JP2020173348A - 光導波路部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ハイブリッド集積に際して、光素子の高効率な光結合を実現し、且つチャネル間クロストークを抑制し得る光導波路部品を提供する。【解決手段】オフセット構造を採用した光導波路部品の平面光波回路は、光素子が搭載される光路変換部４０の傾斜溝４０ａにおけるコア３０の側の傾斜面Ｓ１の局部をミラー面Ｍとする入出力部ＩＯを備える。傾斜溝４０ａは、コア３０における光信号の出射方向と交わり、基板の水平方向と垂直な方向に対してコア３０よりも深く形成されている。傾斜溝４０ａには、傾斜面Ｓ１の局部のミラー面Ｍと対向する対向傾斜面Ｓ２の側に基板の水平方向におけるオフセット部４０ｂが傾斜溝４０ａに連通するように設けられる。オフセット部４０ｂを通してミラー面Ｍに反射膜７を被着させると、反射膜７を精度良く簡便に形成できる。【選択図】図３

Description

本発明は、平面光波回路（Ｐｌａｎａｒ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下、ＰＬＣと表記する）等を用いた光導波路部品に関し、詳しくは、光素子の実装に好適な光路変換部を備え、光通信システムに応用可能な光導波路部品及びその製造方法に関する。

近年、光ファイバ伝送技術の普及に伴い、多数の光素子を高密度に集積する技術が求められている。その一つとして、光導波路部品としての石英系のＰＬＣが知られている。ＰＬＣは、低損失、高信頼性、高い設計自由度といった優れた特徴を有する導波路型光デバイスである。実際に、光通信伝送端における伝送装置には、合分波器、分岐・結合器等の機能を集積したＰＬＣが搭載されている。

また、伝送装置内には、ＰＬＣ以外の光デバイスとして、光と電気信号とを変換するフォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ：以下、ＰＤと表記する）、レーザーダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ：以下、ＬＤと表記する）等の光素子も搭載されている。さらに、通信容量の拡大に向けて、光信号の処理を行うＰＬＣ等の光導波路と、光電変換を行うＰＤ等の光デバイスと、を集積した高機能な光電子集積型デバイスが求められている。

このような光電子集積型デバイスのプラットフォームとして、ＰＬＣは有望である。その周知技術には、ＰＤ及びＰＬＣのチップをハイブリッドに集積した「光導波路部品およびその作製方法」（特許文献１参照）が挙げられる。

特開２００５−７０３６５号公報

この特許文献１では、光導波路の一部の領域に光路変換部としての４５度ミラーを設け、その光導波路上にＰＤを実装している。これにより、光導波路を伝搬する光を４５度ミラーで垂直に光路変換し、ＰＤとの光結合を行う技術を開示している。

こうしたＰＬＣ上に光結合用の光路変換部、ＰＤ等の光素子を実装する光電子集積型デバイスでは、小型化、回路設計の自由度の面で利点がある。さらに、近年では、通信容量を一層拡大させるため、光信号の合分波機能を持たせたＰＬＣにおいて、アレイ化した複数の光素子を低損失となるように結合し、多チャネル（ｃｈ）化し得る機能が光電子集積型デバイスに求められている。

上述した特許文献１の光電子集積型デバイスとなる光導波路部品において、例えばＰＬＣから光路変換部で光路変換した光を出射する場合を仮定する。この場合、光の通り路となるコアから漏れてクラッドを伝搬する光がチャネル間クロストークを引き起こす。こうした光（以下、迷光と表記する）は、基本的に光路変換部で光路変換されることを避ける必要がある。

そこで、迷光を対策するための技術も考慮されている。例えば、光路変換部付近のＰＬＣにおける光導波路の表面に信号光以外の反射光を妨げる遮光板を設ける場合が挙げられる。また、図１は、周知の光電子集積型デバイスとなる光導波路部品としての迷光対策構造を採用したＰＬＣ１０Ａを例示した斜視図（公然周知に係る発明でないが、当業者が容易に着想し得る構造）である。

図１を参照すれば、ＰＬＣ１０Ａは、シリコン、二酸化シリコン等による基板（ウェハ）１の上面を、二酸化シリコン等による薄膜で覆って光導波路２を形成して構成される。光導波路２は、基板１の表面上にアンダークラッド２ａ、コア３、及びオーバークラッド２ｂの薄膜を、この順で堆積して形成される。光導波路２において、アンダークラッド２ａ及びオーバークラッド２ｂは、合わせてコア３を覆うクラッドとみなすことができる。汎用例として、アンダークラッド２ａ及びオーバークラッド２ｂの膜厚を約２０μｍとした場合、それらの間のコア３の膜厚は、約３〜１０μｍの範囲で選定する。

このＰＬＣ１０Ａでは、さらに、迷光対策構造として、光路変換部４付近における略Ｓ字型のコア３の直線状に延びる部分の周囲に対し、複数（図１中では総計５個）の遮光部５を並設している。これらの遮光部５は、複数の遮光溝を光導波路２のオーバークラッド２ｂに対して形成した後、各遮光溝内に遮光材を充填して形成される。図１に示すＰＬＣ１０Ａでは、手前側に示される短辺の端面をコア３の光入力用とした場合、光導波路２のコア３の出射側に光路変換部４が形成される。

細部構成を説明すれば、図１の迷光対策構造の場合には、各遮光部５は、４チャネル分のコア３の上述した直線状に延びる部分の両側にそれぞれ配置されている。このような配置により、コア３を伝播する光が光路変換部４で反射されて光路変換される際の信号光以外の反射光を妨げることができる。因みに、光路変換部４は、光導波路２に形成された専用の傾斜溝の傾斜面におけるミラー面とする箇所に対し、アルミニウム膜等の金属の反射膜を被着することによって、形成される。

ところが、このような迷光対策構造の場合、遮光部５を作成するためには、別途に専用の遮光溝を設け、遮光溝に遮光材を充填する必要がある。このため、製造プロセス上、煩雑な工程になることを回避できない上、そのためのスペース確保が必要となってしまう。こうした構成によれば、光電子集積型デバイスに要求される小型化、実装の簡便化を困難にしてしまう。

さらに、別例として、迷光除去用の専用のミラーを設けて迷光を空間に出射するようにし、迷光をＰＬＣにおける光導波路の面内から除去する構成も考えられる。

しかしながら、係る構成を適用すると、空間に出射された迷光が信号光に混合する可能性があるため、基本的にクロストークの発生を回避するための好適な手法とは云えない。

要するに、周知の光導波路部品において、ＰＬＣをプラットフォームとした光素子とのハイブリッド集積を行う場合、現状では、要求される事項の具現化が困難になっている。その要求される事項とは、実装される光素子の高効率な光結合を実現し、且つチャネル間クロストークを抑制できる機能である。

本発明は、このような問題点を解決すべくなされたものである。その技術的課題は、ハイブリッド集積に際して、光素子の高効率な光結合を実現し、且つチャネル間クロストークを抑制し得る光導波路部品及びその精度良く簡便な製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一実施態様は、基板の上面に設けられ、コア及び当該コアを覆うクラッドを含む光導波路と、光導波路の一部に形成され、実装される光素子との間で光信号を光路変換して入出力する光路変換部と、を備える光導波路部品であって、光路変換部は、コアにおける光信号の出射方向と交わり、基板の水平方向と垂直な方向に対して当該コアよりも深く形成された傾斜溝における当該コアの側の傾斜面の局部をミラー面とする入出力部を備え、傾斜溝には、ミラー面と対向する対向傾斜面の側に基板の水平方向におけるオフセット部が傾斜溝に連通するように設けられ、オフセット部は、ミラー面と交わるコアの延長線上の対向傾斜面を超える領域と当該ミラー面との距離が、当該対向傾斜面を超える領域以外の領域と当該ミラー面との距離よりも長くなるように形成されたことを特徴とする。

また、上記目的を達成するため、本発明の他の実施態様は、基板の上面に設けられ、コア及び当該コアを覆うクラッドを含む光導波路と、光導波路の一部に形成され、実装される光素子との間で光信号を光路変換して入出力する光路変換部と、を備える光導波路部品の製造方法であって、光導波路に対し、コアにおける光信号の出射方向と交わり、基板の水平方向と垂直な方向に対して当該コアよりも深く傾斜溝を形成し、当該傾斜溝における当該コアの側の傾斜面の局部をミラー面とする入出力部を備えるように、光路変換部を形成する光路変換部形成工程と、光導波路に対し、傾斜溝のミラー面と対向する対向傾斜面の側に溝を設け、基板の水平方向におけるオフセット部を当該傾斜溝に連通するように形成するオフセット部形成工程と、を有し、オフセット部形成工程では、ミラー面と交わるコアの延長線上の対向傾斜面を超える領域と当該ミラー面との距離が、当該対向傾斜面を超える領域以外の領域と当該ミラー面との距離よりも長くなるように、当該オフセット部を形成することを特徴とする。

本発明によれば、上記構成により、ハイブリッド集積に際して、光素子の高効率な光結合を実現し、且つチャネル間クロストークを抑制し得る光導波路部品が得られる。また、上記方法のプロセスにより、係る光導波路部品が精度良く簡便に作製される。

周知の光電子集積型デバイスとなる光導波路部品としての迷光対策構造を採用したＰＬＣを例示した斜視図である。 本発明の実施形態１に係る光電子集積型デバイスとなる光導波路部品としてのオフセット構造を採用したＰＬＣを、実装される光素子のＰＤを含めて示す斜視図である。 図２に示すＰＬＣに備えられる光路変換部の基本構造を一部破断・透視して示す拡大斜視図である。 実施形態１に係るＰＬＣを製造する工程を段階別に示したフローチャートである。 図４中の反射膜形成工程の後のＰＬＣの要部となる光路変換部の様子を一部破断・透視して示した拡大斜視図である。 実施形態１に係るＰＬＣの光導波路のコアの特定のチャネルにのみ、光を入力した際のＰＤの受光強度をチャネル毎に測定した結果を示す特性図である。 比較例に係るＰＬＣの光導波路のコアの特定のチャネルにのみ、光を入力した際のＰＤの受光強度をチャネル毎に測定した結果を示す特性図である。 本発明の実施形態２に係る光電子集積型デバイスとなる光導波路部品としてのオフセット構造を採用したＰＬＣを、実装される光素子のＰＤを含めて示す斜視図である。 実施形態２に係るＰＬＣを製造する工程を段階別に示したフローチャートである。 図９中の反射膜形成工程の後のＰＬＣの要部となる光路変換部の様子を一部破断・透視して示した拡大斜視図である。 実施形態２に係るＰＬＣの光導波路のコアの特定のチャネルにのみ、光を入力した際のＰＤの受光強度をチャネル毎に測定した結果を示す特性図である。

以下、本発明の光導波路部品及びその製造方法について、幾つかの実施形態を挙げ、図面を参照して詳細に説明する。

（実施形態１）
図２は、本発明の実施形態１に係る光電子集積型デバイスとなる光導波路部品としてのオフセット構造を採用したＰＬＣ１０Ｂを、実装される光素子のＰＤ６を含めて示す斜視図である。また、図３は、このＰＬＣ１０Ｂに備えられる光路変換部４０の基本構造を一部破断・透視して示す拡大斜視図である。

図２を参照すれば、このＰＬＣ１０Ｂは、図１に示したＰＬＣ１０Ａと比べ、コア３０を８チャネル分として増設した点と、光導波路２０の一部に形成される光路変換部４０にオフセット構造を採用した点と、が相違している。この上で、複数の受光部Ｒが並設された光素子である複数チャネルの面型の高速ＰＤ６が光導波路２０の光路変換部４０に搭載され、光電子集積型デバイスとして構成される。

ＰＬＣ１０Ｂ自体は、シリコン、二酸化シリコン等による基板（ウェハ）１の上面を、アンダークラッド２０ａ、コア３０、及びオーバークラッド２０ｂの薄膜で覆い、光導波路２０を形成して構成される。図２に示すＰＬＣ１０Ｂについても、手前側の短辺の端面をコア３０の光の入力用とした場合、光導波路２０のコア３０の出射側に光路変換部４０が形成される。尚、以下はＰＬＣ１０Ｂの各部について、基板１の水平方向において、長辺の方向を長さ、短辺の方向を幅として説明する。

さらに、図３を参照すれば、光導波路２０には、光路変換部４０の形成用に傾斜溝４０ａが形成されている。光路変換部４０は、傾斜溝４０ａにおけるコア３０の側の傾斜面Ｓ１の局部をミラー面Ｍとする入出力部ＩＯを備える。ここで、傾斜溝４０ａは、コア３０における光信号の出射方向と交わり、基板１の水平方向と垂直な方向に対してコア３０よりも深く形成されている。また、傾斜溝４０ａには、傾斜面Ｓ１の局部のミラー面Ｍと対向する対向傾斜面Ｓ２の側に基板１の水平方向におけるオフセット部４０ｂが傾斜溝４０ａに連通するように設けられている。このオフセット部４０ｂは、コア３０の８チャネル分に対応して８個分設けられる。

即ち、ＰＬＣ１０Ｂでは、基板１の水平方向を基準として、光路変換部４０の形成用の傾斜溝４０ａが予め設定された角度の傾斜面Ｓ１と、これに対向する同角度の対向傾斜面Ｓ２と、を有する。ここで設定される角度は、通常３０〜６０度の範囲から選定される。傾斜溝４０ａのコア３０における光信号の出射方向と交わる傾斜面Ｓ１のコア３０の側の局部をミラー面Ｍとし、このミラー面Ｍに形成された反射膜７で光路変換を行う。係る構成は、光導波路２０に形成される光路変換部４０の入出力部ＩＯにおいて、入出力光を反射する傾斜面Ｓ１の局部の領域にのみ、反射膜７が設けられることを示す。また、ミラー面Ｍと対向する対向傾斜面Ｓ２の側には、オフセット部４０ｂが傾斜溝４０ａと連通して形成されている。

オフセット部４０ｂは、ミラー面Ｍと交わるコア３０の延長線上の対向傾斜面Ｓ２を超える領域とミラー面Ｍとの距離が、対向傾斜面Ｓ２を超える領域以外の領域とミラー面Ｍとの距離よりも長くなるように形成されている。この規定は、後文で説明するように、オフセット部４０ｂの形成により、反射膜７の形成を精度良く簡便に可能とするためである。因みに、オフセット部４０ｂのミラー面Ｍと交わるコア３０の延長線と直交する方向の溝幅Ｗｂは、ミラー面Ｍに投影されるコア３０を伝搬する光のモードフィールドの２倍以上とされる。

加えて、ミラー面Ｍに形成される反射膜７は、ミラー面Ｍに投影されるコア３０を伝搬する光の、基板１の水平方向及び水平方向と垂直な方向のモードフィールドの２倍以上の幅及び高さを有する。このような構成上の設定を満たした上、傾斜溝４０ａには、赤外領域で透明な樹脂が充填される。オフセット部４０ｂの形成用に規定される距離、オフセット部４０ｂの溝幅Ｗｂ、反射膜７のサイズ、及び傾斜溝４０ａに充填される樹脂は、反射膜７の形成を精度良く容易にし、且つ迷光対策を充分とするために有効となる。

係る構成の光導波路部品としてのＰＬＣ１０Ｂでは、コア３０に入力された光信号が光路変換部４０における入出力部ＩＯのミラー面Ｍの反射膜７で跳ね上げられた後、ＰＤ６に入射される。そこで、ＰＤ６において、受光強度の検出結果に基づいて、チャネル間のクロストークを求めれば、オフセット構造による迷光対策の性能を評価できる。評価結果は、ＰＬＣ１０Ｂの場合、光信号の入出力を行うことで、迷光がミラー面Ｍの反射膜７で反射されることなく、光信号のみがミラー面Ｍの反射膜７で反射され、迷光によるクロストークを抑制できることを示した。この具体例は、後文で説明する。

一例として、ＰＬＣ１０Ｂの基板１の上面の光導波路２０に対し、基板１の水平方向と垂直な方向に光路変換部４０で光路変換する角度４５度のミラー面Ｍを形成し、光導波路２０を伝搬する光をミラー面Ｍで跳ね上げたと想定する。この場合、オーバークラッド２０ｂの基板１の水平方向と垂直な方向におけるビーム中心とミラー面Ｍの端との距離が丁度２０μｍとなる。このビームを効率的に反射させるため、ミラー面Ｍに反射膜７を形成するための光導波路２０の断面方向から見たサイズについて、その際のビーム径に着目する。このビーム径は、ガウシアンビームを想定した際、ビーム強度分布の１／ｅ²の強度となる全幅を示す。そこで、係るビーム径に対し、反射膜７のサイズとして、基板１の水平方向及び水平方向と垂直な方向でその２倍以上の幅及び高さとすることが望ましい。

一般に、ビーム径は１０μｍ程度であるから、反射膜７の幅及び高さの目安は２０μｍ以上となる。このビーム径は、上述したコア３０を伝搬する光の基板１の水平方向とそれと垂直な方向とにおけるモードフィールドを示すことに他ならない。通常、傾斜溝４０ａのミラー面Ｍに反射膜７を形成するためには、傾斜溝４０ａのミラー面Ｍを有する傾斜面Ｓ１に対して、斜めに蒸着、スパッタリング等を適用する手法が挙げられる。

さらに、反射領域のみに反射膜７を設けるためには、蒸着、スパッタリング等を適用する際に、不要な領域をカバーする遮蔽マスクを設置した上で、反射膜７を形成する必要がある。反射膜７が必要な領域は、上述したように数１０μｍの領域であるが、遮蔽マスクを搭載する作業の誤差も１０μｍ程度を見込む必要がある。このため、遮蔽マスクの透過領域を大きくする必要があり、その結果として、反射領域が広くなることにより、迷光が反射膜７で反射され易くなってしまう。こうした場合には、クロストークが発生する。

また、遮蔽マスクを設置する作業自体も煩雑であり、ＰＬＣ作製効率を劣化させてしまう。因みに、図１を参照して説明した遮光部５を設ける迷光対策構造では、遮光材が充填される遮光溝の境界面での反射によりＰＬＣ１０Ａにおける光導波路２の面内に迷光が残ってしまう問題があった。また、光路変換部４のミラー面の手前に遮光溝を設けるための追加のスペースが必要となってしまうという問題等もあった。

これに対し、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂの場合には、光変換部４０を工夫し、オフセット構造を持たせている。即ち、この光変換部４０では、傾斜溝４０ａの傾斜面Ｓ１のコア３０の側の局部をミラー面Ｍとし、このミラー面Ｍにのみ、反射膜７を形成している。また、ミラー面Ｍと対向する対向傾斜面Ｓ２の側に傾斜溝４０ａと連通するオフセット部４０ｂを形成している。このように、傾斜溝４０ａと連通するオフセット部４０ｂが存在すれば、反射膜７を形成し易くなる。

具体的に云えば、オフセット部４０が形成される対向傾斜面Ｓ２の方が、ミラー面Ｍが形成される傾斜面Ｓ１と比べ、蒸着、スパッタリング等を行う方向へ、斜めにターゲットを設置した際の開口部が広くなる。このため、設置角度的に傾斜面Ｓ１に対して反射膜７を形成し易くなり、主にその上部領域を対象として反射膜７が形成されることになる。オフセット部４０ｂの存在する対向傾斜面Ｓ２では、反射膜７を被着させるときにオフセット部４０ｂが金属のガスの抜け路となり、反射膜７が形成され難くなる。

この後、基板１の水平方向と垂直な上面方向からミリング、エッチング等で、傾斜面Ｓ１及び対向傾斜面Ｓ２の領域に付着した余分な反射膜７を除去する際、傾斜面Ｓ１の上部領域に付着した部分の深さまでエッチングする。これにより、オフセット部４０ｂに対向するミラー面Ｍにのみ、反射膜７を形成できる。但し、傾斜面Ｓ１のミラー面Ｍへの反射膜７の形成に際して、対向傾斜面Ｓ２には、殆ど反射膜７が形成されない。

ところで、余分な反射膜７をＰＬＣ１０Ｂの基板１の上面方向からミリング、エッチング等により落とす工程は、斜めに蒸着する際には元来存在する工程であるため、追加工程にはならない。このようなＰＬＣ１０Ｂの作製手順を採用することにより、遮蔽マスクを設置するといった煩雑な工程を要することなく、必要な領域にのみ、高精度に反射膜７を形成することができる。

尚、ＰＬＣ１０Ｂの作製において、エッチングにより、コア３０よりも深い傾斜溝４０ａを形成する際、エッチング時の開口が小さいとエッチングレートが下がり、効率的な加工が難しくなる。この点については、仮にオフセット部４０ｂの溝のみを形成した構造を想定した場合についても同様である。エッチングレートの効率を考慮すれば、或る程度の開口を有する設計が必要となる。

そこで、ＰＬＣ１０Ｂのように、傾斜溝４０ａ及びオフセット部４０ｂのための専用の溝の両方を光導波路２０に設ければ、エッチングレートの効率が高められる。これにより、傾斜面Ｓ１の局部のミラー面Ｍに反射膜７を精度良く形成することができる。オフセット部４０ｂの溝幅Ｗｂは、反射膜７の幅以上であって、上述したようにミラー面Ｍに投影されるコア３０を伝搬する光のモードフィールドの２倍以上であることが望ましい。

また、基板１の水平方向と垂直な方向の傾斜溝４０ａの深さとオフセット部４０ｂの溝の深さＤとは、ほぼ同じにして良く、設定した反射膜７の高さ以上とすることが望ましい。さらに、傾斜溝４０ａの溝幅Ｗａは、基板１の水平方向と垂直な方向のミラー面Ｍの深さより大きくすることが望ましい。尚、図３中に示されるオフセット部４０ｂの溝長Ｌｂの具体例については、傾斜溝４０ａの溝長Ｌａと共に、後文で説明する。

このように、ＰＬＣ１０Ｂでは、傾斜溝４０ａのミラー面Ｍと対向する対向傾斜面Ｓ２の側に設けたオフセット部４０ｂを用いることにより、ミラー面Ｍへの反射膜７を形成する領域を簡易に精度良く限定することが可能となる。この結果、係る反射膜７を有する光路変換部４０を備えた光導波路２０に光素子をハイブリッド集積した際、ＰＬＣ１０Ｂ及び光素子間の光信号の入出力を低クロストークで光結合可能となる。

以下は、ＰＬＣ１０Ｂの製造方法について、石英系のＰＬＣ１０Ｂのシリコンによる基板１の上面に形成された光導波路２０を改良した場合についての具体例を説明する。前提事項として、光導波路２０は、サイズが溝幅Ｗａ、Ｗｂの方向を示す縦５ｍｍ、溝長Ｌｂの方向を示す横１０ｍｍで、コア３０の径が３．５μｍとする。また、コア３０の光導波路２０の上面からみたオーバークラッド２０ｂの膜厚が１６．５μｍ、コア３０の下面のアンダークラッド２０ａの膜厚が２０μｍとする。さらに、コア３０とアンダークラッド２０ａ、オーバークラッド２０ｂとの屈折率差を２．５％とする。尚、ＰＬＣ１０Ｂの製造工程に依らず、適宜全体をチップと呼ぶ。

その他、ＰＬＣ１０Ｂの光入力は、チップの一短辺側となる光導波路２０の端面のコア３０から行い、光路変換部４０をチップの対向する他の短辺側となる光導波路２０の端面に近い位置に形成する。コア３０は、８チャネル用として、２５０μｍピッチで設けられ、それぞれ光入力部から光路変換部４０に至るまでの間に略Ｓ字型の導波路構造となっている。因みに、コア３０の光路変換部４０付近は、直線状に延びる部分となっている。

ＰＬＣ１０Ｂの製造工程について、基板１の上面に光導波路２０を形成する迄の工程は、周知技術を種々適用することができる上、本発明の特徴箇所でないため、説明を省略する。

図４は、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂを製造する工程を段階別に示したフローチャートである。

図４を参照すれば、ＰＬＣ１０Ｂの製造工程では、まず、光路変換部・オフセット部の設計工程（ステップＳ４０１）を実施する。この工程では、光路変換部４０の傾斜溝４０ｂをミラーとして機能させるための光のモードフィールド、ミラー角度、溝長Ｌａ、溝幅Ｗａ等を設定する他、ミラー面Ｍに反射膜７を形成する際の傾斜設置角を確定する。また、合わせて、オフセット部４０ｂの形成に際しての溝幅Ｗｂ、溝長Ｌｂ、深さＤ等を確定する。

次に、光路変換部・オフセット部の形成工程（ステップＳ４０２）を実施する。この工程では、設計内容に従って、光導波路２０に対し、光路変換部４０を形成するための傾斜溝４０ａを形成する。即ち、光路変換部４０の形成に際しては、コア３０における光信号の出射方向と交わり、基板１の水平方向と垂直な方向に対してコア３０よりも深くなるように、傾斜面Ｓ１及び対向傾斜面Ｓ２を有する傾斜溝４０ａを形成する。そして、傾斜溝４０ａにおけるコア３０の側の傾斜面Ｓ１の局部をミラー面Ｍとする入出力部ＩＯを光路変換部４０が備えるようにする。このとき、基板１の水平方向で規定される水平面に対する傾斜面Ｓ１の角度をミラー角度とすれば良く、ここでは角度４５度のミラー面Ｍを形成する。

例えば、傾斜面Ｓ１及び対向傾斜面Ｓ２を有する傾斜溝４０ａの形成には、特開２０１２−４２５１５号公報に開示された技術を適用し、ドライエッチングにより深さがコア３０よりも深くなるようにする。因みに、傾斜溝４０ａの傾斜面Ｓ１及び対向傾斜面Ｓ２の形成は、本発明の作用効果に直接寄与するものではないが、ドライエッチングにより作製すれば、高精度且つ自由度の高いミラーレイアウトが可能となる。傾斜溝４０ａが溝幅Ｗａを有することは、上記した通りである。

同時に、光導波路２０に対し、傾斜溝４０ａに連通するようにオフセット部４０ｂを形成する。オフセット部４０ｂの形成に際しては、傾斜溝４０ａのミラー面Ｍと対向する対向傾斜面Ｓ２の側に専用の溝を設け、この溝が基板１の水平方向におけるオフセット部４０ｂとなるようにする。オフセット部４０ｂの溝は、コア３０の延長線上の領域で溝長Ｌｂが溝幅Ｗｂよりも大となるように設けられる。

オフセット部４０ｂは、上述した通り、ミラー面Ｍと交わるコア３０の延長線上の対向傾斜面Ｓ２を超える領域とミラー面Ｍとの距離が、対向傾斜面Ｓ２を超える領域以外の領域とミラー面Ｍとの距離よりも長くなるように形成する。そして、オフセット部４０ｂのミラー面Ｍと交わるコア３０の延長線と直交する方向における溝幅Ｗｂは、ミラー面Ｍに投影されるコア３０を伝搬する光のモードフィールドの２倍以上とする。

傾斜溝４０ａ及びオフセット部４０ｂのサイズについて、傾斜溝４０ａの溝幅Ｗａを２０００μｍとし、同じ方向のオフセット部４０ｂの溝幅Ｗｂを２５μｍとした。また、コア３０の延長線上のオフセット部４０ｂの溝長Ｌｂを２５０μｍとし、同じ方向の傾斜溝４０ａの溝長Ｌａを５０μｍとした。光路変換部４０ａ及びオフセット部４０ｂの形成は、同時に行うのが一般的であるが、別々に行うことも可能である。

さらに、反射膜形成工程（ステップＳ４０３）を実施する。この工程では、ミラー面Ｍに交わるコア３０の入出力部ＩＯにおける光信号の入出力方向と、基板１の水平方向で規定される水平面とが成す角度を基準とする。そして、その角度からオフセット部４０ｂを通して、ミラー面Ｍを標的として傾斜面Ｓ１に対して反射膜７を形成する。このとき、係る角度にチップを傾けた状態とし、その傾斜設置角を保持し、オフセット部４０ｂを通して傾斜面Ｓ１に対して反射膜７を形成すれば良い。

このように、設定した角度の方向からオフセット部４０ｂを通して傾斜面Ｓ１に対し、蒸着、スパッタリング等により、金、アルミニウム等の金属を被着させ、ミラー面Ｍに反射膜７を形成する。この反射膜７は、コア３０の傾斜面Ｓ１の側の入出力部ＩＯにおいて入出射されるビームを光路変換するためのミラーとして機能させるために形成する。ここでは、角度４５度の傾斜面Ｓ１に対して反射膜７が形成されるものとする。

具体的に云えば、蒸着源又はスパッタリングターゲットに対して、チップを基板１の水平面に対し、それと垂直な方向である溝の深さＤ方向へ角度８度で傾斜させる設定を例示できる。この設定において、チップの短辺側の傾斜された角度８度の方向からオフセット部４ｂを通して傾斜面Ｓ１に反射膜７を形成すると、それ以外の領域にはコア３０より浅い深さにのみ、反射膜７が形成される。そして、チップを基板１の水平方向と垂直な上面の方向からＡｒビームによるミリングを行うことで光導波路２０の表面を削り、傾斜溝４０ａの傾斜面Ｓ１及び対向傾斜面Ｓ２の領域に形成された反射膜７の余分箇所を除去する。

図５は、図４中の反射膜形成工程（ステップＳ４０３）の後のＰＬＣ１０Ｂの要部となる光路変換部４０の様子を一部破断・透視して示した拡大斜視図である。図５を参照すれば、ここでは、反射膜形成工程（ステップＳ４０３）の後、傾斜面Ｓ１の上部領域に反射膜７の余分箇所が残っている様子を示している。

そこで、傾斜面Ｓ１の上部領域に形成された反射膜７の余分箇所について、チップへの基板１の水平方向と垂直な上面の方向からミリングにより、その部分の深さまで除去する。これにより、オフセット部４０ｂに対向するミラー面Ｍにのみ、反射膜７が形成されることになる。尚、図５中には、反射膜形成工程（ステップＳ４０３）で設定するチップを傾斜させる角度θ＝８°を示している。この角度θは、上述した傾斜設置角であるが、反射膜７の被着方向Ｖを示すものとみなせる。因みに、反射膜７の形成に際して、対向傾斜面Ｓ２にも成膜される可能性はあるが、実際には殆ど形成されない。仮に薄膜程度が成膜されたとしても、後述する仕上げ工程を実施することによって、余分箇所は十分に除去することができる。

要するに、反射膜形成工程（ステップＳ４０３）では、傾斜溝４０ａの傾斜面Ｓ１への反射膜７の形成後に、仕上げ工程を実施する。この仕上げ工程では、チップの上面の方向から光導波路２０の表面を削り、傾斜溝４０ａの表面に形成された反射膜７の余分箇所を除去する。但し、実施形態１の場合には、反射膜７の余分箇所の殆どが傾斜面Ｓ１の上部領域に存在することになる。これにより、ミラー面Ｍに投影されるコア３０を伝搬する光の、基板１の水平方向及び水平方向と垂直な方向のモードフィールドの２倍以上の幅及び高さを有するように、反射膜７を形成する。

最後に、樹脂充填工程（ステップＳ４０４）では、反射膜７の形成後の傾斜溝４０ａに対し、赤外領域で透明な樹脂を充填する。

このようにして、作製されたＰＬＣ１０Ｂへの受光径５０μｍの面型ＰＤ６の実装時には、光路変換部４０から基板１の水平方向と垂直な方向に出射されるビームの中心とＰＤ６との受光中心が一致するように配置される。また、オーバークラッド２０ｂの上面を基準として、５μｍの高さがＰＤ６の受光部Ｒの受光面となるように、ＰＬＣ１０Ｂの光路変換部４０にＰＤ６が搭載される。因みに、樹脂充填工程（ステップＳ４０４）で傾斜溝４０ａに充填される樹脂は、ＰＤ６を固定する役割を担う。

そこで、ＰＬＣ１０Ｂの光導波路２０のコア３０に対し、波長１．５５μの光を光ファイバで入力し、ＰＤ６の受光強度をチャネル毎に測定し、プロットした結果を調べた。図６は、ＰＬＣ１０Ｂの光導波路２０のコア３０の特定のチャネル５にのみ、光を入力した際のＰＤ６の受光強度をチャネル毎に測定した結果を示す特性図である。

図６を参照すれば、コア３０のチャネル５にのみ、波長１．５５μｍの光を入力した際の受光強度は、それ以外のチャネルの受光強度と比べると、３８ｄＢｍ以上の高い受光強度が確保されていることが判る。これは、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂのように、傾斜面Ｓ１の必要な領域にのみ、反射膜７を簡便に形成できた成果であると考察される。係る構成により、光路変換部４０の反射膜７で基板１の上面方向に反射される迷光を抑制することができる。

また、傾斜溝４０ａが透明な樹脂で充填されていることにより、光導波路２０の水平方向における面内の迷光は、傾斜溝４０ａで基板１の上面側に反射されることなく通過する。このような結果として、ＰＬＣ１０Ｂ及びＰＤ６間のクロストークを抑制することが可能となる。

これに対し、比較例として、オフセット部４０ｂを持たない直線型ミラーによる光路変換部を有する光導波路部品としてのＰＬＣを作製し、そのＰＬＣの光路変換部にＰＤ６を搭載した。図７は、比較例に係るＰＬＣの光導波路２０のコア３０の特定のチャネル５にのみ、光を入力した際のＰＤ６の受光強度をチャネル毎に測定した結果を示す特性図である。

図７を参照すれば、コア３０のチャネル５にのみ、波長１．５５μｍの光を入力した際、光を入力していないそれ以外のチャネルの受光強度は、図６の特性と比べると、全体的に増加しており、クロストークの発生が予測される。特にチャネル５に隣接するチャネル４、チャネル６の受光強度が増加し、３０ｄＢｍ程度の受光強度となっていることが判る。これは、迷光が基板１の上面側に反射され、クロストークを引き起こしている結果であると考察される。

以上に説明した図６及び図７の特性対比により、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂにおけるクロストーク向上の効果を確認できた。即ち、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂのようなオフセット構造を採用し、作製した反射膜７を有する光路変換部４０を備えた光導波路部品を用いれば、従来に無い低クロストーク特性を有する光デバイスを提供できる。

結果として、実施形態１に係る光導波路部品は、ハイブリッド集積に際して、光素子の高効率な光結合を実現し、且つチャネル間クロストークを抑制し得る。また、その製造方法では、係る性能の光導波路部品を精度良く簡便に作製することができる。

（実施形態２）
図８は、本発明の実施形態２に係る光電子集積型デバイスとなる光導波路部品としてのオフセット構造を採用したＰＬＣ１０Ｃを、実装される光素子のＰＤ６´を含めて示す斜視図である。尚、実施形態２に係るＰＬＣ１０Ｃにおいて、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂと同様な構成部分には、同じ参照符号を付して説明を簡略し、主に相違する部分について説明する。

図８を参照すれば、実施形態２に係るＰＬＣ１０Ｃは、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂと比べ、光路変換部４０´の細部構造が相違している。即ち、光路変換部４０´のオフセット部４０ｂ´は、ミラー面Ｍと交わるコア３０の延長線上の対向傾斜面Ｓ２の側で壁面を欠くように形成されている。

このような構成とするため、ＰＬＣ１０Ｃのチップの光路変換部４０´付近の短辺の端面側が切断された切断面Ｃとなっている。この切断面Ｃに対向する光導波路２０´の短辺の端面に存在するコア３０が光の入力用とされる。このため、ＰＬＣ１０Ｃのチップは、ＰＬＣ１０Ｂのチップと比べ、長辺方向のサイズが予め切断部分を見込んで若干大きくなっている。

また、図８のＰＬＣ１０Ｃにおいても、手前側の短辺の端面をコア３０の光の入力用とした場合、光導波路２０´のコア３０の出射側に光路変換部４０´が形成される。さらに、光路変換部４０´に搭載されるＰＤ６´は、ＰＤ６と比べ、受光径が相違している。それ以外の各部構成、並びにそれらの構成部分への設定要件は、ＰＬＣ１０Ｂの場合と同様になっている。

図９は、実施形態２に係るＰＬＣ１０Ｃを製造する工程を段階別に示したフローチャートである。

図９を参照すれば、ＰＬＣ１０Ｃの製造工程では、まず、実施形態１の場合と同様に、光路変換部・オフセット部の設計工程（ステップＳ９０１）を実施する。ここでも、光路変換部の傾斜溝４０ｂをミラーとして機能させるための各種設定を行う他、オフセット部の形成に際してのサイズを確定する。但し、ミラー面Ｍに反射膜７を形成する際の傾斜設置角は不要となる。これについては後文で説明する。

次に、光路変換部・オフセット部の形成工程（ステップＳ９０２）を実施する。ここでも、設計内容に従って、ＰＬＣ１０Ｂの場合と同様に、光導波路に対し、光路変換部を形成するための傾斜溝４０ａを形成する。この光路変換部の形成時の構成的な要件は、ＰＬＣ１０Ｂの場合と同様であり、ここでも角度４５度のミラー面Ｍを形成するものとする。

同時に、光導波路に対し、傾斜溝４０ａに連通するようにオフセット部を形成する。オフセット部の形成時の構成的な要件についても、ＰＬＣ１０Ｂの場合と同様である。

但し、この光路変換部・オフセット部の形成工程（ステップＳ９０２）は、オフセット部の形成後のチップを基板の水平方向と垂直な方向に切断する切断工程を含んでいる。この切断工程は、ＰＬＣ１０Ｃの表面から見てチップを基板の水平方向と垂直な方向でダイシング、劈開等で切断するものである。この切断工程を実施することにより、コア３０の延長線上の対向傾斜面Ｓ２の側で壁面を欠くようにオフセット部４０ｂ´が形成される。図８に示した基板１´、光導波路２０´、及びオフセット部４０ｂ´が形成された光路変換部４０´は、係る切断工程を実施して作製されたものである。

さらに、反射膜形成工程（ステップＳ９０３）において、切断工程でのオフセット部４０ｂ´の切断面Ｃを基準とし、その切断面Ｃからオフセット部４０ｂ´を通してミラー面Ｍを標的として傾斜面Ｓ１に対して反射膜７を形成する。具体的に云えば、切断面Ｃと垂直な方向からオフセット部４０ｂ´を通して傾斜面Ｓ１に対し、蒸着、スパッタリング等により金、アルミニウム等の金属を被着させ、ミラー面Ｍに反射膜７を形成する。ここでは、切断面Ｃが基板１´の水平面と垂直な方向となっており、オフセット部４０ｂ´を露呈させているため、チップを傾斜させる必要がない。この反射膜７についても、コア３０の傾斜面Ｓ１の側の入出力部ＩＯにおいて入出射されるビームを光路変換するためのミラーとして機能させるために形成する。

図１０は、上述した反射膜形成工程（ステップＳ９０３）の後のＰＬＣ１０Ｃの要部となる光路変換部４０´の様子を一部破断・透視して示した拡大斜視図である。図１０を参照すれば、ここでは、コア３０の延長線上の対向傾斜面Ｓ２の側で壁面を欠くオフセット部４０ｂ´の溝が形成され、これらのオフセット部４０ｂ´を通して反射膜７の被着方向Ｖで傾斜面Ｓ１に金属が被着された様子を示している。この結果、オフセット部４０ｂ´と対向する傾斜面Ｓ１のみに反射膜７が形成された状態を示している。

この反射膜形成工程（ステップＳ９０３）においても、傾斜溝４０ａの傾斜面Ｓ１への反射膜７の形成後に、仕上げ工程を実施することが好ましい。仕上げ工程では、チップの上面の方向から傾斜溝４０ａの表面に形成された反射膜７の余分箇所を削って除去する。オフセット部４０ｂ´の存在する対向傾斜面Ｓ２には、コア３０の延長線上で壁面を持たないオフセット部４０ｂ´が反射膜７の形成用の金属ガスに対する効率高い抜け路となるため、反射膜７が一層形成され難くなる。

このように、実施形態２の場合には、反射膜７の形成時に余分箇所が殆ど存在しなくなるが、若干薄膜が成膜される可能性を完全には排除できない。このため、それを除去するために仕上げ工程の実施が有効となる。これにより、ミラー面Ｍに投影されるコア３０を伝搬する光の、基板１´の水平方向及びこれと垂直な方向のモードフィールドの２倍以上の幅及び高さを有するように、反射膜７を形成する。

最後に、樹脂充填工程（ステップＳ９０４）では、反射膜７の形成後の傾斜溝４０ａに対し、赤外領域で透明な樹脂を充填する。

このようにして、作製されたＰＬＣ１０Ｃへの受光径５０μｍの面型ＰＤ６´の実装時には、光路変換部４０´から基板１´の垂直方向に出射されるビームの中心とＰＤ６´との受光中心が一致するように配置される。また、オーバークラッド２０ｂの上面を基準として、５μｍの高さがＰＤ６´の受光部Ｒの受光面となるように、ＰＬＣ１０Ｃの光路変換部４０´にＰＤ６´が搭載される。因みに、樹脂充填工程（ステップＳ９０４）で傾斜溝４０ａに充填される樹脂は、ＰＤ６´を固定する役割を担う。

そこで、ＰＬＣ１０Ｃの光導波路２０´のコア３０に対し、波長１．５５μの光を光ファイバで入力し、ＰＤ６´の受光強度をチャネル毎に測定し、プロットした結果を調べた。図１１は、ＰＬＣ１０Ｃの光導波路２０´のコア３０の特定のチャネル５にのみ、光を入力した際のＰＤ６´の受光強度をチャネル毎に測定した結果を示す特性図である。

図１１を参照すれば、コア３０のチャネル５にのみ、波長１．５５μｍの光を入力した際の受光強度は、それ以外のチャネルの受光強度と比べると４０ｄＢｍ以上の高い受光強度が確保されていることが判る。これは、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂの場合と同様に、傾斜面Ｓ１の必要な領域にのみ、反射膜７を簡便に形成できた成果であると考察される。係る構成により、光路変換部４０´の反射膜７で基板１´の上面方向に反射される迷光を抑制することができる。

また、ここでも、傾斜溝４０ａが透明な樹脂で充填されていることにより、光導波路２０´の水平方向における面内の迷光は、傾斜溝４０ａで基板１´の上面に反射されることなく通過する。このような結果として、ＰＬＣ１０Ｃ及びＰＤ６´間のクロストークを抑制することが可能となる。

加えて、実施形態２に係るＰＬＣ１０Ｃでは、観察結果から傾斜溝４０ａの対向傾斜面Ｓ２には反射膜７が全く被着されない状態であった。このため、例えば、傾斜面Ｓ１の上部領域に反射膜７の余分箇所が僅かに残る可能性のある実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂよりも、ＰＬＣ１０Ｃでは、反射膜７の余分箇所が無くなる分、高いクロストーク抑制の効果があると考察される。即ち、実施形態２に係るＰＬＣ１０Ｃのようなオフセット構造を採用し、作製した光路変換部４０´を有する光導波路部品を用いれば、従来に無い一層低クロストーク特性を有する光デバイスを提供できる。

結果として、実施形態２に係る光導波路部品についても、ハイブリッド集積に際して、光素子の高効率な光結合を実現し、且つチャネル間クロストークを抑制し得る。また、その製造方法では、係る性能の光導波路部品を精度良く簡便に作製することができる。

因みに、図９の光路変換部・オフセット部の形成工程（ステップＳ９０２）は、実施形態１に係る図４の光路変換部・オフセット部の形成工程（ステップＳ４０２）に置換することができる。そうした場合、光路変換部・オフセット部の設計工程（ステップＳ４０２）では、ミラー面Ｍに反射膜７を形成する際の傾斜設置角の確定が不要となる。また、反射膜形成工程（ステップＳ４０２）では、切断面Ｃを基準としてオフセット部４０ｂ´を通してミラー面Ｍへ反射膜７を形成することになる。そして、予め長辺方向のサイズが切断部分を見込んで若干大きいサイズのチップを用いることを前提とすれば、実施形態１に係るＰＬＣ１０Ｂに代えて、実施形態２に係るＰＬＣ１０Ｃを作製することができる。

尚、本発明は、上述した各実施形態に限定されず、その技術的要旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能であり、特許請求の範囲に記載された技術思想に含まれる技術的事項の全てが本発明の対象となる。上記各実施形態は、好適な例を示したものであるが、当業者であれば、開示した内容から様々な変形例を実現することが可能である。そうした場合にも、これらは添付した特許請求の範囲に含まれるものである。

１、１´ 基板（ウェハ）
２、２０、２０´ 光導波路
２ａ、２０ａ アンダークラッド
２ｂ、２０ｂ オーバークラッド
３、３０ コア
４、４０、４０´ 光路変換部
４０ａ 傾斜溝
４０ｂ、４０ｂ´ オフセット部
５ 遮光部
６、６´ ＰＤ
７ 反射膜
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ ＰＬＣ
Ｃ 切断面
Ｄ 深さ
ＩＯ 入出力部
Ｌａ、Ｌｂ 溝長
Ｍ ミラー面
Ｓ１ 傾斜面
Ｓ２ 対向傾斜面
Ｖ 被着方向
Ｗａ、Ｗｂ 溝幅
θ 角度

Claims (8)

1. 基板の上面に設けられ、コア及び当該コアを覆うクラッドを含む光導波路と、前記光導波路の一部に形成され、実装される光素子との間で光信号を光路変換して入出力する光路変換部と、を備える光導波路部品であって、
   前記光路変換部は、前記コアにおける前記光信号の出射方向と交わり、前記基板の水平方向と垂直な方向に対して当該コアよりも深く形成された傾斜溝における当該コアの側の傾斜面の局部をミラー面とする入出力部を備え、
   前記傾斜溝には、前記ミラー面と対向する対向傾斜面の側に前記基板の水平方向におけるオフセット部が前記傾斜溝に連通するように設けられ、
   前記オフセット部は、前記ミラー面と交わる前記コアの延長線上の前記対向傾斜面を超える領域と当該ミラー面との距離が、当該対向傾斜面を超える領域以外の領域と当該ミラー面との距離よりも長くなるように形成された
   ことを特徴とする光導波路部品。
2. 前記オフセット部は、前記ミラー面と交わる前記コアの延長線と直交する方向における溝幅が、当該ミラー面に投影される当該コアを伝搬する光のモードフィールドの２倍以上である
   ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路部品。
3. 前記ミラー面に形成され、当該ミラー面に投影される前記コアを伝搬する光の、前記基板の水平方向及び当該水平方向と垂直な方向のモードフィールドの２倍以上の幅及び高さを有する反射膜を備えた
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路部品。
4. 前記オフセット部は、前記ミラー面と交わる前記コアの延長線上の前記対向傾斜面の側で壁面を欠くように形成された
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光導波路部品。
5. 基板の上面に設けられ、コア及び当該コアを覆うクラッドを含む光導波路と、前記光導波路の一部に形成され、実装される光素子との間で光信号を光路変換して入出力する光路変換部と、を備える光導波路部品の製造方法であって、
   前記光導波路に対し、前記コアにおける前記光信号の出射方向と交わり、前記基板の水平方向と垂直な方向に対して当該コアよりも深く傾斜溝を形成し、当該傾斜溝における当該コアの側の傾斜面の局部をミラー面とする入出力部を備えるように、前記光路変換部を形成する光路変換部形成工程と、
   前記光導波路に対し、前記傾斜溝の前記ミラー面と対向する対向傾斜面の側に溝を設け、前記基板の水平方向におけるオフセット部を当該傾斜溝に連通するように形成するオフセット部形成工程と、を有し、
   前記オフセット部形成工程では、前記ミラー面と交わる前記コアの延長線上の前記対向傾斜面を超える領域と当該ミラー面との距離が、当該対向傾斜面を超える領域以外の領域と当該ミラー面との距離よりも長くなるように、当該オフセット部を形成する
   ことを特徴とする光導波路部品の製造方法。
6. 前記オフセット部形成工程では、前記オフセット部の前記ミラー面と交わる前記コアの延長線と直交する方向の溝幅が、当該ミラー面に投影される当該コアを伝搬する光のモードフィールドの２倍以上となるように、当該オフセット部を形成する
   ことを特徴とする請求項５に記載の光導波路部品の製造方法。
7. 前記ミラー面と交わる前記コアの前記入出力部における前記光信号の入出力方向と、前記基板の水平方向で規定される水平面とが成す角度を基準とし、当該角度から前記オフセット部を通して、当該ミラー面を標的として前記傾斜面に対して反射膜を形成する反射膜形成工程を有し、
   前記反射膜形成工程では、前記基板の水平方向と垂直な上面の方向から前記光導波路の表面を削り、前記傾斜面の上部領域に形成された前記反射膜の余分箇所を除去することにより、前記ミラー面に投影される前記コアを伝搬する光の、当該基板の水平方向及び当該水平方向と垂直な方向のモードフィールドの２倍以上の幅及び高さを有するように、当該反射膜を形成する
   ことを特徴とする請求項５又は６に記載の光導波路部品の製造方法。
8. 前記オフセット部形成工程では、前記ミラー面と交わる前記コアの延長線上の前記対向傾斜面の側で壁面を欠くようにオフセット部を形成するため、前記オフセット部の形成後の前記光導波路部品を前記基板の水平方向と垂直な方向に切断する切断工程を含み、
   前記反射膜形成工程では、前記切断工程での切断面を基準とし、当該切断面の方向から前記オフセット部を通して前記ミラー面を標的として前記傾斜面に対して前記反射膜を形成する
   ことを特徴とする請求項７に記載の光導波路部品の製造方法。

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