JP2021061348A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】良好な埋め込み特性が得られる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】凹部が形成された基板上に、シリコン含有ガスを供給して吸着層を形成する工程と、反応ガスのプラズマを生成して前記吸着層と反応させる工程と、を繰り返して、前記凹部に第１の絶縁膜を埋め込む工程と、エッチングガスのプラズマを生成して前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、を有し、前記吸着層と反応させる工程におけるプラズマの生成パラメータを制御して、エッチング後の前記凹部に埋め込まれた前記第１の絶縁膜の形状を制御する、基板処理方法。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
例えば、基板に形成されたトレンチ等の凹部に膜を埋め込む基板処理装置が知られている。
特許文献１には、基板上に酸化シリコン膜を成膜する成膜ステップと、成膜ステップにおいて成膜された酸化シリコン膜をエッチングするエッチングステップと、を含み、成膜ステップとエッチングステップとが交互に繰り返される成膜方法が開示されている。
特開２０１２−１９９３０６号公報
一の側面では、本開示は、良好な埋め込み特性が得られる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、凹部が形成された基板上に、シリコン含有ガスを供給して吸着層を形成する工程と、反応ガスのプラズマを生成して前記吸着層と反応させる工程と、を繰り返して、前記凹部に第１の絶縁膜を埋め込む工程と、エッチングガスのプラズマを生成して前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、を有し、前記吸着層と反応させる工程におけるプラズマの生成パラメータを制御して、エッチング後の前記凹部に埋め込まれた前記第１の絶縁膜の形状を制御する、基板処理方法が提供される。
一の側面によれば、良好な埋め込み特性が得られる基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
基板処理システムの構成例を示す概略図。 第１の処理装置の構成例を示す概略図。 第２の処理装置の構成例を示す概略図。 基板処理システムによる基板処理の一例を示すフローチャート。 第１の処理装置における動作の一例を示すタイムチャート。 第２の処理装置における動作の一例を示すタイムチャート。 第１成膜工程及びエッチング工程が処理された状態におけるウェハの断面図の一例。 各状態におけるウエハＷの断面図の一例。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〔基板処理システム〕
本実施形態に係る基板処理システムについて、図１を用いて説明する。図１は、基板処理システムの構成例を示す概略図である。
図１に示されるように、基板処理システムは、処理装置１０１〜１０４と、真空搬送室２００と、ロードロック室３０１〜３０３と、大気搬送室４００と、ロードポート５０１〜５０３と、全体制御部６００と、を備える。
処理装置１０１〜１０４は、それぞれゲートバルブＧ１１〜Ｇ１４を介して真空搬送室２００と接続されている。処理装置１０１〜１０４内は所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にてウエハＷに所望の処理を施す。一実施形態では、処理装置１０１は、ウエハＷにＳｉＮ膜を形成する装置である。処理装置１０２は、処理装置１０１で形成されたＳｉＮ膜をエッチングする装置である。処理装置１０３は、処理装置１０２でエッチング処理されたウエハＷにＳｉＮ膜を形成する装置である。処理装置１０４は、処理装置１０１〜１０３のいずれかと同じ装置であってもよく、別の処理を行う装置であってもよい。
真空搬送室２００内は、所定の真空雰囲気に減圧されている。真空搬送室２００には、減圧状態でウエハＷを搬送可能な搬送機構２０１が設けられている。搬送機構２０１は、処理装置１０１〜１０４、ロードロック室３０１〜３０３に対して、ウエハＷを搬送する。搬送機構２０１は、例えば２つの搬送アーム２０２ａ，２０２ｂを有する。
ロードロック室３０１〜３０３は、それぞれゲートバルブＧ２１〜Ｇ２３を介して真空搬送室２００と接続され、ゲートバルブＧ３１〜Ｇ３３を介して大気搬送室４００と接続されている。ロードロック室３０１〜３０３内は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるようになっている。
大気搬送室４００内は、大気雰囲気となっており、例えば清浄空気のダウンフローが形成されている。大気搬送室４００内には、ウエハＷのアライメントを行うアライナ４０１が設けられている。また、大気搬送室４００には、搬送機構４０２が設けられている。搬送機構４０２は、ロードロック室３０１〜３０３、後述するロードポート５０１〜５０３のキャリアＣ、アライナ４０１に対して、ウエハＷを搬送する。
ロードポート５０１〜５０３は、大気搬送室４００の長辺の壁面に設けられている。ロードポート５０１〜５０３は、ウエハＷが収容されたキャリアＣ又は空のキャリアＣが取り付けられる。キャリアＣとしては、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を利用できる。
全体制御部６００は、基板処理システムの各部を制御する。例えば、全体制御部６００は、処理装置１０１〜１０４の動作、搬送機構２０１，４０２の動作、ゲートバルブＧ１１〜Ｇ１４，Ｇ２１〜Ｇ２３，Ｇ３１〜Ｇ３３の開閉、ロードロック室３０１〜３０３内の雰囲気の切り替え等を実行する。全体制御部６００は、例えばコンピュータであってよい。
なお、基板処理システムの構成はこれに限られるものではない。基板処理システムは、複数のウエハＷを１つの処理装置で処理する多枚葉装置を有する構成であってもよい、また、真空搬送室も多枚葉装置がゲートバルブを介して接続される構成であってもよく、複数の真空搬送装置が接続される構成であってもよい。
次に、処理装置１０１の構成例について説明する。処理装置１０１は、減圧状態の処理容器内でＰＥ−ＡＬＤ（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）法によりＳｉＮ膜を形成する第１の処理装置の一例である。図２は、処理装置１０１の構成例を示す概略図である。
図２に示されるように、処理装置１０１は、処理容器１と、載置台２と、シャワーヘッド３と、排気部４と、ガス供給機構５と、ＲＦ電力供給部８と、制御部９とを有している。
処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器１は、ウエハＷを収容する。処理容器１の側壁にはウエハＷを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成され、搬入出口１１はゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、絶縁体部材１６を介して処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と絶縁体部材１６との間はシールリング１５で気密に封止されている。区画部材１７は、載置台２（およびカバー部材２２）が後述する処理位置へと上昇した際、処理容器１の内部を上下に区画する。
載置台２は、処理容器１内でウエハＷを水平に支持する。載置台２は、ウエハＷに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材２３に支持されている。載置台２は、ＡｌＮ等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部にウエハＷを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、ウエハＷが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
載置台２の底面には、載置台２を支持する支持部材２３が設けられている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図２で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示すウエハＷの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられており、処理容器１の底面と鍔部２５の間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２６が設けられている。
処理容器１の底面の近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２７が設けられている。ウエハ支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。ウエハ支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２７を昇降させることにより、搬送機構（図示せず）と載置台２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、金属製であり、載置台２に対向するように設けられており、載置台２とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド３は、処理容器１の天壁１４に固定された本体部３１と、本体部３１の下に接続されたシャワープレート３２とを有している。本体部３１とシャワープレート３２との間にはガス拡散空間３３が形成されており、ガス拡散空間３３には処理容器１の天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には下方に突出する環状突起部３４が形成されている。環状突起部３４の内側の平坦面には、ガス吐出孔３５が形成されている。載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。
排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気部４は、排気口１３ｂに接続された排気配管４１と、排気配管４１に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構４２とを有する。処理に際しては、処理容器１内のガスがスリット１３ａを介して排気ダクト１３に至り、排気ダクト１３から排気配管４１を通って排気機構４２により排気される。
ガス供給機構５は、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構５は、プリカーサガス供給源５１ａ、反応ガス供給源５２ａ、Ａｒガス供給源５３ａ、Ａｒガス供給源５４ａを有する。
プリカーサガス供給源５１ａは、ガス供給ライン５１ｂを介してプリカーサガスを処理容器１内に供給する。なお、図２に示す例において、プリカーサガスとして、ＤＣＳ（ジクロロシラン）ガスを用いる。ガス供給ライン５１ｂには、上流側から流量制御器５１ｃ、貯留タンク５１ｄ及びバルブ５１ｅが介設されている。ガス供給ライン５１ｂのバルブ５１ｅの下流側は、ガス供給ライン５５を介してガス導入孔３６に接続されている。プリカーサガス供給源５１ａから供給されるプリカーサガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５１ｄで一旦貯留され、貯留タンク５１ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５１ｄから処理容器１へのプリカーサガスの供給及び停止は、バルブ５１ｅの開閉により行われる。このように貯留タンク５１ｄへプリカーサガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のプリカーサガスを処理容器１内に安定して供給できる。
反応ガス供給源５２ａは、ガス供給ライン５２ｂを介して反応ガスを処理容器１内に供給する。なお、図２に示す例において、反応ガスとして、ＮＨ３ガスを用いる。ガス供給ライン５２ｂには、上流側から流量制御器５２ｃ及びバルブ５２ｅが介設されている。ガス供給ライン５２ｂのバルブ５２ｅの下流側は、ガス供給ライン５５を介してガス導入孔３６に接続されている。反応ガス供給源５２ａから供給される反応ガスは処理容器１内に供給される。処理容器１への反応ガスの供給及び停止は、バルブ５２ｅの開閉により行われる。
Ａｒガス供給源５３ａは、ガス供給ライン５３ｂを介してパージガスとしてのＡｒガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５３ｂには、上流側から流量制御器５３ｃ及びバルブ５３ｅが介設されている。ガス供給ライン５３ｂのバルブ５３ｅの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ａｒガス供給源５３ａから供給されるＡｒガスは処理容器１内に供給される。処理容器１へのＡｒガスの供給及び停止は、バルブ５３ｅの開閉により行われる。
Ａｒガス供給源５４ａは、ガス供給ライン５４ｂを介してパージガスとしてのＡｒガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５４ｂには、上流側から流量制御器５４ｃ及びバルブ５４ｅが介設されている。ガス供給ライン５４ｂのバルブ５４ｅの下流側は、ガス供給ライン５２ｂに接続されている。Ａｒガス供給源５４ａから供給されるＡｒガスは処理容器１内に供給される。処理容器１へのＡｒガスの供給及び停止は、バルブ５４ｅの開閉により行われる。
また、処理装置１０１は、容量結合プラズマ装置であって、載置台２が下部電極となり、シャワーヘッド３が上部電極となる。下部電極となる載置台２は、コンデンサ（図示せず）を介して接地されている。下部電極のリアクタンス（下部リアクタンス）は、コンデンサ容量の逆数で定まる。
上部電極となるシャワーヘッド３は、ＲＦ電力供給部８によって高周波電力（以下、「ＲＦパワー」ともいう。）が印加される。ＲＦ電力供給部８は、給電ライン８１、整合器８２及び高周波電源８３を有する。高周波電源８３は、高周波電力を発生する電源である。高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。高周波電力の周波数は、例えば４５０ＫＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。高周波電源８３は、整合器８２及び給電ライン８１を介してシャワーヘッド３の本体部３１に接続されている。整合器８２は、高周波電源８３の出力リアクタンスと負荷（上部電極）のリアクタンスを整合させるための回路を有する。なお、ＲＦ電力供給部８は、上部電極となるシャワーヘッド３に高周波電力を印加するものとして説明したが、これに限られるものではない。下部電極となる載置台２に高周波電力を印加する構成であってもよい。
制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、処理装置１０１の動作を制御する。制御部９は、処理装置１０１の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部９が処理装置１０１の外部に設けられている場合、制御部９は、有線又は無線等の通信手段によって、処理装置１０１を制御できる。
次に、処理装置１０２の構成例について説明する。処理装置１０２は、エッチング処理を施す第２の処理装置の一例である。図３は、処理装置１０２の構成例を示す概略図である。
図３に示す処理装置１０２は、図２に示す処理装置１０１と比較して、ガス供給機構５に代えてガス供給機構６を有している点で異なっている。その他の点については処理装置１０１と同様であるので、重複する説明を省略し、処理装置１０１と異なる点を中心に説明する。
ガス供給機構６は、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構６は、エッチングガス供給源６１ａ、Ａｒガス供給源６２ａを有する。
エッチングガス供給源６１ａは、ガス供給ライン６１ｂを介してエッチングガスを処理容器１内に供給する。なお、図３に示す例において、エッチングガスとして、ＮＦ３ガスを用いる。ガス供給ライン６１ｂには、上流側から流量制御器６１ｃ及びバルブ６１ｅが介設されている。ガス供給ライン６１ｂのバルブ６１ｅの下流側は、ガス供給ライン６５を介してガス導入孔３６に接続されている。エッチングガス供給源６１ａから供給されるＮＦ３ガスは処理容器１内に供給される。処理容器１へのＮＦ３ガスの供給及び停止は、バルブ６１ｅの開閉により行われる。
Ａｒガス供給源６２ａは、ガス供給ライン６２ｂを介してＡｒガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン６２ｂには、上流側から流量制御器６２ｃ及びバルブ６２ｅが介設されている。ガス供給ライン６２ｂのバルブ６２ｅの下流側は、ガス供給ライン６５を介してガス導入孔３６に接続されている。Ａｒガス供給源６２ａから供給されるＡｒガスは処理容器１内に供給される。処理容器１へのＡｒガスの供給及び停止は、バルブ６２ｅの開閉により行われる。
次に、処理装置１０３の構成例について説明する。処理装置１０３は、減圧状態の処理容器内でＰＥ−ＡＬＤ法によりＳｉＮ膜を形成する第３の処理装置の一例である。処理装置１０３の構成は、図２に示す処理装置１０１と同様の構成を有している。このため、重複する説明を省略する。
次に、図１に示す基板処理システムによる基板処理の一例について説明する。図４は、基板処理システムによる基板処理の一例を示すフローチャートである。基板処理システムは、トレンチ等の凹部が形成されたウエハＷにＳｉＮ膜を埋め込む。
ステップＳ１０１において、トレンチ等の凹部が形成されたウエハＷにＳｉＮ膜を成膜する（第１成膜工程）。本工程は、例えば、処理装置１０１にて処理される。
処理装置１０１の動作の一例について、ＰＥ−ＡＬＤプロセスによりＳｉＮ膜を成膜する場合を例に図５を用いて説明する。図５は、第１の処理装置１０１における動作の一例を示すタイムチャートである。
図５に示されるＰＥ−ＡＬＤプロセスは、プリカーサガスを供給する工程Ｓ２０１、パージする工程Ｓ２０２、反応ガスを供給する工程Ｓ２０３、ＲＦパワーを印加する工程Ｓ２０４及びパージする工程Ｓ２０５を所定サイクル繰り返し、プリカーサガスと反応ガスを交互に供給してウエハＷの上に所望の膜厚のＳｉＮ膜を形成するプロセスである。なお、図５では、１サイクルのみを示す。
プリカーサガスを供給する工程Ｓ２０１は、プリカーサガスを処理空間３８に供給する工程である。プリカーサガスを供給する工程Ｓ２０１では、まず、バルブ５３ｅ，５４ｅを開いた状態で、Ａｒガス供給源５３ａ，５４ａから、ガス供給ライン５３ｂ，５４ｂを経てＡｒガスを供給する。また、バルブ５１ｅを開くことにより、プリカーサガス供給源５１ａからガス供給ライン５１ｂを経てプリカーサガスを処理容器１内の処理空間３８に供給する。このとき、プリカーサガスは、貯留タンク５１ｄに一旦貯留された後に処理容器１内に供給される。これにより、プリカーサがウエハＷの表面に吸着され、ウエハＷの表面にプリカーサの吸着層が形成される。
パージする工程Ｓ２０２は、処理空間３８の余剰のプリカーサガス等をパージする工程である。パージする工程Ｓ２０２では、ガス供給ライン５３ｂ，５４ｂを介してのＡｒガスの供給を継続した状態で、バルブ５１ｅを閉じてプリカーサガスの供給を停止する。これにより、Ａｒガス供給源５３ａ，５４ａからガス供給ライン５３ｂ，５４ｂを経てＡｒガスを処理容器１内の処理空間３８に供給する。これにより、処理空間３８の余剰のプリカーサガス等をパージする。また、バルブ５１ｅを閉じることにより、貯留タンク５１ｄにプリカーサガスが充填される。
反応ガスを供給する工程Ｓ２０３は、反応ガスとしてのＮＨ３ガスを供給する工程である。反応ガスを供給する工程Ｓ２０３では、ガス供給ライン５３ｂ，５４ｂを介してのＡｒガスの供給を継続した状態で、バルブ５２ｅを開く。これにより、反応ガス供給源５２ａからガス供給ライン５２ｂを経て反応ガスを処理空間３８に供給する。
ＲＦパワーを印加する工程Ｓ２０４は、反応ガスとして供給されているＮＨ３ガスをプラズマ励起する工程である。ＲＦパワーを印加する工程Ｓ２０４では、ガス供給ライン５３ｂ，５４ｂを介してのＡｒガスの供給及びガス供給ライン５２ｂを介しての反応ガスの供給を継続した状態で、高周波電源８３により、上部電極にＲＦを印加して、処理空間３８にプラズマを生成する。これにより、ウエハＷの表面の吸着層が窒化され、ＳｉＮ膜を生成する。
パージする工程Ｓ２０５は、処理空間３８の余剰の反応ガス等をパージする工程である。パージする工程Ｓ２０５では、ガス供給ライン５３ｂ，５４ｂを介してのＡｒガスの供給を継続した状態で、バルブ５２ｅを閉じて反応ガスの供給を停止する。また、高周波電源８３により、上部電極にＲＦを印加することを停止する。これにより、Ａｒガス供給源５３ａ，５４ａからガス供給ライン５３ｂ，５４ｂを経てＡｒガスを処理容器１内の処理空間３８に供給する。これにより、処理空間３８の余剰の反応ガス等をパージする。
以上のサイクルを繰り返すことで、ウエハＷにＳｉＮ膜を成膜する。
ここで、ステップＳ１０１におけるＤＣＳガスとＮＨ３ガスを用いたＳｉＮ膜の成膜条件の好ましい範囲を以下に示す。
温度：２５０〜６００℃
圧力：０．５〜１０Ｔｏｒｒ
ＤＣＳガス流量：１０〜１００ｃｃ／サイクル
ＮＨ３ガス流量：５００〜１００００ｓｃｃｍ
Ａｒガス流量：５００〜１００００ｓｃｃｍ
工程Ｓ２０１時間：０．０５〜２．０秒
工程Ｓ２０２時間：０．１〜２．０秒
工程Ｓ２０３時間：０．５〜２．０秒
工程Ｓ２０４時間：１．０〜６．０秒
工程Ｓ２０５時間：０．１〜２．０秒
ＲＦパワー：５０〜１０００Ｗ
下部リアクタンス：−３００〜１００Ω
図４に戻り、ステップＳ１０２において、ウエハＷに形成されたＳｉＮ膜をエッチングする（エッチング工程）。本工程は、例えば、処理装置１０２にて処理される。
処理装置１０２の動作の一例について、エッチング処理を施す場合を例に図６を用いて説明する。図６は、第２の処理装置１０２における動作の一例を示すタイムチャートである。
図６に示されるエッチングプロセスは、ガスランプ工程Ｓ３０１、ガス安定化工程Ｓ３０２、ＮＦ３ガス供給工程Ｓ３０３、エッチング工程Ｓ３０４、ＮＦ３ガス停止工程Ｓ３０５及びパージ工程Ｓ３０６を有する。
ガスランプ工程Ｓ３０１は、バルブ６２ｅを開くことにより、Ａｒガス供給源６２ａから、ガス供給ライン６２ｂを経てＡｒガスを処理容器１内の処理空間３８に供給する。
ガス安定化工程Ｓ３０２は、ガス供給ライン６２ｂを介してのＡｒガスの供給を継続した状態で、処理空間３８に供給するＡｒガスを安定化させる。
ＮＦ３ガス供給工程Ｓ３０３は、ガス供給ライン６２ｂを介してのＡｒガスの供給を継続した状態で、バルブ６１ｅを開くことにより、エッチングガス供給源６１ａから、ガス供給ライン６１ｂを経てＮＦ３ガスを処理容器１内の処理空間３８に供給する。
エッチング工程Ｓ３０４は、ガス供給ライン６２ｂを介してのＡｒガスの供給及びガス供給ライン６１ｂを介してのＮＦ３ガスの供給を継続した状態で、高周波電源８３により、上部電極にＲＦを印加して、処理空間３８にプラズマを生成する。これにより、ウエハＷのＳｉＮ膜にエッチング処理を施す。
ＮＦ３ガス停止工程Ｓ３０５は、ガス供給ライン６２ｂを介してのＡｒガスの供給を継続した状態で、バルブ６１ｅを閉じてＮＦ３ガスの供給を停止する。また、高周波電源８３により上部電極にＲＦを印加することを停止する。これにより、処理空間３８内のＮＦ３ガスは、排気部４に排気される。
パージ工程Ｓ３０６は、バルブ６２ｅを閉じてＡｒガスの供給を停止する。これにより、処理空間３８内のガスは、排気部４に排気され、処理空間３８内の圧力が減少する。
以上の処理を行うことで、ウエハＷに成膜されたＳｉＮ膜をエッチングする。これにより、後述する図８（ｂ）に示すように、ＳｉＮ膜をＶ字状に開口する形状とすることができる。
ここで、ステップＳ１０２におけるエッチング処理条件の好ましい範囲を以下に示す。
温度：１００〜６００℃
圧力：０．５〜１０．０Ｔｏｒｒ
ＮＦ３ガス流量：５〜５００ｓｃｃｍ
Ａｒガス流量：１０００〜１００００ｓｃｃｍ
工程Ｓ３０１時間：０．０〜１０．０秒
工程Ｓ３０２時間：０．０〜６０．０秒
工程Ｓ３０３時間：０．５〜１０．０秒
工程Ｓ３０５時間：０．０〜６０．０秒
工程Ｓ３０６時間：０．０〜６０．０秒
ＲＦパワー：１０〜５００Ｗ
なお、工程Ｓ３０１、Ｓ３０２は省いてもよく、Ｓ３０５、Ｓ３０６はどちらか片方を省いてもよい。
図４に戻り、ステップＳ１０３において、エッチング処理されたウエハＷにＳｉＮ膜を成膜する。本工程は、例えば、処理装置１０３にて処理される。なお、処理装置１０３における成膜処理は、ステップＳ１０１における処理装置１０１の場合と同様であり、重複する説明を省略する。これにより、後述する図８（ｃ）に示すように、Ｖ字状に開口する形状にＳｉＮ膜を埋め込むことができる。
ここで、ステップＳ１０３におけるＤＣＳガスとＮＨ３ガスを用いたＳｉＮ膜の成膜条件の好ましい範囲を以下に示す。
温度：２５０〜６００℃
圧力：０．５〜１０．０Ｔｏｒｒ
ＤＣＳガス流量：１０〜１００ｃｃ／サイクル
ＮＨ３ガス流量：５００〜１００００ｓｃｃｍ
Ａｒガス流量：５００〜１００００ｓｃｃｍ
工程Ｓ２０１時間：０．０５〜２．０秒
工程Ｓ２０２時間：０．１〜２．０秒
工程Ｓ２０３時間：０．５〜２．０秒
工程Ｓ２０４時間：１．０〜６．０秒
工程Ｓ２０５時間：０．１〜２．０秒
ＲＦパワー：５０〜１０００Ｗ
下部リアクタンス：−３００〜１００Ω
なお、成膜工程、エッチング工程、成膜工程でＳｉＮ膜を成膜するものとして説明したが、これに限られるものではなく、改質処理等を挟んでもよい。更に、エッチング工程と成膜工程を複数回繰り返してウエハＷに処理を施してもよい。また、前処理として表面改質処理や後処理としてアニール処理を施してもよい。
図７は、第１成膜工程Ｓ１０１及びエッチング工程Ｓ１０２が処理された状態におけるウエハＷの断面図の一例である。ここでは、トレンチ構造の凹部パターンが表面に形成されたウエハＷに対して、図４に示す第１成膜工程Ｓ１０１及びエッチング工程Ｓ１０２を行った。また、図７において、（ａ）（ｂ）（ｃ）は、下部電極のリアクタンスを−２６４Ωとした場合であり、（ｄ）（ｅ）（ｆ）は、下部電極のリアクタンスを−３６Ωとした場合である。即ち、（ａ）（ｂ）（ｃ）は下部リアクタンスを低リアクタンスとした場合であり、（ｄ）（ｅ）（ｆ）は下部リアクタンスを高リアクタンスとした場合である。また、（ａ）（ｄ）は、ＲＦパワーを１００Ｗとした場合であり、（ｂ）（ｅ）は、ＲＦパワーを３００Ｗとした場合であり、（ｃ）（ｆ）は、ＲＦパワーを５００Ｗとした場合である。また、（ａ）〜（ｆ）において、エッチング工程Ｓ１０２は、同一の処理を施した。
第１成膜工程Ｓ１０１のプラズマにより窒化する工程Ｓ２０４において、ＮＦ３およびＡｒに起因するイオンがＳｉＮ膜に入射する。ここで、下部リアクタンスを高くすることにより、ＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギが高くなる。下部リアクタンスを低くすることにより、ＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギが低くなる。また、ＲＦパワーを高くすることにより、ＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギが高くなる。ＲＦパワーを低くすることにより、ＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギが低くなる。図７に示すように、プラズマにより窒化する工程Ｓ２０４におけるＮＦ３およびＡｒに起因するイオンの入射エネルギによって、エッチング処理後における開口形状が異なる。
下部リアクタンスを低リアクタンスとする（コンデンサの容量を小さくする）ことにより、ＳｉＮ膜をＶ字状に開口する形状にすることができる。図７（ａ）〜（ｃ）と図７（ｄ）〜（ｆ）とを対比すると、図７（ａ）〜（ｃ）の方が、上部形状がＶ字状に開口していることがわかる。また、ＲＦパワーを小さくすることにより、ＳｉＮ膜をＶ字状に開口する形状にすることができる。図７（ａ）（ｄ）と図７（ｂ）（ｅ）と図７（ｃ）（ｆ）とを対比すると、図７（ａ）（ｄ）が、上部形状がＶ字状に開口していることがわかる。
このように、第１成膜工程Ｓ１０１のプラズマにより窒化する工程Ｓ２０４におけるプロセス条件を調整することにより、エッチング工程Ｓ１０２におけるプロセス条件を変更せずに、エッチング処理後における開口形状を制御することができる。
即ち、第１成膜工程Ｓ１０１のプラズマにより窒化する工程Ｓ２０４におけるＮＦ３およびＡｒに起因するイオンの入射エネルギを大きくすることで、トレンチ構造の凹部肩部（トレンチ構造の上面と凹部の側面との間の角部）に形成されるＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギが大きくなる。これにより、トレンチ構造の凹部肩部に形成されるＳｉＮ膜の膜質の改質を促進し、凹部肩部に形成されるＳｉＮ膜のエッチング耐性が高くなる。よって、エッチング工程Ｓ１０２において、凹部肩部に形成されるＳｉＮ膜のエッチングが抑制され、略矩形状の開口が形成される。
これに対し、第１成膜工程Ｓ１０１のプラズマにより窒化する工程Ｓ２０４におけるＮＦ３およびＡｒに起因するイオンの入射エネルギを小さくすることで、トレンチ構造の凹部肩部に形成されるＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギが小さくなる。これにより、トレンチ構造の凹部肩部に形成されるＳｉＮ膜の膜質の改質が抑制され、凹部肩部に形成されるＳｉＮ膜のエッチング耐性が低くなる。よって、エッチング工程Ｓ１０２において、凹部肩部に形成されるＳｉＮ膜が好適にエッチングされ、Ｖ字状に開口する形状が形成される。
図８は、各状態におけるウエハＷの断面図の一例である。ここでは、トレンチ構造の凹部パターンが表面に形成されたウエハＷに対して、図４に示す第１成膜工程Ｓ１０１、エッチング工程Ｓ１０２、及び第２成膜工程Ｓ１０３を行った。図８（ａ）（ｄ）が第１成膜工程Ｓ１０１終了時を、図８（ｂ）（ｅ）がエッチング工程Ｓ１０２終了時を、図８（ｃ）（ｆ）が第２成膜工程Ｓ１０３終了時をそれぞれ示す。また、（ａ）（ｂ）（ｃ）は、第１成膜工程Ｓ１０１のステップＳ２０４におけるＮＦ３およびＡｒに起因するイオンの入射エネルギを小さくした場合（以下、本実施例ともいう。）を示し、（ｄ）（ｅ）（ｆ）は、第１成膜工程Ｓ１０１のステップＳ２０４におけるＮＦ３およびＡｒに起因するイオンの入射エネルギを大きくした場合（以下、参考例ともいう。）を示す。
図８（ａ）及び（ｄ）に示すように、第１成膜工程Ｓ１０１終了時において、本実施例及び参考例のいずれにおいても、基板の形状を維持する形でＳｉＮ膜が閉塞している。
図８（ｂ）及び（ｅ）に示すように、エッチング工程Ｓ１０２終了時において、トレンチ構造凹部の上端が開放される。ここで、図８（ｂ）に示す開口形状は、開口側が大きく開くＶ字状に開口する形状を形成することができる。これに対し、図８（ｅ）に示す開口形状は、トレンチ構造の凹部肩部のＳｉＮ膜がせり出した形状を有している。
図８（ｆ）に示すように、参考例の第２成膜工程Ｓ１０３終了時においては、ＳｉＮ膜の埋め込みによってボイドが形成されている。これに対し、図８（ｃ）に示すように、本実施例の第２成膜工程Ｓ１０３終了時においては、ボイドがないＳｉＮ膜の埋め込みを行うことができる。
以上、本実施形態に係る基板処理システムによれば、第１成膜工程Ｓ１０１におけるプロセス条件を調整することにより、エッチング工程Ｓ１０２終了時の開口部分の形状を開口側が大きく開くＶ字状に開口する形状にすることができる。これにより、第２成膜工程Ｓ１０３において、ＳｉＮ膜を埋め込む際、良好な埋め込み特性が得られ、ボイドのないＳｉＮ膜を成膜することができる。
また、第２成膜工程Ｓ１０３においては、第１成膜工程Ｓ１０１と同じプロセス条件を用いてＳｉＮ膜を成膜してもよい。
また、第２成膜工程Ｓ１０３においては、第１成膜工程Ｓ１０１とは異なるプロセス条件を用いてＳｉＮ膜を成膜してもよい。具体的には、第２成膜工程Ｓ１０３におけるステップＳ２０４におけるＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギを、第１成膜工程Ｓ１０１におけるステップＳ２０４におけるＳｉＮ膜に入射するＮＦ３およびＡｒに起因するイオンのエネルギよりも大きくする。例えば、ＲＦパワーを高くしてもよい。また、下部電極を高リアクタンスとしてもよい。図７に示すように、高ＲＦパワー、高リアクタンスとすることにより、エッチング耐性の高いＳｉＮ膜とすることができる。これにより、ボイドのないＳｉＮ膜を埋め込むことができるとともに、トレンチ構造に埋め込むＳｉＮ膜の表面をエッチング耐性の高いＳｉＮ膜とすることができる。
以上、処理装置１０１〜１０３による本実施形態の成膜方法について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
処理装置１０１〜１０３は、真空搬送室２００を介して搬送されるものとして説明したが、これに限られるものではない。処理装置１０１〜１０３間は大気搬送で搬送される構成であってもよい。
また、第１成膜工程Ｓ１０１及び第２成膜工程Ｓ１０３を１つの処理装置１０１で行う構成としてもよい。また、第１成膜工程Ｓ１０１から第２成膜工程Ｓ１０３を１つの処理装置１０１で行う構成としてもよい。
また、下部電極のコンデンサは可変コンデンサとしてもよい。これにより、１つの処理装置で下部電極のリアクタンスを変更することができる。また、下部電極のコンデンサは可変コイルを組み合わせたＬＣ回路としてもよい。これにより、下部電極のリアクタンスを変更することができる。
また、図５に示すＳｉＮ膜の成膜処理において、ウエハＷの表面にプリカーサを吸着させた後、改質処理を施してもよい。例えば、処理空間３８内に水素含有ガスのプラズマを生成して、プリカーサの吸着層を水素ラジカルにより改質する工程を更に有してもよい。これにより、吸着されたプリカーサを改質して、成膜性能を向上させることができる。また、図５に示すＳｉＮ膜の成膜処理において、ウエハＷの表面を窒化させた後、改質処理を施してもよい。例えば、処理空間３８内に水素含有ガスのプラズマを生成して、プリカーサの吸着層を水素ラジカルにより改質する工程を更に有してもよい。これにより、吸着されたプリカーサを改質して、成膜性能を向上させることができる。
また、入射するイオンのエネルギを制御する方法として、ＲＦパワーを制御する方法及び下部リアクタンスを制御する方法を例に説明したが、これに限られるものではない。例えば、処理空間３８内の圧力を制御することにより、入射するイオンのエネルギを制御してもよい。また、下部電極にバイアスを加えることにより入射するイオンのエネルギを制御してもよい。また、下部電極および／または上部電極にＤＣ（Direct Current）電圧を印加するＤＣ電力供給部を備え、パルスでＤＣ電圧を印加することにより、入射するイオンのエネルギを制御してもよい。また、印加するＤＣ電圧波形を制御して、入射するイオンのエネルギを制御してもよい。また、複数の周波数の高周波電力を位相制御して重畳したＴＶＷ（Tailored voltage waveform）の高周波電力を供給することによりイオンのエネルギを制御してもよい。
プリカーサガスはＤＣＳとし、反応ガスをＮＨ３ガスとして説明したが、これに限られるものではない。プリカーサガスとして、ＳｉＨ４ガス、ＴＳＡ（trisilylamine）ガス、ハロゲンを含むシリコン系ガス、アミノシランガス、等のシリコン含有ガスを用いてもよい。反応ガスとして、ＮＨ３ガス、Ｎ２ガス、等のガスを用いてもよい。また、プリカーサガスとしてＳｉＨ４ガス用いる場合、反応ガスとしてＮ２ガスを用いてもよい。また、第２成膜工程Ｓ１０３においてプラズマを使用せず、熱によるＡＬＤによりＳｉＮ膜を形成してもよい。この場合、反応ガスとしてＮＨ３、ヒドラジン、ヒドラジン誘導体等のガスを用いてもよい。
１０１〜１０４ 処理装置
２００ 真空搬送室
Ｗ ウエハ
１ 処理容器
２ 載置台
３ シャワーヘッド
４ 排気部
９ 制御部
５，６ ガス供給機構
５１ａ プリカーサガス供給源
５２ａ 反応ガス供給源
５３ａ Ａｒガス供給源
５４ａ Ａｒガス供給源
６１ａ エッチングガス供給源
６２ａ Ａｒガス供給源
８ ＲＦ電力供給部（高周波電力供給部）
８３ 高周波電源

Claims (13)

  1. 凹部が形成された基板上に、シリコン含有ガスを供給して吸着層を形成する工程と、反応ガスのプラズマを生成して前記吸着層と反応させる工程と、を繰り返して、前記凹部に第１の絶縁膜を埋め込む工程と、
    エッチングガスのプラズマを生成して前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、を有し、
    前記吸着層と反応させる工程におけるプラズマの生成パラメータを制御して、エッチング後の前記凹部に埋め込まれた前記第１の絶縁膜の形状を制御する、
    基板処理方法。
  2. 前記吸着層と反応させる工程における前記吸着層に入射するイオンのエネルギを制御する、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記プラズマの生成パラメータは、プラズマを生成するための高周波電力、前記基板を載置する下部電極のリアクタンス、処理空間内の圧力のうち少なくとも１つを含む、
    請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 前記第１の絶縁膜をエッチングする工程の後に、
    前記基板上に、シリコン含有ガスを供給して吸着層を形成する工程と、反応ガスのプラズマを生成して前記吸着層と反応させる工程と、を繰り返して、前記凹部に第２の絶縁膜を埋め込む工程を更に有する、
    請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 前記第２の絶縁膜を埋め込む工程は、前記第１の絶縁膜よりもエッチング耐性の高い前記第２の絶縁膜を埋め込む、
    請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 前記第２の絶縁膜を埋め込む工程における前記吸着層と反応させる工程における前記吸着層に入射するイオンのエネルギは、
    前記第１の絶縁膜を成膜する工程における前記吸着層と反応させる工程における前記吸着層に入射するイオンのエネルギよりも高くなるように、プラズマの生成パラメータを制御する、
    請求項４または請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 前記第１の絶縁膜を成膜する工程は、
    水素含有ガスのプラズマを生成して前記吸着層を改質する工程を更に有する、
    請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  8. 前記第１の絶縁膜を埋め込む工程と、前記第１の絶縁膜をエッチングする工程は、大気暴露させずに処理される、
    請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  9. 前記第１の絶縁膜を埋め込む工程と、前記第１の絶縁膜をエッチングする工程は、同一の処理装置で処理される、
    請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  10. 前記第１の絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮのうち、少なくとも何れか一つを含む、
    請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  11. 前記シリコン含有ガスは、ＤＣＳガス、ＳｉＨ４ガス、ＴＳＡ（trisilylamine）ガスのうち、少なくとも何れか一つを含む、
    請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  12. 前記反応ガスは、ＮＨ３ガス、Ｎ２ガス、ヒドラジン、ヒドラジン誘導体ガスのうち、少なくとも何れか一つを含む、
    請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  13. 基板を載置する載置台を有する処理容器と、
    前記処理容器にガスを供給するガス供給源と、
    高周波電力を印加して前記処理容器内にプラズマを生成する高周波電力供給部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    凹部が形成された前記基板上に、シリコン含有ガスを供給して吸着層を形成する工程と、反応ガスのプラズマを生成して前記吸着層と反応させる工程と、を繰り返して、前記凹部に第１の絶縁膜を埋め込む工程と、
    エッチングガスのプラズマを生成して前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、を有し、
    前記吸着層と反応させる工程におけるプラズマの生成パラメータを制御して、エッチング後の前記凹部に埋め込まれた前記第１の絶縁膜の形状を制御する、
    基板処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024128026A1 (ja) * 2022-12-15 2024-06-20 東京エレクトロン株式会社 凹部の埋込方法及びプラズマ処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014532304A (ja) * 2011-09-23 2014-12-04 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜
JP2018026524A (ja) * 2016-08-08 2018-02-15 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法および成膜装置
WO2018110150A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
US20180301460A1 (en) * 2017-04-13 2018-10-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5661523B2 (ja) 2011-03-18 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014532304A (ja) * 2011-09-23 2014-12-04 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜
JP2018026524A (ja) * 2016-08-08 2018-02-15 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法および成膜装置
WO2018110150A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
US20180301460A1 (en) * 2017-04-13 2018-10-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024128026A1 (ja) * 2022-12-15 2024-06-20 東京エレクトロン株式会社 凹部の埋込方法及びプラズマ処理装置

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