JP2020527757A - 光電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
前記第1の電極の内の1つを第1の電位にし、他の第1の電極を前記第1の電位より小さい第2の電位で維持する工程、及び
前記第2の電極の内の1つを前記第2の電位より小さい第3の電位にし、他の第2の電極を、前記第3の電位より大きく前記第2の電位より小さい第4の電位で維持する工程
を同時的に行うことにより、第1の段階で、前記第1の電極の内の1つ及び前記第2の電極の内の1つに接続されている前記電子回路を作動させることを特徴とする制御方法を提供する。
前記第1の電極の内の1つを第1の電位にし、他の第1の電極を前記第1の電位より小さい第2の電位で維持する工程、及び
前記第2の電極の内の1つを前記第2の電位より小さい第3の電位にし、他の第2の電極を、前記第3の電位より大きく前記第2の電位より小さい第4の電位で維持する工程
を同時的に行うことが可能であり、
前記工程により、前記第1の電極の内の1つ及び前記第2の電極の内の1つに接続されている前記電子回路を作動させることを特徴とする光電子デバイスを更に提供する。
好ましくは平行な下面14及び下面14と反対側の上面16を有する支持体12と、
上面16を覆う導電層18を有する第1の電極層18と、
第1の電極層18上に載置されて第1の電極層18と接し、以下表示画素回路とも称される複数の表示画素Pix と
を備えており、各表示画素Pix は、
好ましくは平行な下面22及び下面22と反対側の上面24を有する、以下制御回路と称される電子回路20であって、下面22は、例えば接合材料によって第1の電極層18に接合されている電子回路20と、
電子回路20の上面24に接合された光電子回路26であって、表示画素Pix 毎に3つの光電子回路26が図2に示されており、不図示の少なくとも1つの発光ダイオードを夫々有している光電子回路26と、
光電子回路26と光電子回路26間の制御回路20の上面24とを覆う電気絶縁部分28と、
電気絶縁部分28を横切って光電子回路26と制御回路20の上面24とに接する導電素子30と、
表示画素Pix 間の第1の電極層18と、電子回路20の側面及び場合によっては電気絶縁部分28の側面とを覆う電気絶縁層32と、
発光ダイオードによって放射される放射線を少なくとも部分的に通す導電層を有し、電気絶縁層32及び電気絶縁部分28を覆って各表示画素Pix の導電素子30と接している第2の電極層34と
を有している。
出力とを有している。RSフリップフロップRS1 のQ出力は制御部CRの出力write doneに結合されている。動作中、発光ダイオードLED を流れる電流の強度は、コンデンサC1の電圧によって設定されるトランジスタT1の導電率に応じて決められる。コンデンサC1の電圧が高いほど、トランジスタT1の導電率が高くなる。
出力に結合された第2の入力を有しており、信号enableを供給する。
Claims (18)
- 光電子デバイス(10; 40; 50; 60; 70)を制御する制御方法であって、
前記光電子デバイスは、行及び列に配置されている複数の表示画素(Pix) を備えており、各表示画素は、電子回路(20; CM)と、前記電子回路に結合されて少なくとも1つの第1の発光ダイオード(LED) を有する少なくとも1つの第1の光電子回路(26; 42; CR, CG, CB)とを有しており、前記光電子デバイスは、前記行に沿って延びて少なくとも1つの行の表示画素の電子回路に夫々接続されている複数の第1の電極(102) と、前記列に沿って延びて少なくとも1つの列の表示画素の電子回路に夫々接続されている複数の第2の電極(104) と、前記第1の電極及び前記第2の電極を制御するための回路とを更に備えており、
前記第1の電極の内の1つを第1の電位にし、他の第1の電極を前記第1の電位より小さい第2の電位で維持する工程、及び
前記第2の電極の内の1つを前記第2の電位より小さい第3の電位にし、他の第2の電極を、前記第3の電位より大きく前記第2の電位より小さい第4の電位で維持する工程
を同時的に行うことにより、第1の段階で、前記第1の電極の内の1つ及び前記第2の電極の内の1つに接続されている前記電子回路を作動させることを特徴とする制御方法。 - 前記第1の段階後、前記第1の電極の内の1つの電位を前記第1の電位と前記第2の電位との間で変えて、前記第2の電極の内の1つの電位を前記第4の電位で維持することにより、前記第1の電極(102) の内の1つ及び前記第2の電極(104) の内の1つに接続されている前記電子回路(20; CM)にデータを送信する第2の段階を有することを特徴とする請求項1に記載の制御方法。
- 前記第2の段階中、離散時間の信号を送信して、非離散時間の信号を送信することを特徴とする請求項2に記載の制御方法。
- 前記第2の段階中、前記第1の電極(102) の内の1つに接続されて前記第2の電極(104) の内の1つに接続されていない前記電子回路(20; CM)は、送信データを処理しないことを特徴とする請求項2又は3に記載の制御方法。
- 前記第1の電極(102) の内の1つ及び/又は前記第2の電極(104) の内の1つに結合されている前記表示画素(Pix) の発光ダイオード(LED) をオフすることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の制御方法。
- 各第1の光電子回路(CR, CG, CB)は、前記第1の発光ダイオード(LED) と直列に組み立てられた第1のトランジスタ(T1)を有しており、
前記第2の段階では、前記第1の電極(102) の内の1つを前記第1の電位に第1の時間、維持し、前記第1のトランジスタを、前記第1の時間に応じて決められる第1の導電レベルで制御することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の制御方法。 - 各表示画素は、少なくとも1つの第2の光電子回路(26; 42; CR, CG, CB)を有しており、前記第2の光電子回路は、前記表示画素の電子回路(20; CM)に結合されており、少なくとも第2の発光ダイオード(LED) 及び前記第2の発光ダイオード(LED) と直列に組み立てられた第2のトランジスタ(T1)を有しており、
前記第2の段階では、前記第1の電極(102) の内の1つを前記第1の電位に第2の時間、維持し、前記第2のトランジスタを、前記第2の時間に応じて決められる第2の導電レベルで制御することを特徴とする請求項6に記載の制御方法。 - 各表示画素(Pix) は、少なくとも1つの第3の光電子回路(26; 42; CR, CG, CB)を有しており、前記第3の光電子回路は、前記表示画素の電子回路に結合されており、少なくとも第3の発光ダイオード(LED) 及び前記第3の発光ダイオード(LED) と直列に組み立てられた第3のトランジスタ(T1)を有しており、
前記第2の段階では、前記第1の電極(102) の内の1つを前記第1の電位に第3の時間、維持し、前記第3のトランジスタを、前記第3の時間に応じて決められる第3の導電レベルで制御することを特徴とする請求項7に記載の制御方法。 - 前記第1の時間、前記第2の時間及び前記第3の時間は連続的であり、
前記第1の電極(102) の1つを前記第2の電位に、前記第1の時間と前記第2の時間との間、且つ前記第2の時間及び前記第3の時間中、維持することを特徴とする請求項8に記載の制御方法。 - 光電子デバイス(10; 40; 50; 60; 70)であって、
行及び列に配置されている複数の表示画素(Pix) を備えており、各表示画素は、電子回路(20)と、前記電子回路に結合されて少なくとも1つの第1の発光ダイオード(LED) を有する少なくとも1つの第1の光電子回路(26; 42; CR, CG, CB)とを有しており、
前記光電子デバイスは、前記行に沿って延びて少なくとも1つの行の表示画素の電子回路に夫々接続されている複数の第1の電極(102) と、前記列に沿って延びて少なくとも1つの列の表示画素の電子回路に夫々接続されている複数の第2の電極(104) と、前記第1の電極及び前記第2の電極を制御するための制御回路とを更に備えており、
前記制御回路は、第1の段階中、
前記第1の電極の内の1つを第1の電位にし、他の第1の電極を前記第1の電位より小さい第2の電位で維持する工程、及び
前記第2の電極の内の1つを前記第2の電位より小さい第3の電位にし、他の第2の電極を、前記第3の電位より大きく前記第2の電位より小さい第4の電位で維持する工程
を同時的に行うことが可能であり、
前記工程により、前記第1の電極の内の1つ及び前記第2の電極の内の1つに接続されている前記電子回路を作動させることを特徴とする光電子デバイス。 - 前記制御回路は、前記第1の段階後の第2の段階中、前記第1の電極の内の1つの電位を前記第1の電位と前記第2の電位との間で変えて、前記第2の電極の内の1つの電位を前記第4の電位で維持することにより、前記第1の電極(102) の内の1つ及び前記第2の電極(104) の内の1つに接続されている前記電子回路(20; CM)にデータを送信することが可能であることを特徴とする請求項10に記載の光電子デバイス。
- 前記制御回路は、前記第2の段階中、離散時間の信号及び非離散時間の信号を送信することが可能であることを特徴とする請求項11に記載の光電子デバイス。
- 前記第2の段階中、前記第1の電極(102) の内の1つに接続されて前記第2の電極(104) の内の1つに接続されていない前記電子回路(20; CM)は、送信データを処理できないことを特徴とする請求項11又は12に記載の光電子デバイス。
- 前記第1の電極(102) の内の1つ及び/又は前記第2の電極(104) の内の1つに結合されている前記電子回路(20; CM)は、関連付けられた発光ダイオード(LED) をオフすることができることを特徴とする請求項11〜13のいずれか1つに記載の光電子デバイス。
- 各第1の光電子回路(CR, CG, CB)は、前記第1の発光ダイオード(LED) と直列に組み立てられた第1のトランジスタ(T1)を有しており、
前記制御回路は、前記第2の段階中、前記第1の電極(102) の内の1つを前記第1の電位に第1の時間、維持することが可能であり、
前記第1の光電子回路は、前記第1の時間に応じて決められる第1の導電レベルで前記第1のトランジスタをオンすることが可能であることを特徴とする請求項11又は14に記載の光電子デバイス。 - 各表示画素(Pix) は、少なくとも1つの第2の光電子回路(26; 42; CR, CG, CB)を有しており、前記第2の光電子回路は、前記表示画素の電子回路(20; CM)に結合されており、少なくとも第2の発光ダイオード(LED) 及び前記第2の発光ダイオード(LED) と直列に組み立てられた第2のトランジスタ(T1)を有しており、
前記制御回路は、前記第2の段階中、前記第1の電極の内の1つを前記第1の電位に第2の時間、維持することが可能であり、
前記第2の光電子回路は、前記第2の時間に応じて決められる第2の導電レベルで前記第2のトランジスタをオンすることが可能であることを特徴とする請求項15に記載の光電子デバイス。 - 各表示画素は、少なくとも1つの第3の光電子回路(26; 42; CR, CG, CB)を有しており、前記第3の光電子回路は、前記電子回路に結合されており、少なくとも第3の発光ダイオード(LED) 及び前記第3の発光ダイオード(LED) と直列に組み立てられた第3のトランジスタ(T1)を有しており、
前記制御回路は、前記第2の段階中、前記第1の電極(102) の内の1つを前記第1の電位に第3の時間、維持することが可能であり、
前記第3の光電子回路は、前記第3の時間に応じて決められる第3の導電レベルで前記第3のトランジスタをオンすることが可能であることを特徴とする請求項16に記載の光電子デバイス。 - 前記第1の時間、前記第2の時間及び前記第3の時間は連続的であり、
前記制御回路は、前記第1の電極(102) の1つを前記第2の電位に、前記第1の時間と前記第2の時間との間、且つ前記第2の時間及び前記第3の時間中、維持することが可能であることを特徴とする請求項17に記載の光電子デバイス。
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