JP2021019194A - 発光素子駆動装置および光測距装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線の寄生インダクタンスによって発光素子が2次発光することを抑制する。【解決手段】発光素子21を駆動する発光素子駆動装置100は、電源V1によって充電され、発光素子に電流を供給するためのコンデンサC1と、コンデンサから発光素子に電流を流すための第1配線W1と、発光素子から出力された電流が流れる第2配線W2と、コンデンサに電源から充電を行わせる充電状態と、コンデンサから発光素子に電流を供給する放電状態とのいずれかにコンデンサの状態を切り替えるための第1スイッチSW1と、発光素子と並列的に、第1配線と第2配線とに逆接続されたダイオードD1と、ダイオードに直列的に接続された抵抗体R2と、を備える。【選択図】図5
Description
本開示は、発光素子駆動装置および光測距装置に関する。
短パルスの発光を発光素子に行わせるため、電源からコンデンサに充電した電荷によって、発光素子を発光させる駆動装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
LiDAR(Light Detection and Ranging)装置などの光測距装置に用いられる発光素子には、対象物までの距離の測定精度を高めるため、短時間で大電流を流すことが求められている。短時間で大電流をコンデンサから発光素子に流すと、配線の寄生インダクタンスの影響により、発光後にサージ電圧が発光素子に印加され、発光素子が劣化する可能性がある。このため、発光素子に対して並列的にダイオードを逆接続することが考えられるが、ダイオードの逆接続によって形成される共振回路によって、発光素子に2次発光が発生する可能性があるという課題を本願発明者らは見出した。このような課題は、数十ns程度のパルス幅による発光では生じなかった課題であり、例えば、数nsのパルス幅で100A程度の大電流を流すという、これまでとは全く異なる発光条件により発光素子を駆動することによって顕在化する新たな課題である。
本開示は、以下の形態として実現することが可能である。
本開示の第1の形態によれば、発光素子(21)を駆動する発光素子駆動装置(100)が提供される。この発光素子駆動装置は、電源(V1)によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ(C1)と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第1配線(W1)と、前記発光素子から出力された電流が流れる第2配線(W2)と、前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第1スイッチ(SW1)と、前記発光素子と並列的に、前記第1配線と前記第2配線とに逆接続されたダイオード(D1)と、前記ダイオードに直列的に接続された抵抗体(R2)と、を備える。
この形態の発光素子駆動装置によれば、発光素子と並列的にダイオードが接続されているので、第2配線の寄生インダクタンスによってサージ電圧が発生したとしても、発光素子に逆方向に電流が流れることを抑制できる。そのため、サージ電圧の発生によって発光素子が劣化することを抑制できる。また、ダイオードには直列的に抵抗体が接続されているので、サージ電圧によってコンデンサが再充電されることを抑制できる。この結果、サージ電圧の発生に伴って、発光素子に2次発光が発生することを抑制できる。
本開示の第2の形態によれば、発光素子(21)を駆動する発光素子駆動装置(100b)が提供される。この発光素子駆動装置は、電源(V1)によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ(C1)と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第1配線(W1)と、前記発光素子から出力された電流が流れる第2配線(W2)と、前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第1スイッチ(SW1)と、前記発光素子と並列的に、前記第1配線と前記第2配線とに逆接続されたダイオード(D1)と、前記コンデンサの端子間に接続され、前記コンデンサを放電させるための第2スイッチ(SW2)と、を備える。
この形態の発光素子駆動装置によれば、発光素子と並列的にダイオードが接続されているので、第2配線の寄生インダクタンスによってサージ電圧が発生したとしても、発光素子に逆方向に電流が流れることを抑制できる。そのため、サージ電圧の発生によって発光素子が劣化することを抑制できる。また、コンデンサの端子間には、コンデンサを放電させるための第2スイッチが設けられているので、サージ電圧の発生によってコンデンサが再充電されたとしても、第2スイッチをオンすることによって、コンデンサを放電させることができる。この結果、サージ電圧の発生に伴って、発光素子に2次発光が発生することを抑制できる。
本開示は、発光素子駆動装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、発光素子の駆動方法や、発光素子駆動装置を備える光測距装置等の形態で実現できる。
A.第1実施形態:
図1に示すように、本開示の一形態としての光測距装置10は、筐体15と、照射部20と、受光部30と、測定部40と、を備える。照射部20は、空間中の所定の測定範囲MRに対して照射光ILを射出する。本実施形態では、照射部20は、照射光ILを走査方向SDに走査する。照射光ILは、走査方向SDに直交する方向が長手方向となる矩形状に形成される。受光部30は、照射光ILの照射に応じた測定範囲MRを含む範囲から反射光を受光する。測定部40は、受光部30が受光した反射光の強度に応じて、測定範囲MR内に存在する物体までの距離を測定する。光測距装置10は、例えば、車両に搭載され、障害物の検出や障害物までの距離を測定するために使用される。
図1に示すように、本開示の一形態としての光測距装置10は、筐体15と、照射部20と、受光部30と、測定部40と、を備える。照射部20は、空間中の所定の測定範囲MRに対して照射光ILを射出する。本実施形態では、照射部20は、照射光ILを走査方向SDに走査する。照射光ILは、走査方向SDに直交する方向が長手方向となる矩形状に形成される。受光部30は、照射光ILの照射に応じた測定範囲MRを含む範囲から反射光を受光する。測定部40は、受光部30が受光した反射光の強度に応じて、測定範囲MR内に存在する物体までの距離を測定する。光測距装置10は、例えば、車両に搭載され、障害物の検出や障害物までの距離を測定するために使用される。
図2には、光測距装置10のより具体的な構成を示している。図2に示すように、光測距装置10は、図1に示した照射部20と受光部30と測定部40とに加えて、制御部50を備えている。制御部50は、CPUおよびメモリを備えるコンピュータとして構成されており、照射部20、受光部30、測定部40を制御する。
照射部20は、発光素子21と発光素子駆動装置100とを備える。本実施形態における発光素子21は、半導体レーザダイオードである。発光素子21は、発光素子駆動装置100によって駆動され、パルスレーザ光を照射光として照射する。発光素子駆動装置100の具体的な構成については後述する。発光素子21から射出された照射光は、図示していない光学系によって図1に示した縦長の照射光ILに形成される。照射部20は、走査部22を備えている。走査部22は、回転軸221を中心にミラー222を回動させることよって、照射光ILの一次元走査を測定範囲MRに亘って行う。ミラー222は、例えば、MEMSミラーによって構成される。ミラー222の回動は、制御部50によって制御される。
照射部20によって照射された照射光は、測定範囲MR内の物体OBによって反射される。物体OBによって反射された反射光は、受光部30によって受光される。
図2および図3に示すように、受光部30は、物体からの反射光が照射される受光面32に複数の画素31を二次元配列状に備えている。図3に示すように、各画素31は、物体OBからの反射光を受光する受光素子311を複数有する。本実施形態において、各画素31は、横9個×縦5個の計45個の受光素子311を有しており、受光した光の強度に応じて、0〜45個のパルス信号を出力する。受光部30の受光面32は、例えば、画素31が、縦方向に64個、横方向に256個、配置されることにより構成される。
受光部30には、強度信号出力部41が接続されている。強度信号出力部41は、受光素子311によって検出された反射光の強度を表す強度信号を出力する回路である。強度信号出力部41は、各画素31に含まれる複数の受光素子311から略同時に出力されるパルス信号の数を画素毎に加算する。そして、その加算値を各画素31において受光された反射光の強度を表す強度信号として出力する。本実施形態では、上記のとおり、各画素は45個の受光素子311を備えているため、強度信号出力部41からは、画素31毎に、0〜45の値を有する強度信号が出力される。
測定部40は、強度信号出力部41から逐次出力される強度信号からピーク信号を検出し、照射部20による光の照射からピーク信号が検出されるまでの時間に応じて物体OBまでの距離を測定する機能を備える。測定部40は、この機能を実現するため、ヒストグラム生成部42と、信号処理部43と、距離演算部44とを備えている。これらは、例えば、1または2以上の集積回路として構成される。なお、これらは、CPUがプログラムを実行することによってソフトウェア的に実現される機能部であってもよい。
ヒストグラム生成部42は、強度信号出力部41から出力された強度信号に基づき、画素31毎にヒストグラムを生成する回路である。図4には、ヒストグラムの例を示している。横軸に示したヒストグラムの階級は、照射部20から照射光ILが照射されてから反射光が画素31によって受光されるまでの光の飛行時間を示している。以下、この時間のことを、TOF(TOF:Time Of Flight)という。一方、縦軸に示したヒストグラムの度数は、強度信号出力部41から出力された強度信号の値であり、物体から反射された光の強度を表している。ヒストグラム生成部42は、強度信号出力部41から出力された強度信号をTOF毎に記録することによってヒストグラムを生成する。測定範囲MRに物体OBが存在する場合、その物体OBから光が反射され、その物体OBまでの距離に応じたTOFの階級に強度信号が記録される。
信号処理部43は、ヒストグラムの中で最も大きな度数となった階級の部分をピーク信号として検出する回路である。ヒストグラム中のピーク信号は、そのピーク信号に対応するTOFに応じた位置(距離)に物体が存在することを表している。ピーク信号以外の信号は、例えば、外乱光の影響による信号である。なお、信号処理部43は、予め定めた閾値以上となる度数の階級の部分をピーク信号として検出してもよい。
距離演算部44は、信号処理部43によって検出されたピーク信号に対応するTOFから距離値Dを求める回路である。ピーク信号に対応するTOFを「Δt」、光速を「c」、距離値を「D」とすると、距離演算部44は、以下の式(1)により、距離値Dを算出する。距離演算部44は、すべてのヒストグラム、すなわち、すべての画素31について距離値Dを算出する。
D=(c×Δt)/2 ・・・(1)
D=(c×Δt)/2 ・・・(1)
測定部40によって測定された各画素31の距離値Dは、光測距装置10から車両のECU等に出力される。車両のECUは、光測距装置10から取得した画素31毎の距離値を用いることで、測定範囲MR内における障害物の検出や障害物までの距離の測定を行うことができる。
図5に示すように、発光素子21を駆動する発光素子駆動装置100は、コンデンサC1と、第1スイッチSW1と、ダイオードD1と、を備える。
コンデンサC1は、第1抵抗体R1を介して電源V1に接続されている。電源V1は、例えば、100〜200Vの一定の電圧を有する直流電源である。第1抵抗体R1の抵抗値は、例えば、10k〜100kΩである。コンデンサC1は、第1抵抗体R1を介して、電源V1によって充電される。充電に要する時間は、コンデンサC1の容量と第1抵抗体R1の抵抗値とに応じて定まる。コンデンサC1は、1つに限らず、複数のコンデンサが並列的に接続されて構成されてもよい。
コンデンサC1は、発光素子21に電流を供給する。コンデンサC1と発光素子21とは、第1配線W1によって接続されている。第1配線W1は、コンデンサC1から発光素子21に電流を流す。第1配線W1は、発光素子21のアノード端子に接続されている。コンデンサC1から発光素子21へは、例えば、数nsの間に、100A程度の大電流が流れる。コンデンサC1から発光素子21への電流の供給期間(パルス幅)および電流値は、これに限らず、例えば、供給期間を2〜10ns、電流値を50〜250Aとすることが可能である。
発光素子21は、第2配線W2を介して、グランドに接続されている。第2配線W2は、発光素子21のカソード端子に接続されている。第2配線W2には、発光素子21から出力された電流が流れる。第2配線W2は、その配線長に応じた寄生インダクタンスL1を有する。本実施形態では、第2配線W2に、第1スイッチSW1が設けられている。本実施形態では、第1スイッチSW1は、半導体スイッチング素子により構成されている。第1スイッチSW1は、制御部50からの指示に応じて第1ゲートドライバGD1によってスイッチングされる。
第1スイッチSW1は、コンデンサC1に電源V1から充電を行わせる充電状態と、コンデンサC1から発光素子21に電流を供給する放電状態とのいずれかにコンデンサC1の充放電状態を切り替える。本実施形態では、第1スイッチSW1がオフにされると、電源V1がグランドから切断され、コンデンサC1は充電状態となる。一方、オンにされると、コンデンサC1が発光素子21を介してグランドと接続され、放電状態になる。本明細書において、スイッチをオンにするとは、そのスイッチの上流側の配線と下流側の配線を導通させることをいい、スイッチをオフにするとは、そのスイッチの上流側の配線と下流側の配線とを切断することをいう。
ダイオードD1は、発光素子21と並列的に、第1配線W1と第2配線W2とに逆接続されている。つまり、ダイオードD1のカソード端子が第1配線W1に接続され、ダイオードD1のアノード端子が配線W2に接続されている。より具体的には、本実施形態では、ダイオードD1のカソード端子は、ダイオードD1のカソード端子に直列的に接続された第2抵抗体R2を介して第1配線W1に接続されている。ダイオードD1のアノード端子は、第2配線W2の、発光素子21と第1スイッチSW1との間の部分に接続されている。第2抵抗体R2としては、抵抗器やフェライトビーズインダクタを用いることができる。
図6に示すタイミングチャートのように、第1ゲートドライバGD1によって第1スイッチSW1がオンにされると、発光素子21とグランドとの間が導通し、コンデンサC1に充電された電荷が発光素子21に流れ、発光素子21が発光する。第1ゲートドライバGD1による第1スイッチSW1のオン期間は、例えば、30〜60nsである。発光素子21の発光期間は、例えば、3〜6nsである。発光素子21が発光した後には、第2配線W2に存在する寄生インダクタンスL1の影響により、第2配線W2にサージ電圧が発生する可能性がある。サージ電圧は、電流が大きくなるほど増大し、また、パルス幅が短くなるほど増大する。本実施形態では、発光素子21に並列的にダイオードD1が逆接続されているため、サージ電圧が発生したとしても、そのサージ電圧によって生じる電流はダイオードD1を流れ、発光素子21には流れない。ダイオードD1に電流が流れると、その電流によりコンデンサC1が充電される。そして、コンデンサC1の電圧が発光素子21の順方向電圧を超えると、コンデンサC1から、再度、発光素子21に電流が流れ、図6に破線で示すように、発光素子21が意図しないタイミングで発光するおそれがある。このような発光のことを、二次発光ともいい、このような現象のことを共振現象ともいう。しかし、本実施形態では、ダイオードD1に直列的に第2抵抗体R2が接続されているので、ダイオードD1を流れた電流は、第2抵抗体R2を流れることで減衰する。従って、上述したような共振現象が抑制され、二次発光の発生が抑制される。
第2抵抗体R2の抵抗値は、大きくしすぎると、サージ電圧発生時に、ダイオードD1と第2抵抗体R2とに電流が流れにくくなり、発光素子21に逆方向に電流が流れる可能性が高くなる。そのため、第2抵抗体R2の抵抗値は、例えば、3〜6Ωであることが好ましい。図7には、第2抵抗体R2として、3Ωの抵抗素子を設けた場合における光出力の実験結果を示している。図7の横軸は第1スイッチSW1がオンされてからの経過時間を示し、縦軸は、発光素子21の光出力の大きさを示している。図7に示すように、発光素子駆動装置100に第2抵抗体R2を設けた場合には、発光素子21の一次発光後に、二次発光が発生することを抑制できる。
以上で説明したように、第1実施形態における発光素子駆動装置100によれば、発光素子21に並列的にダイオードD1を逆接続することで、寄生インダクタンスL1によってサージ電圧が生じた場合に、そのサージ電圧から発光素子21を保護することができ、更に、ダイオードD1に直列的に第2抵抗体R2を接続することで、サージ電圧の発生に伴って、発光素子21が二次発光することも抑制することができる。
なお、本実施形態では、第2抵抗体R2は、ダイオードD1のカソード端子に直列的に接続されているが、ダイオードD1のアノード端子に直列的に接続されてもよい。
また、本実施形態では、第1スイッチSW1が第2配線W2に設けられているが、第1スイッチSW1は第1配線W1に設けられてもよい。具体的には、第1スイッチSW1は、第1配線W1の、ダイオードD1との接続部分よりも上流側の部分に設けられてもよい。
また、本実施形態では、電源V1の下流に第1抵抗体R1を設けているが、第1抵抗体R1に代えて、他の素子あるいは回路を設けてもよい。例えば、第1抵抗体R1に代えて、コイルを設けてもよいし、ダイオードとコイルとを直列的に設けてもよい。また、コンデンサC1の放電時にオフされるスイッチを設けてもよい。
B.第2実施形態:
図8に示すように、第2実施形態における発光素子駆動装置100bは、第2スイッチSW2を備えている。第2スイッチSW2は、コンデンサC1の端子間、すなわち、第1配線W1とグランドとの間に接続されている。発光素子駆動装置100bのその他の構成は、図5に示した第1実施形態の発光素子駆動装置100と同じである。本実施形態において、第2スイッチSW2は、半導体スイッチング素子により構成されている。第2スイッチSW2は、制御部50からの指示に応じて第2ゲートドライバGD2によってスイッチングされる。
図8に示すように、第2実施形態における発光素子駆動装置100bは、第2スイッチSW2を備えている。第2スイッチSW2は、コンデンサC1の端子間、すなわち、第1配線W1とグランドとの間に接続されている。発光素子駆動装置100bのその他の構成は、図5に示した第1実施形態の発光素子駆動装置100と同じである。本実施形態において、第2スイッチSW2は、半導体スイッチング素子により構成されている。第2スイッチSW2は、制御部50からの指示に応じて第2ゲートドライバGD2によってスイッチングされる。
図9に示すように、まず、ステップS10において、電源V1からコンデンサC1に充電が行われると、引き続き、ステップS20において、第1スイッチSW1がオンにされ、発光素子21が一次発光する。すると、上述したように、寄生インダクタンスL1によるサージ電圧の発生により、コンデンサC1が再充電される場合がある。そこで、本実施形態では、一次発光後、ステップS30において、二次発光が生じる前に、第2スイッチSW2をオンにして、再充電されたコンデンサC1を放電させる。すると、図10に示すように、第2スイッチSW2が存在しない場合には、二次発光が生じる可能性があるものの、第2スイッチSW2を設けて一次発光後にオンすることにより、コンデンサC1が放電され、二次発光が生じることを抑制できる。
図10には、第1スイッチSW1と第2スイッチSW2とをオンにする期間の長さが一致した例を示している。しかし、これらの期間は一致していなくてもよい。例えば、第2スイッチSW2は、一次発光の終了直後にオンし、二次発光が生じる時間をカバーするようにオン時間が設定されていればよい。また、第1スイッチSW1は、一次発光が終了するまでオンにされていれば、オフのタイミングは任意である。ただし、二次発光が発生するまでに、第1スイッチSW1はオフされることが好ましい。
図8に示した本実施形態の発光素子駆動装置100bの構成では、ダイオードD1には第2抵抗体R2は接続されていない。しかし、本実施形態においても、ダイオードD1に対して、第1実施形態と同様に、第2抵抗体R2を直列的に接続してもよい。こうすることにより、より確実に二次発光が生じることを抑制できる。
C.他の実施形態:
(C−1)図5および図8に示したダイオードD1として、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)等に備えられたボディダイオードを用いてもよい。FETは、Nチャネル型であってもPチャネル型であってもよい。
(C−1)図5および図8に示したダイオードD1として、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)等に備えられたボディダイオードを用いてもよい。FETは、Nチャネル型であってもPチャネル型であってもよい。
(C−2)発光素子駆動装置100を備える装置は、光測距装置10に限られない。例えば、発光素子21を備える画像表示装置に発光素子駆動装置100が備えられてもよい。また、発光素子21としては、発光素子駆動装置100が備えられる装置の用途に応じて、半導体レーザダイオードに限らず、発光ダイオードなど、他の素子が採用されてもよい。
(C−3)上記実施形態では、光測距装置10は、投光における光軸と受光における光軸とが異なる異軸型の光学系を採用している。これに対して、光測距装置10は、投光における光軸と受光における光軸とが一致する同軸型の光学系を採用してもよい。また、上記実施形態では、画素は、鉛直方向および水平方向に平面的に配列されているが、画素31は、所定の方向に1列に並んでいるものであってもよい。また、上記実施形態では、光測距装置10は、走査方式として、短冊状の光を一方向に走査する1Dスキャン方式を採用しているが、点状の光を2次元方向に走査する2Dスキャン方式を採用してもよい。また、光測距装置10は、光を走査せず、広範囲に光を照射するフラッシュ方式の装置であってもよい。
(C−4)上記実施形態において、受光部30に備えられた各画素31は、ピンフォトダイオードやアバランシェフォトダイオード、SPAD(シングルフォトンアバランシェダイオード)などの受光素子によって構成できる。この場合、その受光素子が、受光した反射光の強度に応じた無段階あるいは多段階のレベルの信号を出力可能であれば、ヒストグラムを生成することなく、その信号のレベルを用いて距離を測定することも可能である。
本開示は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、各実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
10 光測距装置、15 筐体、20 照射部、21 発光素子、22 走査部、30 受光部、31 画素、32 受光面、40 測定部、41 強度信号出力部、42 ヒストグラム生成部、43 信号処理部、44 距離演算部、50 制御部、100,100b 発光素子駆動装置、221 回転軸、222 ミラー、311 受光素子、C1 コンデンサ、D1 ダイオード、GD1 第1ゲートドライバ、GD2 第2ゲートドライバ、L1 寄生インダクタンス、R1 第1抵抗体、R2 第2抵抗体、SW1 第1スイッチ、SW2 第2スイッチ、V1 電源、W1 第1配線、W2 第2配線
Claims (4)
- 発光素子(21)を駆動する発光素子駆動装置(100)であって、
電源(V1)によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ(C1)と、
前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第1配線(W1)と、
前記発光素子から出力された電流が流れる第2配線(W2)と、
前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第1スイッチ(SW1)と、
前記発光素子と並列的に、前記第1配線と前記第2配線とに逆接続されたダイオード(D1)と、
前記ダイオードに直列的に接続された抵抗体(R2)と、
を備える発光素子駆動装置。 - 発光素子(21)を駆動する発光素子駆動装置(100b)であって、
電源(V1)によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ(C1)と、
前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第1配線(W1)と、
前記発光素子から出力された電流が流れる第2配線(W2)と、
前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第1スイッチ(SW1)と、
前記発光素子と並列的に、前記第1配線と前記第2配線とに逆接続されたダイオード(D1)と、
前記コンデンサの端子間に接続され、前記コンデンサを放電させるための第2スイッチ(SW2)と、
を備える発光素子駆動装置。 - 請求項2に記載の発光素子駆動装置(100b)であって、
前記第2スイッチは、前記第1スイッチにより前記コンデンサが放電状態とされて前記コンデンサから前記発光素子に前記電流が流れた後に、オンされる、発光素子駆動装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載された発光素子駆動装置(100,100b)と、
前記発光素子によって光が照射された物体から反射光を受光する受光素子(311)と、
前記受光素子によって受光された前記反射光の強度を表す強度信号を出力する強度信号出力部(41)と、
前記強度信号出力部から逐次出力される前記強度信号からピーク信号を検出し、前記発光素子による光の照射から前記ピーク信号が検出されるまでの時間に応じて前記物体までの距離を測定する測定部(40)と、
を備える光測距装置(10)。
Priority Applications (3)
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