JP2020155715A - 光半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】接合界面の平坦性および小片の表面の平坦性を向上することが可能な光半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】犠牲層、吸収層およびコア層を含む複数の化合物半導体層を形成する工程と、前記複数の化合物半導体層から第1メサを形成する工程と、前記第1メサを埋め込む半導体層である埋め込み層を形成する工程と、前記埋め込み層を形成する工程の後、前記犠牲層をエッチングすることで前記複数の化合物半導体層および前記埋め込み層を含む小片を形成する工程と、シリコンを含み導波路を有する基板に、前記小片を接合する工程と、前記基板に接合された前記小片の前記第1メサの一部をエッチングすることで、前記第1メサに隣接し、前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する第2メサを形成する工程と、を有する光半導体素子の製造方法。【選択図】 図4
Description
本発明は光半導体素子およびその製造方法に関するものである。
受光素子などを形成したチップ(小片)と、導波路を形成したシリコンなどのウェハとを接合し、光半導体素子を製造する技術が知られている。シリコンウェハには光を伝搬する導波路が形成されている。小片には当該導波路と光結合する導波路メサを形成する(例えば非特許文献1)。
アンドレアス・デ・グルーテら(Andreas De Groote.et.al.) "Transfer-printing-based integration of single-mode waveguide-coupled III-V-on-silicon broadband light emitters" オプティクス・エクスプレス(OPTICS EXPRESS) Vol.24,No.13,2016
小片とウェハとの接合強度を高めるためには、接合界面を平坦にすることが重要である。しかし、小片に設けられたレジストにより接合界面の平坦性が低下する恐れがある。一方、光結合の結合効率を高めるため、導波路メサと導波路とのアライメントの精度を高める必要がある。しかし、小片の表面の平坦性が悪化すると、導波路メサを高精度に形成することが難しくなる。そこで、接合界面の平坦性および小片の表面の平坦性を向上することが可能な光半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る光半導体素子の製造方法は、犠牲層、吸収層およびコア層を含む複数の化合物半導体層を形成する工程と、前記複数の化合物半導体層から第1メサを形成する工程と、前記第1メサを埋め込む半導体層である埋め込み層を形成する工程と、前記埋め込み層を形成する工程の後、前記犠牲層をエッチングすることで前記複数の化合物半導体層および前記埋め込み層を含む小片を形成する工程と、シリコンを含み導波路を有する基板に、前記小片を接合する工程と、前記基板に接合された前記小片の前記第1メサの一部をエッチングすることで、前記第1メサに隣接し、前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する第2メサを形成する工程と、を有する光半導体素子の製造方法である。
本発明に係る光半導体素子は、シリコンを含み、導波路を有する基板と、前記基板に直接に接合され、化合物半導体層および埋め込み層を含む小片と、を具備し、前記化合物半導体層は、互いに隣接する吸収層およびコア層を含み、前記小片は、互いに隣接する第1メサおよび第2メサを有し、前記埋め込み層は前記第1メサを埋め込み、前記第2メサは前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する光半導体素子である。
上記発明によれば、接合界面の平坦性および小片の表面の平坦性を向上することが可能である。
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
本願発明の一形態は、(1)犠牲層、吸収層およびコア層を含む複数の化合物半導体層を形成する工程と、前記複数の化合物半導体層から第1メサを形成する工程と、前記第1メサを埋め込む半導体層である埋め込み層を形成する工程と、前記埋め込み層を形成する工程の後、前記犠牲層をエッチングすることで前記複数の化合物半導体層および前記埋め込み層を含む小片を形成する工程と、シリコンを含み導波路を有する基板に、前記小片を接合する工程と、前記基板に接合された前記小片の前記第1メサの一部をエッチングすることで、前記第1メサに隣接し、前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する第2メサを形成する工程と、を有する光半導体素子の製造方法である。埋め込み層を形成することで小片の平坦性が高くなる。このため第2メサを精度高く形成することができる。また、埋め込み層がエッチングに対する保護膜として機能するため、第1メサのエッチングが抑制される。レジストなどの保護膜を設けなくてよいため、バリが発生せず、平坦な接合界面が得られる。
(2)前記小片を形成する工程の前に、前記埋め込み層に前記犠牲層が露出する溝を形成する工程を有し、前記第1メサは前記溝から露出せず、前記小片を形成する工程において、前記第1メサは前記埋め込み層および前記マスクに覆われ、前記溝に露出する部分から前記犠牲層がエッチングされてもよい。これにより犠牲層をエッチングし、かつ第1メサを埋め込み層によって保護することができる。
(3)前記犠牲層はアルミニウム砒素を含み、前記埋め込み層はインジウムリンを含んでもよい。埋め込み層は犠牲層に対してエッチング選択性を有するため、保護膜として機能する。このため化合物半導体層のエッチングが抑制される。
(4)前記吸収層および前記コア層はガリウムインジウム砒素を含んでもよい。吸収層およびコア層は犠牲層に対してエッチング選択性を持たないが、埋め込み層により保護される。
(5)前記第2メサは前記第1メサから遠ざかるほど細くなるテーパ形状を有してもよい。第2メサと基板の導波路とを位置合わせし、光結合の効率を高めることができる。
(6)前記複数の化合物半導体層を形成する工程は、前記犠牲層の上に前記吸収層を積層する工程、および前記積層方向に交差する方向において前記吸収層に隣接する前記コア層を前記犠牲層の上に積層する工程を含んでもよい。吸収層とコア層とが隣接することで、これらの間で光を伝搬することができる。
(7)前記埋め込み層を形成する工程の後であって前記小片を形成する工程の前に、前記化合物半導体層に電極を形成する工程を有してもよい。
(8)シリコンを含み、導波路を有する基板と、前記基板に直接に接合され、化合物半導体層および埋め込み層を含む小片と、を具備し、前記化合物半導体層は、互いに隣接する吸収層およびコア層を含み、前記小片は、互いに隣接する第1メサおよび第2メサを有し、前記埋め込み層は前記第1メサを埋め込み、前記第2メサは前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する光半導体素子である。小片と基板とが接触することで光結合の効率が高くなる。
(2)前記小片を形成する工程の前に、前記埋め込み層に前記犠牲層が露出する溝を形成する工程を有し、前記第1メサは前記溝から露出せず、前記小片を形成する工程において、前記第1メサは前記埋め込み層および前記マスクに覆われ、前記溝に露出する部分から前記犠牲層がエッチングされてもよい。これにより犠牲層をエッチングし、かつ第1メサを埋め込み層によって保護することができる。
(3)前記犠牲層はアルミニウム砒素を含み、前記埋め込み層はインジウムリンを含んでもよい。埋め込み層は犠牲層に対してエッチング選択性を有するため、保護膜として機能する。このため化合物半導体層のエッチングが抑制される。
(4)前記吸収層および前記コア層はガリウムインジウム砒素を含んでもよい。吸収層およびコア層は犠牲層に対してエッチング選択性を持たないが、埋め込み層により保護される。
(5)前記第2メサは前記第1メサから遠ざかるほど細くなるテーパ形状を有してもよい。第2メサと基板の導波路とを位置合わせし、光結合の効率を高めることができる。
(6)前記複数の化合物半導体層を形成する工程は、前記犠牲層の上に前記吸収層を積層する工程、および前記積層方向に交差する方向において前記吸収層に隣接する前記コア層を前記犠牲層の上に積層する工程を含んでもよい。吸収層とコア層とが隣接することで、これらの間で光を伝搬することができる。
(7)前記埋め込み層を形成する工程の後であって前記小片を形成する工程の前に、前記化合物半導体層に電極を形成する工程を有してもよい。
(8)シリコンを含み、導波路を有する基板と、前記基板に直接に接合され、化合物半導体層および埋め込み層を含む小片と、を具備し、前記化合物半導体層は、互いに隣接する吸収層およびコア層を含み、前記小片は、互いに隣接する第1メサおよび第2メサを有し、前記埋め込み層は前記第1メサを埋め込み、前記第2メサは前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する光半導体素子である。小片と基板とが接触することで光結合の効率が高くなる。
[本願発明の実施形態の詳細]
本発明の実施形態に係る光半導体素子およびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の実施形態に係る光半導体素子およびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
(光半導体素子)
図1(a)は実施例1に係る光半導体素子100を例示する平面図であり、図1(b)および図1(c)は光半導体素子を例示する断面図である。図1(b)はX方向に延伸する図1(a)の線A1−A1に沿った断面を図示し、図1(c)はY方向に延伸する図1(a)の線B1−B1に沿った断面を図示している。図1(a)から図1(c)に示すように、光半導体素子100は、基板50の表面に化合物半導体の小片11を接合したハイブリッド型の受光素子である。
図1(a)は実施例1に係る光半導体素子100を例示する平面図であり、図1(b)および図1(c)は光半導体素子を例示する断面図である。図1(b)はX方向に延伸する図1(a)の線A1−A1に沿った断面を図示し、図1(c)はY方向に延伸する図1(a)の線B1−B1に沿った断面を図示している。図1(a)から図1(c)に示すように、光半導体素子100は、基板50の表面に化合物半導体の小片11を接合したハイブリッド型の受光素子である。
図1(b)および図1(c)に示すように、基板50は、シリコン(Si)の基板52、SiO2層54およびSi層56をZ方向に沿って順に積層したSOI(シリコン・オン・インシュレータ)基板である。基板52の厚さは例えば500μm、SiO2層54の厚さは例えば3μm、Si層56の厚さは例えば200nmである。Si層56には導波路51およびテラス53が形成されている。導波路51とテラス53とは離間しており、導波路51はX方向に延伸する。
図1(a)から図1(c)に示すように、小片11は、メサ13(第1メサ)、メサ15(第2メサ)および埋め込み層28を含む。埋め込み層28は、XY平面においてメサ13を埋め込む。メサ13のうち+X側端部は埋め込み層28に覆われない。メサ15はメサ13の+X側端部に隣接し、X方向に延伸し、メサ13から遠ざかるほど細くなるテーパ形状を有する。メサ13およびメサ15は基板50の導波路51上に位置し、メサ15は導波路51と光結合する。
図1(b)および図1(c)に示すように、メサ13のうちX方向における中央部は、下(−Z側)から上(+Z側)にかけて順に積層された、コンタクト層14、吸収層16、クラッド層18およびコンタクト層20を含む。この部分は受光素子として機能する。
図1(b)に示すように、メサ15は、下から上にかけて順に積層された、コンタクト層14、バッファ層22、コア層24およびクラッド層26を含む。コア層24は吸収層16に隣接する。メサ13のうち+X側および−X側はメサ15と同じ層構造を有する。埋め込み層28はコンタクト層14の上に積層されている。
図1(b)に示すように、コンタクト層14の下面は、小片11と基板50との接合界面であり、Si層56の上面に接触する。コンタクト層20の上面、メサ15のクラッド層26の上面、および埋め込み層28の上面は同一の平面を形成する。
コンタクト層14は例えばn+型インジウムリン((n+)−InP)で形成されている。吸収層16は例えばアンドープのガリウムインジウム砒素(i−GaInAs)で形成されている。クラッド層18は例えばp−InPで形成されている。コンタクト層20は例えば(p+)−GaInAsで形成されている。バッファ層22は例えばi−InPで形成されている。コア層24は例えばi−GaInAsPで形成されている。クラッド層26は例えばi−InPで形成されている。埋め込み層28は例えば鉄(Fe)をドープされたInPで形成されている。これらの化合物半導体層は上記以外の半導体で形成されてもよい。
小片11のY方向の長さL1は例えば250μmであり、埋め込み層28を含む小片11のX方向の長さL2は例えば900μmである。メサ13のY方向の幅W1は例えば9μmである。メサ13の片側における埋め込み層28の幅W2は例えば10μmである。
図1(b)および図1(c)に示すように、埋め込み層28の上には絶縁膜25および27が積層されている。絶縁膜25は例えば窒化シリコン(SiN)で形成され、絶縁膜27は例えば酸窒化シリコン(SiON)で形成されている。絶縁膜25および27は、メサ13から+Y側に離間した位置、およびメサ13の上に開口部を有する。
図1(c)に示すように、絶縁膜25および27の開口部から露出するコンタクト層14の上に、オーミック電極30、金属層34およびメッキ層38が順に積層されている。これらはn型の電極を形成する。金属層34およびメッキ層38はオーミック電極30から+Y側に延伸する。メサ13の上にオーミック電極32、金属層36およびメッキ層40が順に積層されている。これらはp型の電極を形成する。金属層36およびメッキ層40はメサ13から−Y側に延伸する。オーミック電極30および32は例えばチタン(Ti)、白金(Pt)および金(Au)を積層したものである。金属層34および36は、例えばチタンタングステン(TiW)で形成されている。メッキ層38および40は例えば金(Au)で形成されている。
電極間にバイアス電圧を印加し、基板50の導波路51に光を入射する。光は導波路51、および導波路51に光結合するコア層24を伝搬し、吸収層16に吸収される。光半導体素子100は光に応じた電気信号を出力する。
(製造方法)
図2(a)から図2(d)、図3(b)から図3(d)、図4(b)から図5(c)、図6(b)から図8(a)は光半導体素子100の製造方法を例示する断面図である。図3(a)、図4(a)、図6(a)、図8(b)および図8(c)は光半導体素子100の製造方法を例示す平面図である、図2(a)から図7(b)までは小片11の製造方法を示し、図8(a)から図8(c)までは小片11と基板50との接合、およびその後の工程を示す。なお、不図示の工程において、ウェハ状態の基板52にSiO2層54およびSi層56を設け、Si層56のエッチングなどで導波路51を形成することで、基板50を製造する。
図2(a)から図2(d)、図3(b)から図3(d)、図4(b)から図5(c)、図6(b)から図8(a)は光半導体素子100の製造方法を例示する断面図である。図3(a)、図4(a)、図6(a)、図8(b)および図8(c)は光半導体素子100の製造方法を例示す平面図である、図2(a)から図7(b)までは小片11の製造方法を示し、図8(a)から図8(c)までは小片11と基板50との接合、およびその後の工程を示す。なお、不図示の工程において、ウェハ状態の基板52にSiO2層54およびSi層56を設け、Si層56のエッチングなどで導波路51を形成することで、基板50を製造する。
図2(a)に示すように、例えば有機金属気相成長法(OMVPE:Organometallic Vapor Phase Epitaxy)により、ウェハ状態の基板10の上に、犠牲層12、コンタクト層14、吸収層16、クラッド層18およびコンタクト層20を順にエピタキシャル成長する。基板10は例えばFe−InPで形成された半絶縁性の半導体基盤である。犠牲層12は例えばアルミニウムインジウム砒素(AlInAs)で形成されている。
図2(b)に示すように、化学気相成長法(CVD)などにより、コンタクト層20の上に、例えば厚さ200nmのSiNの絶縁膜19を形成する。フォトリソグラフィおよびバッファードフッ酸(BHF)を用いたエッチングによりレジストパターンを絶縁膜19に転写する。絶縁膜19をマスクとし、塩酸(HCl)系または臭化水素(HBr)系のエッチャントにより吸収層16、クラッド層18およびコンタクト層20のウェットエッチングを行う。コンタクト層14がエッチングストップ層として機能し、コンタクト層14が露出する。絶縁膜19下の吸収層16、クラッド層18およびコンタクト層20は残存する。
図2(c)に示すように、OMVPE法により、コンタクト層14の上に、バッファ層22、コア層24およびクラッド層26をエピタキシャル成長する。吸収層16とコア層24とは隣接する。バットジョイント再成長後、BHFを用いて絶縁膜19を除去し、図2(d)に示すように、CVD法などにより、例えば厚さ300nmのSiNまたはSiO2の絶縁膜21を化合物半導体層の上に形成する。
図3(a)に示すように、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、例えば四フッ化炭素(CF4)を用いた反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)によりレジストパターンを絶縁膜21に転写する。これにより絶縁膜21を例えば矩形に成型する。絶縁膜21をマスクとし、Cl2系ガスを用いたRIEにより、化合物半導体層からメサ13を形成する。図3(b)は図3(a)の線A2−A2に沿った断面を図示し、図3(c)は線B2−B2に沿った断面を図示し、図3(d)は線C1−C1に沿った断面を図示する。図3(c)および図3(d)に示すように、エッチングはコンタクト層14の途中まで進行し、メサ13以外の部分ではコンタクト層14が露出する。
図4(b)は図4(a)の線A3−A3に沿った断面を図示し、図4(c)は線B3−B3に沿った断面を図示し、図4(d)は線C2−C2に沿った断面を図示する。図4(a)から図4(d)に示すように、メサ13の上に絶縁膜21を残存させる。図4(a)および図4(c)に示すように、フォトリソグラフィおよびBHF処理により、メサ13から+Y側に離間した位置に絶縁膜23を形成する。絶縁膜23は例えば厚さ100nmのSiNで形成されている。例えばHCl系エッチャントを用いたウェットエッチングにより、RIEにより損傷した層を除去する。例えばOMVPE法により、コンタクト層14の上に埋め込み層28をエピタキシャル成長する。図4(a)に示すように埋め込み層28はメサ13を囲む。絶縁膜21および23はBHFなどにより除去する。
図5(a)に示すように、CVD法などにより例えば厚さ200nmのSiN膜である絶縁膜25を形成する。例えば蒸着・リフトオフ法などにより、オーミック電極30および32を形成する。図5(b)に示すように、CVD法などにより絶縁膜25の上にSiONの絶縁膜27を形成する。フォトリソグラフィにより絶縁膜27上に不図示のレジストパターンを作成し、CF4を用いたRIEにより絶縁膜27に開口部を形成する。
図5(c)に示すように、フォトリソグラフィにより不図示のレジストパターンを形成し、スパッタリングにより金属層34および36を形成する。さらにレジストパターンを金属層34および36の上に形成し、メッキ層38および40を形成する。六フッ化硫黄(SF6)を用いたRIEにより金属層34および36のうち不要な部分を除去し、レジストをO2アッシングにより除去する。
図6(a)に示すように、絶縁膜27の上に、例えばCVD法などにより厚さ300nmのSiN膜である絶縁膜42を形成する。フォトリソグラフィにより不図示のレジストパターンを絶縁膜42上に形成し、BHFを用いたエッチングにより絶縁膜42、27および25にレジストパターンを転写する。絶縁膜42をマスクとして、Cl2系ガスを用いたRIEにより化合物半導体層に複数の溝29を形成する。複数の溝29の間にはブリッジ31が形成される。
図6(b)は図6(a)の線D−Dに沿った断面を図示しており、ブリッジ31に対応する。図6(b)に示すように、ブリッジ31はエッチングされなかった部分である。図6(c)は図6(a)の線E−Eに沿った断面を図示しており、溝29からメサ13にかけた部分に対応する。図6(c)に示すように、溝29は基板10まで到達し、犠牲層12、コンタクト層14および埋め込み層28が溝29の内壁を形成する。メサ13は溝29に露出せず、埋め込み層28および絶縁膜42に覆われる。
図7(a)および図7(b)はそれぞれ図6(b)および図6(c)に対応する断面を図示する。図7(a)および図7(b)に示すように、例えば過酸化水素(H2O2)を含むエッチャントを用いて犠牲層12をエッチングする。エッチャントが溝29に侵入し、犠牲層12に達することで、犠牲層12が除去され、空洞35が形成される。埋め込み層28およびコンタクト層14は犠牲層12よりもエッチングされにくいため、残存する。メサ13は埋め込み層28および絶縁膜42によって保護されるため、エッチングされない。このウェットエッチングにより、メサ13および埋め込み層28が基板10から離間し、小片11が形成される。小片11の下面はコンタクト層14の下面14aである。小片11は、図6(a)に示したブリッジ31により宙吊りにされている。
図8(a)に示すように、スタンプ(PDMS)44が小片11をピックアップし、基板50の表面に配置する。コンタクト層14とSi層56とが接触し、これらの間の分子間力により、小片11と基板50とが接合される。このトランスファープリンティングにおいては、小片11のメサ13が、図1(a)に示した基板50の導波路51上に位置するように接合を行う。接合後、BHFを用いて絶縁膜42を除去する。
図8(b)に示すように、小片11の上に例えば厚さ200nmのSiNまたはSiO2である絶縁膜46を形成する。さらに、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、CF4を用いたRIEにより絶縁膜46にパターンを転写する。これにより図8(b)のような絶縁膜46が形成される。絶縁膜46はテーパ状の突出部46aを有する。小片11のうち−X側の部分は絶縁膜46に覆われる。具体的には、メサ13のうち、吸収層16を含む部分(メッキ層40下の部分)、および当該部分より−X側は絶縁膜46に覆われる。メサ13のうち+X側の一部は突出部46aに覆われ、他の部分は露出する。また、メッキ層38および40も絶縁膜46に覆われる。
図8(c)に示すように、絶縁膜46をマスクとして、例えばCH4/H2ガスを用いたRIEを行い、小片11のうち絶縁膜46から露出する部分を除去する。メサ13の一部が残存し、メサ13に隣接するテーパ形状のメサ15が形成される。絶縁膜46はBHFにより除去する。以上の工程により光半導体素子100が形成される。
実施例1によれば、メサ13を埋め込む埋め込み層28を形成するため、小片11の上面の平坦性が高くなり、メサ15を精度高く形成することができる。具体的には、平坦性の向上により、フォトリソグラフィによってレジストパターンを正確に形成することができ、絶縁膜46へのパターン転写および絶縁膜46をマスクとしたエッチングの精度も向上する。この結果、メサ15を、導波路51と光結合する位置に形成することができ、光結合の効率が上昇する。
また、犠牲層12をエッチングする際に埋め込み層28がメサ13の保護膜として機能し、メサ13の損傷が抑制される。保護のためにレジストなどを設けなくてよいため、小片11の分離後にレジストのバリなどが発生しない。したがって、接合界面の平坦性が高くなり、小片11の剥離が抑制される。また、平坦な接合界面を得るために、小片11と基板50との間に樹脂層などを介在させなくてよい。つまり小片11と基板50とを接触させることができ、光結合効率が向上する。
犠牲層12は、埋め込み層28の溝29から露出する。エッチャントが溝29に侵入することで犠牲層12をエッチングし、小片11を形成することができる。メサ13は埋め込み層28に囲まれ溝29に露出せず、かつ絶縁膜42に覆われる。埋め込み層28および絶縁膜42が保護膜として機能することで、メサ13のエッチングが抑制される。
犠牲層12と埋め込み層28とはエッチング選択性を有する。例えば犠牲層12はAlInAsなどAsを含む化合物半導体層であり、一方で埋め込み層28はAsを含まず例えばInPで形成されている。H2O2系のエッチャントにより犠牲層12をエッチングし、埋め込み層28のエッチングは抑制することができる。犠牲層12および埋め込み層28は他の半導体で形成されてもよく、エッチング選択性を有していればよい。エッチャントしてH2O2系以外のものを用いてもよい。
吸収層16およびコア層24は例えばAsを含む化合物半導体層であり、実施例1では吸収層16はi−GaInAsで形成され、コア層24はi−GaInAsPで形成されている。このため犠牲層12と同様にH2O2系のエッチャントでエッチングされやすい。また、(p+)−GaInAsのコンタクト層20もエッチングされやすい。実施例1によれば、メサ13をInPの埋め込み層28で保護することで、Asを含む化合物半導体層のエッチングを抑制することができる。化合物半導体層は上記以外の半導体で形成されてもよく、例えばGa、InおよびAsなどを含むIII−V族化合物半導体、またはそれ以外の化合物半導体でもよい。
メサ15は先細りのテーパ形状を有するため、導波路51との光結合の効率が向上する。しかし、接合前にメサ15を形成すると、メサ15が導波路51の上に配置するために、小片11の接合に高い精度が求められる。また、メサ15が破損しやすい。実施例1によれば、小片11を基板50に接合した後にメサ15を形成する。接合の精度は、例えばメサ13を導波路51の上に配置できる程度でよい。また、メサ15を導波路51上に高精度に形成できるため、光結合の効率が向上する。さらに、メサ15の破損を抑制することができる。なお、メサ15形成において用いるエッチャントは、例えばCH4/H2を含むものなど、基板50をエッチングしないものを用いる。
コンタクト層14、吸収層16、クラッド層18およびコンタクト層20を積層した後、これらの一部を除去し、残存する部分に隣接するようにバッファ層22、コア層24およびクラッド層26を積層する。バットジョイント再成長により吸収層16とコア層24とが隣接し、導波路51、コア層24および吸収層16間で光の伝搬が可能となる。
埋め込み層28の形成後、基板50への接合前に小片11に電極を形成する。電極を設けることで小片11が受光素子として機能する。
10、50、52 基板
11 小片
12 犠牲層
13、15 メサ
14、20 コンタクト層
16 吸収層
18、26 クラッド層
19、21、25、27、42 絶縁膜
22 バッファ層
24 コア層
28 埋め込み層
29 溝
30、32 オーミック電極
31 ブリッジ
34、36 金属層
35 空洞
38、40 メッキ層
44 スタンプ
51 導波路
53 テラス
100 光半導体素子
11 小片
12 犠牲層
13、15 メサ
14、20 コンタクト層
16 吸収層
18、26 クラッド層
19、21、25、27、42 絶縁膜
22 バッファ層
24 コア層
28 埋め込み層
29 溝
30、32 オーミック電極
31 ブリッジ
34、36 金属層
35 空洞
38、40 メッキ層
44 スタンプ
51 導波路
53 テラス
100 光半導体素子
Claims (8)
- 犠牲層、吸収層およびコア層を含む複数の化合物半導体層を形成する工程と、
前記複数の化合物半導体層から第1メサを形成する工程と、
前記第1メサを埋め込む半導体層である埋め込み層を形成する工程と、
前記埋め込み層を形成する工程の後、前記犠牲層をエッチングすることで前記複数の化合物半導体層および前記埋め込み層を含む小片を形成する工程と、
シリコンを含み導波路を有する基板に、前記小片を接合する工程と、
前記基板に接合された前記小片の前記第1メサの一部をエッチングすることで、前記第1メサに隣接し、前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する第2メサを形成する工程と、を有する光半導体素子の製造方法。 - 前記小片を形成する工程の前に、前記埋め込み層に前記犠牲層が露出する溝を形成する工程を有し、
前記第1メサは前記溝から露出せず、
前記小片を形成する工程において、前記第1メサは前記埋め込み層および前記マスクに覆われ、前記溝に露出する部分から前記犠牲層がエッチングされる請求項1に記載の光半導体素子の製造方法。 - 前記犠牲層はアルミニウム砒素を含み、
前記埋め込み層はインジウムリンを含む請求項1または2に記載の光半導体素子の製造方法。 - 前記吸収層および前記コア層はガリウムインジウム砒素を含む請求項3に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記第2メサは前記第1メサから遠ざかるほど細くなるテーパ形状を有する請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記複数の化合物半導体層を形成する工程は、前記犠牲層の上に前記吸収層を積層する工程、および前記積層方向に交差する方向において前記吸収層に隣接する前記コア層を前記犠牲層の上に積層する工程を含む請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記埋め込み層を形成する工程の後であって前記小片を形成する工程の前に、前記化合物半導体層に電極を形成する工程を有する請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
- シリコンを含み、導波路を有する基板と、
前記基板に直接に接合され、化合物半導体層および埋め込み層を含む小片と、を具備し、
前記化合物半導体層は、互いに隣接する吸収層およびコア層を含み、
前記小片は、互いに隣接する第1メサおよび第2メサを有し、
前記埋め込み層は前記第1メサを埋め込み、
前記第2メサは前記コア層を含み、前記基板の導波路と光結合する光半導体素子。
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