JP2020139847A - Laminar flow element, fluid controller, and semiconductor manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、層流素子、流体制御機器、及び半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a laminar flow device, a fluid control device, and a semiconductor manufacturing device.
流体流路に設置され、流量計測及び制御を行うマスフローコントローラ(流体制御機器)においては、流体流路を流れる流体の質量流量をリアルタイムで高精度に計測することが求められる。その質量流量の計測のために、例えば、熱式流量センサが使用されるが、この種のセンサでは、被測定流体が、細管からなるセンサ流路の中を層流状態で流される構成となっており、このセンサ流路を通過できる流量はごく僅かである。 In a mass flow controller (fluid control device) installed in a fluid flow path and performing flow rate measurement and control, it is required to measure the mass flow rate of the fluid flowing through the fluid flow path with high accuracy in real time. For example, a thermal flow rate sensor is used to measure the mass flow rate. In this type of sensor, the fluid to be measured is configured to flow in a laminar flow state in a sensor flow path composed of thin tubes. Therefore, the flow rate that can pass through this sensor flow path is very small.
そのため、マスフローコントローラを通過可能な定格流量を増加させるために、上記流量センサと並行するバイパス流路を設置し、流入する流体の大部分を、バイパス流路を通過させて、流出させる構成が採用されている。これは、センサ流路とバイパス流路の双方が層流状態になっていれば、両者の流量比が合計流量によらず一定になることを利用したもので、センサ流路を流れたガスの量を測った後に定数倍することで合計の流量を算出している。しかしながら、熱式流量センサの計測精度を損なわないためには、並行するバイパス流路においても、乱流を生じさせることなく、層流となるようにバイパス流路の断面寸法を設定する必要がある。 Therefore, in order to increase the rated flow rate that can pass through the mass flow controller, a bypass flow path parallel to the flow rate sensor is installed, and most of the inflowing fluid is passed through the bypass flow path and flows out. Has been done. This utilizes the fact that if both the sensor flow path and the bypass flow path are in a laminar flow state, the flow rate ratio of the two becomes constant regardless of the total flow rate, and the gas flowing through the sensor flow path The total flow rate is calculated by measuring the amount and then multiplying it by a constant. However, in order not to impair the measurement accuracy of the thermal flow sensor, it is necessary to set the cross-sectional dimensions of the bypass flow path so as to form a laminar flow without causing turbulence even in the parallel bypass flow paths. ..
そこで、ウェットエッチングにより形成された複数のバイパス溝が配置されたバイパスシートを複数枚積層することにより、多数のバイパス流路を構成した層流素子が提供されている(例えば、引用文献1)。この層流素子では、ディスクに形成されるバイパス溝の深さを浅くすることにより、層流となる条件を満たしている。更に、それらを交互に複数枚積層することにより、並行する多数のバイパス流路を構成して定格流量を増加させている。
なお、ここで層流素子の定格流量とは、センサ流路が想定する最大の圧力差(「所定の圧力差)とする)を層流素子の上流側と下流側との間に加えた場合に、層流素子を流れる所定の流体の量を意味している。層流素子に加える圧力差を大きくしていくと、ある点で乱流への遷移が発生するが、層流素子の設計は圧力差が所定の圧力差以下の範囲で流れが層流になっていれば問題ない。縦横比が大きい矩形型の流路を持つ層流素子の場合、層流となる条件は、矩形の短辺の長さが所定の圧力差から求まる値以下であることを意味する。
Therefore, a laminar flow element having a large number of bypass flow paths is provided by laminating a plurality of bypass sheets in which a plurality of bypass grooves formed by wet etching are arranged (for example, Reference 1). In this laminar flow element, the condition of laminar flow is satisfied by making the depth of the bypass groove formed in the disk shallow. Further, by alternately stacking a plurality of them, a large number of parallel bypass flow paths are formed to increase the rated flow rate.
Here, the rated flow rate of the laminar flow element is a case where the maximum pressure difference assumed by the sensor flow path (“predetermined pressure difference)) is applied between the upstream side and the downstream side of the laminar flow element. In addition, it means the amount of a predetermined fluid flowing through the laminar flow element. When the pressure difference applied to the laminar flow element is increased, a transition to turbulent flow occurs at a certain point, but the design of the laminar flow element There is no problem if the flow is laminar within the range where the pressure difference is less than the predetermined pressure difference. In the case of a laminar flow element having a rectangular flow path with a large aspect ratio, the condition for laminar flow is rectangular. It means that the length of the short side is equal to or less than the value obtained from the predetermined pressure difference.
このような層流素子では、1枚のバイパスシートを通過可能な流量を決定する最も主要なパラメータは、バイパスシートのバイパス流路の本数と深さである。形成可能な流路の本数はバイパスシートの一表面の面積により自ずから決定されるので、層流条件を満たすべく流路を浅く形成すると、バイパスシート1枚当たりの通過可能な定格流量が規制されてしまう。 In such a laminar flow element, the most important parameters that determine the flow rate that can pass through one bypass sheet are the number and depth of the bypass flow paths of the bypass sheet. Since the number of flow paths that can be formed is naturally determined by the area of one surface of the bypass sheet, if the flow paths are formed shallow to satisfy the laminar flow condition, the rated flow rate that can be passed through one bypass sheet is regulated. It ends up.
従って、層流素子が流すことができる定格流量を十分に大きくするためには、多数枚の積層が必要となる。積層枚数が多くなるほど、流体のバイパス流路以外の部分からの漏出を防止するために必要な各々のバイパスシート及びスペーサの厚みや歪みに対する製造誤差の許容範囲が小さくなり、製造コストの増加を招く。 Therefore, in order to sufficiently increase the rated flow rate that the laminar flow element can flow, it is necessary to stack a large number of sheets. As the number of laminated sheets increases, the allowable range of manufacturing error with respect to the thickness and strain of each bypass sheet and spacer required to prevent leakage of fluid from a portion other than the bypass flow path becomes smaller, leading to an increase in manufacturing cost. ..
又、これらのバイパスシート及びスペーサは、少なくとも歪みや変形を生じさせることなく自重を支持する機械的強度が必要であるから、一定以上の厚みを有する基体部分が必要である。一方、バイパス流路は層流となる条件を満たすために浅く形成されるものであるから、バイパスシートの基体部分及びスペーサの厚さはバイパス流路の深さよりも大きくなることが多い。 Further, since these bypass sheets and spacers need at least mechanical strength to support their own weight without causing distortion or deformation, a substrate portion having a certain thickness or more is required. On the other hand, since the bypass flow path is formed shallow in order to satisfy the condition of laminar flow, the thickness of the base portion and the spacer of the bypass sheet is often larger than the depth of the bypass flow path.
従って、積層された層流素子において、その体積の多くはバイパスシートの基体部分及びスペーサの厚みに占められている。それ故、層流素子の体積当たりの流量が少なく、定格流量を大きくすることを阻害する要因となっている。 Therefore, in the laminated laminar flow element, most of the volume is occupied by the thickness of the base portion and the spacer of the bypass sheet. Therefore, the flow rate per volume of the laminar flow element is small, which is a factor that hinders the increase in the rated flow rate.
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、開口幅よりも深さの方が深いバイパス流路を実現することにより、バイパスシート1枚当たりの通過流量を増加させて、層流素子の体積当たりの定格流量を増加させることにより、大流量の層流素子を安価な製造コストで提供したり、同一サイズのマスフローコントローラでより大きな定格流量を実現可能にしたりすることである。 The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to realize a bypass flow path having a depth deeper than an opening width so that a bypass sheet can pass through. By increasing the flow rate and increasing the rated flow rate per volume of the laminar flow element, it is possible to provide a large flow rate laminar flow element at a low manufacturing cost, or to realize a larger rated flow rate with a mass flow controller of the same size. To do it.
本発明の第1の態様の層流素子は、1枚以上のバイパスシートを積層して構成される層流素子であって、バイパスシートのそれぞれの一表面に配設された複数のバイパス溝を備え、複数のバイパス溝の各々は、バイパスシートの一表面における開口幅と、バイパスシートの一表面からバイパスシートの内部方向へ延伸する深さと、を有し、深さは開口幅よりも大きい。 The laminar flow element of the first aspect of the present invention is a laminar flow element formed by laminating one or more bypass sheets, and has a plurality of bypass grooves arranged on one surface of each of the bypass sheets. Each of the plurality of bypass grooves has an opening width on one surface of the bypass sheet and a depth extending from one surface of the bypass sheet toward the inside of the bypass sheet, and the depth is larger than the opening width.
本発明の第2の態様によれば、本発明の第1の態様において、複数のバイパス溝の各々の開口幅は、複数のバイパス溝の各々を通過する流体の流れが、層流となる条件を満たす幅よりも小さい。 According to the second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the opening width of each of the plurality of bypass grooves is a condition in which the flow of the fluid passing through each of the plurality of bypass grooves becomes a laminar flow. Less than the width that meets.
本発明の第3の態様によれば、本発明の第1の態様又は第2の態様において、バイパスシートは、円環形状をなし、外周側面と前記外周側面と同心円上に位置する内周側面とを含む。 According to the third aspect of the present invention, in the first aspect or the second aspect of the present invention, the bypass sheet has an annular shape, and the outer peripheral side surface and the inner peripheral side surface located concentrically with the outer peripheral side surface. And include.
本発明の第4の態様によれば、本発明の第3の態様において、複数のバイパス溝の各々は、バイパスシートの中心軸から外周側面に向かって放射状に配設され、内周側面から外周側面に亘って連続して延在する。 According to the fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, each of the plurality of bypass grooves is arranged radially from the central axis of the bypass sheet toward the outer peripheral side surface, and is arranged radially from the inner peripheral side surface to the outer peripheral side surface. It extends continuously over the sides.
本発明の第5の態様によれば、本発明の第4の態様において、複数のバイパス溝は、それぞれ溝分離壁により区画され、溝分離壁の円周方向における厚みは、外周側面から内周側面に向かって徐々に薄くなる。 According to the fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the plurality of bypass grooves are each partitioned by the groove separation wall, and the thickness of the groove separation wall in the circumferential direction is from the outer peripheral side surface to the inner circumference. It gradually becomes thinner toward the side.
本発明の第6の態様の流体制御機器は、本発明の第1の態様乃至第5の態様のいずれか1つの態様に記載の層流素子を備える流体制御機器であって、流体制御機器は、流入口と、流出口と、前記流入口と前記流出口との間に設置されたバイパスユニットと、を含み、バイパスユニットは、層流素子を有する。 The fluid control device according to the sixth aspect of the present invention is a fluid control device including the laminar flow element according to any one of the first to fifth aspects of the present invention. , The inflow port, the outflow port, and a bypass unit installed between the inflow port and the outflow port, and the bypass unit has a laminar flow element.
本発明の第7の態様の半導体製造装置は、本発明の第6の態様において、プロセスチャンバーと、プロセスチャンバーに導入されるプロセスガスの流路と、を備え、流体制御機器は、プロセスガスの流路に設置される。 In the sixth aspect of the present invention, the semiconductor manufacturing apparatus according to the seventh aspect of the present invention includes a process chamber and a flow path for the process gas introduced into the process chamber, and the fluid control device is a process gas. Installed in the flow path.
本発明の層流素子は、開口幅よりも深さの方が深いバイパス流路を実現することにより、バイパスシート1枚当たりの通過流量を増加させて、層流素子の体積当たりの定格流量を増加させることにより、大流量の層流素子を安価な製造コストで提供する。 The laminar flow element of the present invention increases the passing flow rate per bypass sheet by realizing a bypass flow path deeper than the opening width, thereby increasing the rated flow rate per volume of the laminar flow element. By increasing the number, a large flow rate laminar flow device can be provided at a low manufacturing cost.
以下、図面に基づいて、本発明の一実施形態に係る層流素子ついて説明する。 Hereinafter, a laminar flow device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明の一実施形態では、複数のバイパス溝が配置されたバイパスシートとスペーサとを複数枚交互に積層することにより、多数のバイパス流路を構成した層流素子を提供する。図1に、層流素子のバイパスシート10の平面図を示す。図2に、図1に記載の層流素子のバイパスシート10の外周側面をA−A´矢視から見て直線に展開した図を示す。図3に、図1に記載の層流素子のバイパスシート10の内周側面をB−B´矢視から見て直線に展開した図を示す。
In one embodiment of the present invention, a laminar flow element having a large number of bypass flow paths is provided by alternately stacking a plurality of bypass sheets and spacers in which a plurality of bypass grooves are arranged. FIG. 1 shows a plan view of the
このバイパスシート10は、その基体部分と、その一表面に配設された複数のバイパス溝14と、を備える。このバイパスシート10は、中心点11を中心とした外形半径12を有する円周に沿った外周側面と、中心点11を中心とした内形半径13を有する円周に沿った内周側面と、を有する円環形状からなる基板である。これら外周側面及び内周側面は、中心点11を中心とする同心円上に位置する。
The
複数のバイパス溝14の各々は、中心点11から外周側面に向かって放射状に配設されており、バイパス溝14は互いに、円周方向に均等ピッチで配設されることが好ましい。これらのバイパス溝14は、内周側面から外周側面に亘って同一の開口幅w及び同一の深さhをもって連続して延在する(図2及び図3)。ここで、開口幅wはバイパスシート10の一表面における開口幅であって、深さhはバイパスシート10の一表面からバイパスシート10の内部方向へ延伸する深さである。
It is preferable that each of the plurality of
複数のバイパス溝14は、それぞれ溝分離壁15により区画される。溝分離壁15の円周方向の厚みは、外周側面から内周側面に向かって徐々に薄くなり、内周側面におけるその端部では、溝分離壁15は最小幅rとなる。この最小幅rは、溝分離壁15が機械的に破損及び変形しないように自立することができる幅である。
Each of the plurality of
バイパス溝14の各々は、その内部を流れる流体が層流となる構造にしなければならない。矩形形状の断面を有するバイパス溝14において、層流となる条件を満たすためには、バイパス溝14全域において、流路の断面の短辺の幅が所定の幅よりも狭くなっている必要がある。例えば、バイパス溝14の平行平板の間隔、すなわち開口幅wを、想定しているガス種・流速に対して、レイノルズ数が2300未満の値となるように狭くすることにより、バイパス溝14を流れる流体を層流とすることができる。
Each of the
この一実施形態では、バイパス溝14の開口幅wを十分に狭くして、このバイパス溝14を流れる流体が層流となる条件を満たし、深さhを深くして流路の断面積を大きくして通過可能な定格流量を増加させる構造を有する。又、この構造においては、機械的な強度を確保するために必要なバイパスシート10の基体部分の厚さt(図2)よりも、バイパス溝14の深さhの方が大きくなるように形成することができる。
In this one embodiment, the opening width w of the
このような深いバイパス溝14を有するバイパスシート10は、例えば、ワイヤーカット、機械的な溝加工、及びドライエッチング等の形状加工技術、並びに金属射出成型(MIM:Metal Injection Molding)などの成形技術により形成することができる。
The
図4に、本発明のマスフローコントローラ(流体制御機器)に設けられるバイパスユニット20の斜視図を示す。バイパスユニット20は、流入ブロック21、支持部22、スプリングピン23、及び複数のバイパスシート10を積層した層流素子25からなる。この層流素子25は円環形状をなし、例えば、円環形状の外周側面から内周側面に向かって多数のバイパス溝14を有し、これらのバイパス溝14を、流体が層流として通過するように構成されている。
FIG. 4 shows a perspective view of the
流入ブロック21及び支持部22はそれぞれ円柱からなる。支持部22の直径は流入ブロック21の直径よりも小さく、流入ブロック21の円形面の1つである上面に、各々の円柱形状の中心軸が一致するように設置されている。流入ブロック21の上面には支持部22に覆われていない領域があり、その領域において、流入ブロック21の上面から、上面とは反対側の円形面である底面まで、貫通する複数の流入流路24が設置されている。
The
支持部22の円形面には、当該円形面の法線方向に突出する複数(例えば3本)のスプリングピン23が設置されている。これらのスプリングピン23は曲面からなる側面を有し、それぞれの側面が層流素子25の内周側面に接する位置に設置されている。
On the circular surface of the
図5に、本発明のバイパスユニット20の一実施形態の分解斜視図を示す。当該図5に示すように、複数(例えば5枚)のバイパスシート10a〜10eをバイパスユニット20に組み付けるときに、各バイパスシート10a〜10eの円環形状の内周側面がそれぞれのスプリングピン23の側面と接するように挿入することにより、バイパスシート10a〜10eの各々の中心軸が一致するように設置することができる。
FIG. 5 shows an exploded perspective view of an embodiment of the
図6に、層流素子25の外周側面の円周方向に沿った展開図を示す。本図は、層流素子25の外周側面の概ね4分の1の範囲を直線に展開して記載したものである。1枚目のバイパスシート10aは、そのバイパス溝14の開口部がバイパスユニット20の支持部22に接して覆われることにより、開口幅w、深さhのバイパス溝14を構成する。2枚目のバイパスシート10bは、そのバイパス溝14の開口部が1枚目のバイパスシート10aの基体部分に接して覆われることにより、開口幅w、深さhのバイパス溝14を構成する。
FIG. 6 shows a development view of the outer peripheral side surface of the
3〜5枚目のバイパスシート10c〜10eも同様に、それらのバイパス溝14の開口部が2〜4枚目のバイパスシート10b〜10eのそれぞれの基体部分に接して覆われることにより、開口幅w、深さhのバイパス溝14を構成する。これらのバイパスシート10a〜10eは、各々が36本のバイパス溝14を有する(図1)から、5枚を積層することにより、合計180本のバイパス溝14を有する層流素子25となる。
Similarly, the openings of the
図7は、バイパスシート10のバイパス溝14のアスペクト比(溝の深さh/溝の開口幅w)と、複数のバイパスシート10を積層した層流素子25の体積V当たりの定格流量Qと、の関係を示すグラフである。この縦軸のQ/Vは、同一サイズのマスフローコントローラ30においてどれだけ大きな定格流量を取れるか、という性能の指標を意味する。
FIG. 7 shows the aspect ratio of the
ここで、バイパス溝14は、溝の深さがh[mm]及び幅がw[mm]からなる矩形の流路断面を有し、バイパスシート10の基体部分の厚さをt[mm]、バイパス溝14を区画する溝分離壁15の最小幅をr[mm]、層流素子1枚あたりのバイパス溝14の本数をnとすると、下式の関係が成立する。
又、バイパス溝14の本数をnについては、バイパスシート10の内周側面の円周方向に沿って最大の本数を設けるものとし、内周側面の長さを定数と見て、n∝1/(w+r)と近似した。更に、バイパス溝14は矩形の流路断面であることと、hおよびwのどちらか小さい方は所定の値になる(min(h,w)=const.)という後述の層流状態のための条件から、Q∝hwと近似でき、層流素子25が、N枚のバイパスシート10で構成されるとき、定格流量は、Q∝hwnNで与えられる。そして、層流素子25を構成するバイパスシート10のそれぞれの内径及び外径は同一のものであるから、体積はV∝(h+t)Nなる関係を有する。従って、Q/V∝hwn/(h+t)との関係式が成り立つ。
Further, regarding the number of the
上式に基いて、深さをh[mm]及び幅をw[mm]のどちらか小さい方が0.1[mm]とし(min(h,w)=0.1[mm])、基体部分の厚さをt=0.15[mm]、溝分離壁15の最小幅をr=0.02[mm]と設定し、定格流量Q/Vとアスペクト比(h/w)の関係を算出した。
Based on the above equation, the depth is h [mm] and the width is w [mm], whichever is smaller, 0.1 [mm] (min (h, w) = 0.1 [mm]), and the substrate The thickness of the portion is set to t = 0.15 [mm], the minimum width of the
その結果、体積当たりの定格流量Q/Vは、アスペクト比(h/w)=1のとき、最小値となった。そして、アスペクト比(h/w)を1より小さくすると多少増加し、0.1より小さい範囲では、概ね0.4に収束する。一方、アスペクト比(h/w)が1〜10範囲では、Q/Vが最小値から急激に増加し、100以上では0.8を超える一定値に収束することがわかる。 As a result, the rated flow rate Q / V per volume became the minimum value when the aspect ratio (h / w) = 1. Then, when the aspect ratio (h / w) is made smaller than 1, it increases a little, and in the range smaller than 0.1, it converges to about 0.4. On the other hand, when the aspect ratio (h / w) is in the range of 1 to 10, Q / V sharply increases from the minimum value, and when it is 100 or more, it converges to a constant value exceeding 0.8.
このことから、バイパスシート10を積層した層流素子25において、所定の体積当たりの定格流量Q/Vを最大化、言い換えると、所望の定格流量Qをより小さな体積Vで実現するためには、アスペクト比(h/w)が、1を超える(深さhが開口幅wよりも大)範囲で、できるだけ大きいことが好ましいことがわかる。同様の計算で、アスペクト比(h/w)>1を大きく取ることでバイパスシート10の一枚あたりの厚み(h+t)が大きくなることと、所望の定格流量Qをより小さな体積Vで実現できることは、所望の定格流量を実現するために必要なバイパスシート10の積層枚数を少なくすることができる、ことを意味する。
From this, in the
上述のとおり、本発明の一実施形態の層流素子は、開口幅に比べて深さが深いバイパス流路を実現することにより、バイパスシート10の1枚当たりの通過流量を増加させて、層流素子の体積当たりの定格流量を増加させることにより、大流量の層流素子を安価な製造コストで提供することができる。
As described above, the laminar flow device of the embodiment of the present invention increases the passing flow rate per
図8には、本発明のバイパスユニット20を搭載したマスフローコントローラ(流体制御機器)30の断面図を示す。マスフローコントローラ30は、本体32と、その両側に接続されている流入口41が設けられた入口側継手33及び流出口42が設けられた出口側継手34からなる。
FIG. 8 shows a cross-sectional view of a mass flow controller (fluid control device) 30 equipped with the
このマスフローコントローラ30は、流入口41から流入して流出口42から流出する流体の流量を流量制御弁36により、調節することができる。流入口41から流入した流体は、バイパスユニット20(流入ブロック21、支持部22、スプリングピン23、及び層流素子25からなる)を通って、合流路45へ流れる。この合流路45と流出口42との間に流量制御弁36が設置され、その開度は流量制御機構37により制御される。
The
この流入口41から流入して流出口42から流出する流体は、バイパスユニット20のバイパス流入路43において分岐し、センサ流入路47を通って熱式流量センサ部35に流入する。そして、質量流量が計測された後、センサ流出路48を通って合流路45に流入する。例えば、一般的な熱式流量センサでは、非計測流体が層流として通過する細管にヒータを巻回し、両ヒータに同じ電流を流して発熱させ、その両ヒータ同士の抵抗の差をブリッジ回路で測定することで、それらのヒータ間の温度差を検出することにより、質量流量を計測する。
The fluid flowing in from the
一方、バイパスユニット20においては、流入口41から流入した流体が、流入ブロック21の流入流路24を通過してバイパス流入路43に到達する。バイパス流入路43には、バイパスシート10を積層した層流素子25の外周側面が露出しており、上記流体が、層流素子25の外周側面から内周側面に向かって、多数のバイパス溝14を層流で流れてバイパス流出路44に到達する。そして、バイパス流出路44に到達した流体は、合流路45で熱式流量センサ部35を通ってきた流体と合流する。
On the other hand, in the
又、熱式流量センサ部35により計測した質量流量から、バイパスユニット20を通過する流体の質量流量を算出するためには、熱式流量センサ部35を通過する質量流量と、バイパスユニット20を通過する流体の質量流量と、が比例関係になければならない。その関係を維持するためには、バイパスユニット20を通過する流体が層流であることが必須である。
Further, in order to calculate the mass flow rate of the fluid passing through the
このように、本発明のマスフローコントローラ30では、熱式流量センサ部35で計測された質量流量データに基いて、流量制御機構37が流量制御弁36の開度を調節して、マスフローコントローラ30を通過する流体の流量を調節することができる。
As described above, in the
又、本発明のマスフローコントローラ30では、バイパスユニット20を通過することができる所定の体積当たりの定格流量の最大化が可能であるから、マスフローコントローラ30の筐体を大きくすること無しに、より大きな定格流量を有するマスフローコントローラ30を構成することができる。
Further, in the
図9に、本発明のマスフローコントローラ30を含む半導体製造装置50のブロック図を示す。
FIG. 9 shows a block diagram of the
この半導体製造装置50はプロセスチャンバー51と、当該プロセスチャンバー51に導入されるプロセスガスを供給するプロセスガス流路52と、を備える。プロセスガス流路52にはマスフローコントローラ(流体制御機器)53が設置され、このマスフローコントローラ53は、プロセスガス流路52を通過して、プロセスチャンバー51に供給されるプロセスガスの流量を調節することができる。
The
本実施例においては、バイパスシート10は円環形状で、バイパス溝14は放射状に配置されていたが、本発明はその他の形状に対しても適用することができる。例えば、バイパスシート10の外形を長方形状にしたり、バイパス溝14が平行に並ぶようにしたりしても良い。
In this embodiment, the
10、10a、10b、10c、10d、10e バイパスシート
11 中心点
12 外形半径
13 内形半径
14 バイパス溝
15 溝分離壁
h 溝の深さ
w 溝の開口幅
r 溝分離壁の最小幅
t バイパスシート基体部分厚み
20 バイパスユニット
21 流入ブロック
22 支持部
23 スプリングピン
24 流入流路
25 層流素子
30 マスフローコントローラ(流体制御機器)
32 本体
33 入口側継手
34 出口側継手
35 熱式流量センサ部
36 流量制御弁
37 流量制御機構
41 流入口
42 流出口
43 バイパス流入路
44 バイパス流出路
45 合流路
46 流量制御バルブ流路
47 センサ流入路
48 センサ流出路
50 半導体製造装置
51 プロセスチャンバー
52 プロセスガス流路
53 マスフローコントローラ(流体制御機器)
10, 10a, 10b, 10c, 10d, 10e Bypass sheet 11
32 Main body 33 Inlet side joint 34 Outlet side joint 35 Thermal
Claims (7)
前記バイパスシートのそれぞれの一表面に配設された複数のバイパス溝を備え、
前記複数のバイパス溝の各々は、前記バイパスシートの前記一表面における開口幅と、前記バイパスシートの前記一表面から前記バイパスシートの内部方向へ延伸する深さと、を有し、前記深さは前記開口幅よりも大きい、層流素子。 A laminar flow element composed of one or more bypass sheets laminated together.
A plurality of bypass grooves arranged on one surface of each of the bypass sheets are provided.
Each of the plurality of bypass grooves has an opening width on the one surface of the bypass sheet and a depth extending from the one surface of the bypass sheet toward the inside of the bypass sheet, and the depth is said. A laminar flow element that is larger than the opening width.
前記溝分離壁の円周方向における厚みは、前記外周側面から前記内周側面に向かって徐々に薄くなる、請求項4に記載の層流素子。 Each of the plurality of bypass grooves is partitioned by a groove separation wall.
The laminar flow element according to claim 4, wherein the thickness of the groove separation wall in the circumferential direction gradually decreases from the outer peripheral side surface toward the inner peripheral side surface.
前記流体制御機器は、流入口と、流出口と、前記流入口と前記流出口との間に設置されたバイパスユニットと、を含み、
前記バイパスユニットは、前記層流素子を有する、流体制御機器。 A fluid control device including the laminar flow element according to any one of claims 1 to 5.
The fluid control device includes an inlet, an outlet, and a bypass unit installed between the inlet and the outlet.
The bypass unit is a fluid control device having the laminar flow element.
プロセスチャンバーと、
前記プロセスチャンバーに導入されるプロセスガスの流路と、を備え、
前記流体制御機器は、前記プロセスガスの前記流路に設置される、半導体製造装置。 The fluid control device according to claim 6 and
With the process chamber
The process gas flow path to be introduced into the process chamber is provided.
The fluid control device is a semiconductor manufacturing apparatus installed in the flow path of the process gas.
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