JP2020198403A - Composition for thick film resistor, paste for thick film resistor, and thick film resistor - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 38
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 142
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 229910016062 BaRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEHYRSFAEUPFTN-UHFFFAOYSA-N [Ru].[Ba] Chemical compound [Ru].[Ba] AEHYRSFAEUPFTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O Chemical class [Ru]=O ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000004520 agglutination Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VDRDGQXTSLSKKY-UHFFFAOYSA-K ruthenium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ru+3] VDRDGQXTSLSKKY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
本発明は、チップ抵抗器やハイブリッドＩＣなどの抵抗部品における厚膜抵抗体の形成に使用される、厚膜抵抗体用組成物および厚膜抵抗体用ペースト、並びに、これらを用いて形成された厚膜抵抗体に関する。 The present invention is a composition for a thick film resistor and a paste for a thick film resistor used for forming a thick film resistor in a resistance component such as a chip resistor or a hybrid IC, and formed by using these. Regarding thick film resistors.
従来、電子部品のうちの抵抗部品としては、抵抗ペーストを用いて形成される厚膜抵抗体と、膜形成材料のスパッタリングなどにより形成される薄膜抵抗体とが存在する。これらのうち、厚膜抵抗体は、その製造設備が安価で、かつ、その生産性も高いことから、チップ抵抗器やハイブリッドＩＣなどの抵抗部品として、広範に利用されている。 Conventionally, as a resistance component among electronic components, there are a thick film resistor formed by using a resistance paste and a thin film resistor formed by sputtering of a film forming material. Of these, thick film resistors are widely used as resistance components such as chip resistors and hybrid ICs because their manufacturing equipment is inexpensive and their productivity is high.
厚膜抵抗体は、厚膜抵抗体用ペーストをセラミック基板上に印刷し、焼成することにより形成される。この厚膜抵抗体用ペーストは、導電性粉末と、ガラスフリットと、これらを印刷に適したペースト状にするための有機ビヒクルとにより、実質的に構成される。 The thick film resistor is formed by printing a thick film resistor paste on a ceramic substrate and firing it. This thick film resistor paste is substantially composed of a conductive powder, glass frit, and an organic vehicle for forming these into a paste suitable for printing.
導電性粉末としては、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）やパイロクロア型ルテニウム系酸化物（Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ７−Ｘ、Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ７）などのルテニウム（Ｒｕ）化合物が、一般的に使用されている。導電性粉末としてルテニウム化合物が使用される理由は、主にその濃度の変化に対して抵抗値がなだらかに変化するという特性を有するためである。 As the conductive powder, ruthenium (Ru) compounds such as ruthenium dioxide (RuO 2 ) and pyrochlore-type ruthenium oxides (Pb 2 Ru 2 O 7-X , Bi 2 Ru 2 O 7 ) are generally used. ing. The reason why the ruthenium compound is used as the conductive powder is mainly because it has a property that the resistance value changes gently with respect to the change in its concentration.
ガラスフリットとしては、ホウケイ酸鉛ガラス（ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３）やアルミノホウケイ酸鉛ガラス（ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３）などの鉛を多量に含むホウケイ酸鉛系ガラスが、使用されている。ガラスフリットにホウケイ酸鉛系ガラスが使用される理由は、ルテニウム系酸化物との濡れ性が良好であり、その熱膨張係数が基板の熱膨張係数に近く、焼成時の粘性などにおいて適しているためである。 As the glass frit, borosilicate containing a large amount of lead such as lead borosilicate glass (PbO-SiO 2- B 2 O 3 ) and lead aluminoborosilicate glass (PbO-SiO 2- B 2 O 3- Al 2 O 3 ) Lead acid acid glass is used. The reason why lead borosilicate glass is used for the glass frit is that it has good wettability with ruthenium oxide, its coefficient of thermal expansion is close to the coefficient of thermal expansion of the substrate, and it is suitable for viscosity during firing. Because.
これらの厚膜抵抗体用ペーストにおいて、成膜後の厚膜抵抗体の特性を改善するために、各種の添加剤が含有されている。たとえば、抵抗温度係数（ＴＣＲ）を調整し、電流ノイズを小さくするために使用される従来の添加剤としては、酸化チタン（ＴｉＯ２）あるいは酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）が挙げられる。特開昭６１-２０６２０１号公報には、導電性粉末と、ＰｂＯを含有するガラス粉末と、酸化チタンが組成物中の固形分１００重量部あたりＴｉとして０．０２５重量部〜６．０重量部添加されている、厚膜抵抗体用組成物が開示されている。また、特公昭６３−０３５０８１号公報には、ＲｕＯ２、ＰｂＯを含有するガラス、およびＮｂ２Ｏ５の微細分割された無機粉末が不活性液ビヒクル中に分散され、Ｎｂ２Ｏ５の添加量が０．１重量％〜０．８重量％である、厚膜抵抗体用組成物が開示されている。 In these thick film resistor pastes, various additives are contained in order to improve the characteristics of the thick film resistor after film formation. For example, conventional additives used to adjust the temperature coefficient of resistance (TCR) and reduce current noise include titanium oxide (TiO 2 ) or niobium oxide (Nb 2 O 5 ). Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-206201 describes 0.025 parts by weight to 6.0 parts by weight of Ti as Ti per 100 parts by weight of solid content in the composition of conductive powder, glass powder containing PbO, and titanium oxide. The composition for thick film resistors that has been added is disclosed. Further, Japanese Patent Publication No. Sho 63-035081, glass containing RuO 2, PbO, and Nb 2 O 5 of finely divided inorganic powder is dispersed in an inert liquid vehicle, the addition amount of Nb 2 O 5 A composition for a thick film resistor is disclosed in which the amount is 0.1% by weight to 0.8% by weight.
これらの厚膜抵抗体用組成物を構成するガラス粉末には、鉛が含有されている。このような有害な鉛を含んだ厚膜抵抗体用ペーストの使用は、環境問題の観点から望ましくないため、近年、鉛を含まない厚膜抵抗体用ペーストの実用化が強く求められている。このため、現在、鉛を含まない厚膜抵抗体用ペーストの研究開発が進められており、厚膜抵抗体用ペーストに用いられる厚膜抵抗体用組成物において、鉛を含まないガラスフリットの提案がなされている。 Lead is contained in the glass powder constituting these thick film resistor compositions. Since the use of such a paste for a thick film resistor containing harmful lead is not desirable from the viewpoint of environmental problems, in recent years, there has been a strong demand for the practical application of a paste for a thick film resistor containing no lead. For this reason, research and development of lead-free thick film resistor paste is currently underway, and a lead-free glass frit is proposed in the thick film resistor composition used for the thick film resistor paste. Has been made.
添加剤として酸化チタンあるいは酸化ニオブを含有する厚膜抵抗体用組成物において、酸化チタンあるいは酸化ニオブは、厚膜抵抗体用組成物中に粉末として添加されるか、あるいは、厚膜抵抗体用組成物を構成するガラス粉末中に予め添加されている。しかしながら、添加剤として酸化チタンあるいは酸化ニオブを用いて、鉛を含有しない厚膜抵抗体を作製すると、その抵抗値を１０ｋΩ以上とした場合に、電流ノイズが大きくなるという問題がある。 In the composition for thick film resistors containing titanium oxide or niobium oxide as an additive, titanium oxide or niobium oxide is added as a powder in the composition for thick film resistors, or for thick film resistors. It is pre-added in the glass powder constituting the composition. However, when a lead-free thick film resistor is produced by using titanium oxide or niobium oxide as an additive, there is a problem that current noise becomes large when the resistance value is 10 kΩ or more.
本発明の目的は、鉛を実質的に含有しない厚膜抵抗体を作製した場合に、抵抗値が高く、かつ、電流ノイズの小さい、良好な電気的特性を有する抵抗体を形成することができる、厚膜抵抗体用組成物を提供すること、および、この厚膜抵抗体用組成物を用いた厚膜抵抗体用ペーストおよび厚膜抵抗体を提供することにある。 An object of the present invention is that when a thick film resistor substantially free of lead is produced, it is possible to form a resistor having a high resistance value, a small current noise, and good electrical characteristics. The present invention is to provide a composition for a thick film resistor, and to provide a paste for a thick film resistor and a thick film resistor using this composition for a thick film resistor.
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、導電性粉末と、鉛を実質的に含まないガラスフリットとを含み、３．０質量％以上１５．０質量％以下のフォルステライトが添加されていることを特徴とする。該フォルステライトの添加量は、４．０質量％以上１２．０質量％以下であることが好ましい。 The composition for a thick film resistor of the present invention contains a conductive powder and a glass frit substantially free of lead, and 3.0% by mass or more and 15.0% by mass or less of forsterite is added. It is characterized by that. The amount of the forsterite added is preferably 4.0% by mass or more and 12.0% by mass or less.
前記導電性粉末の含有量は、５質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。また、前記導電性粉末は、ルテニウム化合物からなることが好ましい。該ルテニウム化合物は、二酸化ルテニウムおよび／またはルテニウム酸アルカリ土類金属からなることが好ましい。 The content of the conductive powder is preferably 5% by mass or more and 30% by mass or less. Further, the conductive powder is preferably made of a ruthenium compound. The ruthenium compound is preferably composed of ruthenium dioxide and / or an alkaline earth metal ruthenate.
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルとを含み、前記厚膜抵抗体用組成物として、本発明の厚膜抵抗体用組成物が用いられていることを特徴とする。 The thick film resistor paste of the present invention contains a thick film resistor composition and an organic vehicle, and the thick film resistor composition of the present invention is used as the thick film resistor composition. It is characterized by that.
前記有機ビヒクルの含有量は、前記厚膜抵抗体用ペーストの質量に対して、３０質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。 The content of the organic vehicle is preferably 30% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the mass of the thick film resistor paste.
本発明の厚膜抵抗体は、導電性成分とガラス成分とフォルステライトを含む焼成体からなり、前記ガラス成分は、鉛を実質的に含まず、前記導電性成分と前記ガラス成分の合計質量に対して、フォルステライトを３．０質量％以上１５．０質量％以下含有することを特徴とする。該フォルステライトの含有量は、４．０質量％以上１２．０質量％以下であることが好ましい。前記導電性成分の含有量は、５質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。前記導電性成分は、ルテニウム化合物からなることが好ましい。該ルテニウム化合物は、二酸化ルテニウムおよび／またはルテニウム酸アルカリ土類金属からなることが好ましい。 The thick film resistor of the present invention comprises a fired body containing a conductive component, a glass component, and forsterite, and the glass component does not substantially contain lead, and has a total mass of the conductive component and the glass component. On the other hand, it is characterized by containing forsterite in an amount of 3.0% by mass or more and 15.0% by mass or less. The content of the forsterite is preferably 4.0% by mass or more and 12.0% by mass or less. The content of the conductive component is preferably 5% by mass or more and 30% by mass or less. The conductive component is preferably composed of a ruthenium compound. The ruthenium compound is preferably composed of ruthenium dioxide and / or an alkaline earth metal ruthenate.
本発明の厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体は、有害な鉛を含有することなく、抵抗値が高く、かつ、電流ノイズが小さいという、良好な電気的特性を発揮することができるため、従来の鉛を含む厚膜抵抗体ペーストに代替することで、環境汚染の問題のないチップ抵抗器やハイブリッドＩＣなどの抵抗部品を提供できるため、その工業的価値はきわめて大きい。 The composition for a thick film resistor, the paste for a thick film resistor, and the thick film resistor of the present invention do not contain harmful lead, have a high resistance value, and have a small current noise, and have good electricity. By substituting the conventional thick film resistor paste containing lead, it is possible to provide resistance parts such as chip resistors and hybrid ICs that do not have the problem of environmental pollution. The value is extremely high.
以下、本発明の厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体ペースト、および厚膜抵抗体について、詳細に説明する。 Hereinafter, the composition for a thick film resistor, the thick film resistor paste, and the thick film resistor of the present invention will be described in detail.
（１）厚膜抵抗体用組成物
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、導電性粉末と、ガラスフリットと、フォルステライトとを、主成分とすることを特徴とする。
(1) Composition for thick film resistor The composition for thick film resistor of the present invention is characterized by containing a conductive powder, a glass frit, and forsterite as main components.
［導電性粉末］
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成する導電性粉末は、ルテニウム化合物であることが好ましい。ルテニウム化合物としては、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）、ルテニウム酸アルカリ土類金属、すなわち、ルテニウム酸カルシウム（ＣａＲｕＯ３）、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ３）、およびルテニウム酸バリウム（ＢａＲｕＯ３）が挙げられる。本発明の厚膜抵抗体用組成物は、ルテニウム化合物として、これらの中から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。これらの導電性粉末は、公知の製造方法により得ることができる。
[Conductive powder]
The conductive powder constituting the thick film resistor composition of the present invention is preferably a ruthenium compound. Examples of the ruthenium compound include ruthenium dioxide (RuO 2 ), an alkaline earth metal ruthenate, that is, calcium ruthenate (CaRuO 3 ), strontium ruthenate (SrRuO 3 ), and barium ruthenate (BaRuO 3 ). The composition for a thick film resistor of the present invention preferably contains at least one selected from these as a ruthenium compound. These conductive powders can be obtained by a known production method.
ルテニウム酸カルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、あるいはルテニウム酸バリウムは、二酸化ルテニウム粉末と、カルシウム、ストロンチウム、あるいはバリウムの水酸化物または炭酸塩とを機械的に混合し、熱処理した後に、粉砕する乾式法により得ることができる。また、粒径が小さく、均一なこれらの粉末を得る場合には、アルカリ水溶液に、塩化ルテニウムと、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、あるいは塩化バリウムとを含む溶液を添加して、沈澱させ、その沈澱物を洗浄し、乾燥させた後、約６００℃以上９００℃以下の温度で焙焼する工程が採用される。 Calcium ruthenate, strontium ruthenate, or barium ruthenate is obtained by a dry method in which ruthenium dioxide powder is mechanically mixed with calcium, strontium, or a hydroxide or carbonate of barium, heat-treated, and then pulverized. be able to. Further, in order to obtain these powders having a small particle size and being uniform, a solution containing ruthenium chloride and calcium chloride, strontium chloride, or barium chloride is added to an alkaline aqueous solution to cause precipitation, and the precipitate thereof. Is washed, dried, and then roasted at a temperature of about 600 ° C. or higher and 900 ° C. or lower.
導電性粉末のＢＥＴ法による平均粒径は、１．０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以下であることがより好ましい。これにより、焼成により得られる厚膜抵抗体において、導電パスが微細となり、その抵抗値のばらつきや電流ノイズの大きさを適切に抑制することが可能となる。 The average particle size of the conductive powder by the BET method is preferably 1.0 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. As a result, in the thick film resistor obtained by firing, the conductive path becomes fine, and it is possible to appropriately suppress the variation in the resistance value and the magnitude of the current noise.
本発明の厚膜抵抗体用組成物において、導電性粉末の含有量は、得られる厚膜抵抗体における所望の抵抗値、導電性粉末およびガラスフリットの種類および粒径に応じて、適宜調整される。たとえば、面積抵抗値が５ｋΩ以上の高抵抗の抵抗体を得る場合には、通常、導電性粉末の含有量は、５質量％以上３０質量％以下である。 In the composition for a thick film resistor of the present invention, the content of the conductive powder is appropriately adjusted according to a desired resistance value in the obtained thick film resistor, the type and particle size of the conductive powder and the glass frit. To. For example, when a high resistance resistor having an area resistance value of 5 kΩ or more is obtained, the content of the conductive powder is usually 5% by mass or more and 30% by mass or less.
［ガラスフリット］
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットは、鉛を実質的に含まないことを特徴とする。
[Glass frit]
The glass frit constituting the composition for a thick film resistor of the present invention is characterized in that it contains substantially no lead.
ここで、「鉛を実質的に含まない」とは、ガラスフリットにおける鉛の含有量がＲｏＨＳ指令の規制値（０．１質量％）以下であるか、または、鉛の含有量が通常の測定機器において検出限界以下であることを意味する。 Here, "substantially free of lead" means that the lead content in the glass frit is less than or equal to the regulation value (0.1% by mass) of the RoHS Directive, or the lead content is usually measured. It means that it is below the detection limit in the device.
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットにおける、その他のガラス成分については、基本的には限定されない。ガラスフリットとして、アルミノホウケイ酸アルカリ土類亜鉛ガラス（ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３：ＲはＣａ、Ｓｒ、およびＢａから選択される少なくとも１種）、ホウケイ酸ガラス（ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３）、アルミノホウケイ酸ガラス（ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３）、あるいはホウケイ酸アルカリ土類ガラス（ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ：ＲはＣａ、Ｓｒ、およびＢａから選択される少なくとも１種）を、好適に用いることができる。 The other glass components in the glass frit constituting the composition for a thick film resistor of the present invention are basically not limited. As glass frit, aluminoborosilicate alkaline earth zinc glass (SiO 2- B 2 O 3- RO-ZnO-Al 2 O 3 : R is at least one selected from Ca, Sr, and Ba), borosilicate glass. (SiO 2 −B 2 O 3 ), aluminoborosilicate glass (SiO 2 −B 2 O 3 − Al 2 O 3 ), or alkaline earth borosilicate (SiO 2 −B 2 O 3 −RO: R is Ca , Sr, and Ba) can be preferably used.
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットの平均粒径は、レーザ回折式粒度分布測定によるＤ５０（メジアン径）において、５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下の範囲であることがより好ましい。ガラスフリットの粒径が微細であれば、厚膜抵抗体中の導電パスを微細にすることができ、よって、厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきや電流ノイズを抑制することが可能となる。所望の平均粒径のガラスフリットを得るためには、熔融し冷却したガラスフリットを、ボールミル、ジェットミルなどの公知の粉砕方法を用いて粉砕すればよい。 The average particle size of the glass frit constituting the composition for a thick film resistor of the present invention is preferably 5 μm or less in D50 (median diameter) measured by laser diffraction type particle size distribution measurement, and is in the range of 1 μm or more and 3 μm or less. More preferably. If the particle size of the glass frit is fine, the conductive path in the thick film resistor can be made fine, and thus variation in the resistance value of the thick film resistor and current noise can be suppressed. In order to obtain a glass frit having a desired average particle size, the melted and cooled glass frit may be pulverized by using a known pulverization method such as a ball mill or a jet mill.
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットにおいて、ガラスの軟化点は、５５０℃以上７５０℃以下の範囲にあることが好ましく、６００℃以上７００℃以下の範囲にあることがより好ましい。ガラスの軟化点が５５０℃よりも低いと、厚膜抵抗体用ペーストを焼成して抵抗体を形成する際にガラスフリットが融けすぎて、抵抗体のパターンが崩れる場合がある。ガラスの軟化点が７５０℃よりも高いと、ガラスフリットが熔融しにくくなり、導電性粉末との馴染み（濡れ）が悪くなるため、得られる厚膜抵抗体の電流ノイズが増大する。 In the glass frit constituting the composition for a thick film resistor of the present invention, the softening point of the glass is preferably in the range of 550 ° C or higher and 750 ° C or lower, and more preferably in the range of 600 ° C or higher and 700 ° C or lower. preferable. If the softening point of the glass is lower than 550 ° C., the glass frit may melt too much when the thick film resistor paste is fired to form the resistor, and the pattern of the resistor may be broken. If the softening point of the glass is higher than 750 ° C., the glass frit becomes difficult to melt and the compatibility (wetting) with the conductive powder becomes poor, so that the current noise of the obtained thick film resistor increases.
ここで、軟化点は、ガラスを示差熱分析法にて大気中で、５℃／分以上２０℃／分以下で昇温、加熱し、得られた示差熱曲線の最も低温側の示差熱曲線の減少が発現する温度よりも高温側の次の示差熱曲線が減少するピークの温度である。 Here, the softening point is the differential thermal curve on the lowest temperature side of the obtained differential thermal curve obtained by heating and heating the glass at 5 ° C./min or more and 20 ° C./min or less in the air by a differential thermal analysis method. It is the temperature of the peak at which the next differential thermal curve on the higher temperature side than the temperature at which the decrease occurs decreases.
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットにおいて、ガラスの熱膨張係数は、４０×１０−７／Ｋ以上１００×１０−７／Ｋ以下の範囲にあることが好ましく、５０×１０−７／Ｋ以上９０×１０−７／Ｋ以下の範囲にあることがより好ましい。たとえば、アルミナ基板を用いる場合、この範囲の熱膨張係数を有するガラスからなるガラスフリットを用いることによって、得られる厚膜抵抗体の熱膨張係数が、アルミナ基板の熱膨張係数に近い値になるため、引張応力の問題がなくなる。熱膨張係数はガラスフリットを棒状に成形して、熱機械的分析装置（ＴＭＡ）で測定することができる。 In the glass frit constituting the composition for a thick film resistor of the present invention, the coefficient of thermal expansion of the glass is preferably in the range of 40 × 10-7 / K or more and 100 × 10-7 / K or less, and 50 × More preferably, it is in the range of 10-7 / K or more and 90 × 10-7 / K or less. For example, when an alumina substrate is used, the thermal expansion coefficient of the thick film resistor obtained by using a glass frit made of glass having a coefficient of thermal expansion in this range becomes a value close to the coefficient of thermal expansion of the alumina substrate. , The problem of tensile stress disappears. The coefficient of thermal expansion can be measured by a thermomechanical analyzer (TMA) by forming a glass frit into a rod shape.
なお、上記したガラスフリットの軟化点や熱膨張係数については、ガラスフリットの組成を検討することによって制御することが可能である。 The softening point and the coefficient of thermal expansion of the glass frit described above can be controlled by examining the composition of the glass frit.
厚膜抵抗体用組成物におけるガラスフリットの含有量についても、得られる厚膜抵抗体における所望の抵抗値、導電性粉末およびガラスフリットの種類および粒径に応じて、適宜調整される。たとえば、面積抵抗値が５ｋΩ以上の高抵抗の抵抗体を得る場合には、通常、導電性粉末の含有量に応じて、ガラスフリットの含有量は、７０質量％以上９５質量％以下である。 The content of the glass frit in the composition for the thick film resistor is also appropriately adjusted according to the desired resistance value in the obtained thick film resistor, the type and the particle size of the conductive powder and the glass frit. For example, when a high resistance resistor having an area resistance value of 5 kΩ or more is obtained, the glass frit content is usually 70% by mass or more and 95% by mass or less, depending on the content of the conductive powder.
［フォルステライト］
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、フォルステライトを含むことを特徴とする。フォルステライトは、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２（またはＭｇ２ＳＯ４）の組成式で表され、ＭｇＯとＳｉＯ２を２：１のモル比で含有する。フォルステライトは、高温環境下でも優れた絶縁性を示し、高周波特性にも優れ、かつ、熱膨張係数が大きいことが特徴であり、９７×１０−７／Ｋの熱膨張係数を有する。
[Forsterite]
The composition for a thick film resistor of the present invention is characterized by containing forsterite. Forsterite is represented by a composition formula of 2 MgO · SiO 2 (or Mg 2 SO 4 ), and contains MgO and SiO 2 in a molar ratio of 2: 1. Forsterite is characterized by excellent insulating properties even in a high temperature environment, excellent high frequency characteristics, and a large coefficient of thermal expansion, and has a coefficient of thermal expansion of 97 × 10-7 / K.
フォルステライトは、その添加により、厚膜抵抗体の抵抗値を上昇させ、かつ、電流ノイズを低減させる機能を発揮する。フォルステライトには、ガラス粒子間に集まった導電粒子同士が焼成過程で起こるガラスの溶融、流動によって凝集するのを低減させる働きがある。フォルステライトは、ガラスと濡れやすく、熱膨張係数が大きいことが、この働きを高めているものと考えられる。 Forsterite exerts a function of increasing the resistance value of the thick film resistor and reducing current noise by its addition. Forsterite has a function of reducing agglutination of conductive particles collected between glass particles due to melting and flow of glass that occur in the firing process. It is considered that forsterite is easily wetted with glass and has a large coefficient of thermal expansion, which enhances this function.
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するフォルステライト粉末のＢＥＴ平均粒径は、２μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。 The BET average particle size of the forsterite powder constituting the composition for a thick film resistor of the present invention is preferably 2 μm or less, and more preferably 1 μm or less.
厚膜抵抗体用組成物におけるフォルステライトの含有量は、３．０質量以上１５．０質量％以下であり、４．０質量％以上１２．０質量％以下であることが好ましい。フォルステライトの含有量が３．０質量％以上であれば、電流ノイズを低減させる効果を十分発現することができる。また、フォルステライトの含有量が１５．０質量％以下であれば、抵抗値を高くし過ぎることなく、電流ノイズを低減させることができる。 The content of forsterite in the composition for a thick film resistor is preferably 3.0% by mass or more and 15.0% by mass or less, and preferably 4.0% by mass or more and 12.0% by mass or less. When the content of forsterite is 3.0% by mass or more, the effect of reducing current noise can be sufficiently exhibited. Further, when the content of forsterite is 15.0% by mass or less, the current noise can be reduced without making the resistance value too high.
［任意の含有成分］
本発明の厚膜抵抗体用組成物において、導電性粉末とガラスフリットとフォルステライトのほかに、他の添加剤を添加することも可能である。たとえば、厚膜抵抗体における、面積抵抗値や抵抗温度係数などの電気的特性の調整、膨張係数の調整、耐電圧性の向上、その他の改質を目的として、本発明の厚膜抵抗体用組成物は、二酸化マンガン、酸化銅、五酸化ニオブ、酸化スズ、酸化タンタル、酸化チタンなどの無機成分を、適宜含有することができる。
[Arbitrary ingredients]
In addition to the conductive powder, glass frit, and forsterite, other additives can be added to the composition for a thick film resistor of the present invention. For example, for the thick film resistor of the present invention for the purpose of adjusting electrical characteristics such as area resistance value and temperature coefficient of resistance, adjusting expansion coefficient, improving withstand voltage, and other modifications of the thick film resistor. The composition can appropriately contain inorganic components such as manganese dioxide, copper oxide, niobium pentoxide, tin oxide, tantalum oxide, and titanium oxide.
これらの無機成分の含有量は、導電性粉末とガラスフリットの合計質量に対して、０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲とすることが一般的である。 The content of these inorganic components is generally in the range of 0.05% by mass or more and 10% by mass or less with respect to the total mass of the conductive powder and the glass frit.
（２）厚膜抵抗体用ペースト
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルとを含み、該厚膜抵抗体用組成物として、上記の本発明の厚膜抵抗体用組成物が用いられていることを特徴とする。具体的には、本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、本発明の厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルの混練物により構成される。以下、詳細を説明する。
(2) Paste for thick film resistor The paste for thick film resistor of the present invention contains the composition for thick film resistor and an organic vehicle, and the above-mentioned thickness of the present invention is used as the composition for thick film resistor. It is characterized in that a composition for a film resistor is used. Specifically, the thick film resistor paste of the present invention is composed of a kneaded product of the thick film resistor composition of the present invention and an organic vehicle. The details will be described below.
［有機ビヒクル］
厚膜抵抗体用ペーストを構成する有機ビヒクルは、少なくとも樹脂と溶剤により構成される。
[Organic vehicle]
The organic vehicle constituting the thick film resistor paste is composed of at least a resin and a solvent.
有機ビヒクルとして用いることができる樹脂としては、エチルセルロース樹脂、ブチラール樹脂（ポリビニルブチラール）、アクリル樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、ガラスが軟化する前の温度で分解する樹脂が好ましい。より好ましくは、５００℃以下の温度で分解する樹脂が好ましい。 Examples of the resin that can be used as an organic vehicle include ethyl cellulose resin, butyral resin (polyvinyl butyral), and acrylic resin. These resins are preferably resins that decompose at a temperature before the glass softens. More preferably, a resin that decomposes at a temperature of 500 ° C. or lower is preferable.
樹脂を溶解する溶剤としては、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテートなどを用いることができる。 As the solvent for dissolving the resin, tarpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate and the like can be used.
これらの樹脂と溶剤により調合された有機ビヒクルの樹脂と溶剤の配合比は、所望する粘度や用途によって適宜調整することができる。 The blending ratio of the resin and the solvent of the organic vehicle prepared by these resins and the solvent can be appropriately adjusted according to the desired viscosity and application.
また、厚膜抵抗体用ペーストに要求される連続印刷性を考慮し、ペーストの乾燥速度を制御する観点から、高い沸点を有する可塑剤をさらに加えることができる。この場合の可塑剤の配合比も、所望する乾燥速度に応じて適宜調整することができる。 Further, a plasticizer having a high boiling point can be further added from the viewpoint of controlling the drying rate of the paste in consideration of the continuous printability required for the thick film resistor paste. The blending ratio of the plasticizer in this case can also be appropriately adjusted according to the desired drying rate.
厚膜抵抗体用ペーストに対する有機ビヒクルの割合は特に限定されることはないが、厚膜抵抗体用ペーストの質量に対して、３０質量％以上５０質量％以下とすることが一般的である。 The ratio of the organic vehicle to the thick film resistor paste is not particularly limited, but it is generally 30% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the mass of the thick film resistor paste.
［その他の成分］
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルのほかに、添加剤を含むことができる。たとえば、導電性粉末やその他の無機成分などの凝集を防ぐ観点から、分散剤を含むことができる。また、塗布作業性の観点から、レオロジーコントロール剤を含むことができる。
[Other ingredients]
The thick film resistor paste of the present invention may contain additives in addition to the thick film resistor composition and organic vehicle. For example, a dispersant can be included from the viewpoint of preventing agglomeration of conductive powder and other inorganic components. Further, from the viewpoint of coating workability, a rheology control agent can be contained.
［厚膜抵抗体用ペーストの調製方法］
厚膜抵抗体用ペーストの調製は、公知の技術を用いればよく、たとえば、３本ロールミル、ボールミルなどを用いることができる。
[How to prepare paste for thick film resistors]
A known technique may be used for preparing the paste for a thick film resistor, and for example, a three-roll mill, a ball mill, or the like can be used.
厚膜抵抗体用ペーストでは、導電性粉末、ガラスフリット、フォルステライト、および、その他の無機成分などの凝集を解し、これらを有機ビヒクル中に分散させることが望ましい。 In the thick film resistor paste, it is desirable to disaggregate the conductive powder, glass frit, forsterite, and other inorganic components and disperse them in the organic vehicle.
（３）厚膜抵抗体
本発明の厚膜抵抗体は、導電性成分とガラス成分とフォルステライトを含む焼成体からなる。前記導電性成分は、ルテニウム化合物、すなわち、二酸化ルテニウム、ルテニウム酸カルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、およびルテニウム酸バリウムから選択される少なくとも１種を含む。前記ガラス成分は、鉛を実質的に含まないことを特徴とする。すなわち、本発明の厚膜抵抗体は、本発明の厚膜抵抗体用ペーストを用いて形成され、本発明の厚膜抵抗体用組成物を含む焼成体により構成される。
(3) Thick film resistor The thick film resistor of the present invention is composed of a fired body containing a conductive component, a glass component and forsterite. The conductive component comprises at least one selected from ruthenium compounds, namely ruthenium dioxide, calcium ruthenate, strontium ruthenate, and barium ruthenium. The glass component is characterized by being substantially free of lead. That is, the thick film resistor of the present invention is formed by using the thick film resistor paste of the present invention, and is composed of a fired body containing the composition for the thick film resistor of the present invention.
したがって、導電性成分は、本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成する導電性粉末と同様の組成となり、ガラス成分は、本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットと同様の組成となる。また、フォルステライトの含有量についても、本発明の厚膜抵抗体用組成物と同様に、前記導電性成分と前記ガラス成分の合計質量に対して３．０質量％以上１５．０質量％以下、好ましくは４．０質量％以上１２．０質量％以下である。このため、導電性成分、ガラス成分、およびフォルステライトについての説明は、ここでは省略する。 Therefore, the conductive component has the same composition as the conductive powder constituting the composition for the thick film resistor of the present invention, and the glass component has the same composition as the glass frit constituting the composition for the thick film resistor of the present invention. It becomes the composition of. Further, the content of forsterite is also 3.0% by mass or more and 15.0% by mass or less with respect to the total mass of the conductive component and the glass component, as in the composition for thick film resistors of the present invention. It is preferably 4.0% by mass or more and 12.0% by mass or less. Therefore, the description of the conductive component, the glass component, and the forsterite will be omitted here.
以下、厚膜抵抗体の製造方法について説明する。なお、厚膜抵抗体の抵抗値は、厚膜抵抗体中の導電性粉末とガラスフリットの割合で適宜調整することが可能である。 Hereinafter, a method for manufacturing a thick film resistor will be described. The resistance value of the thick film resistor can be appropriately adjusted by the ratio of the conductive powder and the glass frit in the thick film resistor.
［厚膜抵抗体の製造方法］
本発明の厚膜抵抗体の製造方法は、以下の内容に限定されるものではなく、処理条件などについては、公知の手段および方法を用いて、適宜変更することができる。
[Manufacturing method of thick film resistor]
The method for producing the thick film resistor of the present invention is not limited to the following contents, and the treatment conditions and the like can be appropriately changed by using known means and methods.
まず、厚膜抵抗体用ペーストを基板に塗布する塗布工程を行う。すなわち、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのセラミックス基板上に銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）などからなる電極を形成し、その上に、本発明の厚膜抵抗体用ペーストを、スクリーン印刷などの手段により塗布する。 First, a coating step of applying the thick film resistor paste to the substrate is performed. That is, an electrode made of silver (Ag), palladium (Pd) or the like is formed on a ceramic substrate such as alumina (Al 2 O 3 ), and the thick film resistor paste of the present invention is screen-printed on the electrode. Apply by the means of.
次に、厚膜抵抗体用ペーストが塗布された基板を焼成する焼成工程を行い、厚膜抵抗体を作製する。具体的には、塗布工程において、基板に塗布された厚膜抵抗体用ペーストを、オーブンなどを用いて乾燥させて、その後、ベルト炉などを用いて焼成して、導電性成分とガラス成分とを含む焼成体を得る。なお、基本的には、厚膜抵抗体用ペーストに含まれていた、導電性粉末およびガラスフリットに起因する以外の成分、すなわち、有機ビヒクルを構成する樹脂および溶剤、さらには、その他の有機物添加剤は、焼成工程を経てすべて分解される。 Next, a firing step of firing the substrate coated with the thick film resistor paste is performed to produce a thick film resistor. Specifically, in the coating process, the thick film resistor paste applied to the substrate is dried using an oven or the like, and then fired using a belt furnace or the like to obtain a conductive component and a glass component. Obtain a fired body containing. Basically, components other than those caused by the conductive powder and glass frit contained in the thick film resistor paste, that is, the resin and solvent constituting the organic vehicle, and the addition of other organic substances are added. The agent is completely decomposed through a firing step.
以上のような工程により、本発明の厚膜抵抗体が得られる。 The thick film resistor of the present invention can be obtained by the above steps.
本発明の厚膜抵抗体によれば、二酸化ルテニウム、ルテニウム酸カルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、およびルテニウム酸バリウムから選択される少なくとも１種を含む導電性成分と、鉛を実質的に含まないガラス成分と、フォルステライトとにより少なくとも構成され。よって、鉛を含有せず、かつ、抵抗値が高く、電流ノイズが小さい、良好な電気的特性を有する厚膜抵抗体が提供される。 According to the thick film resistor of the present invention, a conductive component containing at least one selected from ruthenium dioxide, calcium ruthenate, strontium ruthenate, and barium ruthenate, and a glass component substantially free of lead. , At least composed of forsterite. Therefore, a thick film resistor that does not contain lead, has a high resistance value, has a small current noise, and has good electrical characteristics is provided.
本発明の厚膜抵抗体は、導電性成分とガラス成分のほかに、二酸化マンガン、酸化銅、五酸化ニオブ、酸化スズ、酸化タンタル、酸化チタンなどの無機成分を含むことができる。 The thick film resistor of the present invention can contain inorganic components such as manganese dioxide, copper oxide, niobium pentoxide, tin oxide, tantalum oxide, and titanium oxide in addition to the conductive component and the glass component.
以上においては、主として特定の実施形態を用いて本発明について説明を行い、また、本発明を実施するための最良の構成、方法などについて開示を行った。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上に述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成に関して、当業者が、省略、追加、変更ないしは修正を加えることは可能であり、これらについても、本発明の範囲に包含される。 In the above, the present invention has been mainly described using specific embodiments, and the best configuration, method, etc. for carrying out the present invention have been disclosed. However, the present invention is not limited thereto. Those skilled in the art may omit, add, change or modify the shape, material, quantity, and other detailed configurations of the above-described embodiments without departing from the scope of the technical idea and purpose of the present invention. It is possible to add, and these are also included in the scope of the present invention.
以下、本発明の実施例および比較例によって，本発明についてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例により限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples of the present invention. However, the present invention is not limited to the following examples.
（実施例１）
［厚膜抵抗体用組成物の作製］
〔導電性粉末〕
導電性粉末として、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）を使用した。二酸化ルテニウムは、水酸化ルテニウムを大気中にて８００℃で２時間焙焼することにより作製した。そのＢＥＴ平均粒径は、０．０５μｍであった。
(Example 1)
[Preparation of composition for thick film resistors]
[Conductive powder]
Ruthenium dioxide (RuO 2 ) was used as the conductive powder. Ruthenium dioxide was prepared by roasting ruthenium hydroxide in the air at 800 ° C. for 2 hours. The average BET particle size was 0.05 μm.
〔ガラスフリット〕
ガラスフリットとして、１０質量％ＳｒＯ−４３質量％ＳｉＯ２−１６質量％Ｂ２Ｏ３−４質量％Ａｌ２Ｏ３−２０質量％ＺｎＯ−７質量％Ｎａ２Ｏの組成のガラスフリットを使用した。このガラスフリットは、通常の手段である、混合、溶融、急冷、および粉砕の工程を経ることによって作製した。なお、粉砕工程において、ガラスフリットを、その粒径がレーザ回折式粒度分布測定によるＤ５０（メジアン径）で１．５μｍになるまで粉砕した。
[Glass frit]
As the glass frit, using 10 mass% SrO-43% by weight SiO 2 -16% by weight B 2 O 3 -4 wt% Al 2 O 3 -20 wt% glass frit ZnO-7% by weight Na 2 O of composition .. The glass frit was made by going through the usual steps of mixing, melting, quenching, and grinding. In the pulverization step, the glass frit was pulverized until its particle size became 1.5 μm at D50 (median diameter) measured by laser diffraction particle size distribution measurement.
〔フォルステライト〕
フォルステライトとして、丸ス釉薬合資会社製のフォルステライト（商品名：ＦＦ−２００−Ｍ４０、平均粒径２．５μｍ）を使用した。使用に際しては、この製品を粉砕することにより、そのＢＥＴ平均粒径を０．８μｍとした。
[Forsterite]
As forsterite, forsterite (trade name: FF-200-M40, average particle size 2.5 μm) manufactured by Marusu Glazed Joint Stock Company was used. In use, this product was crushed to give its BET average particle size to 0.8 μm.
〔有機ビヒクル〕
有機ビヒクルとして、エチルセルロースをターピネオールに溶解したものを使用した。混合比は、エチルセルロース：ターピネオールを１：９とした。
[Organic vehicle]
As the organic vehicle, ethyl cellulose dissolved in turpineol was used. The mixing ratio was ethyl cellulose: tarpineol of 1: 9.
［厚膜抵抗体用ペーストの作製］
厚膜抵抗体の目標とする、焼成後の膜厚を７μｍ〜９μｍ、面積抵抗値を１０ｋΩ（±２０％）、３３ｋΩ（±２０％）、１００ｋΩ（±２０％）に設定し、二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびフォルステライトを、１７．５質量％、７８．３質量％、および４．２質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物：６０質量％と、有機ビヒクル：４０質量％とを混合し、３本ロールミルで混練して、厚膜抵抗体用抵抗ペーストを作製した。厚膜抵抗体用組成物の組成を表１に示す。
[Preparation of paste for thick film resistors]
The target thickness of the thick film resistor after firing is set to 7 μm to 9 μm, the area resistance value is set to 10 kΩ (± 20%), 33 kΩ (± 20%), 100 kΩ (± 20%), and ruthenium dioxide. Compositions for thick film resistors containing 17.5% by mass, 78.3% by mass, and 4.2% by mass of glass frit and forsterite: 60% by mass, and organic vehicles: 40% by mass. Was mixed and kneaded with a three-roll mill to prepare a resistance paste for a thick film resistor. The composition of the composition for thick film resistors is shown in Table 1.
［厚膜抵抗体の作製］
あらかじめＡｇＰｄペーストを用いて電極を形成しておいたアルミナ基板上に、上記の通りに作製した厚膜抵抗体用ペーストを、幅１ｍｍで、電極間が１ｍｍ（１ｍｍ×１ｍｍ）となるサイズにスクリーン印刷により塗布し、その後、基板に塗布された厚膜抵抗体用ペーストを、オーブンを用いて１５０℃で１０分間乾燥した後、ベルト焼成炉を用いて、ピ−ク温度８５０℃、ピーク時間９分、焼成時間をトータルで３０分とする条件にて、焼成することにより、厚膜抵抗体を作製した。
[Preparation of thick film resistors]
On an alumina substrate on which electrodes have been formed in advance using AgPd paste, the thick film resistor paste prepared as described above is screened to a size of 1 mm in width and 1 mm (1 mm × 1 mm) between the electrodes. The thick film resistor paste applied to the substrate by printing is dried at 150 ° C. for 10 minutes using an oven, and then used at a peak temperature of 850 ° C. and a peak time of 9 using a belt firing furnace. A thick film resistor was produced by firing under the condition that the total firing time was 30 minutes.
［厚膜抵抗体の評価］
厚膜抵抗体の電気特性を評価するため、それぞれの厚膜抵抗体について、以下のように、面積抵抗値、および電流ノイズを測定した。
[Evaluation of thick film resistors]
In order to evaluate the electrical characteristics of the thick film resistors, the area resistance value and the current noise were measured for each thick film resistor as follows.
〔面積抵抗値〕
厚膜抵抗体の面積抵抗値は、マルチメータ（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製、Ｍｏｄｅｌ２００１）を用いて、４端子法にて測定した。
[Area resistance value]
The area resistance value of the thick film resistor was measured by the 4-terminal method using a multimeter (Made by KEITHLEY, Model 2001).
〔電流ノイズ〕
電流ノイズは、ノイズメータ（Ｑｕａｎ−Ｔｅｃｈ社製、Ｍｏｄｅｌ３１５Ｃ）を用いて、１／１０Ｗ印加にて測定した。
[Current noise]
The current noise was measured by applying 1/10 W using a noise meter (Model 315C manufactured by Quan-Tech).
面積抵抗値および電流ノイズの測定結果を、表２に示す。 Table 2 shows the measurement results of the area resistance value and the current noise.
（実施例２）
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびフォルステライトを、１７．５質量％、７４．２質量％、および８．３質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(Example 2)
Examples except that a composition for a thick film resistor containing ruthenium dioxide, glass frit, and forsterite in a ratio of 17.5% by mass, 74.2% by mass, and 8.3% by mass was used. A thick film resistor was obtained in the same manner as in 1, and its evaluation was performed.
（実施例３）
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびフォルステライトを、１７．５質量％、７０．８質量％、および１１．７質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(Example 3)
Examples except that a composition for a thick film resistor containing ruthenium dioxide, glass frit, and forsterite in a ratio of 17.5% by mass, 70.8% by mass, and 11.7% by mass was used. A thick film resistor was obtained in the same manner as in 1, and its evaluation was performed.
（比較例１）
フォルステライトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、１５．０質量％および８５．０質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(Comparative Example 1)
The same as in Example 1 except that the composition for a thick film resistor containing ruthenium dioxide and glass frit in a ratio of 15.0% by mass and 85.0% by mass without adding forsterite was used. Then, a thick film resistor was obtained and evaluated.
（比較例２）
フォルステライトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、１０．０質量％および９０．０質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(Comparative Example 2)
Same as in Example 1 except that a composition for a thick film resistor containing ruthenium dioxide and glass frit in a ratio of 10.0% by mass and 90.0% by mass was used without adding forsterite. Then, a thick film resistor was obtained and evaluated.
（比較例３）
フォルステライトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、７．５質量％および９２．５質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(Comparative Example 3)
The same as in Example 1 except that a composition for a thick film resistor containing ruthenium dioxide and glass frit in a ratio of 7.5% by mass and 92.5% by mass without adding forsterite was used. Then, a thick film resistor was obtained and evaluated.
（比較例４）
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびフォルステライトを、１７．５質量％、８０．０質量％、および２．５質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(Comparative Example 4)
Examples except that a composition for a thick film resistor containing ruthenium dioxide, glass frit, and forsterite in a ratio of 17.5% by mass, 80.0% by mass, and 2.5% by mass was used. A thick film resistor was obtained in the same manner as in 1, and its evaluation was performed.
（比較例５）
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびフォルステライトを、１７．５質量％、６５．０質量％、および１７．５質量％の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(Comparative Example 5)
Examples except that a composition for a thick film resistor containing ruthenium dioxide, glass frit, and forsterite in a ratio of 17.5% by mass, 65.0% by mass, and 17.5% by mass was used. A thick film resistor was obtained in the same manner as in 1, and its evaluation was performed.
［考察］
本発明の実施例と比較例で作製された厚膜抵抗体の電気的特性から、添加剤としてフォルステライトを用いた厚膜抵抗体（実施例１〜３）は、添加剤を含まない厚膜抵抗体（比較例１〜３）およびフォルステライトの添加量が本発明の範囲を外れる厚膜抵抗体（比較例４および５）との比較において、所望の面積抵抗値に応じて、電流ノイズが十分に小さくなっており、厚膜抵抗体として優れていることが理解される。
[Discussion]
From the electrical characteristics of the thick film resistors produced in the examples and comparative examples of the present invention, the thick film resistors using forsterite as an additive (Examples 1 to 3) are thick films containing no additive. In comparison with resistors (Comparative Examples 1 to 3) and thick film resistors (Comparative Examples 4 and 5) in which the amount of forsterite added is outside the range of the present invention, current noise is generated according to the desired area resistance value. It is small enough and it is understood that it is excellent as a thick film resistor.
Claims (12)
The thick film resistor according to claim 11, wherein the ruthenium compound is composed of ruthenium dioxide and / or an alkaline earth metal ruthenate.
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| JPS62216301A (en) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | 昭栄化学工業株式会社 | Resistive compound |
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