JP2021039989A

JP2021039989A - 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number: JP2021039989A
Application number: JP2019159118A
Authority: JP
Inventors: 仁司中井; Hitoshi Nakai
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2019-08-30
Filing date: 2019-08-30
Publication date: 2021-03-11
Anticipated expiration: 2039-08-30
Also published as: JP7372084B2

Abstract

【課題】基板から排除される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】外側環状部材１３は、基板Ｗの上面に存在する処理液を遠心力によって基板Ｗの上面の周縁部よりも径方向外方ＲＯに案内する上側案内面６０を有する。外側環状案内部１５は、上側案内面６０に間隔を空けて上方から対向し、上側案内面６０上に存在する処理液を上側案内面６０とともに径方向外方ＲＯに案内する対向案内面８０ａを有する。第３ガード７１Ｃは、第３延設部７６Ｃの下面が上側案内面６０に近接する案内面近接位置に配置された状態で外側環状部材１３から排出される処理液を受ける。第１ガード７１Ａは、外側環状部材１３から排出される処理液が通る処理液排出空間６６を第３延設部７６Ｃとともに第１延設部７６Ａが形成する排出空間形成位置に位置する。【選択図】図５Ｂ

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等の基板が含まれる。

下記特許文献１に記載の基板処理装置では、基板の上面に上方から対向する環状のトッププレートが設けられている。このトッププレートの直径は、基板から飛散する液体を受けるカップ部の径方向内方端の直径よりも僅かに小さく、トッププレートの外周縁は、カップ部の内周面に近接している。そのため、トッププレートを基板と一体回転させて、トッププレートの上面に純水等の液体を供給することによって、カップ部の内周面に旋回液膜が形成される。旋回液膜が形成された状態で基板の上面に処理液を供給することによって基板から飛散する処理液は、旋回液膜によって受けられる。基板から飛散した処理液が旋回液膜に衝突することによって発生する飛沫は、旋回液膜の回転方向前側に流されるため、飛沫が基板に付着することを抑制できる。

特許第６１３４６７３号公報

特許文献１に記載の基板処理装置では、処理液の飛沫の基板への付着を抑制するために、トッププレートの上面にわざわざ供給する必要があり、基板にのみ液体を供給する構成と比較して、液体の消費量が増大するおそれがある。さらに、トッププレートの上面に液体を供給するためのノズルを設ける必要がある。したがって、処理液の飛沫の基板への付着を一層効率的に抑制できる構成が求められている。

そこで、この発明の１つの目的は、基板から排除される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の中央部を通る鉛直軸線まわりに前記基板保持ユニットを回転させる基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて処理液を供給する上側処理液供給ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を平面視で取り囲む第１環状案内部であって、前記基板保持ユニットに保持されている基板を前記基板回転ユニットに回転させるときに、当該基板の上面に存在する処理液を遠心力によって当該基板の上面の周縁部よりも、前記鉛直軸線を中心とする径方向の外方に案内する上側案内面を有する第１環状案内部と、平面視で前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む第２環状案内部であって、前記上側案内面に間隔を空けて上方から対向し、前記上側案内面上に存在する処理液を、前記上側案内面とともに前記径方向の外方に案内する対向案内面を有する第２環状案内部と、前記径方向に延びる上側延設部を有し、前記上側延設部の下面が前記上側案内面に近接する案内面近接位置に配置された状態で前記第１環状案内部から排出される処理液を受ける上側ガードと、前記上側延設部に下方から対向し前記径方向に延びる下側延設部を有し、前記第１環状案内部から排出される処理液が通る処理液排出空間を前記上側延設部とともに前記下側延設部が形成する排出空間形成位置に位置する下側ガードとをさらに含む、基板処理装置を提供する。

この装置によれば、基板の上面に供給された処理液は、基板の回転に基づく遠心力によって、基板の周縁部よりも径方向の外方の第１環状案内部の上側案内面上に案内される。そのため、上側案内面上の処理液は、径方向の外方に向かう流れを形成し、第１環状案内部の外方に排出される。
第２環状案内部の対向案内面は、上側案内面とともに、上側案内面上の処理液を径方向の外方に案内する。対向案内面は、上側案内面に上方から対向するため、上側案内面上の処理液を径方向の外方に案内する際、処理液の上方への跳ね上がりを抑制できる。そのため、処理液を第１環状案内部よりも径方向の外方にスムーズに連続流の状態で排出することができる。

上側ガードは、上側延設部が上側案内面の径方向外方端に近接する案内面近接位置に配置される。そのため、第１環状案内部から排出される処理液は、連続流の状態を維持したまま、上側案内面の径方向外方端に近接する上側ガードの上側延設部を伝って径方向の外方にさらに移動する。そのため、処理液が上側ガードに衝突して液滴状態の処理液が跳ね返ることを抑制できる。

処理液は上側ガードの上側延設部を伝いながら処理液排出空間を通るため、仮に、何らかの原因で上側延設部を伝う処理液からミストが発生した場合であっても、ミストは下側延設部に上方から付着し、処理液排出空間外へのミストの移動が阻止される。したがって、処理液排出空間への処理液のミストの拡散を抑制できる。
上側ガードが案内面近接位置に位置する状態では、上側延設部の下面が第１環状案内部の上側案内面に近接しているため、上側延設部の下面と第１環状案内部の上側案内面との間の隙間は狭い。さらに、その隙間には、上側案内面と第２環状部の対向案内面との間から排出された処理液が径方向外方に向かって流れている。

そのため、処理液のミストが、上側延設部の下面と上側案内面との間の隙間、および、上側案内面と第２環状部の対向案内面との間の隙間を通り抜けて、基板の上面付近に達することは起こりにくい。したがって、仮に、何らかの原因で上側延設部を伝う処理液から発生したミストが下側延設部によって受けられなかった場合であっても、第１案内環状部よりも径方向内方に移動することが阻止される。よって、処理液のミストが基板の周囲を漂って最終的に基板に付着することを抑制できる。

以上により、基板から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の下面に向けて処理液を供給する下側処理液供給ユニットをさらに含む。前記第１環状案内部が、前記基板保持ユニットに保持されている基板を前記基板回転ユニットに回転させるときに、当該基板の上面に存在する処理液を遠心力によって当該基板の下面の周縁部よりも外方に案内する下側案内面を有する。前記排出空間形成位置は、前記径方向における前記下側延設部の端部が前記第１環状案内部の前記下側案内面よりも下側に位置する位置である。そして、前記下側処理液供給ユニットは、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて前記上側処理液供給ユニットから処理液が供給されている間に処理液の供給を開始する。

この構成によれば、基板の下面に供給された処理液は、基板の回転に基づく遠心力によって、基板の周縁部よりも径方向の外方の第１環状案内部の下側案内面に案内される。そのため、下側案内面に供給された処理液は径方向の外方に向かう流れを形成し、第１環状案内部の外方に排出される。径方向における下側延設部の端部が第１環状案内部の下側案内面よりも下側に位置するため、下側案内面を流れる処理液は、第１環状案内部から排出されると、上側延設部の下面を伝うことなく、処理液排出空間内で飛散して上側ガードによって受けられる。

基板の下面への処理液の供給は、基板の上面に処理液が供給されている間に開始される。そのため、下側案内面から排出される処理液は、上側案内面から排出されて上側ガードを伝う処理液を介して上側ガードに受けられる。下側案内面から排出される処理液が上側ガードによって受けられるときの衝撃は、上側ガードを伝う処理液によって吸収される。
一方、基板の上面への処理液の供給と基板の下面への処理液の供給を同時に開始する場合、上側ガードに処理液が十分に伝う前に下側案内面から排出された処理液が上側ガードによって受けられる場合がある。

したがって、基板の上面への処理液の供給と基板の下面への処理液の供給を同時に開始する場合と比較して、上側ガードとの衝突に起因する液滴やミストの発生を抑制できる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の下面に向けて処理液を供給する下側処理液供給ユニットをさらに含む。前記第１環状案内部が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の下面に存在する処理液を、前記径方向において当該基板の下面の周縁部よりも外方に案内する下側案内面を有する。前記排出空間形成位置は、前記径方向の内方における前記下側延設部の端部が鉛直方向において前記第１環状案内部の前記上側案内面と前記下側案内面との間に位置する位置である。

この構成によれば、基板の下面に供給された処理液は、基板の回転に基づく遠心力によって、基板の周縁部よりも径方向の外方の第１環状案内部の下側案内面上に案内される。そのため、下側案内面上の処理液は径方向の外方に向かう流れを形成し、第１環状案内部の外方に排出される。下側ガードは、前記径方向における下側延設部の端部が鉛直方向において第１環状案内部の上側案内面と下側案内面との間に位置する排出空間形成位置に位置する。そのため、第１環状案内部から排出される処理液は、下側ガードの下側延設部の下方で第１環状案内部から飛散し、下側ガードによって受けられる。一方、上側案内面上の処理液は、第１環状案内部から排出されると、処理液排出空間内で飛散して上側ガードによって受けられる。

そのため、基板の上面から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制しつつ、基板の上面から排出される処理液と基板の下面から排出される処理液とを別々のガードで受けることができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記上側延設部に下方から対向し前記下側延設部に上方から対向し前記径方向に延びる中間延設部を有し、前記上側延設部の下面に沿って前記径方向の外方に流れる処理液が前記中間延設部の下面に案内されるように前記中間延設部が前記上側延設部に接触するガード接触位置に配置可能な中間ガードをさらに含む。

この構成によれば、中間延設部が上側延設部に接触するガード接触位置に中間ガードを配置させることによって、上側延設部の下面を沿って径方向の外方に流れる処理液が中間延設部の下面に案内される。したがって、中間ガードをガード接触位置に配置することで、基板の上面から排出される処理液を沿わせる延設部を切り換えることができる。よって、基板の上面から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制しつつ、基板の上面から排出される処理液を受けるガードを切り換えることができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記上側延設部に上方から対向し、前記上側延設部との間に処理液のミストを捕獲する捕獲空間が形成する捕獲用ガードをさらに含む。
処理液が基板の上面に供給される際に、処理液と基板の上面との衝突によって処理液のミストが発生し、発生したミストが第２環状案内部や上側ガードに付着することがある。これらの部材に付着したミストが基板の上面を再び浮遊し、最終的に基板の上面に付着することで、基板の上面が汚染されるおそれがある。

そこで、上側延設部と捕獲用ガードとの間に捕獲空間が形成されるように捕獲用ガードを配置して、処理液と基板の上面との衝突によって発生する処理液のミストを捕獲すれば、基板の上面への処理液の供給によって発生するミストに起因する基板の汚染を抑制できる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の周縁部に上方から対向し、前記第２環状案内部に前記径方向の内方から近接して対向する内側環状部をさらに含む。

基板の上面に存在する処理液が、第１環状案内部の上側案内面と第２環状案内部の対向案内面との間に進入する際に第２環状案内部に衝突して跳ね返るおそれがある。そこで、第２環状案内部に前記径方向の内方から近接して対向する内側環状部を基板の上面の周縁部に上方に配置することで、第２環状案内部から跳ね返った処理液の径方向の内方への移動を阻止することができる。したがって、基板から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットが、ベースと、前記ベースの上面から上方に間隔を空けた位置で前記基板を下方から支持する支持面、および、前記支持面に支持された基板に対して前記径方向の外方から接離可能であり、前記支持面に支持された基板に接触することで当該基板を把持する把持部を有する複数のチャックピンとを含む。前記基板処理装置が、基板を下方から受ける基板受け面を有し、前記内側環状部と前記ベースとを連結する連結部材と、前記基板受け面に基板を載置し、前記基板受け面から基板を搬出する基板搬送ユニットと、前記基板受け面と前記支持面との間で前記基板の受け渡しが行われる第１基板受渡位置よりも下方の退避位置と、前記基板受け面と前記基板搬送ユニットとの間で前記基板の受け渡しが行われる第２基板受渡位置との間で前記連結部材を昇降させる連結部材昇降ユニットとをさらに含む。前記連結部材が前記退避位置に位置するときに、前記内側環状部が前記第２環状案内部に前記径方向の内方から近接して対向する。

この構成によれば、連結部材は、基板受け面に基板が載置された状態で連結部材を退避位置に移動させる途中で、連結部材の基板受け面から複数のチャックピンの支持面に基板を受け渡すことができる。連結部材は、逆に、把持部を基板から離間させた状態で連結部材を上位置に移動させる途中で、複数のチャックピンの支持面から基板受け面で基板を受け取ることができる。したがって、基板搬送ユニットが、チャックピンの支持面よりも高い位置において、連結部材の基板受け面から基板を搬出したり、連結部材の基板受け面に基板を載置したりすることができる。

したがって、基板搬送ユニットが支持面から基板を搬出したり支持面に基板を載置したりする構成と比較して、ベースから離間した位置で基板の搬送をすることができる。そのため、基板搬送ユニットによる基板の搬送が容易となる。
さらに、連結部材が基板を複数のチャックピンの支持面に受け渡した後、退避位置に位置することで、内側環状部を、第２環状案内部に近接させて径方向の内方から対向させることができる。したがって、基板の受け渡しの直後から、第２環状案内部から跳ね返った処理液の径方向の内方への移動を阻止できる位置に内側環状部を配置することができる。

この発明の一実施形態では、前記内側環状部が、前記上側案内面と、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の周縁部との両方に上方から対向する。そして、前記内側環状部と前記第２環状案内部との間の隙間が、前記上側案内面の上方に位置する。
第２環状案内部から跳ね返った処理液が内側環状部に付着した場合に、その処理液が液滴となって内側環状部から落下することがある。内側環状部と第２環状案内部との間の隙間が、上側案内面の上方に位置する構成であれば、内側環状部から落下した処理液の液滴は、基板の上面ではなく、上側案内面に付着する。したがって、内側環状部によって径方向の内方への移動を阻止された処理液が基板の上面に付着することを抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記内側環状部と前記第２環状案内部との間の隙間が、ラビリンス隙間である。
処理液が第２環状案内部に衝突することによって発生する処理液の液滴やミストは、内側環状部と第２環状案内部との間の隙間を介して内側環状部および第２環状案内部よりも上方に移動するおそれがある。内側環状部および第２環状案内部よりも上方に移動した処理液の液滴やミストは、周囲の空間を漂って最終的に基板の上面に付着するおそれがある。

そこで、内側環状部と第２環状案内部との間の隙間がラビリンス隙間であれば、処理液の液滴やミストが内側環状部と第２環状案内部との間の隙間を通り抜けることを抑制できる。内側環状部および第２環状案内部よりも上方に移動することを抑制できる。これにより、基板の上面を汚染することを抑制できる。
この発明の一実施形態では、前記内側環状部が、基板の上面の周縁部に上方から対向し、前記第２環状案内部の径方向内方端に前記径方向の内方から近接して対向する内側部分と、前記内側部分から前記径方向の外方に延び、前記第２環状案内部に上方から対向する外側部分とを有する。そして、前記ラビリンス隙間が、前記内側部分と前記第２環状案内部との間に形成された鉛直隙間と、前記外側部分と前記第２環状案内部との間に形成され前記鉛直隙間の上端から前記径方向の外方に向かって延びる水平隙間とを含む。

この構成によれば、ラビリンス隙間が、鉛直隙間と、鉛直隙間の上端から水平に延びる水平隙間とによって構成されている。そのため、仮に、第２環状案内部と処理液との衝突によって発生する処理液の液滴やミストが鉛直隙間に入ったとしても、鉛直隙間の上端で内側環状部の外側部分に衝突する。そのため、処理液のミストや液滴が鉛直隙間の上端から水平隙間から移動してラビリンス隙間から外部に排出されことを抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記第２環状案内部と前記上側ガードとが一体に形成されており、前記対向案内面と前記上側延設部の下面とが連結されている。そのため、第１環状案内部から径方向の外方に排出される処理液を、連続流の状態で、第２環状案内部の対向案内面から上側延設部の下面にスムーズに伝わらせることができる。
この発明の一実施形態では、前記第２環状案内部が、前記上側ガードと分離して形成され、前記基板保持ユニットによって支持されており、前記第２環状案内部が、前記上側延設部に前記径方向の内方から近接して対向する。第２環状案内部が、上側延設部に径方向の内方から充分に近接していれば、第１環状案内部から径方向の外方に排出される処理液を、連続流の状態で、第２環状案内部の対向案内面から上側延設部の下面にスムーズに伝わらせることができる。

この発明の他の実施形態は、基板を水平に保持する基板保持工程と、前記基板の中央部を通る鉛直軸線まわりに前記基板を回転させながら前記基板の上面に向けて処理液を供給する上側処理液供給工程と、前記鉛直軸線を中心とする径方向において当該基板の周縁部よりも外方に配置され平面視で前記基板を取り囲む第１環状案内部の上側案内面上に、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記基板の上面に存在する処理液を案内する上側処理液案内工程と、前記上側案内面に間隔を空けて上方から対向する対向案内面を有し前記基板を取り囲む第２環状案内部の前記対向案内面と前記上側案内面とによって、前記上側案内面上に存在する処理液を、前記径方向の外方に案内して、前記第１環状案内部よりも前記径方向の外方へ排出する上側処理液排出工程と、前記径方向の内方に延びる上側延設部を有する上側ガードを、前記上側延設部の下面が前記上側案内面に近接する案内面近接位置に配置することによって、前記第１環状案内部から排出される処理液を、前記上側延設部の下面に沿わせながら前記径方向の外方に案内する排出処理液案内工程と、前記上側延設部に下方から対向し前記径方向に延びる下側延設部を有する下側ガードを排出空間形成位置に配置することによって、前記第１環状案内部から排出される処理液が通る処理液排出空間を前記上側ガードとともに形成する排出空間形成工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、基板の上面に供給された処理液は、基板の回転に基づく遠心力によって、基板の周縁部よりも径方向の外方の第１環状案内部の上側案内面上に案内される。そのため、上側案内面上の処理液は、径方向の外方に向かう流れを形成し、第１環状案内部の外方に排出される。
第２環状案内部の対向案内面は、上側案内面とともに、上側案内面上の処理液を径方向の外方に案内する。対向案内面は、上側案内面に上方から対向するため、上側案内面上の処理液を径方向の外方に案内する際、処理液の上方への跳ね上がりを抑制できる。そのため、処理液を第１環状案内部よりも径方向の外方にスムーズに連続流の状態で排出することができる。

処理液は上側ガードの上側延設部を伝いながら処理液排出空間を通る。そのため、仮に、何らかの原因で上側延設部を伝う処理液からミストが発生した場合であっても、ミストは下側延設部に上方から付着し、処理液排出空間外へのミストの移動が阻止される。したがって、処理液排出空間外への処理液のミストの拡散を抑制できる。
上側ガードが案内面近接位置に位置する状態では、上側延設部の下面が第１環状案内部の上側案内面に近接しているため、上側延設部の下面と第１環状案内部の上側案内面との間の隙間は狭い。さらに、その隙間には、上側案内面と第２環状部の対向案内面との間から排出された処理液が径方向外方に向かって流れている。

以上により、基板から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制することができる。
この発明の他の実施形態では、前記第１環状案内部が、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記径方向の外方に前記基板の下面の処理液を案内する下側案内面を有する。前記排出空間形成位置は、前記第１環状案内部の前記下側案内面よりも、前記径方向における前記下側延設部の端部が下方に位置する位置である。そして、前記基板処理方法が、前記上側処理液排出工程の実行中に前記基板の下面への処理液の供給を開始する下側処理液供給工程と、前記基板の下面に供給された処理液を、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記下側案内面に案内する下側処理液案内工程と、前記下側案内面に案内された処理液を、前記下側案内面から前記上側延設部の下面に向けて飛散させて排出する下面排出工程とをさらに含む。

この方法によれば、基板の下面に供給された処理液は、基板の回転に基づく遠心力によって、基板の周縁部よりも径方向の外方の第１環状案内部の下側案内面に案内される。そのため、下側案内面に供給された処理液は径方向の外方に向かう流れを形成し、第１環状案内部の外方に排出される。径方向における下側延設部の端部が第１環状案内部の下側案内面よりも下側に位置するため、下側案内面を流れる処理液は、第１環状案内部から排出されると、上側延設部の下面を伝うことなく、処理液排出空間内で飛散して上側ガードによって受けられる。

したがって、基板の上面への処理液の供給と基板の下面への処理液の供給を同時に開始する場合と比較して、上側ガードとの衝突に起因する液滴やミストの発生を抑制できる。
この発明の他の実施形態では、前記第１環状案内部が、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記径方向の外方に前記基板の下面の処理液を案内する下側案内面を有する。前記排出空間形成位置は、前記径方向の内方における前記下側延設部の端部が鉛直方向において前記第１環状案内部の前記上側案内面と前記下側案内面との間に位置する位置である。さらに、前記基板処理方法が、前記鉛直軸線まわりに前記基板を回転させながら前記基板の下面に向けて処理液を供給する下側処理液供給工程と、前記基板の下面に付着する処理液を、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記下側案内面に案内する下側処理液案内工程と、前記下側案内面に供給された処理液を、前記下側延設部の下面に沿わせながら前記下側案内面から排出する下側処理液排出工程とをさらに含む。

この方法によれば、基板の下面に供給された処理液は、基板の回転に基づく遠心力によって、基板の周縁部よりも径方向の外方の第１環状案内部の下側案内面上に案内される。そのため、下側案内面上の処理液は径方向の外方に向かう流れを形成し、第１環状案内部の外方に排出される。下側ガードは、前記径方向における前記下側延設部の端部が前記第１環状案内部の前記上側案内面と前記下側案内面との間に位置する排出空間形成位置に位置する。そのため、第１環状案内部から排出される処理液は、下側ガードの下側延設部の下方で第１環状案内部から飛散し、下側ガードによって受けられる。一方、上側案内面上の処理液は、第１環状案内部から排出されると、排出空間内で飛散して上側ガードによって受けられる。

そのため、基板の上面から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制しつつ、基板の上面から排出される処理液と基板の下面から排出される処理液とを別々のガードで受けることができる。
この発明の他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記上側延設部に下方から対向し前記下側延設部に上方から対向し前記径方向に延びる中間延設部を有する中間ガードを配置する中間ガード配置工程と、前記中間延設部が前記上側延設部に接触するガード接触位置に前記中間ガードを配置して、前記第１環状案内部から排出される処理液を受けるガードを切り換えるガード切換工程とをさらに含む。

この方法によれば、中間延設部が上側延設部に接触するガード接触位置に中間ガードを配置させることによって、上側延設部の下面を沿って径方向の外方に流れる処理液が中間延設部の下面に案内される。したがって、中間ガードをガード接触位置に配置することで、基板の上面から排出される処理液を沿わせる延設部を切り換えることができる。よって、基板の上面から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制しつつ、基板の上面から排出される処理液を受けるガードを切り換えることができる。

この発明の他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記上側延設部に上方から対向する捕獲用ガードを配置して、前記上側処理液排出工程によって発生する処理液のミストを捕獲する捕獲空間を前記捕獲用ガードと前記上側延設部との間に形成する捕獲空間形成工程をさらに含む。
この方法によれば、捕獲用ガードを捕獲空間に配置することによって、処理液と基板の上面との衝突によって発生する処理液のミストを捕獲することができる。これにより、基板の上面への処理液の供給によって発生するミストに起因する基板の汚染を抑制できる。

図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す模式的な平面図である。図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの概略構成を示す模式的な部分断面図である。図３は、前記処理ユニットに備えられる外側環状部材および内側環状部材の周辺の断面図である。図４は、前記外側環状部材および前記内側環状部材を上から見た図である。図５Ａは、前記処理ユニットに備えられる複数のガードの配置の一例を示す模式図であり、基板から排出される処理液を受けるときの前記複数のガードの配置を示す。図５Ｂは、前記複数のガードの配置の一例を示す模式図であり、基板から排出される処理液を受けるときの前記複数のガードの配置を示す。図５Ｃは、前記複数のガードの配置の一例を示す模式図であり、基板から排出される処理液を受けるときの前記複数のガードの配置を示す。図６は、図４に示すＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７Ａは、前記処理ユニットに備えられるチャックピンの模式的な平面図であり、チャックピンが閉位置に位置している状態を示す。図７Ｂは、前記処理ユニットに備えられるチャックピンの模式的な平面図であり、チャックピンが開位置に位置している状態を示す。図８Ａは、図４に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う部分断面図であり、前記処理ユニットに備えられる連結部材が第１基板受渡位置よりも下方の退避位置に位置する状態を示している。図８Ｂは、図４に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う部分断面図であり、前記連結部材が第２基板受渡位置に位置する状態を示している。図９Ａは、図４に示すＩＸ−ＩＸ線に沿う部分断面図であり、前記連結部材が前記退避位置に位置するときの状態を示している。図９Ｂは、図４に示すＩＸ−ＩＸ線に沿う部分断面図であり、前記連結部材が前記第２基板受渡位置に位置するときの状態を示している。図１０は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を示すブロック図である。図１１は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。図１２Ａは、前記基板処理の様子を説明するための模式図である。図１２Ｂは、前記基板処理の様子を説明するための模式図である。図１２Ｃは、前記基板処理の様子を説明するための模式図である。図１２Ｄは、前記基板処理の様子を説明するための模式図である。図１２Ｅは、前記基板処理の様子を説明するための模式図である。図１３は、前記基板処理の第１変形例を説明するための模式図である。図１４Ａは、前記基板処理の第２変形例を説明するための模式図である。図１４Ｂは、前記基板処理の第２変形例を説明するための模式図である。図１５は、前記基板処理の第３変形例を説明するための模式図である。図１６は、本発明の第２実施形態に係る処理ユニットにおける基板の周縁部の周辺の断面図である。図１７は、本発明の第３実施形態に係る処理ユニットにおける基板の周縁部の周辺の断面図である。図１８は、本発明の第４実施形態に係る処理ユニットにおける基板の周縁部の周辺の断面図である。図１９は、第４実施形態に係る処理ユニットにおいて基板に処理液を供給する際の前記複数のガードの配置を説明するための模式図である。図２０は、本発明の第５実施形態に係る処理ユニットにおける基板の周縁部の周辺の断面図である。図２１は、本発明の第６実施形態に係る処理ユニットにおける基板の周縁部の周辺の断面図である。図２２は、本発明の第７実施形態に係る処理ユニットにおける基板の周縁部の周辺の断面図である。図２３は、本発明の第８実施形態に係る処理ユニットにおける基板の周縁部の周辺の断面図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、この発明の第１実施形態にかかる基板処理装置１のレイアウトを示す模式的な平面図である。
基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。

基板処理装置１は、基板Ｗを流体で処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを含む。
搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、基板搬送ユニットの一例である。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。詳しくは後述するが、処理ユニット２内で基板Ｗに供給される処理液には、薬液、リンス液、乾燥促進液等が含まれる。

搬送ロボットＩＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ１を備えている。搬送ロボットＩＲは、ハンドＨ１を水平に移動させたり、昇降させたりする。同様に、搬送ロボットＣＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ２を備えている。搬送ロボットＣＲは、ハンドＨ２を水平に移動させたり、昇降させたりする。
各処理ユニット２は、チャンバ４と、チャンバ４内に配置された処理カップ７とを備えており、処理カップ７内で基板Ｗに対する処理を実行する。チャンバ４には、搬送ロボットＣＲのハンドＨ２が、基板Ｗを搬入したり基板Ｗを搬出したりするための出入口（図示せず）が形成されている。チャンバ４には、この出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）が備えられている。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。処理ユニット２は、スピンチャック５と、処理カップ７と、第１移動ノズル８と、第２移動ノズル９と、第３移動ノズル１０と、第４移動ノズル１１と、下面ノズル１２と、外側環状部材１３と、内側環状部材１４とを含む。
スピンチャック５は、基板Ｗを水平に保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な基板回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させる。スピンチャック５は、複数のチャックピン２０と、スピンベース２１と、回転軸２２と、回転軸２２に回転力を与えるスピンモータ２３とを含む。回転軸２２は、中空軸である。回転軸２２は基板回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。基板回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直軸線である。回転軸２２の上端には、スピンベース２１が結合されている。

スピンベース２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース２１の上面には、基板Ｗの周縁を把持する複数のチャックピン２０が、スピンベース２１の周方向（基板Ｗの回転方向でもある）に間隔を空けて配置されている（後述する図４も参照）。スピンベース２１および複数のチャックピン２０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットを構成している。基板保持ユニットは、基板ホルダともいう。

スピンモータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。スピンモータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが基板回転軸線Ａ１のまわりに回転される。スピンモータ２３は、基板回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる基板回転ユニットの一例である。
以下では、基板回転軸線Ａ１を中心とする径方向Ｒの内方を「径方向内方ＲＩ」といい、基板回転軸線Ａ１を中心とする径方向の外方を「径方向外方ＲＯ」という。

第１移動ノズル８は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けてＤＨＦ（希フッ酸）等の薬液を供給（吐出）する薬液ノズル（上側薬液供給ユニット、上側処理液供給ユニット）の一例である。
第１移動ノズル８は、第１ノズル移動ユニット３５によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第１移動ノズル８は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。

第１移動ノズル８は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。基板Ｗの上面の回転中心とは、基板Ｗの上面における基板回転軸線Ａ１との交差位置である。第１移動ノズル８は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。
第１移動ノズル８は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。

第１ノズル移動ユニット３５は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸（図示せず）と、回動軸に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含む。
回動軸駆動ユニットは、回動軸を鉛直な回動軸線まわりに回動させることによってアームを揺動させる。さらに、回動軸駆動ユニットは、回動軸を鉛直方向に沿って昇降することにより、アームを上下動させる。第１移動ノズル８は、アームに固定される。アームの揺動および昇降に応じて、第１移動ノズル８が水平方向および鉛直方向に移動する。

第１移動ノズル８には、第１移動ノズル８に薬液を案内する第１上側薬液供給配管４０が接続されている。第１上側薬液供給配管４０に介装された第１上側薬液バルブ５０が開かれると、薬液が、第１移動ノズル８から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続流で吐出される。基板Ｗの上面の中央領域とは、基板Ｗの上面において基板Ｗの回転中心およびその周囲を含む領域のことである。

第２移動ノズル９は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けてＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等の薬液を供給（吐出）する薬液ノズル（上側薬液供給ユニット、上側処理液供給ユニット）の一例である。
第２移動ノズル９は、第２ノズル移動ユニット３６によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第２移動ノズル９は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。

第２移動ノズル９は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。第２移動ノズル９は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第２移動ノズル９は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。
第２ノズル移動ユニット３６は、第１ノズル移動ユニット３５と同様の構成を有している。すなわち、第２ノズル移動ユニット３６は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸（図示せず）と、回動軸および第２移動ノズル９に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含む。

第２移動ノズル９には、第２移動ノズル９に薬液を案内する第２上側薬液供給配管４１が接続されている。第２上側薬液供給配管４１に介装された第２上側薬液バルブ５１が開かれると、薬液が、第２移動ノズル９から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続的に吐出される。
薬液は、ＤＨＦやＳＣ１には限られない。すなわち、本明細書において薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＣ１の他に、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）等が挙げられる。

第３移動ノズル１０は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けてＤＩＷ（Deionized Water）等のリンス液を供給（吐出）するリンス液ノズル（リンス液供給ユニット、処理液供給ユニット）の一例である。
第３移動ノズル１０は、第３ノズル移動ユニット３７によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第３移動ノズル１０は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。

第３移動ノズル１０は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。第３移動ノズル１０は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第３移動ノズル１０は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。
第３移動ノズル１０には、第３移動ノズル１０にリンス液を案内する上側リンス液供給配管４２が接続されている。上側リンス液供給配管４２に介装された上側リンス液バルブ５２が開かれると、薬液が、第３移動ノズル１０から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続流で吐出される。

リンス液は、ＤＩＷに限られない。すなわち、本明細書においてリンス液は、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水、還元水（水素水）等であってもよい。
第４移動ノズル１１は、基板Ｗの上面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の乾燥促進液を供給する乾燥促進液ノズル（上側乾燥促進液供給ユニット、上側処理液供給ユニット）の一例である。乾燥促進液は、基板Ｗに気体を吹き付けて基板Ｗを乾燥させる前に基板Ｗに供給することによって基板Ｗの乾燥を促進する液体である。また、第４移動ノズル１１は、基板Ｗの上面に窒素ガス（Ｎ_２ガス）等の気体を供給する気体ノズル（上側気体供給ユニット）の一例でもある。

第４移動ノズル１１は、第４ノズル移動ユニット３８によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第４移動ノズル１１は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。
第４移動ノズル１１は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。第４移動ノズル１１は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第４移動ノズル１１は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。

第４ノズル移動ユニット３８は、第１ノズル移動ユニット３５と同様の構成を有している。すなわち、第４ノズル移動ユニット３８は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸（図示せず）と、回動軸および第４移動ノズル１１に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含む。

第４移動ノズル１１には、第４移動ノズル１１に乾燥促進液を案内する上側乾燥促進液配管４３が接続されている。上側乾燥促進液配管４３に介装された上側乾燥促進液バルブ５３が開かれると、乾燥促進液が、第４移動ノズル１１から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続流で吐出される。
第４移動ノズル１１には、第４移動ノズル１１に気体を案内する複数の気体配管（第１気体配管９１、第２気体配管９２および第３気体配管９３）が接続されている。複数の気体配管（第１気体配管９１、第２気体配管９２および第３気体配管９３）には、それぞれ、複数の気体バルブ（第１気体バルブ９６Ａ、第２気体バルブ９７Ａおよび第３気体バルブ９８Ａ）が介装されている。各気体配管内の流路は、対応する気体バルブによって開閉される。

第４移動ノズル１１は、上側乾燥促進液配管４３から案内される乾燥促進液を、鉛直方向に沿って連続流で吐出する中心吐出口１１ａを有している。
さらに、第４移動ノズル１１は、気体を吐出する気体吐出口として、線状流吐出口１１ｂと、水平流吐出口１１ｃと、傾斜流吐出口１１ｄとを有している。
線状流吐出口１１ｂは、第１気体配管９１から供給される気体を鉛直方向に沿って直線状に吐出する。水平流吐出口１１ｃは、第２気体配管９２から供給される気体を水平方向に沿って第４移動ノズル１１の周囲に放射状に吐出する。傾斜流吐出口１１ｄは、第３気体配管９３から供給される気体を斜め下方向に沿って第４移動ノズル１１の周囲に放射状に吐出する。

第１気体配管９１には、第１気体配管９１内を流れる気体の流量を正確に調節するためのマスフローコントローラ９６Ｂが介装されている。マスフローコントローラ９６Ｂは、流量制御バルブを有している。第２気体配管９２には、第２気体配管９２内を流れる気体の流量を調節するための流量可変バルブ９７Ｂが介装されている。第３気体配管９３には、第３気体配管９３内を流れる気体の流量を調節するための流量可変バルブ９８Ｂが介装されている。

第１気体配管９１、第２気体配管９２および第３気体配管９３には、それぞれ、異物を除去するためのフィルタ９６Ｃ，９７Ｃ，９８Ｃが介装されている。
乾燥促進液は、ＩＰＡに限られず、リンス液と混和し、リンス液よりも揮発性が高いものであればよい。たとえば、乾燥促進液は、ＩＰＡとＤＩＷとの混合液であってもよいし、ＩＰＡとＨＦＥとの混合液であってもよい。

第４移動ノズル１１から吐出される気体は、窒素ガスに限られない。第４移動ノズル１１から吐出される気体は、空気であってもよい。また、第４移動ノズル１１から吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。
不活性ガスとは、窒素ガスに限られず、基板Ｗの上面や、基板Ｗの上面に形成されたパターンに対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガスの他に、アルゴン等の希ガス類が挙げられる。

下面ノズル１２は、スピンベース２１の上面中央部で開口する貫通孔２１ａと、中空の回転軸２２とに挿入されている。下面ノズル１２の吐出口１２ａは、スピンベース２１の上面から露出されている。下面ノズル１２の吐出口１２ａは、基板Ｗの下面（下側の表面）の中央領域に下方から対向する。基板Ｗの下面の中央領域とは、基板Ｗの下面において基板Ｗの回転中心およびその周囲を含む領域のことである。

下面ノズル１２には、薬液、リンス液、および乾燥促進液を下面ノズル１２に共通に案内する共通配管４９の一端が接続されている。共通配管４９の他端には、共通配管４９にＤＨＦ等の薬液を案内する第１下側薬液配管４４と、共通配管４９にＳＣ１等の薬液を案内する第２下側薬液配管４５と、共通配管４９にＤＩＷ等のリンス液を案内する下側リンス液配管４６と、共通配管４９にＩＰＡ等の乾燥促進液を案内する下側乾燥促進液配管４７とが接続されている。

第１下側薬液配管４４に介装された第１下側薬液バルブ５４が開かれると、ＤＨＦ等の薬液が、下面ノズル１２から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続流で吐出される。第２下側薬液配管４５に介装された第２下側薬液バルブ５５が開かれると、ＳＣ１等の薬液が、下面ノズル１２から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続流で吐出される。
下側リンス液配管４６に介装された下側リンス液バルブ５６が開かれると、ＤＩＷ等のリンス液が、下面ノズル１２から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続流で吐出される。下側乾燥促進液配管４７に介装された下側乾燥促進液バルブ５７が開かれると、ＩＰＡ等の乾燥促進液が、下面ノズル１２から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続流で吐出される。

下面ノズル１２とスピンベース２１の貫通孔２１ａとの間の空間によって、下側気体流路９０が形成されている。下側気体流路９０は、回転軸２２の内周面と下面ノズル１２との間の空間に挿通された下側気体配管４８に接続されている。下側気体配管４８に介装された下側気体バルブ５８が開かれると、窒素ガス等の気体が、下側気体流路９０から基板Ｗの下面の中央部の周りの部分に向けて吐出される。

下側気体流路９０から吐出される気体は、窒素ガスに限られない。下側気体流路９０から吐出される気体は、空気であってもよい。また、下側気体流路９０から吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。
下面ノズル１２は、基板Ｗの下面に薬液を供給する薬液ノズル（下側薬液供給ユニット）の一例である。下面ノズル１２は、基板Ｗの下面にリンス液を供給するリンス液ノズル（下側リンス液供給ユニット）の一例である。下面ノズル１２は、基板Ｗの下面に乾燥促進液を供給する乾燥促進液ノズル（下側乾燥前処理供給ユニット）の一例でもある。すなわち、下面ノズル１２は、基板の下面に処理液を供給する下側処理液供給ユニットでもある。

下側気体流路９０は、基板Ｗの下面に向けて気体を供給する気体ノズル（下側気体供給ユニット）の一例でもある。
処理カップ７は、スピンチャック５に保持された基板Ｗから外方に飛散する液体を受け止める複数のガード７１と、複数のガード７１によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ７２とを含む。

この実施形態では、３つのガード７１（第１ガード７１Ａ、第２ガード７１Ｂおよび第３ガード７１Ｃ）と、３つのカップ７２（第１カップ７２Ａ、第２カップ７２Ｂおよび第３カップ７２Ｃ）とが設けられている例を示している。
第１カップ７２Ａ、第２カップ７２Ｂ、および第３カップ７２Ｃのそれぞれは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。

第１ガード７１Ａは、平面視でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。第２ガード７１Ｂは、第１ガード７１Ａよりも上方に配置されており、平面視でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。第３ガード７１Ｃは、第２ガード７１Ｂよりも上方に配置されており、平面視でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。
第１ガード７１Ａ、第２ガード７１Ｂ、および第３ガード７１Ｃは、それぞれ、ほぼ円筒形状を有しており、各ガード７１の上端部は、径方向内方ＲＩに向かうように内方に傾斜している。

詳しくは、第１ガード７１Ａは、平面視でスピンベース２１を取り囲む第１筒状部７５Ａと、第１筒状部７５Ａの上端から径方向内方ＲＩに延びる円環状の第１延設部７６Ａとを含む。第１延設部７６Ａは、径方向内方ＲＩに向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜している。第１ガード７１Ａの第１延設部７６Ａの先端（径方向内方ＲＩの端部）は、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜する径方向内方ＲＩの端面（第１傾斜端面７７）を有する。

水平方向に対する第１延設部７６Ａの傾斜角度は、０°よりも大きく４５°以下であることが好ましい。水平方向に対する第１延設部７６Ａの傾斜角度は、５°以上２０°以下であることが一層好ましい。
第２ガード７１Ｂは、平面視でスピンベース２１を取り囲む第２筒状部７５Ｂと、第２筒状部７５Ｂの上端から径方向内方ＲＩに延びる円環状の第２延設部７６Ｂとを含む。第２筒状部７５Ｂは、第１筒状部７５Ａよりも径方向外方ＲＯに配置されている。第２延設部７６Ｂは、第１延設部７６Ａに上方から対向する。第２延設部７６Ｂは、径方向内方ＲＩに向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜している。第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂの先端（径方向内方ＲＩの端部）は、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜する径方向内方の端面（第２傾斜端面７８）を有する。

水平方向に対する第２延設部７６Ｂの傾斜角度は、０°よりも大きく４５°以下であることが好ましい。水平方向に対する第２延設部７６Ｂの傾斜角度は、５°以上２０°以下であることが一層好ましい。
第３ガード７１Ｃは、平面視でスピンベース２１を取り囲む第３筒状部７５Ｃと、第３筒状部７５Ｃの上端から径方向内方ＲＩに延びる円環状の第３延設部７６Ｃとを有する。第３筒状部７５Ｃは、第２筒状部７５Ｂよりも径方向外方ＲＯに配置されている。第３延設部７６Ｃは、第２延設部７６Ｂに上方から対向する。第３延設部７６Ｃは、径方向内方ＲＩに向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜している。

水平方向に対する第３延設部７６Ｃの傾斜角度は、０°よりも大きく４５°以下であることが好ましい。水平方向に対する第３延設部７６Ｃの傾斜角度は、５°以上２０°以下であることが一層好ましい。
第１カップ７２Ａは、第１ガード７１Ａによって下方に案内された処理液を受け止める。第２カップ７２Ｂは、第１ガード７１Ａと一体に形成されており、第２ガード７１Ｂによって下方に案内された処理液を受け止める。第３カップ７２Ｃは、第２ガード７１Ｂと一体に形成されており、第３ガード７１Ｃによって下方に案内された処理液を受け止める。

第１カップ７２Ａ、第２カップ７２Ｂ、および第３カップ７２Ｃの下端には、それぞれ、複数の処理液回収路（図示せず）が連結されている。第１カップ７２Ａ、第２カップ７２Ｂおよび第３カップ７２Ｃによって受けられた処理液は、それぞれ、対応する処理液回収路を介して回収される。第１カップ７２Ａ、第２カップ７２Ｂ、および第３カップ７２Ｃには、各カップ７２の内部を排気する排気ユニット２５が連結されている。

排気ユニット２５は、たとえば、複数のカップ７２の下端にそれぞれ結合された複数の排気管（図示せず）と、排気管内をそれぞれ吸引する複数のポンプ（図示せず）とを含む。排気ユニット２５は、排気ポンプともいう。
図３は、外側環状部材１３および内側環状部材１４の周辺の断面図である。図４は、外側環状部材１３および内側環状部材１４を上から見た図である。

外側環状部材１３は、平面視で、基板Ｗを取り囲む環状の部材である。外側環状部材１３は、第１環状案内部の一例である。外側環状部材１３の内径は、基板Ｗの外径よりも僅かに大きい。外側環状部材１３は、スピンベース２１の上面から上方に間隔を空けた位置に配置されている。
外側環状部材１３は、複数（本実施形態では４個）の固定部材１６を介してスピンベース２１に対する位置が固定されている。固定部材１６は、鉛直方向に延びる円柱状である。複数の固定部材１６は、基板Ｗの回転方向（周方向）に等間隔に配置されている。

外側環状部材１３は、上面と、下面と、径方向内方ＲＩの端面（内方端面１３ａ）と、径方向外方ＲＯの端面（外方端面１３ｂ）とを有する。
外側環状部材１３の上面および下面は、それぞれ、平面視で円環状である。外側環状部材１３の上面は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁部に存在する処理液を基板Ｗの上面の周縁部よりも径方向外方ＲＯに案内する環状の上側案内面６０である。上側案内面６０は、水平方向に平坦である。

外側環状部材１３の下面は、基板Ｗの下面の周縁部に存在する処理液を基板Ｗの下面の周縁部よりも径方向外方ＲＯに案内する環状の下側案内面６１である。下側案内面６１は、外方端面１３ｂに連結され水平方向に平坦な下側平坦面６１Ａと、内方端面１３ａと下側平坦面６１Ａとに連結され、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜する下側傾斜面６１Ｂとを含む。

内側環状部材１４は、平面視で、外側環状部材１３よりも径方向内方ＲＩに位置する環状の部材である。内側環状部材１４は、内側環状部の一例である。内側環状部材１４は、基板Ｗの上面から上方に間隔を空けた位置に配置されている。内側環状部材１４は、複数（本実施形態では３個）の連結部材１７を介してスピンベース２１に対して連結されており、単一の支持部材１８によって下方から支持されている。３つの連結部材１７と支持部材１８とは、基板Ｗの回転方向に等間隔に配置されている。

内側環状部材１４は、上面と、下面と、径方向内方ＲＩの端面（内方端面１４ａ）と、径方向外方ＲＯの端面（外方端面１４ｂ）とを有する。
内側環状部材１４の上面および下面は、それぞれ、平面視で円環状である。内側環状部材１４の上面は水平方向に平坦である。
内側環状部材１４の下面は、基板Ｗの上面の周縁部を径方向外方ＲＯに流れる処理液を径方向外方ＲＯに案内する環状の内側案内面６３と、処理液が内側環状部材１４と衝突した際に径方向内方ＲＩに跳ね返ることを抑制する内側跳返抑制面６４とを含む。

内側案内面６３は、外方端面１４ｂに連結され水平方向に平坦である。内側跳返抑制面６４は、内方端面１４ａと内側案内面６３とに連結され、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜する傾斜面である。
第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃの先端には、外側環状案内部１５が連結されている。つまり、外側環状案内部１５が第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃと一体に形成されている。外側環状案内部１５は、平面視で環状である。外側環状案内部１５は、第２環状案内部の一例である。

外側環状案内部１５は、径方向内方ＲＩに向かうにしたがって上方に向かう階段状である。外側環状案内部１５は、第１水平部８０、傾斜部８１および第２水平部８２を有する。第１水平部８０は、第３延設部７６Ｃから径方向内方ＲＩに水平に延びる。第２水平部８２は、第１水平部８０よりも上方で水平に延びる。傾斜部８１は、第１水平部８０および第２水平部８２を連結し、径方向内方ＲＩに向かうにしたがって上方に延びる。

第１水平部８０は、外側環状部材１３の上側案内面６０に対向し、上側案内面６０に存在する処理液を上側案内面６０とともに径方向外方ＲＯに案内する対向案内面８０ａを有する。傾斜部８１は、処理液が外側環状案内部１５と衝突した際に径方向内方ＲＩに跳ね返ることを抑制する外側跳返抑制面８１ａを有する。第２水平部８２は、対向案内面８０ａよりも上側案内面６０から上方に離間する離間面８２ａを有する。

対向案内面８０ａ、外側跳返抑制面８１ａおよび離間面８２ａは、外側環状案内部１５の下面を構成している。対向案内面８０ａおよび離間面８２ａは、水平方向に平坦である。対向案内面８０ａは、第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃの下面７６ｃの径方向内方端と外側跳返抑制面８１ａの径方向外方端とに連結されている。
外側跳返抑制面８１ａは、対向案内面８０ａの径方向内方端および離間面８２ａの径方向外方端に連結されており、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜している。離間面８２ａは、外側跳返抑制面８１ａの径方向外方端と外側環状案内部１５の径方向内方ＲＩの端面（内方端面１５ａ）の下端に連結されている。

図２を再び参照して、処理ユニット２は、第１ガード７１Ａ、第２ガード７１Ｂおよび第３ガード７１Ｃを別々に昇降させるガード昇降ユニット７４を含む。そのため、処理ユニット２内で基板処理を行う際に、複数のガード７１の配置を適宜変更することができる。
ガード昇降ユニット７４は、たとえば、複数のガード７１にそれぞれ結合された複数のボールねじ機構（図示せず）と、複数のボールねじ機構にそれぞれ駆動力を与える複数のモータ（図示せず）とを含む。ガード昇降ユニット７４は、ガードリフタともいう。

ガード昇降ユニット７４は、下位置と上位置との間で、第２ガード７１Ｂおよび第１ガード７１Ａを昇降させる。ガード７１が上位置に位置するとき、当該ガード７１の径方向内方端が基板Ｗの上面よりも上方に位置する。ガード７１が下位置に位置するとき、当該ガード７１の径方向内方端がスピンベース２１の上面よりも下方（基板Ｗの下面よりも下方）に位置する。

ガード昇降ユニット７４は、上位置と案内面近接位置との間で、第３ガード７１Ｃを昇降させる。案内面近接位置は、下位置よりも上方の位置である。案内面近接位置は、図３における第３ガード７１Ｃの位置である。第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃの先端には、スピンベース２１の外縁よりも径方向内方ＲＩに延びる外側環状案内部１５が連結されているため、第３ガード７１Ｃは、下位置まで移動することができない。

再び図３を参照して、案内面近接位置は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃが上側案内面６０の径方向外方端に近接する位置である。第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に位置するとき、対向案内面８０ａは、上側案内面６０に近接している。対向案内面８０ａと上側案内面６０との間は、処理液が通過可能な処理液通路６５が形成されている。
鉛直方向における処理液通路６５の幅（処理液通路幅Ｄ１）は、基板Ｗの周縁と外側環状部材１３の内方端面１３ａとの間の隙間の水平方向における幅（下側隙間幅Ｄ２）よりも大きい。処理液通路幅Ｄ１は、内側環状部材１４の外方端面１４ｂと外側環状案内部１５の内方端面１５ａとの間の隙間の水平方向における幅（上側隙間幅Ｄ３）よりも大きい。

処理液通路幅Ｄ１は、たとえば、１．５〜５．０ｍｍである。処理液通路幅Ｄ１は、好ましくは、１．５ｍｍ〜２．０ｍｍである。下側隙間幅Ｄ２および上側隙間幅Ｄ３は、それぞれ、たとえば、１．０ｍｍである。
図５Ａ〜図５Ｃを参照して、複数のガード７１の配置について説明する。図５Ａは、基板Ｗから排出される処理液を第３ガード７１Ｃが受けるときの複数のガード７１の配置が第１配置である状態を示す。

第１配置では、第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に配置され、第２ガード７１Ｂが排出空間形成位置に配置され、第１ガード７１Ａが下位置に配置される。図５Ａでは、下位置に位置する第１ガード７１Ａが第２ガード７１Ｂに接触しているが、下位置は、第２ガード７１Ｂと接触しない位置であってもよい。
排出空間形成位置は、上位置と下位置との間の位置である。排出空間形成位置は、第２延設部７６Ｂの径方向内方端部が外側環状部材１３の下側案内面６１よりも下側に位置する位置である。排出空間形成位置は、第２延設部７６Ｂの径方向内方端部がスピンベース２１の上面と同じ高さ位置またはスピンベース２１の上面よりも低い位置であることが好ましい。

第２ガード７１Ｂが排出空間形成位置に位置するとき、第２延設部７６Ｂは、間隔を空けて第３延設部７６Ｃに下方から対向し、スピンベース２１に径方向外方ＲＯから近接する。第２ガード７１Ｂが排出空間形成位置に位置するとき、第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃと第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂとの間に、径方向Ｒに延びる空間（処理液排出空間６６）が形成される。

第２延設部７６Ｂがスピンベース２１に径方向外方ＲＯから近接しており、第３延設部７６Ｃが外側環状案内部１５と一体に形成されているため、処理液排出空間６６は、外部空間から隔離されている。複数のガード７１の配置が第１配置である場合の外部空間は、第３延設部７６Ｃよりも上方の空間や第２延設部７６Ｂよりも下方の空間である。
第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に位置するため、処理液通路６５は、上側案内面６０上を流れる処理液によって満たされる。対向案内面８０ａは、第３延設部７６Ｃの下面に連結されているため、処理液通路６５から（上側案内面６０よりも径方向外方ＲＯへ）排出された処理液は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに沿って径方向外方ＲＯへ移動する。その後、処理液は、第３筒状部７５Ｃの内周面によって第３カップ７２Ｃに案内される（図２も参照）。

一方、基板Ｗの下面を流れる処理液は、下側案内面６１から径方向外方ＲＯに向けて飛散する。下側案内面６１から飛散した処理液は、第３延設部７６Ｃまたは第３筒状部７５Ｃによって受けられる。上側案内面６０から排出された処理液および下側案内面６１から排出された処理液は、いずれも処理液排出空間６６内を通る。
複数のガード７１の配置が第１配置であるとき、第３ガード７１Ｃが上側ガードとして機能し、第２ガード７１Ｂが下側ガードとして機能する。

図５Ｂは、基板Ｗから排出される処理液を第２ガード７１Ｂが受けるときの複数のガード７１の配置が第２配置である状態を示す。
第２配置では、第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に配置され、第２ガード７１Ｂがガード接触位置に配置され、第１ガード７１Ａが排気空間形成位置に配置される。
第２ガード７１Ｂがガード接触位置に位置するとき、第２延設部７６Ｂの径方向内方端は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに接触する。

排出空間形成位置は、第１延設部７６Ａの径方向内方端部が外側環状部材１３の下側案内面６１よりも下側に位置する位置である。排出空間形成位置は、第１延設部７６Ａの径方向内方端部がスピンベース２１の上面と同じ高さ位置またはスピンベース２１の上面よりも低い位置であることが好ましい。
第１ガード７１Ａが排出空間形成位置に位置するとき、第１延設部７６Ａは、間隔を空けて第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃに下方から対向し、スピンベース２１に径方向外方ＲＯから近接する。厳密には、第１延設部７６Ａと第３延設部７６Ｃとの間には、第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂが介在されているため、第１延設部７６Ａは、第２延設部７６Ｂを介して第３延設部７６Ｃに対向している。

第１ガード７１Ａが排出空間形成位置に位置するとき、処理液排出空間６６は、第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃ（上側延設部）と第１ガード７１Ａの第１延設部７６Ａ（下側延設部）との間に形成される。第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂは、処理液排出空間６６内に位置している。
第１延設部７６Ａがスピンベース２１に径方向外方ＲＯから近接しており、第３延設部７６Ｃが外側環状案内部１５と一体に形成されているため、処理液排出空間６６は、外部空間から隔離されている。複数のガード７１の配置が第２配置である場合の外部空間とは、第３延設部７６Ｃよりも上方の空間や第１延設部７６Ａよりも下方の空間のことである。

複数のガード７１の配置が第２配置であるとき、処理液通路６５から（上側案内面６０よりも径方向外方ＲＯへ）排出された処理液は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに沿って径方向外方ＲＯへ流れる。
第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂの径方向内方端は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに接触しており、かつ、第２延設部７６Ｂの第２傾斜端面７８は、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜している。そのため、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに沿って流れる処理液は、第２延設部７６Ｂの第２傾斜端面７８を経由して、第２延設部７６Ｂの下面７６ｂに沿って流れる。その後、処理液は、第２筒状部７５Ｂの内周面によって第２カップ７２Ｂに案内される（図２も参照）。つまり、第２ガード７１Ｂをガード接触位置に配置することによって、外側環状部材１３から排出される処理液を受けるガード７１を切り換えることができる（ガード切換工程）。

一方、基板Ｗの下面を流れる処理液は、下側案内面６１から径方向外方ＲＯに向けて飛散する。下側案内面６１から飛散した処理液は、第２延設部７６Ｂまたは第２筒状部７５Ｂによって受けられる。上側案内面６０から排出された処理液および下側案内面６１から排出された処理液は、いずれも処理液排出空間６６内を通る。
複数のガード７１の配置が第２配置であるとき、第３ガード７１Ｃが上側ガードとして機能し、第１ガード７１Ａが下側ガードとして機能し、第２ガード７１Ｂが中間ガードとして機能する。

図５Ｃは、基板Ｗから排出される処理液を第１ガード７１Ａが受けるときの複数のガード７１の配置が第３配置である状態を示す。
第３配置では、第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に配置され、第２ガード７１Ｂおよび第１ガード７１Ａがガード接触位置に配置される。
第１ガード７１Ａがガード接触位置に位置するとき、第１延設部７６Ａは、第２延設部７６Ｂの下面に接触する。第１傾斜端面７７と第２傾斜端面７８とは、水平方向に対して同じ角度で傾斜している。第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂがガード接触位置に位置するとき、第１傾斜端面７７と第２傾斜端面７８とが面一となる。

複数のガード７１の配置が第３配置であるとき、処理液通路６５から（上側案内面６０よりも径方向外方ＲＯへ）排出された処理液は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに沿って径方向外方ＲＯへ流れる。
第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂの径方向内方端は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに接触しており、第１ガード７１Ａの第１延設部７６Ａの径方向内方端は、第２延設部７６Ｂの下面７６ｂに接触している。さらに、第２延設部７６Ｂの第２傾斜端面７８および第１延設部７６Ａの第１傾斜端面７７は、水平方向に対して同じ角度で、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜している。そのため、処理液は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃから、第２延設部７６Ｂの第２傾斜端面７８および第１延設部７６Ａの第１傾斜端面７７を経由して、第１延設部７６Ａの下面７６ａに沿って流れる。その後、処理液は、第１筒状部７５Ａの内周面によって第１カップ７２Ａに案内される（図２も参照）。

一方、基板Ｗの下面を流れる処理液は、下側案内面６１から径方向外方ＲＯへ向けて飛散する。下側案内面６１から飛散した処理液は、第１延設部７６Ａまたは第１筒状部７５Ａによって受けられる。
複数のガード７１の配置が第３配置であるとき、第３ガード７１Ｃが上側ガードとして、機能する。複数のガード７１の配置が第３配置であるとき、下側ガードおよび中間ガードは設けられていない状態である。

図示しないが、処理ユニット２内で基板Ｗの搬送が行われる際には、複数のガード７１基板搬送配置に配置する。基板搬送配置では、第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に配置される。基板搬送配置では、第２ガード７１Ｂおよび第１ガード７１Ａは、下位置またはガード接触位置あるいはこれらの間の位置に配置されていれば、いずれの位置に配置されていてもよい。

次に、チャックピン２０の構成について説明する。
図６は、図４に示すＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７Ａおよび図７Ｂは、チャックピン２０の模式的な平面図である。
チャックピン２０は、基板Ｗの周端面に押し付けられる把持部１００と、基板Ｗの下面周縁部を支持する支持部１０１とを含む。チャックピン２０は、さらに、把持部１００および支持部１０１と共に、基板回転軸線Ａ１と平行なピン回転軸線Ａ２まわりに回転する土台部１０２を含む。把持部１００は、支持部１０１よりも上方に配置されている。

把持部１００、支持部１０１、および土台部１０２は、一体に形成されている。処理ユニット２は、土台部１０２を水平方向に移動させるチャックピン開閉ユニット２６を備える。
把持部１００および支持部１０１は、土台部１０２に支持されている。土台部１０２は、チャックピン開閉ユニット２６によってピン回転軸線Ａ２まわりに駆動される。把持部１００および支持部１０１は、スピンベース２１の上方に配置されている。把持部１００は、支持部１０１よりも上方に配置されている。図７Ａに示すように、把持部１００および支持部１０１は、ピン回転軸線Ａ２の周囲に配置されており、ピン回転軸線Ａ２に交差していない。

把持部１００は、基板回転軸線Ａ１側に開いたＶ字状の縦断面（鉛直面で切断した断面）を有する収容溝１０３を形成する２つの溝内面を含む。２つの溝内面は、収容溝１０３の底から斜め上に内方に延びる上側溝内面１０３Ａと、収容溝１０３の底から斜め下に内方に延びる下側溝内面１０３Ｂと含む。支持部１０１は、２つの溝内面の下端（下側溝内面１０３Ｂの内端）から径方向内方ＲＩに斜め下に延びる支持面１０４を含む。

支持面１０４は、収容溝１０３よりも下方に配置されている。支持面１０４は、下側溝内面１０３Ｂの内方に配置されており、下側溝内面１０３Ｂに連続している。上側溝内面１０３Ａおよび下側溝内面１０３Ｂは、互いに等しい大きさで、かつ互いに反対の方向に水平方向に対して傾いている。支持面１０４は、水平方向に対する下側溝内面１０３Ｂの傾斜角度よりも小さい角度で水平方向に対して傾いている。

図７Ａおよび図７Ｂに示すように、各チャックピン２０は、把持部１００が基板Ｗの周端面に押し付けられる閉位置（図７Ａを参照）と、把持部１００が基板Ｗの周端面から離れる開位置（図７Ｂを参照）との間で、スピンベース２１に対してピン回転軸線Ａ２まわりに回転可能である。
チャックピン開閉ユニット２６は、閉位置と開位置との間で各チャックピン２０をピン回転軸線Ａ２まわりに回転させる。閉位置は、基板Ｗが複数のチャックピン２０によって把持される位置であり、開位置は、複数のチャックピン２０による基板Ｗの把持が解除される位置である。チャックピン開閉ユニット２６は、複数のチャックピン２０が基板Ｗを把持する閉状態と、複数のチャックピン２０による基板Ｗの把持が解除される開状態との間で、複数のチャックピン２０の状態を切り換える。

チャックピン開閉ユニット２６は、たとえば、スピンベース２１に内蔵されたリンク機構（図示せず）と、スピンベース２１外に配置された駆動源（図示せず）とを含む。駆動源は、たとえば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。
チャックピン２０が開位置に位置するとき、図６において二点鎖線で示すように、支持部１０１の支持面１０４が基板Ｗの下面周縁部に接触し、基板Ｗが、スピンベース２１の上面よりも上方の支持位置で水平な姿勢で支持される。

支持面１０４が収容溝１０３に向かって斜め上に延びているので、チャックピン開閉ユニット２６が各チャックピン２０を開位置から閉位置に移動させると、各チャックピン２０が閉位置に向かって移動する過程で、基板Ｗが複数の支持面１０４によって徐々に持ち上げられる。チャックピン２０が閉位置に向かってさらに移動する過程で、把持部１００が基板Ｗの周端面に近づき、基板Ｗの周縁部が収容溝１０３内に入り込む。これにより、図６において実線で示すように、上側溝内面１０３Ａおよび下側溝内面１０３Ｂが基板Ｗの周縁部に押し付けられ、基板Ｗが、支持位置よりも上方の把持位置で水平な姿勢で把持される。

逆に、チャックピン開閉ユニット２６が、複数のチャックピン２０を閉位置から開位置に移動させると、基板Ｗの周縁部に対する上側溝内面１０３Ａおよび下側溝内面１０３Ｂの押し付けが解除され、各チャックピン２０が開位置に向かって移動する過程で、把持部１００が基板Ｗの周端面から離間する。各チャックピン２０が開位置に向かってさらに移動することで、基板Ｗが複数の支持面１０４によって支持された状態に戻る。

図８Ａおよび図８Ｂは、図４に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う部分断面図である。図８Ａおよび図８Ｂでは、連結部材１７および固定部材１６が断面を用いずに図示されている。連結部材１７は、内側環状部材１４の下面に連結される連結部１１０と、連結部１１０よりも下方に設けられ、複数のチャックピン２０から基板Ｗを受ける基板受け部１１１と含む。基板受け部１１１は、基板Ｗの下面の周縁部に下方から対向する基板受け面１１２を有する。

処理ユニット２は、連結部材１７を昇降させる連結部材昇降ユニット２７をさらに含む。連結部材１７は、支持面１０４と連結部材１７との間で基板Ｗの受け渡しが行われる第１基板受渡位置よりも下方の退避位置と、搬送ロボットＣＲと連結部材１７との間で基板Ｗの受け渡しが行われる第２基板受渡位置との間で昇降する。図８Ａは、連結部材１７が退避位置に位置する状態を示している。図８Ｂは、連結部材１７が第２基板受渡位置に位置する状態を示している。

連結部材１７が退避位置に位置するとき、内側環状部材１４の外方端面１４ｂが、第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に位置するときの外側環状案内部１５の内方端面１５ａに近接して対向する。
図９Ａおよび図９Ｂは、図４に示すＩＸ−ＩＸ線に沿う部分断面図である。図９Ａおよび図９Ｂでは、支持部材１８および固定部材１６が断面を用いずに図示されている。連結部材１７とは異なり、支持部材１８は、内側環状部材１４とは連結されておらず、昇降しない。連結部材１７が退避位置に位置するとき（図８Ａを参照）、支持部材１８は、図９Ａに示すように、内側環状部材１４を下方から支持する。連結部材１７が第２基板受渡位置に位置するとき（図８Ｂを参照）、支持部材１８は、図９Ｂに示すように、内側環状部材１４から離間している。

搬送ロボットＣＲのハンドＨ２が処理ユニット２に基板Ｗを搬入する際、図９Ｂに示すように、連結部材１７は、第２基板受渡位置に位置しており、第３ガード７１Ｃは、案内面近接位置に位置している。この状態で、ハンドＨ２は、内側環状部材１４の内側案内面６３と外側環状案内部１５の径方向内方端部の上面との間のアクセス用隙間Ｇに入り込む。ハンドＨ２は、図４に示すように、支持部材１８側から基板回転軸線Ａ１側に向かってアクセス用隙間Ｇに進入する。

その後、ハンドＨ２は、連結部材１７の基板受け面１１２に基板Ｗ載置した後、アクセス用隙間Ｇから退避する。ハンドＨ２が退避した後、連結部材昇降ユニット２７が連結部材１７を退避位置に向けて移動させる。連結部材１７は、退避位置に向かう途中で第１基板受渡位置を経由する。連結部材１７は、第１基板受渡位置を経由する際、開位置に位置する複数のチャックピン２０の支持面１０４に基板Ｗを受け渡す（基板受渡工程）。その後、チャックピン開閉ユニット２６が複数のチャックピン２０を閉位置に移動させることで基板Ｗがスピンチャック５に保持される（基板把持工程）。これにより、処理ユニット２への基板Ｗの搬入が完了する（基板搬入工程）。

逆に、搬送ロボットＣＲのハンドＨ２が処理ユニット２から基板Ｗを搬出する際、複数のチャックピン２０が開位置に位置する状態で、連結部材昇降ユニット２７が連結部材１７を退避位置から第２基板受渡位置に向けて移動させる。連結部材１７は、第１基板受渡位置を経由する際、開位置に位置する複数のチャックピン２０の支持面１０４から基板Ｗを受け取る（基板受取工程）。そして、連結部材１７が第２基板受渡位置に位置すると、ハンドＨ２は、アクセス用隙間Ｇに入り込み、連結部材１７から基板Ｗを受け取る。これにより、処理ユニット２からの基板Ｗを搬出が完了する（基板搬出工程）。

このように、搬送ロボットＣＲのハンドＨ２が、チャックピン２０の支持面１０４よりも高い位置において、連結部材１７の基板受け面１１２から基板Ｗを搬出したり、連結部材１７の基板受け面１１２に基板Ｗを載置したりすることができる。したがって、搬送ロボットＣＲが支持面１０４から基板Ｗを搬出したり支持面１０４に基板Ｗを載置したりする構成と比較して、スピンベース２１から離間した位置で基板Ｗの搬送をすることができる。そのため、搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が容易となる。

図１０は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を示すブロック図である。コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。コントローラ３は、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

とくに、コントローラ３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、スピンモータ２３、第１ノズル移動ユニット３５、第２ノズル移動ユニット３６、第３ノズル移動ユニット３７、第４ノズル移動ユニット３８、ガード昇降ユニット７４、チャックピン開閉ユニット２６、連結部材昇降ユニット２７、排気ユニット２５、第１上側薬液バルブ５０、第２上側薬液バルブ５１、上側リンス液バルブ５２、上側乾燥促進液バルブ５３、第１下側薬液バルブ５４、第２下側薬液バルブ５５、下側リンス液バルブ５６、下側乾燥促進液バルブ５７、下側気体バルブ５８、マスフローコントローラ９６Ｂ、流量可変バルブ９７Ｂ、流量可変バルブ９８Ｂ、第１気体バルブ９６Ａ、第２気体バルブ９７Ａ、第３気体バルブ９８Ａ等を制御するようにプログラムされている。

コントローラ３によってバルブが制御されることによって、対応するノズルからの処理液や不活性ガスの吐出の有無や、対応するノズルからの処理液や不活性ガスの吐出流量が制御される。
図１１は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。図１０には、主として、コントローラ３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図１２Ａ〜図１２Ｅは、前記基板処理の各工程の様子を説明するための模式図である。以下では、主に図２および図１１を参照する。図１２Ａ〜図１２Ｅについては適宜参照する。

基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図１１に示すように、基板搬入工程（ステップＳ１）、第１薬液供給工程（ステップＳ２）、第１リンス工程（ステップＳ３）、第２薬液供給工程（ステップＳ４）、第２リンス工程（ステップＳ５）、乾燥促進液供給工程（ステップＳ６）、スピンドライ工程（ステップＳ７）および基板搬出工程（ステップＳ８）が実行される。

まず、搬送ロボットＣＲによって未処理の基板Ｗが処理ユニット２に搬入される基板搬入工程（ステップＳ１）が実行される。ガード昇降ユニット７４が、複数のガード７１を基板搬送配置に配置し、チャックピン開閉ユニット２６がチャックピン２０を開位置に移動させる。そして、連結部材昇降ユニット２７が連結部材１７を第２基板受渡位置に移動させる。そして、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、未処理の基板Ｗを連結部材１７に載置し、処理ユニット２内への搬入を完了する。そして、連結部材昇降ユニット２７が連結部材１７を退避位置に移動させる。その途中で連結部材１７からチャックピン２０に基板Ｗが受け渡される。チャックピン開閉ユニット２６がチャックピン２０を閉位置に移動させることにより、基板Ｗが、スピンチャック５によって水平に保持される（基板保持工程）。スピンチャック５による基板Ｗの保持は、スピンドライ工程（ステップＳ７）が終了するまで継続される。

次に、搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、基板Ｗの上面および下面にＤＨＦ等の薬液を供給するする第１薬液供給工程（ステップＳ２）が実行される。
具体的には、スピンモータ２３がスピンベース２１の回転を開始する。スピンベース２１とともに、基板Ｗ、外側環状部材１３および内側環状部材１４が回転する。スピンベース２１の回転は、スピンドライ工程（ステップＳ７）が終了するまで継続される。そして、ガード昇降ユニット７４は、複数のガード７１の配置を基板搬送配置から第２配置に切り換える。これにより、処理液排出空間６６が形成される（排出空間形成工程）。また、中間ガードとしての第２ガード７１Ｂが処理液排出空間６６内に配置され、処理液を受けるガード７１が第２ガード７１Ｂに切り換えられる（中間ガード配置工程、ガード切換工程）。

そして、第１ノズル移動ユニット３５が第１移動ノズル８を基板Ｗの上面に対向する処理位置に移動させる。処理位置は中心位置であってもよい。
複数のガード７１の配置が第２配置であり、かつ、第１移動ノズル８が処理位置に位置する状態で、第１上側薬液バルブ５０および第１下側薬液バルブ５４が開かれる。第１上側薬液バルブ５０が開かれることにより、図１２Ａに示すように、第１移動ノズル８から、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＤＨＦ等の薬液が吐出される。第１移動ノズル８から吐出された薬液は、基板Ｗの上面の中央領域に着液する。つまり、基板Ｗの上面に処理液としての薬液が供給される上側処理液供給工程が実行される。

第１下側薬液バルブ５４が開かれることにより、下面ノズル１２から基板Ｗの上面に向けてＤＨＦ等の薬液が吐出される。第１移動ノズル８から吐出された薬液は、基板Ｗの下面の中央領域に着液する。つまり、基板Ｗの下面に処理液としての薬液が供給される下側処理液供給工程が実行される。
基板Ｗの上面および下面に着液した薬液には、基板Ｗの回転による遠心力が作用する。そのため、薬液は遠心力によって基板Ｗの上面および下面の全体に行き渡り、基板Ｗの上面および下面には、薬液の液膜２００，２０１が形成される。

基板Ｗの上面の周縁部に到達した薬液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、上側案内面６０上に案内される（上側処理液案内工程）。上側案内面６０上の薬液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３から排出される（上側処理液排出工程）。詳しくは、上側案内面６０上から排出される薬液は、液膜２００の状態（連続流の状態）を維持したまま、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃ、第２延設部７６Ｂの第２傾斜端面７８および、第２延設部７６Ｂの下面７６ｂに沿って処理液排出空間６６内で径方向外方ＲＯへ案内される（排出処理液案内工程）。

基板Ｗの下面の周縁部に到達した薬液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの下面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、下側案内面６１に案内される（下側処理液案内工程）。そのため、下側案内面６１上の薬液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３から排出される（下側処理液排出工程）。詳しくは、下側案内面６１上から排出される薬液は、第２延設部７６Ｂの下面７６ｂまたは第２筒状部７５Ｂの内周面によって受けられる。

上側案内面６０上の薬液には、基板Ｗの回転に基づく遠心力が作用している。そのため、上側案内面６０から排出される薬液の液膜２００は、第２延設部７６Ｂの下面７６ｂに沿って基板Ｗの回転方向と同じ方向に回転する旋回液膜となる。
次に、基板Ｗの上面および下面にリンス液を供給して基板Ｗの上面および下面に存在する薬液を洗い流す第１リンス工程（ステップＳ３）が実行される。

具体的には、第１上側薬液バルブ５０および第１下側薬液バルブ５４が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対する薬液の供給が停止される。第１上側薬液バルブ５０が閉じられた状態で、第１ノズル移動ユニット３５は、第１移動ノズル８を退避位置に移動させる。
第３ノズル移動ユニット３７は、第１移動ノズル８からの薬液の吐出が停止された後に速やかにリンス液の供給を開始できるように、処理位置に向けて第３移動ノズル１０を移動させる。処理位置は中心位置であってもよい。そして、ガード昇降ユニット７４は、複数のガード７１の配置を第２配置から第３配置に切り換える。そのため、処理液排出空間６６は形成されていない。

複数のガード７１の配置が第３配置であり、かつ、第３移動ノズル１０が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ５６が開かれる。上側リンス液バルブ５２が開かれることにより、図１２Ｂに示すように、第３移動ノズル１０から基板Ｗの上面に向けてＤＩＷ等のリンス液が吐出される。第３移動ノズル１０から吐出されたリンス液は、基板Ｗの上面の中央領域に着液する（上側処理液供給工程）。

下側リンス液バルブ５６が開かれることにより、下面ノズル１２から基板Ｗの上面に向けてＤＩＷ等のリンス液が吐出される。下面ノズル１２から吐出されたリンス液は、基板Ｗの下面の中央領域に着液する（下側処理液供給工程）。
基板Ｗの上面および下面に着液したリンス液には、基板Ｗの回転による遠心力が作用する。そのため、リンス液は遠心力によって基板Ｗの上面および下面の全体に行き渡り、基板Ｗの上面および下面の液膜２００，２０１中の薬液がリンス液で置換される。

基板Ｗの上面の周縁部に到達したリンス液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、上側案内面６０に案内される。そのため、上側案内面６０上のリンス液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３から排出される（上側処理液排出工程）。詳しくは、上側案内面６０上から排出されるリンス液は、液膜２００の状態（連続流の状態）を維持したまま、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃ、第２延設部７６Ｂの第２傾斜端面７８および第１延設部７６Ａの第１傾斜端面７７を経由して、第１延設部７６Ａの下面７６ａに沿って径方向外方ＲＯへ案内される（排出処理液案内工程）。

基板Ｗの下面の周縁部に到達したリンス液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの下面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、下側案内面６１に案内される（下側処理液案内工程）。そのため、下側案内面６１上のリンス液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３から排出される（下側処理液排出工程）。詳しくは、下側案内面６１上から排出されるリンス液は、第１延設部７６Ａの下面または第１筒状部７５Ａの内周面によって受けられる。

上側案内面６０上のリンス液には、基板Ｗの回転に基づく遠心力が作用している。そのため、上側案内面６０から排出されるリンス液の液膜２００は、第１延設部７６Ａの下面７６ａに沿って基板Ｗの回転方向と同じ方向に回転する旋回液膜となる。
次に、基板Ｗの上面および下面に先ほどの薬液（ＤＨＦ）とは異なる薬液（ＳＣ１）を供給して基板Ｗの上面および下面を処理する第２薬液供給工程（ステップＳ４）が実行される。

具体的には、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ５６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対するリンス液の供給が停止される。上側リンス液バルブ５２が閉じられた状態で、第３ノズル移動ユニット３７は、第３移動ノズル１０を退避位置に移動させる。
第２ノズル移動ユニット３６は、第３移動ノズル１０からのリンス液の吐出が停止された後に速やかに薬液の供給を開始できるように、処理位置に向けて第２移動ノズル９を移動させる。処理位置は中心位置であってもよい。そして、ガード昇降ユニット７４は、複数のガード７１の配置を第３配置に維持する。

複数のガード７１の配置が第３配置であり、かつ、第２移動ノズル９が処理位置に位置する状態で、第２上側薬液バルブ５１および第２下側薬液バルブ５５が開かれる。上側リンス液バルブ５２が開かれることにより、図１２Ｃに示すように、第２移動ノズル９から基板Ｗの上面に向けてＳＣ１等の薬液が吐出される。第２移動ノズル９から吐出された薬液は、基板Ｗの上面の中央領域に着液する（上側処理液供給工程）。

第２下側薬液バルブ５５が開かれることにより、下面ノズル１２から基板Ｗの上面に向けてＳＣ１等の薬液が吐出される。下面ノズル１２から吐出された薬液は、基板Ｗの下面の中央領域に着液する（下側処理液供給工程）。基板Ｗの上面および下面に着液した薬液には、基板Ｗの回転による遠心力が作用する。そのため、薬液は遠心力によって基板Ｗの上面および下面の全体に行き渡り、基板Ｗの上面および下面の液膜２００，２０１中のリンス液が薬液で置換される。

基板Ｗの上面の周縁部に到達した薬液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、上側案内面６０に案内される。そのため、上側案内面６０上の薬液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３の外方に排出される。詳しくは、上側案内面６０上から排出される薬液は、液膜２００の状態（連続流の状態）を維持したまま、第３延設部７６Ｃの下面、第２延設部７６Ｂの第２傾斜端面７８および第１延設部７６Ａの第１傾斜端面７７を経由して、第１延設部７６Ａの下面に沿って径方向外方へ案内される（排出処理液案内工程）。

基板Ｗの下面の周縁部に到達した薬液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの下面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、下側案内面６１に案内される（下側処理液案内工程）。そのため、下側案内面６１上の薬液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３から排出される（下側処理液排出工程）。詳しくは、下側案内面６１上から排出される薬液は、第１延設部７６Ａの下面７６ａまたは第１筒状部７５Ａの内周面によって受けられる。

上側案内面６０上の薬液には、基板Ｗの回転に基づく遠心力が作用している。そのため、上側案内面６０から排出される薬液の液膜２００は、第１延設部７６Ａの下面に沿って基板Ｗの回転方向と同じ方向に回転する旋回液膜となる。
次に、基板Ｗの上面および下面にＤＩＷ等のリンス液を供給して基板Ｗの上面および下面に存在する薬液（ＳＣ１）を洗い流す第２リンス工程（ステップＳ５）が実行される。

具体的には、第２上側薬液バルブ５１および第２下側薬液バルブ５５が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対する薬液の供給が停止される。第２上側薬液バルブ５１が閉じられた状態で、第２ノズル移動ユニット３６は、第２移動ノズル９を退避位置に移動させる。
第３ノズル移動ユニット３７は、第２移動ノズル９からの薬液の吐出が停止された後に速やかにリンス液の供給を開始できるように、処理位置に向けて第３移動ノズル１０を移動させる。処理位置は中心位置であってもよい。そして、ガード昇降ユニット７４は、複数のガード７１の配置を第３配置に維持する。

複数のガード７１の配置が第１配置であり、かつ、第３移動ノズル１０が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ５６が開かれる。上側リンス液バルブ５２が開かれることにより、先ほどと同様に、図１２Ｂに示すように、第３移動ノズル１０から基板Ｗの上面に向けてＤＩＷ等のリンス液が吐出される。リンス液吐出後の第２リンス工程の詳細は、第１リンス工程とほぼ同じであるため、記載を省略する。

次に、基板Ｗの上面および下面に乾燥促進液を供給して基板Ｗの上面および下面のリンス液を乾燥促進液で置換するする乾燥促進液供給工程（ステップＳ６）が実行される。
具体的には、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ５６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対するリンス液の供給が停止される。上側リンス液バルブ５２が閉じられた状態で、第３ノズル移動ユニット３７は、第３移動ノズル１０を退避位置に移動させる。

第４ノズル移動ユニット３８は、第３移動ノズル１０からのリンス液の吐出が停止された後に速やかに乾燥促進液の供給を開始できるように、処理位置に向けて第４移動ノズル１１を移動させる。処理位置は中心位置であってもよい。そして、ガード昇降ユニット７４は、複数のガード７１の配置を第３配置から第１配置に切り換える。これにより、処理液排出空間６６が形成される（排出空間形成工程）。

複数のガード７１の配置が第１配置であり、かつ、第４移動ノズル１１が処理位置に位置する状態で、上側乾燥促進液バルブ５３および下側リンス液バルブ５６が開かれる。
上側乾燥促進液バルブ５３が開かれることにより、図１２Ｄに示すように、第４移動ノズル１１から基板Ｗの上面に向けてＩＰＡ等の乾燥促進液が吐出される。第４移動ノズル１１から吐出された乾燥促進液は、基板Ｗの上面の中央領域に着液する（上側処理液供給工程）。

下側乾燥促進液バルブ５７が開かれることにより、図１２Ｄに示すように、下面ノズル１２から基板Ｗの上面に向けてＩＰＡ等の乾燥促進液が吐出される。下面ノズル１２から吐出された乾燥促進液は、基板Ｗの下面の中央領域に着液する（下側処理液供給工程）。
基板Ｗの上面および下面に着液した乾燥促進液には、基板Ｗの回転による遠心力が作用する。そのため、乾燥促進液は遠心力によって基板Ｗの上面および下面の全体に行き渡り、基板Ｗの上面および下面の液膜２００，２０１中のリンス液が乾燥促進液で置換される。

基板Ｗの上面の周縁部に到達した乾燥促進液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、上側案内面６０に案内される（上側処理液案内工程）。そのため、上側案内面６０上の乾燥促進液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３から排出される（上側処理液排出工程）。詳しくは、上側案内面６０上から排出される乾燥促進液は、液膜２００の状態（連続流の状態）を維持したまま第３延設部７６Ｃの下面に沿って処理液排出空間６６内で径方向外方ＲＯへ案内される（排出処理液案内工程）。

基板Ｗの下面の周縁部に到達した乾燥促進液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの下面の周縁部よりも径方向外方ＲＯ、すなわち、下側案内面６１に案内される（下側処理液案内工程）。そのため、下側案内面６１上の乾燥促進液は、径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３の外方に排出される（下側処理液排出工程）。詳しくは、下側案内面６１上から排出される乾燥促進液は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃまたは第３筒状部７５Ｃの内周面によって受けられる。

上側案内面６０上の乾燥促進液には、基板Ｗの回転に基づく遠心力が作用している。そのため、上側案内面６０から排出されるリンス液の液膜２００は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに沿って基板Ｗの回転方向と同じ方向に回転する旋回液膜となる。
次に、スピンドライ工程（ステップＳ７）が実行される。具体的には、上側乾燥促進液バルブ５３および下側乾燥促進液バルブ５７が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面への乾燥促進液の供給が停止される。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を加速し、基板Ｗを高速回転させる。それによって、大きな遠心力が基板Ｗ上に残留し乾燥促進換液に作用し、基板Ｗ上の乾燥促進液が基板Ｗの周囲に振り切られる。
スピンドライ工程において、基板Ｗに対する気体の吹き付けが行われる。第４ノズル移動ユニット３８が、第４移動ノズル１１を基板Ｗの上面に近接する近接乾燥位置に移動させる。第４移動ノズル１１が近接乾燥位置に位置する状態で、第１気体バルブ９６Ａ、第２気体バルブ９７Ａおよび下側気体バルブ５８が開かれる。

第１気体バルブ９６Ａが開かれることにより、第４移動ノズル１１の線状流吐出口１１ｂから鉛直方向に沿って直線状に窒素ガス等の気体が吐出される。図１２Ｅに示すように、線状流吐出口１１ｂから吐出された気体は、基板Ｗの上面に垂直に入射する線状気流Ｆ１を形成する。線状気流Ｆ１は、基板Ｗの上面にぶつかって、基板Ｗの上面に平行な径方向外方ＲＯへと向きを変える。そして、径方向外方ＲＯへと向きを変えた気流は、内側環状部材１４と基板Ｗとの間、および、外側環状部材１３と外側環状案内部１５との間（処理液通路６５）を経由して、外側環状部材１３よりも径方向外方ＲＯに放出される。これにより、内側環状部材１４と基板Ｗとの間の隙間や、外側環状部材１３と外側環状案内部１５との間の隙間（処理液通路６５）等の狭い隙間に入り込んでいる乾燥促進液を除去することができる。

外側環状部材１３よりも径方向外方ＲＯに放出された気流は、第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに沿って径方向外方ＲＯに向かい、その後、第３ガード７１Ｃの第３筒状部７５Ｃの内周面に沿って下方に向かう。これにより、第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃの下面７６ｃと第３ガード７１Ｃの第３筒状部７５Ｃの内周面との乾燥を促進することができる。

第２気体バルブ９７Ａが開かれることにより、第４移動ノズル１１の水平流吐出口１１ｃから気体が吐出される。水平流吐出口１１ｃから吐出された気体は、基板Ｗの上面に平行で、かつ基板Ｗの上面を覆う水平気流Ｆ２を形成する。水平気流Ｆ２は、内側環状部材１４の上方で径方向外方ＲＯに向かうことが好ましい。それであれば、水平気流Ｆ２と内側環状部材１４との衝突による乱流の発生を抑制しつつ、基板Ｗの上面を保護することができる。

下側気体バルブ５８が開かれることによって、下側気体流路９０から基板Ｗの下面の中央部の周りの部分に向けて吐出される。下側気体流路９０から吐出された気体は、基板Ｗの下面に垂直に入射する気流を形成する。この気流は、基板Ｗの下面にぶつかって、基板Ｗの下面に平行な径方向外方ＲＯへと向きを変える。そして、径方向外方ＲＯへと向きを変えた気流は、外側環状部材１３の下面に沿って径方向外方ＲＯへ向かい、その後、外側環状部材１３よりも径方向外方ＲＯに放出される。これにより、基板Ｗの下面や外側環状部材１３の下面の乾燥を促進することができる。

その後、搬送ロボットＣＲによって処理済みの基板Ｗが処理ユニット２から搬出される基板搬入工程（ステップＳ１）が実行される。ガード昇降ユニット７４が、複数のガード７１を基板搬送配置に配置し、チャックピン開閉ユニット２６がチャックピン２０を開位置に移動させる。そして、連結部材昇降ユニット２７が連結部材１７を第２基板受渡位置に移動させる。そして、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、連結部材１７から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。

第１実施形態によれば、基板Ｗの上面に供給された処理液は、基板Ｗの回転に基づく遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁部よりも径方向外方ＲＯの外側環状部材１３の上側案内面６０上に案内される。そのため、上側案内面６０上の処理液は径方向外方ＲＯに向かう流れを形成し、外側環状部材１３の外方に排出される。
外側環状案内部１５の対向案内面８０ａは、上側案内面６０とともに、上側案内面６０上の処理液を径方向外方ＲＯに案内する。対向案内面８０ａは、上側案内面６０に上方から対向するため、上側案内面６０上の処理液が上方に跳ね上がることを抑制することができる。そのため、処理液を、外側環状部材１３よりも径方向外方ＲＯに向けて、連続流の状態でスムーズに排出することができる。

複数のガード７１の配置が第１配置である場合、上側ガード（第３ガード７１Ｃ）は、上側延設部（第３延設部７６Ｃ）が上側案内面６０の径方向外方端に近接する案内面近接位置に配置される。そのため、外側環状部材１３から排出される処理液は、連続流の状態を維持したまま、上側案内面６０の径方向外方端に近接する第３延設部７６Ｃを伝って径方向外方ＲＯにさらに移動する。そのため、処理液が第３ガード７１Ｃに衝突して液滴状態の処理液が跳ね返ることを抑制できる。

処理液は第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃを伝いながら処理液排出空間６６を通る。そして、処理液排出空間６６内には、排気ユニット２５によって排気されることによって、第３延設部７６Ｃと第２延設部７６Ｂとの間を径方向外方ＲＯに流れる気流および第３筒状部７５Ｃと第２筒状部７５Ｂとの間の下方に流れる気流が形成されている。そのため、仮に、何らかの原因で第３ガード７１Ｃを伝う処理液からミストが発生した場合であっても、ミストは、気流に乗って、第３筒状部７５Ｃの下端から排出される。

仮に、第３筒状部７５Ｃの下端から排出されないミストが存在する場合であっても、当該ミストは、下側ガード（第２ガード７１Ｂ）の下側延設部（第２延設部７６Ｂ）に上方から付着し、処理液排出空間６６外へのミストの移動が阻止される。したがって、処理液排出空間６６外への処理液のミストの拡散を抑制できる。よって、処理液のミストが基板Ｗの周囲を漂って最終的に基板に付着することを抑制できる。
第３ガード７１Ｃが案内近接位置に位置する状態では、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃが外側環状部材１３の上側案内面６０に近接しているため上側案内面６０と外側環状案内部１５の対向案内面８０ａとの間の処理液通路６５は狭い。処理液通路６５には、処理液が径方向外方ＲＯに向かって流れている。そのため、処理液のミストが、処理液通路６５を通り抜けて径方向内方ＲＩに移動することは起こりにくい。したがって、仮に、何らかの原因で第３延設部７６Ｃの下面７６ｃを伝う処理液から発生したミストが第２延設部７６Ｂに付着しなかった場合であっても、外側環状部材１３よりも径方向内方ＲＩに移動することが阻止される。

以上により、基板Ｗから排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板Ｗの汚染を効率的に抑制することができる。
複数のガード７１の配置が第２配置である場合であっても同様である。すなわち、上側ガード（第３ガード７１Ｃ）は、上側延設部（第３延設部７６Ｃ）が上側案内面６０の径方向外方端に近接する案内面近接位置に配置される。そのため、外側環状部材１３から排出される処理液は、連続流の状態を維持したまま、上側案内面６０の径方向外方端に近接する第３延設部７６Ｃおよび第２延設部７６Ｂを伝って径方向外方ＲＯにさらに移動する。そのため、処理液が第３ガード７１Ｃに衝突して液滴状態の処理液が跳ね返ることを抑制できる。

処理液は第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃおよび中間ガード（第２ガード７１Ｂ）の中間延設部（第２延設部７６Ｂを）伝いながら処理液排出空間６６を通る。そして、処理液排出空間６６内には、排気ユニット２５によって排気されることによって、第２延設部７６Ｂと第１延設部７６Ａとの間を径方向外方ＲＯに流れる気流および第２筒状部７５Ｂと第１筒状部７５Ａとの間の下方に流れる気流が形成されている。そのため、仮に、何らかの原因で第３ガード７１Ｃや第２ガード７１Ｂを伝う処理液からミストが発生した場合であっても、ミストは、気流に乗って、第２筒状部７５Ｂの下端から排出される。

仮に、第２筒状部７５Ｂの下端から排出されないミストが存在する場合であっても、当該ミストは、下側ガード（第１ガード７１Ａ）の下側延設部（第１延設部７６Ａ）に上方から付着し、処理液排出空間６６外へのミストの移動が阻止される。したがって、処理液排出空間６６外への処理液のミストの拡散を抑制できる。よって、処理液のミストが基板Ｗの周囲を漂って最終的に基板に付着することを抑制できる。

複数のガード７１の配置が第２配置である場合であっても、先ほどと同様に、処理液のミストが、処理液通路６５を通り抜けて径方向内方ＲＩに移動することは起こりにくい。したがって、仮に、何らかの原因で第３延設部７６Ｃおよび第２延設部７６Ｂを伝う処理液から発生したミストが第１延設部７６Ａに付着しなかった場合であっても、外側環状部材１３よりも径方向内方ＲＩに移動することが阻止される。

また、複数のガード７１の配置が第２配置である場合には、第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂ（中間延設部）が第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃ（上側延設部）に接触するガード接触位置に第２ガード７１Ｂ（中間ガード）が配置される。そのため、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃを沿って径方向外方ＲＯに流れる処理液が第２延設部７６Ｂの下面７６ｂに案内される。したがって、第２ガード７１Ｂをガード接触位置に配置することで、基板Ｗの上面から排出される処理液を沿わせる延設部を切り換えることができる。よって、基板Ｗの上面から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板Ｗの汚染を効率的に抑制しつつ、基板Ｗの上面から排出される処理液を受けるガード７１を切り換えることができる。

基板Ｗの上面に存在する処理液が、外側環状部材１３の上側案内面６０と外側環状案内部１５の対向案内面８０ａとの間に進入する際に外側環状案内部１５に衝突して跳ね返るおそれがある。
そこで、第１実施形態では、外側環状案内部１５において対向案内面８０ａよりも径方向内方ＲＩには、傾斜状の外側跳返抑制面８１ａが設けられている。そのため、対向案内面８０ａが垂直に延びる径方向端面と直接に連結されている構成と比較して、処理液が外側環状案内部１５と衝突して跳ね返ること自体を抑制することができる。

また、離間面８２ａを設けることによって、基板Ｗから排出された処理液と外側環状部材１３との衝突位置を外側環状部材１３の径方向内方端よりも径方向外方ＲＯにすることができる。さらに、外側環状部材１３と衝突して飛散した処理液が外側環状部材１３よりも上方に拡散することを抑制できる。
さらに第１実施形態によれば、外側環状案内部１５に径方向内方ＲＩから近接して対向する内側環状部材１４が基板Ｗの上面の周縁部の上方に配置されている。そのため、外側環状案内部１５から跳ね返った処理液の径方向内方ＲＩへの移動を阻止することができる。したがって、基板Ｗから排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板Ｗの汚染を効率的に抑制することができる。

したがって、処理液が外側環状案内部１５と衝突して跳ね返ったとしても、処理液の液滴やミストが外側環状部材１３よりも上方に移動したり、内側環状部材１４よりも径方向内方ＲＩに移動したりすることを抑制できる。
また、第１実施形態では、内側環状部材１４において内側案内面６３よりも径方向内方ＲＩには、傾斜状の内側跳返抑制面６４が設けられている。そのため、内側案内面６３が垂直に延びる径方向端面と直接に連結されている構成と比較して、処理液が内側環状部材１４と衝突して跳ね返ること自体を抑制することができる。

また、第１実施形態によれば、連結部材１７が基板Ｗを複数のチャックピン２０の支持面１０４に受け渡した後、退避位置に位置することで、内側環状部材１４を、外側環状案内部１５に近接させて径方向内方ＲＩから対向させることができる。したがって、基板Ｗの受け渡しの直後から、外側環状案内部１５から跳ね返った処理液の径方向内方ＲＩへの移動を阻止できる位置に内側環状部材１４を配置することができる。

また、第１実施形態によれば、外側環状案内部１５と上側ガード（第３ガード７１Ｃ）とが一体に形成されており、対向案内面８０ａと上側延設部（第３延設部７６Ｃ）の下面７６ｃとが連結されている。そのため、外側環状部材１３から径方向外方ＲＯに排出される処理液を、連続流の状態で、外側環状案内部１５の対向案内面８０ａから第３延設部７６Ｃの下面７６ｃにスムーズに伝わらせることができる。

また、第１実施形態によれば、ガード７１は、基板回転軸線Ａ１まわりに回転しない。仮に、ガード７１が回転する構成であれば、ガード７１の延設部（たとえば、第３延設部７６Ｃ）の下面の径方向外方端部付近に沿って径方向外方ＲＯに移動する処理液に過剰に遠心力が作用し、処理液が飛び散る。処理液が飛び散ると処理液のミストが漂って基板Ｗの上面に付着するおそれがある。第１実施形態のようにガード７１が基板回転軸線Ａ１まわりに回転しない構成であれば、ガード７１の延設部（たとえば、第３延設部７６Ｃ）の下面の径方向外方端部付近における処理液の飛び散りを抑制できる。

さらに、第１実施形態のようにガード７１が基板回転軸線Ａ１まわりに回転しない構成であれば、ガード７１を回転させるための複雑な構成のガード回転ユニットを設ける必要がない。したがって、基板処理装置１のコストの増大を抑制できる。
また、上側案内面６０から排出される処理液の液膜２００は、第２延設部７６Ｂの下面７６ｂに沿って基板Ｗの回転方向と同じ方向に回転する旋回液膜となる。そのため、下側案内面６１から排出された処理液は、旋回液膜を介して第２ガード７１に受けられる。下側案内面６１から排出された薬液と旋回液膜とが衝突する際に処理液のミストが発生したとしても、旋回液膜によって形成される当該基板Ｗの回転方向の下流側の気流に乗って回転方向の下流側向かって移動する。したがって、基板Ｗの上面への処理液のミストの付着を抑制できる。

この実施形態によれば、上側案内面６０上の処理液は、液膜２００の状態で外側環状案内部１５の対向案内面８０ａに接触するので、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃに液膜２００の状態を維持したまま伝う。そのため、処理液が上側案内面６０から第３延設部７６Ｃの下面７６ｃへ移る際に、処理液の流れが乱されない。これにより、処理液のミストの発生を抑制できる。

なお上述した基板処理では、処理液通路幅Ｄ１（図３参照）は、上側案内面６０を流れる処理液の液膜２００の厚みと概ね等しい。そのため、処理液は、処理液通路６５内を液密にしつつ、外側環状案内部１５と処理液との衝突の発生を抑制することができる。
次に、第１実施形態に係る基板処理装置１によって実行できる基板処理の変形例について説明する。

図１３は、第１実施形態に係る基板処理の第１変形例を説明するための模式図である。
図１２Ａ〜図１２Ｅに示す係る基板処理では、基板Ｗの上面への処理液の供給と、基板Ｗの下面への処理液の供給とを同時に開始している。しかしながら、基板Ｗの上面への処理液の供給と、基板Ｗの下面への処理液の供給とは同時に開始しなくてもよい。
特に、基板処理の第１変形例では、図１３に示すように、基板Ｗの上面への薬液（ＤＨＦ）の供給を開始して、第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂの下面および第２筒状部７５Ｂの内周面に薬液の液膜２００が形成されている状態で、基板Ｗの下面に向けて薬液（ＤＨＦ）の供給を開始する（図１２Ａを参照）。この場合、以下の効果を奏する。

図１２Ａ〜図１２Ｅで説明した基板処理では、基板Ｗの上面への薬液の供給と基板Ｗの下面への薬液の供給を同時に開始する。そのため、第２ガード７１Ｂに薬液の液膜２００が形成される前に下側案内面６１から排出された薬液が第２ガード７１Ｂによって受けられる場合がある。
一方、この変形例のように、基板Ｗの下面への薬液の供給が、基板Ｗの上面に薬液が供給されている間に開始される基板処理であれば、下側案内面６１から排出される薬液は、上側案内面６０から排出されて第２ガード７１Ｂ（上側ガード）の第２延設部７６Ｂ（上側延設部）や第２筒状部（中央筒状部）を介して第２ガード７１Ｂに受けられる。下側案内面６１から排出され薬液が第２ガード７１Ｂによって受けられるときの衝撃は、第２ガード７１Ｂを伝う薬液の液膜２００によって吸収される。

したがって、基板Ｗの上面への薬液の供給と基板Ｗの下面への薬液の供給を同時に開始した場合と比較して、第２ガード７１Ｂとの衝突に起因する液滴やミストの発生を抑制できる。
この変形例では、処理液として薬液を用い、複数のガード７１が第２配置である例を用いて説明したが、処理液は薬液以外の液体（リンス液、乾燥促進液等）であってもよいし、複数のガード７１の配置は、第１配置あるいは第３配置であってもよい。

図１４Ａおよび図１４Ｂは、第１実施形態に係る基板処理の第２変形例を説明するための模式図である。
図１２Ａ〜図１２Ｅに示す係る基板処理では、排出空間形成位置は、下側延設部（第１延設部７６Ａまたは第２延設部７６Ｂ）の径方向内方端部が外側環状部材１３の下側案内面６１よりも下側に位置する位置である。しかしながら、排出空間形成位置は、処理液排出空間６６を形成できれば、上述の位置と異なる位置であってもよい。

たとえば、基板処理の第２変形例では、排出空間形成位置は、下側延設部の径方向内方端部が鉛直方向において外側環状部材１３の上側案内面６０と下側案内面６１との間に位置する位置である。
詳しくは、第２変形例に係る基板処理では、複数のガード７１の配置が第１配置であるとき、図１４Ａに示すように、第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂの径方向内方端部が鉛直方向において外側環状部材１３の上側案内面６０と下側案内面６１との間に位置する。

このような基板処理であれば、外側環状部材１３の下側案内面６１から排出される処理液は、下側ガード（第２ガード７１Ｂ）の下側延設部（第２延設部７６Ｂ）の下方で外側環状部材１３から飛散し、第２ガード７１Ｂによって受けられる。一方、上側案内面６０から排出される処理液は、上側ガード（第３ガード７１Ｃ）によって受けられる。詳しくは、上側案内面６０から排出される処理液は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃを伝って処理液排出空間６６内を径方向外方ＲＯへ移動する。

そのため、基板Ｗの上面から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制しつつ、基板Ｗの上面から排出される処理液と基板Ｗの下面から排出される処理液とを別々のガード７１で受けることができる。特に、基板Ｗの上面に供給される処理液の種別と、基板Ｗの下面に供給される処理液の種別とが互いに異なる場合にこの変形例を適用することが有用である。この変形例を適用すれば、基板Ｗの上面から排出される処理液と基板Ｗの下面から排出される処理液とを別々に回収することができる。

複数のガード７１の配置が第２配置であるときには、図１４Ｂに示すように、第１ガード７１Ａの第１延設部７６Ａの径方向内方端部が鉛直方向において外側環状部材１３の上側案内面６０と下側案内面６１との間に位置する。この場合にも、基板Ｗの上面から排出される処理液と基板Ｗの下面から排出される処理液とを別々のガード７１で受けることができる。具体的には、下側案内面６１から排出される処理液は、下側ガード（第１ガード７１Ａ）によって受けられる。上側案内面６０から排出される処理液は、中間ガード（第２ガード７１Ｂ）によって受けられる。詳しくは、上側案内面６０から排出される処理液は、第３延設部７６Ｃの下面７６ｃ、第２傾斜端面７８、および第２延設部７６Ｂの下面７６ｂを伝って処理液排出空間６６内を径方向外方ＲＯへ移動する。

図１５は、第１実施形態に係る基板処理の第３変形例を説明するための模式図である。
図１２Ａ〜図１２Ｅに示す係る基板処理では、第３ガード７１Ｃは、案内面近接位置に配置されている。図１２Ａ〜図１２Ｅに示すように、第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に位置する場合、排気ユニット２５によって処理液排出空間６６から排気される気体の排気量は、内側環状部材１４の外方端面と外側環状案内部１５の内方端面との間の隙間と、内側環状部材１４の下面と基板Ｗの上面との間の隙間とによって制限されている。

図１５に示すように、外側環状案内部１５の対向案内面８０ａが内側環状部材１４の上面よりも上方位置する排気量増大位置に第３ガード７１Ｃを配置すれば、気体が外側環状案内部１５の対向案内面８０ａと内側環状部材１４の上面との間を通って第２カップ７２Ｂに排気される。したがって、処理液排出空間６６から排気される気体の排気量を増大させることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐについて説明する。図１６は、第２実施形態に係る処理ユニット２における基板Ｗの周縁部の周辺の断面図である。図１６において、前述の図１〜図１５に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

第２実施形態に係る処理ユニット２では、内側環状部材１４の内側案内面６３が、上側案内面６０と、基板Ｗの上面の周縁部との両方に上方から対向する。そして、内側環状部材１４の外方端面１４ｂと外側環状案内部１５の内方端面１５ａとの間の隙間が、上側案内面６０の上方に位置する。
基板Ｗの上面に存在する処理液が、外側環状部材１３の上側案内面６０と外側環状案内部１５の対向案内面８０ａとの間に進入する際に外側環状案内部１５に衝突して跳ね返って内側環状部材１４の外方端面１４ｂに付着することがある（図１６に示す太線矢印を参照）。第２実施形態のように、内側環状部材１４と外側環状案内部１５との間の隙間が、上側案内面６０の上方に位置する構成であれば、内側環状部材１４から落下した処理液の液滴は、基板Ｗの上面ではなく、上側案内面６０に付着する。したがって、内側環状部材１４によって径方向内方ＲＩへの移動を阻止された処理液が基板Ｗの上面に付着することを抑制できる。

処理液が基板Ｗの上面の周縁部から外側環状部材１３に移動する際、基板Ｗと外側環状部材１３との間の僅かな段差等により、処理液と外側環状部材１３の内方端面１３ａとが衝突して、処理液が跳ね上がる場合がある。
この実施形態では、平面視で、内側環状部材１４の一部（径方向外方ＲＯの部分）が外側環状部材１３の一部（径方向内方ＲＩの部分）と重なっている。言い換えると、内側環状部材１４の内側案内面６３が、外側環状部材１３の内方端面１３ａおよび上側案内面６０の上方に近接状態で位置している。そのため、仮に、処理液が外側環状部材１３の内方端面１３ａと衝突することによって跳ね上がったとしても、跳ね上がった処理液は、内側環状部材１４の内側案内面６３によって受けられる。そのため、跳ね上がった処理液が内側環状部材１４と外側環状案内部１５との間の隙間を通り抜けることを防ぐことができ、当該処理液が内側環状部材１４の上方にまで移動することを防ぐことができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑについて説明する。図１７は、本発明の第３実施形態に係る処理ユニット２における基板Ｗの周縁部の周辺の断面図である。図１７において、前述の図１〜図１６に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

第３実施形態に係る処理ユニット２では、内側環状部材１４と外側環状案内部１５との間の隙間１２０が、ラビリンス隙間である。
詳しくは、内側環状部材１４が、基板Ｗの上面の周縁部に上方から対向し、外側環状案内部１５の径方向内方端に径方向内方ＲＩから近接して対向する内側部分１３０と、内側部分１３０から径方向外方ＲＯに延び、外側環状案内部１５に上方から対向する外側部分１３１とを有する。隙間１２０が、内側部分１３０と外側環状案内部１５との間に形成された鉛直隙間１２１と、外側部分１３１と外側環状案内部１５との間に形成され鉛直隙間１２１の上端から径方向外方ＲＯに向かって延びる水平隙間１２２とを含む。

第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑにおいても第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の基板処理を実行することができる。
処理液と外側環状案内部１５との衝突によって発生する処理液の液滴やミスト（図１７に示す太線矢印を参照）は、内側環状部材１４と外側環状案内部１５との間の隙間１２０を介して内側環状部材１４および外側環状案内部１５よりも上方に移動するおそれがある。内側環状部材１４および外側環状案内部１５よりも上方に移動した処理液の液滴やミストは、周囲の空間を漂って最終的に基板Ｗの上面に付着するおそれがある。

第３実施形態によれば、内側環状部材１４と外側環状案内部１５との間の隙間１２０がラビリンス隙間である。そのため、処理液の液滴やミストが隙間１２０を通り抜けることを抑制できる。内側環状部材１４および外側環状案内部１５よりも上方に移動することを抑制できる。これにより、基板Ｗの上面を汚染することを抑制できる。
さらに、隙間１２０が、鉛直隙間１２１と、鉛直隙間１２１の上端から水平に延びる水平隙間１２２とによって構成されている。そのため、仮に、外側環状案内部１５と処理液との衝突によって発生する処理液の液滴やミストが鉛直隙間１２１に入ったとしても、鉛直隙間１２１の上端で外側環状案内部１５の外側部分１３１に衝突する。そのため、処理液のミストや液滴が鉛直隙間１２１の上端から水平隙間１２２から移動して外部に排出されことを抑制できる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置１Ｒについて説明する。図１８は、本発明の第４実施形態に係る処理ユニット２における基板Ｗの周縁部の周辺の断面図であり、処理ユニット２に基板Ｗを搬入する際の複数のガード７１の配置（基板搬送配置）を説明するための模式図である。図１９は、第４実施形態に係る処理ユニット２において基板Ｗに処理液を供給する際の複数のガード７１の配置を説明するための模式図である。

図１８および図１９において、前述の図１〜図１７に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第４実施形態に係る基板処理装置１Ｒが、第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、ガード７１およびカップ７２の数である。詳しくは、第４実施形態に係る処理ユニット２は、第４ガード７１Ｄおよび第４カップ７２Ｄをさらに含む。

第４ガード７１Ｄは、第３ガード７１Ｃよりも上方に配置されており、第３ガード７１Ｃよりも基板Ｗの径方向外方ＲＯでスピンベース２１を取り囲むように配置されている。
第４ガード７１Ｄは、ほぼ円筒形状を有しており、第４ガード７１Ｄの上端部は、径方向内方ＲＩに向かうように内方に傾斜している。第４カップ７２Ｄは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。第４カップ７２Ｄは、第３ガード７１Ｃと一体に形成されている。

第４ガード７１Ｄは、第３筒状部７５Ｃよりも径方向外方ＲＯに配置され平面視でスピンベース２１を取り囲む第４筒状部７５Ｄと、第４筒状部７５Ｄの上端から径方向内方ＲＩに延びる円環状の第４延設部７６Ｄとを含む。第４延設部７６Ｄは、第３延設部７６Ｃに上方から対向する。第４延設部７６Ｄは、径方向内方ＲＩに向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜している。水平方向に対する第４延設部７６Ｄの傾斜角度は、０°よりも大きく４５°以下であることが好ましい。水平方向に対する第４延設部７６Ｄの傾斜角度は、５°以上２０°以下であることが一層好ましい。

第４ガード７１Ｄは、ガード昇降ユニット７４によって昇降される。第４ガード７１Ｄは、上位置と基板搬送位置（図１８に示す第４ガード７１Ｄの位置）との間で昇降可能である。第３ガード７１Ｃが下位置に移動することができないため、第４ガード７１Ｄは、基板Ｗから飛散する処理液を受けることがない。
基板搬送位置は、処理ユニット２内で基板Ｗを搬送するときの第４ガード７１Ｄの位置である。第４ガード７１Ｄが基板搬送位置に位置するとき、案内面近接位置に位置する第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃの上面に第４ガード７１Ｄの第４延設部７６Ｄの径方向内方端が接触する。

この実施形態において、複数のガード７１の配置が基板搬送配置であるとき、第３ガード７１Ｃは、案内面近接位置に位置し、第４ガード７１Ｄは、基板搬送位置に位置する。
外側環状案内部１５は、径方向内方ＲＩに向かうにしたがって上方に向かう階段状であるため、第４ガード７１Ｄが基板搬送位置に位置するとき、第４延設部７６Ｄは、外側環状案内部１５の径方向内方端よりも下方に位置している。したがって、搬送ロボットＣＲのハンドＨ２が入り込むアクセス用隙間Ｇは、第４ガード７１Ｄによって狭められることがない。すなわち、第４実施形態においても、アクセス用隙間Ｇは、内側環状部材１４の内側案内面６３と外側環状案内部１５の径方向内方端部の上面との間の隙間である。

複数のガード７１が第１配置、第２配置および第３配置のうちのいずれの場合であっても、第４ガード７１Ｄを、第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃの上面と第４ガード７１Ｄの第４延設部７６Ｄの下面７６ｄとの間に捕獲空間６７を形成する捕獲空間形成位置に配置することができる（捕獲空間形成工程）。図１９には、第１配置において第４ガード７１Ｄを捕獲空間形成位置に配置している状態が図示されている。第４ガード７１Ｄは、捕獲空間６７が形成する捕獲用ガードとして機能する。

捕獲空間６７は、いずれかのノズル（第１移動ノズル８、第２移動ノズル９、第３移動ノズル１０または第４移動ノズル１１）から吐出される処理液が基板Ｗの上面に着液する際に発生するミスト等を捕獲するための空間である。排気ユニット２５（図２を参照）によって捕獲空間６７内を排気して径方向外方ＲＯへ向かう気流Ｆ３を形成することで、捕獲空間６７内への処理液のミストの流入を促進することができる。

処理液と基板Ｗの上面との衝突によって発生する処理液のミストを捕獲すれば、捕獲空間６７を設けることによって、基板Ｗの上面への処理液の供給によって発生するミストに起因する基板Ｗの汚染を抑制できる。
第４実施形態においても、第４ガード７１Ｄの配置を除いて、第１実施形態と同様の基板処理を実行することができる。また、第１実施形態と同様の効果を奏する。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る基板処理装置１Ｓについて説明する。図２０は、本発明の第５実施形態に係る処理ユニット２における基板Ｗの周縁部の周辺の断面図である。図２０において、前述の図１〜図１９に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

第５実施形態に係る基板処理装置１Ｓが第４実施形態に係る基板処理装置１Ｒと主に異なる点は、処理ユニット２に内側環状部材１４が設けられていない点である。
そのため、第４実施形態に係る基板処理装置１Ｓでは、第１実施形態に係る基板処理装置１とは異なり、基板処理において、移動ノズル（たとえば、第１移動ノズル８）から基板Ｗの上面の周縁部に向けて処理液を供給することができる。

特に、図２０に示すように、基板Ｗの上面の周縁部に対して物理洗浄を行う場合には、内側環状部材１４が設けられていない構成が有用である。物理洗浄とは、たとえば、ノズルから基板Ｗの上面に向けて液滴状態の処理液を吐出することによって、液滴２１０の物理力を作用させて基板Ｗの上面を洗浄することである。処理液の液滴２１０の物理力とは、処理液の液滴２１０が基板Ｗの上面に衝突する際の衝撃（運動エネルギー）である。

処理液を吐出するノズルが基板Ｗの上面の周縁部付近に位置するときには、特に、基板Ｗの上面に供給される処理液と基板Ｗの上面との衝突によって発生したミストが外側環状案内部１５や第３ガード７１Ｃに付着しやすい。そこで、第４ガード７１Ｄを捕獲空間形成位置に配置して捕獲空間６７を設ければ、基板Ｗの上面の周縁部でミストが発生した場合であっても、当該ミストを捕獲することができる。したがって、基板Ｗの上面への処理液の供給によって発生するミストに起因する基板Ｗの汚染を抑制できる。

第５実施形態においても、第４ガード７１Ｄの配置を除いて、第１実施形態と同様の基板処理を実行することができる。また、内側環状部材１４による効果を除いて、第１実施形態と同様の効果を奏する。
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る基板処理装置１Ｔについて説明する。図２１は、本発明の第６実施形態に係る処理ユニット２における基板Ｗの周縁部の周辺の断面図である。図２１において、前述の図１〜図２０に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

第６実施形態に係る基板処理装置１Ｔが第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、外側環状案内部１５が設けられていない点である。第６実施形態に係る処理ユニット２は、第１実施形態に係る外側環状部材１３と同じ構成を有する第１外側環状部材１３Ｔと、上側案内面６０に間隔を空けて上方から対向する第２外側環状部材１５Ｔとを含む。

第１外側環状部材１３Ｔは、第１環状案内部の一例であり、第２外側環状部材１５Ｔは、第２環状案内部の一例である。したがって、この実施形態では、第２外側環状部が上側ガードと分離して形成されている。
第２外側環状部材１５Ｔは、上面と、下面と、径方向内方ＲＩの端面（内方端面１５ａ）と、径方向外方ＲＯの端面（外方端面１５ｂ）とを有する。

第２外側環状部材１５Ｔの上面および下面は、それぞれ、平面視で円環状である。第２外側環状部材１５Ｔの上面は水平方向に平坦である。
第２外側環状部材１５Ｔの下面は、対向案内面１４０および外側跳返抑制面１４１によって構成される。
対向案内面１４０は、第１外側環状部材１３Ｔの上側案内面６０に対向し、上側案内面６０に存在する処理液を上側案内面６０とともに径方向外方ＲＯに案内する。外側跳返抑制面１４１は、処理液が上側案内面６０と対向案内面１４０との間に進入する際に第２外側環状部材１５Ｔと衝突して跳ね返ることを抑制する。

対向案内面１４０は、水平方向に平坦である。対向案内面１４０は、外方端面１５ｂと外側跳返抑制面１４１の径方向外方端とに連結されている。外側跳返抑制面１４１は、対向案内面８０ａの径方向内方端と内方端面１５ａとに連結されており、径方向外方ＲＯに向かうにしたがって下方に向かうように傾斜している。
第６実施形態に係る処理ユニット２は、第１実施形態に係る固定部材１６と同じ構成を有する第１固定部材１６Ｔと、スピンベース２１に対する第２外側環状部材１５Ｔの位置を固定する第２固定部材１４５とを含む。第２固定部材１４５は、鉛直方向に延びる円柱状である。第２固定部材１４５は、たとえば、第１固定部材１６Ｔと同数設けられており、基板Ｗの回転方向（周方向）に等間隔に配置されている。

第２外側環状部材１５Ｔは、第２固定部材１４５を介してスピンベース２１に固定されているため、第２外側環状部材１５Ｔの高さ位置は第３ガード７１Ｃの昇降とは関係なく一定である。
第６実施形態に係る基板処理装置１Ｔにおいても、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の基板処理を実行することができる。ただし、ガード７１の配置については、第１実施形態よりも自由度が高い。

すなわち、第６実施形態に係る処理ユニット２では、第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃに連結された外側環状案内部１５（図５Ａを参照）が設けられていないため、基板処理において、いずれのガード７１であっても案内面近接位置に配置することができる。また、案内面近接位置に配置されたガード７１（上側ガード）よりも下側に配置されたガード７１（下側ガード）であれば、排出空間形成位置に配置することができる。第２外側環状部材１５Ｔは、案内面近接位置に配置されたガード７１（上側ガード）の延設部（上側延設部）に径方向内方ＲＩから近接して対向する。

図２１には、第３ガード７１Ｃが案内面近接位置に位置し、第２ガード７１Ｂが排出空間形成位置に位置する状態が示されている。第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂの径方向内方端部が外側環状部材１３の下側案内面６１よりも下側に位置している。第２外側環状部材１５Ｔは、案内面近接位置に配置された第３ガード７１Ｃの第３延設部７６Ｃに径方向内方ＲＩから近接して対向する。

第６実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。ただし、第２外側環状部材１５Ｔがガード７１と分離して形成されているため、第１外側環状部材１３Ｔから径方向外方ＲＯに排出される処理液を、液膜２００の状態（連続流の状態）で、第２外側環状部材１５Ｔの対向案内面１４０から延設部（たとえば、第３延設部７６Ｃ）の下面にスムーズに伝わらせるためには、いずれかのガード７１を案内面近接位置に配置してガード７１の延設部（たとえば、第３延設部７６Ｃ）を充分に近接させる必要がある。

図２１に二点鎖線で示すように、排出空間形成位置に位置する第２ガード７１Ｂの第２延設部７６Ｂの径方向内方端部が第１外側環状部材１３Ｔの下側案内面６１よりも下方に位置してもよい。この場合、第１実施形態の第２変形例と同様に、基板Ｗの上面から排出される処理液と基板Ｗの下面から排出される処理液とを別々に回収することができる。
第６実施形態によれば、基板Ｗの回転とともに第２外側環状部材１５Ｔを回転させることができる。そのため、第１外側環状部材１３Ｔと第２外側環状部材１５Ｔとが同期回転する。同期回転とは、同じ方向に同じ速度で回転することをいう。そのため、処理液通路６５に存在する処理液中に乱流が発生することを抑制できる。したがって、処理液が処理液通路６５をスムーズに通過することができる。

＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態に係る基板処理装置１Ｕについて説明する。図２２は、本発明の第７実施形態に係る処理ユニット２における基板Ｗの周縁部の周辺の断面図である。図２２において、前述の図１〜図２１に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

第７実施形態に係る基板処理装置１Ｕは、内側環状部材１４が設けられていない点を除いて、第６実施形態に係る基板処理装置１Ｔとほぼ同様の構成である。そのため、第７実施形態に係る基板処理装置１Ｕでは、第６実施形態に係る基板処理装置１Ｔと同様の基板処理を実行することができる。
＜第８実施形態＞
次に、本発明の第８実施形態に係る基板処理装置１Ｖについて説明する。図２３は、本発明の第８実施形態に係る処理ユニット２における基板Ｗの周縁部の周辺の断面図である。図２３において、前述の図１〜図２２に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

第８実施形態に係る基板処理装置１Ｖは、内側環状部材１４および第２外側環状部材１５Ｔが設けられていない点を除いて、第６実施形態に係る基板処理装置１Ｔとほぼ同様の構成である。
＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。

たとえば、第１実施形態におけるガード７１の数は２つであってもよい。すなわち、第３ガード７１Ｃおよび第２ガード７１Ｂのみが設けられた構成であってもよいし、第３ガード７１Ｃおよび第１ガード７１Ａのみが設けられた構成であってもよい。
また、上述の各実施形態では、基板Ｗの上面に処理液を供給するノズルとして、第１移動ノズル８〜第４移動ノズル１１が設けられている。

また、上述の実施形態では、処理液は、外側環状部材１３と外側環状案内部１５との間の隙間（処理液通路６５）や基板Ｗの上面と内側環状部材１４との間の隙間を液密状態で通過している。この場合、処理液のミストがこれらの隙間を介して径方向内方ＲＩに移動することを抑制することができる。さらに、外側環状案内部１５の対向案内面８０ａや内側環状部材１４の内側案内面６３によって処理液の整流を行うことができる。しかしながら、処理液は、これらの隙間を通過する際に、必ずしも液密状態を維持していなくてもよく、液密状態でない場合であっても、上述した各実施形態の効果を奏することができる。

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
この明細書および添付図面からは、特許請求の範囲に記載した特徴以外にも、第１実施形態〜第８実施形態に基づいて、以下のような特徴が抽出され得る。これらの特徴は、課題を解決するための手段の項に記載した特徴と任意に組み合わせ可能である。図２１〜図２３に示す第１外側環状部材１３Ｔ、および図１〜図２０に示す外側環状部材１３は、以下の項Ａ１〜Ａ４における環状案内部材の一例である。

Ａ１．基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の中央部を通る鉛直軸線まわりに前記基板保持ユニットを回転させる基板回転ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて処理液を供給する上側処理液供給ユニットと、
平面視で前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む環状案内部材であって、前記基板保持ユニットに保持されている基板を前記基板回転ユニットに回転させるときに、当該基板の上面に存在する処理液を遠心力によって当該基板の上面の周縁部よりも前記径方向の外方に案内する上側案内面を有する環状案内部材と、
前記径方向に延びる上側延設部を有し、前記上側延設部の下面が前記上側案内面に近接する案内面近接位置に配置された状態で前記環状案内部から排出される液体を受ける上側ガードと、
前記上側延設部に下方から対向し前記径方向に延びる下側延設部を有し、前記環状案内部材から排出される処理液が通る処理液排出空間を前記上側延設部とともに前記下側延設部が形成する排出空間形成位置に位置する下側ガードとをさらに含む、基板処理装置。

Ａ１に記載の発明によれば、基板の上面に供給された処理液は、基板の回転に基づく遠心力によって、基板の周縁部よりも径方向の外方の環状案内部材の上側案内面上に案内される。そのため、上側案内面上の処理液は径方向の外方に向かう連続流（液膜）を形成し、環状案内部材の外方に排出される。
上側ガードは、上側延設部が上側案内面の径方向外方端に近接する案内面近接位置に配置される。そのため、環状案内部材から排出される処理液は、連続流の状態を維持したまま、上側案内面の径方向外方端に近接する上側ガードの上側延設部を伝って径方向の外方にさらに移動する。そのため、処理液が上側ガードに衝突して液滴状態の処理液が跳ね返ることを抑制できる。

処理液は上側ガードの上側延設部を伝いながら処理液排出空間を通るため、仮に、何らかの原因で上側延設部を伝う処理液からミストが発生した場合であっても、ミストは下側延設部に上方から付着し、処理液排出空間外へのミストの移動が阻止される。したがって、処理液排出空間への処理液のミストの拡散を抑制できる。よって、処理液のミストが基板の周囲を漂って最終的に基板に付着することを抑制できる。

以上により、基板から排出される処理液が周囲の部材に衝突することに起因する基板の汚染を効率的に抑制することができる。
Ａ２．前記上側案内面は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の周縁部よりも前記径方向の外方に処理液を液膜の状態で案内し、液膜の状態の処理液を前記案内近接位置に位置する前記上側ガードの前記上側延設部の下面に接触させる、項Ａ１に記載の基板処理装置。処理液は、液膜の状態で上側延設部の下面に接触するので、上側延設部の下面に液膜の状態を維持したまま伝う。そのため、処理液が上側案内面から上側延設部の下面へ移る際に、処理液の流れが乱されない。これにより、処理液のミストの発生を抑制できる。
Ａ３．前記上側ガードが、前記案内面近接位置に位置するとき、鉛直方向における前記上側延設部の下面と前記上側案内面との間の距離が、前記上側案内面上の前記液膜の厚みと等しい、項Ａ２に記載の基板処理装置。そのため、環状案内部材から排出された液膜状態の処理液が上側延設部の径方向内方端に衝突して処理液が径方向内方に飛び散ることを抑制できる。
Ａ４．前記基板保持ユニットが、ベースと、前記ベースの上面から上方に間隔を空けた位置で前記基板を把持するチャックピンとを含み、
前記基板回転ユニットが、前記ベースを回転させることによって、前記基板保持ユニットに保持されている基板を回転させるスピンモータを有し、
前記環状案内部材と前記ベースの上面とを連結し、前記ベースに対する前記環状案内部材の位置を固定する固定部材をさらに含む、項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。この項によれば、基板の回転とともに環状案内部材を回転させることができる。そのため、環状案内部材の上側案内面上に存在する処理液にも基板の回転に起因する遠心力を作用させることができる。そのため、処理液を環状案内部材から効率的に排出させることができる。

１：基板処理装置
１Ｐ：基板処理装置
１Ｑ：基板処理装置
１Ｒ：基板処理装置
１Ｓ：基板処理装置
１Ｔ：基板処理装置
１Ｕ：基板処理装置
１Ｖ：基板処理装置
８：第１移動ノズル（上側処理液供給ユニット）
９：第２移動ノズル（上側処理液供給ユニット）
１０：第３移動ノズル（上側処理液供給ユニット）
１１：第４移動ノズル（上側処理液供給ユニット）
１２：下面ノズル（下側処理液供給ユニット）
１３：外側環状部材（第１外側環状案内部）
１３Ｔ：第１外側環状部材（第１外側環状案内部）
１４：内側環状部材（内側環状案内部）
１５：外側環状案内部（第２外側環状案内部）
１５Ｔ：第２外側環状部材（第２外側環状案内部）
１７：連結部材
２０：チャックピン（基板保持ユニット）
２１：スピンベース（基板保持ユニット）
２３：スピンモータ（基板回転ユニット）
６６：処理液排出空間
６７：捕獲空間
６０：上側案内面
６１：下側案内面
６３：内側案内面
７１：ガード
７１Ａ：第１ガード（下側ガード）
７１Ｂ：第２ガード（下側ガード、中間ガード）
７１Ｃ：第３ガード（上側ガード）
７１Ｄ：第４ガード（捕獲用ガード）
１０４：支持面
１１２：基板受け面
２７：連結部材昇降ユニット
１２０：隙間（ラビリンス隙間）
１２１：鉛直隙間
１２２：水平隙間
１３０：内側部分
１３１：外側部分
１４０：対向案内面
Ｒ：径方向
ＲＩ：径方向内方
ＲＯ：径方向外方
Ｗ：基板
ＣＲ：搬送ロボット（基板搬送ユニット）
Ａ１：基板回転軸線(鉛直軸線)

Claims

基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の中央部を通る鉛直軸線まわりに前記基板保持ユニットを回転させる基板回転ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて処理液を供給する上側処理液供給ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を平面視で取り囲む第１環状案内部であって、前記基板保持ユニットに保持されている基板を前記基板回転ユニットに回転させるときに、当該基板の上面に存在する処理液を遠心力によって当該基板の上面の周縁部よりも、前記鉛直軸線を中心とする径方向の外方に案内する上側案内面を有する第１環状案内部と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を平面視で取り囲む第２環状案内部であって、前記上側案内面に間隔を空けて上方から対向し、前記上側案内面上に存在する処理液を、前記上側案内面とともに前記径方向の外方に案内する対向案内面を有する第２環状案内部と、
前記径方向に延びる上側延設部を有し、前記上側延設部の下面が前記上側案内面に近接する案内面近接位置に配置された状態で前記第１環状案内部から排出される処理液を受ける上側ガードと、
前記上側延設部に下方から対向し前記径方向に延びる下側延設部を有し、前記第１環状案内部から排出される処理液が通る処理液排出空間を前記上側延設部とともに前記下側延設部が形成する排出空間形成位置に位置する下側ガードとをさらに含む、基板処理装置。
前記基板保持ユニットに保持されている基板の下面に向けて処理液を供給する下側処理液供給ユニットをさらに含み、
前記第１環状案内部が、前記基板保持ユニットに保持されている基板を前記基板回転ユニットに回転させるときに、当該基板の上面に存在する処理液を遠心力によって当該基板の下面の周縁部よりも外方に案内する下側案内面を有し、
前記排出空間形成位置は、前記径方向の内方における前記下側延設部の端部が前記第１環状案内部の前記下側案内面よりも下方に位置する位置であり、
前記下側処理液供給ユニットは、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて前記上側処理液供給ユニットから処理液が供給されている間に処理液の供給を開始する、請求項１に記載の基板処理装置。
前記基板保持ユニットに保持されている基板の下面に向けて処理液を供給する下側処理液供給ユニットをさらに含み、
前記第１環状案内部が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の下面に存在する処理液を、前記径方向において当該基板の下面の周縁部よりも外方に案内する下側案内面を有し、
前記排出空間形成位置は、前記径方向の内方における前記下側延設部の端部が鉛直方向において前記第１環状案内部の前記上側案内面と前記下側案内面との間に位置する位置である、請求項１に記載の基板処理装置。
前記上側延設部に下方から対向し前記下側延設部に上方から対向し前記径方向に延びる中間延設部を有し、前記上側延設部の下面に沿って前記径方向の外方に流れる処理液が前記中間延設部の下面に案内されるように前記中間延設部が前記上側延設部に接触するガード接触位置に配置可能な中間ガードをさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記上側延設部に上方から対向し、前記上側延設部との間に処理液のミストを捕獲する捕獲空間が形成する捕獲用ガードをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の周縁部に上方から対向し、前記第２環状案内部に前記径方向の内方から近接して対向する内側環状部をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記基板保持ユニットが、ベースと、前記ベースの上面から上方に間隔を空けた位置で前記基板を下方から支持する支持面、および、前記支持面に支持された基板に対して前記径方向の外方から接離可能であり、前記支持面に支持された基板に接触することで当該基板を把持する把持部を有する複数のチャックピンとを含み、
基板を下方から受ける基板受け面を有し、前記内側環状部と前記ベースとを連結する連結部材と、
前記基板受け面に基板を載置し、前記基板受け面から基板を搬出する基板搬送ユニットと、
前記基板受け面と前記支持面との間で前記基板の受け渡しが行われる第１基板受渡位置よりも下方の退避位置と、前記基板受け面と前記基板搬送ユニットとの間で前記基板の受け渡しが行われる第２基板受渡位置との間で前記連結部材を昇降させる連結部材昇降ユニットとをさらに含み、
前記連結部材が前記退避位置に位置するときに、前記内側環状部が前記第２環状案内部に前記径方向の内方から近接して対向する、請求項６に記載の基板処理装置。
前記内側環状部が、前記上側案内面と、前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面の周縁部との両方に上方から対向し、
前記内側環状部と前記第２環状案内部との間の隙間が、前記上側案内面の上方に位置する、請求項６または７に記載の基板処理装置。
前記内側環状部と前記第２環状案内部との間の隙間が、ラビリンス隙間である、請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記内側環状部が、基板の上面の周縁部に上方から対向し、前記第２環状案内部の径方向内方端に前記径方向の内方から近接して対向する内側部分と、前記内側部分から前記径方向の外方に延び、前記第２環状案内部に上方から対向する外側部分とを有し、
前記ラビリンス隙間が、前記内側部分と前記第２環状案内部との間に形成された鉛直隙間と、前記外側部分と前記第２環状案内部との間に形成され前記鉛直隙間の上端から前記径方向の外方に向かって延びる水平隙間とを含む、請求項９に記載の基板処理装置。
前記第２環状案内部と前記上側ガードとが一体に形成されており、
前記対向案内面と前記上側延設部の下面とが連結されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記第２環状案内部が、前記上側ガードと分離して形成され、前記基板保持ユニットによって支持されており、
前記第２環状案内部が、前記上側延設部に前記径方向の内方から近接して対向する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
基板を水平に保持する基板保持工程と、
前記基板の中央部を通る鉛直軸線まわりに前記基板を回転させながら前記基板の上面に向けて処理液を供給する上側処理液供給工程と、
前記鉛直軸線を中心とする径方向において当該基板の周縁部よりも外方に配置され平面視で前記基板を取り囲む第１環状案内部の上側案内面上に、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記基板の上面に存在する処理液を案内する上側処理液案内工程と、
前記上側案内面に間隔を空けて上方から対向する対向案内面を有し前記基板を取り囲む第２環状案内部の前記対向案内面と前記上側案内面とによって、前記上側案内面上に存在する処理液を、前記径方向の外方に案内して、前記第１環状案内部よりも前記径方向の外方へ排出する上側処理液排出工程と、
前記径方向の内方に延びる上側延設部を有する上側ガードを、前記上側延設部の下面が前記上側案内面に近接する案内面近接位置に配置することによって、前記第１環状案内部から排出される処理液を、前記上側延設部の下面に沿わせながら前記径方向の外方に案内する排出処理液案内工程と、
前記上側延設部に下方から対向し前記径方向に延びる下側延設部を有する下側ガードを排出空間形成位置に配置することによって、前記第１環状案内部から排出される処理液が通る処理液排出空間を前記上側ガードとともに形成する排出空間形成工程とを含む、基板処理方法。
前記第１環状案内部が、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記径方向の外方に前記基板の下面の処理液を案内する下側案内面を有し、
前記排出空間形成位置は、前記第１環状案内部の前記下側案内面よりも、前記径方向における前記下側延設部の端部が下方に位置する位置であり、
前記上側処理液排出工程の実行中に前記基板の下面への処理液の供給を開始する下側処理液供給工程と、
前記基板の下面に供給された処理液を、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記下側案内面に案内する下側処理液案内工程と、
前記下側案内面に案内された処理液を、前記下側案内面から前記上側延設部の下面に向けて飛散させて排出する下側処理液排出工程とをさらに含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
前記第１環状案内部が、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記径方向の外方に前記基板の下面の処理液を案内する下側案内面を有し、
前記排出空間形成位置は、前記径方向の内方における前記下側延設部の端部が鉛直方向において前記第１環状案内部の前記上側案内面と前記下側案内面との間に位置する位置であり、
前記鉛直軸線まわりに前記基板を回転させながら前記基板の下面に向けて処理液を供給する下側処理液供給工程と、
前記基板の下面に供給された処理液を、前記基板の回転に基づく遠心力によって、前記下側案内面に案内する下側処理液案内工程と、
前記下側案内面に案内された処理液を、前記下側延設部の下面に沿わせながら前記下側案内面から排出する下側処理液排出工程とをさらに含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
前記上側延設部に下方から対向し前記下側延設部に上方から対向し前記径方向に延びる中間延設部を有する中間ガードを配置する中間ガード配置工程と、
前記中間延設部が前記上側延設部に接触するガード接触位置に前記中間ガードを配置して、前記第１環状案内部から排出される処理液を受けるガードを切り換えるガード切換工程とをさらに含む、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記上側延設部に上方から対向する捕獲用ガードを配置して、前記上側処理液排出工程によって発生する処理液のミストを捕獲する捕獲空間を前記捕獲用ガードと前記上側延設部との間に形成する捕獲空間形成工程をさらに含む、請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。