JP2020191423A - Holding member, transfer member and method for manufacturing transfer member and light emitting substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、保持部材、保持部材を有する転写部材、転写部材の製造方法、及び転写部材を用いた発光基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a holding member, a transfer member having a holding member, a method for manufacturing the transfer member, and a method for manufacturing a light emitting substrate using the transfer member.
近年、回路を有する回路基板に複数のマイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを配置した発光基板を用いた表示装置、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイが注目されている。マイクロＬＥＤディスプレイは、液晶ディスプレイ等に比べて、輝度、消費電力、応答速度、信頼性等の面で優れており、次世代の軽量且つ薄型のディスプレイとして注目されている。 In recent years, a so-called micro LED display, which is a display device using a light emitting board in which a plurality of micro light emitting diode (LED) chips are arranged on a circuit board having a circuit, has attracted attention. Micro LED displays are superior to liquid crystal displays and the like in terms of brightness, power consumption, response speed, reliability, etc., and are attracting attention as next-generation lightweight and thin displays.
従来、マイクロＬＥＤディスプレイに用いられる発光基板を製造する際に、ウエハをダイシングして形成された複数のマイクロ発光ダイオードチップを、ピックアンドプレイス工程により、１つずつ回路基板に配置していた。このような発光基板の製造方法では、ピックアンドプレイス工程を数百万回以上繰り返すことになるため、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に時間がかかり、それに伴って製造コストが上昇してしまう。すなわち、低い生産性でしか発光基板を製造することができない。 Conventionally, when manufacturing a light emitting substrate used for a micro LED display, a plurality of micro light emitting diode chips formed by dicing a wafer have been arranged one by one on a circuit board by a pick and place process. In such a method for manufacturing a light emitting board, the pick-and-place process is repeated millions of times or more, so that the process of arranging the micro light emitting diode chip on the circuit board takes time, and the manufacturing cost increases accordingly. It ends up. That is, the light emitting substrate can be manufactured only with low productivity.
そこで、特許文献１のように、粘着スタンプによって、ウエハから回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置することが考えられた。特許文献１の粘着スタンプは、複数のマイクロ発光ダイオードチップを保持することができるため、１回のピックアンドプレイス工程で複数のマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に配置することができる。したがって、回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置する工程に要する時間を短縮し、製造コストを削減することができる。 Therefore, as in Patent Document 1, it has been considered to arrange the micro light emitting diode chip from the wafer to the circuit board by the adhesive stamp. Since the adhesive stamp of Patent Document 1 can hold a plurality of micro light emitting diode chips, a plurality of micro light emitting diode chips can be arranged on the circuit board in one pick and place step. Therefore, the time required for the process of arranging the micro light emitting diode chip on the circuit board can be shortened, and the manufacturing cost can be reduced.
ところで、特許文献１の粘着スタンプは、ピックアンドプレイス工程を繰り返し行うと、粘着力が低下してしまう。粘着スタンプの粘着力が低下すると、ピックアンドプレイス工程を行う際に粘着スタンプがマイクロ発光ダイオードチップを保持する確実性が低下してしまう。このため、粘着スタンプに粘着力を付与する工程や、粘着スタンプを交換する工程を要することになり、発光基板の製造の生産性を高めにくい。 By the way, the adhesive strength of the adhesive stamp of Patent Document 1 decreases when the pick-and-place process is repeated. If the adhesive strength of the adhesive stamp is reduced, the certainty that the adhesive stamp holds the micro light emitting diode chip during the pick-and-place process is reduced. Therefore, a step of imparting adhesive force to the adhesive stamp and a step of exchanging the adhesive stamp are required, and it is difficult to increase the productivity of manufacturing the light emitting substrate.
そこで、本件発明者らは検討を行い、ピックアンドプレイス工程を繰り返し行うことなく、ウエハから回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを配置することを可能とする、さらには回路基板にマイクロ発光ダイオードチップを一括で配置することを可能とする、マイクロ発光ダイオードチップを保持する保持部材及び当該保持部材を有するマイクロ発光ダイオードチップの転写部材を見出した。 Therefore, the present inventors have studied and made it possible to arrange the micro light emitting diode chips from the wafer to the circuit board without repeating the pick and place process, and further, the micro light emitting diode chips are collectively put on the circuit board. We have found a holding member for holding a micro light emitting diode chip and a transfer member for the micro light emitting diode chip having the holding member, which can be arranged in.
このような保持部材は、樹脂等の誘電体を含んでいるため、帯電することがある。保持部材が帯電していると、保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる際やマイクロ発光ダイオードチップを保持する保持部材からマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に転写して配置する際に、保持部材に帯電した電荷が放電されることがある。放電された電荷が電流としてマイクロ発光ダイオードチップや回路基板に流れると、当該マイクロ発光ダイオードチップのＰＮ接合が破壊されたり、回路基板の絶縁部分が破壊されたりし得る。すなわち、保持部材の静電気によってマイクロ発光ダイオードチップや回路基板が静電破壊され得る。 Since such a holding member contains a dielectric material such as resin, it may be charged. When the holding member is charged, when the holding member holds the micro light emitting diode chip or when the micro light emitting diode chip is transferred from the holding member holding the micro light emitting diode chip to the circuit board and arranged, the holding member has a charge. The charged charge may be discharged. When the discharged electric charge flows as a current to the micro light emitting diode chip or the circuit board, the PN junction of the micro light emitting diode chip may be broken or the insulating portion of the circuit board may be broken. That is, the micro light emitting diode chip and the circuit board can be electrostatically destroyed by the static electricity of the holding member.
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、マイクロ発光ダイオードチップや回路基板が静電破壊されることを効果的に防止することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such a point, and an object of the present invention is to effectively prevent electrostatic destruction of a micro light emitting diode chip or a circuit board.
本発明の保持部材は、
複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材であって、
基材と、
前記基材の一方の面上に設けられた導電層と、
前記導電層の一方の面上に規則的に二次元配列された複数の突出部と、
前記突出部の先端に設けられた粘着性を有する粘着層と、を備える。
The holding member of the present invention is
A holding member that holds a plurality of light emitting diode chips.
With the base material
A conductive layer provided on one surface of the base material and
A plurality of protrusions regularly arranged two-dimensionally on one surface of the conductive layer,
An adhesive layer having adhesiveness provided at the tip of the protruding portion is provided.
本発明の保持部材において、前記導電層及び前記基材は、透明であってもよい。 In the holding member of the present invention, the conductive layer and the base material may be transparent.
本発明の保持部材において、前記導電層のシート抵抗は、１×１０−３Ω／□以上１×１０６Ω／□以下であってもよい。 In the holding member of the present invention, the sheet resistance of the conductive layer may be 1 × 10 -3 Ω / □ or more and 1 × 10 6 Ω / □ or less.
本発明の保持部材において、前記導電層は、金属酸化物を含んでもよい。 In the holding member of the present invention, the conductive layer may contain a metal oxide.
本発明の転写部材は、
上述したいずれかの保持部材と、
各突出部に前記粘着層を介して保持された複数の発光ダイオードチップと、を備える。
The transfer member of the present invention
With any of the holding members mentioned above
Each protrusion is provided with a plurality of light emitting diode chips held via the adhesive layer.
本発明の転写部材の製造方法は、ダイシングされた発光ダイオードチップを有するチップ基板を請求項１乃至５のいずれか一項に記載の保持部材に接触させて、複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の複数の突出部上に保持させる工程を備える。 In the method for manufacturing a transfer member of the present invention, a chip substrate having a diced light emitting diode chip is brought into contact with the holding member according to any one of claims 1 to 5, and the plurality of the light emitting diode chips are held. A step of holding the member on a plurality of projecting portions is provided.
本発明の発光基板の製造方法は、上述した転写部材の前記発光ダイオードチップが、回路基板の回路に電気的に接続するようにして、複数の前記発光ダイオードチップを前記転写部材の前記保持部材から前記回路基板に一括で転写する工程を備える。 In the method for manufacturing a light emitting substrate of the present invention, the light emitting diode chips of the transfer member described above are electrically connected to the circuit of the circuit board, and a plurality of the light emitting diode chips are connected from the holding member of the transfer member. A step of collectively transferring to the circuit board is provided.
本発明によれば、マイクロ発光ダイオードチップや回路基板が静電破壊されることを効果的に防止することができる。 According to the present invention, it is possible to effectively prevent the micro light emitting diode chip and the circuit board from being electrostatically destroyed.
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, the scale, aspect ratio, etc. are appropriately changed from those of the actual product and exaggerated for the convenience of illustration and comprehension.
また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。 Further, the "sheet surface (plate surface, film surface)" is a target sheet-like member (plate-like) when the target sheet-like (plate-like, film-like) member is viewed as a whole and from a broad perspective. A surface that coincides with the plane direction of a member or film-like member).
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。 Furthermore, as used in the present specification, the terms such as "parallel", "orthogonal", and "identical" and the values of length and angle that specify the shape and geometric conditions and their degrees are strictly referred to. Without being bound by the meaning, we will interpret it including the range where similar functions can be expected.
図１は、表示装置１を概略的に示す分解斜視図である。表示装置１は、表示面５に画像等を表示する。図１に示された例において、表示装置１は、発光基板１０と、発光基板１０に対向して配置された拡散層７と、を有している。図示された例において、拡散層７の発光基板１０に対向する側とは逆側の面が、表示装置１の表示面５となっている。表示装置１は、１つ又は複数の発光ダイオードから発光した光を１つの画素として用いている、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイである。図示された例において、発光基板１０で発光した光は、拡散層７で拡散される。ただし、図示された例に限らず、表示装置１において、拡散層７が省略されてもよい。 FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing the display device 1. The display device 1 displays an image or the like on the display surface 5. In the example shown in FIG. 1, the display device 1 has a light emitting substrate 10 and a diffusion layer 7 arranged so as to face the light emitting substrate 10. In the illustrated example, the surface of the diffusion layer 7 opposite to the side facing the light emitting substrate 10 is the display surface 5 of the display device 1. The display device 1 is a so-called micro LED display that uses light emitted from one or a plurality of light emitting diodes as one pixel. In the illustrated example, the light emitted by the light emitting substrate 10 is diffused by the diffusion layer 7. However, not limited to the illustrated example, the diffusion layer 7 may be omitted in the display device 1.
発光基板１０は、表示面５に表示する画像を形成する光を発光する。図２は、発光基板１０の一部を示す平面図であり、図３は、図２の発光基板１０の一部を拡大して示す平面図であり、図４は、発光基板１０の一部を示す縦断面図である。図２に示すように、発光基板１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に規則的に二次元配列された複数のマイクロ発光ダイオードチップ（単に「発光ダイオードチップ」とも呼ぶ）５０と、発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着させるための異方性導電性粘着層１５と、を有している。 The light emitting substrate 10 emits light that forms an image to be displayed on the display surface 5. FIG. 2 is a plan view showing a part of the light emitting board 10, FIG. 3 is an enlarged plan view showing a part of the light emitting board 10 of FIG. 2, and FIG. 4 is a part of the light emitting board 10. It is a vertical sectional view which shows. As shown in FIG. 2, the light emitting board 10 includes a circuit board 11, a plurality of micro light emitting diode chips (also simply referred to as “light emitting diode chips”) 50 regularly arranged in two dimensions on the circuit board 11, and light emitting light. It has an anisotropic conductive adhesive layer 15 for adhering the LED chip 50 to the circuit board 11.
図３に示すように、回路基板１１は、回路１３を有している。回路基板１１は、回路１３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を接続させる。回路基板１１は、薄板状の部材である。回路基板１１は、例えばガラスエポキシ等の絶縁体上に銅等からなる回路１３の配線が配置されることで形成されている。 As shown in FIG. 3, the circuit board 11 has a circuit 13. The circuit board 11 connects the micro light emitting diode chip 50 to the circuit 13. The circuit board 11 is a thin plate-shaped member. The circuit board 11 is formed by arranging the wiring of the circuit 13 made of copper or the like on an insulator such as glass epoxy.
また、回路基板１１は、後述する転写部材２０からマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写される工程において、マイクロ発光ダイオードチップ５０を有する転写部材２０と位置決めするための位置決め手段を有している。図２に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ１である。ただし、十字型の位置決めマークＭ１は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ１を用いることができる。 Further, the circuit board 11 has a positioning means for positioning with the transfer member 20 having the micro light emitting diode chip 50 in the step of transferring the micro light emitting diode chip 50 from the transfer member 20 described later. In the example shown in FIG. 2, the positioning means is a plurality of cross-shaped positioning marks M1. However, the cross-shaped positioning mark M1 is merely an example, and various positioning marks M1 such as a quadrangle, a triangle, and a circle can be used.
異方性導電性粘着層１５は、マイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に対して固定する。異方性導電性粘着層１５は、回路基板１１の発光ダイオードチップ５０が配置される位置に形成されている。異方性導電性粘着層１５は、典型的には、微細な金属粒子を含む熱硬化性樹脂の層であって、初期状態では導電性を有さない層であり、熱圧着に用いられると、圧力がかかった部分のみが、金属粒子同士が接続することにより、導電性を有するようになる材料である。この異方性導電性粘着層１５として、例えば異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）又は異方性導電接着剤（ＡＣＡｓ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅｓ）を用いることができる。 The anisotropic conductive adhesive layer 15 fixes the micro light emitting diode chip 50 to the circuit board 11. The anisotropic conductive adhesive layer 15 is formed at a position where the light emitting diode chip 50 of the circuit board 11 is arranged. The anisotropic conductive adhesive layer 15 is typically a layer of a thermosetting resin containing fine metal particles, which does not have conductivity in the initial state, and is used for thermocompression bonding. , Only the pressured portion is a material that becomes conductive by connecting the metal particles to each other. Examples of the anisotropic conductive adhesive layer 15 include an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste (ACP), or an anisotropic conductive adhesive (ACAs: Anisotropic Conductive Film). ) Can be used.
図４に示すように、各マイクロ発光ダイオードチップ５０は、２つの電極５１を有している。マイクロ発光ダイオードチップ５０は、電極５１を介して、回路１３に電気的に接続している。回路１３に流れる電流を制御して２つの電極５１の間に電圧を印加することで、任意のマイクロ発光ダイオードチップ５０を発光させることができる。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の発光の組み合わせにより、表示装置１が表示する画像を形成することができる。 As shown in FIG. 4, each micro light emitting diode chip 50 has two electrodes 51. The micro light emitting diode chip 50 is electrically connected to the circuit 13 via the electrode 51. By controlling the current flowing through the circuit 13 and applying a voltage between the two electrodes 51, any micro light emitting diode chip 50 can emit light. The image displayed by the display device 1 can be formed by combining the light emission of the plurality of micro light emitting diode chips 50.
マイクロ発光ダイオードチップ５０から発光する光の波長は、マイクロ発光ダイオードチップ５０を構成する半導体材料等によって決定される。マイクロ発光ダイオードチップ５０は、例えばＧａＡｓ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＮ系化合物半導体等を含んでいる。平面視におけるマイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法は、例えば１辺が３μｍ以上１０００μｍ以下の矩形形状とすることができ、マイクロ発光ダイオードチップ５０の厚さは、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。 The wavelength of the light emitted from the micro light emitting diode chip 50 is determined by the semiconductor material or the like constituting the micro light emitting diode chip 50. The micro light emitting diode chip 50 includes, for example, a GaAs-based compound semiconductor, an InP-based compound semiconductor, a GaN-based compound semiconductor, and the like. The dimensions of the micro light emitting diode chip 50 in a plan view can be, for example, a rectangular shape having a side of 3 μm or more and 1000 μm or less, and the thickness of the micro light emitting diode chip 50 can be, for example, 10 μm or more and 500 μm or less.
図示された例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０は、波長域６２０ｎｍ〜６８０ｎｍの赤色の光を発光する第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、波長域５３０ｎｍ〜５７０ｎｍの緑色の光を発光する第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、波長域４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色の光を発光する第３発光ダイオードチップ５０Ｂと、を含んでいる。互いの近傍に配置された第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂが、表示装置１の１つの画素を形成している。このため、発光基板１０は、フルカラーで表示する画像を形成する光を発光することができる。 In the illustrated example, the micro light emitting diode chip 50 includes a first light emitting diode chip 50R that emits red light having a wavelength range of 620 nm to 680 nm and a second light emitting diode chip that emits green light having a wavelength range of 530 nm to 570 nm. It includes 50G and a third light emitting diode chip 50B that emits blue light in a wavelength range of 440 nm to 480 nm. The first light emitting diode chip 50R, the second light emitting diode chip 50G, and the third light emitting diode chip 50B arranged in the vicinity of each other form one pixel of the display device 1. Therefore, the light emitting substrate 10 can emit light that forms an image to be displayed in full color.
発光基板１０は、回路基板１１の回路１３が形成された位置に異方性導電性粘着層１５を介してマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置することで製造される。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置された発光基板１０を高い生産性で製造するために、図５に示すような保持部材３０、及び保持部材３０を有する転写部材２０が用いられる。 The light emitting substrate 10 is manufactured by arranging the micro light emitting diode chip 50 via the anisotropic conductive adhesive layer 15 at the position where the circuit 13 of the circuit board 11 is formed. In order to manufacture the light emitting substrate 10 on which the plurality of micro light emitting diode chips 50 are arranged with high productivity, the holding member 30 as shown in FIG. 5 and the transfer member 20 having the holding member 30 are used.
以下、保持部材３０及び保持部材を有する転写部材２０の一実施の形態について、図５乃至図７を参照しつつ説明する。 Hereinafter, an embodiment of the holding member 30 and the transfer member 20 having the holding member will be described with reference to FIGS. 5 to 7.
図５は、転写部材２０の一部を示す縦断面図である。転写部材２０は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で回路基板１１に転写することを可能にする部材である。１回の転写のみで回路基板１１の全体にマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置することができるよう、転写部材２０の平面視における寸法は、回路基板１１の平面視における寸法以上であることが好ましい。 FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing a part of the transfer member 20. The transfer member 20 is a member that enables a plurality of micro light emitting diode chips 50 to be collectively transferred to the circuit board 11. The dimensions of the transfer member 20 in the plan view are preferably equal to or larger than the dimensions in the plan view of the circuit board 11 so that the micro light emitting diode chip 50 can be arranged on the entire circuit board 11 with only one transfer.
転写部材２０は、保持部材３０と、保持部材３０に保持された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０と、を有している。複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０は、転写部材２０において、当該マイクロ発光ダイオードチップ５０が転写される回路基板１１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置に対応した位置に保持されるよう、配置されている。言い換えると、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の転写部材２０における配列間隔および配列パターンは、当該複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が回路基板１１上で配列されるべき配列間隔および配列パターンと同一となっている。また、図示された例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒが、保持部材３０に保持されている。 The transfer member 20 has a holding member 30 and a plurality of micro light emitting diode chips 50 held by the holding member 30. The plurality of micro light emitting diode chips 50 are arranged so as to be held in the transfer member 20 at a position corresponding to the position where the micro light emitting diode chip 50 is arranged on the circuit board 11 to which the micro light emitting diode chip 50 is transferred. ing. In other words, the arrangement spacing and arrangement pattern in the transfer member 20 of the plurality of micro light emitting diode chips 50 are the same as the arrangement spacing and arrangement pattern in which the plurality of micro light emitting diode chips 50 should be arranged on the circuit board 11. There is. Further, in the illustrated example, the first light emitting diode chip 50R is held by the holding member 30 as the micro light emitting diode chip 50.
保持部材３０は、複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持することができる部材である。図６は、本発明の保持部材３０の一部を示す縦断面図であり、図７は、保持部材３０の一部を示す平面図である。図６及び図７に示すように、保持部材３０は、基材３１と、基材３１の一方の面上に設けられた導電層３３と、導電層３３の一方の面上に設けられた複数の突出保持部３５と、を有している。 The holding member 30 is a member capable of holding a plurality of micro light emitting diode chips 50. FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing a part of the holding member 30 of the present invention, and FIG. 7 is a plan view showing a part of the holding member 30. As shown in FIGS. 6 and 7, a plurality of holding members 30 are provided on one surface of the base material 31, the conductive layer 33 provided on one surface of the base material 31, and the conductive layer 33. It has a protruding holding portion 35 of the above.
基材３１は、導電層３３及び複数の突出保持部３５を適切に支持する部材である。基材３１は、後述する保持部材３０にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させる工程において、マイクロ発光ダイオードチップ５０を有するチップ基板４０と保持部材３０との位置決めするための位置決め手段を有している。図７に示す例では、位置決め手段は、十字型の位置決めマークＭ２である。ただし、十字型の位置決めマークＭ２は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ２を用いることができる。位置決めマークＭ２は、保持部材３０を一定の間隔で区画する領域ごとに基材３１の一方または他方の面上に複数設けられている。また、位置決めマークＭ２の観察を容易にするために、基材３１は、透明であることが好ましい。 The base material 31 is a member that appropriately supports the conductive layer 33 and the plurality of projecting holding portions 35. The base material 31 has a positioning means for positioning the chip substrate 40 having the micro light emitting diode chip 50 and the holding member 30 in the step of causing the holding member 30 described later to hold the micro light emitting diode chip 50. In the example shown in FIG. 7, the positioning means is a cross-shaped positioning mark M2. However, the cross-shaped positioning mark M2 is merely an example, and various positioning marks M2 such as a quadrangle, a triangle, and a circle can be used. A plurality of positioning marks M2 are provided on one or the other surface of the base material 31 for each region for partitioning the holding member 30 at regular intervals. Further, in order to facilitate the observation of the positioning mark M2, the base material 31 is preferably transparent.
なお、透明とは、当該部材を介して当該部材の一方の側から他方の側を透視し得る程度の透明性を有していることを意味しており、例えば、３０％以上、より好ましくは７０％以上の可視光透過率を有していることを意味する。可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳ Ｋ ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。 In addition, "transparency" means having transparency to the extent that one side of the member can see through the other side through the member, for example, 30% or more, more preferably. It means that it has a visible light transmittance of 70% or more. Visible light transmittance is the transmittance at each wavelength when measured within the measurement wavelength range of 380 nm to 780 nm using a spectrophotometer (“UV-3100PC” manufactured by Shimadzu Corporation, JIS K 0115 compliant product). Is specified as the average value of.
基材３１の平面視における面積は、後述する複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を有するチップ基板４０より大きくなっている。具体的には、基材３１の平面視における面積は、１７６ｃｍ２以上となっていることが好ましい。また、転写部材２０の平面視における寸法が回路基板１１の平面視における寸法以上となるよう、基材３１の平面視における寸法は、回路基板１１の平面視における寸法以上であることが好ましい。 The area of the base material 31 in a plan view is larger than that of the chip substrate 40 having a plurality of micro light emitting diode chips 50 described later. Specifically, the area of the base material 31 in a plan view is preferably 176 cm 2 or more. Further, the dimension of the base material 31 in the plan view is preferably equal to or larger than the dimension in the plan view of the circuit board 11 so that the dimension of the transfer member 20 in the plan view is equal to or larger than the dimension in the plan view of the circuit board 11.
基材３１の厚さは、透明性や、突出保持部３５の適切な支持性等を考慮すると、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。このような基材３１の材料としては、例えばアクリル樹脂やガラスを挙げることができる。 The thickness of the base material 31 is preferably 0.5 mm or more and 3 mm or less in consideration of transparency, appropriate supportability of the protrusion holding portion 35, and the like. Examples of the material of such a base material 31 include acrylic resin and glass.
導電層３３は、導電性を有している。導電層３３は、アースに接続されている。導電層３３をアースに接続することで、保持部材３０が帯電した際に、保持部材３０が保持している発光ダイオードチップ５０等に電荷が電流として流れて静電破壊されてしまうことを効果的に防止する。帯電した電荷を適切に保持部材３０から除去して保持部材３０を帯電していない状態に保つため、導電層３３のシート抵抗は、１×１０−３Ω／□以上１×１０６Ω／□以下であることが好ましい。また、導電層３３は、透明であることが好ましい。 The conductive layer 33 has conductivity. The conductive layer 33 is connected to ground. By connecting the conductive layer 33 to the ground, it is effective that when the holding member 30 is charged, the charge flows as a current to the light emitting diode chip 50 or the like held by the holding member 30 and is electrostatically destroyed. To prevent. In order to properly remove the charged charge from the holding member 30 and keep the holding member 30 in an uncharged state, the sheet resistance of the conductive layer 33 is 1 × 10 -3 Ω / □ or more and 1 × 10 6 Ω / □. The following is preferable. Further, the conductive layer 33 is preferably transparent.
導電層３３は、基材３１の一方の面の全面に亘って設けられている。したがって、導電層３３の平面視における面積は、基材３１の平面視における面積と略同一である。具体的には、導電層３３の平面視における面積は、１７６ｃｍ２以上となっている。また、導電層３３の厚さは、透明性や、突出保持部３５の支持性等を考慮すると、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。 The conductive layer 33 is provided over the entire surface of one surface of the base material 31. Therefore, the area of the conductive layer 33 in the plan view is substantially the same as the area of the base material 31 in the plan view. Specifically, the area of the conductive layer 33 in a plan view is 176 cm 2 or more. Further, the thickness of the conductive layer 33 is preferably 1 nm or more and 500 nm or less in consideration of transparency, supportability of the protrusion holding portion 35, and the like.
このような導電層３３は、基材３１と突出保持部３５との密着性を向上させ得る。すなわち、導電層３３を介した基材３１と突出部３６との密着性は、基材３１と突出部３６との直接的な密着性より高くなっている。 Such a conductive layer 33 can improve the adhesion between the base material 31 and the protrusion holding portion 35. That is, the adhesion between the base material 31 and the protruding portion 36 via the conductive layer 33 is higher than the direct adhesion between the base material 31 and the protruding portion 36.
このような導電層３３は、例えば基材３１上に金属酸化物を薄膜状に形成することで、設けることができる。金属酸化物としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を例示することができる。すなわち、導電層３３は、酸化インジウム錫を含んでいることで、導電性を有し、透明であり、且つ基材３１と突出保持部３５との密着性を向上させることができる。ただし、導電層３３は、酸化インジウム錫以外の材料からなっていてもよい。例えば、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）、ＡＺＯ（アルミドープ酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化スズ）、ＴＴＯ（タンタルドープ酸化スズ）及びＮＴＯ（ニオブドープ酸化チタン）、酸化スズ、及び酸化亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種を用いて導電層３３を形成することができる。 Such a conductive layer 33 can be provided, for example, by forming a metal oxide in a thin film on the base material 31. Examples of the metal oxide include indium tin oxide (ITO). That is, since the conductive layer 33 contains indium tin oxide, it has conductivity and is transparent, and the adhesion between the base material 31 and the protrusion holding portion 35 can be improved. However, the conductive layer 33 may be made of a material other than indium tin oxide. For example, IZO (zinc-doped tin oxide), ATO (antimon-doped tin oxide), AZO (aluminum-doped zinc oxide), GZO (gallium-doped tin oxide), TTO (tantal-doped tin oxide) and NTO (niob-doped tin oxide), oxidation. The conductive layer 33 can be formed by using at least one selected from the group consisting of tin and zinc oxide.
突出保持部３５は、突出保持部３５の本体となる突出部３６と、各突出部３６の先端に設けられた粘着層３７と、を有している。突出保持部３５は、粘着層３７を介して、マイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する部分である。突出保持部３５は、基材３１上に設けられた導電層３３上において保持部材３０がマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する位置に設けられている。すなわち、突出保持部３５は、回路基板１１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置に対応した位置に設けられている。 The protrusion holding portion 35 has a protrusion 36 which is a main body of the protrusion holding portion 35, and an adhesive layer 37 provided at the tip of each protrusion 36. The protrusion holding portion 35 is a portion that holds the micro light emitting diode chip 50 via the adhesive layer 37. The protrusion holding portion 35 is provided at a position where the holding member 30 holds the micro light emitting diode chip 50 on the conductive layer 33 provided on the base material 31. That is, the protrusion holding portion 35 is provided at a position corresponding to the position where the micro light emitting diode chip 50 of the circuit board 11 is arranged.
突出保持部３５は、導電層３３の一方の面上に、規則的に二次元配列されている。突出保持部３５の規則的な二次元配列は、回路基板１１上に規則的に二次元配列される複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０に対応している。言い換えると、突出保持部３５の配列間隔および配列パターンは、回路基板１１上で配列されるべき複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列間隔および配列パターンと同一となっている。突出保持部３５は、第１方向ｄ１にピッチｐ１ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ１ｙで配列されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙは、例えば５０μｍ以上８７０μｍ以下である。 The protrusion holding portions 35 are regularly arranged two-dimensionally on one surface of the conductive layer 33. The regular two-dimensional arrangement of the protrusion holding portions 35 corresponds to a plurality of micro light emitting diode chips 50 that are regularly arranged two-dimensionally on the circuit board 11. In other words, the arrangement spacing and arrangement pattern of the protrusion holding portion 35 are the same as the arrangement spacing and arrangement pattern of the plurality of micro light emitting diode chips 50 to be arranged on the circuit board 11. The protrusion holding portions 35 are arranged in the first direction d1 at a pitch p1x, and are arranged in the second direction d2, which is non-parallel to the first direction d1, at a pitch p1y. In the illustrated example, the first direction d1 and the second direction d2 are orthogonal to each other. The pitches p1x and p1y are, for example, 50 μm or more and 870 μm or less.
突出部３６は、基材３１及び導電層３３のシート面の法線方向に突出している。突出部３６が基材３１及び導電層３３から突出している長さＬは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。また、突出部３６の先端側の平面視における寸法は、マイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法以下であることが好ましい。図示された例では、突出部３６の先端側の平面視における寸法は、マイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっている。さらに、突出部３６は、柔軟性を有している。具体的には、突出部３６のヤング率は、１０ＧＰａ以下であることが好ましく、５ＧＰａ以下であることがより好ましい。このような突出部３６は、例えばアクリル樹脂からなり、フォトリソグラフィ技術やインプリント技術を利用して、形成することができる。 The protruding portion 36 projects in the normal direction of the sheet surface of the base material 31 and the conductive layer 33. The length L of the protruding portion 36 protruding from the base material 31 and the conductive layer 33 is, for example, 0.1 μm or more and 100 μm or less. Further, the dimension of the protruding portion 36 on the tip side in a plan view is preferably equal to or less than the dimension of the micro light emitting diode chip 50. In the illustrated example, the dimensions of the protrusion 36 on the tip side in a plan view are equal to the dimensions of the micro light emitting diode chip 50. Further, the protrusion 36 has flexibility. Specifically, the Young's modulus of the protruding portion 36 is preferably 10 GPa or less, and more preferably 5 GPa or less. Such a protrusion 36 is made of, for example, an acrylic resin, and can be formed by using a photolithography technique or an imprint technique.
粘着層３７は、突出部３６にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができるよう、突出部３６の先端に設けられている。粘着層３７は、粘着性を有している。粘着層３７の粘着性は、例えば加熱、冷却又は紫外線照射によって、低下させることができる。なお、本明細書において、粘着性とは、粘り着く性質のことであり、接着性と区別しない。粘着層３７の材料としては、例えばアクリル系粘着剤が用いられる。粘着層３７の厚さは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。 The adhesive layer 37 is provided at the tip of the protruding portion 36 so that the protruding portion 36 can hold the micro light emitting diode chip 50. The adhesive layer 37 has adhesiveness. The adhesiveness of the adhesive layer 37 can be reduced by, for example, heating, cooling or irradiation with ultraviolet rays. In addition, in this specification, adhesiveness is a property of stickiness and is not distinguished from adhesiveness. As the material of the adhesive layer 37, for example, an acrylic adhesive is used. The thickness of the adhesive layer 37 is, for example, 0.1 μm or more and 100 μm or less.
次に、保持部材３０にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させる方法、すなわち転写部材２０の製造方法について、図８乃至図１５を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、保持部材３０に第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持させる方法について説明する。 Next, a method of causing the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip 50, that is, a method of manufacturing the transfer member 20, will be described with reference to FIGS. 8 to 15. In the following description, as an example, a method of causing the holding member 30 to hold the first light emitting diode chip 50R will be described.
まず、図８に示すように、一方の面上にダイシングされた複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）を有するチップ基板４０を用意する。チップ基板４０は、ダイシングされたウエハ自体であってもよいし、ダイシングされたウエハからマイクロ発光ダイオードチップ５０を仮転写した基板であってもよい。チップ基板４０は、チップ基材４１と、チップ基材４１上に配置された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０と、を有している。また、チップ基板４０は、保持部材３０との位置決めするための位置決め手段を有している。図８に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ３である。ただし、十字型の位置決めマークＭ３は例示に過ぎず、例えば四角形、三角形、丸等の種々の位置決めマークＭ３を用いることができる。 First, as shown in FIG. 8, a chip substrate 40 having a plurality of micro light emitting diode chips 50 (first light emitting diode chips 50R) diced on one surface is prepared. The chip substrate 40 may be the diced wafer itself, or may be a substrate on which the micro light emitting diode chip 50 is temporarily transferred from the diced wafer. The chip substrate 40 has a chip base material 41 and a plurality of micro light emitting diode chips 50 arranged on the chip base material 41. Further, the chip substrate 40 has a positioning means for positioning with the holding member 30. In the example shown in FIG. 8, the positioning means is a plurality of cross-shaped positioning marks M3. However, the cross-shaped positioning mark M3 is merely an example, and various positioning marks M3 such as a quadrangle, a triangle, and a circle can be used.
各マイクロ発光ダイオードチップ５０は、チップ基材４１の側に設けられた２つの電極５１を有している。また、マイクロ発光ダイオードチップ５０は、チップ基材４１上において、第１方向ｄ１にピッチｐ２ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ２ｙで配列されている。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ５０は、ウエハを第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にダイシングすることで形成されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙは、例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。 Each micro light emitting diode chip 50 has two electrodes 51 provided on the side of the chip base material 41. Further, the micro light emitting diode chips 50 are arranged on the chip base material 41 at a pitch p2x in the first direction d1 and at a pitch p2y in the second direction d2 nonparallel to the first direction d1. That is, the micro light emitting diode chip 50 is formed by dicing the wafer in the first direction d1 and the second direction d2. In the illustrated example, the first direction d1 and the second direction d2 are orthogonal to each other. The pitches p2x and p2y are, for example, 5 μm or more and 200 μm or less.
ここで、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、保持部材３０の複数の突出保持部３５の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘとなっている。同様に、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、保持部材３０の複数の突出保持部３５の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙとなっている。突出保持部３５の配列間隔および配列パターンが回路基板１１上で配列される複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列間隔および配列パターンと同一となっているため、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、回路基板１１のあるマイクロ発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）の第１方向ｄ１における配列のピッチの整数倍となっており、第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、回路基板１１のあるマイクロ発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）の第２方向ｄ２における配列のピッチの整数倍となっている。 Here, an integral multiple of the pitch p2x of the arrangement in the first direction d1 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 becomes the pitch p1x of the arrangement in the first direction d1 of the plurality of protruding holding portions 35 of the holding member 30. There is. Similarly, an integral multiple of the pitch p2y of the arrangement in the second direction d2 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 becomes the pitch p1y of the arrangement in the second direction d2 of the plurality of protruding holding portions 35 of the holding member 30. There is. Since the arrangement spacing and arrangement pattern of the protrusion holding portion 35 are the same as the arrangement spacing and arrangement pattern of the plurality of micro light emitting diode chips 50 arranged on the circuit board 11, the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 The integral multiple of the array pitch p2x in the first direction d1 is an integral multiple of the array pitch in the first direction d1 of the micro light emitting diode chip 50 (first light emitting diode chip 50R) having the circuit board 11. The integral multiple of the array pitch p2y in the two directions d2 is an integral multiple of the array pitch in the second direction d2 of the micro light emitting diode chip 50 (first light emitting diode chip 50R) having the circuit board 11.
次に、図９に示すように、チップ基板４０のチップ基材４１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置された側の面と、保持部材３０の基材３１の突出保持部３５が配列された面と、を対面させる。その後、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めを行う。位置決めは、保持部材３０の基材３１が有する位置決め手段と、チップ基板４０が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な例として、保持部材３０の第１領域Ｒ１において基材３１が有する位置決めマークＭ２と、チップ基板４０が有する位置決めマークＭ３とを一致させることで、位置決めが行われる。位置決めマークＭ２とＭ３とが一致していることは、例えば、保持部材３０の突出保持部３５が配列された面とは逆側に配置されたカメラ８０によって、確認することができる。基材３１及び導電層３３が透明であるため、保持部材３０の突出保持部３５が配列された面とは逆側から、基材３１及び導電層３３を介して、位置決めマークＭ２及びＭ３を確認することが可能である。 Next, as shown in FIG. 9, the surface of the chip substrate 40 on the side where the micro light emitting diode chip 50 is arranged and the surface on which the protruding holding portion 35 of the substrate 31 of the holding member 30 is arranged are arranged. And face each other. After that, the chip substrate 40 and the holding member 30 are positioned. Positioning is performed based on the positioning means included in the base material 31 of the holding member 30 and the positioning means included in the chip substrate 40. As a specific example, positioning is performed by matching the positioning mark M2 of the base material 31 with the positioning mark M3 of the chip substrate 40 in the first region R1 of the holding member 30. The coincidence of the positioning marks M2 and M3 can be confirmed, for example, by the camera 80 arranged on the side opposite to the surface on which the protruding holding portions 35 of the holding member 30 are arranged. Since the base material 31 and the conductive layer 33 are transparent, the positioning marks M2 and M3 are confirmed via the base material 31 and the conductive layer 33 from the side opposite to the surface on which the protruding holding portion 35 of the holding member 30 is arranged. It is possible to do.
なお、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めは、保持部材３０の基材３１が有する位置決め手段及びチップ基板４０が有する位置決め手段のいずれか一方のみによって行われてもよい。 The positioning of the chip substrate 40 and the holding member 30 may be performed by only one of the positioning means included in the base material 31 of the holding member 30 and the positioning means included in the chip substrate 40.
次に、図１０に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とを接近させて、チップ基板４０を保持部材３０に接触させる。チップ基板４０が保持部材３０に接触すると、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が、保持部材３０の第１領域Ｒ１内の複数の突出保持部３５の先端に設けられた粘着層３７に接触する。マイクロ発光ダイオードチップ５０が粘着層３７に粘着されることで、複数の突出保持部３５が粘着層３７を介してマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ５０が、チップ基板４０から保持部材３０の第１領域Ｒ１内の複数の突出保持部３５上に保持される。 Next, as shown in FIG. 10, the chip substrate 40 and the holding member 30 are brought close to each other to bring the chip substrate 40 into contact with the holding member 30. When the chip substrate 40 comes into contact with the holding member 30, the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 comes into contact with the adhesive layer 37 provided at the tip of the plurality of protruding holding portions 35 in the first region R1 of the holding member 30. .. When the micro light emitting diode chip 50 is adhered to the adhesive layer 37, the plurality of projecting holding portions 35 hold the micro light emitting diode chip 50 via the adhesive layer 37. That is, the micro light emitting diode chip 50 is held from the chip substrate 40 on a plurality of protruding holding portions 35 in the first region R1 of the holding member 30.
ここで、突出保持部３５の突出部３６が柔軟性を有しているため、具体的には突出部３６のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、チップ基板４０が保持部材３０に接触すると、保持部材３０の突出部３６がチップ基板４０と突出部３６との接触面に垂直な方向に変形し得る。このため、チップ基板４０を突出保持部３５に接触させる接触圧力は、チップ基板４０と接触している各突出保持部３５に均一にかかる。言い換えると、突出保持部３５の一部が高い接触圧力でチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０と接触することを回避することができる。突出保持部３５の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ５０と接触すると、当該突出保持部３５とマイクロ発光ダイオードチップ５０との粘着力が、他の突出保持部３５と他のマイクロ発光ダイオードチップ５０との粘着力と異なるようになり、製造される転写部材２０の取り扱いに不具合が生じたり、高い接触圧力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されたりし得る。このため、突出保持部３５の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ５０と接触することは、回避されていることが好ましい。 Here, since the protruding portion 36 of the protruding portion 35 has flexibility, specifically, the Young's modulus of the protruding portion 36 is 10 GPa or less, more preferably 5 GPa or less, so that the chip substrate 40 is a holding member. Upon contact with 30, the protrusion 36 of the holding member 30 may be deformed in a direction perpendicular to the contact surface between the chip substrate 40 and the protrusion 36. Therefore, the contact pressure for bringing the chip substrate 40 into contact with the protrusion holding portion 35 is uniformly applied to each protrusion holding portion 35 in contact with the chip substrate 40. In other words, it is possible to prevent a part of the protrusion holding portion 35 from coming into contact with the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 at a high contact pressure. When a part of the protruding holding portion 35 comes into contact with the micro light emitting diode chip 50 at a high contact pressure, the adhesive force between the protruding holding portion 35 and the micro light emitting diode chip 50 increases with the other protruding holding portion 35 and the other micro light emitting diode. The adhesive strength with the chip 50 will be different, and the handling of the manufactured transfer member 20 may be defective, or the micro light emitting diode chip 50 may be destroyed by the high contact pressure. Therefore, it is preferable that a part of the protrusion holding portion 35 is prevented from coming into contact with the micro light emitting diode chip 50 at a high contact pressure.
図１１は、図１０に示すチップ基板４０を保持部材３０の第１領域Ｒ１内の複数の突出保持部３５に接触させている状態を示す平面図である。チップ基板４０と保持部材３０とが位置決めされていること、及び突出保持部３５の平面視における寸法がマイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっていることで、第１領域Ｒ１内の１つの突出保持部３５に対して１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。さらに、図１１に示すように、保持部材３０の複数の突出保持部３５の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘがチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍（図示された例では５倍）であることから、第１方向ｄ１において第１領域Ｒ１内の全ての突出保持部３５に対して１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。同様に、保持部材３０の複数の突出保持部３５の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙがチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍（図示された例では２倍）であることから、第２方向ｄ２において第１領域Ｒ１内の全ての突出保持部３５に対してそれぞれ１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。 FIG. 11 is a plan view showing a state in which the chip substrate 40 shown in FIG. 10 is in contact with a plurality of protruding holding portions 35 in the first region R1 of the holding member 30. Since the chip substrate 40 and the holding member 30 are positioned and the dimensions of the projecting holding portion 35 in the plan view are equal to the dimensions of the micro light emitting diode chip 50, one protrusion in the first region R1 One micro light emitting diode chip 50 can be held by the holding portion 35. Further, as shown in FIG. 11, the pitch p1x of the arrangement in the first direction d1 of the plurality of protruding holding portions 35 of the holding member 30 is the pitch p2x of the arrangement in the first direction d1 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40. Since it is an integral multiple (5 times in the illustrated example), one micro light emitting diode chip 50 can be held by all the protruding holding portions 35 in the first region R1 in the first direction d1. Similarly, the pitch p1y of the arrangement in the second direction d2 of the plurality of protruding holding portions 35 of the holding member 30 is an integral multiple of the pitch p2y of the arrangement in the second direction d2 of the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 (illustrated). In the example, it is doubled), so that one micro light emitting diode chip 50 can be held for each of all the protruding holding portions 35 in the first region R1 in the second direction d2.
その後、図１２に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とを離間させた後、チップ基板４０に対して保持部材３０を相対移動させる。チップ基板４０に対して保持部材３０を相対移動させた後の位置は、基材３１が有する位置決め手段及びチップ基板４０が有する位置決め手段によって決定される。例えば、保持部材の第２領域Ｒ２において基材３１が有する位置決めマークＭ２とチップ基板４０が有する位置決めマークＭ３とを一致させることで、位置決めが行われる。なお、保持部材３０の第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１とは異なる領域であり、図示された例では、第１方向ｄ１において第１領域Ｒ１に隣り合う領域である。 Then, as shown in FIG. 12, the chip substrate 40 and the holding member 30 are separated from each other, and then the holding member 30 is relatively moved with respect to the chip substrate 40. The position after the holding member 30 is relatively moved with respect to the chip substrate 40 is determined by the positioning means included in the base material 31 and the positioning means included in the chip substrate 40. For example, positioning is performed by matching the positioning mark M2 of the base material 31 with the positioning mark M3 of the chip substrate 40 in the second region R2 of the holding member. The second region R2 of the holding member 30 is a region different from the first region R1, and in the illustrated example, it is a region adjacent to the first region R1 in the first direction d1.
次に、図１３に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とを接近させて、チップ基板４０を保持部材３０に接触させる。チップ基板４０保持部材３０に接触すると、チップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が、保持部材３０の第２領域Ｒ２内の複数の突出保持部３５の先端に設けられた粘着層３７に接触する。第２領域Ｒ２内の粘着層３７に接触するマイクロ発光ダイオードチップ５０は、第１領域Ｒ１内の粘着層３７に接触したマイクロ発光ダイオードチップ５０とは異なる。複数の突出保持部３５が粘着層３７を介して複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持する。すなわち、マイクロ発光ダイオードチップ５０が、チップ基板４０から保持部材３０の第２領域Ｒ２内の複数の突出保持部３５上に保持される。 Next, as shown in FIG. 13, the chip substrate 40 and the holding member 30 are brought close to each other to bring the chip substrate 40 into contact with the holding member 30. Upon contact with the chip substrate 40 holding member 30, the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 comes into contact with the adhesive layer 37 provided at the tip of the plurality of protruding holding portions 35 in the second region R2 of the holding member 30. The micro light emitting diode chip 50 in contact with the adhesive layer 37 in the second region R2 is different from the micro light emitting diode chip 50 in contact with the adhesive layer 37 in the first region R1. The plurality of protruding holding portions 35 hold the plurality of micro light emitting diode chips 50 via the adhesive layer 37. That is, the micro light emitting diode chip 50 is held from the chip substrate 40 on a plurality of protruding holding portions 35 in the second region R2 of the holding member 30.
図１４は、図１３に示すチップ基板４０を保持部材３０の第２領域Ｒ２内の複数の突出保持部３５に接触させている状態を示す平面図である。チップ基板４０と保持部材３０とが位置決めされていること、突出保持部３５の平面視における寸法がマイクロ発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっていること、及び保持部材３０の突出保持部３５の配列のピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙがチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列のピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙの整数倍であることから、第２領域Ｒ２内の全ての突出保持部３５に対してそれぞれ１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。 FIG. 14 is a plan view showing a state in which the chip substrate 40 shown in FIG. 13 is in contact with a plurality of protruding holding portions 35 in the second region R2 of the holding member 30. The chip substrate 40 and the holding member 30 are positioned, the dimensions of the protruding holding portion 35 in a plan view are equal to the dimensions of the micro light emitting diode chip 50, and the arrangement of the protruding holding portions 35 of the holding member 30. Since the pitches p1x and p1y of the above are integral multiples of the pitches p2x and p2y of the arrangement of the micro light emitting diode chips 50 of the chip substrate 40, one micro light emission is provided for all the protruding holding portions 35 in the second region R2. The diode chip 50 can be held.
以上のように、チップ基板４０に対して保持部材３０を相対移動させる工程と、ある領域の突出保持部３５にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させる工程と、を繰り返すことで、保持部材３０の複数の領域の各突出保持部３５に粘着層３７を介してマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。図１５に示すように、チップ基板４０に対して保持部材３０を、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に相対移動させることで、保持部材３０の全領域に亘って突出保持部３５にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。以上の工程により、図５に示すような、保持部材３０と複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０とを有する転写部材２０が製造される。 As described above, by repeating the step of moving the holding member 30 relative to the chip substrate 40 and the step of holding the micro light emitting diode chip 50 in the protruding holding portion 35 in a certain region, a plurality of holding members 30 are formed. The micro light emitting diode chip 50 can be held by each of the protruding holding portions 35 in the region of the above region via the adhesive layer 37. As shown in FIG. 15, by moving the holding member 30 relative to the chip substrate 40 in the first direction d1 and the second direction d2, the protruding holding portion 35 emits micro light emission over the entire region of the holding member 30. The diode chip 50 can be held. Through the above steps, a transfer member 20 having a holding member 30 and a plurality of micro light emitting diode chips 50 as shown in FIG. 5 is manufactured.
上述した例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持部材３０に保持させる方法について説明したが、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂも、同様の工程によってそれぞれ別の保持部材３０に保持させることができる。 In the above example, a method of holding the first light emitting diode chip 50R on the holding member 30 as the micro light emitting diode chip 50 has been described, but the second light emitting diode chip 50G and the third light emitting diode chip 50B are also subjected to the same step. Each can be held by different holding members 30.
次に、転写部材２０を用いて回路基板１１にマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置する方法、すなわち発光基板１０の製造方法について、図１６乃至図１８を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に配置する方法について説明する。 Next, a method of arranging the micro light emitting diode chip 50 on the circuit board 11 using the transfer member 20, that is, a method of manufacturing the light emitting board 10 will be described with reference to FIGS. 16 to 18. In the following description, as an example, a method of arranging the first light emitting diode chip 50R on the circuit board 11 will be described.
まず、図１６に示すように、回路基板１１の回路１３が形成された側の面と、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された側の面と、を対面させる。その後、回路基板１１と転写部材２０との位置決めを行う。位置決めは、例えば回路基板１１が有する位置決め手段と、転写部材２０が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な一例として、位置決めは、回路基板１１が有する位置決めマークＭ１と、転写部材２０の基材３１が有する位置決めマークＭ２とを一致させることで、行われる。位置決めマークＭ１，Ｍ２が一致していることは、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された面とは逆側に配置されたカメラ９０によって、確認することができる。基材３１及び導電層３３が透明であるため、転写部材２０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が保持された面とは逆側から、基材３１及び導電層３３を介して、位置決めマークＭ１，Ｍ２を確認することができる。 First, as shown in FIG. 16, the surface of the circuit board 11 on which the circuit 13 is formed and the surface of the transfer member 20 on which the micro light emitting diode chip 50 is held are made to face each other. After that, the circuit board 11 and the transfer member 20 are positioned. Positioning is performed based on, for example, a positioning means included in the circuit board 11 and a positioning means included in the transfer member 20. As a specific example, positioning is performed by matching the positioning mark M1 of the circuit board 11 with the positioning mark M2 of the base material 31 of the transfer member 20. The coincidence of the positioning marks M1 and M2 can be confirmed by the camera 90 arranged on the side opposite to the surface on which the micro light emitting diode chip 50 of the transfer member 20 is held. Since the base material 31 and the conductive layer 33 are transparent, the positioning marks M1 and M2 are placed on the transfer member 20 via the base material 31 and the conductive layer 33 from the side opposite to the surface on which the micro light emitting diode chip 50 is held. You can check.
なお、回路基板１１と転写部材２０との位置決めに用いられる基材３１が有する位置決めマークＭ２は、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めに用いられた位置決めマークと同一であってもよいし、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めに用いられた位置決めマークとは異なる位置決めマークであってもよい。 The positioning mark M2 included in the base material 31 used for positioning the circuit board 11 and the transfer member 20 may be the same as the positioning mark used for positioning the chip substrate 40 and the holding member 30. The positioning mark may be different from the positioning mark used for positioning the chip substrate 40 and the holding member 30.
次に、図１７に示すように、転写部材２０を回路基板１１に接触させる。回路基板１１と転写部材２０とが位置決めされているため、回路基板１１の回路１３が設けられた位置にマイクロ発光ダイオードチップ５０を接触させることで、回路基板１１の回路１３にマイクロ発光ダイオードチップ５０を電気的に接続させることができる。回路基板１１のマイクロ発光ダイオードチップ５０が配置される位置には、マイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着するための異方性導電性粘着層１５が形成されている。異方性導電性粘着層１５は、例えば異方性導電フィルムの場合は、通常、ラミネートにより積層され、異方性導電ペースト又は異方性導電接着剤の場合は、通常、塗布により塗膜として積層される。 Next, as shown in FIG. 17, the transfer member 20 is brought into contact with the circuit board 11. Since the circuit board 11 and the transfer member 20 are positioned, the micro light emitting diode chip 50 is brought into contact with the circuit 13 of the circuit board 11 by bringing the micro light emitting diode chip 50 into contact with the position where the circuit 13 of the circuit board 11 is provided. Can be electrically connected. An anisotropic conductive adhesive layer 15 for adhering the micro light emitting diode chip 50 to the circuit board 11 is formed at a position on the circuit board 11 where the micro light emitting diode chip 50 is arranged. For example, in the case of an anisotropic conductive film, the anisotropic conductive adhesive layer 15 is usually laminated by laminating, and in the case of an anisotropic conductive paste or an anisotropic conductive adhesive, it is usually applied as a coating film. Stacked.
ここで、突出部３６が柔軟性を有しているため、具体的には突出部３６のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、転写部材２０を回路基板１１に押圧すると、保持部材３０の突出部３６が回路基板１１と突出部３６との押圧面に垂直な方向に変形し得る。このため、転写部材２０を回路基板１１に押圧する圧力は、回路基板１１に押圧されている各突出保持部３５に均一にかかる。言い換えると、突出保持部３５の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されることを回避することができる。突出保持部３５の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されると、高い圧力によってマイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されたりし得る。このため、突出保持部３５の一部に保持されたマイクロ発光ダイオードチップ５０が高い圧力で回路基板１１に押圧されることは、回避されていることが好ましい。 Here, since the protruding portion 36 has flexibility, specifically, the Young's modulus of the protruding portion 36 is 10 GPa or less, more preferably 5 GPa or less. Therefore, when the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11, the transfer member 20 is pressed. The protruding portion 36 of the holding member 30 can be deformed in a direction perpendicular to the pressing surface between the circuit board 11 and the protruding portion 36. Therefore, the pressure for pressing the transfer member 20 against the circuit board 11 is uniformly applied to each of the protruding holding portions 35 pressed against the circuit board 11. In other words, it is possible to prevent the micro light emitting diode chip 50 held by a part of the protrusion holding portion 35 from being pressed against the circuit board 11 with a high pressure. When the micro light emitting diode chip 50 held by a part of the protrusion holding portion 35 is pressed against the circuit board 11 with a high pressure, the micro light emitting diode chip 50 may be destroyed by the high pressure. Therefore, it is preferable that the micro light emitting diode chip 50 held by a part of the protruding holding portion 35 is not pressed against the circuit board 11 with a high pressure.
転写部材２０を回路基板１１に押圧している状態で、異方性導電性粘着層１５を加熱する。異方性導電性粘着層１５が加熱されることで、回路基板１１とマイクロ発光ダイオードチップ５０とが接着される。また、異方性導電性粘着層１５によれば、押圧方向に導電性を発現することができる。したがって、マイクロ発光ダイオードチップ５０の各電極５１を、押圧方向に対向する回路１３と電気的に接続することができる。 The anisotropic conductive adhesive layer 15 is heated while the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11. By heating the anisotropic conductive adhesive layer 15, the circuit board 11 and the micro light emitting diode chip 50 are adhered to each other. Further, according to the anisotropic conductive adhesive layer 15, conductivity can be exhibited in the pressing direction. Therefore, each electrode 51 of the micro light emitting diode chip 50 can be electrically connected to the circuit 13 facing the pressing direction.
また、転写部材２０を回路基板１１に押圧している状態で、粘着層３７の粘着性を低下させる。すなわち、粘着層３７に加熱する、冷却する又は紫外線を照射する。なお、加熱により粘着層３７の粘着性を低下させる場合、上述した異方性導電性粘着層１５を加熱する際の熱を利用してもよい。粘着層３７の粘着性を低下させることで、マイクロ発光ダイオードチップ５０を粘着層３７から容易に剥離させることができる。 Further, the adhesiveness of the adhesive layer 37 is reduced while the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11. That is, the adhesive layer 37 is heated, cooled, or irradiated with ultraviolet rays. When the adhesiveness of the adhesive layer 37 is lowered by heating, the heat generated when the anisotropic conductive adhesive layer 15 described above may be heated may be used. By reducing the adhesiveness of the adhesive layer 37, the micro light emitting diode chip 50 can be easily peeled off from the adhesive layer 37.
その後、図１９に示すように、保持部材３０を回路基板１１から離間させて、保持部材３０を除去する。以上の工程によって、転写部材２０の保持部材３０が保持する複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０が、回路基板１１の回路１３に電気的に接続するようにして、転写部材２０の保持部材３０から回路基板１１に一括で転写、すなわちまとめて転写される。 After that, as shown in FIG. 19, the holding member 30 is separated from the circuit board 11 and the holding member 30 is removed. Through the above steps, the plurality of micro light emitting diode chips 50 held by the holding member 30 of the transfer member 20 are electrically connected to the circuit 13 of the circuit board 11, and the holding member 30 of the transfer member 20 is connected to the circuit board. Transferred to 11 at once, that is, transferred collectively.
上述した例では、マイクロ発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に一括で転写する方法について説明した。この工程と同様の工程を、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する別の保持部材３０及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持するさらに別の保持部材３０についても行うことで、回路基板１１に３種のマイクロ発光ダイオードチップ５０を配置された発光基板１０が製造される。すなわち、フルカラーで発光することができる発光基板１０を得ることができる。 In the above-mentioned example, a method of collectively transferring the first light emitting diode chip 50R to the circuit board 11 as the micro light emitting diode chip 50 has been described. By performing the same step as this step for another holding member 30 for holding the second light emitting diode chip 50G and another holding member 30 for holding the third light emitting diode chip 50B, three types are applied to the circuit board 11. A light emitting substrate 10 on which the micro light emitting diode chip 50 of the above is arranged is manufactured. That is, it is possible to obtain a light emitting substrate 10 capable of emitting light in full color.
なお、保持部材３０の基材３１から突出部３６が突出しているため、転写部材２０を用いて、例えば第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に一括で転写した後に第２発光ダイオードチップ５０Ｇを回路基板１１に転写する場合でも、第２発光ダイオードチップ５０Ｇの転写は、回路基板１１に転写されている第１発光ダイオードチップ５０Ｒによって阻害されにくい。 Since the protruding portion 36 protrudes from the base material 31 of the holding member 30, for example, the first light emitting diode chip 50R is collectively transferred to the circuit board 11 using the transfer member 20, and then the second light emitting diode chip 50G is transferred. Even when transferring to the circuit board 11, the transfer of the second light emitting diode chip 50G is not easily hindered by the first light emitting diode chip 50R transferred to the circuit board 11.
上述したように、特許文献１の粘着スタンプは、発光基板の製造工程において、ウエハから回路基板へのピックアンドプレイス工程に繰り返し使用されることで、粘着力が低下してしまうため、マイクロ発光ダイオードチップを回路基板に配置して発光基板を製造する生産性を高めにくい。一方、本実施の形態の保持部材３０によれば、ウエハ自体又はウエハからマイクロ発光ダイオードチップを仮転写した基板であるチップ基板４０から、保持部材３０の複数の領域に、マイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。そして、保持部材３０にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させた転写部材２０を回路基板１１に押圧することで、回路基板１１にマイクロ発光ダイオードチップ５０を転写することができる。このように、発光基板１０の製造工程において、保持部材の粘着層３７を介したマイクロ発光ダイオードチップ５０の保持及び剥離は、１回のみ行われる。このため、粘着層３７の粘着力が発光基板の製造中に低下することにはならないため、高い生産性で発光基板１０を製造することができる。さらには、回路基板１１にマイクロ発光ダイオードチップ５０を一括で転写することができるため、発光基板１０を簡易に製造することができ、発光基板１０の生産性を高めることができる。 As described above, the adhesive stamp of Patent Document 1 is repeatedly used in the pick-and-place process from the wafer to the circuit board in the manufacturing process of the light emitting substrate, so that the adhesive strength is lowered. Therefore, the micro light emitting diode It is difficult to increase the productivity of manufacturing a light emitting board by arranging the chip on the circuit board. On the other hand, according to the holding member 30 of the present embodiment, the micro light emitting diode chip 50 is placed in a plurality of regions of the holding member 30 from the chip substrate 40 which is a substrate obtained by temporarily transferring the micro light emitting diode chip from the wafer itself or the wafer. Can be retained. Then, by pressing the transfer member 20 having the micro light emitting diode chip 50 held by the holding member 30 against the circuit board 11, the micro light emitting diode chip 50 can be transferred to the circuit board 11. As described above, in the manufacturing process of the light emitting substrate 10, the holding and peeling of the micro light emitting diode chip 50 via the adhesive layer 37 of the holding member is performed only once. Therefore, the adhesive strength of the adhesive layer 37 does not decrease during the production of the light emitting substrate, so that the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity. Furthermore, since the micro light emitting diode chips 50 can be collectively transferred to the circuit board 11, the light emitting board 10 can be easily manufactured, and the productivity of the light emitting board 10 can be increased.
また、特許文献１の粘着スタンプを用いてピックアンドプレイス工程を繰り返すことは、粘着スタンプをウエハと回路基板との間で往復させることになるため、発光基板の生産に時間がかかり、生産性が低くなってしまう。一方、本実施の形態の転写部材２０の製造方法及び発光基板１０の製造方法によれば、チップ基板４０に対して保持部材３０を相対移動させることによって保持部材３０にマイクロ発光ダイオードチップ５０を保持させ、マイクロ発光ダイオードチップ５０を保持した転写部材２０を回路基板１１に押圧することで、発光基板１０を製造することができる。チップ基板４０に対する保持部材３０の相対移動は、粘着スタンプのウエハと回路基板との間の往復に比べて微小である。したがって、本実施の形態の転写部材２０の製造方法及び発光基板１０の製造方法によれば、発光基板１０を製造する時間を短くすることができる。すなわち、高い生産性で発光基板１０を製造することができる。 Further, repeating the pick-and-place process using the adhesive stamp of Patent Document 1 causes the adhesive stamp to reciprocate between the wafer and the circuit board, so that it takes time to produce the light emitting substrate and the productivity is improved. It will be low. On the other hand, according to the method for manufacturing the transfer member 20 and the method for manufacturing the light emitting substrate 10 of the present embodiment, the micro light emitting diode chip 50 is held by the holding member 30 by moving the holding member 30 relative to the chip substrate 40. The light emitting substrate 10 can be manufactured by pressing the transfer member 20 holding the micro light emitting diode chip 50 against the circuit board 11. The relative movement of the holding member 30 with respect to the chip substrate 40 is smaller than the reciprocation between the wafer of the adhesive stamp and the circuit board. Therefore, according to the method for manufacturing the transfer member 20 and the method for manufacturing the light emitting substrate 10 of the present embodiment, the time for manufacturing the light emitting substrate 10 can be shortened. That is, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.
さらに、本実施の形態の保持部材３０において、基材３１は、位置決めマークＭ２を有している。この位置決めマークＭ２とチップ基板４０が有する位置決めマークＭ３とによって、保持部材３０へマイクロ発光ダイオードチップ５０を高精度で保持させることができる。また、位置決めマークＭ２と回路基板１１が有する位置決めマークＭ１とによって、転写部材２０から回路基板１１へマイクロ発光ダイオードチップ５０を高精度で転写することができる。すなわち、高い生産性で発光基板１０を製造することができる。 Further, in the holding member 30 of the present embodiment, the base material 31 has a positioning mark M2. The positioning mark M2 and the positioning mark M3 included in the chip substrate 40 allow the holding member 30 to hold the micro light emitting diode chip 50 with high accuracy. Further, the positioning mark M2 and the positioning mark M1 included in the circuit board 11 can transfer the micro light emitting diode chip 50 from the transfer member 20 to the circuit board 11 with high accuracy. That is, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.
また、本実施の形態では、保持部材３０の突出保持部３５の配列のピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙが基板のマイクロ発光ダイオードチップ５０の配列のピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙの整数倍となっている。このため、チップ基板４０と保持部材３０とが位置決めされることで、保持部材３０の各突出保持部３５に１つのマイクロ発光ダイオードチップ５０を高精度で配置した転写部材２０を製造することができる。この転写部材２０を用いることで、高い生産性で発光基板１０を製造することができる。 Further, in the present embodiment, the pitches p1x and p1y of the arrangement of the protruding holding portions 35 of the holding member 30 are integral multiples of the pitches p2x and p2y of the arrangement of the micro light emitting diode chips 50 of the substrate. Therefore, by positioning the chip substrate 40 and the holding member 30, it is possible to manufacture the transfer member 20 in which one micro light emitting diode chip 50 is arranged with high accuracy on each protruding holding portion 35 of the holding member 30. .. By using the transfer member 20, the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.
さらに、本実施の形態の保持部材３０において、突出部３６のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下である。突出部３６がこのような柔軟性を有しているため、転写部材２０の製造工程においてチップ基板４０が突出保持部３５に接触する際、突出保持部３５の一部が高い接触圧力でマイクロ発光ダイオードチップ５０と接触してしまい、マイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されることを回避することができる。また、発光基板１０の製造工程において転写部材２０を回路基板１１に押圧する際、突出保持部３５の一部が高い圧力でマイクロ発光ダイオードチップ５０に押圧されてしまい、マイクロ発光ダイオードチップ５０が破壊されることを回避することができる。すなわち、高い生産性で転写部材２０及び発光基板１０を製造することができる。 Further, in the holding member 30 of the present embodiment, the Young's modulus of the protruding portion 36 is 10 GPa or less, more preferably 5 GPa or less. Since the protrusion 36 has such flexibility, when the chip substrate 40 comes into contact with the protrusion holding portion 35 in the manufacturing process of the transfer member 20, a part of the protrusion holding portion 35 emits micro light emission at a high contact pressure. It is possible to prevent the micro light emitting diode chip 50 from being destroyed due to contact with the diode chip 50. Further, when the transfer member 20 is pressed against the circuit board 11 in the manufacturing process of the light emitting substrate 10, a part of the protruding holding portion 35 is pressed by the micro light emitting diode chip 50 with high pressure, and the micro light emitting diode chip 50 is destroyed. It is possible to avoid being done. That is, the transfer member 20 and the light emitting substrate 10 can be manufactured with high productivity.
ところで、上述したように、保持部材は静電気を帯電することがある。保持部材が帯電している場合、保持部材にマイクロ発光ダイオードチップを保持させる工程や転写部材からマイクロ発光ダイオードチップを回路基板に転写して配置する工程において、保持部材に帯電した電荷が電流としてマイクロ発光ダイオードチップや回路基板に流れてしまい、瞬間的に大きな電流が流れたマイクロ発光ダイオードチップや回路基板が静電破壊される虞がある。静電破壊されたマイクロ発光ダイオードチップや回路基板は、本来の機能を発揮することができなくなる。一方、本実施の形態の保持部材３０は、基材３１の一方の面上に導電層３３が設けられている。このため、保持部材３０が帯電しても、導電層３３によって電荷が除去されるため、マイクロ発光ダイオードチップ５０や回路基板１１に電流が流れて静電破壊されることが効果的に防止される。とりわけ、導電層３３がアースに接続されていると、導電層３３を介して保持部材３０から電荷を除去することができるため、マイクロ発光ダイオードチップ５０や回路基板１１の静電破壊をより効果的に防止することができる。 By the way, as described above, the holding member may be charged with static electricity. When the holding member is charged, the charge charged on the holding member is micro as a current in the step of causing the holding member to hold the micro light emitting diode chip and the step of transferring the micro light emitting diode chip from the transfer member to the circuit board and arranging the chip. There is a risk that the micro light emitting diode chip or circuit board will be electrostatically destroyed when a large current flows momentarily because it will flow to the light emitting diode chip or circuit board. Electrostatically destroyed micro light emitting diode chips and circuit boards will not be able to perform their original functions. On the other hand, in the holding member 30 of the present embodiment, the conductive layer 33 is provided on one surface of the base material 31. Therefore, even if the holding member 30 is charged, the electric charge is removed by the conductive layer 33, so that it is possible to effectively prevent electrostatic destruction due to current flowing through the micro light emitting diode chip 50 and the circuit board 11. .. In particular, when the conductive layer 33 is connected to the ground, electric charges can be removed from the holding member 30 via the conductive layer 33, so that electrostatic destruction of the micro light emitting diode chip 50 and the circuit board 11 is more effective. Can be prevented.
より具体的には、保持部材３０に帯電した電荷が導電層３３によって除去されるため、チップ基板４０を保持部材３０に接触させて複数の発光ダイオードチップ５０を保持部材３０の複数の突出部３６上に保持させる工程において、帯電した保持部材３０にチップ基板４０のマイクロ発光ダイオードチップ５０が接近する際に、保持部材３０からマイクロ発光ダイオードチップ５０に電流が流れてしまうことが効果的に防止される。また、保持部材３０に保持された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に転写する工程において、帯電した保持部材３０に回路基板１１が接近する際に、保持部材３０から回路基板１１に電流が流れてしまうことが効果的に防止される。このため、マイクロ発光ダイオードチップ５０や回路基板１１の静電破壊が効果的に防止される。 More specifically, since the charge charged on the holding member 30 is removed by the conductive layer 33, the chip substrate 40 is brought into contact with the holding member 30, and the plurality of light emitting diode chips 50 are brought into contact with the holding member 30. In the step of holding the top, when the micro light emitting diode chip 50 of the chip substrate 40 approaches the charged holding member 30, current is effectively prevented from flowing from the holding member 30 to the micro light emitting diode chip 50. LED. Further, in the step of transferring the plurality of micro light emitting diode chips 50 held by the holding member 30 to the circuit board 11, when the circuit board 11 approaches the charged holding member 30, a current is applied from the holding member 30 to the circuit board 11. Is effectively prevented from flowing. Therefore, electrostatic destruction of the micro light emitting diode chip 50 and the circuit board 11 is effectively prevented.
また、導電層３３のシート抵抗は、１×１０−３Ω／□以上１×１０６Ω／□以下となっている。導電層３３のシート抵抗が十分に低いため、保持部材３０に帯電した電荷を素早く除去することができる。また、導電層３３のシート抵抗が低すぎないことで、電荷が導電層３３を除去される際に急激な静電気放電が生じにくくすることができる。このように、保持部材３０に帯電した電荷を適切に除去することができるため、保持部材３０が帯電しても、導電層３３によって電荷が除去されるため、マイクロ発光ダイオードチップ５０や回路基板１１に電流が流れて静電破壊されることが効果的に防止される。 The sheet resistance of the conductive layer 33 is 1 × 10 -3 Ω / □ or more and 1 × 10 6 Ω / □ or less. Since the sheet resistance of the conductive layer 33 is sufficiently low, the electric charge charged on the holding member 30 can be quickly removed. Further, since the sheet resistance of the conductive layer 33 is not too low, it is possible to prevent a sudden electrostatic discharge from occurring when the electric charge is removed from the conductive layer 33. In this way, since the charge charged on the holding member 30 can be appropriately removed, even if the holding member 30 is charged, the charge is removed by the conductive layer 33, so that the micro light emitting diode chip 50 and the circuit board 11 It is effectively prevented from being electrostatically destroyed by the flow of electric current.
さらに、導電層３３は、基材３１と突出保持部３５との密着性を向上させ得る。すなわち、導電層３３を介した基材３１と突出部３６との密着性は、基材３１と突出部３６との直接的な密着性より高くなっている。基材３１と突出保持部３５とがより強固に密着するため、例えば保持部材３０に保持された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に転写する工程において、マイクロ発光ダイオードチップ５０に伴って突出保持部３５が回路基板１１に転写されてしまう等、意図せずに基材３１から突出保持部３５が離脱してしまうことを効果的に防止することができる。 Further, the conductive layer 33 can improve the adhesion between the base material 31 and the protrusion holding portion 35. That is, the adhesion between the base material 31 and the projecting portion 36 via the conductive layer 33 is higher than the direct adhesion between the base material 31 and the projecting portion 36. In order to make the base material 31 and the protruding holding portion 35 more firmly adhere to each other, for example, in the step of transferring a plurality of micro light emitting diode chips 50 held by the holding member 30 to the circuit board 11, the micro light emitting diode chips 50 are accompanied. It is possible to effectively prevent the protrusion holding portion 35 from being unintentionally detached from the base material 31, such as the protrusion holding portion 35 being transferred to the circuit board 11.
以上のように、本実施の形態の保持部材３０は、複数の発光ダイオードチップ５０を保持する保持部材であって、基材３１と、基材３１の一方の面上に設けられた導電層３３と、導電層３３の一方の面上に規則的に二次元配列された複数の突出部３６と、突出部３６の先端に設けられた粘着性を有する粘着層３７と、を備える。このような保持部材３０によれば、保持部材３０が帯電しても、導電層３３によって電荷が除去される。保持部材３０に帯電した電荷が電流としてマイクロ発光ダイオードチップ５０や回路基板１１に流れにくくなるため、マイクロ発光ダイオードチップ５０や回路基板１１が静電破壊されることを効果的に防止することができる。 As described above, the holding member 30 of the present embodiment is a holding member that holds a plurality of light emitting diode chips 50, and is a conductive layer 33 provided on one surface of the base material 31 and the base material 31. A plurality of projecting portions 36 that are regularly two-dimensionally arranged on one surface of the conductive layer 33, and an adhesive layer 37 having adhesiveness provided at the tip of the projecting portions 36. According to such a holding member 30, even if the holding member 30 is charged, the electric charge is removed by the conductive layer 33. Since the electric charge charged in the holding member 30 is difficult to flow to the micro light emitting diode chip 50 and the circuit board 11 as an electric current, it is possible to effectively prevent the micro light emitting diode chip 50 and the circuit board 11 from being electrostatically destroyed. ..
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。 It is possible to make various changes to the above-described embodiment.
例えば、突出部３６は、粘着性を有していてもよい。突出部３６が粘着性を有することで、突出部３６の先端に設けられる粘着層３７を省略することができる。したがって、粘着層３７を設けるコストを削減することができる。 For example, the protruding portion 36 may have adhesiveness. Since the protruding portion 36 has adhesiveness, the adhesive layer 37 provided at the tip of the protruding portion 36 can be omitted. Therefore, the cost of providing the adhesive layer 37 can be reduced.
また、粘着層３７は、突出部３６の先端のみでなく、突出部３６の間にも設けられていてもよい。さらには、粘着層３７は、保持部材３０の突出部３６が形成された側の面の全体に設けられていてもよい。この場合、例えば保持部材３０の突出部３６が形成された側の面にコーティングすることによって、粘着層３７を容易に設けることができる。 Further, the adhesive layer 37 may be provided not only at the tip of the protruding portion 36 but also between the protruding portions 36. Further, the adhesive layer 37 may be provided on the entire surface of the holding member 30 on the side where the protruding portion 36 is formed. In this case, for example, the adhesive layer 37 can be easily provided by coating the surface of the holding member 30 on the side where the protruding portion 36 is formed.
なお、上述した発光基板１０は、表示装置１以外にも、例えば照明装置に用いられてもよい。 The light emitting substrate 10 described above may be used not only for the display device 1 but also for, for example, a lighting device.
１ 表示装置
５ 表示面
７ 拡散層
１０ 発光基板
１１ 回路基板
１３ 回路
１５ 異方性導電性粘着層
２０ 転写部材
３０ 保持部材
３１ 基材
３３ 導電層
３５ 突出保持部
３６ 突出部
３７ 粘着層
４０ チップ基板
５０ マイクロ発光ダイオードチップ
５０Ｒ 第１発光ダイオードチップ
５０Ｇ 第２発光ダイオードチップ
５０Ｂ 第３発光ダイオードチップ
５１ 電極
Ｒ１ 第１領域
Ｒ２ 第２領域
Ｒ３ 第３領域
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３ 位置決めマーク
Ｐ１ｘ、Ｐ１ｙ、Ｐ２ｘ、Ｐ２ｙ ピッチ
1 Display device 5 Display surface 7 Diffusion layer 10 Light emitting board 11 Circuit board 13 Circuit 15 Anisometric conductive adhesive layer 20 Transfer member 30 Holding member 31 Base material 33 Conductive layer 35 Protruding holding part 36 Protruding part 37 Adhesive layer 40 Chip substrate 50 Micro light emitting diode chip 50R 1st light emitting diode chip 50G 2nd light emitting diode chip 50B 3rd light emitting diode chip 51 Electrode R1 1st region R2 2nd region R3 3rd region M1, M2, M3 Positioning marks P1x, P1y, P2x, P2y pitch
Claims (7)
基材と、
前記基材の一方の面上に設けられた導電層と、
前記導電層の一方の面上に規則的に二次元配列された複数の突出部と、
前記突出部の先端に設けられた粘着性を有する粘着層と、を備える、保持部材。 A holding member that holds a plurality of light emitting diode chips.
With the base material
A conductive layer provided on one surface of the base material and
A plurality of protrusions regularly arranged two-dimensionally on one surface of the conductive layer,
A holding member including an adhesive layer having adhesiveness provided at the tip of the protruding portion.
各突出部に前記粘着層を介して保持された複数の発光ダイオードチップと、を備える、転写部材。 The holding member according to any one of claims 1 to 4,
A transfer member comprising a plurality of light emitting diode chips held in each protrusion via the adhesive layer.
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|---|---|---|---|---|
| WO2023155090A1 (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Electrostatic discharge protection system of a micro device |
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