JP2020509149A - ケイ素含有膜の堆積のためのオルガノアミノ−ポリシロキサン - Google Patents
ケイ素含有膜の堆積のためのオルガノアミノ−ポリシロキサン Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020509149A JP2020509149A JP2019563339A JP2019563339A JP2020509149A JP 2020509149 A JP2020509149 A JP 2020509149A JP 2019563339 A JP2019563339 A JP 2019563339A JP 2019563339 A JP2019563339 A JP 2019563339A JP 2020509149 A JP2020509149 A JP 2020509149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- hexamethyltrisiloxane
- dimethylsiloxy
- heptamethyltrisiloxane
- alkyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 83
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 80
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 82
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 142
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 85
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 55
- -1 3-diethylamino-3- (trimethylsiloxy) -1,1,1,5,5,5-hexamethyltrisiloxane Siloxane Chemical class 0.000 claims description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 43
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 37
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 34
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 21
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- WRMZWNJLTWGTQP-UHFFFAOYSA-N CN([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)C Chemical compound CN([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)C WRMZWNJLTWGTQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 12
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 10
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000006549 C4-C10 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- JSWQHVJPGCSYGM-UHFFFAOYSA-N CN([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C)C Chemical compound CN([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C)C JSWQHVJPGCSYGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 claims description 6
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KJVZAANNDWOSLP-UHFFFAOYSA-N C(C)N([SiH](O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)CC Chemical compound C(C)N([SiH](O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)CC KJVZAANNDWOSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QHMQOKPBIMHRQX-UHFFFAOYSA-N CN([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)(C)C)C Chemical compound CN([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)(C)C)C QHMQOKPBIMHRQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N cyclodecane Chemical compound C1CCCCCCCCC1 LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N cyclononane Chemical compound C1CCCCCCCC1 GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 claims description 4
- FBGUQAGGWLRXTP-UHFFFAOYSA-N ethylcyclooctane Chemical compound CCC1CCCCCCC1 FBGUQAGGWLRXTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QUSIXTNHZHDRQZ-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyloxy)silicon Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si]O[Si](C)(C)C QUSIXTNHZHDRQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BWDJNIGAZROGSO-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)N([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C)C(C)C Chemical compound C(C)(C)N([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C)C(C)C BWDJNIGAZROGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- CHLHRBVEFMMELJ-UHFFFAOYSA-N C(C)N([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)C)CC Chemical compound C(C)N([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)C)CC CHLHRBVEFMMELJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QHJOGSPACUXMLY-UHFFFAOYSA-N C(C)N([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C)CC Chemical compound C(C)N([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C)CC QHJOGSPACUXMLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UXZVNWLZSLUBGB-UHFFFAOYSA-N C(C)[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](CNC)(C)C)C Chemical compound C(C)[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](CNC)(C)C)C UXZVNWLZSLUBGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- XJGBXDMQFDOQAO-UHFFFAOYSA-N CN([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)C)C Chemical compound CN([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)C)C XJGBXDMQFDOQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- FGDVWIMALLONGR-UHFFFAOYSA-N N-[(dimethylsilyloxy-ethyl-methylsilyl)oxy-dimethylsilyl]methanamine Chemical compound C(C)[Si](O[Si](C)(C)NC)(O[SiH](C)C)C FGDVWIMALLONGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- PCMPTCSXJMMHJM-UHFFFAOYSA-N N-[bis(dimethylsilyloxy)-methylsilyl]-N-propan-2-ylpropan-2-amine Chemical compound C(C)(C)N([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)C)C(C)C PCMPTCSXJMMHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OLHBELMDCDHPLQ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C Chemical compound C(C)(C)(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C OLHBELMDCDHPLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SGRKIICHWTXFCC-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C Chemical compound C(C)(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C SGRKIICHWTXFCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XZJYAEPYTWTLEH-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C Chemical compound C(C)(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C XZJYAEPYTWTLEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZYKPTOYONZAPLF-UHFFFAOYSA-N C(C)N([SiH](O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)CC Chemical compound C(C)N([SiH](O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)CC ZYKPTOYONZAPLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IDEUBAFOKLOISK-UHFFFAOYSA-N C(C)N([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)CC Chemical compound C(C)N([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)CC IDEUBAFOKLOISK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CKUGOHYVXWUPAT-UHFFFAOYSA-N C(C)N([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(C)O[SiH](C)C)(C)C)CC Chemical compound C(C)N([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(C)O[SiH](C)C)(C)C)CC CKUGOHYVXWUPAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GNKBPLQFKSPEDI-UHFFFAOYSA-N C(C)N([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)(C)C)CC Chemical compound C(C)N([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)(C)C)CC GNKBPLQFKSPEDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RGWUVOZTUINESA-UHFFFAOYSA-N C(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C Chemical compound C(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C RGWUVOZTUINESA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DUVQWQRTKIOZJK-UHFFFAOYSA-N C(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C Chemical compound C(C)N[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C DUVQWQRTKIOZJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FCNLLWFCGXVDML-UHFFFAOYSA-N C(C)[SiH](O[Si](C)(C)NC)O[SiH](C)C Chemical compound C(C)[SiH](O[Si](C)(C)NC)O[SiH](C)C FCNLLWFCGXVDML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CWOBFWDIXQDJNJ-UHFFFAOYSA-N C(C)[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)NC Chemical compound C(C)[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)NC CWOBFWDIXQDJNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RKLCMAVCJSFXFX-UHFFFAOYSA-N CN([SiH](O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)C Chemical compound CN([SiH](O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)C RKLCMAVCJSFXFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IUACUVILZIYQAY-UHFFFAOYSA-N CN([SiH](O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)C Chemical compound CN([SiH](O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)C IUACUVILZIYQAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SVPTUOVBPCQNGR-UHFFFAOYSA-N CN([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)C Chemical compound CN([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)C SVPTUOVBPCQNGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PWECOQVUWUJZMV-UHFFFAOYSA-N CN[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C Chemical compound CN[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C PWECOQVUWUJZMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GYNOSHLKHMLHLT-UHFFFAOYSA-N CN[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C Chemical compound CN[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C GYNOSHLKHMLHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JBCLRFJHCGBKQL-UHFFFAOYSA-N N-[[bis(dimethylsilyloxy)-methylsilyl]oxy-dimethylsilyl]-N-propan-2-ylpropan-2-amine Chemical compound C(C)(C)N([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(C)O[SiH](C)C)(C)C)C(C)C JBCLRFJHCGBKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GYFARXWTRKLBLG-UHFFFAOYSA-N N-bis(dimethylsilyloxy)silyl-N-propan-2-ylpropan-2-amine Chemical compound C(C)(C)N([SiH](O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)C(C)C GYFARXWTRKLBLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VBIFWFBWCIUHAC-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-tris(dimethylsilyloxy)silylpropan-2-amine Chemical compound C(C)(C)N([Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)C(C)C VBIFWFBWCIUHAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HFBTWSOMECMCJH-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-tris(trimethylsilyloxy)silylpropan-2-amine Chemical compound C(C)(C)N([Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)C(C)C HFBTWSOMECMCJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XEQIKJAOLREFTQ-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylsilyl) [[di(propan-2-yl)amino]-dimethylsilyl] silicate Chemical compound C(C)(C)N([Si](O[Si](O[SiH](C)C)(O[SiH](C)C)O[SiH](C)C)(C)C)C(C)C XEQIKJAOLREFTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 125
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 124
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 103
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 64
- 230000008569 process Effects 0.000 description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 46
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 41
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 26
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 21
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 13
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 13
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 11
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910004013 NO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- RRKODOZNUZCUBN-CCAGOZQPSA-N (1z,3z)-cycloocta-1,3-diene Chemical compound C1CC\C=C/C=C\C1 RRKODOZNUZCUBN-CCAGOZQPSA-N 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 108700039708 galantide Proteins 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- IETKMTGYQIVLRF-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;rhodium;triphenylphosphane Chemical compound [Rh].[O+]#[C-].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IETKMTGYQIVLRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- MDCWDBMBZLORER-UHFFFAOYSA-N triphenyl borate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OB(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 MDCWDBMBZLORER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 2
- RMFRFTSSEHRKKW-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(diisopropylphosphino)ethane Chemical compound CC(C)P(C(C)C)CCP(C(C)C)C(C)C RMFRFTSSEHRKKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C)CC1 RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 2
- 125000005262 alkoxyamine group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOVWJRDDHRBJRW-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC GOVWJRDDHRBJRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNKYFCABELSPAN-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C LNKYFCABELSPAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- SWGZAKPJNWCPRY-UHFFFAOYSA-N methyl-bis(trimethylsilyloxy)silicon Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)O[Si](C)(C)C SWGZAKPJNWCPRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- IFYDWYVPVAMGRO-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]tetradecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCCN(C)C IFYDWYVPVAMGRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 2
- VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N trisilylamine group Chemical class [SiH3]N([SiH3])[SiH3] VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 125000001399 1,2,3-triazolyl group Chemical group N1N=NC(=C1)* 0.000 description 1
- ZKWQSBFSGZJNFP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(dimethylphosphino)ethane Chemical group CP(C)CCP(C)C ZKWQSBFSGZJNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHDGCWIWMRVCDJ-UHFFFAOYSA-N 1-beta-D-Xylofuranosyl-NH-Cytosine Natural products O=C1N=C(N)C=CN1C1C(O)C(O)C(CO)O1 UHDGCWIWMRVCDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(dimethylamino)ethoxy]-n,n-dimethylethanamine Chemical compound CN(C)CCOCCN(C)C GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 125000000172 C5-C10 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- CZCFDNQLUFTSIO-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=CC=1C[Ca]CC1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=CC=1C[Ca]CC1=CC=CC=C1 CZCFDNQLUFTSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVCWKXBYGCJHDF-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)N=[W](N(C)C)(=NC(C)(C)C)N(C)C Chemical compound CC(C)(C)N=[W](N(C)C)(=NC(C)(C)C)N(C)C JVCWKXBYGCJHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQBINNXWRDRCHB-UHFFFAOYSA-N CCC(C)(C)N=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C Chemical compound CCC(C)(C)N=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C QQBINNXWRDRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPAOQHVKVUVRV-UHFFFAOYSA-N CCCCN=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C Chemical compound CCCCN=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C JRPAOQHVKVUVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDGHBHKZHSFTHO-UHFFFAOYSA-N CCN(C)[Ta](=NC(C)(C)C)(N(C)CC)N(C)CC Chemical compound CCN(C)[Ta](=NC(C)(C)C)(N(C)CC)N(C)CC PDGHBHKZHSFTHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKBKXJWUIIYCBD-UHFFFAOYSA-N CCN(C)[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)=NC(C)(C)CC Chemical compound CCN(C)[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)=NC(C)(C)CC GKBKXJWUIIYCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYKBKTFUORICGA-UHFFFAOYSA-N CCN(CC)[Ta](=NC(C)(C)C)(N(CC)CC)N(CC)CC Chemical compound CCN(CC)[Ta](=NC(C)(C)C)(N(CC)CC)N(CC)CC YYKBKTFUORICGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GODRSDDUYGEYDK-UHFFFAOYSA-N CCN(CC)[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)=NC(C)(C)CC Chemical compound CCN(CC)[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)=NC(C)(C)CC GODRSDDUYGEYDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVBDGJZEAHBGFJ-UHFFFAOYSA-N CCN(CC)[W](=NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)N(CC)CC Chemical compound CCN(CC)[W](=NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)N(CC)CC IVBDGJZEAHBGFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYWGPKCZWZCWAG-UHFFFAOYSA-N CCN=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C Chemical compound CCN=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C LYWGPKCZWZCWAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEKOOYWLWGERES-UHFFFAOYSA-N CCN=[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC Chemical compound CCN=[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC AEKOOYWLWGERES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLKUSFBEBZOVGX-UHFFFAOYSA-N CCN=[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)N(CC)CC Chemical compound CCN=[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)N(CC)CC ZLKUSFBEBZOVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 C[Si+](C)O[Si+](N(*)*)O[Si+](C)C Chemical compound C[Si+](C)O[Si+](N(*)*)O[Si+](C)C 0.000 description 1
- 101100242814 Caenorhabditis elegans parg-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021594 Copper(II) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- UHDGCWIWMRVCDJ-PSQAKQOGSA-N Cytidine Natural products O=C1N=C(N)C=CN1[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO)O1 UHDGCWIWMRVCDJ-PSQAKQOGSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KTGFAKJECWNQOE-UHFFFAOYSA-L F[Zr](F)(C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 Chemical compound F[Zr](F)(C1C=CC=C1)C1C=CC=C1 KTGFAKJECWNQOE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTLZVHNRZJPSMI-UHFFFAOYSA-N N-ethylpiperidine Chemical compound CCN1CCCCC1 HTLZVHNRZJPSMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000534944 Thia Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- HVURSIGIEONDKB-UHFFFAOYSA-N benzene;chromium Chemical compound [Cr].C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1 HVURSIGIEONDKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JPENYKGUOGPWBI-UHFFFAOYSA-N bis(oxomethylidene)iridium Chemical compound O=C=[Ir]=C=O JPENYKGUOGPWBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPJPTAQKIFHZQU-UHFFFAOYSA-N bis(tert-butylimino)tungsten;dimethylazanide Chemical compound C[N-]C.C[N-]C.CC(C)(C)N=[W]=NC(C)(C)C PPJPTAQKIFHZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDWGGTLVZGTDGQ-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyloxy)silyloxy-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[SiH](O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C FDWGGTLVZGTDGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- PJQIKDNTHAEVOR-UHFFFAOYSA-L bromo(iodo)copper Chemical compound [Cu++].[Br-].[I-] PJQIKDNTHAEVOR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- XWDKRVSSHIJNJP-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;iridium Chemical group [Ir].[Ir].[Ir].[Ir].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] XWDKRVSSHIJNJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUBLMKVEIPBYME-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;osmium Chemical group [Os].[Os].[Os].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] VUBLMKVEIPBYME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZQABOJVTZVBHE-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;rhodium Chemical group [Rh].[Rh].[Rh].[Rh].[Rh].[Rh].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] SZQABOJVTZVBHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMJBMLFXJWHQJH-UHFFFAOYSA-M carbon monoxide;rhodium;triphenylphosphane;chloride Chemical compound [Cl-].[Rh].[O+]#[C-].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RMJBMLFXJWHQJH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NQZFAUXPNWSLBI-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;ruthenium Chemical group [Ru].[Ru].[Ru].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] NQZFAUXPNWSLBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- RCZTVKADWKKNHB-UHFFFAOYSA-N chloro-methyl-bis(trimethylsilyloxy)silane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(Cl)O[Si](C)(C)C RCZTVKADWKKNHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBCITGBFGUITMR-UHFFFAOYSA-N chloro-tris(trimethylsilyloxy)silane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](Cl)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C BBCITGBFGUITMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004803 chlorobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M copper(i) bromide Chemical compound Br[Cu] NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L copper(ii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Cu+2] GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- JAGHDVYKBYUAFD-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,3-diene;titanium(4+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ti+4].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 JAGHDVYKBYUAFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WDGICGVEWQIMTQ-UHFFFAOYSA-L cyclopentane;difluorotitanium Chemical compound F[Ti]F.[CH]1[CH][CH][CH][CH]1.[CH]1[CH][CH][CH][CH]1 WDGICGVEWQIMTQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UVMKWDWODUTHAV-UHFFFAOYSA-N cyclopentane;titanium(2+) Chemical compound [Ti+2].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1.[CH]1[CH][CH][CH][CH]1 UVMKWDWODUTHAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- UHDGCWIWMRVCDJ-ZAKLUEHWSA-N cytidine Chemical compound O=C1N=C(N)C=CN1[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO)O1 UHDGCWIWMRVCDJ-ZAKLUEHWSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFEOTYVTTQCYAZ-UHFFFAOYSA-N dimanganese decacarbonyl Chemical group [Mn].[Mn].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] QFEOTYVTTQCYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOUILILVWRHZSH-UHFFFAOYSA-N dimethyl-tris[(dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy]silyloxysilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](O[Si](C)C)(O[Si](C)C)O[Si](C)C UOUILILVWRHZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSLPMIMVDUOYFW-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C VSLPMIMVDUOYFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane;platinum Chemical compound [Pt].C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YIYLRTSZEHMEHP-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide tungsten(2+) Chemical compound C(C)N(C)[W]N(CC)C YIYLRTSZEHMEHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000013628 high molecular weight specie Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- JPQBRSQJGWOTGC-UHFFFAOYSA-N methyl(silyloxysilyloxy)silane Chemical compound C[SiH2]O[SiH2]O[SiH3] JPQBRSQJGWOTGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N n-(tert-butylamino)silyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N[SiH2]NC(C)(C)C VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LXXSWZYRKAQQDI-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-silylethanamine Chemical compound CCN([SiH3])CC LXXSWZYRKAQQDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005244 neohexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L nickel(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ni+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- AIYYMMQIMJOTBM-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) acetate Chemical compound [Ni+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O AIYYMMQIMJOTBM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940031826 phenolate Drugs 0.000 description 1
- RJQWVEJVXWLMRE-UHFFFAOYSA-N platinum;tritert-butylphosphane Chemical compound [Pt].CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C.CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C RJQWVEJVXWLMRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011949 solid catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 1
- MJZMLBVNMBLKQY-UHFFFAOYSA-N sulfonylphosphane Chemical compound O=S(=O)=P MJZMLBVNMBLKQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N tris(pentafluorophenyl)borane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1B(C=1C(=C(F)C(F)=C(F)C=1F)F)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N trisiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH3] ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 239000011995 wilkinson's catalyst Substances 0.000 description 1
- UTODFRQBVUVYOB-UHFFFAOYSA-P wilkinson's catalyst Chemical compound [Cl-].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)[Rh+](P(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)P(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UTODFRQBVUVYOB-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- QMBQEXOLIRBNPN-UHFFFAOYSA-L zirconocene dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zr+4].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 QMBQEXOLIRBNPN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/54—Nitrogen-containing linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
- C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
- C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
- C08L83/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/26—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
Description
本願は、2017年2月8日出願の米国仮出願第62/456,311号および2017年3月16日出願の仮出願第62/472,313号に対して合衆国法典第35巻第119条e項に基づく優先権の利益を主張し、それらを参照することによってその全体を本明細書の内容とする。
によって表される構造を有するオルガノアミノ−ポリシロキサン化合物を調製する方法を提供し、この方法は、a)反応物R1R2NHおよび少なくとも1つのSi−H基を有するポリシロキサンを、触媒の存在の下で接触させ、それによって反応混合物を形成させ、ここでR1およびR2は上記で規定したとおりである、工程、b)随意選択的にこの反応混合物に溶媒を加える工程、c)この反応混合物を約0℃〜約300℃の範囲の温度で維持する工程、ならびにd)反応を進行させて、この反応混合物からオルガノアミノ−ポリシロキサン化合物の形成を進行させる工程、の工程を含んでいる。
a.基材を反応器中に供給する工程、
b.その反応器中に、上記で規定された式A〜Hを有する少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサン前駆体を導入する工程、
c.その反応器をパージガスでパージする工程、
d.プラズマを含む酸素含有源をその反応器中に導入する工程、ならびに、
e.その反応器をパージガスでパージする工程、
を含んでいる。
この方法では、工程b〜eは、基材上に所望の厚さの膜が堆積されるまで繰り返される。
a.基材を反応器中に供給する工程、
b.その反応器中に、ここで記載された式A〜Hを有する少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサン前駆体を導入する工程、
c.反応器をパージガスでパージして、吸収されなかった前駆体の少なくとも一部を除去する工程、
d.酸素含有プラズマ源をその反応器中に導入する工程、ならびに、
e.反応器をパージガスでパージして、未反応の酸素源の少なくとも一部を除去する工程、
を含んでおり、工程b〜eは、所望の厚さのケイ素含有膜が堆積されるまで、繰り返される。
a.基材を反応器中に供給する工程、
b.その反応器中に、ここで記載された式AまたはCを有する少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサンを導入する工程、
c.反応器をパージガスでパージし、吸収されなかった前駆体の少なくとも一部を除去する工程、
d.酸素含有プラズマ源をその反応器中に導入する工程、ならびに、
e.反応器をパージガスでパージして、未反応の酸素源の少なくとも一部を除去する工程、
を含んでおり、工程b〜eは、所望の厚さのケイ素含有膜が堆積されるまで繰り返される。式AおよびCを有するオルガノアミノ−ポリシロキサンは、Si−H基は、600℃超の温度では分解する可能性があり、そして望ましくない化学気相堆積を引き起こす可能性がある処、それらが、いずれのSi−H基も含んでいないので、この方法のために好ましいことが信じられる。しかしながら、特定の条件下では、例えば短い前駆体パルスまたは低い反応器圧力を用いること、あるいは基材を回転せることで、この方法はまた、式B、D、E、F、GまたはHを有するオルガノアミノ−ポリシロキサン前駆体を、600℃超の温度で用いて、有意な望ましくない化学気相堆積なしに、行うことができる。
a.基材を反応器中に供給する工程、
b.上記の式A〜Hによって表される構造を有する少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサンから発生された蒸気を、加熱された基材上に化学的に吸収されるように、並行して流れる酸素源と接触させる、または接触させない工程、
c.吸収されなかったいずれかの前駆体をパージする工程、
d.酸素源を加熱された基材上に導入して、吸収された前駆体と反応させる工程、ならびに、
e.未反応の酸素源をパージする工程、
工程b〜eは、所望の厚さが得られるまで繰り返される。
a.基材を反応器中に供給する工程、
b.その反応器中に、ここに記載された式A〜Hを有する少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサンを導入する工程、
c.反応器をパージガスでパージして、吸収されなかった前駆体の少なくとも一部を除去する工程、
d.窒素含有プラズマ源をその反応器中に導入する工程、ならびに、
e.反応器をパージガスでパージして、未反応の窒素源の少なくとも一部を除去する工程、
を含み、工程b〜eは、所望の厚さの酸窒化ケイ素含有膜が堆積されるまで繰り返される。
a.基材を反応器中に供給する工程、
b.上記の式A〜Hによって表される構造を有する少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサンから発生される蒸気を、加熱された基材上に前駆体が化学的に吸収されるように、並行して流れる窒素源と接触させる、または接触させない工程、
c.いずれかの吸収されなかった前駆体をパージする工程、
d.窒素源を加熱された基材上に導入して吸収された前駆体と反応させる工程、ならびに、
e.未反応の窒素源をパージする工程、
工程b〜eは、所望の厚さが得られるまで繰り返される。
a.基材を反応器中に供給する工程、
b.上記の式A〜Hによって表される構造を有する少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサンから発生される蒸気を、加熱された基材上に前駆体が化学的に吸収されるように、並行して流れる窒素源と接触させる、または接触させない工程、
c.いずれかの吸収されなかった前駆体をパージする工程、
d.窒素源を加熱された基材上に導入して、吸収された前駆体と反応させる工程、ならびに、
e.未反応の窒素源をパージする工程、
f.酸素源を加熱された基材上に導入して、吸収された前駆体と反応させる工程、ならびに、
g.いずれかの未反応の窒素源をパージする工程、
工程b〜gは、所望の厚さの酸窒化ケイ素含有膜が得られるまで繰り返される。他の態様では、工程fは、工程dのところで行うことができる、すなわち、酸素源は、窒素源の前に導入されて、酸窒化ケイ素含有膜を与えることができる。
表面フィーチャ含む基材を反応器中に配置する工程、この基材は、約−20℃〜約400℃の範囲の1つもしくは2つ以上の温度に維持され、そして反応器の圧力は100Torr以下に維持される、
式A〜Hからなる群から選択される少なくとも1種の化合物を導入する工程、
その反応器中に酸素源を供給して、少なくとも1種の化合物と反応させて、膜を形成させ、そして表面フィーチャの少なくとも一部を被覆する工程、
この膜を、約100℃〜1000℃の1つもしくは2つ以上の温度でアニールして、表面フィーチャの少なくとも一部を被覆する工程、ならびに、
この基材を、約20℃〜約1000℃の範囲の1つもしくは2つ以上の温度で、酸素源で処理して、表面フィーチャの少なくとも一部にケイ素含有膜を形成する工程、
を含んでいる。
表面フィーチャを含む基材を、反応器中に配置すること、この基材は、約−20℃〜約400の範囲の1つもしくは2つ以上の温度に維持され、そしてその反応器の圧力は100Torr以下に維持される、
式A〜Hからなる群から選択される少なくとも1種の化合物を導入する工程、
窒素源をその反応器中に供給して、少なくとも1種化合物と反応させて膜を形成させ、そして基材フィーチャの少なくとも一部を被覆する工程、
この膜を、約100℃〜1000℃の1つもしくは2つ以上の温度でアニールして、基材フィーチャの少なくとも一部を被覆する工程、ならびに、
この基材を、酸素源で、約20℃〜約1000℃の範囲の1つもしくは2つ以上の温度で処理して、表面フィーチャの少なくとも一部の上にケイ素含有膜を形成させる工程、
を含んでいる。
THF(モレキュラーシーブで乾燥された)中の2.0Mのジメチルアミンの2.26mL(4.52ミリモル)の溶液を、30mgのRu3(CO)12に直接に加え、その結果、触媒の泡立ちが、それがゆっくりと溶解されるとともに観察された。この暗橙色の溶液を、次いで5mLのヘキサン中の0.84g(3.77ミリモル)のビス(トリメチルシロキシ)メチルシランの無色の溶液に、窒素雰囲気での保護の下に、滴下で加えた。結果として得られた暗橙色の溶液を、室温で一晩攪拌しながら、通気させた。GC−MSで、m/z=265(M+),250(M−15),221,207,191,176,162,147,133,119,103,73にピークを有する所望のジメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−へプタメチルトリシロキサン生成物の証拠が示された。
3−クロロ−1,1,1,3,5,5,5−へプタメチルトリシロキサンを含む溶液が、THF中のジメチルアミン溶液で、トリエチルアミンの存在で処理されて、混合物を与え、これがしばらくの間攪拌される。結果として得られるアミンヒドロクロリドの固体が、ろ過によって取り出され、そしてジメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−へプタメチルトリシロキサン生成物が真空蒸留によって精製される。
3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンを含む溶液が、THF中のジメチルアミン溶液で、触媒、例えばRu、Pt、Pd、もしくはRhまたはその錯体の存在の下で処理されて、混合物を与え、それがしばらくの時間攪拌される。結果として得られる3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン生成物が真空蒸留によって精製される。
機械的攪拌機、凝縮器、および添加ロートを備えた2Lの三つ首丸底フラスコに、97.5g(294.47ミリモル)のトリス(トリメチルシロキシ)クロロシランを充填し、次いで800mLのヘキサンを加えた。この混合物を、0℃の内部温度まで冷却し、そして36.0g(355.77ミリモル)のトリエチルアミンを、添加ロートにより滴下で加えた。次いで、添加ロートにTHF中のジメチルアミンの2.0M溶液220mL(440ミリモル)を充填し、そして反応の内部温度を0℃に維持しながら、滴下で加えた。添加の後に、反応は、冷浴から取り出され、そして攪拌しながら室温に到達させられた。16時間後に、結果として得られて白色のスラリーは、中間の多孔性の300mLのろ過ロートでろ過された。約45gの塩が収集された。ろ液は、回転式蒸発に付されて揮発分を除去された(150Torr,50℃で)。未精製の生成物は、真空蒸留(65℃、1Torr未満)で精製されて、73.7gの3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンが得られた。DSC分析で、219℃の沸点が示された。GC−MS分析で、以下のピークが示された:m/z=339(M+),324(M−15),279,265,250,236,207,193,177,163,147,133,119,102,73。
磁気式攪拌機を備えた100mLの丸底フラスコ中で、1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン(3.6g、0.017モル)およびジエチルアミン(2.5g、0.034モル)が混合され、そして攪拌された。30mgのRu3(CO)12固体触媒が加えられ、そして反応が、窒素の保護の下で、通気させながら、16時間攪拌された。結果として得られた反応溶液は、GC−MSによって分析され、そして、3−ジエチルアミノ−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンを主な生成物として含むことが見出された。GC−MSで、以下のピークが示された:m/z=279(M+),264(M−15),248,234,220,207,193,176,163,147,133,119,103,89,73。
THF中の2.0Mのジメチルアミン(0.75mL,0.0015モル)、テトラキス(ジメチルシロキシ)シラン(1.00g、0.00304モル)、およびRu3(C)12(0.04g、6.0×10−5モル)を、20mLのシンチレーションバイアル中で混合し、そしてこの混合物を、窒素の保護の下で、室温にて1日間攪拌させた。結果として得られた反応溶液は、GC−MSによって分析され、そして1−ジメチルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサンを主な生成物として含むことが見出された。GC−MSで、以下のピークが示された:m/z=371(M+),356(M−15),341,327,311,296,281,267,253,239,223,207,193,179,162,148,133,119,102,88,73。
酸化ケイ素膜の原子層堆積が、以下の前駆体DMATMSを用いて行われた。この堆積は、試験室規模のALD処理装置で行われた。このケイ素前駆体は、ベーパードローによってチャンバへと供給された。堆積プロセスおよびパラメータは、表2に与えられている。工程1〜6が、所望の厚さに到達するまで繰り返される。500℃での、DMATMS前駆体の供給時間8秒間およびオゾン流を4秒間で、測定されたサイクル当たりの膜成長速度は、1.24Å/サイクルであり、そして膜の屈折率は1.43である。
酸化ケイ素膜のプラズマ促進原子層堆積が、以下の前駆体DMATMSを用いて行われた。この堆積は、27.1MHzの直流プラズマを備えた商業的なラテラルフロー反応器(ASMによって製造された300mmのPEALD装置)で行われた。ケイ素前駆体は、ベーパードローによってチャンバへと供給された。堆積プロセスおよびパラメータは、表3に与えられている。工程1〜6が、所望の厚さに到達するまで繰り返される。100℃にて、DMATMS前駆体の供給時間4秒間および酸素プラズマ時間2秒間で、測定されたサイクル当たりの膜成長速度は、0.88Å/サイクルであり、そして膜の屈折率は、1.49である。
堆積は、3−ジメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−へプタメチルトリシロキサンをSi前駆体として、そしてO2プラズマで、表3に与えられた条件の下に行われた。Si前駆体として3−ジメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−へプタメチルトリシロキサンが、キャリアガスによって、周囲温度(25℃)で供給された。工程b〜eが、計測用の、所望の厚さの酸化ケイ素を得るように150回繰り返された。膜の成長速度および屈折率は、表4に示されている。
堆積は、3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンをSi前駆体として、およびO2プラズマで、表3に与えた条件の下で行われた。3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンは、Si前駆体として、100℃の堆積では60℃の、そして300℃の堆積では70℃の、200sccmのArキャリアガスによって、供給された。工程b〜eは、計測用に所望の厚さの酸化ケイ素を得るように150回繰り返された。膜の成長速度および屈折率が、表5に示されている。
酸化ケイ素膜の原子層堆積は、以下の前駆体:3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンを用いて行われた。この堆積は、試験室規模のALD処理装置で行われた。ケイ素前駆体は、ベーパードローによってチャンバへと供給された。堆積プロセスおよびパラメータは、表2に与えられている。複数の前駆体パルスが用いられる場合には、工程2a〜2cが繰り返される。工程1〜6は、所望の厚さに到達するまで繰り返される。堆積のプロセスパラメータ、堆積速度および屈折率が、表6に与えられている。
Claims (25)
- 式A、B、C、D、E、F、G、およびH、
R1は、直鎖のC1〜C10アルキル基、分岐のC3〜C10アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基から選択され、そして、
R2は、水素、C1〜C10直鎖アルキル基、分岐C3〜C10アルキル基、C3〜C10環式アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基からなる群から選択され、
式A〜H中のR1およびR2は、環構造を形成するように結合されているか、または環構造を形成するように結合されていないかの、いずれかである、
からなる群から選択された少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサンを含む組成物。 - 式Aおよび式Cからなる群から選択された少なくとも1種の化合物を含む、請求項1記載の組成物。
- 溶媒およびパージガスからなる群から選択された少なくとも1つの成分を更に含む、請求項1記載の組成物。
- 前記溶媒が、ヘキサメチルジシロキサンおよびオクタメチルトリシロキサンからなる群から選択される、請求項3記載の組成物。
- 前記溶媒が、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、エチルシクロヘキサン、およびエチルシクロオクタンからなる群から選択される、請求項3記載の組成物。
- R1およびR2が、それぞれC1〜C4アルキル基である、請求項1記載の組成物。
- 前記組成物が、ハロゲン化物、金属イオン、金属、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された1種もしくは2種以上の不純物を実質的に含まない、請求項1記載の組成物。
- 前記オルガノアミノ−ポリシロキサン化合物が、3−ジメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−ジメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、1−ジエチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、1−エチルメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、1−ジ−イソ−プロピルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−ジメチルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−ジエチルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−エチルメチルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、および1−ジ−イソ−プロピルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−メチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−エチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−イソ−プロピルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−tert−ブチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−メチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−エチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−イソ−プロピルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−tert−ブチルミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンからなる群から選択される、請求項1記載の組成物。
- 基材上にケイ素および酸化物を含む膜を堆積させる方法であって、以下の工程、
a)基材を反応器中に基材を供給する工程、
b)該反応器中に、式A、B、C、D、E、F、GおよびH、
R1は、直鎖のC1〜C10アルキル基、分岐のC3〜C10アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基から選択され、そして、
R2は、水素、C1〜C10直鎖アルキル基、分岐C3〜C10アルキル基、C3〜C10環式アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基からなる群から選択され、
式A〜H中のR1およびR2は、環構造を形成するように結合されているか、または環構造を形成するように結合されていないかの、いずれかである、
からなる群から選択された少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサン化合物を含む組成物を導入する工程、
c)該反応器をパージガスでパージする工程、
d)酸素含有源および窒素含有源の少なくとも1種を該反応器中に導入する工程、ならびに
e)該反応器をパージガスでパージする工程、
を含んでなり、工程b〜eは、所望の厚さの膜が堆積されるまで繰り返され、そして該方法は、約25℃〜600℃の範囲の1つもしくは2つ以上の温度で行われる、
方法。 - 前記オルガノアミノ−ポリシロキサン化合物が、3−ジメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−ジメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、1−ジエチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、1−エチルメチルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、1−ジ−イソ−プロピルアミノ−3−(ジメチルシロキシ)−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−ジメチルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−ジエチルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、1−エチルメチルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、および1−ジ−イソ−プロピルアミノ−3,3−ビス(ジメチルシロキシ)−1,1,5,5−テトラメチルトリシロキサン、3−メチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−エチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−イソ−プロピルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−tert−ブチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−メチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−エチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−イソ−プロピルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−tert−ブチルミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンからなる群から選択される、請求項9記載の方法。
- 前記組成物が、溶媒およびパージガスからなる群から選択される少なくとも1種の成分を更に含む、請求項9記載の方法。
- 前記溶媒が、ヘキサメチルジシロキサンおよびオクタメチルトリシロキサンからなる群から選択される、請求項11記載の方法。
- 前記溶媒が、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、エチルシクロヘキサンおよびエチルシクロオクタンからなる群から選択される、請求項11記載の方法。
- R1およびR2が、それぞれC1〜C4アルキル基である、請求項9記載の方法。
- 前記組成物が、ハロゲン化物、金属イオン、金属、およびそれらの組み合わせから選択される1種もしくは2種以上の不純物を実質的に含まない、請求項8記載の方法。
- ケイ素および酸化物を含む膜を基材上に堆積させる方法であって、以下の工程、
a)基材を反応器中に供給する工程、
b)式Aおよび式C、
R1は、直鎖のC1〜C10アルキル基、分岐のC3〜C10アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基から選択され、そして、
R2は、水素、C1〜C10直鎖アルキル基、分岐C3〜C10アルキル基、C3〜C10環式アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基からなる群から選択され、
式Aおよび式C中のR1およびR2は、環構造を形成するように結合されているか、または環構造を形成するように結合されていないかの、いずれかである、
からなる群から選択される少なくとも1種のオルガノアミノ−ポリシロキサンを含む組成物を該反応器中に導入する工程、
c)該反応器をパージガスでパージする工程、
d)酸素含有源および窒素含有源の少なくとも1種を該反応器中に導入する工程、ならびに
e)該反応器をパージガスでパージする工程、
を含んでなり、工程b〜eは、所望の厚さの膜が堆積されるまで繰り返され、そして該方法は、約600℃〜800℃の範囲の1つもしくは2つ以上の温度で行われる、
方法。 - 前記オルガノアミノ−ポリシロキサン化合物が、3−ジメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジ−イソ−プロピルアミノ−1,1,3,5,5−ペンタメチルトリシロキサン、3−ジメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−ジエチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン、3−エチルメチルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、および3−ジ−イソ−プロピルアミノ−3−(トリメチルシロキシ)−1,1,1,5,5,5−ヘキサメチルトリシロキサンの群から選択される、請求項16記載の方法。
- 前記組成物が、溶媒およびパージガスからなる群から選択される少なくとも1種の成分を更に含む、請求項16記載の方法。
- 前記溶媒が、ヘキサメチルジシロキサンおよびオクタメチルトリシロキサンからなる群から選択される、請求項18記載の方法。
- 前記溶媒が、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、エチルシクロヘキサンおよびエチルシクロオクタンからなる群から選択される、請求項18記載の方法。
- R1およびR2が、それぞれC1〜C4アルキル基である、請求項16記載の方法。
- 前記組成物が、ハロゲン化物、金属イオン、金属、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される1種もしくは2種以上の不純物を実質的に含まない、請求項16記載の方法。
- 以下の特徴、少なくとも約2.1g/ccの密度、1:100のHFの水に対する希HF(0.5質量%dHF)酸の溶液で測定された約2.5Å/秒未満の湿式エッチング速度、6MV/cmまでの約1×10−8A/cm2未満の漏電、および二次イオン質量分析(SIMS)によって測定された約5×1020at/cc未満の水素不純物、の少なくとも1つを含む、請求項9記載の方法によって形成されたケイ素および酸素含有膜。
- 以下の特徴、少なくとも約2.1g/ccの密度、1:100のHFの水に対する希HF(0.5質量%dHF)酸の溶液で測定された約2.5Å/秒未満の湿式エッチング速度、6MV/cmまでの約1×10−8A/cm2未満の漏電、および二次イオン質量分析(SIMS)によって測定された約5×1020at/cc未満の水素不純物、の少なくとも1つを含む、請求項16記載の方法によって形成されたケイ素および酸素含有膜。
- 式A〜H、
R1は、直鎖のC1〜C10アルキル基、分岐のC3〜C10アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基から選択され、そして、
R2は、水素、C1〜C10直鎖アルキル基、分岐C3〜C10アルキル基、C3〜C10環式アルキル基、C3〜C10ヘテロ環式基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、およびC4〜C10アリール基からなる群から選択され、
式A〜H中のR1およびR2は、環構造を形成するように結合されているか、または環構造を形成するように結合されていないかの、いずれかである、
によって表される構造を有するオルガノアミノ−ポリシロキサン化合物の調製方法であって、以下の工程、
a)反応物R1R2NHを、少なくとも1つのSi−H基を有するポリシロキサンと、触媒の存在下で接触させ、それによって反応混合物を形成させる工程、ここでR1およびR2は上記で規定したとおりである、
b)随意選択的に、溶媒を前記反応混合物に加える工程、
c)前記反応混合物を、約0℃〜約300℃の範囲の温度で維持する工程、ならびに、
d)反応を進行させて、前記反応混合物から前記オルガノアミノ−ポリシロキサン化合物を形成させる工程、
を含む方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762456311P | 2017-02-08 | 2017-02-08 | |
US62/456,311 | 2017-02-08 | ||
US201762472313P | 2017-03-16 | 2017-03-16 | |
US62/472,313 | 2017-03-16 | ||
US15/884,013 US11591692B2 (en) | 2017-02-08 | 2018-01-30 | Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films |
US15/884,013 | 2018-01-30 | ||
PCT/US2018/017050 WO2018148201A1 (en) | 2017-02-08 | 2018-02-06 | Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020509149A true JP2020509149A (ja) | 2020-03-26 |
JP6970213B2 JP6970213B2 (ja) | 2021-11-24 |
Family
ID=63038731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019563339A Active JP6970213B2 (ja) | 2017-02-08 | 2018-02-06 | ケイ素含有膜の堆積のためのオルガノアミノ−ポリシロキサン |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11591692B2 (ja) |
EP (1) | EP3580370A4 (ja) |
JP (1) | JP6970213B2 (ja) |
KR (2) | KR20190105131A (ja) |
CN (2) | CN110462097B (ja) |
SG (1) | SG11201907213XA (ja) |
TW (1) | TWI667249B (ja) |
WO (1) | WO2018148201A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113150285B (zh) * | 2021-04-20 | 2022-08-09 | 哈尔滨工业大学 | 利用脱氢偶联反应合成氮杂环改性有机硅树脂的制备方法 |
CN117050233B (zh) * | 2023-10-09 | 2023-12-26 | 东营市宝泽能源科技有限公司 | 一种粘土稳定剂及其合成方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1155076A (en) | 1967-09-07 | 1969-06-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Amplifier For Electric Signals |
US3530092A (en) * | 1968-07-26 | 1970-09-22 | Union Carbide Corp | Process for preparing organosiliconnitrogen compounds |
US3700712A (en) * | 1971-09-07 | 1972-10-24 | Union Carbide Corp | Process for preparing silicon peroxide compounds |
US5356459A (en) * | 1993-06-30 | 1994-10-18 | Praxair Technology, Inc. | Production and use of improved composite fluid separation membranes |
US6225489B1 (en) | 1993-12-28 | 2001-05-01 | Mona Industries, Inc. | Silicone modified phospholipid compositions |
US7832550B2 (en) * | 2001-07-17 | 2010-11-16 | American Air Liquide, Inc. | Reactive gases with concentrations of increased stability and processes for manufacturing same |
US20050148752A1 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-07 | Klaassens Lars I. | Amino-functional polysiloxanes and their use in coatings |
US7084076B2 (en) | 2003-02-27 | 2006-08-01 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method for forming silicon dioxide film using siloxane |
US8530361B2 (en) | 2006-05-23 | 2013-09-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors |
EP3536363A1 (en) * | 2008-09-22 | 2019-09-11 | Becton, Dickinson and Company | Systems for coating the interior of a container |
US8912353B2 (en) | 2010-06-02 | 2014-12-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
EP2699623B1 (de) * | 2011-04-18 | 2019-12-18 | Momentive Performance Materials GmbH | Funktionalisierte polyorganosiloxane oder silane zur behandlung von lignocellulosischen werkstoffen |
US8771807B2 (en) | 2011-05-24 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for making and using same |
US9404178B2 (en) * | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
US9677178B2 (en) | 2012-01-27 | 2017-06-13 | Versum Materials Us, Llc | Alkoxyaminosilane compounds and applications thereof |
US9337018B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-05-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
US10211310B2 (en) * | 2012-06-12 | 2019-02-19 | Novellus Systems, Inc. | Remote plasma based deposition of SiOC class of films |
US9245740B2 (en) | 2013-06-07 | 2016-01-26 | Dnf Co., Ltd. | Amino-silyl amine compound, method for preparing the same and silicon-containing thin-film using the same |
US10453675B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-10-22 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
WO2015105337A1 (en) | 2014-01-08 | 2015-07-16 | Dnf Co.,Ltd. | Novel trisilyl amine derivative, method for preparing the same and silicon-containing thin film using the same |
US20150275355A1 (en) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films |
US20160049293A1 (en) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and composition for providing pore sealing layer on porous low dielectric constant films |
KR102332415B1 (ko) * | 2014-10-24 | 2021-12-01 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 실리콘-함유 막을 증착시키기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법 |
US10421766B2 (en) * | 2015-02-13 | 2019-09-24 | Versum Materials Us, Llc | Bisaminoalkoxysilane compounds and methods for using same to deposit silicon-containing films |
US9777025B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
US10283348B2 (en) * | 2016-01-20 | 2019-05-07 | Versum Materials Us, Llc | High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films |
-
2018
- 2018-01-30 US US15/884,013 patent/US11591692B2/en active Active
- 2018-02-06 EP EP18751016.9A patent/EP3580370A4/en active Pending
- 2018-02-06 SG SG11201907213XA patent/SG11201907213XA/en unknown
- 2018-02-06 WO PCT/US2018/017050 patent/WO2018148201A1/en unknown
- 2018-02-06 JP JP2019563339A patent/JP6970213B2/ja active Active
- 2018-02-06 KR KR1020197025901A patent/KR20190105131A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-02-06 KR KR1020227004660A patent/KR20220025220A/ko active IP Right Grant
- 2018-02-06 CN CN201880021253.3A patent/CN110462097B/zh active Active
- 2018-02-06 CN CN202211350727.3A patent/CN115584491A/zh active Pending
- 2018-02-07 TW TW107104226A patent/TWI667249B/zh active
-
2023
- 2023-01-31 US US18/162,608 patent/US20230167549A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11591692B2 (en) | 2023-02-28 |
CN110462097A (zh) | 2019-11-15 |
EP3580370A1 (en) | 2019-12-18 |
US20230167549A1 (en) | 2023-06-01 |
TW201833126A (zh) | 2018-09-16 |
KR20190105131A (ko) | 2019-09-11 |
CN115584491A (zh) | 2023-01-10 |
KR20220025220A (ko) | 2022-03-03 |
CN110462097B (zh) | 2022-11-15 |
TWI667249B (zh) | 2019-08-01 |
EP3580370A4 (en) | 2020-11-18 |
WO2018148201A8 (en) | 2019-08-01 |
JP6970213B2 (ja) | 2021-11-24 |
WO2018148201A1 (en) | 2018-08-16 |
US20180223428A1 (en) | 2018-08-09 |
SG11201907213XA (en) | 2019-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7141426B2 (ja) | ケイ素含有膜の堆積のための有機アミノ官能化直鎖状及び環状オリゴシロキサン | |
US20190233446A1 (en) | Organoamino-Functionalized Cyclic Oligosiloxanes for Deposition of Silicon-Containing Films | |
US11177127B2 (en) | Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films | |
JP6885984B2 (ja) | ケイ素含有膜の堆積のための有機アミノ官能化環状オリゴシロキサン | |
US11912730B2 (en) | Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films | |
US20220044929A1 (en) | Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films | |
KR20210121310A (ko) | 고성장률 규소-함유 필름을 위한 탄소 가교결합된 아미노실란 화합물 | |
US20230167549A1 (en) | Organoamino-polisiloxanes for deposition of silicon-containing films | |
TWI771760B (zh) | 用於沉積含矽膜的有機胺官能化環寡矽氧烷及將含矽及氧膜沉積到一基材上之方法 | |
KR20220163999A (ko) | 실리콘 함유 필름의 증착을 위한 유기아미노-작용기화된 사이클릭 올리고실록산 | |
US12018040B2 (en) | Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210928 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6970213 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |