JP2020139120A - Composition, film, laminated structure, light emitting device, and display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイに関する。 The present invention relates to compositions, films, laminated structures, light emitting devices and displays.
発光素子に用いられる発光材料は、光の吸収率が高いことに加え、その発光波長を発光素子の用途に適した発光波長に制御することが求められている。このような発光材料として、例えば、非特許文献１には、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む組成物が報告されている。 In addition to having a high light absorption rate, the light emitting material used in the light emitting element is required to control its light emitting wavelength to a light emitting wavelength suitable for the application of the light emitting element. As such a light emitting material, for example, Non-Patent Document 1 reports a composition containing a compound having a perovskite type crystal structure.
非特許文献２には、ペロブスカイト化合物に含まれるハロゲン元素の種類を変更することでペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の発光波長が変化することが記載されている。
Non-Patent
しかしながら、ペロブスカイト結晶構造を有する化合物に含まれるハロゲン元素の種類を変更すると、光の吸収率が低下する場合もあり、また、その発光波長は約１００ｎｍ以上変化し、発光素子の用途に使用した場合には、その色調が変わってしまう。したがって、非特許文献２に記載の方法では、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物が十分な光の吸収率を維持し、かつ、発光素子の用途に適した発光波長に制御するために、その発光波長を数ｎｍ〜数十ｎｍのオーダーで微調整することは困難である。
However, if the type of halogen element contained in the compound having a perovskite crystal structure is changed, the light absorption rate may decrease, and the emission wavelength may change by about 100 nm or more, and when used for a light emitting element. The color tone changes. Therefore, in the method described in
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、発光波長を短波長側に微調整することが可能であり、かつ、光の吸収率が高いペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and is a composition containing a compound having a perovskite-type crystal structure capable of finely adjusting the emission wavelength to a short wavelength side and having a high light absorption rate. An object of the present invention is to provide a product, a film using the composition as a forming material, a laminated structure containing the film, a light emitting device and a display including the laminated structure.
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。 As a result of diligent studies by the present inventors in order to solve the above problems, the following inventions have been reached.
本発明は下記の［１］〜［７］を包含する。
［１］ 下記（１）と、下記（ａ）とを含む組成物であって、
Ｘ線回折パターンにおいて、下記（１）の面のミラー指数（００１）の回折ピーク強度（Ｐ１）と、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲において、下記（１）に由来するピーク以外のうち最も強度が高い下記（ａ）の回折ピークの強度（Ｐａ）との比である（（Ｐａ）／（Ｐ１））が０．３以上、１０以下である組成物。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（ａ）：Ｘ線回折パターンにおいて、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲に回折ピークを有する化合物
［２］ 更に、下記（２−１）、下記（２−１）の改質体、下記（２−２）及び下記（２−２）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物を含む請求項１に記載の組成物。
（２−１）シラザン
（２−２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物
［３］ 更に、下記（３）、下記（４）及び下記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む［１］又は［２］に記載の組成物。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（５）重合体
［４］ ［１］〜［３］のいずれか一項に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
［５］ ［４］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［６］ ［５］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［７］ ［５］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
The present invention includes the following [1] to [7].
[1] A composition comprising the following (1) and the following (a).
In the X-ray diffraction pattern, the diffraction peak intensity (P1) of the Miller index (001) of the surface of the surface (1) below and the peak derived from the following (1) in the range where the Bragg angle (2θ) is 10 to 13 ° A composition in which ((Pa) / (P1)), which is the ratio of the diffraction peak of the following (a) having the highest intensity to the intensity (Pa), is 0.3 or more and 10 or less.
(1): A compound having a perovskite-type crystal structure containing A, B, and X as constituent components (A is a component located at each apex of a hexahedron centered on B in the perovskite-type crystal structure. It is a monovalent cation.
X is a component located at each apex of the octahedron centered on B in the perovskite type crystal structure, and is at least one anion selected from the group consisting of a halide ion and a thiocyanate ion.
B is a component located at the center of a hexahedron in which A is arranged at the apex and an octahedron in which X is arranged at the apex in the perovskite type crystal structure, and is a metal ion. )
(A): Compound having a diffraction peak in the range of 10 to 13 ° in Bragg angle (2θ) in the X-ray diffraction pattern [2] Further, the modified products of the following (2-1) and the following (2-1). The composition according to claim 1, which comprises at least one compound selected from the group consisting of the following (2-2) and the following (2-2) modified products.
(2-1) Silicon compound having at least one group selected from the group consisting of a silazane (2-2) amino group, an alkoxy group and an alkylthio group [3] Further, the following (3), the following (4) and the following ( The composition according to [1] or [2], which comprises at least one selected from the group consisting of 5).
(3) Solvent (4) Polymerizable compound (5) Polymer [4] A film using the composition according to any one of [1] to [3] as a forming material.
[5] A laminated structure containing the film according to [4].
[6] A light emitting device including the laminated structure according to [5].
[7] A display including the laminated structure according to [5].
本発明によれば、発光波長を短波長側に微調整することが可能であり、かつ、光の吸収率が高いペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することができる。 According to the present invention, a composition containing a compound having a perovskite-type crystal structure capable of finely adjusting the emission wavelength to a short wavelength side and having a high light absorption rate, said composition is used as a forming material. A film, a laminated structure including the film, a light emitting device including the laminated structure, and a display can be provided.
以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments.
＜（１）ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物＞
本実施形態の化合物は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物（以下、「（１）ペロブスカイト化合物」、又は単に「（１）」ともいう。）である。
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。
<(1) Compound having perovskite type crystal structure>
The compound of the present embodiment is a compound having a perovskite-type crystal structure containing A, B, and X as constituents (hereinafter, also referred to as “(1) perovskite compound” or simply “(1)”).
A is a component located at each apex of the hexahedron centered on B in the perovskite type crystal structure, and is a monovalent cation.
X is a component located at each apex of the octahedron centered on B in the perovskite type crystal structure, and is at least one anion selected from the group consisting of a halide ion and a thiocyanate ion.
B is a component located at the center of a hexahedron in which A is arranged at the apex and an octahedron in which X is arranged at the apex in the perovskite type crystal structure, and is a metal ion.
Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物の構造としては、３次元構造、２次元構造、疑似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれの構造であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
The structure of the perovskite compound containing A, B, and X as constituents may be any of a three-dimensional structure, a two-dimensional structure, and a pseudo two-dimensional (quasi-2D) structure.
In the case of a three-dimensional structure, the composition formula of the perovskite compound is represented by ABX (3 + δ) .
In the case of a two-dimensional structure, the composition formula of the perovskite compound is represented by A 2 BX (4 + δ) .
ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。 Here, δ is a number that can be appropriately changed according to the charge balance of B, and is −0.7 or more and 0.7 or less. For example, when A is a monovalent cation, B is a divalent cation, and X is a monovalent anion, δ can be selected so that the perovskite compound is electrically neutral. When the perovskite compound is electrically neutral, it means that the charge of the perovskite compound is zero.
ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ６で表される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。
The perovskite compound contains an octahedron centered on B and with the apex X. The octahedron is represented by BX 6 .
When the perovskite compound has a three-dimensional structure, the BX 6 contained in the perovskite compound shares one X located at the apex of the octahedron (BX 6 ) among two adjacent octahedrons (BX 6 ) in the crystal. By doing so, a three-dimensional network is constructed.
ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。 When the perovskite compound has a two-dimensional structure, the BX 6 contained in the perovskite compound shares two Xs located at the vertices in the octahedron (BX 6 ) among two adjacent octahedrons (BX 6 ) in the crystal. By doing so, the ridgeline of the octahedron is shared, and a two-dimensionally connected layer is formed. The perovskite compound has a structure in which a layer made of BX 6 and a layer made of A, which are two-dimensionally connected, are alternately laminated.
本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折（以下、ＸＲＤともいう）パターンにより確認することができる。 In the present specification, the crystal structure of the perovskite compound can be confirmed by an X-ray diffraction (hereinafter, also referred to as XRD) pattern.
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（ｈｋｌ）は、２θ＝１２〜１８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８〜２５°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認される。 When the perovskite compound has a perovskite-type crystal structure having a three-dimensional structure, the Miller index (hkl) of the surface of the perovskite compound is usually at a position of 2θ = 12 to 18 ° in the X-ray diffraction pattern, and (hkl) = ( A peak derived from 001) is confirmed. Alternatively, a peak derived from (hkl) = (110) is confirmed at a position of 2θ = 18 to 25 °.
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（ｈｋｌ）は、２θ＝１３〜１６°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。 When the perovskite compound has a perovskite-type crystal structure having a three-dimensional structure, the Miller index (hkl) of the surface of the perovskite compound is confirmed to be a peak derived from (hkl) = (001) at a position of 2θ = 13 to 16 °. It is preferable that a peak derived from (hkl) = (110) is confirmed at a position of 2θ = 20 to 23 °.
ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（ｈｋｌ）は、２θ＝１〜１０°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２〜８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。 When the perovskite compound has a perovskite-type crystal structure having a two-dimensional structure, the Miller index (hkl) of the surface of the perovskite compound is usually at the position of 2θ = 1 to 10 ° in the X-ray diffraction pattern, and (hkl) = ( A peak derived from 002) is confirmed. Further, it is preferable that a peak derived from (hkl) = (002) is confirmed at a position of 2θ = 2 to 8 °.
ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。 The perovskite compound preferably has a three-dimensional structure.
（構成成分Ａ）
ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。
(Component A)
A constituting the perovskite compound is a monovalent cation. Examples of A include cesium ion, organic ammonium ion, and amidinium ion.
（有機アンモニウムイオン）
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。
(Organic ammonium ion)
Specific examples of the organic ammonium ion of A include a cation represented by the following formula (A3).
式（Ａ３）中、Ｒ６〜Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６〜Ｒ９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ６〜Ｒ９の全てが同時に水素原子となることはない。 In formula (A3), R 6 to R 9 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group. However, at least one of R 6 to R 9 is an alkyl group or a cycloalkyl group, and all of R 6 to R 9 do not become hydrogen atoms at the same time.
Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。 The alkyl group represented by R 6 to R 9 may be linear or branched. Further, the alkyl groups represented by R 6 to R 9 may independently have an amino group as a substituent.
Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。 The number of carbon atoms of the alkyl groups represented by R 6 to R 9 is usually 1 to 20, preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and 1 respectively. Is even more preferable.
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。 The cycloalkyl groups represented by R 6 to R 9 may each independently have an amino group as a substituent.
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。 The number of carbon atoms of the cycloalkyl group represented by R 6 to R 9 is usually 3 to 30, preferably 3 to 11, and more preferably 3 to 8, respectively. The number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
Ｒ６〜Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。 The groups represented by R 6 to R 9 are preferably hydrogen atoms or alkyl groups independently of each other.
ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。 When the perovskite compound contains an organic ammonium ion represented by the above formula (A3) as A, the number of alkyl groups and cycloalkyl groups that can be contained in the formula (A3) is preferably small. Further, the number of carbon atoms of the alkyl group and the cycloalkyl group that can be contained in the formula (A3) is preferably small. As a result, a perovskite compound having a three-dimensional structure with high emission intensity can be obtained.
式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子の合計数は１〜４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６〜Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ６〜Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。 In the organic ammonium ion represented by the formula (A3), the total number of carbon atoms contained in the alkyl group represented by R 6 to R 9 and the cycloalkyl group is preferably 1 to 4. In the organic ammonium ion of the formula (A3), one of R 6 to R 9 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, three of R 6 to R 9 is a hydrogen atom More preferably.
Ｒ６〜Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。 The alkyl groups of R 6 to R 9 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group and isopentyl group. , Neopentyl group, tert-pentyl group, 1-methylbutyl group, n-hexyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, n-heptyl Group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 2,2-dimethylpentyl group, 2,3-dimethylpentyl group, 2,4-dimethylpentyl group, 3,3-dimethylpentyl group, 3-ethylpentyl group Group, 2,2,3-trimethylbutyl group, n-octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl Examples thereof include a group, an octadecyl group, a nonadecil group, and an icosyl group.
Ｒ６〜Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。 The cycloalkyl group of R 6 to R 9, include those independently exemplified alkyl group having 3 or more carbon atoms in the alkyl group of R 6 to R 9 is to form a ring. As an example, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, isobornyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, tricyclodecyl group. Etc. can be exemplified.
Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３ ＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３ ＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ３Ｈ７ＮＨ３ ＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、メチルアンモニウムイオン又はエチルアンモニウムイオンであることより好ましく、メチルアンモニウムイオンであることがさらに好ましい。 The organic ammonium ion represented by A, (also referred to as methyl ammonium ion.) CH 3 NH 3 +, ( also referred to as ethyl ammonium ion.) C 2 H 5 NH 3 + or C 3 H 7 NH 3 + (propyl It is also preferably ammonium ion), more preferably methylammonium ion or ethylammonium ion, and even more preferably methylammonium ion.
（アミジニウムイオン）
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４）
(Amidinium ion)
Examples of the amidinium ion represented by A include the amidinium ion represented by the following formula (A4).
(R 10 R 11 N = CH-NR 12 R 13 ) + ... (A4)
式（Ａ４）中、Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。 In formula (A4), R 10 to R 13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。 The alkyl groups represented by R 10 to R 13 may be independently linear or branched chain. Further, the alkyl groups represented by R 10 to R 13 may each independently have an amino group as a substituent.
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。 The number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 10 to R 13 is usually 1 to 20, preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 3, respectively.
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。 The cycloalkyl groups represented by R 10 to R 13 may each independently have an amino group as a substituent.
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。 The number of carbon atoms of the cycloalkyl group represented by R 10 to R 13 is usually 3 to 30, preferably 3 to 11, and more preferably 3 to 8, respectively. The number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
Ｒ１０〜Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ１０〜Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。
Specific examples of the alkyl groups of R 10 to R 13 include the same groups as the alkyl groups exemplified in R 6 to R 9 , respectively.
Specific examples of the cycloalkyl groups of R 10 to R 13 include the same groups as the cycloalkyl groups exemplified in R 6 to R 9 , respectively.
Ｒ１０〜Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。 As the groups represented by R 10 to R 13 , hydrogen atoms or alkyl groups are preferable independently.
式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。 By reducing the number of alkyl groups and cycloalkyl groups contained in the formula (A4) and reducing the number of carbon atoms of the alkyl group and cycloalkyl group, a perovskite compound having a three-dimensional structure with high emission intensity can be obtained. be able to.
アミジニウムイオンにおいて、Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１のアルキル基であり、Ｒ１１〜Ｒ１３が水素原子であることがさらに好ましい。 In the amidinium ion, the total number of carbon atoms contained in the alkyl group represented by R 10 to R 13 and the cycloalkyl group is preferably 1 to 4, and R 10 is an alkyl group having 1 carbon atom. , R 11 to R 13 are more preferably hydrogen atoms.
ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。 In the perovskite compound, when A is a cesium ion, an organic ammonium ion having 3 or less carbon atoms, or an amidinium ion having 3 or less carbon atoms, the perovskite compound generally has a three-dimensional structure.
ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれか一方又は両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造又は疑似２次元構造を、結晶の一部又は全体に有することができる。
２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。
In the perovskite compound, when A is an organic ammonium ion having 4 or more carbon atoms or an amidinium ion having 4 or more carbon atoms, the perovskite compound has either a two-dimensional structure or a pseudo two-dimensional (quasi-2D) structure. Have one or both. In this case, the perovskite compound can have a two-dimensional structure or a pseudo two-dimensional structure in a part or the whole of the crystal.
When a plurality of two-dimensional perovskite crystal structures are laminated, they become equivalent to a three-dimensional perovskite crystal structure (references: P. PBoix et al., J. Phys. Chem. Lett. 2015, 6, 898-907, etc.).
ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン、又はアミジニウムイオンが好ましく、アミジニウムイオンがさらに好ましい。 As A in the perovskite compound, cesium ion or amidinium ion is preferable, and amidinium ion is more preferable.
（１）ペロブスカイト化合物において、Ａを１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 (1) In the perovskite compound, only one type of A may be used, or two or more types may be used in combination.
（構成成分Ｂ）
ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛イオン、スズイオン、アンチモンイオン、ビスマスイオン、及びインジウムイオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛イオン又はスズイオンがさらに好ましく、鉛イオンが特に好ましい。
(Component B)
B constituting the perovskite compound may be one or more kinds of metal ions selected from the group consisting of monovalent metal ions, divalent metal ions, and trivalent metal ions. B preferably contains a divalent metal ion, more preferably contains one or more metal ions selected from the group consisting of lead ion, tin ion, antimony ion, bismuth ion, and indium ion, and more preferably leads ion or tin ion. Is more preferable, and lead ions are particularly preferable.
（１）ペロブスカイト化合物において、Ｂを１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 (1) In the perovskite compound, only one type of B may be used, or two or more types may be used in combination.
（構成成分Ｘ）
ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。
(Component X)
X constituting the perovskite compound may be at least one anion selected from the group consisting of a halide ion and a thiocyanate ion.
ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオンであることが好ましい。 Examples of the halide ion include chloride ion, bromide ion, fluoride ion, and iodide ion. X is preferably a bromide ion.
（１）ペロブスカイト化合物において、Ｘを１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 (1) In the perovskite compound, only one type of X may be used, or two or more types may be used in combination.
Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンを含む場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。 When X contains two or more kinds of halide ions, the content ratio of the halide ions can be appropriately selected depending on the emission wavelength. For example, it can be a combination of a bromide ion and a chloride ion, or a combination of a bromide ion and an iodide ion.
Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。 X can be appropriately selected according to the desired emission wavelength.
Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。 A perovskite compound in which X is a bromide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 480 nm or more, preferably 500 nm or more, more preferably 520 nm or more.
また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
Further, the perovskite compound in which X is a bromide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 700 nm or less, preferably 600 nm or less, more preferably 580 nm or less.
The upper limit value and the lower limit value of the above wavelength range can be arbitrarily combined.
ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。 When X in the perovskite compound is a bromide ion, the peak of the emitted fluorescence is usually 480 to 700 nm, preferably 500 to 600 nm, and more preferably 520 to 580 nm.
Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。 A perovskite compound in which X is an iodide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 520 nm or more, preferably 530 nm or more, more preferably 540 nm or more.
また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
Further, the perovskite compound in which X is an iodide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 800 nm or less, preferably 750 nm or less, more preferably 730 nm or less.
The upper limit value and the lower limit value of the above wavelength range can be arbitrarily combined.
ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。 When X in the perovskite compound is an iodide ion, the emission peak of fluorescence is usually 520 to 800 nm, preferably 530 to 750 nm, and more preferably 540 to 730 nm.
Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。 A perovskite compound in which X is a chloride ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 300 nm or more, preferably 310 nm or more, more preferably 330 nm or more.
また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
Further, the perovskite compound in which X is a chloride ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 600 nm or less, preferably 580 nm or less, more preferably 550 nm or less.
The upper limit value and the lower limit value of the above wavelength range can be arbitrarily combined.
ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。 When X in the perovskite compound is a chloride ion, the peak of the emitted fluorescence is usually 300 to 600 nm, preferably 310 to 580 nm, and more preferably 330 to 550 nm.
（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
ＡＢＸ（３＋δ）で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＩ３を挙げることができる。
(Example of a perovskite compound having a three-dimensional structure)
Preferred examples of the perovskite compound having a three-dimensional structure represented by ABX (3 + δ) are CH 3 NH 3 PbBr 3 , CH 3 NH 3 PbCl 3 , CH 3 NH 3 PbI 3 , CH 3 NH 3 PbBr (3-y). ) I y (0 <y < 3),
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
Preferred examples of perovskite compound having a three-
上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がより好ましく、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がさらに好ましい。 Among the above-mentioned three-dimensional perovskite compounds, CsPbBr 3 , CsPbBr (3-y) I y (0 <y <3), and (H 2 N = CH-NH 2 ) PbBr 3 are more preferable, and (H 2 N). = CH-NH 2 ) PbBr 3 is more preferred.
＜（１）ペロブスカイト化合物の粒径＞
（１）の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
<(1) Particle size of perovskite compound>
The average particle size of (1) is not particularly limited, but is preferably 1 nm or more, more preferably 2 nm or more, and 3 nm or more because the crystal structure can be maintained satisfactorily. It is more preferable to have.
また、（１）の平均粒径は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、「発光特性」とは、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む本実施形態の組成物に励起光を照射して得られる変換光の量子収率、発光強度、色純度などの光学物性を指す。色純度は、変換光のスペクトルの半値幅で評価することができる。 Further, the average particle size of (1) is preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, and further preferably 500 nm or less because it is easy to maintain the desired light emitting characteristics. The "emission characteristics" refer to the quantum yield, emission intensity, color purity, etc. of the converted light obtained by irradiating the composition of the present embodiment containing (1) a perovskite compound and (a) a compound with excitation light. Refers to optical properties. The color purity can be evaluated by the half width of the spectrum of the converted light.
（１）の平均粒径の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、（１）の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
The upper limit value and the lower limit value of the average particle size of (1) can be arbitrarily combined.
For example, the average particle size of (1) is preferably 1 nm or more and 10 μm or less, more preferably 2 nm or more and 1 μm or less, and further preferably 3 nm or more and 500 nm or less.
本明細書において、（１）の平均粒径は、例えば透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう。）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう。）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、無作為に選んだ２０個の（１）の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、（１）を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。
In the present specification, the average particle size of (1) can be measured by, for example, a transmission electron microscope (hereinafter, also referred to as TEM) or a scanning electron microscope (hereinafter, also referred to as SEM). Specifically, the average grain size is obtained by measuring the maximum ferret diameter of 20 randomly selected (1) by TEM or SEM and calculating the average maximum ferret diameter which is the arithmetic mean value of the measured values. The diameter can be calculated.
As used herein, the "maximum ferret diameter" means the maximum distance between two parallel straight lines sandwiching (1) on a TEM or SEM image.
＜（ａ）＞
（ａ）はＸ線回折パターンにおいて、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲に回折ピークを有する化合物である。以下、（ａ）化合物ともいう。
発光波長を制御する観点から、（ａ）化合物は、前記回折ピークを１１．５〜１２．５°に有することが好ましく、１１．９〜１２．１°に有することがより好ましい。
<(A)>
(A) is a compound having a diffraction peak in the Bragg angle (2θ) range of 10 to 13 ° in the X-ray diffraction pattern. Hereinafter, it is also referred to as (a) compound.
From the viewpoint of controlling the emission wavelength, the compound (a) preferably has the diffraction peak at 11.5 to 12.5 °, more preferably 11.9 to 12.1 °.
（ａ）は特に制限はないが、（１）に含まれるＡ、Ｂ、Ｘのうちの１つまたは２つを含む化合物が好ましく、アンモニウムイオン、鉛原子、ハロゲン原子を含む化合物であることが好ましく、アンモニウムイオン、鉛原子、臭素原子を含む化合物であることがさらに好ましく、（ＮＨ４）２ＰｂＢｒ４であることがもっとも好ましい。 (A) is not particularly limited, but a compound containing one or two of A, B, and X contained in (1) is preferable, and the compound contains an ammonium ion, a lead atom, and a halogen atom. It is more preferably a compound containing an ammonium ion, a lead atom and a bromine atom, and most preferably (NH 4 ) 2 PbBr 4 .
本明細書において、（ａ）化合物の同定は、Ｘ線回折パターンを統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア ＰＤＸＬ（リガク社製）のデータベースと照合することで、確認することができる。例えば、上述の（ＮＨ４）２ＰｂＢｒ４はＸ線回折パターンにおいて、ブラッグ角（２θ）が１２°付近に回折ピークを有する。 In the present specification, the identification of the compound (a) can be confirmed by collating the X-ray diffraction pattern with the database of the integrated powder X-ray analysis software PDXL (manufactured by Rigaku). For example, the above-mentioned (NH 4 ) 2 PbBr 4 has a diffraction peak in the Bragg angle (2θ) near 12 ° in the X-ray diffraction pattern.
＜組成物＞
本実施形態の組成物は、上述の（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、を含む。
<Composition>
The composition of the present embodiment contains the above-mentioned (1) perovskite compound and (a) compound.
本実施形態の組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（００１）の回折ピーク強度（Ｐ１）と、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲において、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外のうち最も強度が高い（ａ）化合物の回折ピークの強度（Ｐａ）との比である（（Ｐａ）／（Ｐ１））が０．３以上、１０以下である。 The composition of the present embodiment is (1) a perovskite compound in a range of (1) diffraction peak intensity (P1) of the Miller index (001) of the surface of the perovskite compound and Bragg angle (2θ) of 10 to 13 °. The ratio ((Pa) / (P1)) of the diffraction peak of the compound (a) having the highest intensity other than the derived peak to the intensity (Pa) is 0.3 or more and 10 or less.
本実施形態の組成物において、Ｘ線回折パターンのブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲に回折ピークを有する化合物が複数存在する場合、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲の中で、最も強度が高いピークに由来する化合物を（ａ）化合物とする。 In the composition of the present embodiment, when a plurality of compounds having diffraction peaks are present in the Bragg angle (2θ) of the X-ray diffraction pattern in the range of 10 to 13 °, the Bragg angle (2θ) is in the range of 10 to 13 °. Among them, the compound derived from the peak having the highest intensity is referred to as (a) compound.
（（Ｐａ）／（Ｐ１））が前記範囲内であると、（ａ）化合物が（１）ペロブスカイト化合物の凝集を抑制し、デバイスで用いた際の色再現性の高い発光波長の制御が可能となり、かつ、光の吸収率が高い組成物を得ることができる。（（Ｐａ）／（Ｐ１））は、０．７以上、８以下であることが好ましく、４以上、７以下であることがより好ましい。（（Ｐａ）／（Ｐ１））が前記範囲の下限値未満である場合、本発明の組成物は、量子収率が低下し、上限値超である場合、光の吸収率が低下する。 When ((Pa) / (P1)) is within the above range, the compound (a) suppresses the aggregation of the (1) perovskite compound, and it is possible to control the emission wavelength with high color reproducibility when used in a device. It is possible to obtain a composition having a high light absorption rate. ((Pa) / (P1)) is preferably 0.7 or more and 8 or less, and more preferably 4 or more and 7 or less. When ((Pa) / (P1)) is less than the lower limit of the above range, the quantum yield of the composition of the present invention is lowered, and when it is more than the upper limit, the light absorption rate is lowered.
本実施形態のペロブスカイト化合物は、Ｘが臭化物イオンの場合、緑色の蛍光を発するデバイスに使用することができ、Ｘが塩化物イオンの場合、青色の蛍光を発するデバイスに使用することができ、Ｘがヨウ化物イオンの場合、赤色の蛍光を発するデバイスに使用することができる。 The perovskite compound of the present embodiment can be used in a device that emits green fluorescence when X is a bromide ion, and can be used in a device that emits blue fluorescence when X is a chloride ion. If is an iodide ion, it can be used for devices that emit red fluorescence.
本実施形態の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、ディスプレイの緑発光材料として利用する際に、色域を拡大させる観点から、本実施形態の組成物が発する蛍光のピークは５３０ｎｍ以上、５４６ｎｍ未満が好ましく、５３４ｎｍ以上、５３８ｎｍ未満がより好ましく、５３５ｎｍ以上、５３６ｎｍ以下がさらに好ましい。 (1) When X in the perovskite compound contained in the composition of the present embodiment is a bromide ion, the composition of the present embodiment is emitted from the viewpoint of expanding the color gamut when used as a green light emitting material for a display. The fluorescence peak is preferably 530 nm or more and less than 546 nm, more preferably 534 nm or more and less than 538 nm, and further preferably 535 nm or more and 536 nm or less.
本実施形態の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、本実施形態の組成物が発する蛍光のピークは７３０ｎｍ以上、７７０ｎｍ未満が好ましく、７３５ｎｍ以上、７６５ｎｍ未満がより好ましく、７４０ｎｍ以上、７６０ｎｍ以下がさらに好ましい。 When X in the (1) perovskite compound contained in the composition of the present embodiment is an iodide ion, the fluorescence peak emitted by the composition of the present embodiment is preferably 730 nm or more and less than 770 nm, preferably 735 nm or more and less than 765 nm. More preferably, it is 740 nm or more and 760 nm or less.
本実施形態の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、本実施形態の組成物が発する蛍光のピークは３４０ｎｍ以上、３７０ｎｍ未満が好ましく、３４５ｎｍ以上、３６５ｎｍ未満がより好ましく、３４７ｎｍ以上、３６０ｎｍ以下がさらに好ましい。 When X in the (1) perovskite compound contained in the composition of the present embodiment is a chloride ion, the fluorescence peak emitted by the composition of the present embodiment is preferably 340 nm or more and less than 370 nm, preferably 345 nm or more and less than 365 nm. More preferably, it is 347 nm or more and 360 nm or less.
本実施形態の組成物は、前記（（Ｐａ）／（Ｐ１））が０．３以上、１０以下となるように（ａ）化合物が含まれることにより、（ａ）化合物を含まない（１）ペロブスカイト化合物単体に対して、発光シフトを短波長側に微調整することができる。この微調整により、色域の拡大に対応した本実施形態の組成物を得ることが可能となり、前記組成物を用いたデバイスは色再現性が向上する。 The composition of the present embodiment does not contain the compound (a) because the compound (a) is contained so that the ((Pa) / (P1)) is 0.3 or more and 10 or less. The emission shift can be finely adjusted to the short wavelength side for the perovskite compound alone. By this fine adjustment, it becomes possible to obtain the composition of the present embodiment corresponding to the expansion of the color gamut, and the device using the composition improves the color reproducibility.
本実施形態の組成物の発光ピークは、（１）ペロブスカイト化合物単体の発光ピークに対して１〜３０ｎｍ短波長側に存在することが好ましく、１０〜２０ｎｍ短波長側に存在することがより好ましく、１０〜１５ｎｍ短波長側に存在することがさらに好ましい。 The emission peak of the composition of the present embodiment is preferably (1) present on the short wavelength side of 1 to 30 nm with respect to the emission peak of the perovskite compound alone, and more preferably on the short wavelength side of 10 to 20 nm. It is more preferably present on the short wavelength side of 10 to 15 nm.
本実施形態の組成物は、更に下記（２−１）、下記（２−１）の改質体、下記（２−２）及び下記（２−２）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物とを含んでいてもよい。
（２−１）シラザン
（２−２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物
The composition of the present embodiment is further selected from the group consisting of the following (2-1), the following (2-1) modified product, the following (2-2) and the following (2-2) modified product. It may contain at least one compound.
(2-1) Silazane (2-2) Silicon compound having at least one group selected from the group consisting of an amino group, an alkoxy group and an alkylthio group.
本明細書においては、前記（２−１）、前記（２−１）の改質体、前記（２−２）及び前記（２−２）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物を総称して、「（２）表面保護剤」と称することがある。 In the present specification, at least one selected from the group consisting of the above-mentioned (2-1), the above-mentioned (2-1) modified product, the above-mentioned (2-2) and the above-mentioned (2-2) modified product. The compounds may be generically referred to as "(2) surface protectant".
本実施形態の組成物は、上述の（１）ペロブスカイト化合物と、前記（２−１）及び前記（２−１）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物と、を含むことが好ましい。 The composition of the present embodiment may contain the above-mentioned (1) perovskite compound and at least one compound selected from the group consisting of the above-mentioned (2-1) and the above-mentioned modified products (2-1). preferable.
本実施形態の組成物は、更に下記（３）、下記（４）及び下記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含んでいてもよい。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（５）重合体
The composition of the present embodiment may further contain at least one selected from the group consisting of the following (3), the following (4) and the following (5).
(3) Solvent (4) Polymerizable compound (5) Polymer
以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（５）重合体を総称して「分散媒」と称することがある。本実施形態の組成物において（１）ペロブスカイト化合物は、これらの分散媒に分散していてもよい。 In the following description, (3) solvent, (4) polymerizable compound, and (5) polymer may be collectively referred to as "dispersion medium". In the composition of the present embodiment, (1) the perovskite compound may be dispersed in these dispersion media.
本明細書において「分散している」とは、（１）ペロブスカイト化合物が分散媒に浮遊している状態、又は（１）ペロブスカイト化合物が分散媒に懸濁している状態のことを指す。（１）ペロブスカイト化合物が分散媒に分散している場合、（１）ペロブスカイト化合物の一部は沈降していてもよい。 As used herein, the term "dispersed" refers to a state in which (1) a perovskite compound is suspended in a dispersion medium, or (1) a perovskite compound is suspended in a dispersion medium. When (1) the perovskite compound is dispersed in the dispersion medium, (1) a part of the perovskite compound may be precipitated.
本実施形態の組成物は、さらに下記（６）を含んでいてもよい。なお、下記（６）の詳細については後述する。
（６）表面修飾剤
The composition of the present embodiment may further contain the following (6). The details of (6) below will be described later.
(6) Surface modifier
本実施形態の組成物は、前記（１）〜前記（６）以外のその他の成分を有していてもよい。例えば、本実施形態の組成物は、若干の不純物、（１）ペロブスカイト化合物を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤をさらに含んでいてもよい。 The composition of the present embodiment may have other components other than the above (1) to (6). For example, the composition of the present embodiment may further contain some impurities, (1) a compound having an amorphous structure composed of elements constituting the perovskite compound, and a polymerization initiator.
以下、本実施形態の組成物に含まれる前記（２）〜前記（６）について説明を行う。 Hereinafter, the above-mentioned (2) to (6) contained in the composition of the present embodiment will be described.
＜（２）表面保護剤＞
本実施形態の組成物は（１）ペロブスカイト化合物の（２）表面保護剤として、（２−１）シラザン、前記（２−１）の改質体、（２−２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物、及び前記（２−２）の改質体からからなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物を含む。
<(2) Surface protectant>
The composition of the present embodiment comprises (1) a perovskite compound (2) as a surface protectant, (2-1) silazane, the modified product of (2-1), (2-2) amino group, alkoxy group and It contains a silicon compound having at least one group selected from the group consisting of alkylthio groups, and at least one compound selected from the group consisting of the modified product of (2-2) above.
本実施形態の組成物は、（２）表面保護剤が（１）ペロブスカイト化合物の表面を覆うことによって、量子収率の向上、発光波長を短波長化するという効果が得られる。 The composition of the present embodiment has the effects of (2) the surface protective agent covering the surface of the (1) perovskite compound, thereby improving the quantum yield and shortening the emission wavelength.
＜（２−１）シラザン＞
（２−１）シラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。
<(2-1) Shirazan>
(2-1) Silazane is a compound having a Si—N—Si bond. The silazane may be linear, branched or cyclic.
シラザンは、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。本明細書では、高分子シラザンをポリシラザンと記載することがある。 The silazane may be a low molecular weight silazane or a high molecular weight silazane. In the present specification, the polymer silazane may be referred to as polysilazane.
本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味する。また、本明細書において「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２０００以下であることを意味する。 As used herein, the term "small molecule" means that the number average molecular weight is less than 600. Further, in the present specification, the term "polymer" means that the number average molecular weight is 600 or more and 2000 or less.
本明細書において「数平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。 As used herein, the term "number average molecular weight" means a polystyrene-equivalent value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
（２−１−１．低分子シラザン）
低分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ１）で表されるジシラザンであることが好ましい。
(2-1-1. Low molecular weight silazane)
As the low molecular weight silazane, for example, disilazane represented by the following formula (B1) is preferable.
式（Ｂ１）中、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基を表す。 In formula (B1), R 14 and R 15 are independently hydrogen atom, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, and cycloalkyl having 3 to 20 carbon atoms, respectively. It represents a group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an alkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms.
Ｒ１４及びＲ１５は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。 R 14 and R 15 may have a substituent such as an amino group. The plurality of R 15s may be the same or different.
式（Ｂ１）で表される低分子シラザンとしては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。 Examples of the low molecular weight silazane represented by the formula (B1) include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, 1,3-diphenyltetramethyldisilazane, and 1,1,1,1. Examples thereof include 3,3,3-hexamethyldisilazane.
（２−１−２．低分子シラザン）
低分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンも好ましい。
(2-1-2. Low molecular weight silazane)
As the low-molecular-weight silazane, for example, low-molecular-weight silazane represented by the following formula (B2) is also preferable.
式（Ｂ２）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。 Wherein (B2), R 14, and R 15 are the same as R 14, and R 15 in the formula (B1).
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
The plurality of R 14s may be the same or different.
The plurality of R 15s may be the same or different.
式（Ｂ２）中、ｎ１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。 In the formula (B2), n 1 represents an integer of 1 or more and 20 or less. n 1 may be an integer of 1 or more and 10 or less, and may be 1 or 2.
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。 Examples of the low molecular weight silazane represented by the formula (B2) include octamethylcyclotetrasilazane, 2,2,4,4,6,6-hexamethylcyclotrisilazane, and 2,4,6-trimethyl-2,4. , 6-Trivinylcyclotrisilazane.
低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。 As the low molecular weight silazane, octamethylcyclotetrasilazane and 1,3-diphenyltetramethyldisilazane are preferable, and octamethylcyclotetrasilazane is more preferable.
（２−１−３．高分子シラザン）
高分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ３）で表される高分子シラザン（ポリシラザン）が好ましい。
(2-1-3. Polymer silazane)
As the polymer silazane, for example, the polymer silazane (polysilazane) represented by the following formula (B3) is preferable.
ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する高分子化合物である。式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位は、一種であっても、複数種であってもよい。 Polysilazane is a polymer compound having a Si—N—Si bond. The constituent unit of polysilazane represented by the formula (B3) may be one kind or a plurality of kinds.
式（Ｂ３）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。 Wherein (B3), R 14, and R 15 are the same as R 14, and R 15 in the formula (B1).
式（Ｂ３）中、＊は、結合手を表す。分子鎖末端のＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
分子鎖末端のＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
In formula (B3), * represents a bond. R 14 is bonded to the bond of the N atom at the end of the molecular chain.
The bonds of Si atoms in the molecular chain ends, R 15 is bonded.
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
The plurality of R 14s may be the same or different.
The plurality of R 15s may be the same or different.
ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。 m represents an integer of 2 or more and 10000 or less.
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、Ｒ１４、及びＲ１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。 The polysilazane represented by the formula (B3) may be, for example, perhydropolysilazane in which all of R 14 and R 15 are hydrogen atoms.
また、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて、適宜にパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。 Also, a polysilazane of the formula (B3) is, for example, at least one R 15 may be a organopolysilazanes a group other than a hydrogen atom. Perhydropolysilazane and organopolysilazane may be appropriately selected depending on the intended use, and may be mixed and used.
（１）の分散性を向上させ、凝集を抑制する効果が高まる観点から、本実施形態の組成物は、式（Ｂ３）で表されるオルガノポリシラザンを含むことが好ましい。 From the viewpoint of improving the dispersibility of (1) and enhancing the effect of suppressing aggregation, the composition of the present embodiment preferably contains organopolysilazane represented by the formula (B3).
式（Ｂ３）で表されるオルガノポリシラザンとしては、Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。 As the organopolysilazane represented by the formula (B3), at least one of R 14 and R 15 has an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 3 to 20 carbon atoms. It may be a cycloalkyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an organopolysilazane which is an alkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms.
その中でも、式（Ｂ３）で表されＲ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるオルガノポリシラザンが好ましい。 Among them, organopolysilazane represented by the formula (B3) in which at least one of R 14 and R 15 is a methyl group is preferable.
（２−１−４．高分子シラザン）
高分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンも好ましい。
(2-1-4. Polymer silazane)
As the polymer silazane, for example, polysilazane having a structure represented by the following formula (B4) is also preferable.
ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。 Polysilazane may have a ring structure in a part of the molecule, and may have a structure represented by the formula (B4), for example.
式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
式（Ｂ４）の結合手は、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、又は式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。
In formula (B4), * represents a bond.
The binding hand of the formula (B4) may be bonded to the binding hand of polysilazane represented by the formula (B3) or the binding hand of the constituent unit of polysilazane represented by the formula (B3).
また、ポリシラザンが、分子内に複数の式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手と直接結合していてもよい。 When polysilazane contains a structure represented by a plurality of formulas (B4) in the molecule, the bond of the structure represented by the formula (B4) is a bond of the structure represented by another formula (B4). It may be directly connected to the hand.
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。 It is combined with any of the polysilazane bonds represented by the formula (B3), the polysilazane constituent units represented by the formula (B3), and the structural bonds represented by the other formula (B4). R 14 is bonded to the bond hand of no N atom.
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。 It is combined with any of the polysilazane bonds represented by the formula (B3), the polysilazane constituent units represented by the formula (B3), and the structural bonds represented by the other formula (B4). the bonds of free Si atoms, R 15 is bonded.
ｎ２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。 n 2 represents an integer of 1 or more and 10000 or less. n 2 may be an integer of 1 or more and 10 or less, and may be 1 or 2.
（１）の分散性を向上させ、凝集を抑制する効果が高まる観点から、本実施形態の組成物は、式（Ｂ４）で表される構造を有するオルガノポリシラザンを含むことが好ましい。 From the viewpoint of improving the dispersibility of (1) and enhancing the effect of suppressing aggregation, the composition of the present embodiment preferably contains organopolysilazane having a structure represented by the formula (B4).
式（Ｂ４）で表される構造を有するオルガノポリシラザンとしては、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、当該Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。 As an organopolysilazane having a structure represented by the formula (B4), at least one bond is bonded to R 14 or R 15, and at least one of the R 14 and R 15 is an alkyl having 1 to 20 carbon atoms. A group, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an organopolysilazane which is an alkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms. You may.
その中でも、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、当該Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるポリシラザンであることが好ましい。 Among them, it is preferable that the structure is represented by the formula (B4), at least one bond is bonded to R 14 or R 15, and at least one of the R 14 and R 15 is polysilazane, which is a methyl group. ..
一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造、すなわち前記式（Ｂ３）、前記式（Ｂ４）で表される構造を有する。一般的なポリシラザンの分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質でありうる。 A general polysilazane has, for example, a structure in which a linear structure and a ring structure such as a 6-membered ring or an 8-membered ring exist, that is, a structure represented by the above formula (B3) and the above formula (B4). .. The molecular weight of general polysilazane is about 600 to 2000 (in terms of polystyrene) in terms of number average molecular weight (Mn), and may be a liquid or solid substance depending on the molecular weight.
ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。 As the polysilazane, a commercially available product may be used, and the commercially available products include NN120-10, NN120-20, NAX120-20, NN110, NAX120, NAX110, NL120A, NL110A, NL150A, NP110, NP140 (AZ Electronic Materials Co., Ltd.). AZNN-120-20, Durazane (registered trademark) 1500 Slow Cure, Durazane 1500 Rapid Cure, Durazane 1800, Durazane 1033 (manufactured by Merck Performance Materials Co., Ltd.) and the like.
ポリシラザンは、好ましくはＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅであり、より好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅである。 The polysilazane is preferably AZNN-120-20, Durazane1500 Slow Cure, Durazane1500 Rapid Cure, and more preferably Durazane1500 Slow Cure.
＜（２−１）シラザンの改質体＞
本明細書において「改質」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）又はＳｉ−ＯＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）を有するケイ素化合物が加水分解し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。
<(2-1) Silazan plasmid>
As used herein, "modification" means that a silicon compound having a Si—N bond, a Si-SR bond (R is a hydrogen atom or an organic group) or a Si-OR bond (R is a hydrogen atom or an organic group) is hydrolyzed. It means that a silicon compound having a Si—O—Si bond is produced. The Si—O—Si bond may be formed by an intermolecular condensation reaction or an intramolecular condensation reaction.
本明細書において「改質体」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合又はＳｉ−ＯＲ結合を有するケイ素化合物を改質することにより得られた化合物をいう。 As used herein, the term "modified form" refers to a compound obtained by modifying a silicon compound having a Si-N bond, a Si-SR bond or a Si-OR bond.
（２−１）の改質体としては、前記式（Ｂ１）で表されるジシラザンの改質体、前記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体、前記式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体、前記式（Ｂ４）で表される構造を分子内に有するポリシラザンの改質体であることが好ましい。 Examples of the modified product of (2-1) include a modified product of disilazane represented by the above formula (B1), a modified product of low molecular weight silazane represented by the above formula (B2), and the modified product of the above formula (B3). It is preferable that the modified product of polysilazane represented is a modified product of polysilazane having a structure represented by the above formula (B4) in the molecule.
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体について、式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体中の全てのケイ素原子に対し窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。 Regarding the modified form of the low molecular weight silazane represented by the formula (B2), all the silicon atoms in the modified form of the low molecular weight silazane represented by the formula (B2) are those of the silicon atom which is not bonded to the nitrogen atom. The ratio is preferably 0.1 to 100%. The proportion of silicon atoms that are not bonded to nitrogen atoms is more preferably 10 to 98%, and even more preferably 30 to 95%.
なお、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、後述する測定値を用いて、（（Ｓｉ（モル））−（Ｓｉ−Ｎ結合中のＮ（モル）））／Ｓｉ（モル）×１００で求められる。改質反応を考慮すると、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」とは、「改質処理にて生じるシロキサン結合に含まれるケイ素原子の割合」を意味する。 The "ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms" is defined as ((Si (mol))-(N (mol) in Si—N bond)) / Si (mol) using the measured values described later. ) X100. Considering the reforming reaction, the "ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms" means "ratio of silicon atoms contained in the siloxane bond generated in the reforming treatment".
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体について、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体中の全てのケイ素原子に対し窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。 Regarding the modified product of polysilazane represented by the formula (B3), the ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms to all the silicon atoms in the modified product of polysilazane represented by the formula (B3) is 0. It is preferably 1 to 100%. The proportion of silicon atoms that are not bonded to nitrogen atoms is more preferably 10 to 98%, and even more preferably 30 to 95%.
式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体について、式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体中の全てのケイ素原子に対し窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜９９％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９７％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。 Regarding the modified form of polysilazane having the structure represented by the formula (B4), silicon which is not bonded to the nitrogen atom for all the silicon atoms in the modified form of polysilazane having the structure represented by the formula (B4). The proportion of atoms is preferably 0.1-99%. The proportion of silicon atoms that are not bonded to nitrogen atoms is more preferably 10 to 97%, and even more preferably 30 to 95%.
改質体中のＳｉ原子数、Ｓｉ−Ｎ結合の数は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。 The number of Si atoms and the number of Si—N bonds in the modified product can be measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
改質体について、上述の方法による測定値を用いて求められる「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、０．１〜９９％であることが好ましく、１０〜９９％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。 For the modified product, the "ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms" determined by using the measured values by the above method is preferably 0.1 to 99%, preferably 10 to 99%. Is more preferable, and 30 to 95% is further preferable.
＜（２−２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物＞
本実施形態の組成物は、（２−２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物を含んでいてもよい。以下、（２−２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物を総称して「（２−２）ケイ素化合物」と称することがある。
<(2-2) Silicon compound having at least one group selected from the group consisting of an amino group, an alkoxy group and an alkylthio group>
The composition of the present embodiment may contain a silicon compound having at least one group selected from the group consisting of (2-2) amino group, alkoxy group and alkylthio group. Hereinafter, silicon compounds having at least one group selected from the group consisting of (2-2) amino groups, alkoxy groups and alkylthio groups may be generically referred to as "(2-2) silicon compounds".
（２−２）ケイ素化合物としては、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランが例として挙げられる。 (2-2) Examples of the silicon compound include 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, trimethoxyphenylsilane, 1H, 1H, 2H, and 2H-perfluorooctyltriethoxysilane. , Trimethoxy (1H, 1H, 2H, 2H-nonafluorohexyl) silane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane are examples.
中でも、（１）の耐久性の観点から、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、トリメトキシフェニルシランが好ましく、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランがより好ましく、３−アミノプロピルトリメトキシシランがさらに好ましい。 Among them, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, and trimethoxyphenylsilane are preferable, and 3-aminopropyltriethoxysilane and 3-aminopropyltrimethoxysilane are preferable from the viewpoint of durability of (1). Is more preferable, and 3-aminopropyltrimethoxysilane is further preferable.
＜（２−２）ケイ素化合物の改質体＞
（２−２）ケイ素化合物の改質体は、上述の（２−２）ケイ素化合物を改質することにより得られる化合物をいう。「改質」に関しては、（２−１）シラザンの改質体における説明と同様である。
<(2-2) Modified product of silicon compound>
The modified form of the (2-2) silicon compound refers to a compound obtained by modifying the above-mentioned (2-2) silicon compound. Regarding "modification", it is the same as the description in (2-1) Modified form of plasmid.
本実施形態の組成物において、上述の（２）表面保護剤を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。 In the composition of the present embodiment, only one type of the above-mentioned (2) surface protective agent may be contained, or two or more types may be used in combination.
＜（６）表面修飾剤＞
本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物の表面は表面修飾剤層により覆われていてもよい。表面修飾剤層は、（１）ペロブスカイト化合物と（２）表面保護剤との間に位置していてもよい。
<(6) Surface modifier>
The surface of the (1) perovskite compound of the present embodiment may be covered with a surface modifier layer. The surface modifier layer may be located between (1) the perovskite compound and (2) the surface protectant.
なお、表面修飾剤層が（１）ペロブスカイト化合物の「表面」を覆うとは、表面修飾剤層が（１）ペロブスカイト化合物に直接接して覆うことの他、表面修飾剤層が（１）ペロブスカイト化合物の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成され、（１）ペロブスカイト化合物の表面に直接接することなく覆うことも含む。 When the surface modifier layer covers the "surface" of the (1) perovskite compound, the surface modifier layer covers (1) in direct contact with the perovskite compound, and the surface modifier layer covers (1) the perovskite compound. It is formed in direct contact with the surface of another layer formed on the surface of the perovskite compound, and includes (1) covering without direct contact with the surface of the perovskite compound.
＜表面修飾剤層＞
表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種のイオン又は化合物を形成材料とする。
<Surface modifier layer>
The surface modifier layer is a material for forming at least one ion or compound selected from the group consisting of ammonium ions, amines, primary to quaternary ammonium cations, ammonium salts, carboxylic acids, carboxylate ions, and carboxylate salts. And.
中でも、表面修飾剤層は、アミン、及びカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることが好ましい。
以下、表面修飾剤層の形成材料を「（６）表面修飾剤」と称することがある。
Above all, it is preferable that at least one selected from the group consisting of amines and carboxylic acids is used as the forming material for the surface modifier layer.
Hereinafter, the material for forming the surface modifier layer may be referred to as "(6) surface modifier".
表面修飾剤は、後述する製造方法で本実施形態の組成物を製造する際に、（１）ペロブスカイト化合物の表面を覆い、（１）ペロブスカイト化合物を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。 The surface modifier has an action of (1) covering the surface of the perovskite compound and (1) stably dispersing the perovskite compound in the composition when the composition of the present embodiment is produced by the production method described later. It is a compound.
＜アンモニウムイオン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩＞
（６）表面修飾剤であるアンモニウムイオン、及び第１級〜第４級アンモニウムカチオンは、下記式（Ａ１）で表される。（６）表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式（Ａ１）で表されるイオンを含む塩である。
<Ammonium ion, primary to quaternary ammonium cation, ammonium salt>
(6) Ammonium ions, which are surface modifiers, and primary to quaternary ammonium cations are represented by the following formula (A1). (6) The ammonium salt which is a surface modifier is a salt containing an ion represented by the following formula (A1).
式（Ａ１）で表されるイオンにおいて、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。 In the ion represented by the formula (A1), R 1 to R 4 represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group.
Ｒ１〜Ｒ４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。 The hydrocarbon groups represented by R 1 to R 4 may be saturated hydrocarbon groups or unsaturated hydrocarbon groups. Examples of the saturated hydrocarbon group include an alkyl group and a cycloalkyl group.
Ｒ１〜Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ１〜Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
The alkyl group represented by R 1 to R 4 may be linear or branched.
The number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 1 to R 4 is usually 1 to 20, preferably 5 to 20, and more preferably 8 to 20.
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。 The number of carbon atoms of the cycloalkyl group is usually 3 to 30, preferably 3 to 20, and more preferably 3 to 11. The number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
Ｒ１〜Ｒ４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。 The unsaturated hydrocarbon groups R 1 to R 4 may be linear or branched.
Ｒ１〜Ｒ４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。 The number of carbon atoms of the unsaturated hydrocarbon group of R 1 to R 4 is usually 2 to 20, preferably 5 to 20, and more preferably 8 to 20.
Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ１〜Ｒ４は、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることが好ましい。 R 1 to R 4 are preferably hydrogen atoms, alkyl groups, or unsaturated hydrocarbon groups. As the unsaturated hydrocarbon group, an alkenyl group is preferable. R 1 to R 4 are preferably alkenyl groups having 8 to 20 carbon atoms.
Ｒ１〜Ｒ４のアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。 Specific examples of the alkyl groups of R 1 to R 4 include the alkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
Ｒ１〜Ｒ４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。 Specific examples of the cycloalkyl groups of R 1 to R 4 include the cycloalkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
Ｒ１〜Ｒ４のアルケニル基としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。 As the alkenyl group of R 1 to R 4, in the linear or branched alkyl group exemplified in R 6 to R 9 , a single bond (CC) between any one carbon atom is two. Examples thereof include those substituted with a double bond (C = C), and the position of the double bond is not limited.
Ｒ１〜Ｒ４のアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。 Preferred alkenyl groups of R 1 to R 4 include, for example, ethenyl group, propenyl group, 3-butenyl group, 2-butenyl group, 2-pentenyl group, 2-hexenyl group, 2-nonenyl group, 2-dodecenyl group. Groups include 9-octadecenyl groups.
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無い。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。 When the ammonium cation represented by the formula (A1) forms a salt, the counter anion is not particularly limited. As the counter anion, a halide ion, a carboxylate ion and the like are preferable. Examples of the halide ion include bromide ion, chloride ion, iodide ion, and fluoride ion.
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ−オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。 As the ammonium salt having the ammonium cation represented by the formula (A1) and the counter anion, an n-octyl ammonium salt and an oleyl ammonium salt are preferable examples.
＜アミン＞
表面修飾剤であるアミンとしては、下記式（Ａ１１）で表すことができる。
<Amine>
The amine as the surface modifier can be represented by the following formula (A11).
上記式（Ａ１１）において、Ｒ１〜Ｒ３は、上記式（Ａ１）が有するＲ１〜Ｒ３と同じ基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは１価の炭化水素基である。 In the above formula (A11), R 1 to R 3 represent the same group as R 1 to R 3 possessed by the above formula (A1). However, at least one of R 1 to R 3 is a monovalent hydrocarbon group.
表面修飾剤であるアミンとしては、第１級〜第３級アミンのいずれであってもよいが、第１級アミン及び第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。 The amine as the surface modifier may be any of primary and tertiary amines, but primary amines and secondary amines are preferable, and primary amines are more preferable.
表面修飾剤であるアミンとしては、オレイルアミンが好ましい。 As the amine as the surface modifier, oleylamine is preferable.
＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
Ｒ５−ＣＯ２ −・・・（Ａ２）
<Carboxylic acid, carboxylate ion, carboxylate salt>
The carboxylate ion, which is a surface modifier, is represented by the following formula (A2). The carboxylate salt, which is a surface modifier, is a salt containing ions represented by the following formula (A2).
R 5 -CO 2 - ··· (A2 )
表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。 Examples of the carboxylic acid as a surface modifier include a carboxylic acid in which a proton (H + ) is bonded to the carboxylate anion represented by (A2) above.
式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。 In the ion represented by the formula (A2), R 5 represents a monovalent hydrocarbon group. The hydrocarbon group represented by R 5 may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group. Examples of the saturated hydrocarbon group include an alkyl group and a cycloalkyl group.
Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。 The alkyl group represented by R 5 may be linear or branched.
Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。 The number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 5 is usually 1 to 20, preferably 5 to 20, and more preferably 8 to 20.
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。 The number of carbon atoms of the cycloalkyl group is usually 3 to 30, preferably 3 to 20, and more preferably 3 to 11. The number of carbon atoms also includes the number of carbon atoms of the substituent.
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。 The unsaturated hydrocarbon group represented by R 5 may be linear or branched.
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。 Number unsaturated carbon atoms of the hydrocarbon group represented by R 5 is usually 2 to 20, preferably from 5 to 20, and more preferably 8-20.
Ｒ５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。 R 5 is preferably an alkyl group or an unsaturated hydrocarbon group. As the unsaturated hydrocarbon group, an alkenyl group is preferable.
Ｒ５のアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Specific examples of the alkyl group of R 5 include the alkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
Specific examples of the cycloalkyl group of R 5 include the cycloalkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
Ｒ５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ１〜Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。 Specific examples of the alkenyl group of R 5 include the alkenyl groups exemplified in R 1 to R 4 .
式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。 The carboxylate anion represented by the formula (A2) is preferably an oleate anion.
カルボキレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。 When the carbochelate anion forms a salt, the counter cation is not particularly limited, but alkali metal cations, alkaline earth metal cations, ammonium cations and the like are preferable examples.
表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。 Oleic acid is preferable as the carboxylic acid as the surface modifier.
本実施形態の組成物において、上述の（６）表面修飾剤を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。 In the composition of the present embodiment, only one type of the above-mentioned (6) surface modifier may be contained, or two or more types may be used in combination.
＜（３）溶媒＞
本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。ただし、溶媒には、後述する重合性化合物は含まない。
<(3) Solvent>
The solvent contained in the composition of the present embodiment is not particularly limited as long as it is a medium in which the (1) perovskite compound of the present embodiment can be dispersed. The solvent contained in the composition of the present embodiment is preferably one in which the (1) perovskite compound of the present embodiment is difficult to dissolve.
As used herein, the term "solvent" refers to a substance that is in a liquid state at 1 atm and 25 ° C. However, the solvent does not contain the polymerizable compound described later.
溶媒としては、下記（ａ）〜（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）エステル
（ｂ）ケトン
（ｃ）エーテル
（ｄ）アルコール
（ｅ）グリコールエーテル
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）ハロゲン化炭化水素
（ｊ）炭化水素
（ｋ）ジメチルスルホキシド
Examples of the solvent include the following (a) to (k).
(A) Ester (b) Ketone (c) Ether (d) Alcohol (e) Glycol ether (f) Organic solvent having an amide group (g) Organic solvent having a nitrile group (h) Organic solvent having a carbonate group (i) ) Halogenized hydrocarbons (j) Hydrocarbons (k) Dimethyl sulfoxide
（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。 Examples of the (a) ester include methylformate, ethylformate, propylformate, pentylformate, methylacetate, ethyl acetate, pentylacetate and the like.
（ｂ）ケトンとしては、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。 Examples of the (b) ketone include γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, acetone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, and methylcyclohexanone.
（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。 (C) Examples of the ether include diethyl ether, methyl-tert-butyl ether, diisopropyl ether, dimethoxymethane, dimethoxyethane, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, 4-methyldioxolane, tetrahydrofuran, methyl tetrahydrofuran, anisole and phenitol. Etc. can be mentioned.
（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等を挙げることができる。 (D) Alcohols include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, tert-butanol, 1-pentanol, 2-methyl-2-butanol, methoxypropanol and diacetone alcohol. , Cyclohexanol, 2-fluoroethanol, 2,2,2-trifluoroethanol, 2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol and the like.
（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。 Examples of the (e) glycol ether include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and triethylene glycol dimethyl ether.
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。 (F) Examples of the organic solvent having an amide group include N, N-dimethylformamide, acetamide, N, N-dimethylacetamide and the like.
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。 (G) Examples of the organic solvent having a nitrile group include acetonitrile, isobutyronitrile, propionitrile, methoxyacetonitrile and the like.
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。 (H) Examples of the organic solvent having a carbonate group include ethylene carbonate and propylene carbonate.
（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。 (I) Examples of the halogenated hydrocarbon include methylene chloride and chloroform.
（ｊ）炭化水素としては、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、１−オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。 Examples of the (j) hydrocarbon include n-pentane, cyclohexane, n-hexane, 1-octadecene, benzene, toluene, xylene and the like.
これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いと考えられるため好ましい。 Among these solvents, (a) ester, (b) ketone, (c) ether, (g) organic solvent having a nitrile group, (h) organic solvent having a carbonate group, (i) halogenated hydrocarbon and (i) j) Hydrocarbons are preferable because they have low polarity and are considered to be difficult to dissolve the (1) perovskite compound of the present embodiment.
さらに、本実施形態の組成物に用いる溶媒としては、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素がより好ましい。 Further, as the solvent used in the composition of the present embodiment, (i) halogenated hydrocarbon and (j) hydrocarbon are more preferable.
本実施形態の組成物においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 In the composition of the present embodiment, only one type of the above-mentioned solvent may be used, or two or more types may be used in combination.
＜（４）重合性化合物＞
本実施形態の組成物が有する重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
<(4) Polymerizable compound>
The polymerizable compound contained in the composition of the present embodiment is preferably one in which it is difficult to dissolve the (1) perovskite compound of the present embodiment at the temperature at which the composition of the present embodiment is produced.
本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。 As used herein, the term "polymerizable compound" means a monomer compound (monomer) having a polymerizable group. For example, the polymerizable compound may include a monomer that is in a liquid state at 1 atm and 25 ° C.
例えば、常温、常圧下において製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。 For example, when produced at room temperature and normal pressure, the polymerizable compound is not particularly limited. Examples of the polymerizable compound include known polymerizable compounds such as styrene, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and acrylonitrile. Among them, as the polymerizable compound, one or both of acrylic acid ester and methacrylic acid ester, which are monomers of the acrylic resin, is preferable.
本実施形態の組成物においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 In the composition of the present embodiment, only one type of polymerizable compound may be used, or two or more types may be used in combination.
本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。 In the composition of the present embodiment, the ratio of the total amount of the acrylic acid ester and the methacrylic acid ester to all the (4) polymerizable compounds may be 10 mol% or more. The same ratio may be 30 mol% or more, 50 mol% or more, 80 mol% or more, or 100 mol%.
＜（５）重合体＞
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物の溶解度が低い重合体が好ましい。
<(5) Polymer>
The polymer contained in the composition of the present embodiment is preferably a polymer having a low solubility of the (1) perovskite compound of the present embodiment at the temperature at which the composition of the present embodiment is produced.
例えば、常温、常圧下において製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。 For example, in the case of producing under normal temperature and pressure, the polymer is not particularly limited, and examples thereof include known polymers such as polystyrene, acrylic resin, and epoxy resin. Among them, an acrylic resin is preferable as the polymer. The acrylic resin contains one or both of a structural unit derived from an acrylic acid ester and a structural unit derived from a methacrylic acid ester.
本実施形態の組成物において、（５）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。 In the composition of the present embodiment, the ratio of the total amount of the structural unit derived from the acrylic acid ester and the structural unit derived from the methacrylic acid ester to all the structural units contained in the polymer (5) is 10 mol% or more. There may be. The same ratio may be 30 mol% or more, 50 mol% or more, 80 mol% or more, or 100 mol%.
（５）重合体の重量平均分子量は、１００〜１２０００００であることが好ましく、１０００〜８０００００であることがより好ましく、５０００〜１５００００であることがさらに好ましい。 (5) The weight average molecular weight of the polymer is preferably 100 to 12000000, more preferably 1000 to 800,000, and even more preferably 5000 to 150,000.
本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。 As used herein, the term "weight average molecular weight" means a polystyrene-equivalent value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
本実施形態の組成物において、上述の重合体を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。 In the composition of the present embodiment, only one kind of the above-mentioned polymer may be contained, or two or more kinds thereof may be used in combination.
＜組成物中の各成分の含有量＞
本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、特に限定されるものではない。
<Contents of each component in the composition>
In the composition of the present embodiment, the content ratio of the (1) perovskite compound to the total mass of the composition is not particularly limited.
上記含有割合は、濃度消光を防ぐ観点から、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。 From the viewpoint of preventing concentration quenching, the content ratio is preferably 90% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, further preferably 10% by mass or less, and 3% by mass or less. Is particularly preferred.
また、上記含有割合は、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。 Further, the content ratio is preferably 0.0002% by mass or more, more preferably 0.002% by mass or more, and 0.01% by mass or more from the viewpoint of obtaining a good quantum yield. Is even more preferable.
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。 The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、通常０．０００２〜９０質量％である。 The content ratio of the (1) perovskite compound to the total mass of the composition is usually 0.0002 to 90% by mass.
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、０．００１〜４０質量％であることが好ましく、０．００２〜１０質量％であることがより好ましく、０．０１〜３質量％であることがさらに好ましい。 The content ratio of the (1) perovskite compound to the total mass of the composition is preferably 0.001 to 40% by mass, more preferably 0.002 to 10% by mass, and 0.01 to 3% by mass. Is more preferable.
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。 A composition in which (1) the content ratio of the perovskite compound with respect to the total mass of the composition is within the above range is preferable because (1) aggregation of the perovskite compound is unlikely to occur and luminescence is well exhibited.
本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する（ａ）化合物の含有割合は、特に限定されるものではない。 In the composition of the present embodiment, the content ratio of the compound (a) to the total mass of the composition is not particularly limited.
上記含有割合は、光の吸収率を維持する観点から、３０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることがさらに好ましく、１５質量％以下であることが特に好ましい。 From the viewpoint of maintaining the light absorption rate, the content ratio is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, further preferably 20% by mass or less, and 15% by mass. The following is particularly preferable.
また、上記含有割合は、発光波長を制御する観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。 Further, the content ratio is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, and preferably 0.1% by mass or more from the viewpoint of controlling the emission wavelength. More preferred.
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。 The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
組成物の総質量に対する（ａ）化合物の含有割合は、通常０．００００１〜５０質量％である。 The content ratio of the compound (a) to the total mass of the composition is usually 0.00001 to 50% by mass.
組成物の総質量に対する（ａ）化合物の含有割合は、０．０００１〜３０質量％であることが好ましく、０．０１〜２５質量％であることがより好ましく、０．１〜１５質量％であることがさらに好ましい。 The content ratio of the compound (a) to the total mass of the composition is preferably 0.0001 to 30% by mass, more preferably 0.01 to 25% by mass, and 0.1 to 15% by mass. It is more preferable to have.
組成物の総質量に対する（ａ）化合物の含有割合が上記範囲内である組成物は、光の吸収率を維持し、発光波長を制御する観点で好ましい。 A composition in which the content ratio of the compound (a) with respect to the total mass of the composition is within the above range is preferable from the viewpoint of maintaining the light absorption rate and controlling the emission wavelength.
本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する（２）表面保護剤の含有割合は、特に限定されるものではない。 In the composition of the present embodiment, the content ratio of (2) the surface protective agent to the total mass of the composition is not particularly limited.
上記含有割合は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、３０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、７．５質量％以下であることがさらに好ましい。 The content ratio is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and more preferably 10% by mass or less, from the viewpoint of (1) improving the dispersibility of the perovskite compound and improving the durability. It is more preferably 5% by mass or less.
また、上記含有割合は、耐久性を向上させる観点から、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。 Further, the content ratio is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, and preferably 0.1% by mass or more from the viewpoint of improving durability. More preferred.
上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。 The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
組成物の総質量に対する（２）表面保護剤の含有割合は、通常０．００１〜３０質量％である。 The content ratio of (2) surface protective agent to the total mass of the composition is usually 0.001 to 30% by mass.
組成物の総質量に対する（２）表面保護剤の含有割合は、０．００１〜３０質量％であることが好ましく、０．００１〜１０質量％であることがより好ましく、０．１〜７．５質量％であることがさらに好ましい。 The content ratio of (2) the surface protective agent to the total mass of the composition is preferably 0.001 to 30% by mass, more preferably 0.001 to 10% by mass, and 0.1 to 7. It is more preferably 5% by mass.
本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、特に限定されるものではない。 In the composition of the present embodiment, the content ratio of the dispersion medium to the total mass of the composition is not particularly limited.
上記含有割合は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、９９．９９質量％以下であることが好ましく、９９．９質量％以下であることがより好ましく、９９質量％以下であることがさらに好ましい。 The content ratio is preferably 99.99% by mass or less, and more preferably 99.9% by mass or less, from the viewpoint of (1) improving the dispersibility of the perovskite compound and improving the durability. It is preferably 99% by mass or less, and more preferably 99% by mass or less.
また、上記含有割合は、耐久性を向上させる観点から、０．１質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることがさらに好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましく、９０質量％以上であることがもっとも好ましい。 Further, the content ratio is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, still more preferably 10% by mass or more, and 50% by mass, from the viewpoint of improving durability. It is more preferably mass% or more, more preferably 80% by mass or more, and most preferably 90% by mass or more.
上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。 The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、通常０．１〜９９．９９質量％である。 The content ratio of the dispersion medium to the total mass of the composition is usually 0.1 to 99.99 mass%.
組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、１〜９９質量％であることが好ましく、１０〜９９質量％であることがより好ましく、２０〜９９質量％であることがさらに好ましく、５０〜９９質量％であることが特に好ましく、９０〜９９質量％であることが最も好ましい。 The content ratio of the dispersion medium with respect to the total mass of the composition is preferably 1 to 99% by mass, more preferably 10 to 99% by mass, further preferably 20 to 99% by mass, and 50 to 99% by mass. It is particularly preferably 99% by mass, and most preferably 90 to 99% by mass.
また、上記組成物において、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物、（２）表面保護剤及び分散媒の合計含有割合は、組成物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。 Further, in the above composition, the total content ratio of (1) perovskite compound, (a) compound, (2) surface protective agent and dispersion medium may be 90% by mass or more with respect to the total mass of the composition. , 95% by mass or more, 99% by mass or more, or 100% by mass.
本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合は、特に限定されるものではない。 In the composition of the present embodiment, the content ratio of (6) the surface modifier to the total mass of the composition is not particularly limited.
上記含有割合は、耐久性向上の観点から、３０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。 From the viewpoint of improving durability, the content ratio is preferably 30% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, and further preferably 0.1% by mass or less.
また、上記含有割合は、熱耐久性を向上させる観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。 Further, the content ratio is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.001% by mass or more, and 0.01% by mass or more from the viewpoint of improving thermal durability. Is even more preferable.
上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。 The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合は、通常０．０００１〜３０質量％である。 The content ratio of the (6) surface modifier to the total mass of the composition is usually 0.0001 to 30% by mass.
組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合は、０．００１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．１質量％であることがより好ましい。 The content ratio of the surface modifier (6) with respect to the total mass of the composition is preferably 0.001 to 1% by mass, more preferably 0.01 to 0.1% by mass.
組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合が上記範囲内である組成物は、熱耐久性に優れる点で好ましい。 A composition in which the content ratio of (6) the surface modifier to the total mass of the composition is within the above range is preferable in that it is excellent in thermal durability.
本実施形態の組成物における、若干の不純物、（１）ペロブスカイト化合物を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤の合計含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。 In the composition of the present embodiment, the total content ratio of some impurities, (1) a compound having an amorphous structure composed of elements constituting the perovskite compound, and a polymerization initiator is 10% by mass or less with respect to the total mass of the composition. It is more preferably 5% by mass or less, and even more preferably 1% by mass or less.
＜各成分の配合比＞
本実施形態の組成物において、（１）ペロブスカイト化合物に対する（ａ）化合物の質量比［（ａ）化合物／（１）ペロブスカイト化合物］は、０．１〜１００であってもよく、０．１５〜１０であってもよく、０．１６〜８であってもよい。
<Mixing ratio of each component>
In the composition of the present embodiment, (1) the mass ratio of the compound (a) to the perovskite compound [(a) compound / (1) perovskite compound] may be 0.1 to 100, and 0.15 to It may be 10 or 0.16 to 8.
（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、吸収率が高く、発光波長を制御する観点で好ましい。 A composition in which the range of the blending ratio of the (1) perovskite compound and the (a) compound is within the above range is preferable from the viewpoint of high absorption rate and control of the emission wavelength.
本実施形態の組成物において、分散媒に対する（１）ペロブスカイト化合物の質量比［（１）ペロブスカイト化合物／分散媒］は、０．００００１〜１０であってもよく、０．０００１〜５であってもよく、０．０００５〜３であってもよい。 In the composition of the present embodiment, the mass ratio of (1) perovskite compound to dispersion medium [(1) perovskite compound / dispersion medium] may be 0.00001 to 10 and 0.0001 to 5. It may be 0.0005 to 3.
（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、良好に発光する点で好ましい。 A composition in which (1) the range of the blending ratio of the perovskite compound and the dispersion medium is within the above range is preferable because (1) the perovskite compound is less likely to aggregate and emits good light.
本実施形態の組成物において、（１）ペロブスカイト化合物と（２）表面保護剤との配合比は、（１）、（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。 In the composition of the present embodiment, the compounding ratio of (1) the perovskite compound and (2) the surface protective agent can be appropriately determined according to the types of (1) and (2) and the like.
本実施形態の組成物において、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）表面保護剤のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜２００であってもよく、０．０１〜５０であってもよい。 In the composition of the present embodiment, the molar ratio [Si / B] of (1) the metal ion which is the B component of the perovskite compound and (2) the Si element of the surface protectant is 0.001 to 200. It may be 0.01 to 50.
本実施形態の組成物において、（２）表面保護剤が、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザンの改質体である場合、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２−１）シラザンの改質体のＳｉとのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜１００であってもよく、０．００１〜５０であってもよく、１〜２０であってもよい。 In the composition of the present embodiment, when (2) the surface protectant is a modified form of a plasmid represented by the formula (B1) or (B2), (1) with a metal ion which is a B component of the perovskite compound. , (2-1) The molar ratio [Si / B] of the modified form of silazane to Si may be 0.001 to 100, 0.001 to 50, and 1 to 20. There may be.
本実施形態の組成物において、（２）表面保護剤が、式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンである場合、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２−１）シラザンの改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜１００であってもよく、０．０１〜１００であってもよく、０．１〜１００であってもよく、１〜５０であってもよく、１〜２０であってもよい。 In the composition of the present embodiment, when (2) the surface protective agent is polysilazane having a structural unit represented by the formula (B3), (1) a metal ion which is a B component of the perovskite compound and (2- 1) The molar ratio [Si / B] of the modified polysilazane to the Si element may be 0.001 to 100, 0.01 to 100, or 0.1 to 100. It may be 1 to 50, or 1 to 20.
（１）ペロブスカイト化合物と（２）表面保護剤との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（２）表面保護剤による、水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。 In the composition in which the range of the compounding ratio of the (1) perovskite compound and (2) the surface protective agent is within the above range, the effect of (2) the surface protective agent on improving the durability against water vapor is particularly well exhibited. It is preferable in that it is done.
上記ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）表面保護剤のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、以下のような方法で求めることができる。
ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンのモル数（Ｂ）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）によって、ペロブスカイト化合物に含まれるＢ成分である金属の質量を算出したのち、モルに換算することによって求める。また、（２）表面保護剤のＳｉ元素のモル数（Ｓｉ）は、用いた（２）表面保護剤の質量からモル換算することによって求める。
このときの、（２）表面保護剤のＳｉ元素のモル数（Ｓｉ）とペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンのモル数（Ｂ）の比が、［Ｓｉ／Ｂ］である。
The molar ratio [Si / B] of the metal ion which is the B component of the perovskite compound and (2) the Si element of the surface protectant can be determined by the following method.
The number of moles (B) of the metal ion, which is the B component of the perovskite compound, is converted into moles after calculating the mass of the metal, which is the B component contained in the perobskite compound, by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS). Ask by. Further, (2) the number of moles (Si) of the Si element of the surface protective agent is obtained by converting the mass of the (2) surface protective agent used into moles.
At this time, the ratio of (2) the number of moles (Si) of the Si element of the surface protective agent to the number of moles (B) of the metal ion which is the B component of the perovskite compound is [Si / B].
本実施形態の組成物において、十分に量子収率を向上させ短波長側にシフトさせる観点から、（１）ペロブスカイト化合物の質量に対して（２）表面保護剤の質量は、好ましくは１．１質量部以上であり、より好ましくは１．５質量部以上であり、さらに好ましくは１．８質量部以上である。また、（１）ペロブスカイト化合物の質量に対して（２）表面保護剤の質量は、好ましくは１０質量部以下であり、より好ましくは４．９質量部以下であり、さらに好ましくは２．５質量部以下である。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
In the composition of the present embodiment, from the viewpoint of sufficiently improving the quantum yield and shifting to the short wavelength side, (1) the mass of the surface protective agent is preferably 1.1 with respect to the mass of the perovskite compound. It is 5 parts by mass or more, more preferably 1.5 parts by mass or more, and further preferably 1.8 parts by mass or more. Further, (1) the mass of the surface protective agent is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 4.9 parts by mass or less, and further preferably 2.5 parts by mass with respect to the mass of the perovskite compound. It is less than a part.
The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
＜（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む組成物の製造方法＞
（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む組成物の製造方法は、既知文献（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ． ２０１５， １５， ３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。
<(1) Method for producing a composition containing a perovskite compound and (a) a compound>
(1) A method for producing a perovskite compound and a composition containing the compound (a) will be described below with reference to known literature (Nano Let. 2015, 15, 3692-3696, ACSNano, 2015, 9, 4533-4542). It can be manufactured by the method.
（第１の製造方法）
ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む組成物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分、Ｘ成分、及びＡ成分を高温の上述の（３）溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
(First manufacturing method)
As a method for producing the perovskite compound and the composition containing the compound (a), a step of dissolving the B component, the X component, and the A component constituting the perovskite compound in the above-mentioned (3) solvent at a high temperature to obtain a solution, and a solution. Examples thereof include a manufacturing method including a step of cooling the compound.
以下、第１の製造方法を具体的に説明する。 Hereinafter, the first manufacturing method will be specifically described.
まず、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物とＡ成分を含む化合物とを高温の（３）溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
本工程は、高温の（３）溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。
First, the compound containing the B component and the X component and the compound containing the A component are dissolved in the high temperature solvent (3) to obtain a solution. The "compound containing the A component" may contain the X component.
In this step, each compound may be added to a high-temperature (3) solvent and dissolved to obtain a solution.
Further, in this step, a solution may be obtained by adding each compound to the solvent (3) and then raising the temperature.
（３）溶媒としては、原料であるＢ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が好ましい。 (3) As the solvent, a solvent capable of dissolving the compound containing the B component and the X component as raw materials and the compound containing the A component is preferable.
「高温」とは、各原料が溶解する温度の溶媒であればよい。例えば、高温の（３）溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。 The “high temperature” may be any solvent having a temperature at which each raw material is dissolved. For example, the temperature of the high-temperature (3) solvent is preferably 60 to 600 ° C, more preferably 80 to 400 ° C.
（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得る場合、昇温後の保持温度としては例えば、８０〜１５０℃であることが好ましく、１２０〜１４０℃であることがより好ましい。 (3) When a solution is obtained by adding each compound to a solvent and then raising the temperature, the holding temperature after raising the temperature is preferably, for example, 80 to 150 ° C, and preferably 120 to 140 ° C. More preferred.
（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得る場合、昇温後の保持時間は、５分間以上、３０分間未満であることが好ましい。保持時間が前記範囲内であると、組成物中の（１）ペロブスカイト化合物と（ａ）化合物の含有割合を適切な範囲に制御することが可能となる。 (3) When a solution is obtained by adding each compound to a solvent and then raising the temperature, the holding time after raising the temperature is preferably 5 minutes or more and less than 30 minutes. When the retention time is within the above range, the content ratio of the (1) perovskite compound and the (a) compound in the composition can be controlled within an appropriate range.
本実施形態の組成物は溶液の昇温後の保持時間を５分間以上、３０分間未満に調整し、反応液中のミセルの状態を制御して合成することで得られる。 The composition of the present embodiment is obtained by adjusting the holding time of the solution after heating to 5 minutes or more and less than 30 minutes, and controlling the state of micelles in the reaction solution.
次いで、得られた溶液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。
The resulting solution is then cooled.
The cooling temperature is preferably -20 to 50 ° C, more preferably -10 to 30 ° C.
The cooling rate is preferably 0.1 to 1500 ° C./min, more preferably 10 to 150 ° C./min.
高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を析出させることができる。これにより、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む分散液が得られる。 By cooling the high temperature solution, (1) a perovskite compound and (a) a compound can be precipitated due to the difference in solubility due to the temperature difference of the solution. As a result, a dispersion containing (1) a perovskite compound and (a) a compound can be obtained.
得られた（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物のみを回収することができる。 By performing solid-liquid separation on the obtained (1) perovskite compound and the dispersion containing the (a) compound, the (1) perovskite compound and the (a) compound can be recovered. Examples of the solid-liquid separation method include filtration and concentration by evaporation of a solvent. By performing solid-liquid separation, only (1) perovskite compound and (a) compound can be recovered.
なお、上述した製造方法においては、得られる（１）ペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の（６）表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。 The above-mentioned production method preferably includes the above-mentioned (6) step of adding the surface modifier because the particles of the obtained (1) perovskite compound are easily dispersed stably in the dispersion liquid.
（６）表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、（６）表面修飾剤は、（３）溶媒に添加してもよく、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物とＡ成分を含む化合物とを溶解した溶液に添加してもよい。 (6) The step of adding the surface modifier is preferably performed before the step of cooling. Specifically, (6) the surface modifier may be added to (3) the solvent, or may be added to a solution in which the compound containing the B component and the X component and the compound containing the A component are dissolved.
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ超、より好ましくは１μｍ超、さらに好ましくは５００ｎｍ超である。 Further, in the above-mentioned production method, it is preferable to include a step of removing coarse particles by a method such as centrifugation or filtration after the step of cooling. The size of the coarse particles removed by the removing step is preferably more than 10 μm, more preferably more than 1 μm, still more preferably more than 500 nm.
（第２の製造方法）
ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む組成物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分、Ｂ成分を含む第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
(Second manufacturing method)
As a method for producing the composition containing the perovskite compound and the compound (a), a step of obtaining a first solution containing the components A and B constituting the perovskite compound and a second solution containing the component X constituting the perovskite compound are used. Examples thereof include a manufacturing method including a step of obtaining, a step of mixing the first solution and the second solution to obtain a mixed solution, and a step of cooling the obtained mixed solution.
以下、第２の製造方法を具体的に説明する。 Hereinafter, the second manufacturing method will be specifically described.
まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の上述の（３）溶媒に溶解させ第１溶液を得る。
本工程は、高温の（３）溶媒に各化合物を加えて溶解させ第１溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで第１溶液を得ることとしてもよい。
First, the compound containing the component A and the compound containing the component B are dissolved in the above-mentioned solvent (3) at a high temperature to obtain a first solution.
In this step, each compound may be added to a high-temperature (3) solvent and dissolved to obtain a first solution.
Further, in this step, the first solution may be obtained by (3) adding each compound to the solvent and then raising the temperature.
（３）溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が好ましい。 (3) As the solvent, a solvent capable of dissolving the compound containing the A component and the compound containing the B component is preferable.
「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の（３）溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。 The "high temperature" may be any temperature at which the compound containing the A component and the compound containing the B component are dissolved. For example, the temperature of the high-temperature (3) solvent is preferably 60 to 600 ° C, more preferably 80 to 400 ° C.
（３）に各化合物を加えた後、昇温することで第１溶液を得る場合、昇温後の保持温度としては例えば、８０〜１５０℃であることが好ましく、１２０〜１４０℃であることがより好ましい。 When the first solution is obtained by raising the temperature after adding each compound to (3), the holding temperature after raising the temperature is preferably, for example, 80 to 150 ° C, and 120 to 140 ° C. Is more preferable.
（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで第１溶液を得る場合、昇温後の保持時間は、５分間以上、３０分間未満であることが好ましい。保持時間が前記範囲内であると、組成物中の（１）ペロブスカイト化合物と（ａ）化合物の含有割合を適切な範囲に制御することが可能となる。 (3) When a first solution is obtained by adding each compound to a solvent and then raising the temperature, the holding time after raising the temperature is preferably 5 minutes or more and less than 30 minutes. When the retention time is within the above range, the content ratio of the (1) perovskite compound and the (a) compound in the composition can be controlled within an appropriate range.
本実施形態の組成物は溶液の昇温後の保持時間を５分間以上、３０分間未満に調整し、反応液中のミセルの状態を制御して合成することで得られる。 The composition of the present embodiment is obtained by adjusting the holding time of the solution after heating to 5 minutes or more and less than 30 minutes, and controlling the state of micelles in the reaction solution.
また、Ｘ成分を含む化合物を上述の（３）溶媒に溶解させ第２溶液を得る。Ｘ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを（３）溶媒に溶解させ第２溶液を得てもよい。 Further, the compound containing the X component is dissolved in the above-mentioned solvent (3) to obtain a second solution. A second solution may be obtained by dissolving the compound containing the X component and the compound containing the B component in the solvent (3).
（３）溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物を溶解することができる溶媒が好ましい。 (3) As the solvent, a solvent capable of dissolving the compound containing the X component is preferable.
次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。 Then, the obtained first solution and the second solution are mixed to obtain a mixed solution. When mixing the first solution and the second solution, one may be dropped onto the other. Further, it is preferable to mix the first solution and the second solution with stirring.
次いで、得られた混合液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。
The resulting mixture is then cooled.
The cooling temperature is preferably -20 to 50 ° C, more preferably -10 to 30 ° C.
The cooling rate is preferably 0.1 to 1500 ° C./min, more preferably 10 to 150 ° C./min.
混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を析出させることができる。これにより、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む分散液が得られる。 By cooling the mixed solution, (1) a perovskite compound and (a) a compound can be precipitated due to the difference in solubility due to the temperature difference of the mixed solution. As a result, a dispersion containing (1) a perovskite compound and (a) a compound can be obtained.
得られた（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。 The obtained dispersion liquid containing (1) perovskite compound and (a) compound can be recovered by performing solid-liquid separation to recover (1) perovskite compound and (a) compound. Examples of the solid-liquid separation method include the method shown in the first production method.
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の（６）表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。 In the above-mentioned production method, since the particles of the obtained perovskite compound are easily dispersed stably in the dispersion liquid, it is preferable to include the step of adding the above-mentioned (6) surface modifier.
（６）表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、（６）表面修飾剤は、（３）溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。 (6) The step of adding the surface modifier is preferably performed before the step of cooling. Specifically, (6) the surface modifier may be added to any of (3) a solvent, a first solution, a second solution, and a mixed solution.
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。 Further, the above-mentioned manufacturing method preferably includes a step of removing coarse particles by a method such as centrifugation and filtration shown in the first manufacturing method after the step of cooling.
＜（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法１＞
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法１で得られる組成物を「液状組成物」と称する。
<(2) Method 1 for producing a composition containing a surface protectant and a dispersion medium>
Hereinafter, in order to make it easier to understand the properties of the obtained composition, the composition obtained by (2) Method 1 for producing a composition containing a surface protective agent and a dispersion medium is referred to as a "liquid composition".
本実施形態の液状組成物は、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び（２）表面保護剤に、さらに（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と混合することで製造することができる。 The liquid composition of the present embodiment is mixed with (1) a perovskite compound, (a) a compound and (2) a surface protectant, and further with one or both of (3) a solvent and (4) a polymerizable compound. Can be manufactured at.
（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び（２）表面保護剤と、（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と、を混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。 When mixing (1) a perovskite compound, (a) a compound and (2) a surface protective agent, and one or both of (3) a solvent and (4) a polymerizable compound, the mixture should be carried out with stirring. Is preferable.
（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び（２）表面保護剤と（４）重合性化合物とを混合する際、混合時の温度には特に制限は無い。（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び（２）表面保護剤が均一に混合しやすいため、混合時の温度は、０℃〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃〜８０℃の範囲であることがより好ましい。 When the (1) perovskite compound, (a) compound, (2) surface protectant and (4) polymerizable compound are mixed, the temperature at the time of mixing is not particularly limited. Since (1) a perovskite compound, (a) a compound and (2) a surface protective agent can be easily mixed uniformly, the temperature at the time of mixing is preferably in the range of 0 ° C to 100 ° C, and is preferably 10 ° C to 80 ° C. More preferably, it is in the range.
（（３）溶媒を含む液状組成物の製造方法）
（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物、（２）表面保護剤と、（３）溶媒と、を含む組成物の製造方法としては、例えば、下記製造方法（ａ１）であってもよく、下記製造方法（ａ２）であってもよい。
((3) Method for producing a liquid composition containing a solvent)
As a method for producing a composition containing (1) a perovskite compound, (a) a compound, (2) a surface protectant, and (3) a solvent, for example, the following production method (a1) may be used. It may be the manufacturing method (a2).
製造方法（ａ１）：（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、得られた混合物と、（２）表面保護剤と、を混合する工程と、を含む組成物の製造方法。 Production method (a1): A step of mixing (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (3) a solvent, and a step of mixing the obtained mixture and (2) a surface protective agent. A method for producing a composition including.
製造方法（ａ２）：（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を混合する工程と、得られた混合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、を含む組成物の製造方法。 Production method (a2): A step of mixing (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protective agent, and a step of mixing the obtained mixture and (3) a solvent. A method for producing a composition including.
製造方法（ａ１）、（ａ２）で用いる（３）溶媒は、（１）ペロブスカイト化合物を溶解しにくいものが好ましい。このような（３）溶媒を用いると、製造方法（ａ１）で得られる混合物、及び製造方法（ａ１）、（ａ２）で得られる組成物は、分散液となる。 The solvent (3) used in the production methods (a1) and (a2) is preferably one in which (1) the perovskite compound is difficult to dissolve. When such a solvent (3) is used, the mixture obtained by the production method (a1) and the compositions obtained by the production methods (a1) and (a2) become dispersions.
本実施形態の組成物が（２）表面保護剤として、前記（２−１）シラザンの改質体及び前記（２−２）ケイ素化合物の改質体のいずれか一方又は両方を含む場合、組成物の製造方法としては、下記製造方法（ａ３）であってもよく、下記製造方法（ａ４）であってもよい。 When the composition of the present embodiment contains (2) one or both of the modified form of (2-1) silazane and the modified form of the silicon compound (2-2) as the surface protectant, the composition The manufacturing method of the product may be the following manufacturing method (a3) or the following manufacturing method (a4).
製造方法（ａ３）：（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、得られた混合物と、前記（２−１）シラザン及び前記（２−２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、を混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。 Production method (a3): A step of mixing (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (3) a solvent, the obtained mixture, the (2-1) silazane and the above (2-2). ) A method for producing a composition, which comprises a step of mixing one or both of silicon compounds and a step of subjecting the obtained mixture to a modification treatment.
製造方法（ａ４）：（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、前記（２−１）シラザン及び前記（２−２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、を混合する工程と、得られた混合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。 Production method (a4): A step of mixing (1) a perovskite compound, (a) a compound, and one or both of the above (2-1) silazane and the above (2-2) silicon compound, and obtaining the above. A method for producing a composition, which comprises a step of mixing the obtained mixture and (3) a solvent, and a step of subjecting the obtained mixture to a modification treatment.
（３）溶媒には、（５）重合体が溶解又は分散していてもよい。 (3) The polymer (5) may be dissolved or dispersed in the solvent.
上述の製造方法に含まれる混合する工程では、撹拌を行うことが分散性を高める観点から好ましい。 In the mixing step included in the above-mentioned production method, stirring is preferable from the viewpoint of enhancing dispersibility.
上述の製造方法に含まれる混合する工程において、混合可能であれば温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０℃以上１００℃以下の範囲であることが好ましく、１０℃以上８０℃以下の範囲であることがより好ましい。 In the mixing step included in the above-mentioned production method, the temperature is not particularly limited as long as it can be mixed, but from the viewpoint of uniform mixing, it is preferably in the range of 0 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, and 10 ° C. or higher. It is more preferably in the range of 80 ° C. or lower.
組成物の製造方法は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を向上させる観点から、製造方法（ａ１）、又は製造方法（ａ３）であることが好ましい。 The method for producing the composition is preferably the production method (a1) or the production method (a3) from the viewpoint of (1) improving the dispersibility of the perovskite compound.
（改質処理を施す方法）
改質処理の方法は、前記（２−１）シラザン及び前記（２−２）ケイ素化合物に対し紫外線を照射する方法、及び前記（２−１）シラザン及び前記（２−２）ケイ素化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、前記（２−１）シラザン及び前記（２−２）ケイ素化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。
(Method of reforming)
The reforming method includes a method of irradiating the (2-1) silazane and the (2-2) silicon compound with ultraviolet rays, and the (2-1) silazane and the (2-2) silicon compound and water vapor. Examples thereof include known methods such as a method of reacting with. In the following description, the treatment of reacting the (2-1) silazane and the (2-2) silicon compound with water vapor may be referred to as "humidification treatment".
紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０〜４００ｎｍであり、１０〜３５０ｎｍが好ましく、１００〜１８０ｎｍがより好ましい。紫外線の発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。 The wavelength of the ultraviolet rays used in the method of irradiating the ultraviolet rays is usually 10 to 400 nm, preferably 10 to 350 nm, and more preferably 100 to 180 nm. Examples of the light source that generates ultraviolet rays include a metal halide lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a xenon arc lamp, a carbon arc lamp, an excimer lamp, and UV laser light.
中でも、加湿処理を施すことが、（１）ペロブスカイト化合物の近傍により強固な保護領域を形成する観点から好ましい。 Above all, it is preferable to perform a humidification treatment from the viewpoint of (1) forming a stronger protective region in the vicinity of the perovskite compound.
加湿処理を施す場合、例えば、後述する温度、及び湿度条件下で一定の時間、組成物を静置してもよく、撹拌してもよい。 When the humidification treatment is performed, for example, the composition may be allowed to stand for a certain period of time under the temperature and humidity conditions described later, or may be stirred.
加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよい。加湿処理における温度は、例えば、５〜１５０℃であることが好ましく、１０〜１００℃であることがより好ましく、１５〜８０℃であることがさらに好ましい。 The temperature in the humidification treatment may be a temperature at which reforming proceeds sufficiently. The temperature in the humidification treatment is, for example, preferably 5 to 150 ° C, more preferably 10 to 100 ° C, and even more preferably 15 to 80 ° C.
加湿処理における湿度は、組成物中の前記（２−１）及び前記（２−２）に十分に水分が供給される湿度であればよい。加湿処理における湿度は、例えば３０％〜１００％であることが好ましく、４０％〜９５％であることがより好ましく、６０％〜９０％であることがさらに好ましい。 The humidity in the humidification treatment may be any humidity as long as sufficient moisture is supplied to the above (2-1) and the above (2-2) in the composition. The humidity in the humidification treatment is, for example, preferably 30% to 100%, more preferably 40% to 95%, and even more preferably 60% to 90%.
加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよい。加湿処理に要する時間は、例えば、１０分間以上１週間以下であることが好ましく、１時間以上５日間以下であることがより好ましく、２時間以上３日間以下であることがさらに好ましい。 The time required for the humidification treatment may be a time during which the reforming proceeds sufficiently. The time required for the humidification treatment is, for example, preferably 10 minutes or more and 1 week or less, more preferably 1 hour or more and 5 days or less, and further preferably 2 hours or more and 3 days or less.
組成物に含まれる前記（２−１）及び前記（２−２）の分散性を高める観点から、撹拌することが好ましい。 Stirring is preferable from the viewpoint of enhancing the dispersibility of the above (2-1) and the above (2-2) contained in the composition.
加湿処理における水の供給は、水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させることによってもよく、水蒸気を含む雰囲気中で撹拌することで、界面から水分を供給してもよい。 The water supply in the humidification treatment may be carried out by circulating a gas containing water vapor in the reaction vessel, or may supply water from the interface by stirring in an atmosphere containing water vapor.
水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させる場合、得られる組成物の耐久性が向上するため、水蒸気を含むガス流量は、０．０１Ｌ／分以上１００Ｌ／分以下が好ましく、０．１Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下がより好ましく、０．１５Ｌ／分以上５Ｌ／分以下がさらに好ましい。水蒸気を含むガスとしては、例えば飽和量の水蒸気を含む窒素を挙げることができる。 When a gas containing water vapor is circulated in the reaction vessel, the flow rate of the gas containing water vapor is preferably 0.01 L / min or more and 100 L / min or less, preferably 0.1 L / min, in order to improve the durability of the obtained composition. More than 10 L / min or less is more preferable, and 0.15 L / min or more and 5 L / min or less is further preferable. Examples of the gas containing water vapor include nitrogen containing a saturated amount of water vapor.
本実施形態の組成物の製造方法において（２）表面保護剤、及び（３）溶媒は、上述した（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）を含む組成物の製造方法に含まれるいずれかの工程で混合させてもよい。例えば、下記製造方法（ａ５）、（ａ６）であってもよい。 In the method for producing the composition of the present embodiment, (2) the surface protectant and (3) the solvent are used in any of the steps included in the method for producing the composition containing (1) perovskite compound and (a) described above. It may be mixed. For example, the following production methods (a5) and (a6) may be used.
製造方法（ａ５）：ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分を含む化合物と、Ｘ成分を含む化合物と、及びＡ成分を含む化合物と、（２）表面保護剤と、を高温の（３）溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。 Production method (a5): A compound containing a B component constituting a perovskite compound, a compound containing an X component, a compound containing an A component, and (2) a surface protective agent are dissolved in a high-temperature (3) solvent. Examples thereof include a manufacturing method including a step of obtaining a solution and a step of cooling the solution.
製造方法（ａ６）：ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、を高温の（３）溶媒に溶解させ第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を（４）溶媒に溶解させ第２溶液を得る工程と、第１溶液と、第２溶液と、を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法。 Production method (a6): A step of dissolving a compound containing a component A constituting a perovskite compound and a compound containing a component B in a high-temperature (3) solvent to obtain a first solution, and a component X constituting the perovskite compound. A step of dissolving a compound containing (4) in a solvent to obtain a second solution, a step of mixing the first solution and the second solution to obtain a mixed solution, and a step of cooling the obtained mixed solution. Manufacturing method including.
製造方法（ａ６）において、（２）表面保護剤は、第１溶液及び第２溶液のいずれか一方又は両方に溶解させる。 In the production method (a6), the (2) surface protectant is dissolved in either or both of the first solution and the second solution.
これらの製造方法に含まれる各工程の条件は、上述の（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む組成物の製造方法における第１の製造方法、及び第２の製造方法の条件と同様である。 The conditions of each step included in these production methods are the same as the conditions of the first production method and the second production method in the above-mentioned (1) perovskite compound and (a) compound-containing composition production method. is there.
（（４）重合性化合物を含む液状組成物の製造方法）
（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物、（２）表面保護剤、及び（４）重合性化合物を含む組成物の製造方法は、例えば、下記製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）が挙げられる。
((4) Method for producing a liquid composition containing a polymerizable compound)
Examples of the method for producing a composition containing (1) a perovskite compound, (a) a compound, (2) a surface protectant, and (4) a polymerizable compound include the following production methods (c1) to (c3).
製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２）表面保護剤と、を混合する工程と、を含む製造方法。 Production method (c1): (4) A step of dispersing (1) a perovskite compound and (a) a compound in a polymerizable compound to obtain a dispersion, the obtained dispersion, and (2) a surface protective agent. , And a manufacturing method including.
製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（２）表面保護剤を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、を混合する工程と、を含む製造方法。 Production method (c2): (4) A step of dispersing (2) a surface protective agent in a polymerizable compound to obtain a dispersion, the obtained dispersion, (1) a perovskite compound, and (a) a compound. A manufacturing method comprising a step of mixing and.
製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び（２）表面保護剤との混合物を分散させる工程を含む製造方法。 Production method (c3): A production method comprising a step of dispersing a mixture of (1) a perovskite compound, (a) a compound and (2) a surface protectant in (4) a polymerizable compound.
製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を高める観点から製造方法（ｃ１）であることが好ましい。 In the production methods (c1) to (c3), the production method (c1) is preferable from the viewpoint of (1) enhancing the dispersibility of the perovskite compound.
製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、各材料に滴下してもよいし、各材料を（４）重合性化合物に滴下してよい。
均一に分散しやすいため、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物、（２）表面保護剤の少なくとも一つを（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。
In the steps of obtaining each dispersion in the production methods (c1) to (c3), (4) the polymerizable compound may be added dropwise to each material, or each material may be added dropwise to (4) the polymerizable compound. Good.
Since it is easy to disperse uniformly, it is preferable to add at least one of (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protectant to (4) a polymerizable compound.
製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、各混合する工程では、分散体を各材料に滴下してもよいし、各材料を分散体に滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物、（２）表面保護剤の少なくとも一つを分散体に滴下することが好ましい。
In each of the steps of mixing in the production methods (c1) to (c3), the dispersion may be added dropwise to each material, or each material may be added dropwise to the dispersion.
Since it is easy to disperse uniformly, it is preferable to drop at least one of (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protective agent onto the dispersion.
（４）重合性化合物には、（３）溶媒と（５）重合体との少なくともいずれか一方が溶解又は分散していてもよい。 In the (4) polymerizable compound, at least one of (3) a solvent and (5) a polymer may be dissolved or dispersed.
（５）重合体を溶解又は分散させる溶媒は、特に限定されない。溶媒としては、（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
（５）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の（３）溶媒が挙げられる。
(5) The solvent for dissolving or dispersing the polymer is not particularly limited. As the solvent, (1) a solvent that is difficult to dissolve the perovskite compound is preferable.
Examples of the solvent in which the polymer is dissolved include the above-mentioned solvent (3).
（３）溶媒の中でも、ハロゲン化炭化水素、及び炭化水素がより好ましい。 (3) Among the solvents, halogenated hydrocarbons and hydrocarbons are more preferable.
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記製造方法（ｃ４）であってもよく、製造方法（ｃ５）であってもよい。 Further, the method for producing the composition of the present embodiment may be the following production method (c4) or the production method (c5).
製造方法（ｃ４）：（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液に、（４）重合性化合物と、（５）重合体と、を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液と、（２）表面保護剤と、を混合する工程とを有する、組成物の製造方法。 Production method (c4): (1) A step of dispersing a perovskite compound and (a) a compound in a solvent (3) to obtain a dispersion, and (4) a polymerizable compound and (5) a weight in the obtained dispersion. A method for producing a composition, which comprises a step of mixing the coalescence and the mixture to obtain a mixed solution, and a step of mixing the obtained mixed solution and (2) a surface protective agent.
製造方法（ｃ５）：（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液と、前記（２−１）シラザン及び前記（２−２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、を混合し、混合液を得る工程と、得られた混合液に改質処理を施し前記（２−１）シラザンの改質体及び前記（２−２）ケイ素化合物の改質体のいずれか一方又は両方を含む混合液を得る工程と、得られた混合液と、（３）溶媒と、を混合する工程とを有する、組成物の製造方法。 Production method (c5): (1) A step of dispersing a perovskite compound and (a) a compound in a solvent (3) to obtain a dispersion, the obtained dispersion, (2-1) silazane and the above (2-2-). 2) A step of mixing one or both of the silicon compounds to obtain a mixed solution, and a modification treatment of the obtained mixed solution to obtain the modified product of (2-1) silazane and the above (2-2-). 2) A method for producing a composition, comprising a step of obtaining a mixed solution containing either or both of modified products of a silicon compound, and a step of mixing the obtained mixed solution and (3) a solvent.
（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法１において、（６）表面修飾剤を使用するときは、（２）表面保護剤とともに添加することができる。 (2) In the method 1 for producing a composition containing a surface protectant and a dispersion medium, when (6) a surface modifier is used, it can be added together with (2) a surface protectant.
＜（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法２＞
本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、（４）重合性化合物と、を混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。
<(2)
The method for producing the composition of the present embodiment includes a step of mixing (1) a perovskite compound, (a) a compound, (2) a surface protectant, and (4) a polymerizable compound, and (4). Examples thereof include a production method including a step of polymerizing a polymerizable compound.
（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法２で得られる組成物は、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物、（２）表面保護剤、（５）重合体の合計が組成物全体の９０質量％以上であることが好ましい。
The composition obtained by the
また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、（３）溶媒に溶解している（５）重合体とを混合する工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。 Further, as a method for producing the composition of the present embodiment, (1) a perovskite compound, (a) a compound, (2) a surface protectant, and (3) a polymer dissolved in a solvent are used. A production method including a step of mixing the above and (3) a step of removing the solvent can also be mentioned.
上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法１で示した方法と同様の混合方法を用いることができる。 In the mixing step included in the above-mentioned production method, the same mixing method as the method shown in the above-mentioned (2) Production method 1 of the composition containing the surface protective agent and the dispersion medium can be used.
組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）、（ｄ２）の製造方法が挙げられる。 Examples of the method for producing the composition include the following production methods (d1) and (d2).
製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を分散させる工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。 Production method (d1): A step of dispersing (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protective agent in (4) a polymerizable compound, and (4) polymerizing the polymerizable compound. Processes and manufacturing methods including.
分散させる工程において、（５）重合性化合物に（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を加える順番には制限がない。（１）ペロブスカイト化合物が先であってもよく、（ａ）化合物が先であってもよく。（２）表面保護剤が先であってもよく、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を同時に加えてもよい。 In the step of dispersing, there is no limitation on the order in which (5) the perovskite compound, (a) the compound, and (2) the surface protectant are added to the polymerizable compound. (1) The perovskite compound may come first, and (a) the compound may come first. (2) The surface protective agent may come first, or (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protective agent may be added at the same time.
製造方法（ｄ２）：（５）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を分散させる工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。 Production method (d2): (5) A step of dispersing (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protective agent in a solvent (3) in which a polymer is dissolved, and a solvent. A manufacturing method that includes a step of removing and.
分散させる工程において、（５）重合体に（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を加える順番には制限がない。（１）ペロブスカイト化合物が先であってもよく、（ａ）化合物が先であってもよく。（２）表面保護剤が先であってもよく、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を同時に加えてもよい。 In the step of dispersing, there is no limitation on the order in which (5) the perovskite compound, (a) the compound, and (2) the surface protectant are added to the polymer. (1) The perovskite compound may come first, and (a) the compound may come first. (2) The surface protective agent may come first, or (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protective agent may be added at the same time.
製造方法（ｄ２）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥であってもよいし、加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。 The step (3) for removing the solvent contained in the production method (d2) may be a step of allowing the solvent to stand at room temperature and allowing it to dry naturally, or may be a vacuum drying using a vacuum dryer. , (3) The step of evaporating the solvent by heating may be performed.
（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０℃以上３００℃以下で、１分間以上７日間以下乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。 In the step of (3) removing the solvent, for example, the solvent can be removed by drying at 0 ° C. or higher and 300 ° C. or lower for 1 minute or longer and 7 days or shorter.
製造方法（ｄ１）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。 The step of polymerizing the (4) polymerizable compound contained in the production method (d1) can be carried out by appropriately using a known polymerization reaction such as radical polymerization.
例えばラジカル重合の場合は、（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、（４）重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。 For example, in the case of radical polymerization, a radical polymerization initiator is added to a mixture of (1) a perovskite compound, (a) a compound, (2) a surface protectant, and (4) a polymerizable compound to generate radicals. The polymerization reaction can be allowed to proceed by allowing the polymerization reaction to proceed.
ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。 The radical polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include a photoradical polymerization initiator.
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。 Examples of the photoradical polymerization initiator include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide and the like.
（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法２において、（６）表面修飾剤を使用するときは、（２）表面保護剤とともに添加することができる。
When (6) a surface modifier is used in (2)
＜（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法３＞
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ３）〜（ｄ６）の製造方法も採用することができる。
<(2)
Further, as the method for producing the composition of the present embodiment, the following production methods (d3) to (d6) can also be adopted.
製造方法（ｄ３）：（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、（５）重合体と、を溶融混練する工程を含む製造方法。 Production method (d3): A production method including a step of melt-kneading (1) a perovskite compound, (a) a compound, (2) a surface protectant, and (5) a polymer.
製造方法（ｄ４）：（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、前記（２−１）シラザン及び前記（２−２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、（５）重合体と、を溶融混練する工程と、（５）重合体が溶融した状態で加湿処理を施す工程と、を含む製造方法。 Production method (d4): (1) a perovskite compound, (a) a compound, one or both of the (2-1) silazane and the (2-2) silicon compound, and (5) a polymer. A production method including a step of melt-kneading the compound and a step of performing a humidification treatment in a state where the polymer is melted.
製造方法（ｄ５）：（１）ペロブスカイト化合物と、（ａ）化合物と、（２）表面保護剤と、を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と、（５）重合体と、を溶融混練する工程と、を含む製造方法。 Production method (d5): A step of producing a liquid composition containing (1) a perovskite compound, (a) a compound, and (2) a surface protective agent, and a step of extracting solid content from the obtained liquid composition. A production method comprising a step of melt-kneading the obtained solid content and (5) the polymer.
製造方法（ｄ６）：（２）表面保護剤を含まず、（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と、（２）表面保護剤と、（５）重合体と、を溶融混練する工程と、を含む製造方法。 Production method (d6): (2) A step of producing a liquid composition containing no surface protective agent and (1) a perovskite compound and (a) a compound, and a step of extracting solid content from the obtained liquid composition. A production method including a step of melt-kneading the obtained solid content, (2) a surface protective agent, and (5) a polymer.
製造方法（ｄ３）〜（ｄ６）において（５）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。 As a method of melt-kneading the polymer (5) in the production methods (d3) to (d6), a known method as a polymer kneading method can be adopted. For example, extrusion using a single-screw extruder or a twin-screw extruder can be adopted.
製造方法（ｄ４）の改質処理を施す工程は、上述した方法を採用することができる。 As the step of performing the reforming treatment of the production method (d4), the above-mentioned method can be adopted.
製造方法（ｄ５）及び（ｄ６）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ１）又は（ａ２）を採用することができる。製造方法（ｄ６）の液状組成物を製造する工程においては、上述の製造方法（ａ１）又は（ａ２）において（２）表面保護剤を添加しなければよい。 As the step of producing the liquid composition of the production method (d5) and (d6), the above-mentioned production method (a1) or (a2) can be adopted. In the step of producing the liquid composition of the production method (d6), (2) the surface protective agent may not be added in the above-mentioned production method (a1) or (a2).
製造方法（ｄ５）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ３）又は（ａ４）を採用することができる。 As the step of producing the liquid composition of the production method (d5), the above-mentioned production method (a3) or (a4) can be adopted.
製造方法（ｄ５）、（ｄ６）の固形分を取り出す工程は、例えば加熱、減圧、送風及びこれらの組み合わせにより、液状組成物から液状組成物を構成する（３）溶媒及び（４）重合性化合物を除去することで行う。 In the steps of taking out the solid content of the production methods (d5) and (d6), for example, heating, depressurization, ventilation and a combination thereof constitute a liquid composition from the liquid composition (3) solvent and (4) polymerizable compound. It is done by removing.
（２）表面保護剤及び分散媒を含む組成物の製造方法３において、（６）表面修飾剤を使用するときは、（２）表面保護剤とともに添加することができる。
When (6) a surface modifier is used in (2)
上述の組成物の製造方法において、改質処理を施した後の組成物にハロゲンイオンを含む溶液を添加すると、（１）ペロブスカイト化合物中のＸと前記ハロゲンイオンとの交換反応が起き、（１）ペロブスカイト化合物の最大発光波長の値を調整することができる。 In the method for producing the above-mentioned composition, when a solution containing halogen ions is added to the composition after the modification treatment, (1) an exchange reaction between X in the perovskite compound and the halogen ions occurs, and (1) ) The value of the maximum emission wavelength of the perovskite compound can be adjusted.
（１）ペロブスカイト化合物の表面に前記（２）表面保護剤からなる表面保護層を形成した後に、さらにシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層を形成してもよい。
本明細書において、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」とは、有機基とケイ素元素を含み、前記有機基の全てが改質処理（加水分解）により脱離する有機基である化合物の改質体及び有機基を有さないケイ素元素を含む化合物の改質体を意味する。
After (1) a surface protective layer made of the (2) surface protective agent is formed on the surface of the perovskite compound, a layer of an inorganic silicon compound having a siloxane bond may be further formed.
In the present specification, the "inorganic silicon compound having a siloxane bond" is a modification of a compound which contains an organic group and a silicon element and is an organic group in which all of the organic groups are eliminated by a modification treatment (hydrolysis). It means a modified form of a compound containing a silicon element having no body or organic group.
シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、例えば、前記式（Ｂ１）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子であるジシラザンの改質体、前記式（Ｂ２）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子である低分子シラザンの改質体、上記式（Ｂ３）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子である高分子シラザンの改質体、上述した式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンにおいて、複数あるＲ１５の全てが水素原子である高分子シラザンの改質体、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）の改質体が挙げられる。 As the inorganic silicon compound having a siloxane bond, for example, in the above formula (B1), all of the plurality of R 15s are modified compounds of disilazane in which all of them are hydrogen atoms, and in the above formula (B2), all of the plurality of R 15s are all. modification of low molecular silazane is hydrogen atom, in the above formula (B3), modification of all of the plurality of R 15 are polymeric silazane is a hydrogen atom, a structure represented by the above formula (B4) Examples of the polysilazane having a plurality of polysilazanes include a modified form of high molecular weight silazane in which all of a plurality of R 15s are hydrogen atoms, and a modified form of sodium silicate (Na 2 SiO 3 ).
＜組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物、及び（ａ）の含有量の測定＞
本実施形態の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物、及び（ａ）は乾燥質量法によって固形分濃度（質量％）を算出することができる。乾燥質量法の詳細については、実施例において説明する。
<Measurement of the contents of (1) perovskite compound and (a) contained in the composition>
The solid content concentration (mass%) of (1) perovskite compound and (a) contained in the composition of the present embodiment can be calculated by the dry mass method. Details of the dry mass method will be described in Examples.
＜量子収率・発光波長の測定＞
本発明の（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）を含む組成物の量子収率及び発光波長は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。発光波長は最も発光強度の高い値の波長を用いる。
<Measurement of quantum yield and emission wavelength>
The quantum yield and emission wavelength of the composition containing (1) perovskite compound and (a) of the present invention are excited by using an absolute PL quantum yield measuring device (for example, C9920-02 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.). Measured at 450 nm light, room temperature, and air. As the emission wavelength, the wavelength having the highest emission intensity is used.
＜吸収率（ａｂｓ）の測定＞
本発明の（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）を含む組成物の吸収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。
<Measurement of absorption rate (abs)>
The absorption rate of the composition containing the (1) perovskite compound and (a) of the present invention was determined by using an absolute PL quantum yield measuring device (for example, C9920-02 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) at an excitation light of 450 nm at room temperature. , Measure in the atmosphere.
＜フィルム＞
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び（５）重合体を含み、（１）ペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び（５）重合体の合計がフィルム全体の９０質量％以上である。
<Film>
The film according to this embodiment uses the above-mentioned composition as a forming material. For example, the film according to the present embodiment contains (1) a perovskite compound, (a) a compound and (5) a polymer, and the total of (1) a perovskite compound, (a) a compound and (5) a polymer is the entire film. 90% by mass or more of.
フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。 The shape of the film is not particularly limited, and may be any shape such as a sheet shape or a bar shape. In the present specification, the "bar-shaped shape" means, for example, a plan-view strip-shaped shape extending in one direction. As the plan view band shape, a plate shape having different lengths on each side is exemplified.
フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。
本明細書においてフィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。
The thickness of the film may be 0.01 μm to 1000 mm, 0.1 μm to 10 mm, or 1 μm to 1 mm.
In the present specification, the thickness of the film refers to the front surface and the back surface in the thickness direction of the film when the side having the smallest value among the length, width, and height of the film is defined as the "thickness direction". Refers to the distance between. Specifically, the thickness of the film is measured at any three points of the film using a micrometer, and the average value of the measured values at the three points is taken as the thickness of the film.
フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の組成物が用いられていてもよい。 The film may be single-layered or multi-layered. In the case of multiple layers, each layer may use the composition of the same type of embodiment, or may use different types of compositions of different types from each other.
フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法により、基板上に形成されたフィルムを得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。 As the film, for example, a film formed on a substrate can be obtained by a method for manufacturing a laminated structure described later. Further, the film can be obtained by peeling from the substrate.
＜積層構造体＞
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
<Laminated structure>
The laminated structure according to the present embodiment has a plurality of layers, and at least one layer is the above-mentioned film.
積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
Among the plurality of layers of the laminated structure, examples of layers other than the above-mentioned film include arbitrary layers such as a substrate, a barrier layer, and a light scattering layer.
The shape of the laminated film is not particularly limited, and may be any shape such as a sheet shape or a bar shape.
（基板）
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、（１）ペロブスカイト化合物が発した光を取り出しやすいため好ましい。
(substrate)
The substrate is not particularly limited, but may be a film. The substrate is preferably one having light transmission. A laminated structure having a substrate having light transmission is preferable because (1) the light emitted by the perovskite compound can be easily taken out.
基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
As the substrate forming material, for example, a polymer such as polyethylene terephthalate or a known material such as glass can be used.
For example, in the laminated structure, the above-mentioned film may be provided on the substrate.
図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the laminated structure of the present embodiment. In the first
本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
One aspect of the present invention is a sealing with a
（バリア層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。
(Barrier layer)
The layer that the laminated structure according to the present embodiment may have is not particularly limited, and examples thereof include a barrier layer. A barrier layer may be included from the viewpoint of protecting the above-mentioned composition from the water vapor of the outside air and the air in the atmosphere.
バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。 The barrier layer is not particularly limited, but a transparent one is preferable from the viewpoint of extracting emitted light. As the barrier layer, for example, a polymer such as polyethylene terephthalate or a known barrier layer such as a glass film can be used.
（光散乱層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。
(Light scattering layer)
The layer that the laminated structure according to the present embodiment may have is not particularly limited, and examples thereof include a light scattering layer. A light scattering layer may be included from the viewpoint of effectively utilizing the incident light.
The light scattering layer is not particularly limited, but a transparent layer is preferable from the viewpoint of extracting the emitted light. As the light scattering layer, a light scattering particle such as silica particles or a known light scattering layer such as an amplified diffusion film can be used.
＜発光装置＞
本発明に係る発光装置は、本発明の実施形態の組成物又は前記積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した組成物又は積層構造体に照射することで、組成物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
<Light emitting device>
The light emitting device according to the present invention can be obtained by combining the composition or the laminated structure according to the embodiment of the present invention with a light source. The light emitting device is a device that emits light emitted from a light source to emit light from the composition or laminated structure by irradiating the composition or laminated structure installed in the subsequent stage, and extracts light. Among the plurality of layers of the laminated structure in the light emitting device, the layers other than the above-mentioned film, substrate, barrier layer, and light scattering layer include a light reflecting member, a brightness enhancing portion, a prism sheet, a light guide plate, and between elements. Any layer such as a medium material layer can be mentioned.
One aspect of the present invention is a light emitting
（光源）
本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の組成物、又は積層構造体中の（１）ペロブスカイト化合物を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。
(light source)
The light source constituting the light emitting device according to the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of causing the above-mentioned composition or the (1) perovskite compound in the laminated structure to emit light, a light source having an emission wavelength of 600 nm or less is used. preferable. As the light source, for example, a known light source such as a light emitting diode (LED) such as a blue light emitting diode, a laser, or an EL can be used.
（光反射部材）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光源の光を前記の組成物、又は積層構造体に向かって照射する観点から、光反射部材を含んでいても良い。光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであっても良い。
反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。
(Light reflecting member)
The layer that the laminated structure constituting the light emitting device according to the present invention may have is not particularly limited, and examples thereof include a light reflecting member. A light reflecting member may be included from the viewpoint of irradiating the light of the light source toward the composition or the laminated structure. The light reflecting member is not particularly limited, but may be a reflective film.
As the reflective film, for example, a known reflective film such as a reflector, a film of reflective particles, a reflective metal film, or a reflector can be used.
（輝度強化部）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいても良い。
(Brightness enhancement part)
The layer that the laminated structure constituting the light emitting device according to the present invention may have is not particularly limited, and examples thereof include a brightness enhancing portion. A brightness enhancing portion may be included from the viewpoint of reflecting a part of the light back in the direction in which the light is transmitted.
（プリズムシート）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
(Prism sheet)
The layer that the laminated structure constituting the light emitting device according to the present invention may have is not particularly limited, and examples thereof include a prism sheet. The prism sheet typically has a base material portion and a prism portion. The base material portion may be omitted depending on the adjacent members. The prism sheet can be attached to adjacent members via any suitable adhesive layer (eg, adhesive layer, adhesive layer). The prism sheet is configured by arranging a plurality of unit prisms that are convex on the side opposite to the viewing side (back side). By arranging the convex portion of the prism sheet toward the back side, the light transmitted through the prism sheet can be easily collected. Further, if the convex portion of the prism sheet is arranged toward the back surface side, less light is reflected without being incident on the prism sheet and the display has high brightness as compared with the case where the convex portion is arranged toward the visual recognition side. Can be obtained.
（導光板）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板などの任意の適切な導光板が用いることができる。
(Light guide plate)
The layer that the laminated structure constituting the light emitting device according to the present invention may have is not particularly limited, and examples thereof include a light guide plate. As the light guide plate, for example, a light guide plate having a lens pattern formed on the back side and a prism shape formed on the back side and / or the viewing side so that light from the lateral direction can be deflected in the thickness direction. Any suitable light guide plate such as a light guide plate can be used.
（要素間の媒体材料層）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。
要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。
(Media material layer between elements)
The layer that the laminated structure constituting the light emitting device according to the present invention may have is not particularly limited, but is a layer made of one or more medium materials on the optical path between adjacent elements (layers). The medium material layer between the elements).
The medium or more medium contained in the medium material layer between the elements is not particularly limited, but is vacuum, air, gas, optical material, adhesive, optical adhesive, glass, polymer, solid, liquid, gel, or cured. Materials, optical coupling materials, index-matched or index-mismatched materials, index gradient materials, cladding or anti-clading materials, spacers, silica gel, brightness-enhancing materials, scattering or diffusing materials, reflective or anti-reflective materials, wavelength selection Includes sex materials, wavelength-selective anti-reflective materials, color filters, or suitable media known in the art.
本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、
（Ｅ１）本発明の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
（Ｅ２）本発明の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
（Ｅ３）本発明の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
（Ｅ４）本発明の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト
が挙げられる。
Specific examples of the light emitting device according to the present invention include those provided with a wavelength conversion material for an EL display or a liquid crystal display.
In particular,
(E1) The composition of the present invention is placed in a glass tube or the like and sealed, and this is arranged between the blue light emitting diode as a light source and the light guide plate along the end surface (side surface) of the light guide plate. Backlight that converts blue light into green light or red light (on-edge backlight),
(E2) The composition of the present invention is made into a sheet, and a film sandwiched between two barrier films and sealed is placed on a light guide plate and placed on an end surface (side surface) of the light guide plate to emit blue light. A backlight (surface mount type backlight) that converts blue light emitted from a diode through a light guide plate onto the sheet into green light or red light.
(E3) A backlight (on-chip type backlight) in which the composition of the present invention is dispersed in a resin or the like and installed near the light emitting portion of a blue light emitting diode to convert the emitted blue light into green light or red light. Light) and (E4) A backlight in which the composition of the present invention is dispersed in a resist and placed on a color filter to convert blue light emitted from a light source into green light or red light. ..
また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。 Further, as a specific example of the light emitting device according to the present invention, the composition of the embodiment of the present invention is molded and arranged after the blue light emitting diode which is a light source to convert blue light into green light or red light. Lighting that emits white light can be mentioned.
＜ディスプレイ＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
<Display>
As shown in FIG. 2, the
One aspect of the present invention is a
（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
(Liquid crystal panel)
The liquid crystal panel typically includes a liquid crystal cell, a viewing-side polarizing plate arranged on the viewing side of the liquid crystal cell, and a back-side polarizing plate arranged on the back surface side of the liquid crystal cell. The viewing side polarizing plate and the back side polarizing plate may be arranged so that their respective absorption axes are substantially orthogonal or parallel to each other.
（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
(Liquid crystal cell)
The liquid crystal cell has a pair of substrates and a liquid crystal layer as a display medium sandwiched between the substrates. In a general configuration, a color filter and a black matrix are provided on one substrate, and a switching element for controlling the electro-optical characteristics of the liquid crystal and a scanning line for giving a gate signal to the switching element are provided on the other substrate. A signal line for giving a source signal, a pixel electrode, and a counter electrode are provided. The distance between the substrates (cell gap) can be controlled by a spacer or the like. For example, an alignment film made of polyimide can be provided on the side of the substrate in contact with the liquid crystal layer.
（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
(Polarizer)
The polarizing plate typically has a polarizer and protective layers arranged on both sides of the polarizer. The polarizer is typically an absorption type polarizer.
As the polarizer, any suitable polarizer is used. For example, a dichroic substance such as iodine or a bicolor dye is adsorbed on a hydrophilic polymer film such as a polyvinyl alcohol-based film, a partially formalized polyvinyl alcohol-based film, or an ethylene / vinyl acetate copolymer system partially saponified film. Examples thereof include a uniaxially stretched film, a polyene-based oriented film such as a dehydrated product of polyvinyl alcohol and a dehydrogenated product of polyvinyl chloride. Among these, a polarizer in which a dichroic substance such as iodine is adsorbed on a polyvinyl alcohol-based film and uniaxially stretched is particularly preferable because it has a high polarization dichroic ratio.
本実施形態の組成物の用途としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
本実施形態の組成物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
本実施形態の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本実施形態の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
Applications of the composition of this embodiment include, for example, wavelength conversion materials for light emitting diodes (LEDs).
<LED>
The composition of this embodiment can be used, for example, as a material for a light emitting layer of an LED.
As the LED containing the composition of the present embodiment, for example, the composition of the present embodiment and conductive particles such as ZnS are mixed and laminated in a film form, an n-type transport layer is laminated on one side, and the other side is laminated. It has a structure in which p-type transport layers are laminated, and by passing an electric current, holes of the p-type semiconductor and electrons of the n-type semiconductor are contained in the composition of the bonding surface. (1) In the particles of the perovskite compound A method of emitting light by canceling the electric charge can be mentioned.
＜太陽電池＞
本実施形態の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本実施形態の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
活性層に含まれる、本実施形態の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。
<Solar cell>
The composition of the present embodiment can be used as an electron transporting material contained in the active layer of a solar cell.
The structure of the solar cell is not particularly limited, but for example, a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate, a titanium oxide dense layer, a porous aluminum oxide layer, an active layer containing the composition of the present embodiment, 2, Hole transport layers such as 2', 7,7'-tetracis (N, N'-di-p-methoxyphenylamine) -9,9'-spirobifluorene (Spiro-MeOTAD), and silver (Ag) electrodes in this order. Examples include solar cells having.
The titanium oxide dense layer has a function of electron transport, an effect of suppressing the roughness of FTO, and a function of suppressing reverse electron transfer.
The porous aluminum oxide layer has a function of improving the light absorption efficiency.
The composition of the present embodiment contained in the active layer has the functions of charge separation and electron transport.
＜フィルムの製造方法＞
フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）〜（ｅ３）の製造方法が挙げられる。
<Film manufacturing method>
Examples of the film manufacturing method include the following manufacturing methods (e1) to (e3).
製造方法（ｅ１）：液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。 Production method (e1): A method for producing a film, which comprises a step of applying a liquid composition to obtain a coating film and (3) a step of removing a solvent from the coating film.
製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。 Production method (e2): (4) A step of applying a liquid composition containing a polymerizable compound to obtain a coating film, and (4) a step of polymerizing the polymerizable compound contained in the obtained coating film. Method of manufacturing the including film.
製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）、（ｄ２）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。 Production method (e3): A method for producing a film for molding the compositions obtained in the above-mentioned production methods (d1) and (d2).
＜＜積層構造体の製造方法＞＞
積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）〜（ｆ３）の製造方法が挙げられる。
<< Manufacturing method of laminated structure >>
Examples of the manufacturing method of the laminated structure include the following manufacturing methods (f1) to (f3).
製造方法（ｆ１）：液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。 Production method (f1): Lamination including a step of producing a liquid composition, a step of coating the obtained liquid composition on a substrate, and a step of removing (3) a solvent from the obtained coating film. Method of manufacturing the structure.
製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。 Manufacturing method (f2): A method for manufacturing a laminated structure including a step of laminating a film on a substrate.
製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。 Production method (f3): (4) A step of producing a liquid composition containing a polymerizable compound, a step of coating the obtained liquid composition on a substrate, and a step of being included in the obtained coating film (4). A production method comprising a step of polymerizing a polymerizable compound.
製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）〜（ｃ４）を採用することができる。 As the steps for producing the liquid composition in the production methods (f1) and (f3), the above-mentioned production methods (c1) to (c4) can be adopted.
製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。 The steps of coating the liquid composition on the substrate in the production methods (f1) and (f3) are not particularly limited, but the gravure coating method, the bar coating method, the printing method, the spray method, the spin coating method, the dip method, and the like. Known coating and coating methods such as the die coating method can be used.
製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。 The step (3) for removing the solvent in the production method (f1) can be the same as the step (3) for removing the solvent contained in the above-mentioned production method (d2).
製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。 The step of polymerizing the (4) polymerizable compound in the production method (f3) can be the same as the step of polymerizing the (4) polymerizable compound contained in the above-mentioned production method (d1).
製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。 Any adhesive can be used in the step of laminating the film on the substrate in the manufacturing method (f2).
接着剤は、（１）ペロブスカイト化合物を溶解しないものであれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。 The adhesive is not particularly limited as long as it does not dissolve the (1) perovskite compound, and a known adhesive can be used.
積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。 The method for producing a laminated structure may further include a step of laminating an arbitrary film on the obtained laminated structure.
張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。 Examples of the arbitrary film to be bonded include a reflective film and a diffusion film.
フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。 Any adhesive can be used in the step of laminating the films.
上述の接着剤は、（１）ペロブスカイト化合物を溶解しないものであれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。 The above-mentioned adhesive is not particularly limited as long as it does not dissolve the (1) perovskite compound, and a known adhesive can be used.
＜発光装置の製造方法＞
例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の組成物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
<Manufacturing method of light emitting device>
For example, a manufacturing method including the above-mentioned light source and a step of installing the above-mentioned composition or a laminated structure on an optical path after the light source can be mentioned.
なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
＜センサー＞
本発明の組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。
<Sensor>
The composition of the present invention is a part of a living body such as an image detection unit (image sensor) for a solid-state imaging device such as an X-ray image pickup device and a CMOS image sensor, a fingerprint detection section, a face detection section, a vein detection section, and an iris detection section. It can be used as a photoelectric conversion element (photodetection element) material included in a detection unit that detects a predetermined feature of the above and a detection unit of an optical biosensor such as a pulse oximeter.
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
（（１）ペロブスカイト化合物及び（ａ）の固形分濃度測定）
実施例３で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物、及び（ａ）の固形分濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物、（ａ）化合物及び溶媒を含む分散液を１０５℃で３時間乾燥させた後に、残存した質量を測定して下記式１に当てはめて算出した。
固形分濃度（質量％）＝乾燥後の質量÷乾燥前の質量×１００・・・式１
((1) Measurement of solid content concentration of perovskite compound and (a))
The solid content concentration of the perovskite compound and (a) in the composition obtained in Example 3 was determined by redispersing the perovskite compound obtained by redispersing the dispersion liquid containing the compound (a) and the solvent at 105 ° C. After drying for 3 hours, the remaining mass was measured and calculated by applying to the following formula 1.
Solid content concentration (mass%) = mass after drying ÷ mass before drying x 100 ... Equation 1
（量子収率、及び発光波長の測定）
組成物の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。
発光波長は量子収率を測定した際の発光スペクトルの、最も発光強度の高い波長を用いた。
(Measurement of quantum yield and emission wavelength)
The quantum yield of the composition was measured using an absolute PL quantum yield measuring device (manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd., C9920-02) at an excitation light of 450 nm at room temperature and in the atmosphere.
As the emission wavelength, the wavelength having the highest emission intensity in the emission spectrum when the quantum yield was measured was used.
本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された量子収率が、５０％以上であってもよく、８２％以上であってもよく、８６％以上であってもよい。
本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された量子収率が、５０％以上１００％以下であることが好ましく、８２％以上１００％以下であることがより好ましく、８６％以上１００％以下であることがさらに好ましい。
In the composition of the present embodiment, the quantum yield measured by the above-mentioned measuring method may be 50% or more, 82% or more, or 86% or more.
In the composition of the present embodiment, the quantum yield measured by the above measuring method is preferably 50% or more and 100% or less, more preferably 82% or more and 100% or less, and 86% or more and 100%. It is more preferably% or less.
（吸収率（ａｂｓ）の測定）
実施例１〜４、及び比較例１、２で得られた組成物の発光波長を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。
(Measurement of absorption rate (abs))
The emission wavelengths of the compositions obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 were adjusted to an excitation light of 450 nm at room temperature using an absolute PL quantum yield measuring device (manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd., C9920-02). , Measured in the atmosphere.
本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された吸収率（ａｂｓ）が、０．３以上であってもよく、０．５以上であってもよく、０．６以上であってもよい。
本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された吸収率（ａｂｓ）が、０．３以上１以下であることが好ましく、０．５以上１以下であることがより好ましく、０．６以上１以下であることがさらに好ましい。
The composition of the present embodiment has an absorptivity (abs) measured by the above-mentioned measuring method of 0.3 or more, 0.5 or more, or 0.6 or more. May be good.
In the composition of the present embodiment, the absorption rate (abs) measured by the above measuring method is preferably 0.3 or more and 1 or less, more preferably 0.5 or more and 1 or less, and 0. It is more preferably 6 or more and 1 or less.
（（Ｐａ）／（Ｐ１）の測定）
（１）ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（００１）の回折ピーク強度（Ｐ１）とブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲において、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外のうち最も強度が高い（ａ）化合物の回折ピークの強度（Ｐａ）との比である（（Ｐａ）／（Ｐ１））の算出は、実施例１〜４、比較例１、２の組成物のＸＲＤ（ＣｕＫα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）を測定した後に、下記式２を用いて算出した。
なお、回折パターンにおいて、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲に（１）ペロブスカイト化合物に由来する以外のピークが存在しない場合、下記式２の（Ｐａ）を０としてピーク強度比を算出する。
ピーク強度比（（Ｐａ）／（Ｐ１））＝（２θが１０〜１３°間でペロブスカイト化合物に由来するピーク以外のうち最も強度が高いピークの強度（ｃｐｓ））÷（ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（００１）の回折ピーク強度（ｃｐｓ））…式２
(Measurement of (Pa) / (P1))
(1) In the range where the diffraction peak intensity (P1) and Bragg angle (2θ) of the Miller index (001) of the surface of the perovskite compound are in the range of 10 to 13 °, the intensity is the highest among the peaks other than the peak derived from (1) the perobskite compound. The calculation of ((Pa) / (P1)), which is the ratio of the diffraction peak of the high compound (a) to the intensity (Pa), is the XRD (CuKα ray) of the compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2. , X'pert PRO MPD, manufactured by Spectris), and then calculated using the following
In the diffraction pattern, when the Bragg angle (2θ) is in the range of 10 to 13 ° and there is no peak other than (1) derived from the perovskite compound, the peak intensity ratio is calculated by setting (Pa) in the following
Peak intensity ratio ((Pa) / (P1)) = (Intensity (cps) of the highest intensity peak other than the peak derived from the perovskite compound when 2θ is between 10 and 13 °) ÷ (Miller of the surface of the perovskite compound) Diffraction peak intensity (cps) of index (001)) ...
（（ａ）化合物の同定）
（ａ）化合物の同定は、Ｘ線回折ピークを統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア ＰＤＸＬ（リガク社製）のデータベースと照合することで特定した。
((A) Identification of compound)
(A) The compound was identified by collating the X-ray diffraction peak with the database of the integrated powder X-ray analysis software PDXL (manufactured by Rigaku).
［実施例１］
オレイルアミン２５ｍＬ、及びエタノール２００ｍＬを混合した後、氷冷しながら攪拌しながら臭化水素酸溶液（４８％）を１７．１２ｍＬ添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
[Example 1]
After mixing 25 mL of oleylamine and 200 mL of ethanol, 17.12 mL of a hydrobromic acid solution (48%) was added with stirring while cooling with ice, and then dried under reduced pressure to obtain a precipitate. The precipitate was washed with diethyl ether and then dried under reduced pressure to give oleylammonium bromide.
臭化オレイルアンモニウム２１ｇに対して、トルエン２００ｍＬを混合して、臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を調製した。
酢酸鉛・３水和物０．３８ｇと、ホルムアミジン酢酸塩０．３９ｇ、１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸１０ｍＬとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら１３０℃まで昇温した後、１３０℃の温度で１０分間保持した後に、上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を１３．３５ｍＬ添加した。添加後、溶液を室温まで降温し、組成物１を得た。
Toluene 200 mL was mixed with 21 g of oleylammonium bromide to prepare a solution containing oleylammonium bromide.
0.38 g of lead acetate trihydrate, 0.39 g of formamidine acetate, 40 mL of 1-octadecene solvent, and 10 mL of oleic acid were mixed. After stirring and raising the temperature to 130 ° C. with flowing nitrogen and holding at a temperature of 130 ° C. for 10 minutes, 13.35 mL of the above-mentioned solution containing oleylammonium bromide was added. After the addition, the solution was cooled to room temperature to obtain Composition 1.
上記の組成物１、５０μＬに対してトルエン３．９５ｍＬを混合した溶液の発光特性を評価すると、発光波長は５３０．０ｎｍであった。量子収率を測定すると、８１％であり、溶液の吸収率（ａｂｓ）を評価すると、０．５８であった。 When the emission characteristics of a solution prepared by mixing 3.95 mL of toluene with 50 μL of the above composition were evaluated, the emission wavelength was 530.0 nm. The quantum yield was measured to be 81%, and the absorption rate (abs) of the solution was evaluated to be 0.58.
組成物１を無反射板にキャストした後、ＸＲＤ測定した所、２θ＝１５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定結果より、組成物１は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を有していることを確認した。また、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外の回折ピークの中で、回折ピークが２θ＝１２．０°に観察され、組成物１は、（ａ）化合物を有しており、前記（ａ）化合物は（ＮＨ４）２ＰｂＢｒ４であることを確認した。（１）ペロブスカイト化合物の（ｈｋｌ）＝（００１）の回折ピーク強度（Ｐ１）とブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲において、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外のうち最も強度が高い（ａ）化合物に由来する回折ピークの強度（Ｐａ）との比である（（Ｐａ）／（Ｐ１））は０．７３であった。 After casting the composition 1 onto a non-reflective plate, XRD measurement revealed that it had a peak derived from (hkl) = (001) at a position of 2θ = 15 °. From the measurement results, it was confirmed that the composition 1 had a compound having a three-dimensional perovskite type crystal structure. Further, among the diffraction peaks other than the peak derived from (1) the perovskite compound, the diffraction peak was observed at 2θ = 12.0 °, and the composition 1 has the compound (a) and is described in (a). ) The compound was confirmed to be (NH 4 ) 2 PbBr 4 . (1) In the range where the diffraction peak intensity (P1) of the perovskite compound (hkl) = (001) and the Bragg angle (2θ) are in the range of 10 to 13 °, the intensity is the highest among the peaks other than those derived from the (1) perovskite compound. The ratio ((Pa) / (P1)) of the diffraction peak derived from the high (a) compound to the intensity (Pa) was 0.73.
［実施例２］
オレイルアミン２５ｍＬ、及びエタノール２００ｍＬを混合した後、氷冷しながら攪拌しながら臭化水素酸溶液（４８％）を１７．１２ｍＬ添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
[Example 2]
After mixing 25 mL of oleylamine and 200 mL of ethanol, 17.12 mL of a hydrobromic acid solution (48%) was added with stirring while cooling with ice, and then dried under reduced pressure to obtain a precipitate. The precipitate was washed with diethyl ether and then dried under reduced pressure to give oleylammonium bromide.
臭化オレイルアンモニウム２１ｇに対して、トルエン２００ｍＬを混合して、臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を調製した。
酢酸鉛・３水和物１．５２と、ホルムアミジン酢酸塩１．５６ｇ、１−オクタデセンの溶媒１６０ｍＬと、オレイン酸４０ｍＬとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら１３０℃まで昇温した後、１３０℃で１５分間保持した後に上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を５３．４ｍＬ添加した。添加後、溶液を室温まで降温し、組成物２を得た。
Toluene 200 mL was mixed with 21 g of oleylammonium bromide to prepare a solution containing oleylammonium bromide.
Lead acetate trihydrate 1.52, formamidine acetate 1.56 g, 1-octadecene solvent 160 mL, and
上述の組成物２、５０μＬに対してトルエン３．９５ｍＬを混合した溶液の吸収率（ａｂｓ）を評価すると、０．５７であった。 The absorptivity (abs) of a solution prepared by mixing 3.95 mL of toluene with respect to 2,50 μL of the above composition was 0.57.
上述の組成物２、２００ｍＬに対して、トルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬの混合溶液を２回流して洗浄し、ろ過した。これにより、固体の組成物２を得た。
得られた固体の組成物２をＸＲＤ測定した所、２θ＝１５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定結果より、組成物２は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を有していることを確認した。また、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外の回折ピークの中で、回折ピークが２θ＝１２．０°に観察され、組成物２は、（ａ）化合物を有しており、前記（ａ）化合物は（ＮＨ４）２ＰｂＢｒ４であることを確認した。（（Ｐａ）／（Ｐ１））は４．１４であった。キシレンを用いて組成物２の固形分濃度が０．００４６質量％となるように希釈した後、発光特性を評価すると、発光波長は５３６．９ｎｍであった。量子収率を測定すると、８５％であった。
A solution obtained by mixing 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile with respect to 2,200 mL of the above composition was separated into solid and liquid by filtration. Then, the solid content on the filtration was washed by flowing a mixed solution of 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile twice, and filtered. As a result, a
When the obtained
［実施例３］
実施例２の固体の組成物２をキシレンと混合して、固形分の濃度が０．２３質量％となるように調整し、１５０ｍＬの分散液３を調製した。分散液３に、オルガノポリシラザン（１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ， メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を、分散液３中の１質量部の固形分に対し、２質量部加えた。その後、水蒸気による改質処理を４時間実施し、組成物３を得た。
この際の改質処理条件として、水蒸気の流量は０．２Ｌ／分（Ｎ２ガスとともに供給、３０℃の飽和水蒸気量）、加熱温度は９０℃とした。改質処理後、キシレンを用いて、５０倍希釈した後、上述の方法で発光特性を評価すると、発光波長は５３５．４ｎｍであった。量子収率を測定すると、９３％であった。
[Example 3]
The
As the reforming treatment conditions at this time, the flow rate of steam was 0.2 L / min (supplied with N 2 gas, the amount of saturated steam at 30 ° C.), and the heating temperature was 90 ° C. After the modification treatment, it was diluted 50-fold with xylene, and then the emission characteristics were evaluated by the above method. The emission wavelength was 535.4 nm. The quantum yield was measured and found to be 93%.
［実施例４］
実施例２において１３０℃での保持時間を５分間とした以外は、実施例２と同様の方法で組成物４を得た。組成物４、５０μＬに対してトルエン３．９５ｍＬを混合した溶液の吸収率（ａｂｓ）を評価すると、０．６１であった。
[Example 4]
The composition 4 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the holding time at 130 ° C. was set to 5 minutes in Example 2. The absorption rate (abs) of a solution prepared by mixing 3.95 mL of toluene with respect to 4, 50 μL of the composition was evaluated to be 0.61.
上記の組成物４、２００ｍＬに対して、トルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬの混合溶液を２回流して洗浄し、ろ過した。これにより、固体の組成物４を得た。
得られた固体の組成物４をＸＲＤ測定した所、２θ＝１５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定結果より、組成物４は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を有していることを確認した。また、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外の回折ピークの中で、回折ピークが２θ＝１２．０°に観察され、組成物４は、（ａ）化合物を有しており、前記（ａ）化合物は（ＮＨ４）２ＰｂＢｒ４であることを確認した。（（Ｐａ）／（Ｐ１））は、６．３９であった。キシレンを用いて固体の組成物４の固形分濃度が０．００４６質量％となるように希釈した後、発光特性を評価すると、発光波長は５３５．４ｎｍであった。量子収率を測定すると、８８％であった。
A solution obtained by mixing 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile with respect to 4,200 mL of the above composition was separated into solid and liquid by filtration. Then, the solid content on the filtration was washed by flowing a mixed solution of 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile twice, and filtered. As a result, a solid composition 4 was obtained.
When the obtained solid composition 4 was XRD-measured, it had a peak derived from (hkl) = (001) at a position of 2θ = 15 °. From the measurement results, it was confirmed that the composition 4 had a compound having a three-dimensional perovskite type crystal structure. Further, among the diffraction peaks other than the peak derived from (1) the perovskite compound, the diffraction peak was observed at 2θ = 12.0 °, and the composition 4 has the compound (a), and the above (a). ) The compound was confirmed to be (NH 4 ) 2 PbBr 4 . ((Pa) / (P1)) was 6.39. After diluting the solid composition 4 with xylene so that the solid content concentration was 0.0046% by mass, the emission characteristics were evaluated and the emission wavelength was 535.4 nm. The quantum yield was measured and found to be 88%.
［比較例１］
実施例２の製造工程において１３０℃での保持時間を３０分間とした以外は、実施例２と同様の方法で組成物５を得た。組成物５、５０μＬに対してトルエン３．９５ｍＬを混合した溶液の吸収率（ａｂｓ）を評価すると、０．２１であった。
[Comparative Example 1]
The composition 5 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the holding time at 130 ° C. was set to 30 minutes in the production process of Example 2. The absorption rate (abs) of a solution prepared by mixing 3.95 mL of toluene with respect to 50 μL of the composition was evaluated to be 0.21.
上記の組成物５、２００ｍＬに対して、トルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬの混合溶液を２回流して洗浄し、ろ過した。これにより、固体の組成物５を得た。
得られた固体の組成物５をＸＲＤ測定した所、２θ＝１５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定結果より、組成物５は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を有していることを確認した。また、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外の回折ピークの中で、回折ピークが２θ＝１２．０°に観察され、組成物５は、（ａ）化合物を有していることを確認した。（（Ｐａ）／（Ｐ１））は、１１．８４であった。キシレンを用いて固形分濃度が０．００４６質量％となるように希釈した後、発光特性を評価すると、発光波長は５３８．４ｎｍであった。
A solution obtained by mixing 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile with respect to 5,200 mL of the above composition was separated into solid and liquid by filtration. Then, the solid content on the filtration was washed by flowing a mixed solution of 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile twice, and filtered. As a result, a solid composition 5 was obtained.
When the obtained solid composition 5 was XRD-measured, it had a peak derived from (hkl) = (001) at a position of 2θ = 15 °. From the measurement results, it was confirmed that the composition 5 had a compound having a three-dimensional perovskite type crystal structure. Further, among the diffraction peaks other than the peak derived from (1) the perovskite compound, the diffraction peak was observed at 2θ = 12.0 °, and it was confirmed that the composition 5 had the compound (a). .. ((Pa) / (P1)) was 11.84. After diluting with xylene to a solid content concentration of 0.0046% by mass, the emission characteristics were evaluated and the emission wavelength was 538.4 nm.
［比較例２］
実施例１の製造工程において１３０℃での保持時間を０分間とした以外は、実施例１と同様の方法で組成物６を得た。具体的には、１３０℃の上述の酢酸鉛・３水和物０．３８ｇ、ホルムアミジン酢酸塩０．３９ｇ、１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬ、オレイン酸１０ｍＬの溶液を調製後、加熱を行わず、ただちに上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を１３．３５ｍＬ添加した。添加後、溶液を室温まで降温し、組成物６を得た。
実施例１と同様に組成物６の発光特性を評価すると、発光波長は５４７．０ｎｍであった。量子収率を測定すると、３７％であり、溶液の吸収率（ａｂｓ）を評価すると、０．８８であった。
[Comparative Example 2]
Composition 6 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the holding time at 130 ° C. was set to 0 minutes in the production process of Example 1. Specifically, after preparing a solution of the above-mentioned lead acetate trihydrate at 130 ° C., 0.38 g, formamidine acetate 0.39 g, 1-
When the emission characteristics of the composition 6 were evaluated in the same manner as in Example 1, the emission wavelength was 547.0 nm. The quantum yield was measured to be 37%, and the absorption rate (abs) of the solution was evaluated to be 0.88.
実施例１と同様にＸＲＤ測定した所、２θ＝１５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。
測定結果より、組成物６は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を有していることを確認した。また、（１）ペロブスカイト化合物に由来するピーク以外の回折ピークの中で、回折ピークは２θ＝１０．０〜１３．０°に観察されず、組成物６は、（ａ）化合物を有していないことを確認した。
When XRD measurement was performed in the same manner as in Example 1, a peak derived from (hkl) = (001) was found at a position of 2θ = 15 °.
From the measurement results, it was confirmed that the composition 6 had a compound having a three-dimensional perovskite type crystal structure. Further, among the diffraction peaks other than the peak derived from (1) the perovskite compound, the diffraction peak was not observed at 2θ = 10.0 to 13.0 °, and the composition 6 has the compound (a). I confirmed that there was no such thing.
実施例１〜４、比較例１及び２の結果を表１に示す。 The results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 are shown in Table 1.
実施例１〜４に係る組成物は、本発明を適用しない比較例１及び２の組成物と比べて、発光波長の短波長側への微調整が可能であり、かつ、光の吸収率が高いことを確認した。
シラザンの改質体を含む実施例３の組成物は、シラザンの改質体を含まない実施例２の組成物に比べ、量子収率が向上すること確認した。
Compared with the compositions of Comparative Examples 1 and 2 to which the present invention is not applied, the compositions according to Examples 1 to 4 can be finely adjusted to the shorter wavelength side of the emission wavelength, and the light absorption rate is higher. I confirmed that it was expensive.
It was confirmed that the composition of Example 3 containing the modified form of silazane had an improved quantum yield as compared with the composition of Example 2 containing no modified form of silazane.
［参考例１］
実施例１〜４に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
[Reference example 1]
After the compositions according to Examples 1 to 4 are placed in a glass tube or the like and sealed, the blue light of the blue light emitting diode is emitted by arranging the composition between the blue light emitting diode as a light source and the light guide plate. Manufacture backlights that can be converted to green or red light.
［参考例２］
実施例１〜４に記載の組成物をシート化する事で樹脂組成物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
[Reference example 2]
A resin composition can be obtained by forming a sheet of the compositions according to Examples 1 to 4, and by installing a film sandwiched between two barrier films and sealed on the light guide plate, the resin composition can be obtained. A backlight capable of converting blue light emitted from a blue light emitting diode placed on an end surface (side surface) of a light guide plate onto the sheet through the light guide plate into green light or red light is manufactured.
［参考例３］
実施例１〜４に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
[Reference example 3]
By installing the compositions according to Examples 1 to 4 in the vicinity of the light emitting portion of the blue light emitting diode, a backlight capable of converting the emitted blue light into green light or red light is produced.
［参考例４］
実施例１〜４に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
[Reference example 4]
A wavelength conversion material can be obtained by removing the solvent after mixing the composition according to Examples 1 to 4 with the resist. By arranging the obtained wavelength conversion material between the blue light emitting diode which is the light source and the light guide plate or after the OLED which is the light source, a backlight capable of converting the blue light of the light source into green light or red light can be obtained. To manufacture.
［参考例５］
実施例１〜４に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
[Reference example 5]
An LED is obtained by forming a film of the composition according to Examples 1 to 4 by mixing conductive particles such as ZnS, laminating an n-type transport layer on one side, and laminating the other side with a p-type transport layer. .. By passing an electric current, the holes of the p-type semiconductor and the electrons of the n-type semiconductor can be made to emit light by canceling the charges in the perovskite compound on the bonding surface.
［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜４に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。
[Reference example 6]
A titanium oxide dense layer is laminated on the surface of a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate, a porous aluminum oxide layer is laminated on the surface, and the compositions according to Examples 1 to 4 are laminated therein. Then, after removing the solvent, hole transport such as 2,2', 7,7'-tetracis- (N, N'-di-p-methoxyphenylamine) -9,9'-spirobifluorene (Spiro-OMeTAD) is carried out from above. The layers are laminated, and the silver (Ag) layer is laminated on the layers to prepare a solar cell.
［参考例７］
実施例１〜４に記載の組成物の、溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
[Reference Example 7]
The composition of the present embodiment can be obtained by removing the solvent from the composition according to Examples 1 to 4 and molding the composition, and by installing the composition after the blue light emitting diode, the composition can be obtained from the blue light emitting diode. A laser diode illumination that emits white light by converting the blue light that irradiates the composition into green light or red light is manufactured.
［参考例８］
実施例１〜４に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。
[Reference Example 8]
The composition of the present embodiment can be obtained by removing the solvent of the composition according to Examples 1 to 4 and molding. By using the obtained composition as a part of the photoelectric conversion layer, a photoelectric conversion element (photodetection element) material used for a detection unit that detects light is manufactured. The photoelectric conversion element material is a part of a living body such as an image detection unit (image sensor) for a solid-state imaging device such as an X-ray image pickup device and a CMOS image sensor, a fingerprint detection section, a face detection section, a vein detection section, and an iris detection section. It is used in an optical biosensor such as a detection unit and a pulse oximeter that detects a predetermined feature.
本発明によれば、光の吸収率が高く、かつ、発光波長を短波長側に微調整することが可能なペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、及び前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することが可能となる。
したがって、本発明のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、及び前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。
According to the present invention, a composition containing a compound having a perovskite-type crystal structure capable of finely adjusting the emission wavelength to a short wavelength side and having a high light absorption rate, and a film using the composition as a forming material. , A laminated structure including the film, and a light emitting device and a display including the laminated structure can be provided.
Therefore, a composition containing a compound having a perovskite-type crystal structure of the present invention, a film using the composition as a forming material, a laminated structure containing the film, and a light emitting device and a display including the laminated structure are used for light emission. Can be suitably used in.
１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板 1a ... 1st laminated structure, 1b ... 2nd laminated structure, 10 ... film, 20 ... first substrate, 21 ... second substrate, 22 ... sealing layer, 2 ... light emitting device, 3 ... display , 30 ... light source, 40 ... liquid crystal panel, 50 ... prism sheet, 60 ... light guide plate
Claims (7)
Ｘ線回折パターンにおいて、下記（１）の面のミラー指数（００１）の回折ピーク強度（Ｐ１）と、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲において、下記（１）に由来するピーク以外のうち最も強度が高い下記（ａ）の回折ピークの強度（Ｐａ）との比である（（Ｐａ）／（Ｐ１））が０．３以上、１０以下である組成物。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（ａ）：Ｘ線回折パターンにおいて、ブラッグ角（２θ）が１０〜１３°の範囲に回折ピークを有する化合物 A composition containing the following (1) and the following (a).
In the X-ray diffraction pattern, the diffraction peak intensity (P1) of the Miller index (001) of the surface of the surface (1) below and the peak derived from the following (1) in the range where the Bragg angle (2θ) is 10 to 13 ° A composition in which ((Pa) / (P1)), which is the ratio of the diffraction peak of the following (a) having the highest intensity to the intensity (Pa), is 0.3 or more and 10 or less.
(1): A compound having a perovskite-type crystal structure containing A, B, and X as constituent components (A is a component located at each apex of a hexahedron centered on B in the perovskite-type crystal structure. It is a monovalent cation.
X is a component located at each apex of the octahedron centered on B in the perovskite type crystal structure, and is at least one anion selected from the group consisting of a halide ion and a thiocyanate ion.
B is a component located at the center of a hexahedron in which A is arranged at the apex and an octahedron in which X is arranged at the apex in the perovskite type crystal structure, and is a metal ion. )
(A): A compound having a diffraction peak in the Bragg angle (2θ) range of 10 to 13 ° in an X-ray diffraction pattern.
（２−１）シラザン
（２−２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物 Further, a claim comprising at least one compound selected from the group consisting of the following (2-1), the following (2-1) modified product, the following (2-2) and the following (2-2) modified product. Item 2. The composition according to item 1.
(2-1) Silazane (2-2) A silicon compound having at least one group selected from the group consisting of an amino group, an alkoxy group and an alkylthio group.
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（５）重合体 The composition according to claim 1 or 2, further comprising at least one selected from the group consisting of the following (3), the following (4) and the following (5).
(3) Solvent (4) Polymerizable compound (5) Polymer
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| CN110869466B (en) * | 2017-07-11 | 2023-04-28 | 南洋理工大学 | Low-dimensional inorganic/organic hybrid metal halide perovskite |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2018235948A1 (en) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 住友化学株式会社 | Composition, film, laminated structure, light-emitting device, display, and method for producing composition |
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