 210 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa was used for the resin layer.
In Example 18, a polycarbonate film having a thickness of 250 μm and a tensile elastic modulus of 2.4 GPa (Panlite (registered trademark) sheet PC-2151 (product name) manufactured by Teijin Limited) was used for the resin layer.
In Example 19, a PTE film (Lumirror (registered trademark) S10 (product name) manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 38 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa was used for the resin layer.
In Example 20, a biaxially stretched nylon film (Harden (registered trademark) film N1100 (product name) manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 25 μm and a tensile elastic modulus of 1 GPa was used for the resin layer.
In Example 21, an unstretched polypropylene film having a thickness of 50 μm and a tensile elastic modulus of 0.7 GPa (Pyrene (registered trademark) film-CT P1011 (product name) manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was used for the resin layer.
In Example 22, a non-stretched nylon film (Leifang (registered trademark) NO (1401) manufactured by Toray Film Processing Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm and a tensile elastic modulus of 0.6 GPa was used for the resin layer.
In Example 23, a linear low density polyethylene (LLDPE) film (Lix® film LIX-NP (product name) manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm and a tensile elastic modulus of 0.2 GPa was used for the resin layer.
In Example 24, a soft PVC (polyvinyl chloride) film having a thickness of 200 μm and a tensile elastic modulus of 0.2 GPa was used for the resin layer.

＜例９（シランカップリング剤を用いたポリイミドフィルム−ガラス積層体の作製）＞
例９では、以下に示すように、粘着層がない構成とした。
４７０×３７０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのガラス基板「ＡＮ Ｗｉｚｕｓ」（支持基材）を水系ガラス洗浄剤（株式会社パーカーコーポレーション製 「ＰＫ―ＬＧＣ２１３」）で洗浄後、純水で洗浄した。コロナ処理装置を用いて、支持基材表面の活性化処理を行った。シランカップリング剤（３−アミノプロピルトリメトキシシラン）を満たしたシャーレの上方に支持基材の活性化処理した面が向くように支持基材を配置し、シャーレをホットプレートで１００℃に加熱し、支持基材をシランカップリング剤に３分間暴露した。その後、シランカップリング剤に暴露した基板を１２０℃のオーブンで１分間加熱し、シランカップリング剤処理した。
厚み０．０１５ｍｍのポリイミドフィルム（東洋紡株式会社製 商品名「ゼノマックス」）の表面を枚葉式の真空プラズマ装置用いて活性化処理を行った。
シランカップリング剤処理を行った支持基板の表面と、真空プラズマ装置で活性化処理を行ったポリイミドフィルム表面を重ねあわせ、貼合装置を用いて仮積層した後、１５０℃のオーブンで３分間熱処理を行い、ポリイミドフィルム−ガラス積層体を作製した。
また、例９では樹脂層に厚みが５０μｍ、引張弾性率が５ＧＰａのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ルミラー（登録商標）Ｓ１０（製品名） 東レ株式会社製）を用いた。 <Example 9 (Preparation of polyimide film-glass laminate using silane coupling agent)>
In Example 9, as shown below, there is no adhesive layer.
A glass substrate "AN Wizus" (supporting base material) having a size of 470 x 370 mm and a thickness of 0.5 mm was washed with a water-based glass cleaning agent ("PK-LGC213" manufactured by Parker Corporation) and then with pure water. The surface of the supporting base material was activated using a corona treatment device. The support base material is placed above the petri dish filled with the silane coupling agent (3-aminopropyltrimethoxysilane) so that the activated surface of the support base material faces, and the petri dish is heated to 100 ° C. on a hot plate. , The supporting substrate was exposed to a silane coupling agent for 3 minutes. Then, the substrate exposed to the silane coupling agent was heated in an oven at 120 ° C. for 1 minute to treat with the silane coupling agent.
The surface of a polyimide film having a thickness of 0.015 mm (trade name "Xenomax" manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was activated using a single-wafer vacuum plasma apparatus.
The surface of the support substrate treated with the silane coupling agent and the surface of the polyimide film treated with the vacuum plasma device are overlapped, temporarily laminated using the bonding device, and then heat-treated in an oven at 150 ° C. for 3 minutes. To prepare a polyimide film-glass laminate.
Further, in Example 9, a polyethylene terephthalate (PET) film (Lumirror (registered trademark) S10 (product name) manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 50 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa was used for the resin layer.

＜例１０〜１５＞
樹脂層の種類を変更したこと以外は、例９と同様の手順に従って、積層基板を得た。
例１０では樹脂層に厚みが１８８μｍ、引張弾性率が５ＧＰａのＰＥＴフィルム（ルミラー（登録商標）Ｓ１０（製品名） 東レ株式会社製）を用いた。
例１１では樹脂層に厚みが５０μｍ、引張弾性率が１ＧＰａの二軸延伸ナイロンフィルムを用いた。
例１２では樹脂層に厚みが２００μｍ、引張弾性率が５ＧＰａの二軸延伸ナイロンフィルムを用いた。
例１３では樹脂層に厚みが１２５μｍ、引張弾性率が３ＧＰａのポリイミドフィルム（カプトン（登録商標）Ｈ（製品名） 東レ・デュポン株式会社製））を用いた。
例１４では樹脂層に厚みが１２５μｍ、引張弾性率が２．４ＧＰａのポリカーボネートフィルム（パンライト（登録商標）シート ＰＣ−２１５１（製品名） 帝人株式会社製））を用いた。
例１５では樹脂層に厚みが１８０μｍ、引張弾性率が２．４ＧＰａのポリカーボネートフィルム（パンライト（登録商標）シート ＰＣ−２１５１（製品名） 帝人株式会社製））を用いた。 <Examples 10 to 15>
A laminated substrate was obtained according to the same procedure as in Example 9 except that the type of the resin layer was changed.
In Example 10, a PET film (Lumirror (registered trademark) S10 (product name) manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 188 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa was used for the resin layer.
In Example 11, a biaxially stretched nylon film having a thickness of 50 μm and a tensile elastic modulus of 1 GPa was used for the resin layer.
In Example 12, a biaxially stretched nylon film having a thickness of 200 μm and a tensile elastic modulus of 5 GPa was used for the resin layer.
In Example 13, a polyimide film having a thickness of 125 μm and a tensile elastic modulus of 3 GPa (Kapton (registered trademark) H (product name) manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) was used for the resin layer.
In Example 14, a polycarbonate film having a thickness of 125 μm and a tensile elastic modulus of 2.4 GPa (Panlite (registered trademark) sheet PC-2151 (product name) manufactured by Teijin Limited) was used for the resin layer.
In Example 15, a polycarbonate film having a thickness of 180 μm and a tensile elastic modulus of 2.4 GPa (Panlite (registered trademark) sheet PC-2151 (product name) manufactured by Teijin Limited) was used for the resin layer.

Figure 2021062571
Figure 2021062571

＜評価結果のまとめ＞
上述の表１に示すように、所定の要件を満たす例１〜１５では所望の効果が得られた。
なお、例１〜１５においては、樹脂層の厚みが５０〜２００μｍであり、かつ引張弾性率が１〜５ＧＰａであるため、支持基材を剥離した際に、支持基材の割れが生じることがなく、かつ電子デバイスの破損も抑制された。
例１６〜２４において、所望の効果が得られなかった。
具体的には、例１６は引張弾性率が５．８ＧＰａと大きく、ダークスポット数が多くなった。
例１７は樹脂層の厚みが２１０μｍであり、例１８は樹脂層の厚みが２５０μｍと厚いため、剥離時にガラス基板にかかる応力が大きくなり、ガラス基板に割れが発生した。
例１９は樹脂層の厚みが３８μｍであり、例２０は樹脂層の厚みが２５μｍと薄いため、剥離時にデバイス層にかかる応力が大きくなり、ダークスポット数が多くなった。
例２１は樹脂層の引張弾性率が０．７ＧＰａ、例２２は樹脂層の引張弾性率が０．６ＧＰａ、例２３は樹脂層の引張弾性率が０．２ＧＰａ、例２４は樹脂層の引張弾性率が０．２ＧＰａと小さいため、剥離時にデバイス層にかかる応力が大きくなり、ダークスポット数が多くなった。 <Summary of evaluation results>
As shown in Table 1 above, the desired effects were obtained in Examples 1 to 15 satisfying the predetermined requirements.
In Examples 1 to 15, since the thickness of the resin layer is 50 to 200 μm and the tensile elastic modulus is 1 to 5 GPa, cracks may occur in the support base material when the support base material is peeled off. And the damage of the electronic device was suppressed.
In Examples 16-24, the desired effect was not obtained.
Specifically, in Example 16, the tensile elastic modulus was as large as 5.8 GPa, and the number of dark spots was large.
In Example 17, the thickness of the resin layer was 210 μm, and in Example 18, the thickness of the resin layer was as thick as 250 μm. Therefore, the stress applied to the glass substrate during peeling increased, and the glass substrate cracked.
In Example 19, the thickness of the resin layer was 38 μm, and in Example 20, the thickness of the resin layer was as thin as 25 μm, so that the stress applied to the device layer at the time of peeling increased, and the number of dark spots increased.
Example 21 has a tensile elastic modulus of 0.7 GPa for the resin layer, Example 22 has a tensile elastic modulus of the resin layer of 0.6 GPa, Example 23 has a tensile elastic modulus of the resin layer of 0.2 GPa, and Example 24 has a tensile elastic modulus of the resin layer. Since the rate was as small as 0.2 GPa, the stress applied to the device layer during peeling increased, and the number of dark spots increased.

１０ 積層基板
１２ 支持基材
１２ａ 表面
１２ｃ 外縁部
１３ 粘着層
１３ａ 表面
１４ ポリイミド樹脂層
１４ａ 表面
１６ 樹脂層
１９ 密着層 10 Laminated substrate 12 Supporting substrate 12a Surface 12c Outer edge 13 Adhesive layer 13a Surface 14 Polyimide resin layer 14a Surface 16 Resin layer 19 Adhesive layer

Claims (8)

ガラス製の支持基材と、ポリイミド樹脂層と、デバイス層と、樹脂層とが積層された積層基板であって、
前記樹脂層の厚みが５０〜２００μｍであり、前記樹脂層の引張弾性率が１〜５ＧＰａである、積層基板。 A laminated substrate in which a glass supporting base material, a polyimide resin layer, a device layer, and a resin layer are laminated.
A laminated substrate having a thickness of the resin layer of 50 to 200 μm and a tensile elastic modulus of the resin layer of 1 to 5 GPa. 前記支持基材と前記ポリイミド樹脂層との間に、粘着層が設けられている、請求項１に記載の積層基板。 The laminated substrate according to claim 1, wherein an adhesive layer is provided between the supporting base material and the polyimide resin layer. 前記支持基材の表面に直接、前記ポリイミド樹脂層が設けられており、
前記樹脂層の前記厚みが１００〜２００μｍであり、前記樹脂層の前記引張弾性率が３〜５ＧＰａである、請求項１に記載の積層基板。 The polyimide resin layer is provided directly on the surface of the supporting base material, and the polyimide resin layer is provided.
The laminated substrate according to claim 1, wherein the thickness of the resin layer is 100 to 200 μm, and the tensile elastic modulus of the resin layer is 3 to 5 GPa. 前記粘着層は、シリコーン樹脂層である、請求項２に記載の積層基板。 The laminated substrate according to claim 2, wherein the adhesive layer is a silicone resin layer. 前記樹脂層は、光学機能性層を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層基板。 The laminated substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin layer has an optical functional layer. 請求項２または４に記載の積層基板において、前記粘着層と前記ポリイミド樹脂層との間を境にして、前記支持基材上の前記粘着層から前記ポリイミド樹脂層と前記デバイス層と前記樹脂層とを剥離する、剥離方法。 In the laminated substrate according to claim 2 or 4, the polyimide resin layer, the device layer, and the resin layer are formed from the adhesive layer on the supporting base material with the adhesive layer and the polyimide resin layer as a boundary. A peeling method that peels off and. 請求項３に記載の積層基板において、前記支持基材と前記ポリイミド樹脂層との間を境にして、前記支持基材から前記ポリイミド樹脂層と前記デバイス層と前記樹脂層とを剥離する、剥離方法。 In the laminated substrate according to claim 3, the polyimide resin layer, the device layer, and the resin layer are peeled off from the support base material at a boundary between the support base material and the polyimide resin layer. Method. 前記樹脂層は、光学機能性層を有する、請求項６または７に記載の剥離方法。
The peeling method according to claim 6 or 7, wherein the resin layer has an optical functional layer.
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