JP2020180044A - 寒い気候における窓のための低放射率被覆 - Google Patents

Abstract

【課題】寒い気候における窓のための低放射率被覆を提供すること。【解決手段】低放射率被覆３０が、複数の位相調節層４０、５０、６２と、第１の金属機能層４６と、第１の金属機能層４６にわたって配置されると共に第１の金属機能層４６から離間される第２の金属機能層５８とを含む。第２の金属機能層の幾何学的厚さによって除算された第１の金属機能層の幾何学的厚さの割合が０．６〜１の範囲にある。低放射率被覆３０は、少なくとも０．４の基準ＩＧＵの夏季／昼間のＳＨＧＣと、２．２７Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．４ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ２−°Ｆ）でしかない基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値とを提供する。【選択図】図１

Description

関連出願への相互参照
本出願は、２０１６年２月２４日に出願された米国仮特許出願第６２／２９９，０３６号への優先権を主張し、この仮特許出願は本明細書において参照によりその全体において組み込まれている。

本発明は、大きい日射熱取得率（ＳＨＧＣ：solar heat gain coefficient）と、小さい総括伝熱係数（Ｕ値）とを有する低放射率被覆に関する。被覆は、断熱ガラスユニット（ＩＧＵ：insulating glass unit）にとって特に有用である。

従来の建築用の窓ガラスは熱的な放射性が高い。太陽エネルギーはこのようなガラスを容易に通過してしまう。太陽エネルギーの通過を低減するために、低放射率被覆がガラスに施されている。低放射率被覆は、放射赤外線（ＩＲ）エネルギーの放出、特には、熱赤外線エネルギーの放出を低減させる熱障壁として作用する。放射率が小さくなるにつれて、被覆は熱ＩＲエネルギーの放出をより良好に遮蔽する。

日射熱取得率（ＳＨＧＣ）は、窓が太陽熱をどれだけ良好に遮蔽するかの評価尺度である。ＳＨＧＣが小さくなるにつれて、太陽熱がより多く遮蔽され、つまり、建物の内部での太陽熱の蓄積がより小さくなる。

総括伝熱係数（Ｕ値）は、窓を通じた熱損失の評価尺度である。Ｕ値が小さくなるにつれて、窓を通じた伝熱がより小さくなり、つまり、窓の断熱レベルがより大きくなる。

建築用の窓のための従来の低放射率被覆は、典型的には、小さいＳＨＧＣと小さいＵ値とを提供するために設計されている。小さいＳＨＧＣは、窓を通過して構造体の中へと入る太陽エネルギー、特には、太陽赤外線エネルギーを遮蔽する。これらの従来の低放射率被覆は、夏季において空調コストを抑えるのを助け、温暖な気候及び暑い気候に良好に適合されている。

しかしながら、これらの従来の低放射率被覆は、冬が長く夏が短い気候、又は、長期間の非常に寒い天気のある気候など、寒い気候には良好に適合されていない。寒い気候では、短い夏の数カ月の間の空調コストを低減することについての関心は、１年間の残りの間に建物を加熱することについての関心よりはるかに小さい。寒い気候のために、小さいＵ値を維持しつつ従来の低放射率被覆より大きいＳＨＧＣを提供する低放射率被覆を提供することは、望ましいと思われる。小さいＵ値は建物の内部の熱を保持するのを助ける、一方、大きいＳＨＧＣは、建物の内部を加熱するためにより多くの太陽熱を建物内へと通過させることができる。任意選択で、このような低放射率被覆が大きな可視光透過率を有することは、望ましいと思われる。大きな可視光透過率は、より多くの光を建物に入らせることができ、電灯及び人工的な照明の必要性を低下させる。任意選択で、このような低放射率被覆が、住宅市場及び商業市場の需要を満たすための望ましい美観を有することは、望ましいと思われる。これらの市場は、様々な異なる建物の色で使用できながら、なおも美観的に心地よい無彩色を望む傾向がある。任意選択で、このような被覆が、被覆へと向けられる太陽の紫外線（ＵＶ）放射の少なくとも一部を遮蔽する場合、望ましいと思われる。太陽のＵＶ放射は、家具を損なう可能性があり、色あせを引き起こす可能性がある。任意選択で、このような被覆が長波長の太陽ＩＲエネルギーの少なくとも一部を遮蔽することも、望ましいと思われる。

低放射率被覆は、複数の位相調節層と、第１の金属機能層と、第１の金属機能層にわたって配置されると共に第１の金属機能層から離間される第２の金属機能層とを備え、低放射率被覆は、少なくとも０．４の基準ＩＧＵの夏季／昼間のＳＨＧＣと、２．２７ワット／平方メートル−絶対温度（Ｗ／ｍ２Ｋ）（０．４英熱単位／時間−平方フィート−華氏温度（ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ））より大きくない基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値とを提供する。

第２の金属機能層の幾何学的厚さによって除算された第１の金属機能層の幾何学的厚さの割合が、０．６〜１の範囲など、０．６〜２の範囲にある。

ＩＧＵは、低放射率被覆を有する基板を備える。

本発明は、全体を通じて同様の参照番号が同様の部品を特定している以下の図面を参照して説明されている。

本発明の低放射率被覆を有するモノリシック透明体の形態での被覆された物品の側面図（一定の縮尺でない）である。 二重断熱ガラスユニット（ＩＧＵ）へと組み込まれた図１の被覆の側面図（一定の縮尺でない）である。 三重断熱ガラスユニット（ＩＧＵ）へと組み込まれた図１の被覆の側面図（一定の縮尺でない）である。

「左」、「右」、「内側」、「外側」、「上方」、「下方」などの空間又は方向の用語は、図面に示されているようにして本発明に関連する。しかしながら、本発明は、様々な代替の向きを取ることができ、したがって、このような用語は限定するようにみなされるべきものではない。

明細書及び特許請求の範囲で使用されるすべての数字は、すべての場合で「約」という用語によって修飾されるとして理解されるものである。「約」は、述べられた値のプラス又はマイナス１０パーセントの範囲を意味する。

本明細書で開示されているすべての範囲は、始まり及び終わりの範囲の値と、そこに含まれる任意及びすべての部分的範囲とを包含している。本明細書で開示された範囲は、特定の範囲にわたっての平均値を表している。

被覆する層又は膜に関して、「わたって」という用語は、議論されている被覆する層又は膜が配置されている基板（又は基層）からさらに遠いことを意味する。例えば、第１の層に「わたって」配置された第２の層は、第２の層が第１の層より基板（又は基層）からさらに遠くに配置されることを意味する。第２の層は第１の層と直接接触していてもよい。あるいは、１つ又は複数の他の層が第１の層と第２の層との間に配置されてもよい。

「膜」という用語は、材料の、化学的に区別できるか又は均質である組成又は混合物を有する領域を意味する。「層」は１つ又は複数の「膜」を備える。「被覆」は１つ又は複数の「層」を備える。

「ポリマ」又は「ポリマの」という用語は、例えば２つ以上の種類のモノマ又はポリマから形成されたポリマといった、オリゴマ、ホモポリマ、コポリマ、及びターポリマを含む。

「紫外線放射」という用語は、波長を１００ｎｍから３８０ｎｍ未満までの範囲で有する電磁放射を意味する。「可視光放射」又は「可視光」という用語は、波長を３８０ｎｍから７８０ｎｍまでの範囲で有する電磁放射を意味する。「赤外線放射」という用語は、波長を７８０ｎｍ超から１００，０００ｎｍまでの範囲で有する電磁放射を意味する。「太陽赤外線放射」という用語は、波長を１，０００ｎｍから３，０００ｎｍまでの範囲で有する電磁放射を意味する。「熱赤外線放射」という用語は、波長を３，０００ｎｍ超から１００，０００ｎｍまでの範囲で有する電磁放射を意味する。

本明細書で言及されるすべての文献は、それらの全体において「参照により組み込まれている」。

「光学的厚さ」という用語は、５５０ｎｍの基準波長における材料の屈折率によって乗算される材料の幾何学的厚さを意味する。例えば、５ｎｍの幾何学的厚さと、５５０ｎｍの基準波長における２の屈折率とを有する材料は、１０ｎｍの光学的厚さを有することになる。

「焼き戻し」又は「熱処理」という用語は、議論されている物品又は被覆が、熱焼き戻し、熱曲げ、又は熱強化を達成するのに十分な温度まで加熱されていること、又は、加熱させることができることを意味する。この定義は、例えば、熱焼き戻し、熱曲げ、又は熱強化を達成するための時間の期間にわたって、少なくとも６００℃など、少なくとも６２０℃など、少なくとも５８０℃の温度でオーブン又は炉で物品を加熱することを含む。例えば、１〜５分間など、１〜１５分間の範囲の時間の期間にわたって物品を加熱する。

「焼き戻し可能」という用語は、議論されている物品又は被覆が最終的な使用のために焼き戻しされるように設計されることを意味する。

「非焼き戻し」及び「非熱処理」という用語は、最終的な使用のために、焼き戻しされないこと、熱処理されないこと、又は、焼き戻し若しくは熱処理されるように設計されないことを意味する。

「金属」及び「金属酸化物」という用語は、シリコンは従来から金属と見なされていない可能性があるが、伝統的に見なされている金属及び金属酸化物と同様に、シリコン及びシリカをそれぞれ含む。

「少なくとも〜」は、「〜以上」を意味する。「〜より大きくない」は、「〜以下」を意味する。

他に特定されていない場合、量へのあらゆる言及は、「重量パーセントによる」ものである。

厚さの値は、そうでないと指示されていない場合、幾何学的厚さの値である。

「ドーパント」は、２ｗｔ．％までなどのｗｔ．％までなど、５ｗｔ．％までなど、１０ｗｔ．％までの量で存在できる材料である。例えば、１ｗｔ．％までである。例えば、０．５ｗｔ．％までである。例えば、０．１ｗｔ．％までである。

「含む」（include）という用語は「備える」（comprise）と同じ意味である。

「硬化性」という用語は、重合又は架橋結合のできる材料を意味する。「硬化」は、材料が少なくとも部分的に重合又は架橋結合され、好ましくは完全に重合又は架橋結合されることを意味する。

ＬＳＧ（light to solar gain：日射に対する光の取得）比率は、ＳＨＧＣによって除算された可視光の透過率である。

「基準ＩＧＵ」は、空気で満たされた１．２ｍｍ（０．５インチ）の隙間によって分けられた、２つの離間された３ｍｍの澄んだガラスの物品を有するＩＧＵとして定められている。「基準ＩＧＵ値」は、基準ＩＧＵにおける被覆についての報告値を意味する。

「基準積層ユニット」は、ポリビニル・ブチラールの０．７６ｍｍの中間層によって、２番目の表面における被覆を伴って、連結される２．１ｍｍの澄んだガラスの２枚重ねを有するとして定義される。基準積層ユニット値は、被覆が２番目の表面における基準積層ユニットへと組み込まれるときの報告値を意味する。

「日射制御被覆」（solar control coating）という用語は、被覆から反射される、被覆によって吸収される、又は被覆を通じて透過される太陽放射の量など、被覆された物品の日射特性に影響を与える１つ又は複数の層又は膜から成る被覆を言っている。

光学的及び日射制御性能の値（例えば、可視光透過率及び／又は曇価）は、そうでないと指示されていない場合、Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ １０５０ Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒを用いて決定されるものである。基準ＩＧＵ値は、そうでない指示されていない場合、Ｌａｗｒｅｎｃｅ Ｂｅｒｋｅｌｅｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙから入手可能なＯＰＴＩＣＳ（ｖ６．０）ソフトウェア及びＷＩＮＤＯＷ（ｖ７．３．４．０）ソフトウェアに従って決定され、ガラス窓の中心（ＣＯＧ）で測定され、ＮＦＲＣ２０１０（ＮＦＲＣ１００−２０１０を含む）標準デフォルト設定により計算されるものである。

Ｕ値は、そうでないと指示されていない場合、冬季／夜間のＵ値である。Ｕ値は、そうでないと指示されていない場合、ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆの単位で報告される。

ＳＨＧＣ値は、そうでないと指示されていない場合、夏季／昼間の値である。

シート抵抗値は、そうでないと指示されていない場合、４点プローブ（例えば、Ｎａｇｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＳＤ−６００測定装置又はＡｌｅｓｓｉ４点プローブ）を用いて決定されるものである。表面粗さ値は、Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３１００ Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅを用いて決定されるものである。

明度（例えば、Ｌ^＊、ａ^＊、ｂ^＊、Ｃ^＊、及び色相°）は、国際照明委員会によって特定された１９７６年ＣＩＥＬＡＢ色システムに従っている。

明細書及び特許請求の範囲におけるＬ^＊、ａ^＊、及びｂ^＊の値は、色中心点の値を表している。通常の製造誤差内での本発明の日射制御被覆を組み込む基準ＩＧＵ又は基準積層ユニットは、中心点の値に対して、４ＣＭＣ単位未満（つまり、ΔＥｃｍｃ＜４）、好ましくは、２ＣＭＣ単位未満（つまり、ΔＥｃｍｃ＜２）のΔＥｃｍｃ色差を有するべきである。

本発明の議論は、「特には」又は「好ましくは」特定の制限内にあるものとして、特定の特徴を記載するかもしれない（例えば、特定の制限内において「好ましくは」、「より好ましくは」、又は「なおもより好ましくは」）。本発明が、これらの特定又は好ましい制限に限定されず、本開示の全体の範囲を包含することは、理解されよう。

本発明は、任意の組み合わせで、本発明の以下の態様を備え、から成り、又は、本質的にから成る。本発明の様々な態様は別々の図に示されている。しかしながら、これが単に図示及び議論を容易にするためのものであることは、理解されよう。本発明の実施では、ある図に示した本発明の１つ又は複数の態様は、他の図に示した本発明の１つ又は複数の態様と組み合わされてもよい。

本発明は、建築用透明体に関して詳述されている。「建築用透明体」は、窓、ＩＧＵ、又は天窓など、建物に配置される任意の透明体を意味する。しかしながら、本発明は、建築用透明体での使用に限定されず、陸上、空中、宇宙、水上、又は水中の乗り物のための積層又は非積層の住宅用又は商用の窓又は透明体など、任意の所望の分野における透明体で実施されてもよいことと、理解されよう。そのため、具体的に開示されている実例が、本発明の一般的な概念を説明するだけのために提示されていることと、本発明がこれらの具体的な実例に限定されていないことが、理解されよう。また、典型的な「透明体」は、実体が透明体を通じてはっきりと見られるように十分な可視光透過性を有し得る一方で、本発明の実施では、「透明体」は可視光に対して透明である必要はなく、半透明であってもよい。

本発明の特徴を組み込んでいるモノリシック透明体の形態での被覆された物品１０が、図１に示されている。被覆された物品１０は、第１の主表面１４と、反対の第２の主表面１６とを有する基板１２を備えている。

本発明の低放射率被覆３０が、基板１２の少なくとも１つの主表面の少なくとも一部分にわたって配置される。図１に示した実例では、低放射率被覆３０は、基板１２の第２の主表面１６の少なくとも一部分にわたって配置されている。低放射率被覆３０は第１の位相調節層４０を備えている。第１の金属機能層４６が第１の位相調節層４０にわたって配置されている。第１の下塗層４８が第１の金属機能層４６にわたって配置されている。第２の位相調節層５０が、第１の金属機能層４６にわたって（例えば、第１の下塗層４８にわたって）配置されている。第２の金属機能層５８が第２の位相調節層５０にわたって配置されている。第２の下塗層６０が第２の金属機能層５８にわたって配置されている。第３の位相調節層６２が、第２の金属機能層５８にわたって（例えば、第２の下塗層６０にわたって）配置されている。保護層９２が第３の位相調節層６２にわたって配置されている。

基板１２は可視光放射に対して透明であり得る。「透明」は、０％より大きく１００％までの可視光放射の透過率を有することを意味する。あるいは、重なりは半透明であり得る。「半透明」は、視認者の反対の側における物体がはっきりと見えないように拡散する可視光放射を意味する。適切な材料の例には、限定されることはないが、プラスチック基板（ポリアクリレートなどのアクリルポリマなどや、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリプロピルメタクリレートなどのポリアルキルメタクリレートや、ポリウレタンや、ポリカーボネートや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリアルキルテレフタレートや、ポリシロキサン含有ポリマや、若しくは、これらを調製するための任意のモノマのコポリマや、又はそれらの任意の混合物）、セラミック基板、ガラス基板、又は上記のうちのいずれかの混合物若しくは組み合わせがある。例えば、基板は、従来のソーダ石灰珪酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、又は鉛入りガラスを備えてもよい。ガラスは澄んだガラスであり得る。「澄んだガラス」は、着色されていないガラス又は色付きとされていないガラスを意味する。あるいは、ガラスは、着色されたガラス又は色付きとされたガラスであり得る。ガラスは、熱処理されたガラス又は熱処理されていないガラスであり得る。ガラスは、従来のフロート・ガラスなどの任意の種類のものとでき、例えば、可視光放射の透過率、紫外線放射の透過率、赤外線放射の透過率、又は全体の太陽エネルギーの透過率のいずれかの値といった任意の光学的特性を有する任意の組成のものであり得る。「フロート・ガラス」は、溶融ガラスが溶融金属浴上に堆積され、フロート・ガラス・リボンを形成するように制御可能に冷却される従来のフロート工程によって形成されるガラスを意味する。

基板１２は、例えば、澄んだフロート・ガラスであり得る、又は、着色若しくは色付きとされたガラスであり得る。基板１２は、例えば長さ、幅、形、又は厚さといった、任意の所望の寸法のものであり得る。本発明の実施のために使用され得るガラスの非限定的な例には、澄んだガラス、Ｓｔａｒｐｈｉｒｅ（登録商標）、Ｓｏｌａｒｇｒｅｅｎ（登録商標）、Ｓｏｌｅｘｔｒａ（登録商標）、ＧＬ−２０（登録商標）、ＧＬ−３５（商標）、Ｓｏｌａｒｂｒｏｎｚｅ（登録商標）、Ｓｏｌａｒｇｒａｙ（登録商標）ガラス、Ｐａｃｉｆｉｃａ（登録商標）ガラス、ＳｏｌａｒＢｌｕｅ（登録商標）ガラス、及びＯｐｔｉｂｌｕｅ（登録商標）ガラスがあり、すべてＰｉｔｔｓｂｕｒｇｈ、ＰｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａのＰＰＧ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ｉｎｃ．から市販されている。

位相調節層４０、５０、６２は非金属材料を備えている。例えば、位相調節層４０、５０、６２は誘電材料又は半導体材料を備え得る。例えば、位相調節層４０、５０、６２は、酸化物、窒化物、酸窒化物、ホウ化物、炭化物、オキシ炭化物、ホウ炭化物、ホウ窒化物、炭窒化物、又は、それらの混合物、組み合わせ、混ぜ合わせ、若しくは合金を備え得る。位相調節層４０、５０、６２のための適切な材料の例には、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、錫、シリコン、アルミニウム、ホウ素、及び、それらの混合物、組み合わせ、混ぜ合わせ、又は合金の酸化物、窒化物、又は酸窒化物がある。これらは少量の他の材料を有してもよい。例として、酸化ビスマスにおけるマンガン、酸化インジウムにおける錫などがある。また、金属合金又は金属混合物の酸化物が使用されてもよい。例として、亜鉛及び錫を含む酸化物（例えば、錫酸亜鉛）、インジウム錫合金の酸化物、窒化ケイ素、シリコン窒化アルミニウム、又は窒化アルミニウムがある。さらに、ドープされた金属酸化物、亜酸化物、窒化物、亜窒化物、又は酸窒化物が使用され得る。例として、アンチモン若しくはインジウムのドープされた酸化錫、又は、ニッケル若しくはボロンのドープされたシリコン酸化物がある。材料の具体的な例には、酸化亜鉛、酸化錫、シリコン窒化物、シリコン−アルミニウム窒化物、シリコン−ニッケル窒化物、シリコン−クロム窒化物、アンチモンでドープされた酸化錫、錫でドープされた酸化亜鉛、アルミニウムでドープされた酸化亜鉛、インジウムでドープされた酸化亜鉛、酸化チタン、又は、それらの混合物、組み合わせ、混ぜ合わせ、若しくは合金がある。

位相調節層４０、５０、６２は単一の材料を備え得る。あるいは、位相調節層４０、５０、６２は、複数の材料及び／又は複数の膜を備え得る。位相調節層４０、５０、６２は、化学的に異なる材料若しくは相の層状の一連の膜を備え得る、又は、１つ若しくは複数の化学的に異なる材料若しくは相の１つ若しくは複数の複合材料を備え得る。異なる位相調節層４０、５０、６２は、同じ又は異なる材料を備え得る。位相調節層４０、５０、６２は、同じ又は異なる厚さを有し得る。

位相調節層４０、５０、６２は、低放射率被覆３０の層の様々な界面境界から部分的に反射される、又は、その界面境界から部分的に透過される電磁放射の建設的及び相殺的な光学干渉の調節を可能にする。位相調節層４０、５０、６２の厚さ及び／又は組成を変えることで、低放射率被覆３０の全体の反射率、透過率、及び／又は吸収率を変化させることができ、これは、低放射率被覆３０の日射制御性能、熱赤外線絶縁性能、色、及び／又は美観を変更することができる。また、位相調節層４０、５０、６２は、金属機能層など、低放射率被覆３０の他の層に対して化学的及び／又は機械的な保護を提供する。

位相調節層４０、５０、６２は、低放射率被覆３０の全可視光の反射率を低下させるために、及び／又は、可視光透過率を増加させるために、金属機能層を反射防止させるための反射防止層として作用できる。約２の屈折率を有する材料が、金属機能層の反射防止にとって特に有用である。

図示した例示の被覆３０では、第１の位相調節層４０は、基板１２の第２の主表面１６の少なくとも一部分にわたって配置されている。第１の位相調節層４０は、単一の層であり得る、又は、先に記載した反射防止材料又は誘電材料の１つ若しくは複数の膜を備え得る。第１の位相調節層４０は可視光に対して透明であり得る。第１の位相調節層４０は、例えば可視光といった、電磁スペクトルの１つ又は複数の領域において最小の吸収を呈し得るか、又は呈しなくてもよい。

第１の位相調節層４０は、金属酸化物、金属酸化物の混合物、又は、金属合金酸化物を備え得る。例えば、第１の位相調節層４０は、ドープされた又はノンドープの亜鉛及び錫の酸化物を備え得る。

第１の位相調節層４０は、光学的厚さを７５ｎｍ〜１１２ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは８４ｎｍ〜１０３ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは８９ｎｍ〜９９ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは９３ｎｍ〜９５ｎｍの範囲である。

第１の位相調節層４０は、幾何学的厚さを３６ｎｍ〜５６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは４２ｎｍ〜５２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４２ｎｍ〜４９ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４４ｎｍ〜４８ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第１の位相調節層４０は、光学的厚さを７５ｎｍ〜１１２ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは８４ｎｍ〜１０３ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは８９ｎｍ〜９９ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは９３ｎｍ〜９５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第１の位相調節層４０は、幾何学的厚さを３７ｎｍ〜５６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは４２ｎｍ〜５２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４４ｎｍ〜４９ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４６ｎｍ〜４８ｎｍの範囲である。

例示の非焼き戻しした被覆３０では、第１の位相調節層４０は、光学的厚さを７２ｎｍ〜１０８ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは８１ｎｍ〜９９ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは８５ｎｍ〜９４ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは８９ｎｍ〜９１ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第１の位相調節層４０は、幾何学的厚さを３６ｎｍ〜５４ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは４０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４２ｎｍ〜４７ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４４ｎｍ〜４６ｎｍの範囲である。

第１の位相調節層４０は、第１の膜４２と第２の膜４４とを有する多膜構造を備えてもよい。第２の膜４４は第１の膜４２にわたって配置され得る。

第１の膜４２は、金属合金の酸化物、又は、金属酸化物の混合物であり得る。例えば、第１の膜４２は亜鉛及び錫の合金又は混合物の酸化物であり得る。「亜鉛及び錫の合金」は、真の合金及び真の混合物を意味する。亜鉛及び錫の合金の酸化物は、亜鉛及び錫の陰極からのマグネトロン・スパッタリング真空蒸着から得られるものであり得る。陰極は、１０ｗｔ．％〜９０ｗｔ．％の亜鉛と９０ｗｔ．％〜１０ｗｔ．％の錫の割合など、５ｗｔ．％〜９５ｗｔ．％の亜鉛と９５ｗｔ．％〜５ｗｔ．％の錫の割合で亜鉛及び錫を備え得る。しかしながら、亜鉛の錫に対する他の割合が用いられてもよい。第１の膜４２のための例示の金属合金酸化物は、Ｚｎ_ｘＳｎ_１−ｘＯ_２−Ｘ（化学式１）として記述でき、ここで、「ｘ」は０超から１未満までの範囲で変化する。例えば、「ｘ」は０より大きくでき、０超から１未満の間の任意の分数又は小数であり得る。化学式１の化学量論的形態は、錫酸亜鉛と一般的に称される「Ｚｎ_２ＳＯ_４」である。錫酸亜鉛層は、酸素の存在において５２ｗｔ．％の亜鉛と４８ｗｔ．％の錫とを有する陰極からスパッタ蒸着され得る。例えば、第１の膜４２は錫酸亜鉛を備え得る。

ドープされた酸化亜鉛が、陰極のスパッタリング特性を向上させるために別の材料を含む亜鉛陰極から蒸着され得る。例えば、亜鉛陰極は、スパッタリングを向上させるために少量の錫（例えば、５ｗｔ．％までなどの１０ｗｔ．％まで）を含み得る。その場合、結果生じる酸化亜鉛膜は、例えば１０ｗｔ．％までの酸化錫、例えば５ｗｔ．％までの酸化錫といった、わずかな比率の酸化錫を含むことになる。その他の材料の例には、アルミニウム、インジウム、及びそれらの組み合わせがある。好ましくは、他の材料は錫を備える。酸素の存在下において９０ｗｔ．％の亜鉛と１０ｗｔ．％の錫とを備える陰極から蒸着される、錫でドープされた酸化亜鉛材料は、ＺｎＯ９０／１０と本明細書では称される。

第２の膜４４は、金属酸化物、ドープされた金属酸化物、又は、金属酸化物の混合物を備え得る。例えば、第２の膜４４は、酸化亜鉛又はドープされた酸化亜鉛を備え得る。例えば、第２の膜４４は、錫でドープされた酸化亜鉛を備え得る。例えば、第２の膜４４はＺｎＯ９０／１０を備え得る。

第２の膜４４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

第１の膜４２は、幾何学的厚さを２４ｎｍ〜４６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは３０ｎｍ〜４２ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第２の膜４４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第１の膜４２は、幾何学的厚さを２６ｎｍ〜４６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは３２ｎｍ〜４２ｎｍの範囲である。

例示の非焼き戻しした被覆３０では、第２の膜４４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第１の膜４２は、幾何学的厚さを２４ｎｍ〜４４ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは３０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲である。

金属機能層４６、５８は、例えば、電磁スペクトルの太陽赤外線放射の領域、又は、熱赤外線放射の領域において、電磁スペクトルの赤外線放射範囲に少なくとも一部分において電磁放射の反射率を提供する。被覆３０は２つの金属機能層を有し得る。あるいは、被覆３０は３つ以上の金属機能層を有し得る。

金属機能層４６、５８に対して有用な材料の例には、貴金属又は準貴金属がある。このような金属の例には、銀、金、白金、パラジウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、銅、水銀、レニウム、アルミニウム、及びそれらの組み合わせがある。例えば、金属機能層４６、５８の１つ又は複数は金属の銀を備え得る。

第１の金属機能層４６は上記の金属のいずれかを備え得る。例えば、第１の金属機能層４６は銀を備え得る。

第１の金属機能層４６は連続層であり得る。例えば、第１の金属機能層４６は、幾何学的厚さを５ｎｍ〜８．５ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは６．５ｎｍ〜７．５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは６．６ｎｍ〜７．３ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第１の金属機能層４６は、幾何学的厚さを５ｎｍ〜８ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは６ｎｍ〜７．５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは６．５ｎｍ〜７ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは６．６ｎｍ〜６．８ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第１の金属機能層４６は、幾何学的厚さを５．５ｎｍ〜８．５ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは６．５ｎｍ〜８ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは６．８ｎｍ〜７．５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは７ｎｍ〜７．３ｎｍの範囲である。

下塗層４８、６０は、関連する下にある金属機能層４６、５８と直に接触して配置され得る。下塗層４８、６０は、被覆工程、又は、熱焼き戻しなどの後に続く工程の間、関連する金属機能層４６、５８を保護する。下塗り材料は金属として蒸着される。上にある位相調節層の蒸着、又は、熱焼き戻しなどの後に続く工程の間、金属下塗り材料の一部又は全部が酸化する。酸化物材料又は窒化物材料が位相調節層で使用されるとき、下塗層４８、６０はそれぞれ親酸素性材料又は親窒素性材料を備え得る。下塗層４８、６０はすべて同じ材料である必要はない。下塗層４８、６０は同じ厚さのものである必要はない。

下塗層４８、６０について有用である材料の例には、チタン、ニオブ、タングステン、ニッケル、クロム、鉄、タンタル、ジルコニウム、アルミニウム、シリコン、インジウム、錫、亜鉛、モリブデン、ハフニウム、ビスマス、バナジウム、マンガン、及びそれらの組み合わせがある。好ましくは、下塗層４８、６０はチタンを備える。

第１の下塗層４８は第１の金属機能層４６にわたって配置されている。第１の下塗層４８は単一の膜又は複数の膜の層であり得る。第１の下塗層４８は、先に記載した材料のいずれかを備え得る。例えば、第１の下塗層４８はチタンを備え得る。

第１の下塗層４８は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは１．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆では、第１の下塗層４８は、幾何学的厚さを２．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは２．７ｎｍ〜３．３ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆では、第１の下塗層４８は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜２．５ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１．７ｎｍ〜２．３ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは１．８ｎｍ〜２．２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは１．９ｎｍ〜２．１ｎｍの範囲である。

第２の位相調節層５０は、位相調節層について先に記載した材料のいずれかを備え得る。

第２の位相調節層５０は、光学的厚さを１３６ｎｍ〜２０４ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは１５５ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは１６２ｎｍ〜１７２ｎｍの範囲である。

第２の位相調節層５０は、幾何学的厚さを６５ｎｍ〜１０２ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは７７ｎｍ〜８９ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８１ｎｍ〜８６ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆では、第２の位相調節層５０は、光学的厚さを１３６ｎｍ〜２０４ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは１５３ｎｍ〜１８７ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは１６１ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは１６８ｎｍ〜１７２ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆では、第２の位相調節層５０は、幾何学的厚さを６８ｎｍ〜１０２ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは７６ｎｍ〜９４ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８０ｎｍ〜８９ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８４ｎｍ〜８６ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆では、第２の位相調節層５０は、光学的厚さを１４７ｎｍ〜１８１ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは１５５ｎｍ〜１７２ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは１６２ｎｍ〜１６６ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆では、第２の位相調節層５０は、幾何学的厚さを６５ｎｍ〜９８ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは７３ｎｍ〜９０ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは７７ｎｍ〜８６ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８１ｎｍ〜８３ｎｍの範囲である。

第２の位相調節層５０は、単一の層又は多層の構造であり得る。例えば、第２の位相調節層５０は、第１の膜５２と、第２の膜５４と、第３の膜５６と、任意選択で第４の膜５７とを含み得る。

第１の膜５２、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、金属酸化物膜又はドープされた金属酸化物膜を備え得る。例えば、酸化亜鉛膜、又は、ＺｎＯ９０／１０などの錫でドープされた酸化亜鉛膜である。

第２の膜５４は金属合金酸化物膜を備え得る。例えば、第２の膜５４は錫酸亜鉛膜を備え得る。任意選択の第４の膜５７が存在する場合、第２の膜５４は２つ以上の蒸着ステップで蒸着でき、第４の膜５７は、第２の膜５４のための蒸着ステップのうちの２つの間で蒸着される。

第１の膜５２、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

第２の膜５４は、幾何学的厚さを６２ｎｍ〜８４ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは７２ｎｍ〜８５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０において、第１の膜５２、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第２の膜５４は、幾何学的厚さを６５ｎｍ〜８４ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは７５ｎｍ〜８５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０において、第１の膜５２、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第２の膜５４は、幾何学的厚さを６２ｎｍ〜８１ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは７２ｎｍ〜７７ｎｍの範囲である。

第２の金属機能層５８は第２の位相調節層５０にわたって（例えば、第３の膜５６にわたって）配置されている。

第２の金属機能層５８は連続層であり得る。第２の金属機能層５８は、金属機能層について先に記載した材料のいずれかを備え得る。例えば、第２の金属機能層５８は銀を備え得る。

第２の金属機能層５８は、幾何学的厚さを７ｎｍ〜１１ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８．３ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８．７ｎｍ〜９．２ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第２の金属機能層５８は、幾何学的厚さを７ｎｍ〜１１ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８．５ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは９ｎｍ〜９．２ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第２の金属機能層５８は、幾何学的厚さを７ｎｍ〜１１ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８．３ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは８．７ｎｍ〜８．９ｎｍの範囲である。

第２の下塗層６０は、第１の下塗層４８に関して先に記載したような材料及び／又は厚さのいずれかのものであり得る。例えば、第２の下塗６０はチタンを備え得る。

第２の下塗層６０は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは１．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆では、第２の下塗層６０は、幾何学的厚さを２．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは２．７ｎｍ〜３．３ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆では、第２の下塗層６０は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜２．５ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１．７ｎｍ〜２．３ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは１．８ｎｍ〜２．２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは１．９ｎｍ〜２．１ｎｍの範囲である。

第３の位相調節層６２は、第１の位相調節層４０及び第２の位相調節層５０に関して先に詳述したような材料及び／又は層のいずれかを含み得る。例えば、第３の位相調節層６２は多膜構造であり得る。

第３の位相調節層６２は、光学的厚さを４６ｎｍ〜７３ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは５５ｎｍ〜６８ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲である。

第３の位相調節層６２は、幾何学的厚さを２３ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは２７ｎｍ〜３５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２８ｎｍ〜３４ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第３の位相調節層６２は、光学的厚さを４６ｎｍ〜７０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは５２ｎｍ〜６４ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは５５ｎｍ〜６１ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは５７ｎｍ〜５９ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第３の位相調節層６２は、幾何学的厚さを２３ｎｍ〜３５ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは２６ｎｍ〜３２ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２７ｎｍ〜３１ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第３の位相調節層６２は、光学的厚さを５９ｎｍ〜７３ｎｍの範囲で有し得る。例えば、光学的厚さは６２ｎｍ〜６８ｎｍの範囲である。例えば、光学的厚さは６５ｎｍ〜６７ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第３の位相調節層６２は、幾何学的厚さを２６ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは２９ｎｍ〜３６ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは３１ｎｍ〜３５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは３２ｎｍ〜３４ｎｍの範囲である。

例えば、第３の位相調節層６２は第１の膜６４と第２の膜６６とを含み得る。

第１の膜６４は金属酸化物材料を備え得る。例えば、酸化亜鉛又はドープされた酸化亜鉛の材料である。例えば、錫でドープされた酸化亜鉛である。例えば、ＺｎＯ９０／１０である。第２の膜６６は金属合金酸化物材料を備え得る。例えば、錫酸亜鉛である。

第１の膜６４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

第２の膜６６は、幾何学的厚さを９ｎｍ〜３２ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１４ｎｍ〜２８ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第１の膜６４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、第２の膜６６は、幾何学的厚さを９ｎｍ〜２８ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１４ｎｍ〜２４ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第１の膜６４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、第２の膜６６は、幾何学的厚さを１３ｎｍ〜３２ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１８ｎｍ〜２８ｎｍの範囲である。

保護層９２は低放射率被覆３０の末端層であり得る。保護層９２は、位相調節層に関して先に記載されているものなどの１つ又は複数の非金属材料を備え得る。あるいは、保護層９２は金属材料を備え得る。保護層９２は化学的及び／又は機械的な保護を下にある被覆層に提供できる。

例えば、保護層９２は金属酸化物又は金属窒化物の層であり得る。例えば、保護層９２はチタニアを備え得る。

保護層９２は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは４ｎｍ〜５．５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４．３ｎｍ〜５．２５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４．４ｎｍ〜５．０５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０では、保護層９２は、幾何学的厚さを４．５ｎｍ〜５．５ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは２ｎｍ〜８ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４．７５ｎｍ〜５．２５ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４．９５ｎｍ〜５．０５ｎｍの範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０では、保護層９２は、幾何学的厚さを４ｎｍ〜５ｎｍの範囲で有し得る。例えば、幾何学的厚さは４．３ｎｍ〜４．７ｎｍの範囲である。例えば、幾何学的厚さは４．４ｎｍ〜４．６ｎｍの範囲である。

第２の金属機能層５８は第１の金属機能層４６より厚い。第２の金属機能層５８の幾何学的厚さによって除算された第１の金属機能層４６の幾何学的厚さの割合は０．５より大きい。例えば、０．６以上である。例えば、０．６〜１．５など、０．５超〜２の範囲である。例えば、０．６〜１の範囲である。

焼き戻しした被覆３０について、第２の金属機能層５８の幾何学的厚さによって除算された第１の金属機能層４６の幾何学的厚さの割合が、０．６〜０．９など、０．６〜１の範囲にある。例えば、０．７〜０．８の範囲である。例えば、０．７２〜０．７６の範囲である。

焼き戻ししていない被覆３０について、第２の金属機能層５８の幾何学的厚さによって除算された第１の金属機能層４６の幾何学的厚さの割合が、０．６７〜１など、０．６〜１の範囲にある。例えば、０．７５〜０．８５の範囲である。例えば、０．８〜０．８４の範囲である。

低放射率被覆３０は任意の従来の方法によって堆積され得る。このような方法の例には、従来の化学蒸着（ＣＶＤ）方法及び物理蒸着（ＰＶＤ）方法がある。ＣＶＤ工程の例には噴霧熱分解がある。ＰＶＤ工程の例には、電子ビーム蒸着及び真空スパッタリング（マグネトロン・スパッタ蒸着（ＭＳＶＤ））がある。限定されることはないが、ゾルゲル堆積など、他の被覆方法が使用されてもよい。ある非限定的な実施例では、被覆３０はＭＳＶＤによって蒸着され得る。

低放射率被覆３０は放射率を０．０３５〜０．０６５の範囲で有する。例えば、０．０４〜０．０６の範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵのＳＨＧＣを０．４〜０．６５の範囲で提供する。例えば、０．４５〜０．６２の範囲である。例えば、０．５〜０．６の範囲である。例えば、０．５５〜０．５９の範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０は基準ＩＧＵのＳＨＧＣを０．５５〜０．５８５の範囲で提供する。例えば、０．５７〜０．５８の範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０は基準ＩＧＵのＳＨＧＣを０．５６〜０．５７の範囲で提供する。例えば、０．５６２〜０．５６６の範囲である。

低放射率被覆３０は、基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値を１．１４〜２．２７Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２〜０．４ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で提供する。例えば、１．２５〜１．９９Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２２〜０．３５ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲である。例えば、１．３１〜１．７６Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２３〜０．３１ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲である。例えば、１．３６〜１．７０Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２４〜０．３０ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲である。

例示の焼き戻しした被覆３０は、基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値を１．６〜１．８Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２８〜０．３２ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で提供する。例えば、１．６６〜１．６８Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２９〜０．３０ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲である。

例示の焼き戻ししていない被覆３０は、基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値を１．７〜１．８２Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２９９〜０．３２０ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で提供できる。例えば、１．７１〜１．７５Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．３０１〜０．３０８ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの外部で可視反射率を５〜２０パーセントの範囲で提供する。例えば、７〜１８パーセントの範囲である。例えば、１０〜１５パーセントの範囲である。例えば、１１〜１３パーセントの範囲である。例えば、１２〜１３パーセントの範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの可視光透過率を６０〜９５パーセントの範囲で提供する。例えば、６５〜８５パーセントの範囲である。例えば、７０〜８０パーセントの範囲である。例えば、７２〜７６パーセントの範囲である。例えば、７４〜７６パーセントの範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの透過Ｌ^＊を８０〜９５の範囲で提供する。例えば、８１〜９２の範囲である。例えば、８５〜９１の範囲である。例えば、８８〜９０の範囲である。例えば、８９〜９０パーセントの範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの透過ａ^＊を１〜−４の範囲で提供する。例えば、０〜−３の範囲である。例えば、−０．０５〜−２．７５の範囲である。例えば、−１〜−２．５の範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの透過ｂ^＊を３〜−１の範囲で提供する。例えば、０〜２．５の範囲である。例えば、０．５〜２の範囲である。例えば、０．７〜１．５の範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの外部反射Ｌ^＊を３０〜５０の範囲で提供する。例えば、３５〜４５の範囲である。例えば、４０〜４５の範囲である。例えば、４１〜４３の範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの外部反射ａ^＊を３〜−３．５の範囲で提供する。例えば、０〜−３の範囲である。例えば、−１〜−２．７５の範囲である。例えば、−１．５〜−２．７の範囲である。

低放射率被覆３０は基準ＩＧＵの外部反射ｂ^＊を３〜−３の範囲で提供する。例えば、２〜−２の範囲である。例えば、１〜−１の範囲である。例えば、０．５〜−０．５の範囲である。

図２は、二重断熱ガラスユニット（ＩＧＵ）１００へと組み込まれた図１の被覆３０を示している。ＩＧＵ１００は、建物外部を向く、つまり、外を向く主表面である第１の主表面１１４（１番目の表面）と、建物の内部を向く、つまり、内を向く面である第２の主表面１１６（２番目の表面）とを有する第１の重なり１１２を備えている。断熱ガラスユニット１００は、外を向く主表面１２０（３番目の表面）と、内を向く主表面１２２（４番目の主表面）とを有する第２の重なり１１８を備えている。第２の重なり１１８は第１の重なり１１２から離間されている。重なりの表面のこの番号付けは、窓割りの技術における従来の実践に沿っている。

第１の重なり１１２及び第２の重なり１１８は、基板１２について先に記載した材料のうちのいずれかのものであり得る。第２の重なり１１８は第１の重なり１１２と同じであり得、又は、第２の重なり１１８は第１の重なり１１２と異なり得る。第１の重なり１１２及び第２の重なり１１８は各々、例えば、澄んだフロート・ガラスであり得、又は、着色若しくは色付きとされたガラスであり得、又は、一方の重なり１１２、１１８は澄んだガラスであり、他方の重なり１１２、１１８は色付きとされたガラスであり得る。

第１の重なり１１２と第２の重なり１１８とは、従来のスペーサ・フレーム１２４に接着で接合されることによってなど、任意の適切な手法で一体に連結され得る。隙間又は区画室１２６が２つの重なり１２、１１８の間に形成されている。区画室１２６は、例えば、空気、又は、アルゴン若しくはクリプトンのガスなどの非反応性ガスといった、選択された雰囲気で満たされ得る。

低放射率被覆３０は表面１１４、１１６、１２０、又は１２２のいずれかに配置され得る。図示した例では、低放射率被覆３０は３番目の表面１２０に配置されている。

図３は、三重断熱ガラスユニット（ＩＧＵ）２００へと組み込まれた図１の被覆３０を示している。ＩＧＵ２００は、建物外部を向く、つまり、外を向く主表面である第１の主表面２１４（１番目の表面）と、建物の内部を向く、つまり、内を向く面である第２の主表面２１６（２番目の表面）とを有する第１の重なり２１２を含んでいる。断熱ガラスユニット２００は、外を向く主表面２２０（３番目の表面）と、内を向く主表面２２２（４番目の主表面）とを有する第２の重なり２１８を含んでいる。断熱ガラスユニット２００は、外を向く主表面２２６（５番目の表面）と、内を向く主表面２２８（６番目の主表面）とを有する第３の重なり２２４を含んでいる。第１の重なり２１２、第２の重なり２１８、及び第３の重なり２２４は互いから離間されている。重なりの表面のこの番号付けは、窓割りの技術における従来の実践に沿っている。

第１の重なり２１２と、第２の重なり２１８と、第３の重なり２２４とは、従来のスペーサ・フレーム２３２に接着で接合されることによってなど、任意の適切な手法で一体に連結され得る。第１の隙間又は区画室２３４が第１の重なり２１２と第２の重なり２１８との間に定められており、第２の隙間又は区画室２３６が第２の重なり２１８と第３の重なり２２４との間に形成されている。区画室２３４及び２３６は、例えば、空気、又は、アルゴン若しくはクリプトンのガスなどの非反応性ガスといった、選択された雰囲気で満たされ得る。

低放射率被覆３０は表面２１４、２１６、２２０、２２２、２２６、又は２２８のいずれかに配置され得る。図示した例では、低放射率被覆３０は５番目の表面２２６に配置されている。

第１の重なり２１２、第２の重なり２１８、及び／又は第３の重なり２３４は、基板１２について先に記載した材料のうちのいずれかのものであり得る。重なり同士は同じであり得、又は、１つ若しくは複数の重なりが他の１つ若しくは複数の重なりと異なり得る。重なりはそれぞれ、例えば、澄んだフロート・ガラスであり得、又は、着色若しくは色付きとされたガラスであり得、又は、１つ又は複数の重なりは澄んだガラスであり、他の１つ若しくは複数の重なりは色付きとされたガラスであり得る。

第２の被覆２３８が、ガラス重ねの１つ又は複数の他の表面に配置されてもよい。例えば、第２の被覆２３８は、２番目の表面２１６、３番目の表面２２０、又は４番目の表面２２２に配置され得る。好ましくは、第２の被覆２３８は２番目の表面２１６又は３番目の表面２２０に配置される。より好ましくは、第２の被覆２３８は３番目の表面２２０に配置される。

第２の被覆２３８は第１の被覆３０と同じであってもよい。

あるいは、第２の被覆２３８は第１の被覆３０と異なってもよい。例えば、第１の被覆３０は２つの金属機能層を有してもよく、第２の被覆２３８は１つだけの金属機能層を有してもよい。第２の被覆２３８は第１の被覆３０より大きいＳＨＧＣを有してもよい。第２の被覆２３８は第１の被覆３０より大きいＵ値を有してもよい。例示の第２の被覆２３８は、ＰＰＧ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＳＵＮＧＡＴＥ４００被覆である。

表１は、本発明の例示の焼き戻しした被覆（試料１）と、例示の焼き戻ししていない被覆（試料２）とを示している。各々の被覆は３ｍｍの澄んだフロート・ガラスの一片に形成されている。報告された厚さはｎｍでの幾何学的厚さである。試料における錫でドープされた酸化亜鉛の膜は、１０重量パーセントの錫と９０重量パーセントの亜鉛を含む陰極から蒸着された（つまりＺｎＯ９０／１０）。「ＰＡＬ」は位相調節層を意味する。各々の第１のＰＡＬは、錫酸塩の膜にわたる錫でドープされた酸化亜鉛であった。錫でドープされた酸化亜鉛膜は、５〜１５ｎｍの範囲で幾何学的厚さを有している。各々の第２のＰＡＬは、各々の錫でドープされた酸化亜鉛膜が５〜１５ｎｍの範囲で幾何学的厚さを有する状態で、錫でドープされた酸化亜鉛／錫酸亜鉛／錫でドープされた酸化亜鉛の層になっている。第３のＰＡＬは、錫でドープされた酸化亜鉛膜が５〜１５ｎｍの範囲で幾何学的厚さを有する状態で、錫でドープされた酸化亜鉛の膜にわたる錫酸亜鉛の膜になっている。保護層「ＰＬ」はチタニアであった。下塗層は、金属として蒸着され、さらなる処理ステップによって少なくとも部分的に酸化されている、チタニアであった。反射層（ＩＲ＃１及びＩＲ＃２）は金属の銀である。試料１及び２は製作コーティング機で作られている。

表２は、Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｍｏｄｅｌ １０５０を機器の取扱説明書に従って使用して、試料１についての測定されたデータを示している。表３は、Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｍｏｄｅｌ １０５０を機器の取扱説明書に従って使用して、試料２についての測定されたデータを示している。「ＵＶ」は、３００〜３８０ｎｍの範囲でのパーセントでの紫外線放射である。「ＶＩＳ」は可視光放射（光源Ｄ６５、２°観察者）である。「ＩＲ」は、７８０〜２５００ｎｍの範囲でのパーセントでの赤外線放射である。「日射」は、３００〜２５００ｎｍの範囲でのパーセントでの太陽放射である（ＩＳＯ ９０５０規格に従って測定された）。色パラメータＬ^＊、ａ^＊、ｂ^＊、Ｃ^＊、及び色相°は、光源Ｄ６５、１０°観察者についての値である。

表４及び表５は、３ｍｍの澄んだフロート・ガラスの２枚重ねを、２枚重ねの間に１．２７ｃｍ（０．５インチ）の隙間を伴うと共に３番目の表面に被覆を伴って有する基準ＩＧＵについての基準ＩＧＵデータを示している。「空気」は、ＩＧＵが基準ＩＧＵであったこと、つまり、隙間が空気で満たされていたことを意味する。Ｔ（Ｖ）はパーセントでの可視光放射透過率を意味する。ＲＥ（Ｖ）はパーセントでの可視光放射の外部反射率を意味する。ＲＩ（Ｖ）はパーセントでの可視光放射の内部反射率を意味する。Ｔ（Ｓ）はパーセントでの太陽放射透過率を意味する。ＲＥ（Ｓ）はパーセントでの太陽放射の外部反射率を意味する。ＲＩ（Ｓ）はパーセントでの太陽放射の内部反射率を意味する。ＵＶ（Ｔ）はパーセントでの紫外線放射透過率を意味する。ＵＦ（Ｗ）は冬季／夜間のＵ値（ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）を意味する。ＵＦ（Ｓ）は夏季／昼間のＵ値（ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）を意味する。ＳＣは遮蔽係数を意味する。ＳＨＧＣは夏季／昼間の日射熱取得率を意味する。ＬＳＧは日射に対する光の取得の比率を意味する。Ｌ^＊（Ｔ）、ａ^＊（Ｔ）、及びｂ^＊（Ｔ）は透過されたＬ^＊、ａ^＊、及びｂ^＊を意味する。Ｌ^＊（ＲＥ）、ａ^＊（ＲＥ）、及びｂ^＊（ＲＥ）は反射された外部Ｌ^＊、ａ^＊、及びｂ^＊を意味する。

表６及び表７は、３ｍｍの澄んだフロート・ガラスの２枚重ねを、２枚重ねの間に１．２７ｃｍ（０．５インチ）の隙間を伴うと共に３番目の表面に被覆を伴って有する基準ＩＧＵについての基準ＩＧＵデータを示している。「ＡＲ９０」という用語は、ＩＧＵが９０パーセントのアルゴンと１０パーセントの空気とを隙間に有することを意味する。

本発明は、以下の番号付けられた条項を参照してさらに説明され得る。

条項１：低放射率被覆３０が、複数の位相調節層４０、５０、６２と、第１の金属機能層４６と、第１の金属機能層４６にわたって配置されると共に第１の金属機能層４６から離間される第２の金属機能層５８とを備え、低放射率被覆３０は、少なくとも０．４の基準ＩＧＵの夏季／昼間のＳＨＧＣと、０．４ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆでしかない基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値とを提供する。

条項２：第１の位相調節層４０と、第１の位相調節層４０にわたって配置される第１の金属機能層４６と、第１の金属機能層４６にわたって配置される第１の下塗層４８と、第１の下塗層４８にわたって配置される第２の位相調節層５０と、第２の位相調節層５０にわたって配置される第２の金属機能層５８と、第２の金属機能層５８にわたって配置される第２の下塗層６０と、第２の下塗層６０にわたって配置される第３の位相調節層６２と、第３の位相調節層６２にわたって配置される保護層９２とを備える、条項１に記載の低放射率被覆３０。

条項３：位相調節層４０、５０、６２は非金属層を備える、条項１又は２に記載の低放射率被覆３０。

条項４：位相調節層４０、５０、６２は誘電材料又は半導体材料を備える、条項１から３のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５：位相調節層４０、５０、６２は酸化物、窒化物、酸窒化物、又はそれらの混合物を備える、条項１から４のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６：位相調節層４０、５０、６２は、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、錫、及び、それらの混合物の酸化物、窒化物、又は酸窒化物を備える、条項１から５のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項７：位相調節層４０、５０、６２は、好ましくは亜鉛及び錫を含む酸化物である、１つ又は複数の金属、金属合金、又は金属混合物の酸化物を備える、条項１から６のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８：位相調節層４０、５０、６２は複数の膜を備える、条項１から７のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９：第１の位相調節層４０は亜鉛及び錫の酸化物を備える、条項１から８のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１０：第１の位相調節層４０は、光学的厚さを７２ｎｍ〜１１２ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを８４ｎｍ〜１０３ｎｍの範囲で、より好ましくは光学的厚さを８９ｎｍ〜９５ｎｍの範囲で有する、条項１から９のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１１：第１の位相調節層４０は、幾何学的厚さを３６ｎｍ〜５６ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを４２ｎｍ〜４９ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを４４ｎｍ〜４８ｎｍの範囲で有する、条項１から１０のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１２：第１の位相調節層４０は第１の膜４２と第２の膜４４とを備える、条項１から１１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１３：第１の膜４２は、金属合金酸化物、又は、金属酸化物の混合物を備える、条項１２に記載の低放射率被覆３０。

条項１４：第２の膜４４は、金属酸化物膜、ドープされた金属酸化物膜、又は酸化物混合物膜を備える、条項１２又は１３に記載の低放射率被覆３０。

条項１５：第１の膜４２は、亜鉛及び錫、好ましくは亜鉛／錫合金酸化物、より好ましくは錫酸亜鉛を備える、条項１２から１４のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１６：第２の膜４４は、金属酸化物、好ましくはドープされた酸化亜鉛、より好ましくは錫でドープされた酸化亜鉛を備える、条項１２から１５のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。例えば、ＺｎＯ９０／１０である。

条項１７：第２の膜４４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項１２から１６までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１８：第１の膜４２は、幾何学的厚さを２４ｎｍ〜４６ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを３０ｎｍ〜４２ｎｍの範囲で有する、条項１２から１７までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１９：金属機能層４６、５８は、銀、金、白金、パラジウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、銅、水銀、レニウム、アルミニウム、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を備え、好ましくは銀を備える、条項１から１８までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２０：第１の金属機能層４６は、幾何学的厚さを５ｎｍ〜８．５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを６．５ｎｍ〜７．５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを６．６ｎｍ〜７．３ｎｍの範囲で有する、条項１から１９のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２１：下塗層４８、６０は、チタン、ニオブ、タングステン、ニッケル、クロム、鉄、タンタル、ジルコニウム、アルミニウム、シリコン、インジウム、錫、亜鉛、モリブデン、ハフニウム、ビスマス、バナジウム、マンガン、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される材料を含み、好ましくはチタンを含む、条項２から２０のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２２：第１の下塗層４８は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを１．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを１．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲で有する、条項２から２１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２３：第２の位相調節層５０は、光学的厚さを１３６ｎｍ〜２０４ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを１５５ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲で、より好ましくは１６２ｎｍ〜１７２ｎｍの範囲で有する、条項１から２２のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２４：第２の位相調節層５０は、幾何学的厚さを６５ｎｍ〜１０２ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを７７ｎｍ〜８９ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを８１ｎｍ〜８６ｎｍの範囲で有する、条項１から２３のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２５：第２の位相調節層５０は、第１の膜５２と、第２の膜５４と、第３の膜５６と、任意選択で第４の膜５７とを備える、条項１から２４のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２６：第１の膜５２、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、金属酸化物、好ましくはドープされた金属酸化物、より好ましくは錫でドープされた酸化亜鉛を備える、条項２５に記載の低放射率被覆３０。例えば、ＺｎＯ９０／１０である。

条項２７：第２の膜５４は金属合金酸化物を備え、好ましくは錫酸塩を備える、条項２５又は２６に記載の低放射率被覆３０。

条項２８：第１の膜５２、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項２５から２７までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項２９：第２の膜５４は、幾何学的厚さを６２ｎｍ〜８４ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを７２ｎｍ〜８５ｎｍの範囲で有する、条項２５から２８までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３０：第２の金属機能層５８は銀を備える、条項１から２９のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３１：第２の金属機能層５８は、幾何学的厚さを７ｎｍ〜１１ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを８．３ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを８．７ｎｍ〜９．２ｎｍの範囲で有する、条項１から３０のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３２：第２の下塗層６０はチタンを備える、条項２から３１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３３：第２の下塗層６０は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを１．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを１．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲で有する、条項２から３２のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３４：第３の位相調節層６２は、光学的厚さを４６ｎｍ〜７３ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを５５ｎｍ〜６８ｎｍの範囲で、より好ましくは光学的厚さを５７ｎｍ〜６７ｎｍの範囲で有する、条項１から３３のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３５：第３の位相調節層６２は、幾何学的厚さを２３ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを２７ｎｍ〜３５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを２８ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で有する、条項１から３４のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３６：第３の位相調節層６２は第１の膜６４と第２の膜６６とを備える、条項１から３５のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項３７：第１の膜６４は、金属酸化物、好ましくはドープされた金属酸化物、より好ましくは錫でドープされた酸化亜鉛を備える、条項３６に記載の低放射率被覆３０。例えば、ＺｎＯ９０／１０である。

条項３８：第２の膜６６は金属合金酸化物材料を備え、好ましくは錫酸亜鉛を備える、条項３６又は３７に記載の低放射率被覆３０。

条項３９：第１の膜６４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項３６から３８までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４０：第２の膜６６は、幾何学的厚さを９ｎｍ〜３２ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを１４ｎｍ〜２８ｎｍの範囲で有する、条項３６から３９までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４１：保護層９２は、金属、金属酸化物、及び金属窒化物から成る群から選択され、好ましくはチタニアである、条項２から４０までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４２：保護層９２は、幾何学的厚さを４ｎｍ〜５．５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを４．３ｎｍ〜５．２５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを４．４ｎｍ〜５．０５ｎｍの範囲で有する、条項２から４１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４３：被覆３０は、放射率を０．０３５〜０．０６５の範囲で、好ましくは０．０４〜０．０６の範囲で有する、条項１から４２までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４４：被覆３０は、基準ＩＧＵのＳＨＧＣを０．４〜０．６５の範囲で、好ましくは０．５〜０．６の範囲で、より好ましくは０．５５〜０．５９の範囲で提供する、条項１から４３までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４５：被覆３０は、基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値を、１．１４〜２．２７Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２〜０．４ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で、好ましくは１．３１〜１．７６Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２３〜０．３１ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で、より好ましくは１．３６〜１．７０Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２４〜０．３０ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で提供する、条項１から４４までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４６：被覆３０は、基準ＩＧＵの外部で可視反射率を５〜２０パーセントの範囲で、好ましくは１０〜１５パーセントの範囲で、より好ましくは１１〜１３パーセントの範囲で提供する、条項１から４５までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４７：被覆３０は、基準ＩＧＵの可視光透過率を６０〜９５パーセントの範囲で、好ましくは７０〜８０パーセントの範囲で、より好ましくは７２〜７６パーセントの範囲で提供する、条項１から４６までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４８：被覆３０は、基準ＩＧＵの透過Ｌ^＊を８０〜９５の範囲で、好ましくは８５〜９１の範囲で、より好ましくは８８〜９０の範囲で提供する、条項１から４７までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項４９：被覆３０は、基準ＩＧＵの透過ａ^＊を１〜−４の範囲で、好ましくは−０．０５〜−２．７５の範囲で、より好ましくは−１〜−２．５の範囲で提供する、条項１から４８までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５０：被覆３０は、基準ＩＧＵの透過ｂ^＊を３〜−１の範囲で、好ましくは０．５〜２の範囲で、より好ましくは０．７〜１．５の範囲で提供する、条項１から４９までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５１：被覆３０は、基準ＩＧＵの外部反射Ｌ^＊を３０〜５０の範囲で、好ましくは４０〜４５の範囲で、より好ましくは４１〜４３の範囲で提供する、条項１から５０までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５２：被覆３０は、基準ＩＧＵの外部反射ａ^＊を３〜−３．５の範囲で、好ましくは−１〜−２．７５の範囲で、より好ましくは−１．５〜−２．７の範囲で提供する、条項１から５１までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５３：被覆３０は、基準ＩＧＵの外部反射ｂ^＊を３〜−３の範囲で、好ましくは１〜−１の範囲で、より好ましくは０．５〜−０．５の範囲で提供する、条項１から５２までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５４：被覆３０は焼き戻しした被覆である、条項１から５３のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５５：第１の位相調節層４０は、光学的厚さを７５ｎｍ〜１１２ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを８４ｎｍ〜１０３ｎｍの範囲で、より好ましくは光学的厚さを９３ｎｍ〜９５ｎｍの範囲で有する、条項５４に記載の低放射率被覆３０。

条項５６：第１の位相調節層４０は、幾何学的厚さを３７ｎｍ〜５６ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを４４ｎｍ〜４９ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを４６ｎｍ〜４８ｎｍの範囲で有する、条項５４又は５５に記載の低放射率被覆３０。

条項５７：第１の位相調節層４０は第１の膜４２と第２の膜４４とを備え、第２の膜４４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項５４から５６までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項５８：第１の膜４２は、幾何学的厚さを２６ｎｍ〜４６ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを３２ｎｍ〜４２ｎｍの範囲で有する、条項５７に記載の低放射率被覆３０。

条項５９：第１の金属機能層４６は、幾何学的厚さを５ｎｍ〜８ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを６．５ｎｍ〜７ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを６．６ｎｍ〜６．８ｎｍの範囲で有する、条項５４から５８のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６０：第１の下塗層４８は、幾何学的厚さを２．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを２．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを２．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲で有する、条項５４から５９のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６１：第２の位相調節層５０は、光学的厚さを１３６ｎｍ〜２０４ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを１６１ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲で、より好ましくは１６８ｎｍ〜１７２ｎｍの範囲で有する、条項５４から６０のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６２：第２の位相調節層５０は、幾何学的厚さを６８ｎｍ〜１０２ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを８０ｎｍ〜８９ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを８４ｎｍ〜８６ｎｍの範囲で有する、条項５４から６１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６３：第２の位相調節層５０は、第１の膜５２、第２の膜５４、第３の膜５６、及び任意選択の第４の膜５７を備え、第１の膜５４、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項５４から６２までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６４：第２の膜５４は、幾何学的厚さを６５ｎｍ〜８４ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを７５ｎｍ〜８５ｎｍの範囲で有する、条項６３に記載の低放射率被覆３０。

条項６５：第２の金属機能層５８は、幾何学的厚さを７ｎｍ〜１１ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを８．５ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを９ｎｍ〜９．２ｎｍの範囲で有する、条項５４から６４のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６６：第２の下塗層６０は、幾何学的厚さを２．５ｎｍ〜３．６ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを２．８ｎｍ〜３．２ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを２．９ｎｍ〜３．１ｎｍの範囲で有する、条項５４から６５のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６７：第３の位相調節層６２は、光学的厚さを４６ｎｍ〜７０ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを５５ｎｍ〜６１ｎｍの範囲で、より好ましくは光学的厚さを５７ｎｍ〜５９ｎｍの範囲で有する、条項６６に記載の低放射率被覆３０。

条項６８：第３の位相調節層６２は、幾何学的厚さを２３ｎｍ〜３５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを２７ｎｍ〜３１ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを２８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲で有する、条項５４から６７のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項６９：第３の位相調節層６２は第１の膜６４と第２の膜６６とを備える、条項５４から６８のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項７０：第１の膜６４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項６９に記載の低放射率被覆３０。

条項７１：第２の膜６６は、幾何学的厚さを９ｎｍ〜２８ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを１４ｎｍ〜２４ｎｍの範囲で有する、条項６９又は７０に記載の低放射率被覆３０。

条項７２：保護層９２は、幾何学的厚さを４．５ｎｍ〜５．５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを４．７５ｎｍ〜５．２５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを４．９５ｎｍ〜５．０５ｎｍの範囲で有する、条項５４から７１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項７３：被覆３０は、基準ＩＧＵのＳＨＧＣを０．５５〜０．５８５の範囲で、好ましくは０．５７〜０．５８の範囲で提供する、条項５４から７２までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項７４：被覆３０は、基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値を、１．６〜１．８Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２８〜０．３２ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で、好ましくは１．６６〜１．６８Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２９〜０．３０ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で提供する、条項５４から７３までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項７５：被覆３０は焼き戻ししていない被覆である、条項１から５３のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項７６：第１の位相調節層４０は、光学的厚さを７２ｎｍ〜１０８ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを８５ｎｍ〜９４ｎｍの範囲で、より好ましくは光学的厚さを８９ｎｍ〜９１ｎｍの範囲で有する、条項７５に記載の低放射率被覆３０。

条項７７：第１の位相調節層４０は、幾何学的厚さを３６ｎｍ〜５４ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを４２ｎｍ〜４７ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを４４ｎｍ〜４６ｎｍの範囲で有する、条項７５又は７６に記載の低放射率被覆３０。

条項７８：第１の位相調節層４０は第１の膜４２と第２の膜４４とを備え、第１の膜４２は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項７５から７７までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項７９：第２の膜４４は、幾何学的厚さを２４ｎｍ〜４４ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを３０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で有する、条項７８に記載の低放射率被覆３０。

条項８０：第１の金属機能層４６は、幾何学的厚さを５．５ｎｍ〜８．５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを６．８ｎｍ〜７．５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを７ｎｍ〜７．３ｎｍの範囲で有する、条項７５から７９のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８１：第１の下塗層４８は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜２．５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを１．８ｎｍ〜２．２ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを１．９ｎｍ〜２．１ｎｍの範囲で有する、条項７５から８０のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８２：第２の位相調節層５０は、光学的厚さを１４７ｎｍ〜１８１ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを１５５ｎｍ〜１７２ｎｍの範囲で、より好ましくは１６２ｎｍ〜１８６ｎｍの範囲で有する、条項７５から８１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８３：第２の位相調節層５０は、幾何学的厚さを６５ｎｍ〜９８ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを７７ｎｍ〜８６ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを８１ｎｍ〜８３ｎｍの範囲で有する、条項７５から８２のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８４：第２の位相調節層５０は、第１の膜５２、第２の膜５４、第３の膜５６、及び任意選択の第４の膜５７を備え、第１の膜５２、及び／又は第３の膜５６、及び／又は任意選択の第４の膜５７は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項７５から８３までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８５：第２の膜５４は、幾何学的厚さを６２ｎｍ〜８１ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを７２ｎｍ〜７７ｎｍの範囲で有する、条項８４に記載の低放射率被覆３０。

条項８６：第２の金属機能層５８は、幾何学的厚さを７ｎｍ〜１１ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを８．３ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを８．７ｎｍ〜８．９ｎｍの範囲で有する、条項７５から８５のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８７：第２の下塗層６０は、幾何学的厚さを１．５ｎｍ〜２．５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを１．８ｎｍ〜２．２ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを１．９ｎｍ〜２．１ｎｍの範囲で有する、条項７５から８６のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８８：第３の位相調節層６２は、光学的厚さを５９ｎｍ〜７３ｎｍの範囲で、好ましくは光学的厚さを６２ｎｍ〜６８ｎｍの範囲で、より好ましくは光学的厚さを６５ｎｍ〜６７ｎｍの範囲で有する、条項７５から８７のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項８９：第３の位相調節層６２は、幾何学的厚さを２６ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを３１ｎｍ〜３５ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを３２ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で有する、条項７５から８８のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９０：第３の位相調節層６２は第１の膜６４と第２の膜６６とを備える、条項７５から８９のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９１：第１の膜６４は、幾何学的厚さを１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で有する、条項９０に記載の低放射率被覆３０。

条項９２：第２の膜６６は、幾何学的厚さを１３ｎｍ〜３２ｎｍの範囲で、好ましくは、幾何学的厚さを１８ｎｍ〜２８ｎｍの範囲で有する、条項９０又は９１に記載の低放射率被覆３０。

条項９３：保護層９２は、幾何学的厚さを４ｎｍ〜５ｎｍの範囲で、好ましくは幾何学的厚さを４．３ｎｍ〜４．７ｎｍの範囲で、より好ましくは幾何学的厚さを４．４ｎｍ〜４．６ｎｍの範囲で有する、条項７５から９２のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９４：被覆３０は、基準ＩＧＵのＳＨＧＣを０．５６〜０．５７の範囲で、好ましくは０．５６２〜０．５６６の範囲で提供する、条項７５から９３までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９５：被覆３０は、基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値を、１．７〜１．８２Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．２９９〜０．３２０ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で、好ましくは１．７１〜１．７５Ｗ／ｍ２−Ｋ（０．３０１〜０．３０８ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆ）の範囲で提供する、条項７５から９４までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９６：低放射率被覆３０は２つだけの金属機能層４６、５８を含む、条項１から９５までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９７：第１の金属機能層４６は第２の金属機能層５８より薄い、条項１から９６までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９８：第１の金属機能層４６は、幾何学的厚さを、６ｎｍ〜８ｎｍの範囲で、好ましくは、６．５ｎｍ〜７．５ｎｍの範囲で有する、条項１から９７までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項９９：第２の金属機能層５８は、幾何学的厚さを、８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で、好ましくは、８．５ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲で有する、条項１から９８までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１００：第２の金属機能層５８の幾何学的厚さによって除算された第１の金属機能層４６の幾何学的厚さの割合が０．６〜１の範囲にある、条項１から９９までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１０１：亜鉛及び錫の酸化物を備え、光学的厚さを８４ｎｍ〜１０３ｎｍの範囲で有する第１の位相調節層４０と、第１の位相調節層４０にわたって配置され、幾何学的厚さを６ｎｍ〜８ｎｍの範囲で有する銀を備える第１の金属機能層４６と、第１の金属機能層４６にわたって配置される第１の下塗層４８と、第１の下塗層４８にわたって配置され、光学的厚さを１５５ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲で有する亜鉛及び錫の酸化物を備える第２の位相調節層５０と、第２の位相調節層５０にわたって配置され、幾何学的厚さを８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で有する銀を備える第２の金属機能層５８と、第２の金属機能層５８にわたって配置される第２の下塗層６０と、第２の下塗層６０にわたって配置され、光学的厚さを５５ｎｍ〜６８ｎｍの範囲で有する亜鉛及び錫の酸化物を備える第３の位相調節層６２と、第３の位相調節層６２にわたって配置され、光学的厚さを１０．５〜１３の範囲で有する保護層９２とを備える、条項１から１００までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０。

条項１０２：条項１から１０１までのいずれか１つに記載の低放射率被覆３０を備える断熱ガラスユニット１００、２００。

条項１０３：３番目の表面に低放射率被覆３０を伴う二重断熱ガラスユニットである、条項１０２に記載の断熱ガラスユニット１００、２００。

条項１０４：５番目の表面に低放射率被覆３０を伴う三重断熱ガラスユニットである、条項１０２に記載の断熱ガラスユニット１００、２００。

条項１０５：５番目の表面に低放射率被覆３０と、２番目の表面２１６、３番目の表面２２０、又は４番目の表面２２２に配置され、好ましくは２番目の表面２１６又は３番目の表面２２０に配置され、より好ましくは２番目の表面２１６に配置される第２の被覆２３８とを伴う三重断熱ガラスユニット２００である、条項１０２に記載の断熱ガラスユニット１００、２００。

条項１０６：第２の被覆２３８は第１の被覆３０と同じである、条項１０５に記載の断熱ガラスユニット２００。

条項１０７：第２の被覆２３８は第１の被覆３０と異なる、条項１０５又は１０６に記載の断熱ガラスユニット２００。

条項１０８：第１の被覆３０は２つの金属機能層４６、５８を有し、第２の被覆２３８は１つだけの金属機能層を有する、条項１０５から１０７のいずれか１つに記載の断熱ガラスユニット２００。

条項１０９：第２の被覆２３８は第１の被覆３０より大きいＳＨＧＣを有する、条項１０５から１０８のいずれか１つに記載の断熱ガラスユニット２００。

条項１１０：第２の被覆２３８は第１の被覆３０より大きいＵ値を有する、条項１０５から１０９のいずれか１つに記載の断熱ガラスユニット２００。

条項１１１：条項１から１０１のいずれか１つに記載の低放射率被覆３０の、ＩＧＵ１００、２００における使用。

先の記載において開示された概念から逸脱することなく本発明に改良がおこなわれ得ることは、当業者によって容易に理解されるであろう。したがって、本明細書で詳細に記載された具体的な実施例は、単なる例示であり、本発明の範囲を限定することはなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲と、その任意のすべての等価物の最大範囲を与えられることになる。

Claims (14)

1. 低放射率被覆であって、前記低放射率被覆は、
   亜鉛及び錫の酸化物を備える第１の位相調節層と、
   前記第１の位相調節層の上に配置され、幾何学的厚さを６ｎｍ〜８ｎｍの範囲で有する銀を備える第１の金属機能層と、
   前記第１の金属機能層の上に配置されている第１の下塗層と、
   前記第１の下塗層の上に配置され、光学的厚さを１５５ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲で有する亜鉛及び錫の酸化物を備える第２の位相調節層と、
   前記第２の位相調節層の上に配置され、幾何学的厚さを８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で有する銀を備える第２の金属機能層と、
   前記第２の金属機能層の上に配置されている第２の下塗層と、
   前記第２の下塗層の上に配置されている第３の位相調節層と、
   前記第３の位相調節層の上に配置されている保護層と
   を備え、
   前記低放射率被覆は、少なくとも０．４の基準ＩＧＵの夏季／昼間のＳＨＧＣと、０．４ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆでしかない基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値とを提供する、低放射率被覆。
2. 前記低放射率被覆は、２つだけの金属機能層を含む、請求項１に記載の低放射率被覆。
3. 前記第１の金属機能層は、前記第２の金属機能層よりも薄い、請求項１に記載の低放射率被覆。
4. 前記第１の金属機能層は、幾何学的厚さを６．５ｎｍ〜７．５ｎｍの範囲で有する、請求項１に記載の低放射率被覆。
5. 前記第２の金属機能層は、幾何学的厚さを８．５ｎｍ〜９．５ｎｍの範囲で有する、請求項１に記載の低放射率被覆。
6. 前記低放射率被覆は、放射率を０．０４〜０．０６の範囲で有する、請求項１に記載の低放射率被覆。
7. 前記低放射率被覆は、基準ＩＧＵのＳＨＧＣを０．４〜０．６５の範囲で提供する、請求項１に記載の低放射率被覆。
8. 前記被覆は、焼き戻しした被覆である、請求項１に記載の低放射率被覆。
9. 前記被覆は、焼き戻ししていない被覆である、請求項１に記載の低放射率被覆。
10. 光学的厚さを８４ｎｍ〜１０３ｎｍの範囲で有する第１の位相調節層と、
    光学的厚さを５５ｎｍ〜６８ｎｍの範囲で有する亜鉛及び錫の酸化物を備える第３の位相調節層と、
    光学的厚さを１０．５ｎｍ〜１３ｎｍの範囲で有する保護層と、
    を備える、請求項１に記載の低放射率被覆。
11. 断熱ガラスユニットであって、前記断熱ガラスユニットは、
    複数のガラス重ねと、
    前記ガラス重ねのうちの少なくとも１つの主表面上に配置される低放射率被覆であって、前記低放射率被覆は、
    亜鉛及び錫の酸化物を備える第１の位相調節層、
    前記第１の位相調節層の上に配置され、幾何学的厚さを６ｎｍ〜８ｎｍの範囲で有する銀を備える第１の金属機能層、
    前記第１の金属機能層の上に配置されている第１の下塗層、
    前記第１の下塗層の上に配置され、光学的厚さを１５５ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲で有する亜鉛及び錫の酸化物を備える第２の位相調節層、
    前記第２の位相調節層の上に配置され、幾何学的厚さを８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で有する銀を備える第２の金属機能層、
    前記第２の金属機能層の上に配置されている第２の下塗層、
    前記第２の下塗層の上に配置されている第３の位相調節層、及び、
    前記第３の位相調節層の上に配置されている保護層
    を備える、低放射率被覆と
    を備え、
    前記低放射率被覆は、少なくとも０．４の基準ＩＧＵの夏季／昼間のＳＨＧＣと、０．４ＢＴＵ／ｈｒ−ｆｔ^２−°Ｆでしかない基準ＩＧＵの冬季／夜間のＵ値とを提供する、断熱ガラスユニット。
12. 前記低放射率被覆は２つだけの金属機能層を含む、請求項１１に記載の断熱ガラスユニット。
13. 前記第１の金属機能層は、前記第２の金属機能層よりも薄い、請求項１１に記載の断熱ガラスユニット。
14. ３番目の表面に前記低放射率被覆を伴う二重断熱ガラスユニットと、５番目の表面に前記低放射率被覆を伴う三重断熱ガラスユニットとから成る群から選択される、請求項１１に記載の断熱ガラスユニット。