JP2020181024A - 光伝送モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】光導波路と光ファイバの間の高効率な光結合を実現すること。【解決手段】光伝送モジュールは、端部に凹部が形成された基板１１０と、基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有し、基板に形成された凹部に設置されて基板と面一の面を形成するレセプタクル１５０と、基板及びレセプタクルが形成する面一の面に形成され、光信号を伝送する光導波路１４０と、レセプタクルに搭載され、光ファイバ１７０の端部が光導波路の端部に対向するように光ファイバを保持するフェルール１６０とを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、光伝送モジュールに関する。

近年、例えばスーパーコンピュータやサーバを用いる大規模計算システムなどでは、ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）間、ＬＳＩとメモリ間、及びＬＳＩとストレージ間などのデータ通信において、データレートが高速化している。このため、従来の電気伝送では、伝送損失等により著しい波形劣化が発生することがあり、波形歪みを補償するための電力が増大している。そこで、電気信号を光信号に変換し、低損失で通信を行う光インターコネクトがラック間やボード間配線に導入されつつある。

光インターコネクトでは、基板上に搭載された光トランシーバにより電気−光信号変換が行われるのが一般的である。また、例えば基板上の比較的短距離の電気伝送では、データレートの高速化に伴い電気波形の劣化が著しくなるため、将来的に電気−光信号変換を行う光トランシーバをＬＳＩ周辺に高密度及び高集積に実装することが望まれている。

このような光回路の高密度及び高集積な実装を実現する技術として、例えばシリコンフォトニクスと呼ばれる光集積技術がある。シリコンフォトニクスでは、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）プロセスを用いて、高集積の光制御機能を有する極微小の光回路チップをシリコン基板上に製造することが可能となる。シリコンフォトニクスによって製造された光回路チップは、例えば耐熱性ポリマからなる光導波路によって、パッケージ基板の端部に設けられる光コネクタに接続される。このような構成により、例えば光回路チップから出力される光信号を光コネクタ経由でパッケージ基板の外部の光ファイバなどへ伝送することができる。光導波路と光ファイバを接続する光コネクタ部分では、光導波路及び光ファイバの端面の位置合わせが重要であるため、例えば光導波路が形成されたパッケージ基板上に位置決めのための突起を設け、光ファイバの先端を保持するコネクタを突起に嵌合させる構造などが検討されている。

国際公開第２０１４／０８０６９４号

しかしながら、光コネクタ部分での位置合わせには実装精度の限界があるという問題がある。具体的には、パッケージ基板に搭載される電気部品をはんだ付けするリフロープロセスでは、パッケージ基板が高温にさらされるため、パッケージ基板の反りや変形が生じる。この結果、パッケージ基板上の光導波路や位置合わせのための突起などの位置が維持されず、リフロープロセス後に光ファイバがパッケージ基板に接続される際、光導波路と光ファイバとの位置合わせが困難になる。

特に、光ファイバ内部での伝搬モードの分散が小さく広帯域で、かつ、波長分割多重（Wavelength Division Multiplexing：ＷＤＭ）伝送においても有効なシングルモードのコアでは、光結合時にコア同士で１μｍ以内程度の位置ずれしか許容されず、マルチモードのコアよりも高精度の位置合わせが要求される。これに対して、上述したリフロープロセスで発生するパッケージ基板の反りや変形は、数μｍオーダーで発生する。このため、パッケージ基板端部における光コネクタにおいて、光導波路と光ファイバの位置ずれにより光結合が十分でなく、シングルモード伝送の実現が困難である。

開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、光導波路と光ファイバの間の高効率な光結合を実現することができる光伝送モジュールを提供することを目的とする。

本願が開示する光伝送モジュールは、１つの態様において、端部に凹部が形成された基板と、前記基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有し、前記基板に形成された凹部に設置されて前記基板と面一の面を形成するレセプタクルと、前記基板及び前記レセプタクルが形成する前記面一の面に形成され、光信号を伝送する光導波路と、前記レセプタクルに搭載され、光ファイバの端部が前記光導波路の端部に対向するように前記光ファイバを保持するフェルールとを有する。

本願が開示する光伝送モジュールの１つの態様によれば、光導波路と光ファイバの間の高効率な光結合を実現することができるという効果を奏する。

図１は、一実施の形態に係る光伝送モジュールの構成を示す図である。 図２は、一実施の形態に係る光接続部の構成を示す三面図である。 図３は、ファイバ案内部の構成例を示す図である。 図４は、一実施の形態に係るフェルールの構成を示す四面図である。 図５は、フェルールに光ファイバを接続した状態を示す図である。 図６は、一実施の形態に係る光ファイバ接続方法を示すフロー図である。 図７は、導波路形成を説明する図である。 図８は、フェルール実装を説明する図である。 図９は、フェルール接着を説明する図である。 図１０は、透明樹脂塗布を説明する図である。 図１１は、一実施の形態に係る変形例を示す図である。

以下、本願が開示する光伝送モジュールの一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。

図１は、一実施の形態に係る光伝送モジュールの構成を示す図である。図１に示す光伝送モジュールは、パッケージ基板１１０、ＬＳＩ１２０、光電気変換デバイス１３０、光導波路１４０、レセプタクル１５０、フェルール１６０、テープファイバ１７０及び外部接続フェルール１８０を有する。図１においては、要部構成のみを示して周辺の構成の図示を省略しているが、光伝送モジュールは、信号処理装置の一部を構成するモジュールであり、当該信号処理装置は他の電気部品を有していても良い。

パッケージ基板１１０は、例えばガラスエポキシ系樹脂などを材料とする基板である。パッケージ基板１１０には、種々の電気部品及び光部品が搭載される。また、パッケージ基板１１０には、光導波路１４０が形成される。パッケージ基板１１０の一端には、レセプタクル１５０を設置するための凹部（リセス）が設けられる。

ＬＳＩ１２０は、種々の処理を実行する集積回路である。ＬＳＩ１２０による処理は、電気信号によって実行される。したがって、ＬＳＩ１２０は、電気信号を光電気変換デバイス１３０へ出力し、光電気変換デバイス１３０から出力される電気信号を受信する。

光電気変換デバイス１３０は、ＬＳＩ１２０から出力される電気信号を光信号に変換し、光導波路１４０へ出力する。また、光電気変換デバイス１３０は、光導波路１４０から入力される光信号を電気信号に変換し、ＬＳＩ１２０へ出力する。光電気変換デバイス１３０は、例えばシリコンフォトニクスによって製造された光回路チップである。

光導波路１４０は、パッケージ基板１１０及びレセプタクル１５０の上面に形成される光導波路であり、光信号を伝送する。光導波路１４０は、例えば直描露光装置を用いて、感光性樹脂を所望の導波路パターンの形状に露光することにより形成される。このとき、後述するように、レセプタクル１５０の上面に形成されたアライメントマークを基準として導波路パターンが形成される。

レセプタクル１５０は、パッケージ基板１１０の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有し、剛性が高い例えばシリコンなどの材料から形成され、パッケージ基板１１０の端部に設けられた凹部に埋め込まれる。そして、レセプタクル１５０の上面とパッケージ基板１１０の上面とが面一になっている。光導波路１４０は、パッケージ基板１１０とレセプタクル１５０の面一となった上面に形成される。また、レセプタクル１５０は、中央にフェルール１６０を固定するための凹部を有するとともに、光導波路１４０を形成する際の基準となるアライメントマークを有する。レセプタクル１５０の形状については、後に詳述する。

フェルール１６０は、複数の光ファイバの一端を保持し、レセプタクル１５０に固定されることにより、保持した光ファイバの端面と光導波路１４０の端面とを対向させる。すなわち、フェルール１６０は、テープファイバ１７０を構成する複数の光ファイバそれぞれの端面を適切な位置に保持し、レセプタクル１５０の上面に形成された光導波路１４０それぞれの端面に対向させる。フェルール１６０の形状については、後に詳述する。

テープファイバ１７０は、複数の光ファイバを平行に並べてテープ状にしたものであり、一端がフェルール１６０によって保持され、他端が外部接続フェルール１８０によって保持される。テープファイバ１７０を構成する各光ファイバは、対応する光導波路１４０と光結合し、光信号を伝送する。

外部接続フェルール１８０は、テープファイバ１７０の一端を保持し、他の基板に搭載されたレセプタクルなどに接続する。外部接続フェルール１８０の他の基板への着脱には、例えばＭＴ（Mechanically Transferable）コネクタ又はＭＰＯ（Multifiber Push On）コネクタなどが使用されても良い。

図２は、光伝送モジュールの光接続部を拡大して示す三面図である。すなわち、図２は、レセプタクル１５０の周辺の平面図、側方断面図及び正面図を示す。なお、図２に示す側方断面図は、平面図のＡ−Ａ’線における断面を示す。以下の図面においても同様に、側方断面図は、平面図のＡ−Ａ’線における断面を示す。

図２に示すように、レセプタクル１５０は、パッケージ基板１１０の端部に形成された凹部に埋め込まれ、固定樹脂２０１によって固定されている。固定樹脂２０１としては、例えば耐熱性のあるエポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂などを用いることができる。パッケージ基板１１０の凹部に埋め込まれて固定されたレセプタクル１５０の上面の高さは、パッケージ基板１１０の上面の高さと等しい。すなわち、パッケージ基板１１０の上面とレセプタクル１５０の上面とは面一になっている。そして、レセプタクル１５０の中央からパッケージ基板１１０の端部側には、フェルール１６０を固定するための凹部１５１が形成されている。凹部１５１の底面には、光ファイバを案内するためのファイバ案内部１５２が形成される。ファイバ案内部１５２には、それぞれ光ファイバを案内する複数の案内溝が形成される。

具体的には、例えば図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ファイバ案内部１５２には複数の∨字溝１５２ａが形成され、∨字溝１５２ａが光ファイバ１７１の位置を規定する。すなわち、∨字溝１５２ａが形成される位置において光ファイバ１７１が延伸することになるとともに、∨字溝１５２ａの深さ及び幅と光ファイバ１７１の直径とによって、光ファイバ１７１のパッケージ基板１１０上での高さが規定される。光ファイバ１７１のパッケージ基板１１０上での高さは、光ファイバ１７１のコアの高さと光導波路１４０のコアの高さとが一致するように設定される。

また、例えば図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、ファイバ案内部１５２に複数の矩形溝１５２ｂが形成されても良く、この場合には、矩形溝１５２ｂが光ファイバ１７１の位置を規定する。矩形溝１５２ｂも∨字溝１５２ａと同様に、光ファイバ１７１が延伸する位置及び光ファイバ１７１のパッケージ基板１１０上での高さを規定する。これらの∨字溝１５２ａ及び矩形溝１５２ｂは、例えば異方性ウェットエッチング又はドライエッチングなどにより形成される。

図２に戻って、レセプタクル１５０のパッケージ基板１１０の上面と面一な上面には、一対のアライメントマーク１５３が形成される。レセプタクル１５０が例えばシリコンなどの熱膨張係数が小さく、かつ剛性が高い材料から形成されるため、たとえ高温にさらされてもレセプタクル１５０が変形することがなく、ファイバ案内部１５２とアライメントマーク１５３の位置関係は変化しない。このため、アライメントマーク１５３の位置を基準としてレセプタクル１５０の上面に光導波路１４０を形成すれば、光導波路１４０とファイバ案内部１５２によって案内される光ファイバとを高精度に位置合わせすることができる。

レセプタクル１５０の凹部１５１、ファイバ案内部１５２及びアライメントマーク１５３は、例えば高精度ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）プロセスによって形成することができる。

図４は、一実施の形態に係るフェルール１６０の構成を示す四面図である。すなわち、図４は、フェルール１６０の上面図、側面図、下面図及び正面図を示す。

フェルール１６０の上面には、テープファイバ１７０をフェルール１６０に接着するための接着固定窓１６１が設けられている。また、フェルール１６０の下面には、レセプタクル１５０のファイバ案内部１５２に当接して、光ファイバの延伸方向におけるフェルール１６０の位置決めをする凸部１６２が形成されている。テープファイバ１７０を接着固定窓１６１から挿入すると、テープファイバ１７０を構成する光ファイバ各々は、フェルール１６０の内部を貫通する貫通孔１６３を挿通し、凸部１６２が無い部分の下面に突出する。凸部が無い部分の下面には、フェルール１６０がレセプタクル１５０に搭載される際に、対向するレセプタクル１５０のファイバ案内部１５２との間で光ファイバを挟持するファイバ案内溝１６４が形成されている。

フェルール１６０は、例えばフィラー入りＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂、又はＰＯＭ（ポリアセタール）などの材料を射出成形して製造される。フェルール１６０の材料としては、射出成形可能な他の樹脂などでも良いが、光伝送モジュールが稼働する環境に耐えられる耐熱性及び耐湿度性を有することが好ましい。

図５は、フェルール１６０にテープファイバ１７０を接続した状態を示す図である。図５に示すように、テープファイバ１７０は接着固定窓１６１からフェルール１６０の内部に挿入され、各光ファイバの先端は、フェルール１６０の先端から突出する。光ファイバの先端の突出量は、例えば１００μｍ程度である。この状態で、テープファイバ１７０を構成する各光ファイバは、接着固定窓１６１においてフェルール１６０に接着される。

次いで、上記のように構成された光伝送モジュールにおける光ファイバの接続方法について、図６に示すフロー図を参照しながら説明する。

パッケージ基板１１０の端部に例えば機械加工により凹部が形成され、この凹部にレセプタクル１５０が固定樹脂２０１によって固定される（ステップＳ１０１）。すなわち、パッケージ基板１１０の凹部にレセプタクル１５０が埋め込まれて固定される。このとき、例えば平滑面を有する部材をパッケージ基板１１０及びレセプタクル１５０の上面から当接させて作業することにより、パッケージ基板１１０及びレセプタクル１５０の上面と固定樹脂２０１が面一になるようにレセプタクル１５０が固定される。

なお、レセプタクル１５０がパッケージ基板１１０に固定される前後には、例えばＬＳＩ１２０などの電気部品がパッケージ基板１１０に搭載され、シリコンフォトニクスによって製造された光電気変換デバイス１３０などがパッケージ基板１１０に実装される。

そして、光電気変換デバイス１３０からレセプタクル１５０の凹部１５１まで延伸する光導波路１４０が形成される（ステップＳ１０２）。すなわち、例えば図７に示すように、レセプタクル１５０のアライメントマーク１５３を基準とした導波路パターンが形成されることにより、パッケージ基板１１０、固定樹脂２０１及びレセプタクル１５０の上面に光導波路１４０が形成される。上述したように、パッケージ基板１１０、固定樹脂２０１及びレセプタクル１５０の上面が面一になっているため、異なる部材に跨って光導波路１４０を形成することができる。

光導波路１４０の各々の導波路は、レセプタクル１５０の凹部１５１の周縁まで延伸している。そして、各々の導波路の終端は、ファイバ案内部１５２に形成された案内溝に対応する位置にある。ここで、各々の導波路の終端の端面を例えばダイシングブレードによって切削することにより、導波路の端面がパッケージ基板１１０の上面に対して垂直になるようにしても良い。こうすることにより、光導波路１４０の端面における入出射光の角度を適切に調整し、光損失の発生を回避することができる。

光導波路１４０が形成された後には、リフロープロセスによって電気部品がパッケージ基板１１０に接続される（ステップＳ１０３）。リフロープロセスの際には、パッケージ基板１１０全体がリフロー材料のガラス転移温度付近の高温にさらされる。このため、パッケージ基板１１０の変形などが発生するが、レセプタクル１５０は、パッケージ基板１１０の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有し剛性が高いため、リフロープロセスによる変形を微小に留めることができる。結果として、レセプタクル１５０の上面に形成された光導波路１４０の終端とファイバ案内部１５２の案内溝との位置関係は、リフロープロセスの前後で変化しない。

リフロープロセスが完了すると、テープファイバ１７０を保持したフェルール１６０がレセプタクル１５０に実装される（ステップＳ１０４）。テープファイバ１７０を構成する光ファイバは、リフロープロセスにおける高温に対する耐性が無いため、テープファイバ１７０を保持するフェルール１６０の実装は、リフロープロセスの後に行われる。

具体的には、例えば図８に示すように、テープファイバ１７０を構成する光ファイバ１７１の先端１７１ａがフェルール１６０の先端から突出した状態で、フェルール１６０がパッケージ基板１１０の端部側からレセプタクル１５０の凹部１５１へ挿入される。そして、フェルール１６０を光ファイバ１７１の延伸方向に移動させると、フェルール１６０の下面に形成された凸部１６２がレセプタクル１５０のファイバ案内部１５２に当接し、フェルール１６０の位置が決定される。

フェルール１６０の位置が決定された状態では、フェルール１６０の下面のファイバ案内溝１６４とレセプタクル１５０のファイバ案内部１５２に形成された案内溝とによって各々の光ファイバ１７１が挟持され、光ファイバ１７１の位置が固定される。また、位置が固定された光ファイバ１７１の先端１７１ａは、フェルール１６０の先端から突出する。このとき、光ファイバ１７１の位置がレセプタクル１５０及びフェルール１６０によって固定されることにより、パッケージ基板１１０上の高さ方向及び光ファイバ１７１の延伸方向に垂直なフェルール１６０の幅方向に関しては、先端１７１ａの位置と光導波路１４０の終端の位置とが一致する。すなわち、光ファイバ１７１の先端１７１ａと光導波路１４０の終端とが位置ずれすることなく、光ファイバ１７１及び光導波路１４０の端面が互いに対向する。結果として、光導波路１４０と光ファイバ１７１の間の高効率な光結合を実現することができ、例えばシングルモード伝送が可能となる。

このように光導波路１４０と光ファイバ１７１の間の高効率な光結合が可能となるのは、リフロープロセスを経ても、光導波路１４０の終端とファイバ案内部１５２の案内溝との位置関係が変化しないためである。すなわち、光導波路１４０の終端とファイバ案内部１５２の案内溝との位置に誤差が発生しないため、ファイバ案内部１５２の案内溝によって案内される光ファイバ１７１の先端１７１ａと光導波路１４０の終端とを高精度に位置合わせすることができる。

一方、光ファイバ１７１の先端１７１ａの端面と光導波路１４０の終端の端面とは接触することなく離間している。このように、光ファイバ１７１と光導波路１４０の端面が離間するように位置決めされることにより、互いに接触による傷の発生等を回避することができる。

フェルール１６０の位置が決定されると、フェルール１６０は、例えば紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂などからなる接着剤によりレセプタクル１５０に接着される（ステップＳ１０５）。具体的には、図９に示すように、フェルール１６０の幅方向の側方にフィレット２０２が形成されるようにフェルール１６０が接着される。すなわち、光ファイバ１７１の延伸方向であるフェルール１６０の前後方向の端部においてフェルール１６０が接着されるのではなく、フェルール１６０の幅方向の端部においてフェルール１６０が接着される。このため、光ファイバ１７１の先端１７１ａ及び光導波路１４０の終端に接着剤が付着することがない。なお、接着剤としては、例えばエポキシ系の接着剤などを用いることができる。

そして、離間する光ファイバ１７１の先端１７１ａと光導波路１４０の終端とを含む部分に透明樹脂が塗布される（ステップＳ１０６）。すなわち、例えば図１０に示すように、光ファイバ１７１の先端１７１ａと光導波路１４０の終端とを含む部分全体に、例えばフッ素化ポリイミドなどの透明樹脂２０３が塗布される。透明樹脂２０３としては、光ファイバ１７１及び光導波路１４０のコアの材料の屈折率に近い屈折率を有する樹脂が用いられる。したがって、例えば上記のフッ素化ポリイミドなど、赤外波長帯域で透明なフッ素化されたポリマが望ましいが、光ファイバ１７１の先端１７１ａと光導波路１４０の終端との離間距離が十分に小さければ、アクリル系の樹脂を使用しても良い。

透明樹脂２０３が塗布されることにより、透明樹脂２０３は、レセプタクル１５０のファイバ案内部１５２よりも光導波路１４０側にも充填され、光ファイバ１７１の先端１７１ａ及び光導波路１４０の終端の位置を確実に固定することができる。また、光ファイバ１７１と光導波路１４０の端面の間に透明樹脂２０３が充填されるため、端面の間に空気が存在する場合の反射によるフレネル損失や戻り光を低減することができる。

以上のように、本実施の形態によれば、パッケージ基板の凹部に熱膨張係数が小さいレセプタクルを埋め込み、パッケージ基板及びレセプタクルの面一になった上面に光導波路を形成するとともに、光ファイバを保持するフェルールをレセプタクル中央の凹部に実装する。このため、例えばリフロープロセスなどによりパッケージ基板が高温処理されてもレセプタクルが変形することはなく、レセプタクルに形成された光導波路とリフロープロセス後にレセプタクルに実装されるフェルールとを高精度に位置合わせすることができる。この結果、フェルールに保持された光ファイバと光導波路の位置ずれを低減することができ、光導波路と光ファイバの間の高効率な光結合を実現することができる。

なお、上記一実施の形態においては、レセプタクル１５０にフェルール１６０が直接搭載されるものとしたが、レセプタクル１５０とフェルール１６０の間に弾性樹脂を配置して、各部材の寸法公差を吸収しても良い。具体的には、例えば図１１（ａ）に示すように、フェルール１６０の凸部１６２の側方に弾性樹脂２０４を配置し、レセプタクル１５０の上面との間に介在させても良い。同様に、例えば図１１（ｂ）に示すように、レセプタクル１５０の凹部１５１の底面に弾性樹脂２０５を配置し、フェルール１６０の凸部１６２との間に介在させても良い。このようにレセプタクル１５０とフェルール１６０の間に弾性樹脂を介在させることにより、レセプタクル１５０とフェルール１６０が直接接触して破損することなどを防止することができる。弾性樹脂２０４、２０５は、例えばシリコーン系樹脂のように、柔軟かつ使用環境温度での硬化及び軟化が発生しない材料からなる。

１１０ パッケージ基板
１２０ ＬＳＩ
１３０ 光電気変換デバイス
１４０ 光導波路
１５０ レセプタクル
１５１ 凹部
１５２ ファイバ案内部
１５２ａ ∨字溝
１５２ｂ 矩形溝
１５３ アライメントマーク
１６０ フェルール
１６１ 接着固定窓
１６２ 凸部
１６３ 貫通孔
１６４ ファイバ案内溝
１７０ テープファイバ
１８０ 外部接続フェルール
２０１ 固定樹脂
２０２ フィレット
２０３ 透明樹脂
２０４、２０５ 弾性樹脂

Claims (7)

1. 端部に凹部が形成された基板と、
   前記基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有し、前記基板に形成された凹部に設置されて前記基板と面一の面を形成するレセプタクルと、
   前記基板及び前記レセプタクルが形成する前記面一の面に形成され、光信号を伝送する光導波路と、
   前記レセプタクルに搭載され、光ファイバの端部が前記光導波路の端部に対向するように前記光ファイバを保持するフェルールと
   を有することを特徴とする光伝送モジュール。
2. 前記レセプタクルは、
   前記フェルールを搭載する凹部と、
   前記凹部内に形成され、前記光ファイバを案内する第１の溝を備えるファイバ案内部と
   を有することを特徴とする請求項１記載の光伝送モジュール。
3. 前記レセプタクルは、
   前記面一の面を形成する面に、前記光導波路が形成される位置の基準となるマークを有することを特徴とする請求項１記載の光伝送モジュール。
4. 前記フェルールは、
   前記レセプタクルに対向する面に、前記光ファイバを案内する第２の溝を有し、
   前記光ファイバは、
   前記第１の溝及び前記第２の溝によって挟持される
   ことを特徴とする請求項２記載の光伝送モジュール。
5. 前記光導波路の端部と前記光ファイバの端部とを含む部分に配置される透明樹脂をさらに有することを特徴とする請求項１記載の光伝送モジュール。
6. 前記レセプタクル及び前記フェルールの間に配置される弾性樹脂をさらに有することを特徴とする請求項１記載の光伝送モジュール。
7. 端部に凹部が形成された基板と、
   前記基板に実装され、電気信号の処理を実行する電気部品と、
   前記電気部品によって処理される電気信号と光信号とを相互に変換する光電気変換部品と、
   前記基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有し、前記基板に形成された凹部に設置されて前記基板と面一の面を形成するレセプタクルと、
   前記光電気変換部品から延伸して前記基板及び前記レセプタクルが形成する面一の面に形成され、光信号を伝送する光導波路と、
   前記レセプタクルに搭載され、光ファイバの端部が前記光導波路の端部に対向するように前記光ファイバを保持するフェルールと
   を有することを特徴とする信号処理装置。

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