JP2020136307A - Heat treatment method and thermal treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法および熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment method and a heat treatment apparatus for heating a thin plate-shaped precision electronic substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a “substrate”) by irradiating the substrate with light.
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。 In the semiconductor device manufacturing process, flash lamp annealing (FLA), which heats a semiconductor wafer in an extremely short time, has attracted attention. Flash lamp annealing uses a xenon flash lamp (hereinafter, simply referred to as "flash lamp" to mean a xenon flash lamp) to irradiate the surface of the semiconductor wafer with flash light, so that only the surface of the semiconductor wafer is extremely exposed. This is a heat treatment technique that raises the temperature in a short time (several milliseconds or less).
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。 The radiation spectral distribution of the xenon flash lamp is from the ultraviolet region to the near infrared region, and the wavelength is shorter than that of the conventional halogen lamp, which is almost the same as the basic absorption band of the silicon semiconductor wafer. Therefore, when the semiconductor wafer is irradiated with the flash light from the xenon flash lamp, the transmitted light is small and the temperature of the semiconductor wafer can be rapidly raised. It has also been found that if the flash light is irradiated for an extremely short time of several milliseconds or less, the temperature can be selectively raised only in the vicinity of the surface of the semiconductor wafer.
このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。 Such flash lamp annealing is utilized for processes that require heating for a very short time, for example, activation of impurities injected into a semiconductor wafer. By irradiating the surface of a semiconductor wafer into which impurities have been implanted by the ion implantation method with flash light from a flash lamp, the surface of the semiconductor wafer can be raised to the activation temperature for a very short time, and the impurities are deeply diffused. Only impurity activation can be performed without causing it.
このようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置として、例えば特許文献１には、半導体ウェハーの表面側にフラッシュランプを配置し、裏面側にハロゲンランプを配置し、それらの組み合わせによって所望の熱処理を行うものが開示されている。特許文献１に開示の熱処理装置においては、ハロゲンランプによって半導体ウェハーをある程度の温度まで予備加熱し、その後フラッシュランプからの閃光照射によって半導体ウェハーの表面を所望の処理温度にまで昇温している。 As a heat treatment apparatus using such a xenon flash lamp, for example, in Patent Document 1, a flash lamp is arranged on the front surface side of a semiconductor wafer, a halogen lamp is arranged on the back surface side, and a desired heat treatment is performed by a combination thereof. Things are disclosed. In the heat treatment apparatus disclosed in Patent Document 1, the semiconductor wafer is preheated to a certain temperature by a halogen lamp, and then the surface of the semiconductor wafer is raised to a desired processing temperature by flash irradiation from a flash lamp.
特許文献１に開示される熱処理装置においては、予備加熱源である複数の棒状のハロゲンランプを上下２段に格子状に配列して矩形の光源領域を形成している。このような予備加熱源によって半導体ウェハーの予備加熱を行うときにも、半導体ウェハーの面内温度分布が不均一になることがあった。特に、ハロゲンランプが密に配置されることとなる矩形の光源領域の四隅に対向する半導体ウェハーの周縁部の温度が周囲よりも高くなりやすい傾向が認められた。 In the heat treatment apparatus disclosed in Patent Document 1, a plurality of rod-shaped halogen lamps, which are preheating sources, are arranged in a grid pattern in two upper and lower stages to form a rectangular light source region. Even when the semiconductor wafer is preheated by such a preheating source, the in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer may become non-uniform. In particular, it was observed that the temperature of the peripheral edge of the semiconductor wafer facing the four corners of the rectangular light source region where the halogen lamps are densely arranged tends to be higher than that of the surroundings.
予備加熱時に半導体ウェハーの面内温度分布が不均一になると、ウェハー反りが発生するおそれがある。予備加熱時にウェハー反りが発生すると、その後のフラッシュ光照射時にも半導体ウェハーが曲がっているために均一な照射を行うことができず、半導体ウェハーの面内温度分布が不均一になるだけでなく、不均一な加熱によってウェハー割れが生じるおそれもあった。 If the in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer becomes non-uniform during preheating, wafer warpage may occur. If the wafer warps during preheating, the semiconductor wafer is bent during the subsequent flash light irradiation, so uniform irradiation cannot be performed, and not only the in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer becomes non-uniform, but also Wafer cracking may occur due to non-uniform heating.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、加熱時に基板が反るのを防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus capable of preventing the substrate from warping during heating.
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、チャンバー内にてサセプタに基板を保持する保持工程と、前記サセプタに保持された前記基板に光照射部から光を照射する照射工程と、を備え、前記保持工程では、前記照射工程にて前記基板に光を照射したときに前記基板の結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる向きに前記基板を前記サセプタに保持することを特徴とする。 In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a heat treatment method for heating a substrate by irradiating the substrate with light, in which a holding step of holding the substrate on a susceptor in a chamber and holding the substrate on the susceptor are held. The substrate is provided with an irradiation step of irradiating the substrate with light from a light irradiation unit, and in the holding step, when the substrate is irradiated with light in the irradiation step, the substrate is along the <100> direction of the crystal orientation of the substrate. The substrate is held by the susceptor in a direction in which the temperature gradient generated is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction.
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記光照射部は、矩形の光源領域に２段に格子状に配列された複数の棒状ランプを含み、前記保持工程では、前記基板の結晶方位の＜１００＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板を前記サセプタに保持することを特徴とする。 Further, the invention of claim 2 is the heat treatment method according to the invention of claim 1, wherein the light irradiation unit includes a plurality of rod-shaped lamps arranged in a grid pattern in two stages in a rectangular light source region, and the holding step. The present invention is characterized in that the substrate is held by the susceptor so that the <100> direction of the crystal orientation of the substrate coincides with the longitudinal direction of the rod-shaped lamp.
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記光照射部は、矩形の光源領域に平行に配列された複数の棒状ランプを含み、前記保持工程では、前記基板の結晶方位の＜１１０＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板を前記サセプタに保持することを特徴とする。
Further, the invention of
また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３の発明に係る熱処理方法において、前記棒状ランプは連続点灯ランプであることを特徴とする。
Further, the invention of claim 4 is characterized in that, in the heat treatment method according to the invention of
また、請求項５の発明は、請求項３の発明に係る熱処理方法において、前記棒状ランプはフラッシュランプであることを特徴とする。
Further, the invention of
また、請求項６の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持するサセプタと、前記サセプタに保持された前記基板に光を照射する光照射部と、前記サセプタに保持される前記基板の向きを調整するアライメント部と、を備え、前記アライメント部は、前記光照射部から前記基板に光を照射したときに前記基板の結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなるように前記基板の向きを調整することを特徴とする。
Further, the invention of
また、請求項７の発明は、請求項６の発明に係る熱処理装置において、前記光照射部は、矩形の光源領域に２段に格子状に配列された複数の棒状ランプを含み、前記アライメント部は、前記基板の結晶方位の＜１００＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする。
The invention of
また、請求項８の発明は、請求項６の発明に係る熱処理装置において、前記光照射部は、矩形の光源領域に平行に配列された複数の棒状ランプを含み、前記アライメント部は、前記基板の結晶方位の＜１１０＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする。
The invention of claim 8 is the heat treatment apparatus according to the invention of
また、請求項９の発明は、請求項７または請求項８の発明に係る熱処理装置において、前記棒状ランプは連続点灯ランプであることを特徴とする。
Further, the invention of claim 9 is characterized in that, in the heat treatment apparatus according to the invention of
また、請求項１０の発明は、請求項８の発明に係る熱処理装置において、前記棒状ランプはフラッシュランプであることを特徴とする。
Further, the invention of
請求項１から請求項５の発明によれば、基板に光を照射したときに基板の結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる向きに基板をサセプタに保持するため、より反りが生じやすい＜１００＞方向に沿った温度勾配が小さくなり、加熱時に基板が反るのを防止することができる。 According to the inventions of claims 1 to 5, the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the substrate when the substrate is irradiated with light is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. Since the substrate is held in the susceptor in such an orientation, the temperature gradient along the <100> direction, in which warpage is more likely to occur, becomes small, and the substrate can be prevented from warping during heating.
請求項６から請求項１０の発明によれば、基板に光を照射したときに基板の結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなるように基板の向きを調整するため、より反りが生じやすい＜１００＞方向に沿った温度勾配が小さくなり、加熱時に基板が反るのを防止することができる。
According to the inventions of
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る熱処理装置１００を示す平面図であり、図２はその正面図である。熱処理装置１００は基板として円板形状の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図１〜図３の各図においては、それらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
First, the overall configuration of the heat treatment apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing the
図１および図２に示すように、熱処理装置１００は、未処理の半導体ウェハーＷを外部から装置内に搬入するとともに処理済みの半導体ウェハーＷを装置外に搬出するためのインデクサ部１０１、未処理の半導体ウェハーＷの位置決めを行うアライメント部２３０、加熱処理後の半導体ウェハーＷの冷却を行う２つの冷却部１３０，１４０、半導体ウェハーＷにフラッシュ加熱処理を施す熱処理部１６０並びに冷却部１３０，１４０および熱処理部１６０に対して半導体ウェハーＷの受け渡しを行う搬送ロボット１５０を備える。また、熱処理装置１００は、上記の各処理部に設けられた動作機構および搬送ロボット１５０を制御して半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理を進行させる制御部３を備える。
As shown in FIGS. 1 and 2, in the
インデクサ部１０１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では２個）を並べて載置するロードポート１１０と、各キャリアＣから未処理の半導体ウェハーＷを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの半導体ウェハーＷを収納する受渡ロボット１２０とを備えている。未処理の半導体ウェハーＷを収容したキャリアＣは無人搬送車（ＡＧＶ、ＯＨＴ）等によって搬送されてロードポート１１０に載置されるともに、処理済みの半導体ウェハーＷを収容したキャリアＣは無人搬送車によってロードポート１１０から持ち去られる。
The
また、ロードポート１１０においては、受渡ロボット１２０がキャリアＣに対して任意の半導体ウェハーＷの出し入れを行うことができるように、キャリアＣが図２の矢印ＣＵにて示す如く昇降移動可能に構成されている。なお、キャリアＣの形態としては、半導体ウェハーＷを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納した半導体ウェハーＷを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
Further, in the
また、受渡ロボット１２０は、図１の矢印１２０Ｓにて示すようなスライド移動、矢印１２０Ｒにて示すような旋回動作および昇降動作が可能とされている。これにより、受渡ロボット１２０は、２つのキャリアＣに対して半導体ウェハーＷの出し入れを行うとともに、アライメント部２３０および２つの冷却部１３０，１４０に対して半導体ウェハーＷの受け渡しを行う。受渡ロボット１２０によるキャリアＣに対する半導体ウェハーＷの出し入れは、ハンド１２１のスライド移動、および、キャリアＣの昇降移動により行われる。また、受渡ロボット１２０とアライメント部２３０または冷却部１３０，１４０との半導体ウェハーＷの受け渡しは、ハンド１２１のスライド移動、および、受渡ロボット１２０の昇降動作によって行われる。
Further, the
アライメント部２３０は、Ｙ軸方向に沿ったインデクサ部１０１の側方に接続されて設けられている。アライメント部２３０は、半導体ウェハーＷを水平面内で回転させて向きを調整する処理部である。アライメント部２３０は、アルミニウム合金製の筐体であるアライメントチャンバー２３１の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持して回転させる機構、および、半導体ウェハーＷの周縁部に形成されたノッチやオリフラ等を光学的に検出する機構などを設けて構成される。
The
アライメント部２３０への半導体ウェハーＷの受け渡しは受渡ロボット１２０によって行われる。受渡ロボット１２０からアライメントチャンバー２３１へはウェハー中心が所定の位置に位置するように半導体ウェハーＷが渡される。アライメント部２３０では、インデクサ部１０１から受け取った半導体ウェハーＷの中心部を回転中心として鉛直方向軸まわりで半導体ウェハーＷを回転させ、ノッチ等を光学的に検出することによって半導体ウェハーＷの向きを調整する。向き調整の終了した半導体ウェハーＷは受渡ロボット１２０によってアライメントチャンバー２３１から取り出される。
The delivery of the semiconductor wafer W to the
搬送ロボット１５０による半導体ウェハーＷの搬送空間として搬送ロボット１５０を収容する搬送チャンバー１７０が設けられている。その搬送チャンバー１７０の三方に熱処理部１６０の処理チャンバー６、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１および冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１が連通接続されている。
A
熱処理装置１００の主要部である熱処理部１６０は、予備加熱を行った半導体ウェハーＷにキセノンフラッシュランプＦＬからの閃光（フラッシュ光）を照射してフラッシュ加熱処理を行う基板処理部である。この熱処理部１６０の構成についてはさらに後述する。
The
２つの冷却部１３０，１４０は、概ね同様の構成を備える。冷却部１３０，１４０はそれぞれ、アルミニウム合金製の筐体である第１クールチャンバー１３１，第２クールチャンバー１４１の内部に、金属製の冷却プレートと、その上面に載置された石英板とを備える（いずれも図示省略）。当該冷却プレートは、ペルチェ素子または恒温水循環によって常温（約２３℃）に温調されている。熱処理部１６０にてフラッシュ加熱処理が施された半導体ウェハーＷは、第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に搬入されて当該石英板に載置されて冷却される。
The two cooling
第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１はともに、インデクサ部１０１と搬送チャンバー１７０との間にて、それらの双方に接続されている。第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１には、半導体ウェハーＷを搬入出するための２つの開口が形設されている。第１クールチャンバー１３１の２つの開口のうちインデクサ部１０１に接続される開口はゲートバルブ１８１によって開閉可能とされている。一方、第１クールチャンバー１３１の搬送チャンバー１７０に接続される開口はゲートバルブ１８３によって開閉可能とされている。すなわち、第１クールチャンバー１３１とインデクサ部１０１とはゲートバルブ１８１を介して接続され、第１クールチャンバー１３１と搬送チャンバー１７０とはゲートバルブ１８３を介して接続されている。
Both the first
インデクサ部１０１と第１クールチャンバー１３１との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８１が開放される。また、第１クールチャンバー１３１と搬送チャンバー１７０との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８３が開放される。ゲートバルブ１８１およびゲートバルブ１８３が閉鎖されているときには、第１クールチャンバー１３１の内部が密閉空間となる。
When the semiconductor wafer W is transferred between the
また、第２クールチャンバー１４１の２つの開口のうちインデクサ部１０１に接続される開口はゲートバルブ１８２によって開閉可能とされている。一方、第２クールチャンバー１４１の搬送チャンバー１７０に接続される開口はゲートバルブ１８４によって開閉可能とされている。すなわち、第２クールチャンバー１４１とインデクサ部１０１とはゲートバルブ１８２を介して接続され、第２クールチャンバー１４１と搬送チャンバー１７０とはゲートバルブ１８４を介して接続されている。
Further, of the two openings of the second
インデクサ部１０１と第２クールチャンバー１４１との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８２が開放される。また、第２クールチャンバー１４１と搬送チャンバー１７０との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８４が開放される。ゲートバルブ１８２およびゲートバルブ１８４が閉鎖されているときには、第２クールチャンバー１４１の内部が密閉空間となる。
When the semiconductor wafer W is transferred between the
さらに、冷却部１３０，１４０はそれぞれ、第１クールチャンバー１３１，第２クールチャンバー１４１に清浄な窒素ガスを供給するガス供給機構とチャンバー内の雰囲気を排気する排気機構とを備える。これらのガス供給機構および排気機構は、流量を２段階に切り換え可能とされていても良い。
Further, the cooling
搬送チャンバー１７０に設けられた搬送ロボット１５０は、鉛直方向に沿った軸を中心に矢印１５０Ｒにて示すように旋回可能とされる。搬送ロボット１５０は、複数のアームセグメントからなる２つのリンク機構を有し、それら２つのリンク機構の先端にはそれぞれ半導体ウェハーＷを保持する搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂが設けられている。これらの搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂは上下に所定のピッチだけ隔てて配置され、リンク機構によりそれぞれ独立して同一水平方向に直線的にスライド移動可能とされている。また、搬送ロボット１５０は、２つのリンク機構が設けられるベースを昇降移動することにより、所定のピッチだけ離れた状態のまま２つの搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂを昇降移動させる。
The
搬送ロボット１５０が第１クールチャンバー１３１、第２クールチャンバー１４１または熱処理部１６０の処理チャンバー６を受け渡し相手として半導体ウェハーＷの受け渡し（出し入れ）を行う際には、まず、両搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂが受け渡し相手と対向するように旋回し、その後（または旋回している間に）昇降移動していずれかの搬送ハンドが受け渡し相手と半導体ウェハーＷを受け渡しする高さに位置する。そして、搬送ハンド１５１ａ（１５１ｂ）を水平方向に直線的にスライド移動させて受け渡し相手と半導体ウェハーＷの受け渡しを行う。
When the
搬送ロボット１５０と受渡ロボット１２０との半導体ウェハーＷの受け渡しは冷却部１３０，１４０を介して行うことができる。すなわち、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１および冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１は、搬送ロボット１５０と受渡ロボット１２０との間で半導体ウェハーＷを受け渡すためのパスとしても機能するものである。具体的には、搬送ロボット１５０または受渡ロボット１２０のうちの一方が第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に渡した半導体ウェハーＷを他方が受け取ることによって半導体ウェハーＷの受け渡しが行われる。搬送ロボット１５０および受渡ロボット１２０によって半導体ウェハーＷをキャリアＣから熱処理部１６０にまで搬送する搬送機構が構成される。
The transfer of the semiconductor wafer W between the
上述したように、第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１とインデクサ部１０１との間にはそれぞれゲートバルブ１８１，１８２が設けられている。また、搬送チャンバー１７０と第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１との間にはそれぞれゲートバルブ１８３，１８４が設けられている。さらに、搬送チャンバー１７０と熱処理部１６０の処理チャンバー６との間にはゲートバルブ１８５が設けられている。熱処理装置１００内にて半導体ウェハーＷが搬送される際には、適宜これらのゲートバルブが開閉される。また、搬送チャンバー１７０およびアライメントチャンバー２３１にもガス供給部から窒素ガスが供給されるとともに、それらの内部の雰囲気が排気部によって排気される（いずれも図示省略）。
As described above,
次に、熱処理部１６０の構成について説明する。図３は、熱処理部１６０の構成を示す縦断面図である。熱処理部１６０は、半導体ウェハーＷを収容して加熱処理を行う処理チャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュランプハウス５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲンランプハウス４と、を備える。処理チャンバー６の上側にフラッシュランプハウス５が設けられるとともに、下側にハロゲンランプハウス４が設けられている。また、熱処理部１６０は、処理チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と搬送ロボット１５０との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。
Next, the configuration of the
処理チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。処理チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を処理チャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、処理チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲンランプＨＬからの光を処理チャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
The
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。処理チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
A
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、処理チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、処理チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
By mounting the
また、チャンバー側部６１には、処理チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖すると処理チャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
Further, the
また、処理チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１は処理チャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガスを用いることができる（本実施形態では窒素）。
Further, a
一方、処理チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６は処理チャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気機構１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、処理チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気機構１９０は、熱処理装置１００に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１００が設置される工場のユーティリティであっても良い。
On the other hand, a
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気機構１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介して処理チャンバー６内の気体が排気される。
Further, a
図４は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
FIG. 4 is a perspective view showing the overall appearance of the holding
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、処理チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図３参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
The
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図５は、サセプタ７４の平面図である。また、図６は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
The
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
A
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
A region of the upper surface of the holding
図４に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１が処理チャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７が処理チャンバー６に装着される。保持部７が処理チャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
Returning to FIG. 4, the four connecting
処理チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、処理チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
The semiconductor wafer W carried into the
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
Further, the semiconductor wafer W is supported by a plurality of substrate support pins 77 from the holding
また、図４および図５に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０（図３参照）がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８を介してサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光してその半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
Further, as shown in FIGS. 4 and 5, an
図７は、移載機構１０の平面図である。また、図８は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図７の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図７の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。移載動作位置はサセプタ７４の下方であり、退避位置はサセプタ７４よりも外方である。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
FIG. 7 is a plan view of the
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図４，５参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気が処理チャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
Further, the pair of
図３に戻り、処理チャンバー６の上方に設けられたフラッシュランプハウス５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュランプハウス５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュランプハウス５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュランプハウス５が処理チャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬは処理チャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
Returning to FIG. 3, the
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。 Each of the plurality of flash lamps FL is a rod-shaped lamp having a long cylindrical shape, and the longitudinal direction thereof is along the main surface of the semiconductor wafer W held by the holding portion 7 (that is, along the horizontal direction). They are arranged in a plane so as to be parallel to each other. Therefore, the plane formed by the arrangement of the flash lamp FL is also a horizontal plane.
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。 The xenon flash lamp FL is attached to a rod-shaped glass tube (discharge tube) in which xenon gas is sealed inside and an anode and a cathode connected to a condenser are arranged at both ends thereof, and on the outer peripheral surface of the glass tube. It is provided with a cathode electrode. Since xenon gas is electrically an insulator, electricity does not flow in the glass tube under normal conditions even if electric charges are accumulated in the condenser. However, when a high voltage is applied to the trigger electrode to break the insulation, the electricity stored in the capacitor instantly flows into the glass tube, and light is emitted by the excitation of xenon atoms or molecules at that time. In such a xenon flash lamp FL, the electrostatic energy stored in the capacitor in advance is converted into an extremely short optical pulse of 0.1 millisecond to 100 millisecond, so that the halogen lamp HL is continuously lit. It has the feature that it can irradiate extremely strong light compared to a light source. That is, the flash lamp FL is a pulsed light emitting lamp that instantaneously emits light in an extremely short time of less than 1 second. The light emission time of the flash lamp FL can be adjusted by the coil constant of the lamp power supply that supplies power to the flash lamp FL.
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
Further, the
処理チャンバー６の下方に設けられたハロゲンランプハウス４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。複数のハロゲンランプＨＬは処理チャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行う。
The halogen lamp house 4 provided below the
図９は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。本実施形態では、矩形の光源領域に上下２段に各２０本ずつのハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。 FIG. 9 is a plan view showing the arrangement of a plurality of halogen lamps HL. In the present embodiment, 20 halogen lamps HL are arranged in two upper and lower stages in a rectangular light source region. Each halogen lamp HL is a rod-shaped lamp having a long cylindrical shape. The 20 halogen lamps HL in both the upper and lower stages are arranged so that their longitudinal directions are parallel to each other along the main surface of the semiconductor wafer W held by the holding portion 7 (that is, along the horizontal direction). There is. Therefore, the plane formed by the arrangement of the halogen lamps HL in both the upper and lower stages is a horizontal plane.
また、図９に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲンランプＨＬからの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
Further, as shown in FIG. 9, the arrangement density of the halogen lamp HL in the region facing the peripheral edge portion is higher than the region facing the central portion of the semiconductor wafer W held by the holding
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段の各ハロゲンランプＨＬの長手方向と下段の各ハロゲンランプＨＬの長手方向とが直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。 Further, the lamp group composed of the halogen lamp HL in the upper stage and the lamp group composed of the halogen lamp HL in the lower stage are arranged so as to intersect in a grid pattern. That is, a total of 40 halogen lamps HL are arranged so that the longitudinal direction of each halogen lamp HL in the upper stage and the longitudinal direction of each halogen lamp HL in the lower stage are orthogonal to each other.
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。 The halogen lamp HL is a filament type light source that incandescents the filament and emits light by energizing the filament arranged inside the glass tube. Inside the glass tube, a gas in which a small amount of a halogen element (iodine, bromine, etc.) is introduced into an inert gas such as nitrogen or argon is sealed. By introducing the halogen element, it becomes possible to set the temperature of the filament to a high temperature while suppressing the breakage of the filament. Therefore, the halogen lamp HL has a characteristic that it has a longer life and can continuously irradiate strong light as compared with a normal incandescent lamp. That is, the halogen lamp HL is a continuously lit lamp that continuously emits light for at least 1 second or longer. Further, since the halogen lamp HL is a rod-shaped lamp, it has a long life, and by arranging the halogen lamp HL along the horizontal direction, the radiation efficiency to the upper semiconductor wafer W becomes excellent.
また、ハロゲンランプハウス４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図３）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
Further, in the
上記の構成以外にも熱処理部１６０は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲンランプハウス４、フラッシュランプハウス５および処理チャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、処理チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲンランプハウス４およびフラッシュランプハウス５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュランプハウス５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
In addition to the above configuration, the
制御部３は、熱処理装置１００に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１００における処理が進行する。なお、図１においては、インデクサ部１０１内に制御部３を示しているが、これに限定されるものではなく、制御部３は熱処理装置１００内の任意の位置に配置することができる。
The
次に、本発明に係る熱処理装置１００の処理動作について説明する。ここでは、製品となる通常の半導体ウェハーＷに対する処理動作について説明した後、半導体ウェハーＷの向き調整について説明する。処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１００によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。
Next, the processing operation of the
まず、不純物が注入された未処理の半導体ウェハーＷがキャリアＣに複数枚収容された状態でインデクサ部１０１のロードポート１１０に載置される。そして、受渡ロボット１２０がキャリアＣから未処理の半導体ウェハーＷを１枚ずつ取り出し、アライメント部２３０のアライメントチャンバー２３１に搬入する。アライメントチャンバー２３１では、半導体ウェハーＷをその中心部を回転中心として水平面内にて鉛直方向軸まわりで回転させ、ノッチ等を光学的に検出することによって半導体ウェハーＷの向きを調整する。このときの半導体ウェハーＷの向き調整については後にさらに詳述する。
First, a plurality of untreated semiconductor wafers W in which impurities are injected are placed in the
次に、インデクサ部１０１の受渡ロボット１２０がアライメントチャンバー２３１から向きの調整された半導体ウェハーＷを取り出し、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１または冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１に搬入する。第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に搬入された未処理の半導体ウェハーＷは搬送ロボット１５０によって搬送チャンバー１７０に搬出される。未処理の半導体ウェハーＷがインデクサ部１０１から第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１を経て搬送チャンバー１７０に移送される際には、第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１は半導体ウェハーＷの受け渡しのためのパスとして機能するのである。
Next, the
半導体ウェハーＷを取り出した搬送ロボット１５０は熱処理部１６０を向くように旋回する。続いて、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を開放し、搬送ロボット１５０が未処理の半導体ウェハーＷを処理チャンバー６に搬入する。このときに、先行する加熱処理済みの半導体ウェハーＷが処理チャンバー６に存在している場合には、搬送ハンド１５１ａ，１５１ｂの一方によって加熱処理後の半導体ウェハーＷを取り出してから未処理の半導体ウェハーＷを処理チャンバー６に搬入してウェハー入れ替えを行う。その後、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を閉鎖する。
The
処理チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷには、ハロゲンランプＨＬによって予備加熱が行われた後、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によってフラッシュ加熱処理が行われる。このフラッシュ加熱処理により半導体ウェハーＷに注入された不純物の活性化が行われる。
The semiconductor wafer W carried into the
フラッシュ加熱処理が終了した後、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を再び開放し、搬送ロボット１５０が処理チャンバー６からフラッシュ加熱処理後の半導体ウェハーＷを搬送チャンバー１７０に搬出する。半導体ウェハーＷを取り出した搬送ロボット１５０は、処理チャンバー６から第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に向くように旋回する。また、ゲートバルブ１８５が処理チャンバー６と搬送チャンバー１７０との間を閉鎖する。
After the flash heat treatment is completed, the
その後、搬送ロボット１５０が加熱処理後の半導体ウェハーＷを冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１または冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１に搬入する。このとき、当該半導体ウェハーＷが加熱処理前に第１クールチャンバー１３１を通ってきている場合には加熱処理後にも第１クールチャンバー１３１に搬入され、加熱処理前に第２クールチャンバー１４１を通ってきている場合には加熱処理後にも第２クールチャンバー１４１に搬入される。第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１では、フラッシュ加熱処理後の半導体ウェハーＷの冷却処理が行われる。熱処理部１６０の処理チャンバー６から搬出された時点での半導体ウェハーＷ全体の温度は比較的高温であるため、これを第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１にて常温近傍にまで冷却するのである。
After that, the
所定の冷却処理時間が経過した後、受渡ロボット１２０が冷却後の半導体ウェハーＷを第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１から搬出し、キャリアＣへと返却する。キャリアＣに所定枚数の処理済み半導体ウェハーＷが収容されると、そのキャリアＣはインデクサ部１０１のロードポート１１０から搬出される。
After the predetermined cooling processing time has elapsed, the
熱処理部１６０における加熱処理について説明を続ける。処理チャンバー６への半導体ウェハーＷの搬入に先立って、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９，１９２が開放されて処理チャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６から処理チャンバー６内の気体が排気される。これにより、処理チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
The heat treatment in the
また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からも処理チャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理部１６０における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。
Further, when the
続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、搬送ロボット１５０により搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷが処理チャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。搬送ロボット１５０は、未処理の半導体ウェハーＷを保持する搬送ハンド１５１ａ（または搬送ハンド１５１ｂ）を保持部７の直上位置まで進出させて停止させる。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
Subsequently, the
未処理の半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボット１５０が搬送ハンド１５１ａを熱処理空間６５から退出させ、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
After the untreated semiconductor wafer W is placed on the
半導体ウェハーＷが保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面から照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
After the semiconductor wafer W is held from below in a horizontal position by the
ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、６００℃ないし８００℃程度とされる（本実施の形態では７００℃）。
When preheating with the halogen lamp HL, the temperature of the semiconductor wafer W is measured by the
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
After the temperature of the semiconductor wafer W reaches the preheating temperature T1, the
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュランプＦＬが半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接に処理チャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてから処理チャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
When the temperature of the semiconductor wafer W reaches the preheating temperature T1 and a predetermined time elapses, the flash lamp FL irradiates the surface of the semiconductor wafer W with flash light. At this time, a part of the flash light radiated from the flash lamp FL goes directly into the
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、フラッシュ加熱では半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。 Since the flash heating is performed by irradiating the flash light (flash) from the flash lamp FL, the surface temperature of the semiconductor wafer W can be raised in a short time. That is, the flash light emitted from the flash lamp FL has an extremely short irradiation time of 0.1 millisecond or more and 100 millisecond or less, in which the electrostatic energy stored in the capacitor in advance is converted into an extremely short optical pulse. It is a strong flash. Then, the surface temperature of the semiconductor wafer W flash-heated by the flash light irradiation from the flash lamp FL momentarily rises to the processing temperature T2 of 1000 ° C. or higher, and the impurities injected into the semiconductor wafer W are activated. After that, the surface temperature drops rapidly. As described above, since the surface temperature of the semiconductor wafer W can be raised or lowered in an extremely short time by flash heating, impurities can be activated while suppressing diffusion of impurities injected into the semiconductor wafer W due to heat. .. Since the time required for activating impurities is extremely short compared to the time required for thermal diffusion, activation can be performed even for a short time in which diffusion of about 0.1 msecond to 100 msecond does not occur. Complete.
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された処理後の半導体ウェハーＷが搬送ロボット１５０の搬送ハンド１５１ｂ（または搬送ハンド１５１ａ）により搬出される。搬送ロボット１５０は、搬送ハンド１５１ｂをリフトピン１２によって突き上げられた半導体ウェハーＷの直下位置にまで進出させて停止させる。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーＷが搬送ハンド１５１ｂに渡されて載置される。その後、搬送ロボット１５０が搬送ハンド１５１ｂを処理チャンバー６から退出させて処理後の半導体ウェハーＷを搬出する。
After the flash heat treatment is completed, the halogen lamp HL is turned off after a lapse of a predetermined time. As a result, the semiconductor wafer W rapidly drops from the preheating temperature T1. The temperature of the semiconductor wafer W during the temperature decrease is measured by the
次に、半導体ウェハーＷの向き調整について説明する。典型的には、製品となる上述の如き半導体ウェハーＷは円柱状の単結晶シリコンのインゴットを薄くスライスした薄板状基板である（例えば、φ３００ｍｍであれば厚さ０．７７５ｍｍ）。よって、本実施形態にて処理される半導体ウェハーＷも単結晶シリコンにて形成されている。また、半導体ウェハーＷは、シリコンインゴットの特定の結晶方位に沿ってスライスされたものである。典型的には、面方位が（１００）面、（１１０）面、（１１１）面となる３種類のウェハーが用いられているが、（１００）面方位のものが最も多く使用されている。本実施形態においても、処理対象となる半導体ウェハーＷは面方位が（１００）面の単結晶シリコンのウェハーである。 Next, the orientation adjustment of the semiconductor wafer W will be described. Typically, the semiconductor wafer W as described above, which is a product, is a thin plate-shaped substrate obtained by thinly slicing a columnar single crystal silicon ingot (for example, if the diameter is 300 mm, the thickness is 0.775 mm). Therefore, the semiconductor wafer W processed in this embodiment is also made of single crystal silicon. Further, the semiconductor wafer W is sliced along a specific crystal orientation of the silicon ingot. Typically, three types of wafers having plane orientations of (100) plane, (110) plane, and (111) plane are used, but the one having the (100) plane orientation is most often used. Also in this embodiment, the semiconductor wafer W to be processed is a single crystal silicon wafer having a plane orientation of (100).
図１０は、面方位が（１００）面の単結晶シリコンの半導体ウェハーＷを示す図である。φ３００ｍｍのシリコン半導体ウェハーＷには結晶方位を示すためのノッチ２０１が刻設されている。ノッチ２０１は、＜１１０＞方向を示すように設けられている。換言すれば、ノッチ２０１が示す方向の径２０２が＜１１０＞方向に沿った径である。また、ノッチ２０１が示す方向と９０°をなす径２０２（図１０で横方向に延びる径）も＜１１０＞方向に沿った径である。一方、ノッチ２０１が示す方向と４５°をなす２本の径２０３は＜１００＞方向に沿った径である。
FIG. 10 is a diagram showing a semiconductor wafer W of single crystal silicon having a plane orientation of (100) plane. A
図１１は、処理チャンバー６内にてサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷとハロゲンランプＨＬとの位置関係を示す図である。図１１では、図示の便宜上、各ハロゲンランプＨＬを点線にて示している。上述したように、本実施形態においては、矩形の光源領域に４０本のハロゲンランプＨＬが上下２段にわたって格子状に配列されている。上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。従って、矩形の光源領域の四隅において、ハロゲンランプＨＬが最も密に配設されることとなる。
FIG. 11 is a diagram showing the positional relationship between the semiconductor wafer W held by the
４０本のハロゲンランプＨＬによって半導体ウェハーＷの予備加熱を行うときには、ハロゲンランプＨＬが密に配設された矩形の光源領域の四隅に対向する半導体ウェハーＷの部位が強く加熱されやすい。その結果、予備加熱時には、矩形の光源領域の四隅に対向する半導体ウェハーＷの部位が他の部位よりも高温のホットスポットＨＳとなる傾向が認められる。そうすると、予備加熱時に半導体ウェハーＷの面内において、ホットスポットＨＳを結ぶ径の方向（図１１の左上から右下に向かう径方向および右上から左下に向かう径方向）に沿って大きな温度勾配が生じることとなる。その一方、ホットスポットＨＳを通らない径の方向（図１１の縦の径方向および横の径方向）における温度勾配は比較的小さい。 When the semiconductor wafer W is preheated by the 40 halogen lamps HL, the portions of the semiconductor wafer W facing the four corners of the rectangular light source region in which the halogen lamps HL are densely arranged are likely to be strongly heated. As a result, at the time of preheating, the portion of the semiconductor wafer W facing the four corners of the rectangular light source region tends to be a hot spot HS having a higher temperature than the other portions. Then, during preheating, a large temperature gradient is generated in the plane of the semiconductor wafer W along the radial direction connecting the hot spot HS (the radial direction from the upper left to the lower right and the radial direction from the upper right to the lower left in FIG. 11). It will be. On the other hand, the temperature gradient in the radial direction (vertical radial direction and horizontal radial direction in FIG. 11) that does not pass through the hot spot HS is relatively small.
予備加熱時に、温度分布の不均一に起因して半導体ウェハーＷが反る方向は結晶方位に依存しており、＜１００＞方向は＜１１０＞方向に比べて反りやすい。すなわち、半導体ウェハーＷの面内において、＜１００＞方向に温度勾配が生じた場合、＜１１０＞方向に温度勾配が生じるよりもウェハー反りが発生しやすい。このため、本実施形態においては、矢印ＡＲ１１にて示す半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向が棒状のハロゲンランプＨＬの長手方向と一致するように、半導体ウェハーＷをサセプタ７４に保持している。具体的には、半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿った径２０３がハロゲンランプＨＬの長手方向と一致してサセプタ７４に半導体ウェハーＷが保持されるように、アライメント部２３０が半導体ウェハーＷの向きを調整する。なお、半導体ウェハーＷがアライメントチャンバー２３１から処理チャンバー６に搬送される過程では、半導体ウェハーＷとハロゲンランプＨＬとの方向関係は維持される。
At the time of preheating, the direction in which the semiconductor wafer W warps due to the non-uniformity of the temperature distribution depends on the crystal orientation, and the <100> direction is more likely to warp than the <110> direction. That is, when a temperature gradient occurs in the <100> direction in the plane of the semiconductor wafer W, the wafer warp is more likely to occur than when a temperature gradient occurs in the <110> direction. Therefore, in the present embodiment, the semiconductor wafer W is held by the
図１１に示すように、半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿った径２０３がハロゲンランプＨＬの長手方向と一致するように半導体ウェハーＷがサセプタ７４に保持されると、予備加熱時にはノッチ２０１が示す＜１１０＞方向に沿った径２０２がホットスポットＨＳを通り、＜１１０＞方向に沿って比較的大きな温度勾配が生じる。一方、半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿っては大きな温度勾配は生じない。
As shown in FIG. 11, when the semiconductor wafer W is held by the
従って、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配は＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる。すなわち、より反りが生じやすい＜１００＞方向に沿った温度勾配が＜１１０＞方向に沿った温度勾配よりも小さくなる。その結果、予備加熱時にハロゲンランプＨＬから光照射が行われたときに半導体ウェハーＷが反るのを防止することができる。これにより、予備加熱に続くフラッシュ加熱時にもフラッシュランプＦＬから平坦な半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光が照射されることとなり、均一なフラッシュ加熱を行うことができるとともに、不均一な加熱に起因した半導体ウェハーＷの割れを防止することもできる。 Therefore, the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the semiconductor wafer W during preheating by the halogen lamp HL is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. That is, the temperature gradient along the <100> direction, in which warpage is more likely to occur, becomes smaller than the temperature gradient along the <110> direction. As a result, it is possible to prevent the semiconductor wafer W from warping when light is irradiated from the halogen lamp HL during preheating. As a result, the flash light is irradiated from the flash lamp FL to the flat semiconductor wafer W even during the flash heating following the preheating, so that uniform flash heating can be performed and the non-uniform heating is caused. It is also possible to prevent the semiconductor wafer W from cracking.
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、複数のハロゲンランプＨＬが上下２段に格子状に配列されていたが、複数のハロゲンランプＨＬが１段に互いに平行に配列されていても良い。図１２は、半導体ウェハーＷとハロゲンランプＨＬとの位置関係の他の例を示す図である。図１２においても、図示の便宜上、各ハロゲンランプＨＬを点線にて示している。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the plurality of halogen lamps HL are arranged in a grid pattern in two upper and lower stages, but a plurality of halogen lamps HL may be arranged in one stage in parallel with each other. FIG. 12 is a diagram showing another example of the positional relationship between the semiconductor wafer W and the halogen lamp HL. Also in FIG. 12, for convenience of illustration, each halogen lamp HL is shown by a dotted line.
図１２に示す例では、矩形の光源領域に複数のハロゲンランプＨＬが１段に平行に配列されている。このような配列のハロゲンランプＨＬによって半導体ウェハーＷの予備加熱を行うときには、ハロゲンランプＨＬの配列の方向に沿った径の両端部に他の部位よりも低温となるコールドスポットＣＳが生じやすい傾向が認められる。そうすると、予備加熱時に半導体ウェハーＷの面内において、コールドスポットＣＳを結ぶ径の方向（図１２の横の径方向）に沿って大きな温度勾配が生じることとなる。その一方、コールドスポットＣＳを通らない径の方向における温度勾配は比較的小さい。 In the example shown in FIG. 12, a plurality of halogen lamps HL are arranged in parallel in one stage in a rectangular light source region. When the semiconductor wafer W is preheated by the halogen lamp HL having such an arrangement, cold spot CS, which has a lower temperature than other parts, tends to occur at both ends of the diameter along the direction of the arrangement of the halogen lamp HL. Is recognized. Then, during preheating, a large temperature gradient is generated in the plane of the semiconductor wafer W along the radial direction connecting the cold spot CS (horizontal radial direction in FIG. 12). On the other hand, the temperature gradient in the direction of the diameter that does not pass through the cold spot CS is relatively small.
このため、図１２に示す例では、矢印ＡＲ１２にて示す半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１１０＞方向が棒状のハロゲンランプＨＬの長手方向と一致するように、半導体ウェハーＷをサセプタ７４に保持している。具体的には、ノッチ２０１が示す半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１１０＞方向に沿った径２０２がハロゲンランプＨＬの長手方向と一致してサセプタ７４に半導体ウェハーＷが保持されるように、アライメント部２３０が半導体ウェハーＷの向きを調整する。これにより、半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿った径２０３がハロゲンランプＨＬの長手方向と４５°をなすように、半導体ウェハーＷがサセプタ７４に保持される。
Therefore, in the example shown in FIG. 12, the semiconductor wafer W is held by the
図１２に示すように、半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１１０＞方向が棒状のハロゲンランプＨＬの長手方向と一致する、つまり＜１００＞方向がハロゲンランプＨＬの長手方向と４５°をなすように半導体ウェハーＷがサセプタ７４に保持されると、コールドスポットＣＳを通る＜１１０＞方向の径２０２に沿って比較的大きな温度勾配が生じる。一方、半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿っては大きな温度勾配は生じない。
As shown in FIG. 12, the <110> direction of the crystal orientation of the semiconductor wafer W coincides with the longitudinal direction of the rod-shaped halogen lamp HL, that is, the <100> direction forms 45 ° with the longitudinal direction of the halogen lamp HL. When the semiconductor wafer W is held by the
従って、上記実施形態と同様に、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配は＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる。その結果、予備加熱時にハロゲンランプＨＬから光照射が行われたときに半導体ウェハーＷが反るのを防止することができる。 Therefore, similarly to the above embodiment, the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the semiconductor wafer W during preheating by the halogen lamp HL is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. As a result, it is possible to prevent the semiconductor wafer W from warping when light is irradiated from the halogen lamp HL during preheating.
また、ハロゲンランプＨＬの配列は図１１，１２に示した形態以外ものであっても良い。この場合であっても、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配は＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる向きに半導体ウェハーＷをサセプタ７４に保持すれば、半導体ウェハーＷが反るのを防止することができる。
Further, the arrangement of the halogen lamp HL may be other than the form shown in FIGS. 11 and 12. Even in this case, the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the semiconductor wafer W during preheating by the halogen lamp HL is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. If W is held in the
また、上記実施形態においては、ハロゲンランプＨＬの配列に対する半導体ウェハーＷの向きを調整していたが、フラッシュランプＦＬの配列に対する半導体ウェハーＷの向きを調整するようにしても良い。照射時間は極度に短いもののフラッシュランプＦＬも棒状のランプであり、複数のフラッシュランプＦＬを図１１または図１２のように配列してフラッシュ加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの面内に上記と同様の温度分布が不均一な部位（ホットスポットＨＳまたはコールドスポットＣＳ）が発生することがある。このため、上記と同様に半導体ウェハーＷの向きを調整してサセプタ７４に保持することにより、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ加熱時に半導体ウェハーＷが反るのを防止することができる。
Further, in the above embodiment, the orientation of the semiconductor wafer W with respect to the arrangement of the halogen lamp HL was adjusted, but the orientation of the semiconductor wafer W with respect to the arrangement of the flash lamp FL may be adjusted. Although the irradiation time is extremely short, the flash lamp FL is also a rod-shaped lamp, and by arranging a plurality of flash lamp FLs as shown in FIGS. 11 or 12 and performing flash heating, the above can be seen in the plane of the semiconductor wafer W. Sites with similar non-uniform temperature distribution (hot spot HS or cold spot CS) may occur. Therefore, by adjusting the orientation of the semiconductor wafer W and holding it on the
要するに、本発明に係る技術は、半導体ウェハーＷに光を照射したときに半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる向きに半導体ウェハーＷをサセプタ７４に保持するものであれば良い。より反りが生じやすい＜１００＞方向に沿った温度勾配が＜１１０＞方向に沿った温度勾配よりも小さくなることにより、光照射加熱時に半導体ウェハーＷが反るのを防止することができる。
In short, in the technique according to the present invention, when the semiconductor wafer W is irradiated with light, the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the semiconductor wafer W is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. Any material may be used as long as the semiconductor wafer W is held in the
また、上記実施形態においては、フラッシュランプハウス５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲンランプハウス４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。この場合も、アークランプから光を照射したときに半導体ウェハーＷの結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる向きに半導体ウェハーＷをサセプタ７４に保持する。これにより、アークランプによる加熱時に半導体ウェハーＷが反るのを防止することができる。
Further, in the above embodiment, the semiconductor wafer W is preheated by using a filament type halogen lamp HL as a continuous lighting lamp that continuously emits light for 1 second or longer, but the present invention is not limited to this. Instead of the halogen lamp HL, a discharge type arc lamp (for example, a xenon arc lamp) may be used as a continuous lighting lamp to perform preheating. In this case as well, the semiconductor wafer W is oriented so that the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the semiconductor wafer W when irradiated with light from the arc lamp is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. Is held in the
また、熱処理装置１００によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。
Further, the substrate to be processed by the
３ 制御部
４ ハロゲンランプハウス
５ フラッシュランプハウス
６ 処理チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
１００ 熱処理装置
１０１ インデクサ部
１２０ 受渡ロボット
１３０，１４０ 冷却部
１５０ 搬送ロボット
１５１ａ，１５１ｂ 搬送ハンド
１６０ 熱処理部
２０１ ノッチ
２３０ アライメント部
２３１ アライメントチャンバー
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー
3 Control unit 4
Claims (10)
チャンバー内にてサセプタに基板を保持する保持工程と、
前記サセプタに保持された前記基板に光照射部から光を照射する照射工程と、
を備え、
前記保持工程では、前記照射工程にて前記基板に光を照射したときに前記基板の結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなる向きに前記基板を前記サセプタに保持することを特徴とする熱処理方法。 A heat treatment method for heating a substrate by irradiating the substrate with light.
The holding process of holding the substrate on the susceptor in the chamber,
An irradiation step of irradiating the substrate held by the susceptor with light from a light irradiation unit,
With
In the holding step, the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the substrate when the substrate is irradiated with light in the irradiation step is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. A heat treatment method comprising holding the substrate in the susceptor in a direction.
前記光照射部は、矩形の光源領域に２段に格子状に配列された複数の棒状ランプを含み、
前記保持工程では、前記基板の結晶方位の＜１００＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板を前記サセプタに保持することを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 1,
The light irradiation unit includes a plurality of rod-shaped lamps arranged in a grid pattern in two stages in a rectangular light source region.
The heat treatment method is characterized in that the holding step holds the substrate in the susceptor so that the <100> direction of the crystal orientation of the substrate coincides with the longitudinal direction of the rod-shaped lamp.
前記光照射部は、矩形の光源領域に平行に配列された複数の棒状ランプを含み、
前記保持工程では、前記基板の結晶方位の＜１１０＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板を前記サセプタに保持することを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 1,
The light irradiation unit includes a plurality of rod-shaped lamps arranged in parallel with a rectangular light source region.
The heat treatment method is characterized in that the holding step holds the substrate in the susceptor so that the <110> direction of the crystal orientation of the substrate coincides with the longitudinal direction of the rod-shaped lamp.
前記棒状ランプは連続点灯ランプであることを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 2 or 3.
A heat treatment method, wherein the rod-shaped lamp is a continuously lit lamp.
前記棒状ランプはフラッシュランプであることを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 3,
A heat treatment method, wherein the rod-shaped lamp is a flash lamp.
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持するサセプタと、
前記サセプタに保持された前記基板に光を照射する光照射部と、
前記サセプタに保持される前記基板の向きを調整するアライメント部と、
を備え、
前記アライメント部は、前記光照射部から前記基板に光を照射したときに前記基板の結晶方位の＜１００＞方向に沿って生じる温度勾配が＜１１０＞方向に沿って生じる温度勾配よりも小さくなるように前記基板の向きを調整することを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment apparatus that heats a substrate by irradiating the substrate with light.
The chamber that houses the board and
A susceptor that holds the substrate in the chamber,
A light irradiation unit that irradiates the substrate held by the susceptor with light,
An alignment unit that adjusts the orientation of the substrate held by the susceptor,
With
In the alignment unit, the temperature gradient generated along the <100> direction of the crystal orientation of the substrate when the substrate is irradiated with light from the light irradiation unit is smaller than the temperature gradient generated along the <110> direction. A heat treatment apparatus characterized in that the orientation of the substrate is adjusted as described above.
前記光照射部は、矩形の光源領域に２段に格子状に配列された複数の棒状ランプを含み、
前記アライメント部は、前記基板の結晶方位の＜１００＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 6,
The light irradiation unit includes a plurality of rod-shaped lamps arranged in a grid pattern in two stages in a rectangular light source region.
The alignment unit is a heat treatment apparatus characterized in that the orientation of the substrate is adjusted so that the <100> direction of the crystal orientation of the substrate coincides with the longitudinal direction of the rod-shaped lamp.
前記光照射部は、矩形の光源領域に平行に配列された複数の棒状ランプを含み、
前記アライメント部は、前記基板の結晶方位の＜１１０＞方向が前記棒状ランプの長手方向と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 6,
The light irradiation unit includes a plurality of rod-shaped lamps arranged in parallel with a rectangular light source region.
The alignment unit is a heat treatment apparatus characterized in that the orientation of the substrate is adjusted so that the <110> direction of the crystal orientation of the substrate coincides with the longitudinal direction of the rod-shaped lamp.
前記棒状ランプは連続点灯ランプであることを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 7 or 8.
The heat treatment apparatus, wherein the rod-shaped lamp is a continuously lit lamp.
前記棒状ランプはフラッシュランプであることを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 8,
The heat treatment apparatus, wherein the rod-shaped lamp is a flash lamp.
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