JP2020529958A - 単結晶シリコンの半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
US 2011/0300371 A1には、たとえば、p/p+エピタキシャル被覆された半導体ウェハが固体撮像素子を製造するための母材として特に好適であることが記載されている。基板ウェハ中の高いドーパント濃度によって、酸素析出物の形成が促進される。酸素析出物は、金属不純物と結合し、かつその金属不純物をエピタキシャル層から遠ざけるためのいわゆる内部ゲッターとして必要である。
p+ドープされた基板ウェハと、
基板ウェハの上側面を覆う単結晶シリコンのpドープされたエピタキシャル層と、
5.3×1017原子/cm3以上6.0×1017原子/cm3以下の基板ウェハの酸素濃度と、
5mΩcm以上10mΩcm以下の基板ウェハの抵抗率と、
エピタキシャル被覆された半導体ウェハの熱処理の結果として、基板ウェハがBMDを形成する可能性とを含み、BMDの密度は最大で2×1010/cm3以上であり、エピタキシャル被覆された半導体ウェハの前側からの最大の距離は20μm以下であり、エピタキシャル被覆された半導体ウェハの前側から20μmの距離および60μmの距離におけるBMDの密度の比は5以上であるエピタキシャル被覆された半導体ウェハによって達成される。
シリコンの単結晶を、ホウ素でドープされており坩堝内に存在する融液から引上げ速度で引上げることを含み、単結晶の想定部分における酸素の濃度は5.3×1017原子/cm3以上6.0×1017原子/cm3以下であり、単結晶の抵抗率は5mΩcm以上10mΩcm以下であり、方法はさらに、
600℃から500℃の第1の温度範囲内で単結晶を冷却することを含み、第1の温度範囲内のドエルタイムは353分以上642分以下であり、方法はさらに、500℃から400℃の第2の温度範囲内で単結晶を冷却することを含み、第2の温度範囲内のドエルタイムは493分以上948分以下であり、方法はさらに、
冷却した単結晶の想定部分から基板ウェハを分割することと、
単結晶シリコンのpドープされたエピタキシャル層を、基板ウェハの研磨された上側面に堆積することとを含む方法を提供する。
融液を炭素で、または窒素で、または炭素および窒素で意図的にドープすることは省略される。
単結晶シリコンの単結晶を、0.57mm/分の引上げ速度でCZ法によって引上げた。単結晶を水冷クーラーを用いて冷却した。融液は、ホウ素のみがドープされており、水平磁場を受けていた。単結晶を極めて重要な温度間隔内で冷却したドエルタイム(dt)の詳細は以下の表に見ることができる。直径が300mm、厚みが775μm、酸素濃度が5.7×1017/cm3で抵抗率が9mΩcmの単結晶から分割した基板ウェハをさらに処理して、シリコンのp/p+エピタキシャル被覆された半導体ウェハを提供した。エピタキシャル層の厚みは3μmであった。
単結晶シリコンの単結晶を、0.57mm/分の引上げ速度でCZ法によって引上げた。単結晶を特定の温度間隔内で冷却したドエルタイム(dt)の詳細は以下の表に見ることができる。直径が300mm、厚みが775μm、酸素濃度が5.5×1017/cm3で抵抗率が8mΩcmの単結晶から分割した基板ウェハをさらに処理して、シリコンのp/p+エピタキシャル被覆された半導体ウェハを提供した。エピタキシャル層の厚みは3μmであった。
Claims (9)
- 単結晶シリコンのエピタキシャル被覆された半導体ウェハであって、
p+ドープされた基板ウェハと、
前記基板ウェハの上側面を覆う単結晶シリコンのpドープされたエピタキシャル層と、
5.3×1017原子/cm3以上6.0×1017原子/cm3以下の前記基板ウェハの酸素濃度と、
5mΩcm以上10mΩcm以下の前記基板ウェハの抵抗率と、
前記エピタキシャル被覆された半導体ウェハの熱処理の結果として、前記基板ウェハがBMDを形成する可能性とを備え、BMDの密度は最大で2×1010/cm3以上であり、前記エピタキシャル被覆された半導体ウェハの前側からの最大の距離は20μm以下であり、前記エピタキシャル被覆された半導体ウェハの前記前側から20μmの距離および60μmの距離におけるBMDの密度の比は5以上である、エピタキシャル被覆された半導体ウェハ。 - 前記エピタキシャル層の厚みは1μm以上5μm以下である、請求項1に記載のエピタキシャル被覆された半導体ウェハ。
- 厚みが3μm以上7μm以下の無欠陥層を特徴とする、請求項1または2に記載のエピタキシャル被覆された半導体ウェハ。
- 単結晶シリコンのp/p+エピタキシャル被覆された半導体ウェハを製造する方法であって、
シリコンの単結晶を、ホウ素でドープされており坩堝内に存在する融液から引上げ速度で引上げることを備え、前記単結晶の想定部分における酸素の濃度は5.3×1017原子/cm3以上6.0×1017原子/cm3以下であり、前記単結晶の抵抗率は5mΩcm以上10mΩcm以下であり、前記方法はさらに、
600℃から500℃の第1の温度範囲内で前記単結晶を冷却することを備え、前記第1の温度範囲内のドエルタイムは353分以上642分以下であり、前記方法はさらに、500℃から400℃の第2の温度範囲内で前記単結晶を冷却することを備え、前記第2の温度範囲内のドエルタイムは493分以上948分以下であり、前記方法はさらに、
冷却した前記単結晶の前記想定部分から基板ウェハを分割することと、
単結晶シリコンのpドープされたエピタキシャル層を、前記基板ウェハの研磨された上側面に堆積することとを備える、方法。 - 0.4mm/分以上1.8mm/分以下の引上げ速度で前記単結晶を引上げることを備える、請求項4に記載の方法。
- 前記融液を磁場にかけることを備える、請求項4または5に記載の方法。
- 前記融液への炭素の、または窒素の、または炭素および窒素の意図的な添加を省略することを備える、請求項4から6のいずれか1項に記載の方法。
- 水冷クーラーの存在下で前記単結晶を冷却することを備える、請求項4から7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記エピタキシャル層の前記堆積は前記基板ウェハの第1の熱処理であり、700℃よりも高い温度で行なわれる、請求項4から8のいずれか1項に記載の方法。
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