JP2021034673A - Substrate treatment method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理方法に関し、特に、オゾンガスを用いた基板処理方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing method using ozone gas.
ウエハ(基板)上でレジスト膜を用いた工程が行われた後、多くの場合、基板からこのレジスト膜が除去される。特に、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたレジスト膜は除去されにくいことから、一般に、強い作用を有する洗浄液が用いられる。強い作用を有する洗浄液としては、硫酸・過酸化水素水・混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:SPM)が、従来から広く知られている。しかしながら、廃液処理の負担が大きいことなどから、近年、SPMを用いない基板処理方法が求められている。 In many cases, the resist film is removed from the substrate after the process using the resist film is performed on the wafer (substrate). In particular, since the resist film used as the implantation mask for the ion implantation process is difficult to remove, a cleaning solution having a strong action is generally used. As a cleaning solution having a strong action, sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, and a mixture (SPM) have been widely known. However, since the burden of waste liquid treatment is heavy, a substrate treatment method that does not use SPM has been required in recent years.
特開2008−153605号公報によれば、気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて基板を洗浄する基板洗浄方法が開示されている。ここで、当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦50nmである。また、生成したオゾン水を処理槽に供給する前に加熱することが開示されている。加熱温度としては、30℃〜80℃の範囲が例示されている。上記公報によれば、以下の第1および第2の議論が主張されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-15365 discloses a substrate cleaning method for cleaning a substrate using ozone water generated without additives by a gas-liquid mixing method. Here, the particle size R of the ozone bubbles contained in the ozone water is 0 <R ≦ 50 nm. Further, it is disclosed that the generated ozone water is heated before being supplied to the treatment tank. The heating temperature is exemplified in the range of 30 ° C. to 80 ° C. According to the above gazette, the following first and second discussions are asserted.
第1に、粒径を50nm以下に抑えたことによりオゾン気泡がオゾン水から受ける浮力が極めて小さいので、オゾン気泡が水面まで上昇しづらい。つまり、オゾン水中に安定して滞留する。安定して滞留するオゾン気泡は、オゾン水が基板等と衝突したときの衝撃により脱気することも極めて少ない。これらが、オゾン脱気の有効抑制を実現する。 First, since the buoyancy of ozone bubbles received from ozone water is extremely small because the particle size is suppressed to 50 nm or less, it is difficult for ozone bubbles to rise to the water surface. That is, it stably stays in ozone water. Ozone bubbles that stay stably are rarely degassed by the impact when ozone water collides with a substrate or the like. These realize effective suppression of ozone degassing.
第2に、オゾン水の温度を洗浄のために適切な温度まで高めることによって、効率よく洗浄を行うことができる。適切な温度は、被洗浄体の性質、局所洗浄か全体洗浄かの違い、洗浄時間の長短その他の環境等に左右される場合があるが、概ね高いほうが好ましい。他方、オゾンは水温が低いほうが溶解しやすいため、オゾン水を加熱すると脱気や熱分解し易くなることも事実である。この点、オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径は50nm以下であるから、加熱による膨張があってもなお受ける浮力は小さくてすむ。したがって、オゾン気泡は依然としてオゾン水の中に滞留して容易には脱気しない。オゾン水を80℃前後まで上昇させることができたのは、このオゾン気泡の粒径が充分に小さいからであると推測される。 Secondly, by raising the temperature of ozone water to an appropriate temperature for cleaning, cleaning can be performed efficiently. The appropriate temperature may depend on the properties of the object to be cleaned, the difference between local cleaning and overall cleaning, the length of the cleaning time, and other environments, but it is generally preferable that the temperature is high. On the other hand, since ozone is more easily dissolved when the water temperature is lower, it is a fact that heating ozone water makes it easier to degas and thermally decompose. In this respect, since the particle size of ozone bubbles contained in ozone water is 50 nm or less, the buoyancy received is still small even if there is expansion due to heating. Therefore, ozone bubbles still stay in ozone water and are not easily degassed. It is presumed that the ozone water could be raised to around 80 ° C. because the particle size of the ozone bubbles was sufficiently small.
以上のように、上記公報によれば、容易に脱気しないことにより充分な洗浄効果を得ることができると主張されている。 As described above, according to the above publication, it is claimed that a sufficient cleaning effect can be obtained by not easily degassing.
本発明者らの検討によれば、上記公報に記載の技術において、処理液としてのオゾン水が加熱されずに用いられる場合、基板への作用が不十分なことが多かった。オゾン濃度を高めれば作用も強くなるものの、通常、オゾン水中のオゾン濃度は80ppm程度が上限である。そこで、オゾンによる化学的作用を促進するために、ある程度の温度までの加熱が望まれる。上記公報の技術において、処理液としてのオゾン水の加熱は、処理槽に処理液が供給される前に行われる。本発明者らの検討によれば、この場合、オゾン気泡が処理液中に高濃度で分散された状態を処理液のユースポイント(POU:Point of Use)まで維持しにくくなる。その結果、微小なオゾン気泡を混合することによって得られる特有の効果は小さくなる。よって、オゾンによる処理効果が弱くなってしまう。 According to the studies by the present inventors, in the technique described in the above publication, when ozone water as a treatment liquid is used without heating, the action on the substrate is often insufficient. Although the action becomes stronger as the ozone concentration is increased, the ozone concentration in ozone water is usually limited to about 80 ppm. Therefore, in order to promote the chemical action of ozone, heating to a certain temperature is desired. In the technique of the above publication, the heating of ozone water as a treatment liquid is performed before the treatment liquid is supplied to the treatment tank. According to the study by the present inventors, in this case, it becomes difficult to maintain the state in which ozone bubbles are dispersed in the treatment liquid at a high concentration until the point of use (POU) of the treatment liquid. As a result, the unique effect obtained by mixing minute ozone bubbles is reduced. Therefore, the treatment effect of ozone is weakened.
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板へのオゾンの作用を強めることができる基板処理方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of strengthening the action of ozone on a substrate.
第1の態様は、基板処理方法であって、第1の面と第1の面と反対の第2の面とを有する基板を保持する工程と、基板の第2の面へ、オゾンガスを含有する粒径50nm以下の気泡が混入された処理液を供給する工程と、基板の処理のためのユースポイントで処理液を加熱する工程と、を備える。なお、処理液には、粒径50nm以下の気泡に加えて、粒径50nmを超える気泡が混入されてもよい。 The first aspect is a substrate processing method, which comprises a step of holding a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and containing ozone gas in the second surface of the substrate. The process includes a step of supplying a treatment liquid mixed with bubbles having a particle size of 50 nm or less, and a step of heating the treatment liquid at a use point for processing the substrate. In addition to bubbles having a particle size of 50 nm or less, bubbles having a particle size of more than 50 nm may be mixed in the treatment liquid.
第2の態様は、第1の態様の基板処理方法であって、基板を保持する工程は、基板の第2の面が下方を向くように行われる。 The second aspect is the substrate processing method of the first aspect, and the step of holding the substrate is performed so that the second surface of the substrate faces downward.
第3の態様は、第1または第2の態様の基板処理方法であって、処理液を加熱する工程は、基板を第1の面から加熱する工程を含む。 The third aspect is the substrate processing method of the first or second aspect, and the step of heating the treatment liquid includes a step of heating the substrate from the first surface.
第4の態様は、第1または第2の態様の基板処理方法であって、処理液を加熱する工程は、基板を第2の面から加熱する工程を含む。 The fourth aspect is the substrate processing method of the first or second aspect, and the step of heating the treatment liquid includes a step of heating the substrate from the second surface.
第5の態様は、第1または第2の態様の基板処理方法であって、処理液を加熱する工程は、基板を第1の面および第2の面から同時に加熱する工程を含む。 A fifth aspect is the substrate processing method of the first or second aspect, and the step of heating the treatment liquid includes a step of simultaneously heating the substrate from the first surface and the second surface.
第6の態様は、第1から第5の態様のいずれかの基板処理方法であって、処理液を供給する工程は、基板の第2の面へ向かって処理液を吐出する工程を含む。 A sixth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to fifth aspects, and the step of supplying the processing liquid includes a step of discharging the processing liquid toward the second surface of the substrate.
第7の態様は、第1から第5の態様のいずれかの基板処理方法であって、処理液を供給する工程は、処理槽内に貯留された処理液中へ基板の第2の面を浸漬させる工程を含む。 A seventh aspect is the substrate processing method according to any one of the first to fifth aspects, and in the step of supplying the processing liquid, the second surface of the substrate is put into the processing liquid stored in the processing tank. Includes a step of immersion.
第8の態様は、第7の態様の基板処理方法であって、基板の第2の面を浸漬させる工程は、基板の第1の面が処理液の液面よりも上方に位置するように行われる。 The eighth aspect is the substrate processing method of the seventh aspect, and the step of immersing the second surface of the substrate is such that the first surface of the substrate is located above the liquid surface of the treatment liquid. Will be done.
第9の態様は、第7または第8の態様の基板処理方法であって、基板の第2の面を浸漬させる工程は、処理液が貯留された処理槽を密閉する工程を含む。 A ninth aspect is the substrate processing method of the seventh or eighth aspect, and the step of immersing the second surface of the substrate includes a step of sealing the processing tank in which the processing liquid is stored.
第10の態様は、第1から第9の態様のいずれかの基板処理方法であって、処理液は水を含む。 A tenth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to ninth aspects, wherein the treatment liquid contains water.
第11の態様は、第10の態様の基板処理方法であって、処理液はアンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかを含む。 The eleventh aspect is the substrate processing method of the tenth aspect, and the treatment liquid contains at least one of ammonia and hydrogen peroxide.
第12の態様は、第1から第9の態様のいずれかの基板処理方法であって、処理液を生成する工程をさらに備える。処理液を生成する工程は、オゾンガスを含有する粒径50nm以下の気泡を、オゾン水を含む水溶液に混入する工程を含む。 A twelfth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to ninth aspects, further comprising a step of producing a processing liquid. The step of producing the treatment liquid includes a step of mixing bubbles having a particle size of 50 nm or less containing ozone gas into an aqueous solution containing ozone water.
第13の態様は、第12の態様の基板処理方法であって、水溶液はアンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかを含む。 A thirteenth aspect is the substrate treatment method of the twelfth aspect, wherein the aqueous solution contains at least one of ammonia and hydrogen peroxide.
第1の態様によれば、処理液がユースポイントで加熱されるので、ユースポイント直前まで処理液の温度を比較的低く抑えることができる。これにより、オゾン気泡が処理液中に高濃度で分散された状態をユースポイントまで維持しやすい。よって、オゾン気泡を基板の第2の面へ高濃度で供給することができる。そして処理液がユースポイントで加熱されることで、気泡が膨張する。これにより、気泡の表面積が大きくなるので、気泡が基板の第2の面に接触しやすくなる。基板の第2の面に接触した気泡と、基板の第2の面との間には、処理液の薄膜が形成される。処理液のこの薄膜は、気泡に隣接することによって、高いオゾン濃度を有する。さらに、上述した加熱によって、この薄膜のオゾンは、高い温度を有する。よって処理液のこの薄膜中のオゾンは、高い濃度と高い温度との両方を有するので、この薄膜に接する基板の第2の面はオゾンの作用を強く受ける。以上から、基板へのオゾンの作用を強めることができる。 According to the first aspect, since the treatment liquid is heated at the use point, the temperature of the treatment liquid can be kept relatively low until immediately before the use point. As a result, it is easy to maintain a state in which ozone bubbles are dispersed in the treatment liquid at a high concentration until the point of use. Therefore, ozone bubbles can be supplied to the second surface of the substrate at a high concentration. Then, when the treatment liquid is heated at the point of use, the bubbles expand. As a result, the surface area of the bubbles is increased, so that the bubbles can easily come into contact with the second surface of the substrate. A thin film of the treatment liquid is formed between the bubbles in contact with the second surface of the substrate and the second surface of the substrate. This thin film of treatment liquid has a high ozone concentration by being adjacent to bubbles. Furthermore, due to the heating described above, the ozone in this thin film has a high temperature. Therefore, since ozone in this thin film of the treatment liquid has both a high concentration and a high temperature, the second surface of the substrate in contact with the thin film is strongly affected by ozone. From the above, the action of ozone on the substrate can be strengthened.
第2の態様によれば、処理液が、基板の、下方を向いた第2の面へ供給される。これにより、供給された処理液の上方に基板の第2の面が位置する。そして処理液が加熱されることで、微小気泡が膨張する。膨張した気泡は処理液中で浮上しやすくなる。言い換えれば、気泡が基板の第2の面の方へ移動しやすくなる。これにより気泡が基板の第2の面に、より接触しやすくなる。よって基板へのオゾンの作用を、より強めることができる。 According to the second aspect, the treatment liquid is supplied to the downward facing second surface of the substrate. As a result, the second surface of the substrate is positioned above the supplied processing liquid. Then, when the treatment liquid is heated, the microbubbles expand. The expanded bubbles tend to float in the treatment liquid. In other words, the bubbles are more likely to move toward the second surface of the substrate. This makes it easier for the bubbles to come into contact with the second surface of the substrate. Therefore, the action of ozone on the substrate can be further strengthened.
第3の態様によれば、処理液を加熱する工程は、基板を第1の面から加熱する工程を含む。これにより、加熱の悪影響が第2の面上に及びにくくなる。 According to the third aspect, the step of heating the treatment liquid includes a step of heating the substrate from the first surface. This makes it difficult for the adverse effects of heating to reach the second surface.
第4の態様によれば、処理液を加熱する工程は、基板を第2の面から加熱する工程を含む。これにより、第1の面および第2の面のうち処理される面である第2の面を優先的に加熱することができる。 According to the fourth aspect, the step of heating the treatment liquid includes a step of heating the substrate from the second surface. As a result, the second surface, which is the surface to be processed among the first surface and the second surface, can be preferentially heated.
第5の態様によれば、処理液を加熱する工程は、基板を第1の面および第2の面から同時に加熱する工程を含む。これにより、処理される面である第2の面が十分に加熱されやすくなる。 According to the fifth aspect, the step of heating the treatment liquid includes a step of simultaneously heating the substrate from the first surface and the second surface. This makes it easier for the second surface, which is the surface to be treated, to be sufficiently heated.
第6の態様によれば、処理液を供給する工程は、基板の第2の面へ向かって処理液を吐出する工程を含む。これにより基板の第2の面へ向かって処理液を新たに供給し続けることができる。よって、オゾンの作用が失活によって弱まることが避けられる。 According to the sixth aspect, the step of supplying the treatment liquid includes a step of discharging the treatment liquid toward the second surface of the substrate. As a result, the processing liquid can be continuously supplied toward the second surface of the substrate. Therefore, it is possible to prevent the action of ozone from being weakened by deactivation.
第7の態様によれば、処理液を供給する工程は、処理槽内に貯留された処理液中へ基板の第2の面を浸漬させる工程を含む。これにより、処理液中の気泡が膨張して基板の第2の面の方へ移動する時間を、より長く確保することができる。 According to the seventh aspect, the step of supplying the treatment liquid includes a step of immersing the second surface of the substrate in the treatment liquid stored in the treatment tank. As a result, it is possible to secure a longer time for the bubbles in the treatment liquid to expand and move toward the second surface of the substrate.
第8の態様によれば、基板の第2の面を浸漬させる工程は、基板の第1の面が処理液の液面よりも上方に位置するように行われる。これにより、基板の第2の面の高さが、気泡の密度が高くなりやすい液面に近くなる。よって、気泡が基板の第2の面に、より接触しやすくなる。よって基板へのオゾンの作用を、より強めることができる。 According to the eighth aspect, the step of immersing the second surface of the substrate is performed so that the first surface of the substrate is located above the liquid surface of the treatment liquid. As a result, the height of the second surface of the substrate becomes close to the liquid level where the density of bubbles tends to increase. Therefore, the air bubbles are more likely to come into contact with the second surface of the substrate. Therefore, the action of ozone on the substrate can be further strengthened.
第9の態様によれば、基板の第2の面を浸漬させる工程は、処理液が貯留された処理槽を密閉する工程を含む。これにより、オゾンが処理液から逃げにくくなる。よって、基板へのオゾンの作用を、より強めることができる。 According to the ninth aspect, the step of immersing the second surface of the substrate includes a step of sealing the treatment tank in which the treatment liquid is stored. This makes it difficult for ozone to escape from the treatment liquid. Therefore, the action of ozone on the substrate can be further strengthened.
第10の態様によれば、処理液は水を含む。これにより、基板へオゾン水を作用させることができる。 According to the tenth aspect, the treatment liquid contains water. As a result, ozone water can be allowed to act on the substrate.
第11の態様によれば、処理液はアンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかを含む。これにより、基板の処理を促進することができる。 According to the eleventh aspect, the treatment liquid contains at least one of ammonia and hydrogen peroxide. Thereby, the processing of the substrate can be promoted.
第12の態様によれば、処理液を生成する工程は、オゾンガスを含有する粒径50nm以下の気泡を、オゾン水を含む水溶液に混入する工程を含む。これにより、基板へのオゾンの作用を、より強めることができる。 According to the twelfth aspect, the step of producing the treatment liquid includes a step of mixing bubbles having a particle size of 50 nm or less containing ozone gas into an aqueous solution containing ozone water. Thereby, the action of ozone on the substrate can be further strengthened.
第13の態様によれば、水溶液はアンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかを含む。これにより、基板の処理を促進することができる。 According to a thirteenth aspect, the aqueous solution contains at least one of ammonia and hydrogen peroxide. Thereby, the processing of the substrate can be promoted.
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings below, the same or corresponding parts are given the same reference numbers and the explanations are not repeated.
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態1における基板処理システムの構成を概略的に示すブロック図である。基板処理システムは、インデクサ310と、反転機構320と、センターロボット330(搬送機構)と、処理装置101(基板処理装置)と、処理装置201と、制御部90(コントローラ)とを有している。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram schematically showing a configuration of a substrate processing system according to the first embodiment. The board processing system includes an
インデクサ310は、ウエハ(基板)の送り出しおよび受け取りが可能な機構である。反転機構320は、インデクサ310とセンターロボット330との間に配置されており、これらの間を通過するウエハを反転する。センターロボット330は、処理装置101および処理装置201の各々と反転機構320との間でウエハの搬送を行う。
The
処理装置101は、ウエハに付着した有機物を除去する処理に用いることができる枚葉式の装置である。この有機物は、典型的には、使用済のレジスト膜である。このレジスト膜は、例えば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。
The
処理装置201は、処理装置101と同様のものであってもよく、異なるものであってもよい。なお基板処理システムが有する処理装置の数は任意である。
The
図2は、制御部90(図1)の構成を概略的に示すブロック図である。制御部90は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部90は、CPU(Central Processing Unit)91、ROM(Read Only Memory)92、RAM(Random Access Memory)93、記憶装置94、入力部96、表示部97および通信部98と、これらを相互接続するバスライン95とを有している。
FIG. 2 is a block diagram schematically showing the configuration of the control unit 90 (FIG. 1). The
ROM92は基本プログラムを格納している。RAM93は、CPU91が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置94は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置等の不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部96は、各種スイッチまたはタッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の入力設定指示を受ける。表示部97は、例えば液晶表示装置およびランプ等により構成されており、CPU91による制御の下、各種の情報を表示する。通信部98は、LAN(Local Area Network)等を介してのデータ通信機能を有している。記憶装置94には、基板処理システム(図1)を構成する各装置の制御についての複数のモードが予め設定されている。CPU91が処理プログラム94Pを実行することによって、上記複数のモードのうちの1つのモードが選択され、該モードによって各装置が制御される。また、処理プログラム94Pは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部90に処理プログラム94Pをインストールすることができる。また制御部90が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要は無く、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。
The
図3は、処理装置101の構成を概略的に示す断面図である。処理装置101は、処理液供給部121と、加熱部141と、保持部151とを有している。なお図中、処理装置101に加えて、それによって処理されるウエハWF(基板)も図示されている。ウエハWFは、裏面S1(第1の面)と、処理面S2(第1の面と反対の第2の面)とを有している。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the
処理液供給部121は、脱イオン水(DIW:De-Ionized Water)源21と、オゾンガス源22と、気泡生成器23と、処理液ノズル31とを有している。気泡生成器23は、オゾンガスを脱イオン水に混合する。これにより、脱イオン水中に、オゾンガスを含有する粒径50nm以下の気泡が混入される。以下において、このような粒径を有する気泡のことを微小気泡とも称する。微小気泡の粒径分布は、典型的には1nm以上の粒径を有するものを含み、例えば、10nm程度程度のものを特に多く含む。オゾンガスを含有する微小気泡が混入された脱イオン水は、処理装置101において処理液として用いられることになる。なお、処理液には、微小気泡に加えて、粒径50nmを超える気泡が混入されてもよい。処理液ノズル31は、上方を向いた先端を有しており、ウエハWFの処理面S2へ向かって処理液を、矢印D2に示すように吐出する。
The treatment
加熱部141はランプヒータ41を有している。ランプヒータ41は、ウエハWFの裏面S1に向かって光LTを放射する。光LTを吸収することによって裏面S1が加熱される。よって光LTは、ウエハWFが吸収しやすい波長の光を含むことが好ましい。ランプヒータ41は、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)を有していることが好ましい。
The
また加熱部141は、ランプヒータ41を保持するアーム56と、回転軸57と、回転角調整器58とを有していてよい。アクチュエータによって構成された回転角調整器58は回転軸57の回転角を、矢印AGに示すように調整する。アーム56は回転軸57から径方向へ延びている。回転角調整器58が動作することによって、裏面S1上において、ランプヒータ41からの光LTを強く受ける位置がスキャンされる。これにより裏面S1の加熱を、より均一に行うことができる。
Further, the
また加熱部141は、温水源51と、温水ノズル52とを有していてよい。温水ノズル52は、温水源51からの温水を裏面S1に供給する。裏面S1上の温水は、光LTによる裏面S1の急激な加熱を緩和する。これにより、不均一な加熱に起因してのウエハWFの反りを抑制することができる。温水ノズル52は、アーム56に取り付けられていてよく、これによりランプヒータ41の変位と、温水ノズル52の変位とを、容易に同期させることができる。なお温水の代わりに、冷水(加熱されていない水)が用いられてもよい。あるいは、温水源51および温水ノズル52が省略されてもよい。
Further, the
保持部151は、保持ピン11と、回転プレート61と、モータ65とを有している。保持ピン11はウエハWFを支持する。回転プレート61は保持ピン11を支持している。モータ65は回転プレート61を、矢印RTに示すように回転させる。この構成により、ウエハWFを回転させることができる。矢印D2のように吐出された処理液は、ウエハWFが回転しているので、遠心力によって、矢印SRに示すように、処理面S2全体にわたって広がる。
The holding
なお、処理装置101が有する、上述した各部の動作は、制御部90(図1)によって制御されてよい。
The operation of each of the above-described units of the
次に、本実施の形態のウエハ(基板)処理方法について、以下に説明する。 Next, the wafer (board) processing method of the present embodiment will be described below.
ステップS10(図4)を参照して、インデクサ310(図1)が反転機構320へウエハWFを送る。反転機構320へ送り出される時点では、ウエハWFの処理面S2は上方を向いている。ステップS20(図4)を参照して、反転機構320がウエハWFを反転することにより、ウエハWFの処理面S2が下方を向く。反転されたウエハWFは、センターロボット330(図1)によって処理装置101へ送られる。
With reference to step S10 (FIG. 4), the indexer 310 (FIG. 1) feeds the wafer WF to the reversing
ステップS30(図4)を参照して、保持ピン11(図3)がウエハWF(基板)を保持する。上記反転の結果として、この保持は、ウエハWFの処理面S2が下方を向くように行われる。次に、回転プレート61(図3)が回転することによって(矢印RT)、ウエハWFが回転させられる。 With reference to step S30 (FIG. 4), the holding pin 11 (FIG. 3) holds the wafer WF (board). As a result of the inversion, this holding is performed so that the processing surface S2 of the wafer WF faces downward. Next, the wafer WF is rotated by rotating the rotating plate 61 (FIG. 3) (arrow RT).
ステップS40(図4)を参照して、オゾンガスを含有する微小気泡が混入された処理液を処理液ノズル31が、ウエハWFの処理面S2へ向かって吐出する(矢印D2)。これにより、ウエハWFの処理面S2へ処理液が供給される。供給された処理液は、遠心力によって、矢印SRに示すように、処理面S2全体にわたって広がる。
With reference to step S40 (FIG. 4), the processing
ステップS50(図4)を参照して、加熱部141によって、ウエハWFが裏面S1から加熱される。具体的には、ランプヒータ41からの光LTが吸収されることによって、ウエハWFの裏面S1が加熱される。裏面S1からの熱伝導によって処理面S2が加熱される。加熱された処理面S2からの熱伝導によって、処理面S2上で処理液が加熱される。好ましくは、処理液は、40℃以上、沸点未満の温度へと加熱され、より好ましくは、この温度範囲内において沸点に近い温度まで加熱される。処理面S2上の位置(言い換えれば、処理面S2の直下の位置)は、処理液がウエハWFへ作用する位置、すなわち、ウエハWFの処理のためのユースポイントである。よって、上記加熱によって処理液が、ウエハWFの処理のためのユースポイントで加熱される。加熱された処理液が処理面S2に作用することによって、ウエハWFの処理が行われる。具体的には、ウエハWFの洗浄、例えばレジスト除去、が行われる。
With reference to step S50 (FIG. 4), the wafer WF is heated from the back surface S1 by the
ステップS60(図4)を参照して、上記洗浄工程の後、ウエハWFのリンス工程が行われる。リンス工程は、処理装置101(図3)によって行われてもよく、あるいは処理装置201(図1)によって行われてもよい。処理装置101が用いられる場合は、気泡生成器23(図3)が脱イオン水源21からの脱イオン水を、オゾンガスを混合することなくそのまま処理液ノズル31へ送ればよい。リンス工程後、例えばスピンドライによって、ウエハWFが乾燥される。乾燥されたウエハWFは、センターロボット330(図1)によって反転機構320へ送られる。
With reference to step S60 (FIG. 4), the wafer WF rinsing step is performed after the cleaning step. The rinsing step may be performed by the processing device 101 (FIG. 3) or may be performed by the processing device 201 (FIG. 1). When the
ステップS70(図4)を参照して、反転機構320(図1)がウエハWFを反転することにより、ウエハWFの処理面S2が再び上方を向く。ステップS80(図4)を参照して、インデクサ310(図1)が反転機構320からウエハWFを受ける。
With reference to step S70 (FIG. 4), the inversion mechanism 320 (FIG. 1) inverts the wafer WF so that the processing surface S2 of the wafer WF faces upward again. With reference to step S80 (FIG. 4), the indexer 310 (FIG. 1) receives the wafer WF from the reversing
以上により、ウエハWFへの処理が完了する。 With the above, the processing to the wafer WF is completed.
本実施の形態によれば、処理液がユースポイントで加熱されるので、ユースポイント直前まで処理液の温度を比較的低く抑えることができる。これにより、オゾンの微小気泡が処理液中に高濃度で分散された状態をユースポイントまで維持しやすい。よって、オゾンの微小気泡をウエハWFの処理面S2へ高濃度で供給することができる。そして処理液がユースポイントで加熱されることで、気泡が膨張する。これにより、気泡の表面積が大きくなるので、気泡がウエハWFの処理面S2に接触しやすくなる。ウエハWFの処理面S2に接触した気泡と、ウエハWFの処理面S2との間には、処理液の薄膜が形成される。処理液のこの薄膜は、気泡に隣接することによって、高いオゾン濃度を有する。さらに、上述した加熱によって、この薄膜のオゾンは、高い温度を有する。よって処理液のこの薄膜中のオゾンは、高い濃度と高い温度との両方を有するので、この薄膜に接するウエハWFの処理面S2はオゾンの作用を強く受ける。以上から、ウエハWFへのオゾンの作用を強めることができる。 According to this embodiment, since the treatment liquid is heated at the use point, the temperature of the treatment liquid can be kept relatively low until just before the use point. As a result, it is easy to maintain a state in which fine ozone bubbles are dispersed in the treatment liquid at a high concentration until the point of use. Therefore, fine bubbles of ozone can be supplied to the processing surface S2 of the wafer WF at a high concentration. Then, when the treatment liquid is heated at the point of use, the bubbles expand. As a result, the surface area of the bubbles becomes large, so that the bubbles easily come into contact with the processing surface S2 of the wafer WF. A thin film of the processing liquid is formed between the air bubbles in contact with the processing surface S2 of the wafer WF and the processing surface S2 of the wafer WF. This thin film of treatment liquid has a high ozone concentration by being adjacent to bubbles. Furthermore, due to the heating described above, the ozone in this thin film has a high temperature. Therefore, since ozone in this thin film of the treatment liquid has both a high concentration and a high temperature, the treatment surface S2 of the wafer WF in contact with the thin film is strongly affected by ozone. From the above, the action of ozone on the wafer WF can be strengthened.
処理液は、ウエハWFの、下方を向いた処理面S2へ供給される。これにより、供給された処理液の上方にウエハWFの処理面S2が位置する。そして処理液が加熱されることで、微小気泡が膨張する。膨張した気泡は処理液中で浮上しやすくなる。言い換えれば、気泡がウエハWFの処理面S2の方へ移動しやすくなる。これにより気泡がウエハWFの処理面S2に、より接触しやすくなる。よってウエハWFへのオゾンの作用を、より強めることができる。 The processing liquid is supplied to the downwardly facing processing surface S2 of the wafer WF. As a result, the processing surface S2 of the wafer WF is positioned above the supplied processing liquid. Then, when the treatment liquid is heated, the microbubbles expand. The expanded bubbles tend to float in the treatment liquid. In other words, the air bubbles easily move toward the processing surface S2 of the wafer WF. This makes it easier for the bubbles to come into contact with the processing surface S2 of the wafer WF. Therefore, the action of ozone on the wafer WF can be further strengthened.
処理液の加熱は、ウエハWFを裏面S1から加熱することによって行われる。これにより、加熱の悪影響が処理面S2上に及びにくくなる。具体的には、ランプヒータ41からの光LT(図3)が、ウエハWFによって遮られることによって、処理面S2上には実質的に到達しなくなる。これにより、処理面S2上のレジストが光LTの感光作用によって硬化することが防止される。よって、硬化に起因してレジストが除去されにくくなることが防止される。よって、ウエハ処理の効果を高めることができる。
The treatment liquid is heated by heating the wafer WF from the back surface S1. As a result, the adverse effect of heating is less likely to reach the treated surface S2. Specifically, the light LT (FIG. 3) from the
処理液の供給は、ウエハWFの処理面S2へ向かって処理液を吐出することによって行われる。これによりウエハWFの処理面S2へ向かって処理液を新たに供給し続けることができる。よって、オゾンの作用が失活によって弱まることが避けられる。 The processing liquid is supplied by discharging the processing liquid toward the processing surface S2 of the wafer WF. As a result, the processing liquid can be continuously supplied toward the processing surface S2 of the wafer WF. Therefore, it is possible to prevent the action of ozone from being weakened by deactivation.
処理液は水を含む。これにより、ウエハWFへオゾン水を作用させることができる。 The treatment liquid contains water. As a result, ozone water can be allowed to act on the wafer WF.
(実施の形態1の変形例)
ウエハWFの加熱方法は、上述した方法に限定されるものではない。ウエハWF(図3)は、裏面S1に代わって処理面S2から加熱されてもよい。これにより、裏面S1および処理面S2のうち処理される面である処理面S2を優先的に加熱することができる。処理面S2からの加熱は、例えば、ヒータ43(後述する図6参照)を用いて行うことができる。あるいは、ウエハWFは、裏面S1および処理面S2から同時に加熱されてもよい。これにより処理面S2が十分に加熱されやすくなる。
(Modified Example of Embodiment 1)
The method for heating the wafer WF is not limited to the method described above. The wafer WF (FIG. 3) may be heated from the processing surface S2 instead of the back surface S1. As a result, the processed surface S2, which is the surface to be processed among the back surface S1 and the processed surface S2, can be preferentially heated. Heating from the processing surface S2 can be performed using, for example, a heater 43 (see FIG. 6 described later). Alternatively, the wafer WF may be heated simultaneously from the back surface S1 and the processing surface S2. This makes it easier for the treated surface S2 to be sufficiently heated.
処理液中の水は、アンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかを含んでいてよく、その両方を含んでいてもよい。これによりウエハWFの処理を促進することができる。 The water in the treatment liquid may contain at least one of ammonia and hydrogen peroxide, and may contain both of them. Thereby, the processing of the wafer WF can be promoted.
処理液は、オゾンガスを含有する微小気泡を、予めオゾン水を含む水溶液に混入することによって生成されてもよい。そのためには、脱イオン水源21に代わって、オゾン水源が用いられればよい。これにより、ウエハWFへのオゾンの作用を、より強めることができる。さらに、上記水溶液は、アンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかを含んでいてよく、その両方を含んでいてもよい。これにより、ウエハWFの処理を促進することができる。
The treatment liquid may be generated by mixing fine bubbles containing ozone gas with an aqueous solution containing ozone water in advance. For that purpose, an ozone water source may be used instead of the
(実施の形態2)
図5は、本実施の形態2における処理装置102(基板処理装置)の構成を概略的に示す断面図である。処理装置102は、基板処理システム(図1)において、処理装置101(図3:実施の形態1)の代わりに用いることができる。処理装置102は、処理液供給部122と、加熱部としてのヒータ42と、ウエハWFの保持部としての保持リング12とを有している。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the processing device 102 (board processing device) according to the second embodiment. The
処理液供給部122は、処理液ノズル31(図3:実施の形態1)に代わって処理液導入管32を有しており、さらに、バルブ24と、処理槽62とを有している。バルブ24は、処理液導入管32と気泡生成器23との間に配置されている。バルブ24が開状態の場合、処理液導入管32は処理液を、矢印IRに示すように処理槽62へ導入する。バルブ24が閉じられると、処理液導入管32からの処理液の導入が停止される。
The treatment
処理液が十分に導入された後は、ウエハWFの処理面S2の直下に、処理面S2に接するように処理液が満たされた領域が形成される。この領域は、鉛直方向に関しては、処理装置102の部材(例えば処理槽62および処理液導入管32)とウエハWFとによって挟まれることによって処理液が漏出されない状態、言い換えれば液密状態、にある。特に、バルブ24が閉状態とされれば、この領域は、鉛直方向に関しては、処理液が漏出も導入もされない状態にある。
After the treatment liquid is sufficiently introduced, a region filled with the treatment liquid is formed immediately below the treatment surface S2 of the wafer WF so as to be in contact with the treatment surface S2. In the vertical direction, this region is in a state in which the treatment liquid is not leaked by being sandwiched between the members of the treatment device 102 (for example, the
加熱部としてのヒータ42は、例えば、処理槽62に内蔵された発熱ヒータであってよい。ヒータ42は、ウエハWFの処理面S2に対向している。よってヒータ42によって、ウエハWFは処理面S2から加熱される。保持部としての保持リング12はウエハWFを、処理槽62内で支持する。
The
次に、本実施の形態のウエハ(基板)処理方法について、主に実施の形態1との相違点について、以下に説明する。 Next, the wafer (board) processing method of the present embodiment will be described below mainly with respect to the differences from the first embodiment.
ステップS30(図4)を参照して、保持リング12(図5)がウエハWFを保持する。この保持は、ウエハWFの処理面S2が下方を向くように行われる。本実施の形態においては、実施の形態1と異なり、ウエハWFは回転させられる必要がない。 With reference to step S30 (FIG. 4), the retaining ring 12 (FIG. 5) holds the wafer WF. This holding is performed so that the processing surface S2 of the wafer WF faces downward. In the present embodiment, unlike the first embodiment, the wafer WF does not need to be rotated.
ステップS40(図4)を参照して、オゾンガスを含有する微小気泡が混入された処理液LPを処理液導入管32が処理槽62へ導入する(矢印IR)。これにより処理槽62内に処理液LPが貯留される。処理液LPの導入につれて、その液面LSが上昇し、やがてウエハWFの処理面S2に達する。言い換えれば、処理槽62内に貯留された処理液LP中へ処理面S2が浸漬させられる。
With reference to step S40 (FIG. 4), the treatment
ステップS50(図4)を参照して、加熱部としてのヒータ42によって、ウエハWFが処理面S2から加熱される。具体的には、ヒータ42からの放熱によって、ウエハWFの処理面S2が加熱される。また、ヒータ42からの放熱によって、処理面S2上で処理液が加熱される。処理面S2上の位置(言い換えれば、処理面S2の直下の位置)は、処理液LPがウエハWFへ作用する位置、すなわち、ウエハWFの処理のためのユースポイントである。よって、上記加熱によって、ウエハWFの処理のためのユースポイントで処理液LPが加熱される。加熱された処理液LPが処理面S2に作用することによって、ウエハWFの処理が行われる。具体的には、ウエハWFの洗浄、例えばレジスト除去、が行われる。
With reference to step S50 (FIG. 4), the wafer WF is heated from the processing surface S2 by the
上述したウエハWFの処理面S2の浸漬は、裏面S1が処理液LPの液面LSよりも上方に位置するように行われることが好ましい。このような位置関係は、浸漬中に処理液を、矢印IRに示すように処理槽62へ導入し続けながら、処理面S2と裏面S1との間の高さで処理液LPを、矢印OFに示すようにオーバーフローさせるさせることによって実現されてよい。
The immersion of the processing surface S2 of the wafer WF described above is preferably performed so that the back surface S1 is located above the liquid surface LS of the processing liquid LP. In such a positional relationship, the treatment liquid LP is transferred to the arrow OF at the height between the treatment surface S2 and the back surface S1 while the treatment liquid is continuously introduced into the
なお、上記以外の構成および方法については、上述した実施の形態1またはその変形例の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。 Since the configurations and methods other than the above are almost the same as the configurations of the above-described first embodiment or its modified examples, the same or corresponding elements are designated by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
本実施の形態によっても、前述した実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。さらに本実施の形態においては、前述した実施の形態1と異なり、処理槽62内に貯留された処理液LP中へウエハWFの処理面S2が浸漬させられる。これにより、処理面S2に面する処理液の流れを、緩やかにするか、あるいは、実質的に停止させることができる。よって、ユースポイントでの加熱によって膨張した気泡が浮上する時間を、より長く確保することができる。言い換えれば、気泡がウエハWFの処理面S2の方へ移動する時間を、より長く確保することができる。これにより気泡がウエハWFの処理面S2に、より接触しやすくなる。よってウエハWFへのオゾンの作用を、より強めることができる。
The same effect as that of the first embodiment described above can be obtained by this embodiment as well. Further, in the present embodiment, unlike the first embodiment described above, the processing surface S2 of the wafer WF is immersed in the processing liquid LP stored in the
処理液LPの加熱は、ウエハWFを処理面S2から加熱することによって行われる。これにより、裏面S1および処理面S2のうち処理される面である処理面S2を優先的に加熱することができる。 The processing liquid LP is heated by heating the wafer WF from the processing surface S2. As a result, the processed surface S2, which is the surface to be processed among the back surface S1 and the processed surface S2, can be preferentially heated.
ウエハWFの処理面S2の浸漬が、ウエハWFの裏面S1が処理液の液面よりも上方に位置するように行われる場合、処理面S2の高さが、気泡の密度が高くなりやすい液面LSに近くなる。よって、気泡がウエハWFの処理面S2に、より接触しやすくなる。よってウエハWFへのオゾンの作用を、より強めることができる。 When the back surface S1 of the wafer WF is immersed in the processing surface S2 of the wafer WF so that the back surface S1 of the wafer WF is located above the liquid surface of the processing liquid, the height of the processing surface S2 tends to increase the density of bubbles. It will be closer to LS. Therefore, the air bubbles are more likely to come into contact with the processing surface S2 of the wafer WF. Therefore, the action of ozone on the wafer WF can be further strengthened.
(実施の形態2の変形例)
ウエハWFの加熱方法は、上述した方法に限定されるものではない。ウエハWFは、処理面S2に代わって裏面S1から加熱されてもよい。裏面S1からの加熱は、例えば、加熱部141(図3:実施の形態1)を用いて行うことができる。あるいは、ウエハWFは、裏面S1および処理面S2から同時に加熱されてもよい。これにより処理面S2が十分に加熱されやすくなる。
(Modified Example of Embodiment 2)
The method for heating the wafer WF is not limited to the method described above. The wafer WF may be heated from the back surface S1 instead of the processing surface S2. Heating from the back surface S1 can be performed using, for example, the heating unit 141 (FIG. 3: Embodiment 1). Alternatively, the wafer WF may be heated simultaneously from the back surface S1 and the processing surface S2. This makes it easier for the treated surface S2 to be sufficiently heated.
ウエハWFの処理面S2が浸漬されている際に、処理液LPが貯留された処理槽62が密閉されてもよい。これにより、オゾンが処理液LPから逃げにくくなる。よって、ウエハWFへのオゾンの作用を、より強めることができる。上記密閉は、例えば、処理槽62の縁と、保持リング12との間のギャップGPを設けないようにすることで得られる。その目的で、処理槽62の縁と、保持リング12との間に、Oリングのような封止用の部材が設けられてもよい。
When the processing surface S2 of the wafer WF is immersed, the
(実施の形態3)
図6は、本実施の形態3における処理装置103(基板処理装置)の構成を概略的に示す断面図である。処理装置103は、基板処理システム(図1)において、処理装置101(図3:実施の形態1)の代わりに用いることができ、その場合、反転機構320は不要である。
(Embodiment 3)
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the processing device 103 (board processing device) according to the third embodiment. The
処理装置103は、処理液供給部123と、加熱部としてのヒータ43と、保持部153とを有している。処理液供給部123は、処理液ノズル31(図3:実施の形態1)に代わって処理液ノズル33を有している。処理液ノズル33は、下方を向いた先端を有しており、ウエハWFの処理面S2へ向かって処理液を、矢印D2に示すように吐出する。
The
加熱部としてのヒータ43は、ウエハWFの裏面S1に向かって、矢印RDに示すように放熱する。これにより裏面S1が加熱される。ヒータ43のサイズを十分に大きくすることによって、実施の形態1で説明したような、ヒータのスキャン動作がなくても、加熱の均一性は、ある程度確保され得る。
The
保持部153は、保持ピン11と、回転リング63と、モータ65とを有している。回転リング63は保持ピン11を支持している。モータ65は回転リング63を回転させる。この構成によりウエハWFを、矢印RTに示すように回転させることができる。矢印D2のように吐出された処理液は、ウエハWFが回転しているので、遠心力によって、矢印SRに示すように処理面S2全体にわたって広がる。
The holding
処理装置103を用いてのウエハ(基板)処理方法においては、ウエハWFは、処理面S2が上方を向くように保持される。また処理液が加熱される際に、ウエハWFが裏面S1から加熱される。
In the wafer (board) processing method using the
なお、上記以外の構成および方法については、上述した実施の形態1またはその変形例の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。 Since the configurations and methods other than the above are almost the same as the configurations of the above-described first embodiment or its modified examples, the same or corresponding elements are designated by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
本実施の形態によれば、実施の形態1と同様、処理液がユースポイントで加熱されるので、ユースポイント直前まで処理液の温度を比較的低く抑えることができる。これにより、オゾン気泡が処理液中に高濃度で分散された状態をユースポイントまで維持しやすい。よって、オゾン気泡をウエハWFの処理面S2へ高濃度で供給することができる。そして処理液がユースポイントで加熱されることで、気泡が膨張する。これにより、気泡の表面積が大きくなるので、気泡がウエハWFの処理面S2に接触しやすくなる。ウエハWFの処理面S2に接触した気泡と、ウエハWFの処理面S2との間には、処理液の薄膜が形成される。処理液のこの薄膜は、気泡に隣接することによって、高いオゾン濃度を有する。さらに、上述した加熱によって、この薄膜のオゾンは、高い温度を有する。よって処理液のこの薄膜中のオゾンは、高い濃度と高い温度との両方を有するので、この薄膜に接するウエハWFの処理面S2はオゾンの作用を強く受ける。以上から、ウエハWFへのオゾンの作用を強めることができる。 According to the present embodiment, as in the first embodiment, the treatment liquid is heated at the use point, so that the temperature of the treatment liquid can be kept relatively low until immediately before the use point. As a result, it is easy to maintain a state in which ozone bubbles are dispersed in the treatment liquid at a high concentration until the point of use. Therefore, ozone bubbles can be supplied to the processing surface S2 of the wafer WF at a high concentration. Then, when the treatment liquid is heated at the point of use, the bubbles expand. As a result, the surface area of the bubbles becomes large, so that the bubbles easily come into contact with the processing surface S2 of the wafer WF. A thin film of the processing liquid is formed between the air bubbles in contact with the processing surface S2 of the wafer WF and the processing surface S2 of the wafer WF. This thin film of treatment liquid has a high ozone concentration by being adjacent to bubbles. Furthermore, due to the heating described above, the ozone in this thin film has a high temperature. Therefore, since ozone in this thin film of the treatment liquid has both a high concentration and a high temperature, the treatment surface S2 of the wafer WF in contact with the thin film is strongly affected by ozone. From the above, the action of ozone on the wafer WF can be strengthened.
(実施の形態3の変形例)
ウエハWFの加熱方法は、上述した方法に限定されるものではない。ウエハWFは、裏面S1に代わって処理面S2から加熱されてもよい。これにより、裏面S1および処理面S2のうち処理される面である処理面S2を優先的に加熱することができる。あるいは、ウエハWFは、裏面S1および処理面S2から同時に加熱されてもよい。これにより処理面S2が十分に加熱されやすくなる。
(Modified Example of Embodiment 3)
The method for heating the wafer WF is not limited to the method described above. The wafer WF may be heated from the processing surface S2 instead of the back surface S1. As a result, the processed surface S2, which is the surface to be processed among the back surface S1 and the processed surface S2, can be preferentially heated. Alternatively, the wafer WF may be heated simultaneously from the back surface S1 and the processing surface S2. This makes it easier for the treated surface S2 to be sufficiently heated.
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is exemplary in all aspects and the invention is not limited thereto. It is understood that innumerable variations not illustrated can be assumed without departing from the scope of the present invention. The configurations described in the above embodiments and the modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not conflict with each other.
11 :保持ピン
12 :保持リング
21 :脱イオン水源
22 :オゾンガス源
23 :気泡生成器
24 :バルブ
31,33 :処理液ノズル
32 :処理液導入管
41 :ランプヒータ
42,43 :ヒータ
51 :温水源
52 :温水ノズル
56 :アーム
57 :回転軸
58 :回転角調整器
61 :回転プレート
62 :処理槽
63 :回転リング
65 :モータ
90 :制御部
101〜103 :処理装置(基板処理装置)
121〜123 :処理液供給部
141 :加熱部
151,153 :保持部
LP :処理液
S1 :裏面(第1の面)
S2 :処理面(第2の面)
WF :ウエハ(基板)
11: Holding pin 12: Holding ring 21: Deionized water source 22: Ozone gas source 23: Bubble generator 24:
121-123: Treatment liquid supply unit 141:
S2: Processed surface (second surface)
WF: Wafer (board)
Claims (13)
前記基板の前記第2の面へ、オゾンガスを含有する粒径50nm以下の気泡が混入された処理液を供給する工程と、
前記基板の処理のためのユースポイントで前記処理液を加熱する工程と、
を備える、基板処理方法。 A step of holding a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and
A step of supplying a treatment liquid containing ozone gas-containing bubbles having a particle size of 50 nm or less to the second surface of the substrate.
The process of heating the treatment liquid at the use point for processing the substrate, and
A substrate processing method.
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