JP2020149983A

JP2020149983A - Light-emitting device, manufacturing method for the same, and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2020149983A
Application number: JP2020106781A
Authority: JP
Inventors: 健腰原; Takeshi Koshihara; 野澤　陵一; Ryoichi Nozawa; 陵一野澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2018-12-19
Filing date: 2020-06-22
Publication date: 2020-09-17
Anticipated expiration: 2033-08-27
Also published as: JP6915734B2

Abstract

To widen a light emission region, enhance luminous intensity of light emitted from the light emission region, and provide bright display.SOLUTION: A light-emitting device includes: a third transistor 23; a power line 14; a first insulating layer 28 having a part with a film thickness Bd1, a part with a film thickness Gd1, and a part with a film thickness Rd1; a pixel electrode 31 being provided on the first insulating layer 28 and having light transmissivity; a second insulating layer 29 covering a peripheral edge of the pixel electrode 31; a light-emitting function layer 32; a counter electrode 33 having light reflectivity and light transmissivity; and a relay electrode 106 being provided on the part with the film thickness Bd1 and having at least a part thereof planarly overlapping with the pixel electrode 31. The pixel electrode 31 includes: a pixel electrode 31B provided on the part with the film thickness Bd1; a pixel electrode 31G provided on the part with the film thickness Gd1; and a pixel electrode 31R provided on the part with the film thickness Rd1. The pixel electrode 31B, the pixel electrode 31G, and the pixel electrode 31R are connected to the third transistor 23 via the relay electrode 106.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、及び当該発光装置を搭載した電子機器に関する。 The present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the light emitting device, and an electronic device equipped with the light emitting device.

発光装置の一例として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）素子がマトリックス状に配置された電気光学装置（特許文献１）が提案されている。特許文献１に記載の電気光学装置は、薄膜トランジスターを有し、光を発する画素がマトリックス状に配置されたアクティブマトリックス型の発光装置である。画素には、光反射層と、透光性絶縁膜と、第１電極（画素電極）と、隔壁層と、発光機能層と、第２電極（対向電極）とが順に積層されている。 As an example of the light emitting device, for example, an electro-optical device (Patent Document 1) in which organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) elements are arranged in a matrix has been proposed. The electro-optical device described in Patent Document 1 is an active matrix type light emitting device having a thin film and having pixels that emit light arranged in a matrix. A light reflecting layer, a translucent insulating film, a first electrode (pixel electrode), a partition wall layer, a light emitting functional layer, and a second electrode (counter electrode) are laminated in this order on the pixel.

隔壁層で覆われていない領域の画素電極から発光機能層に電流が供給されて、発光機能層が発光する。つまり、隔壁層で覆われていない領域（隔壁層が形成されていない領域）が、発光領域となる。さらに、画素電極はコンタクトホールを覆うように設けられ、コンタクトホールを介して画素電極と薄膜トランジスターとが電気的に接続される。つまり画素電極と薄膜トランジスターとが電気的に接続される部分が、コンタクト領域となる。画素電極は、発光領域及びコンタクト領域に跨って設けられている。
透光性絶縁膜は、光反射層と対向電極との間の光学的な距離を調整する役割を有し、透光性絶縁膜の膜厚は、第１画素の発光領域＞第２画素の発光領域＞第３画素の発光領域＞コンタクトホールの形成領域（コンタクト領域）という関係を満たすように、設定されている。 A current is supplied to the light emitting functional layer from the pixel electrode in the region not covered by the partition wall, and the light emitting functional layer emits light. That is, the region not covered by the partition layer (the region where the partition layer is not formed) is the light emitting region. Further, the pixel electrode is provided so as to cover the contact hole, and the pixel electrode and the thin film are electrically connected to each other through the contact hole. That is, the portion where the pixel electrode and the thin film are electrically connected becomes the contact region. The pixel electrodes are provided so as to straddle the light emitting region and the contact region.
The translucent insulating film has a role of adjusting the optical distance between the light reflecting layer and the counter electrode, and the film thickness of the translucent insulating film is such that the light emitting region of the first pixel> the second pixel. It is set so as to satisfy the relationship of light emitting region> light emitting region of the third pixel> contact hole forming region (contact region).

かかる構成（光共振構造）によって、発光機能層で発した光は、光反射層と対向電極との間を往復し、光反射層と対向電極との間の光学的な距離、つまり透光性絶縁膜の膜厚に応じた共振波長の光が選択的に増幅され、各画素から射出される。特許文献１に記載の電気光学装置は、上記光共振構造によって、例えば、ピーク波長が６１０ｎｍの赤の波長域の光、ピーク波長が５４０ｎｍの緑の波長域の光、及びピーク波長が４７０ｎｍの青の波長域の光、つまり色純度の高い光が各画素から表示光として射出され、優れた色再現性を有する。 With such a configuration (optical resonance structure), the light emitted from the light emitting functional layer reciprocates between the light reflecting layer and the counter electrode, and the optical distance between the light reflecting layer and the counter electrode, that is, translucency. Light having a resonance wavelength corresponding to the thickness of the insulating film is selectively amplified and emitted from each pixel. The electro-optical device described in Patent Document 1 has, for example, light in a red wavelength region having a peak wavelength of 610 nm, light in a green wavelength region having a peak wavelength of 540 nm, and blue having a peak wavelength of 470 nm due to the optical resonance structure. Light in the wavelength range of, that is, light having high color purity is emitted from each pixel as display light, and has excellent color reproducibility.

特開２００９−１３４０６７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-134067

上述したように、特許文献１に記載の電気光学装置では、発光領域の透光性絶縁膜の膜厚＞コンタクト領域の透光性絶縁膜の膜厚という関係を有しているので、発光領域とコンタクト領域との間に、光学的な距離が異なる境界（透光性絶縁膜の膜厚が異なる境界）が形成される。 As described above, the electro-optical device described in Patent Document 1 has a relationship of the thickness of the translucent insulating film in the light emitting region> the film thickness of the translucent insulating film in the contact region. A boundary having a different optical distance (a boundary having a different film thickness of the translucent insulating film) is formed between the contact region and the contact region.

特許文献１に記載の電気光学装置では、より明るい表示を得るために発光領域を広くしようとすると、当該境界が障害となって発光領域を広くすることが難しいという課題があった。
詳しくは、当該境界を越えて発光領域を広くすると、発光領域には、光学的な距離が異なる部分が生じる。光学的な距離が異なると共振波長が変化するので、発光領域から異なる共振波長の光が発せられることになり、発光領域から発する光の色純度が低下する。このため、当該境界を越えて発光領域を広くすることが難しいという課題があった。 The electro-optical device described in Patent Document 1 has a problem that it is difficult to widen the light emitting region because the boundary becomes an obstacle when trying to widen the light emitting region in order to obtain a brighter display.
Specifically, if the light emitting region is widened beyond the boundary, a portion having a different optical distance is generated in the light emitting region. Since the resonance wavelength changes when the optical distance is different, light having a different resonance wavelength is emitted from the light emitting region, and the color purity of the light emitted from the light emitting region is lowered. Therefore, there is a problem that it is difficult to widen the light emitting region beyond the boundary.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 The present invention has been made to solve at least a part of the above-mentioned problems, and can be realized as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る発光装置は、トランジスターと、前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に設けられた光の透過性を有する画素電極と、前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、前記発光機能層を覆い光の反射性と光の透過性とを有する対向電極と、前記第１の層厚の部分の上に設けられ、少なくとも一部が前記画素電極と平面的に重なる導電層と、を含み、前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、前記第１の画素電極と、前記第２の画素電極と、前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されていることを特徴とする。 [Application Example 1] The light emitting device according to the present application example covers a transistor, a light reflecting layer provided above the transistor, and the light reflecting layer, and has a first layer thickness portion and the first layer. Above the first insulating layer having a second layer thickness portion thicker than the thick portion and a third layer thickness portion thicker than the second layer thickness portion, and the first insulating layer. A pixel electrode having light transmittance, a second insulating layer covering the peripheral edge of the pixel electrode, a light emitting functional layer covering the pixel electrode and the second insulating layer, and the light emitting functional layer. A counter electrode having light reflectivity and light transmission, and a conductive layer provided on the first layer thickness portion and at least partially overlapping the pixel electrode in a plane are included. The pixel electrodes include a first pixel electrode provided in the first layer thickness portion, a second pixel electrode provided in the second layer thickness portion, and the third layer thickness. The first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode have a third pixel electrode provided in the portion of the above, and the transistor is provided via the conductive layer. It is characterized by being connected to.

導電層は、第１の層厚の部分の上に設けられ、トランジスターからの信号は、導電層を介して画素電極に供給される。導電層は画素電極と平面的に重なり、導電層が設けられた領域が、トランジスターと画素電極とを接続するコンタクト領域になる。画素電極の周縁部は第２の絶縁層で覆われ、トランジスターからの信号に応じて、第２の絶縁層で覆われていない領域の画素電極から発光機能層に電流が供給され、発光機能層が発光する。つまり、第２の絶縁層で覆われていない領域が、発光機能層が発光する発光領域となる。画素電極は、コンタクト領域及び発光領域に跨って設けられている。 The conductive layer is provided on the portion of the first layer thickness, and the signal from the transistor is supplied to the pixel electrode via the conductive layer. The conductive layer overlaps the pixel electrode in a plane, and the region provided with the conductive layer becomes a contact region for connecting the transistor and the pixel electrode. The peripheral edge of the pixel electrode is covered with a second insulating layer, and a current is supplied from the pixel electrode in the region not covered with the second insulating layer to the light emitting functional layer in response to a signal from the transistor to supply the light emitting functional layer. Lights up. That is, the region not covered by the second insulating layer is the light emitting region where the light emitting functional layer emits light. The pixel electrode is provided so as to straddle the contact region and the light emitting region.

発光機能層（発光領域）で発した光は、光反射層と対向電極との間を往復し、光反射層と対向電極との間の光学的な距離に応じて共振し、特定波長の光が増幅される。光学的な距離は、第１の絶縁層の層厚によって変化する。第１の絶縁層は３種類の層厚を有しているので、３種類の共振波長の光が発せられる。例えば、青、緑、赤の３種類の波長の光が増幅されるように、第１の絶縁層の層厚を調整することで、発光領域で発した青、緑、赤の光の色純度を高めることができる。 The light emitted from the light emitting functional layer (light emitting region) reciprocates between the light reflecting layer and the counter electrode, resonates according to the optical distance between the light reflecting layer and the counter electrode, and emits light of a specific wavelength. Is amplified. The optical distance varies depending on the thickness of the first insulating layer. Since the first insulating layer has three kinds of layer thicknesses, light having three kinds of resonance wavelengths is emitted. For example, by adjusting the layer thickness of the first insulating layer so that light having three kinds of wavelengths of blue, green, and red is amplified, the color purity of blue, green, and red light emitted in the light emitting region Can be enhanced.

第１の層厚の部分に第１の画素電極が設けられ、第２の層厚の部分に第２の画素電極が設けられ、第３の層厚の部分に第３の画素電極が設けられており、それぞれの画素電極が設けられた領域の第１の絶縁層の層厚は一定である。すなわち、画素電極が設けられた領域の光学的な距離は一定になっている。 A first pixel electrode is provided in the first layer thickness portion, a second pixel electrode is provided in the second layer thickness portion, and a third pixel electrode is provided in the third layer thickness portion. The layer thickness of the first insulating layer in the region where each pixel electrode is provided is constant. That is, the optical distance of the region where the pixel electrodes are provided is constant.

画素電極が設けられた領域の光学的な距離は一定であるので、画素電極における発光領域とコンタクト領域との間隔を小さくし、画素電極における発光領域を広くしても、光学的な距離は変化することがない。換言すれば、公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）では画素電極が設けられた領域は光学的な距離が異なる境界を有していたが、本発明では画素電極が設けられた領域における光学的な距離は一定であるので、画素電極における発光領域を広くしても、共振波長の変化（色純度の低下）は発生せず、公知技術と比べて発光領域を広くすることができる。よって、発光領域で発する光の色純度の低下を招くことなく、発光領域で発する光の光度を高めることができる。従って、本適用例に係る発光装置では、色純度及び光度が高い表示、すなわち明るく鮮やかな色の表示を提供することができる。 Since the optical distance of the region where the pixel electrode is provided is constant, the optical distance changes even if the distance between the light emitting region and the contact region of the pixel electrode is reduced and the light emitting region of the pixel electrode is widened. There is nothing to do. In other words, in the known technique (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-134067), the regions where the pixel electrodes are provided have boundaries having different optical distances, but in the present invention, the optics in the region where the pixel electrodes are provided. Since the target distance is constant, even if the light emitting region of the pixel electrode is widened, the resonance wavelength does not change (decrease in color purity), and the light emitting region can be widened as compared with the known technique. Therefore, it is possible to increase the luminous intensity of the light emitted in the light emitting region without causing a decrease in the color purity of the light emitted in the light emitting region. Therefore, the light emitting device according to the present application example can provide a display having high color purity and luminosity, that is, a display of bright and vivid colors.

［適用例２］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と第２絶縁膜と第３絶縁膜とを有し、前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、前記導電層は、第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層とを有し、前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、前記第２の画素電極は、前記第２絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して前記第２の導電層に接続され、前記第３の画素電極は、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることが好ましい。 [Application Example 2] In the light emitting device according to the above application example, the first insulating layer includes a first insulating film, a second insulating film, and a third insulating film laminated in order from the side of the reflective layer. The first insulating film has the first layer thickness, and the portion where the first insulating film and the second insulating film are laminated has the second layer thickness, and the first insulating film has the second layer thickness. The portion where the first insulating film, the second insulating film, and the third insulating film are laminated has the third layer thickness, and the conductive layer includes the first conductive layer and the second conductive layer. It has a third conductive layer, the first pixel electrode is in direct contact with the first conductive layer, and the second pixel electrode is via a first contact hole penetrating the second insulating film. The third conductive layer is connected to the second conductive layer, and the third pixel electrode is connected to the third conductive layer through the second insulating film and the second contact hole penetrating the third insulating film. Is preferable.

第１の層厚の部分は第１絶縁膜で構成され、第２の層厚の部分は第１絶縁膜と第２絶縁膜とで構成され、第３の層厚の部分は第１絶縁膜と第２絶縁膜と第３絶縁膜とで構成されている。第１絶縁膜、第２絶縁膜、及び第３絶縁膜が均一な膜厚を有するように制御することで、第１の層厚の部分の膜厚、第２の層厚の部分の膜厚、及び第３の層厚の部分の膜厚の均一性を高めることができる。よって、第１の画素電極が設けられた領域の光学的な距離、第２の画素電極が設けられた領域の光学的な距離、及び第３の画素電極が設けられた領域の光学的な距離の均一性を高め、各画素電極から発せられる光の共振波長のバラツキを小さくし、各画素電極の発光領域から発せられる光の色純度を高めることができる。 The first layer thickness portion is composed of the first insulating film, the second layer thickness portion is composed of the first insulating film and the second insulating film, and the third layer thickness portion is the first insulating film. It is composed of a second insulating film and a third insulating film. By controlling the first insulating film, the second insulating film, and the third insulating film to have a uniform film thickness, the film thickness of the first layer thickness portion and the film thickness of the second layer thickness portion are controlled. , And the uniformity of the film thickness of the third layer thickness portion can be improved. Therefore, the optical distance of the region where the first pixel electrode is provided, the optical distance of the region where the second pixel electrode is provided, and the optical distance of the region where the third pixel electrode is provided. It is possible to increase the uniformity of the light, reduce the variation in the resonance wavelength of the light emitted from each pixel electrode, and increase the color purity of the light emitted from the light emitting region of each pixel electrode.

［適用例３］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の画素電極は前記第１の層厚の部分の中に設けられ、前記第２の画素電極は前記第２の層厚の部分の中に設けられていることが好ましい。 [Application Example 3] In the light emitting device according to the above application example, the first pixel electrode is provided in the portion of the first layer thickness, and the second pixel electrode is of the second layer thickness. It is preferable that it is provided in the portion.

第１の層厚の部分の中に第１の画素電極を配置することで、第１の層厚の部分に対応した共振波長の光を第１の画素電極の発光領域から発することができる。第２の層厚の部分の中に第２の画素電極を配置することで、第２の層厚の部分に対応した共振波長の光を第２の画素電極の発光領域から発することができる。よって、第１の画素電極及び第２の画素電極の発光領域から発する光の色純度を高めることができる。 By arranging the first pixel electrode in the portion of the first layer thickness, light having a resonance wavelength corresponding to the portion of the first layer thickness can be emitted from the light emitting region of the first pixel electrode. By arranging the second pixel electrode in the portion of the second layer thickness, light having a resonance wavelength corresponding to the portion of the second layer thickness can be emitted from the light emitting region of the second pixel electrode. Therefore, the color purity of the light emitted from the light emitting region of the first pixel electrode and the second pixel electrode can be increased.

［適用例４］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第３の画素電極は、第１の方向に並んで配置されており、前記第１の層厚の部分、及び前記第２の層厚の部分は、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在した矩形状をなしていることが好ましい。 [Application Example 4] In the light emitting device according to the above application example, the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode are arranged side by side in the first direction. It is preferable that the first layer thickness portion and the second layer thickness portion have a rectangular shape extending in the second direction intersecting the first direction.

第１の層厚の部分は、第１の画素電極が配置され、第１の共振波長の光を発する。第２の層厚の部分は、第２の画素電極が配置され、第２の共振波長の光を発する。第３の層厚の部分は、第３の画素電極が配置され、第３の共振波長の光を発する。第１の共振波長の光を発する部分、第２の共振波長の光を発する部分、及び第３の共振波長の光を発する部分は、第２の方向に延在した矩形状を有している。第２の方向に交差する第１の方向に、第１の共振波長の光を発する部分（第１の層厚の部分）と、第２の共振波長の光を発する部分（第２の層厚の部分）と、第３の共振波長の光を発する部分（第３の層厚の部分）とを繰り返して配置することで、３種類の色を発する部分がストライプ配置となった発光領域（表示領域）を形成することができる。 A first pixel electrode is arranged in the portion of the first layer thickness, and light having a first resonance wavelength is emitted. A second pixel electrode is arranged in the portion of the second layer thickness, and emits light having a second resonance wavelength. A third pixel electrode is arranged in the portion of the third layer thickness, and emits light having a third resonance wavelength. The portion that emits light of the first resonance wavelength, the portion that emits light of the second resonance wavelength, and the portion that emits light of the third resonance wavelength have a rectangular shape extending in the second direction. .. A portion that emits light having a first resonance wavelength (a portion having a first layer thickness) and a portion that emits light having a second resonance wavelength (a portion having a second layer thickness) in the first direction intersecting the second direction. By repeatedly arranging the part that emits light of the third resonance wavelength (the part of the third layer thickness), the part that emits three kinds of colors is a light emitting region (display) that is arranged in stripes. Region) can be formed.

［適用例５］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の絶縁層は、前記光反射層の側に順に積層された第１絶縁膜と有機絶縁層とを有し、前記有機絶縁層は、第１の平坦部と前記第１の平坦部よりも厚い第２平坦部とを有し、前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第１の平坦部とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第２の平坦部とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、前記導電層は、第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層とを有し、前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、前記第２の画素電極は、前記第１の平坦部を貫く第１のコンタクトホールを介して、前記第２の導電層に接続され、前記第３の画素電極は、前記第２の平坦部を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることが好ましい。 [Application Example 5] In the light emitting device according to the above application example, the first insulating layer has a first insulating film and an organic insulating layer which are sequentially laminated on the side of the light reflecting layer, and the organic insulating layer. The layer has a first flat portion and a second flat portion thicker than the first flat portion, and the first insulating film has the first layer thickness and is the same as the first insulating film. The portion where the first flat portion is laminated has the second layer thickness, and the portion where the first insulating film and the second flat portion are laminated has the third layer thickness. The conductive layer has a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer, and the first pixel electrode is in direct contact with the first conductive layer. The second pixel electrode is connected to the second conductive layer through the first contact hole penetrating the first flat portion, and the third pixel electrode penetrates the second flat portion. It is preferable that the third conductive layer is connected to the third conductive layer via the second contact hole.

有機絶縁層は、塗布や印刷などの安価な装置を用いて形成することができるので、プラズマＣＶＤやスパッタなどの高価な装置を用いて形成する無機絶縁層（例えば、酸化シリコン）と比べて、安価に形成することができる。 Since the organic insulating layer can be formed by using an inexpensive device such as coating or printing, it is compared with an inorganic insulating layer (for example, silicon oxide) formed by using an expensive device such as plasma CVD or sputtering. It can be formed inexpensively.

［適用例６］上記適用例に記載の発光装置において、前記有機絶縁層は、感光性樹脂材料を用いて形成された第１有機絶縁膜と第２有機絶縁膜とを有し、前記第１の平坦部は前記第１有機絶縁膜で構成され、前記第２の平坦部は前記第１有機絶膜と前記第２有機絶縁膜とで構成されていることが好ましい。 [Application Example 6] In the light emitting device according to the above application example, the organic insulating layer has a first organic insulating film and a second organic insulating film formed by using a photosensitive resin material, and the first organic insulating film is provided. It is preferable that the flat portion of the above is composed of the first organic insulating film, and the second flat portion is composed of the first organic film and the second organic insulating film.

有機絶縁膜では、感光性樹脂材料を用いたフォトリソプロセスだけでパターニングできるので、フォトリソプロセスに加えてエッチングプロセスを必要とする無機絶縁膜（例えば、酸化シリコン）のパターニング方法と比べて、工程が簡略化され、生産性を高めることができる。 Since the organic insulating film can be patterned only by the photolithography process using a photosensitive resin material, the process is simpler than the patterning method of an inorganic insulating film (for example, silicon oxide) which requires an etching process in addition to the photolithography process. It can be converted and productivity can be increased.

［適用例７］本適用例に係る発光装置は、第１のトランジスターと、第２のトランジスターと、第３のトランジスターと、前記第１のトランジスター、第２のトランジスター、第３のトランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の層厚の部分の上に設けられた第１の画素電極と、前記第１のトランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、前記第２の層厚の部分の上に設けられた第２の画素電極と、前記第２のトランジスターを電気的に接続された第２の中継電極と、前記第３の層厚の部分の上に設けられた第３の画素電極と、前記第３のトランジスターに電気的に接続された第３の中継電極と、対向電極と、前記第１の画素電極と対向電極との間、前記第２の画素電極と対向電極との間、及び前記第３の画素電極と対向電極との間に設けられた発光機能層と、を備え、前記第１の中継電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１接続部を介して前記第１の画素電極に接続され、前記第２の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第２接続部を介して前記第２の画素電極に接続され、前記第３の中継電極は、前記第３の層厚の部分に設けられた第３接続部を介して前記第３の画素電極に接続されてなることを特徴とする。 [Application Example 7] The light emitting device according to the present application example is above the first transistor, the second transistor, the third transistor, the first transistor, the second transistor, and the third transistor. The provided light-reflecting layer, the second layer thickness portion covering the light-reflecting layer, the first layer thickness portion, the second layer thickness portion thicker than the first layer thickness portion, and the second layer thickness portion. A first insulating layer having a third layer thickness portion thicker than the portion of the first layer, a first pixel electrode provided on the first layer thickness portion, and electricity to the first transistor. A second relay electrode electrically connected to a first relay electrode, a second pixel electrode provided on the second layer thickness portion, and the second transistor. A third pixel electrode provided on the third layer thickness portion, a third relay electrode electrically connected to the third transistor, a counter electrode, and the first A light emitting functional layer provided between the pixel electrode and the counter electrode, between the second pixel electrode and the counter electrode, and between the third pixel electrode and the counter electrode is provided, and the first The relay electrode is connected to the first pixel electrode via a first connecting portion provided in the first layer thickness portion, and the second relay electrode is the second layer thickness portion. The third relay electrode is connected to the second pixel electrode via the second connecting portion provided in the third layer, and the third relay electrode is connected to the third connecting portion via the third connecting portion provided in the third layer thickness portion. It is characterized in that it is connected to the pixel electrode of 3.

これによれば、画素電極における発光領域とコンタクト領域との間隔を小さくし、画素電極における発光領域を広くすることができる。従って、本適用例に係る発光装置では、色純度及び光度が高い表示、すなわち明るく鮮やかな色の表示を提供することができる。 According to this, the distance between the light emitting region and the contact region in the pixel electrode can be reduced, and the light emitting region in the pixel electrode can be widened. Therefore, the light emitting device according to the present application example can provide a display having high color purity and luminosity, that is, a display of bright and vivid colors.

［適用例８］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の画素電極上において第１の発光領域を規定し、前記第２の画素電極上において第２の発光領域を規定し、前記第３の画素電極上において第３発光領域を規定する第２の絶縁層をさらに備え、前記第１の発光領域は、前記第１の層厚の部分の上に設けられ、前記第２の発光領域は、前記第２の層厚の部分の上に設けられ、前記第３の発光領域は、前記第３の層厚の部分の上に設けられてもよい。 [Application Example 8] In the light emitting device according to the above application example, a first light emitting region is defined on the first pixel electrode, and a second light emitting region is defined on the second pixel electrode. A second insulating layer defining a third light emitting region is further provided on the third pixel electrode, and the first light emitting region is provided on the portion of the first layer thickness, and the second light emitting region is provided. The region may be provided on the portion of the second layer thickness, and the third light emitting region may be provided on the portion of the third layer thickness.

［適用例９］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の層厚の部分は、前記第１の発光領域から前記第１接続部に至るように設けられ、前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域から前記第２接続部に至るように設けられ、前記第３の層厚の部分は、前記第３の発光領域から前記第３接続部に至るように設けられてもよい。 [Application Example 9] In the light emitting device according to the above application example, the first layer thickness portion is provided so as to extend from the first light emitting region to the first connection portion, and the second layer thickness is provided. The portion is provided so as to extend from the second light emitting region to the second connecting portion, and the portion having the third layer thickness is provided so as to reach the third connecting portion from the third light emitting region. May be done.

［適用例１０］上記適用例に記載の発光装置において、第４の発光領域をさらに備え、前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域及び前記第４の発光領域に跨って設けられてもよい。 [Application Example 10] In the light emitting device according to the above application example, a fourth light emitting region is further provided, and the second layer thickness portion straddles the second light emitting region and the fourth light emitting region. It may be provided.

［適用例１１］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の層厚の部分は、前記第１接続部を囲むように設けられ、前記第２の層厚の部分は、前記第２接続部を囲むように設けられ、前記第３の層厚の部分は、前記第３接続部を囲むように設けられてもよい。 [Application Example 11] In the light emitting device according to the above application example, the first layer thickness portion is provided so as to surround the first connection portion, and the second layer thickness portion is the second layer thickness portion. It may be provided so as to surround the connection portion, and the third layer thickness portion may be provided so as to surround the third connection portion.

［適用例１２］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第３絶縁膜と、を有し、前記第１接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して前記第１の中継電極に接続され、且つ前記第１の画素電極に接する第１の導電層を有し、前記第２接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して前記第２の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜を貫く第３のコンタクトホールを介して前記第２の画素電極に接続された第２の導電層を有し、前記第３接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第４のコンタクトホールを介して前記第３の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第５のコンタクトホールを介して前記第３の画素電極に接続された第３の導電層を有してもよい。 [Application Example 12] In the light emitting device according to the above application example, the first insulating layer includes a first insulating film, a second insulating film, and a third insulating film laminated in order from the side of the reflective layer. , The first connecting portion is connected to the first relay electrode via a first contact hole penetrating the first insulating film, and is in contact with the first pixel electrode. A third contact hole having a layer, the second connecting portion being connected to the second relay electrode via a second contact hole penetrating the first insulating film, and penetrating the second insulating film. It has a second conductive layer connected to the second pixel electrode via the above, and the third connecting portion is the third relay electrode via a fourth contact hole penetrating the first insulating film. A third conductive layer may be provided, which is connected to the third insulating film and is connected to the third pixel electrode via a fifth contact hole penetrating the second insulating film and the third insulating film.

［適用例１３］上記適用例に記載の発光装置において、第４のトランジスターと、前記第２の層厚の部分の上に設けられた第４の画素電極と、前記第４のトランジスターに電気的に接続された第４の中継電極と、をさらに備え、前記第４の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第４接続部を介して前記第４の画素電極に接続され、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記第２接続部と前記第４接続部との間を埋めるように設けられてもよい。 [Application Example 13] In the light emitting device according to the above application example, the fourth transistor, the fourth pixel electrode provided on the portion of the second layer thickness, and the fourth transistor are electrically connected. The fourth relay electrode is further provided with a fourth relay electrode connected to the fourth pixel electrode, and the fourth relay electrode is connected to the fourth pixel electrode via a fourth connection portion provided in the second layer thickness portion. The first insulating film and the second insulating film may be provided so as to fill the space between the second connecting portion and the fourth connecting portion.

［適用例１４］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えていることを特徴とする。 [Application Example 14] The electronic device according to the present application example is characterized by including the light emitting device described in the above application example.

本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えているので、明るく鮮やかな表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の発光装置を適用することができる。 Since the electronic device according to this application example includes the light emitting device described in the above application example, it is possible to provide a bright and vivid display. For example, the light emitting device described in the above application example can be applied to an electronic device having a display unit such as a head-mounted display, a head-up display, an electronic viewfinder of a digital camera, a portable information terminal, and a navigator.

［適用例１５］本適用例に係る発光装置の製造方法は、トランジスターと、前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い第１の層厚の部分と第２の層厚の部分と第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の層厚の部分の上に設けられた画素電極と、前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、前記発光機能層を覆う対向電極と前記第１の層厚の部分の上に設けられた導電層と、を含み、前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されている発光装置の製造方法であって、前記光反射層を形成する工程と、前記第１の層厚となるように第１絶縁膜を形成する工程と、前記導電層を形成する工程と、前記第１絶縁膜との間で前記第２の層厚となるように第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜との間で前記第３の層厚となるように、第３絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜をパターニングして、前記第１の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分と、前記第３の層厚の部分と、を有する前記第１の絶縁層を形成する工程と、前記第２の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第１のコンタクトホールと、前記第３の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第２のコンタクトホールと、を形成する工程と、前記第１の層厚の部分に前記導電層と部分的に重なる前記第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に前記第１のコンタクトホールを覆う前記第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に前記第２のコンタクトホールを覆う前記第３の画素電極と、を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。 [Application Example 15] In the method of manufacturing a light emitting device according to this application example, a transistor, a light reflecting layer provided above the transistor, a first layer thick portion covering the light reflecting layer, and a second layer are used. A first insulating layer having a layer thickness portion and a third layer thickness portion, a pixel electrode provided on the first layer thickness portion, and a second covering a peripheral portion of the pixel electrode. The insulating layer, the light emitting functional layer covering the pixel electrode and the second insulating layer, the counter electrode covering the light emitting functional layer, and the conductive layer provided on the first layer thick portion. Including, the pixel electrodes include a first pixel electrode provided in the first layer thickness portion, a second pixel electrode provided in the second layer thickness portion, and the third layer. It has a third pixel electrode provided in a thick portion, and the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode are attached to the transistor via the conductive layer. A method for manufacturing a connected light emitting device, that is, a step of forming the light reflecting layer, a step of forming a first insulating film so as to have the first layer thickness, and a step of forming the conductive layer. And the step of forming the second insulating film so as to have the second layer thickness between the first insulating film and the third insulating film, and the third insulating film between the first insulating film and the second insulating film. The step of forming the third insulating film and the patterning of the second insulating film and the third insulating film so as to have a layer thickness, the portion of the first layer thickness and the second layer thickness. A step of forming the first insulating layer having a portion and a portion having the third layer thickness, and a first contact hole for exposing a part of the conductive layer to the portion having the second layer thickness. And a step of forming a second contact hole that exposes a part of the conductive layer in the portion of the third layer thickness, and a step of partially overlapping the conductive layer in the portion of the first layer thickness. The first pixel electrode, the second pixel electrode covering the first contact hole in the second layer thickness portion, and the second contact hole covering the third layer thickness portion. It is characterized by including a step of forming the third pixel electrode.

本適用例に係る製造方法で製造された発光装置は、光反射層と第１の絶縁層と画素電極と発光機能層と対向電極とが積層された構成を有し、発光機能層で発した光は、光反射層と対向電極との間を往復し、光反射層と対向電極との間の光学的な距離に応じて共振し、特定波長の光が増幅される。光学的な距離は、第１の絶縁層の層厚によって変化する。３種類の層厚を有するように第１の絶縁層を形成しているので、３種類の特定波長の光を発する。例えば、青、緑、赤の３種類の波長の光が選択的に増幅されるように、第１の絶縁層を形成すると、発光機能層から発する青、緑、赤の光の色純度を高めることができる。 The light emitting device manufactured by the manufacturing method according to this application example has a configuration in which a light reflecting layer, a first insulating layer, a pixel electrode, a light emitting functional layer, and a counter electrode are laminated, and emits light from the light emitting functional layer. The light reciprocates between the light reflecting layer and the counter electrode, resonates according to the optical distance between the light reflecting layer and the counter electrode, and the light of a specific wavelength is amplified. The optical distance varies depending on the thickness of the first insulating layer. Since the first insulating layer is formed so as to have three types of layer thicknesses, it emits three types of light having a specific wavelength. For example, forming the first insulating layer so that light having three kinds of wavelengths of blue, green, and red is selectively amplified enhances the color purity of blue, green, and red light emitted from the light emitting functional layer. be able to.

第１の画素電極は第１の絶縁層の第１の層厚の部分に形成され、第２の画素電極は第１の絶縁層の第２の層厚の部分に形成され、第３の画素電極は第１の絶縁層の第３の層厚の部分に形成され、それぞれの画素電極は導電層に接続され、導電層を介してトランジスターからの信号が供給されるようになっている。それぞれの画素電極が形成された領域では、上記光学的な距離（第１の絶縁層の層厚）が一定になっているので、画素電極における発光領域を広くしても共振波長の変化（色純度の低下）は発生しない。すなわち、画素電極が設けられた領域に光学的な距離が異なる境界を有する公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）と比べて、色純度の低下を招くことなく発光領域を広くし、発光領域で発する光の光度を高めることができる。従って、本適用例に係る発光装置では、色純度及び光度が高い表示、すなわち明るく鮮やかな色の表示を提供することができる。 The first pixel electrode is formed in the first layer thickness portion of the first insulating layer, the second pixel electrode is formed in the second layer thickness portion of the first insulating layer, and the third pixel. The electrodes are formed in a third layer thick portion of the first insulating layer, and each pixel electrode is connected to the conductive layer so that a signal from the transistor is supplied through the conductive layer. Since the optical distance (thickness of the first insulating layer) is constant in the region where each pixel electrode is formed, the resonance wavelength changes (color) even if the light emitting region of the pixel electrode is widened. (Purity reduction) does not occur. That is, as compared with a known technique (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-134067) having boundaries having different optical distances in the region where the pixel electrodes are provided, the light emitting region is widened without causing a decrease in color purity, and the light emitting region It is possible to increase the luminosity of the light emitted by. Therefore, the light emitting device according to the present application example can provide a display having high color purity and luminosity, that is, a display of bright and vivid colors.

実施形態１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the organic EL apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。The equivalent circuit diagram which shows the electrical structure of the organic EL apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 発光画素の特徴部分を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the characteristic part of a light emitting pixel. 図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA'in FIG. 図３のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line BB'of FIG. 図３のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line CC'of FIG. 図３のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line DD'of FIG. 図３のＥ−Ｅ’線に沿った概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line EE'of FIG. 有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。A process flow showing a method for manufacturing an organic EL device. 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。The schematic cross-sectional view which shows the state of the organic EL apparatus after going through each step. 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。The schematic cross-sectional view which shows the state of the organic EL apparatus after going through each step. 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図。The schematic cross-sectional view which shows the structure of the organic EL apparatus which concerns on Embodiment 2. 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図。The schematic cross-sectional view which shows the structure of the organic EL apparatus which concerns on Embodiment 2. 有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。A process flow showing a method for manufacturing an organic EL device. 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。The schematic cross-sectional view which shows the state of the organic EL apparatus after going through each step. 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。The schematic cross-sectional view which shows the state of the organic EL apparatus after going through each step. ヘッドマウントディスプレイの概略図。Schematic diagram of a head-mounted display. 変形例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the organic EL apparatus which concerns on modification 1. 変形例２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the organic EL apparatus which concerns on modification 2.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Such an embodiment shows one aspect of the present invention, does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Further, in each of the following drawings, the scale of each layer and each part is different from the actual scale in order to make each layer and each part recognizable in the drawing.

（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、発光装置の一例であり、表示光の色純度を高めることができる光共振構造を有している。
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図であり、図２は有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である、図３は発光画素の特徴部分を示す概略平面図である。
なお、図３では、発光画素の特徴部分を説明するために必要な構成要素が図示され、他の構成要素の図示は省略されている。また図３における二点鎖線は、発光画素２０の輪郭を示している。 (Embodiment 1)
"Overview of organic EL equipment"
The organic EL device 100 according to the first embodiment is an example of a light emitting device, and has an optical resonance structure capable of increasing the color purity of the display light.
First, the outline of the organic EL device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of an organic EL device, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of an organic EL device, and FIG. 3 is a schematic plan view showing a characteristic portion of a light emitting pixel. ..
In FIG. 3, the components necessary for explaining the characteristic portion of the light emitting pixel are shown, and the other components are not shown. The alternate long and short dash line in FIG. 3 shows the outline of the light emitting pixel 20.

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、基板としての素子基板１０、素子基板１０の表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、複数の発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを駆動制御する周辺回路であるデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２、外部回路との電気的な接続を図るための外部接続用端子１０３などを備えている。 As shown in FIG. 1, the organic EL device 100 of the present embodiment has a plurality of light emitting pixels 20B, 20G, 20R, and a plurality of light emitting pixels 20B, 20G, 20R arranged in a matrix in the element substrate 10 as a substrate and the display area E of the element substrate 10. It includes a data line drive circuit 101 and a scanning line drive circuit 102, which are peripheral circuits for driving and controlling the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R, and an external connection terminal 103 for electrically connecting to an external circuit.

素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０４が設けられている。
以降、該第１辺に沿った方向をＸ方向、及び該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向として説明する。
なお、Ｘ方向は、本発明における「第１の方向」の一例であり、Ｙ方向は、本発明における「第２の方向」の一例である。 A plurality of external connection terminals 103 are arranged along the first side of the element substrate 10. A data line drive circuit 101 is provided between the plurality of external connection terminals 103 and the display area E. A scanning line drive circuit 104 is provided between the other second and third sides orthogonal to the first side and facing each other and the display area E.
Hereinafter, the direction along the first side will be described as the X direction, and the direction along the other two sides (second side and third side) orthogonal to the first side and facing each other will be described as the Y direction.
The X direction is an example of the "first direction" in the present invention, and the Y direction is an example of the "second direction" in the present invention.

有機ＥＬ装置１００は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとを有している。有機ＥＬ装置１００では、Ｘ方向に配置された発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇと発光画素２０Ｒとが表示単位Ｐとなって、フルカラーの表示が提供される。 The organic EL device 100 has a light emitting pixel 20B that can obtain blue (B) light emission, a light emitting pixel 20G that can obtain green (G) light emission, and a light emitting pixel 20R that can obtain red (R) light emission. ing. In the organic EL device 100, a light emitting pixel 20B, a light emitting pixel 20G, and a light emitting pixel 20R arranged in the X direction serve as a display unit P, and a full-color display is provided.

さらに、発光画素２０Ｂは画素電極３１Ｂを有し、発光画素２０Ｇは画素電極３１Ｇを有し、発光画素２０Ｒは画素電極３１Ｒを有している。発光画素２０Ｂ（画素電極３１Ｂ）、発光画素２０Ｇ（画素電極３１Ｇ）、及び発光画素２０Ｒ（画素電極３１Ｇ）のそれぞれは、Ｙ方向に並んで配置されている。
なお、画素電極３１Ｂは本発明における「第１の画素電極」の一例であり、画素電極３１Ｇは本発明における「第２の画素電極」の一例であり、画素電極３１Ｒは本発明における「第３の画素電極」の一例である。
以降の説明では、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒや画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと称す場合と、これらをまとめて発光画素２０や画素電極３１と称す場合とがある。 Further, the light emitting pixel 20B has a pixel electrode 31B, the light emitting pixel 20G has a pixel electrode 31G, and the light emitting pixel 20R has a pixel electrode 31R. The light emitting pixel 20B (pixel electrode 31B), the light emitting pixel 20G (pixel electrode 31G), and the light emitting pixel 20R (pixel electrode 31G) are arranged side by side in the Y direction.
The pixel electrode 31B is an example of the "first pixel electrode" in the present invention, the pixel electrode 31G is an example of the "second pixel electrode" in the present invention, and the pixel electrode 31R is the "third pixel electrode" in the present invention. This is an example of "pixel electrode".
In the following description, there are cases where the light emitting pixels 20B, 20G, 20R and the pixel electrodes 31B, 31G, 31R are referred to, and cases where these are collectively referred to as the light emitting pixels 20 and the pixel electrodes 31.

Ｙ方向には、同じ色の発光が得られる発光画素２０が配置されている。つまり、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂは、Ｙ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇは、Ｙ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒは、Ｙ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。
Ｘ方向には、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。なお、Ｘ方向における発光画素２０の配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えばＲ，Ｇ，Ｂの順であってもよい。 In the Y direction, light emitting pixels 20 that can emit light of the same color are arranged. That is, the light emitting pixels 20B that can obtain blue (B) light emission are arranged in the Y direction and have a rectangular shape (striped shape). The light emitting pixels 20G that can obtain green (G) light emission are arranged in the Y direction and have a rectangular shape (striped shape). The light emitting pixels 20R that can obtain red (R) light emission are arranged in the Y direction and have a rectangular shape (striped shape).
In the X direction, light emitting pixels 20 that can emit light of different colors are repeatedly arranged in the order of B, G, and R. The arrangement of the light emitting pixels 20 in the X direction does not have to be in the order of B, G, R, and may be, for example, in the order of R, G, B.

透光性の第１の絶縁層２８が、外部接続用端子１０３の形成領域を除く素子基板１０の略全面に設けられている。
透光性の第１の絶縁層２８は、発光画素２０Ｂ（画素電極３１Ｂ）が配置される第１の領域２８Ｂと、発光画素２０Ｇ（画素電極３１Ｇ）が配置される第２の領域２８Ｇと、発光画素２０Ｒ（画素電極３１Ｒ）が配置される第３の領域２８Ｒとを有し、それぞれの領域で第１の絶縁層２８の層厚（膜厚）が異なる。詳細は後述するが、第２の領域２８Ｇにおける第１の絶縁層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂにおける第１の絶縁層２８の膜厚よりも大きくなっている。第３の領域２８Ｒにおける第１の絶縁層２８の膜厚は、第２の領域２８Ｇにおける第１の絶縁層２８の膜厚よりも大きくなっている。つまり、第１の絶縁層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、第３の領域２８Ｒの順に大きくなっている。
第２の領域２８Ｇは、本発明における「第１の平坦部」の一例である。第３の領域２８Ｒは、本発明における「第２の平坦部」の一例である。 The translucent first insulating layer 28 is provided on substantially the entire surface of the element substrate 10 excluding the formation region of the external connection terminal 103.
The translucent first insulating layer 28 includes a first region 28B in which the light emitting pixel 20B (pixel electrode 31B) is arranged, a second region 28G in which the light emitting pixel 20G (pixel electrode 31G) is arranged, and the like. It has a third region 28R in which a light emitting pixel 20R (pixel electrode 31R) is arranged, and the layer thickness (thickness) of the first insulating layer 28 is different in each region. Although the details will be described later, the film thickness of the first insulating layer 28 in the second region 28G is larger than the film thickness of the first insulating layer 28 in the first region 28B. The film thickness of the first insulating layer 28 in the third region 28R is larger than the film thickness of the first insulating layer 28 in the second region 28G. That is, the film thickness of the first insulating layer 28 increases in the order of the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R.
The second region 28G is an example of the "first flat portion" in the present invention. The third region 28R is an example of the "second flat portion" in the present invention.

第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ及び第３の領域２８Ｒは、Ｙ方向に延在した矩形状（ストライプ形状）をなしている。
表示領域Ｅにおいて、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８ＲのＸ方向寸法は、発光画素２０のＸ方向寸法と略同じ、つまり発光画素２０のＸ方向の繰り返しピッチと略同じである。 The first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R have a rectangular shape (striped shape) extending in the Y direction.
In the display area E, the X-direction dimensions of the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R are substantially the same as the X-direction dimensions of the light-emitting pixel 20, that is, the repetition pitch of the light-emitting pixel 20 in the X-direction. Is almost the same as.

Ｙ方向において、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒは、表示領域Ｅよりも広くなっている。つまり、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域のＹ方向寸法は、表示領域ＥのＹ方向寸法よりも大きくなっている。なお、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８ＲのＹ方向寸法は、表示領域ＥのＹ方向寸法、つまり発光画素２０が配置された領域の寸法と同じであってもよい。 In the Y direction, the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R are wider than the display region E. That is, the Y-direction dimensions of the first region 28B, the second region 28G, and the third region are larger than the Y-direction dimensions of the display region E. The Y-direction dimensions of the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R are the same as the Y-direction dimensions of the display region E, that is, the dimensions of the region in which the light emitting pixels 20 are arranged. May be good.

第１の絶縁層２８は、表示領域Ｅの周辺（第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒ以外の領域）にも設けられている。本実施形態では、表示領域Ｅの周辺に設けられた第１の絶縁層２８の膜厚は、第３の領域２８Ｒの第１の絶縁層２８の膜厚と同じなっている。なお、表示領域Ｅの周辺に設けられた第１の絶縁層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂの第１の絶縁層２８の膜厚、または第２の領域２８Ｇの第１の絶縁層２８の膜厚と同じであってもよい。さらに、表示領域Ｅの周辺に設けられた第１の絶縁層２８は、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒの第１の絶縁層２８と異なる膜厚を有していてもよい。 The first insulating layer 28 is also provided around the display region E (regions other than the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R). In the present embodiment, the film thickness of the first insulating layer 28 provided around the display region E is the same as the film thickness of the first insulating layer 28 of the third region 28R. The film thickness of the first insulating layer 28 provided around the display region E is the film thickness of the first insulating layer 28 of the first region 28B or the first insulating layer of the second region 28G. It may be the same as the film thickness of 28. Further, the first insulating layer 28 provided around the display region E has a film thickness different from that of the first insulating layer 28 of the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R. You may be doing it.

なお、第１の領域２８Ｂは本発明における「第１の層厚の部分」の一例であり、第２の領域２８Ｇは本発明における「第２の層厚の部分」の一例であり、第３の領域２８Ｒは本発明における「第３の層厚の部分」の一例である。 The first region 28B is an example of the "first layer thickness portion" in the present invention, and the second region 28G is an example of the "second layer thickness portion" in the present invention. Region 28R is an example of the "third layer thickness portion" in the present invention.

図２に示すように、素子基板１０には、発光画素２０に対応する信号線として、走査線１１、データ線１２、点灯制御線１３、及び電源線１４が設けられている。走査線１１と点灯制御線１３とはＸ方向に並行して延び、走査線駆動回路１０２（図１）に接続されている。データ線１２と電源線１４とはＹ方向に並行して延びている。データ線１２は、データ線駆動回路１０１（図１）に接続されている。電源線１４は、複数配置された外部接続用端子１０３のうちいずれかに接続されている。 As shown in FIG. 2, the element substrate 10 is provided with a scanning line 11, a data line 12, a lighting control line 13, and a power supply line 14 as signal lines corresponding to the light emitting pixels 20. The scanning line 11 and the lighting control line 13 extend in parallel in the X direction and are connected to the scanning line driving circuit 102 (FIG. 1). The data line 12 and the power supply line 14 extend in parallel in the Y direction. The data line 12 is connected to the data line drive circuit 101 (FIG. 1). The power line 14 is connected to any one of a plurality of external connection terminals 103 arranged.

走査線１１とデータ線１２との交点付近には、発光画素２０の画素回路を構成する第１トランジスター２１と、第２トランジスター２２と、第３トランジスター２３と、蓄積容量２４と、有機ＥＬ素子３０とが設けられている。 Near the intersection of the scanning line 11 and the data line 12, the first transistor 21, the second transistor 22, the third transistor 23, the storage capacity 24, and the organic EL element 30 that form the pixel circuit of the light emitting pixel 20 And are provided.

有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３３と、これら電極の間に挟まれた発光層を含む発光機能層３２とを有している。対向電極３３は、複数の発光画素２０に跨って設けられた共通電極である。対向電極３３には、例えば電源線１４に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して低電位の、基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位などが与えられている。 The organic EL element 30 has a pixel electrode 31 as an anode, a counter electrode 33 as a cathode, and a light emitting functional layer 32 including a light emitting layer sandwiched between these electrodes. The counter electrode 33 is a common electrode provided across the plurality of light emitting pixels 20. The counter electrode 33 is given, for example, a reference potential Vss or a potential of GND, which is a low potential with respect to the power supply voltage Vdd applied to the power supply line 14.

第１トランジスター２１及び第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトランジスターである。第２トランジスター２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターである。 The first transistor 21 and the third transistor 23 are, for example, n-channel type transistors. The second transistor 22 is, for example, a p-channel type transistor.

第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２４の一方の電極とに接続されている。
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トランジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。
第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。
なお、第３トランジスター２３は、本発明における「トランジスター」の一例である。 The gate electrode of the first transistor 21 is connected to the scanning line 11, one current end is connected to the data line 12, and the other current end is connected to the gate electrode of the second transistor 22 and one electrode of the storage capacity 24. It is connected.
One current end of the second transistor 22 is connected to the power supply line 14 and to the other electrode of the storage capacity 24. The other current end of the second transistor 22 is connected to one current end of the third transistor 23. In other words, the second transistor 22 and the third transistor 23 share one of the pair of current ends.
The gate electrode of the third transistor 23 is connected to the lighting control line 13, and the other current end is connected to the pixel electrode 31 of the organic EL element 30.
One of the pair of current ends in each of the first transistor 21, the second transistor 22, and the third transistor 23 is a source and the other is a drain.
The third transistor 23 is an example of the "transistor" in the present invention.

このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオン状態（ＯＮ）となる。オン状態（ＯＮ）の第１トランジスター２１を介してデータ線１２と蓄積容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１４に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が蓄積容量２４に蓄積される。 In such a pixel circuit, when the voltage level of the scanning signal Yi supplied from the scanning line driving circuit 102 to the scanning line 11 reaches the Hi level, the n-channel type first transistor 21 is turned on (ON). The data line 12 and the storage capacity 24 are electrically connected via the first transistor 21 in the ON state (ON). Then, when the data signal is supplied from the data line drive circuit 101 to the data line 12, the potential difference between the voltage level Vdata of the data signal and the power supply voltage Vdd given to the power supply line 14 is accumulated in the storage capacity 24.

走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後に、点灯制御線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、第３トランジスター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のゲート・ソース電圧Ｖｇｓ、つまり蓄積容量２４に保持された電圧に応じた電流が、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に供給される。 When the voltage level of the scanning signal Yi supplied from the scanning line drive circuit 102 to the scanning line 11 reaches the Low level, the n-channel type first transistor 21 is turned off (OFF), and between the gate and source of the second transistor 22. The voltage Vgs is held at the voltage when the voltage level Vdata is given. Further, after the scanning signal Yi reaches the Low level, the voltage level of the lighting control signal Vgi supplied to the lighting control line 13 becomes the Hi level, and the third transistor 23 becomes the ON state (ON). Then, the gate-source voltage Vgs of the second transistor 22, that is, the current corresponding to the voltage held in the storage capacity 24 passes from the power supply line 14 via the second transistor 22 and the third transistor 23, and the organic EL element 30 Is supplied to.

有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、蓄積容量２４に保持された電圧（データ線１２の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差）、及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって変化し、有機ＥＬ素子３０の発光輝度が規定される。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、発光画素２０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができる。 The organic EL element 30 emits light according to the magnitude of the current flowing through the organic EL element 30. The current flowing through the organic EL element 30 changes depending on the voltage held in the storage capacity 24 (potential difference between the voltage level Vdata of the data line 12 and the power supply voltage Vdd) and the length of the period during which the third transistor 23 is turned on. However, the emission brightness of the organic EL element 30 is defined. That is, the value of the voltage level Vdata in the data signal can give the light emitting pixel 20 the gradation of brightness according to the image information.

なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，２２，２３を有することに限定されず、例えばスイッチング用トランジスターと駆動用トランジスターとを有する構成（二つのトランジスターを有する構成）としてもよい。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャネル型のトランジスターでもよいし、ｐチャネル型のトランジスターでもよいし、ｎチャネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであってもよい。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、薄膜トランジスターであってもよいし、電界効果トランジスターであってもよい。
また、走査線１１、データ線１２以外の信号線である点灯制御線１３、電源線１４の配置は、トランジスターや蓄積容量２４の配置により左右され、これに限定されるものではない。
本実施形態では、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターとして、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターを採用している。 In the present embodiment, the pixel circuit of the light emitting pixel 20 is not limited to having three transistors 21, 22, and 23, and has, for example, a configuration having a switching transistor and a driving transistor (a configuration having two transistors). ) May be used. Further, the transistor constituting the pixel circuit may be an n-channel type transistor, a p-channel type transistor, or may include both an n-channel type transistor and a p-channel type transistor. Further, the transistor constituting the pixel circuit of the light emitting pixel 20 may be a MOS type transistor having an active layer on the semiconductor substrate, a thin film, or a field effect transistor.
Further, the arrangement of the lighting control line 13 and the power supply line 14, which are signal lines other than the scanning line 11 and the data line 12, depends on and is not limited to the arrangement of the transistor and the storage capacity 24.
In the present embodiment, a MOS type transistor having an active layer on a semiconductor substrate is adopted as a transistor constituting the pixel circuit of the light emitting pixel 20.

「発光画素の特徴部分」
次に、図３を参照して、発光画素２０の特徴部分の概要を説明する。
図３に示すように、発光画素２０は、中継電極１０６と、画素電極３１と、第２の絶縁層２９とを有している。発光画素２０では、中継電極１０６と、画素電極３１と、第２の絶縁層２９とが順に積層されている（図５、図６参照）。第２の絶縁層２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを有している。青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂは、画素電極３１Ｂと中継電極１０６Ｂと開口２９Ｂとを有している。緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇは、画素電極３１Ｇと中継電極１０６Ｇと開口２９Ｇとを有している。赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒは、画素電極３１Ｒと中継電極１０６Ｒと開口２９Ｒとを有している。
以降の説明では、中継電極１０６Ｂ，１０６Ｇ，１０６Ｒと称す場合と、これらをまとめて中継電極１０６と称す場合とがある。
なお、中継電極１０６は、本発明における「導電層」の一例である。中継電極１０６Ｂは本発明における「第１の導電層」の一例であり、中継電極１０６Ｇは本発明における「第２の導電層」の一例であり、中継電極１０６Ｒは本発明における「第３の導電層」の一例である。 "Characteristic part of light emitting pixel"
Next, the outline of the characteristic portion of the light emitting pixel 20 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 3, the light emitting pixel 20 has a relay electrode 106, a pixel electrode 31, and a second insulating layer 29. In the light emitting pixel 20, the relay electrode 106, the pixel electrode 31, and the second insulating layer 29 are laminated in this order (see FIGS. 5 and 6). The second insulating layer 29 has openings 29B, 29G, and 29R that expose a part of the pixel electrode 31. The light emitting pixel 20B capable of emitting blue (B) light has a pixel electrode 31B, a relay electrode 106B, and an opening 29B. The light emitting pixel 20G from which green (G) light is emitted has a pixel electrode 31G, a relay electrode 106G, and an opening 29G. The light emitting pixel 20R capable of emitting red (R) light has a pixel electrode 31R, a relay electrode 106R, and an opening 29R.
In the following description, the relay electrodes 106B, 106G, 106R may be referred to, or these may be collectively referred to as the relay electrode 106.
The relay electrode 106 is an example of the "conductive layer" in the present invention. The relay electrode 106B is an example of the "first conductive layer" in the present invention, the relay electrode 106G is an example of the "second conductive layer" in the present invention, and the relay electrode 106R is the "third conductive layer" in the present invention. This is an example of "layer".

発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。同様に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒも、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。 Each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R has a rectangular shape in a plan view, and is arranged along the Y direction in the longitudinal direction. Similarly, the pixel electrodes 31B, 31G, and 31R also have a rectangular shape in a plan view, and are arranged along the Y direction in the longitudinal direction.

同図に示すように、中継電極１０６は、矩形状の発光画素２０の短い一辺に沿って配置され、平面視で少なくとも一部が画素電極３１と重なるように設けられている。詳細は後述するが、中継電極１０６は、画素電極３１と第３トランジスター２３とを電気的に接続する配線の一部である。換言すれば、画素電極３１は、中継電極１０６を介して第３トランジスター２３に接続されている。つまり、中継電極１０６が設けられた領域がコンタクト領域となる。 As shown in the figure, the relay electrode 106 is arranged along a short side of the rectangular light emitting pixel 20, and is provided so that at least a part thereof overlaps with the pixel electrode 31 in a plan view. Although the details will be described later, the relay electrode 106 is a part of the wiring that electrically connects the pixel electrode 31 and the third transistor 23. In other words, the pixel electrode 31 is connected to the third transistor 23 via the relay electrode 106. That is, the region where the relay electrode 106 is provided becomes the contact region.

第２の絶縁層２９は、画素電極３１の周縁部を覆い、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁する役割を有している。上述したように、第２の絶縁層２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを有している。第２の絶縁層２９で露出された部分の画素電極３１、つまり開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒで露出された画素電極３１が発光機能層３２に接し、発光機能層３２に電流を供給し、発光機能層３２を発光させる。このため、第２の絶縁層２９に設けられた開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光領域となる。このように、第２の絶縁層２９は、発光画素２０の発光領域を規定する役割も有している。
なお、本願発明において、画素電極３１は、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）において発光機能層３２に接して有機ＥＬ素子３０の電極として機能する電極部位と、トランジスターや配線と接続するコンタクト領域において電極部位と中継電極１０６とを接続する導電層として機能する導電部位とを少なくとも有している。 The second insulating layer 29 has a role of covering the peripheral edge portion of the pixel electrodes 31 and electrically insulating the adjacent pixel electrodes 31 from each other. As described above, the second insulating layer 29 has openings 29B, 29G, 29R that expose a part of the pixel electrode 31. The pixel electrode 31 of the portion exposed by the second insulating layer 29, that is, the pixel electrode 31 exposed by the openings 29B, 29G, 29R is in contact with the light emitting function layer 32, supplies a current to the light emitting function layer 32, and emits light. The layer 32 is made to emit light. Therefore, the openings 29B, 29G, 29R provided in the second insulating layer 29 serve as the light emitting region of the light emitting pixels 20B, 20G, 20R. As described above, the second insulating layer 29 also has a role of defining the light emitting region of the light emitting pixel 20.
In the present invention, the pixel electrode 31 has an electrode portion that is in contact with the light emitting functional layer 32 and functions as an electrode of the organic EL element 30 in the light emitting region (openings 29B, 29G, 29R), and a contact region that connects to a transistor and wiring. At least has a conductive portion that functions as a conductive layer that connects the electrode portion and the relay electrode 106.

詳細は後述するが、本実施形態の発光画素２０は、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｂ，１０６Ｇ，１０６Ｒ）との間の距離ＤＹを小さくすることができる構成を有している。すなわち、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）を広くし、発光機能層３２で発せられる光の光度を高めることができる構成を有している。この点が、発光画素２０の特徴部分である。 Although details will be described later, the light emitting pixel 20 of the present embodiment has a configuration in which the distance DY between the light emitting region (openings 29B, 29G, 29R) and the contact region (relay electrodes 106B, 106G, 106R) can be reduced. have. That is, it has a configuration in which the light emitting region (openings 29B, 29G, 29R) can be widened and the luminous intensity of the light emitted by the light emitting functional layer 32 can be increased. This point is a characteristic part of the light emitting pixel 20.

「発光画素の断面構造」
次に、発光画素２０の断面構造について、図４乃至図８を参照して説明する。
図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図、つまり発光領域を規定する第２の絶縁層の開口が設けられた領域の概略断面図である。図５は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図、つまり画素電極と第３トランジスターとが電気的に接続された領域の概略断面図である。図６は、図３のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図、つまり赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素の概略断面図である。図７は、図３のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図、つまり緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素の概略断面図である。図８は、図３のＥ−Ｅ’線に沿った概略断面図、つまり青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素の概略断面図である。 "Cross-sectional structure of light emitting pixels"
Next, the cross-sectional structure of the light emitting pixel 20 will be described with reference to FIGS. 4 to 8.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 3, that is, a schematic cross-sectional view of a region provided with an opening of a second insulating layer that defines a light emitting region. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along the line BB'of FIG. 3, that is, a schematic cross-sectional view of a region where the pixel electrode and the third transistor are electrically connected. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along the line CC'of FIG. 3, that is, a schematic cross-sectional view of a light emitting pixel capable of obtaining red (R) light emission. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view taken along the line DD'of FIG. 3, that is, a schematic cross-sectional view of a light emitting pixel capable of obtaining green (G) light emission. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view taken along the line EE of FIG. 3, that is, a schematic cross-sectional view of a light emitting pixel capable of obtaining blue (B) light emission.

なお、図４は、画素回路のうち、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２や、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２に関連する配線などを示し、第３トランジスター２３の図示を省略している。図５は、画素回路のうち、第３トランジスター２３や第３トランジスター２３に関連する配線などを示し、第１トランジスター２１及び第２トランジスターの図示を省略している。図６乃至図８では、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３や、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３に関連する配線などを示し、第１トランジスター２１の図示を省略している。 Note that FIG. 4 shows wiring related to the first transistor 21 and the second transistor 22 and the first transistor 21 and the second transistor 22 in the pixel circuit, and the illustration of the third transistor 23 is omitted. .. FIG. 5 shows the wiring related to the third transistor 23 and the third transistor 23 in the pixel circuit, and the illustration of the first transistor 21 and the second transistor is omitted. 6 to 8 show wirings related to the second transistor 22 and the third transistor 23, the second transistor 22 and the third transistor 23, and the like, and the first transistor 21 is not shown.

最初に、図４を参照して、発光領域を規定する第２の絶縁層２９の開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられた領域の断面構造について説明する。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０、封止基板７０、及び素子基板１０と封止基板７０とで挟持された樹脂層７１などを有している。 First, with reference to FIG. 4, the cross-sectional structure of the region provided with the openings 29B, 29G, 29R of the second insulating layer 29 that defines the light emitting region will be described.
As shown in FIG. 4, the organic EL device 100 includes an element substrate 10, a sealing substrate 70, and a resin layer 71 sandwiched between the element substrate 10 and the sealing substrate 70.

封止基板７０は、透光性の絶縁基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止基板７０は、表示領域Ｅに配置された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。樹脂層７１は、素子基板１０と封止基板７０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。 The sealing substrate 70 is a translucent insulating substrate, and a quartz substrate, a glass substrate, or the like can be used. The sealing substrate 70 has a role of protecting the organic EL element 30 arranged in the display area E from being damaged, and is provided wider than the display area E. The resin layer 71 has a role of adhering the element substrate 10 and the sealing substrate 70, and for example, an epoxy resin or an acrylic resin can be used.

素子基板１０は、画素回路（第１トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４、有機ＥＬ素子３０）、封止層４０、カラーフィルター５０などを有している。 The element substrate 10 includes a pixel circuit (first transistor 21, second transistor 22, third transistor 23, storage capacity 24, organic EL element 30), a sealing layer 40, a color filter 50, and the like.

発光画素２０で発せられた光は、カラーフィルター５０を透過して封止基板７０の側から射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造となっている。有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材１０ｓには、透明な石英基板やガラス基板だけでなく、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いることができる。本実施形態では、基材１０ｓには、半導体基板、例えばシリコン基板を使用している。 The light emitted by the light emitting pixel 20 passes through the color filter 50 and is emitted from the side of the sealing substrate 70. That is, the organic EL device 100 has a top emission structure. Since the organic EL device 100 has a top emission structure, not only a transparent quartz substrate or a glass substrate but also an opaque ceramic substrate or a semiconductor substrate can be used as the base material 10s of the element substrate 10. In this embodiment, a semiconductor substrate, for example, a silicon substrate is used as the base material 10s.

基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形成されたアクティブ層であるイオン注入部１０ｄとが設けられている。ウェル部１０ｗは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のチャネルとして機能する。イオン注入部１０ｄは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のソース・ドレインや配線の一部として機能する。 The base material 10s has a well portion 10w formed by injecting ions into a semiconductor substrate and an ion implantation which is an active layer formed by injecting ions of a type different from the well portion 10w into the well portion 10w. A portion 10d is provided. The well portion 10w functions as a channel for transistors 21, 22, and 23 in the light emitting pixel 20. The ion implanter 10d functions as a source / drain and a part of wiring of the transistors 21, 22, 23 in the light emitting pixel 20.

イオン注入部１０ｄやウェル部１０ｗが形成された基材１０ｓの表面を覆うように、絶縁膜１０ａが設けられている。絶縁膜１０ａは、トランジスター２１，２２，２３のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜１０ａの上には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇが設けられている。ゲート電極２２ｇは、第２トランジスター２２のチャネルとして機能するウェル部１０ｗに対向するように配置されている。他の第１トランジスター２１や第３トランジスター２３でも、同様にゲート電極が設けられている。 An insulating film 10a is provided so as to cover the surface of the base material 10s on which the ion implantation portion 10d and the well portion 10w are formed. The insulating film 10a functions as a gate insulating film of the transistors 21, 22, and 23. A gate electrode 22 g made of a conductive film such as polysilicon is provided on the insulating film 10a. The gate electrode 22g is arranged so as to face the well portion 10w that functions as a channel of the second transistor 22. Similarly, the gate electrodes are provided in the other first transistor 21 and the third transistor 23.

ゲート電極２２ｇを覆うように、第１層間絶縁膜１５が設けられている。第１層間絶縁膜１５には、例えば第１トランジスター２１のドレインや第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇに至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば第１トランジスター２１のドレイン電極２１ｄと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとに接続される配線が設けられている。 A first interlayer insulating film 15 is provided so as to cover the gate electrode 22 g. The first interlayer insulating film 15 is provided with, for example, a contact hole leading to the drain of the first transistor 21 and the gate electrode 22 g of the second transistor 22. A conductive film that at least covers the inside of the contact hole and covers the surface of the first interlayer insulating film 15 is formed, and by patterning this, for example, the drain electrode 21d of the first transistor 21 and the gate electrode of the second transistor 22 are formed. A wiring connected to 22 g is provided.

次に、第１層間絶縁膜１５や、第１層間絶縁膜１５の上の配線を覆うように、第２層間絶縁膜１６が設けられている。第２層間絶縁膜１６には、第１層間絶縁膜１５の上に設けられた配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば蓄積容量２４の一方の電極２４ａと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとを電気的に接続させるコンタクト部が設けられている。また、蓄積容量２４の一方の電極２４ａと同層にデータ線１２が設けられている。データ線１２は、図４では図示省略された中継電極（配線）によって、第１トランジスター２１のソースに接続されている。 Next, the second interlayer insulating film 16 is provided so as to cover the first interlayer insulating film 15 and the wiring on the first interlayer insulating film 15. The second interlayer insulating film 16 is provided with a contact hole leading to the wiring provided on the first interlayer insulating film 15. A conductive film that at least covers the inside of the contact hole and covers the surface of the second interlayer insulating film 16 is formed, and by patterning this, for example, one electrode 24a of the storage capacity 24 and the gate electrode of the second transistor 22 are formed. A contact portion for electrically connecting the 22 g is provided. Further, a data line 12 is provided in the same layer as one electrode 24a of the storage capacity 24. The data line 12 is connected to the source of the first transistor 21 by a relay electrode (wiring) (not shown in FIG. 4).

図示を省略するが、少なくとも蓄積容量２４の一方の電極２４ａを覆う誘電体層が設けられている。また、蓄積容量２４の他方の電極２４ｂが、誘電体層を挟んで、蓄積容量２４の一方の電極２４ａに対向して設けられている。これにより、これら一対の電極２４ａ，２４ｂと誘電体層とによって、蓄積容量２４が形成されている。 Although not shown, a dielectric layer is provided that covers at least one electrode 24a of the storage capacity 24. Further, the other electrode 24b of the storage capacity 24 is provided so as to face the one electrode 24a of the storage capacity 24 with the dielectric layer interposed therebetween. As a result, the storage capacity 24 is formed by the pair of electrodes 24a and 24b and the dielectric layer.

蓄積容量２４を覆うように、第３層間絶縁膜１７が設けられている。第３層間絶縁膜１７には、例えば蓄積容量２４の他方の電極２４ｂや第２層間絶縁膜１６上に形成された配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、電源線１４や中継電極１４ｃ（図５参照）などが設けられている。本実施形態では、電源線１４及び中継電極１４ｃは、光反射性と導電性とを兼ね備えた導電材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金などで構成されている。電源線１４及び中継電極１４ｃの膜厚は、概略１００ｎｍである。 A third interlayer insulating film 17 is provided so as to cover the storage capacity 24. The third interlayer insulating film 17 is provided with, for example, a contact hole leading to the other electrode 24b of the storage capacity 24 and the wiring formed on the second interlayer insulating film 16. A conductive film that covers at least the inside of the contact hole and covers the surface of the third interlayer insulating film 17 is formed, and by patterning this, a power supply line 14, a relay electrode 14c (see FIG. 5), and the like are provided. There is. In the present embodiment, the power supply line 14 and the relay electrode 14c are made of a conductive material having both light reflectivity and conductivity, for example, aluminum or an aluminum alloy. The film thickness of the power line 14 and the relay electrode 14c is approximately 100 nm.

電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に設けられ、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに開口を有している。電源線１４の開口の中に、中継電極１４ｃが設けられている。電源線１４は、トランジスター２１，２２，２３の上方で、画素電極３１に対向するように配置されている。発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）で発した光は、電源線１４で反射される。
電源線１４は、本発明における「光反射層」の一例である。
なお、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）で発した光を反射する光反射層を、画素電極３１ごとに島状に設ける構成であってもよい。 The power supply line 14 is provided on substantially the entire surface of the display area E, and has openings in each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R. A relay electrode 14c is provided in the opening of the power line 14. The power supply line 14 is arranged above the transistors 21, 22, and 23 so as to face the pixel electrode 31. The light emitted in the light emitting region (openings 29B, 29G, 29R) is reflected by the power supply line 14.
The power line 14 is an example of the “light reflecting layer” in the present invention.
The light reflecting layer that reflects the light emitted in the light emitting region (openings 29B, 29G, 29R) may be provided in an island shape for each pixel electrode 31.

電源線１４の上には、第１絶縁膜２５と、第２絶縁膜２６と、第３絶縁膜２７とが、順に積層されている。第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６、及び第３絶縁膜２７は、光透過性を有する絶縁材料で構成されている。本実施形態では、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７が酸化シリコンで構成されている。第１絶縁膜２５の膜厚は、概略５０ｎｍである。第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７の膜厚は、概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。 The first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film 27 are laminated in this order on the power supply line 14. The first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film 27 are made of a light-transmitting insulating material. In the present embodiment, the first insulating film 25 is made of silicon nitride, and the second insulating film 26 and the third insulating film 27 are made of silicon oxide. The film thickness of the first insulating film 25 is approximately 50 nm. The film thicknesses of the second insulating film 26 and the third insulating film 27 are approximately 60 nm to 70 nm.

第１絶縁膜２５は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとに設けられている。第２絶縁膜２６は、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとに設けられている。第３絶縁膜２７は、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒに設けられている。 The first insulating film 25 is provided on a light emitting pixel 20B that can obtain blue (B) light emission, a light emitting pixel 20G that can obtain green (G) light emission, and a light emitting pixel 20R that can obtain red (R) light emission. Has been done. The second insulating film 26 is provided on a light emitting pixel 20G that can obtain green (G) light emission and a light emitting pixel 20R that can obtain red (R) light emission. The third insulating film 27 is provided on the light emitting pixel 20R that can obtain red (R) light emission.

第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と、第２絶縁膜２６と、第３絶縁膜２７とで構成される。
詳しくは、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５で構成され、膜厚Ｂｄ１を有している。そして、発光画素２０Ｂにおいて、膜厚Ｂｄ１を有する第１の絶縁層２８は、中継電極１０６Ｂと画素電極３１Ｂとを接続するコンタクト領域を除き、開口２９Ｂ（発光領域）からコンタクト領域に至るように設けられている。また、膜厚Ｂｄ１を有する第１の絶縁層２８は、Ｙ方向に並ぶ複数の発光画素２０Ｂに跨って設けられている。また、換言すると、第１の領域２８Ｂには、Ｙ方向に並ぶ開口２９Ｂ（発光領域）が複数設けられている。また、第１の領域２８Ｂ内に中継電極１０６Ｂと画素電極３１Ｂとを接続するコンタクト領域が設けられている。図５に示すように、当該コンタクト領域において、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接している。 The first insulating layer 28 is composed of a first insulating film 25, a second insulating film 26, and a third insulating film 27.
Specifically, the first insulating layer 28 of the light emitting pixel 20B from which blue (B) light is emitted is composed of the first insulating film 25 and has a film thickness Bd1. Then, in the light emitting pixel 20B, the first insulating layer 28 having the film thickness Bd1 is provided so as to extend from the opening 29B (light emitting region) to the contact region except for the contact region connecting the relay electrode 106B and the pixel electrode 31B. Has been done. Further, the first insulating layer 28 having the film thickness Bd1 is provided across a plurality of light emitting pixels 20B arranged in the Y direction. In other words, the first region 28B is provided with a plurality of openings 29B (light emitting regions) arranged in the Y direction. Further, a contact region for connecting the relay electrode 106B and the pixel electrode 31B is provided in the first region 28B. As shown in FIG. 5, in the contact region, the pixel electrode 31B is in direct contact with the relay electrode 106B.

緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成され、膜厚Ｇｄ１を有している。そして、発光画素２０Ｇにおいて、膜厚Ｇｄ１を有する第１の絶縁層２８は、中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとを接続するコンタクト領域を除き、開口２９Ｇ（発光領域）からコンタクト領域に至るように設けられている。膜厚Ｇｄ１を有する第１の絶縁層２８は、Ｙ方向に並ぶ複数の発光画素２０Ｇに跨って設けられている。また、換言すると、第２の領域２８Ｇには、Ｙ方向に並ぶ開口２９Ｇ（発光領域）が複数設けられている。また、第２の領域２８Ｇ内に中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとを接続するコンタクト領域が設けられている。図５に示すように、当該コンタクト領域において、画素電極３１Ｇはコンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。 The first insulating layer 28 of the light emitting pixel 20G from which green (G) light is emitted is composed of a first insulating film 25 and a second insulating film 26, and has a film thickness Gd1. Then, in the light emitting pixel 20G, the first insulating layer 28 having a film thickness Gd1 is provided so as to extend from the opening 29G (light emitting region) to the contact region except for the contact region connecting the relay electrode 106G and the pixel electrode 31G. Has been done. The first insulating layer 28 having the film thickness Gd1 is provided across a plurality of light emitting pixels 20G arranged in the Y direction. In other words, the second region 28G is provided with a plurality of openings 29G (light emitting regions) arranged in the Y direction. Further, a contact region for connecting the relay electrode 106G and the pixel electrode 31G is provided in the second region 28G. As shown in FIG. 5, in the contact region, the pixel electrode 31G is connected to the relay electrode 106G via the contact hole 28CT1.

赤色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とで構成され、膜厚Ｒｄ１を有している。そして、発光画素２０Ｒにおいて、膜厚Ｒｄ１を有する第１の絶縁層２８は、中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとを接続するコンタクト領域を除き、開口２９Ｒ（発光領域）からコンタクト領域に至るように設けられている。膜厚Ｒｄ１を有する第１の絶縁層２８は、Ｙ方向に並ぶ複数の発光画素２０Ｒに跨って設けられている。また、換言すると、第３の領域２８Ｒには、Ｙ方向に並ぶ開口２９Ｒ（発光領域）が複数設けられている。第３の領域２８Ｒ内に中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとを接続するコンタクト領域が設けられている。図５に示すように、当該コンタクト領域において、画素電極３１Ｒはコンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。 The first insulating layer 28 of the light emitting pixel 20G capable of emitting red (G) light is composed of a first insulating film 25, a second insulating film 26, and a third insulating film 27, and has a film thickness Rd1. There is. Then, in the light emitting pixel 20R, the first insulating layer 28 having the film thickness Rd1 is provided so as to extend from the opening 29R (light emitting region) to the contact region except for the contact region connecting the relay electrode 106R and the pixel electrode 31R. Has been done. The first insulating layer 28 having the film thickness Rd1 is provided across a plurality of light emitting pixels 20R arranged in the Y direction. In other words, the third region 28R is provided with a plurality of openings 29R (light emitting regions) arranged in the Y direction. A contact region for connecting the relay electrode 106R and the pixel electrode 31R is provided in the third region 28R. As shown in FIG. 5, in the contact region, the pixel electrode 31R is connected to the relay electrode 106R via the contact hole 28CT2.

このため、発光画素２０Ｂの第１の絶縁層２８（膜厚Ｂｄ１）、発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８（膜厚Ｇｄ１）、発光画素２０Ｒの第１の絶縁層２８（膜厚Ｒｄ１）の順に厚くなっている。 Therefore, the first insulating layer 28 (thickness Bd1) of the light emitting pixel 20B, the first insulating layer 28 (thickness Gd1) of the light emitting pixel 20G, and the first insulating layer 28 (thickness Rd1) of the light emitting pixel 20R. It becomes thicker in the order of.

換言すれば、第１絶縁膜２５で構成された第１の絶縁層２８、つまり発光画素２０Ｂが配置された領域の第１の絶縁層２８が、第１の領域２８Ｂに対応する。第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成された第１の絶縁層２８、つまり発光画素２０Ｇが配置された領域の第１の絶縁層２８が、第２の領域２８Ｇに対応する。第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とで構成された第１の絶縁層２８、つまり発光画素２０Ｒが配置された領域の第１の絶縁層２８が、第３の領域２８Ｒに対応する。
なお、膜厚Ｂｄ１は、本発明における「第１の層厚」の一例である。膜厚Ｇｄ１は、本発明における「第２の層厚」の一例である。膜厚Ｒｄ１は、本発明における「第３の層厚」の一例である。 In other words, the first insulating layer 28 composed of the first insulating film 25, that is, the first insulating layer 28 in the region where the light emitting pixels 20B are arranged corresponds to the first region 28B. The first insulating layer 28 composed of the first insulating film 25 and the second insulating film 26, that is, the first insulating layer 28 in the region where the light emitting pixels 20G are arranged corresponds to the second region 28G. The first insulating layer 28 composed of the first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film 27, that is, the first insulating layer 28 in the region where the light emitting pixel 20R is arranged is the third. Corresponds to region 28R.
The film thickness Bd1 is an example of the "first layer thickness" in the present invention. The film thickness Gd1 is an example of the "second layer thickness" in the present invention. The film thickness Rd1 is an example of the "third layer thickness" in the present invention.

画素電極３１は、第１の絶縁層２８の上に島状に設けられ、第１の絶縁層２８を挟んで電源線１４に対向する。詳しくは、画素電極３１Ｂは膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８の上に島状に設けられ、画素電極３１Ｇは膜厚Ｇｄ１の第１の絶縁層２８の上に島状に設けられ、画素電極３１Ｒは膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８の上に島状に設けられている。画素電極３１は、光透過性を有し、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で形成され、発光機能層３２に正孔を供給するための電極となる。画素電極３１の膜厚は、概略１００ｎｍである。 The pixel electrode 31 is provided on the first insulating layer 28 in an island shape, and faces the power supply line 14 with the first insulating layer 28 interposed therebetween. Specifically, the pixel electrode 31B is provided in an island shape on the first insulating layer 28 having a film thickness Bd1, and the pixel electrode 31G is provided in an island shape on the first insulating layer 28 having a film thickness Gd1. The electrodes 31R are provided in an island shape on the first insulating layer 28 having a film thickness of Bd1. The pixel electrode 31 has light transmissivity and is formed of a light transmissive material such as ITO (Indium Tin Oxide), and serves as an electrode for supplying holes to the light emitting functional layer 32. The film thickness of the pixel electrode 31 is approximately 100 nm.

画素電極３１の周縁部を覆うように、第２の絶縁層２９が設けられている。第２の絶縁層２９は、例えば酸化シリコンで構成され、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂのそれぞれを絶縁している。第２の絶縁層２９の膜厚は、概略６０ｎｍである。第２の絶縁層２９には、開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられている。開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられた領域が、発光画素２０の発光領域となる。なお、第２の絶縁層２９は、有機材料、例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて形成してもよい。
画素電極３１及び第２の絶縁層２９を覆うように、発光機能層３２と、対向電極３３と封止層４０とが、順に積層されている。 A second insulating layer 29 is provided so as to cover the peripheral edge of the pixel electrode 31. The second insulating layer 29 is made of, for example, silicon oxide, and insulates each of the pixel electrodes 31R, 31G, and 31B. The film thickness of the second insulating layer 29 is approximately 60 nm. The second insulating layer 29 is provided with openings 29B, 29G, 29R. The region provided with the openings 29B, 29G, and 29R is the light emitting region of the light emitting pixel 20. The second insulating layer 29 may be formed by using an organic material, for example, an acrylic photosensitive resin.
The light emitting functional layer 32, the counter electrode 33, and the sealing layer 40 are laminated in this order so as to cover the pixel electrode 31 and the second insulating layer 29.

発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが有機発光層で結合し、発光機能層３２が発光する（光を発する）。発光機能層３２の膜厚は、概略１１０ｎｍである。
有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、電流が流れると主に青色で発光する青色発光層と、電流が流れると赤色と緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。 The light emitting functional layer 32 has a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and the like that are laminated in order from the side of the pixel electrode 31. The holes supplied from the pixel electrode 31 and the electrons supplied from the counter electrode 33 are combined by the organic light emitting layer, and the light emitting functional layer 32 emits light (emits light). The film thickness of the light emitting functional layer 32 is approximately 110 nm.
The organic light emitting layer emits light having red, green, and blue light components. The organic light emitting layer may be composed of a single layer, or may be composed of a plurality of layers (for example, a blue light emitting layer that emits mainly blue light when an electric current flows, and a yellow light emitting layer that emits light including red and green when an electric current flows. It may be composed of layers).

対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するための共通電極である。対向電極３３は、発光機能層３２を覆って設けられ、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。対向電極３３の膜厚は、概略１０ｎｍ〜３０ｎｍである。対向電極３３の構成材料（ＭｇとＡｇとの合金など）を薄膜化することで、光反射性の機能に加えて光透過性の機能を付与することができる。 The counter electrode 33 is a common electrode for supplying electrons to the light emitting functional layer 32. The counter electrode 33 is provided so as to cover the light emitting functional layer 32, is composed of, for example, an alloy of Mg and Ag, and has light transmission and light reflection. The film thickness of the counter electrode 33 is approximately 10 nm to 30 nm. By thinning the constituent material (alloy of Mg and Ag, etc.) of the counter electrode 33, it is possible to impart a light transmissive function in addition to the light reflective function.

対向電極３３の上には、封止層４０が配置されている。封止層４０は、発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。封止層４０は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止層４１と緩衝層４２と第２封止層４３とで構成され、有機ＥＬ素子３０（表示領域Ｅ）を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層４０には、外部接続用端子１０３端子（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。 A sealing layer 40 is arranged on the counter electrode 33. The sealing layer 40 is a passivation film that suppresses deterioration of the light emitting function layer 32 and the counter electrode 33, and suppresses the intrusion of water and oxygen into the light emitting function layer 32 and the counter electrode 33. The sealing layer 40 is composed of a first sealing layer 41, a buffer layer 42, and a second sealing layer 43 laminated in order from the side of the counter electrode 33, and covers the organic EL element 30 (display region E). It is provided on substantially the entire surface of the element substrate 10. The sealing layer 40 is provided with an opening (not shown) for exposing the external connection terminal 103 (see FIG. 1).

第１封止層４１は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。第１封止層４１の膜厚は、概略２００ｎｍ〜４００ｎｍである。第１封止層４１を構成する材料は、上述したシリコン酸窒化物の他に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び酸化チタンなどの金属酸化物などを使用することができる。 The first sealing layer 41 is made of a silicon oxynitride formed by, for example, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method of a known technique, and has a high barrier property against moisture and oxygen. The film thickness of the first sealing layer 41 is approximately 200 nm to 400 nm. As the material constituting the first sealing layer 41, in addition to the above-mentioned silicon oxynitride, a silicon oxide, a silicon nitride, a metal oxide such as titanium oxide, or the like can be used.

緩衝層４２は、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。緩衝層４２の膜厚は、第１封止層４１の膜厚よりも大きく、概略１０００ｎｍ〜５０００ｎｍである。緩衝層４２は、第１封止層４１の欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、緩衝層４２における第２封止層４３側の面は、対向電極３３側の面に比べ平坦な面を形成する。 The buffer layer 42 is made of, for example, an epoxy resin or a coating type inorganic material (silicon oxide or the like) having excellent thermal stability. The film thickness of the buffer layer 42 is larger than the film thickness of the first sealing layer 41, and is approximately 1000 nm to 5000 nm. The buffer layer 42 covers defects (pinholes, cracks), foreign substances, etc. of the first sealing layer 41, and the surface of the buffer layer 42 on the second sealing layer 43 side is flatter than the surface on the counter electrode 33 side. Form a surface.

第２封止層４３は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成される。第２封止層４３の膜厚は、概略３００ｎｍ〜７００ｎｍである。第２封止層４３は、第１封止層４１と同じ材料で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。 The second sealing layer 43 is composed of a silicon oxynitride formed by, for example, a plasma CVD method of a known technique. The film thickness of the second sealing layer 43 is approximately 300 nm to 700 nm. The second sealing layer 43 is made of the same material as the first sealing layer 41 and has a high barrier property against moisture and oxygen.

封止層４０の上には、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応した着色層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒが設けられている。換言すれば、封止層４０の上には、着色層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒで構成されるカラーフィルター５０が設けられている。ここで、カラーフィルター５０は、封止層４０の上に積層して設けられている。 Colored layers 50B, 50G, 50R corresponding to the light emitting pixels 20B, 20G, 20R are provided on the sealing layer 40. In other words, a color filter 50 composed of colored layers 50B, 50G, and 50R is provided on the sealing layer 40. Here, the color filter 50 is provided laminated on the sealing layer 40.

次に、図５を参照して、画素電極３１と第３トランジスター２３とが電気的に接続された部分（コンタクト部）の断面構造について説明する。 Next, with reference to FIG. 5, the cross-sectional structure of the portion (contact portion) in which the pixel electrode 31 and the third transistor 23 are electrically connected will be described.

図５に示すように、基材１０ｓには、第３トランジスター２３のソースとして機能するイオン注入部１０ｄが設けられている。イオン注入部１０ｄ（基材１０ｓ）は、絶縁膜１０ａと第１層間絶縁膜１５とで覆われている。第１層間絶縁膜１５及び絶縁膜１０ａには、第３トランジスター２３のイオン注入部１０ｄに至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第３トランジスター２３のソース電極２３ｓ及び当該ソース電極２３ｓに接続される配線が設けられている。 As shown in FIG. 5, the base material 10s is provided with an ion implantation unit 10d that functions as a source of the third transistor 23. The ion implantation portion 10d (base material 10s) is covered with the insulating film 10a and the first interlayer insulating film 15. The first interlayer insulating film 15 and the insulating film 10a are provided with contact holes leading to the ion implantation portion 10d of the third transistor 23. A conductive film that covers at least the inside of the contact hole and covers the surface of the first interlayer insulating film 15 is formed, and by patterning the conductive film, it is connected to the source electrode 23s of the third transistor 23 and the source electrode 23s. Wiring is provided.

第１層間絶縁膜１５及びソース電極２３ｓに接続される配線は、第２層間絶縁膜１６で覆われている。第２層間絶縁膜１６には、ソース電極２３ｓに接続される配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第２層間絶縁膜１６の上に配線が設けられている。第２層間絶縁膜１６は、第３層間絶縁膜１７で覆われている。第３層間絶縁膜１７には、第２層間絶縁膜１６の上に設けられた配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第３層間絶縁膜１７の上に電源線１４及び中継電極１４ｃが設けられている。 The wiring connected to the first interlayer insulating film 15 and the source electrode 23s is covered with the second interlayer insulating film 16. The second interlayer insulating film 16 is provided with a contact hole leading to the wiring connected to the source electrode 23s. A conductive film that covers at least the inside of the contact hole and covers the surface of the second interlayer insulating film 16 is formed, and by patterning this, wiring is provided on the second interlayer insulating film 16. The second interlayer insulating film 16 is covered with the third interlayer insulating film 17. The third interlayer insulating film 17 is provided with a contact hole leading to the wiring provided on the second interlayer insulating film 16. A conductive film that at least covers the inside of the contact hole and covers the surface of the third interlayer insulating film 17 is formed, and by patterning this, the power supply line 14 and the relay electrode 14c are formed on the third interlayer insulating film 17. It is provided.

上述したように、電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に設けられ、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに開口を有している。中継電極１４ｃは、電源線１４の開口の中に、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに島状に設けられている。また、中継電極１４ｃは、画素電極３１と第３トランジスター２３とを電気的に接続する配線の一部をなす。 As described above, the power supply line 14 is provided on substantially the entire surface of the display area E, and has openings in each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R. The relay electrode 14c is provided in an island shape on each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R in the opening of the power supply line 14. Further, the relay electrode 14c forms a part of the wiring for electrically connecting the pixel electrode 31 and the third transistor 23.

電源線１４及び中継電極１４ｃを覆うように、第１絶縁膜２５が設けられている。第１絶縁膜２５には、中継電極１４ｃの一部を露出させるコンタクトホール６１ＣＴが設けられている。コンタクトホール６１ＣＴ内を少なくとも被覆し、第１絶縁膜２５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１絶縁膜２５の上に中継電極１０６が設けられている。中継電極１０６は、コンタクトホール６１ＣＴを介して中継電極１４ｃに、接続されている。中継電極１０６は、画素電極３１と第３トランジスター２３とを電気的に接続する配線の一部をなす。 A first insulating film 25 is provided so as to cover the power supply line 14 and the relay electrode 14c. The first insulating film 25 is provided with a contact hole 61CT that exposes a part of the relay electrode 14c. A conductive film that covers at least the inside of the contact hole 61CT and covers the surface of the first insulating film 25 is formed, and by patterning this, the relay electrode 106 is provided on the first insulating film 25. The relay electrode 106 is connected to the relay electrode 14c via the contact hole 61CT. The relay electrode 106 forms a part of the wiring that electrically connects the pixel electrode 31 and the third transistor 23.

中継電極１０６は、遮光性の導電材料、例えば窒化チタンで構成される。中継電極１０６の膜厚は、概略５０ｎｍである。中継電極１０６は、平面視で電源線１４の開口を覆うように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに島状に設けられている。換言すれば、中継電極１０６は、発光機能層３２で発した光が、電源線１４の開口を通過してトランジスター２１，２２，２３に入射しないように設けられている。すなわち、中継電極１０６は、発光機能層３２で発した光の入射を遮り、トランジスター２１，２２，２３の誤動作を抑制する役割も有している。 The relay electrode 106 is made of a light-shielding conductive material, for example, titanium nitride. The film thickness of the relay electrode 106 is approximately 50 nm. The relay electrode 106 is provided in an island shape on each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R so as to cover the opening of the power supply line 14 in a plan view. In other words, the relay electrode 106 is provided so that the light emitted from the light emitting functional layer 32 does not pass through the opening of the power supply line 14 and enter the transistors 21, 22, and 23. That is, the relay electrode 106 also has a role of blocking the incident of the light emitted from the light emitting functional layer 32 and suppressing the malfunction of the transistors 21, 22, and 23.

画素電極３１は、平面視で中継電極１０６と重なるように設けられている。上述したように、発光画素２０Ｂには中継電極１０６Ｂと画素電極３１Ｂとが設けられ、発光画素２０Ｇには中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとが設けられ、発光画素２０Ｒには中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとが設けられている。 The pixel electrode 31 is provided so as to overlap the relay electrode 106 in a plan view. As described above, the light emitting pixel 20B is provided with the relay electrode 106B and the pixel electrode 31B, the light emitting pixel 20G is provided with the relay electrode 106G and the pixel electrode 31G, and the light emitting pixel 20R is provided with the relay electrode 106R and the pixel electrode. 31R is provided.

発光画素２０Ｂにおいて、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接している。 In the light emitting pixel 20B, the pixel electrode 31B is in direct contact with the relay electrode 106B.

発光画素２０Ｇにおいて、中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとの間には、第２絶縁膜２６が設けられている。第２絶縁膜２６には、中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１が設けられている。画素電極３１Ｂは、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。 In the light emitting pixel 20G, a second insulating film 26 is provided between the relay electrode 106G and the pixel electrode 31G. The second insulating film 26 is provided with a contact hole 28CT1 that exposes a part of the relay electrode 106G. The pixel electrode 31B is connected to the relay electrode 106G via the contact hole 28CT1.

発光画素２０Ｒにおいて、中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとの間には、中継電極１０６Ｒの側から順に第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とが設けられている（積層されている）。第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７には、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２が設けられている。画素電極３１Ｒは、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。
なお、コンタクトホール２８ＣＴ１は、本発明における「第１のコンタクトホール」の一例である。コンタクトホール２８ＣＴ２は、本発明における「第２のコンタクトホール」の一例である。 In the light emitting pixel 20R, a second insulating film 26 and a third insulating film 27 are provided (stacked) in this order between the relay electrode 106R and the pixel electrode 31R from the side of the relay electrode 106R. The second insulating film 26 and the third insulating film 27 are provided with a contact hole 28CT2 that exposes a part of the relay electrode 106R. The pixel electrode 31R is connected to the relay electrode 106R via the contact hole 28CT2.
The contact hole 28CT1 is an example of the "first contact hole" in the present invention. The contact hole 28CT2 is an example of the "second contact hole" in the present invention.

このように、中継電極１４ｃと中継電極１０６との間に配置される絶縁膜は、発光画素２０Ｂ、２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれで共通（第１絶縁膜２５）である。さらに、電源線１４と画素電極３１との間に配置される第１の絶縁層２８の膜厚は、発光画素２０Ｂ、２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれで異なっている。詳しくは、発光画素２０Ｂでは、電源線１４と画素電極３１との間に、第１絶縁膜２５で構成される膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８が配置されている。発光画素２０Ｇでは、電源線１４と画素電極３１との間に、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成される膜厚Ｇｄ１の第１の絶縁層２８が配置されている。発光画素２０Ｒでは、電源線１４と画素電極３１との間に、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで第３絶縁膜２７とで構成される膜厚Ｒｄ１の第１の絶縁層２８が配置されている。 As described above, the insulating film arranged between the relay electrode 14c and the relay electrode 106 is common to each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R (first insulating film 25). Further, the film thickness of the first insulating layer 28 arranged between the power supply line 14 and the pixel electrode 31 is different for each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R. Specifically, in the light emitting pixel 20B, the first insulating layer 28 having a film thickness Bd1 composed of the first insulating film 25 is arranged between the power supply line 14 and the pixel electrode 31. In the light emitting pixel 20G, a first insulating layer 28 having a thickness Gd1 composed of a first insulating film 25 and a second insulating film 26 is arranged between the power supply line 14 and the pixel electrode 31. In the light emitting pixel 20R, the first insulating layer 28 having a film thickness Rd1 composed of the first insulating film 25 and the second insulating film 26 and the third insulating film 27 between the power supply line 14 and the pixel electrode 31. Is placed.

ここで、本実施形態では、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７が酸化シリコンで構成されている。そして、中継電極１４ｃと中継電極１０６との間に配置される絶縁膜を窒化シリコンとすることで、酸化シリコンで構成される第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７を加工する際に、第１絶縁膜２５に対するエッチングの選択比を確保できるため加工精度を向上させることができるとともに、中継電極１４ｃと画素電極３１とを確実に接続することができる。 Here, in the present embodiment, the first insulating film 25 is made of silicon nitride, and the second insulating film 26 and the third insulating film 27 are made of silicon oxide. Then, by using silicon nitride as the insulating film arranged between the relay electrode 14c and the relay electrode 106, the second insulating film 26 and the third insulating film 27 made of silicon oxide are processed. Since the selection ratio of etching with respect to 1 insulating film 25 can be secured, the processing accuracy can be improved, and the relay electrode 14c and the pixel electrode 31 can be reliably connected.

第１の領域２８Ｂでは、膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８（第１絶縁膜２５）の上に画素電極３１Ｂが設けられ、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接している。第２の領域２８Ｇでは、膜厚Ｇｄ１の第１の絶縁層２８（第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６）の上に画素電極３１Ｇが設けられ、画素電極３１Ｇはコンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。第３の領域２８Ｒでは、膜厚Ｒｄ１の第１の絶縁層２８（第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７）の上に画素電極３１Ｒが設けられ、画素電極３１Ｒはコンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。 In the first region 28B, the pixel electrode 31B is provided on the first insulating layer 28 (first insulating film 25) having a thickness Bd1, and the pixel electrode 31B is in direct contact with the relay electrode 106B. In the second region 28G, the pixel electrode 31G is provided on the first insulating layer 28 (first insulating film 25 and the second insulating film 26) having a film thickness Gd1, and the pixel electrode 31G passes through the contact hole 28CT1. It is connected to the relay electrode 106G. In the third region 28R, the pixel electrode 31R is provided on the first insulating layer 28 (first insulating film 25, second insulating film 26, and third insulating film 27) having a thickness Rd1, and the pixel electrode 31R is It is connected to the relay electrode 106R via the contact hole 28CT2.

第１の領域２８Ｂに設けられた画素電極３１Ｂ、第２の領域２８Ｇに設けられた画素電極３１Ｇ、及び第３の領域２８Ｒに設けられた画素電極３１Ｒは、第２の絶縁層２９で覆われている。さらに、第２の絶縁層２９の上には、発光機能層３２と、対向電極３３と、封止層４０と、カラーフィルター５０とが順に設けられている（積層されている）。 The pixel electrode 31B provided in the first region 28B, the pixel electrode 31G provided in the second region 28G, and the pixel electrode 31R provided in the third region 28R are covered with the second insulating layer 29. ing. Further, on the second insulating layer 29, a light emitting functional layer 32, a counter electrode 33, a sealing layer 40, and a color filter 50 are provided (laminated) in this order.

次に、図６乃至図８を参照して、発光画素２０におけるＹ方向の断面構造について説明する。
図６乃至図８に示すように、基材１０ｓには、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するウェル部１０ｗが設けられている。当該ウェル部１０ｗには、３つのイオン注入部１０ｄが設けられている。３つのイオン注入部１０ｄのうち中央側に位置するイオン注入部１０ｄは、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するドレイン２２ｄ（２３ｄ）として機能するものである。当該ウェル部１０ｗを覆う絶縁膜１０ａが設けられる。そして、絶縁膜１０ａの上には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇ，２３ｇ（第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇ、第３トランジスター２３のゲート電極２３ｇ）が設けられている。ゲート電極２２ｇ，２３ｇのそれぞれは、中央側のイオン注入部１０ｄと端側のイオン注入部１０ｄとの間のウェル部１０ｗにおけるチャネルとして機能する部分に対向するように配置されている。 Next, with reference to FIGS. 6 to 8, the cross-sectional structure of the light emitting pixel 20 in the Y direction will be described.
As shown in FIGS. 6 to 8, the base material 10s is provided with a well portion 10w shared by the second transistor 22 and the third transistor 23. The well portion 10w is provided with three ion implantation portions 10d. The ion implantation unit 10d located on the center side of the three ion implantation units 10d functions as a drain 22d (23d) shared by the second transistor 22 and the third transistor 23. An insulating film 10a that covers the well portion 10w is provided. On the insulating film 10a, gate electrodes 22g and 23g (gate electrodes 22g of the second transistor 22 and gate electrodes 23g of the third transistor 23) made of, for example, a conductive film such as polysilicon are provided. Each of the gate electrodes 22g and 23g is arranged so as to face a portion that functions as a channel in the well portion 10w between the ion implantation portion 10d on the central side and the ion implantation portion 10d on the end side.

次に、第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇは、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６とを貫通するコンタクトホールによって、第２層間絶縁膜１６上に設けられた蓄積容量２４の一方の電極２４ａに接続されている。第２トランジスター２２のソース電極２２ｓは、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６と第３層間絶縁膜１７とを貫通するコンタクトホールによって、第３層間絶縁膜１７上に設けられた電源線１４に接続されている。 Next, the gate electrode 22g of the second transistor 22 is one of the storage capacities 24 provided on the second interlayer insulating film 16 by a contact hole penetrating the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 16. It is connected to the electrode 24a of. The source electrode 22s of the second transistor 22 is a power source provided on the third interlayer insulating film 17 by a contact hole penetrating the first interlayer insulating film 15, the second interlayer insulating film 16, and the third interlayer insulating film 17. It is connected to the wire 14.

第３トランジスター２３のゲート電極２３ｇは、第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールによって、第１層間絶縁膜１５上に設けられた点灯制御線１３に接続されている。第１層間絶縁膜１５上には、点灯制御線１３以外に走査線１１が設けられている。走査線１１は、図５には図示されていないコンタクトホールを経由して、第１トランジスター２１のゲートに接続されている。 The gate electrode 23g of the third transistor 23 is connected to the lighting control line 13 provided on the first interlayer insulating film 15 by a contact hole penetrating the first interlayer insulating film 15. A scanning line 11 is provided on the first interlayer insulating film 15 in addition to the lighting control line 13. The scanning line 11 is connected to the gate of the first transistor 21 via a contact hole (not shown in FIG. 5).

第３トランジスター２３のソース電極２３ｓは、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６と第３層間絶縁膜１７とを貫通するコンタクトホールによって、第３層間絶縁膜１７上に設けられた中継電極１４ｃに接続されている。中継電極１４ｃは、第１絶縁膜２５で覆われ、コンタクトホール２５ＣＴを介して、第１絶縁膜２５の上に設けられた中継電極１０６に接続されている。 The source electrode 23s of the third transistor 23 is a relay provided on the third interlayer insulating film 17 by a contact hole penetrating the first interlayer insulating film 15, the second interlayer insulating film 16, and the third interlayer insulating film 17. It is connected to the electrode 14c. The relay electrode 14c is covered with the first insulating film 25 and is connected to the relay electrode 106 provided on the first insulating film 25 via the contact hole 25CT.

発光画素２０Ｒでは、画素電極３１Ｒが、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７に設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。
図６のように、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７は、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して画素電極３１Ｒと中継電極１０６Ｒとが接続されるコンタクト領域を除いて発光画素２０Ｒに設けられている。第１絶縁膜２５は、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１０６Ｒと中継電極１４ｃとが接続されるコンタクト領域を除いて発光画素２０Ｒに設けられている。コンタクトホール２８ＣＴ２、中継電極１０６Ｒ、コンタクトホール２５ＣＴは、本発明における「第３接続部」の一例である。第３接続部は、第３の領域２８Ｒ（第３の層厚の部分）に設けられている。第３接続部は、第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７により囲まれている。そして、第３の領域２８Ｒ（第３の層厚の部分）には、開口２９Ｒ（発光領域）がＹ方向に並んでいる。また、第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７は、第３接続部の間を埋めるように設けられている。したがって、開口２９Ｒ（発光領域）とコンタクト領域との間には第１の絶縁層２８による段差がなく、段差がある場合と比して発光領域（開口２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくできる。換言すると、開口２９Ｒ（発光領域）を図６の右側のコンタクト領域に近づけることが可能である。さらに、開口２９Ｒ（発光領域）を図６の左側のコンタクト領域にも近づけることが可能である。したがって、開口２９Ｒ（発光領域）を大きくすることができる。 In the light emitting pixel 20R, the pixel electrode 31R is connected to the relay electrode 106R via the contact hole 28CT2 provided in the second insulating film 26 and the third insulating film 27.
As shown in FIG. 6, the second insulating film 26 and the third insulating film 27 are provided on the light emitting pixel 20R except for the contact region where the pixel electrode 31R and the relay electrode 106R are connected via the contact hole 28CT2. .. The first insulating film 25 is provided on the light emitting pixel 20R except for the contact region where the relay electrode 106R and the relay electrode 14c are connected via the contact hole 25CT. The contact hole 28CT2, the relay electrode 106R, and the contact hole 25CT are examples of the "third connection portion" in the present invention. The third connection portion is provided in the third region 28R (the portion having the third layer thickness). The third connecting portion is surrounded by the first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film 27. The openings 29R (light emitting region) are arranged in the Y direction in the third region 28R (third layer thickness portion). Further, the first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film 27 are provided so as to fill the space between the third connecting portions. Therefore, there is no step due to the first insulating layer 28 between the opening 29R (light emitting region) and the contact region, and the light emitting region (opening 29R) and the contact region (relay electrode 106G) are located as compared with the case where there is a step. The distance DY between them can be reduced. In other words, the opening 29R (light emitting region) can be brought closer to the contact region on the right side of FIG. Further, the opening 29R (light emitting region) can be brought closer to the contact region on the left side of FIG. Therefore, the opening 29R (light emitting region) can be increased.

発光画素２０Ｇでは、画素電極３１Ｇが、第２絶縁膜２６に設けられたコンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。
図７のように、第２絶縁膜２６は、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して画素電極３１Ｇと中継電極１０６Ｇとが接続されるコンタクト領域を除いて発光画素２０Ｇに設けられている。また、第１絶縁膜２５は、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１０６Ｇと中継電極１４ｃとが接続される領域を除いて発光画素２０Ｇに設けられている。コンタクトホール２８ＣＴ１、中継電極１０６Ｇ、コンタクトホール２５ＣＴは、本発明における「第２接続部」「第４接続部」の一例である。第２接続部及び第４接続部は、第２の領域２８Ｇ（第２の層厚の部分）に設けられている。第２接続部及び第４接続部は、第１絶縁膜２５及び第２絶縁膜２６により囲まれている。そして、第２の領域２８Ｇ（第２の層厚の部分）には、開口２９Ｇ（発光領域）がＹ方向に並んでいる。また、第１絶縁膜２５及び第２絶縁膜２６は、第２接続部と第４接続部との間を埋めるように設けられている。したがって、開口２９Ｇ（発光領域）とコンタクト領域との間には第１の絶縁層２８による段差がなく、段差がある場合と発光領域（開口２９Ｇ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくできる。換言すると、開口２９Ｇ（発光領域）を図７の右側のコンタクト領域に近づけることが可能である。さらに、開口２９Ｇ（発光領域）を図７の左側のコンタクト領域にも近づけることが可能である。したがって、開口２９Ｇ（発光領域）を大きくすることができる。 In the light emitting pixel 20G, the pixel electrode 31G is connected to the relay electrode 106G via the contact hole 28CT1 provided in the second insulating film 26.
As shown in FIG. 7, the second insulating film 26 is provided on the light emitting pixel 20G except for the contact region where the pixel electrode 31G and the relay electrode 106G are connected via the contact hole 28CT1. Further, the first insulating film 25 is provided on the light emitting pixel 20G except for the region where the relay electrode 106G and the relay electrode 14c are connected via the contact hole 25CT. The contact hole 28CT1, the relay electrode 106G, and the contact hole 25CT are examples of the "second connection portion" and "fourth connection portion" in the present invention. The second connection portion and the fourth connection portion are provided in the second region 28G (the portion having the second layer thickness). The second connecting portion and the fourth connecting portion are surrounded by the first insulating film 25 and the second insulating film 26. Then, in the second region 28G (the portion having the second layer thickness), the openings 29G (light emitting region) are arranged in the Y direction. Further, the first insulating film 25 and the second insulating film 26 are provided so as to fill the space between the second connecting portion and the fourth connecting portion. Therefore, there is no step due to the first insulating layer 28 between the opening 29G (light emitting region) and the contact region, and there is a step between the light emitting region (opening 29G) and the contact region (relay electrode 106G). The distance DY can be reduced. In other words, the opening 29G (light emitting region) can be brought closer to the contact region on the right side of FIG. Further, the opening 29G (light emitting region) can be brought closer to the contact region on the left side of FIG. 7. Therefore, the opening 29G (light emitting region) can be increased.

発光画素２０Ｂでは、画素電極３１Ｂが中継電極１０６Ｂに直接接している。
図８のように、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１０６Ｂと中継電極１４ｃとが接続されるコンタクト領域を除き、第１絶縁膜２５が設けられている。コンタクトホール２５ＣＴ、中継電極１０６Ｂは、本発明における「第１接続部」の一例である。第１接続部は、第１の領域（第１の層厚の部分）に設けられている。第２接続部は、第１絶縁膜２５、第１絶縁膜２５及び第２絶縁膜２６により囲まれている。そして第１の領域（第１の層厚の部分）には、開口２９Ｂ（発光領域）がＹ方向に並んでいる。また、第１絶縁膜２５は、第１接続部の間を埋めるように設けられている。したがって、開口２９Ｂ（発光領域）とコンタクト領域との間には第１の絶縁層２８による段差がなく、段差がある場合と比して発光領域（開口２９Ｂ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくできる。換言すると、開口２９Ｂ（発光領域）を図８の右側のコンタクト領域に近づけることが可能である。さらに、開口２９Ｒ（発光領域）を図８の左側のコンタクト領域にも近づけることが可能である。したがって、開口２９Ｂ（発光領域）を大きくすることができる。
画素電極３１の上には、第２の絶縁層２９と、発光機能層３２と、対向電極３３と、封止層４０と、カラーフィルター５０とが順に積層されている。 In the light emitting pixel 20B, the pixel electrode 31B is in direct contact with the relay electrode 106B.
As shown in FIG. 8, the first insulating film 25 is provided except for the contact region where the relay electrode 106B and the relay electrode 14c are connected via the contact hole 25CT. The contact hole 25CT and the relay electrode 106B are examples of the "first connection portion" in the present invention. The first connection portion is provided in the first region (the portion having the first layer thickness). The second connecting portion is surrounded by the first insulating film 25, the first insulating film 25, and the second insulating film 26. The openings 29B (light emitting regions) are lined up in the Y direction in the first region (the portion having the first layer thickness). Further, the first insulating film 25 is provided so as to fill the space between the first connecting portions. Therefore, there is no step due to the first insulating layer 28 between the opening 29B (light emitting region) and the contact region, and the light emitting region (opening 29B) and the contact region (relay electrode 106G) are located as compared with the case where there is a step. The distance DY between them can be reduced. In other words, the opening 29B (light emitting region) can be brought closer to the contact region on the right side of FIG. Further, the opening 29R (light emitting region) can be brought closer to the contact region on the left side of FIG. Therefore, the opening 29B (light emitting region) can be increased.
A second insulating layer 29, a light emitting function layer 32, a counter electrode 33, a sealing layer 40, and a color filter 50 are laminated in this order on the pixel electrode 31.

「光共振構造」
発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）には、光反射性を有する電源線１４と、第１の絶縁層２８と、画素電極３１と、発光機能層３２と、光反射性と光透過性とを有する対向電極３３とが積層されている。かかる構成によって、発光機能層３２で発した光を電源線１４と対向電極３３との間で往復させ（反射し）、特定波長の光を共振させる。これにより特定波長の光が他の波長領域に比べて強められ、有機ＥＬ素子３０から出射する。さらに、特定波長の光は、電源線１４から対向電極３３に向かう方向、つまり封止基板７０から表示光として射出される。このように、有機ＥＬ装置１００は、電源線１４と第１の絶縁層２８と画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とで構成される光共振構造を有し、特定波長の光を選択的に強めて、発光画素２０から発する光の色純度を高める構成を有している。
以下に光共振構造の概要を説明する。 "Optical resonance structure"
In the light emitting region (openings 29B, 29G, 29R), a power supply line 14 having light reflection, a first insulating layer 28, a pixel electrode 31, a light emitting functional layer 32, light reflection and light transmission The counter electrode 33 having the above is laminated. With this configuration, the light emitted by the light emitting functional layer 32 is reciprocated (reflected) between the power supply line 14 and the counter electrode 33, and the light of a specific wavelength is resonated. As a result, light having a specific wavelength is intensified as compared with other wavelength regions, and is emitted from the organic EL element 30. Further, the light having a specific wavelength is emitted as display light from the power supply line 14 toward the counter electrode 33, that is, from the sealing substrate 70. As described above, the organic EL device 100 has an optical resonance structure composed of a power supply line 14, a first insulating layer 28, a pixel electrode 31, a light emitting function layer 32, and a counter electrode 33, and emits light having a specific wavelength. It has a configuration in which it is selectively strengthened to increase the color purity of the light emitted from the light emitting pixel 20.
The outline of the optical resonance structure will be described below.

第１の絶縁層２８は、電源線１４と対向電極３３との間の光路長（光学的な距離）を調整する役割を有し、第１の絶縁層２８の膜厚に応じて共振波長が変化するようになっている。詳しくは、電源線１４から対向電極３３までの光学的な距離をＤ、反射層での反射における位相シフトをφＬ、対向電極３３での反射における位相シフトをφＵ、定在波のピーク波長をλ、整数をｍとすると、光学的な距離Ｄは、下記の数式（１）を満たすようになっている。
Ｄ＝{（２πｍ＋φＬ＋φＵ）／４π}λ・・・（１） The first insulating layer 28 has a role of adjusting the optical path length (optical distance) between the power supply line 14 and the counter electrode 33, and the resonance wavelength is set according to the film thickness of the first insulating layer 28. It's changing. Specifically, the optical distance from the power supply line 14 to the counter electrode 33 is D, the phase shift in reflection at the reflection layer is φL, the phase shift in reflection at the counter electrode 33 is φU, and the peak wavelength of the standing wave is λ. Assuming that the integer is m, the optical distance D satisfies the following equation (1).
D = {(2πm + φL + φU) / 4π} λ ... (1)

発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの光共振構造における光学的な距離Ｄは、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に大きくなり、電源線１４と画素電極３１との間に配置された第１の絶縁層２８の膜厚を異ならせることによって調整されている。 The optical distance D in the optical resonance structure of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R increases in the order of B, G, and R, and the first insulating layer 28 arranged between the power supply line 14 and the pixel electrode 31. It is adjusted by making the film thickness different.

図６に示すように、発光画素２０Ｒでは、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間に配置される第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とで構成され、膜厚Ｒｄ１を有している。図７に示すように、発光画素２０Ｇでは、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間に配置される第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成され、膜厚Ｇｄ１を有している。図８に示すように、発光画素２０Ｂでは、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間に配置される第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５で構成され、膜厚Ｂｄ１を有している。このため、第１の絶縁層２８の膜厚は、発光画素２０Ｂ（膜厚Ｂｄ１）＜発光画素２０Ｇ（膜厚Ｇｄ１）＜発光画素２０Ｒ（膜厚Ｒｄ１）の順に大きくなる。このため、光学的な距離Ｄも、発光画素２０Ｂ＜発光画素２０Ｇ＜発光画素２０Ｒの順に大きくなる。 As shown in FIG. 6, in the light emitting pixel 20R, the first insulating layer 28 arranged between the power supply line 14 and the pixel electrode 31R is the first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film. It is composed of 27 and has a film thickness Rd1. As shown in FIG. 7, in the light emitting pixel 20G, the first insulating layer 28 arranged between the power supply line 14 and the pixel electrode 31G is composed of the first insulating film 25 and the second insulating film 26. It has a film thickness Gd1. As shown in FIG. 8, in the light emitting pixel 20B, the first insulating layer 28 arranged between the power supply line 14 and the pixel electrode 31B is composed of the first insulating film 25 and has a film thickness Bd1. There is. Therefore, the film thickness of the first insulating layer 28 increases in the order of light emitting pixel 20B (film thickness Bd1) <light emitting pixel 20G (film thickness Gd1) <light emitting pixel 20R (film thickness Rd1). Therefore, the optical distance D also increases in the order of light emitting pixel 20B <light emitting pixel 20G <light emitting pixel 20R.

詳しくは、発光画素２０Ｒでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が６１０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。同じく、発光画素２０Ｇでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が５４０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。発光画素２０Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。 Specifically, in the light emitting pixel 20R, the optical distance D is set so that the resonance wavelength (peak wavelength at which the brightness is maximized) is 610 nm. Similarly, in the light emitting pixel 20G, the optical distance D is set so that the resonance wavelength (peak wavelength at which the brightness is maximized) is 540 nm. In the light emitting pixel 20B, the optical distance D is set so that the resonance wavelength (peak wavelength at which the brightness is maximized) is 470 nm.

上記ピーク波長を実現するため、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚を概略１００ｎｍとし、発光機能層３２の膜厚を概略１１０ｎｍとし、上記数式（１）においてｍ＝１として、反射層と対向電極３３との間の第１の絶縁層２８の膜厚を算出すると、発光画素２０Ｒでは１７０ｎｍ、発光画素２０Ｇでは１１５ｎｍ、及び発光画素２０Ｂでは５０ｎｍとなる。すなわち、発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）における第１の絶縁層２８の膜厚Ｒｄ１は概略１７０ｎｍ、発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）における第１の絶縁層２８の膜厚Ｇｄ１は概略１１５ｎｍ、発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）における第１の絶縁層２８の膜厚Ｂｄ１は概略５０ｎｍとなる。このような第１の絶縁層２８が形成されるように、第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６、及び第３絶縁膜２７の膜厚が調整されている。 In order to realize the above peak wavelength, the film thickness of the pixel electrodes 31B, 31G, 31R made of a transparent conductive film such as ITO is approximately 100 nm, the film thickness of the light emitting functional layer 32 is approximately 110 nm, and m in the above formula (1). When the thickness of the first insulating layer 28 between the reflective layer and the counter electrode 33 is calculated by setting = 1, it is 170 nm for the light emitting pixel 20R, 115 nm for the light emitting pixel 20G, and 50 nm for the light emitting pixel 20B. That is, the film thickness Rd1 of the first insulating layer 28 in the light emitting pixel 20R (third region 28R) is approximately 170 nm, and the film thickness Gd1 of the first insulating layer 28 in the light emitting pixel 20G (second region 28G) is approximately 170 nm. At 115 nm, the thickness Bd1 of the first insulating layer 28 in the light emitting pixel 20B (first region 28B) is approximately 50 nm. The film thicknesses of the first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film 27 are adjusted so that the first insulating layer 28 is formed.

その結果、発光画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられ、発光画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、発光画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、上述した光共振構造によって発光画素２０から発する光の色純度を高め、鮮やかな表示を提供することができる。 As a result, red (R) light having a peak wavelength of 610 nm is emitted from the light emitting pixel 20R, green (G) light having a peak wavelength of 540 nm is emitted from the light emitting pixel 20G, and peak 470 nm from the light emitting pixel 20B. Blue (B) light having a wavelength is emitted.
As described above, in the organic EL device 100 according to the present embodiment, the color purity of the light emitted from the light emitting pixel 20 can be enhanced by the above-mentioned optical resonance structure, and a vivid display can be provided.

図６に示すように、発光画素２０Ｒでは、開口２９Ｒが設けられた領域が発光領域となり、中継電極１０６Ｒが設けられた領域がコンタクト領域となる。画素電極３１Ｒは、発光領域及びコンタクト領域に跨って配置されている。画素電極３１Ｒが配置された領域の第１の絶縁層２８の膜厚はＲｄ１であるので、光学的な距離Ｄも一定になっている。このため、発光領域（開口２９Ｒ）を広くし、発光領域（開口２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｒ）との間の距離ＤＹを小さくしても、発光領域における光学的な距離Ｄは一定であり、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられる。すなわち、発光領域から発する光のピーク波長を維持して、赤色（Ｒ）の光の光度を高めることができる。 As shown in FIG. 6, in the light emitting pixel 20R, the region provided with the opening 29R is the light emitting region, and the region provided with the relay electrode 106R is the contact region. The pixel electrode 31R is arranged so as to straddle the light emitting region and the contact region. Since the film thickness of the first insulating layer 28 in the region where the pixel electrodes 31R are arranged is Rd1, the optical distance D is also constant. Therefore, even if the light emitting region (opening 29R) is widened and the distance DY between the light emitting region (opening 29R) and the contact region (relay electrode 106R) is reduced, the optical distance D in the light emitting region is constant. Yes, red (R) light with a peak wavelength of 610 nm is emitted. That is, the peak wavelength of the light emitted from the light emitting region can be maintained, and the luminous intensity of the red (R) light can be increased.

図７に示すように、発光画素２０Ｇでは、開口２９Ｇが設けられた領域が発光領域となり、中継電極１０６Ｇが設けられた領域がコンタクト領域となる。画素電極３１Ｇは、発光領域及びコンタクト領域に跨って配置されている。画素電極３１Ｇが配置された領域の第１の絶縁層２８の膜厚はＧｄ１であるので、光学的な距離Ｄも一定になっている。このため、発光領域（開口２９Ｇ）を広くし、発光領域（開口２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくしても、発光領域における光学的な距離Ｄは一定であり、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられる。すなわち、発光領域から発する光のピーク波長を維持して、緑色（Ｇ）の光の光度を高めることができる。 As shown in FIG. 7, in the light emitting pixel 20G, the region provided with the opening 29G is the light emitting region, and the region provided with the relay electrode 106G is the contact region. The pixel electrode 31G is arranged so as to straddle the light emitting region and the contact region. Since the film thickness of the first insulating layer 28 in the region where the pixel electrodes 31G are arranged is Gd1, the optical distance D is also constant. Therefore, even if the light emitting region (opening 29G) is widened and the distance DY between the light emitting region (opening 29R) and the contact region (relay electrode 106G) is reduced, the optical distance D in the light emitting region is constant. Yes, green (G) light with a peak wavelength of 540 nm is emitted. That is, the peak wavelength of the light emitted from the light emitting region can be maintained, and the luminosity of the green (G) light can be increased.

図８に示すように、発光画素２０Ｂでは、開口２９Ｂが設けられた領域が発光領域となり、中継電極１０６Ｂが設けられた領域がコンタクト領域となる。画素電極３１Ｂは、発光領域及びコンタクト領域に跨って配置されている。画素電極３１Ｂが配置された領域の第１の絶縁層２８の膜厚はＢｄ１であるので、光学的な距離Ｄも一定になっている。このため、発光領域（開口２９Ｂ）を広くし、発光領域（開口２９Ｂ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｂ）との間の距離ＤＹを小さくしても、発光領域における光学的な距離Ｄは一定であり、４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。すなわち、発光領域から発する光のピーク波長を維持して、青色（Ｂ）の光の光度を高めることができる。 As shown in FIG. 8, in the light emitting pixel 20B, the region provided with the opening 29B is the light emitting region, and the region provided with the relay electrode 106B is the contact region. The pixel electrode 31B is arranged so as to straddle the light emitting region and the contact region. Since the film thickness of the first insulating layer 28 in the region where the pixel electrodes 31B are arranged is Bd1, the optical distance D is also constant. Therefore, even if the light emitting region (opening 29B) is widened and the distance DY between the light emitting region (opening 29B) and the contact region (relay electrode 106B) is reduced, the optical distance D in the light emitting region is constant. Yes, blue (B) light with a peak wavelength of 470 nm is emitted. That is, the peak wavelength of the light emitted from the light emitting region can be maintained, and the luminosity of the blue (B) light can be increased.

例えば、公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）では、発光領域における光学的な距離とコンタクト領域における光学的な距離とが異なり、発光領域とコンタクト領域との間に、異なる光学的な距離の境界を有している。仮に、当該境界を越えて発光領域を広くすると、発光領域に光学的な距離が異なる部分が生じ、発光領域からピーク波長が異なる光が発せられ、発光領域から発する光の色純度が悪くなる。このため、公知技術では、当該境界を越えて発光領域を広くすることが難しい。 For example, in a known technique (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-134067), the optical distance in the light emitting region and the optical distance in the contact region are different, and the optical distance between the light emitting region and the contact region is different. It has a boundary. If the light emitting region is widened beyond the boundary, a portion having a different optical distance is generated in the light emitting region, light having a different peak wavelength is emitted from the light emitting region, and the color purity of the light emitted from the light emitting region is deteriorated. Therefore, it is difficult to widen the light emitting region beyond the boundary by the known technique.

本実施形態では、発光領域とコンタクト領域との間で光学的な距離Ｄは一定であるので、公知技術と比べて発光領域を広くし、発光領域から発する光の光度を高めることができる。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、明るく鮮やかな表示を提供することができる。 In the present embodiment, since the optical distance D between the light emitting region and the contact region is constant, the light emitting region can be widened and the luminous intensity of the light emitted from the light emitting region can be increased as compared with the known technique.
As described above, the organic EL device 100 according to the present embodiment can provide a bright and vivid display.

なお、発光機能層３２の発光に悪影響がない範囲で、発光領域（開口２９Ｂ、２９Ｇ、２９Ｒ）を広くすることができる。例えば、発光機能層３２の発光に悪影響がないのであれば、コンタクト領域（中継電極１０６Ｂ，１０６Ｇ，１０６Ｒ）の少なくとも一部に重なるように、発光領域（開口２９Ｂ、２９Ｇ、２９Ｒ）を広げてもよい。 The light emitting region (openings 29B, 29G, 29R) can be widened as long as the light emission of the light emitting functional layer 32 is not adversely affected. For example, if the light emission of the light emitting functional layer 32 is not adversely affected, the light emitting region (opening 29B, 29G, 29R) may be widened so as to overlap at least a part of the contact region (relay electrodes 106B, 106G, 106R). Good.

「有機ＥＬ装置の製造方法」
次に、図９乃至図１１を参照して、有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。図９は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１０及び図１１は、図５に対応し、図９に示す各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図である。なお、図１０及び図１１では、素子基板１０における電源線１４よりも下層に設けられた画素回路や配線の図示を省略している。 "Manufacturing method of organic EL device"
Next, a method of manufacturing the organic EL device 100 will be described with reference to FIGS. 9 to 11. FIG. 9 is a process flow showing a method for manufacturing an organic EL device. 10 and 11 are schematic cross-sectional views corresponding to FIG. 5 and showing a state of the organic EL device after each step shown in FIG. In addition, in FIGS. 10 and 11, the illustration of the pixel circuit and the wiring provided in the layer below the power supply line 14 in the element substrate 10 is omitted.

図９に示すように、有機ＥＬ装置１００を製造する工程は、光反射層としての電源線１４を形成する工程（ステップＳ１）と、第１絶縁膜２５を形成する工程（ステップＳ２）と、中継電極１０６を形成する工程（ステップＳ３）と、第２絶縁膜２６を形成する工程（ステップＳ４）と、第２絶縁膜２６をエッチングする工程（ステップＳ５）と、第３絶縁膜２７を形成する工程（ステップＳ６）と、第３絶縁膜２７をエッチングする工程（ステップＳ７）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ８）と、を含んでいる。 As shown in FIG. 9, the steps of manufacturing the organic EL device 100 include a step of forming a power supply line 14 as a light reflecting layer (step S1), a step of forming a first insulating film 25 (step S2), and a step of forming the first insulating film 25. A step of forming the relay electrode 106 (step S3), a step of forming the second insulating film 26 (step S4), a step of etching the second insulating film 26 (step S5), and forming the third insulating film 27. (Step S6), a step of etching the third insulating film 27 (step S7), and a step of forming the pixel electrode 31 (step S8) are included.

ステップＳ１では、図１０（ａ）に示すように、例えばスパッタ法でアルミニウムやアルミニウム合金などを概略１００ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして光反射層としての電源線１４と、中継電極１４ｃとを形成する。上述したように、電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に形成され、発光機能層３２を発光させる電流の供給源、及び発光機能層３２で発した光を反射する光反射層となる。電源線１４は、発光画素２０の中に開口を有し、当該開口の中に中継電極１４ｃが設けられている。つまり、電源線１４は複数の発光画素２０に跨って設けられ、中継電極１４ｃは複数の発光画素２０のそれぞれに島状に設けられている。 In step S1, as shown in FIG. 10A, for example, aluminum or an aluminum alloy is formed into a film having a film thickness of approximately 100 nm by a sputtering method, and this is patterned and relayed to the power supply line 14 as a light reflecting layer. It forms with the electrode 14c. As described above, the power supply line 14 is formed on substantially the entire surface of the display area E, and serves as a supply source of the current that causes the light emitting functional layer 32 to emit light and a light reflecting layer that reflects the light emitted by the light emitting functional layer 32. The power line 14 has an opening in the light emitting pixel 20, and a relay electrode 14c is provided in the opening. That is, the power supply line 14 is provided across the plurality of light emitting pixels 20, and the relay electrode 14c is provided on each of the plurality of light emitting pixels 20 in an island shape.

ステップＳ２では、図１０（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法で窒化シリコンを概略５０ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして、中継電極１４ｃの一部を露出させるコンタクトホール２５ＣＴを有する第１絶縁膜２５を形成する。 In step S2, as shown in FIG. 10B, for example, silicon nitride is formed into a film with a film thickness of approximately 50 nm by a plasma CVD method, and the contact hole 25CT is patterned to expose a part of the relay electrode 14c. The first insulating film 25 having the above is formed.

ステップＳ３では、図１０（ｃ）に示すように、例えばスパッタ法で窒化チタンを概略５０ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして中継電極１０６を形成する。中継電極１０６は、平面視で電源線１４の開口を覆うように形成され、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１４ｃに接続されている。 In step S3, as shown in FIG. 10C, titanium nitride is formed into a film having a film thickness of approximately 50 nm by, for example, a sputtering method, and this is patterned to form a relay electrode 106. The relay electrode 106 is formed so as to cover the opening of the power supply line 14 in a plan view, and is connected to the relay electrode 14c via the contact hole 25CT.

ステップＳ４では、例えばプラズマＣＶＤ法で酸化シリコンを概略６０ｎｍ〜７０ｎｍ膜厚で成膜し、図１０（ｄ）に示すように、第１絶縁膜２５及び中継電極１０６を覆う第２絶縁膜２６を形成する。 In step S4, for example, silicon oxide is formed into a film having a film thickness of approximately 60 nm to 70 nm by a plasma CVD method, and as shown in FIG. 10D, the first insulating film 25 and the second insulating film 26 covering the relay electrode 106 are formed. Form.

続いて、ステップＳ５で、図１１（ａ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で第２絶縁膜２６の一部をエッチング除去して、開口Ｃ１を形成する。つまり、開口Ｃ１に対応した第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇは、第２絶縁膜２６が設けられておらず、開口Ｃ１が形成されていない第３の領域２８Ｒには第２絶縁膜２６が設けられている。ここで、第３の領域２８Ｒの中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２を形成する。 Subsequently, in step S5, as shown in FIG. 11A, a part of the second insulating film 26 is etched and removed by, for example, a dry etching method using a fluorine-based gas to form the opening C1. That is, the first region 28B and the second region 28G corresponding to the opening C1 are not provided with the second insulating film 26, and the third region 28R in which the opening C1 is not formed is provided with the second insulating film. 26 is provided. Here, a contact hole 28CT2 that exposes a part of the relay electrode 106R in the third region 28R is formed.

ここで、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第２絶縁膜２６が酸化シリコンで構成されているため、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６との間にエッチング時の選択比がある。第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇの発光領域に対応した領域では、第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。また、第３の領域２８Ｒのコンタクト領域では、コンタクトホール２８ＣＴ２が形成され、中継電極１０６Ｒの表面が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。同様に、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｂ及び中継電極１０６Ｇの表面が露出しその周囲では第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。 Here, since the first insulating film 25 is made of silicon nitride and the second insulating film 26 is made of silicon oxide, the selection ratio at the time of etching between the first insulating film 25 and the second insulating film 26 There is. In the regions corresponding to the light emitting regions of the first region 28B and the second region 28G, the etching rate slows down when the first insulating film 25 is exposed, and the etching ideally stops. Further, in the contact region of the third region 28R, the contact hole 28CT2 is formed, and when the surface of the relay electrode 106R is exposed, the etching rate becomes slow and the etching is ideally stopped. Similarly, in the contact region of the first region 28B and the second region 28G, the etching rate becomes slow when the surfaces of the relay electrode 106B and the relay electrode 106G are exposed and the first insulating film 25 is exposed around the surfaces. Ideally, etching will stop.

続いて、ステップＳ６では、図１１（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法で酸化シリコンを概略６０ｎｍ〜７０ｎｍ膜厚で成膜し、第３絶縁膜２７を形成する。ここで、第３絶縁膜２７は、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇの発光領域に対応した領域では、第１絶縁膜２５上に積層され、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｂ及び中継電極１０６Ｇの表面に積層される。また、第３の領域２８Ｒの発光領域に対応した領域では、第２絶縁膜２６上に積層され、第３の領域２８Ｒのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｒ及び第２絶縁膜２６上に積層される。即ち、第３絶縁膜２７は第２絶縁膜２６に設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２内に形成される。 Subsequently, in step S6, as shown in FIG. 11B, silicon oxide is formed into a film having a film thickness of approximately 60 nm to 70 nm by, for example, a plasma CVD method to form a third insulating film 27. Here, the third insulating film 27 is laminated on the first insulating film 25 in the region corresponding to the light emitting region of the first region 28B and the second region 28G, and the first region 28B and the second region are formed. In the contact region of 28G, it is laminated on the surfaces of the relay electrode 106B and the relay electrode 106G. Further, in the region corresponding to the light emitting region of the third region 28R, it is laminated on the second insulating film 26, and in the contact region of the third region 28R, it is laminated on the relay electrode 106R and the second insulating film 26. .. That is, the third insulating film 27 is formed in the contact hole 28CT2 provided in the second insulating film 26.

ステップＳ７では、図１１（ｃ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で、開口Ｃ１内において酸化シリコン（第３絶縁膜２７）をエッチング除去し、開口Ｃ１の中に開口Ｃ２を形成する。つまり、開口Ｃ２は、第３絶縁膜２７に設けられている。開口Ｃ２の第１の絶縁層２８では、電源線１４の上に第１絶縁膜２５が積層され、膜厚Ｂｄ１を有している。開口Ｃ２が形成されていない部分の開口Ｃ１の第１の絶縁層２８では、電源線１４の上に第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６が積層され、膜厚Ｇｄ１を有している。よって、開口Ｃ２が、第１の領域２８Ｂとなる。また、開口Ｃ２が形成されていない部分の開口Ｃ１には、電源線１４の上に第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とが積層され、膜厚Ｇｄ１を有している。よって、開口Ｃ２が形成されていない部分の開口Ｃ１が第２の領域２８Ｇとなる。開口Ｃ１が形成されていない領域の第１の絶縁層２８では、電源線１４の上に第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とが積層され、膜厚Ｒｄ１を有している。よって、開口Ｃ１が形成されていない領域が、第３の領域２８Ｒとなる。また、開口Ｃ１が、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇに対応する。 In step S7, as shown in FIG. 11C, silicon oxide (third insulating film 27) is etched and removed in the opening C1 by, for example, a dry etching method using a fluorine-based gas, and an opening is made in the opening C1. Form C2. That is, the opening C2 is provided in the third insulating film 27. In the first insulating layer 28 of the opening C2, the first insulating film 25 is laminated on the power supply line 14 and has a film thickness Bd1. In the first insulating layer 28 of the opening C1 in the portion where the opening C2 is not formed, the first insulating film 25 and the second insulating film 26 are laminated on the power supply line 14 to have a film thickness Gd1. Therefore, the opening C2 becomes the first region 28B. Further, in the opening C1 of the portion where the opening C2 is not formed, the first insulating film 25 and the second insulating film 26 are laminated on the power supply line 14 to have a film thickness Gd1. Therefore, the opening C1 in the portion where the opening C2 is not formed becomes the second region 28G. In the first insulating layer 28 in the region where the opening C1 is not formed, the first insulating film 25, the second insulating film 26, and the third insulating film 27 are laminated on the power supply line 14, and have a film thickness Rd1. are doing. Therefore, the region in which the opening C1 is not formed becomes the third region 28R. Further, the opening C1 corresponds to the first region 28B and the second region 28G.

また、ステップＳ７では、同時に、第２の領域２８Ｇの中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１、及び第３の領域２８Ｒの中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２を形成する。
ここで、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第３絶縁膜２７が酸化シリコンで構成されているため、第１絶縁膜２５と第３絶縁膜２７との間にエッチング時の選択比がある。第１の領域２８Ｂの発光領域に対応した領域では、第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。
第３の領域２８Ｒのコンタクト領域では、コンタクトホール２８ＣＴ２が形成されて中継電極１０６Ｒの表面が露出し、第２の領域２８Ｇのコンタクト領域では、コンタクトホール２８ＣＴ１が形成されて中継電極１０６Ｇの表面が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。同様に、第１の領域２８Ｂのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｂの表面が露出しその周囲では第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。 Further, in step S7, at the same time, a contact hole 28CT1 that exposes a part of the relay electrode 106G of the second region 28G and a contact hole 28CT2 that exposes a part of the relay electrode 106R of the third region 28R are formed.
Here, since the first insulating film 25 is made of silicon nitride and the third insulating film 27 is made of silicon oxide, the selection ratio at the time of etching between the first insulating film 25 and the third insulating film 27 There is. In the region corresponding to the light emitting region of the first region 28B, the etching rate slows down when the first insulating film 25 is exposed, and ideally the etching stops.
In the contact region of the third region 28R, the contact hole 28CT2 is formed to expose the surface of the relay electrode 106R, and in the contact region of the second region 28G, the contact hole 28CT1 is formed to expose the surface of the relay electrode 106G. At that point, the etching rate slows down, and ideally the etching stops. Similarly, in the contact region of the first region 28B, when the surface of the relay electrode 106B is exposed and the first insulating film 25 is exposed around the surface, the etching rate slows down and the etching ideally stops.

ステップＳ８では、図１１（ｄ）に示すように、例えばスパッタ法でＩＴＯを概略１００ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして、画素電極３１を形成する。第１の領域２８Ｂでは、中継電極１０６Ｂに直接接する画素電極３１Ｂが形成されている。第２の領域２８Ｇでは、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続された画素電極３１Ｇが形成されている。第３の領域２８Ｒでは、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続された画素電極３１Ｒが形成されている。
その後、発光画素２０の発光領域を規定する第２の絶縁層２９を形成するステップ、発光機能層３２を形成するステップ、対向電極３３を形成するステップを有する。
上記製造方法によって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を、安定して製造することができる。 In step S8, as shown in FIG. 11D, ITO is formed into a film having a film thickness of approximately 100 nm by, for example, a sputtering method, and this is patterned to form the pixel electrode 31. In the first region 28B, a pixel electrode 31B that is in direct contact with the relay electrode 106B is formed. In the second region 28G, a pixel electrode 31G connected to the relay electrode 106G via the contact hole 28CT1 is formed. In the third region 28R, the pixel electrode 31R connected to the relay electrode 106R via the contact hole 28CT2 is formed.
After that, it has a step of forming a second insulating layer 29 that defines a light emitting region of the light emitting pixel 20, a step of forming a light emitting functional layer 32, and a step of forming a counter electrode 33.
By the above manufacturing method, the organic EL device 100 according to the present embodiment can be stably manufactured.

（実施形態２）
「有機ＥＬ装置の概要」
図１２は、図４に対応し、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図、すなわち発光領域を規定する第２の絶縁層の開口が設けられた領域の概略断面図である。図１３は、図５に対応し、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す他の概略断面図、すなわち画素電極と第３トランジスターとが電気的に接続された領域の概略断面図である。
以下、図１２及び図１３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。 (Embodiment 2)
"Overview of organic EL equipment"
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the organic EL device according to the second embodiment, that is, a schematic cross-sectional view of a region provided with an opening of a second insulating layer that defines a light emitting region. .. FIG. 13 is another schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 5 and showing the configuration of the organic EL device according to the second embodiment, that is, a schematic cross-sectional view of a region in which the pixel electrode and the third transistor are electrically connected. ..
Hereinafter, the outline of the organic EL device 200 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13, focusing on the differences from the first embodiment. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の絶縁層２８の構成が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
図１２に示すように、第１の絶縁層２８は、光反射層としての電源線１４と画素電極３１との間に配置された光学的な距離の調整層である。第１の絶縁層２８は、電源線１４の側から順に積層された第１絶縁膜２５と有機絶縁層６１とで構成されている。 In the organic EL device 200 according to the present embodiment, the configuration of the first insulating layer 28 is different from that of the first embodiment, and the other configurations are the same as those of the first embodiment.
As shown in FIG. 12, the first insulating layer 28 is an optical distance adjusting layer arranged between the power supply line 14 as the light reflecting layer and the pixel electrode 31. The first insulating layer 28 is composed of a first insulating film 25 and an organic insulating layer 61 that are laminated in order from the side of the power supply line 14.

第１絶縁膜２５は、実施形態１と同じ構成を有しており、概略５０ｎｍの膜厚の窒化シリコンである。 The first insulating film 25 has the same configuration as that of the first embodiment, and is silicon nitride having a film thickness of approximately 50 nm.

有機絶縁層６１は、第１絶縁膜２５の側から順に積層された第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとで構成されている。第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂはアクリル樹脂で構成され、実施形態１における第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７（酸化シリコン）と略同じ屈折率を有している。このため、第１有機絶縁膜６１ａは、実施形態１における第２絶縁膜２６と同じ膜厚、つまり同じ光学的な距離（屈折率と膜厚との積）を有している。第２有機絶縁膜６１ｂは、実施形態１における第３絶縁膜２７と同じ膜厚、つまり同じ光学的な距離（屈折率と膜厚との積）を有している。具体的には、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂの膜厚は、それぞれ概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。 The organic insulating layer 61 is composed of a first organic insulating film 61a and a second organic insulating film 61b that are laminated in order from the side of the first insulating film 25. The first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are made of an acrylic resin and have substantially the same refractive index as the second insulating film 26 and the third insulating film 27 (silicon oxide) in the first embodiment. Therefore, the first organic insulating film 61a has the same film thickness as the second insulating film 26 in the first embodiment, that is, the same optical distance (product of the refractive index and the film thickness). The second organic insulating film 61b has the same film thickness as the third insulating film 27 in the first embodiment, that is, the same optical distance (product of refractive index and film thickness). Specifically, the film thicknesses of the first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are approximately 60 nm to 70 nm, respectively.

第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂは、光透過性を有する樹脂であればよく、上述したアクリル樹脂の他に、ポリエステル、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物、ポリシロキサン、その他有機珪素化合物などを使用することができる。 The first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b may be any resin having light transmittance, and in addition to the acrylic resin described above, polyester, methacrylic resin, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene, etc. Transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide, polyamide, polyamideimide, polyetherimide, cellulose acylate, polyurethane, polyether ether ketone, polycarbonate, alicyclic polyolefin, polyarylate, polyethersulfone, polysulfone, fluorene ring-modified polycarbonate , Alicyclic-modified polycarbonate, fluorene ring-modified polyester, acrylic compound, polysiloxane, and other organic silicon compounds can be used.

第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂの屈折率が、実施形態１における第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７の屈折率と異なる場合は、実施形態１における第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７と光学的な距離が略同じになるように、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂの膜厚を調整する必要がある。 When the refractive coefficients of the first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are different from the refractive coefficients of the second insulating film 26 and the third insulating film 27 in the first embodiment, the second insulating film 26 in the first embodiment It is necessary to adjust the film thicknesses of the first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b so that the optical distance from the third insulating film 27 is substantially the same.

有機絶縁層６１は、第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２と、第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置（積層）された部分６３とを有している。発光画素２０Ｂの第１の絶縁層２８、つまり第１の領域２８Ｂの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５で構成され、膜厚Ｂｄ１（概略５０ｎｍ）を有している。発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８、つまり第２の領域２８Ｇの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第１有機絶縁膜６１ａ（第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２の有機絶縁層６１）とで構成され、膜厚Ｇｄ１（概略１１５ｎｍ）を有している。発光画素２０Ｒの第１の絶縁層２８、つまり第３の領域２８Ｒの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂ（第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置された部分６３の有機絶縁層６１）とで構成され、膜厚Ｒｄ１（概略１７０ｎｍ）を有している。このように、第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２は、第２の領域２８Ｇに対応する。第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置された部分６３は、第３の領域２８Ｒに対応する。 The organic insulating layer 61 has a portion 62 in which the first organic insulating film 61a is arranged, and a portion 63 in which the first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are arranged (laminated). The first insulating layer 28 of the light emitting pixel 20B, that is, the first insulating layer 28 of the first region 28B is composed of the first insulating film 25 and has a film thickness Bd1 (approximately 50 nm). The first insulating layer 28 of the light emitting pixel 20G, that is, the first insulating layer 28 of the second region 28G is a portion in which the first insulating film 25 and the first organic insulating film 61a (the first organic insulating film 61a are arranged). It is composed of 62 organic insulating layers 61) and has a film thickness Gd1 (approximately 115 nm). The first insulating layer 28 of the light emitting pixel 20R, that is, the first insulating layer 28 of the third region 28R is the first insulating film 25, the first organic insulating film 61a, and the second organic insulating film 61b (first organic). It is composed of an organic insulating layer 61) of a portion 63 in which the insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are arranged, and has a film thickness Rd1 (approximately 170 nm). As described above, the portion 62 in which the first organic insulating film 61a is arranged corresponds to the second region 28G. The portion 63 in which the first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are arranged corresponds to the third region 28R.

第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２は、本発明における「第１の平坦部」の一例であり、以降、第１の平坦部６２と称す。第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置された部分６３は、本発明における「第２の平坦部」の一例であり、以降、第２の平坦部６３と称す。 The portion 62 in which the first organic insulating film 61a is arranged is an example of the "first flat portion" in the present invention, and will be hereinafter referred to as the first flat portion 62. The portion 63 in which the first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are arranged is an example of the "second flat portion" in the present invention, and will be hereinafter referred to as the second flat portion 63.

かかる構成によって、発光機能層３２で発した光を電源線１４と対向電極３３との間で往復させ、特定波長の光を共振させて（増幅させて）、特定波長の光を封止基板７０から表示光として射出させることができる。その結果、発光画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられ、発光画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、発光画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。 With this configuration, the light emitted by the light emitting functional layer 32 is reciprocated between the power supply line 14 and the counter electrode 33, the light of a specific wavelength is resonated (amplified), and the light of a specific wavelength is sealed in the sealing substrate 70. Can be emitted as display light from. As a result, red (R) light having a peak wavelength of 610 nm is emitted from the light emitting pixel 20R, green (G) light having a peak wavelength of 540 nm is emitted from the light emitting pixel 20G, and peak 470 nm from the light emitting pixel 20B. Blue (B) light having a wavelength is emitted.

「コンタクト部の概要」
次に、図１３を参照して、画素電極３１と第３トランジスター２３とが電気的に接続された部分（コンタクト部）の概要を説明する。 "Overview of contact section"
Next, with reference to FIG. 13, an outline of a portion (contact portion) in which the pixel electrode 31 and the third transistor 23 are electrically connected will be described.

図１３に示すように、発光画素２０Ｂでは、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接し、実施形態１と同じ構成を有している。 As shown in FIG. 13, in the light emitting pixel 20B, the pixel electrode 31B is in direct contact with the relay electrode 106B and has the same configuration as that of the first embodiment.

発光画素２０Ｇでは、中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとの間に、第１有機絶縁膜６１ａ（第１の平坦部６２の有機絶縁層６１）が設けられている。第１有機絶縁膜６１ａには、中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１が設けられている。画素電極３１Ｇは、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。 In the light emitting pixel 20G, a first organic insulating film 61a (organic insulating layer 61 of the first flat portion 62) is provided between the relay electrode 106G and the pixel electrode 31G. The first organic insulating film 61a is provided with a contact hole 28CT1 that exposes a part of the relay electrode 106G. The pixel electrode 31G is connected to the relay electrode 106G via the contact hole 28CT1.

発光画素２０Ｒでは、中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとの間に、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂ（第２の平坦部６３の有機絶縁層６１）が設けられている。第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂには、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２が設けられている。画素電極３１Ｒは、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。 In the light emitting pixel 20R, a first organic insulating film 61a and a second organic insulating film 61b (organic insulating layer 61 of the second flat portion 63) are provided between the relay electrode 106R and the pixel electrode 31R. The first organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are provided with a contact hole 28CT2 that exposes a part of the relay electrode 106R. The pixel electrode 31R is connected to the relay electrode 106R via the contact hole 28CT2.

本実施形態においても、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれで、光学的な距離の調整層である第１の絶縁層２８の膜厚は一定であるため、公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）と比べて発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）を広くすることができるという実施形態１と同様の効果を得ることができる。 Also in this embodiment, since the thickness of the first insulating layer 28, which is the optical distance adjusting layer, is constant for each of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R, a known technique (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-134067) is used. It is possible to obtain the same effect as in the first embodiment that the light emitting region (opening 29B, 29G, 29R) can be made wider than that of the first embodiment.

「有機ＥＬ装置の製造方法」
次に、図１４乃至図１６を参照して、有機ＥＬ装置２００の製造方法を説明する。図１４は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１５及び図１６は、図１０及び図１１に対応し、図１４に示す各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図である。 "Manufacturing method of organic EL device"
Next, a method of manufacturing the organic EL device 200 will be described with reference to FIGS. 14 to 16. FIG. 14 is a process flow showing a method for manufacturing an organic EL device. 15 and 16 are schematic cross-sectional views showing the state of the organic EL device after each step shown in FIG. 14, corresponding to FIGS. 10 and 11.

図１４に示すように、有機ＥＬ装置２００を製造する工程は、光反射層としての電源線１４を形成する工程（ステップＳ１１）と、第１絶縁膜２５を形成する工程（ステップＳ１２）と、中継電極１０６を形成する工程（ステップＳ１３）と、第１有機絶縁膜６１ａを形成する工程（ステップＳ１４）と、第２有機絶縁膜６１ｂを形成する工程（ステップＳ１５）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ１６）と、を含んでいる。 As shown in FIG. 14, the steps of manufacturing the organic EL device 200 include a step of forming the power supply line 14 as the light reflecting layer (step S11), a step of forming the first insulating film 25 (step S12), and a step of forming the first insulating film 25. A step of forming the relay electrode 106 (step S13), a step of forming the first organic insulating film 61a (step S14), a step of forming the second organic insulating film 61b (step S15), and forming the pixel electrode 31. The step (step S16) is included.

なお、ステップＳ１１は実施形態１におけるステップＳ１と同じであり、ステップＳ１２は実施形態１におけるステップＳ２と同じであり、ステップＳ１３は実施形態１におけるステップＳ３と同じであり、ステップＳ１６は実施形態１におけるステップＳ９と同じである。 Note that step S11 is the same as step S1 in the first embodiment, step S12 is the same as step S2 in the first embodiment, step S13 is the same as step S3 in the first embodiment, and step S16 is the same as the first embodiment. It is the same as step S9 in.

ステップＳ１１では、図１５（ａ）に示すように、電源線１４及び中継電極１４ｃを形成する。 In step S11, as shown in FIG. 15A, the power supply line 14 and the relay electrode 14c are formed.

ステップＳ１２では、図１５（ｂ）に示すように、中継電極１４ｃの一部を露出させるコンタクトホール２５ＣＴを有する第１絶縁膜２５を形成する。 In step S12, as shown in FIG. 15B, a first insulating film 25 having a contact hole 25CT that exposes a part of the relay electrode 14c is formed.

ステップＳ１３では、図１５（ｃ）に示すように、平面視で中継電極１４ｃと重なるように中継電極１０６を形成する。 In step S13, as shown in FIG. 15C, the relay electrode 106 is formed so as to overlap the relay electrode 14c in a plan view.

ステップＳ１４では、図１６（ａ）に示すように、例えば感光性アクリル樹脂を塗布し、熱処理（プリベーク）、露光、現像、硬化処理などを施し、第１絶縁膜２５及び中継電極１０６を覆う第１有機絶縁膜６１ａを形成する。感光性アクリル樹脂は、ネガタイプのレジストであり、露光された部分が硬化し、未露光の部分が現像液に溶解する。第１有機絶縁膜６１ａは、第２の領域２８Ｇから第３の領域２８Ｒまでの領域６５に形成され、中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１と、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２ａとを有している。 In step S14, as shown in FIG. 16A, for example, a photosensitive acrylic resin is applied, heat treatment (prebaking), exposure, development, curing treatment, etc. are performed to cover the first insulating film 25 and the relay electrode 106. 1 An organic insulating film 61a is formed. The photosensitive acrylic resin is a negative type resist, and the exposed portion is cured and the unexposed portion is dissolved in the developing solution. The first organic insulating film 61a is formed in the region 65 from the second region 28G to the third region 28R, and exposes the contact hole 28CT1 that exposes a part of the relay electrode 106G and a part of the relay electrode 106R. It has a contact hole 28CT2a.

ステップＳ１５では、図１６（ｂ）に示すように、ステップＳ１４と同じ材料（感光性アクリル樹脂）を塗布し、熱処理（プリベーク）、露光、現像、硬化処理などを施し、第２有機絶縁膜６１ｂを形成する。第２有機絶縁膜６１ｂは、第３の領域２８Ｒの第１有機絶縁膜６１ａの上に形成される。つまり、第１有機絶縁膜６１ａの上に第２有機絶縁膜６１ｂを積層して、第２の平坦部６３を形成する。第２有機絶縁膜６１ｂが積層されていない部分の第１有機絶縁膜６１ａが、第１の平坦部６２となる。
また、第２有機絶縁膜６１ｂは、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２ｂを有している。第１有機絶縁膜６１ａに設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２ａと、第２有機絶縁膜６１ｂに設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２ｂとで、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２が形成される。 In step S15, as shown in FIG. 16B, the same material (photosensitive acrylic resin) as in step S14 is applied, heat-treated (prebaked), exposed, developed, cured, and the like, and the second organic insulating film 61b is applied. To form. The second organic insulating film 61b is formed on the first organic insulating film 61a in the third region 28R. That is, the second organic insulating film 61b is laminated on the first organic insulating film 61a to form the second flat portion 63. The first organic insulating film 61a in the portion where the second organic insulating film 61b is not laminated becomes the first flat portion 62.
Further, the second organic insulating film 61b has a contact hole 28CT2b that exposes a part of the relay electrode 106R. The contact hole 28CT2a provided in the first organic insulating film 61a and the contact hole 28CT2b provided in the second organic insulating film 61b form a contact hole 28CT2 that exposes a part of the relay electrode 106R.

ステップＳ１６では、図１６（ｃ）に示すように、中継電極１０６Ｂに直接接する画素電極３１Ｂを第１の領域２８Ｂに形成し、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続された画素電極３１Ｇを第２の領域２８Ｇに形成し、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続された画素電極３１Ｒを第３の領域２８Ｒに形成する。 In step S16, as shown in FIG. 16C, the pixel electrode 31B directly in contact with the relay electrode 106B is formed in the first region 28B, and the pixel electrode 31G connected to the relay electrode 106G via the contact hole 28CT1 is formed. The pixel electrode 31R formed in the second region 28G and connected to the relay electrode 106R via the contact hole 28CT2 is formed in the third region 28R.

本実施形態では、実施形態１の第２絶縁膜２６に対応する第１有機絶縁膜６１ａ、及び実施形態１の第３絶縁膜２７に対応する第２有機絶縁膜６１ｂは、ネガレジスト（感光性アクリル樹脂）を用いたフォトリソプロセスで形成されているので、実施形態１の第２絶縁膜２６や第３絶縁膜２７を形成するために必要な成膜やエッチングなどの工程が省略されている。従って、実施形態１と比べて、第１の絶縁層２８の製造工程が簡略化され、有機ＥＬ装置２００の生産性を向上し、有機ＥＬ装置２００の製造コストを低減することができる。 In the present embodiment, the first organic insulating film 61a corresponding to the second insulating film 26 of the first embodiment and the second organic insulating film 61b corresponding to the third insulating film 27 of the first embodiment are negative resists (photosensitive). Since it is formed by a photolitho process using an acrylic resin), steps such as film formation and etching necessary for forming the second insulating film 26 and the third insulating film 27 of the first embodiment are omitted. Therefore, as compared with the first embodiment, the manufacturing process of the first insulating layer 28 can be simplified, the productivity of the organic EL device 200 can be improved, and the manufacturing cost of the organic EL device 200 can be reduced.

（実施形態３）
「電子機器」
図１７は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１７に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。 (Embodiment 3)
"Electronics"
FIG. 17 is a schematic view of a head-mounted display as an example of an electronic device.
As shown in FIG. 17, the head-mounted display 1000 has two display units 1001 provided corresponding to the left and right eyes. By attaching the head-mounted display 1000 to the head like glasses, the observer M can see the characters and images displayed on the display unit 1001. For example, if an image in consideration of parallax is displayed on the left and right display units 1001, it is possible to enjoy watching a three-dimensional image.

表示部１００１には、実施形態１の有機ＥＬ装置１００あるいは実施形態２の有機ＥＬ装置２００が搭載されている。有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００は、光共振構造を有しているので、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒで発せられる光の色純度が高められている。さらに、有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００では、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）が広くなっているので、明るく鮮やかな表示が提供される。従って、明るく鮮やかな表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。 The display unit 1001 is equipped with the organic EL device 100 of the first embodiment or the organic EL device 200 of the second embodiment. Since the organic EL device 100 and the organic EL device 200 have an optical resonance structure, the color purity of the light emitted by the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R is enhanced. Further, in the organic EL device 100 and the organic EL device 200, since the light emitting region (opening 29B, 29G, 29R) is wide, a bright and vivid display is provided. Therefore, it is possible to provide a head-mounted display 1000 having a bright and vivid display.

なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。さらに、表示部に限定されず、本発明を照明装置や露光装置にも適用することができる。 The electronic device on which the organic EL device 100 or the organic EL device 200 is mounted is not limited to the head-mounted display 1000. For example, it may be mounted on an electronic device having a display unit such as a head-up display, an electronic viewfinder of a digital camera, a portable information terminal, or a navigator. Furthermore, the present invention is not limited to the display unit, and the present invention can be applied to lighting devices and exposure devices.

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置及び該発光装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately modified within the scope of claims and within a range not contrary to the gist or idea of the invention that can be read from the entire specification. Electronic devices equipped with the device are also included in the technical scope of the present invention.
Various modifications other than the above embodiment can be considered. Hereinafter, a modified example will be described.

（変形例１）図１８は、変形例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。同図に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ装置３００では、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒは、Ｘ方向に延在した矩形状をなしている。このように、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒは、Ｙ方向に延在した矩形状（実施形態１）に限定されず、例えばＸ方向に延在した矩形状であってもよい。
なお、変形例１に係る有機ＥＬ装置において、Ｙ方向は、本発明における「第１の方向」の一例であり、Ｘ方向は、本発明における「第２の方向」の一例である。Ｘ方向には、同じ色の発光が得られる発光画素２０が配置されている。つまり、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂは、Ｘ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇは、Ｘ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒは、Ｘ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。Ｙ方向には、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。なお、Ｙ方向における発光画素２０の配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えばＲ，Ｇ，Ｂの順であってもよい。 (Modification Example 1) FIG. 18 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device according to the modification 1. As shown in the figure, in the organic EL device 300 according to the present modification, the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R have a rectangular shape extending in the X direction. .. As described above, the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R are not limited to the rectangular shape extending in the Y direction (Embodiment 1), and the rectangle extending in the X direction, for example. It may be in shape.
In the organic EL device according to the first modification, the Y direction is an example of the "first direction" in the present invention, and the X direction is an example of the "second direction" in the present invention. In the X direction, light emitting pixels 20 that can emit light of the same color are arranged. That is, the light emitting pixels 20B that can obtain blue (B) light emission are arranged in the X direction and have a rectangular shape (striped shape). The light emitting pixels 20G that can obtain green (G) light emission are arranged in the X direction and have a rectangular shape (striped shape). The light emitting pixels 20R that can obtain red (R) light emission are arranged in the X direction and have a rectangular shape (striped shape). In the Y direction, light emitting pixels 20 that can emit light of different colors are repeatedly arranged in the order of B, G, and R. The arrangement of the light emitting pixels 20 in the Y direction does not have to be in the order of B, G, R, and may be, for example, in the order of R, G, B.

（変形例２）図１９は、変形例２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。同図に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ装置４００では、発光画素２０ＧがＹ方向に沿って配置され、発光画素２０Ｂと発光画素２０ＲとはＹ方向に沿って交互に配置され、二つの発光画素２０Ｇと一つの発光画素２０Ｂと一つの発光画素２０Ｒとで表示単位Ｐが構成されている。このように、四つの発光画素２０で表示単位Ｐを構成することによって、三つの発光画素２０で表示単位Ｐを構成する場合と比べて、より細かい表示が可能になる。 (Modification 2) FIG. 19 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device according to the modification 2. As shown in the figure, in the organic EL device 400 according to the present modification, the light emitting pixels 20G are arranged along the Y direction, and the light emitting pixels 20B and the light emitting pixels 20R are alternately arranged along the Y direction. The display unit P is composed of one light emitting pixel 20G, one light emitting pixel 20B, and one light emitting pixel 20R. By forming the display unit P with the four light emitting pixels 20 in this way, a finer display becomes possible as compared with the case where the display unit P is formed with the three light emitting pixels 20.

発光画素２０Ｇが配置される第２の領域２８Ｇは、Ｙ方向に延在した矩形状をなしている。第１の領域２８Ｂは発光画素２０Ｂと略同じ形状を有し、第３の領域２８Ｒは発光画素２０Ｒと同じ形状を有している。第１の領域２８Ｂ及び第３の領域２８Ｒは、Ｙ方向に沿って交互に配置されている。 The second region 28G in which the light emitting pixels 20G are arranged has a rectangular shape extending in the Y direction. The first region 28B has substantially the same shape as the light emitting pixel 20B, and the third region 28R has the same shape as the light emitting pixel 20R. The first region 28B and the third region 28R are alternately arranged along the Y direction.

上述したように、発光画素２０Ｂが配置される領域が第１の領域２８Ｂとなり、発光画素２０Ｇが配置される領域が第２の領域２８Ｇとなり、発光画素２０Ｒが配置される領域が第３の領域２８Ｒとなる。このため、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ及び第３の領域２８Ｒの配置は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの配置に対応して変化する。
例えば、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒがストライプ配置を有していれば、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒの配置は、実施形態１や実施形態２に示すような配置（図１、図１８参照）となる。例えば、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒがジグザグ配置を有していれば、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒの配置も、ジグザグ配置となる。 As described above, the area where the light emitting pixel 20B is arranged becomes the first area 28B, the area where the light emitting pixel 20G is arranged becomes the second area 28G, and the area where the light emitting pixel 20R is arranged becomes the third area. It becomes 28R. Therefore, the arrangement of the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R changes according to the arrangement of the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R.
For example, if the light emitting pixels 20B, 20G, 20R have a stripe arrangement, the arrangement of the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R is shown in the first and second embodiments. (See FIGS. 1 and 18). For example, if the light emitting pixels 20B, 20G, and 20R have a zigzag arrangement, the arrangement of the first region 28B, the second region 28G, and the third region 28R is also a zigzag arrangement.

（変形例３）有機絶縁層６１は、二つの有機絶縁膜（第１有機絶縁膜６１ａ、第２有機絶縁膜６１ｂ）で構成されることに限定されず、一つの有機絶縁膜で構成されてもよい。例えば、ポジ型の感光性樹脂に、多階調の露光マスクを用いて領域毎に異なる露光量の多階調露光を施し、膜厚の異なる領域（第１の平坦部６２、第２の平坦部６３、コンタクトホール２８ＣＴ１，２８ＣＴ２）を一括形成する方法で、有機絶縁層６１を形成してもよい。ポジ型の感光性樹脂としては、例えば感光材（ナフトキノンジアジド置換化合物など）が分散されたアルカリ可溶性樹脂（ノボラック系樹脂など）などを使用することができる。有機絶縁層６１を一つの有機絶縁膜で形成することによって、生産性を高めることができる。また、有機絶縁層６１を、三つ以上の有機絶縁膜で構成してもよい。 (Modification 3) The organic insulating layer 61 is not limited to being composed of two organic insulating films (first organic insulating film 61a and second organic insulating film 61b), but is composed of one organic insulating film. May be good. For example, a positive photosensitive resin is subjected to multi-gradation exposure with a different exposure amount for each region using a multi-gradation exposure mask, and regions having different film thicknesses (first flat portion 62, second flat portion 62, second flat). The organic insulating layer 61 may be formed by a method of collectively forming the portions 63 and the contact holes 28CT1, 28CT2). As the positive type photosensitive resin, for example, an alkali-soluble resin (novolac resin or the like) in which a photosensitive material (naphthoquinone diazide-substituted compound or the like) is dispersed can be used. Productivity can be increased by forming the organic insulating layer 61 with one organic insulating film. Further, the organic insulating layer 61 may be composed of three or more organic insulating films.

（変形例４）第２有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂは、ネガレジスト（感光性樹脂）を用いたフォトリソプロセスで形成することに限定されない。例えば、印刷法やインクジェット法などの方法で形成してもよい。同様に、変形例３に係る有機絶縁層６１も、印刷法やインクジェット法などの方法で形成してもよい。 (Modification 4) The second organic insulating film 61a and the second organic insulating film 61b are not limited to being formed by a photolithography process using a negative resist (photosensitive resin). For example, it may be formed by a method such as a printing method or an inkjet method. Similarly, the organic insulating layer 61 according to the third modification may also be formed by a method such as a printing method or an inkjet method.

（変形例５）第１絶縁膜２５は、有機材料で構成してもよい、つまり、第１の絶縁層２８の全てを有機材用で構成してもよい。例えば、第１絶縁膜２５を、実施形態２と同じ有機材料（感光性アクリル樹脂）を使用したフォトリソプロセスで形成してもよい。第１絶縁膜２５を構成する材料を無機材料（窒化シリコン）から有機材料（感光性アクリル樹脂）に変更し、フォトリソプロセスだけでパターニングすることで、生産性を高めることができる。 (Modification 5) The first insulating film 25 may be made of an organic material, that is, all of the first insulating layer 28 may be made of an organic material. For example, the first insulating film 25 may be formed by a photolithography process using the same organic material (photosensitive acrylic resin) as in the second embodiment. Productivity can be improved by changing the material constituting the first insulating film 25 from an inorganic material (silicon nitride) to an organic material (photosensitive acrylic resin) and patterning only by the photolithography process.

１０…素子基板、１０ａ…絶縁膜、１０ｄ…イオン注入部、１０ｓ…基材、１０ｗ…ウェル部、１１…走査線、１２…データ線、１３…点灯制御線、１４…電源線、１４ｃ…中継電極、１５…第１層間絶縁膜、１６…第２層間絶縁膜、１７…第３層間絶縁膜、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光画素、２１…第１トランジスター、２１ｄ…ドレイン電極、２２…第２トランジスター、２２ｇ…ゲート電極、２２ｓ…ソース電極、２３…第３トランジスター、２３ｇ…ゲート電極、２３ｓ…ソース電極、２４…蓄積容量、２４ａ…一方の電極、２４ｂ…他方の電極、２５…第１絶縁膜、２６…第２絶縁膜、２７…第３絶縁膜、２８…第１の絶縁層、２８Ｂ…第１の領域、２８Ｇ…第２の領域、２８Ｒ…第３の領域、２９…第２の絶縁層、２９Ｂ…開口（発光画素２０Ｂ）、２９Ｇ…開口（発光画素２０Ｇ）、２９Ｒ…開口（発光画素２０Ｒ）、３０…有機ＥＬ素子、３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、４０…封止層、４１…第１封止層、４２…緩衝層、４３…第２封止層、５０…カラーフィルター、５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…着色層、６１…有機絶縁層、６１ａ…第１有機絶縁膜、６１ｂ…第２有機絶縁膜、６２…第１の平坦部、６３…第２の平坦部、７１…樹脂層、７０…封止基板、１００，２００，３００，４００…有機ＥＬ装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…外部接続用端子、１０６…中継電極。 10 ... element substrate, 10a ... insulating film, 10d ... ion injection part, 10s ... base material, 10w ... well part, 11 ... scanning line, 12 ... data line, 13 ... lighting control line, 14 ... power supply line, 14c ... relay Electrodes, 15 ... 1st interlayer insulating film, 16 ... 2nd interlayer insulating film, 17 ... 3rd interlayer insulating film, 20, 20B, 20G, 20R ... light emitting pixels, 21 ... 1st transistor, 21d ... drain electrode, 22 ... 2nd transistor, 22g ... gate electrode, 22s ... source electrode, 23 ... third transistor, 23g ... gate electrode, 23s ... source electrode, 24 ... storage capacity, 24a ... one electrode, 24b ... other electrode, 25 ... th 1 insulating film, 26 ... second insulating film, 27 ... third insulating film, 28 ... first insulating layer, 28B ... first region, 28G ... second region, 28R ... third region, 29 ... second 2 insulating layer, 29B ... aperture (light emitting pixel 20B), 29G ... opening (light emitting pixel 20G), 29R ... opening (light emitting pixel 20R), 30 ... organic EL element, 31, 31B, 31G, 31R ... pixel electrode, 32 ... Light emitting function layer, 33 ... Counter electrode, 40 ... Sealing layer, 41 ... First sealing layer, 42 ... Buffer layer, 43 ... Second sealing layer, 50 ... Color filter, 50B, 50G, 50R ... Colored layer , 61 ... organic insulating layer, 61a ... first organic insulating film, 61b ... second organic insulating film, 62 ... first flat portion, 63 ... second flat portion, 71 ... resin layer, 70 ... sealing substrate, 100, 200, 300, 400 ... Organic EL device, 101 ... Data line drive circuit, 102 ... Scan line drive circuit, 103 ... External connection terminal, 106 ... Relay electrode.

Claims

トランジスターと、
前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、
前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上に設けられ、光の透過性を有する画素電極と、
前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、
前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、
前記発光機能層を覆い、光の反射性と光の透過性とを有する対向電極と、
前記第１の層厚の部分の上に設けられ、少なくとも一部が前記画素電極と平面的に重なる導電層と、
を含み、
前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、
前記第１の画素電極と、前記第２の画素電極と、前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されていることを特徴とする発光装置。 Transistor and
The light reflecting layer provided above the transistor and
A third layer that covers the light reflecting layer, has a first layer thickness portion, a second layer thickness portion thicker than the first layer thickness portion, and a third layer thickness portion thicker than the second layer thickness portion. A first insulating layer having a layer thickness portion and
A pixel electrode provided on the first insulating layer and having light transmission,
A second insulating layer covering the peripheral edge of the pixel electrode and
A light emitting functional layer covering the pixel electrode and the second insulating layer,
A counter electrode that covers the light emitting functional layer and has light reflectivity and light transmission.
A conductive layer provided on the first layer thickness portion and at least partially overlapping the pixel electrode in a plane.
Including
The pixel electrodes include a first pixel electrode provided in the first layer thickness portion, a second pixel electrode provided in the second layer thickness portion, and the third layer thickness. It has a third pixel electrode provided on the portion and
A light emitting device characterized in that the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode are connected to the transistor via the conductive layer.

前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第３絶縁膜と、を有し、
前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、
前記導電層は、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、を有し、
前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、
前記第２の画素電極は、前記第２絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して、前記第２の導電層に接続され、
前記第３の画素電極は、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The first insulating layer has a first insulating film, a second insulating film, and a third insulating film laminated in order from the side of the reflective layer.
The first insulating film has the first layer thickness and has the first layer thickness.
The portion in which the first insulating film and the second insulating film are laminated has the second layer thickness.
The portion in which the first insulating film, the second insulating film, and the third insulating film are laminated has the third layer thickness.
The conductive layer has a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer.
The first pixel electrode is in direct contact with the first conductive layer.
The second pixel electrode is connected to the second conductive layer via a first contact hole penetrating the second insulating film.
The first aspect of the present invention is that the third pixel electrode is connected to the third conductive layer via the second insulating film and the second contact hole penetrating the third insulating film. The light emitting device described.

前記第１の画素電極は前記第１の層厚の部分の中に設けられ、前記第２の画素電極は前記第２の層厚の部分の中に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。 The claim is characterized in that the first pixel electrode is provided in the first layer thickness portion, and the second pixel electrode is provided in the second layer thickness portion. 2. The light emitting device according to 2.

前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第３の画素電極は、第１の方向に並んで配置されており、
前記第１の層厚の部分、及び前記第２の層厚の部分は、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在した矩形状をなしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。 The first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode are arranged side by side in the first direction.
Claim 1 is characterized in that the first layer thickness portion and the second layer thickness portion form a rectangular shape extending in a second direction intersecting the first direction. The light emitting device according to any one of 3 to 3.

前記第１の絶縁層は、前記光反射層の側に順に積層された第１絶縁膜と、有機絶縁層と、を有し、
前記有機絶縁層は、第１の平坦部と、前記第１の平坦部よりも厚い第２平坦部とを有し、
前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、
前記第１絶縁膜と前記第１の平坦部とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、
前記第１絶縁膜と前記第２の平坦部とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、
前記導電層は、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、を有し、
前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、
前記第２の画素電極は、前記第１の平坦部を貫く第１のコンタクトホールを介して、前記第２の導電層に接続され、
前記第３の画素電極は、前記第２の平坦部を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The first insulating layer has a first insulating film laminated on the side of the light reflecting layer in order, and an organic insulating layer.
The organic insulating layer has a first flat portion and a second flat portion thicker than the first flat portion.
The first insulating film has the first layer thickness and has the first layer thickness.
The portion in which the first insulating film and the first flat portion are laminated has the second layer thickness.
The portion in which the first insulating film and the second flat portion are laminated has the third layer thickness.
The conductive layer has a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer.
The first pixel electrode is in direct contact with the first conductive layer.
The second pixel electrode is connected to the second conductive layer via a first contact hole penetrating the first flat portion.
The light emitting device according to claim 1, wherein the third pixel electrode is connected to the third conductive layer via a second contact hole penetrating the second flat portion.

前記有機絶縁層は、感光性樹脂材料を用いて形成された第１有機絶縁膜と第２有機絶縁膜とを有し、
前記第１の平坦部は前記第１有機絶縁膜で構成され、前記第２の平坦部は前記第１有機絶膜と前記第２有機絶縁膜とで構成されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。 The organic insulating layer has a first organic insulating film and a second organic insulating film formed by using a photosensitive resin material.
The first flat portion is composed of the first organic insulating film, and the second flat portion is composed of the first organic insulating film and the second organic insulating film. The light emitting device according to 5.

第１のトランジスターと、
第２のトランジスターと、
第３のトランジスターと、
前記第１のトランジスター、前記第２のトランジスター、前記第３のトランジスターの上方に設けられた光反射層と、
前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、
前記第１の層厚の部分の上に設けられた第１の画素電極と、
前記第１のトランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、
前記第２の層厚の部分の上に設けられた第２の画素電極と、
前記第２のトランジスターを電気的に接続された第２の中継電極と、
前記第３の層厚の部分の上に設けられた第３の画素電極と、
前記第３のトランジスターに電気的に接続された第３の中継電極と、
対向電極と、
前記第１の画素電極と前記対向電極との間、前記第２の画素電極と前記対向電極との間、及び前記第３の画素電極と対向電極との間に設けられた発光機能層と、を備え、
前記第１の中継電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１接続部を介して前記第１の画素電極に接続され、
前記第２の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第２接続部を介して前記第２の画素電極に接続され、
前記第３の中継電極は、前記第３の層厚の部分に設けられた第３接続部を介して前記第３の画素電極に接続されてなることを特徴とする発光装置。 The first transistor and
The second transistor and
With the third transistor,
A light reflecting layer provided above the first transistor, the second transistor, and the third transistor.
A third layer that covers the light reflecting layer, has a first layer thickness portion, a second layer thickness portion thicker than the first layer thickness portion, and a third layer thickness portion thicker than the second layer thickness portion. A first insulating layer having a layer thickness portion and
A first pixel electrode provided on the first layer thickness portion and
A first relay electrode electrically connected to the first transistor,
A second pixel electrode provided on the second layer thickness portion and
With the second relay electrode electrically connected to the second transistor,
A third pixel electrode provided on the third layer thickness portion and
With the third relay electrode electrically connected to the third transistor,
With the counter electrode
A light emitting functional layer provided between the first pixel electrode and the counter electrode, between the second pixel electrode and the counter electrode, and between the third pixel electrode and the counter electrode. With
The first relay electrode is connected to the first pixel electrode via a first connection portion provided in the first layer thickness portion.
The second relay electrode is connected to the second pixel electrode via a second connecting portion provided in the second layer thickness portion.
The light emitting device is characterized in that the third relay electrode is connected to the third pixel electrode via a third connecting portion provided in the third layer thickness portion.

前記第１の画素電極上において第１の発光領域を規定し、前記第２の画素電極上において第２の発光領域を規定し、前記第３の画素電極上において第３発光領域を規定する第２の絶縁層をさらに備え、
前記第１の発光領域は、前記第１の層厚の部分の上に設けられ、
前記第２の発光領域は、前記第２の層厚の部分の上に設けられ、
前記第３の発光領域は、前記第３の層厚の部分の上に設けられることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。 A first light emitting region is defined on the first pixel electrode, a second light emitting region is defined on the second pixel electrode, and a third light emitting region is defined on the third pixel electrode. With 2 additional layers of insulation
The first light emitting region is provided on the portion of the first layer thickness.
The second light emitting region is provided on the portion of the second layer thickness.
The light emitting device according to claim 7, wherein the third light emitting region is provided on the portion having the third layer thickness.

前記第１の層厚の部分は、前記第１の発光領域から前記第１接続部に至るように設けられ、
前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域から前記第２接続部に至るように設けられ、
前記第３の層厚の部分は、前記第３の発光領域から前記第３接続部に至るように設けられることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。 The first layer thickness portion is provided so as to extend from the first light emitting region to the first connecting portion.
The second layer thickness portion is provided so as to extend from the second light emitting region to the second connecting portion.
The light emitting device according to claim 8, wherein the third layer thickness portion is provided so as to extend from the third light emitting region to the third connecting portion.

第４の発光領域をさらに備え、
前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域及び前記第４の発光領域に跨って設けられることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。 Further equipped with a fourth light emitting region
The light emitting device according to claim 8, wherein the second layer thickness portion is provided so as to straddle the second light emitting region and the fourth light emitting region.

前記第１の層厚の部分は、前記第１接続部を囲むように設けられ、
前記第２の層厚の部分は、前記第２接続部を囲むように設けられ、
前記第３の層厚の部分は、前記第３接続部を囲むように設けられることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。 The first layer thickness portion is provided so as to surround the first connection portion.
The second layer thickness portion is provided so as to surround the second connection portion.
The light emitting device according to any one of claims 7 to 10, wherein the third layer thickness portion is provided so as to surround the third connection portion.

前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第３絶縁膜と、を有し、
前記第１接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して前記第１の中継電極に接続され、且つ前記第１の画素電極に接する第１の導電層を有し、
前記第２接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して前記第２の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜を貫く第３のコンタクトホールを介して前記第２の画素電極に接続された第２の導電層を有し、
前記第３接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第４のコンタクトホールを介して前記第３の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第５のコンタクトホールを介して前記第３の画素電極に接続された第３の導電層を有することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の発光装置。 The first insulating layer has a first insulating film, a second insulating film, and a third insulating film laminated in order from the side of the reflective layer.
The first connecting portion has a first conductive layer that is connected to the first relay electrode via a first contact hole penetrating the first insulating film and is in contact with the first pixel electrode.
The second connecting portion is connected to the second relay electrode via a second contact hole penetrating the first insulating film, and is connected to the second relay electrode via a third contact hole penetrating the second insulating film. It has a second conductive layer connected to two pixel electrodes and has a second conductive layer.
The third connecting portion is connected to the third relay electrode via a fourth contact hole penetrating the first insulating film, and a fifth contact penetrating the second insulating film and the third insulating film. The light emitting device according to any one of claims 7 to 11, further comprising a third conductive layer connected to the third pixel electrode via a hole.

第４のトランジスターと、
前記第２の層厚の部分の上に設けられた第４の画素電極と、
前記第４のトランジスターに電気的に接続された第４の中継電極と、をさらに備え、
前記第４の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第４接続部を介して前記第４の画素電極に接続され、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記第２接続部と前記第４接続部との間を埋めるように設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。 With the 4th transistor,
A fourth pixel electrode provided on the second layer thickness portion and
Further comprising a fourth relay electrode electrically connected to the fourth transistor.
The fourth relay electrode is connected to the fourth pixel electrode via a fourth connecting portion provided in the second layer thickness portion.
The light emitting device according to claim 12, wherein the first insulating film and the second insulating film are provided so as to fill the space between the second connecting portion and the fourth connecting portion.

請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする電子機器。 An electronic device comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 13.

トランジスターと、前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い第１の層厚の部分と第２の層厚の部分と第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の層厚の部分の上に設けられた画素電極と、前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、前記発光機能層を覆う対向電極と前記第１の層厚の部分の上に設けられた導電層と、を含み、前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されている発光装置の製造方法であって、
前記光反射層を形成する工程と、
前記第１の層厚となるように、第１絶縁膜を形成する工程と、
前記導電層を形成する工程と、
前記第１絶縁膜との間で前記第２の層厚となるように、第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜との間で前記第３の層厚となるように、第３絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜をパターニングして、前記第１の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分と、前記第３の層厚の部分と、を有する前記第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第１のコンタクトホールと、前記第３の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第２のコンタクトホールと、を形成する工程と、
前記第１の層厚の部分に前記導電層と部分的に重なる前記第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に前記第１のコンタクトホールを覆う前記第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に前記第２のコンタクトホールを覆う前記第３の画素電極と、を形成する工程と、を備えていることを特徴とする発光装置の製造方法。 A first layer having a transistor, a light reflecting layer provided above the transistor, a first layer thickness portion, a second layer thickness portion, and a third layer thickness portion covering the light reflection layer. Covers the insulating layer, the pixel electrode provided on the first layer thickness portion, the second insulating layer that covers the peripheral edge of the pixel electrode, the pixel electrode, and the second insulating layer. The light emitting functional layer, the counter electrode covering the light emitting functional layer, and the conductive layer provided on the portion of the first layer thickness are included, and the pixel electrode is provided in the portion of the first layer thickness. It has a first pixel electrode provided, a second pixel electrode provided in the second layer thickness portion, and a third pixel electrode provided in the third layer thickness portion. The first pixel electrode, the second pixel electrode, and the third pixel electrode are methods for manufacturing a light emitting device, which is connected to the transistor via the conductive layer.
The step of forming the light reflecting layer and
The step of forming the first insulating film so as to have the first layer thickness, and
The step of forming the conductive layer and
A step of forming the second insulating film so as to have the second layer thickness with the first insulating film, and
A step of forming the third insulating film so as to have the third layer thickness between the first insulating film and the second insulating film.
The second insulating film and the third insulating film are patterned to have the first layer thickness portion, the second layer thickness portion, and the third layer thickness portion. The process of forming the insulating layer of 1 and
A first contact hole that exposes a part of the conductive layer to the second layer thickness portion, and a second contact hole that exposes a part of the conductive layer to the third layer thickness portion. And the process of forming
The first pixel electrode that partially overlaps the conductive layer on the first layer thickness portion, and the second pixel electrode that covers the first contact hole on the second layer thickness portion. A method for manufacturing a light emitting device, which comprises a step of forming the third pixel electrode covering the second contact hole in the third layer thickness portion.