JP2020188178A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光反射体の早期の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置を提供する。【解決手段】基板１１と、基板の上面上に配置された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体４０であって、基板の上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、第１の部分の上面上に配置された底面及び底面とは反対側の上面を有し、上面の縁から延びかつ上面に平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面を有する第２の部分と、を有する波長変換体と、第１の部分の側面及び第２の部分の側面を覆うように形成されかつ発光素子及び波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体５０と、を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を含む発光装置に関する。

発光装置は、例えば、端子や配線などが設けられた基板と、当該基板上に実装された少なくとも１つの発光素子とを含む。例えば、特許文献１には、発光素子と、当該発光素子から出射された光を透過させつつ外部に放出する透光性部材と、を有する発光装置が開示されている。

特開2010-272847号公報

発光装置に要求される特性としては、例えば、高輝度であること、波長特性や配光特性などの光学特性が安定していること、及び高品質であることなどが挙げられる。また、発光装置に要求される光学特性としては、例えば、所望の波長（発光色）の光が取り出されること、またその取り出される光の波長にムラがないこと、及び取り出される光が所望の強度特性を有すること（例えば配光領域内で所望の強度分布を有すること）などが挙げられる。

例えば、所定の波長の光を放出する発光素子及び当該発光素子から放出された光の波長を変換する波長変換体を組み合わせて発光装置を構成し、当該波長変換体から光を出射させることで、当該発光装置から所望の波長の光を取り出すことができる。

また、当該波長変換体の表面の一部を光反射体で覆うことで、当該波長変換体から光が出射される領域、すなわち発光装置から光が取り出される領域を制限することができる。これによって、例えば、当該波長変換体内の光が当該光取り出し領域から集中して取り出されるため、高輝度な光を所望の領域に配向させて出射することができる。

ここで、波長変換体及び光反射体は、一般には、互いに異なる材料からなる。また、波長変換体は、例えば蛍光体を含む。また、波長変換体は、駆動中に容易に発熱するなど、その温度特性が駆動中に変化しやすい。また、発光装置が搭載される環境の変化によっても、波長変換体の温度特性は変化する。従って、当該波長変換体を覆う光反射体の内部には、応力が生じやすい。

特に、例えば、光反射体は、樹脂材料などの膨張及び収縮しやすい材料によって構成される場合が多い。従って、例えば、発光装置を長時間駆動し又は大電流で駆動すると、光反射体にクラックが生ずる場合や、光反射体が波長変換体から剥離する場合がある。この場合、発光装置の光学特性が変化するなど、品質が低下する場合がある。

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、光反射体の早期の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置を提供することを目的としている。

本発明による発光装置は、基板と、基板の上面上に配置された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、基板の前記上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、第１の部分の上面上に配置された底面及び底面とは反対側の上面を有し、上面の縁から延びかつ上面に平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面を有する第２の部分と、を有する波長変換体と、第１の部分の側面及び第２の部分の側面を覆うように形成されかつ発光素子及び波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有することを特徴としている。

また、本発明による発光装置は、基板と、基板の上面上に配置された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、基板の上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、第１の部分の上面上に底面が配置されかつ第１の部分の側面の底面に対する傾斜角とは異なる傾斜角で底面から傾斜する側面を有する第２の部分と、を有する波長変換体と、第１の部分の側面及び第２の部分の側面を覆うように基板上に形成されかつ発光素子及び波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有することを特徴としている。

実施例１に係る発光装置の斜視図である。 実施例１に係る発光装置の上面図である。 実施例１に係る発光装置の断面図である。 実施例２に係る発光装置の断面図である。 実施例３に係る発光装置の断面図である。 実施例４に係る発光装置の断面図である。 実施例４に係る発光装置における波長変換体の断面図である。 実施例５に係る発光装置の断面図である。 実施例６に係る発光装置の断面図である。 実施例７に係る発光装置の斜視図である。 実施例７に係る発光装置の上面図である。 実施例７に係る発光装置の断面図である。 実施例８に係る発光装置の上面図である。 実施例８に係る発光装置の断面図である。 実施例９に係る発光装置の断面図である。

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

図１は、実施例１に係る発光装置１０の模式的な斜視図である。図１を用いて、発光装置１０の概略的な構成について説明する。発光装置１０は、実装用基板（第１の基板、以下、単に基板と称する）１１と、基板１１上に実装された発光素子２０と、を有する。本実施例においては、発光装置１０は、基板１１上に並置された２つの発光素子２０を有する。

基板１１は、例えば、絶縁性を有する基材１１Ａ及び基材１１Ａ上に形成された配線電極１１Ｂを有する。基板１１は、発光素子２０の各々を実装する実装面を有する。本実施例においては、基材１１Ａは、平板形状を有し、その主面の一方である上面を当該実装面として有する。例えば、基材１１Ａは、高い熱伝導性を有する材料、例えばＡｌＮからなる。配線電極１１Ｂは、例えばパターニングされて基材１１Ａ上に形成された銅膜からなる。

発光素子２０は、例えば、発光ダイオードなどの半導体発光素子である。発光素子２０は、例えば、支持基板（第２の基板、以下、単に基板と称する）２１と、基板２１に支持された半導体発光層（以下、単に半導体層と称する）２２と、を含む。例えば、基板２１は、平板形状を有し、Ｓｉからなる。また、半導体層２２は、例えば、窒化物半導体からなる。

また、発光素子２０は、基板２１上における半導体層２２の側方に設けられたパッド電極２３と、基板２１における半導体層２２とは反対側（基板１１側）の面上に設けられた裏面電極２４と、を有する。例えば、半導体層２２は、ｎ型半導体層（図示せず）及びｐ型半導体層（図示せず）を有する。例えば、パッド電極２３は、半導体層２２のｐ型半導体層に接続されている。また、裏面電極２４は、半導体層２２のｎ型半導体層に接続されている。

また、本実施例においては、パッド電極２３は、ボンディングワイヤを介して基板１１の配線電極１１Ｂに接続されている。また、基板１１の基材１１Ａは、その主面間を貫通するビア（図示せず）を有する。裏面電極２４は、当該ビアを介して、基材１１Ａの配線電極１１Ｂとは反対側の面上に設けられた配線電極（図示せず）に接続されている。

本実施例においては、発光素子２０は、矩形の上面形状を有する。具体的には、本実施例においては、基板２１及び半導体層２２の各々は、矩形の上面形状を有する。例えば、半導体層２２の上面は、一辺が約１ｍｍの正方形の形状を有する。また、発光素子２０の各々は、基板１１上においてそれぞれの基板２１の１つの側面が互いに対向するように、全体として整列して配置されている。

なお、本実施例においては、発光装置１０が２つの発光素子２０を有する場合について説明するが、発光素子２０の構成はこれに限定されない。例えば、発光装置１０が１つの発光素子２０のみを有していてもよいし、３つ以上の発光素子２０を有していてもよい。また、発光装置２０が複数の発光素子２０を有する場合でも、その配置構成は上記した場合に限定されない。また、発光素子２０の上面形状は、矩形に限定されず、例えば多角形状又は円形状を有していてもよい。

発光装置１０は、発光素子２０上に形成され、接着層３０を介して発光素子２０に接着された波長変換体４０を有する。接着層３０は、例えば発光素子２０の基板２１上において半導体層２２を埋設するように層状に形成されている。また、接着層３０は、発光層２０から放出される光及び波長変換体４０から出射される光に対して透光性を有する。例えば、接着層３０は、透明な樹脂層からなる。

本実施例においては、波長変換体４０は、２つの発光素子２０間に跨って形成されている。例えば、本実施例においては、波長変換体４０は、発光素子２０の各々における半導体層２２の上面全体を覆い、基板１１における隣接する半導体層２２の間に跨って一体的に形成されている。波長変換体４０は、例えば、ＹＡＧ蛍光体及びアルミナを焼結して形成された蛍光体プレートからなる。

発光装置１０は、基板１１上に形成され、発光素子２０の各々を封止し、かつ波長変換体４０の側面を覆う光反射体５０を有する。図１においては、発光装置１０の光反射体５０の内側の構造を図示するため、光反射体５０の外縁のみを破線で示し、その図示を省略している。

光反射体５０は、発光素子２０から放出される光及び波長変換体４０から出射される光に対して反射性を有する。例えば、光反射体５０は、光散乱性の粒子（例えば酸化チタン粒子）を含有する樹脂体からなる。光反射体５０は、波長変換体４０の上面を露出させるように、基板１１上に形成されている。本実施例においては、波長変換体４０における光反射体５０から露出した表面は、発光装置１０における光取り出し面を形成する。

図２は、発光装置１０の上面図である。また、図３は、発光装置１０の断面図であり、図２における３−３線に沿った断面図である。図２及び図３を用いて、発光装置１０における波長変換体４０及び光反射体５０の詳細な構造について説明する。

まず、波長変換体４０は、接着層３０を介して発光素子２０（半導体層２２）に対向し、基板１１に沿って延びる面を発光素子２０から放出された光が入射する光入射面４０Ｐとして有し、光入射面４０Ｐから入射した光に対して波長変換を行う。また、波長変換体４０は、光反射体５０に覆われていない面を波長変換体４０内の光が出射する光出射面４０Ｑとして有する。本実施例においては、光出射面４０Ｑは、発光装置１０における光取り出し面である。

また、本実施例においては、波長変換体４０の光出射面４０Ｑは、光入射面４０Ｐよりも小さな平面サイズを有する。また、波長変換体４０は、全体として、光入射面４０Ｐから光出射面４０Ｑに向かって（発光素子２０から離れるに従って）徐々に側面間の距離が小さくなるような先細り形状を有する。

本実施例においては、波長変換体４０は、基板１１から垂直に延びる側面４１Ａと、光入射面４０Ｐとして機能する底面４１Ｂと、を有し、柱形状を有する柱状部（第５の部分）４１を有する。

本実施例においては、柱状部４１の底面４１Ｂは、その全体が接着層３０に接しており、かつ半導体層２２（基板１１）に沿って延びている。また、本実施例においては、柱状部４１の底面４１Ｂ及び底面４１Ｂとは反対側の上面の各々は、矩形の平面形状を有する。すなわち、本実施例においては、柱状部４１は、四角柱の形状を有する。

また、波長変換体４０は、柱状部４１の上面が底面となるように柱状部４１上において柱状部４１に一体的に形成され、かつ錐台形状を有する錐台状部（第１の部分）４２を有する。本実施例においては、錐台状部４２は、底面に対して内側に傾斜する側面４２Ａを有する。

本実施例においては、錐台状部４２は、四角錐台の形状を有する。また、本実施例においては、錐台状部４２の４つの全ての側面は、側面４２Ａとして構成されている。従って、本実施例においては、錐台状部４２は、上面を頂面とし、頂面に向かって全ての側面が傾斜する先細り形状を有する。

また、本実施例においては、波長変換体４０は、錐台状部４２の上面が底面となるように錐台状部４２上において錐台状部４２に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部（第４の部分）４３を有する。柱状部４３は、底面に対して垂直に延びる側面４３Ａを有する。本実施例においては、柱状部４３は、柱状部４１の底面よりも小さな底面及び上面を有する四角柱の形状を有する。

また、本実施例においては、波長変換体４０は、柱状部４３の上面が底面となるように柱状部４３上において柱状部４３に一体的に形成され、かつ外側に凸となる曲面形状の側面４４Ａを有するラウンド形状部（第２の部分）４４を有する。本実施例においては、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、ラウンド形状部４４の底面から垂直に延び、かつ外側に凸となる曲面形状をなして内側に屈曲している。

また、本実施例においては、ラウンド形状部４４は、平坦な上面４４Ｂを有する。また、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂは、光反射体５０から露出している。本実施例においては、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂは、波長変換体４０の光出射面４０Ｑとして機能する。

本実施例においては、波長変換体４０は、一方の主面を光入射面４０Ｐとし、他方の主面を光出射面４０Ｑとする全体として板状の形状を有する。また、柱状部４１の側面４１Ａ、錐台状部４２の側面４２Ａ、柱状部４３の側面４３Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａの全体は、波長変換体４０の側面を構成する。

例えば、波長変換体４０の光入射面４０Ｐは、約１ｍｍの短辺及び約２ｍｍの長辺を有する長方形の形状を有する。波長変換体４０の光出射面４０Ｑは、約０．６〜０．９ｍｍの短辺及び約１．２〜１．８ｍｍの長辺を有する長方形の形状を有する。また、波長変換体４０における光入射面４０Ｐから光出射面４０Ｑまでの距離、すなわち波長変換体４０の厚さは、約５０〜５００μｍである。

また、本実施例においては、柱状部４１の側面４１Ａ、錐台状部４２の側面４２Ａ、柱状部４３の側面４３Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａは、連続して一体的に形成されている。すなわち、各部分の側面は、その端部において隣接する他の部分の側面に接している。

波長変換体４０は、例えば、柱状部４１の底面４１Ｂ及びラウンド形状部４４の上面４４Ｂとなる主面を有する蛍光体プレートを以下の２つのステップで切削することによって形成することができる。

例えば、第１のステップにおいては、ラウンド形状部４４の側面４４Ａと同一形状の曲面部、柱状部４３の側面４３Ａと同一形状の平坦部、及び錐台状部４２の側面４２Ａと同一形状の傾斜部を有するブレード面のダイシングブレード（第１のブレード）を用いて、蛍光体プレートを切削して当該蛍光体プレートの主面に溝を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面４４Ａ、４３Ａ及び４２Ａとなる部分が形成される。

次に、第２のステップにおいては、当該蛍光体プレートの当該主面に垂直なブレード面を有するブレード（第２のブレード）を用いて、当該蛍光体プレートにおける第１のステップで形成した溝の底部に凹部又は貫通孔を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面４１Ａとなる部分が形成される。なお、例えば、この他の当該蛍光体プレートの主面を研削することで、柱状部４１の底面４１Ｂ及びラウンド形状部４４の上面４４Ｂの面形状及び面品質を安定させることができる。

例えばこのようにして、波長変換体４０を作製することができる。なお、波長変換体４０の形成方法はこれに限定されない。例えば、波長変換体４０は、成型加工によって形成されることもできる。

次に、光反射体５０は、基板１１上において、発光素子２０（基板２１、半導体層２２、パッド電極２３及び裏面電極２４）及び基板１１上の各配線電極を封止する。これによって、発光素子２０を電気的に保護する。また、光反射体５０は、波長変換体４０の側面を覆う。これによって、波長変換体４０から出射される光の方向が制限される。

本実施例においては、光反射体５０は、波長変換体４０から離れた領域では波長変換体４０の光出射面４０Ｑよりも基板１１に近い位置（低い位置）を有するような上面５０Ａを有する。一方、光反射体５０の上面５０Ａは、波長変換体４０の近傍では波長変換体４０の光出射面４０Ｑと同程度の高さ位置を有するように湾曲している。そして、本実施例においては、光反射体５０は、波長変換体４０の側面全体を覆っている。

より具体的には、光反射体５０の上面５０Ａは、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂ（波長変換体４０の光出射面４０Ｑ）よりも基板１１側に位置しかつ基板１１に沿って延びる平面部Ｓ１１を有する。また、光反射体５０の上面５０Ａは、平面部Ｓ１１よりも波長変換体４０側において平面部Ｓ１１よりもラウンド形状部４４の上面４４Ｂに近い位置に形成され、かつ基板１１に向かって凹となるように屈曲する曲面部Ｓ１２を有する。

本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａにおける曲面部Ｓ１２は、波長変換体４０に近づくに従って徐々に基板１１から離れるように平面部Ｓ１１から湾曲して形成された部分である。また、曲面部Ｓ１２は、ラウンド形状部４４の側面４４Ｂに接している。本実施例においては、曲面部Ｓ１２は、ラウンド形状部４４の側面４４Ａの上端部に接している。

換言すれば、本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａの曲面部Ｓ１２は、凹状に湾曲しつつ平面部Ｓ１１から延びてラウンド形状部４４の側面４４Ａに接する部分である。

光反射体５０は、例えば、光反射体５０となる光反射性の粒子を含む熱硬化性樹脂を基板１１上に塗布する際に、当該熱硬化性樹脂の塗布量を調節し（例えば、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂの高さに達する量よりも少なくし）、その後当該熱硬化性樹脂を硬化させることで、形成することができる。

より具体的には、熱硬化性樹脂は、硬化前においては、一定の濡れ性を有する。従って、熱硬化性樹脂は、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂよりも低い高さ位置に達する量で塗布した場合でも、側面４４Ａ上を上昇して側面４４Ａ上に濡れ広がる。また、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、曲面形状を有している。従って、熱硬化性樹脂は、容易に側面４４Ａ上に濡れ広がることとなる。光反射体５０は、この状態で熱硬化性樹脂を加熱することで、形成することができる。

本実施例においては、波長変換体４０は、発光素子２０上に配置され、柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及びラウンド形状部４４がそれぞれの上面及び底面を共有するように順に積層された構造を有する。また、光反射体５０は、波長変換体４０の側面を覆うように形成されている。これによって、高い光取出し効率及び配光特性を有し、また高品質な発光装置１０を提供することができる。

より具体的には、波長変換体４０が最も発光素子２０側に柱状部４１（第５の部分）を有することで、発光素子２０から放出された光が高効率で波長変換体４０内に入射することとなる。従って、発光素子２０から放出された光に対する高い波長変換効率を維持することができる。

また、一様な厚みの柱状部４１に光が入射することで、柱状部４１の面内での波長変換ムラが抑制される。従って、柱状部４１から錐台状部４２に向かう光における柱状部４１の面内での強度ムラ、及び色ムラを抑制することができる。

また、波長変換体４０が錐台状部４２（第１の部分）を有することで、錐台状部４２から光出射面４０Ｑに向かう光を集光することができる。従って、例えば、十分な光量の光が放出されるようなサイズの発光素子２０（半導体層２２）を構成した上で、この発光素子２０からの放出光を発光領域よりも小さな領域に集めることができる。これによって、例えば、波長変換体４０の光出射面４０Ｑからは、高輝度な光を出射させることができる。

また、波長変換体４０が錐台状部４２（第１の部分）とラウンド形状部４４（第２の部分）との間に柱状部４３（第４の部分）を有することで、錐台状部４２によって集光された光の光量を柱状部４３の面内で均一化することができる。従って、柱状部４３からラウンド形状部４４に向かう光における柱状部４３の面内での強度ムラ、及び色ムラを抑制することができる。

また、波長変換体４０が光出射面４０Ｑを形成する上面４４Ｂを有するラウンド形状部４４を有することで、ラウンド形状部４４の側面４４Ａを光反射体５０によって確実にかつ強固に覆うことができる。従って、光出射面４０Ｑの近傍における光反射体５０の波長変換体４０からの剥離を抑制することができる。これによって、波長変換体４０から出射される光の品質、例えば配光特性、強度特性及び波長特性が長期に亘って安定する。

より具体的には、本実施例においては、波長変換体４０内に存在する光は、光出射面４０Ｑとなるラウンド形状部４４の上面４４Ｂ以外の外部に露出する表面を光反射体５０によって覆うことで、ほぼ当該上面４４Ｂのみから出射されることとなる。すなわち、本実施例においては、光反射体５０は、発光装置１０の配光特性を定める機能を有する。

従って、光反射体５０は、確実に波長変換体４０における所望の領域を覆っていることが好ましい。また、光反射体５０は、例えば、発光装置１０を大電流又は長時間駆動した場合でも、当該波長変換体４０を覆っている状態を維持することが好ましい。特に、光出射面４０Ｑの近傍においては、確実にかつ安定して光反射体５０が波長変換体４０を覆っていることが好ましい。

仮に、波長変換体４０がラウンド形状部４４を有さず、柱状部４３の上面を波長変換体４０の光出射面４０Ｑとして構成する場合を考える。この場合、光反射体５０は、柱状部４３の上面を露出させつつ柱状部４３の側面４３Ａを覆うように形成される。この場合、駆動中などにおいて、光反射体５０が柱状部４３の側面４３Ａから剥離しやすい。

これは、光反射体５０と側面４３Ａとが接触している面積が小さく、例えば波長変換体４０からの熱を受けることによって光反射体５０に生ずる応力が側面４４Ｂに集中しやすいからである。また、光反射体５０となる熱硬化性樹脂を基板１１上に塗布した場合、柱状部４３の側面４３Ａ、すなわち基板１１に垂直に延びる波長変換体４０の側面に対して、熱硬化性樹脂が十分に接していない状態で硬化される場合があるからである。

これに対し、本実施例においては、上面４４Ｂから外側に凸となるような曲面状に延びる側面４４Ａを有するラウンド形状部４４を設けることで、大きな面積の側面４４Ａに接するように光反射体５０が形成される。従って、光反射体５０に生ずる応力の集中が抑制される。

また、光反射体５０は、例えば、側面４４Ａ上に乗り上げるように熱硬化性樹脂が塗布され、この状態で熱硬化性樹脂が硬化されることで、形成される。従って、光反射体５０が側面４４Ａに密着する。従って、光反射体５０が光出射面４０Ｑの近傍において波長変換体４０から剥離することが確実に抑制される。

また、本実施例においては、波長変換体４０は、矩形の上面形状を有する。これによって、種々の用途に容易に適用可能な形状の配光特性を得ることができる。例えば、発光装置１０は、照明用途、例えば車両用灯具として用いる場合に好適な構成を有する。例えば、波長変換体４０が矩形の上面形状を有することで、ヘッドランプに求められる特性、例えば中央領域が高輝度であり、周辺領域が低輝度であるような配光特性の光を容易に形成することができるからである。

また、本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａは、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂよりも低い位置の平面部Ｓ１１と、平面部Ｓ１１からラウンド形状部４４の側面４４Ａに向かって高くなるように湾曲した曲面部Ｓ１２と、を有する。これによって、光反射体５０における波長変換体４０の近傍に生ずる応力が分散しやすくなる。従って、光反射体５０の剥離がさらに抑制される。

また、例えば光反射体５０の形成には熱硬化性樹脂の塗布量を少なくする以外に追加する工程などが不要となり、容易に光反射体５０を形成することができる。光反射体５０の上面５０Ａの形状は、この形成方法によって形成した結果といえる。また、熱硬化性樹脂の塗布量が少なく済むのみならず、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂにまで熱硬化性樹脂が塗布又は濡れ広がることが抑制される。これによって、光出射面４０Ｑの形状バラつき、またこれによる配光形状のバラつきが抑制される。

なお、本実施例においては、発光装置１０の光取り出し面が波長変換体４０におけるラウンド形状部４４の上面４４Ｂによって画定される場合について説明した。しかし、光反射体５０におけるラウンド形状部４４の側面４４Ａ上の領域の厚さは、他の領域の厚さに比べて小さい。従って、ラウンド形状部４４の側面形状などによっては、側面４４Ａからも光が外部に取り出される場合がある。従って、発光装置１０の光取り出し面は、ラウンド形状部４４の側面４４Ａ及び上面４４Ｂの両方によって画定されてもよい。

なお、上記した波長変換体４０の構成は、一例に過ぎない。例えば、本実施例においては、波長変換体４０は、一体的に形成された柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及びラウンド形状部４４を有する場合について説明した。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面の形状が一致する場合について説明した。しかし、波長変換体４０は、例えば互いに分離可能なように形成された柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及びラウンド形状部４４を有していてもよい。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面は互いに光学的に結合していればよく、その形状は一致しなくてもよく、また、互いに離間していてもよい。

また、本実施例においては、ラウンド形状部４４の全ての側面（本実施例においては４つの側面）が曲面形状を有する側面４４Ａである場合について説明した。しかし、ラウンド形状部４４の側面形状はこれに限定されない。ラウンド形状部４４は、側面の少なくとも一部に曲面形状の側面４４Ａとなる部分を有していればよい。例えば、ラウンド形状部４４の４つの側面のうち、１つのみの側面が曲面形状を有していてもよい。

また、本実施例においては、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、底面の近傍において当該底面に垂直に延び、湾曲しつつ上面４４Ｂに至り、上面４４Ｂにおいては上面４４Ｂに平行に延びるように構成されている場合について説明した。しかし、ラウンド形状部４４の側面４４Ａの形状は、これに限定されない。

例えば、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは、少なくとも上面４４Ｂの縁から延びており、上面４４Ｂに平行な方向において外側に凸となる曲面形状を有していればよい。例えば、側面４４Ａは、上面４４Ｂから底面に至る間に、例えば底面の近傍において内側に延びる部分を有していてもよい。

また、本実施例においては、光反射体５０が上面５０Ａに曲面部Ｓ１２を有する場合について説明した。しかし、光反射体５０の上面形状は、これに限定されない。光反射体５０は、波長変換体４０の側面を覆っていればよい。

また、本実施例においては、波長変換体４０は、一体的に形成された蛍光体プレートからなり、その全体において波長変換機能を有する場合について説明した。しかし、波長変換体４０の構成はこれに限定されない。

例えば、波長変換体４０は、柱状部４１の一部をなす蛍光体プレートと、当該蛍光体プレート上に形成され、波長変換体４０の他の部分をなす透光プレートと、からなっていてもよい。すなわち、波長変換体４０は、複数の部材を組み合わせた構造を有していてもよいし、またその一部のみに波長変換機能をなす部材を有していてもよい。

また、発光素子２０の構成や、発光装置１０の用途によっては、波長変換体４０の全体が波長変換機能を有していなくてもよい。例えば、単色（単一波長）の光のみを用いて通信や分析などを行う用途に用いられる場合、発光素子２０から放出された光がその波長特性を維持したまま取り出されればよい場合がある。この場合、波長変換体４０は、波長変換機能を有する必要はなく、例えば、単純な透光体として機能すればよい。この場合でも、当該透光体が例えば上記したような構成を有することで、光反射体５０の当該透光体からの剥離を防止でき、高品質かつ高輝度な発光装置１０を提供することができる。

このように、本実施例においては、発光装置１０は、基板１１と、基板１１上に形成された発光素子２０と、発光素子２０上に形成された波長変換体４０と、波長変換体４０の側面を覆う光反射体５０と、を有する。

また、本実施例においては、波長変換体４０は、発光素子２０から放出された光が入射する光入射面４０Ｐをなす底面４１Ｂを有する柱状部４１と、柱状部４１上に形成されかつ柱状部４１の上面に一体的に形成された底面を有する錐台状部４２と、錐台状部４２上に形成されかつ錐台状部４２の上面に一体的に形成された底面を有する柱状部４３と、柱状部４３上に形成され、柱状部４３の上面に一体的に形成された底面及び当該底面とは反対の上面４４Ｂを有し、上面４４Ｂの縁から延びかつ上面４４Ｂに平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面４４Ａを有するラウンド形状部４４と、を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０を提供することができる。

図４は、実施例２に係る発光装置１０Ａの断面図である。発光装置１０Ａは、波長変換体４０Ａの構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４上に形成された柱状部４５（第３の部分）を有する点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。

より具体的には、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４の上面（図３における上面４４Ｂに対応する表面部分）が底面となるようにラウンド形状部４４上においてラウンド形状部４４に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部４５を有する。柱状部４５は、底面に対して垂直に延びる側面４５Ａを有する。本実施例においては、柱状部４５は、柱状部４３の底面よりも小さな底面及び上面を有する四角柱の形状を有する。

本実施例においては、柱状部４５は、平坦な上面４５Ｂを有する。また、柱状部４５の上面４５Ｂは、光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の側面４５Ａ及び上面４５Ｂの両方が光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の上面４５Ｂは、波長変換体４０Ａの光出射面４０Ｑとして機能する。

なお、本実施例においては、波長変換体４０Ａの全体が平板状の形状を有する。また、本実施例においては、柱状部４１の側面４１Ａ、錐台状部４２の側面４２Ａ、柱状部４３の側面４３Ａ、ラウンド形状部４４の側面４４Ａ及び柱状部４５の側面４５Ａの全体は、波長変換体４０Ａの側面を構成する。

本実施例においては、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４の側面４４Ａである曲面形状の側面部分の上端から、柱状部４５の側面４５Ａである垂直に延びる側面部分を有する。これによって、波長変換体４０Ａの光出射面４０Ｑ上に光反射体５０となる熱硬化性樹脂が付着することが抑制される。

より具体的には、本実施例においても、光反射体５０は、波長変換体４０Ａを発光素子２０に接着した後に、波長変換体４０Ａの側面を覆うような量で熱硬化性樹脂を塗布し、当該熱硬化性樹脂を硬化させることで、形成されることができる。この熱硬化性樹脂の塗布時においては、例えば熱硬化性樹脂の塗布量によって、熱硬化性樹脂の一部が波長変換体４０Ａの側面を越えて波長変換体４０Ａの上面に乗り上げることが想定される。

特に、ラウンド形状部４４の側面４４Ａは曲面形状を有するため、側面４４Ａを越えて上面４４Ｂ上に熱硬化性樹脂が濡れ広がる可能性がある。従って、熱硬化性樹脂の塗布量を厳密に調節することが必要となる場合や、また、ラウンド形状部４４の上面４４Ｂ上に乗り上げた熱硬化性樹脂を除去する工程が発生する場合がある。

これに対し、例えばわずかな厚さの柱状部４５をラウンド形状部４４上に設けることで、柱状部４５の側面４５Ａが熱硬化性樹脂の上面４５Ｂ上への乗り上げを防止する壁として機能する。従って、製造工程を厳格化し又は追加することなく、容易に波長変換体４０Ａの側面のみに光反射体５０を形成することができる。従って、例えば実施例１において説明した種々の効果を安定して得ることができる。

このように、本実施例においては、波長変換体４０Ａは、ラウンド形状部４４の上面が底面となるようにラウンド形状部４４上に形成され、かつ柱形状の柱状部４５を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ａを提供することができる。

図５は、実施例３に係る発光装置１０Ｂの断面図である。発光装置１０Ｂは、波長変換体４０Ｂの構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ｂは、錐台状部４２及びラウンド形状部４４のみからなる点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。

本実施例においては、波長変換体４０Ｂは、波長変換体４０から柱状部４１及び４３を除いた場合に相当する構成を有する。本実施例においては、錐台状部４２の底面４２Ｂは、接着層３０に接している。また、錐台状部４２の底面４２Ｂは、波長変換体４０Ｂにおける光入射面４０Ｐとして機能する。また、錐台状部４２の上面がラウンド形状部４４の底面となるように、ラウンド形状部４４が錐台状部４２上において錐台状部４２に一体的に形成されている。

また、本実施例においては、波長変換体４０Ｂは、錐台状部４２の側面４２Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａの全体を側面として有する平板形状を有する。また、光反射体５０は、錐台状部４２の側面４２Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａを覆うように基板１１上に形成されている。

本実施例のように、波長変換体４０Ｂは、柱状の部分を有していなくてもよい。この場合でも、錐台状部４２によって高輝度化を図ることができ、またラウンド形状部４４によって光反射体５０の剥離を抑制することができる。すなわち、例えば、波長変換体４０Ｂは、少なくとも錐台状部４２及びラウンド形状部４４を有していればよい。

このように、本実施例においては、発光装置１０Ｂは、基板１１と、基板１１の上面上に配置された発光素子２０と、発光素子２０上に配置されて発光素子２０から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体４０Ｂであって、基板１１の上面に沿って延びる底面４２Ｂを有しかつ錐台形状を有する錐台状部４２（第１の部分）と、錐台状部４２の上面上に配置された底面及び底面とは反対の上面４４Ｂを有し、上面４４Ｂの縁から延びかつ上面４４Ｂに平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面４４Ａを有するラウンド形状部４４（第２の部分）と、を有する波長変換体４０Ｂと、錐台状部４２の側面４２Ａ及びラウンド形状部４４の側面４４Ａを覆うように形成されかつ発光素子２０及び波長変換体４０Ｂによって生成された光に対して反射性を有する光反射体５０と、を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｂを提供することができる。

図６は、実施例４に係る発光装置１０Ｃの断面図である。発光装置１０Ｃは、波長変換体４０Ｃの構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ｃは、ラウンド形状部４４に代えて錐台状部（第２の錐台状部又は第２の部分）４６を有する点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。

本実施例においては、波長変換体４０Ｃは、柱状部４３の上面が底面となるように柱状部４３上において柱状部４３に一体的に形成され、かつ錐台形状を有する錐台状部４６を有する。錐台状部４６は、光反射体５０に覆われた側面４６Ａと、光反射体５０から露出した上面４６Ｂとを有する。本実施例においては、錐台状部４６の上面４６Ｂは、波長変換体４０Ｃにおける光出射面４０Ｑとして機能する。

本実施例においては、光反射体５０は、実施例１と同様に、錐台状部４６の上面４６Ｂよりも基板１１に近い高さ位置の平面部Ｓ１１と、平面部Ｓ１１よりも波長変換体４０Ｃ側において平面部Ｓ１１よりも錐台状部４６の上面４６Ｂに近い位置に形成され、かつ基板１１に向かって凹となるように屈曲する曲面部Ｓ１２を有する。

本実施例においては、光反射体５０の上面５０Ａにおける曲面部Ｓ１２は、平面部Ｓ１１から湾曲して形成された部分である。また、曲面部Ｓ１２は、錐台状部４６の側面４６Ａに接している。本実施例においては、曲面部Ｓ１２は、錐台状部４６の側面４６Ａの上端部に接している。

図７は、波長変換体４０Ｃの側面近傍を拡大して示す図である。図７は、図６における２点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図７を用いて、波長変換体４０Ｃの詳細な構成について説明する。

図７に示すように、波長変換体４０Ｃにおいて、錐台状部４２の側面４２Ａは、錐台状部４２の底面に対して角度θ１だけ傾斜している。また、本実施例においては、錐台状部４６の側面４６Ａは、錐台状部４６の底面に対して、角度θ１よりも小さな角度θ２だけ傾斜している。

波長変換体４０Ｃにおいて錐台状部４２の側面４２Ａ及び錐台状部４６の側面４６Ａがこのような傾斜角の関係を有することで、高輝度化及び剥離防止の両立を図ることができる。

具体的には、まず、波長変換体４０Ｃ内において、錐台状部４２は、主に、光を集光し、高輝度化を図る目的で設けられている。従って、傾斜角θ１が小さすぎると、集光機能は果たせるものの、錐台状部４２から光出射面４０Ｑに向かう光が少なくなる。従って、錐台状部４２の側面４２Ａは、傾斜角θ１がある程度大きくなるように構成されていることが好ましい。

一方、錐台状部４６は、主に、その側面４６Ａに光反射体５０を強く密着させ、光反射体５０の波長変換体４０Ｃからの剥離を防止する目的で設けられている。従って、傾斜角θ２が大きすぎると、光反射体５０の側面４６Ａへの密着力が低下し、剥離防止効果が小さくなる。従って、錐台状部４６の側面４６Ａは、傾斜角θ２がある程度小さくなるように構成されていることが好ましい。

これに対し、本実施例においては、錐台状部４２及び４６は、傾斜角θ１及びθ２がθ１＞θ２の関係を満たすように構成されている。従って、高輝度化を図りつつ、高い剥離防止効果を得ることができる。

なお、傾斜角θ１及びθ２の関係は、これに限定されない。波長変換体４０Ｃは、錐台状部４６を有していれば一定の剥離防止効果を得ることができる。すなわち、波長変換体４０Ｃは、錐台状部４２の側面４２Ａの傾斜角θ１とは異なる傾斜角θ２で傾斜する側面４６Ａを有する錐台状部４６を有していればよい。

また、発光装置１０と同様に、光反射体５０の上面５０Ａは平面部Ｓ１１及び曲面部Ｓ１２を有する場合に限定されない。光反射体５０は、波長変換体４０Ｃの側面を覆っていればよい。

このように、本実施例においては、発光装置１０Ｃは、柱状部４１、錐台状部４２、柱状部４３及び錐台状部４６を有する波長変換体４０Ｃを有する。従って、この波長変換体４０Ｃの側面を覆うように形成することで、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｃを提供することができる。

図８は、実施例５に係る発光装置１０Ｄの断面図である。発光装置１０Ｄは、波長変換体４０Ｄの構成を除いては、発光装置１０Ｃと同様の構成を有する。また波長変換体４０Ｄは、錐台状部４６上に柱状部４５を有する点を除いては、波長変換体４０Ｃと同様の構成を有する。

本実施例は、実施例４に実施例２を組み合わせた場合に相当する。具体的には、本実施例においては、波長変換体１０Ｄは、錐台状部４６の上面（図６における上面４６Ｂに対応する表面部分）が底面となるように錐台状部４６上において錐台状部４６に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部（第３の柱状部）４５を有する。

柱状部４５は、底面に対して垂直に延びる側面４５Ａと、平坦な上面４５Ｂと、を有する。また、柱状部４５の上面４５Ｂは、光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の側面４５Ａ及び上面４５Ｂの両方が光反射体５０から露出している。本実施例においては、柱状部４５の上面４４Ｂは、波長変換体４０Ｄの光出射面４０Ｑとして機能する。

柱状部４５を錐台状部４６上に設けた場合でも、柱状部４５の側面４５Ａが熱硬化性樹脂の上面４５Ｂ上への乗り上げを防止する壁として機能する。従って、製造工程を厳格化し又は追加することなく、容易に波長変換体４０Ｄの側面のみに光反射体５０を形成することができる。従って、例えば実施例１及び４において説明した種々の効果を安定して得ることができる。

本実施例においては、波長変換体４０Ｄは、錐台状部４６の上面が底面となるように錐台状部４６上に形成され、かつ柱形状の柱状部４５を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｄを提供することができる。

図９は、実施例６に係る発光装置１０Ｅの断面図である。発光装置１０Ｅは、波長変換体４０Ｅの構成を除いては、発光装置１０Ｃと同様の構成を有する。また、波長変換体４０Ｅは、錐台状部４２及び４６のみからなる点を除いては、波長変換体４０Ｃと同様の構成を有する。

本実施例においては、波長変換体４０Ｅは、波長変換体４０Ｃから柱状部４１及び４３を除いた場合に相当する構成を有する。本実施例においては、錐台状部４２の底面４２Ｂは、接着層３０に接している。また、錐台状部４２の底面４２Ｂは、波長変換体４０Ｅにおける光入射面４０Ｐとして機能する。また、錐台状部４２の上面が錐台状部４６の底面となるように、錐台状部４６が錐台状部４２上において錐台状部４２に一体的に形成されている。

本実施例のように、波長変換体４０Ｅは、少なくとも錐台状部４２及び４６を有していればよい。これによって、発光装置１０Ｅの高輝度化及び剥離防止の効果を得ることができる。

このように、本実施例においては、発光装置１０Ｅは、基板１１と、基板１１の上面上に配置された発光素子２０と、発光素子２０上に配置されて発光素子２０から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体４０Ｅであって、発光素子２０上に形成され、基板１１の上面に沿って延びる底面を有する錐台形状の錐台状部４２（第１の部分）と、錐台状部４２の上面上に底面が配置され、錐台形状を有しかつ錐台状部４２における側面４２Ａの底面に対する傾斜角θ１とは異なる傾斜角θ２で底面から傾斜した側面４６Ａを有する錐台状部４６（第２の部分）と、を有する波長変換体４０Ｅと、錐台状部４２の側面４２Ａ及び錐台状部４６の側面４６Ａを覆うように基板１１上に形成されかつ発光素子２０及び波長変換体４０Ｂによって生成された光に対して反射性を有する光反射体５０と、を有する。従って、光反射体５０の劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置１０Ｅを提供することができる。

図１０は、実施例７に係る発光装置６０の模式的な斜視図である。また、図１１及び１２は、それぞれ発光装置６０の上面図及び断面図である。図１２は、図１１における１２−１２線に沿った断面図である。図１０乃至図１２を用いて、発光装置６０の構成について説明する。

本実施例においては、発光装置６０は、波長変換体７０及び光反射体８０の構成を除いては、発光装置１０と同様の構成を有する。本実施例においては、波長変換体７０は、ラウンド形状の上面を有する点を除いては、波長変換体４０と同様の構成を有する。また、光反射体８０は、一様に平坦な上面８０Ａを有する点を除いては、光反射体５０と同様の構成を有する。

まず、波長変換体７０は、波長変換体４０における柱状部４１及び錐台状部４２と同様の柱状部（第３の部分）７１及び錐台状部（第１の部分）７２と、を有する。柱状部７１は、基板１１に対して垂直に延びる側面７１Ａと、接着層３０を介して発光素子２０の半導体層２２に対向する底面７１Ｂと、を有する。柱状部７１の底面７１Ｂは、波長変換体７０における光入射面７０Ｐとして機能する。本実施例においては、柱状部７１は、四角柱の形状を有する。

また、錐台状部７２は、柱状部７１の上面が底面となるように柱状部７１上において柱状部７１に一体的に形成され、傾斜した側面７２Ａを有する。本実施例においては、錐台状部７２は、四角錐台の形状を有する。

また、本実施例においては、波長変換体７０は、錐台状部７２上において錐台状部７２に一体的に形成され、かつ柱形状の柱状部（第２の部分）７３を有する。本実施例においては、柱状部７３は、基板１１に垂直に延びかつ光反射体８０に覆われた側面７３Ａと、矩形の角が丸まった形状を有しかつ光反射体８０から露出した上面７３Ｂと、を有する。

本実施例においては、柱状部７３の上面７３Ｂは、波長変換体７０における光出射面７０Ｑとして機能する。本実施例においては、発光装置６０は、略矩形であり角が丸まった形状の光取り出し面を有する。

このように、本実施例においては、波長変換体７０は、矩形の角が円形状に面取りされた形状の上面７３Ｂを有する柱状部７３を有する。これによって、光反射体８０の上面８０Ａにおける波長変換体７０の近傍のクラックの発生を防止することができる。

より具体的には、波長変換体７０の上面には、矩形の角をなすように鋭角で屈曲する部分が存在しない。仮に、波長変換体の上面に例えば９０°以下の角度で屈曲する部分が設けられ、この上面を覆うように光反射体を形成した場合、光反射体における当該屈曲部分を覆う部分は、応力が集中しやすい部分となる。この場合に発光素子２０を例えば大電流又は長時間駆動した場合、当該屈曲部分を起点として光反射体にクラックが生ずる場合がある。従って、性能及び品質が早期に劣化する場合がある。

これに対し、本実施例においては、波長変換体７０は、矩形の角が面取りされた形状の上面７３を有する柱状部７３を有する。従って、光反射体８０に応力が生じた場合でも、その応力が分散されやすい。従って、光反射体８０にクラックが発生することが抑制される。従って、長期に安定した品質及び性能の発光装置６０を提供することができる。また、波長変換体７０が柱状部７１を有することで、波長変換体７０内における波長変換ムラを抑制することができる。

また、本実施例においては、波長変換体７０の上面、すなわち柱状部７３の上面７３Ｂは、ほぼ矩形の形状を有する。これによって、例えば実施例１において説明したように、発光装置６０は、車両用灯具に用いられる場合に好適な構成となる。

なお、波長変換体７０の上面は矩形形状を有する場合に限定されない。例えば、柱状部７３の上面７３Ｂは、多角形状（例えば三角形や五角形など）の角が面取りされた形状を有していればよい。

なお、本実施例においては、錐台状部７２に接するように柱状部７３Ｂが形成される場合について説明した。しかし、柱状部７３と錐台状部７２との間には、別の形状の部分が設けられていてもよい。

また、本実施例においては、柱状部７３が柱状の形状を有する場合、すなわち基板１１に垂直な側面７３Ａを有する場合について説明した。しかし、柱状部７３の側面形状はこれに限定されない。少なくとも、矩形の角が面取りされた形状の上面７３Ｂを有する種々の立体形状を有する部分が錐台状部７２上に形成されていればよい。なお、光取り出し面内における光の強度ムラ及び色ムラを抑制することを考慮すると、錐台状部７２よりも発光素子２０側に柱形状を有する柱状部７１が設けられていることが好ましい。

このように、本実施例においては、発光装置６０は、発光素子２０上に形成され、基板１１の上面に沿って延びる底面７１Ｂを有しかつ柱形状を有する柱状部７１と、柱状部７１上に形成されかつ錐台形状を有する錐台状部７２（第１の部分）と、錐台状部７２上に形成され、柱形状を有しかつ矩形の角が円形状に面取りされた形状の上面７３Ｂを有する柱状部（第２の部分）７３と、を有する波長変換体７０と、柱状部７１の側面７１Ａ、錐台状部７２の側面７２Ａ及び柱状部７３の側面７３Ａを覆うように基板１１上に形成されかつ発光素子２０及び波長変換体７０によって生成された光に対して反射性を有する光反射体８０と、を有する。従って、光反射体８０の早期劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置６０を提供することができる。

図１３は、実施例８に係る発光装置６０Ａの上面図である。図１４は、発光装置６０Ａの断面図である。図１４は、図１３の１４−１４線に沿った断面図である。図１３及び図１４を用いて、発光装置６０Ａの構成について説明する。

発光装置６０Ａは、波長変換体７０Ａの構成を除いては、発光装置６０と同様の構成を有する。また、波長変換体７０Ａは、柱状部７３に代えて柱状部（第２の部分）７４を有する点を除いては、波長変換体７０と同様の構成を有する。

本実施例においては、波長変換体７０Ａは、錐台状部７２上に形成され、基板１１から垂直に延びる側面７４Ａと、角が直線状に面取りされた形状の上面７４Ｂと、を有する柱状部７４を有する。本実施例においては、柱状部７４の上面７４Ｂは、波長変換体７０Ａの光出射面７０Ｑとして機能する。

本実施例においては、柱状部７４の上面７４Ｂは、矩形の角が直線状に面取りされた（Ｃ面取りされた）形状を有する。このような上面形状の上面７４Ｂを有している場合でも、光反射体８０内で応力が集中しにくくなり、上面８０Ａにクラックが生じにくくなる。従って、安定した品質及び高輝度な発光装置６０Ａを提供することができる。

図１５は、実施例９に係る発光装置６０Ｂの断面図である。発光装置６０Ｂは、波長変換体７０Ｂの構成を除いては、発光装置６０と同様の構成を有する。また、波長変換体７０Ｂは、錐台状部７２及び柱状部７３のみからなる点を除いては、波長変換体７０と同様の構成を有する。

本実施例においては、波長変換体７０Ｂは、波長変換体７０から柱状部７１を除いた場合に相当する構成を有する。従って、錐台状部７２の底面７２Ｂが光入射面７０Ｐとして発光素子２０の半導体層２２に対向して配置される。

このように、波長変換体７０Ｂは、柱状部７１を有していなくてもよい。すなわち、波長変換体７０Ｂは、少なくとも錐台状部７２及び柱状部７３を有していればよい。また、実施例７及び８において説明したように、波長変換体７３は、例えば柱状部７３又は７４のように、矩形の角が面取りされた形状の上面７３Ｂ又は７４Ｂを有する種々の立体形状の部分を有していればよい。これによって、最もクラックの生じやすい部分である光反射体８０の上面８０Ａの近傍での応力が分散される。従って、光反射体８０の早期劣化を抑制することができる。

このように、本実施例においては、発光装置６０Ｂは、基板１１と、基板１１の上面上に形成された発光素子２０と、発光素子２０上に形成されて発光素子２０から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体７０Ｂであって、基板１１の上面に沿って延びる底面７２Ｂを有しかつ錐台形状を有する錐台状部７２（第１の部分）と、錐台状部７２の上面上に底面が配置されかつ矩形の角が面取りされた形状の上面７３Ｂを有する柱状部（第２の部分）７３と、を有する波長変換体７０Ｂと、錐台状部７２の側面７２Ａ及び柱状部７３の側面７３Ａを覆うように基板１１上に形成されかつ発光素子２０及び波長変換体７０Ｂによって生成された光に対して反射性を有する光反射体８０と、を有する。従って、光反射体８０の早期劣化を防止し、高品質かつ高輝度な発光装置６０Ｂを提供することができる。

１０、１０Ａ〜１０Ｅ、６０、６０Ａ、６０Ｂ 発光装置
１１ 基板
２０ 発光素子
４０、４０Ａ〜４０Ｅ、７０、７０Ａ、７０Ｂ 波長変換体
５０、８０ 光反射体

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板の上面上に配置された発光素子と、
   前記発光素子上に配置されて前記発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、前記基板の前記上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、前記第１の部分の上面上に配置された底面及び前記底面とは反対側の上面を有し、前記上面の縁から延びかつ前記上面に平行な方向において外側に凸となる曲面形状の側面を有する第２の部分と、を有する波長変換体と、
   前記第１の部分の側面及び前記第２の部分の前記側面を覆うように形成されかつ前記発光素子及び前記波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有することを特徴とする発光装置。
2. 前記波長変換体は、前記第２の部分の上面上に底面が配置されかつ柱形状を有する第３の部分を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記波長変換体は、前記第１の部分と第２の部分との間に配置されかつ柱形状を有する第４の部分を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記波長変換体は、最も前記発光素子側に配置されかつ柱形状を有する第５の部分を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の発光装置。
5. 前記波長変換体は、矩形の上面形状を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光装置。
6. 前記光反射体は、前記基板に沿って延びる平面部と、前記基板に向かって凸となるように湾曲しつつ前記平面部から延びて前記第２の部分の前記側面に接する曲面部と、を有する上面を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の発光装置。
7. 基板と、
   前記基板の上面上に配置された発光素子と、
   前記発光素子上に配置されて前記発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、前記基板の前記上面に沿って延びる底面を有しかつ錐台形状を有する第１の部分と、前記第１の部分の上面上に底面が配置され、錐台形状を有しかつ前記第１の部分の側面の前記底面に対する傾斜角とは異なる傾斜角で前記底面から傾斜する側面を有する第２の部分と、を有する波長変換体と、
   前記第１の部分の前記側面及び前記第２の部分の前記側面を覆うように形成されかつ前記発光素子及び前記波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体と、を有することを特徴とする発光装置。
8. 前記第１の部分における前記側面の前記傾斜角は、前記第２の部分における前記側面の前記傾斜角よりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 前記波長変換体は、前記第２の部分の上面上に底面が配置されかつ柱形状を有する第３の部分を有することを特徴とする請求項７又は８に記載の発光装置。
10. 前記波長変換体は、前記第１の部分と第２の部分との間に配置されかつ柱形状を有する第４の部分を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１つに記載の発光装置。
11. 前記波長変換体は、最も前記発光素子側に配置されかつ柱形状を有する第５の部分を有することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１つに記載の発光装置。
12. 前記波長変換体は、矩形の上面形状を有することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１つに記載の発光装置。

Images