JP2020155509A - コイル部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】素体とバンプ電極との絶縁性向上が図られたコイル部品を提供する。【解決手段】 コイル部品1では、金属磁性粉含有樹脂で構成された素体10とコイル22との絶縁が、第1の絶縁被覆(すなわち、第1の絶縁体34、第2の絶縁体54、および、保護膜38、58)により図られている。また、素体10とバンプ電極60との絶縁は、絶縁体62により図られている。そのため、コイル部品1においては、素体10とバンプ電極60との絶縁性の向上が図られている。【選択図】図7
Description
本発明は、コイル部品に関する。
近年、高密度実装に対応するため、チップの底面にのみ端子電極が設けられた底面端子型のコイル部品の開発が進められている。下記特許文献1には、素体が金属磁性粉含有樹脂で構成された底面端子型のコイル部品が開示されている。また、下記特許文献1の図21には、コイルの端部からチップ底面に設けられた端子電極に向けて延びるバンプ電極が開示されている。
発明者らは、バンプ電極の絶縁について検討を重ね、その結果、金属磁性粉含有樹脂で構成された素体とバンプ電極との絶縁性を高めることができる技術を新たに見出した。
本発明は、素体とバンプ電極との絶縁性向上が図られたコイル部品を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係るコイル部品は、金属磁性粉含有樹脂で構成され、実装基板に対向される下面を有する素体と、素体内に配置され、第1の絶縁被覆で覆われたコイルと、素体の下面に設けられた一対の端子電極と、素体の下面に対して交差する方向に延び、コイルの両端部と一対の端子電極とをそれぞれ接続する一対のバンプ電極と、素体内において、一対のバンプ電極の少なくともコイル側の端部を覆う第2の絶縁被覆とを備える。
上記コイル部品においては、金属磁性粉含有樹脂で構成された素体とコイルとの絶縁が、第1の絶縁被覆により図られている。また、素体とバンプ電極との絶縁は、第2の絶縁被覆により図られている。そのため、上記コイル部品においては、素体とバンプ電極との絶縁性の向上が図られている。
他の態様に係るコイル部品では、バンプ電極の素体の下面側の端部が第2の絶縁被覆から露出している。
他の態様に係るコイル部品では、バンプ電極の素体の下面側の端部が、素体の下面に平行な面における断面寸法が素体の下面に近づくに従って漸次拡大する拡大部である。
本発明によれば、素体とバンプ電極との絶縁性向上が図られたコイル部品が提供される。
以下、図面を参照して種々の実施形態および実施例について説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1に示すように、実施形態に係るコイル部品1は、直方体状の外形を有する。コイル部品1は、一例として、長辺1.2mm、短辺1.0mm、高さ0.5mmの寸法で設計され得る。または、コイル部品1は、別の一例として、長辺2.0mm、短辺1.2mm、高さ0.6mmの寸法で設計され得る。
コイル部品1は、素体10と、素体10内に埋設されたコイル部20とを備えて構成されている。
素体10は、直方体状の外形を有し、6つの面10a〜10fを有する。素体10の面10a〜10fのうち、上面10aと下面10bとが互いに平行であり、端面10cと端面10dとが互いに平行であり、側面10eと側面10fとが互いに平行である。素体10の下面10bは、コイル部品1が実装される実装基板の実装面と平行に対向する面である。
素体10は、磁性材料により構成されている。本実施形態では、素体10は、磁性材料の一種である金属磁性粉含有樹脂により構成されている。金属磁性粉含有樹脂は、金属磁性粉体がバインダ樹脂により結着された結着粉体である。金属磁性粉は、たとえば鉄ニッケル合金(パーマロイ合金)、カルボニル鉄、アモルファス、非晶質または結晶質のFeSiCr系合金、センダスト等で構成され得る。バインダ樹脂は、たとえば熱硬化性のエポキシ樹脂である。本実施形態では、結着粉体における金属磁性粉体の含有量は、体積パーセントでは80〜92vol%であり、質量パーセントでは95〜99wt%である。磁気特性の観点から、結着粉体における金属磁性粉体の含有量は、体積パーセントで85〜92vol%、質量パーセントで97〜99wt%であってもよい。
コイル部20は、第1のコイル体30と、基板40と、第2のコイル体50とを備えて構成されている。具体的には、素体10の上面側に位置する基板40の上面40a上に第1のコイル体30が設けられ、素体10の下面側に位置する基板40の下面40b上に第2のコイル体50が設けられている。本実施形態において、基板40の上面40a側から見た第1のコイル体30のパターン形状と、基板40の下面40b側から見た第2のコイル体50のパターン形状は同一である。
基板40は、素体10の上面10aおよび下面10bに対して平行に延在する板状部材である。基板40は、基板40と素体10の下面10bとの距離が、基板40と素体10の上面10aとの距離より短くなるように配置されている。図3に示すように、基板40は、素体10の長辺方向に沿って延びる楕円環状のコイル形成部41と、コイル形成部41から素体10の側面10e、10fまでそれぞれ延びる一対の突起部46A、46Bと、素体10の短辺方向に沿って延びるとともにコイル形成部41を両側から挟む一対のフレーム部47A、47Bとを有する。基板40には、コイル形成部41の外周と一対のフレーム部47A、47Bとで画成された領域のそれぞれに、略三角形状の貫通孔43、44が設けられている。また、コイル形成部41には、長円形の開口42の縁部に円形の貫通孔45が設けられている。
基板40には、ガラスクロスにシアネート樹脂(BT(ビスマレイミド・トリアジン)レジン:登録商標)が含浸された基板で、板厚60μmのものを用いることができる。なお、BTレジンのほか、ポリイミド、アラミド等を用いることもできる。基板40の材料としては、セラミックやガラスを用いることもできる。基板40の材料としては、大量生産されているプリント基板材料が好ましく、特にBTプリント基板、FR4プリント基板、あるいはFR5プリント基板に用いられる樹脂材料が最も好ましい。
第1のコイル体30は、コイル形成部41における基板上面40aに設けられている。図2に示すように、第1のコイル体30は、コイル部品1のコイル22の一部を構成する第1の平面コイル32と、第1の絶縁体34と、第1の島状電極36とを備えて構成されている。
第1の平面コイル32は、基板40の上面40aにおいて、同一層内で、コイル形成部41の開口42の周りに巻かれた略長円形の渦巻状空芯コイルである。第1の平面コイル32のターン数は、1ターンであってもよく複数ターンであってもよい。本実施形態では、第1の平面コイル32のターン数は3〜4である。第1の平面コイル32は、外側端部32aと、内側端部32bと、外側端部32aと内側端部32bとをつなぐ第1のターン部32cとを有する。外側端部32aは、基板40の厚さ方向から見て、基板40の貫通孔43を覆う領域に設けられており、略三角形状を有する。より詳しくは、外側端部32aは角丸の三角形状を有する。さらに詳しくは、外側端部32aの内周側の側面は、第1のターン部32cに面しており、かつ、第1のターン部32cの外周面に沿うように円弧状に湾曲している。内側端部32bは、基板40の厚さ方向から見て、基板40の貫通孔45を覆う領域に設けられており、円形状を有する。第1の平面コイル32は、たとえばCuで構成されており、電解めっきにより形成され得る。
第1の島状電極36は、基板40の厚さ方向から見て、基板40の貫通孔44と重なる領域に設けられており、略三角形状を有する。より詳しくは、第1の島状電極36は角丸の三角形状を有する。さらに詳しくは、第1の島状電極36の内周側の側面は、第1のターン部32cに面しており、かつ、第1のターン部32cの外周面に沿うように円弧状に湾曲している。第1の島状電極36は、基板40の上面40aにおいて、第1の平面コイル32とは接していない。第1の島状電極36は、コイル部20の回路を構成する上で必要ではないダミー電極である。第1の島状電極36は、たとえばCuで構成されており、電解めっきにより形成され得る。
第1の絶縁体34は、基板40の上面40a上に設けられており、公知のフォトリソグラフィーによってパターニングされた厚膜レジストである。第1の絶縁体34は、第1の平面コイル32および第1の島状電極36の成長領域を画定しており、第1の平面コイル32が形成された層と同じ層内において第1の平面コイル32を覆っている。本実施形態では、第1の絶縁体34は、第1の平面コイル32の輪郭を画定する外壁34aおよび内壁34bと、第1の平面コイル32の第1のターン部32cの内側のターンと外側のターンとを隔てる隔壁34cと、第1の島状電極36の輪郭を画定する外壁34dとを含む。第1の絶縁体34は、たとえばエポキシ樹脂で構成される。
第1のコイル体30は、図5に示すように、第1の平面コイル32および第1の絶縁体34を、素体10の上面10a側から一体的に覆う保護膜38をさらに備えている。保護膜38は、たとえばエポキシ樹脂で構成される。保護膜38により、素体10に含まれる金属磁性粉と第1の平面コイル32との間の絶縁性が高められる。
第2のコイル体50は、コイル形成部41における基板下面40bに設けられている。図4に示すように、第2のコイル体50は、コイル部品1のコイル22の一部を構成する第2の平面コイル52と、第2の絶縁体54と、第2の島状電極56とを備えて構成されている。
第2の平面コイル52は、基板40の下面40bにおいて、同一層内で、コイル形成部41の開口42の周りに巻かれた略長円形の渦巻状空芯コイルである。第2の平面コイル52のターン数は、1ターンであってもよく複数ターンであってもよい。本実施形態では、第2の平面コイル52のターン数は3〜4である。第2の平面コイル52は、外側端部52aと、内側端部52bと、外側端部52aと内側端部52bとをつなぐ第2のターン部52cとを有する。外側端部52aは、基板40の厚さ方向から見て、基板40の貫通孔44を覆う領域に設けられており、第1の平面コイル32の外側端部32aと同様の略三角形状を有する。すなわち、外側端部52aは角丸の三角形状を有し、第2のターン部52cに面する内周側の側面は第2のターン部52cの外周面に沿うように円弧状に湾曲している。内側端部52bは、基板40の厚さ方向から見て、基板40の貫通孔45を覆う領域に設けられており、円形状を有する。第2の平面コイル52は、たとえばCuで構成されており、電解めっきにより形成され得る。
第2の島状電極56は、基板40の厚さ方向から見て、基板40の貫通孔43と重なる領域に設けられており、第1の島状電極36と同様の略三角形状を有する。すなわち、第2の島状電極56は角丸の三角形状を有し、第2のターン部52cに面する第2の島状電極56の内周側の側面は第2のターン部52cの外周面に沿うように円弧状に湾曲している。第2の島状電極56は、基板40の下面40bにおいて、第2の平面コイル52とは接していない。第2の島状電極56は、たとえばCuで構成されており、電解めっきにより形成され得る。
第2の絶縁体54は、基板40の下面40b上に設けられており、公知のフォトリソグラフィーによってパターニングされた厚膜レジストである。第2の絶縁体54は、第2の平面コイル52および第2の島状電極56の成長領域を画定しており、第2の平面コイル52が形成された層と同じ層内において第2の平面コイル52を覆っている。本実施形態では、第2の絶縁体54は、第2の平面コイル52の輪郭を画定する外壁54aおよび内壁54bと、第2の平面コイル52の第2のターン部52cの内側のターンと外側のターンとを隔てる隔壁54cと、第2の島状電極56の輪郭を画定する外壁54dとを含む。第2の絶縁体54は、たとえばエポキシ樹脂で構成される。
第2のコイル体50は、図5に示すように、第2の平面コイル52および第2の絶縁体54を、素体10の下面10b側から一体的に覆う保護膜58をさらに備えている。保護膜58は、たとえばエポキシ樹脂で構成される。保護膜58により、素体10に含まれる金属磁性粉と第2の平面コイル52との間の絶縁性が高められる。
基板40の下面40bには、第2の島状電極56に接続された導体53が設けられている。導体53は、後述するとおり、コイル22を電解めっきによって形成する際の給電ラインとして機能する。導体53は、コイル形成部41とフレーム部47Bとに跨がるように設けられている。図1に示すように、導体53は、素体10の端面10cから露出している。導体53は、第2の島状電極56を介して、第1の平面コイル32および第2の平面コイル52と電気的に接続されている。
図6に示すように、基板40の貫通孔45にはビア導体48が充填されている。基板40の上面40aに設けられた第1の平面コイル32と、基板40の下面40bに設けられた第2の平面コイル52とは、基板40を厚さ方向に貫く貫通孔45内のビア導体48を介して、それぞれの内側端部32b、52b同士が接続されている。本実施形態では、第1の平面コイル32と、第2の平面コイル52と、ビア導体48により、基板40の開口42周りに空芯のコイル22が構成されている。コイル22は、基板40の厚さ方向(すなわち、上面10aと下面10bとの対向方向)に対して平行なコイル軸を有する。
第1の平面コイル32と第2の平面コイル52とは、コイル22の両端部(すなわち、第1の平面コイル32の外側端部32aおよび第2の平面コイル52の外側端部52a)の間に電圧が印加された際に同じ向き(すなわち、基板40を厚さ方向から見て同じ周回方向)に電流が流れるように巻かれている。本実施形態では、図2に示すように第1の平面コイル32は外側端部32aから内側端部32bへ向かう周回方向が右回りであり、図4に示すように第2の平面コイル52は内側端部52bから外側端部52aへ向かう周回方向が右回りである。第1の平面コイル32と第2の平面コイル52とは、同じ向きに電流が流れるため、発生する磁束が重畳して互いに強め合う。コイル22は、本発明の第1の絶縁被覆である第1の絶縁体34、第2の絶縁体54、および、保護膜38、58により覆われており、これらによりコイル22と素体10との間の絶縁が図られている。
図7に示すように、基板40の貫通孔43、44にはビア導体49が充填されている。基板40の上面40aに設けられた第1の島状電極36と、基板40の下面40bに設けられた第2の平面コイル52の外側端部52aとは、基板40を厚さ方向に貫く貫通孔43内のビア導体49を介して接続されている。同様に、基板40の上面40aに設けられた第1の平面コイル32の外側端部32aと、基板40の下面40bに設けられた第2の島状電極56とは、基板40を厚さ方向に貫く貫通孔44内のビア導体49を介して接続されている。
素体10には、コイル部20に加えて、一対のバンプ電極60が埋設されている。一対のバンプ電極60は、コイル22の両端部を素体10の下面10bまで引き出すように、基板40の厚さ方向に沿って延びている。一対のバンプ電極60のうち、コイル22の一方の端部32aに接続されるバンプ電極60Aは、第2の島状電極56の下面から素体10の下面10bまで延びており、第2の島状電極56を介してコイル22の一方の端部32aと電気的に接続されている。一対のバンプ電極60のうち、コイル22の他方の端部52aに接続されるバンプ電極60Bは、コイル22の他方の端部52aに直接接しており、コイル22の他方の端部52aの下面から素体10の下面10bまで延びている。
図8に示すように、一対のバンプ電極60はいずれも、基板40の厚さ方向から見て、第1のコイル体30および第2のコイル体50を含む矩形領域24の隅部に位置している。図8における一点鎖線は、上記矩形領域24を示す仮想線である。本実施形態では、基板40の厚さ方向から見て、矩形領域24は、第1のコイル体30および第2のコイル体50に外接している。各バンプ電極60は、基板40の厚さ方向に直交する面における断面形状が略三角形状である。より詳しくは、各バンプ電極60の断面形状は、第1のコイル体30または第2のコイル体50の外周と矩形領域24の隅部を画成する2辺に沿う三角形状である。たとえば、バンプ電極60Aは、矩形領域24の隅部を画成する2辺および第2のコイル体50の外周に沿う略三角形の断面形状を有し、バンプ電極60Bは、矩形領域24の隅部を画成する2辺および第1のコイル体30の外周に沿う略三角形の断面形状を有する。
各バンプ電極60A、60Bは、基板40の厚さ方向の全長に亘って、同一断面形状および同一断面寸法であってもよい。本実施形態では、各バンプ電極60A、60Bは、素体10の下面10bの近傍部分である下端に拡大部60aを有する。拡大部60aでは、素体10の下面10bに近づくに従って断面寸法(具体的には基板40の厚さ方向に直交する面における断面寸法)が漸次拡大している。
各バンプ電極60A、60Bは、基板40の厚さ方向の全長に亘って、周囲が絶縁体62(第2の絶縁被覆)で覆われている。絶縁体62は、たとえばエポキシ樹脂によって構成されている。本実施形態では、各バンプ電極60A、60Bの拡大部60aは、絶縁体62に覆われておらず、絶縁体62から露出している。絶縁体62は、第2の絶縁体54とは別体で設けられている。
なお、バンプ電極60はいずれも、基板40の厚さ方向において第1の平面コイル32の第1のターン部32cにも第2の平面コイル52の第2のターン部52cにも重なっていない。より詳しくは、バンプ電極60はいずれも、少なくとも基板40側の端部(すなわち、上端部)は、第1のターン部32cにも第2のターン部52cにも重なっていない。本実施形態では、バンプ電極60の下端にある拡大部60aも、基板40の厚さ方向において第1のターン部32cにも第2のターン部52cにも重なっていない。バンプ電極60の下端部が、基板40の厚さ方向において第1のターン部32cおよび第2のターン部52cと重なった態様であってもよい。
貫通孔43、44およびビア導体49は、一対のバンプ電極60同様、矩形領域24の隅部に位置している。ビア導体49の断面形状(すなわち、貫通孔43、44の開口形状)は、一対のバンプ電極60の断面形状同様、第1のコイル体30または第2のコイル体50の外周と矩形領域24の隅部を画成する2辺に沿う略三角形状である。ビア導体49の断面形状は、バンプ電極60の断面形状に対して同一形状または相似形状であってもよい。
貫通孔43と重なる第1の平面コイル32の外側端部32a、および、貫通孔44と重なる第2の平面コイル52の外側端部52aについても、貫通孔43、44同様、矩形領域24の隅部に位置している。
第1の島状電極36および第2の島状電極56は、一対のバンプ電極60同様、矩形領域24の隅部に位置している。第1の島状電極36および第2の島状電極56は、基板40の厚さ方向に直交する面における断面形状が、第1のコイル体30または第2のコイル体50の外周と矩形領域24の隅部を画成する2辺に沿う略三角形状である。第1の島状電極36および第2の島状電極56の断面形状は、バンプ電極60の断面形状に対して同一形状または相似形状であってもよい。
素体10の下面10bには、図5および図7に示すように、窪み部12が設けられている。窪み部12は、下面10bに対して一段窪んだ部分である。窪み部12は、下面10bに対して傾いた斜面12aを有し、斜面12aにおいて下面10bと連続している。
素体10の下面10bには、一対の端子電極70が設けられている。一対の端子電極70は、素体10の下面10bから露出する一対のバンプ電極60とそれぞれ接続されている。一対の端子電極70のうち、バンプ電極60Aと接続される端子電極70Aは、端面10c近傍の下面10bに設けられており、バンプ電極60Bと接続される端子電極70Bは端面10d近傍の下面10bに設けられている。各バンプ電極60の下端は拡大部60aとなっているため、バンプ電極60と端子電極70との接触面積の拡大が図られている。各端子電極70A、70Bは、樹脂電極で構成されており、たとえばAg粉を含有した樹脂で構成することができる。
なお、窪み部12内に、各端子電極70A、70Bの一部が設けられている。換言すると、各端子電極70A、70Bの一部は、端面10c、10d近傍から窪み部12の斜面12aまで達している。そのため、各端子電極70A、70Bの一部が窪み部12の斜面12aに達していない場合に比べて、端面10c、10dの対向方向における端子電極70Aの長さW1および端子電極70Bの長さW2の延長が図られている。端子電極70Aの長さW1と端子電極70Bの長さW2とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。その上、窪み部12の斜面12aによって下面10bにおける端子電極70A、70B間の延長が図られているため、各端子電極70A、70Bの一部が窪み部12の斜面12aに達したとしても、端子電極70A、70Bの離間距離W3はあまり縮まらない。そのため、端子電極70A、70B間における絶縁が十分に図られている。
各端子電極70A、70Bは、バンプ電極60に対応する領域において、下面10bを基準とする厚さdが均一ではない。すなわち、各端子電極70A、70Bは、厚さdが最も大きい最厚部Pと、最厚部Pよりも薄い部分とを有する。本実施形態に係る端子電極70A、70Bでは、最厚部Pは、基板40の厚さ方向においてバンプ電極60と重なる位置に存在し、最厚部Pから離れるに従って厚さdが小さくなっている。各端子電極70A、70Bの厚さdが不均一であるため、所定の実装基板上に、素体下面10bと実装基板とが対向するようにコイル部品1をはんだ実装する際、はんだフィレットの形成領域が増加し、その結果、実装強度の向上が図られ得る。
以下、上述したコイル部品1を製造する手順について、図9〜11を参照しつつ説明する。
コイル部品1を製造する際には、図9(a)に示すように、基板40を準備する。このとき、ウエハに基板40が形成されており、複数の基板40がウエハにマトリクス状に並んでいる。基板40の両面40a、40bには、シードパターンSが形成されている。シードパターンSは、第1の平面コイル32、第1の島状電極36、第2の平面コイル52、第2の島状電極56のそれぞれに対応するパターンを含む。また、基板40の下面40bには、第2の島状電極56に対応するパターンと接続され、図示しない電源に接続された導体53が設けられている。さらに、基板40には、上述した貫通孔43、44、45が設けられており、各貫通孔43、44、45にはビア導体48、49がそれぞれ充填されている。図9(a)では、貫通孔43、44、45およびビア導体48、49の図示は省略している。
そして、図9(b)に示すように、基板40の両面40a、40bに、第1の絶縁体34および第2の絶縁体54を形成する。第1の絶縁体34および第2の絶縁体54は、厚膜レジストを公知のフォトリソグラフィーによってパターニングすることで形成され得る。第1の絶縁体34は、第1の平面コイル32および第1の島状電極36に対応するシードパターンSを囲むように形成され、第2の絶縁体54は、第2の平面コイル52および第2の島状電極56に対応するシードパターンSを囲むように形成される。
次に、図9(c)に示すように、導体53からシードパターン51に給電しつつCuの電解めっきをおこない、第1の平面コイル32、第1の島状電極36、第2の平面コイル52、第2の島状電極56をそれぞれ形成する。このとき、第1の絶縁体34および第2の絶縁体54により画成された空間がCuで充たされる。上記電解めっきの後、必要に応じて、絶縁体から露出したCuの表面処理(たとえば、黒化処理等)をおこなうことができる。黒化処理では、Cuめっき上に黒化層(Cuの酸化層)が形成される。表面が粗面化された黒化層を形成することで、アンカー効果により、Cuめっきと保護膜38、58とが強固に結合される。
なお、導体53は、第1の平面コイル32および第2の平面コイル52の電解めっきに利用することができれば、第1の平面コイル32および第2の平面コイル52のいずれか一方と電気的に接続されていればよく、第1の平面コイル32および第2の平面コイル52の両方と電気的に接続されていてもよい。本実施形態では、導体53は素体10の表面(すなわち、端面10c)から露出しているため、コイル部品1の外見から導体53が露出した位置を確認することで、導体53が接続された第2の島状電極56の位置やバンプ電極60Aの位置を判別することができる。
そして、図10(a)に示すように、上述した保護膜38、58を形成する。なお、バンプ電極60が形成される第2の平面コイル52の外側端部52aおよび第2の島状電極56の一部または全部は、保護膜58が形成されず(または保護膜58が形成された後に除去されて)、保護膜58から露出している。なお、上記の黒化処理をおこなった場合には、還元処理により、保護膜58から露出した領域の第2の平面コイル52の外側端部52aおよび第2の島状電極56における黒化層が除去される。上記工程を経て、上述したコイル部20が得られる。
続いて、図10(b)に示すように、一対のバンプ電極60が形成される領域(すなわち、第2の平面コイル52の外側端部52aおよび第2の島状電極56)のそれぞれを囲む筒状の絶縁体62を形成する。絶縁体62は、基板40の下面40b側に設けた厚膜レジストを公知のフォトリソグラフィーによってパターニングすることで形成することができる。
さらに、図10(c)に示すように、絶縁体62の内側において保護膜58から露出した第2の平面コイル52の外側端部52aおよび第2の島状電極56を用いてCuの電解めっきをおこなう。このとき、絶縁体62の内部空間がCuで充たされて、絶縁体62内にバンプ電極60がそれぞれ形成される。
その後、公知の方法を用いて、コイル部20およびバンプ電極60を磁性材料で一体的に覆って素体10を構成する。素体10の下面10bの窪み部12は、平坦な下面10bを、たとえばグラインダ等を用いて研磨することで設けることができる。最後に、素体10の下面10bに上述した形状を有する端子電極70を形成して、ウエハを個片化することで、コイル部品1の製造が完了する。なお、コイル部品1には、平面コイル32、52の形成に用いられるレジストが第1の絶縁体34および第2の絶縁体54として残留する。第1の絶縁体34および第2の絶縁体54はいわゆる永久レジストである。
なお、絶縁体62は、次に示すような方法で形成することもできる。すなわち、図11(a)に示すように、基板40の下面40b側に厚膜のレジスト80を形成する。レジスト80は、基板40の開口42に対応する開口82を有する。また、レジスト80は、一対のバンプ電極60が形成される領域(すなわち、第2の平面コイル52の外側端部52aおよび第2の島状電極56)のそれぞれに対応する開口84A、84Bを有する。続いて、図11(b)に示すように、レジスト80の開口84A、84B内において保護膜58から露出した第2の平面コイル52の外側端部52aおよび第2の島状電極56を用いてCuの電解めっきをおこなう。このとき、開口84A、84Bの内部空間がCuで充たされて、開口84A、84B内にバンプ電極60がそれぞれ形成される。さらに、図11(c)に示すように、レジスト80を除去してバンプ電極60を露出させる。その後、露出させたバンプ電極60の表面に、未硬化の樹脂(たとえばエポキシ樹脂)をディップ等で付与して硬化させ、表面全体を絶縁体で覆う。さらに、バンプ電極60の端面(素体下面10b側の面)を覆う絶縁体を研磨等により選択的に除去することで、バンプ電極60の周囲を覆う筒状の絶縁体62が得られる。
以上において説明したとおり、コイル部品1では、金属磁性粉体で構成された素体10とコイル22との絶縁が、第1の絶縁被覆(すなわち、第1の絶縁体34、第2の絶縁体54、および、保護膜38、58)により図られている。また、素体10とバンプ電極60との絶縁は、絶縁体62により図られている。そのため、コイル部品1においては、素体10とバンプ電極60との絶縁性の向上が図られている。
バンプ電極60は、素体10の下面10bに対して交差する方向であれば、素体10の下面10bに直交する方向(すなわち、基板40の厚さ方向)に延びていてもよく、素体10の下面10bに直交する方向に対して傾いていてもよい。
また、各バンプ電極60の下端は拡大部60aとなっているため、バンプ電極60と端子電極70との接触面積の拡大が図られている。それにより、バンプ電極60と端子電極70とを確実に接続することができる。
さらに、コイル部品1では、第1のコイル体30が第1の島状電極36をダミー電極として備えることで、第1のコイル体30のパターン形状と第2の島状電極56を備える第2のコイル体50のパターン形状との均一化が図られている。それにより、基板40の両面において第1のコイル体30および第2のコイル体50を同時にめっき形成する際、両コイル体30、50の間のめっき成長速度のズレが抑制され、両コイル体30、50が同じ速度でめっき成長し得る。
本発明は、上述した実施形態に限らず、様々に変更することができる。たとえば、コイル部の第1のコイル体のパターン形状と第2のコイル体のパターン形状とは同一であってもよく、一部が異なっていてもよい。また、基板と素体下面との距離が、基板と素体上面との距離と等しい態様であってもよい。
1…コイル部品、10…素体、20…コイル部、22…コイル、24…矩形領域、30…第1のコイル体、32…第1の平面コイル、32a…外側端部、32b…内側端部、32c…第1のターン部、34…第1の絶縁体、36…第1の島状電極、40…基板、50…第2のコイル体、52…第2の平面コイル、52a…外側端部、52b…内側端部、52c…第2のターン部、54…第2の絶縁体、56…第2の島状電極、60…バンプ電極、70…端子電極。
Claims (3)
- 金属磁性粉含有樹脂で構成され、実装基板に対向される下面を有する素体と、
前記素体内に配置され、第1の絶縁被覆で覆われたコイルと、
前記素体の下面に設けられた一対の端子電極と、
前記素体の下面に対して交差する方向に延び、前記コイルの両端部と前記一対の端子電極とをそれぞれ接続する一対のバンプ電極と、
前記素体内において、前記一対のバンプ電極の少なくとも前記コイル側の端部を覆う第2の絶縁被覆と
を備える、コイル部品。 - 前記バンプ電極の前記素体の下面側の端部が前記第2の絶縁被覆から露出している、請求項1に記載のコイル部品。
- 前記バンプ電極の前記素体の下面側の端部が、前記素体の下面に平行な面における断面寸法が前記素体の下面に近づくに従って漸次拡大する拡大部である、請求項1または2に記載のコイル部品。
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